KR102227782B1 - 광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치 - Google Patents

광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치 Download PDF

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KR102227782B1
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Abstract

본 발명은 표면에 배치되는 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점; 및 바인더 수지;를 포함하고, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기의 화학식 1-A로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 분산성 및 광학특성이 우수한 광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치에 관한 것이다.
[화학식 1-A]
Figure 112019028768656-pat00108

(상기 화학식 1-A에서,
R'는 화학식 1-1로 표시되고,
[화학식 1-1]
Figure 112019028768656-pat00109

상기 화학식 1-1에서,
R1은 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
R2는 화학식 1-2으로 표시되며,
[화학식 1-2]
Figure 112019028768656-pat00110

상기 화학식 1-2에서,
A는 산소원자 또는 황원자이고,
R3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이며,
B는 머캅토(
Figure 112019028768656-pat00111
), 카르복실산(
Figure 112019028768656-pat00112
), 디티오아세트산(
Figure 112019028768656-pat00113
), 인산(
Figure 112019028768656-pat00114
) 또는 아민(-NH2)이고,
R“는 수소원자, 머캅토(
Figure 112019028768656-pat00115
), 카르복실산(
Figure 112019028768656-pat00116
), 디티오아세트산(
Figure 112019028768656-pat00117
), 인산(
Figure 112019028768656-pat00118
), 아민(-NH2), 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 분지쇄 알킬기이고,
k는 1 내지 100의 정수이며,
l은 0 내지 1의 정수이고,
m은 0 내지 10의 정수이다).

Description

광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치{A LIGHT CONVERTING RESIN COMPOSITION, A LIGHT CONVERTING UNIT AND A DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치에 관한 것이다.
발광 소자(Light Emitting Diode, LED)를 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU)으로 사용하는 LCD(Liquid Crystal Display) TV에서 LED BLU는 빛을 실제로 발하는 부분으로써 LCD TV에서 가장 중요한 부분 중에 하나이다.
백색의 LED BLU를 형성하는 방법으로는 통상 적색(Red, R), 녹색(Green, G) 및 청색(Blue, B) LED 칩을 조합하여 백색의 LED BLU를 형성하거나, 청색 LED칩과 넓은 반치폭의 발광파장을 가진 황색(Yellow, Y) 형광체의 조합을 용하여 백색을 구현하고 있다.
하지만, 적색, 녹색, 청색의 LED 칩을 조합하는 경우에는 LED 칩의 개수 및 복잡한 공정에 따라 제조비용이 높은 문제가 있고, 청색 LED칩에 황색 형광체를 조합하는 경우에는, 녹색 및 적색의 파장구분이 되지 않아 색순도가 떨어지고, 이에 따른 색재현성 저하의 문제가 발생하고 있다.
이에 따른 색재현성 저하의 문제가 있어, 최근에는 청색의 LED칩을 사용한 백라이트에 양자점이 포함된 광학필름을 적용하여 화상표시장치의 색재현성 및 휘도를 향상하고자 한다. 그러나 코팅 조성물 제조에 있어 극성이 매우 낮은 화합물의 리간드를 사용하여 톨루엔, 헥산, 클로로포름과 같은 용제의 사용이 불가피하여 작업자가 인체에 유해한 용제에 노출된 환경에서 작업을 실시해야 하는 문제가 있다. 또한, 상기 광학필름의 경우 양자점이 포함된 발광층 이외에 베리어층, 기재층 등 구조가 복잡해지고, 이에 따른 양자점의 발광휘도 저하가 발생하게 된다.
또한, 광학필름 형태로 가공하기 위해 낮은 공정온도에서 진행함에 따라 장기 신뢰성에 문제가 있어 이에 대한 개선이 요구되고 있다.
대한민국 등록특허 제10-1718592호는 양자점; TiO2 코어부와, 상기 코어부의 표면 중 적어도 일부를 덮는 SiO2를 포함하는 쉘부를 포함하는 코어쉘 구조의 산란입자; 및 경화성 수지를 포함하는 양자점 조성물로서, 상기 산란입자는 상기 양자점 조성물의 고형분의 총 중량을 기준으로 5 중량% 이상 50 중량% 이하인 것인 양자점 조성물을 제공하고 있다.
대한민국 등록특허 제10-1690624호는 고분자 수지에 복수의 비카드뮴계 양자점이 분산되며, 일면 또는 양면이 패턴화된 고분자 레진층; 상기 고분자 레진층의 일면에 형성된 제1 배리어 필름; 및 상기 고분자 레진층의 또 다른 일면에 형성된 제2 배리어 필름;을 포함하고, 상기 고분자 레진층의 하부면은 프리즘 패턴화 또는 렌즈 패턴화된 것이며, 상기 고분자 레진층의 하부면이 프리즘 패턴화인 경우 상기 프리즘 패턴의 피치는 20 내지 70μm이고, 꼭지각도는 95 내지 120°이며, 상기 패턴의 단면은 삼각형이고, 상기 고분자 레진층의 하부면이 렌즈 패턴화인 경우 상기 렌즈 패턴의 피치는 20 내지 70㎛이고, 피치 대 높이의 비율은 4 : 1 내지 10 : 1이며, 상기 패턴의 단면은 반원형인 광학 시트를 제공하고 있다.
또한 상기 광학시트의 경우 구조가 복잡해 지고, 이에 따른 양자점의 발광 휘도 저하 및 소성온도가 낮아 장기 신뢰성이 떨어지는 문제점이 발생하게 된다.
대한민국 등록특허 제10-1718592호(2017.03.15. 주식회사 엘지화학) 대한민국 등록특허 제10-1690624호(2016.12.22. 코오롱인더스트리 주식회사)
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 새로운 리간드를 도입한 양자점을 포함함으로써 우수한 분산성과 광학특성을 향상시킬 수 있는 광변환 수지 조성물 및 광변환 적층기재, 이를 이용한 화상표시장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 표면에 배치되는 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점; 및 바인더 수지;를 포함하고, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기의 화학식 1-A로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다:
[화학식 1-A]
Figure 112019028768656-pat00001
(상기 화학식 1-A에서,
R'는 화학식 1-1로 표시되고,
[화학식 1-1]
Figure 112019028768656-pat00002
상기 화학식 1-1에서,
R1은 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
R2는 화학식 1-2으로 표시되며,
[화학식 1-2]
Figure 112019028768656-pat00003
상기 화학식 1-2에서,
A는 산소원자 또는 황원자이고,
R3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이며,
B는 머캅토(
Figure 112019028768656-pat00004
), 카르복실산(
Figure 112019028768656-pat00005
), 디티오아세트산(
Figure 112019028768656-pat00006
), 인산(
Figure 112019028768656-pat00007
) 또는 아민(-NH2)이고,
R“는 수소원자, 머캅토(
Figure 112019028768656-pat00008
), 카르복실산(
Figure 112019028768656-pat00009
), 디티오아세트산(
Figure 112019028768656-pat00010
), 인산(
Figure 112019028768656-pat00011
), 아민(-NH2), 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 분지쇄 알킬기이고,
k는 1 내지 100의 정수이며,
l은 0 내지 1의 정수이고,
m은 0 내지 10의 정수이다).
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 새로운 리간드를 도입한 양자점을 포함함으로써 분산성 및 광학특성이 우수한 효과가 있다.
상기 광변환 수지 조성물로 제조된 광변환 적층기재 및 이를 이용한 화상 표시 장치는 광학특성이 우수한 효과가 있다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 발명에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
<광변환 수지 조성물>
본 발명의 광변환 수지 조성물은 표면에 배치되는 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점; 및 바인더 수지;를 포함하고, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기의 화학식 1-A로 표시되는 화합물을 포함한다:
[화학식 1-A]
Figure 112019028768656-pat00012
(상기 화학식 1-A에서,
R'는 화학식 1-1로 표시되고,
[화학식 1-1]
Figure 112019028768656-pat00013
상기 화학식 1-1에서,
R1은 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
R2는 화학식 1-2으로 표시되며,
[화학식 1-2]
Figure 112019028768656-pat00014
상기 화학식 1-2에서,
A는 산소원자 또는 황원자이고,
R3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이며,
B는 머캅토(
Figure 112019028768656-pat00015
), 카르복실산(
Figure 112019028768656-pat00016
), 디티오아세트산(
Figure 112019028768656-pat00017
), 인산(
Figure 112019028768656-pat00018
) 또는 아민(-NH2)이고,
R“는 수소원자, 머캅토(
Figure 112019028768656-pat00019
), 카르복실산(
Figure 112019028768656-pat00020
), 디티오아세트산(
Figure 112019028768656-pat00021
), 인산(
Figure 112019028768656-pat00022
), 아민(-NH2), 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 분지쇄 알킬기이고,
k는 1 내지 100의 정수이며,
l은 0 내지 1의 정수이고,
m은 0 내지 10의 정수이다).
비카드뮴계 양자점
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 표면에 배치되는 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점을 포함한다.
본 발명의 광변환 수지 조성물에 포함되는 양자점은 나노 크기의 반도체 물질이다. 원자가 분자를 이루고, 분자는 클러스터(cluster)라고 하는 작은 분자들의 집합체를 구성하여 나노 입자를 이루는데, 이러한 나노 입자들이 특히 반도체의 특성을 띠고 있을 때 이를 양자점이라고 한다. 이러한 양자점은 외부에서 에너지를 받아 들뜬 상태에 이르면, 자체적으로 에너지 밴드 갭에 해당하는 에너지를 방출하는 특성을 가지고 있다. 요컨대, 본 발명의 광변환 수지 조성물은 이러한 양자점을 포함함으로써, 입사된 청색광원을 통해 녹색광 및 적색광으로의 광변환이 가능하다.
상기 비카드뮴계 양자점은 광에 의한 자극으로 발광할 수 있는 것이라면 특별히 한정하지 않으며, 예컨대, III-V족 반도체 화합물, IV-VI족 반도체 화합물, 및 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 III-V족 반도체 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 IV-VI족 반도체 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 IV족 원소 또는 이를 포함하는 화합물은 Si, Ge, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 원소 화합물; 및 SiC, SiGe, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 비카드뮴계 양자점은 균질한(homogeneous) 단일 구조; 코어-쉘(core-shell) 구조, 그래디언트(gradient) 구조 등과 같은 이중 구조; 또는 이들의 혼합 구조일 수 있다. 예를 들어 상기 코어-쉘(core-shell)의 이중 구조에서, 각각의 코어(core)와 쉘(shell)을 이루는 물질은 상기 언급된 서로 다른 반도체 화합물로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 코어는 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 쉘은 ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 코어-쉘 구조의 양자점은 InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS 등을 들 수 있다.
상기 비카드뮴계 양자점은 습식 화학 공정(wet chemical process), 유기금속 화학증착 공정(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) 또는 분자선 에피텍시 공정(MBE, molecular beam epitaxy)에 의해 합성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 양자점은 2종 이상의 양자점을 포함할 수 있다. 상기 양자점이 2종 이상의 양자점을 포함하는 경우 색재현성이 더욱 우수한 디스플레이를 제공할 수 있는 이점이 있어 바람직하다.
상기 비카드뮴계 양자점은 입사된 청색광원을 이용하여, 녹색광 및 적색광으로의 광변환을 위해 발광 중심 파장이 서로 다른, 구체적으로 50nm 이상의 차이가 나는 2종 또는 그 이상의 양자점을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 비카드뮴계 양자점은 발광 중심 파장이 서로 70nm 이상 차이가 나는 2종 이상의 양자점을 포함할 수 있다.
상기 2종 이상의 비카드뮴계 양자점의 발광 중심 파장의 차이가 상기 범위인 경우 넓은 색재현성으로 뛰어난 화질의 디스플레이를 제공할 수 있는 이점이 있다.
상기 비카드뮴계 양자점에 있어서, 상기 양자점은 발광중심파장 범위가 510nm 내지 540nm를 갖는 녹색 양자점 및 발광중심파장 범위가 610nm 내지 630nm인 적색 양자점을 사용하는 것이 뛰어난 색재현성 구현에 효과적이다. 바람직하게는, 상기 양자점은 발광중심파장 범위가 상기 녹색 양자점 및 상기 적색 양자점을 포함할 수 있으며, 이 경우 각각의 상기 발광파장을 만족하는 양자점을 적용함으로써, 청색광원의 청색투과광, 녹색 발광, 적색 발광에 의해 만들어지는 백색광원의 컬러필터의 사용이 가능하여, 넓은 색재현성 갖는 디스플레이 장치를 제공할 수 있는 이점이 있다.
상기 비카드뮴계 양자점은 표면에 배치되는 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함한다. 이때, 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 화학적 결합으로 양자점의 표면에 배치되며, 하기의 화학식 1-A로 표시되는 화합물을 포함한다.
[화학식 1-A]
Figure 112019028768656-pat00023
(상기 화학식 1-A에서,
R'는 화학식 1-1로 표시되고,
[화학식 1-1]
Figure 112019028768656-pat00024
상기 화학식 1-1에서,
R1은 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
R2는 화학식 1-2으로 표시되며,
[화학식 1-2]
Figure 112019028768656-pat00025
상기 화학식 1-2에서,
A는 산소원자 또는 황원자이고,
R3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이며,
B는 머캅토(
Figure 112019028768656-pat00026
), 카르복실산(
Figure 112019028768656-pat00027
), 디티오아세트산(
Figure 112019028768656-pat00028
), 인산(
Figure 112019028768656-pat00029
) 또는 아민(-NH2)이고,
R“는 수소원자, 머캅토(
Figure 112019028768656-pat00030
), 카르복실산(
Figure 112019028768656-pat00031
), 디티오아세트산(
Figure 112019028768656-pat00032
), 인산(
Figure 112019028768656-pat00033
), 아민(-NH2), 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 분지쇄 알킬기이고,
k는 1 내지 100의 정수이며,
l은 0 내지 1의 정수이고,
m은 0 내지 10의 정수이다).
본 발명에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 상기 알킬렌기는 2가인 것을 제외하고는 알킬기에 관한 설명을 적용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 *는 연결기를 의미한다.
상기 화학식 1-A로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-3으로 표시될 수 있다.
[화학식 1-3]
Figure 112019028768656-pat00034
(상기 화학식 1-3에서,
R"는 머캅토(
Figure 112019028768656-pat00035
), 카르복실산(
Figure 112019028768656-pat00036
), 디티오아세트산(
Figure 112019028768656-pat00037
), 인산(
Figure 112019028768656-pat00038
), 아민(-NH2), 탄소수 1 내지 20의 직쇄의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 분지쇄의 알킬기이고,
o는 0 내지 5의 정수이며,
p는 0 내지 1의 정수이고,
q는 1 내지 50의 정수이다).
올레산(oleic acid)이나 올레아민(oleic amine)과 같은 리간드를 포함하는 양자점의 경우 헥산(n-hexane)과 클로로포름 같은 고휘발 비극성 용제에는 분산이 잘되지만, 통상적으로 레지스트 제조 또는 디스플레이 소자 제작 시 사용되는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 같은 프로필렌 글리콜계 용제에는 분산성이 매우 취약한 문제가 있다. 그러나, 본 발명에 따른 양자점은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 이용하기 때문에, PGMEA와 같은 용제에도 분산이 잘 되어 작업성이 용이해지고, 또한 작업자의 건강을 보다 더 보호할 수 있는 이점이 있으며, 상기 화학식 1-A로 표시되는 화합물로서 상기 화학식 1-3으로 표시되는 화합물을 이용하는 경우, 특히 전술한 이점이 극대화되어 바람직하다.
상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드의 구체적인 예로서는, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산(2-(2-Methoxyethoxy)acetic acid(WAKO사)), 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산(2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)), 숙신산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르(Malonic acid mono-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethyl] ester), 펜탄디온산 모노-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에틸}에스테르(Pentanedioic acid mono-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethyl} ester), {2-[2-(2-에틸-헥실옥시)-에톡시]-에톡시}-아세트산({2-[2-(2-Ethyl-hexyloxy)-ethoxy]-ethoxy}-acetic acid), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 말론산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-이소부톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Malonic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-isobutoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 헥산디온산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸] 에스테르(Hexanedioic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), 2-옥소-헥산디온산 6-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에틸)에스테르(2-Oxo-hexanedioic acid 6-(2-{2-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethyl) ester), 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르(Succinic acid mono-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-methoxy-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethoxy]-ethoxy}-ethoxy)-ethyl] ester), O-(숙시닐)-O′-메틸폴리에틸렌글리콜 2′000(O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′000, Aldrich사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), {2-[2-(카복시메톡시)에톡시]에톡시}아세트산({2-[2-(carboxymethoxy)ethoxy]ethoxy}acetic acid, WAKO사), 2-[2-(벤질옥시)에톡시]아세트산(2-[2-(Benzyloxy)ethoxy]acetic acid), (2-카복시메톡시-에톡시)-아세트산((2-Carboxymethoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사), (2-부톡시-에톡시)-아세트산((2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid, WAKO사)등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 비카드뮴계 양자점은 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함함으로써, 톨루엔, 헥산, 클로로포름과 같은 휘발성이 큰 용제가 아닌, 컬러필터 양산라인에서 사용하고 있는 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트와 같은 용제를 사용해도 양호한 양자점의 분산 특성을 부여할 수 있다. 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드 함량은 양자점 기준 대비 5% 내지 150%이며, 보다 바람직하게는 10% 내지 100% 이다. 상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드의 함량이 상기 범위 미만일 경우에는 양자점 분산특성의 불량하며, 상기 범위를 초과하는 경우에는 양자점 분산 특성은 우수하나 도막의 경화 특성이 저하될 수 있다.
상기 비카드뮴계 양자점은 광변환 수지 조성물의 고형분 100중량부에 대하여 1 내지 40중량부, 바람직하게는 2 내지 20중량부로 포함될 수 있다. 상기 양자점이 상기 범위 내로 포함될 경우 발광 효율이 우수하고, 코팅층의 신뢰성이 우수한 이점이 있다. 상기 양자점이 상기 범위 미만으로 포함되는 경우 녹색광 및 적색광의 광변환 효율이 미비할 수 있고, 상기 범위를 초과하는 경우 상대적으로 청색광의 방출이 저하되어 색재현성이 떨어지는 문제가 발생될 수 있다.
바인더 수지
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 바인더 수지를 포함하며, 상기 바인더 수지는 열경화성 수지 또는 알칼리 가용성 수지를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 바인더 수지는 열경화성 수지 또는 알칼리 가용성 수지로서 카도계 바인더 수지를 포함할 수 있다.
상기 카도계 바인더 수지는 광이나 열의 작용에 의한 반응성을 갖고, 양자점의 분산성을 향상시키는 작용을 한다. 본 발명의 광변환 수지 조성물에 함유되는 카도계 바인더 수지는 양자점에 대한 결합제 수지로서 작용하고, 광변환 코팅층의 지지체로 사용이 가능한 수지라면 제한되지 않는다.
상기 카도계 바인더 수지는 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중 적어도 하나의 반복 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112019028768656-pat00039
[화학식 3]
Figure 112019028768656-pat00040
[화학식 4]
Figure 112019028768656-pat00041
[화학식 5]
Figure 112019028768656-pat00042
상기 화학식 2 내지 5에서,
X 및 X'은 각각 독립적으로 단일 결합, -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-,
Figure 112019028768656-pat00043
,
Figure 112019028768656-pat00044
,
Figure 112019028768656-pat00045
,
Figure 112019028768656-pat00046
,
Figure 112019028768656-pat00047
,
Figure 112019028768656-pat00048
,
Figure 112019028768656-pat00049
,
Figure 112019028768656-pat00050
,
Figure 112019028768656-pat00051
,
Figure 112019028768656-pat00052
,
Figure 112019028768656-pat00053
,
Figure 112019028768656-pat00054
또는
Figure 112019028768656-pat00055
이고,
Y는 산무수물 잔기이며,
Z는 산2무수물 잔기이고,
R'''는 수소 원자, 에틸기, 페닐기, -C2H4Cl, -C2H4OH 또는 -CH2CH=CH2이며,
R4, R4', R5, R5', R6, R6', R7, R7', R8, R8', R9 및 R9' 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고,
R10, R10', R11 및 R11' 은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬렌기이고, 상기 알킬렌기는 에스테르 결합, 탄소수 6 내지 14의 싸이클로알킬렌기 및 탄소수 6 내지 14의 아릴렌기 중 적어도 하나로 중단될 수 있으며,
R12, R12', R13, R13', R14, R14', R15 및 R15'은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬기이고,
r 및 s는 각각 0 ≤ m ≤ 30, 0 ≤ n ≤ 30을 만족하는 정수이며,
단 r 및 s는 동시에 0은 아니다.
[화학식 6]
Figure 112019028768656-pat00056
[화학식 7]
Figure 112019028768656-pat00057
상기 화학식 6 및 7에서,
P는 각각 독립적으로
Figure 112019028768656-pat00058
,
Figure 112019028768656-pat00059
,
Figure 112019028768656-pat00060
,
Figure 112019028768656-pat00061
또는
Figure 112019028768656-pat00062
이고,
R16 및 R17는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 티올기, 아미노기, 니트로기 또는 할로겐 원자이며,
Ar1은 각각 독립적으로 C6 내지 C15 아릴기이고,
Y'는 산무수물 잔기이며,
Z'는 산2무수물 잔기이고,
A'는 O, S, N, Si 또는 Se이며,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고,
c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 30의 정수이며,
단, c 및 d는 동시에 0이 아니다.
상기 바인더 수지는 상기 광변환 수지 조성물 전체 100중량부에 대하여, 1 내지 30 중량부, 바람직하게는 1 내지 20 중량부, 더욱 바람직하게는 2 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 바인더 수지가 상기 범위 내로 포함될 경우 도막 감소가 방지되어 막질이 양호해지므로 바람직하다. 상기 바인더 수지가 상기 범위 미만 또는 초과되어 포함될 경우 가교반응이 충분히 이루어지지 않아 도막의 경화도가 저하되어 막강도가 저하될 수 있으며, 이로 인해 디스플레이의 신뢰성 부족으로 생산수율이 저하되고 품질에 치명적일 수 있다.
산란입자
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 산란입자를 포함할 수 있다.
상기 산란입자는 통상의 무기 재료를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 평균입경이 50 내지 1000nm인 금속산화물을 포함할 수 있다.
구체적으로 상기 금속 산화물은 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종이 가능하다. 필요한 경우 아크릴레이트 등의 불포화 결합을 갖는 화합물로 표면 처리된 재질도 사용 가능하다.
다만, 본 발명에 따른 광변환 수지 조성물이 산란입자를 포함할 경우 상기 산란입자를 통해 양자점에서 방출된 광의 경로를 증가시켜 광변환 코팅층에서의 전체적인 광효율을 높일 수 있어 바람직하다.
상기 산란입자는 50 내지 1000nm의 평균입경을 가질 수 있으며, 바람직하기로 100 내지 500nm 범위인 것을 사용한다. 이때 입자 크기가 너무 작으면 양자점으로부터 방출된 빛의 충분한 산란 효과를 기대할 수 없고, 이와 반대로 너무 큰 경우에는 조성물 내에 가라 앉거나 균일한 품질의 자발광층 표면을 얻을 수 없으므로, 상기 범위 내에서 적절히 조절하여 사용한다.
상기 산란입자는 상기 광변환 수지 조성물의 전체 고형분 100 중량부에 대하여 0.5 내지 20 중량부, 바람직하게는 1 내지 15 중량부로 포함할 수 있다. 상기 산란입자가 상기 범위 내로 포함될 경우에는 발광 세기 증가 효과가 극대화될 수 있어 바람직하며, 상기 범위 미만으로 포함될 경우에는 얻고자 하는 발광 세기의 확보가 다소 어려울 수 있고, 상기 범위를 초과할 경우에는 청색 조사광의 투과도가 저하되어 발광효율에 문제가 발생할 수 있다.
열경화성 화합물
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 열경화성 화합물을 포함할 수 있다.
상기 열경화성 화합물의 평균 분자량은 20,000 이하인 것이 바람직하고 특히 1,000 내지 20,000인 것이 보다 바람직하다. 상기 열경화성 화합물의 평균분자량이 상기한 조건을 만족하는 경우에는 잔막율 및 내열성이 우수해질 수 있다.
상기 열경화성 화합물은 광변환 수지 조성물 100중량%에 대하여 10 내지 80중량%의 에폭시 화합물로 구성되는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 화합물의 함량이 상기 범위 미만일 경우에는 도막강도 부족에 따른 신뢰성이 저하될 수 있다.
상기한 조건을 만족하는 열경화성 화합물로는 비스페놀A 노볼락형 에폭시 화합물을 포함할 수 있으며, 2-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-2-[4-[1,1-비스[4-([2,3-에폭시프로폭시]페닐)]에틸]페닐]프로판과 1,3-비스[4-[1-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-1-[4-[1-[4-(2,3-에폭시프로폭시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸]페녹시]-2-프로판올과의 혼합물, 2-[4-(2,3-에폭시프로폭시)페닐]-2-[4-[1,1-비스[4-([2,3-에폭시프로폭시]페닐)]에틸]페닐]프로판 등을 들 수 있다. 시판되는 상품으로서는 JER 157S65, 157S70(상품명; JER(주) 제품) 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 열경화성 화합물은 상기 비스페놀A 노볼락형 에폭시 화합물 이외의 에폭시 수지를 추가로 포함할 수 있다. 상기 비스페놀A 노볼락형 에폭시 수지와 추가로 포함하여 함께 사용될 수 있는 에폭시 수지의 바람직한 예로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 디페닐에테르형 에폭시 수지, 하이드로키논형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 플루오렌 에폭시 수지, 페놀노블락형 에폭시 수지, 올소크레졸 노블락형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 3관능형 에폭시 수지, 테트라페놀 에탄형 에폭시 수지, 디시클로메탄디엔페놀형 에폭시 수지, 수첨비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀A함핵 폴리올형 에폭시 수지, 폴리프로필렌글리콜형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리옥살형 에폭시 수지, 지환식 다관능 에폭시 수지, 복소환형 에폭시 수지등을 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 상기 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지에 추가로 포함되어 사용할 수 있다.
상기한 에폭시 수지로서는 하기와 같은 시판품을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는 비스페놀F형 에폭시 수지로서 YDF-175S(東都化成㈜제품) 등, 비스페놀A형 에폭시 수지로서 YDB-715(東都化成㈜ 제품) 등, 비스페놀S형 에폭시 수지로서 EPICLON EXA1514(다이니뽄 잉키카가큐코우교우㈜제품) 등, 하이드로 키논형 에폭시 수지로서 YDC-1312(東都化成㈜ 제품) 등, 나프탈렌형 에폭시 수지로서 EPICLON EXA4032(다이니뽄 잉키카가큐코우교우㈜제품) 등, 비페닐형 에폭시 수지로서 에피코트 YX4000H(JER(주) 제품) 등, 비스페놀A노볼락형 에폭시 수지로서 JER 157S65 또는 157S70(JER(주) 제품) 등, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서 EPPN-201(니뽄카야쿠(주) 제품), JER152 154(JER(주) 제품) 등, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서 EOCN-102S, 103S, 104S 또는 1020(니뽄카야쿠(주) 제품), 트리스히드록시페닐메탄형에폭시수지로서 에피코트 1032H60(JER (주) 제품) 등, 3관능형 에폭시 수지로서 VG3101M80(미쯔이카가쿠㈜제품) 등, 테트라페놀에탄형 에폭시 수지로서 에피코트10315(JER (주) 제품) 등, 수첨비스페놀A형 에폭시 수지로서 ST-3000(東都化成㈜제품) 등, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지로서 에피코트 190P(JER (주) 제품)등, 글리시딜아민형 에폭시 수지로서 YH-434(東都化成㈜제품) 등, 글리옥살형 에폭시 수지로서 YDG-414(東都化成㈜제품）등, 지환식 다관능 에폭시 수지로서 에포리드 GT-401(다이셀카가쿠㈜제품) 등을 들 수 있다. 상기 에폭시 수지는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 열경화성 화합물은 광변환 수지 조성물 고형분 100중량%에 대하여 10 내지 80중량%인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 15 내지 70중량%의 범위에서 포함될 수 있다. 상기 열경화성 화합물이 상기 범위 이내로 포함될 경우에는 잔막율 및 평탄성이 양호할 수 있다.
경화 촉진제
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 중합 촉진제를 포함할 수 있다.
상기 경화 촉진제는 예를 들어 카르복실산 화합물, 티올기를 가지는 유기 황화합물, 산발생제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물이 바람직하게 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 카르복실산 화합물은 방향족 헤테로아세트산류인 것이 바람직하며, 구체적으로 페닐티오아세트산, 메틸페닐티오아세트산, 에틸페닐티오아세트산, 메틸에틸페닐티오아세트산, 디메틸페닐티오아세트산, 메톡시페닐티오아세트산, 디메톡시페닐티오아세트산, 클로로페닐티오아세트산, 디클로로페닐티오아세트산, N-페닐글리신, 페녹시아세트산, 나프틸티오아세트산, N-나프틸글리신, 나프톡시아세트산, 1,2,4-벤젠트리카르복실산 무수물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 티올기를 가지는 유기 황화합물의 구체적인 예로서는 2-머캅토벤조티아졸, 1,4-비스(3-머캅토부티릴옥시)부탄, 1,3,5-트리스(3-머캅토부틸옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판트리스(3-머갑토프로피오네이트), 펜타에리트리톨테트라키스(3-머캅토부틸레이트), 펜타에리트리톨테 트라키스(3-머캅토프로피오네이트), 디펜타에리트리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트), 테트라에틸렌글리콜비스(3-머캅토프로피오네이트) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 산발생제로의 구체적인 예로서는 4-히드록시페닐디메틸설포늄 p-톨루엔설포네이트, 4-히드록시페닐디메틸설포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디메틸설포늄 p-톨루엔설포네이트, 4-아세톡시페닐메틸벤질설포늄헥사 플루오로안티모네이트, 트리페닐설포늄 p-톨루엔설포네이트, 트리페닐설포늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오도늄 p-톨루엔설포네이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트 등의 오늄염류나 니트로벤질토실레이트류, 벤조인토실레이트류 등을 들 수 있다.
상기 경화 촉진제는 상기 광변환 수지 조성물 고형분 100 중량부을 기준으로 상기 바인더 수지와 상기 열경화성 화합물의 100중량부에 대해서 0.1 내지 40 중량부, 바람직하게는 1 내지 30 중량부 포함될 수 있다. 상기 경화 촉진제의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우, 이를 포함하는 광변환 수지 조성물이 고감도화되어 도막의 경화시간이 단축되므로 생산성이 향상되며 높은 신뢰성을 구현할 수 있는 이점이 있으며, 이를 이용하여 형성된 도막의 강도와 상기 도막부의 표면 평활성이 양호해질 수 있는 이점이 있다. 반대로, 상기 경화 촉진제의 함량이 상기 범위 미만으로 포함되는 경우에는 경화도 저하가 극복되지 못해, 후공정 중 주름이 발생할 수 있으며, 상기 범위를 초과할 경우에는 광변환 수지 조성물의 발광특성이 저하되어 휘도가 부족해지는 문제점이 있다.
용제
본 발명에 따른 광변환 수지 조성물은 용제를 포함할 수 있다.
본 발명의 광변환 수지 조성물에 함유되는 용제는 통상 1종 내지 2종 이상을 포함할 수 있으며, 특히 비점이 100 내지 180℃인 용제가 전체 용제 대비 50% 이상 포함되는 경우, 흐름특성이 우수해져 코팅얼룩 및 건조이물이 발생하지 않아, 코팅이물이 없는 양호한 광변환 적층기재를 제공할 수 있다.
구체적인 예로는 에테르류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 알코올류, 에스테르류 및 아미드류 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 구체적으로 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 메시틸렌, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤 및 3-에톡시프로피온산 에틸, 1,3-부틸렌글라이콜디아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌 글리콜 디아세테이트, 에틸렌글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 메톡시부틸 아세테이트, 에틸렌글리콜 및 γ-부티롤락톤등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 내지 2종 이상일 수 있다.
상기 비점이 100℃ 미만인 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 건조 속도가 빨라 Vacuum Dry 공정시 도막표면에 얼룩이 발생하여 불량을 야기할 수 있는 반면, 비점이 180℃를 초과하는 용제가 전체 용제의 50% 이상인 경우 Vacuum Dry 공정시 소요시간(Tact-time)이 길어지는 문제를 야기할 수 있다. 그러므로 전체 용제의 50% 이상의 용제는 비점이 100 내지 180℃인 용제를 사용하는 것이 적절하다.
상기 용제는 상기 광변환 수지 조성물 100중량%에 대하여 50 내지 90중량%, 바람직하게는 60 내지 85중량%로 포함 될 수 있다. 상기 용제가 상기 범위 내로 포함되면 롤 코터, 스핀 코터, 슬릿 앤드 스핀 코터, 슬릿 코터(다이 코터라고도 하는 경우가 있음), 잉크젯 등의 도포 장치로 도포했을 때 도포성이 양호해질 수 있다.
<광변환 적층기재>
본 발명에 따른 광변환 적층기재는 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 상기 광변환 적층 기재는 유리 기재에 코팅할 수 있는 광변환 수지 조성물을 포함함으로써, 인체유해물질에 해당되지 않는 용제를 사용할 수 있어, 작업자의 안전과 제품 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기 광변환 적층기재는 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 고분자 기판일 수 있으며, 상기 고분자 기판은 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES) 또는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 등일 수 있다.
상기 광변환 적층 기재는 상기 광변환 수지 조성물을 도포하고 열경화하여 형성 될 수 있다.
<화상표시장치>
본 발명에 따른 화상표시장치는 전술한 광변환 적층기재를 포함한다. 상기 화상 표시 장치는 구체적으로, 액정 디스플레이(액정표시장치; LCD), 유기 EL 디스플레이(유기 EL 표시장치), 액정 프로젝터, 게임기용 표시장치, 휴대전화 등의 휴대단말용 표시장치, 디지털 카메라용 표시장치, 카 네비게이션용 표시장치 등의 표시장치 등을 들 수 있으며, 특히 컬러 표시장치가 적합하다.
상기 화상표시장치는 상기 광변환 적층기재를 구비한 것을 제외하고는 본 발명의 기술 분야에서 당 업자에게 알려진 구성을 더 포함할 수 있으며, 즉, 본 발명은 본 발명의 광변환 적층기재를 적용할 수 있는 화상표시장치를 포함한다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세히 설명한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지는 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 이하에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 중량 기준이다.
산란입자 분산액의 제조
제조예 1: 산란입자 분산액 S1의 제조
산란입자로서 입경 30nm인 TiO2(훈츠만사 TTO-55(C)) 70.0중량부, 분산제로서 DISPERBYK-2001(BYK사 제조) 4.0중량부, 용매로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 26중량부를 비드밀에 의해 12시간 동안 혼합/분산하여 산란입자 분산액 S1을 제조하였다.
제조예 2: 산란입자 분산액 S2의 제조
산란입자로서 입경 210nm인 TiO2(이시하라사 CR-63) 70.0중량부, 분산제로서 DISPERBYK-2001(BYK사 제조) 4.0중량부, 용매로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 26중량부를 비드밀에 의해 12시간 동안 혼합/분산하여 산란입자 분산액 S2을 제조하였다.
제조예 3: 산란입자 분산액 S3의 제조
산란입자로서 입경 500nm인 TiO2(듀폰사 R-960) 70.0중량부, 분산제로서 DISPERBYK-2001(BYK사 제조) 4.0중량부, 용매로서 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 26중량부를 비드밀에 의해 12시간 동안 혼합/분산하여 산란입자 분산액 S3을 제조하였다.
합성예 1: Green 양자점의 합성(Q-1)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 0.5분간 반응시켰다.
이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8 mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 515nm 이며, 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.50g의 (2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 516nm 였다.
합성예 2: Green 양자점 합성(Q-2)
합성예 1에서 합성된 양자점 클로로포름 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.5g의 O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′'000(Aldrich사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 515nm 였다.
합성예 3: Green 양자점 합성예(Q-3)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 1분간 반응시켰다.
이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8 mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 526nm 이며, 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.50g의 (2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 526nm 였다.
합성예 4: Green 양자점 합성(Q-4)
합성예 3에서 합성된 클로로포름에 분산된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.5g의 O-(Succinyl)-O′-methylpolyethylene glycol 2′'000(Aldrich사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 525nm 였다.
합성예 5: Green 양자점 합성예(Q-5)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 1.5분간 반응시켰다.
이어서 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8 mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 526nm 이며, 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.50g의 (2-Butoxy-ethoxy)-acetic acid을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 536nm 였다.
합성예 6: Green 양자점 합성(Q-6)
합성예 5에서 합성된 클로로포름에 분산된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 Carboxy-EG6-undecanethiol (Aldrich사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분은 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 534nm 였다.
합성예 7: Red 양자점 합성예(Q-7)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다. 흡수 최대 파장 560 내지 590nm를 나타내었다.
아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 628nm이며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 628nm 였다.
합성예 8: Red 양자점 합성(Q-8)
인듐 아세테이트(Indium acetate) 0.4mmol(0.058g), 팔미트산(palmitic acid) 0.6mmol(0.15g) 및 1-옥타데센(octadecene) 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하였다. 280℃로 가열한 후, 트리스(트리메틸실릴)포스핀(TMS3P) 0.2mmol(58㎕) 및 트리옥틸포스핀 1.0mL의 혼합 용액을 신속히 주입하고 4.5분간 반응 후 반응용액을 상온으로 신속하게 식혔다. 흡수 최대 파장 550 내지 585nm를 나타내었다.
아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 셀레늄(Se/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응 후 상온으로 내려 InP/ZnSe 코어-쉘을 형성시켰다.
이어서, 아연 아세테이트 2.4mmoL(0.448g), 올레산 4.8mmol 및 트리옥틸아민 20mL를 반응기에 넣고 진공 하에 120℃로 가열하였다. 1시간 후 반응기 내 분위기를 질소로 전환하고 반응기를 280℃로 승온시켰다. 앞서 합성한 InP 코어 용액 2mL를 넣고, 이어서 트리옥틸포스핀 중의 황(S/TOP) 4.8mmol을 넣은 후, 최종 혼합물을 2시간 동안 반응시켰다. 상온으로 신속하게 식힌 반응 용액에 에탄올을 넣고 원심 분리하여 얻은 침전을 감압여과 후 감압 건조하여 InP/ZnSe/ZnS 코어-쉘 구조의 양자점을 수득 후 클로로포름에 분산시켰다.
얻어진 나노 양자점의 광발광 스펙트럼의 최대발광 peak는 616nm이며, 합성된 양자점 용액 5mL를 원심분리 튜브에 넣고 에탄올 20mL를 넣어 침전시켰다. 원심분리를 통해 상층액은 버리고 침전물에 2mL의 클로로포름을 넣어 양자점을 분산시킨 다음 0.65g의 2-[2-(2-Methoxyethoxy)ethoxy]acetic acid(WAKO사)을 넣고 질소분위기 하에서 60℃로 가열하면서 한시간 동안 반응시켰다.
이어서, 반응물에 25mL의 n-헥산을 넣어 양자점을 침전시킨 후 원심분리를 실시하여 상층액은 버리고 침전물을 분리한 다음 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 4mL을 투입하여 80℃로 가열하면서 분산시켰다. PGMEA로 고형분을 25%로 조정하였다. 최대발광파장은 616nm 였다.
합성예 9: 카도계 바인더 수지를 포함하는 바인더 수지(E-1)
(1) 반응기에 비스페놀 에폭시 화합물인 9,9'-비스(4-글리실록시페닐)플루오렌(Hear chem社) 138g, 2-카복시에틸 아크릴레이트(2-Carboxyethyl acrylate) 54g, 벤질트리에틸암모늄클로라이드(대정화금社) 1.4g, 트리페닐포스핀(Aldrich社) 1g, 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트(Daicel Chemical社) 128g, 및 하이드로퀴논 0.5g을 넣고 120℃로 승온 후 12시간 유지하여, 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 합성하였다.
(2) 반응기에 하기 화학식 8로 표시되는 화합물 60g, 비페닐테트라카르복실산 디무수물(Mitsubishi Gas社) 11g, 테트라히드로프탈 무수물(Aldrich社) 3g, 프로필렌글리콜 메틸에틸아세테이트(Daicel Chemical社) 20g, 및 N,N'-테트라메틸암모늄 클로라이드 0.1g을 넣고 120℃로 승온 후 2시간 유지하여, 하기 화학식 9로 표시되는 화합물을 합성하였다. 얻어진 하기 화학식 9로 표시되는 수지의 중량평균 분자량은 5,400 g/mol이었다.
[화학식 8]
Figure 112019028768656-pat00063
[화학식 9]
Figure 112019028768656-pat00064
합성예 10: 카도계 바인더 수지를 포함하는 바인더 수지(E-2)
(1) 하기 화학식 10의 화합물을 합성하기 위하여 3000mL 삼구 라운드 플라스크에 4,4′′-(9H-잔텐-9,9-디일)디페놀(4,4′′-(9H-xanthene-9,9-diyl)diphenol) 364.4g과 t-부틸암모늄 브로마이드 0.4159g을 혼합하고, 에피클로로히드린 2359g을 넣고 90℃℃로 가열하여 반응시켰다. 액체크로마토그래피로 분석하여 4,4′′-(9H-잔텐-9,9-디일)디페놀(4,4′′-(9H-xanthene-9,9-diyl)diphenol)이 완전히 소진되면 30℃로 냉각하여 50% NaOH 수용액(3당량)을 천천히 첨가하였다. 액체 크로마토그래피로 분석하여 에피클로로히드린이 완전히 소진되었으면, 디클로로메탄으로 추출한 후 3회 수세한 후 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후 디클로로메탄을 감압 증류하고 디클로로메탄과 메탄올 혼합비 50:50을 사용하여 재결정하였다.
이렇게 합성된 에폭시 화합물 1당량과 t-부틸암모늄 브로마이드 0.004당량, 2,6-디이소부틸페놀 0.001당량, 아크릴산 2.2당량을 혼합한 후 용매 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 24.89g을 넣어 혼합하였다. 이 반응 용액에 공기를 25mL/min으로 불어넣으면서 온도를 95℃로 가열 용해하였다. 반응 용액이 백탁한 상태에서 온도를 120℃까지 가열하여 완전히 용해시켰다. 용액이 투명해지고 점도가 높아지면 산가를 측정하여 산가가 1.0mgKOH/g 미만이 될 때까지 교반하였다. 산가가 목표(0.8)에 이를 때까지 11시간이 필요했다. 반응 종결 후 반응기의 온도를 실온으로 내려 무색 투명한 화합물을 얻었다.
[화학식 10]
Figure 112019028768656-pat00065
(2) 상기 화학식 10의 화합물 307.0g에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 600g을 첨가하여 용해한 후, 비페닐테트라카르복실산 2무수물 78g 및 브롬화테트라에틸암모늄 1g을 혼합하고 서서히 승온시켜 110℃ 에서 4시간 동안 반응시켰다. 산 무수물기의 소실을 확인한 후, 1,2,3,6-테트라히드로무수프탈산 38.0g을 혼합하여 90℃에서 6시간 동안 반응시켜 카도계 바인더 수지로 중합하였다. 무수물의 소실은 IR 스펙트럼에 의해 확인하였다.
합성예 11: 카도계 바인더 수지를 포함하는 바인더 수지(E-3)
(1) 3구 플라스크에 환류 냉각기와 온도계를 설치한 후, 9,9-비스페놀플루오렌(9,9-Bisphenolfluorene) 42.5g를 넣고 2-(클로로메틸)옥시란(2-(chloromethyl)oxirane) 220mL를 정량한 후 주입하였다. 테트라부틸암모늄 브로마이드(Tetrabutylammonium bromide) 100mg을 넣은 후, 교반을 시작하면서 온도를 90℃로 승온하였다. 미반응물 함량이 0.3%미만임을 확인 후 감압증류 하였다.
온도를 30℃로 낮춘 후, 디클로로메탄(dichloromethane)을 주입하고, NaOH를 서서히 투입하였다. 생성물이 96% 이상인 것을 고성능액체크로마토그래피(HPLC)방법으로 확인한 후 5% HCl를 적하하여 반응을 종결하였다. 반응물은 추출하여 층분리한 후, 유기층을 물로 씻어주고 중성이 되도록 세척하였다. 유기층은 MgSO4로 건조한 후 회전증발기로 감압 증류하여 농축하였다. 농축된 생성물에 디클로로메테인(dichloromethane)을 넣고 40℃까지 온도를 올리면서 교반하면서 메탄올(methanol)를 투입한 후 용액온도를 낮추고 교반하였다. 생성된 고체를 여과한 후, 상온에서 진공 건조하여 흰색 고체 분말 52.7g(수율 94%)을 얻었다, 이에 대한 구조는 1H NMR로 확인하였다.
[반응식 1]
Figure 112019028768656-pat00066
1H NMR in CDCl3: 7.75 (2H), 7.35-7.254(6H), 7.08 (4H), 6.74 (4H), 4.13 (2H), 3.89 (2H), 3.30 (2H), 2.87 (2H), 2.71 (2H).
(2) 3,3'-(((9H-플루오렌-9,9-디일)비스(4,1-페닐렌))비스(옥시))비스(1-페닐티오)프로판-2-올)(3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy))bis(1-(phenylthio)propan-2-ol)) 합성.
3구 플라스크에 환류 냉각기와 온도계를 설치한 후 1단계 반응물(1000g), thiophenol 524g, 에탄올 617g을 넣고 교반하였다. 반응 용액에 트리에틸아민(triethylamine) 328g을 천천히 적가하였다. 고성능액체크로마토그래피(HPLC)방법으로 출발물질이 사라진 것을 확인한 후, 반응을 종료하였다. 반응 완료 후, 에탄올을 감압증류하여 제거하였다. 유기물을 디클로로메테인(dichloromethane)에 녹인 후 물로 세척한 후 디클로로메테인(dichloromethane)을 감압증류를 통해 제거하였다. 농축된 유기물은 에틸 아세테이트(ethyl acetate)에 녹인 후 에테르 용매를 적가하고 30분 동안 교반하였다. 화합물을 감압증류하여 옅은 노란색 오일(pale yellow oil) 945 g (수율 64%)을 얻었고, 이의 구조는 1H NMR로 확인하였다.
[반응식 2]
Figure 112019028768656-pat00067
1H NMR in CDCl3: 7.82 (2H), 7.38-6.72 (20H), 6.51 (4H), 4.00 (2H), 3.97 (2H), 3.89 (2H), 3.20 (2H), 3.01 (2H), 2.64 (2H).
(3) 바인더 수지 합성
3구 플라스크에 환류 냉각기와 온도계를 설치한 후, 50% PGMEA 용매에 녹아있는 2단계에서 합성한 3,3'-(((9H-플루오렌-9,9-디일)비스(4,1-페닐렌))비스(옥시))비스(1-페닐티오)프로판-2-올)(3,3'-(((9H-fluorene-9,9-diyl)bis(4,1-phenylene))bis(oxy))bis(1-(phenylthio)propan-2-ol)) 모노머 200g을 넣고 115℃℃까지 승온시켰다. 115℃에서 3,3,'4,4'-비페닐테트라카복실릭 디안하이드리드(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride) 31.1g을 적하한 후, 6시간 동안 115℃를 유지하면서 교반시켰다. 프탈릭 안하이드리드(Phthalic anhydride) 7.35g를 넣고 2시간 더 교반한 후, 반응을 종료하였다. 냉각 후 중량평균 분자량 3,500 g/mol인 바인더 수지를 얻었다.
실시예 1 내지 29 및 비교예 1 내지 4: 광변환 수지 조성물의 제조
하기 표 1 내지 3의 성분 및 함량을 사용하여 실시예 및 비교예에 따른 광변환 수지 조성물을 제조하였다.
조성 (중량%) 양자점1 ) 산란입자2 ) 바인더수지3 ) 열경화성화합물4) 경화촉진제5) 용제6)
Q-1 Q-2 Q-3 Q-4 Q-5 Q-6 Q-7 Q-8 Q-9 Q-10 S-1 S-2 S-3 E-1 E-2 E-3 F-1 G-1
실시예 1 4.2 - - - - - 1.2 - - - - 1 - 31 - - 31 3 28.6
실시예2 8 - - - - - - 0.8 - - - 1 - 21 - - 21 5 43.2
실시예 3 10 - - - - - - 2.2 - - - 1.8 - 19 - - 12 10 45
실시예 4 16 - - - - - - 1.6 - - - 2 - - 21 - 21 5 33.4
실시예 5 - 6.2 - - - - 2.2 - - - - 1.8 - - - 19 12 5 53.8
실시예 6 - - 7.7 - - - - 2.2 - - - - 1.8 20 - - 20 15 33.3
실시예 7 - - - 8 - - 0.8 - - - - 0.7 - - 16 - 23 5 46.5
실시예 8 - - - - 8 - - 0.8 - - - - 1.4 - - 20 8.5 5 56.3
실시예 9 - - - - 8 - 0.8 - - - - 1.4 18 - - 25 5 41.8
실시예 10 6 - - - - - 0.8 - - - - 1.4 - - 21 - 21 5 44.8
실시예 11 - 6 - - - - - 1 - - - - - - - 27 40 - 26
실시예 12 - - 6 - - - 1.2 - - - - 0.7 - 22 - - 22 5 43.1
실시예 13 - - - 5 - - - 0.8 - - - - 0.7 - 33 - 8.1 10 42.4
실시예 14 5.8 - - - - - 2.3 - - - - 1.4 - - - 20 40 3 27.5
1) Q-1 내지 Q-8: 합성예 1 내지 합성예 8에서 제조된 양자점 분산액,
Q-9: InP/ZnS oleylamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 560nm, 반치폭 80nm, Aldrich사)
Q-10: InP/ZnS oleylamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 590nm, 반치폭 80nm, Aldrich사)
2) 제조예 1 내지 제조예 3에서 제조된 산란입자 분산액
3) 합성예 9 내지 합성예 11에서 제조된 열경화성 수지
4) 비스페놀A형 에폭시 수지로서 YDB-715(東都化成㈜ 제품)
5) 1,2,4-벤젠트리카르복실산 무수물(시그마알드리치 제품)
6) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(비교예의 경우 톨루엔 용제를 감압제거 후 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트를 제거된 양만큼 보충하였다.)
조성 (중량%) 양자점1 ) 산란입자2 ) 바인더수지3 ) 열경화성화합물4) 경화촉진제5) 용제6)
Q-1 Q-2 Q-3 Q-4 Q-5 Q-6 Q-7 Q-8 Q-9 Q-10 S-1 S-2 S-3 E-1 E-2 E-3 F-1 G-1
실시예 15 - 4.2 - - - - 1.2 - - - - 1 - 31 - - 31 3 28.6
실시예 16 - - 8 - - - - 0.8 - - - 1 - 21 - - 21 5 43.2
실시예 17 - - - 10 - - - 2.2 - - - 1.8 - 19 - - 12 10 45
실시예 18 - - - 16 - - - 1.6 - - - 2 - - 21 - 21 5 33.4
실시예 19 - - - - 6.2 - 2.2 - - - - - 1.8 - - 19 12 5 53.8
실시예 20 - - - - - 7.7 - 2.2 - - - 1.8 - 20 - - 20 15 33.3
실시예 21 8 - - - - - 0.8 - - - - 0.7 - - 16 - 23 5 46.5
실시예 22 - 8 - - - - - 0.8 - - - - 1.4 - - 20 8.5 5 56.3
실시예 23 - - 6 - - - - 0.8 - - - - 1.4 18 - - 25 5 43.8
실시예 24 - - - 6 - - 0.8 - - - - - 1.4 - 21 - 21 5 44.8
실시예 25 - - - - 6 - - 1 - - - - 0.7 - - 27 40 - 25.3
실시예 26 - - - - - 6 1.2 - - - - 0.7 - 22 - - 22 5 43.1
실시예 27 - - - - 5 - - 0.8 - - - - 0.7 - 33 - 8.1 10 42.4
실시예 28 - - - 5.8 - - 2.3 - - - - 1.4 - - - 20 40 3 27.5
실시예 29 8 - - - - - - 0.8 - - 1 - - 21 - - 21 5 43.2
1) Q-1 내지 Q-8: 합성예 1 내지 합성예 8에서 제조된 양자점 분산액,
Q-9: InP/ZnS oleylamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 560nm, 반치폭 80nm, Aldrich사)
Q-10: InP/ZnS oleylamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 590nm, 반치폭 80nm, Aldrich사)
2) 제조예 1 내지 제조예 3에서 제조된 산란입자 분산액
3) 합성예 9 내지 합성예 11에서 제조된 열경화성 수지
4) 비스페놀A형 에폭시 수지로서 YDB-715(東都化成㈜ 제품)
5) 1,2,4-벤젠트리카르복실산 무수물(시그마알드리치 제품)
6) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(비교예의 경우 톨루엔 용제를 감압제거 후 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트를 제거된 양만큼 보충하였다.)
조성 (중량%) 양자점1 ) 산란입자2 ) 바인더수지3 ) 열경화성화합물4) 경화촉진제5) 용제6)
Q-1 Q-2 Q-3 Q-4 Q-5 Q-6 Q-7 Q-8 Q-9 Q-10 S-1 S-2 S-3 E-1 E-2 E-3 F-1 G-1
비교예 1 - - - - - - - - 3 0.8 - 1 - - - 6.5 26 5 57.7
비교예 2 - - - - - - - - 6 1 - - 1.8 18 - - 25 5 43.2
비교예 3 - - - - - - - - 6.2 2.2 - 1 - - 6.5 - 26 5 53.1
비교예 4 - - - - - - - - 10 1.0 0.7 - - 20 - - 20 5 43.3
1) Q-1 내지 Q-8: 합성예 1 내지 합성예 8에서 제조된 양자점 분산액,
Q-9: InP/ZnS oleylamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 560nm, 반치폭 80nm, Aldrich사)
Q-10: InP/ZnS oleylamine ligand 톨루엔 용액(발광중심파장 590nm, 반치폭 80nm, Aldrich사)
2) 제조예 1 내지 제조예 3에서 제조된 산란입자 분산액
3) 합성예 9 내지 합성예 11에서 제조된 열경화성 수지
4) 비스페놀A형 에폭시 수지로서 YDB-715(東都化成㈜ 제품)
5) 1,2,4-벤젠트리카르복실산 무수물(시그마알드리치 제품)
6) 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(비교예의 경우 톨루엔 용제를 감압제거 후 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트를 제거된 양만큼 보충하였다.)
실험예
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 아래와 같이 광변환 코팅층을 제조하였으며, 이때의 막두께, 휘도, 색재현성, 내열성 및 헤이즈를 하기와 같은 방법으로 측정하고, 그 결과는 하기 표 4에 나타내었다.
(1) 광변환 코팅층의 제조
실시예 및 비교예에서 제조된 광변환 수지 조성물을 이용하여 코팅막을 제조하였다. 즉, 상기 각각의 광변환 수지 조성물을 스핀 코팅법으로 5cmХ5cm 유리 기판 위에 도포한 다음, 가열판 위에 놓고 100℃의 온도에서 10분간 유지하여 박막을 형성 시킨 후 180℃의 가열 오븐에서 30분 동안 가열하여 광변환 코팅층을 제조하였다. 상기에서 제조된 광변환 수지막의 두께는 양자점의 함량에 따라 2㎛ 내지 20㎛의 두께로 제작하였다.
(2) 막 두께
상기 (1)에서 제조된 코팅막을 막두께측정기(Dektak 6M, Vecco 社)를 이용하여 Spin Coating 후 100℃ bake 후 200℃ bake하여 막 두께를 측정하였다. 이때 광변환 코팅층의 두께는 양자점의 함량에 따라 2㎛ 내지 20㎛였으며, 각 두께에서 Coating 층 형성여부를 평가하였으며, 그 평가 결과는 하기 표 4에 기재하였다.
(3) 휘도
상기 (1)에서 제조된 코팅막을 Blue 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社)상부에 위치시킨 후 휘도 측정기(CAS140CT Spectrometer, Instrument systems 社)를 이용하여, Blue광 조사시 측정 휘도를 측정하였으며, 그 평가 결과는 하기 표 4에 기재하였다.
(4) 색재현성
상기 (1)에서 제조된 코팅막을 Blue 광원(XLamp XR-E LED, Royal blue 450, Cree 社)상부에 위치 시키고, 그 위에 Red, Green, Blue가 pattern된 Color filter 기판(UN65, 삼성전자 TV Color filter 사용)을 위치 한 후 색도 측정기(OSP-200, Olympus 社)를 이용하여, Red, Green, Blue의 색좌표를 측정하여, 이때 표현되는 색재현 영역을 NTSC 색영역 대비 면적비를 계산하였으며, 그 평가 결과는 하기 표 4에 기재하였다.
(5) 내열성
상기 (1)에서 제조된 코팅막을 (3) 휘도측정과 동일한 방법으로 측정하고, 측정한 기판을 230℃ Hot plate에 30분간 추가 열처리 한 후 다시 휘도측정 방법으로 휘도를 측정한다. 이후 열처리 전 휘도 대비 열처리 후의 휘도 변화를 계산하였다. 이때, 내열성 평가는 휘도 측정기(CAS140CT Spectrometer, Instrument systems 社)를 이용하였으며, 230℃에서 30분간 bake 후 휘도 유지율을 평가하였다. 내열성이 우수할수록 내열성은 높은 수치를 나타내며, 그 평가 결과는 하기 표 4에 기재 하였다.
(6) 헤이즈
상기 광변환 수지 조성물의 제조에 있어 산란입자를 투입전의 액상 시료를 헤이즈 측정기(haze meter) (HZ-1, Suga 사제)를 이용하여 헤이즈를 측정하였으며, 그 평가 결과는 하기 표 4에 나타내었다.
평가결과 막두께(㎛) 휘도(nit) 색재현성
(NTSC 대비%)		 내열성(%) 헤이즈(%)
실시예 1 14.1 4005 97.6 93.1 1.2
실시예 2 10.5 3941 99.6 91.4 1.0
실시예 3 5 3340 98.4 88.7 0.9
실시예 4 3 3481 98.9 89.6 0.4
실시예 5 10.8 3340 99.1 91.2 1.4
실시예 6 11 3851 98.4 90.2 1.0
실시예 7 10.2 3768 98.5 91.5 0.8
실시예 8 9.8 4135 99.0 91 0.5
실시예 9 10.3 4137 97.6 92.6 0.6
실시예 10 11.5 4177 99.6 93.6 1.1
실시예 11 10.8 2164 99.1 86.7 0.8
실시예 12 11.1 3896 97.2 89.8 0.6
실시예 13 12.5 4134 97.6 92.5 0.7
실시예 14 12.1 3834 99.2 90.4 1.5
실시예 15 14.2 4085 99.3 90.2 1.6
실시예 16 10 3813 98.2 92.2 1.9
실시예 17 5.2 3752 98.4 91.6 0.9
실시예 18 2.8 3718 98.4 90.7 0.7
실시예 19 11.3 4012 98.9 91.8 0.4
실시예 20 11.2 4030 97.6 88.7 2.0
실시예 21 9.2 4221 97.2 92.6 1.5
실시예 22 9 3840 97.3 91.4 1.1
실시예 23 12.3 3894 97.2 92.1 0.6
실시예 24 11.9 3749 97.6 91.5 1.1
실시예 25 12.1 4176 97.8 89.9 0.2
실시예 26 12.4 4012 96.9 89.6 1.1
실시예 27 13.5 3990 97.2 94.3 0.9
실시예 28 12.9 3749 98.4 92.3 1.1
실시예 29 10.5 3931 96.4 90.5 1.5
비교예 1 18 3257 66.5 79.2 9.1
비교예 2 12.6 2813 68.5 75.6 16.5
비교예 3 11.4 2813 67.5 77.3 21.3
비교예 4 6.2 2401 68.0 78.3 19.5
상기 표 4를 참조하면 비교예에서와 같이 올레 아민이 리간드인 양자점의 경우에는 액상 분산성이 불량하여 양자점의 양자효율이 저하되는 문제로 휘도저하가 관찰되었다.
하지만, 본 발명의 실시예에서와 같이 새로운 리간드가 결합되어있는 양자점을 함유하는 광변환 수지 조성물의 경우 클로로포름이 포함되지 않더라도 양자점의 분산특성이 매우 우수하여 발광특성이 향상되어 뛰어난 휘도와 함께 색재현성이 매우 우수하고, 내열성 및 헤이즈 평가에서도 우수한 것을 알 수 있다.

Claims (16)

  1. 표면에 배치되는 폴리에틸렌 글리콜계 리간드를 포함하는 비카드뮴계 양자점; 및
    바인더 수지;를 포함하고,
    상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 하기의 화학식 1-A로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
    [화학식 1-A]
    Figure 112020113134773-pat00068

    (상기 화학식 1-A에서,
    R'는 화학식 1-1로 표시되고,
    [화학식 1-1]
    Figure 112020113134773-pat00069

    상기 화학식 1-1에서,
    R1은 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고,
    R2는 화학식 1-2으로 표시되며,
    [화학식 1-2]
    Figure 112020113134773-pat00070

    상기 화학식 1-2에서,
    A는 산소원자 또는 황원자이고,
    R3는 직접연결기 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이며,
    B는 카르복실산(
    Figure 112020113134773-pat00072
    )이고,
    R“는 수소원자, 머캅토(
    Figure 112020113134773-pat00075
    ), 카르복실산(
    Figure 112020113134773-pat00076
    ), 디티오아세트산(
    Figure 112020113134773-pat00077
    ), 인산(
    Figure 112020113134773-pat00078
    ), 아민(-NH2), 탄소수 1 내지 20의 직쇄 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 분지쇄 알킬기이고,
    k는 1 내지 100의 정수이며,
    l은 0 내지 1의 정수이고,
    m은 0 내지 10의 정수이다).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1-A로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
    [화학식 1-3]
    Figure 112019028768656-pat00079

    (상기 화학식 1-3에서,
    R"는 머캅토(
    Figure 112019028768656-pat00080
    ), 카르복실산(
    Figure 112019028768656-pat00081
    ), 디티오아세트산(
    Figure 112019028768656-pat00082
    ), 인산(
    Figure 112019028768656-pat00083
    ), 아민(-NH2), 탄소수 1 내지 20의 직쇄의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 20의 분지쇄의 알킬기이고,
    o는 0 내지 5의 정수이며,
    p는 0 내지 1의 정수이고,
    q는 1 내지 50의 정수이다).
  3. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은
    GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 코어; 및
    ZnSe, ZnS 및 ZnTe로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 쉘;을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 양자점은 2종 이상의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 양자점은 발광 중심 파장이 서로 50nm 이상 차이가 나는 2종 이상의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 양자점은 발광 중심 파장이 서로 70nm 이상 차이가 나는 2종 이상의 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 양자점은 발광중심파장 범위가 510nm 내지 540nm를 갖는 녹색 양자점 및 발광중심파장 범위가 610nm 내지 630nm인 적색 양자점으로 이루어진 군에서 선택되는 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 폴리에틸렌 글리콜계 리간드는 2-(2-메톡시에톡시)아세트산, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산, 숙신산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르, 말론산 모노-[2-(2-메톡시-에톡시)-에틸]에스테르, 펜탄디온산 모노-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에틸}에스테르, {2-[2-(2-에틸-헥실옥시)-에톡시]-에톡시}-아세트산, 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르, 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르, 말론산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-이소부톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르, 헥산디온산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르, 2-옥소-헥산디온산 6-(2-{2-[2-(2-에톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에틸)에스테르, 숙신산 모노-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-{2-[2-(2-메톡시-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에톡시]-에톡시}-에톡시)-에틸]에스테르, (2-부톡시-에톡시)-아세트산, 카복시-EG6-운데칸티올 및 (2-카복시메톡시-에톡시)-아세트산으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 바인더 수지는 카도계 바인더 수지를 포함하는 것인 광변환 수지 조성물.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 카도계 바인더 수지는 하기 화학식 2 내지 화학식 7 중 적어도 하나의 반복 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure 112019028768656-pat00084

    [화학식 3]
    Figure 112019028768656-pat00085

    [화학식 4]
    Figure 112019028768656-pat00086

    [화학식 5]
    Figure 112019028768656-pat00087

    (상기 화학식 2 내지 5에서,
    X 및 X'은 각각 독립적으로 단일 결합, -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-,
    Figure 112019028768656-pat00088
    ,
    Figure 112019028768656-pat00089
    ,
    Figure 112019028768656-pat00090
    ,
    Figure 112019028768656-pat00091
    ,
    Figure 112019028768656-pat00092
    ,
    Figure 112019028768656-pat00093
    ,
    Figure 112019028768656-pat00094
    ,
    Figure 112019028768656-pat00095
    ,
    Figure 112019028768656-pat00096
    ,
    Figure 112019028768656-pat00097
    ,
    Figure 112019028768656-pat00098
    ,
    Figure 112019028768656-pat00099
    또는
    Figure 112019028768656-pat00100
    이고,
    Y는 산무수물 잔기이며,
    Z는 산2무수물 잔기이고,
    R'''는 수소 원자, 에틸기, 페닐기, -C2H4Cl, -C2H4OH 또는 -CH2CH=CH2이며,
    R4, R4', R5, R5', R6, R6', R7, R7', R8, R8', R9 및 R9' 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기이고,
    R10, R10', R11 및 R11' 은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬렌기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬렌기이고, 상기 알킬렌기는 에스테르 결합, 탄소수 6 내지 14의 싸이클로알킬렌기 및 탄소수 6 내지 14의 아릴렌기 중 적어도 하나로 중단될 수 있으며,
    R12, R12', R13, R13', R14, R14', R15 및 R15'은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄의 알킬기 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄의 알킬기이고,
    r 및 s는 각각 0 ≤ m ≤ 30, 0 ≤ n ≤ 30을 만족하는 정수이며,
    단 r 및 s는 동시에 0은 아니다.)
    [화학식 6]
    Figure 112019028768656-pat00101

    [화학식 7]
    Figure 112019028768656-pat00102

    (상기 화학식 6 및 7에서,
    P는 각각 독립적으로
    Figure 112019028768656-pat00103
    ,
    Figure 112019028768656-pat00104
    ,
    Figure 112019028768656-pat00105
    ,
    Figure 112019028768656-pat00106
    또는
    Figure 112019028768656-pat00107
    이고,
    R16 및 R17는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 티올기, 아미노기, 니트로기 또는 할로겐 원자이며,
    Ar1은 각각 독립적으로 C6 내지 C15 아릴기이고,
    Y'는 산무수물 잔기이며,
    Z'는 산2무수물 잔기이고,
    A'는 O, S, N, Si 또는 Se이며,
    a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고,
    c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 30의 정수이며,
    단, c 및 d는 동시에 0이 아니다).
  11. 제1항에 있어,
    상기 양자점은 InP/ZnS, InP/ZnSe, InP/GaP/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, InP/ZnSeTe/ZnS 및 InP/MnSe/ZnS로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 광변환 수지 조성물은 산란입자, 열경화성 화합물, 경화 촉진제 및 용제로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 산란입자는 Al2O3, SiO2, ZnO, ZrO2, BaTiO3, TiO2, Ta2O5, Ti3O5, ITO, IZO, ATO, ZnO-Al, Nb2O3, SnO, MgO 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광변환 수지 조성물.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 하나에 기재된 광변환 수지 조성물의 경화물을 포함하는 광변환 적층기재.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 광변환 적층 기재의 소재가 유리인, 광변환 적층기재.
  16. 제15항에 따른 광변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치.
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