KR102210163B1 - 하전 입자 빔 검사 방법 - Google Patents

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가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
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Abstract

실시 형태의 하전 입자 빔 검사 방법은, 스테이지 상에 시료를 재치하고, 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제1 하전 입자 빔을 이용하여 시료 상의 제1 빔 주사 영역의 제1 주사를 함으로써, 제1 빔 주사 영역 내의 제1 검사 단위의 제1 검사를 행하고, 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제2 하전 입자 빔을 이용하여 시료 상의 제2 빔 주사 영역의 제2 주사를 함으로써, 제2 빔 주사 영역 내의 제2 검사 단위의 제2 검사를 행한다.

Description

하전 입자 빔 검사 방법 {CHARGED PARTICLE BEAM INSPECTION METHOD}
본 발명은, 하전 입자 빔 검사 방법에 관한 것이다.
최근, 대규모 집적회로(LSI)의 고집적화 및 대용량화에 수반하여, 반도체 소자에 요구되는 회로 선폭은 점점 좁아지고 있다. 이들 반도체 소자는, 회로 패턴이 형성된 원화 패턴(마스크 혹은 레티클이라고도 함. 이하, 마스크라고 총칭함.)을 이용하여, 이른바 스테퍼라고 불리우는 축소 투영 노광 장치로 웨이퍼 상에 패턴을 노광 전사하여 회로 형성함으로써 제조된다.
그리고, 많은 제조 코스트가 드는 LSI의 제조에 있어서, 수율의 향상은 빠뜨릴 수 없다. 그러나, 1 기가비트급의 DRAM(랜덤 액세스 메모리)로 대표되듯이, LSI를 구성하는 패턴은, 서브 미크론부터 나노 미터의 오더로 되어 있다. 최근, 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 LSI 패턴 치수의 미세화에 수반하여, 패턴 결함으로서 검출해야 하는 치수도 매우 작은 것으로 되어 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼 상에 전사된 초미세 패턴의 결함을 검사하는 패턴 검사 장치의 고정밀화가 필요해지고 있다. 그 밖에, 수율을 저하시키는 큰 요인의 하나로서, 반도체 웨이퍼 상에 초미세 패턴을 포토리소그래피 기술로 노광, 전사할 때에 사용되는 마스크의 패턴 결함을 들 수 있다. 그 때문에, LSI 제조에 사용되는 전사용 마스크의 결함을 검사하는 패턴 검사 장치의 고정밀화가 필요해지고 있다.
검사 수법으로서는, 확대 광학계를 이용하여 반도체 웨이퍼 또는 리소그래피 마스크 등의 시료 상에 형성되어 있는 패턴을 소정의 배율로 촬상한 광학 화상과, 설계 데이터, 혹은 시료 상의 동일 패턴을 촬상한 광학 화상과 비교함으로써 검사를 행하는 방법이 알려져 있다. 예를 들면, 패턴 검사 방법으로서, 동일 마스크 상의 상이한 장소의 동일 패턴을 촬상한 광학 화상 데이터끼리를 비교하는 「die　to　die(다이-다이) 검사」나, 패턴 설계된 CAD 데이터를 마스크에 패턴을 묘화할 때에 묘화 장치가 입력하기 위한 장치 입력 포맷으로 변환한 묘화 데이터(설계 패턴 데이터)를 검사 장치에 입력하고, 이를 베이스로 설계 화상 데이터(참조 화상)를 생성하고, 그와 패턴을 촬상한 측정 데이터가 되는 광학 화상을 비교하는 「die　to　database(다이-데이터베이스) 검사」가 있다. 이러한 검사 장치에 있어서의 검사 방법으로는, 검사 대상 기판은 스테이지 상에 재치되고, 스테이지가 움직이는 것에 의하여 광속(光束)이 시료 상을 주사하여, 검사가 행해진다. 검사 대상 기판에는, 광원 및 조명 광학계에 의하여 광속이 조사된다. 검사 대상 기판을 투과 혹은 반사한 빛은 광학계를 통하여 센서 상에 결상된다. 센서로 촬상된 화상은 측정 데이터로서 비교 회로로 보내어진다. 비교 회로에서는, 화상끼리의 위치 조정 후, 측정 데이터와 참조 데이터를 적절한 알고리즘에 따라 비교하여, 일치하지 않는 경우에는, 패턴 결함 있음이라고 판정한다.
상술한 패턴 검사 장치에서는, 레이저광을 검사 대상 기판에 조사하고, 그 투과상 혹은 반사상을 촬상함으로써 광학 화상을 취득한다. 이에 대하여, 직선 상에 동일 피치로 배열되는 빔 열이 복수 열 배열되는 듯한 어레이 배열의 복수의 전자 빔으로 구성되는 멀티 빔을 검사 대상 기판에 조사하고, 검사 대상 기판으로부터 방출되는 각 빔에 대응하는 2 차 전자를 검출하여, 패턴상을 취득하는 검사 장치의 개발도 진행되고 있다. 이러한 멀티 빔을 포함하는 전자 빔을 이용한 패턴 검사 장치에서는, 검사 대상 기판의 소영역마다 주사하여 2 차 전자를 검출한다. 그 때, 빔을 주사하고 있는 동안은 검사 대상 기판의 위치를 고정하고, 주사 종료 후에 다음의 소영역으로 검사 대상 기판의 위치를 이동시키는, 이른바 스텝 앤드 리피트 동작이 행해진다. 직선 상에 동일 피치로 배열되는 빔 열이 복수 열 배열되는 듯한 어레이 배열의 멀티 빔을 이용함으로써, 한정된 영역 내에 다수의 빔을 배치할 수 있으므로, 한번에 다수의 소영역의 주사를 동시에 행하는 것이 가능해진다. 그 때문에, 스루풋의 향상이 기대되어지고 있다. 그러나, 스텝 앤드 리피트 동작에서는, 스테이지의 이동마다 스테이지 위치가 안정될 때까지의 정정(整定) 시간(오버헤드 시간)이 필요해진다. 1 회의 주사 범위(소영역)는 작으므로, 기판 전체를 주사하려면, 스테이지의 스텝 횟수가 방대한 횟수가 된다. 따라서, 스텝 횟수에 정정 시간을 곱한 시간만큼, 주사에 필요치 않은 쓸데없는 시간이 발생되어 버린다. 멀티 빔을 이용하여 기판 상을 주사하는 경우에도, 기판 1 매에 대하여, 예를 들면, 80 시간 이상의 주사에 필요치 않은 시간이 발생되어 버린다고 하는 시산(試算)도 있다.
실시 형태는, 전자 빔 간의 특성의 차이에 의한 시료의 결함의 오검출을 억제할 수 있는 하전 입자 빔 검사 방법을 제공한다.
실시 형태의 하전 입자 빔 검사 방법은, 스테이지 상에 시료를 재치하고, 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제1 하전 입자 빔을 이용하여 시료 상의 제1 빔 주사 영역의 제1 주사를 함으로써, 제1 빔 주사 영역 내의 제1 검사 단위의 제1 검사를 행하고, 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제2 하전 입자 빔을 이용하여 시료 상의 제2 빔 주사 영역의 제2 주사를 함으로써, 제2 빔 주사 영역 내의 제2 검사 단위의 제2 검사를 행한다.
도 1은, 제1 실시 형태에 있어서의 패턴 검사 장치의 구성을 도시한 구성도이다.
도 2는, 제1 실시 형태에 있어서의 성형 애퍼처 어레이 부재의 구성을 도시한 개념도이다.
도 3은, 제1 실시 형태에 있어서의 검사 장치 내의 빔의 궤도를 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 내지 도 4b는, 제1 실시 형태에 있어서의 제1 빔 주사 영역(A1)을 설명하기 위한 모식도이다.
도 5a 내지 도 5b는, 제1 실시 형태에 있어서의 제1 빔 주사 영역(A1), 제2 빔 주사 영역(A2), 제3 빔 주사 영역(A3) 및 제4 빔 주사 영역(A4)을 나타내는 모식도이다.
도 6은, 제1 실시 형태에 있어서의 하전 입자 빔 검사 방법의 플로우차트이다.
도 7은, 제2 실시 형태에 있어서의 제1 빔 주사 영역(A1), 제2 빔 주사 영역(A2), 제3 빔 주사 영역(A3), 제4 빔 주사 영역(A4), 제5 빔 주사 영역(A5), 제6 빔 주사 영역(A6), 제7 빔 주사 영역(A7), 제8 빔 주사 영역(A8)을 나타내는 모식도이다.
도 8은, 제2 실시 형태에 있어서의 제1 빔 주사 영역(A1), 제2 빔 주사 영역(A2), 제3 빔 주사 영역(A3), 제4 빔 주사 영역(A4), 제5 빔 주사 영역(A5), 제6 빔 주사 영역(A6), 제7 빔 주사 영역(A7), 제8 빔 주사 영역(A8)을 나타내는 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
이하, 실시 형태에서는, 하전 입자 빔의 일례로서, 전자 빔을 이용한 경우에 대하여 설명한다. 단, 이에 한정되는 것은 아니다. 이온 빔 등의 그 밖의 하전 입자 빔을 이용해도 상관없다.
(제1 실시 형태)
본 발명의 일 태양의 하전 입자 빔 검사 방법은, 스테이지 상에 시료를 재치하고, 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제1 하전 입자 빔을 이용하여 시료 상의 제1 빔 주사 영역의 제1 주사를 함으로써, 제1 빔 주사 영역 내의 제1 검사 단위의 제1 검사를 행하고, 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제2 하전 입자 빔을 이용하여 시료 상의 제2 빔 주사 영역의 제2 주사를 함으로써, 제2 빔 주사 영역 내의 제2 검사 단위의 제2 검사를 행한다.
도 1은, 제1 실시 형태에 있어서의 패턴 검사 장치의 구성을 도시한 구성도이다. 도 1에서, 기판에 형성된 패턴을 검사하는 검사 장치(100)는, 하전 입자 빔 검사 장치의 일례이다. 검사 장치(100)는, 전자 광학 화상 취득 기구(150) 및 제어계 회로(160)(제어부)를 구비하고 있다. 전자 광학 화상 취득 기구(150)는, 전자 빔 컬럼(102)(전자 경통), 검사실(103), 검출 회로(106), 스트라이프 패턴 메모리(123), 스테이지 구동 기구(142), 및 레이저 측장 시스템(122)을 구비하고 있다. 전자 빔 컬럼(102) 내에는, 전자 총(201), 조명 렌즈(202), 성형 애퍼처 어레이 기판(203), 축소 렌즈(205), 제한 애퍼처 기판(206), 대물 렌즈(207), 주편향기(208), 부편향기(209), 일괄 블랭킹 편향기(212), 빔 세퍼레이터(214), 투영 렌즈(224, 226), 편향기(228), 및 멀티 검출기(222)가 배치되어 있다.
검사실(103) 내에는, 적어도 XY 평면 상을 이동 가능한 XY 스테이지(스테이지의 일례)(105)가 배치된다. XY 스테이지(105) 상에는, 검사 대상이 되는 칩 패턴이 형성된 시료(101)가 배치된다. 시료(101)에는, 노광용 마스크 또는 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판이 포함된다. 시료(101)는, 예를 들면, 패턴 형성면을 상측을 향해 XY 스테이지(105)에 배치된다. 또한, XY 스테이지(105) 상에는, 검사실(103)의 외부에 배치된 레이저 측장 시스템(122)으로부터 조사되는 레이저 측장용의 레이저광을 반사하는 미러(216)가 배치되어 있다. 멀티 검출기(222)는, 전자 빔 컬럼(102)의 외부에서 검출 회로(106)에 접속된다. 검출 회로(106)는, 스트라이프 패턴 메모리(123)에 접속된다.
제어계 회로(160)에서는, 컴퓨터가 되는 제어 계산기(110)가, 버스(120)를 통하여, 위치 회로(107), 비교 회로(108), 전개 회로(111), 참조 회로(112), 스테이지 제어 회로(114), 렌즈 제어 회로(124), 블랭킹 제어 회로(126), 편향 제어 회로(128), 자기 디스크 장치 등의 기억 장치(109), 모니터(117), 메모리(118), 및 프린터(119)에 접속되어 있다. 또한, 스트라이프 패턴 메모리(123)는, 비교 회로(108)에 접속되어 있다. 또한, XY 스테이지(105)는, 스테이지 제어 회로(114)의 제어 하에 구동 기구(142)에 의하여 구동된다. 구동 기구(142)에서는, 예를 들면, X 방향, Y 방향, θ 방향으로 구동하는 3 축(X－Y－θ) 모터와 같은 구동계가 구성되고, XY 스테이지(105)가 이동 가능하도록 되어 있다. 이들 도시하지 않은 X 모터, Y 모터, θ 모터는, 예를 들면, 스텝 모터를 이용할 수 있다. XY 스테이지(105)는, XYθ 각 축의 모터에 의하여 수평 방향 및 회전 방향으로 이동 가능하다. 그리고, XY 스테이지(105)의 이동 위치는 레이저 측장 시스템(122)에 의하여 측정되어, 위치 회로(107)에 공급된다. 레이저 측장 시스템(122)은, 미러(216)로부터의 반사광을 수광함으로써, 레이저 간섭법의 원리로 XY 스테이지(105)의 위치를 측장한다.
전자 총(201)에는, 도시하지 않은 고압 전원 회로가 접속되고, 전자 총(201) 내의 도시하지 않은 필라멘트와 인출 전극 간으로의 고압 전원 회로로부터의 가속 전압의 인가와 함께, 소정의 인출 전극의 전압의 인가와 소정의 온도의 캐소드(필라멘트)의 가열에 의하여, 캐소드로부터 방출된 전자군이 가속되어, 전자 빔이 되어 방출된다. 조명 렌즈(202), 축소 렌즈(205), 대물 렌즈(207), 및 투영 렌즈(224, 226)는, 예를 들면, 전자 렌즈가 이용되고, 함께 렌즈 제어 회로(124)에 의하여 제어된다. 또한, 빔 세퍼레이터(214)도 렌즈 제어 회로(124)에 의하여 제어된다. 일괄 블랭킹 편향기(212) 및 편향기(228)는, 각각 적어도 2 극의 전극군에 의하여 구성되어, 블랭킹 제어 회로(126)에 의하여 제어된다. 주편향기(208) 및 부편향기(209)는, 각각 적어도 4 극의 전극군에 의하여 구성되어, 편향 제어 회로(128)에 의하여 제어된다.
시료(101)가 복수의 칩(다이) 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼인 경우에는, 이러한 칩(다이) 패턴의 패턴 데이터가 검사 장치(100)의 외부로부터 입력되어, 기억 장치(109)에 저장된다. 시료(101)가 노광용 마스크인 경우에는, 이러한 노광용 마스크에 마스크 패턴을 형성하는 기초가 되는 설계 패턴 데이터가 검사 장치(100)의 외부로부터 입력되어, 기억 장치(109)에 저장된다.
여기서, 도 1에서는, 제1 실시 형태를 설명함에 있어서 필요한 구성을 기재하고 있다. 검사 장치(100)에게 있어서, 통상, 필요한 그 밖의 구성을 구비하고 있어도 상관없다.
도 2는, 제1 실시 형태에 있어서의 성형 애퍼처 어레이 부재의 구성을 도시한 개념도이다. 도 2에서, 성형 애퍼처 어레이 기판(203)에는, 2 차원 형상(행렬 형상)의 가로(x 방향) N 열Х세로(y 방향) N＇ 단(N은 2 이상의 정수, N＇는 1 이상의 정수)의 홀(개구부)(22)이 x, y 방향(x：제1 방향, y：제2 방향)으로 소정의 배열 피치(L)로 형성되어 있다. 또한, 멀티 빔의 축소 배율이 a 배(멀티 빔 지름을 1/a로 축소하여 시료(101)에 조사하는 경우), 시료(101) 상에서의 x, y 방향에 대한 멀티 빔의 빔간 피치를 p로 하는 경우, 배열 피치(L)는, L=(aХp)의 관계가 된다. 도 2의 예에서는, N=5, N＇=5의 5Х5 개의 멀티 빔 형성용의 홀(22)이 형성되는 경우를 나타내고 있다. 이어서, 검사 장치(100)에 있어서의 전자 광학 화상 취득 기구(150)의 동작에 대하여 설명한다.
도 3은, 제1 실시 형태에 있어서의 검사 장치 내의 빔의 궤도를 설명하기 위한 도면이다. 전자 총(201)(방출원)으로부터 방출된 전자 빔(200)은, 조명 렌즈(202)에 의하여 거의 수직으로 성형 애퍼처 어레이 기판(203) 전체를 조명한다. 성형 애퍼처 어레이 기판(203)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 직사각형의 복수의 홀(22)(개구부)이 형성되고, 전자 빔(200)은, 모든 복수의 홀(22)이 포함되는 영역을 조명한다. 복수의 홀(22)의 위치에 조사된 전자 빔(200)의 각 일부가, 이러한 성형 애퍼처 어레이 기판(203)의 복수의 홀(22)을 각각 통과함으로써, 예를 들면, 직사각형 혹은 원형의 복수의 전자 빔(멀티 빔)(복수의 전자 빔)(20a~20d)(도 1 및 도 3의 실선)이 형성된다.
형성된 멀티 빔(20a~20d)은, 그 후, 크로스오버(C.O.)를 형성하고, 멀티 빔(20)의 크로스오버 위치에 배치된 빔 세퍼레이터(214)를 통과한 후, 축소 렌즈(205)에 의하여 축소되어, 제한 애퍼처 기판(206)에 형성된 중심의 홀을 향해 나아간다. 여기서, 성형 애퍼처 어레이 기판(203)과 축소 렌즈(205)와의 사이에 배치된 일괄 블랭킹 편향기(212)에 의하여, 멀티 빔(20a~20d) 전체가 일괄하여 편향된 경우에는, 제한 애퍼처 기판(206)의 중심의 홀로부터 위치가 이탈되어, 제한 애퍼처 기판(206)에 의하여 차폐된다. 한편, 일괄 블랭킹 편향기(212)에 의하여 편향되지 않은 멀티 빔(20a~20d)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 제한 애퍼처 기판(206)의 중심의 홀을 통과한다. 이러한 일괄 블랭킹 편향기(212)의 ON/OFF에 의하여 블랭킹 제어가 행해지고, 빔의 ON/OFF가 일괄 제어된다. 이와 같이, 제한 애퍼처 기판(206)은, 일괄 블랭킹 편향기(212)에 의하여 빔 OFF 상태가 되도록 편향된 멀티 빔(20a~20d)을 차폐한다. 그리고, 빔 ON이 되고 나서 빔 OFF가 될 때까지 형성된, 제한 애퍼처 기판(206)을 통과한 빔 군에 의하여, 멀티 빔(20a~20d)이 형성된다. 제한 애퍼처 기판(206)을 통과한 멀티 빔(20a~20d)은, 대물 렌즈(207)에 의하여 초점이 맞추어져, 원하는 축소율의 패턴상(빔 지름)이 되고, 주편향기(208) 및 부편향기(209)에 의하여, 제한 애퍼처 기판(206)을 통과한 멀티 빔(20) 전체가 동일 방향으로 일괄하여 편향되어, 각 빔의 시료(101) 상의 각각의 조사 위치에 조사된다. 이러한 경우에, 주편향기(208)에 의하여, 각 빔이 주사하는 후술하는 단위 검사 영역의 기준 위치를 각각 조사하도록 멀티 빔(20) 전체를 일괄 편향함과 동시에, XY 스테이지(105)의 이동에 추종하도록, 트래킹 편향을 행한다. 그리고, 부편향기(209)에 의하여, 각 빔이 각각 대응하는 단위 검사 영역 내의 NХN＇ 개의 서브 영역(후술하는 그리드(29)를 주사하도록 멀티 빔(20) 전체를 일괄 편향한다. 한번에 조사되는 멀티 빔(20)은, 이상적이게는 성형 애퍼처 어레이 기판(203)의 복수의 홀(22)의 배열 피치(L(=ap))에 상술한 원하는 축소율(1/a)을 곱한 피치로 배열된다. 이와 같이, 전자 빔 컬럼(102)은, 한번에 2 차원 형상의 NХN＇ 개의 멀티 빔(20)을 시료(101)에 조사한다. 시료(101)의 원하는 위치에 멀티 빔(20)이 조사된 것에 기인하여 시료(101)로부터 멀티 빔(20)의 각 빔에 대응하는 2 차 전자의 다발(멀티 2 차 전자(300))(도 1 및 도 3의 점선)이 방출된다.
시료(101)로부터 방출된 멀티 2 차 전자(300)는, 대물 렌즈(207)에 의하여, 멀티 2 차 전자(300)의 중심측으로 굴절되어), 제한 애퍼처 기판(206)에 형성된 중심의 홀을 향해 나아간다. 제한 애퍼처 기판(206)을 통과한 멀티 2 차 전자(300)는, 축소 렌즈(205)에 의하여 광축과 거의 평행하게 굴절되어, 빔 세퍼레이터(214)로 진행된다.
여기서, 빔 세퍼레이터(214)는 멀티 빔(20)이 진행하는 방향(광축)에 직교하는 면 상에서 전계와 자계를 직교하는 방향으로 발생시킨다. 전계는 전자의 진행 방향에 관계없이 동일한 방향으로 힘을 미친다. 이에 대하여, 자계는 플레밍 왼손 법칙에 따라 힘을 미친다. 그 때문에 전자의 침입 방향에 의하여 전자에 작용하는 힘의 방향을 변화시킬 수 있다. 빔 세퍼레이터(214)에 상측으로부터 침입해 오는 멀티 빔(20)(1 차 전자 빔)에는, 전계에 의한 힘과 자계에 의한 힘이 상쇄하고, 멀티 빔(20)은 하방으로 직진한다. 이에 대하여, 빔 세퍼레이터(214)에 하측으로부터 침입해 오는 멀티 2 차 전자 빔(300)에는, 전계에 의한 힘과 자계에 의한 힘이 모두 동일한 방향으로 움직이고, 멀티 2 차 전자 빔(300)은 기울기 상방으로 굽혀진다.
기울기 상방으로 굽혀진 멀티 2 차 전자(300)는, 투영 렌즈(224, 226)에 의하여, 굴절되면서 멀티 검출기(222)에 투영된다. 멀티 검출기(222)는, 투영된 멀티 2 차 전자(300)를 검출한다. 멀티 검출기(222)는, 도시하지 않은 다이오드형의 2 차원 센서를 가진다. 그리고, 멀티 빔(20)의 각 빔에 대응하는 다이오드형의 2 차원 센서 위치에 있어서, 멀티 2 차 전자(300)의 각 2 차 전자가 다이오드형의 2 차원 센서에 충돌하여 전자를 발생하고, 2 차 전자 화상 데이터를 후술하는 화소마다에 생성한다. 멀티 검출기(222)가 멀티 2 차 전자(300)를 검출하지 않는 경우에는, 편향기(228)로 멀티 2 차 전자(300)를 블랭킹 편향함으로써 수광면에 멀티 2 차 전자(300)를 도달시키지 않게 하면 된다.
도 4a 내지 도 4b는, 본 실시 형태에 있어서의 제1 빔 주사 영역(A1)을 설명하기 위한 모식도이다.
도 4a는, 제1 전자 빔이 시료 상에서 제1 주사를 하는 제1 빔 주사 영역(A1)의 범위를 설명하기 위한 모식도이다. 도 4b는, 제1 빔 주사 영역(A1)의, XY 스테이지(105)의 이동 방향(X 방향)의 길이를 설명하는 일례의 도면이다.
제1 전자 빔 주사 영역은, 복수의 검사 프레임을 가진다. 또한, 「검사 프레임」은 「검사 단위」의 일례이다. X 방향 프레임 사이즈는 FSx, Y 방향 프레임 사이즈는 FSy이다. 도 4a 내지 도 4b에서는, 각 검사 프레임의 형상은 FSx=FSy의 정사각형이다. 또한, 각 검사 프레임을 둘러싸는 변, 즉, 상술의 정사각형의 변은, XY 스테이지(105)의 이동 방향인 X 방향 또는 Y 방향으로 평행이다.
복수의 프레임은, 서로 중복되는 중첩(검사 중복 영역)을 가지고 있다. X 방향 프레임 중첩량은 FOx, Y 방향 프레임 중첩량은 FOy이다.
제1 빔 주사 영역의 X 방향의 폭은, X 방향 빔 주사폭(BSx)이다. 제1 빔 주사 영역의 Y 방향의 폭은, Y 방향 빔 주사폭(BSy)이다. X 방향 빔 주사폭(BSx)은, 복수의 프레임이 배열되어 있는 부분보다도, X 방향에서, 각각 X 방향 빔 마진(BMx)만큼 크다. 또한, Y 방향 빔 주사폭(BSy)은, 복수의 프레임이 배열되어 있는 부분보다도, Y 방향에서, 각각 Y 방향 빔 마진(BMy)만큼 크다.
환언하면, 제1 빔 주사 영역(A1)은, 제1 검사 단위의, XY 스테이지(105)의 이동 방향 또는 XY 스테이지(105)의 이동 방향으로 수직인 방향에 인접한, 제1 검사 단위의 빔 마진을 가진다.
제1 빔 주사 영역에 있어서의, 제1 전자 빔의 X 방향 빔 주사폭(BSx)은 (FSx－FOx)×n＋FOx＋BMx×2와 동일하다. n은 정수이며, 도 4a의 경우 n=3이다. 여기서 「주사폭」은, 제1 전자 빔의 이동량과 시료의 이동량의 균형에 의하여 결정된다.
제1 빔 주사 영역에 있어서의, 제1 전자 빔의 Y 방향 빔 주사폭(BSy)은 (FSy－FOy)×n＋FOy＋BMy×2와 동일하다. n은 정수이며, 도 4a의 경우 n=4이다.
도 5a 내지 5b는, 본 실시 형태에 있어서의 제1 빔 주사 영역(A1), 제2 빔 주사 영역(A2), 제3 빔 주사 영역(A3), 제4 빔 주사 영역(A4)을 나타내는 모식도이다.
도 5a는, 본 실시 형태에 있어서의 제1 빔 주사 영역(A1), 제2 빔 주사 영역(A2), 제3 빔 주사 영역(A3), 제4 빔 주사 영역(A4)을 나타내는 모식도이다. 또한, 제1 빔 주사 영역(A1)에 대하여, X 방향 빔 주사폭(BSx) 및 Y 방향 빔 주사폭(BSy)을 도시하였다.
도 5b는, 본 실시 형태에 있어서의 X 방향 빔 간격을 설명하는 모식도이다.
제1 전자 빔을 이용하여 제1 빔 주사 영역(A1)을 검사한다. 제2 전자 빔을 이용하여 제2 빔 주사 영역(A2)을 주사한다. 제3 전자 빔을 이용하여 제3 빔 주사 영역(A3)을 주사한다. 제4 전자 빔을 이용하여 제4 빔 주사 영역(A4)을 주사한다.
제1 전자 빔과 제2 전자 빔 및 제3 전자 빔과 제4 전자 빔은, X 방향에서, 각각 X 방향 빔 간격(BPx)만큼 이간하여 배치되어 있다. 또한, 제1 전자 빔과 제3 전자 빔 및 제2 전자 빔과 제4 전자 빔은, 각각 Y 방향 빔 간격(BPy)만큼 이간하여 배치되어 있다. 복수의 전자 빔은, X 방향 또는 Y 방향으로, 대략 등간격으로 배치되어 있는 것이 바람직하다.
제1 빔 주사 영역(A1)과 제2 빔 주사 영역(A2), 및 제3 빔 주사 영역(A3)과 제4 빔 주사 영역(A4)은, X 방향에서, 서로 중복되는, X 방향 빔 중첩량(BOx)만큼의 빔 중복 영역을 가진다. 또한, 제1 빔 주사 영역(A1)과 제3 빔 주사 영역(A3), 및 제2 빔 주사 영역(A2)과 제4 빔 주사 영역(A4)은, Y 방향에서, 서로 중복되는, Y 방향 빔 중첩량(BOy)만큼의 빔 중복 영역을 가진다.
도 5a에서, 제1 빔 주사 영역(A1), 제2 빔 주사 영역(A2), 제3 빔 주사 영역(A3), 제4 빔 주사 영역(A4) 각각의 크기는 서로 동일하다. 단, 동일하지 않아도 된다.
도 5b는, 제1 하전 입자 빔과 제2 하전 입자 빔의 간격과, 제1 빔 주사 영역(A1)의, XY 스테이지(105)의 이동 방향으로 수직인 방향의 길이 또는 XY 스테이지(105)의 이동 방향의 길이를 설명하기 위한 도면이다.
제1 하전 입자 빔과 제2 하전 입자 빔의 간격(BPx)은, (FSx－FOx)×m과 동일하다. m은 정수이며, 도 5a의 경우 m=3이다.
제1 하전 입자 빔과 제3 하전 입자 빔의 간격(BPy)은, (FSy－FOy)×m과 동일하다. m은 정수이며, 도 5a의 경우 m=4이다.
도 6은, 본 실시 형태에 있어서의 하전 입자 빔 검사 방법의 플로우차트이다.
우선, XY 스테이지(105) 상에, 검사 대상인 시료를 재치한다(S12).
이어서, XY 스테이지(105)의 제1 이동을 행하고, 검사 대상의 스트라이프 영역에 복수의 전자 빔의 조사가 가능해지게 한다(S14).
여기서 스트라이프 영역이란, X 방향으로 XY 스테이지(105)를 연속 이동시키면서 복수의 전자 빔을 주사하여 검사를 행하는 일 영역이다. Y 방향으로 XY 스테이지(105)를 연속 이동시키면서 전자 빔을 주사할 수 없는 경우에는, X 방향의 XY 스테이지(105)를 연속 이동시키면서 하나의 스트라이프 영역의 검사를 행하고, 그 후, 다른 검사 대상의 스트라이프 영역에 전자 빔을 조사하여 검사가 가능해지도록 XY 스테이지(105)를 Y 방향으로 이동한다. 그 후, X 방향 또는 X 방향과 반대의 방향으로 XY 스테이지(105)를 연속 이동시키면서 다른 미검사의 스트라이프 영역의 검사를 행하도록 한다.
이어서, 복수의 전자 빔으로 구성되는 멀티 빔을 시료에 조사한다.
이어서, 스트라이프 영역 내의 검사를 위해, XY 스테이지(105)의 제2 이동을 행한다(S16). 또한, 「XY 스테이지(105)의 제2 이동」은, 「XY 스테이지(105)의 X 방향의 연속 이동」의 일례이다.
이어서, X 방향으로 XY 스테이지(105)의 제2 이동을 시키면서, 복수의 전자 빔 중 1 개의 제1 하전 입자 빔을 이용하여, 시료 상의 제1 빔 주사 영역 내의 제1 검사 프레임의 제1 주사를 한다. 이에 의하여, 제1 빔 주사 영역 내의 제1 검사를 행한다(S18).
또한, 제1 검사와 동시에, X 방향으로 XY 스테이지(105)의 연속 이동을 시키면서, 복수의 전자 빔 중 1 개의 제2 하전 입자 빔을 이용하여, 시료 상의 제2 빔 주사 영역 내의 제2 검사 프레임의 제2 주사를 한다. 이에 의하여, 제2 빔 주사 영역 내의 제2 검사를 행한다(S20).
이어서, 제1 빔 주사 영역 내 및 제2 빔 주사 영역 내의 전체 검사 프레임의 검사가 종료되었는지 여부를 확인한다(S22).
제1 빔 주사 영역 내 및 제2 빔 주사 영역 내의 전체 검사 프레임의 검사가 종료되어 있지 않은 경우에는, 제1 검사 프레임 및 제2 검사 프레임과, 이어서 제1 하전 입자 빔으로 검사되는 제3 검사 프레임 및 이어서 제2 하전 입자 빔으로 검사되는 제4 검사 프레임이, X 방향의 프레임 중첩량(FOx)만큼 중복되도록, XY 스테이지의 제3 이동을 행한다(S24).
제1 빔 주사 영역 내 및 제2 빔 주사 영역 내의 전체 검사 프레임의 검사가 종료되어 있는 경우에는, 검사 대상의 스트라이프 영역의 검사가 종료되었는지 여부를 확인한다(S26).
검사 대상의 스트라이프 영역의 검사가 종료되어 있지 않은 경우에는, 제1 빔 주사 영역 및 제2 빔 주사 영역과, 이어서 제1 하전 입자 빔으로 검사되는 제3 빔 주사 영역 및 이어서 제2 하전 입자 빔으로 검사되는 제4 빔 영역이, X 방향 빔 중첩량(BOx)만큼 중복되도록, XY 스테이지의 제4 이동을 행한다(S28).
검사 대상의 스트라이프 영역의 검사가 종료되어 있는 경우에는, 전체 스트라이프의 검사가 종료되어 있는지 여부를 확인한다(S30).
검사 대상의 스트라이프 영역의 검사가 종료되어 있지 않은 경우에는, 검사 대상이었던 스트라이프와, 이어서 검사 대상이 되는 스트라이프가, Y 방향 빔 중첩량(BOy)만큼 중복되도록, XY 스테이지(105)의 제5 이동을 행한다(S32).
전체 스트라이프의 검사가 종료되어 있으면, 검사를 종료한다.
또한, XY 스테이지(105)를 이동시키는 방법 또는 빔 주사의 방법은, 상기의 것에 한정되지 않는다.
이어서, 본 실시 형태의 작용 효과를 기재한다.
복수의 전자 빔을 이용하여 시료 표면에 형성된 패턴 등을 검사하는 경우, 복수의 전자 빔 간의 위치 또는 밝기 등의 특성의 조정을 하는 것이 어렵다고 하는 문제가 있다. 만일 검사를 행하기 전에 특성을 조정했다고 해도, 검사 중에 이탈되어버린다고 하는 문제가 있다.
특히, 복수의 전자 빔을 이용하여 하나의 검사 프레임을 검사하는 경우에는, 복수의 전자 빔 간에 위치 이탈 또는 계조차가 존재함으로써, 각 전자 빔이 조사된 장소와 장소와의 경계에 유사 결함이 생기는 경우가 있다.
만약, 특성의 이탈이 재현성이 있는 것이라면, 미리 특성을 보정하는 것도 가능하다. 그러나, 특성의 이탈이, 돌발적으로, 또는 검사 중에 발생한 것인 경우에는 보정이 곤란하다.
이에, 본 실시 형태의 전자 빔 검사 방법에서는, 스테이지 상에 시료를 재치하고, 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제1 하전 입자 빔을 이용하여 시료 상의 제1 빔 주사 영역의 제1 주사를 함으로써, 제1 빔 주사 영역 내의 제1 검사 단위의 제1 검사를 행하고, 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제2 하전 입자 빔을 이용하여 시료 상의 제2 빔 주사 영역의 제2 주사를 함으로써, 제2 빔 주사 영역 내의 제2 검사 단위의 제2 검사를 행한다.
이와 같이 함으로써, 각각의 검사 프레임 내에는 복수의 전자 빔으로 검출된 화상이 혼재하지 않는다. 그 때문에, 복수의 전자 빔 간의 위치 또는 밝기 등의 특성의 차이에 의한 유사 결함의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 전자 빔 검사 방법에서는, 복수의 제1 검사 프레임이 제1 빔 주사 영역 내에 설치되어 있고, 복수의 제1 검사 프레임은 서로 중복되는 검사 중복 영역을 가지는 것으로 한다.
각 검사 프레임의 경계 부근에 존재하는 결함을 검출하는 것은, 결함 검출 알고리즘 상 곤란한 경우가 있다. 이에, 복수의 제1 검사 프레임에, 서로 중복되는 검사 중복 영역을 설치한다. 이에 의하여, 일방의 제1 검사 프레임에서는 경계 부근에 존재하는 결함이어도, 타방의 검사 프레임에서는 검사 프레임의 중앙 부근에 존재하는 경우가 생긴다. 그 때문에, 보다 정밀도가 높은 결함의 검출이 가능해진다.
또한, 본 실시 형태의 전자 빔 검사 방법에서는, 제1 검사 단위의, 이동 방향 또는 이동 방향에 수직인 방향으로, 제1 검사 단위의 빔 마진을 가지는 것으로 한다.
복수의 전자 빔으로 검사를 행하는 경우, 각각의 전자 빔의 간격을 등간격으로 제어하려고 해도, 완전히 등간격으로 하는 것은 매우 곤란하다. 그 때문에, 전자 빔의 간격의 오차(이탈)에 수반하는 전자 빔의 위치의 오차(이탈)가 발생되어 버린다. 이러한 오차(이탈)가 발생된 경우에도, 빔 마진을 설치함으로써, 각각의 전자 빔의 주사 영역의 경계 부분에서 바른 결함 검출이 가능해진다.
제1 검사 단위의 이동 방향의 길이를 FSx, 검사 중복 영역의 이동 방향의 길이를 FOx, 제1 검사 단위의 이동 방향에 인접하여 설치된 빔 마진의 길이를 BMx, m 및 n은 정수로 했을 때에, 제1 하전 입자 빔과 제2 하전 입자 빔의 간격(BPx)은 (FSx－FOx)×m과 동일하고, 제1 빔 주사 영역의, 이동 방향의 길이(BSx)는 (FSx－FOx)×n＋FOx＋BMx×2와 동일하다고 함으로써, 서로의 빔 주사 영역의 중첩이 적어지므로 챠지업이 적어진다. 또한, 쓸데없는 빔 주사 영역이 적어지므로 검사 시간을 단축할 수 있다.
본 실시 형태의 전자 빔 검사 방법에 의하면, 전자 빔 간의 특성의 차이에 의한 시료의 결함의 오검출을 억제할 수 있는 전자 빔 검사 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
(제2 실시 형태)
제1 실시 형태와 중복되는 점에 대해서는 기재를 생략한다.
도 7은, 본 실시 형태에 있어서의 제1 빔 주사 영역(A1), 제2 빔 주사 영역(A2), 제3 빔 주사 영역(A3), 제4 빔 주사 영역(A4), 제5 빔 주사 영역(A5), 제6 빔 주사 영역(A6), 제7 빔 주사 영역(A7), 제8 빔 주사 영역(A8)을 나타내는 모식도이다.
1 개의 전자 빔(제1 전자 빔)으로, 제1 빔 주사 영역(A1)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제2 전자 빔)으로, 제2 빔 주사 영역(A2)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제3 전자 빔)으로, 제3 빔 주사 영역(A3)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제4 전자 빔)으로, 제4 빔 주사 영역(A4)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제5 전자 빔)으로, 제5 빔 주사 영역(A5)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제6 전자 빔)으로, 제6 빔 주사 영역(A6)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제7 전자 빔)으로, 제7 빔 주사 영역(A7)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제8 전자 빔)으로, 제8 빔 주사 영역(A8)을 주사한다.
본 실시 형태의 전자 빔 검사 방법에 의해서도, 전자 빔 간의 특성의 차이에 의한 시료의 결함의 오검출을 억제할 수 있는 전자 빔 검사 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
(제3 실시 형태)
본 실시 형태의 전자 빔 검사 방법은, 각각의 빔 주사 영역에 있어서의 각 검사 프레임을 둘러싸는 변이, XY 스테이지(105)의 이동 방향에 수직인 방향 또는 XY 스테이지(105)의 이동 방향과 평행하지 않은 점에서, 제1 실시 형태 또는 제2 실시 형태와 상이하다. 여기서, 제1 실시 형태 또는 제2 실시 형태와 중복되는 내용에 대해서는 기재를 생략한다.
도 8은, 본 실시 형태에 있어서의 제1 빔 주사 영역(A1), 제2 빔 주사 영역(A2), 제3 빔 주사 영역(A3), 제4 빔 주사 영역(A4), 제5 빔 주사 영역(A5), 제6 빔 주사 영역(A6), 제7 빔 주사 영역(A7), 제8 빔 주사 영역(A8)을 나타내는 모식도이다.
도 8에서, 각 빔 주사 영역의 형상은 직사각형이다. 상술의 직사각형의 각 변은, XY 스테이지(105)의 이동 방향인 X 방향 또는 Y 방향으로부터, 45 도의 이탈각을 가지고 이탈되어 있다.
각 빔 주사 영역에 있어서의 각 검사 프레임은, FSx=FSy의 정사각형이다. 이 검사 프레임을 둘러싸는 변, 즉, 상술의 정사각형의 변은, XY 스테이지(105)의 이동 방향인 X 방향 또는 Y 방향으로부터, 45 도의 이탈각을 가지고 이탈되어 있다.
상술의 검사 프레임을 둘러싸는 변의, XY 스테이지(105)의 이동 방향으로부터의 이탈각 θ은, 35 도 이상 55 도 이하인 것이 바람직하며, 40 도 이상 50 도 이하인 것이 더 바람직하다. 전자 빔으로 패턴의 검사를 행하는 경우, 패턴의 엣지가 강하게 빛나는 경우가 많다. 특히, 패턴의 엣지가 XY 스테이지의 이동 방향에 대하여 수직으로 배치되어 있는 경우에 강하게 빛난다. 너무 강하게 빛나면, 패턴이 가지는 결함 검출의 방해가 될 우려가 있다. 통상, 패턴의 엣지는 시료의 소정의 방향으로 평행 또는 수직으로 형성되어 있으므로, 검사 프레임을 둘러싸는 변을 상술의 각도로 함으로써, 패턴의 엣지가 너무 강하게 빛나는 것을 억제하여, 결함 검출을 용이하게 할 수 있다.
1 개의 전자 빔(제1 전자 빔)으로, 제1 빔 주사 영역(A1)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제2 전자 빔)으로, 제2 빔 주사 영역(A2)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제3 전자 빔)으로, 제3 빔 주사 영역(A3)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제4 전자 빔)으로, 제4 빔 주사 영역(A4)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제5 전자 빔)으로, 제5 빔 주사 영역(A5)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제6 전자 빔)으로, 제6 빔 주사 영역(A6)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제7 전자 빔)으로, 제7 빔 주사 영역(A7)을 주사한다. 1 개의 전자 빔(제8 전자 빔)으로, 제8 빔 주사 영역(A8)을 주사한다.
제1 검사 단위를 둘러싸는 변 중 제1 일변의 길이를 FSx, 검사 중복 영역을 둘러싸는 변 중 제1 일변에 평행한 제2 일변의 길이를 FOx, 제1 검사 단위에 인접하여 설치된 빔 마진의 제1 일변에 평행한 제3 일변의 길이를 BMx, 제1 일변의 이동 방향(X 방향)으로부터의 이탈각을 θ, m 및 n은 정수로 했을 때에, 제1 전자 빔과 제2 전자 빔의 간격(BPx)은 (FSx－FOx)×m/cosθ인 것이 바람직하다. 또한, 제1 빔 주사 영역의, 이동 방향의 길이는 ((FSx－FOx)×n＋FOx＋BMx×2)/cosθ인 것이 바람직하다.
또한, 제1 검사 단위를 둘러싸는 변 중 제1 일변의 길이를 FSy, 검사 중복 영역을 둘러싸는 변 중 제1 일변에 평행한 제2 일변의 길이를 FOy, 제1 검사 단위에 인접하여 설치된 빔 마진의 제1 일변에 평행한 제3 일변의 길이를 BMy, 제1 일변의 이동 방향(Y 방향)으로부터의 이탈각을 θ, m 및 n은 정수로 했을 때에, 제1 전자 빔과 제2 전자 빔의 간격(BPy)은, (FSy－FOy)×m/cosθ인 것이 바람직하다. 또한, 제1 빔 주사 영역의, 이동 방향의 길이는 ((FSy－FOy)×n＋FOy＋BMy×2)/cosθ인 것이 바람직하다.
이상의 설명에서, 일련의 「~회로」는, 처리 회로를 포함하고, 그 처리 회로에는, 전기 회로, 컴퓨터, 프로세서, 회로 기판, 양자 회로, 혹은, 반도체 장치 등이 포함된다. 또한, 각 「~회로」는, 공통된 처리 회로(동일한 처리 회로)를 이용하여도 된다. 혹은, 상이한 처리 회로(다른 처리 회로)를 이용하여도 된다. 프로세서 등을 실행시키는 프로그램은, 자기 디스크 장치, 자기 테이프 장치, FD, 혹은 ROM(리드 온리 메모리) 등의 기록 매체에 기록되면 된다.
이상, 구체예를 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였다. 상기의 실시 형태는 어디까지나, 예로서 들어져 있는 것일 뿐이며, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태의 구성 요소를 적절히 조합해도 상관없다.
실시 형태에서는, 하전 입자 빔 검사 방법의 구성 또는 그 제조 방법 등, 본 발명의 설명에 직접 필요로 하지 않는 부분 등에 대해서는 기재를 생략했으나, 필요시되는 하전 입자 빔 검사 방법의 구성을 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 그 밖에, 본 발명의 요소를 구비하여, 당업자가 적절히 설계 변경할 수 있는 모든 하전 입자 빔 검사 방법은, 본 발명의 범위에 포함된다. 본 발명의 범위는, 특허 청구의 범위 및 그 균등물의 범위에 의하여 정의되는 것이다.

Claims (18)

  1. 스테이지 상에 시료를 재치하고,
    상기 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제1 하전 입자 빔을 이용하여 상기 시료 상의 제1 빔 주사 영역의 제1 주사를 함으로써, 상기 제1 빔 주사 영역 내의 제1 검사 단위의 제1 검사를 행하고, 그리고
    상기 스테이지의 이동을 시키면서, 상기 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제2 하전 입자 빔을 이용하여 상기 시료 상의 제2 빔 주사 영역의 제2 주사를 함으로써, 상기 제2 빔 주사 영역 내의 제2 검사 단위의 제2 검사를 행하며,
    복수의 상기 제1 검사 단위가 상기 제1 빔 주사 영역 내에 설치되어 있고, 상기 복수의 제1 검사 단위는 서로 중복되는 검사 중복 영역을 가지고,
    상기 제1 검사 단위의 상기 이동 방향의 길이를 FSx, 상기 검사 중복 영역의 상기 이동 방향의 길이를 FOx, 상기 제1 검사 단위의 상기 이동 방향에 인접하여 설치된 빔 마진의 길이를 BMx, m 및 n은 정수로 했을 때에,
    상기 제1 하전 입자 빔과 상기 제2 하전 입자 빔의 간격(BPx)은 (FSx－FOx)×m과 동일하고,
    상기 제1 빔 주사 영역의, 상기 이동 방향의 길이(BSx)는 (FSx－FOx)×n＋FOx＋BMx ×2와 동일한, 하전 입자 빔 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    복수의 상기 제1 검사 단위가 상기 제1 빔 주사 영역 내에 설치되어 있고, 상기 복수의 제1 검사 단위는 서로 중복되는 검사 중복 영역을 가지는 하전 입자 빔 검사 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 빔 주사 영역은, 상기 제1 검사 단위의, 상기 이동 방향에 인접한, 상기 제1 검사 단위의 빔 마진을 가지는 하전 입자 빔 검사 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 빔 주사 영역과 상기 제2 빔 주사 영역은, 서로 중복되는, 빔 중복 영역을 가지는 하전 입자 빔 검사 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 빔 주사 영역의 크기와 상기 제2 빔 주사 영역의 크기는 서로 동일한 하전 입자 빔 검사 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 검사 단위를 둘러싸는 변 중 적어도 하나는 상기 이동 방향으로 평행인 하전 입자 빔 검사 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 검사 단위의 형상은 정사각형인 하전 입자 빔 검사 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 검사 단위의 형상은 직사각형인 하전 입자 빔 검사 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 검사 단위를 둘러싸는 변 중 적어도 하나는 상기 이동 방향으로 평행하지 않은 하전 입자 빔 검사 방법.
  10. 스테이지 상에 시료를 재치하고,
    상기 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제1 하전 입자 빔을 이용하여 상기 시료 상의 제1 빔 주사 영역의 제1 주사를 함으로써, 상기 제1 빔 주사 영역 내의 제1 검사 단위의 제1 검사를 행하고, 그리고
    상기 스테이지의 이동을 시키면서, 상기 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제2 하전 입자 빔을 이용하여 상기 시료 상의 제2 빔 주사 영역의 제2 주사를 함으로써, 상기 제2 빔 주사 영역 내의 제2 검사 단위의 제2 검사를 행하며,
    복수의 상기 제1 검사 단위가 상기 제1 빔 주사 영역 내에 설치되어 있고, 상기 복수의 제1 검사 단위는 서로 중복되는 검사 중복 영역을 가지고,
    상기 제1 검사 단위를 둘러싸는 변 중 제1 일변의 길이를 FSx, 상기 검사 중복 영역을 둘러싸는 변 중의 상기 제1 일변에 평행한 제2 일변의 길이를 FOx, 상기 제1 검사 단위에 인접하여 설치된 빔 마진의 상기 제1 일변에 평행한 제3 일변의 길이를 BMx, 상기 제1 일변의 상기 이동 방향으로부터의 이탈각을 θ, m 및 n은 정수로 했을 때에,
    상기 제1 하전 입자 빔과 상기 제2 하전 입자 빔의 간격(BPx)은, (FSx－FOx)×m/cosθ이며,
    상기 제1 빔 주사 영역의, 상기 이동 방향의 길이는 ((FSx－FOx)×n＋FOx＋BMx×2)/cosθ인 하전 입자 빔 검사 방법.
  11. 스테이지 상에 시료를 재치하고,
    상기 스테이지의 이동을 시키면서, 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제1 하전 입자 빔을 이용하여 상기 시료 상의 제1 빔 주사 영역의 제1 주사를 함으로써, 상기 제1 빔 주사 영역 내의 제1 검사 단위의 제1 검사를 행하고, 그리고
    상기 스테이지의 이동을 시키면서, 상기 복수의 하전 입자 빔 중 1 개의 제2 하전 입자 빔을 이용하여 상기 시료 상의 제2 빔 주사 영역의 제2 주사를 함으로써, 상기 제2 빔 주사 영역 내의 제2 검사 단위의 제2 검사를 행하며,
    상기 제1 빔 주사 영역은, 상기 제1 검사 단위의, 상기 이동 방향에 인접한, 상기 제1 검사 단위의 빔 마진을 가지고, 상기 제1 하전 입자 빔은 상기 빔 마진에서 주사되고, 상기 빔 마진은 상기 제1 검사 단위의 외측에 배치되는 것인, 하전 입자 빔 검사 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    복수의 상기 제1 검사 단위가 상기 제1 빔 주사 영역 내에 설치되어 있고, 상기 복수의 제1 검사 단위는 서로 중복되는 검사 중복 영역을 가지는 하전 입자 빔 검사 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 빔 주사 영역과 상기 제2 빔 주사 영역은, 서로 중복되는, 빔 중복 영역을 가지는 하전 입자 빔 검사 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 빔 주사 영역의 크기와 상기 제2 빔 주사 영역의 크기는 서로 동일한 하전 입자 빔 검사 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 검사 단위를 둘러싸는 변 중 적어도 하나는 상기 이동 방향으로 평행인 하전 입자 빔 검사 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1 검사 단위의 형상은 직사각형인 하전 입자 빔 검사 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제1 검사 단위의 형상은 정사각형인 하전 입자 빔 검사 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제1 검사 단위를 둘러싸는 변 중 적어도 하나는 상기 이동 방향으로 평행하지 않은 하전 입자 빔 검사 방법.
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