KR102191701B1 - Test socket capable of being partially replaced - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 부분 교체가 가능한 테스트 소켓에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반복적인 테스트 과정에서 적은 압력에서도 안정적인 테스트가 가능하면서도, 반도체 소자와 같은 상부 디바이스와 접촉으로 인한 파손 우려가 많은 상부 영역 만을 부분적으로 교체할 수 있는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓에 관한 것이다.The present invention relates to a test socket that can be partially replaced, and more particularly, it is possible to perform a stable test even at a low pressure in a repetitive test process, but only partially cover an upper area where there is a high risk of damage due to contact with an upper device such as a semiconductor device It relates to a test socket that can be replaced.
반도체 소자와 같은 디바이스(이하, '반도체 소자'라 함)는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 불량 여부를 판단하기 위한 검사를 수행하게 된다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 테스트 소켓(또는 콘텍터 또는 커넥터)을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 삽입한 상태에서 검사가 수행된다. 그리고, 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.A device such as a semiconductor device (hereinafter referred to as a'semiconductor device') undergoes a manufacturing process and then performs an inspection to determine whether the electrical performance is defective. The test of a semiconductor device is performed in a state in which a test socket (or a contactor or a connector) formed to be electrically contacted with a terminal of the semiconductor device is inserted between the semiconductor device and the test circuit board. In addition, the test socket is used in the burn-in test process during the manufacturing process of the semiconductor device in addition to the final pass/fail inspection of the semiconductor device.
반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 피치도 미세화되는 추세이고, 그에 따라 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.According to the development and miniaturization of semiconductor device integration technology, the size and pitch of the terminals of semiconductor devices, that is, leads, are also being reduced, and accordingly, a method of forming minute gaps between conductive patterns of test sockets is required. Therefore, there is a limitation in manufacturing a test socket for testing integrated semiconductor devices with the existing Pogo-pin type test socket.
이와 같은 반도체 소자의 집적화에 부합하도록 제안된 기술이, 탄성 재질의 실리콘 소재로 제작되는 실리콘 본체 상에 수직 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 분말을 충진하여 도전 패턴을 형성하는 PCR 소켓 타입(또는 러버 타입, 이하 동일)이 널리 사용되고 있다.The proposed technology to meet the integration of such semiconductor devices is to form a perforated pattern in a vertical direction on a silicon body made of a silicon material made of elastic material, and then fill a conductive powder inside the perforated pattern to form a conductive pattern. PCR socket type (or rubber type, hereinafter the same) is widely used.
도 1은 PCR 소켓 타입의 종래의 반도체 테스트 장치(1)의 단면을 도시한 도면이다. 도 1을 참조하여 설명하면, 종래의 반도체 테스트 장치(1)는 지지 플레이트(30) 및 PCR 소켓 타입의 테스트 소켓(10)을 포함한다.1 is a diagram showing a cross section of a conventional
지지 플레이트(30)는 테스트 소켓(10)이 반도체 소자(3) 및 검사회로기판(5) 사이에서 위치할 때 테스트 소켓(10)을 지지한다. 여기서, 지지 플레이트(30)의 중앙에는 진퇴 가이드용 메인 관통홀(미도시)이 형성되어 있고, 메인 관통홀을 형성하는 가장자리를 따라 가장자리로부터 이격되는 위치에 결합용 관통홀이 상호 이격되게 형성된다. 그리고, 테스트 소켓(10)은 지지 플레이트(30)의 상면 및 하면에 접합되는 주변 지지부(50)에 의해 지지 플레이트(30)에 고정된다.The
PCR 소켓 타입의 테스트 소켓(10)은 절연성의 실리콘 본체에 타공 패턴이 형성되고, 해당 타공 패턴 내에 충진되는 도전성 파우더(11)에 의해 상하 방향으로 도전 패턴들이 형성된다.In the PCR socket
한편, 반도체 소자의 단자, 즉 패키지 볼의 수가 점점 증가하여 많게는 한 패키지에 2만 핀까지 제조되고 있다. 이러한 이유는 한 패키지 내에 여러 종류의 패키지를 넣고 하나의 칩과 같이 간편하게 동작시키기 위해서이다. 이와 같은 패키지를 테스트하기 위해서는 2만개의 도전 패턴이 있는 테스트 소켓이 제작되어야 한다.Meanwhile, the number of terminals of semiconductor devices, that is, package balls, is gradually increasing, and as many as 20,000 pins are manufactured in one package. The reason for this is to put several types of packages in one package and operate them as easily as one chip. To test such a package, a test socket with 20,000 conductive patterns must be manufactured.
그런데, 2만개의 도전 패턴을 가지는 테스트 소켓을 이용하여 반도체 소자를 테스트하는 과정에서는 반도체 소자가 테스트 소켓을 가압하는 힘이 필요한데, 하나의 도전 패턴에 가해져야하는 힘이 20g이면 산술적으로 20만개의 도전 패턴을 갖는 테스트 소켓에는 40만g의 힘으로 반도체 소자가 테스트 소켓을 가압하여야 한다.However, in the process of testing a semiconductor device using a test socket having 20,000 conductive patterns, the semiconductor device needs a force to press the test socket. If the force that must be applied to one conductive pattern is 20g, it is arithmetically 200,000 In the test socket having a conductive pattern, a semiconductor device must press the test socket with a force of 400,000 g.
상기와 같은 상황으로 인해, 테스트 소켓의 제조사에서는 테스트 소켓의 포스(Force)을 줄이기 위한 연구가 지속되고 있으나, 실리콘 재질을 본체로 사용하는 기존의 테스트 소켓의 경우 도전 패턴을 실리콘이 감싸고 있어 포스(Force)을 줄이는데 한계가 있었다. 이는 실리콘 재질의 본체의 포스(Force)을 약한 재질로 사용하게 되면 반발력이나 복원력이 약해져 본체가 눌린 상태에서 복원되지 않아 테스트 소켓의 수명에 악영향을 미치게 되고, 반대로 포스(Force)를 강하게 하면 반도체 소자가 큰 힘으로 테스트 소켓을 눌려야 하기 때문에 자칫 반도체 소자의 손상이 발생할 수 있는 문제점이 있다.Due to the above circumstances, test socket manufacturers are continuing research to reduce the force of the test socket, but in the case of the existing test socket that uses silicon as the body, the conductive pattern is wrapped with silicon, There was a limit to reducing Force). This means that if the force of the body made of silicon is used as a weak material, the repulsive force or restoring force is weakened and the body is not restored when the body is pressed, which adversely affects the life of the test socket. Conversely, if the force is increased, the semiconductor device Since the test socket must be pressed with a large force, there is a problem that the semiconductor device may be damaged.
따라서, 실리콘 본체와 도전성 파우더로 구성된 도전 패턴을 갖는 PCR 타입의 테스트 소켓을 제조하면서도 기존의 테스트 소켓보다 포스(Force)를 줄일 수 있는 테스트 소켓의 수요가 요구되고 있는 실정이다.Accordingly, there is a demand for a test socket capable of reducing a force than a conventional test socket while manufacturing a PCR type test socket having a conductive pattern composed of a silicon body and a conductive powder.
한편, 테스트 소켓은 그 하부가 검사회로기판 측에 고정된 상태에서, 반도체 소자가 상부 측에서 접촉되면서 가압되어 전기적인 연결을 통해 테스트가 수행된다. 하나의 테스트 소켓을 이용한 반도체 소자의 테스트의 경우 수 만회의 테스트를 거치게 되는데, 테스트 소켓의 상부 측은 반도체 소자와의 수 만회의 접촉이 이루어져 상대적으로 손상이 발생할 확률이 높다.Meanwhile, in a state in which the lower portion of the test socket is fixed to the inspection circuit board, the semiconductor element is pressed while contacting from the upper side, and the test is performed through electrical connection. In the case of a test of a semiconductor device using a single test socket, tens of thousands of tests are performed, and the upper side of the test socket is in contact with the semiconductor device tens of thousands of times, resulting in relatively high probability of damage.
테스트 소켓을 구성하는 2만개의 도전 패턴 중 어느 하나라도 손상되는 경우, 테스트 소켓 전체를 교체하여야 하므로, 수명이 짧은 테스트 소켓의 경우 비용을 증가시키는 요인으로 작용하게 된다.If any one of the 20,000 conductive patterns constituting the test socket is damaged, the entire test socket must be replaced, and thus, a test socket having a short lifespan acts as a factor that increases the cost.
이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 반복적인 테스트 과정에서 적은 압력에서도 안정적인 테스트가 가능하면서도, 반도체 소자와 같은 상부 디바이스와 접촉으로 인한 파손 우려가 많은 상부 영역 만을 부분적으로 교체할 수 있는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention was conceived to solve the above problems, and it is possible to perform a stable test even at a low pressure in the repetitive test process, and partially cover only the upper region where there is a high risk of damage due to contact with the upper device such as a semiconductor device. Its purpose is to provide a test socket that can be replaced with a replaceable part.
상기 목적은 본 발명에 따라, 부분 교체가 가능한 테스트 소켓에 있어서, 절연성 재질의 제1 절연 본체와, 상기 제1 절연 본체에 상호 이격되게 형성되어 각각 상하 방향으로 도전 라인을 형성하는 복수의 제1 도전 패턴을 포함하는 제1 소켓 모듈과, 절연성 재질의 제2 절연 본체와, 각각 상하 방향으로 도전 라인을 형성하는 복수의 제2 도전 패턴을 포함하고, 상기 제1 소켓 모듈의 상부에 안착될 때 상호 대응하는 위치의 상기 제1 도전 패턴과 상기 제2 도전 패턴이 접촉되어 상기 제1 도전 패턴과 상기 제2 도전 패턴이 전기적으로 연결되는 제2 소켓 모듈을 포함하고; 각각의 상기 제1 도전 패턴은 상기 제2 소켓 모듈을 향해 상향 돌출되어 상기 제2 도전 패턴과 접촉되는 상부 접촉부를 포함하며; 상기 제2 소켓 모듈을 향해 상향 돌출된 상기 상부 접촉부에 의해 상기 제1 절연 본체와 상기 제2 절연 본체 사이에 빈 공간에 형성되는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓에 의해서 달성된다.The above object is, according to the present invention, in a test socket that can be partially replaced, a first insulating body made of an insulating material, and a plurality of first insulating bodies formed to be spaced apart from each other on the first insulating body to form a conductive line in the vertical direction, respectively. When a first socket module including a conductive pattern, a second insulating body made of an insulating material, and a plurality of second conductive patterns each forming a conductive line in a vertical direction, and seated on an upper portion of the first socket module And a second socket module in which the first conductive pattern and the second conductive pattern are in contact with each other to be electrically connected to the first conductive pattern and the second conductive pattern; Each of the first conductive patterns includes an upper contact portion protruding upward toward the second socket module to contact the second conductive pattern; It is achieved by a partially replaceable test socket, characterized in that it is formed in an empty space between the first insulating body and the second insulating body by the upper contact portion protruding upward toward the second socket module.
여기서, 상기 제1 절연 본체에는 상하 방향으로 관통된 복수의 제1 관통홀이 형성되고; 각각의 상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 관통홀 내부에 도전성을 갖는 도전성 파우더를 포함하는 액상 재질이 경화되어 형성된 내측 도전부를 더 포함하며; 상기 상부 접촉부는 상기 내측 도전부의 상부에 형성되어 상기 제2 소켓 모듈을 향해 상향 돌출될 수 있다.Here, a plurality of first through holes penetrating in the vertical direction are formed in the first insulating body; Each of the first conductive patterns further includes an inner conductive portion formed by curing a liquid material including conductive powder having conductivity in the first through hole; The upper contact portion may be formed on the inner conductive portion to protrude upward toward the second socket module.
또한, 상기 상부 접촉부의 직경은 상기 내측 도전부의 직경보다 작게 마련되어, 상기 제2 소켓 모듈에 의해 하부 방향으로 가압될 때 상기 상부 접촉부가 상기 내측 도전부 내부로 밀려 들어갈 수 있다.In addition, a diameter of the upper contact portion may be provided smaller than a diameter of the inner conductive portion, and the upper contact portion may be pushed into the inner conductive portion when pressed downward by the second socket module.
그리고, 상기 내측 도전부의 하부에 형성되어 상기 제1 절연 본체 하부 방향으로 돌출되는 하부 접촉부를 더 포함할 수 있다.In addition, a lower contact portion formed under the inner conductive portion and protruding toward a lower portion of the first insulating body may be further included.
그리고, 상기 하부 접촉부의 직경은 상기 내측 도전부의 직경보다 작게 마련되어, 상기 제2 소켓 모듈에 의해 상기 제1 소켓 모듈이 하부 방향으로 가압될 때 상기 하부 접촉부가 상기 내측 도전부 내부로 밀려 들어갈 수 있다.Further, the diameter of the lower contact portion is provided smaller than the diameter of the inner conductive portion, and when the first socket module is pressed downward by the second socket module, the lower contact portion may be pushed into the inner conductive portion. .
그리고, 상기 상부 접촉부 및 상기 하부 접촉부는 도전성 파우더를 포함하는 액상 재질이 경화되어 형성될 수 있다.In addition, the upper contact portion and the lower contact portion may be formed by curing a liquid material including conductive powder.
그리고, 상기 내측 도전부를 감싸도록 상기 제1 절연 본체의 내부에 마련되는 탄성 스프링을 더 포함할 수 있다.In addition, an elastic spring provided inside the first insulating body to surround the inner conductive portion may be further included.
그리고, 상기 제2 절연 본체에는 상하 방향으로 관통된 복수의 제2 관통홀이 형성되고, 상기 제2 도전 패턴은 각각의 상기 제2 관통홀 내부에 형성될 수 있다.In addition, a plurality of second through holes penetrating in the vertical direction may be formed in the second insulating body, and the second conductive patterns may be formed inside each of the second through holes.
그리고, 상기 제2 소켓 모듈은 각각의 상기 제2 관통홀의 내측 표면과 상기 제2 도전 패턴의 둘레 사이에 개제되어 상기 제2 도전 패턴이 상기 제2 관통홀의 내부에 위치하도록 지지하는 지지링을 더 포함하며; 상기 지지링은 탄성을 갖는 절연성 재질로 마련되어, 상기 제2 도전 패턴이 하부 방향으로 가압될 때 상기 제2 도전 패턴의 하부 방향으로의 이동을 탄성적으로 지지할 수 있다.Further, the second socket module further includes a support ring interposed between the inner surface of each of the second through holes and the circumference of the second conductive pattern to support the second conductive pattern so as to be located inside the second through hole. Includes; The support ring may be made of an insulating material having elasticity, and may elastically support movement of the second conductive pattern in a downward direction when the second conductive pattern is pressed downward.
그리고, 상기 제2 절연 본체는 FR4 필름 또는 PI 필름으로 마련되며; 상기 제2 절연 본체의 두께는 상기 제1 절연 본체의 두께보다 얇게 마련될 수 있다.In addition, the second insulating body is provided with an FR4 film or a PI film; The second insulating body may have a thickness thinner than that of the first insulating body.
또한, 상기 제1 소켓 모듈은 각각의 상기 상부 접촉부의 외주면을 감싸되, 상기 상부 접촉부의 상부가 상부 방향으로 돌출되도록 상기 상부 접촉부를 감싸는 상부 절연링을 더 포함하며; 상호 인접한 상기 상부 절연링은 상호 이격되어 사이에 공간이 형성될 수 있다.In addition, the first socket module further includes an upper insulating ring surrounding the outer circumferential surface of each of the upper contact parts, and surrounding the upper contact part so that the upper part of the upper contact part protrudes upward; The upper insulating rings adjacent to each other may be spaced apart from each other to form a space therebetween.
그리고, 상기 제1 소켓 모듈은 각각의 상기 하부 접촉부의 외주면을 감싸되, 상기 하부 접촉부의 하부가 하부 방향으로 돌출되도록 상기 하부 접촉부를 감싸는 하부 절연링을 더 포함하며; 상호 인접한 상기 하부 절연링은 상호 이격되어 사이에 공간이 형성될 수 있다.In addition, the first socket module further includes a lower insulating ring surrounding the outer circumferential surface of each of the lower contact portions, and surrounding the lower contact portion so that the lower portion of the lower contact portion protrudes downward; The lower insulating rings adjacent to each other may be spaced apart from each other to form a space therebetween.
상기와 같은 구성에 따라 본 발명에 따르면, 미세피치의 구현이 가능한 PCR 타입의 테스트 소켓을 제공하면서도 제1 소켓 모듈과 제2 소켓 모듈의 사이에 빈 공간이 형성되어 반도체 소자와 같은 상부 디바이스가 하부 방향으로 누를 때 이를 저지하는 포스(Force)를 줄일 수 있는 테스트 소켓이 제공된다.According to the above configuration, according to the present invention, while providing a PCR-type test socket capable of implementing a fine pitch, an empty space is formed between the first socket module and the second socket module, so that the upper device such as a semiconductor device is lowered. A test socket is provided to reduce the force that blocks it when pressed in the direction.
또한, 본 발명에 따르면, 테스트 소켓이 제1 소켓 모듈과 제2 소켓 모듈로 분리 가능하고, 상대적으로 손상 가능성이 상부 측의 제2 소켓 모듈 만의 교체가 가능하도록 함으로써, 반도체 소자와의 접촉 부위의 손상으로 인한 교체 비용을 현저하게 줄일 수 있는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓이 제공된다.In addition, according to the present invention, the test socket can be separated into a first socket module and a second socket module, and only the second socket module on the upper side can be replaced with a relatively damaged possibility. Partially replaceable test sockets are provided that can significantly reduce replacement costs due to damage.
도 1은 PCR 소켓 타입의 종래의 반도체 테스트 장치의 단면을 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 테스트 소켓의 사시도이고,
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선에 따른 단면도이고,
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 테스트 소켓의 단면도이고,
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 테스트 소켓의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이고,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 소켓의 제2 소켓 모듈의 실시예들을 설명하기 위한 도면이고,
도 7 및 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 테스트 소켓의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고,
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 테스트 소켓의 단면도이고,
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 소켓의 제2 소켓 모듈의 다른 예를 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing a cross section of a conventional semiconductor test apparatus of a PCR socket type,
2 is a perspective view of a test socket according to a first embodiment of the present invention,
3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2,
4 is a cross-sectional view of a test socket according to a second embodiment of the present invention,
5 is a view for explaining the operation process of the test socket according to the first embodiment of the present invention,
6 is a view for explaining embodiments of the second socket module of the test socket according to an embodiment of the present invention,
7 and 8 are views for explaining a method of manufacturing a test socket according to a first embodiment of the present invention,
9 is a cross-sectional view of a test socket according to a third embodiment of the present invention,
10 is a view showing another example of the second socket module of the test socket according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 테스트 소켓(100)의 사시도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선에 따른 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 테스트 소켓(100)은 제1 소켓 모듈(110)과 제2 소켓 모듈(130)을 포함한다.2 is a perspective view of the
제1 소켓 모듈(110)은 제2 소켓 모듈(130)의 하부에 배치된 상태로, 검사회로기판 측과 전기적으로 연결된다. 여기서, 제1 소켓 모듈(110)은 제1 절연 본체(111) 및 복수의 제1 도전 패턴(112,113,114)을 포함한다.The
제1 절연 본체(111)는 절연성 재질로 마련되는데, 탄성을 갖는 실리콘 재질로 마련되는 것을 예로 한다. 여기서, 제1 절연 본체(111)에는 상하 방향으로 관통된 복수의 제1 관통홀(111a, 도 7의 (a) 참조)이 형성되는데, 각각의 제1 도전 패턴(112,113,114)은 각각의 제1 관통홀(111a)에 형성되어 상하 방향으로 복수의 도전 라인을 형성한다.The first insulating
각각의 제1 도전 패턴(112,113,114)은 상부 접촉부(113)와 내측 도전부(112)를 포함할 수 있다. 또한, 각각의 제1 도전 패턴(112,113,114)은 하부 접촉부(114)를 더 포함할 수 있다.Each of the first
상부 접촉부(113)는 제1 소켓 모듈(110)을 향해 상향 돌출되어 제1 소켓 모듈(110)의 후술할 제2 도전 패턴(132)에 각각 접촉된다. 본 발명에서는 상부 접촉부(113)가 내측 도전부(112)로부터 상향 돌출된 상태를 가지며 제2 도전 패턴(132)과 접촉됨으로써, 제2 도전 패턴(132), 상부 접촉부(113) 및 내측 도전부(112)가 상하 방향으로 도전 라인을 형성하게 된다.The
내측 도전부(112)는 제1 관통홀(111a) 내부에 형성되는데, 제1 관통홀(111a) 내부에 도전성을 갖는 도전성 파우더를 포함하는 액상 재질이 경화되어 형성된다. 즉, 도전성 파우도와 액상의 실리콘을 혼합한 후 제1 관통홀(111a)에 주입하여 이를 경화시키게 되면 도전성을 갖는 내측 도전부(112)가 형성 가능하게 된다.The inner
본 발명에서는 상부 접촉부(113) 또한 도전성을 갖는 도전성 파우더를 포함하는 액상 재질, 예컨대, 액상의 실리콘을 경화시켜 형성하는 것을 예로 한다. 이 때, 내측 도전부(112)와 상부 접촉부(113)를 형성하기 위한 도전성 파우더와 액상 실리콘의 조성은 서로 상이하게 할 수 있다. 예를 들어 상부 접촉부(113)는 도전성 파우더의 조성을 더 많이 하여 도전성 파우더가 좀 더 조밀하게 배치되도록 할 수 있는데, 이 경우 상부 접촉부(113)의 경도가 내측 도전부(112)보다 크기 형성 가능하게 된다.In the present invention, the
또한, 상부 접촉부(113)의 직경이 내측 도전부(112)의 직경보다 작게 마련되는데, 제2 소켓 모듈(130)에 의해 하부 방향으로 상부 접촉부(113)가 가압되면, 직경이 내측 도전부(112)보다 작고, 경도가 내측 도전부(112)보다 큰 상부 접촉부(113)가 내측 도전부(112) 내부로 밀려 들어가는 형태를 가질 수 있는 바, 상세한 설명은 후술한다.In addition, the diameter of the
한편, 하부 접촉부(114)는 내측 도전부(112)의 하부에 형성되어 제1 절연 본체(111)의 하부 방향으로 돌출된다. 상부 접촉부(113)와 마찬가지로, 도전성을 갖는 도전성 파우더를 포함하는 액상 재질, 예컨대, 액상의 실리콘을 경화시켜 형성될 수 있다. 그리고, 내측 도전부(112)와 하부 접촉부(114)를 형성하기 위한 도전성 파우더와 액상 실리콘의 조성은 서로 상이하게 할 수 있다. 예를 들어 하부 접촉부(114)는 도전성 파우더의 조성을 더 많이 하여 도전성 파우더가 좀 더 조밀하게 배치되도록 할 수 있는데, 이 경우 하부 접촉부(114)의 경도가 내측 도전부(112)보다 크기 형성 가능하게 된다.Meanwhile, the
또한, 하부 접촉부(114)의 직경이 내측 도전부(112)의 직경보다 작게 마련되는데, 제1 도전 패턴(112,113,114)이 하부 방향으로 가압될 때 직경이 내측 도전부(112)보다 작고, 경도가 내측 도전부(112)보다 큰 하부 접촉부(114)가 내측 도전부(112) 내부로 밀려 들어가는 형태를 가질 수 있는 바, 상세한 설명은 후술한다.In addition, the diameter of the
한편, 제2 소켓 모듈(130)은 제2 절연 본체(131) 및 복수의 제2 도전 패턴(132)을 포함한다.Meanwhile, the
제2 절연 본체(131)는 절연성 재질로 마련되는데, 본 발명에서는 FR4 필름 또는 PI 필름으로 마련되는 것을 예로 한다. 필름 형태로 제작되는 제2 절연 본체(131)의 두께는 제1 절연 본체(111)의 두께보다 얇게 마련되는데, 제1 절연 본체(111)가 테스트 소켓(100)의 전체 구조를 형성하고, 제2 절연 본체(131)를 포함하는 제2 소켓 모듈(130)이 제1 소켓 모듈(110)의 상부에 안착되는 형태를 갖게 된다.The second
제2 절연 본체(131)에는 상하 방향으로 관통된 복수의 제2 관통홀(131a)이 형성되고, 제2 도전 패턴(132)은 각각의 제2 관통홀(131a) 내부에 형성된다. A plurality of second through
본 발명에서는 제2 도전 패턴(132)이 도전성을 갖는 도전성 파우더를 포함하는 액상 재질, 예컨대 액상의 실리콘이 경화되어 형성되는 것을 예로 하는데, 그 제조 방법에 대해서는 후술한다.In the present invention, as an example, the second
여기서, 본 발명에 따른 제2 소켓 모듈(130)은 지지링(133)을 더 포함할 수 있다. 지지링(133)은 각각의 제2 관통홀(131a)의 내측 표면과 제2 도전 패턴(132)의 둘레 사이에 개제되어 제2 도전 패턴(132)이 제2 관통홀(131a)의 내부에 위치하도록 지지된다.Here, the
그리고, 지지링(133)은 탄성을 갖는 재질로 마련되는데, 본 발명에서는 액상의 실리콘이 경화되어 형성되는 것을 예로 한다. 이를 통해, 제2 도전 패턴(132)이 하부 방향으로 가압될 때 제2 도전 패턴(132)의 하부 방향으로의 이동을 탄성적으로 지지하게 된다. 이러한 지지 구조는 트램펄린(Trampolining)과 유사한 구조로 제2 도전 패턴(132)을 지지하게 된다.In addition, the
한편, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 테스트 소켓(100a)의 단면도이다. 도 4에 도시된 제2 실시예에 따른 테스트 소켓(100a)은 제1 실시예의 구성에 대응하며, 탄성 스프링(115)을 더 포함한다.Meanwhile, FIG. 4 is a cross-sectional view of a
탄성 스프링(115)은 각각의 내측 도전부(112)를 감싸도록 제1 절연 본체(111)의 내부에 마련된다. 그리고, 탄성 스프링(115)은 테스트 과정에서 제2 소켓 모듈(130)이 하부 방향으로 가압될 때 상부 방향으로 복원력을 제공하게 된다.The
상기와 같은 구성에 따라, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 소켓 모듈(130)이 제1 소켓 모듈(110)의 상부에 안착되면, 제1 소켓 모듈(110)로부터 상부 방향으로 돌출된 상부 접촉부(113)가 제2 소켓 모듈(130)의 제2 도전 패턴(132)과 접촉되는데, 이 때, 제1 소켓 모듈(110)을 향해 상향 돌출된 상부 접촉부(113)에 의해 제1 절연 본체(111)와 제2 절연 본체(131) 사이에 빈 공간이 형성된다.According to the above configuration, as shown in FIG. 3, when the
여기서, 본 발명에 따른 테스트 소켓(100,100a)이 반도체 소자의 검사를 위해 적용되면, 반도체 소자의 각 단자 또는 볼이 각각의 제2 도전 패턴(132) 및 제1 도전 패턴(112,113,114)을 하부 방향으로 가압하게 되는데, 이 때 상부 방향으로 작용하는 포스(Force)가 제1 절연 본체(111) 및 제2 절연 본체(131) 사이의 빈 공간에 의해 상부 방향으로 가해지는 포스(Force)가 감소하게 됨으로써, 상대적으로 적은 힘으로 반도체 소자를 가압하게 되어 반도체 소자나 테스트 소켓(100,100a)의 손상을 방지할 수 있게 된다.Here, when the
또한, 반도체 패키지의 핀 수의 증가에 따라 판면 사이즈가 증가하는 추세에서, 양측 가장자리 간의 높이 편차를 보상하기 위해 더 큰 힘으로 반도체 소자를 테스트 소켓(100,100a) 방향으로 누르게 되는데, 본 발명에 따른 테스트 소켓(100,100a)이 테스트 과정에서 상부 방향으로 작용하는 포스(Force)가 감소됨에 따라 상대적으로 적은 힘으로 반도체 소자를 가압하더라도 테스트가 가능하게 되어 반도체 소자의 손상을 방지할 수 있게 된다.In addition, in the trend that the plate surface size increases with the increase in the number of pins of the semiconductor package, the semiconductor device is pressed in the direction of the
또한, 제2 실시예에서는 탄성 스프링(115)이 빈 공간에 의해 손실될 수 있는 복원력을 보완하게 된다. 즉, 상부 방향으로 작용하는 포스(Force)는 스프링의 탄성 계수에 의해 큰 영향을 미치지 않지만, 탄성 스프링(115)의 특성상 복원력은 증가시키게 됨으로써, 본 발명에 따른 테스트 소켓(100a)의 수명을 증가시킬 수 있게 된다.In addition, in the second embodiment, the
또한, 빈 공간의 형성하는 제1 소켓 모듈(110)과 제2 소켓 모듈(130) 중, 반도체 소자와의 접촉에 따라 손상되기 쉬운 제2 소켓 모듈(130)이 제1 소켓 모듈(110)로부터 분리될 수 있어, 제2 소켓 모듈(130)의 손상시 제2 소켓 모듈(130) 만의 교체가 가능하여 손상에 따른 교체 비용을 절감할 수 있게 된다. 마찬가지로 제1 소켓 모듈(110)이 손상된 경우에도 제1 소켓 모듈(110) 만의 교체가 가능하게 되어, 부분 교체가 가능한 테스트 소켓(100,100a)이 제공된다.In addition, of the
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 테스트 소켓(100)의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다. 도 5를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 테스트 소켓(100)의 동작 과정을 설명하면, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 반도체 소자가 하강하면, 반도체 소자의 각각의 볼이 제2 도전 패턴(132)에 접촉된다.5 is a diagram for explaining an operation process of the
반도체 소자의 볼이 제2 도전 패턴(132)을 하부 방향으로 계속 밀게 되면, 도 5의 (b) 및 도 5의 (d)에 도시된 바와 같이, 제1 소켓 모듈(110)의 상부 접촉부(113) 및 하부 접촉부(114)가 내측 접촉부에 밀려 들어가는 형태를 갖게 되어, 반도체 소자의 가압을 탄성적으로 지지하게 된다.When the ball of the semiconductor device continues to push the second
도 5에 도시된 동작의 예는 본 발명에 따른 테스트 소켓(100)이 극단적으로 하부 방향으로 가압될 때를 가정하여 도시한 것으로 실제 모든 테스트 과정에서 도 5에 도시된 바와 같은 형태로 변형되는 것을 의미하지는 않는다. 또한, 하부 접촉부(114)가 먼저 밀려 들어가고 상부 접촉부(113)가 나중에 밀려 들어가는 과정으로 도시하고 있으나, 그 순서도 이에 국한되지 않고, 함께 또는 반대의 순서로 밀려 들어갈 수 있음은 물론이다.An example of the operation shown in FIG. 5 is shown on the assumption that the
마찬가지로, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 상술한 지지링(133)의 구조에 따라 상부 접촉부(113) 및 하부 접촉부(114)가 밀려 들어가기 전에 지지링(133)의 탄성적인 지지가 먼저 또는 나중에 발생할 수도 있다. 즉, 본 발명에 따른 테스트 소켓(100)을 구성하는 각각의 구성 요소들이 상부 방향으로의 가압을 탄성적으로 지지하는데, 그 순서가 전술한 예에 국한되지 않고, 그 순서와 무관하게 본 발명의 기술적 사항에 포함됨은 당연하다.Similarly, as shown in (a) of Figure 6, according to the structure of the
도 6의 (b)는 반도체 소자의 단자가, 도 6의 (a)에 도시된 BGA(Ball Grid Array) 형태가 아닌 LGA(Land Grid Array) 형태일 때, 제2 소켓 모듈(130a)의 제2 도전 패턴(132)의 상부 표면으로부터 돌출된 돌출 접촉부(134)를 형성한 예를 나타낸 도면이다.6B shows the
이하에서는, 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 테스트 소켓(100)의 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 테스트 소켓(100)의 제1 소켓 모듈(110)의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 7을 참조하여 설명하면, 먼저, 복수의 제1 관통홀(111a)이 형성된 제1 절연 본체(111)를 마련된다. 여기서, 제1 절연 본체(111)는 실리콘 재질로 제작한 후 레이저를 통해 제1 관통홀(111a)을 형성할 수 있다.7 is a view for explaining a method of manufacturing the
또한, 다수의 제1 금형봉(미도시, 이하 동일)이 상향 돌출된 제1 금형(미도시, 이하 동일)에 실리콘을 주입을 주입한 후 경화시켜, 제1 관통홀(111a)이 형성된 제1 절연 본체(111)를 제작할 수 있다. 여기서, 상술한 제2 실시예에 따른 테스트 소켓(100)의 경우, 각각의 제1 금형봉에 탄성 스프링(115)을 삽입하고, 실리콘을 주입한 후 경화시키면, 각각의 제1 관통홀(111a) 주변에 탄성 스프링(115)이 배치된 제1 절연 본체(111)의 제작이 가능하게 된다.In addition, a plurality of first mold rods (not shown, hereinafter the same) are injected into a first mold (not shown, hereinafter the same) that protrudes upward and then cured, thereby forming a first through hole 111a. 1
상기와 같이 복수의 제1 관통홀(111a)이 형성된 제1 절연 본체(111)가 마련되면, 각각의 제1 관통홀(111a)에 도전성 파우더를 포함한 액상 실리콘을 주입한 후 경화시키게 되면, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 절연 본체(111)에 내측 도전부(112)가 형성된다.When the first
그리고, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 절연 본체(111)의 상부에 제1 관통홀(111a)보다 작은 내경을 갖는 제1 금형홀(310a)이 형성된 제1 금형 시트(310)를 안착시킨 후, 각각의 제1 금형홀(310a)에 도전성 파우더를 포함한 액상 실리콘을 주입한 후 경화시키게 되면, 내측 도전부(112)의 상부에 상부 접촉부(113)가 형성된다. 이 때, 동일한 방법으로 하부 접촉부(114)를 형성하게 되면, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같은 제1 소켓 모듈(110)의 제작이 가능하게 된다.In addition, as shown in (c) of FIG. 7, a first mold sheet having a first mold hole 310a having an inner diameter smaller than that of the first through
도 8을 참조하여, 본 발명에 따른 제2 소켓 모듈(130)의 제작 과정을 설명하면, 먼저, 복수의 제2 관통홀(131a)이 형성된 제2 절연 본체(131)를 제2 금형봉(321)이 형성된 제2 금형(320)에 안착시킨다. 이 때, 각각의 제2 금형봉(321)은 제2 관통홀(131a)에 삽입되는데, 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 제2 금형봉(321)의 직경은 제2 관통홀(131a)의 내경보다 작게 마련되어 제2 금형봉(321)과 제2 관통홀(131a) 사이에는 공간이 형성된다.Referring to FIG. 8, the manufacturing process of the
그리고, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 제2 금형봉(321)과 제2 관통홀(131a) 사이에 액상의 실리콘을 주입한 후 경화시키게 되면, 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이, 지지링(133)이 형성되고, 이를 평판의 제3 금형(330)에 안착시킨 후 제2 금형봉(321)의 제거에 따라 형성된 공간에 도전성 파우더를 갖는 액상 실리콘을 주입하여 경화시키게 되면, 도 8의 (d)에 도시된 바와 같이, 제2 도전 패턴(132), 지지링(133) 및 제2 절연 본체(131)로 구성된 제2 소켓 모듈(130)의 제작이 가능하게 된다.And, as shown in (b) of FIG. 8, when liquid silicone is injected between the
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 테스트 소켓(100b)의 단면도이다. 도 9에 도시된 제3 실시예에 따른 테스트 소켓(100b)은 제1 실시예에 따른 테스트 소켓(100)의 변형 예로, 상부 절연링(116)을 더 포함한다.9 is a cross-sectional view of a
상부 절연링(116)은 각각의 상부 접촉부(113)의 외주면을 감싸도록 형성되는데, 상부 접촉부(113)의 상부가 상부 방향으로 돌출되도록 상부 접촉부(113)의 외부를 감싸게 된다. 이 때, 상호 인접한 상부 절연링(116)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 상호 이격되어 사이에 공간이 형성됨으로써, 전술한 제1 실시예와 동일한 효과를 제공하면서도, 인접한 상부 접촉부(113) 간에 발생할 수 있는 쇼트(short)를 방지할 수 있게 된다.The upper
마찬가지로, 본 발명의 제3 실시예에 따른 테스트 소켓(100b)은 하부 절연링(117)을 더 포함할 수 있다. 하부 절연링(117)은 각각의 하부 접촉부(114)의 외주면을 감싸도록 형성되는데, 하부 접촉부(114)의 하부가 하부 방향으로 돌출되도록 하부 접촉부(114)의 외부를 감싸게 된다. 이 때, 상호 인접한 하부 절연링(117)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 상호 이격되어 사이에 공간이 형성됨으로써, 전술한 제1 실시예와 동일한 효과를 제공하면서도, 인접한 하부 접촉부(114) 간에 발생할 수 있는 쇼트(short)를 방지할 수 있게 된다.Likewise, the
여기서, 상부 절연링(116)과 하부 절연링(117)은 도 7의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 상부 접촉부(113)와 하부 접촉부(114)가 형성된 상태에서 상부 접촉부(113)와 하부 접촉부(114)의 직경보다 큰 내경을 갖는 금형홀(미도시)이 형성된 금형 시트(미도시)를 이용하여 도 8의 (a) 및 (b)에 도시된 방법을 통해 제조할 수 있다.Here, the upper insulating
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 테스트 소켓(100)의 제2 소켓 모듈(130b)의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 소켓 모듈(130b)의 제2 절연 시트에는 제2 도전 패턴(132)들 사이사이에 상하로 관통된 복수의 동작홀(135)이 형성된다. 여기서, 복수의 동작홀(135)은 제2 절연 시트에 랜덤하게 형성되거나 일정한 규칙을 가지고 형성될 수 있다.10 is a diagram showing another example of the
복수의 동작홀(135)은 제2 도전 패턴(132)들 사이사이에 형성되어, 제2 절연 본체(131)의 각각의 제2 도전 패턴(132)들이 상하 방향으로 독립적으로 움직일 수 있는 여유를 제공하게 됨으로써, 각각의 제2 도전 패턴(132)들이 독립적으로 안정적으로 제1 도전 패턴(112,113,114)과 접촉이 가능하게 된다.The plurality of operation holes 135 are formed between the second
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.Although some embodiments of the present invention have been shown and described, those skilled in the art of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will appreciate that the present embodiments can be modified without departing from the principles or spirit of the present invention. . The scope of the invention will be determined by the appended claims and their equivalents.
100, 100a, 100b : 테스트 소켓
110 : 제1 소켓 모듈 111 : 제1 절연 본체
111a : 제1 관통홀 112 : 내측 도전부
113 : 상부 접촉부 114 : 하부 접촉부
115 : 탄성 스프링
130, 130a, 130b : 제2 소켓 모듈
131 : 제2 절연 본체 131a : 제2 관통홀
132 : 제2 도전 패턴 133 : 지지링
134 : 돌출 접촉부 135 : 동작홀
310 : 제1 금형 시트 310a : 제1 금형홀
320 : 제2 금형 321 : 제2 금형봉
330 : 제3 금형100, 100a, 100b: test socket
110: first socket module 111: first insulating body
111a: first through hole 112: inner conductive part
113: upper contact portion 114: lower contact portion
115: elastic spring
130, 130a, 130b: second socket module
131: second insulating
132: second conductive pattern 133: support ring
134: protruding contact part 135: operation hole
310: first mold sheet 310a: first mold hole
320: second mold 321: second mold rod
330: 3rd mold
Claims (12)
절연성 재질의 제1 절연 본체와, 상기 제1 절연 본체에 상호 이격되게 형성되어 각각 상하 방향으로 도전 라인을 형성하는 복수의 제1 도전 패턴을 포함하는 제1 소켓 모듈과,
절연성 재질의 제2 절연 본체와, 각각 상하 방향으로 도전 라인을 형성하는 복수의 제2 도전 패턴을 포함하고, 상기 제1 소켓 모듈의 상부에 안착될 때 상호 대응하는 위치의 상기 제1 도전 패턴과 상기 제2 도전 패턴이 접촉되어 상기 제1 도전 패턴과 상기 제2 도전 패턴이 전기적으로 연결되는 제2 소켓 모듈을 포함하고;
각각의 상기 제1 도전 패턴은 상기 제2 소켓 모듈을 향해 상향 돌출되어 상기 제2 도전 패턴과 접촉되는 상부 접촉부를 포함하고;
상기 제2 소켓 모듈을 향해 상향 돌출된 상기 상부 접촉부에 의해 상기 제1 절연 본체와 상기 제2 절연 본체 사이에 빈 공간에 형성되고;
상기 제1 절연 본체에는 상하 방향으로 관통된 복수의 제1 관통홀이 형성되고;
각각의 상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 관통홀 내부에 도전성을 갖는 도전성 파우더를 포함하는 액상 재질이 경화되어 형성된 내측 도전부를 더 포함하며;
상기 상부 접촉부는 상기 내측 도전부의 상부에 형성되어 상기 제2 소켓 모듈을 향해 상향 돌출되는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.In a partially replaceable test socket,
A first socket module including a first insulating body made of an insulating material, and a plurality of first conductive patterns formed to be spaced apart from each other on the first insulating body to form conductive lines in a vertical direction, respectively,
A second insulating body made of an insulating material and a plurality of second conductive patterns each forming a conductive line in a vertical direction, the first conductive pattern at a position corresponding to each other when seated on the first socket module And a second socket module in which the second conductive pattern is in contact with each other to electrically connect the first conductive pattern and the second conductive pattern;
Each of the first conductive patterns includes an upper contact portion protruding upward toward the second socket module to contact the second conductive pattern;
Formed in an empty space between the first insulating body and the second insulating body by the upper contact portion protruding upward toward the second socket module;
A plurality of first through holes penetrating in the vertical direction are formed in the first insulating body;
Each of the first conductive patterns further includes an inner conductive portion formed by curing a liquid material including conductive powder having conductivity in the first through hole;
The upper contact part is formed on the inner conductive part and protrudes upward toward the second socket module.
상기 상부 접촉부의 직경은 상기 내측 도전부의 직경보다 작게 마련되어, 상기 제2 소켓 모듈에 의해 하부 방향으로 가압될 때 상기 상부 접촉부가 상기 내측 도전부 내부로 밀려 들어가는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 1,
The upper contact portion has a diameter smaller than the diameter of the inner conductive portion, and the upper contact portion is pushed into the inner conductive portion when pressed in a downward direction by the second socket module. .
상기 내측 도전부의 하부에 형성되어 상기 제1 절연 본체 하부 방향으로 돌출되는 하부 접촉부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 1,
And a lower contact portion formed under the inner conductive portion and protruding toward a lower portion of the first insulating body.
상기 하부 접촉부의 직경은 상기 내측 도전부의 직경보다 작게 마련되어, 상기 제2 소켓 모듈에 의해 상기 제1 소켓 모듈이 하부 방향으로 가압될 때 상기 하부 접촉부가 상기 내측 도전부 내부로 밀려 들어가는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 4,
The lower contact portion is provided with a diameter smaller than the diameter of the inner conductive portion, and the lower contact portion is pushed into the inner conductive portion when the first socket module is pressed downward by the second socket module. Test socket with partial replacement.
상기 상부 접촉부 및 상기 하부 접촉부는 도전성 파우더를 포함하는 액상 재질이 경화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 4,
The upper and lower contact portions are partially replaceable test sockets, characterized in that formed by curing a liquid material containing conductive powder.
상기 내측 도전부를 감싸도록 상기 제1 절연 본체의 내부에 마련되는 탄성 스프링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 1,
Partly replaceable test socket, characterized in that it further comprises an elastic spring provided inside the first insulating body so as to surround the inner conductive portion.
상기 제2 절연 본체에는 상하 방향으로 관통된 복수의 제2 관통홀이 형성되고, 상기 제2 도전 패턴은 각각의 상기 제2 관통홀 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 1,
The second insulating body is provided with a plurality of second through holes penetrating in the vertical direction, and the second conductive pattern is formed in each of the second through holes.
상기 제2 소켓 모듈은 각각의 상기 제2 관통홀의 내측 표면과 상기 제2 도전 패턴의 둘레 사이에 개제되어 상기 제2 도전 패턴이 상기 제2 관통홀의 내부에 위치하도록 지지하는 지지링을 더 포함하며;
상기 지지링은 탄성을 갖는 절연성 재질로 마련되어, 상기 제2 도전 패턴이 하부 방향으로 가압될 때 상기 제2 도전 패턴의 하부 방향으로의 이동을 탄성적으로 지지하는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 8,
The second socket module further includes a support ring interposed between the inner surface of each of the second through holes and the circumference of the second conductive pattern to support the second conductive pattern so as to be located inside the second through hole, ;
The support ring is made of an insulating material having elasticity, and when the second conductive pattern is pressed downward, it elastically supports the movement of the second conductive pattern in a downward direction. socket.
상기 제2 절연 본체는 FR4 필름 또는 PI 필름으로 마련되며;
상기 제2 절연 본체의 두께는 상기 제1 절연 본체의 두께보다 얇게 마련되는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 8,
The second insulating body is provided with an FR4 film or a PI film;
Partly replaceable test socket, characterized in that the thickness of the second insulating body is provided thinner than the thickness of the first insulating body.
상기 제1 소켓 모듈은 각각의 상기 상부 접촉부의 외주면을 감싸되, 상기 상부 접촉부의 상부가 상부 방향으로 돌출되도록 상기 상부 접촉부를 감싸는 상부 절연링을 더 포함하며;
상호 인접한 상기 상부 절연링은 상호 이격되어 사이에 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 1,
The first socket module further includes an upper insulating ring surrounding the outer circumferential surface of each of the upper contact parts, and surrounding the upper contact part so that an upper part of the upper contact part protrudes upward;
The upper insulating rings adjacent to each other are spaced apart from each other to form a space between the test socket that can be partially replaced.
상기 제1 소켓 모듈은 각각의 상기 하부 접촉부의 외주면을 감싸되, 상기 하부 접촉부의 하부가 하부 방향으로 돌출되도록 상기 하부 접촉부를 감싸는 하부 절연링을 더 포함하며;
상호 인접한 상기 하부 절연링은 상호 이격되어 사이에 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 부분 교체가 가능한 테스트 소켓.The method of claim 4,
The first socket module further includes a lower insulating ring surrounding the outer circumferential surface of each of the lower contact parts, and surrounding the lower contact part so that the lower part of the lower contact part protrudes downward;
The partially replaceable test socket, characterized in that the lower insulating rings adjacent to each other are spaced apart from each other to form a space therebetween.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102587516B1 (en) * | 2023-05-18 | 2023-10-11 | 주식회사 티에스이 | Test socket |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003084047A (en) * | 2001-06-29 | 2003-03-19 | Sony Corp | Measuring jig for semiconductor device |
JP2006220627A (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Sony Corp | Probe pin, probe pin unit, and inspection method of inspection object using unit |
KR20090001553U (en) * | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 정영석 | Conductive contactor |
KR20090008698U (en) * | 2008-02-25 | 2009-08-28 | 이재학 | Test socket with gap member |
KR101303184B1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-09-09 | 에이케이이노텍주식회사 | Contactor for testing semiconductor |
KR20150040858A (en) * | 2012-06-20 | 2015-04-15 | 존스테크 인터내셔널 코포레이션 | Wafer level integrated circuit contactor and method of construction |
KR20170019090A (en) * | 2015-08-11 | 2017-02-21 | 주식회사 대성엔지니어링 | Test socket |
KR20180092167A (en) * | 2017-02-08 | 2018-08-17 | 주식회사 오킨스전자 | Open cell type FPCB film, test socket having thereof, and method for manufacturing thereof |
JP2018529932A (en) * | 2015-07-03 | 2018-10-11 | オキンス エレクトロニクス カンパニー リミテッド | Test socket, test socket manufacturing method, and test socket jig assembly |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101735418B1 (en) * | 2015-07-13 | 2017-05-16 | 주식회사 이노글로벌 | Manufacturing method of semiconductor package test socket using plural moldpin |
KR101826663B1 (en) * | 2016-03-07 | 2018-03-23 | 주식회사 이노글로벌 | Bi-directional conductive socket for testing semiconductor device, bi-directional conductive module for testing semiconductor device, and manufacturing method thereof |
KR101919881B1 (en) * | 2017-01-17 | 2019-02-11 | 주식회사 이노글로벌 | By-directional electrically conductive pattern module |
KR101956080B1 (en) * | 2017-12-28 | 2019-03-11 | (주)티에스이 | Burn-in socket for semiconductor test capable of transmitting high speed signal and manufacturing method thereof |
-
2019
- 2019-08-22 KR KR1020190102943A patent/KR102191701B1/en active IP Right Grant
- 2019-09-16 WO PCT/KR2019/011908 patent/WO2021033824A1/en active Application Filing
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003084047A (en) * | 2001-06-29 | 2003-03-19 | Sony Corp | Measuring jig for semiconductor device |
JP2006220627A (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Sony Corp | Probe pin, probe pin unit, and inspection method of inspection object using unit |
KR20090001553U (en) * | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 정영석 | Conductive contactor |
KR20090008698U (en) * | 2008-02-25 | 2009-08-28 | 이재학 | Test socket with gap member |
KR101303184B1 (en) * | 2012-06-04 | 2013-09-09 | 에이케이이노텍주식회사 | Contactor for testing semiconductor |
KR20150040858A (en) * | 2012-06-20 | 2015-04-15 | 존스테크 인터내셔널 코포레이션 | Wafer level integrated circuit contactor and method of construction |
JP2018529932A (en) * | 2015-07-03 | 2018-10-11 | オキンス エレクトロニクス カンパニー リミテッド | Test socket, test socket manufacturing method, and test socket jig assembly |
KR20170019090A (en) * | 2015-08-11 | 2017-02-21 | 주식회사 대성엔지니어링 | Test socket |
KR20180092167A (en) * | 2017-02-08 | 2018-08-17 | 주식회사 오킨스전자 | Open cell type FPCB film, test socket having thereof, and method for manufacturing thereof |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102587516B1 (en) * | 2023-05-18 | 2023-10-11 | 주식회사 티에스이 | Test socket |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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