KR102664541B1 - Rubber socket for testing semiconductor package - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 절연성의 제1 재료로 블럭 형상을 갖도록 형성되는 본체; 상기 본체 내에서 상기 블럭 형상의 높이 방향을 따라 도전성 파우더가 배열되어 형성되는 복수의 도전 로드; 및 상기 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 높은 제2 재료로 상기 본체에 내장되어, 주위 온도 조건의 변동에도 상기 본체 및 상기 도전 로드의 형상이 유지되게 하는 홀딩 유닛을 포함하고, 상기 제1 재료는, 상기 제2 재료와 다른 것이고, 상기 홀딩 유닛은, 상기 본체의 외곽 경계선에 의해 한정된 전체 영역 중 상기 도전 로드가 차지하는 영역과 다른 영역에 위치하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓을 제공한다.The present invention includes a main body formed to have a block shape using an insulating first material; a plurality of conductive rods formed by arranging conductive powder along the height direction of the block shape within the main body; and a holding unit built into the main body using a second material having at least one of higher heat resistance and cold resistance than the first material, and maintaining the shape of the main body and the conductive rod despite changes in ambient temperature conditions, The first material is different from the second material, and the holding unit is located in an area different from the area occupied by the conductive rod among the entire area defined by the outer border of the main body. Providing a rubber socket for testing a semiconductor device. do.

Description

반도체 소자 테스트용 러버 소켓{RUBBER SOCKET FOR TESTING SEMICONDUCTOR PACKAGE}Rubber socket for semiconductor device testing {RUBBER SOCKET FOR TESTING SEMICONDUCTOR PACKAGE}

본 발명은 제조 공정을 거쳐 생산된 반도체 소자를 테스트하는데 사용되는 러버 소켓에 관한 것이다.The present invention relates to a rubber socket used to test semiconductor devices produced through a manufacturing process.

일반적으로, 반도체 소자는 제조 과정을 거친 후 전기적 성능의 불량 여부를 판단하기 위한 검사를 받는다. 반도체 소자의 양불 검사는 반도체 소자의 단자와 전기적으로 접촉될 수 있도록 형성된 테스트 소켓을 반도체 소자와 검사회로기판 사이에 배치한 상태에서 수행된다. 테스트 소켓은 반도체 소자의 최종 양불 검사 외에도 반도체 소자의 제조 과정 중 번-인(Burn-In) 테스트 과정에서도 사용되고 있다.Generally, semiconductor devices are inspected to determine whether their electrical performance is defective after going through the manufacturing process. The positive/failure test of a semiconductor device is performed with a test socket formed to make electrical contact with the terminal of the semiconductor device placed between the semiconductor device and the inspection circuit board. In addition to the final pass/fail inspection of semiconductor devices, test sockets are also used in the burn-in test process during the manufacturing process of semiconductor devices.

반도체 소자의 집적화 기술의 발달과 소형화 추세에 따라 반도체 소자의 단자 즉, 리드의 크기 및 피치도 미세화되는 추세여서, 테스트 소켓의 도전 패턴 상호간의 간격도 미세하게 형성하는 방법이 요구되고 있다. 따라서, 기존의 포고-핀(Pogo-pin) 타입의 테스트 소켓으로는 집적화되는 반도체 소자를 테스트하기 위한 테스트 소켓을 제작하는데 한계가 있었다.With the development of integration technology and the miniaturization trend of semiconductor devices, the size and pitch of the terminals of semiconductor devices, that is, the leads, are also becoming smaller, and a method of forming fine spacing between conductive patterns of a test socket is required. Therefore, there were limitations in producing a test socket for testing integrated semiconductor devices using the existing pogo-pin type test socket.

반도체 소자의 집적화에 부합하도록, 탄성 재료의 실리콘 러버 소재로 제작되는 본체 상에 높이 방향으로 타공 패턴을 형성한 후, 타공된 패턴 내부에 도전성 분말을 충진하여 도전 로드를 형성하는 PCR(Pressurized Conductive Rubber) 소켓 (또는 러버 소켓)이 널리 사용되고 있다.To meet the integration of semiconductor devices, a perforated pattern is formed in the height direction on a body made of elastic silicon rubber material, and then the inside of the perforated pattern is filled with conductive powder to form a conductive rod. PCR (Pressurized Conductive Rubber) ) sockets (or rubber sockets) are widely used.

러버 소켓은 극고온 또는 극저온 환경에서의 테스트에 사용되는 경우에, 열적 영향에 의해 팽창 또는 수축하여 그의 형태를 유지하지 못하는 경우가 있다. 그 경우, 본체 및/또는 도전 로드의 형상 훼손되어, 러버 소켓을 통한 반도체 소자와 회로 기판 간의 전기적 연결이 불량해지고, 수명이 저감되는 등의 문제에 노출되곤 한다.When a rubber socket is used for testing in an extremely high or low temperature environment, it may expand or contract due to thermal effects and may not maintain its shape. In that case, the shape of the main body and/or the conductive rod is damaged, the electrical connection between the semiconductor element and the circuit board through the rubber socket becomes poor, and the lifespan is reduced, etc.

본 발명의 일 목적은, 온도 변화가 큰 경우에도 원래의 형상을 유지하여 반도체 소자와 회로기판 간의 전기적 연결의 정확성을 담보할 수 있는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓을 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a rubber socket for testing semiconductor devices that can maintain the original shape even when there is a large temperature change and ensure the accuracy of the electrical connection between the semiconductor device and the circuit board.

본 발명의 다른 일 목적은, 온도 변화가 큰 경우에 발생하는 수명의 저하를 구조적으로 방지할 수 있는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a rubber socket for testing semiconductor devices that can structurally prevent a decrease in lifespan that occurs when there is a large temperature change.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓은, 절연성의 제1 재료로 블럭 형상을 갖도록 형성되는 본체; 상기 본체 내에서 상기 블럭 형상의 높이 방향을 따라 도전성 파우더가 배열되어 형성되는 복수의 도전 로드; 및 상기 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 높은 제2 재료로 상기 본체에 내장되어, 주위 온도 조건의 변동에도 상기 본체 및 상기 도전 로드의 형상이 유지되게 하는 홀딩 유닛을 포함하고, 상기 제1 재료는, 상기 제2 재료와 다른 것이고, 상기 홀딩 유닛은, 상기 본체의 외곽 경계선에 의해 한정된 전체 영역 중 상기 도전 로드가 차지하는 영역과 다른 영역에 위치할 수 있다. A rubber socket for testing semiconductor devices according to an aspect of the present invention for realizing the above-described problem includes a main body formed of an insulating first material to have a block shape; a plurality of conductive rods formed by arranging conductive powder along the height direction of the block shape within the main body; and a holding unit built into the main body using a second material having at least one of higher heat resistance and cold resistance than the first material, and maintaining the shape of the main body and the conductive rod despite changes in ambient temperature conditions, The first material is different from the second material, and the holding unit may be located in an area different from the area occupied by the conductive rod among the entire area defined by the outer boundary line of the main body.

여기서, 상기 제1 재료는, 저경도 실리콘 러버를 포함하고, 상기 제2 재료는, 에폭시, 폴리이미드, 유리섬유, 및 고경도 실리콘 러버 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. Here, the first material may include low-hardness silicone rubber, and the second material may include at least one of epoxy, polyimide, glass fiber, and high-hardness silicone rubber.

여기서, 상기 저경도 실리콘 러버의 쇼어 경도는 30 ~ 40A이고, 상기 고경도 실리콘 러버의 쇼어 경도는 60 ~ 90A일 수 있다. Here, the shore hardness of the low-hardness silicone rubber may be 30 to 40A, and the shore hardness of the high-hardness silicone rubber may be 60 to 90A.

여기서, 상기 본체는, 상기 높이 방향으로 연장 형성되는 수용홀을 더 포함하고, 상기 홀딩 유닛은, 상기 수용홀을 충전하도록 상기 수용홀에 삽입되는 것일 수 있다. Here, the main body may further include an accommodating hole extending in the height direction, and the holding unit may be inserted into the accommodating hole to fill the accommodating hole.

여기서, 상기 수용홀은, 상기 본체의 상단 및 하단 중 어느 하나에서 시작되어 반대 단부에 못 미치도록 연장 형성되는 것일 수 있다. Here, the receiving hole may start from either the top or bottom of the main body and extend to reach the opposite end.

여기서, 상기 수용홀이 연장 형성되는 구간은, 상기 높이 방향을 따른 상기 본체의 높이의 50 ~ 70%에 대응할 수 있다. Here, the section where the receiving hole extends may correspond to 50 to 70% of the height of the main body along the height direction.

여기서, 상기 홀딩 유닛은, 상기 제2 재료가 스퀴징에 의해 상기 수용홀에 채워진 후에 경화되어 성형된 것일 수 있다. Here, the holding unit may be formed by curing the second material after filling the receiving hole by squeezing.

여기서, 상기 본체의 하부에 결합되고, 금속 재질로 형성되는 프레임; 및 상기 프레임의 하부에 부착되며, 상기 도전 로드를 노출하는 하부 절연층이 더 구비될 수 있다. Here, a frame coupled to the lower part of the main body and formed of a metal material; and a lower insulating layer attached to the lower part of the frame and exposing the conductive rod.

여기서, 상기 프레임의 상부에 부착되며, 상기 도전 로드를 노출하나 상기 홀딩 유닛은 덮는 상부 절연층이 더 구비될 수 있다. Here, an upper insulating layer is attached to the upper part of the frame and exposes the conductive rod but covers the holding unit.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓에 의하면, 도전 로드를 수용하는 본체는 제1 재료로 형성되고 역시 본체에 내장되는 홀딩 유닛은 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 우수한 제2 재료로 형성되어 온도 조건의 변동에도 본체 및 도전 로드의 형상을 유지하기에, 온도 변화가 큰 경우에도 반도체 소자와 회로기판 간의 전기적 연결의 정확성을 담보할 수 있게 된다.According to the rubber socket for testing semiconductor devices according to the present invention configured as described above, the main body accommodating the conductive rod is formed of a first material, and the holding unit also built into the main body has at least one of heat resistance and cold resistance than the first material. Since it is made of a superior second material and maintains the shape of the main body and conductive rod despite changes in temperature conditions, it is possible to ensure the accuracy of the electrical connection between the semiconductor device and the circuit board even when the temperature change is large.

나아가, 본체 및 도전 로드의 형상이 안정적으로 유지됨에 의해, 온도 변화가 큰 경우에 발생하는 러버 소켓의 수명의 저하가 구조적으로 방지될 수 있다. Furthermore, by maintaining the shape of the main body and the conductive rod stably, a decrease in the lifespan of the rubber socket that occurs when there is a large temperature change can be structurally prevented.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(100)에 대한 단면도이다.
도 2는 도 1의 러버 소켓(100)의 제작 공정을 보인 개념도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 러버 소켓(100')에 대한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버 소켓(100")에 대한 단면도이다. Figure 1 is a cross-sectional view of a rubber socket 100 for testing semiconductor devices according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a conceptual diagram showing the manufacturing process of the rubber socket 100 of FIG. 1.
Figure 3 is a cross-sectional view of a rubber socket 100' according to another embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view of a rubber socket 100" according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.Hereinafter, a rubber socket for testing semiconductor devices according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. In this specification, the same or similar reference numbers are assigned to the same or similar components even in different embodiments, and the description is replaced with the first description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트용 러버 소켓(100)에 대한 단면도이다. Figure 1 is a cross-sectional view of a rubber socket 100 for testing semiconductor devices according to an embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 러버 소켓(100)은, 프레임(110), 본체(130), 도전 로드(150), 그리고 홀딩 유닛(170)을 포함할 수 있다. Referring to this drawing, the rubber socket 100 may include a frame 110, a main body 130, a conductive rod 150, and a holding unit 170.

프레임(110)은 본체(130) 등이 장착되는 베이스가 되는 구성이다. 프레임(110)은 본체(130)의 형상에 대응해서 대체로 사각 형상을 가질 수 있다. 프레임(110)의 중앙에는 개방구가 형성되고, 그를 통해서는 본체(130)가 노출될 수 있다. 프레임(110)은 본체(130)의 하부에 결합되도록 배치될 수 있다. 프레임(110)은, 강도 확보를 위해, 금속 재질로 형성될 수 있다. The frame 110 serves as a base on which the main body 130 and the like are mounted. The frame 110 may have a generally square shape corresponding to the shape of the main body 130. An opening is formed in the center of the frame 110, and the main body 130 can be exposed through it. The frame 110 may be arranged to be coupled to the lower part of the main body 130. The frame 110 may be made of a metal material to ensure strength.

프레임(110)의 하부에는 하부 절연층(121)이 부착될 수 있다. 하부 절연층(121)은 러버 소켓(100)이 대면하게 될 회로기판(미도시)과의 절연을 담당하게 된다. 하부 절연층(121)은, 예를 들어, 폴리이미디 필름으로 제작될 수 있다. A lower insulating layer 121 may be attached to the lower part of the frame 110. The lower insulating layer 121 is responsible for insulating the circuit board (not shown) that the rubber socket 100 will face. The lower insulating layer 121 may be made of, for example, a polyimidi film.

본체(130)는 대체로 직육면체 블럭 형상인 몸체(131)를 가질 수 있다. 몸체(131)는 프레임(110)에 장착되는 것이다. 몸체(131)는 절연성 재질을 갖는 것으로서, 제1 재료로 형성된다. 제1 재료는, 예를 들어, 저경도 실리콘 러버일 수 있다. 여기서, 저경도는 쇼어 경도로 30 ~ 40A인 것일 수 있다. The main body 130 may have a body 131 that is generally in the shape of a rectangular parallelepiped block. The body 131 is mounted on the frame 110. The body 131 has an insulating material and is formed of a first material. The first material may be, for example, low hardness silicone rubber. Here, low hardness may be 30 to 40A in Shore hardness.

몸체(131)에는 높이 방향(H)을 따라 도전홀(133)이 관통 형성될 수 있다. 도전홀(133)은 복수 개로 형성되며, 서로 간에 일정 간격을 갖도록 배열될 수 있다. 도전홀(133)과 더불어, 몸체(131)에는 수용홀(135) 또한 형성될 수 있다. 수용홀(135) 역시 도전홀(133)과 같이, 높이 방향(H)을 따라 연장 형성될 수 있다. A conductive hole 133 may be formed through the body 131 along the height direction (H). The conductive holes 133 may be formed in plural numbers and may be arranged so that there is a certain distance between them. In addition to the conductive hole 133, a receiving hole 135 may also be formed in the body 131. The receiving hole 135 may also be formed to extend along the height direction (H), like the conductive hole 133.

몸체(131)의 상부에는 상부 절연층(125)이 부착될 수 있다. 상부 절연층(125)은 러버 소켓(100)이 대면하게 될 반도체 소자(미도시)와의 절연을 담당하게 된다. 나아가, 반도체 소자를 통해 가해지는 하중에 대해 몸체(131)를 보호하기도 한다. An upper insulating layer 125 may be attached to the top of the body 131. The upper insulating layer 125 is responsible for insulating a semiconductor device (not shown) that the rubber socket 100 will face. Furthermore, the body 131 is protected against the load applied through the semiconductor device.

도전 로드(150)는 도전홀(133)에 배열되어, 전기적 통로를 형성하는 것이다. 도전 로드(150)를 통해서는, 반도체 소자의 전극이 회로기판의 전극 패드와 전기적으로 연결되게 된다. 도전 로드(150)는, 구체적으로, 도전홀(133)에 도전성 파우더(151)를 함유하는 충전재가 충전되어 성형되는 것이다. 도전성 파우더(151)는 높이 방향(H)을 따라 서로 간에 접촉되어, 높이 방향(H)을 따는 전기적 경로를 형성한다. The conductive rod 150 is arranged in the conductive hole 133 to form an electrical path. Through the conductive rod 150, the electrode of the semiconductor device is electrically connected to the electrode pad of the circuit board. Specifically, the conductive rod 150 is formed by filling the conductive hole 133 with a filler containing conductive powder 151. The conductive powders 151 are in contact with each other along the height direction (H) to form an electrical path along the height direction (H).

도전성 파우더(151) 중 일부는 본체(130)의 하단을 넘어서 돌출 형성되는 하부 범프(155)를 형성한다. 또한, 도전성 파우더(151) 중 다른 일부는 본체(130)의 상단을 넘어서 돌출 형성되는 상부 범프(157)를 형성한다. 하부 범프(155)가 하부 절연층(121) 보다 돌출하여 회로기판의 전극 패드와 접촉되는 것임에 반하여, 상부 범프(157)는 상부 절연층(125)과 같은 수준의 높이를 갖는 것일 수 있다. Some of the conductive powder 151 forms a lower bump 155 that protrudes beyond the bottom of the main body 130. Additionally, another portion of the conductive powder 151 forms an upper bump 157 that protrudes beyond the top of the main body 130. While the lower bump 155 protrudes beyond the lower insulating layer 121 and comes into contact with the electrode pad of the circuit board, the upper bump 157 may have the same height as the upper insulating layer 125.

홀딩 유닛(170)은 주위의 온도 조건의 변동에도 본체(130) 및 도전 로드(150)의 형상이 유지되게 하는 구성이다. 이는 러버 소켓(100)이 극고온이나 극저온 환경에서 사용되는 경우에 러버 소켓(100)의 신뢰성과 수명을 향상시키게 된다. 홀딩 유닛(170)은 본체(130)의 외곽 경계선에 의해 한정된 전체 영역 중 도전 로드(150)가 차지하는 영역과 다른 영역에 위치할 수 있다. The holding unit 170 is configured to maintain the shape of the main body 130 and the conductive rod 150 despite changes in ambient temperature conditions. This improves the reliability and lifespan of the rubber socket 100 when it is used in an extremely high temperature or extremely low temperature environment. The holding unit 170 may be located in an area different from the area occupied by the conductive rod 150 among the entire area limited by the outer border of the main body 130.

홀딩 유닛(170)은 구체적으로, 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 우수한(높은) 제2 재료로 형성될 수 있다. 제2 재료는, 에폭시, 폴리이미드, 유리섬유, 및 고경도 실리콘 러버 중 적어도 하나일 수 있다. 여기서, 고경도 실리콘 러버는 쇼어 경도가 60 ~ 90A인 것일 수 있다. Specifically, the holding unit 170 may be formed of a second material that is better (higher) in at least one of heat resistance and cold resistance than the first material. The second material may be at least one of epoxy, polyimide, glass fiber, and high hardness silicone rubber. Here, the high hardness silicone rubber may have a shore hardness of 60 to 90A.

홀딩 유닛(170)은 제2 재료가 수용홀(135)에 완전히 충전되어 형성되는 것이다. 그에 따라, 홀딩 유닛(170)은 수용홀(135)의 형태에 대응하여, 높이 방향(H)으로 연장하는 기둥과 같은 형태를 가질 수 있다. 홀딩 유닛(170)은 극고온이나 극저온 환경에서 견디면서, 몸체(131)[나아가, 도전 로드(150)]가 수축되거나 팽창하지 않도록 몸체(131)를 붙들게 된다.The holding unit 170 is formed by completely filling the receiving hole 135 with the second material. Accordingly, the holding unit 170 may have a pillar-like shape extending in the height direction (H), corresponding to the shape of the receiving hole 135. The holding unit 170 holds the body 131 (furthermore, the conductive rod 150) from contracting or expanding while withstanding extremely high or extremely low temperature environments.

홀딩 유닛(170)은 하부 절연층(121) 및 상부 절연층(125)에 의해 덮혀지도록 배치될 수 있다. 그에 의해, 도전 로드(150)와 달리, 그들(121 및 125)에 의해 보호될 수도 있다. The holding unit 170 may be arranged to be covered by the lower insulating layer 121 and the upper insulating layer 125. Thereby, unlike the conductive rod 150, it may also be protected by them 121 and 125.

이상의 러버 소켓(100)의 제작 방식은 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 도 1의 러버 소켓(100)의 제작 공정을 보인 개념도이다.The manufacturing method of the above rubber socket 100 will be described with reference to FIG. 2. FIG. 2 is a conceptual diagram showing the manufacturing process of the rubber socket 100 of FIG. 1.

도 2(a)를 참조하면, 러버 소켓(100)의 제작을 위해서는, 먼저 프레임(110)에 대해 본체(130)의 몸체(131)가 장착될 수 있다. 하부 절연층(121)은 프레임(110)에 대해 하부로 노출된 몸체(131)와 프레임(110) 모두에 부착될 수 있다. Referring to FIG. 2(a), in order to manufacture the rubber socket 100, the body 131 of the main body 130 may first be mounted on the frame 110. The lower insulating layer 121 may be attached to both the frame 110 and the body 131 exposed below the frame 110 .

도 2(b)를 참조하면, 다음 단계로서, 몸체(131)에는 수용홀(135)이 형성될 수 있다. 이를 위해서는, CO2 레이저가 사용될 수 있다. CO2 레이저가 높이 방향(H)을 따라 하방으로 조사됨에 의해, 몸체(131)에서는 수용홀(135)에 대응하는 영역이 제거될 수 있다. 그에 의해, 수용홀(135)은 몸체(131)의 상단에서 하단에 이르도록 높이 방향(H)을 따라 연장 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2(b), as a next step, a receiving hole 135 may be formed in the body 131. For this purpose, a CO 2 laser can be used. As the CO 2 laser is irradiated downward along the height direction (H), the area corresponding to the receiving hole 135 can be removed from the body 131. Accordingly, the receiving hole 135 may be formed to extend along the height direction (H) from the top to the bottom of the body 131.

도 2(c)를 참조하면, 수용홀(135)이 형성된 상태에서, 몸체(131)의 상부에는 제2 재료(171)가 부어진다. 제2 재료(171)는 스퀴지(S)에 의해 스퀴징 방식으로 수용홀(135)을 완전하게 채우게 된다. 제2 재료(171)가 경화됨에 의해, 홀딩 유닛(170)이 높이 방향(H)을 따르는 기둥 형태로서 형성된다.Referring to FIG. 2(c), with the receiving hole 135 formed, the second material 171 is poured into the upper part of the body 131. The second material 171 completely fills the receiving hole 135 by squeezing using a squeegee (S). As the second material 171 hardens, the holding unit 170 is formed in the form of a pillar along the height direction (H).

도 2(d)를 참조하면, 이제는 수용홀(135) 사이에 도전홀(133)이 또한 형성된다. 도전홀(133) 역시 CO2 레이저를 이용하여 형성될 수 있다. CO2 레이저는 몸체(131) 뿐 아니라, 하부 절연층(121)까지 관통하며 홀을 형성한다. Referring to FIG. 2(d), a conductive hole 133 is now also formed between the receiving holes 135. The conductive hole 133 may also be formed using a CO 2 laser. The CO 2 laser penetrates not only the body 131 but also the lower insulating layer 121 to form a hole.

도 2(e)를 참조하면, 도전 로드(150)를 이루는 도전성 파우더(151)가 스퀴지(S)에 의해 도전홀(133)에 충전된다. 도전성 파우더(151)가 경화됨에 의해, 몸체(131)에 내장되는 도전 로드(150)의 메인부(153)가 형성된다. Referring to FIG. 2(e), the conductive powder 151 forming the conductive rod 150 is filled into the conductive hole 133 by a squeegee (S). As the conductive powder 151 hardens, the main portion 153 of the conductive rod 150 embedded in the body 131 is formed.

나아가, 도 2(c)에서 제2 재료(171)가 스퀴징된 후에, 본 도면에서와 같이 도전성 파우더(151)가 스퀴징됨에 의해, 절연성인 제2 재료(171)가 도전성 파우더(151)와 섞여서 도전 로드(150)의 통전 성능이 저하되는 일이 방지될 수 있다. Furthermore, after the second material 171 is squeezed in FIG. 2(c), the conductive powder 151 is squeezed as shown in this figure, so that the insulating second material 171 is formed into the conductive powder 151. It can be prevented from deteriorating the current carrying performance of the conductive rod 150 by mixing with it.

도 2(f)를 참조하면, 몸체(131)의 상단에는 상부 절연층(125)이 부착될 수 있다. 또한, 상부 절연층(125)의 홀에는 역시 스퀴징 방식에 의해 상부 범프(157)가 형성될 수 있다. 하부 범프(155)를 형성하기 위해서는, 도전홀(133)에 대응하는 홀을 가지는 필름을 하부 절연층(121)에 부착한 후 스퀴징 공정을 수행하고, 해당 필름을 제거하면 된다. Referring to FIG. 2(f), an upper insulating layer 125 may be attached to the top of the body 131. Additionally, the upper bump 157 may be formed in the hole of the upper insulating layer 125 by the squeezing method. To form the lower bump 155, a film having a hole corresponding to the conductive hole 133 is attached to the lower insulating layer 121, a squeezing process is performed, and the film is removed.

이제, 앞서와 다른 형태의 러버 소켓에 대해 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. Now, a rubber socket of a different type from the previous one will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 러버 소켓(100')에 대한 단면도이다. Figure 3 is a cross-sectional view of a rubber socket 100' according to another embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 러버 소켓(100')은 앞선 실시예의 러버 소켓(100)과 대체로 동일하나, 홀딩 유닛(170')의 형태가 앞서와는 상이하다.Referring to this drawing, the rubber socket 100' is substantially the same as the rubber socket 100 of the previous embodiment, but the shape of the holding unit 170' is different from the previous embodiment.

구체적으로, 홀딩 유닛(170')은 몸체(131)의 상단에서 하단까지 연장하지 않고, 상단에서 시작하여 하단에 못 미치는 지점까지만 연장 형성될 수 있다. 이를 위해서는, 수용홀(135') 역시 그러한 정도로만 가공되어야 한다. Specifically, the holding unit 170' may not extend from the top to the bottom of the body 131, but may start from the top and extend only to a point short of the bottom. To achieve this, the receiving hole 135' must also be processed to such an extent.

수용홀(135') 및 홀딩 유닛(170')이 연장 형성되는 구간은, 높이 방향(H)을 따른 본체(130)의 높이의 50 ~ 70%에 대응할 수 있다. The section where the receiving hole 135' and the holding unit 170' extend may correspond to 50 to 70% of the height of the main body 130 in the height direction (H).

이러한 경우에, 홀딩 유닛(170')은 몸체(131) 등이 고온 팽창, 저온 수축하려는 것을 방지하게 된다. 나아가, 몸체(131) 중 홀딩 유닛(170')이 형성되지 않은 하부 영역은 반도체 소자 등이 몸체(131)를 누르는 힘에 대응하여 수축하는 역할을 하게 된다. 그에 의해, 반도체 소자에 가해지는 반력이 줄어들게 되므로, 테스트 과정에서 반도체 소자가 손상될 가능성을 보다 줄일 수 있게 된다. In this case, the holding unit 170' prevents the body 131 from expanding at high temperatures and contracting at low temperatures. Furthermore, the lower region of the body 131 where the holding unit 170' is not formed contracts in response to the force pressing the body 131 by a semiconductor device, etc. As a result, the reaction force applied to the semiconductor device is reduced, thereby further reducing the possibility of the semiconductor device being damaged during the test process.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 러버 소켓(100")에 대한 단면도이다. Figure 4 is a cross-sectional view of a rubber socket 100" according to another embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 러버 소켓(100")은 앞선 실시예의 러버 소켓(100')과 반대되는 형태를 갖는다.Referring to this drawing, the rubber socket 100" has a shape opposite to the rubber socket 100' of the previous embodiment.

구체적으로, 홀딩 유닛(170")은 몸체(131)의 하단에서 시작하여 상단에 못 미치는 지점까지만 연장 형성될 수 있다. 이를 위해서는, 수용홀(135")은 하부 절연층(121)을 관통하여 몸체(131)의 상단에 못 미치는 지점까지만 연장 형성된다. Specifically, the holding unit 170" can be formed starting from the bottom of the body 131 and extending only to a point short of the top. To this end, the receiving hole 135" penetrates the lower insulating layer 121. It extends only to a point short of the top of the body 131.

수용홀(135") 및 홀딩 유닛(170")이 연장 형성되는 구간은, 앞선 실시예와 동일하게, 높이 방향(H)을 따른 본체(130)의 높이의 50 ~ 70%에 대응할 수 있다. The section where the receiving hole 135" and the holding unit 170" extend may correspond to 50 to 70% of the height of the main body 130 in the height direction H, as in the previous embodiment.

이 경우도, 홀딩 유닛(170")은 몸체(131) 등이 고온 팽창, 저온 수축하려는 것을 방지하게 된다. 나아가, 몸체(131) 중 홀딩 유닛(170")이 형성되지 않은 상부 영역은 반도체 소자 등이 몸체(131)를 누르는 힘에 대응하여 수축하는 역할을 하게 된다. 그에 의해, 반도체 소자에 가해지는 반력이 역시 줄어들게 되므로, 테스트 과정에서 반도체 소자가 손상될 가능성을 보다 줄일 수 있게 된다. In this case as well, the holding unit 170" prevents the body 131 from expanding at high temperatures and contracting at low temperatures. Furthermore, the upper region of the body 131 where the holding unit 170" is not formed is a semiconductor device. The back plays the role of contracting in response to the force pressing the body 131. As a result, the reaction force applied to the semiconductor device is also reduced, thereby further reducing the possibility of the semiconductor device being damaged during the test process.

상기와 같은 반도체 소자 테스트용 러버 소켓은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다. The rubber socket for testing semiconductor devices as described above is not limited to the configuration and operation method of the embodiments described above. The above embodiments may be configured so that various modifications can be made by selectively combining all or part of each embodiment.

100,100',100": 반도체 소자 테스트용 러버 소켓
110: 프레임 130: 본체
131: 몸체 133: 도전홀
135: 수용홀 150: 도전 로드
151: 도전성 파우더 170,170',170": 홀딩 유닛
171: 제2 재료100,100',100": Rubber socket for semiconductor device testing
110: frame 130: body
131: body 133: conduction hole
135: receiving hole 150: challenge rod
151: Conductive powder 170,170',170": Holding unit
171: Second material

Claims (9)

절연성의 제1 재료로 블럭 형상을 갖도록 형성되는 본체;
상기 본체 내에서 상기 블럭 형상의 높이 방향을 따라 도전성 파우더가 배열되어 형성되는 복수의 도전 로드; 및
상기 제1 재료보다 내열성 및 내한성 중 적어도 하나가 더 높은 제2 재료로 상기 본체에 내장되어, 주위 온도 조건의 변동에도 상기 본체 및 상기 도전 로드의 형상이 유지되게 하는 홀딩 유닛을 포함하고,
상기 홀딩 유닛은, 상기 본체의 외곽 경계선에 의해 한정된 전체 영역 중 상기 도전 로드가 차지하는 영역과 다른 영역에 위치하고,
상기 제1 재료는, 저경도 실리콘 러버를 포함하고,
상기 제2 재료는, 에폭시, 폴리이미드, 유리섬유, 및 고경도 실리콘 러버 중 적어도 하나를 포함하며,
상기 저경도 실리콘 러버의 쇼어 경도는 30 ~ 40A이고, 상기 고경도 실리콘 러버의 쇼어 경도는 60 ~ 90A인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
A main body formed to have a block shape using an insulating first material;
a plurality of conductive rods formed by arranging conductive powder along the height direction of the block shape within the main body; and
A holding unit built into the main body with a second material having at least one of higher heat resistance and cold resistance than the first material to maintain the shape of the main body and the conductive rod despite changes in ambient temperature conditions,
The holding unit is located in an area different from the area occupied by the conductive rod among the entire area limited by the outer border of the main body,
The first material includes low hardness silicone rubber,
The second material includes at least one of epoxy, polyimide, glass fiber, and high hardness silicone rubber,
A rubber socket for testing semiconductor devices, wherein the low-hardness silicone rubber has a shore hardness of 30 to 40A, and the high-hardness silicone rubber has a shore hardness of 60 to 90A.
 제1항에 있어서,
상기 본체는,
상기 높이 방향으로 연장 형성되는 수용홀을 더 포함하고,
상기 홀딩 유닛은,
상기 수용홀을 충전하도록 상기 수용홀에 삽입되는 것인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 1,
The main body is,
Further comprising a receiving hole extending in the height direction,
The holding unit is,
A rubber socket for testing semiconductor devices that is inserted into the receiving hole to charge the receiving hole.
 제2항에 있어서,
상기 수용홀은,
상기 본체의 상단 및 하단 중 어느 하나에서 시작되어 반대 단부에 못 미치도록 연장 형성되는 것인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 2,
The receiving hole is,
A rubber socket for testing semiconductor devices, which starts from one of the top and bottom of the main body and extends so as to reach the opposite end.
 제3항에 있어서,
상기 수용홀이 연장 형성되는 구간은,
상기 높이 방향을 따른 상기 본체의 높이의 50 ~ 70%에 대응하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 3,
The section where the receiving hole extends is,
A rubber socket for testing semiconductor devices, corresponding to 50 to 70% of the height of the main body along the height direction.
 제2항에 있어서,
상기 홀딩 유닛은,
상기 제2 재료가 스퀴징에 의해 상기 수용홀에 채워진 후에 경화되어 성형된 것인, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 2,
The holding unit is,
A rubber socket for testing semiconductor devices, wherein the second material is cured and molded after filling the receiving hole by squeezing.
 제1항에 있어서,
상기 본체의 하부에 결합되고, 금속 재질로 형성되는 프레임; 및
상기 프레임의 하부에 부착되며, 상기 도전 로드를 노출하는 하부 절연층을 더 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.
According to paragraph 1,
A frame coupled to the lower part of the main body and made of metal; and
A rubber socket for testing semiconductor devices, further comprising a lower insulating layer attached to the lower part of the frame and exposing the conductive rod.
 제6항에 있어서,
상기 프레임의 상부에 부착되며, 상기 도전 로드를 노출하나 상기 홀딩 유닛은 덮는 상부 절연층을 더 포함하는, 반도체 소자 테스트용 러버 소켓.According to clause 6,
A rubber socket for testing semiconductor devices, which is attached to the upper part of the frame and further includes an upper insulating layer that exposes the conductive rod but covers the holding unit. 삭제delete 삭제delete
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