KR102184056B1 - 플럭스 및 땜납 재료 - Google Patents

Abstract

고온에서도 활성이 잘 저하되지 않아, 마이그레이션의 발생도 억제할 수 있는 플럭스 및 땜납 재료를 제공하는 것을 과제로 한다.
카르복실기를 2 개 이상 포함하는 이소시아누르산 유도체를 포함하는 플럭스 등이다.

Description

플럭스 및 땜납 재료

본 발명은, 플럭스 및 플럭스를 포함하는 땜납 재료에 관한 것이다.

전자 부품의 접합 등에는, 땜납 합금과 플럭스를 포함하는 땜납 재료 등이 사용된다. 플럭스는 납땜성을 향상시키기 위한 것으로, 땜납 재료 중에 배합되거나, 땜납 합금과 함께 사용되거나 하는 것이다. 이러한 플럭스는, 수지 성분, 활성제 성분, 용제 성분 등의 각종 성분을 포함한다 (특허문헌 1 및 2). 활성제 성분을 포함함으로써, 플럭스는, 금속 표면의 산화를 억제하거나 마이그레이션의 발생을 억제하거나 하여, 그 결과 접합 신뢰성을 높일 수 있다.

한편, 최근 전자 기기의 소형화 및 박형화에 수반하여, BGA (Ball Grid Array) 기판, CSP (Chip Size Package) 기판이나 다수의 칩을 배치한 MCM (Multi-Chip Module) 기판 등의 모듈 기판이 많이 사용된다. 이러한 모듈 기판을 프린트 배선판에 실장할 때에는, 솔더 페이스트 등의 땜납 재료를 프린트 배선판 상에 인쇄 등에 의해 배치하고, 땜납 재료 중의 땜납 합금이 용융되는 온도 이상으로 양자를 가열함으로써, 모듈 기판의 땜납 볼 등과 프린트 배선판 상의 땜납 재료를 융합시켜 전기적 접합을 실시한다.

그러나, 가열시에 모듈 기판 및 프린트 배선판의 기판이 열에 의해 휘는 경우가 있다. 이러한 기판의 휨에 의해, 땜납 볼과 솔더 페이스트가 떨어진 상태가 되고, 땜납 볼 표면은 고온에 의해 표면에 산화 피막이 발생하기 쉬워진다. 한편, 솔더 페이스트 중의 플럭스도 열에 의해 활성력이 저하된다. 따라서, 가열 후, 냉각되어 기판의 휨이 되돌아와, 땜납 볼과 솔더 페이스트가 접합된 경우에도, 플럭스의 활성 작용이 저하되어 있기 때문에 땜납 볼 표면의 산화 피막을 충분히 제거할 수 없어, 미융합의 상태가 되고, 그 결과 접합 불량의 원인이 된다.

일본 공개특허공보 평5-318176호 일본 공개특허공보 2016-93816호

본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 고온에서도 활성이 잘 저하되지 않아, 마이그레이션의 발생도 충분히 억제할 수 있는 플럭스 및 땜납 재료를 제공하는 것을 과제로 한다.

플럭스에 관련된 본 발명은, 카르복실기를 2 개 이상 포함하는 이소시아누르산 유도체를 포함한다.

본 발명에 의하면, 카르복실기를 2 개 이상 포함하는 이소시아누르산 유도체를 포함하는 것이고, 땜납 재료에 배합된 경우에는, 고온에서도 활성이 잘 저하되지 않아, 마이그레이션의 발생도 억제할 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 이소시아누르산 유도체가, 이소시아누르산비스(2-카르복시에틸), 트리스(2-카르복시에틸)이소시아누르산 및 트리스(3-카르복시프로필)이소시아누르산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이어도 된다.

상기 이소시아누르산 유도체가 플럭스 중에 고형물 환산으로 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하 포함되어 있어도 된다.

플럭스 중의 할로겐 농도가 5000 ppm 이하여도 된다.

땜납 재료에 관련된 본 발명은, 상기 플럭스와 땜납 합금을 포함한다.

본 발명에 의하면, 고온에서도 활성이 잘 저하되지 않아, 마이그레이션의 발생도 충분히 억제할 수 있는 플럭스 및 땜납 재료를 제공할 수 있다.

도 1 은, 시험 방법의 개요를 나타내는 개략도이다.

이하에, 본 발명에 관련된 플럭스, 및 플럭스를 포함하는 땜납 재료에 대해 설명한다.

본 실시형태의 플럭스는, 카르복실기를 2 개 이상 포함하는 이소시아누르산 유도체를 포함한다.

상기 이소시아누르산 유도체로는, 하기 일반식 1 로 나타내는 이소시아누르 골격을 갖는 화합물을 들 수 있다. 이러한 이소시아누르산 유도체는 단독 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.

[화학식 1]

(식 중, R1, R2, R3 은, 수소 원자, 카르복실기, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, -Y-X 로 나타내는 유기기 (식 중, Y 는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기, 페닐렌기 또는 시클로알킬렌기, X 는 카르복실기, 수산기, 아미노기, 페닐기 또는 인 원자를 함유하는 유기기이다) 에서 선택되고, 서로 상이해도 되고, R1, R2, R3 중에 카르복실기가 적어도 2 개 포함되어 있다)

상기 이소시아누르산 유도체로는, 예를 들어, 이소시아누르산과 카르복실산에서 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 이소시아누르산 유도체로는, 하기 식 2 로 나타내는 R1 이 수소 원자, R2, R3 이 -X-Y 로 나타내는 유기기이고, Y 가 에틸렌기, X 가 카르복실기인 이소시아누르산비스(2-카르복시에틸) : 비스(2-카르복시에틸)이소시아누레이트, 하기 식 3 으로 나타내는 R1, R2, R3 이 -X-Y 로 나타내는 유기기이고, Y 가 에틸렌기, X 가 카르복실기인 트리스(2-카르복시에틸)이소시아누르산(이소시아누르산트리스(2-카르복시에틸)) : 트리스(2-카르복시에틸)이소시아누레이트, 하기 식 4 로 나타내는 R1, R2, R3 이 -X-Y 로 나타내는 유기기이고, Y 가 프로필렌기, X 가 카르복실기인 트리스(3-카르복시프로필)이소시아누르산(이소시아누르산트리스(3-카르복시프로필)) : 2,4,6-트리옥소-1,3,5-트리아진-1,3,5(2H,4H,6H)-트리부탄산(트리스(3-카르복시프로필)이소시아누레이트) 등을 들 수 있다.

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

상기 이소시아누르산 유도체의 플럭스에 있어서의 함유량 (고형분 환산) 은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하, 바람직하게는 2 질량％ 이상 8 질량％ 이하인 것 등을 들 수 있다.

이소시아누르산 유도체의 플럭스에 있어서의 함유량이 상기 범위인 경우에는, 가열하에서의 활성력의 저하를 보다 억제하면서, 마이그레이션의 발생도 보다 억제할 수 있는 플럭스가 얻어진다.

본 실시형태의 플럭스는, 이소시아누르산 유도체 이외에, 공지된 플럭스의 성분, 예를 들어, 이소시아누르산 유도체 이외의 활성제 성분, 수지 성분, 용제 성분, 산화 방지 성분, 틱소트로픽 성분 등을 포함하고 있어도 된다.

또한, 이들 각 성분은 필요에 따라 플럭스에 배합될 수 있고, 어느 성분이 포함되어 있어도 되고 포함되어 있지 않아도 된다.

본 실시형태의 플럭스는, 이소시아누르산 유도체 이외의 활성제 성분으로서 추가로 유기산을 포함하고 있어도 된다.

유기산은, 플럭스의 활성제 성분 등으로서 사용되는 공지된 성분이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 글루타르산, 숙신산, 메틸숙신산, 아젤라인산, 아디프산, 세바크산, 스테아르산, 벤조산, 도데칸이산, 말레산, 시아누르산 등을 들 수 있다.

상기 유기산은, 단독으로, 혹은 복수 종류를 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 유기산의 플럭스에 있어서의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 고형물 환산으로 0.1 질량％ 이상 20 질량％ 이하, 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 10 질량％ 이하 등을 들 수 있다.

또, 상기 유기산의 함유량으로는, 이소시아누르산 유도체와 함께, 예를 들어, 고형물 환산으로 2 질량％ 이상 30 질량％ 이하, 바람직하게는 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하 등을 들 수 있다.

유기산 이외의 활성제 성분으로는, 아민할로겐염, 할로겐 화합물 등을 사용할 수 있다.

아민할로겐염의 아민으로는, 디에틸아민, 디부틸아민, 트리부틸아민, 디페닐구아니딘, 시클로헥실아민 등을 들 수 있다. 이에 대한 할로겐 화합물로는, 불소, 염소, 브롬, 요오드를 들 수 있다. 할로겐 화합물로는, 이소시아누르산트리스(2,3-디브로모프로필), 2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올, 2-브로모-3-요오드-2-부텐-1,4-디올, TBA-비스(2,3-디브로모프로필에테르) 등을 들 수 있다.

상기 활성제는, 단독으로, 혹은 복수 종류를 혼합하여 사용할 수 있다.

플럭스에 있어서의 상기 활성제 성분의 함유량의 총량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 고형물 환산으로 3 질량％ 이상 30 질량％ 이하, 바람직하게는 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하 등을 들 수 있다.

본 실시형태의 플럭스 중에 아민할로겐염, 할로겐 화합물이 포함되는 경우에는, 플럭스 중의 할로겐 농도는 바람직하게는 5000 ppm 이하, 보다 바람직하게는 3000 ppm 이하, 예를 들어 바람직하게는 1500 ppm 이하인 것을 들 수 있다.

마이그레이션 발생의 억제 효과의 관점에서, 및 환경에 대한 영향의 관점에서는 할로겐 화합물은 포함되어 있지 않은 (0 ppm 인) 것이 바람직하지만, 포함되어 있는 경우에는 상기 범위임으로써 마이그레이션의 발생도 보다 억제하기 쉬워진다.

또한, 일반적인 할로겐 프리에 관한 규격을 만족하기 위해서는 1500 ppm 이하인 것이 바람직하다.

본 실시형태의 플럭스는, 수지 성분을 로진 성분으로서 포함하고 있어도 된다.

테르펜페놀 수지 이외의 수지 성분으로는, 합성 수지, 천연 수지 등, 플럭스의 수지 성분으로서 사용되는 공지된 수지 성분이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 중합 로진, 수소 첨가 로진, 천연 로진, 불균화 로진, 산 변성 로진 등을 들 수 있다.

상기 수지는, 단독으로, 혹은 복수 종류를 혼합하여 사용할 수 있다.

이 경우, 상기 수지 성분의 플럭스에 있어서의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 고형물 환산으로 1.0 질량％ 이상 80 질량％ 이하, 바람직하게는 10 질량％ 이상 40 질량％ 이하 등을 들 수 있다.

용제 성분으로는, 플럭스의 용제 성분으로서 사용되는 공지된 성분이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르(헥실디글리콜), 디에틸렌글리콜디부틸에테르(디부틸디글리콜), 디에틸렌글리콜모노2-에틸헥실에테르(2에틸헥실디글리콜), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸디글리콜) 등의 글리콜에테르류 ; n-헥산, 이소헥산, n-헵탄 등의 지방족계 화합물 ; 아세트산이소프로필, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 디에틸케톤 등의 케톤류 ; 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 이소부탄올, 옥탄디올 등의 알코올류 등을 들 수 있다.

상기 용제는, 단독으로, 혹은 복수 종류를 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 용제 성분의 플럭스에 있어서의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 20 질량％ 이상 70 질량％ 이하, 바람직하게는 30 질량％ 이상 60 질량％ 이하 등을 들 수 있다.

산화 방지제 성분으로는, 플럭스의 산화 방지제 성분으로서 사용되는 공지된 성분이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 페놀계 산화 방지제, 비스페놀계 산화 방지제, 폴리머형 산화 방지제 등을 들 수 있다.

상기 산화 방지제의 플럭스에 있어서의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 0.1 질량％ 이상 50 질량％ 이하, 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 20 질량％ 이하 등을 들 수 있다.

틱소트로픽 성분으로는, 플럭스의 틱소트로픽 성분으로서 사용되는 공지된 성분이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 수소 첨가 피마자유, 지방산 아마이드류, 옥시 지방산류, 왁스 등을 들 수 있다.

상기 틱소트로픽 성분의 플럭스에 있어서의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 0.1 질량％ 이상 50 질량％ 이하, 바람직하게는 1.0 질량％ 이상 20 질량％ 이하 등을 들 수 있다.

본 실시형태의 플럭스에는, 추가로 다른 첨가제를 포함하고 있어도 된다.

본 실시형태의 플럭스는, 포스트 플럭스 등의 액상 플럭스로서 사용할 수 있지만, 그 밖에, 솔더 페이스트, 송진이 들어있는 땜납과 같은 땜납 재료용의 플럭스로서도 사용된다.

본 실시형태의 땜납 재료는, 상기 각 플럭스와 땜납 합금을 포함한다.

상기 땜납 합금은, 납프리 합금이어도 된다.

상기 땜납 합금으로는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 납프리 (무연 (無鉛) 의 땜납 합금, 유연 (有鉛) 의 땜납 합금의 어느 것이어도 되지만, 환경에 대한 영향의 관점에서 납프리의 땜납 합금이 바람직하다.

구체적으로는, 납프리의 땜납 합금으로는, 주석, 은, 구리, 아연, 비스무트, 안티몬, 인듐 등을 포함하는 합금 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, Sn/Ag, Sn/Ag/Cu, Sn/Cu, Sn/Ag/Bi, Sn/Bi, Sn/Ag/Cu/Bi, Sn/Sb, Sn/Zn/Bi, Sn/Zn, Sn/Zn/Al, Sn/Ag/Bi/In, Sn/Ag/Cu/Bi/In/Sb, In/Ag 등의 합금을 들 수 있다. 특히, Sn/Ag/Cu 가 바람직하다.

상기 땜납 합금의 땜납 재료에 있어서의 함유량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 80 질량％ 이상 95 질량％ 이하, 바람직하게는 85 질량％ 이상 90 질량％ 이하 등을 들 수 있다.

본 실시형태의 땜납 재료가, 내부에 플럭스가 충전된 선상의 땜납 합금을 갖는 송진이 들어있는 땜납인 경우에는, 예를 들어, 땜납 합금이 95 질량％ 이상 99 질량％ 이하, 바람직하게는 96 중량％ 이상 98 중량％ 이하가 되도록 구성되어 있는 것이 바람직하다.

본 실시형태의 땜납 재료가 땜납 합금과 상기 본 실시형태의 플럭스를 혼합함으로써 얻어지는 솔더 페이스트인 경우에는, 예를 들어, 상기 땜납 합금 80 질량％ 이상 95 질량％ 이하, 상기 플럭스 5 질량％ 이상 20 질량％ 이하로 혼합되어 있는 것이 바람직하다.

본 실시형태의 땜납 재료는, 솔더 페이스트, 봉상 땜납, 송진이 들어있는 땜납 등 공지된 땜납 재료로서 구성될 수 있다.

본 실시형태의 플럭스 및 땜납 재료는, 고온에서도 활성이 저하되지 않아, 마이그레이션의 발생도 억제할 수 있다.

특히, BGA 기판, CSP 기판, MCM 기판 등의 모듈 기판을 프린트 배선판에 실장할 때에, 모듈 기판이나 프린트 배선판의 기판에 열에 의한 휨이 발생하여, 모듈 기판의 땜납 볼과 프린트 배선판의 솔더 페이스트가 떨어진 상태가 되어도, 땜납 볼 표면에 산화 피막이 발생하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다. 따라서, 가열 후, 휨이 해소되어 땜납 볼과 솔더 페이스트가 접합된 상태가 되었을 때에 미융합에 의한 접합 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

특히, 땜납 합금으로서 납프리의 땜납 합금이 사용된 경우에는, 납을 포함하는 땜납 합금보다 융점이 높기 때문에 비교적 고온에서의 가열이 실시되는 경우가 많고, 이러한 고온에서의 가열은 플럭스의 활성이 보다 저하되기 쉬워진다. 그러나, 본 실시형태의 플럭스를 사용한 경우에는, 비교적 고온에서의 가열에서도 활성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

본 실시형태의 플럭스 및 땜납 재료는 고온 가열에 의해서도 높은 활성력을 유지할 수 있다. 따라서, 종래 사용되고 있던 할로겐 화합물계의 활성제를 사용하지 않거나, 혹은 저농도로의 할로겐 화합물계의 활성제의 사용으로도 활성력이 높은 플럭스를 얻을 수 있다. 또, 할로겐 화합물을 사용할 필요가 없기 때문에 마이그레이션의 발생을 보다 억제할 수 있다.

또한, 할로겐 화합물을 사용하지 않거나, 혹은 저농도로의 사용으로도 고온에서의 가열에 대하여 높은 활성력을 갖는 플럭스 및 땜납 재료이기 때문에, 환경에 대한 영향의 관점에서도 바람직하다.

본 실시형태에 관련된 플럭스 및 땜납 재료는, 이상과 같지만, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기 설명이 아닌 특허청구범위에 의해 나타내어지며, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함될 것이 의도된다.

실시예

다음으로, 본 발명의 실시예에 대해 비교예와 아울러 설명한다. 또한, 본 발명은 하기의 실시예에 한정하여 해석되는 것은 아니다.

(플럭스의 제작)

이하에 나타내는 재료를 표 1 에 기재된 배합으로 각 실시예, 비교예에 사용하는 플럭스를 제작하였다.

제작 방법은 각 재료를 적당한 용기에 투입하고, 실온에서 전 재료가 균일하게 용해될 때까지 혼합함으로써 각 플럭스를 얻었다.

<플럭스 재료>

로진 성분

·아크릴산 변성 로진 (아라카와 화학 공업사 제조)

·수소 첨가 로진 (아라카와 화학 공업사 제조)

용제 성분

·헥실디글리콜 (닛폰 유화제사 제조)

틱소제

·비스아마이드계 틱소제 (니혼 화성사 제조)

활성제 성분 (모두 도쿄 화성 공업사 제조)

·이소시아누르산비스(2-카르복시에틸) : 비스(2-카르복시에틸)이소시아누레이트

·이소시아누르산트리스(2-카르복시에틸) : 트리스(2-카르복시에틸)이소시아누레이트

·이소시아누르산트리스(3-카르복시프로필) : 2,4,6-트리옥소-1,3,5-트리아진-1,3,5(2H,4H,6H)-트리부탄산

·이소시아누르산트리스(2,3-디브로모프로필) : 헥사히드로-1,3,5-트리스(2,3-디브로모프로필)-1,3,5-트리아진-2,4,6-트리온

·트랜스-2.3-디브로모-2-부텐-1,4-디올 : 트랜스-2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올

·글루타르산

·숙신산

·메틸숙신산

·아젤라인산

<솔더 페이스트>

땜납 합금 분말 (SAC305, 평균 30 ㎛, 코키사 제조 S3X58) 과 상기 플럭스를 88 ± 1 질량％ 와 12 ± 1 질량％ 가 되는 비율로 혼합하여, 페이스트상의 각 땜납 재료 (솔더 페이스트) 를 제작하였다.

(내열성 시험)

상기 실시예 및 비교예의 땜납 재료를 사용하여, 이하의 방법으로 내열성 시험을 실시하였다.

시험 기판 (FR-4 기판, 평가 패드 : 0.8 ㎜φ CSP) 의 패드 상에 상기 각 솔더 페이스트를 인쇄하고, 280 ℃ 로 가열한 땜납조 상에 설치하여, 솔더 페이스트를 용융하였다.

솔더 페이스트가 용융 후, 10 초마다 평가 패드 상에 땜납 볼 (0.76 ㎜, SAC305 볼) 을 재치 (載置) 해 가고, 솔더 페이스트와 땜납 볼이 일체화되지 않게 될 때까지의 시간을 측정하였다. 시험 방법의 개략은 도 1 에 나타내는 바와 같다.

일체화의 판단은 육안으로 보아 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

(마이그레이션 시험)

각 실시예 및 비교예의 땜납 솔더 페이스트를 사용하여, IPC TM-650 2.6.14.1 에 준거한 방법으로 마이그레이션 시험을 실시하였다. 또한, 시험 중 바이어스 인가 시간은 296 시간으로 하였다.

시험 후의 시험 기판에 있어서의, 필라멘트의 생성 (filament growth), 변색 및 부식의 유무 (discoloration and corrosion) 를, 10 배의 배율의 광학 현미경으로 관찰하였다.

또한, 필라멘트의 생성, 변색 및 부식이 없었던 것을 G (Good), 있었던 것을 NG (No good) 로 하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

(할로겐의 유무)

각 실시예 및 비교예의 플럭스의 할로겐을 IPC TM-650 2.3.33 에 준거한 방법 (실버 크로메이트지 시험 : Silver Chromate Method) 으로 측정하였다.

시험 후의 실버 크로메이트 시험지를 육안으로 관찰하여 변색의 유무를 확인하였다.

또한, 변색이 없었던 것을 G (Good), 있었던 것을 NG (No good) 로 하였다.

또, 각 플럭스 중의 할로겐 농도를 측정 (산출) 하였다.

결과를 표 1 에 나타낸다.

표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예의 땜납 재료는, 내열성이 양호하고, 즉 땜납 볼과 솔더 페이스트가 일체화되지 않게 될 때까지의 시간이 비교적 길고, 또한, 마이그레이션의 발생은 보이지 않았다.

한편, 비교예의 땜납 재료는, 할로겐 화합물을 활성제로서 사용한 경우에는 내열성은 비교적 양호하였지만, 마이그레이션의 발생을 억제할 수 없고, 또, 카르복실산을 활성제로서 사용한 경우에는 마이그레이션의 발생은 억제할 수 있었지만, 땜납 볼과 솔더 페이스트가 일체화되지 않게 될 때까지의 시간이 실시예에 비해 짧아 내열성이 저하되어 있었다. 즉, 비교예에서는, 내열성 및 마이그레이션 억제 효과의 양방을 양호하게 할 수는 없었다.

Claims (14)

1. 용제 성분과, 로진 성분과, 활성제 성분을 포함하고, 상기 활성제 성분으로서, 카르복실기를 2 개 이상 포함하는 이소시아누르산 유도체를 포함하는 플럭스.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 용제 성분을 20 질량% 이상 70 질량% 이하, 상기 로진 성분을 1.0 질량% 이상 79 질량% 이하 포함하는 플럭스.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 이소시아누르산 유도체가, 이소시아누르산비스(2-카르복시에틸), 트리스(2-카르복시에틸)이소시아누르산 및 트리스(3-카르복시프로필)이소시아누르산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 플럭스.
4. 제 2 항에 있어서,
   상기 이소시아누르산 유도체가, 이소시아누르산비스(2-카르복시에틸), 트리스(2-카르복시에틸)이소시아누르산 및 트리스(3-카르복시프로필)이소시아누르산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 플럭스.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 이소시아누르산 유도체가 플럭스 중에 고형물 환산으로 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하 포함되어 있는 플럭스.
6. 제 2 항에 있어서,
   상기 이소시아누르산 유도체가 플럭스 중에 고형물 환산으로 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하 포함되어 있는 플럭스.
7. 제 3 항에 있어서,
   상기 이소시아누르산 유도체가 플럭스 중에 고형물 환산으로 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하 포함되어 있는 플럭스.
8. 제 4 항에 있어서,
   상기 이소시아누르산 유도체가 플럭스 중에 고형물 환산으로 1 질량％ 이상 10 질량％ 이하 포함되어 있는 플럭스.
9. 제 1 항에 있어서,
   할로겐 농도가 5000 ppm 이하인 플럭스.
10. 제 2 항에 있어서,
    할로겐 농도가 5000 ppm 이하인 플럭스.
11. 제 3 항에 있어서,
    할로겐 농도가 5000 ppm 이하인 플럭스.
12. 제 4 항에 있어서,
    할로겐 농도가 5000 ppm 이하인 플럭스.
13. 제 5 항에 있어서,
    할로겐 농도가 5000 ppm 이하인 플럭스.
14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 플럭스와 땜납 합금을 포함하는 땜납 재료.

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