KR102133214B1 - 이물 제거 장치 - Google Patents

Abstract

액체의 이산화탄소의 가압 흐름을 팽창시켜, 팽창 시의 냉각에 의해, 그 흐름 속에 드라이아이스 입자를 형성하는 노즐(31)과, 노즐(31)에 접속되어 고체의 이산화탄소 입자가 유입되는 챔버(29)와, 챔버(29)에 접속되어 드라이아이스 입자를 기판(13)의 표면을 향하여 분출시키는 슬릿(23)과, 슬릿(23)에 인접하여 배치되는 흡인구(24)를 구비하는 이물 제거 장치(100)에 있어서, 노즐(31)과 챔버(29)의 간격을 변화시켜 슬릿(23)으로부터 분출되는 드라이아이스 입자의 입자 직경을 조정한다. 이것에 의해, 기판이나 반도체 다이의 손상을 억제하면서 미소한 이물을 제거한다.

Description

이물 제거 장치

본 발명은 이물 제거 장치, 특히, 고체의 이산화탄소 입자에 의해 이물의 제거를 행하는 이물 제거 장치의 구조에 관한 것이다.

IC 등의 전자부품의 제조 공정에서는, 웨이퍼에서 잘라낸 반도체 다이를 기판에 접착하는 다이 본딩 장치, 기판에 접합된 반도체 다이의 전극과 기판의 전극을 와이어로 접속하는 와이어 본딩 장치, 반도체 다이의 전극 위에 범프를 형성해 두고, 반도체 다이를 반전시켜 기판에 고정함과 아울러 반도체 다이의 전극과 기판의 전극을 접속하는 플립 칩 본딩 장치 등의 많은 장치가 사용되고 있다. 또한, 최근에는, 웨이퍼의 반도체 다이의 위에 반도체 다이를 적층 접합하는 본딩 장치도 사용되고 있다.

이러한 본딩 장치에서는, 기판의 소정의 위치에 반도체 다이를 본딩하거나, 반도체 다이의 전극과 기판의 전극을 와이어로 접속하거나 하고 있다.

이러한 장치에 있어서, 기판 등의 표면에 먼지 등의 이물이 부착되어 있으면, 접착제의 접착력이 저하되는 경우가 있다. 또한, 기판의 전극이나 반도체 다이의 전극의 표면에 먼지 등이 부착되어 있으면, 전극과 와이어와의 접합 품질이 저하되는 경우가 있다.

이 때문에, 기판에 대하여 공기를 불어 기판에 부착되어 있는 이물을 날려 버리고, 불어 날아간 이물을 흡인 회수하여 이물의 제거를 행하는 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).

또한, 액체의 이산화탄소(CO₂)를 사용하여 반도체 다이나 기판의 이물을 제거하는 기술도 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조). 이 방법은 액체의 이산화탄소를 분사 노즐로부터 기판에 분사시켜, 분사시의 단열 팽창에 의해 동결되어 드라이아이스로 된 드라이아이스 입자를 기판에 충돌시켜, 반도체 다이나 기판의 표면의 이물의 제거를 행하는 것이다.

일본 특개 2012-199458호 공보 일본 특개 2000-117201호 공보

그러나, 특허문헌 2에 기재된 이물 제거 방법에서는, 보다 미소한 이물을 제거하기 위해 드라이아이스 입자를 세차게 분사하면, 드라이아이스 입자의 입자 직경이 커져 버려, 미소한 이물을 효과적으로 제거할 수 없게 된다고 하는 문제가 있었다. 또한, 드라이아이스의 입자 직경이 커지면, 드라이아이스 입자의 충돌에 의해 기판이나 반도체 다이가 손상되어 버린다고 하는 문제가 있었다.

그래서, 본 발명은 기판이나 반도체 다이의 손상을 억제하면서 미소한 이물을 제거하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 이물 제거 장치는 액체의 이산화탄소의 가압 흐름을 팽창시켜, 팽창 시의 냉각에 의해, 그 흐름 속에 고체의 이산화탄소 입자를 형성하는 노즐과, 노즐에 접속되어, 고체의 이산화탄소 입자가 유입되는 챔버와, 챔버에 접속되어, 고체의 이산화탄소 입자를 평판 형상 부재의 표면을 향하여 분출시키는 분출구와, 분출구에 인접하여 배치되는 흡인구를 구비하는 이물 제거 장치로서, 노즐과 챔버의 간격을 변화시켜 분출구로부터 분출하는 개체의 이산화탄소 입자의 입자 직경을 조정하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 이물 제거 장치에 있어서, 챔버의 외면에 부착된 히터를 포함하고, 히터의 가열량을 변화시켜 분출구로부터 분출하는 개체의 이산화탄소 입자의 입자 직경을 조정하는 것으로 해도 적합하다.

본 발명의 이물 제거 장치에 있어서, 상기 분출구는 상기 챔버에 연통하여 상기 이산화탄소 입자를 평판 형상 부재의 표면을 향하여 띠 형상으로 분출하는 슬릿인 것으로 해도 적합하다.

본 발명의 이물 제거 장치에 있어서, 상기 분출구는 상기 챔버에 연통하고, 직선 형상으로 배치된 복수의 구멍인 것으로 해도 적합하다.

본 발명의 이물 제거 장치에 있어서, 상기 분출구는 상기 흡인구의 방향에 상기 이산화탄소 입자를 경사지게 하여 분사하는 것으로 해도 적합하다.

본 발명의 이물 제거 장치에 있어서, 상기 챔버에 압축 공기를 유입시키는 공기 주입구를 더 구비하고, 상기 챔버는 상기 이산화탄소 입자와 상기 압축 공기를 혼합하는 것으로 해도 적합하다.

본 발명은 기판이나 반도체 다이의 손상을 억제하면서 미소한 이물을 제거할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태에서의 이물 제거 장치를 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 이물 제거 장치의 클리닝 헤드의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시하는 이물 제거 장치의 클리닝 헤드의 본체와 덮개의 구조와, 덮개의 본체에의 조립을 도시하는 설명 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시하는 클리닝 헤드의 흡인구와 슬릿이 배치되어 있는 하면을 상방향에서 본 도면으로, 본 발명의 실시형태의 이물 제거 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.
도 5는 드라이아이스 입자의 비행 거리에 대한 입자 직경의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6은 분위기 온도에 대한 드라이아이스 입자의 입자 직경의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시형태의 이물 제거 장치의 클리닝 헤드의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시형태의 이물 제거 장치의 클리닝 헤드의 흡인구와 분사구가 배치되어 있는 하면을 상방향에서 본 도면으로, 본 발명의 다른 실시형태의 이물 제거 장치의 동작을 나타내는 설명도이다.

(발명을 실시하기 위한 형태)

이하, 도면을 참조하면서 본 실시형태의 이물 제거 장치(100)에 대하여 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 이물 제거 장치(100)는 클리닝 헤드(20)와, 클리닝 헤드(20)를 반송 방향과 직교 방향으로 이동시키는 구동부(40)를 구비하고 있다. 도 1에 있어서, 가이드 레일(11, 12)에 의해 가이드 되어 수평 방향으로 반송되는 평판 형상 부재인 기판(13)의 반송 방향이 X 방향이며, X 방향과 동일면이며 X 방향과 직교하는 방향을 Y 방향, XY면에 수직한 방향을 Z 방향으로서 설명한다. 또한, 기판(13)의 하측에는 기판(13)을 진공 흡착함과 아울러 가열하는 스테이지(45)가 배치되어 있다.

도 1에 도시하는 바와 같이, 클리닝 헤드(20)는 본체(21)의 후면(21b)에 덮개(22)가 부착된 직방체 형상이며 상부에 이물 제거용의 고체의 이산화탄소 입자(이하, 드라이아이스 입자라고 함)가 공급되는 입구 접속관(25)과, 도시하지 않은 진공 장치에 접속되는 흡인 접속관(26)이 부착되어 있다.

도 1에 도시하는 바와 같이, 클리닝 헤드(20)의 일방면은 접속 부재(27)를 통하여 암(28)에 접속되어 있다. 암(28)은 구동부(40)에 의해 Y 방향으로 왕복 이동한다. 클리닝 헤드(20)는 기판(13)의 표면에 대하여 약간 경사지도록, 암(28)에 부착되어 있다. 기판(13)의 표면과 클리닝 헤드(20)의 하면 사이에는 간극이 벌어져 있고, 클리닝 헤드(20)는 기판(13)의 상측을 기판(13)의 표면을 따라 Y 방향으로 이동한다.

다음에 도 2, 도 3(a), 도 3(b)를 참조하면서, 본 실시형태의 이물 제거 장치(100)의 클리닝 헤드(20)의 구조에 대하여 설명한다. 도 2, 도 3(a), 도 3(b)에 도시하는 바와 같이, 클리닝 헤드(20)는 본체(21)와, 본체(21)의 후면(21b)에 고정되는 덮개(22)로 구성된다.

도 3(a)에 도시하는 바와 같이, 본체(21)의 하면에는, 장방형의 흡인구(24)가 파여져 있다. 또한, 본체(21)의 후면(21b)에는, 후에 설명하는 챔버(29)를 구성하는 오목부(29a)가 형성되어 있다. 오목부(29a)의 하측은 흡인구(24)를 향하여 경사지는 경사면(29b)으로 되어 있다.

도 3(b)에 도시하는 바와 같이, 덮개(22)는 본체(21)의 후면(21b)의 오목부(29a) 이외의 평면부에 밀착하는 플랜지(22a)와, 본체(21)의 경사면(29b)과 평행한 쐐기 형상의 경사부(22b)를 구비하고 있다. 도 3(b)에 도시하는 바와 같이, 덮개(22)의 경사부(22b)를 본체의 경사면(29b)에 맞추고 플랜지(22a)를 후면(21b)에 나사 고정하면, 도 2에 도시하는 바와 같이, 본체(21)의 오목부(29a)와 덮개(22)의 플랜지(22a) 사이에 X 방향으로 직선 형상으로 연장되는 챔버(29)가 형성된다. 그리고, 본체(21)의 경사면(29b)과 덮개(22)의 경사부(22b) 사이에는, 기판(13)의 표면을 향하여 띠 형상으로 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자의 혼합 유체를 분사하는 분사구인 슬릿(23)이 형성된다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 슬릿(23)은 흡인구(24)의 방향을 향하여 경사져 있다. 또한 도 4에 도시하는 바와 같이, 흡인구(24)의 X 방향의 길이는 슬릿(23)의 X 방향의 길이보다도 길고, 슬릿(23)보다도 클리닝 헤드(20)의 양측면의 근방까지 연장되어 있다. 또한, 도 4는 클리닝 헤드(20)의 흡인구(24)와 슬릿(23)이 배치되어 있는 하면을 상방향에서 본 도면이다.

도 2에 도시하는 바와 같이, 입구 접속관(25)에는, 슬리브(30)가 접속되고, 슬리브(30)에는, 노즐(31)이 접속되어 있다. 슬리브(30)는 입구측과 출구측에 각각 나사부(30a, 30b)가 설치되어 있고, 입구측의 나사부(30a)는 노즐의 출구측의 나사부(31b)에 맞물려 있고, 출구측의 나사부(30b)는 입구 접속관(25)의 입구측의 나사부(25a)와 맞물려 있다. 슬리브(30)는 입구측의 나사부(30a)와 노즐의 출구측의 나사부(31b)의 맞물림 길이 및, 출구측의 나사부(30b)와 입구 접속관(25)의 입구측의 나사부(25a)의 맞물림 길이를 조정함으로써, 노즐(31)의 출구로부터 챔버(29)까지의 거리를 변화시킬 수 있다. 노즐(31)은 가압된 액체의 이산화탄소를 공급하는 액체 이산화탄소 공급 장치에 접속되어 있다. 또한 도 2에 도시하는 바와 같이, 덮개(22)의 배면에는, 히터(35)가 부착되어 있다.

이상과 같이 구성된 이물 제거 장치(100)의 동작에 대하여, 도 2, 도 4∼6을 참조하면서 설명한다. 도시하지 않은 반송 장치에 의해 기판(13)이 스테이지(45)의 위까지 반송되어 오면, 스테이지(45)는 기판(13)을 진공 흡착하여 고정함과 아울러, 내장되어 있는 히터를 온으로 하여 기판(13)을, 예를 들면, 80℃ 정도까지 가열한다.

다음에 도시하지 않은 액체 이산화탄소 공급 장치로부터 노즐(31)에 공급된 가압된 액체의 이산화탄소를 유입시킨다. 노즐(31)에 유입된 액체의 이산화탄소는 노즐(31)의 좁힘부(31c)까지는 압축되고, 좁힘부(31c)를 통과하면 단열 팽창하여 온도가 저하된다. 이 온도 저하에 의해, 액체의 이산화탄소가 고체의 이산화탄소의 입자(드라이아이스 입자)로 변화된다. 또한, 일부는 기체의 이산화탄소로 변화된다. 이 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자의 혼합 유체는, 도 2의 화살표(91)에 나타내는 바와 같이, 노즐(31)로부터 슬리브(30), 입구 접속관(25)의 내부를 통과하여 클리닝 헤드(20)의 챔버(29)에 유입된다. 챔버(29)에 유입된 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자의 혼합 유체는 슬릿(23)을 통과하여 기판(13)의 표면을 향하여 비스듬히 하향으로 분사된다. 기판(13)은 스테이지(45)에 의해 80℃ 정도로 가열되어 있으므로, 기판(13)의 표면의 미소 이물(50)에 드라이아이스 입자가 충돌하면, 드라이아이스 입자는 순간적으로 승화, 팽창하여 기체의 이산화탄소가 된다. 기판(13)의 표면에 부착되어 있던 미소 이물(50)은 이 승화, 팽창 시의 유체력에 의해 기판(13)의 표면으로부터 제거된다. 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자의 혼합 유체는 도 4의 화살표(95)와 같이 슬릿(23)으로부터 흡인구(24)의 방향으로 경사져 분사되므로, 기판(13)의 표면으로부터 제거된 미소 이물(50)은, 도 2의 화살표(92)로 나타내는 바와 같이, 슬릿(23)에 인접하여 설치되어 있는 흡인구(24) 속으로 빨아 들여지고, 흡인 접속관(26)으로부터 도시하지 않은 진공 장치에 흡인된다. 여기에서, 미소 이물(50)이란, 예를 들면, 크기가 50㎛ 미만의 것을 말한다.

또한, 슬릿(23)으로부터 드라이아이스 입자와 함께 분출한 기체의 이산화탄소도, 드라이아이스 입자와 같이 슬릿(23)으로부터 기판(13)의 표면을 향하여 비스듬히 하향으로 분사되고, 기판(13)의 표면에 부착되어 있는 미소 이물(50)보다도 큰 이물(51)을 불어 날려서 제거한다. 기체의 이산화탄소에 의해 불어 날려진 이물(51)도 슬릿(23)에 인접하여 설치되어 있는 흡인구(24) 속으로 빨아 들여지고, 흡인 접속관(26)으로부터 도시하지 않은 진공 장치에 흡인된다.

그리고, 도 4에 도시하는 바와 같이, 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자의 혼합 유체를 슬릿(23)으로부터 도 4의 화살표(95)와 같이 분사시키면서 클리닝 헤드(20)를 Y 방향으로 왕복 운동시키면, 클리닝 헤드(20)가 통과한 도 4에 도시하는 기판(13)의 영역(B)의 미소 이물(50), 이물(51)이 제거된다. 또한, 도 4에 도시하는 영역(B)의 반송 방향 하류측의 영역(A)은 기판(13)의 표면의 미소 이물(50), 이물(51)의 제거가 종료된 영역이며, 영역(B)의 반송 방향 상류측의 영역(C)은 기판(13)의 표면의 미소 이물(50), 이물(51)의 제거를 행하지 않은 영역이다.

본 실시형태의 이물 제거 장치(100)에서는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 흡인구(24)의 Y 방향의 길이가 슬릿(23)의 Y 방향의 길이보다도 길고, 슬릿(23)보다도 클리닝 헤드(20)의 양측면의 근방까지 연장되어 있다. 이 때문에, 슬릿(23)으로부터 분출된 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자의 혼합 유체에 의해 기판(13)의 표면으로부터 제거된 미소 이물(50), 이물(51)이 Y 방향으로부터 X 방향으로 경사진 방향을 향하여 불어 날려진 경우에도, 불어 날려진 미소 이물(50), 이물(51)을 흡인구(24)에 의해 흡인할 수 있다. 이 때문에, 이물 제거가 종료된 영역(A)의 기판(13)의 표면에 미소 이물(50), 이물(51)이 재부착하는 것을 억제할 수 있어, 기판(13)의 청정도를 향상시킬 수 있다.

여기에서, 기판(13)에 분사하는 드라이아이스 입자의 입자 직경이 지나치게 크면 미소 이물(50)을 효과적으로 제거할 수 없게 되는데다, 드라이아이스 입자의 충돌에 의해 기판(13)이 손상되어 버린다. 시험에 의하면, 드라이아이스 입자의 입자 직경을 서브마이크론 수준으로 하면, 기판(13)이나 기판(13)에 부착되어 있는 반도체 다이를 손상시키지 않고 미소 이물(50)을 제거할 수 있는 것을 알 수 있다.

한편, 노즐(31)로부터 분출된 드라이아이스 입자의 입자 직경은, 도 5에 도시하는 바와 같이, 노즐(31)의 출구로부터의 비행 거리(L)가 길어짐에 따라 작아진다. 또한, 노즐(31)로부터 분출한 드라이아이스 입자의 입자 직경은, 도 6에 도시하는 바와 같이, 비행 중의 분위기 온도(T)가 높아짐에 따라 작아진다. 그래서, 본 실시형태의 이물 제거 장치(100)는 슬리브(30)의 입구측의 나사부(30a)와 노즐의 출구측의 나사부(31b)의 맞물림 길이, 및 출구측의 나사부(30b)와 입구 접속관(25)의 입구측의 나사부(25a)의 맞물림 길이를 조정함으로써, 노즐(31)의 출구로부터 챔버(29)까지의 비행 거리(L)를 변화시켜 슬릿(23)으로부터 분출하는 드라이아이스 입자의 입자 직경을 조정할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 이물 제거 장치(100)는 챔버(29)를 구성하는 덮개(22)의 배면에 부착한 히터(35)에 의해 챔버(29)의 온도를 변화시킴으로써 슬릿(23)으로부터 분출하는 드라이아이스 입자의 입자 직경을 조정할 수 있다.

슬리브(30)의 나사부(30a, 30b)의 맞물림 길이 및 히터(35)의 가열 열량은 시험 등에 의해, 슬릿(23)으로부터 분출되는 드라이아이스 입자의 입자 직경이 서브마이크론 수준이 되도록 조정해도 된다. 또한 슬리브(30)의 나사부(30a, 30b)의 맞물림 길이와 히터(35)에 의한 가열의 어느 일방만을 사용하여 드라이아이스 입자의 입자 직경을 조정하도록 해도 된다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 이물 제거 장치(100)는 노즐(31)의 출구로부터 챔버(29)까지의 비행 거리(L), 챔버(29)의 가열에 의해 드라이아이스 입자의 입자 직경을 서브마이크론 수준으로 조정할 수 있으므로, 기판(13) 혹은 반도체 다이를 손상시키지 않고 기판(13) 혹은 반도체 다이의 표면에 부착된 50㎛ 미만의 미소 이물(50)을 효과적으로 제거할 수 있다.

다음에 도 7을 참조하면서 본 발명의 다른 실시형태의 이물 제거 장치(200)에 대하여 설명한다. 앞에 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 이물 제거 장치(100)와 동일한 부분에는, 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다.

도 7에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 이물 제거 장치(200)는 슬리브(30)의 측면에 공기 주입구(25c)를 갖는 것이다. 이 이물 제거 장치(200)는 챔버(29)에 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자와 함께, 압축 공기를 유입시키고, 챔버(29) 속에서, 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자와 압축 공기를 혼합시키고, 슬릿(23)으로부터 압축 공기와 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자의 혼합 유체를 분출시켜 기판(13)의 미소 이물(50), 이물(51)의 제거를 행하는 것이다. 본 실시형태의 이물 제거 장치(200)는 앞에 설명한 이물 제거 장치(100)보다도 슬릿(23)으로부터 분출되는 유체의 유량을 많게 할 수 있으므로, 미소 이물(50)보다도 큰 이물(51)의 부착이 많은 경우에도, 효과적으로 미소 이물(50), 이물(51)의 제거를 행할 수 있다. 또한, 공기 주입구(25c)로부터 유입시키는 공기의 온도를 조정함으로써 슬릿(23)으로부터 분출되는 드라이아이스 입자의 입자 직경을 조정하는 것도 가능하다.

도 7에 도시하는 실시형태에서는, 슬리브(30)에 압축 공기를 유입시키는 공기 주입구(25c)를 설치하는 것으로서 설명했지만, 공기 주입구(25c)는 챔버(29) 속에 압축 공기를 유입시키고, 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자와 압축 공기가 혼합하는 위치이면 어디에 배치해도 되고, 예를 들면, 덮개(22)에 배치해도 된다.

다음에 도 8을 참조하면서 본 발명의 다른 실시형태의 이물 제거 장치(200)에 대하여 설명한다. 앞에 도 1∼도 6을 참조하여 설명한 이물 제거 장치(100)와 동일한 부분에는, 동일한 부호를 붙이고 설명은 생략한다.

도 8에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 이물 제거 장치(300)는, 도 1 내지 6을 참조하여 설명한 이물 제거 장치(100)의 슬릿(23) 대신에, 챔버(29)에 연통하는 구멍(61)을 직선 형상으로 배치하여 분출구로 한 것이다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자의 혼합 유체를 구멍(61)으로부터 도 8의 화살표(96)와 같이 분사시키면서 클리닝 헤드(20)를 Y 방향으로 왕복 운동시키면, 클리닝 헤드(20)가 통과한 도 8에 도시하는 기판(13)의 영역(B)의 미소 이물(50), 이물(51)이 제거된다. 본 실시형태의 이물 제거 장치(300)는 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 이물 제거 장치(100)와 동일한 효과를 발휘하는 것이다.

이상에서 설명한 이물 제거 장치(100, 200)는 클리닝 헤드(20)를 수직 방향으로부터 덮개(22)측으로 경사지도록 암(28)에 부착하는 것으로서 설명했지만, 도 2에 도시하는 바와 같이, 슬릿(23)이 본체(21)에 대하여 경사지도록 구성되어 있는 경우에는, 클리닝 헤드(20)를 수직하게 세운 상태에서 암(28)에 부착하도록 해도 된다.

또한, 이상에서 설명한 각 실시형태에서는, 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자의 혼합 유체, 또는 기체의 이산화탄소와 드라이아이스 입자와 공기의 혼합 유체를 평판 형상 부재인 기판(13)을 향하여 분사하는 것으로서 설명했지만, 본 실시형태의 이물 제거 장치(100, 200, 300)는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼나, 기판 위에 반도체 다이가 접합된 리드 프레임 등의 표면에 부착된 미소 이물(50), 이물(51)을 제거할 때에도 적용할 수 있다. 또한, 각 실시형태의 이물 제거 장치(100, 200, 300)는, 예를 들면, 다이 본딩 장치, 와이어 본딩 장치, 플립 칩 본딩 장치 등의 전자부품 실장 장치의 내부에 포함시키는 것도 가능하다. 또한, 본 실시형태의 이물 제거 장치(100, 200, 300)는, 예를 들면, 유리, 필름 등의 평판 형상 부재를 반송할 때에 그 표면의 이물을 제거하는 것에도 적용할 수 있다.

11, 12 가이드 레일 13 기판
20 클리닝 헤드 21 본체
21b 후면 22 덮개
22a 플랜지 22b 경사부
23 슬릿 24 흡인구
25 입구 접속관 25a, 30a, 30b, 31a, 31b 나사부
25c 공기 주입구 26 흡인 접속관
27 접속 부재 28 암
29 챔버 29a 오목부
29b 경사면 30 슬리브
31 노즐 31c 좁힘부
35 히터 40 구동부
45 스테이지 50 미소 이물
51 이물 61 구멍
91, 92, 95 화살표 100, 200, 300 이물 제거 장치.

Claims (11)

1. 액체의 이산화탄소의 가압 흐름을 팽창시켜, 팽창 시의 냉각에 의해, 그 흐름 속에 고체의 이산화탄소 입자를 형성하는 노즐과,
   상기 노즐에 접속되어, 고체의 이산화탄소 입자가 유입되는 챔버와,
   상기 챔버에 접속되어, 고체의 이산화탄소 입자를 평판 형상 부재의 표면을 향하여 분출시키는 분출구와,
   상기 분출구에 인접하여 배치되는 흡인구를 구비하는 이물 제거 장치로서,
   상기 노즐의 출구로부터 상기 챔버까지의 거리를 변화시켜 상기 노즐의 출구로부터 상기 챔버까지의 고체의 이산화탄소 입자의 비행 거리를 변화시킴으로써, 상기 분출구로부터 분출되는 개체의 이산화탄소 입자의 입자 직경을 서브마이크론 수준으로 조정하는 것을 특징으로 하는 이물 제거 장치.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 챔버의 외면에 부착된 히터를 포함하고,
   상기 히터의 가열량을 변화시켜 상기 분출구로부터 분출하는 개체의 이산화탄소 입자의 입자 직경을 조정하는 것을 특징으로 하는 이물 제거 장치.
3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
   상기 분출구는 상기 챔버에 연통하여 상기 이산화탄소 입자를 평판 형상 부재의 표면을 향하여 띠 형상으로 분출하는 슬릿인 것을 특징으로 하는 이물 제거 장치.
4. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
   상기 분출구는 상기 챔버에 연통하고, 직선 형상으로 배치된 복수의 구멍인 것을 특징으로 하는 이물 제거 장치.
5. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
   상기 분출구는 상기 흡인구의 방향으로 상기 이산화탄소 입자를 경사지게 하여 분사하는 것을 특징으로 하는 이물 제거 장치.
6. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
   상기 챔버에 압축 공기를 유입시키는 공기 주입구를 더 구비하고,
   상기 챔버는 상기 이산화탄소 입자와 상기 압축 공기를 혼합하는 것을 특징으로 하는 이물 제거 장치.
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