KR102115232B1 - 초음파 분산처리를 포함하는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법 - Google Patents

초음파 분산처리를 포함하는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일실시예는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법을 제공한다. 금속이온-고분자 복합체 용액에 초음파 처리를 진행하여 분산용매 내에서 분산 안정성을 증가시킬 수 있고, 상기 분산용액이 코팅된 기판의 전기전도도를 향상시킬 수 있다.

Description

초음파 분산처리를 포함하는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법 {fabricating method including sonicating for metal nanowire dispersed solution}
본 발명은 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법, 이에 의해 제조된 금속 나노와이어 용액 및 이를 이용한 전도성 필름의 제조방법에 관한 것이다.
최근 나노 크기의 입자에 대한 관심이 증대되면서 나노 크기의 금속 물질에 대한 제조 및 응용 분야 연구가 활발히 진행되고 있다. 나노입자는 같은 화학적 조성을 갖는 벌크상의 재료들과 비교하여 독특한 전기적, 자기적, 광학적, 기계적 성질들을 나타내기 때문에 전자재료, 센서, 흡착제, 촉매 담체 등 광범위한 분야에서 응용되고 있다.
금속 나노와이어는 금속의 단결정으로 이루어지는 구조체로, 이러한 금속 나노와이어는 화학적 안정성 및 열전도가 높고, 나노입자에 비하여 저항이 낮아 전기전도도가 높은 특성이 있다. 이에 따라 금속 나노와이어는 화학 촉매, 전기, 자기, 광학 소자, 가스센서, 바이오센서 등 분야에서의 활용가치가 높다.
금속 나노와이어 네트워크란 금속 나노와이어의 형성 과정에서 금속 나노와이어가 서로 엉켜있는 것을 의미한다. 이러한 금속 나노와이어 네트워크는 엉킴 현상에 의해 용매 내에서 분산안정성을 감소시키거나, 네크워크 형성시 나노와이어간 접촉 저항이 커져 전기 전도 특성이 감소하게 된다. 이에 더하여 엉킴 현상이 심한 경우 많은 양의 안정화제를 필요로 하여 그 활용이 제한적인 문제가 있다.
대한민국 공개특허공보 제 10-2016-7029074호
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 초음파 분산 처리로 인해 추가적인 첨가제 없이도 용매 내에서 분산안정성이 높은 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 상기 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법에 따라 제조된 금속 나노와이어 분산용액을 제공하는 것이다.
또한, 상기 제조된 금속 나노와이어 분산용액을 기판에 코팅하는 전도성 필름의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면은 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법을 제공한다. 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법은 금속염 용액 및 고분자 용액을 혼합하여 금속이온-고분자 복합체 용액을 형성하는 단계; 상기 금속이온-고분자 복합체 용액을 초음파 분산 처리하는 단계; 상기 초음파 분산 처리된 금속이온-고분자 복합체 용액에 환원제가 용해된 환원용액을 교반하여 금속 나노와이어를 형성하는 단계; 상기 금속 나노와이어를 원심분리하는 단계; 상기 원심분리된 금속 나노와이어를 세척용액으로 세척 후 재원심분리하는 단계; 및 상기 재원심분리된 금속 나노와이어를 분산 용매에 분산하는 단계를 포함할 수 있다.
이때의 상기 금속염 용액의 금속으로는, 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 은(Ag), 금(Au), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In) 및 티타늄(Ti)로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
또한, 상기 고분자 용액의 고분자로는, 폴리비닐피롤리돈(PVP) 또는 폴리비닐알코올(PVA)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 초음파 분산 처리를 진행하여 상기 분산용매 내 상기 금속 나노와이어의 분산 안정성을 증가시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 초음파 분산 처리는 초음파를 20 내지 100 kHz의 주파수로 20 내지 40분 동안 조사하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 금속 나노와이어 분산용액의 합성을 위한 반응 온도가 15 ℃ 내지 30 ℃임을 특징으로 한다.
또한, 상기 분산 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, n-프로필알코올로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면은 금속 나노와이어 분산용액을 제공한다. 상기 금속 나노와이어 분산용액은 본 발명의 일실시예에 따른 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법에 따라 제조될 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 측면은 전도성 필름의 제조방법을 제공한다. 상기 전도성 필름의 제조방법은 본 발명의 다른 측면에 따른 금속 나노와이어 분산용액을 기판에 코팅하는 것을 포함할 수 있다.
이때의 기 금속 나노와이어 분산용액을 기판에 코팅하는 방법으로는, 딥코팅, 스프레이코팅, 스핀코팅, 스크린프린팅, 분무코팅, 롤코팅, 블레이드코팅, 그라비아코팅 또는 닥터블레이딩법을 사용할 수 있다.
또한, 상기 기판의 소재로는, 유리, 나피온, 폴리카보네이트, 폴리아마이드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 사이클로올레핀 또는 세라믹 시트를 사용할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 초음파 분산 처리로 인해 추가적인 첨가제 없이 용매 내에서 분산안정성이 높은 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법을 제공할 수 있다. 이에 더하여, 상온에서 반응이 진행되어도 용매 내에서의 분산안정성 및 도포된 필름의 전기 전도도 측면에서 우수한 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 이에 따라 제조된 금속 나노와이어 분산용액을 제공할 수 있다.
또한, 상기 제조된 금속 나노와이어 분산용액을 기판에 코팅하는 전도성 필름의 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법을 나타낸 공정개략도이다.
도 2는 나노와이어 네트워크의 구조를 나타낸 이미지이다.
도 3은 금속 나노와이어 네트워크를 촬영한 투과전자현미경 화상이다.
도 4는 실시예 1 및 2에 따라 제조된 분산용액의 사진이다.
도 5는 실시예 3에 따라 제조된 폴리이미드 필름의 사진이다.
도 6은 비교예 2에 따라 제조된 폴리이미드 필름의 사진이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
이하 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법(S100)에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법(S100)을 개략적으로 나타내는 공정흐름도이다.
도 1을 참조하면, 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법(S100)은 금속이온-고분자 복합체 용액 형성 단계(S110), 초음파 분산 처리 단계(S120), 금속 나노와이어 형성 단계(S130), 원심분리 단계(S140), 세척 및 재원심분리 단계(S150), 금속 나노와이어 분산단계(S160)를 포함할 수 있다.
상기 금속이온-고분자 복합체 용액 형성단계(S110)는 금속염 용액 및 고분자 용액을 혼합하여 금속이온-고분자 복합체 용액을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.
상기 금속염 용액의 금속으로는, 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 은(Ag), 금(Au), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In) 및 티타늄(Ti)로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
구체적으로, 팔라듐(Pd)은 Pd(NO3)2, 백금(Pt)은H2PtCl6, 루테늄(Ru)은 RuCl3을 사용하는 과정을 포함할 수 있다.
다음으로 상기 고분자 용액의 고분자로는, 폴리비닐피롤리돈(PVP) 또는 폴리비닐알코올(PVA)을 포함할 수 있으나, 이제 한정되지 않는다.
예를 들어, 폴리아크릴아마이드(PAA), 세틸트리매틸암모늄브로마이드(CTAB), 세틸트리메틸암모늄클로라이드(CTAC) 등을 포함할 수 있다.
이때, 폴리비닐피롤리돈(PVP) 또는 폴리비닐알코올(PVA)은 나노와이어 형성을 유도하기 위한 캡핑제 역할을 할 수 있다. 캡핑제는 금속 나노와이어 형성을 유도하기 위해 첨가될 수 있다.
구체적으로, 캡핑제는 금속 나노와이어 표면의 특정 방향에만 흡착되어 캡핑제가 흡착되지 않은 표면에 따라 금속화합물이 환원되어 금속 나노와이어 형상으로 성장하게 한다. 그리고 나노와이어 형성을 위한 환원이 너무 빠르게 이루어질 경우, 금속들이 응집되면서 와이어 형상을 형성하기 어렵기 때문에 입자들이 뭉치지 않고 안정하게 분산될 수 있도록 안정제 역할을 할 수 있다
이하 금속 나노와이어의 성장 과정에서 형성되는 금속 나노와이어 네트워크에 대해 설명한다.
금속 나노와이어 네트워크란 금속 나노와이어의 형성 과정에서 금속 나노와이어가 서로 엉켜있는 것을 의미한다.
도 2는 금속 나노와이어 네트워크의 구조를 설명하기 위한 이미지이다.
도 3은 금속 나노와이어 네트워크를 촬영한 투과전자현미경 화상이다.
도 2 및 3을 참조하면, 금속 나노와이어 환원 과정에서 금속 나노와이어 네트워크가 형성되는 것을 알 수 있다. 이러한 금속 나노와이어 네트워크는 엉킴 현상에 의해 용매 내에서 분산안정성이 떨어지거나, 금속 나노와이어간의 접촉 저항이 커져 전기 전도 특성이 감소하게 된다. 이에 더하여 엉킴 현상이 심한 경우 많은 양의 안정화제를 필요로 하여 그 활용이 제한적인 문제가 있다.
초음파 분산 처리 단계(S120)는 상기 금속이온-고분자 복합체 용액에 초음파를 조사하여 분산 처리하는 과정을 포함할 수 있다.
상기 초음파 분산 처리로 인해 추가적인 첨가제 없이 용매 내에서 분산안정성이 높은 금속 나노와이어 분산용액을 제공할 수 있다. 또한, 상온에서 반응이 진행되어도 용매 내에서의 분산안정성 및 도포된 필름의 전기 전도도 측면에서 우수한 금속 나노와이어 네트워크 분산용액의 제조방법(S100)을 제공할 수 있다.
상기 초음파 분산 처리는 20 내지 100 kHz의 주파수로 20 내지 40분 동안 조사하는 과정을 포함할 수 있다. 20분 미만으로 초음파를 조사하는 경우 금속 나노와이어가 용매 내에서 충분히 분산되지 않으므로 바람직하지 않고, 40분을 초과하여 초음파를 조사하는 경우 투입되는 에너지 대비 분산안정도가 떨어지므로 바람직하지 않다.
상기 금속 나노와이어 형성단계(S130)는 상기 초음파 분산 처리된 금속이온-고분자 복합체 용액에 환원제가 용해된 환원용액을 교반하여 금속 나노와이어를 형성하는 과정을 포함할 수 있다. 캡핑제가 흡착되지 않은 표면에 따라 금속화합물이 환원되어 금속 나노와이어 형상으로 성장하게 된다. 이때의 상기 환원제는 수소화붕소나트륨(NaBH4)를 포함할 수 있다.
원심분리단계(S140)는 상기 형성된 금속 나노와이어를 원심분리하는 과정을 포함할 수 있다. 이때의 원심분리는 와이어 형상으로 성장하지 못한 입자들을 분리하기 위하여 원심 분리기에서 9,000 rpm으로 10분간 원심분리하는 과정을 포함할 수 있다.
다음으로 상기 세척 및 재원심분리단계(S150)는 상기 원심분리된 금속 나노와이어를 세척용액으로 세척 후 재원심분리하는 단계를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 세척용액은 에탄올, 메타올, 이소프로필알콜, 아세톤 및 물로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것일 수 있다.
상기 금속 나노와이어 분산단계(S160)는 상기 세척 및 재원심분리된 금속 나노와이어를 분산 용매에 분산하는 과정을 포함할 수 있다.
이때의 분산 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 및 n-프로필알코올로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것일 수 있다. 여기에서 물 및 메탄올, 이소프로필알코올, n-프로필알코올 등의 모노알코올의 경우 분산성 및 도막 도전성을 높이기에 용이하므로 본 발명의 실시에 바람직하다.
상기 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법(S100)은 반응 온도가 15 ℃ 내지 30 ℃ 에서 진행될 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일실시예에 따른 제조방법(S100)은 종래 기술과 달리 상온에서 반응이 진행될 수 있어, 기존에 비해 단순한 제조방법을 제공할 수 있다
다음으로 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 나노와이어 분산용액을 설명한다. 상기 금속 나노와이어 분산용액은 본 발명의 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법(S100)에 의해 제조될 수 있다.
다음으로 본 발명의 다른 실시예에 따른 전도성 필름의 제조방법을 설명한다.
상기 전도성 필름의 제조방법은 본 발명의 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법(S100)에 따라 제조된 상기 금속 나노와이어 분산용액을 기판에 코팅하는 과정을 포함할 수 있다.
이때의 코팅하는 방법으로는, 딥코팅, 스프레이코팅, 스핀코팅, 스크린프린팅, 분무코팅, 롤코팅, 블레이드코팅, 그라비아코팅 또는 닥터블레이딩법을 사용할 수 있다.
이때의 상기 기판의 소재로는, 유리, 나피온, 폴리카보네이트, 폴리아마이드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 사이클로올레핀 또는 세라믹 시트를 사용할 수 있다.
이하에서는 실시예, 비교예 및 실험예를 통하여 본 발명에 대하여 보다 상세하게 설명한다. 하지만 본 발명이 실시예 및 실험예에 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
Pd(NO3)2 1g 및 Diglyme 25ml를 혼합하여 만든 금속염 용액에 폴리비닐피롤리돈(PVP) 0.5g 및 에탄올 25ml를 혼합하여 만든 고분자 용액을 천천히 첨가하며 교반하였다. 엉킨 입자들이 완전히 분산될 때까지 초음파 처리를 30분 동안 진행하였다. 초음파 처리된 금속이온-고분자 복합체 용액에 수소화붕소나트륨(NaBH4) 0.5g 및 Diglyme 25ml를 혼합하여 만든 환원 용액을 천천히 첨가하며 교반하였다. 20시간 동안 반응 후 나노와이어 입자를 원심분리하였다. 이후 원심분리된 나노와이어 입자를 에탄올로 세척하고 재원심분리하였다. 재원심분리된 나노와이어 입자를 물에 분산하고, 물에 분산된 나노와이어 분산용액을 동결건조하였다.
<실시예 2>
상기 실시예 1에서 금속염 용액의 금속이온을 H2PtCl6으로 진행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 백금 나노와이어 분산용액을 제조하였다
<비교예 1>
상기 실시예 1에서 초음파 처리를 진행하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 팔라듐 나노와이어 분산용액을 제조하였다
<실험예 1>
실시예 1, 2 및 비교예 1에서 제조된 금속 나노와이어 분산용액의 분산 안정도를 육안으로 확인하였다. 일반적으로 장시간 동안 침전물이 생기지 않거나 용기의 벽면에 흡착물이 생기지 않는 경우 안정적으로 분산된 것으로 판단한다. 실시예 1, 2 및 비교예 1에 따른 분산용액을 30일 동안 유지하여 침전물 및 용기 벽면의 흡착물의 생성 여부를 육안으로 확인하였다. 그 결과는 하기 표 1과 같다.
도 4 (A)는 실시예 1 에 따라 제조된 분산용액의 사진이다.
도 4 (B)는 실시예 2에 따라 제조된 분산용액의 사진이다.
침전물 용기 벽면 흡착물
실시예 1 X X
실시예 2 X X
비교예 1 O O
표 1, 도4 (A) 및 (B)를 참조하면 비교예 1과 달리, 실시예 1 및 2 의 경우 침전물 및 벽면 흡착물이 생성되지 않았으며, 용매 내에서 안정적으로 분산된 것을 확인할 수 있다.
<실시예 3>
상기 실시예 1의 팔라듐(Pd)을 사용하여 제조한 금속 나노와이어 분산용액을 폴리이미드 필름 상에 코팅하였다. 코팅하는 방법은 스프레이코팅을 이용하였으며, 코팅량은 0.5 mg/cm2로 진행하였다. 도 5는 실시예 3에 따라 제조된 폴리이미드 필름의 사진이다.
<비교예 2>
상기 실시예 3에서 초음파 처리를 진행하지 않은 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 금속 나노와이어 분산용액이 코팅된 폴리이미드 필름을 제조하였다. 도 6은 비교예 2에 따라 제조된 폴리이미드 필름의 사진이다.
<실험예 2>
실시예 3 및 비교예 2에서 제조된 폴리이미드 필름의 전기 전도도를 측정하였다. 그 결과는 하기 표 2와 같다.
전기 전도도(S/m)
실시예 3 8.4 x 104
비교예 2 1.5 x 103
상기 표 2를 참조하면, 실시예 3에 따라 초음파 분산처리하여 제조된 폴리이미드 필름의 전기전도도는 8.4 x 104 S/m 로 측정되어 비교예 2의 1.5 x 103 S/m 보다 높은 전기 전도도를 가짐을 확인할 수 있다. 종래 기술은 금속 나노와이어 네트워크의 엉킴 현상에 의해 용매 내에서 분산안정성이 감소되거나, 네크워크 형성시 나노와이어간 접촉 저항이 커져 전기 전도 특성이 감소하는 문제가 있다. 이에 더하여 엉킴 현상이 심한 경우 많은 양의 안정화제를 필요로 하여 그 활용이 제한적인 문제가 있다.
본 발명에 따르면 금속 나노와이어 형성 전의 초음파 분산 처리로 인해 추가적인 첨가제 없이 용매 내에서 분산안정성이 높은 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법을 제공할 수 있다. 이에 더하여, 상온에서 반응이 진행될 수 있어, 기존에 비해 단순한 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 용매 내에서의 분산안정성 및 도포된 필름의 전기 전도도 측면에서 우수한 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법을 제공할 수 있다.
또한, 이에 따라 제조된 금속 나노와이어 분산용액을 제공할 수 있다.
또한, 상기 제조된 금속 나노와이어 분산용액을 기판에 코팅하는 전도성 필름의 제조방법을 제공할 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (11)

  1. 금속염 용액 및 고분자 용액을 혼합하여 금속이온-고분자 복합체 용액을 형성하는 단계;
    상기 금속이온-고분자 복합체 용액을 초음파 분산 처리하는 단계;
    상기 초음파 분산 처리된 금속이온-고분자 복합체 용액에 환원제가 용해된 환원용액을 교반하여 금속 나노와이어를 형성하는 단계;
    상기 금속 나노와이어를 원심분리하는 단계;
    상기 원심분리된 금속 나노와이어를 세척용액으로 세척 후 재원심분리하는 단계; 및
    상기 재원심분리된 금속 나노와이어를 분산 용매에 분산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,
    상기 금속이온-고분자 복합체 용액을 초음파 분산 처리하는 단계는 금속이온-고분자 복합체 용액에 초음파를 상기 20 내지 100 kHz의 주파수로 20 내지 40분 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법.
  2. 청구항1에 있어서,
    상기 금속염 용액의 금속으로는, 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 은(Ag), 금(Au), 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In) 및 티타늄(Ti)로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법.
  3. 청구항1에 있어서,
    상기 고분자 용액의 고분자로는 폴리비닐피롤리돈(PVP) 또는 폴리비닐알코올(PVA)을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 청구항1에 있어서,
    상기 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법은 15 ℃ 내지 30 ℃의 반응온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법.
  7. 청구항1에 있어서,
    상기 분산 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올 및 n-프로필알코올로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 분산용액의 제조방법.
  8. 청구항1의 제조방법에 따라 제조된 금속 나노와이어 분산용액.
  9. 청구항8의 금속 나노와이어 분산용액을 기판에 코팅하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 금속 나노와이어 분산용액을 기판에 코팅하는 방법으로는, 딥코팅, 스프레이코팅, 스핀코팅, 스크린프린팅, 분무코팅, 롤코팅, 블레이드코팅, 그라비아코팅 또는 닥터블레이딩법을 사용하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 기판의 소재로는, 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아마이드, 폴리카보네이트, 사이클로올레핀, 세라믹 시트 또는 나피온을 사용하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법.
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