KR101465467B1 - 마이크로웨이브를 이용한 금속 나노와이어의 제조방법 및 그로부터 제조된 금속 나노와이어 - Google Patents

마이크로웨이브를 이용한 금속 나노와이어의 제조방법 및 그로부터 제조된 금속 나노와이어 Download PDF

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Abstract

본 기재는 하기 단계를 포함하는 금속 나노와이어를 제고하는 방법에 관한 것이다: (a) 금속염, 고분자 물질, 환원제 및 용매를 포함하는 용액을 준비하는 단계; (b) 상기 용액을 마이크로웨이브로 조사하여 금속 나노와이어를 형성하는 단계; (c) 단계 (b)에서 얻어진 용액을 냉각시키는 단계; 및 (d) 상기 용액으로부터 상기 금속 나노와이어를 분리하는 단계를 포함한다.

Description

마이크로웨이브를 이용한 금속 나노와이어의 제조방법 및 그로부터 제조된 금속 나노와이어{Metal nanowire produced by using microwave and metal nanowire produced therefrom}
본 발명은 투명 전극으로 사용되는 금속 나노와이어 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널, 액정 디스플레이 패널 등의 디스플레이 장치, 태양전지, 이미지 센서 등에서 전도성을 가지면서도 광을 투과하는 투명 전극이 요구되는데, 일반적으로, 인듐-틴 산화물(indium-tin oxide, ITO), 탄소나노튜브 필름(carbon nano tube, CNT)등이 사용되고 있다. 투명 전극은 통상 80% 이상의 고투명도와 면저항 500Ω/sqm 이하의 전도도를 가지는 부품으로 LCD 전면전극, OLED 전극 등의 디스플레이, 터치 스크린, 태양전지, 광전자 소자 등 전자 분야에 광범위하게 사용되는 기술이다.
그러나 ITO 전극은 고가여서 제조 원가 상승의 요인이 되며 유연성이 좋지 않아 플렉서블(flexible) 디스플레이 패널 등에 사용하는 데 한계가 있다.
최근에는 ITO 대신 탄소나노튜브 필름으로 투명 전극을 형성하는 것에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 탄소나노튜브 필름은, 비교적 저가이므로 생산 원가를 절감할 수 있으며 유연성이 우수하여 플렉서블 디스플레이 패널 등에도 널리 적용된다.
그러나, 이러한 탄소나노튜브 필름을 이용한 전극은 탄소나노튜브들 간의 높은 접촉 저항에 의하여 ITO 전극에 비하여 전도성이 상대적으로 낮은 단점이 있다. 이에 따라 이를 이용한 디스플레이 패널 등의 소비 전력이 증가된다는 문제점이 있다.
이에, 고전도성을 가지는 전극의 소재로 금속 나노와이어가 사용되고 있다. 금속 나노와이어는 터치스크린, 디스플레이, OLED, 태양전지 등의 투명 전극으로 적용 가능성이 대두되고 있다. 하지만, 금속 나노와이어의 경우, 전도성이 우수한 반면, 투명성이 낮다는 문제점이 있다.
또한, 은 나노와이어 등의 금속 나노와이어를 제조하기 위해서는 다수의 공정 단계를 필요로 하여, 시간이 오래 걸린다는 단점이 있다. 또한, 여러 공정 마다 단계별로 반응물을 첨가하여야 하기 때문에, 제조 공정이 다소 번거로웠다. 이에, 제조비용의 절감 및 공정의 단순화를 도모하면서 높은 투명도를 가지는 금속 나노와이어를 제공함으로써 대량생산에 적합한 방법이 요구된다.
본 발명은 상기 문제점들을 해결하기 위하여, 마이크로웨이브를 이용한 원팟(one-pot) 반응을 통해, 금속 나노와이어의 제조방법을 간소화시키고자 하였으며, 전극의 투명도를 높이기 위하여 높은 횡경비를 갖는 금속 나노와이어를 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 목적은, 높은 광투과율, 높은 전도도 및 낮은 면저항을 가지는 투명 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 투명 전극을 이용한 전자 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 구현예는 (a) 금속염, 고분자 물질, 환원제 및 용매를 포함하는 용액을 준비하는 단계; (b) 상기 용액을 마이크로웨이브로 조사하여 금속 나노와이어를 형성하는 단계; (c) 단계 (b)에서 얻어진 용액을 냉각시키는 단계; 및 (d) 상기 용액으로부터 상기 금속 나노와이어를 분리하는 단계를 포함하는 금속 나노와이어의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 금속염의 금속은 은(Ag), 알루미늄(Al), 비소(As), 금(Au), 붕소(B), 바륨(Ba), 베릴륨(Be), 비스무트(Bi), 칼슘(Ca), 니오븀(Nd), 카드늄(Cd), 세륨(Ce), 코발트(Co), 크롬(Cr), 세슘(Cs), 구리(Cu), 철(Fe), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In), 칼륨(K), 란탄(La), 리시움(Li), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 이리듐(Ir), 나트륨(Na), 니켈(Ni), 오스뮴(Os), 인(P), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 황(S), 안티몬(Sb), 셀렌(Se), 실리콘(Si), 주석(Sn), 스트론튬(Sr), 탄탈륨(Ta), 텔루륨(Te), 토륨(Th), 티탄(Ti), 탈륨(Tl), 우라늄(U), 바나듐(V), 텅스텐(W), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 금속염은 AgCl, ZnCl2, NaCl, 또는 CuCl2일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 금속염은 상기 용액의 총량을 기준으로 0.5 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 환원제는 AgNO3, AgI 및 Ag2SO4으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 고분자 물질은 폴리비닐피롤리돈, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스, 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐알콜, 폴리퍼퓨릴알콜, 폴리스티렌, 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트, 폴리비닐클로라이드, 폴리카프로락톤, 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체 및 폴리아마이드로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 용매는 에틸렌 글리콜, 글리세린, 소르비톨, 펜타에리스리톨, 톨루엔디아민 및 디아미노페닐메탄으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 마이크로웨이브의 파장이 500Hz 내지 900 MHz일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 단계 (b)에서, 용액의 온도가 120 내지 200℃가 될 때까지 마이크로웨이브를 조사할 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에서, 상기 방법에 따라 제조되는 금속 나노와이어를 제공한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 금속 나노와이어의 종횡비는 150 이상 내지 1000 이하일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 금속 나노와이어의 직경은 40 내지 150 nm이고, 길이는 5 내지 20 ㎛일 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예에서,상기 금속 나노와이어를 포함하는 투명 전극을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 투명 전극의 광투과율은 88% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 투명 전극의 면저항 값은 150 내지 200 Ω/square일 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예에서, 상기 투명 전극을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
본 발명의 일 구현예는, 오일 베쓰(oil bath) 혹은 전기적 방법으로 용액의 온도를 제어하는 기존의 방법 대신, 용액의 온도를 마이크로웨이브 방식으로 제어함으로써 금속 나노와이어의 제조 공정 시간을 단축시킨다.
또한, 본 발명의 일 구현예는 시계열적 순서에 따라 반응물을 첨가할 필요 없이, 원팟 반응으로 금속 나노와이어를 성장시키므로, 반응 공정이 매우 간소하고 대량생산에 적합하다.
더욱이, 본 발명의 방법에 따라 제조된 금속 나노와이어는 높은 횡경비를 가지므로, 이를 사용한 투명 전극은 높은 광투과율, 높은 전도도 및 낮은 면저항을 가진다.
도 1 은 실시예 1에 있어서, 마이크로웨이브 조사 후 10분 뒤에 형성된 은 나노와이어를 보여준다.
도 2는 실시예 1에 있어서, 마이크로웨이브 조사 후 20분 뒤에 형성된 은 나노와이어를 보여준다.
도 3은 실시예 1에 있어서, 마이크로웨이브 조사 후 30분 뒤에 형성된 은 나노와이어를 보여준다.
이하, 본 발명의 구현예로 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 다만, 하기 구현예는 본 발명에 대한 예시로 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술하는 특허청구범위의 기재 및 그로부터 해석되는 균등 범주 내에서 다양한 변형 및 응용이 가능하다.
본 발명의 일 구현예는 금속 나노와이어를 제조하는 방법에 관한 것으로, 하기 단계를 포함한다.
(a) 금속염, 고분자 물질, 환원제 및 용매를 포함하는 용액을 준비하는 단계;
(b) 상기 용액을 마이크로웨이브로 조사하여 금속 나노와이어를 형성하는 단계;
(c) 단계 (b)에서 얻어진 용액을 냉각시키는 단계; 및
(d) 상기 용액으로부터 상기 금속 나노와이어를 분리하는 단계.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 금속염, 고분자 물질, 환원제 및 용매를 혼합하여 혼합 용액을 먼저 준비한다. 이때, 금속염, 고분자 물질, 환원제 및 용매를 포함하는 용액의 반응은 원팟(one-pot) 공정으로 진행된다. 따라서, 시계열적으로 반응물을 첨가하여, 금속 나노입자를 형성하고, 후속적으로 금속 나노와이어의 성장을 제어하는 기존 공정과는 달리 본 발명은 달리 반응물을 순서대로 주입하는 공정을 필요로 하지 않는다.
(a) 단계: 용액의 제조
본 발명의 일 구현예에서, 상기 금속염은 은(Ag), 알루미늄(Al), 비소(As), 금(Au), 붕소(B), 바륨(Ba), 베릴륨(Be), 비스무트(Bi), 칼슘(Ca), 니오븀(Nd), 카드늄(Cd), 세륨(Ce), 코발트(Co), 크롬(Cr), 세슘(Cs), 구리(Cu), 철(Fe), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In), 칼륨(K), 란탄(La), 리시움(Li), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 이리듐(Ir), 나트륨(Na), 니켈(Ni), 오스뮴(Os), 인(P), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 황(S), 안티몬(Sb), 셀렌(Se), 실리콘(Si), 주석(Sn), 스트론튬(Sr), 탄탈륨(Ta), 텔루륨(Te), 토륨(Th), 티탄(Ti), 탈륨(Tl), 우라늄(U), 바나듐(V), 텅스텐(W), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr)로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 염일 수 있다. 바람직하게는 상기 금속염은 은(Ag) 함유 염일 수 있다.
본 발명의 일 구현예로, 상기 금속염으로 AgCl, ZnCl2, NaCl, 또는 CuCl2 등이 사용될 수 있다. 그러나, 상기 금속염의 종류는 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 금속염은 용액의 총량을 기준으로 0.5 내지 10 중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 3 중량%로 포함된다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 고분자 물질은 폴리비닐피롤리돈, 폴리우레탄, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에테르우레탄, 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스, 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐알콜, 폴리퍼퓨릴알콜, 폴리스티렌, 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트, 폴리비닐클로라이드, 폴리카프로락톤, 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체 또는 폴리아마이드 등이 사용될 수 있다. 그러나, 상기 고분자 물질의 종류는 이에 제한되지 않는다. 상기 고분자 물질은 용액의 총량을 기준으로 0.5 내지 20 중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 10 중량%로 포함된다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 환원제는 AgNO3, AgI 또는 Ag2SO4 등이 사용될 수 있다. 그러나, 상기 환원제의 종류는 이에 제한되지 않는다. 상기 환원제는 용액의 총량을 기준으로 0.1 내지 10 중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.5 내지 1 중량%로 포함된다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 용매는 에틸렌 글리콜, 글리세린, 소르비톨, 펜타에리스리톨, 톨루엔디아민, 디아미노페닐메탄 등이 사용될 수 있다. 그러나, 상기 용매의 종류는 이에 제한되지 않는다.
(b) 단계: 금속 나노와이어의 형성
본 발명의 일 구현예에서, 상기 용액은 마이크로웨이브로 조사되고, 이에 따라 금속 나노와이어가 형성된다. 마이크로웨이브가 조사되는 경우, 용액 중에 존재하는 금속 내의 자유전자의 유도에 의해 열이 발생되고, 이 열로 금속 이온이 응집하여 금속 나노입자를 형성한다. 또한, 이후에도 계속해서 마이크로웨이브를 조사하면, 상기 형성된 금속 나노입자를 중심으로 금속 나노와이어가 성장한다. 오일 배쓰 또는 전기적인 방법으로 용액의 온도를 제어하는 기존의 방법에 비하여, 마이크로웨이브 방식으로 용액의 온도를 제어하는 경우 공정 시간을 매우 단축할 수 있다는 장점이 있다.
이 경우, 마이크로웨이브의 파장은 500Hz 내지 900 MHz의 범위인 것이 바람직하다. 상기 용액의 온도가 120 내지 200℃가 될 때까지, 마이크로웨이브를 조사할 수 있다. 이때, 마이크로웨이브 조사시에 반응에 사용되는 반응물질의 대부분이 반응에 참여하여 한번에 다량의 금속 나노와이어가 제조될 수 있다.
(c) 및 (d) 단계
그 후, 금속 나노와이어가 형성되면 상기 용액을 냉각시킨 뒤, 형성된 금속 나노와이어를 분리 및 세척한다. 상기 용액으부터 순수한 금속 나노와이어만 추출해 내기 위하여, 용매, 고분자 물질 및 환원제와 섞일 수 있는 용액에 일정 비율로 희석, 원심 분리 등의 방법을 활용하여 세척한다 상기의 세척 단계는 불순물 제거 및 효과적인 금속 나노와이어 분리를 위하여 여러 번 반복 할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 방법에 따라 분리된 금속 나노와이어의 종횡비는 150 이상 내지 1000 이하일 수 있다. 상기 수치 범위를 만족하는 경우, 광투과율이 70% 이상, 바람직하게는 88%이상인 투명 전극의 제조가 가능하다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 금속 나노와이어는 직경이 40 내지 150 nm이고, 길이가 5 내지 20 ㎛일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 직경이 40 내지 60nm이고, 길이가 15 내지 20 ㎛일 수 있다. 금속 나노와이어의 직경이 줄어들게 되면, 투명도는 더욱 증가되게 되며, 탁도(Haze) 현상도 없어질 수 있다. 따라서, 상기 수치 범위를 만족하는 경우, 우수한 투명도를 가지는 투명 전극을 제조할 수 있다.
본 발명의 다른 구현예는, 상기 금속 나노와이어를 포함하는 투명 전극을 제공한다. 상기 투명 전극은 공지된 어느 하나의 방법에 의하여 제조될 수 있다. 일 구현예로서, 상기 분리 및 세척된 금속 나노와이어를 에탄올, 메탄올, 아세톤, 물, 기타 알코올 등의 용매에 분산시켜 상기 금속 나노와이어 분산 용액을 형성한 뒤, 상기 금속 나노와이어 분산용액을 기판 위에 하는 공정에 의하여 투명 전극을 제조할 수 있다. 한편, 본원에서는 투명 전극의 제조방법에 관련된 자세한 설명은 생략하도록 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 투명 전극의 광투과율은 70% 이상이며, 바람직하게는 88% 이상이다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 투명 전극의 면저항 값은 150 내지 200 Ω/square일 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예는 상기 투명 전극을 포함하는 전자 소자를 제공한다. 이때, 상기 투명 전극은 낮은 면저항을 가지며, 높은 광투과율 및 전도도를 가진다.
실시예 : 은 나노와이어 제조
Ag 전구체 화합물 (AgCl)과 에틸렌 글리콜 50 ㎖, PVP (polyvinylpyrrolidone) 고분자 0.48 g, AgNO3 0.3g을 동시에 반응기에 첨가한 뒤, 반응기 내의 용액을 혼합하여 분산액을 제조하였다. 상기 분산액에 마이크로웨이브를 조사하여 5분 내에 160℃의 온도로 가열한 뒤, 이를 30분 동안 유지하여 은 나노와이어를 성장시켰다. 마이크로웨이브 조사 후, 은 나노와이어가 함유된 상기 용액을 냉각시키고, 순수한 은 나노와이어를 상기 용액을부터 분리하기 위하여, 1:3의 비율로 에탄올에 희석한 다음 원심 분리 후 세척과정을 진행하였다. 이를 3회 반복하여 은 나노와이어를 분리하였다.
한편, 마이크로 조사시 분산액을 160℃의 온도로 가열하고, 이를 30분간 유지하는 동안, 10분, 20분 및 30분이 되는 시점에서 관측된 은 나노와이어의 주사전자현미경 (SEM) 사진을 도 1 내지 3에 나타내었다. 도 3에는 직경이 50 내지 70 ㎚이고, 8 내지 12 ㎛의 높은 횡경비를 가진 은 나노와이어가 합성되었음을 확인할 수 있다.
이상에서 첨부된 실시 예를 참조하여 본 발명의 효과에 대해 설명하였으나 본 발명의 기술적 구성은 상기에 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 않으며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능하므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 한다. 또한 특허 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (16)

  1. (a) 금속염, 고분자 물질 및 용매를 포함하는 용액을 준비하는 단계로서, 상기 용액이 AgNO3, AgI 및 Ag2SO4으로 이루어진 군에서 선택되는 염을 추가로 포함하는 단계;
    (b) 상기 용액을 마이크로웨이브로 조사하여 금속 나노와이어를 형성하는 단계;
    (c) 단계 (b)에서 얻어진 용액을 냉각시키는 단계; 및
    (d) 상기 용액으로부터 상기 금속 나노와이어를 분리하는 단계를 포함하는 금속 나노와이어의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속염의 금속이 은(Ag), 알루미늄(Al), 비소(As), 금(Au), 붕소(B), 바륨(Ba), 베릴륨(Be), 비스무트(Bi), 칼슘(Ca), 니오븀(Nd), 카드늄(Cd), 세륨(Ce), 코발트(Co), 크롬(Cr), 세슘(Cs), 구리(Cu), 철(Fe), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In), 칼륨(K), 란탄(La), 리시움(Li), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 이리듐(Ir), 나트륨(Na), 니켈(Ni), 오스뮴(Os), 인(P), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 황(S), 안티몬(Sb), 셀렌(Se), 실리콘(Si), 주석(Sn), 스트론튬(Sr), 탄탈륨(Ta), 텔루륨(Te), 토륨(Th), 티탄(Ti), 탈륨(Tl), 우라늄(U), 바나듐(V), 텅스텐(W), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인, 금속 나노와이어의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 금속염이 AgCl, ZnCl2, NaCl, 또는 CuCl2인 금속 나노와이어의 제조방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속염이 상기 용액의 총량을 기준으로 0.5 내지 10 중량%로 포함되는 금속 나노와이어의 제조방법.
  5. 삭제
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고분자 물질이 폴리비닐피롤리돈, 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스, 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐아세테이트, 폴리비닐알콜, 폴리퍼퓨릴알콜, 폴리스티렌, 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드, 폴리에틸렌옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트, 폴리비닐클로라이드, 폴리카프로락톤, 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체 및 폴리아마이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 나노와이어의 제조방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용매가 에틸렌 글리콜, 글리세린, 소르비톨, 펜타에리스리톨, 톨루엔디아민 및 디아미노페닐메탄으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 나노와이어의 제조방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로웨이브의 파장이 500Hz 내지 900 MHz인 금속 나노와이어의 제조방법.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    단계 (b)에서, 용액의 온도가 120 내지 200℃가 될 때까지 마이크로웨이브를 조사하는 금속 나노와이어의 제조방법.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따라 제조되는 금속 나노와이어.
  11. 제 10 항에 있어서,
    종횡비가 150 이상 내지 1000 이하인 금속 나노와이어.
  12. 제 10 항에 있어서,
    직경이 40 내지 150 nm이고, 길이가 5 내지 20 ㎛인 금속 나노와이어.
  13. 제10항에 따른 금속 나노와이어를 포함하는 투명 전극.
  14. 제13항에 있어서,
    광투과율이 88% 이상인 투명 전극.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 투명 전극의 면저항 값이 150 내지 200 Ω/square인 투명 전극.
  16. 제13항에 따른 투명 전극을 포함하는 전자 소자.
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