KR102108035B1 - 플라즈마 발생기 및 이온비 조정 방법 - Google Patents

플라즈마 발생기 및 이온비 조정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 공정 가스의 이온화에 적합한 압전 변환기(2), 이온 분리 전극(7) 및 이러한 이온 분리 전극(7)에 전위를 인가하기에 적합한 구동 회로(8)를 구비하는, 플라즈마 발생기(1)에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 플라즈마 발생기(1)에 의해 생성된 플라즈마 내에서 양이온과 음이온의 비율을 조정하는 방법과도 관련이 있다.

Description

플라즈마 발생기 및 이온비 조정 방법
본 발명은, 플라즈마 발생기 및 플라즈마 발생기에 의해 생성된 플라즈마 내에서 양이온과 음이온의 비율을 조정하기 위한 방법에 관한 것이다. 본원에서 양이온과 음이온의 비율은 플라즈마 내 양이온 수와 음이온 수의 비율을 말한다. 이 경우에는 플라즈마 발생기의 공정 가스 출구에서 방출되는 플라즈마 빔(plasma beam)이 고려된다.
압전 변환기(piezoelectric transformer)의 경우, 이러한 압전 변환기의 작동 원리와 관련하여 정현파 출력 전압에 의해 플라즈마가 생성된다. 이 경우 압전 변환기에서 발생된 출력 전압의 상승 에지 및 하강 에지의 경사도는 같다. 공정 가스 내에서 양이온과 음이온의 생성은 이러한 에지의 경사도에 따라 크게 달라진다. 압전 변환기의 작동 원리로 인해, 에지들의 경사도는 상이하게 설계될 수 없다.
따라서 압전 변환기에 의해 생성된 플라즈마 내에서 양이온과 음이온의 비율은 미리 주어진 공정 가스의 조성에서 정해진다.
그러나 대기압 비열 플라즈마(atmospheric non-thermal plasma)의 많은 적용예가 있으며, 이러한 적용예들의 경우 특정 비율의 양이온과 음이온 조정 가능성이 바람직하다. 이와 관련하여서는 예를 들면 물 정화에 대기압 비열 플라즈마가 사용되는 적용예들이 해당된다.
따라서 본 발명의 과제는, 압전 변환기에 의한 플라즈마 생성 시 양이온과 음이온의 비율을 원하는 방식으로 조정할 수 있도록 하는 것이다.
상기 과제는 청구항 1에 따른 플라즈마 발생기에 의해서 해결된다. 또한, 상기 과제는 제2 독립항에 따른 방법에 의해서 해결된다.
본 발명에서는 공정 가스의 이온화에 적합한 압전 변환기, 이온 분리 전극(ion separation electrode) 및 이러한 이온 분리 전극에 전위를 인가하기에 적합한 구동 회로를 구비하는, 플라즈마 발생기가 제안된다.
상기 압전 변환기는 특히, 로젠(Rosen)형 플라즈마 발생기일 수 있다. 압전 변환기는 플라즈마를 생성할 수 있으며, 또한, 상기 압전 변환기는 상기 플라즈마 내에서 공정 가스를 이온화한다. 공정 가스는 예를 들어 공기 또는 불활성 가스(inert gas)일 수 있다. 공정 가스는 압전 변환기의 출력측에서 발생된 고전압에 의해 이온화될 수 있다. 이 경우 변환기의 주변은 상대 전극으로 작용한다.
상기 이온 분리 전극은 압전 변환기에서 멀리 떨어져 배치되어 있어 변환기의 상대 전극으로 간주되지 않을 수 있다. 이온 분리 전극에 전위가 인가되면, 이러한 이온은 역전하에 의해 끌어 당겨지고 동일한 전하의 이온을 밀어낸다. 이 경우 이온 분리 전극에 의해 끌어 당겨진 이온의 일부가 상당히 편향되어 이온 분리 전극에 충돌하거나 적어도 플라즈마 발생기의 출구에 도달하지 않으며, 그 결과 플라즈마 발생기에 의해 방출된 플라즈마 빔에 포함되지 않는다. 따라서 플라즈마 내에서 이러한 전하의 이온 비율이 감소될 수 있다.
구동 회로에 의해서는 이온 분리 전극에 인가되는 전위가 조정될 수 있다. 그 결과 양이온과 음이온의 비율이 항상 원하는 방식으로 조정될 수 있다.
따라서 이온 분리 전극의 사용에 의해, 맨 먼저 공정 가스의 조성 및 압전 변환기의 작동에 의해 양이온과 음이온의 비율이 결정되는, 압전 변환기에 의한 플라즈마 발생 시에도 이러한 비율을 원하는 대로 조정할 수 있게 된다. 이러한 방식에 의해 다른 플라즈마 생성 방법에 비해 압전 변환기의 장점들이 활용될 수 있고, 동시에 플라즈마가 원하는 비율의 양이온과 음이온으로 생성될 수 있다. 특히, 압전 변환기의 높은 효율은 압전 변환기에 의한 플라즈마 생성의 주요한 장점이다.
또한, 플라즈마 발생기는 양이온과 음이온의 비율을 검출하기 위한 수단을 포함할 수 있다. 구동 회로는 상기와 같은 비율을 검출하는 수단의 측정값에 따라 이온 분리 전극에 인가되는 전위를 재조정할 수 있다.
플라즈마 발생기는 공정 가스를 관류시키기에 적합할 수 있으며, 이 경우 공정 가스는 압전 변환기에 의해 이온화된 다음 이온 분리 전극을 통과한다. 이때 이온 분리 전극에서는 공정 가스 내 양이온과 음이온의 비율 변경이 이루어질 수 있다.
특히, 이온 분리 전극에 인가되는 전위는 플라즈마 발생기에 의해 생성된 플라즈마 내에서 양이온과 음이온의 비율을 결정할 수 있다.
플라즈마 발생기는 공정 가스 입구와 공정 가스 출구를 연결하는 관을 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 관 내에는 상기 압전 변환기와 이온 분리 전극이 배치되어 있으며, 이때 상기 이온 분리 전극은 상기 압전 변환기와 공정 가스 출구 사이에 배치되어 있다. 상기 관은 예를 들면 플라즈마 발생기의 하우징에 의해 형성될 수 있다.
구동 회로는 이온 분리 전극에 인가되는 전위가 변경 가능하도록 조정될 수 있다. 이러한 방식으로 플라즈마 발생기에 의해 생성된 플라즈마 내에서의 양이온과 음이온의 모든 임의의 비율이 조정될 수 있다.
구동 회로는 출력 교류 전압을 발생시키기에 적합한 변환기와 상기 출력 교류 전압을 정류 및 평활화하기 위한 회로(circuit for rectifying and smoothing)를 포함할 수 있으며, 이때 상기 회로는 출력 교류 전압의 정류 및 평활을 위해 이온 분리 전극에 연결되어 있다. 따라서 상기 회로는 이온 분리 전극에 전위를 인가할 수 있다. 이러한 전위는 특히, 준정적 전위(quasistatic potential)일 수 있다. 상기 변환기는 특히, 제2 압전 변환기일 수 있다.
이온 분리 전극은 격자형이거나 금속관을 가질 수 있다. 두 형상 모두 이온 분리 전극을 통과한 플라즈마 빔으로부터 이온을 걸러내는 데 특히 적합하다. 또한, 이러한 이온 분리 전극의 각각의 형상에 의해서는 플라즈마 빔의 형상에도 원하는 방식으로 영향을 줄 수 있다.
압전 변환기는 대기압 비열 플라즈마를 생성하기에 적합할 수 있다.
구동 회로는 하나 이상의 다이오드를 가질 수 있다. 상기 구동 회로는 상기 다이오드에 인가된 전위의 극성을 전환하도록 설계될 수 있다. 다이오드에 인가되는 전위를 반전시킴으로써 생성된 양이온과 음이온의 비율이 반전될 수 있다.
압전 변환기는 단부 표면(end surface)을 가질 수 있고, 이러한 압전 변환기의 단부 표면에서 발생된 고전압에 의해 공정 가스를 직접 이온화하도록 설계될 수 있다. 상기 단부 표면은 압전 변환기의 출력측 단부면일 수 있다.
특히, 압전 변환기는 입력측 및 이러한 입력측에 곧바로 후속하는 출력측을 가질 수 있다. 상기 입력측은, 압전층들과 그 사이에 배치된 제1 및 제2 내부 전극이 위아래로 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 출력측은 압전 재료 및 단일 결정으로 된 구조(monolithic structure)를 가질 수 있다.
압전 변환기의 동작 시, 상기 입력측의 제1 및 제2 내부 전극에는 교류 전압이 인가될 수 있고, 상기 교류 전압은 내부 전극들 사이에서 적층 방향으로 압전 진동을 일으킨다. 그 결과 길이 방향으로 계속되는 파장이 형성될 수 있다. 이러한 방식으로 출력측 단부 표면에서 고전압을 발생될 수 있다. 이러한 고전압에 의해, 공정 가스, 예를 들어 공기가 이온화될 수 있고, 이러한 방식으로 대기압 비열 플라즈마가 생성될 수 있다.
이온화는 공정 가스가 단부 표면에서 직접 이온화될 때 "직접"으로 표현된다. 이와 달리 간접 이온화가 있으며, 이러한 경우 고전압이 상기 단부 표면으로부터 측정되고, 추가 요소, 예를 들면 전극에 인가되는데, 이렇게 함으로써 상기 추가 요소에서 공정 가스가 이온화될 수 있다. 직접 이온화는 본 발명의 경우 에너지 손실을 최소화할 수 있고 플라즈마 발생기의 콤팩트한 설계를 가능하게 하는 장점이 있다. 예를 들어, 플라즈마 발생기는 휴대용 단말기(hand-held device)에 통합될 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점은, 플라즈마 발생기에 의해 생성된 플라즈마 내에서 양이온과 음이온의 비율을 조정하기 위한 방법과 관련이 있다. 상기 플라즈마 발생기는 특히, 전술한 플라즈마 발생기일 수 있다. 따라서 상기 플라즈마 발생기와 관련하여 기술된 모든 구조적 또는 기능적 특징은 상기 방법에도 적용된다. 상기 방법과 관련하여 기술된 모든 특징은 플라즈마 발생기에도 상응하게 적용될 수 있다. 본 발명에서는 압전 변환기, 이온 분리 전극 및 구동 회로를 갖는 플라즈마 발생기용 방법이 제안된다. 이 방법은 다음의 단계들을 포함한다:
- 상기 압전 변환기에 의해 이온화되고, 이어서 상기 이온 분리 전극을 통과한 공정 가스가 플라즈마 발생기를 관류하는 단계 및
- 양이온과 음이온의 비율을 조정하기 위해 상기 구동 회로에 의해 상기 이온 분리 전극으로 인가된 전위를 조정하는 단계.
전술한 바와 같이, 플라즈마를 생성하는 상기 방법이 가능하며, 이 경우 양이온과 음이온의 비율이 원하는 방식으로 조정되며, 이때 압전 변환기의 장점들이 플라즈마 생성에 활용된다. 이와 관련하여서는 특히, 압전 변환기의 높은 효율이 적용된다.
구동 회로는 입력 교류 전압이 인가되고 출력 교류 전압을 발생시키는 변환기를 포함할 수 있다. 상기 방법에서 상기 구동 회로에 의해 이온 분리 전극에 인가된 전위를 조정하는 단계는, 상기 변환기에 인가되는 입력 전압이 변경됨으로써 실시될 수 있다.
상기 구동 회로는 하나 이상의 다이오드를 구비할 수 있다. 상기 방법은 다음의 단계를 포함할 수 있다:
- 상기 이온 분리 전극에 인가된 전위의 극성을 전환하고 양이온과 음이온의 비율을 반전시키기 위해 다이오드를 반전시키는 단계.
하기에서는 본 발명이 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다.
도 1은 플라즈마 발생기의 제1 실시예를 도시한다.
도 2는 플라즈마 발생기의 제2 실시예를 도시한다.
도 1은 플라즈마 발생기(1)의 제1 실시예를 도시하며, 상기 플라즈마 발생기에서는 생성된 플라즈마 내에서의 양이온과 음이온의 비율을 조정할 수 있다. 상기 플라즈마 발생기(1)는 압전 변환기(2)를 갖는다. 이 압전 변환기(2)는 공정 가스를 이온화하여 플라즈마를 발생시키기에 적합하다.
상기 압전 변환기(2)는 로젠형 압전 변환기이다. 압전 변환기(2)는 압전 직접 방전(PDD, Piezoelectric Direct Discharge)에 의해 플라즈마를 생성하기에 적합하다.
압전 변환기(2)는 입력측과 출력측을 갖는다. 상기 입력측에서 압전 변환기(2)는 압전 층들과 그 사이에 배치된 제1 및 제2 내부 전극이 위아래로 적층된 다층 구조를 갖는다. 상기 압전 층들은 티탄산 지르콘산 연(PZT) 세라믹을 포함한다. 입력측에서, 압전 층들은 적층 방향으로 분극화된다. 내부 전극들은 구리로 이루어져 있다.
이와 동시에 제1 내부 전극 및 제2 내부 전극은 적층 방향으로 2개의 압전 층 사이에 각각 교대로 배치되어 있다. 제1 내부 전극은 압전 변환기(2)의 제1 외측으로 안내되고 제2 외측으로부터 이격되어 있다. 제2 내부 전극들은 제1 외측에 대해 이격되어 제2 외측으로 안내된다. 또한, 각각의 외측으로 안내된 내부 전극들과 전기적으로 접촉하는 제1 외측 및 제2 외측에 상에는 각각 외부 전극들이 배치되어 있다.
상기 출력측에서 압전 변환기(2)는 단일 결정으로 된 구조를 갖는다. 출력측은 입력측과 동일한 압전 재료를 포함한다. 압전 변환기(2)의 출력측은 길이 방향으로 분극화된다.
압전 변환기(2)의 동작 시에는 교류 전압이 입력측의 외부 전극에 인가되는데, 이러한 교류 전압은 내부 전극들 사이에서 적층 방향으로 압전 진동을 일으킨다. 그 결과 길이 방향으로 계속되는 파장이 형성될 수 있다. 이러한 방식으로 출력측의 단부 표면에서 고전압을 발생될 수 있다. 이러한 고전압에 의해서는 공정 가스, 예를 들어 공기가 이온화될 수 있고, 그리고 이러한 방식에 의해서 대기압 비열 플라즈마가 생성될 수 있다.
압전 변환기(2) 작동 시 이러한 변환기의 주변은 상대 전극으로서 작용한다. 이는 소위 "부유 전극(Floating Electrode)"이다. 특히, 압전 변환기의 출력측의 에지와 모서리에서는 높은 장 기울기(field gradient)가 발생하고, 결과적으로 이러한 장 기울기는 공정 가스를 이온화한다. 높은 장 기울기는, 전위가 출력측에 인가됨으로써 발생할 수 있으며, 이때 상기 전위는 예를 들면 접지 전위일 수 있는 기준 전위를 기준으로 볼 때 높다.
압전 변환기(2)는 제1 구동 회로(3)와 상호 연결되어 있다. 이러한 제1 구동 회로(3)는 압전 변환기(2)의 외부 전극들에 입력 전압을 인가하도록 설계되었다. 입력 전압은 교류 전압이다. 입력 전압의 주파수는 바람직하게는 압전 변환기(2)의 공진 주파수에 상응한다. 공진 주파수는 압전 변환기(2)의 기하학적 구조에 의해 결정된다. 공진 주파수는 10 내지 1000kHz에 이를 수 있다. 공진 주파수는 바람직하게는 20 내지 100kHz, 예를 들면 50kHz에 이를 수 있다.
플라즈마 발생기(1)는 또한, 공정 가스 입구(5)와 공정 가스 출구(6)를 연결하는 관(4)을 갖는다. 플라즈마 발생기(1)의 작동 중에는 공정 가스가 상기 관(4)을 통해 흐를 수 있다. 공정 가스 흐름은 도 1의 공정 가스 입구(5)와 공정 가스 출구(6) 상에 각각 화살표로 표시되어 있다. 공정 가스는 예를 들어 공기 또는 불활성 가스일 수 있다.
관(4) 내에서, 주변 공기를 흡입하는 공정 가스 입구(5) 상에는 팬이 배치될 수 있다. 대안적으로 공정 가스 입구(5)는 압축 공기 저장소와 연결될 수 있다. 공정 가스 출구(6)에는 노즐이 배치될 수 있으며, 이 노즐은 발생된 플라즈마를 원하는 형상의 플라즈마 빔으로 분출할 수 있게 한다.
압전 변환기(2)는 관(4) 내에 배치되어 있어 플라즈마 발생기(1) 작동 시 공정 가스가 그 주위로 흐른다. 압전 변환기(2)의 출력측에서는 공정 가스가 이온화된다. 이러한 이온화 또한, 도 1에 화살표로 표시되어 있다. 공정 가스의 조성에 의해서는 압전 변환기(2)의 출력측에서 발생된 플라즈마 내에서의 양이온과 음이온의 비율이 미리 결정된다.
그러나 본 플라즈마 발생기(1)에서는 상기와 같이 미리 결정된 양이온과 음이온 비율을 변경하는 것이 가능하다. 이를 위해, 플라즈마 발생기(1)는 관 내에 배치된 이온 분리 전극(7)을 갖는다. 이 이온 분리 전극(7)은 압전 변환기(2)와 공정 가스 출구(6) 사이에 배치되어 있다. 따라서 압전 변환기(2)에 의해 이온화된 공정 가스가 이온 분리 전극(7) 옆을 지나 안내된다. 이 경우 이온 분리 전극(7)은 대체로 압전 변환기(2)부터 멀리 떨어져 배치되어 상기 변환기의 상대 전극으로서 작용하지 않는다. 또한, 플라즈마 발생기(1)는 제2 구동 회로(8)를 갖는다. 이러한 제2 구동 회로(8)는 이온 분리 전극(7)에 전위를 인가할 수 있도록 한다.
도 1에 도시된 실시예에서, 제2 구동 회로(8)는 기준 전위, 예를 들어 접지 전위에 대한 양의 전위를 이온 분리 전극(7)에 인가하도록 설계되어 있다. 따라서 이온 분리 전극(7)은 이온화된 공정 가스의 음이온을 끌어당기고, 이온화된 공정 가스의 양이온을 밀어낸다. 이 경우 음이온의 일부는, 음이온이 이온 분리 전극(7)에 충돌하여 공정 가스 출구(6)에 도달하지 않도록 이온 분리 전극(7)에 의해 끌어 당겨진다. 이러한 방식으로 플라즈마 발생기(1)에 의해 분출된 플라즈마 내에서 음이온의 비율이 감소될 수 있고, 따라서 양이온과 음이온의 비율이 변경될 수 있다.
이에 따라 플라즈마 발생기(1)는 진공 삼극관(vacuum triode)에 상응하는 원리를 사용하며, 이 경우 가스 흐름은 이온 수송을 담당하지만, 진공 삼극관의 경우와 같이 애노드와 캐소드 사이 전압을 담당하지는 않는다.
그러나 공정 가스 내 모든 음이온은, 이러한 음이온이 공정 가스 출구(6)에 도달하지 않을 정도로 이온 분리 전극(7)에 의해 끌어당겨 지지 않는다. 오히려 음이온의 일부만, 이들 이온이 공정 가스 출구(6)에 도달하지 않을 정도로 이온 분리 전극(7)에 의해 매우 강하게 편향된다. 따라서 부분 분리가 발생한다.
한편, 이온 분리 전극(7)에 인가되는 전위가 증가하거나 감소하면, 공정 가스 흐름으로부터 여과된 음이온의 비율이 증가하거나 감소할 수 있다.
제2 구동 회로(8)는 변환기(9)를 갖는다. 이 변환기(9)는 예를 들어 제2 압전 변환기일 수 있다. 제2 구동 회로(8)는 변환기(9)의 입력측에 교류 입력 전압을 인가한다. 변환기(9)의 출력측에서, 교류 출력 전압이 측정될 수 있다. 이러한 전압은 고전압이다. 제2 구동 회로(8)는 변환기(9)에 인가되는 입력 전압이 조정 가능하도록 설계되어 있다. 이러한 입력 전압을 조정함으로써, 이온 분리 전극(7)에 인가되는 전위를 변경될 수 있다.
변환기(9)의 출력은 교류 출력 전압의 정류 및 평활 회로(10)와 연결되어 있다. 이러한 정류 및 평활 회로(10)는 변환기(9)에 의해 생성된 교류 고전압을 준 정적 고전압으로 변환한다. 정류 및 평활 회로(10)는 2개의 다이오드(11) 및 커패시터(12)를 갖는다. 2개의 다이오드(11)를 통해서 변환기(9)에 의해 생성된 고전압이 정류된다. 커패시터(12)에 의해서는 전압이 평활화된다. 도 1에 도시된 실시예에서는 이러한 방식으로 접지에 대해 양의 전위가 발생되고, 이러한 양의 전위는 이온 분리 전극(7)에 인가된다.
제2 구동회로(8)는 또한, 다이오드(11)가 역전될 수 있도록 설계되어 있으며, 그 결과 이러한 경우에는 이온 분리 전극(7)에 인가되는 음의 전위가 발생된다. 이 경우 양이온은 이온 분리 전극(7)으로부터 끌어 당겨진다. 따라서 플라즈마 내에서 양이온의 비율이 감소되고, 이러한 방식으로 양이온과 음이온의 비율이 원하는 방식으로 조정될 수 있다.
제2 구동 회로(8)는, 음 전위를 발생시키는 배치와 양의 전위를 발생시키는 배치 사이에서 전환 가능하게 하는 스위칭 소자를 더 포함할 수 있다. 이들 스위칭 소자는 2개의 고전압 리드 릴레이(high voltage reed relay)일 수 있다.
도 1에 도시된 실시예에서, 이온 분리 전극(7)은 격자형이다. 이러한 이온 분리 전극은 관(4)의 직경보다 단지 약간 작은 직경을 갖는다. 따라서 거의 모든 이온화된 공정 가스가 격자 내의 개구를 통과한다. 이러한 방식으로, 이온의 효과적인 분리가 이루어질 수 있다.
도 2는 플라즈마 발생기(1)의 제2 실시예를 도시한다. 도 2에 도시된 실시 예는 이온 분리 전극(7)의 실시예에서 도 1의 실시예와 다르다. 이온 분리 전극(7)은 금속관에 의해 형성된다. 이러한 금속관은 관(4) 내에 동심으로 배치되어 있다.
예를 들어, 이온 분리 전극(7)에 양의 전위가 인가되면, 금속관 내 음이온은 반경 외측으로 편향된다. 양이온은 이온 분리 전극(7)의 중심에 집중된다. 이러한 방식으로 일정 비율의 음이온이 공정 가스 출구(6)에 도달하지 않도록 너무 많이 편향되기 때문에, 양이온의 비율이 증가되는 방식으로 생성된 플라즈마 빔에서 이온 분포를 조정하는 것이 가능할 수 있다.
이온 분리 전극(7)에 인가되는 전위가 분극화되면, 아날로그 음이온은 플라즈마 빔 내부에 집중되고, 양이온은 반경 방향 외측으로 편향된다.
제2 구동 회로(8)를 통해서는 이온 분리 전극(7) 전위에 인가되는 전위가 원하는 방식으로 조정될 수 있으며, 따라서 양이온과 음이온의 비율이 조정될 수 있다.
1: 플라즈마 발생기
2: 압전 변환기
3: 제1 구동 회로
4: 관
5: 공정 가스 입구
6: 공정 가스 출구
7: 이온 분리 전극
8: 제2 구동 회로
9: 압전 변환기
10: 정류 및 평활 회로
11: 다이오드
12: 커패시터

Claims (13)

  1. 공정 가스를 이온화하는 압전 변환기(piezoelectric transformer)(2),
    이온 분리 전극(ion separation electrode)(7) 및
    상기 이온 분리 전극(7)에 전위를 인가하는 구동 회로(8)를 구비하고,
    상기 압전 변환기(2)가 단부 표면(end surface)을 갖고, 상기 압전 변환기의 단부 표면에서 발생된 고전압을 통해 공정 가스를 직접 이온화하도록 설계되고,
    상기 구동 회로(8)는 적어도 하나의 다이오드를 포함하고,
    상기 구동 회로(8)는 하나 이상의 다이오드(11)를 구비하고, 그리고 상기 구동 회로(8)가 상기 다이오드(11)에 인가된 전위의 극성을 전환하도록 설계되어 양이온과 음이온의 비율을 반전시키기는, 플라즈마 발생기(1).
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생기는 공정 가스를 관류시키고, 상기 공정 가스는 상기 압전 변환기(2)에 의해 이온화되고, 이어서 상기 이온 분리 전극(7)을 통해 안내되는, 플라즈마 발생기(1).
  3. 제1항 또는 제2항 있어서, 상기 이온 분리 전극(7)에 인가되는 전위가 상기 플라즈마 발생기(1)에 의해 생성된 플라즈마 내에서의 양이온과 음이온의 비율을 결정하는, 플라즈마 발생기(1).
  4. 제1항에 있어서, 공정 가스 입구(5)와 공정 가스 출구(6)를 연결하는 관(4)을 구비하고, 이 관(4) 내에 상기 압전 변환기(2) 및 상기 이온 분리 전극(7)이 배치되어 있으며, 상기 이온 분리 전극(7)은 상기 압전 변환기(2)와 공정 가스 출구(6) 사이에 배치되어 있는, 플라즈마 발생기(1).
  5. 제1항에 있어서, 상기 이온 분리 전극(7)에 인가되는 전위가 변경 가능하도록 상기 구동 회로(8)가 조정될 수 있는, 플라즈마 발생기(1).
  6. 제1항에 있어서, 상기 구동 회로(8)가 교류 출력 전압을 발생시키는 변환기(9) 및 상기 교류 출력 전압의 정류 및 평활을 위한 회로(circuit for rectifying and smoothing)(10)를 구비하고, 상기 교류 출력 전압의 정류 및 평활 회로(10)가 상기 이온 분리 전극(7)과 연결되어 있는, 플라즈마 발생기(1).
  7. 제1항에 있어서, 상기 이온 분리 전극(7)이 격자형이거나, 상기 이온 분리 전극(7)이 금속관을 구비하는, 플라즈마 발생기(1).
  8. 제1항에 있어서, 상기 압전 변환기(2)가 대기압 비열 플라즈마(atmospheric non-thermal plasma)를 생성하는, 플라즈마 발생기(1).
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서, 상기 단부 표면은 상기 압전 변환기의 출력측 단부면인, 플라즈마 발생기(1).
  11. 압전 변환기(2), 이온 분리 전극(7) 및 구동 회로(8)를 구비하는, 플라즈마 발생기(1)에 의해 생성된 플라즈마 내에서 양이온과 음이온의 비율을 조정하는 방법으로서,
    상기 방법이
    - 상기 압전 변환기(2)에 의해 이온화되고, 이어서 상기 이온 분리 전극(7)을 통과한 공정 가스가 플라즈마 발생기(1)를 관류하는 단계,
    - 양이온과 음이온의 비율을 조정하기 위해 상기 구동 회로(8)에 의해 상기 이온 분리 전극(7)로 인가된 전위를 조정하는 단계를 포함하고,
    상기 압전 변환기(2)는 단부 표면(end surface)을 갖고, 상기 압전 변환기의 단부 표면에서 발생된 고전압을 통해 공정 가스를 직접 이온화하며,
    상기 구동 회로(8)가 하나 이상의 다이오드(11)를 구비하고, 상기 방법이
    - 상기 이온 분리 전극(7)에 인가된 전위의 극성을 전환하고 양이온과 음이온의 비율을 반전시키기 위해 다이오드(11)를 반전시키는 단계를 포함하는, 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 구동 회로(8)가 입력 전압이 인가되고 출력 교류 전압을 발생시키는 변환기(9)를 구비하고, 상기 구동 회로(8)에 의해 상기 이온 분리 전극(7)으로 인가된 전위를 조정하는 단계에서, 상기 변환기(9)에 인가되는 입력 전압이 변경되는, 방법.
  13. 삭제
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