KR102098470B1 - 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭 및 이의 제조 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 고온용 금속 히터블럭은 모재를 크롬몰리강 또는 스테인레스스틸을 위주로 하고, 그 표면을 불소계 플라즈마에 내구성을 갖는 물질로 용사코팅하여 이루어지며, 이러한 구성에 의해 플라즈마 기상화학 증착 공정온도 550℃ 내지 700℃의 온도범위에서 사용가능한 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭을 제공한다.

Description

반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭 및 이의 제조 방법{HIGH TEMPERATURE METAL HEATER BLOCK FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼용 화학기상증착 공정에서의 기판을 균일한 온도로 가열하는 반도체 웨이퍼 발열체로서의 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
현재 알루미늄을 포함한 다양한 금속 히터블럭은 반도체 화학기상증착 장비에서 웨이퍼 발열체(susceptor)로 사용이 되고 있다.
하지만, 알루미늄 히터블럭은 고온변형 등을 고려하여 최고온도 490도(℃) 정도까지만 사용가능하고, 490도(℃) 이상의 고온공정에서는 질화알루미늄(AlN)과 같은 세라믹 히터블럭이 주로 사용되고 있는 실정이다.
대체로 DRAM 공정에서 Ti 증착공정은 TiCl4, H2를 TiN 증착공정은 TiCl4, NH3를 각각 이용하여 증착하는데 이 때 공정온도 범위가 대략 450 ~ 650℃이다.
따라서 질화알루미늄과 같은 세라믹 히터블럭 이외에 금속히터블럭을 사용하려면 융점이 충분히 높고, 불소계 플라즈마에 내식성을 갖는 금속히터블럭의 구조 설계가 필요하다고 하겠다.
상기 언급한 바와 같이 490℃ 이상의 공정온도에서는 시장에서 주로 질화알루미늄 히터블럭이 주로 사용되고 있는데, 질화알루미늄 파우더 원재료 가격 및 제작비용 측면에서 고가의 비용이 요구될 뿐만 아니라, 질화알루미늄 히터블럭의 경우 열충격에 의한 크랙방지를 위하여 승온속도를 15℃/min 이하로만 유지해야 하는 문제가 있다.
또한, 질화알루미늄의 경우 소결공정을 통해 제조되기 때문에 반도체 웨이퍼 공정 이외에 대면적 태양전지 제조용 플라즈마 기상화학증착 공정에 적용 가능한 다양한 형태의 히터블럭 제조에 있어서는 금속히터블럭 제조 공정이 질화알루미늄 제조공정 보다 좀 더 유연한 공정으로 대응할 수 있는 장점이 있다고 할 수 있다.
한편 질화알루미늄을 구성하는 알루미늄과 질소 사이의 결합에너지가 만족할 만큼 높지 않아, 고온 불소플라즈마 공정에서 파티클을 많이 발생시키는 문제가 있는 것 또한 사실이다.
그러므로 질화알루미늄 히터블럭에 비해 원재료 비용 및 가공비용이 상대적으로 저렴할 뿐만 아니라, 15℃/min 이상의 승온 속도에도 열충격에 의한 히터블럭 파손 영향을 받지 않고, 열변형 문제도 다른 어떤 금속 보다 낮아, 공정온도 700℃까지의 플라즈마 기상화학증착 공정에 적용이 가능한 히터블럭이 요구된다.
또한, 반도체 디바이스 제조 공정 중 플라즈마 기상화학 증착 공정의 경우, 일정 시간 증착 공정을 진행한 후에는 챔버 내부를 플라즈마 세정을 통해 챔버벽, 히터블럭 표면 등의 기상화학 증착 잔류물 들을 없애줘야 한다.
이 경우 주로 C2F6-O2, C2F6-O2-NF3, NF3, NF3-He, NF3-Ar, CF4, CF4-O2 F2-Ar-N2 등 불소계 플라즈마를 사용하게 되는데, 이때 서셉터로 사용되는 히터블럭 표면이 집중적으로 불소계 플라즈마로부터 공격을 받게 된다.
이때 표면손상이 최소화 되어야 하고, 파티클 발생이 최소화 될 수 있어야 하는데, 이를 위해서는 원자간 결합에너지가 상당히 높은 물질이 히터블럭 표면을 구성해야 하는 것이 필수 요건이 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 배경기술로는 대한민국 등록특허공보 10-1053788호(2011.07.28)에 반도체 웨이퍼 히팅장치 및 이의 제조방법에 관한 것이 개시되어 있다.
상기 선행특허는 카본 소재, 그래파이트소재 내지 카본 혼합물을 원재료로서 장치를 제조하고 이에 알루미늄(Al)을 모재로 하는 코팅막을 형성하여 절연 효과가 우수한 반도체 웨이퍼 가공장치 및 이를 제조하는 방법을 개시하나, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도 범위에서 사용가능한 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭을 제공하기는 아직까지 그 기술 수준이 부족한 실정이다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 고온용 금속히터블럭의 모재로서 크롬몰리강 또는 스테인레스스틸을 위주로 하고 그 표면을 불소계 플라즈마에 내구성을 갖는 물질로 용사코팅함으로써, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도의 700℃까지 적용이 가능하며 불소계 플라즈마 내구성을 갖는 금속 히터블럭을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 공정온도가 상온에서 550℃까지 사용할 수 있는 히터블럭과 상온에서 700℃까지 사용할 수 있는 2종의 고온 금속 히터블럭의 제조 방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
본 발명은 상술한 목적을 달성하기 위하여, 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭에 있어서, 크롬몰리강 및 스테인레스스틸을 위주로 조성되는 금속 모재, 상기 금속 모재의 표면상에 형성되어 접착층 기능을 제공하는 제1 코팅층, 상기 제1 코팅층에 접착되고 불소계 플라즈마 내구성을 갖는 기능을 제공하는 제2 코팅층 및 히터블럭 내부의 열선과, 열선 주위를 둘러싸고 있는 절연물질과, 상기 열선 및 상기 절연물질을 감싸는 금속시즈를 구성하여 고온에서의 누설전류를 최소화시키기 위한 고온 시즈히터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭인 경우의 상기 제1 코팅층은 NiAl 또는 NiCrAlY 합금파우더 중의 어느 하나의 합금파우더 코팅막으로 형성되고, 상기 NiAl 합금파우더의 알루미늄 조성은 5 내지 20 중량%로 범위이고, 상기 NiCrAlY 합금파우더의 합금 조성은 Ni-Cr이 21 내지 32 중량%, Al이 5 내지 12.5 중량%, 및 Y가 0.4 내지 1.2 중량% 범위로 형성되고, 상기 NiAl 및 NiCrAlY 합금파우더의 순도는 99.6% 이상이고, 입도는 35 내지 150㎛ 범위로 하여 용사코팅 방식으로 50 내지 150㎛범위의 두께를 갖는 코팅막이 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭인 경우의 상기 제2 코팅층은 Al 코팅막으로 형성되며, 상기 Al 코팅막은 순도 99.6% 이상의 Al 파우더이고, 입도는 35 내지 150㎛범위로 하여 용사코팅 방식으로 300 내지 500㎛범위의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우의 상기 제1 코팅층은 Ni-Cr이 21 내지 32 중량%, Al이 5 내지 12.5 중량% 및 Y이 0.4 내지 1.2 중량% 범위로 조성되는 NiCrAlY 합금파우더를 사용하여 형성되는 코팅막으로, 상기 NiCrAlY 합금파우더의 순도는 99.6% 이상이고, 입도는 35 내지 150㎛ 범위로 하여 용사코팅 방식으로 50 내지 250㎛ 범위의 두께를 갖는 코팅막을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 본 발명은 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭의 제조 방법에 있어서, 히터블럭의 크롬몰리강, 스테인레스스틸을 위주로 조성되는 금속 모재 표면 위에 용사코팅 방식으로 접착 기능을 갖도록 제1 코팅층을 형성하는 제1단계, 상기 제1 코팅층 위에 용사코팅 방식으로 불소계 플라즈마 내구성을 갖도록 제2 코팅층을 형성하는 제2단계, 상기 제1단계 내지 제2단계에서 형성된 히터블럭을 진공도 10-2 내지 10-3 토르(Torr)하에서, 상기 히터블럭에 소정의 표면온도를 적용하여 23 내지 25시간 진공 열처리하여 상기 제1코팅층 및 제2코팅층 내의 기공을 최소화하는 제3단계 및 상기 제3단계에서 생성된 히터블럭 표면을 기계가공을 통해 연마하여 표면조도를 낮추는 제4단계로 이루어지는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 상기 제1 코팅층은 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에는 합금파우더의 알루미늄 조성이 5 내지 20 중량%로 범위로 조성되는 NiAl 합금파우더, 또는 Ni-Cr이 21 내지 32 중량%, Al이 5 내지 12.5 중량%, 및 Y이 0.4 내지 1.2 중량% 범위로 조성되는 NiCrAlY 합금파우더 중 어느 하나를 사용하여 형성되는 코팅막이고, 상기 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에 있어서는, Ni-Cr이 21 내지 32 중량%, Al이 5 내지 12.5% 및 Y이 0.4 내지 1.2% 범위로 조성되는 NiCrAlY 합금파우더를 사용하여 형성되는 코팅막일 수 있다.
또한, 본 발명의 상기 제2 코팅층은 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에는 Al으로 형성되는 코팅막이고, 상기 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에 있어서는, 금속 바인더로서의 Al, Y 및 Ni의 조성 범위가 1 내지 15중량% 범위를 갖는 Al-Y2O3, Al-YAG, Ni-Y2O3, Ni-YAG, Y-Y2O3, Y-YAG 로 구성되는 금속-세라믹 복합체막인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 제3단계에서 적용되는 상기 표면온도는 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에는 최고온도 620℃까지 코팅막의 크립(creep) 현상이 나타나지 않고, 상기 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에는 최고온도 700℃까지 코팅막의 크립(creep) 현상이 나타나지 않는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭은 질화알루미늄 히터블럭에 비해 원재료 비용 및 가공비용이 상대적으로 저렴할 뿐만 아니라, 15℃/min 이상의 승온 속도에도 열충격에 의한 히터블럭 파손 영향을 받지 않고, 열변형 문제도 다른 어떤 금속 보다 낮아, 공정온도 650℃까지의 플라즈마 기상화학증착 공정에 적용이 가능한 장점이 있다.
또한, 본 발명은 고온 불소플라즈마 공정 시 만들어지는 Al-F, Y-F, Ni-F 화합물의 결합에너지가 질화알루미늄 화합물의 결합에너지 보다 높아, 고온금속히터 제조공정을 최적화하는 경우 기존 질화알루미늄 히터블럭 보다 챔버 플라즈마 세정시 파티클 발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 태양전지와 같이 대면적 플라즈마 기상화학 증착 공정의 경우 금속 모재에 Al/NiAlx, Al/NiCrAlY, Al-Y2O3/NiCrAlY, Al-YAG/NiCrAlY, Ni-Y2O3/NiCrAlY, Ni-YAG/NiCrAlY, Y-Y2O3/NiCrAlY, Y-YAG/NiCrAlY 중에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 재료로 코팅하여 고온 금속 히터블럭을 제작하는 경우 질화알루미늄 소결공정으로 접근하는 것 보다 경제성을 더 높일 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 형태의 히터블럭 제조의 자유도에 있어서도 질화알루미늄 제조 공정 자유도 보다 높은 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 크롬몰리강 등에 기초하는 고온용 금속 히터블럭의 개요도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예이 따른 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭의 제조 방법의 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 2중 시즈를 갖는 고온용 시즈히터의 개요도이다.
도 4는 상기 도 4의 B-B선 단면도를 보여주는 예시도이다.
도 5의 (a)는 본 발명의 일실시예에 따른 크롬몰리강에 Al(330㎛)/NiAl(80㎛) 코팅 한 후 490℃에서 24시간 NF3 플라즈마 처리한 샘플을 보여주는 예시도이고, 도 5의 (b)는 AlN 소결체 샘플로서 490℃에서 24시간 NF3 플라즈마 처리한 샘플을 보여주는 예시도이다.
도 6은 상기 도 5의 (a)에 대한 XRD 분석 결과를 보여주는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 크롬몰리강 시편에 각각 10중량%와 20중량%의 Y2O3-Al(300㎛)/NiAl(80㎛) 코팅한 후 550℃ 온도에서 NF3 플라즈마 21시간 처리한 표면의 광학현미경 사진(x18)의 예시도이다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 고온용 금속 히터블럭의 개략도이다.
도 1에 도시한 바와 같이 본 발명의 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭(100)은 금속 모재(110), 제1 코팅층(120), 제2 코팅층(130), 시즈히터(140) 및 관련 부가 장치들로 이루어진다.
본 실시예에서 상기 금속 모재(110)는 크롬몰리강, 스테인레스스틸 또는 이들 모두를 위주로 이루어지는 특징이 있다.
상기 크롬몰리강은 크롬과 몰리브데넘이 합금된 철로 크로몰리브덴강, 크로몰리, 크로몰리강 또는 크롬몰리강이라고 지칭되기도 하나 본 실시예에서는 크롬몰리강으로 지칭하기로 한다.
크롬몰리강(4340)의 기계적 특성 및 조성을 나타내면 다음의 표 1과 같다.
Figure 112018052873312-pat00001
상기 제1 코팅층(120)은 상기 금속 모재(110)의 표면상에 형성되어 접착층 기능을 제공하는 코팅막이다.
상기 제2 코팅층(130)은 상기 제1 코팅층(120)에 접착되고 불소계 플라즈마 내구성을 갖는 기능을 제공하는 코팅막이다.
상기 시즈히터(140)는 히터블럭 내부의 열선(143)과, 열선 주위를 둘러싸고 있는 절연물질과, 상기 열선 및 상기 절연물질를 감싸는 이중 금속시즈를 구성되어 고온에서의 누설전류를 최소화시키기 위한 고온 시즈히터이다.
상기 고온 시스히터는 발열부, 비발열부로 구성될 수 있으며, 단자 부분은 수분 침투 방지를 위해 유기물, 무기물 등의 실링제(도 1의 14a, 14b 참조)로 밀봉되게 된다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 2중 시즈를 갖는 고온용 시즈히터의 개요도이고, 도 4는 상기 도 4의 B-B선 단면도를 보여주는 예시도이다.
도시와 같이 본 발명의 상기 시즈히터(140)는 내부에 제1 절연공간(144)을 구비하는 내부시즈(141), 상기 내부시즈(141) 외측에 일정 간격 이격되어 배치되는 외부시즈(142), 상기 내부시즈(141)와 상기 외부시즈(142) 사이의 제2 절연공간(145) 및 상기 제1 절연공간(144) 및 제2 절연공간(145)에 채워지는 절연물질로서 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄 및 알루미나 중에서 선택된 파우더 상태의 단일물질 또는 2이상의 혼합물질을 구비하며, 상기 내부시즈(141)는 외부의 접지단자에 접지되어 상기 내부시즈(141)에 쌓이는 전하를 실시간으로 제거함으로써 상기 외부시즈(142)를 통해 누출되는 전류를 감소시키는 효과를 제공하며 히팅 온도가 500℃ 이상에서 사용될 수 있는 고온 시즈히터이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭 및 그 제작 방법에 있어서, 공정온도가 상온에서 550℃까지 사용할 수 있는 히터블럭과 상온에서 650℃까지 사용할 수 있는 히터블럭, 모두 2종의 히터블럭을 개시하는 것으로서 이를 구별하여 설명하면 다음과 같다.
먼저 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭인 경우의 상기 제1 코팅층(120)은 NiAl 또는 NiCrAlY 합금파우더 중의 어느 하나의 합금파우더 코팅막으로 형성되어진다.
이때 상기 NiAl 합금파우더의 알루미늄 조성은 5 내지 20 중량%로 범위로 형성될 수 있다.
또한, 상기 NiCrAlY 합금파우더의 합금 조성은 Ni-Cr이 21 내지 32 중량%, Al이 5 내지 12.5 중량% 및 Y가 0.4 내지 1.2 중량% 범위로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 코팅층(120)은 상기 NiAl 및 NiCrAlY 합금파우더의 순도는 99.6% 이상이고, 입도는 35 내지 150㎛ 범위로 하여 용사코팅 방식으로 50 내지 150㎛ 범위의 두께를 갖는 코팅막으로 형성될 수 있다.
그리고 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭인 경우의 상기 제2 코팅층(130)은 Al 코팅막으로 형성될 수 있다.
이때 상기 Al 코팅막은 순도 99.6% 이상의 Al 파우더이고, 입도는 35 내지 150㎛ 범위로 하여 용사코팅 방식으로 300 내지 500㎛ 범위의 두께를 갖게 형성될 수 있다.
두 번째로 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에 있어서, 상기 제1 코팅층(120)은 Ni-Cr이 21 내지 32 중량%, Al이 5 내지 12.5 중량% 및 Y이 0.4 내지 1.2 중량% 범위로 조성되는 NiCrAlY 합금파우더를 사용하여 형성되는 코팅막으로 형성될 수 있다.
이때 상기 NiCrAlY 합금파우더의 순도는 99.6% 이상이고, 입도는 35 내지 150㎛ 범위로 하여 용사코팅 방식으로 50 내지 250㎛ 범위의 두께를 갖는 코팅막을 형성할 수 있다.
또한, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우의 상기 제2 코팅층(130)은 금속 바인더로서의 Al, Y 및 Ni의 조성 범위가 1 내지 15 중량% 범위를 갖는 Al-Y2O3, Al-YAG, Ni-Y2O3, Ni-YAG, Y-Y2O3, Y-YAG 그룹에서 선택되는 적어도 하나 이상의 재료로 구성되는 금속-세라믹 복합체막인 것을 특징으로 할 수 있다.
여기서 상기 제2 코팅층(130)은 Al, Y, Ni, Y2O3 및 YAG 각각의 순도가 99.6% 이상이고, 입도는 35~150㎛ 범위의 파우더를 사용하여 용사코팅 방식으로 두께 250 내지 400㎛ 범위의 금속 세라믹 코팅막을 형성할 수 있는 것이다.
그러므로 본 발명에서 적용된 코팅층의 경우 고온에서 불소플라즈마를 만나면 표면에서 Al-F, Ni-F, Y-F 결합이 새롭게 형성되는데, 이 경우 모두 Al-N 결합에너지 보다 높아 불소계 플라즈마를 이용한 챔버 세정시 파티클 발생 수준을 질화알루미늄 히터블럭 보다 낮게 유지할 수 있는 효과가 발생할 수 있는 것이다.
표 2는 본 발명에서 적용된 물질에서 두원자 간 결합에너지를 보여준다.
Figure 112018052873312-pat00002
표 2에서 볼 수 있듯이 Al-N 결합에너지가 365±15 kJ mol-1 이하의 수준으로 이보다 높은 결합력을 갖는 물질을 히터블럭 표면에 코팅해주면 불소 플라즈마 세정공정시 히터블럭 표면에서 발생하는 파티클 양을 감소시켜줄 수 있는 것으로서, 이를 위해서는 히터블럭 표면에 Al-F, Al-F-Y-O, F-Y-O 결합이 존재할 수 있는 코팅막을 적용하는 것이 필요함을 알 수 있다.
이에 상기 결합물질을 금속 모재 위에 2중으로 용사코팅하여 제작된 본 발명의 히터블럭이 고온에서 불소 플라즈마 처리 공정 중 불소계 플라즈마 화학 반응에 의해 불소원자와 결합된 막을 형성케 함으로써 챔버 플라즈마 세정공정에서 불소플라즈마의 내구성을 확보할 수 있게 하는 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭의 제조 방법의 흐름도이다.
도 2와 같이 본 발명의 히터블럭은 제1 코팅층을 형성하는 제1단계(S100), 제2 코팅층을 형성하는 제2단계(S200), 진공 열처리를 하는 제3단계(S300) 및 기계가공을 하는 제4단계(S400)를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제1단계(S100)는 크롬몰리강 및 스테인레스스틸을 위주로 조성되는 금속 모재의 표면 위에 용사코팅 방식으로 접착 기능을 갖도록 제1 코팅층을 형성하는 단계이다.
상기 제2단계(S200)는 상기 제1 코팅층 위에 용사코팅 방식으로 불소계 플라즈마 내구성을 갖도록 제2 코팅층을 형성하는 단계이다.
상기 제3단계(S300)는 상기 제1단계(S100) 내지 제2단계(S200)에서 형성된 히터블럭을 진공도 10-2 내지 10-3 Torr 분위기에서, 상기 히터블럭에 소정의 표면온도를 적용하여 23 내지 25시간 진공 열처리하여 상압 고온 용사코팅에서 만들어진 상기 제1코팅층 및 제2코팅층 내의 기공을 최소화하는 단계이다.
상기 제4단계(S400)는 상기 제3단계(S300)에서 생성된 히터블럭 표면을 밀링 및 연마의 기계가공을 통해 상기 제2 코팅층의 표면을 80 내지 150㎛으로 밀링 후 연마하여 표면조도를 낮추는 단계이다.
여기서 상기 제1 코팅층은 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에는, 합금파우더의 알루미늄 조성이 5 내지 20 중량% 범위인 NiAl 합금파우더, 또는 Ni-Cr을 21 내지 32 중량%, Al을 5 내지 12.5 중량%, 및 이트륨(Y)을 0.4 내지 1.2 중량% 범위로 함유하는 NiCrAlY 합금파우더 중 어느 하나를 사용하여 형성되는 코팅막일 수 있다.
또한, 상기 제1 코팅층이 상기 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에 있어서는, Ni-Cr을 21 내지 32 중량%, Al을 5 내지 12.5 중량%, 및 Y을 0.4 내지 1.2 중량% 범위로 함유하는 NiCrAlY 합금파우더를 사용하여 형성되는 코팅막일 수 있다.
그리고 제2 코팅층은 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에는 Al으로 형성되는 코팅막일 수 있다.
또한, 제2 코팅층은, 상기 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에, 금속 바인더로서의 Al, Y 및 Ni의 조성 범위가 1 내지 15 중량% 범위를 갖는 Al-Y2O3, Al-YAG, Ni-Y2O3, Ni-YAG, Y-Y2O3, Y-YAG 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 재료로 형성되는 금속-세라믹 복합체막인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제3단계(S300)에서 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에는 상기 표면온도가 620℃이고, 상기 공정온도가 상온에서 650℃ 공정 분위기에 적용되는 히터블럭의 경우에는 상기 표면온도를 700℃로 적용할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 고온용 금속히터블럭을 제작함에 있어서 모재는 금속 모재로서 경제성이 높고, 열변형이 낮은 반면 열전도율이 상대적으로 높은 크롬몰리강을 위주로 하고, 그 표면을 불소계 플라즈마에 내구성을 갖는 물질로 용사코팅하여 플라즈마 기상화학 증착 공정온도까지의 온도범위에서 사용가능한 금속 히터블럭을 제공하고 있다. 한편, 스테인레스스틸도 본 발명의 히터블럭의 모재 재료로서 적용이 가능하다.
이를 위하여 우선 공정온도가 상온에서 550℃ 범위의 히터블럭의 경우 히터블럭의 모재는 크롬몰리강 혹은 스테인레스스틸을 위주로 사용하고, 그 위에 용사코팅(Thermal Spray) 방식으로 NiAl, NiCrAlY와 같은 접착층을 형성시킨 후 그 위에 알루미늄을 용사코팅하여 불소계 플라즈마 내구성을 갖는 히터블럭 제조방법을 적용할 수 있다.
또한, 공정온도가 상온에서 650℃까지 사용가능한 히터블럭의 경우, 히터블럭의 모재는 동일하게 크롬몰리강 혹은 스테인레스스틸을 위주로 사용하는 반면, 그 위에 용사코팅으로 NiCrAlY와 같은 고온용 접착층을 형성시킨 후 그 위에 Al-Y2O3, Al-YAG, Ni-Y2O3, Ni-YAG, Y-Y2O3, Y-YAG(Yttrium Aluminum Garnet) 그룹에서 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 재료로 이루어지는 복합막을 용사코팅 방식으로 제작할 수 있다.
이를 바탕으로 상기 샘플 모두 IPA를 적신 티슈로 같은 횟수 문질렀을 때 묻어나오는 파티클의 양이 샘플 (a)의 경우가 더 적음을 확인할 수 있다. 도 5의 (a)는 본 발명의 일실시예에 따른 크롬몰리강에 Al(330㎛)/NiAl20%(80㎛)를 코팅한 후 490℃에서 24시간 NF3 플라즈마 처리한 샘플을 예시적으로 보여주고, 도 5의 (b)는 AlN 소결체 샘플로서 490℃에서 24시간 NF3 플라즈마 처리한 샘플을 예시적으로 보여준다.
도 6은 상기 도 5의 샘플 (a)에 대한 XRD 분석 결과를 보여주는 그래프로서, 이 결과를 통해 Al 표면이 NF3 플라즈마를 만나 Al-N 결합에너지(365±15 kJ mol-1)보다 큰 Al-F 결합에너지(675 kJ mol-1)을 갖는 AlF3 막이 형성되었음을 알 수 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 크롬몰리강 시편에 Y2O3-Al10% (300㎛)/NiAl20% (80㎛) 코팅한 후 550℃ 온도 분위기에서 NF3 플라즈마로 21시간 처리한 시편 표면의 광학현미경 사진(x18)의 예시도로서, NF3 플라즈마에 의한 어떠한 부식 포인트도 발생하지 않은 것을 알 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 설명하였지만, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람이라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
100: 히터블럭 110: 금속 모재
120: 제1 코팅층 130: 제2 코팅층
140: 시즈히터 141: 내부시즈
142: 외부시즈 143: 열선
144: 제1 절연공간 145: 제2 절연공간

Claims (16)

  1. 크롬몰리강으로 이루어지는 원통형 외부시즈;
    상기 외부시즈 내부에 동축 배열되는 원통형 내부시즈;
    상기 내부시즈 내부의 제1 절연공간에 배치되는 나선형 열선;
    상기 내부시즈 내부의 제1 절연공간에 채워지고, 상기 내부시즈와 상기 외부시즈와의 사이의 제2 절연공간에 채워지는 절연물질; 및
    상기 내부시즈의 일단부를 밀봉하고, 상기 외부시즈의 일단부와 상기 내부시즈의 일단부 사이를 밀봉하는 실링제를 구비하고,
    상기 외부시즈의 표면상에 형성되어 접착층 기능을 제공하는 제1 코팅층, 및 상기 제1 코팅층에 접착되고 불소계 플라즈마 내구성을 갖는 기능을 제공하는 제2 코팅층을 더 포함하며,
    상기 내부시즈는 외부의 접지단자에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 코팅층은, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭인 경우, NiAl 또는 NiCrAlY 합금파우더 중 어느 하나를 이용한 합금파우더 코팅막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 NiAl 합금파우더의 알루미늄 조성은 5 내지 20 중량% 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 NiCrAlY 합금파우더의 합금 조성은 Ni-Cr이 21 내지 32 중량%, Al이 5 내지 12.5 중량%, 그리고 Y가 0.4 내지 1.2 중량% 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 NiAl 및 NiCrAlY 합금파우더의 순도는 99.6% 이상이고, 입도는 35 내지 150㎛ 범위이며, 상기 코팅막은 용사코팅 방식으로 50 내지 150㎛ 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 코팅층은, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭인 경우, Al 코팅막인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 Al 코팅막은 순도 99.6% 이상의 Al 파우더를 함유하고, 입도는 35 내지 150㎛ 범위이며, 용사코팅 방식으로 300 내지 500㎛ 범위의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 코팅층은, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우, Ni-Cr을 21 내지 32 중량%, 알루미늄(Al)을 5 내지 12.5 중량%, 및 이트륨(Y)을 0.4 내지 1.2 중량% 범위로 함유하여 조성되는 NiCrAlY 합금파우더로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 코팅층은, 순도가 99.6% 이상이고, 입도가 35 내지 150㎛ 범위인 상기 NiCrAlY 합금파우더를 용사코팅 방식으로 50 내지 250㎛ 범위의 두께로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 코팅층은, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 650도(℃) 공정범위에 적용되는 히터블럭에서, 금속 바인더로서의 Al, Y 및 Ni의 조성 범위가 1 내지 15 중량% 범위를 갖는 Al-Y2O3, Al-YAG, Ni-Y2O3, Ni-YAG, Y-Y2O3, Y-YAG 또는 이들의 조합으로 구성되는 금속-세라믹 복합체막인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제2 코팅층은, Al, Y, Ni, Y2O3 및 YAG 각각의 순도가 99.6% 이상이고, 입도는 35~150㎛ 범위인 파우더를 사용하여 용사코팅 방식으로 두께 250 내지 400㎛ 범위의 금속 세라믹 코팅막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 고온 금속 히터블럭.
  12. 삭제
  13. 크롬몰리강으로 이루어지는 원통형 외부시즈, 상기 외부시즈 내부에 동축 배열되는 원통형 내부시즈, 상기 내부시즈 내부의 제1 절연공간에 배치되는 나선형 열선, 상기 내부시즈 내부의 제1 절연공간에 채워지고 상기 내부시즈와 상기 외부시즈와의 사이의 제2 절연공간에 채워지는 절연물질, 및 상기 내부시즈의 일단부를 밀봉하고 상기 외부시즈의 일단부와 상기 내부시즈의 일단부 사이를 밀봉하는 실링제를 구비하는 히터블럭의 표면 위에 용사코팅 방식으로 접착 기능을 갖도록 제1 코팅층을 형성하는 제1단계;
    상기 제1 코팅층 위에 용사코팅 방식으로 불소계 플라즈마 내구성을 갖도록 제2 코팅층을 형성하는 제2단계;
    상기 제1단계 내지 제2단계에서 형성된 히터블럭을 일정 진공도의 분위기에서, 상기 히터블럭에 소정의 표면온도를 적용하여 일정 시간 진공 열처리하여 상기 제1 코팅층 및 제2 코팅층 내의 기공을 최소화하는 제3단계; 및
    상기 제3단계에서 생성된 히터블럭 표면을 기계가공을 통해 연마하여 표면조도를 낮추는 제4단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고온 금속 히터블럭의 제조 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 코팅층은, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 내지 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭에서, 합금파우더의 알루미늄 조성이 5 내지 20 중량% 범위인 NiAl 합금파우더, 또는 Ni-Cr을 21 내지 32 중량%, Al을 5 내지 12.5 중량% 및 Y을 0.4 내지 1.2 중량% 범위로 함유하는 NiCrAlY 합금파우더 중 어느 하나를 사용하여 형성된 코팅막인 것을 특징으로 하는 고온 금속 히터블럭의 제조 방법.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 제2 코팅층은, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 내지 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭에서, Al으로 형성된 코팅막이거나, 혹은 금속 바인더로서의 Al, Y 및 Ni의 조성 범위가 1 내지 15% 범위를 갖는 Al-Y2O3, Al-YAG, Ni-Y2O3, Ni-YAG, Y-Y2O3, Y-YAG 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상의 재료로 형성된 금속-세라믹 복합체막인 것을 특징으로 하는 고온 금속 히터블럭의 제조 방법.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 제3단계에서 적용되는 상기 표면온도로서, 플라즈마 기상화학 증착 공정온도가 상온에서 550℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에는 최고온도 620℃까지 코팅막의 크립이 방지되고, 상기 공정온도가 상온에서 650℃ 공정범위에 적용되는 히터블럭의 경우에는 최고온도 700℃까지 코팅막의 크립이 방지되는 것을 특징으로 하는 고온 금속 히터블럭의 제조 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2950056B2 (ja) * 1992-01-08 1999-09-20 ダイキン工業株式会社 シーズヒータ及びシーズヒータを有する加熱装置
KR100702756B1 (ko) * 2000-08-21 2007-04-03 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 히터 유닛 및 그 제조 방법
US9663870B2 (en) * 2013-11-13 2017-05-30 Applied Materials, Inc. High purity metallic top coat for semiconductor manufacturing components

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013147679A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Tocalo Co Ltd フッ化物溶射皮膜被覆部材およびその製造方法

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