KR102094009B1 - 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치 - Google Patents

반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102094009B1
KR102094009B1 KR1020200004302A KR20200004302A KR102094009B1 KR 102094009 B1 KR102094009 B1 KR 102094009B1 KR 1020200004302 A KR1020200004302 A KR 1020200004302A KR 20200004302 A KR20200004302 A KR 20200004302A KR 102094009 B1 KR102094009 B1 KR 102094009B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical liquid
flow path
heat sink
chemical
liquid flow
Prior art date
Application number
KR1020200004302A
Other languages
English (en)
Inventor
방민철
Original Assignee
방민철
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 방민철 filed Critical 방민철
Priority to KR1020200004302A priority Critical patent/KR102094009B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102094009B1 publication Critical patent/KR102094009B1/ko
Priority to US17/145,379 priority patent/US11654451B2/en
Priority to CN202110040334.1A priority patent/CN113113327A/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1042—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material provided with means for heating or cooling the liquid or other fluent material in the supplying means upstream of the applying apparatus
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D7/00—Heat-exchange apparatus having stationary tubular conduit assemblies for both heat-exchange media, the media being in contact with different sides of a conduit wall
    • F28D7/10—Heat-exchange apparatus having stationary tubular conduit assemblies for both heat-exchange media, the media being in contact with different sides of a conduit wall the conduits being arranged one within the other, e.g. concentrically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D7/00—Heat-exchange apparatus having stationary tubular conduit assemblies for both heat-exchange media, the media being in contact with different sides of a conduit wall
    • F28D7/16—Heat-exchange apparatus having stationary tubular conduit assemblies for both heat-exchange media, the media being in contact with different sides of a conduit wall the conduits being arranged in parallel spaced relation
    • F28D7/1607—Heat-exchange apparatus having stationary tubular conduit assemblies for both heat-exchange media, the media being in contact with different sides of a conduit wall the conduits being arranged in parallel spaced relation with particular pattern of flow of the heat exchange media, e.g. change of flow direction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F13/00—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing
    • F28F13/06—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by affecting the pattern of flow of the heat-exchange media
    • F28F13/12—Arrangements for modifying heat-transfer, e.g. increasing, decreasing by affecting the pattern of flow of the heat-exchange media by creating turbulence, e.g. by stirring, by increasing the force of circulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H01L35/30—
    • H01L35/32—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

Abstract

반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치가 개시된다. 본 발명의 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치는, 약액 순환 공급관에 설치되어 약액의 온도를 제어하는 것으로서, 내부에 냉각수 유로가 형성된 제1 히트싱크부; 상기 제1 히트싱크부의 양측면에 각각 접촉되게 마련되는 복수의 열전모듈; 및 상기 제1 히트싱크부를 사이에 두고 상기 복수의 열전모듈과 각각 접촉하도록 제1 히트싱크부의 일측 및 타측에 각각 마련되는 제1 및 제2 히트싱크 블록과, 상기 제1 및 제2 히트싱크 블록과 각각 연결되며 약액이 각각 유입 및 배출되는 하나의 약액 유입관과 약액 배출관, 내부를 따라 약액(chemical liquid)이 유동하도록 제1 및 제2 히트싱크 블록 내측에 각각 삽입되되 상호간에 연통 가능함과 더불어 상기 하나의 약액 유입관과 약액 배출관과 각각 연통되는 복수의 약액 유로관을 포함하는 제2 히트싱크부를 포함하며, 상기 복수의 약액 유로관은 각각, 상기 제1 히트싱크부에 인접한 위치에 복수 열로 배치되는 복수의 제1열 약액 유로관; 및 상기 복수의 제1열 약액 유로관에 비해 상대적으로 제1 히트싱크부로부터 이격된 위치에 배치되되 제1 히트싱크부로부터의 이격거리가 서로 상이한 복수의 제n열(n은 2,3,4) 약액 유로관을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 제2 히트싱크부 내에 약액 유로를 단일 유로로 형성하지 않고 일정 이하의 직경을 갖는 다수의 약액 유로관을 형성하여 실질적으로 제2 히트싱크부로부터 약액으로의 열전달 효율을 향상시켜 약액의 온도 제어를 용이하고 효율적으로 수행할 수 있다.

Description

반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치{Temperature control apparatus for chemical liquid for manufacturing semiconductor}
본 발명은 열 발생원으로부터 발생된 열이 한층 효과적으로 약액으로 전달되도록 개선된 열전달 구조가 적용된 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 공정 및 LCD(Liquid Crystal Display) 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 다양한 약액들을 이용하여 기판의 공정을 진행한다.
예를 들어, 기판처리장치는 기판의 식각 공정, 세정 공정 등을 처리하며, 이러한 기판의 공정에서는 불산, 황산, 질산, 인산 등과 같은 산성 용액이나, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모늄 등과 같은 알칼리성 용액, 또는 이들 중 어느 하나 또는 이들의 혼합액 등의 다양한 종류의 약액이 사용된다.
이러한 다양한 종류의 약액을 이용하여 화학 반응을 일으킴으로써 기판상의 불필요한 물질이 제거되거나 세정된다. 기판을 처리하는 공정에서는 기판에 분사되는 약액의 온도가 공정의 주요 요인으로 작용한다. 따라서, 식각 또는 세정 공정에서 약액의 일정한 온도 유지와 안정적인 약액 공급은 기판 공정의 균일성과 효율성을 위해서 반드시 필요하다.
약액의 온도 제어를 위한 약액 온도제어장치의 일 예로 종래에는 도 1에 도시된 구조가 제시되었다.
도 1에 도시된 구조를 살펴보면, 일측으로 냉각/가열 액체가 유입되고 타측으로 배출되도록 외관을 구성하고, 외관의 내측에 약액(chemical liquid)이 유동하도록 약액관을 배치한 이중관 방식의 모듈이 개시되어 있다. 그러나 이러한 방식은 약액의 온도 제어를 위해 히터, 냉각장치 등 부피가 큰 장치가 요구되며 약액의 신속한 온도 변환을 유도하기 힘든 문제가 있다.
이러한 단점을 해결하고자 종래에는 도 2에 도시된 다른 구조의 장치가 제시되었다.
도 2에 도시된 구조를 살펴보면, 약액이 유동하는 약액 자켓(10), 약액 자켓(10) 양측의 SiC 시트(20), 그 외측의 알루미늄 플레이트(30), 그 외측의 열전모듈(40) 및 최외곽의 냉각수 유로를 구비한 히트싱크부(50)가 마련되어 있다.
이러한 구조를 통해, 열전모듈(40) -> 알루미늄 플레이트(30) -> 고순도 SiC 시트(20) -> 약액으로 열전달이 이루어지고 있으며, 열전모듈은 n, p type의 열전반도체를 전기적으로는 직렬로 열적으로는 병렬 연결되도록 연결한 것으로서, 전류 인가 방향을 변환함으로써 n, p type 반도체에 형성되는 열을 신속하게 고온 또는 저온으로 변환할 수 있다. 또한, SiC(탄화규소)는 특성상 내열성이 우수하고 높은 열전도율을 가지므로, SiC 시트(20)는 열전모듈의 발생열을 최대한 열손실없이 효율적으로 약액으로 전달할 수 있는 이점이 있다.
한편, 약액과 주변 구성물과의 화학적 반응에 의해 불순물이 발생하는 경우 반도체 제조공정에서 다양한 불량이슈가 발생하는데, 고순도 SiC 시트(20)의 경우 현재 내화학성이 검증되지 않은 상태이므로 SiC 시트(20)를 적용하는 경우 불순물 발생에 의한 공정불량이 일어나는 실례가 있다. 약액의 온도제어에 있어서 내화학성이 검증되지 않은 SiC 시트를 적용하는 것은 상당한 위험요소를 내재하고 있고 제품 생산에 있어 크나큰 차질을 초래할 수 있다.
또한, 약액 자켓(10)은 높은 사용(약액 유동 허용)온도와 더불어 약액과의 직접적인 접촉에 따른 내화학성이 검증된 PFA 재질로 이루어질 수 있는데, 다만 소재 특성상 낮은 열전달 효율을 갖고 있으며, 특히 직관 형태인 경우 내부에 Laminar Flow 형태의 유동이 이루어지므로 열 교환 효율의 증대를 유도하기 힘들다.
일본국 등록실용신안공보 제3041102호(1997.6.18 등록)
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 종래에 적용된 SiC 시트를 생략하고 약액이 접촉하는 구성의 재질을 PFA 등의 재질로 적용하되, 약액으로의 열전달 효율을 상승시킬 수 있는 구조를 채용하여 약액의 온도 제어를 효율적으로 수행할 수 있는 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 약액 순환 공급관에 설치되어 약액의 온도를 제어하는 것으로서, 내부에 냉각수 유로가 형성된 제1 히트싱크부; 상기 제1 히트싱크부의 양측면에 각각 접촉되게 마련되는 복수의 열전모듈; 및 상기 제1 히트싱크부를 사이에 두고 상기 복수의 열전모듈과 각각 접촉하도록 제1 히트싱크부의 일측 및 타측에 각각 마련되는 제1 및 제2 히트싱크 블록과, 상기 제1 및 제2 히트싱크 블록과 각각 연결되며 약액이 각각 유입 및 배출되는 하나의 약액 유입관과 약액 배출관, 내부를 따라 약액(chemical liquid)이 유동하도록 제1 및 제2 히트싱크 블록 내측에 각각 삽입되되 상호간에 연통 가능함과 더불어 상기 하나의 약액 유입관과 약액 배출관과 각각 연통되는 복수의 약액 유로관을 포함하는 제2 히트싱크부를 포함하며, 상기 복수의 약액 유로관은 각각, 상기 제1 히트싱크부에 인접한 위치에 복수 열로 배치되는 복수의 제1열 약액 유로관; 및 상기 복수의 제1열 약액 유로관에 비해 상대적으로 제1 히트싱크부로부터 이격된 위치에 배치되되 제1 히트싱크부로부터의 이격거리가 서로 상이한 복수의 제n열(n은 2,3,4) 약액 유로관을 포함하는 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치가 제공된다.
상기 제2 히트싱크부는, 상기 제1 및 제2 히트싱크 블록의 일측에 각각 마련되되, 복수의 약액 유로관을 통해 유입 또는 배출되는 약액을 수용하며 상기 하나의 약액 유입관 및 약액 배출관과 각각 연통하도록 마련되며 내부 유동공간을 갖는 제1 및 제2 매니폴드 블록; 및 상기 제1 및 제2 히트싱크 블록의 타측에 상기 제1 및 제2 히트싱크 블록에 마련된 복수의 약액 유로관이 서로 연통하도록 마련되며 내부 유동공간을 갖는 제3 매니폴드 블록을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 히트싱크 블록은 각각, 상기 복수의 제1열 내지 제n열 약액 유로관의 단면과 대응하는 삽입홈이 마련되고 서로 간에 분리 가능하게 결합되며 인접한 서로간에 결합되어 제1열 내지 제n열 약액 유로관을 고정 가능한 제1 내지 제n+1 히트싱크 블록편을 포함할 수 있다.
상기 제2 히트싱크부는, 상기 복수의 약액 유로관의 단부 내측에 삽입되어 약액 유로관 내부의 약액 흐름에 난류를 발생시키는 난류 발생블록을 더 포함할 수 있다.
상기 약액 유로관은 직관 형태로 이루어지고, 상기 난류 발생블록은, 난류 발생블록 본체; 및 상기 약액 유로관의 길이방향 중심축에 대해 경사지면서 상기 약액 유로관 내면을 향해 약액이 유동하여 상기 내면과의 충돌에 의한 난류 발생을 유도하도록 상기 난류 발생블록 본체에 마련되는 복수의 난류 유도유로를 포함할 수 있다.
상기 약액 유로관은 직관 형태로 이루어지고, 상기 난류 발생블록은, 난류 발생블록 본체; 및 상기 약액 유로관 내측을 향할수록 점차적으로 유로 단면적이 증가하도록 마련되어 약액 유로관 내면을 향해 약액이 유동하도록 하여 상기 내면과의 충돌에 의한 난류 발생을 유도하도록 상기 난류 발생블록 본체에 마련되는 복수의 난류 유도유로를 포함할 수 있다.
상기 복수의 난류 유도유로의 내주면에는 나선형 와류를 발생하기 위한 나선형 가이드베인이 형성될 수 있다.
상기 약액 유로관은 직관 형태로 이루어지고, 상기 난류 발생블록은, 난류 발생블록 본체; 및 상기 약액 유로관 내면을 향해 약액이 유동하도록 하여 상기 내면과의 충돌에 의한 난류 발생을 유도하도록 상기 난류 발생블록 본체를 길이방향으로 관통하도록 복수로 마련되되, 약액이 난류 발생블록 본체를 통과하는 동안 나선형 와류를 발생하도록 그 내주면에 나선형 가이드베인이 형성되는 복수의 난류 유도유로를 포함할 수 있다.
상기에서 설명한 본 발명의 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치에 의하면, 제2 히트싱크부 내에 약액 유로를 단일 유로로 형성하지 않고 일정 이하의 직경을 갖는 다수의 약액 유로관을 형성하되 다수 열로 배열하여 실질적으로 제2 히트싱크부로부터 약액으로의 열전달 효율을 향상시켜 약액의 온도 제어를 용이하고 효율적으로 수행할 수 있다.
또한, 제2 히트싱크부를 제1 및 제2 히트싱크 블록으로 적용함으로써, 약액이 제1 히트싱크부 주변을 유동하는 동안 다수회로 열을 전달받아 열 교환 효율을 한층 증대시킬 수 있다.
또한, 약액 유로관 단부에 난류 발생블록을 삽입하고, 약액 유로관 내부 구조를 다양하게 변경 적용하여 제2 히트싱크부로 전달된 열이 약액으로 더욱 골고루 전달되도록 함으로써 결국 열 교환 효율을 증대시킬 수 있다.
도 1 및 도 2는 종래기술에 따른 약액의 온도 제어를 위한 약액 온도제어장치를 나타내는 도면,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치를 나타내는 사시도,
도 4는 도 3의 정단면도,
도 5는 도 3의 측단면도,
도 6은 직관 내부의 Larminar Flow 상태를 나타내는 도면,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치에서 약액 유로관 단부에 난류 발생블록이 삽입된 상태를 나타내는 단면도,
도 8은 도 7의 난류 발생블록을 나타내는 사시도와 정면도,
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치에 난류 발생블록이 마련된 상태를 나타내는 도면,
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치의 난류 발생블록의 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치의 난류 발생블록의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치의 약액 유로관의 다양한 형태를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치는 반도체의 Wet, Claen 등 다양한 공정에서 약액이 유동하는 구간에 설치하여 약액의 가열 및 냉각시 온도를 일정하게 제어하는 것으로서, PFA 관 내부를 따라 유동하는 약액으로의 열전달 효율을 상승시킬 수 있는 구조를 채용하여 약액의 온도 제어를 효율적으로 수행할 수 있다.
이하, 실시예를 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 3 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치는 약액 순환 공급관(370)에 설치되어 약액의 온도를 제어하는 것으로서, 제1 히트싱크부(100), 열전모듈(200) 및 제2 히트싱크부(300)를 포함한다.
먼저, 제1 히트싱크부(100)는 대략 사각관 형태로 이루어지며 그 내부를 따라 공정냉각수(PCW, processing cooling water) 또는 기타 냉각수가 유동하도록 내측에 냉각수 유로(110)가 형성된다. 여기서 냉각수는 열전모듈(200) 구동을 통해 제1 히트싱크부(100)와 접하는 열전모듈(200)의 일측면에 고온이 형성되는 경우, 고온 형성부위(방열 측면)를 신속하게 냉각시키고 방열 측면의 온도를 일정하게 유지하여 실질적으로 열전모듈(200)의 냉각/발열 효율이 저감하는 것을 방지하고 내구성을 증대시키게 된다. 이와 같이, 공정냉각수의 저온의 열이 고온으로 발열되는 열전모듈(200)의 일측면으로 효율적으로 전달되도록 제1 히트싱크부(100)와 제2 히트싱크부(300)는 일정이상의 열전도율을 갖는 알루미늄 합금 재질을 포함할 수 있다.
다음, 열전모듈(200)은 제1 히트싱크부(100)의 양측면에 각각 접촉되게 복수로 마련되며, 발열 제어를 통해 약액을 가열 또는 냉각시키게 된다. 덧붙이자면, 후술하는 제2 히트싱크부(300)와 접촉하는 열전모듈(200)의 접촉면에 고온 또는 저온을 형성하여 약액의 온도를 제어할 수 있다. 열전모듈(200)은 제1 히트싱크부(100)의 양측면 전체에 걸쳐 균일하게 복수로 마련된다.
다음, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제2 히트싱크부(300)는 제1 히트싱크부(100)를 사이에 두고 복수의 열전모듈(200)과 각각 접촉하도록 마련되며, 내부를 따라 약액(chemical liquid)이 유동하도록 복수의 약액 유로관(310)이 마련된다.
한편, 열전모듈(200)의 발생 열이 제2 히트싱크부(300) -> 약액 유로관(310) -> 약액으로 순차적으로 전달되어 약액의 온도 변환이 이루어지는데, 본 발명은 제2 히트싱크부(300) 내에 약액 유로를 단일 유로로 형성하지 않고 일정 이하의 직경을 갖는 다수의 유로(약액 유로관)를 형성하여 실질적으로 제2 히트싱크부(300)로부터 약액으로의 열전달 효율을 향상시켜 약액의 온도 제어를 용이하고 효율적으로 수행할 수 있다. 부연하자면, 종래와 같이 제2 히트싱크부(300) 내에 단일 약액 유로가 형성되는 경우, 단일 약액 유로의 유동방향상 단면적을 기준으로 내측으로 갈수록 열전달 효율이 감소할 수 밖에 없다. 그러나, 본 발명은 단일 유로를 형성하지 않고 제2 히트싱크부(300)에 복수의 약액 유로를 형성하고 복수의 약액 유로의 유로 단면적을 일정 이하로 적용함으로써 제2 히트싱크부의 열이 최대한 효율적으로 약액으로 전달되도록 할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 제2 히트싱크부(300)는 하나의 약액 유입관(320), 하나의 약액 배출관(330), 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350), 제1 내지 제3 매니폴드 블록(361,362,363)을 포함한다.
약액 유입관(320)은 약액 순환 공급관(370)에 연결되며, 연결된 하나의 약액 유입관(320)은 복수의 약액 유로관(310) 내로 약액이 유동하도록 유로를 형성하며, 약액 배출관(330)은 약액 순환 공급관(370)에 연결되며, 연결된 하나의 약액 배출관(330)은 복수의 약액 유로관(310)으로부터 배출된 약액이 약액 순환 공급관 내로 유동하도록 유로를 형성한다.
제1 히트싱크 블록(340)과 제2 히트싱크 블록(350)은 제1 히트싱크부(100)의 일측 및 타측에 각각 배치되며, 하나의 약액 유입관(320), 약액 배출관(330)과 각각 연통하도록 내부에 각각 복수의 약액 유로관(310)이 삽입된다.
본 발명은 제2 히트싱크부(300)를 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)으로 적용함으로써, 약액이 제1 히트싱크부(100) 주변을 유동하는 동안 다수회로 열을 전달받아 열 교환 효율을 한층 증대시킬 수 있다.
전술한 바와 같이 열전모듈(200)의 발생 열이 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)으로 전달된 후 약액 유로관(310)을 거쳐 약액으로 전달되는바, 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)과 약액 유로관(310) 사이의 열전달 효율 증대를 위해서는 약액 유로관(310)의 외면이 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)에 밀착되는 것이 바람직하다.
물론, 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)에 다수의 관통홀을 형성한 후 약액 유로관(310)을 밀착되게 강제 압입할 수 있으나, 압입 과정에서 파손이 발생할 수 있으므로 바람직하지 않다.
이하, 복수의 약액 유로관(310)과 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)에 대해 더 구체적으로 설명한다.
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서, 복수의 약액 유로관(310)은 각각, 제1 히트싱크부(100)에 인접한 위치에 복수 열로 배치되는 복수의 제1열 약액 유로관(316)과, 복수의 제1열 약액 유로관(316)에 비해 상대적으로 제1 히트싱크부(100)로부터 이격된 위치에 배치되는 제n열 약액 유로관(317)을 포함한다(n이 2인 경우 기준).
즉, 약액 유로관(310)은 하나의 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)에 대해 각각 횡방향(x방향)으로 복수 열로 배치되고 종방향(y방향)으로도 복수 열로 배치된다. 이와 같은 구조를 적용함으로써, 열전모듈(200)의 발생열이 한층 많은 약액 유로관(310) 내의 약액으로 전달되도록 함으로써 전열면적을 확대시킬 수 있다.
여기서, 제n열 약액 유로관은 예를 들어 n이 2,3,4로 적용되어 제2열, 제3열, 제4열 약액 유로관을 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 종방향으로 총 4열의 약액 유로관이 형성될 수 있다. 제2열, 제3열, 제4열 약액 유로관은 제1 히트싱크부(100)로부터의 이격거리가 서로 상이하게 배치된다. 한편, 관련 도면에는 예를 들어 n이 2로 적용되어 종방향으로 총 2열의 약액 유로관이 배치된 형태가 도시되어 있으며, 이하 관련 설명의 편의를 위해 n=2인 경우를 기준으로 도시 및 설명한다. 한편, 열전모듈(200)의 발생열이 충분히 전달될 수 있다면, n은 2,3,4로 한정되지 않으며 그 이상의 수치로 적용될 수 있음은 물론이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)은 각각, 서로 간에 분리 가능하게 결합되며 인접한 서로간에 결합되어 제1열 내지 제n열(n=2) 약액 유로관(316,317)을 고정 가능한 제1 내지 제n+1 히트싱크 블록편(345,346,347)을 포함한다.
본 발명에서는, 각각의 블록편에 예를 들어 반원 형상의 삽입홈(341)을 형성하고, 어느 하나의 블록편의 삽입홈(341)에 약액 유로관(310)을 안착시킨 후 인접한 블록편을 스크루 체결 등을 통해 결합하여 마무리할 수 있다. 도면에 도시한 바와 같이 히트싱크 블록편이 3개로 이루어지는 경우 3개의 히트싱크 블록편은 스크루를 통해 동시에 결합 또는 분리될 수 있다.
다음, 제1 및 제2 매니폴드 블록(361,362)은 내부 유동공간을 가지며, 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)의 일측에 각각 마련되고, 복수의 약액 유로관(310)을 통해 유입 또는 배출되는 약액을 수용하며 하나의 약액 유입관(320) 및 약액 배출관(330)과 각각 연통하도록 마련된다.
즉, 제1 매니폴드 블록(361)의 일측에는 하나의 약액 유입관(320) 단부가 기밀 유지되게 삽입되며, 타측에는 복수의 약액 유로관(310)이 마찬가지로 기밀 유지되게 삽입된다. 따라서, 약액 유입관(320)을 통해 제1 매니폴드 블록(361) 내부로 진입한 약액은 이후 각각의 약액 유로관(310) 내부로 분산되어 유동한다. 덧붙이자면, 약액은 일정 이상의 유동압을 갖는 상태로 약액 순환 공급관(370) 및 약액 유입관(320)을 거쳐 제1 매니폴드 블록(361) 내부로 유동하며, 이에 따라 제1 매니폴드 블록(361) 내부 공간은 약액으로 가득찬 상태를 유지하게 되고 제1 매니폴드 블록 내부압에 의해 복수의 약액 유로관(310)으로 최대한 균일하게 약액이 분산 유동 가능하게 된다.
제2 매니폴드 블록(362)의 일측에는 하나의 약액 배출관(330) 단부가 기밀 유지되게 삽입되며, 타측에는 복수의 약액 유로관(310)이 마찬가지로 기밀 유지되게 삽입된다. 따라서, 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350) 내부를 유동한 후 복수의 약액 유로관(310)을 통해 제2 매니폴드 블록(362) 내부로 진입한 약액은 이후 하나의 약액 배출관(330)을 통해 배출된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제3 매니폴드 블록(363)은 내부 유동공간을 가지며, 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)의 타측에 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)에 마련된 복수의 약액 유로관이 서로 연통하도록 마련된다.
즉, 제3 매니폴드 블록(363)의 일측에는 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)에 마련된 복수의 약액 유로관(310) 단부가 기밀 유지되게 관통 삽입된다. 따라서, 약액 유입관(320)을 통해 유입된 약액은 제1 매니폴드 블록(361), 제1 히트싱크 블록(340)의 약액 유로관(310), 제3 매니폴드 블록(363), 제2 히트싱크 블록(350)의 약액 유로관(310) 및 제2 매니폴드 블록(362)을 따라 유동한 후 약액 배출관(330)을 통해 배출된다. 약액은 이와 같이 순환 이동하는 도중 열전모듈(200)의 발생열을 전달받아 가열 또는 냉각되게 온도 변환되어 다음 공정 라인으로 공급된다.
본 발명의 실시예에서, 복수의 약액 유로관(310)은 PFA 재질로 이루어지고, 제1 내지 제3 매니폴드 블록(361,362,363)은 PTFE 재질로 이루어진다.
전술한 바와 같이 약액 유로관(310), 제1 내지 제3 매니폴드 블록(361,362,363)은 실질적으로 약액과 직접적으로 접촉하는 부분으로서, 내화학성이 검증된 PFA, PTFE 재질로 이루어짐으로써 약액과의 직접적인 접촉에 의한 화학 반응에 의해 불순물이 생성되는 것을 최대한 방지할 수 있다.
이와 같이, 미세 불순물 생성 방지를 위해 약액과 직접적으로 접촉하는 구성을 PFA, PTFE 재질로 적용하지만, PFA, PTFE 재질은 상대적으로 열전도도가 낮아서 자체적으로는 열전달 효율이 떨어지는 문제가 있다.
그러나, 본 발명은 전술한 바와 같이 제2 히트싱크부(300) 내에 약액 유로를 단일 유로로 형성하지 않고 일정 이하의 직경을 갖는 다수의 약액 유로관(310)을 형성하여 실질적으로 제2 히트싱크부(300)로부터 약액으로의 열전달 효율을 향상시켜 상기한 재질 적용에 따른 단점을 상쇄시킬 수 있다.
본 발명은 이러한 열전달 효율 증대 구조 외에, 제2 히트싱크부(300)와 약액 유로관(310) 내부를 유동하는 약액 간의 열전달 효율을 상승시킬 수 있는 추가적인 구조를 제안한다.
구체적으로, 도 7 내지 도 10에 도시한 바와 같이, 제2 히트싱크부(300)는 복수의 약액 유로관(310)의 단부 내측에 각각 삽입되어 약액 유로관(310) 내부의 약액 흐름에 난류를 발생시키는 난류 발생블록(380,390,400)을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에서, 약액 유로관(310)은 직선 유로를 제공하는 직관 형태로 이루어지는데, 일반적으로 도 6에 도시한 바와 같이 직관 내부를 따라 유동하는 유체는 Laminar Flow를 형성함에 따라 이 경우 제2 히트싱크부(300)와 약액 유로관(310) 내부를 유동하는 약액 간의 열전달 효율이 감소하게 된다.
본 발명은 도 7에 도시한 바와 같이 난류 발생블록(380)을 통해 약액 유로관(310) 내에 난류(Turbulence Flow) 발생을 유도함으로써, 약액 유로관(310) 내부의 약액 입자에 골고루 제2 히트싱크부의 열을 전달하여 열교환 효율을 증대시킬 수 있다.
일 예로, 도 7 내지 도 9에 도시한 바와 같이, 난류 발생블록(380)은 난류 발생블록 본체(381), 약액 유로관(310)의 길이방향 중심축에 대해 경사지면서 약액 유로관(310) 내면을 향해 약액이 유동하여 상기 내면과의 충돌에 의한 난류 발생을 유도하도록 난류 발생블록 본체(381)에 마련되는 복수의 난류 유도유로(382)를 포함할 수 있다.
다른 예로, 도 10에 도시한 바와 같이, 난류 발생블록(390)은 난류 발생블록 본체(391), 약액 유로관(310) 내측을 향할수록 점차적으로 유로 단면적이 증가하도록 마련되어 약액 유로관(310) 내면을 향해 약액이 유동하도록 하여 내면과의 충돌에 의한 난류 발생을 유도하도록 난류 발생블록 본체(391)에 복수로 마련되는 복수의 난류 유도유로(392)를 포함할 수 있다.
또 다른 예로, 도 11에 도시한 바와 같이, 난류 발생블록(400)은, 난류 발생블록 본체(401), 약액 유로관(310) 내면을 향해 약액이 유동하도록 하여 상기 내면과의 충돌에 의한 난류 발생을 유도하도록 난류 발생블록 본체(401)를 길이방향으로 관통하도록 복수로 마련되되, 약액이 난류 발생블록 본체를 통과하는 동안 나선형 와류를 발생하도록 그 내주면에 나선형 가이드베인(403)이 형성되는 복수의 난류 유도유로(402)를 포함할 수 있다.
상기 3가지 경우 모두, 복수의 난류 유도유로(382,392,402)는 난류 발생블록 본체(381,391,401)의 일단과 타단 사이를 관통하도록 형성된다.
이외에도 난류 유도유로는 난류를 발생시킬 수 있는 다양한 구조로 적용 가능하며, 도면에 도시하지 않았지만 유로가 적어도 1회 절곡되는 곡선 형태로 적용될 수도 있으며, 이 경우에도 마찬가지로 약액은 약액 유로관(310)의 내면을 향해 그 내측으로 유입된다. 또한, 도면에 구체적으로 도시하지 않았으나, 상기 나선형 가이드베인(403)은 도 8과 도 10에 도시된 난류 발생블록의 난류 유도유로 내면에도 형성될 수 있으며, 이 경우 난류 발생 효과를 더욱 극대화하여 열교환 효율을 향상시킬 수 있다.
여기서, 난류 발생블록(380,390,400)은 약액 유로관(310) 내에 강제 압입 가능하며, 제1 히트싱크 블록(340) 내부로의 약액 유입구 측, 제2 히트싱크 블록(350) 내부로의 약액 유입구 측에 각각 마련될 수 있다. 난류 발생블록(380,390,400) 또한 약액과 직접적으로 접촉하는 구성으로서 전술한 바와 동일 이유로 PFA 또는 PTFE 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명은 난류 발생블록 외에, 제2 히트싱크부(300)와 약액 유로관(310) 내부를 유동하는 약액 간의 열전달 효율을 상승시킬 수 있는 또 다른 추가 구조를 제안한다.
일 예로, 도 12(a)에 도시한 바와 같이, 복수의 약액 유로관의 내면에 돌출부(311)와 함몰부(312)가 원주방향을 따라 교대로 반복 형성됨과 더불어 그 길이방향을 따라 연속적으로 형성되도록 약액 유로관(310)을 성형한다. 돌출부(311)와 함몰부(312)에 의해 약액 유로관(310)과 그 내부의 약액 간의 열교환 면적이 증대되며 결국 제2 히트싱크부(300)와 약액 간의 열교환 효율을 증대시킬 수 있다.
다른 예로, 도 12(b), 도 12(c)에 도시한 바와 같이, 복수의 약액 유로관(310)의 내측에 그 유로를 복수의 영역으로 구획하기 위한 복수의 구획바(313)가 그 길이방향을 따라 연속적으로 형성되도록 약액 유로관(310)을 성형한다. 마찬가지로 구획바(313)에 의해 약액 유로관(310)과 그 내부의 약액 간의 열교환 면적이 증대되며 결국 제2 히트싱크부(300)와 약액 간의 열교환 효율을 증대시킬 수 있다.
구체적으로, 도면에 도시하지 않았지만, 도 12에 도시된 약액 유로관(310) 구조에 상술한 난류 발생블록(380,390,400)을 적용(삽입)할 경우 약액 유로관(310) 내에서의 난류 발생 정도를 더욱 상승시켜 열전달 효율을 한층 증가시킬 수 있으며, 특히 구획바(313)로 인해 유로 단면적이 다수로 구획되는 경우 각각의 구획된 유로 상에서의 난류 발생정도를 더욱 극대화시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
100: 제1 히트싱크부 200: 열전모듈
300: 제2 히트싱크부 310: 약액 유로관
311: 돌출부 312: 함몰부
316: 제1열 약액 유로관 317: 제2열 약액 유로관
313: 구획바 340: 제1 히트싱크 블록
350: 제2 히트싱크 블록 345: 제1 히트싱크 블록편
346: 제2 히트싱크 블록편 347: 제3 히트싱크 블록편
361: 제1 매니폴드 블록 362: 제2 매니폴드 블록
363: 제3 매니폴드 블록 380,390,400: 난류 발생블록
381,391,401: 난류 발생블록 본체
382,392,402: 난류 유도유로 403: 가이드베인

Claims (8)

  1. 약액 순환 공급관에 설치되어 약액의 온도를 제어하는 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치로서,
    내부에 냉각수 유로(110)가 형성된 제1 히트싱크부(100);
    상기 제1 히트싱크부(100)의 양측면에 각각 접촉되게 마련되는 복수의 열전모듈(200); 및
    상기 제1 히트싱크부(100)를 사이에 두고 상기 복수의 열전모듈(200)과 각각 접촉하도록 제1 히트싱크부(100)의 일측 및 타측에 각각 마련되는 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)과, 상기 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)과 각각 연결되며 약액이 각각 유입 및 배출되는 하나의 약액 유입관(320)과 약액 배출관(330), 내부를 따라 약액(chemical liquid)이 유동하도록 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350) 내측에 각각 삽입되되 상호간에 연통 가능함과 더불어 상기 하나의 약액 유입관(320)과 약액 배출관(330)과 각각 연통되는 복수의 약액 유로관(310)을 포함하는 제2 히트싱크부(300)를 포함하며,
    상기 복수의 약액 유로관(310)은 각각,
    상기 제1 히트싱크부(100)에 인접한 위치에 복수 열로 배치되는 복수의 제1열 약액 유로관(316); 및
    상기 복수의 제1열 약액 유로관(316)에 비해 상대적으로 제1 히트싱크부(100)로부터 이격된 위치에 배치되되 제1 히트싱크부로부터의 이격거리가 서로 상이한 복수의 제n열(n은 2,3,4) 약액 유로관을 포함하며,
    상기 제2 히트싱크부(300)는, 상기 복수의 약액 유로관(310)의 단부 내측에 삽입되어 약액 유로관 내부의 약액 흐름에 난류를 발생시키는 난류 발생블록을 더 포함하고,
    상기 약액 유로관(310)은 직관 형태로 이루어지고,
    상기 난류 발생블록(380)은,
    난류 발생블록 본체(381); 및
    상기 약액 유로관(310)의 길이방향 중심축에 대해 경사지면서 상기 약액 유로관(310) 내면을 향해 약액이 유동하여 상기 내면과의 충돌에 의한 난류 발생을 유도하도록 상기 난류 발생블록 본체(381)에 마련되는 복수의 난류 유도유로(382)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치.
  2. 약액 순환 공급관에 설치되어 약액의 온도를 제어하는 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치로서,
    내부에 냉각수 유로(110)가 형성된 제1 히트싱크부(100);
    상기 제1 히트싱크부(100)의 양측면에 각각 접촉되게 마련되는 복수의 열전모듈(200); 및
    상기 제1 히트싱크부(100)를 사이에 두고 상기 복수의 열전모듈(200)과 각각 접촉하도록 제1 히트싱크부(100)의 일측 및 타측에 각각 마련되는 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)과, 상기 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)과 각각 연결되며 약액이 각각 유입 및 배출되는 하나의 약액 유입관(320)과 약액 배출관(330), 내부를 따라 약액(chemical liquid)이 유동하도록 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350) 내측에 각각 삽입되되 상호간에 연통 가능함과 더불어 상기 하나의 약액 유입관(320)과 약액 배출관(330)과 각각 연통되는 복수의 약액 유로관(310)을 포함하는 제2 히트싱크부(300)를 포함하며,
    상기 복수의 약액 유로관(310)은 각각,
    상기 제1 히트싱크부(100)에 인접한 위치에 복수 열로 배치되는 복수의 제1열 약액 유로관(316); 및
    상기 복수의 제1열 약액 유로관(316)에 비해 상대적으로 제1 히트싱크부(100)로부터 이격된 위치에 배치되되 제1 히트싱크부로부터의 이격거리가 서로 상이한 복수의 제n열(n은 2,3,4) 약액 유로관을 포함하고,
    상기 제2 히트싱크부(300)는, 상기 복수의 약액 유로관(310)의 단부 내측에 삽입되어 약액 유로관 내부의 약액 흐름에 난류를 발생시키는 난류 발생블록을 더 포함하며,
    상기 약액 유로관(310)은 직관 형태로 이루어지고,
    상기 난류 발생블록(390)은,
    난류 발생블록 본체(391); 및
    상기 약액 유로관(310) 내측을 향할수록 점차적으로 유로 단면적이 증가하도록 마련되어 약액 유로관 내면을 향해 약액이 유동하도록 하여 상기 내면과의 충돌에 의한 난류 발생을 유도하도록 상기 난류 발생블록 본체(391)에 마련되는 복수의 난류 유도유로(392)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 히트싱크부(300)는,
    상기 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)의 일측에 각각 마련되되, 복수의 약액 유로관(310)을 통해 유입 또는 배출되는 약액을 수용하며 상기 하나의 약액 유입관 및 약액 배출관과 각각 연통하도록 마련되며 내부 유동공간을 갖는 제1 및 제2 매니폴드 블록(361,362); 및
    상기 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)의 타측에 상기 제1 및 제2 히트싱크 블록에 마련된 복수의 약액 유로관(310)이 서로 연통하도록 마련되며 내부 유동공간을 갖는 제3 매니폴드 블록(363)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 히트싱크 블록(340,350)은 각각,
    상기 복수의 제1열 내지 제n열 약액 유로관의 단면과 대응하는 삽입홈이 마련되고 서로 간에 분리 가능하게 결합되며 인접한 서로간에 결합되어 제1열 내지 제n열 약액 유로관을 고정 가능한 제1 내지 제n+1 히트싱크 블록편을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 난류 유도유로의 내주면에는 나선형 와류를 발생하기 위한 나선형 가이드베인이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020200004302A 2020-01-13 2020-01-13 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치 KR102094009B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200004302A KR102094009B1 (ko) 2020-01-13 2020-01-13 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치
US17/145,379 US11654451B2 (en) 2020-01-13 2021-01-10 Temperature control device for chemical liquid used in semiconductor manufacturing process
CN202110040334.1A CN113113327A (zh) 2020-01-13 2021-01-13 半导体制造用化学药液的温度控制装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200004302A KR102094009B1 (ko) 2020-01-13 2020-01-13 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102094009B1 true KR102094009B1 (ko) 2020-03-26

Family

ID=69958746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200004302A KR102094009B1 (ko) 2020-01-13 2020-01-13 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11654451B2 (ko)
KR (1) KR102094009B1 (ko)
CN (1) CN113113327A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220011024A (ko) * 2020-07-20 2022-01-27 글로벌라이트 주식회사 반도체 처리액 온도 유지 장치
KR20220011027A (ko) * 2020-07-20 2022-01-27 글로벌라이트 주식회사 반도체 처리액 온도 유지 장치
KR102393813B1 (ko) 2022-02-24 2022-05-04 주식회사 아크트리아 딥러닝 기반 반도체 약액의 정밀 온도 제어 시스템
US20220260315A1 (en) * 2021-02-15 2022-08-18 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Heat exchanger

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04265145A (ja) * 1991-02-19 1992-09-21 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP3041102U (ja) 1997-03-04 1997-09-09 小松エレクトロニクス株式会社 熱交換システム
JPH09330907A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Orion Mach Co Ltd 液体温度調節用熱交換器
JP2009115345A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Orion Mach Co Ltd 薬液用熱交換装置
JP2011018940A (ja) * 2005-04-21 2011-01-27 Nippon Light Metal Co Ltd 液冷ジャケット
JP2015207599A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 三協立山株式会社 スパイラル流路ヒートシンク

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3172884B2 (ja) * 1992-01-24 2001-06-04 株式会社東京フローメータ研究所 薬液制御装置
JPH08193766A (ja) * 1995-01-13 1996-07-30 Orion Mach Co Ltd 薬液温度調節用熱交換器
US20040025516A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 John Van Winkle Double closed loop thermoelectric heat exchanger
US20080098750A1 (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Busier Mark J Thermoelectric cooling/heating device
JP2009019805A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Kelk Ltd 流体温調装置
US9027360B2 (en) * 2011-05-06 2015-05-12 International Business Machines Corporation Thermoelectric-enhanced, liquid-based cooling of a multi-component electronic system
JP6357629B2 (ja) * 2014-09-24 2018-07-18 オリオン機械株式会社 薬液用温度調整装置
US11533829B2 (en) * 2021-04-09 2022-12-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Systems and methods for immersion-cooled datacenters

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04265145A (ja) * 1991-02-19 1992-09-21 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JPH09330907A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Orion Mach Co Ltd 液体温度調節用熱交換器
JP3041102U (ja) 1997-03-04 1997-09-09 小松エレクトロニクス株式会社 熱交換システム
JP2011018940A (ja) * 2005-04-21 2011-01-27 Nippon Light Metal Co Ltd 液冷ジャケット
JP2009115345A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Orion Mach Co Ltd 薬液用熱交換装置
JP2015207599A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 三協立山株式会社 スパイラル流路ヒートシンク

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220011024A (ko) * 2020-07-20 2022-01-27 글로벌라이트 주식회사 반도체 처리액 온도 유지 장치
KR20220011027A (ko) * 2020-07-20 2022-01-27 글로벌라이트 주식회사 반도체 처리액 온도 유지 장치
KR102367230B1 (ko) * 2020-07-20 2022-02-24 글로벌라이트 주식회사 반도체 처리액 온도 유지 장치
KR102413795B1 (ko) * 2020-07-20 2022-06-28 글로벌라이트 주식회사 반도체 처리액 온도 유지 장치
US20220260315A1 (en) * 2021-02-15 2022-08-18 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Heat exchanger
KR102393813B1 (ko) 2022-02-24 2022-05-04 주식회사 아크트리아 딥러닝 기반 반도체 약액의 정밀 온도 제어 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
US20210213482A1 (en) 2021-07-15
CN113113327A (zh) 2021-07-13
US11654451B2 (en) 2023-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102094009B1 (ko) 반도체 제조를 위한 약액의 온도제어장치
CN215176154U (zh) 半导体制造用化学药液的温度控制装置
US20170328651A1 (en) Point of dispense heat exchanger for fluids
US7220048B2 (en) Mixer/heat exchanger
KR100605446B1 (ko) 액체 냉각형 파워 반도체 장치의 히트싱크
US8066057B2 (en) Flow distributing unit and cooling unit
US20150159958A1 (en) High-efficiency heat exchanger and high-efficiency heat exchange method
JP5050241B2 (ja) 流体温調装置
JP2013165097A (ja) 半導体冷却装置
TWI432132B (zh) Liquid cooling structure
TWI726806B (zh) 水冷散熱裝置及其製造方法
JP3217608U (ja) 液冷伝熱装置
KR100512261B1 (ko) 반도체 냉각 유로 장치
JP2001082828A (ja) 熱交換器および熱媒供給システム
KR102458013B1 (ko) 핀과 격벽이 형성된 열전발전용 고온부 열교환기
JP2008235572A (ja) 電子部品冷却装置
US20070044948A1 (en) Water-cooled cooler for CPU of PC
KR101794758B1 (ko) 열교환기 및 이를 구비하는 원전
KR102358931B1 (ko) 열교환장치
RU2732419C1 (ru) Микротеплообменник
JP7359473B2 (ja) 異形管冷却及び放熱システム
KR101605082B1 (ko) 유체 온도 조절장치
RU2679580C1 (ru) Теплообменник
CN114111099B (zh) 逆流连通微通道蒸发器装置
KR102370743B1 (ko) 온도제어시스템의 열교환장치 및 이를 포함하는 온도제어시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant