KR20220011024A - 반도체 처리액 온도 유지 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 처리액 온도 유지 장치에 관한 것으로서, 반도체 처리액의 온도를 일정하게 유지시키기 위해 흐름 경로를 길게 하면서도 동시에 많은 양의 반도체 처리액의 온도를 조절할 수 있는 반도체 처리액 온도 유지 장치에 관한 것이다. 이를 위해 반도체 처리액을 주입하고, 주입된 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 배출되는 주입 및 배출부, 주입 및 배출 부에서 주입된 반도체 처리액을 여러 가지로 한 방향으로 분기하면서 1차 온도 조절 및 유지하는 1차 온도 조절부, 1차 온도 유지 부에서 분기되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 모아서 전달하는 반도체 처리액 전달부, 반도체 처리액 전달 부로부터 전달된 반도체 처리액을 여러 가지로 일방향으로 분기하면서 2차 온도 조절 및 유지하고, 온도 조절된 반도체 처리액을 주입 및 배출부로 전달하는 2차 온도 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치가 개시된다.
Description
본 발명은 반도체 처리액 온도 유지 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 처리액의 온도를 일정하게 유지시키기 위해 흐름 경로를 길게 하면서도 동시에 많은 양의 반도체 처리액의 온도를 조절할 수 있는 반도체 처리액 온도 유지 장치에 관한 것이다.
선행특허문헌인 KR 10-1327874와 JP 3724763에 공지된 반도체 처리액 온도 유지 장치는 반도체 처리액의 온도를 조절하기 위한 흐름 경로가 짧을 뿐만 아니라 이와 더불어 한번에 많은 양의 반도체 처리액의 처리가 어려운 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 한번에 많은 양의 반도체 처리액을 처리할 수 있으면서도 동시에 온도 조절 및 유지가 가능한 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.
그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적은, 반도체 처리액을 주입하고, 주입된 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 배출되는 주입 및 배출부, 주입 및 배출 부에서 주입된 반도체 처리액을 여러 가지로 한 방향으로 분기하면서 1차 온도 조절 및 유지하는 1차 온도 조절부, 1차 온도 유지 부에서 분기되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 모아서 전달하는 반도체 처리액 전달부, 반도체 처리액 전달 부로부터 전달된 반도체 처리액을 여러 가지로 일방향으로 분기하면서 2차 온도 조절 및 유지하고, 온도 조절된 반도체 처리액을 주입 및 배출부로 전달하는 2차 온도 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치를 제공함으로써 달성될 수 있다.
또한, 1차 온도 조절부에서 수평방향으로 분기되어 흐르는 반도체 처리액의 흐름 방향과 2차 온도 조절부에서 수평방향으로 분기되어 흐르는 반도체 처리액의 흐름 방향은 서로 반대 방향이다.
또한, 반도체 처리액 전달부에서의 반도체 처리액 전달방향은 1,2차 온도 조절부의 흐름 방향과 서로 다른 방향이다.
또한, 주입 및 배출부는 일측에 배치되고, 반도체 처리액 전달부는 주입 및 배출부의 타측에 배치되며, 1차 온도 조절부 및 2차 온도 조절부는 주입 및 배출부와 반도체 처리액 전달부의 사이 공간에 몸체의 길이방향 또는 수평방향으로 배치되면서 순차적으로 반도체 처리액의 온도를 조절하기 위해 서로 대칭적으로 마주보도록 쌍으로 배치된다.
또한, 1차 온도 조절부는 몸체의 길이방향으로 배치되는 1차 방열판부, 반도체 처리액을 1차 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 복수 배치되는 1차 열교환 모듈부, 주입 및 배출부에서 전달된 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제1 방향으로 흐르도록 몸체 길이방향으로 배치되는 1차 도관부를 포함하며,
2차 온도 조절부는 1차 방열판부와 마주보도록 대향하여 쌍으로 배치되는 2차 방열판부, 1차 열교환 모듈부에서 1차 온도 조절한 반도체 처리액을 2차 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 복수 배치되는 2차 열교환 모듈부, 반도체 처리액 전달부에서 전달된 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제2 방향으로 흐르도록 몸체 길이방향으로 배치되는 2차 도관부를 포함한다.
또한, 제1 방향은 주입 및 배출부에서 반도체 처리액 전달부로 반도체 처리액이 흐르는 방향이고, 제2 방향은 반도체 처리액 전달부에서 주입 및 배출부로 반도체 처리액이 흐르는 방향이다.
또한, 1차 도관부 및 2차 도관부 각각은 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제1 방향으로 흐르도록 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 몸체 길이방향으로 복수 배치되는 도관, 도관이 끼움 삽입되도록 도관 끼움 홈이 형성된 도관 끼움 몸체를 포함한다.
또한, 1차 도관부 및 2차 도관부 각각은 도관의 일측 끝 부분을 지지하도록 복수의 도관 지지 홈이 형성된 제1 도관 지지부, 도관의 타측 끝 부분을 지지하도록 복수의 도관 지지 홈이 형성된 제2 도관 지지부를 더 포함한다.
또한, 도관 끼움 몸체는 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 일면에 형성되는 제1 도관 끼움 몸체, 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 양면에 형성되는 제2 도관 끼움 몸체, 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 일면에 형성되는 제3 도관 끼움 몸체를 포함한다.
또한, 반도체 처리액 전달부는 1차 도관부의 복수의 분기된 도관으로부터 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 전달받아 모으는 반도체 처리액 모음 매니폴드부, 반도체 처리액 모음 매니폴드부와 서로 연통 되어 반도체 처리액을 전달받는 반도체 처리액 전달 매니폴드부, 반도체 처리액 전달 매니폴드부와 서로 연통 되어 반도체 처리액을 전달받으며, 전달받은 반도체 처리액의 2차 온도 조절을 위해 2차 도관부의 복수의 분기된 도관으로 반도체 처리액을 배출하는 반도체 처리액 배출 매니폴드부를 포함한다.
또한, 반도체 처리액 모음 매니폴드부에는 1차 도관부의 도관으로부터 반도체 처리액을 전달받기 위한 1차도관 연통 홀이 수직방향으로 복수로 형성되며, 반도체 처리액 배출 매니폴드부에는 2차 도관부의 도관으로 반도체 처리액을 배출하기 위한 2차도관 연통 홀이 수직방향으로 복수로 형성된다.
또한, 1차 온도 조절부는 1차 방열판부, 1차 열교환 모듈부, 및 1차 도관부가 몸체의 폭 방향을 기준으로 몸체의 외측에서 내측으로 순차적으로 배치되며, 2차 온도 조절부는 2차 도관부, 2차 방열판부, 1차 열교환 모듈부, 및 2차 방열판부가 몸체의 폭 방향을 기준으로 몸체의 외측에서 내측으로 순차적으로 배치된다.
또한, 제1,2 도관 끼움 몸체의 도관 끼움 홈에 삽입 고정됨으로써 수직방향으로 위치를 달리하여 제1 열로 도관이 배치되고, 제2,3 도관 끼움 몸체의 도관 끼움 홈에 삽입 고정됨으로써 수직방향으로 위치를 달리하여 제2 열로 도관이 배치된다.
한편, 본 발명의 목적은 반도체 처리액을 주입하고, 주입된 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 회수되도록 구분 구획된 제1,2 매니폴더부, 제1,2 매니폴더부의 서로 대응하는 일 영역이 서로 연통되도록 배치됨으로써 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 회수되도록 하는 제1 도관부, 제1,2 매니폴더부의 서로 대응하는 타 영역이 서로 연통되도록 배치됨으로써 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 회수되도록 하는 제2 도관부, 반도체 처리액을 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 제1,2 도관부의 사이 공간에 몸체 길이방향으로 복수 배치되는 열교환 모듈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치를 제공함으로써 달성될 수 있다.
또한, 제1,2 매니폴더부는 상측에 배치된 제1 매니폴더부, 제1 매니폴더부의 하측에 배치된 제2 매니폴더부를 포함하며, 제1 도관부는 제1 매니폴더부의 일 영역과 일 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 일 영역이 서로 연통되도록 배치되며, 제2 도관부는 제1 매니폴더부의 타 영역과 타 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 타 영역이 서로 연통되도록 배치된다.
또한, 제1,2 도관부는 반도체 처리액의 온도를 조절하기 위해 열교환 모듈부를 중심으로 서로 대칭적으로 쌍으로 배치된다.
또한, 제1 도관부는 제1 매니폴더부의 제1 영역과 제1 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 제1 영역이 서로 연통되도록 배치되어 반도체 처리액이 1차 온도 조절되도록 하는 제1 도관, 제1 매니폴더부의 제2 영역과 제2 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 제2 영역이 서로 연통되도록 배치되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 순차적으로 2차 온도 조절 및 유지되도록 하는 제2 도관을 포함한다.
또한, 제2 도관부는 제1 매니폴더부의 제3 영역과 제3 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 제3 영역이 서로 연통되도록 배치되어 반도체 처리액이 1차 온도 조절되도록 하는 제1 도관, 제1 매니폴더부의 제4 영역과 제4 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 제4 영역이 서로 연통되도록 배치되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 순차적으로 2차 온도 조절 및 유지되도록 하는 제2 도관을 포함한다.
또한, 제1,2 도관부의 제1,2 도관 각각은 U자 형상으로 이루어져 1차 온도 조절을 위한 반도체 처리액이 제1 매니폴더부에서 제2 매니폴더부로 제1 방향으로 반도체 처리액이 흐르고, 1차 온도 조절된 반도체 처리액의 순차적인 2차 온도 조절 및 유지를 위해 제2 매니폴더부에서 제1 매니폴더부로 제2 방향으로 반도체 처리액이 흐른다.
또한, 제1,2 도관부의 제1 도관 각각은 제1,2 도관부의 제2 도관 각각에 비해 열교환 모듈부에 상대적으로 가깝게 배치된다.
또한, 제1,2 도관부의 제1,2 도관 각각이 끼움 삽입되도록 U자형 도관 끼움 홈이 형성된 제1,2 도관 끼움 몸체부를 더 포함한다.
또한, 제1,2 도관 끼움 몸체부 각각은 U자형 도관 끼움 홈이 일면에 형성되는 제1 도관 끼움 몸체, U자형 도관 끼움 홈이 양면에 형성되는 제2 도관 끼움 몸체, 도관 끼움 홈이 일면에 형성되는 제3 도관 끼움 몸체를 포함한다.
또한, 제1,2 도관 끼움 몸체부의 제2,3 도관 끼움 몸체에 제1,2 도관부의 제1 도관이 각각 삽입 고정되고, 제1,2 도관 끼움 몸체부의 제1,2 도관 끼움 몸체에 제1,2 도관부의 제2 도관이 각각 삽입 고정된다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 한번에 많은 양의 반도체 처리액을 처리할 수 있으면서도 동시에 온도 조절 및 유지가 가능한 효과가 있다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치에 대한 개략적인 구조를 나타낸 도면이고,
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 커부를 도시한 도면이고,
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 방열판부를 도시한 도면이고,
도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 9는 본 발명의 제1실시예에 따른 매트릭스 배치된 1차 도관 및 1차 온도 조절부의 제1 도관 지지부를 도시한 도면이고,
도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 매트릭스 배치된 1차 도관을 도시한 도면이고,
도 11 및 도 12는 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부를 도시한 도면이고,
도 13은 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 커버부를 도시한 도면이고,
도 14는 본 발명의 제1실시예에 따른 매트릭스 배치된 2차 도관 및 제2 도관 지지부를 도시한 도면이고,
도 15는 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부를 도시한 도면이고,
도 16은 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 17은 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 방열판부를 도시한 도면이고,
도 18은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 온도 조절부의 제2 도관 지지부 및 2차 온도 조절부의 제2 도관 지지부를 도시한 도면이고,
도 19는 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부 및 2차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부를 도시한 도면이고,
도 20은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 전달부를 도시한 도면이고,
도 21은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 공급홀, 1차도관 연통홀, 반도체 처리액 유입홀, 2차도관 연통홀을 도시한 도면이고,
도 22는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 전달 매니폴드부의 반도체 처리액 유입홀, 반도체 처리액 배출홀을 도시한 도면이고,
도 23은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치의 저면을 도시한 도면이고,
도 24는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치의 개략적인 구조를 도시한 도면이고,
도 25는 본 발명의 제2실시예에 따른 제1,2 도관부를 도시한 도면이고,
도 26은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관 끼움 몸체부, 제2 도관 끼움 몸체부, 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 27은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관 끼움 몸체, 제2 도관 끼움 몸체, 제3 도관 끼움 몸체를 도시한 도면이고,
도 28은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관부의 제1,2 도관을 도시한 도면이고,
도 29는 본 발명의 제2실시예에 따른 제2 도관부의 제1,2 도관을 도시한 도면이고,
도 30은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관부의 제1,2 도관, 제2 도관부의 제1,2 도관, 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 31은 본 발명의 제2실시예에 따른 방열판부, 제1,2 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 32는 본 발명의 제2실시예에 따른 방열판부를 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치에 대한 개략적인 구조를 나타낸 도면이고,
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 커부를 도시한 도면이고,
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 방열판부를 도시한 도면이고,
도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 9는 본 발명의 제1실시예에 따른 매트릭스 배치된 1차 도관 및 1차 온도 조절부의 제1 도관 지지부를 도시한 도면이고,
도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 매트릭스 배치된 1차 도관을 도시한 도면이고,
도 11 및 도 12는 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부를 도시한 도면이고,
도 13은 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 커버부를 도시한 도면이고,
도 14는 본 발명의 제1실시예에 따른 매트릭스 배치된 2차 도관 및 제2 도관 지지부를 도시한 도면이고,
도 15는 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부를 도시한 도면이고,
도 16은 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 17은 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 방열판부를 도시한 도면이고,
도 18은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 온도 조절부의 제2 도관 지지부 및 2차 온도 조절부의 제2 도관 지지부를 도시한 도면이고,
도 19는 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부 및 2차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부를 도시한 도면이고,
도 20은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 전달부를 도시한 도면이고,
도 21은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 공급홀, 1차도관 연통홀, 반도체 처리액 유입홀, 2차도관 연통홀을 도시한 도면이고,
도 22는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 전달 매니폴드부의 반도체 처리액 유입홀, 반도체 처리액 배출홀을 도시한 도면이고,
도 23은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치의 저면을 도시한 도면이고,
도 24는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치의 개략적인 구조를 도시한 도면이고,
도 25는 본 발명의 제2실시예에 따른 제1,2 도관부를 도시한 도면이고,
도 26은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관 끼움 몸체부, 제2 도관 끼움 몸체부, 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 27은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관 끼움 몸체, 제2 도관 끼움 몸체, 제3 도관 끼움 몸체를 도시한 도면이고,
도 28은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관부의 제1,2 도관을 도시한 도면이고,
도 29는 본 발명의 제2실시예에 따른 제2 도관부의 제1,2 도관을 도시한 도면이고,
도 30은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관부의 제1,2 도관, 제2 도관부의 제1,2 도관, 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 31은 본 발명의 제2실시예에 따른 방열판부, 제1,2 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 32는 본 발명의 제2실시예에 따른 방열판부를 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다. 또한, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치는 반도체 처리액의 온도를 조절하고 일정하게 유지하는 장치이다. 일예로서 본 발명에서 설명되는 반도체 처리액은 불산, 황산, 염산 등이 될 수 있으나 꼭 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 반도체 처리액은 -10도씨 ~ 50도씨 사이의 온도로 조절되며, 일반적으로는 25도씨의 온도를 유지하도록 조절한다. 이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치에 대해 첨부된 도면을 참고하여 자세히 설명하기로 한다.
(제1 실시예)
도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치는 반도체 처리액의 온도 조절 및 유지를 위해 주입 및 배출부(100), 1차 온도 조절부(200), 반도체 처리액 전달부(300), 2차 온도 조절부(400)를 포함한다.
주입 및 배출부(100)는 도 1을 기준으로 좌측에 위치하며, 1차 및 2차 온도 조절부(200,400)는 수평방향으로 배치되며, 반도체 처리액 전달부(300)는 주입 및 배출부(100)와 마주보도록 오른쪽에 배치된다. 또한, 1차 및 2차 온도 조절부(200,400)는 가상의 기준점을 중심으로 서로 마주보면서 쌍으로 배치된다. 이렇게 쌍으로 배치함으로써 주입된 반도체 처리액이 1차 온도 조절을 거쳐 다시 2차 온도 조절 및 유지될 수 있고, 더 나아가 반도체 처리액의 이동 경로를 더 길게 할 수 있는 장점이 있다.
주입 및 배출부(100)는 반도체 처리액이 온도 조절을 위해 공급되고, 순차적으로 온도 조절된 반도체 처리액이 다시 회수되어 배출되는 포트이다. 이를 위해 주입 및 배출부(100)는 제1,2 매니폴드(101,102)와 주입 및 배출포트(110,120)를 포함한다.
제1 매니폴드(101)는 도 2에 도시된 바와 같이 주입포트(110)와 배출포트(120)를 포함한다. 주입포트(110)는 반도체 처리액이 주입되는 포트이고, 배출포트(120)는 온도 조절된 반도체 처리액이 회수되어 배출되는 포트이다.
제2 매니폴드(102)는 후술하는 2차 온도 조절부(400)에서 최종 온도 조절된 반도체 처리액이 회수되고, 이를 다시 배출포트(120)로 전달하여 최종적으로 온도 조절된 반도체 처리액이 외부로 배출되도록 한다. 즉, 제2 매니폴드(102)에서 회수된 반도체 처리액이 다시 제1 매니폴드(101)로 공급되어 배출포트(120)를 통해 배출된다. 이를 위해 도면에는 도시되어 있지 않으나 제2 매니폴드(102)에서 배출포트(120)로 반도체 처리액을 전달하기 위한 전달 경로부가 더 포함될 수 있다.
상술한 매니폴드(101,102) 및 후술하는 반도체 처리액 전달부(310,320,330)는 테프론 재질로 형성될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이 1차 온도 조절부(200)는 주입 및 배출부(100)와 반도체 처리액 전달부(300)의 사이 공간에 반도체 처리액이 수평방향(주입 및 배출부(100)에서 반도체 처리액 전달부(300) 방향)으로 흐르도록 배치된다. 이를 위해 1차 온도 조절부(210)는 1차 커버부(210), 1차 방열판부(220), 1차 열교환 모듈부(230), 1차 도관부(240)를 포함한다. 1차 커버부(210), 1차 방열판부(220), 1차 열교환 모듈부(230), 1차 도관부(240)는 폭 방향을 기준으로 순차적으로 배치된다. 즉, 1차 커버부(210)가 가장 외 측에 배치되고, 순차적으로 배치되면서 1차 도관부(240)가 가장 내측에 배치된다.
1차 커버부(210)는 는 도 6에 도시된 바와 같이 가장 외 측에 배치되어 제품을 보호한다.
1차 방열판부(220)는 도 7에 도시된 바와 같이 1차 커버부(210)의 내측에 배치되며, 후술하는 1차 열교환 모둘부(230)를 방열시킨다. 필요에 따라 1차 열교환 모듈부(230)의 일측 면이 1차 방열판부(220)에 부착될 수 있다. 또한, 1차 열교환 모듈부(230)의 방열을 위해 PCW(process cooling water) 라인 또는 냉각순환라인이 1차 방열판부(220)의 둘레방향으로 배치될 수 있다. 1차 방열판부(220)의 몸체 플레이트도 1차 커버부(210)와 동일하게 수평방향으로 배치된다. 1차 커버부(210) 및 1차 방열판부(220)는 알루미늄 또는 구리 재질로 형성될 수 있다.
1차 열교환 모듈부(230)는 도 8에 도시된 바와 같이 열교환 플레이트부(231)와 펠티어 소자부(232)를 포함한다. 열교환 플레이트부(231)는 알루미늄 재질 또는 구리 재질로 형성된다. 열교환 플레이트부(231)는 1차 방열판부(220)의 내측에 배치되면서 1차 커버부(210) 및 1차 방열판부(220)와 동일하게 수평방향으로 배치된다. 펠티어 소자부(232)는 제어부(도면 미도시)의 제어에 따라 반도체 처리액의 온도를 조절하고 유지하도록 한다. 이때, 1차 열교환 모듈부(230)는 반도체 처리액의 온도를 1차 조절한다. 펠티어 소자부(232)는 열교환 플레이트부(231)의 일면에 열교환 플레이트부(231)의 폭 방향 및 길이방향으로 복수 설치된다.
1차 도관부(240)는 가장 내측에 배치되며, 반도체 처리액이 주입 및 배출부(100)에서 반도체 처리액 전달부(300)측으로 이동하도록 배치된다. 도 9 내지 도 12에 도시된 바와 같이 1차 도관부(240)는 1차 도관(241), 도관 지지부(242), 도관 끼움 몸체부(243)를 포함한다.
1차 도관(241)은 도 9 및 도 18에 도시된 바와 같이 반도체 처리액이 주입 및 배출부(100)에서 반도체 처리액 전달부(300)측으로 이동하도록 수평방향으로 배치되면서 2열 6행(필요에 따라 더 늘리거나 줄일 수 있음)으로 매트릭스 배치된다. 이렇게 도관을 매트릭스 배치함으로써 더욱 많은 반도체 처리액을 흘려보낼 수 있다. 1차 도관(241)의 유입측은 상술한 주입포트(110)와 연통 됨으로써 주입포트(110)를 통해 주입된 반도체 처리액이 2열 6행 매트릭스 배치된 각 도관으로 분기되어 유입된다. 또한, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이 1차 도관(241)의 배출측은 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)와 연통 됨으로써 각각이 복수의 도관에 분기되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)에 회수된다.
도관 지지부(242)는 도 9 및 도 18에 도시된 바와 같이 제1 도관 지지부(242a)와 제2 도관 지지부(242b)를 포함한다. 제1 도관 지지부(242a)와 제2 도관 지지부(242b)에는 매트릭스 배치된 각각의 도관이 끼움 삽입될 수 있는 도관 지지 홈이 형성되어 있다. 제1 도관 지지부(242a)에는 1차 도관(241)의 유입측이 삽입되어 지지되며, 제2 도관 지지부(242b)에는 1차 도관(241)의 배출측이 삽입되어 지지된다. 도 10은 제1 도관 지지부(242a)를 제거한 것을 도시한 도면이다. 도 9와 도 10을 비교해 보면 제1,2 도관 지지부(242a,242b)에 마련된 각각의 도관 지지 홈은 후술하는 제1,2,3 도관 끼움 몸체(243a,243b,243c)에 형성된 도관 끼움 홈과 비교해 볼 때 직경은 적어도 동일하거나 더 크고, 홈의 형성 높이 또는 홈의 형성 위치가 서로 동일하도록 하는 것이 바람직하다.
도관 끼움 몸체부(243)는 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이 외 측에서 내측 방향으로 제1 도관 끼움 몸체(243a), 제2 도관 끼움 몸체(243b), 제3 도관 끼움 몸체(243c)로 순차 배치된다. 도관 끼움 몸체부(243)는 알루미늄 또는 구리 재질로 형성될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이 도관 끼움 몸체부(243)는 1차 도관(241)을 끼움 삽입하여 고정시키기 위한 도관 끼움 홈이 형성된다. 도관 끼움 홈은 1차 도관(241)과 동일한 형상으로 몸체의 수평방향으로 형성된다. 즉, 제1 도관 끼움 몸체(243a)에는 도관 끼움 홈이 반원 형상으로 일면에 형성된다. 제2 도관 끼움 몸체(243b)에는 도관 끼움 홈이 반원 형상으로 양면에 형성된다. 제3 도관 끼움 몸체(243c)에는 도관 끼움 홈이 반원 형상으로 일면에 형성된다. 따라서 제1,2 도관 끼움 몸체(243a,243b)가 합쳐져서 도관 끼움 홈이 원 형상을 이룰 수 있고, 제2,3 도관 끼움 몸체(243b,243c)가 합쳐져서 도관 끼움 홈이 원 형상을 이룰 수 있다. 따라서, 각 도관 끼움 홈에 1차 도관을 매트릭스 형태로 삽입하고, 각 도관 끼움 몸체를 서로 결합함으로써 매트릭스 형태로 삽입된 1차 도관(241)을 배치 고정할 수 있다.
도 13 내지 도 16은 2차 온도 조절부(400)를 도시한 도면이다. 2차 온도 조절부(400)는 1차 온도 조절부(200)와 비교해 볼 때 반도체 처리액이 반대방향으로 흐르도록 대향 배치된다. 즉, 1차 온도 조절부(200)는 반도체 처리액이 주입 및 배출부(100)에서 반도체 처리액 전달부(300) 방향으로 흐르도록 배치되고, 2차 온도 조절부(400)는 반도체 처리액이 반도체 처리액 전달부(300)에서 주입 및 배출부(100) 방향으로 흐르도록 배치된다. 1차 온도 조절부(200)와 2차 온도 조절부(400)는 서로 마주보도록 배치되면서 쌍으로 배치되기 때문에 그 기능이나 배치방법은 1차 온도 조절부와 동일한 원리가 적용할 수 있다. 따라서 동일한 설명은 1차 온도 조절부(200)의 설명에 갈음하기로 하고 차이점만 후술하기로 한다.
2차 온도 조절부(400)는 2차 커버부(410), 2차 방열판부(420), 2차 열교환 모듈부(430), 2차 도관부(240)를 포함한다. 2차 커버부(410), 2차 방열판부(420), 2차 열교환 모듈부(430), 2차 도관부(440)는 폭 방향을 기준으로 순차적으로 배치된다. 즉, 2차 커버부(410)가 가장 외 측에 배치되고, 순차적으로 2차 도관부(440), 2차 열교환 모듈부(430), 2차 방열판부(420)가 가장 내측에 배치된다. 2차 방열판부(420)와 1차 도관부(240)가 내측 대략 중앙지점을 기준으로 서로 마주보게 배치된다. 상술한 1,2차 도관부(241,441)은 테프론 튜브로 구체화될 수 있다.
반도체 처리액 전달부(300)는 도 20 내지 도 23에 도시된 바와 같이 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310), 반도체 처리액 전달 매니폴드부(320), 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330), 및 지지 매니폴드부(340)를 포함한다.
반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)는 지지 매니폴드부(340)에 의해 지지되면서 내부에 1차 도관(241)으로부터 반도체 처리액이 유입될 수 있도록 소정의 폭으로 적어도 1차 도관(241)의 높이보다 높게 몸체가 형셩된다. 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)에는 도 21에 도시된 바와 같이 매트릭스 배치된 1차 도관(241)으로부터 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 유입되도록 하는 1차도관 연통 홀(312)이 형성된다. 1차도관 연통 홀(312)은 바람직하게는 매트릭스 배치된 1차 도관(241)의 각각의 형성 높이와 동일한 위치에 각각 형성된다. 또한, 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)의 상부 측에는 1차도관 연통 홀(312)을 통해 유입된 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 반도체 처리액 전달 매니폴드부(320)로 전달되기 위한 반도체 처리액 공급홀(311)이 형성된다. 반도체 처리액 공급홀(311)은 도 22에 도시된 반도체 처리액 유입 홀(321)과 연통된다.
반도체 처리액 전달 매니폴드부(320)는 도 20 및 도 22에 도시된 바와 같이 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)에서 전달된 반도체 처리액을 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)로 전달 공급한다. 이를 위해 반도체 처리액 전달 매니폴드부(320)는 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)와 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)의 상부에 배치된다. 반도체 처리액 전달 매니폴드부(320)는 반도체 처리액을 유입 받아 전달하기 위해 도 22에 도시된 바와 같이 몸체의 하부 면에 반도체 처리액 유입홀(321)과 반도체 처리액 배출홀(322)이 형성된다. 반도체 처리액 유입홀(321)은 반도체 처리액 공급홀(311)과 연통 되며, 반도체 처리액 배출홀(322)은 반도체 처리액 유입홀(331)과 서로 연통 됨으로써 반도체 처리액을 유입 받아 전달한다.
상술한 바와 같이 1차 온도 조절부(200)에서는 반도체 처리액이 도 1을 기준으로 좌측에서 우측방향(제1방향 흐름)으로 흐르며, 2차 온도 조절부(400)에서는 반도체 처리액이 도 1을 기준으로 우측에서 좌측방향(제2방향 흐름)으로 흐른다. 1차 온도 조절부(200)에서 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 2차 온도 조절부(400)에서 2차 온도 조절하도록 하기 위해 반도체 처리액 전달부(300)에서는 반도체 처리액이 제1방향 흐름에 대해 수직방향으로 흐르도록 한다.
반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)는 도 21에 도시된 바와 같이 지지 매니폴드부(340)에 의해 지지된다. 또한, 반도체 처리액 전달부(300)로부터 전달된 반도체 처리액이 몸체 내부에 모이면서 2차 도관(441)으로 반도체 처리액을 배출할 수 있도록 소정의 폭으로 적어도 2차 도관(441)의 높이보다 높게 몸체가 형셩된다. 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)에는 도 21에 도시된 바와 같이 매트릭스 배치된 2차 도관(441)으로 몸체 내부에 모인 반도체 처리액이 배출되도록 하는 2차도관 연통 홀(332)이 형성된다. 2차도관 연통 홀(332)은 바람직하게는 매트릭스 배치된 2차 도관(441)의 각각의 형성 높이와 동일한 위치에 각각 형성된다. 또한, 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)의 상부 측에는 반도체 처리액 전달부(300)로부터 전달된 반도체 처리액이 몸체 내부로 유입되도록 하는 반도체 처리액 유입홀(331)이 형성된다. 반도체 처리액 유입홀(331)은 도 22에 도시된 반도체 처리액 배출홀(322)과 연통된다.
(제2 실시예)
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치는 도 24에 도시된 바와 같이 제1,2 매니폴더부(601.602), 제1,2 반도체 처리액 운반 모듈부(701,702), 열교환 모듈부(900)를 포함한다.
제1 매니폴더부(601)는 제2 매니폴더부(602)의 상측에 배치된다. 또한, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이 제1 매니폴더부(601)의 우측 일부 영역은 제1,2 도관(811,812)의 일측 포트와 연통 되며, 제1 매니폴더부(601)의 좌측 일부 영역은 제1,2 도관(821,822)의 일측 포트와 연통된다. 또한, 제2 매니폴더부(602)의 우측 일부 영역은 제1,2 도관(811,812)의 타측 포트와 연통 되며, 제2 매니폴더부(602)의 좌측 일부 영역은 제1,2 도관(821,822)의 타측 포트와 연통된다.
이때, 제1 도관부(810)는 제1,2 도관(811,812)을 포함하며, 제1,2 도관(811,812)을 흐르는 반도체 처리액의 흐름 경로는 다음과 같다. 즉, 제1 도관(811)의 반도체 처리액 유입 포트는 제1 매니폴더부(601)와 연통 되며, 제1 도관(811)의 반도체 처리액 배출 포트는 제2 매니폴더부(602)와 연통된다. 따라서 제1 도관(811)의 반도체 처리액 유입 포트에서 반도체 처리액이 주입되고, 제1 도관(811)의 반도체 처리액 배출 포트에서 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 배출된다. 한편, 제2 도관(812)의 반도체 처리액 유입 포트는 제2 매니폴더부(602)와 연통 되며, 제2 도관(812)의 반도체 처리액 배출 포트는 제1 매니폴더부(601)와 연통된다. 제1 도관(811)의 반도체 처리액 배출 포트에서 배출된 1차 온도 조절된 반도체 처리액은 제2 도관(812)의 반도체 처리액 유입 포트로 다시 유입되어 2차 온도 조절되어 제2 도관(812)의 반도체 처리액 배출 포트로 배출된다.
한편, 제2 도관부(820)는 제1,2 도관(821,822)을 포함하며, 제1,2 도관(821,822)을 흐르는 반도체 처리액의 흐름 경로는 앞서 설명한 제1 도관부(810)의 반도체 처리액 흐름 경로의 원리와 동일하므로 설명을 생략하기로 한다.
제1 반도체 처리액 운반 모듈부(701)는 제1 도관 끼움 몸체부(710)와 제1 도관부(810)를 포함한다. 제1 도관 끼움 몸체부(710)는 도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이 외 측으로부터 제1 도관 끼움 몸체(711), 제2 도관 끼움 몸체(712), 제3 도관 끼움 몸체(713)가 순차적으로 배치된다. 제1,3 도관 끼움 몸체(711,713)의 일면에는 단면이 반원이면서 U자형 형상으로 이루어진 도관 끼움 홈이 각각 형성된다. U자형 형상으로 이루어진 것은 후술하는 바와 같이 각 도관(811,812,821,822)의 형상이 U자형이고, 각 도관이 도관 끼움 홈에 삽입되어 고정되기 때문이다. 제2 도관 끼움 몸체(712)의 양면에는 단면이 반원이면서 U자형 형상으로 이루어진 도관 끼움 홈이 형성된다. 제1 도관 끼움 몸체(711)와 제2 도관 끼움 몸체(712)의 일면이 서로 결합됨으로써 제1 도관부(810)의 제2 도관(812)이 내측으로 삽입 고정되고, 제2 도관 끼움 몸체(712)의 나머지 일면과 제3 도관 끼움 몸체(713)가 서로 결합 됨으로써 제1 도관부(810)의 제1 도관(811)이 내측으로 삽입 고정될 수 있다. 이와 마찬가지로 제2 도관 끼움 몸체부(720)와 제2 도관부(820)의 구성도 동일한 원리가 적용된다. 상술한 도관 끼움 홈은 제1,2 도관(811,812)의 배치 위치에 상응하도록 형성된다.
제1 도관부(810)는 도 28에 도시된 바와 같이 상대적으로 외 측에 배치되는 제2 도관(812)과 상대적으로 열교환 모듈부(900)에 가깝게 내측에 배치되는 제1 도관(811)을 포함한다. 제1 매니폴더부(601)에 있는 반도체 처리액이 제1 도관(811)을 따라 제2 매니폴더부(602)로 배출되면서 열교환 모듈부(900)에 의해 1차 온도 조절된다. 한편, 1차 온도 조절된 반도체 처리액은 제2 매니폴더부(602)에서 제2 도관(812)의 유입 포트로 전달되며, 제2 도관(812)을 따라 2차 온도 조절된 반도체 처리액이 최종적으로 제1 매니폴더부(601)로 회수되어 배출포트(620)를 따라 외부로 배출된다.
도 29에 도시된 바와 같이 제2 도관부(820)는 상대적으로 외 측에 배치되는 제2 도관(822)과 상대적으로 열교환 모듈부(900)에 가깝게 내측에 배치되는 제1 도관(821)을 포함한다. 반도체 처리액의 흐름 경로는 앞서 설명한 제1 도관부(810)의 경로 설명에 갈음하기로 한다.
반도체 처리액 흐름 경로를 요약하면, 제1 매니폴더부(601)에 있는 반도체 처리액이 제1 도관(811,821)을 통해 제2 매니폴더부(602)로 이동하면서 1차 온도 조절되고, 제2 매니폴더부(602)에 있는 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 제2 도관(812,822)을 통해 제1 매니폴더부(601)로 이동하면서 2차 온도 조절된다.
상술한 도관 끼움 몸체부(710,720)는 알루미늄 또는 구리 재질로 형성될 수 있으며, 도관(811,812,821,822)은 테프론 튜브로 형성될 수 있다.
도 30 및 도 31에 도시된 바와 같이 열교환 모듈부(900)는 대략 중앙 영역에 몸체의 길이 방향 또는 수평방향으로 배치됨으로써 도관(811,812,821,822)을 통해 흐르는 반도체 처리액의 온도를 조절한다. 열교환 모듈부(900)는 중앙 영역에 배치되기 때문에 각 도관(811,812,821,822)을 흐르는 반도체 처리액을 1차 및 2차에 걸쳐 온도 조절할 수 있다.
한편, 도 30에 도시된 바와 같이 제1 도관(811)은 제2 도관(812)에 비해 열교환 모듈부(900)에 가깝고, 제1 도관(821)은 제2 도관(822)에 비해 열교환 모듈부(900)에 가깝게 배치된다. 따라서 배치 위치를 서로 동일하게 하기 위해서 도면에는 도시되어 있지 않으나 제1 도관(811,821)의 내측에 제2 도관(812,822)이 배치되도록 함으로써(즉, 제2 도관의 크기를 줄이거나 제1 도관의 크기를 더 크게 함으로써) 열교환 모둘부(900)와 상대적인 거리를 동일하게 할 수 있다.
열교환 모듈부(900)는 제1 열교환 모듈부(910), 방열판부(920), 제2 열교환 모듈부(930)를 포함한다. 중앙에 배치된 방열판부(920)를 사이에 두고 방열판부(920)의 각 일면에 제1,2 열교환 모듈부(910,930)가 배치된다.
제1,2 열교환 모듈부(910,930)에는 열교환을 위한 펠티어 소자가 도 31 및 도 32에 도시된 방열판부(920)의 각 일면에 길이방향 및 폭 방향으로 각각 배치된다.
제2 반도체 처리액 운반 모듈부(702)는 제2 도관 끼움 몸체부(720)와 제2 도관부(820)를 포함한다. 제2 반도체 처리액 운반 모듈부(702)는 열교환 모듈부(901)를 기준으로 제1 반도체 처리액 운반 모듈부(701)와 서로 마주보면서 쌍으로 배치되기 때문에 설명을 생략하고 앞서 설명한 제1 반도체 처리액 운반 모듈부(701)의 설명에 갈음하기로 한다.
본 발명을 설명함에 있어 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다. 또한, 상술한 본 발명의 구성요소는 본 발명의 설명의 편의를 위하여 설명하였을 뿐 여기에서 설명되지 아니한 구성요소가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 추가될 수 있다.
상술한 각부의 구성 및 기능에 대한 설명은 설명의 편의를 위하여 서로 분리하여 설명하였을 뿐 필요에 따라 어느 한 구성 및 기능이 다른 구성요소로 통합되어 구현되거나, 또는 더 세분화되어 구현될 수도 있다.
이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명과 관련된 공지 기능 및 그 구성 또는 본 발명의 각 구성에 대한 결합관계에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
100 : 주입 및 배출부
101 : 제1 매니폴드
102 : 제2 매니폴드
110 : 주입포트
120 : 배출포트
200 : 1차 온도 조절부
210 : 1차 커버부
220 : 1차 방열판부
221 : 냉각순환라인
230 : 1차 열교환 모듈부
231 : 열교환 플레이트부
232 : 펠티어 소자부
240 : 1차 도관부
241 : 1차 도관
242 : 도관 지지부
242a : 제1 도관 지지부
242b : 제2 도관 지지부
243 : 도관 끼움 몸체부
243a : 제1 도관 끼움 몸체
243b : 제2 도관 끼움 몸체
243c : 제3 도관 끼움 몸체
300 : 반도체 처리액 전달부
310 : 반도체 처리액 모음 매니폴드부
311 : 반도체 처리액 공급홀
312 : 1차도관 연통홀
320 : 반도체 처리액 전달 매니폴드부
321 : 반도체 처리액 유입홀
322 : 반도체 처리액 배출홀
330 : 반도체 처리액 배츨 매니폴드부
331 : 반도체 처리액 유입홀
332 : 2차도관 연통홀
340 : 지지 매니폴드부
400 : 2차 온도 조절부
410 : 2차 커버부
420 : 2차 방열판부
430 : 2차 열교환 모듈부
440 : 2차 도관부
441 : 2차 도관(또는 도관 끼움 홈)
442a : 제1 도관 지지부
442b : 제2 도관 지지부
443a : 제1 도관 끼움 몸체
443b : 제2 도관 끼움 몸체
443c : 제3 도관 끼움 몸체
601 : 제1 매니폴더부
602 : 제2 매니폴더부
610 : 주입포트
620 : 배출포트
701 : 제1 반도체 처리액 운반 모듈부
702 : 제2 반도체 처리액 운반 모듈부
710 : 제1 도관 끼움 몸체부
711 : 제1 도관 끼움 몸체
712 : 제2 도관 끼움 몸체
713 : 제3 도관 끼움 몸체
720 : 제2 도관 끼움 몸체부
721 : 제1 도관 끼움 몸체
722 : 제2 도관 끼움 몸체
723 : 제3 도관 끼움 몸체
810 : 제1 도관부
811 : 제1 도관
812 : 제2 도관
820 : 제2 도관부
821 : 제1 도관
822 : 제2 도관
900,901 : 열교환 모듈부
910 : 제1 열교환 모듈부
920 : 방열판부(또는 지지부)
930 : 제2 열교환 모듈부
101 : 제1 매니폴드
102 : 제2 매니폴드
110 : 주입포트
120 : 배출포트
200 : 1차 온도 조절부
210 : 1차 커버부
220 : 1차 방열판부
221 : 냉각순환라인
230 : 1차 열교환 모듈부
231 : 열교환 플레이트부
232 : 펠티어 소자부
240 : 1차 도관부
241 : 1차 도관
242 : 도관 지지부
242a : 제1 도관 지지부
242b : 제2 도관 지지부
243 : 도관 끼움 몸체부
243a : 제1 도관 끼움 몸체
243b : 제2 도관 끼움 몸체
243c : 제3 도관 끼움 몸체
300 : 반도체 처리액 전달부
310 : 반도체 처리액 모음 매니폴드부
311 : 반도체 처리액 공급홀
312 : 1차도관 연통홀
320 : 반도체 처리액 전달 매니폴드부
321 : 반도체 처리액 유입홀
322 : 반도체 처리액 배출홀
330 : 반도체 처리액 배츨 매니폴드부
331 : 반도체 처리액 유입홀
332 : 2차도관 연통홀
340 : 지지 매니폴드부
400 : 2차 온도 조절부
410 : 2차 커버부
420 : 2차 방열판부
430 : 2차 열교환 모듈부
440 : 2차 도관부
441 : 2차 도관(또는 도관 끼움 홈)
442a : 제1 도관 지지부
442b : 제2 도관 지지부
443a : 제1 도관 끼움 몸체
443b : 제2 도관 끼움 몸체
443c : 제3 도관 끼움 몸체
601 : 제1 매니폴더부
602 : 제2 매니폴더부
610 : 주입포트
620 : 배출포트
701 : 제1 반도체 처리액 운반 모듈부
702 : 제2 반도체 처리액 운반 모듈부
710 : 제1 도관 끼움 몸체부
711 : 제1 도관 끼움 몸체
712 : 제2 도관 끼움 몸체
713 : 제3 도관 끼움 몸체
720 : 제2 도관 끼움 몸체부
721 : 제1 도관 끼움 몸체
722 : 제2 도관 끼움 몸체
723 : 제3 도관 끼움 몸체
810 : 제1 도관부
811 : 제1 도관
812 : 제2 도관
820 : 제2 도관부
821 : 제1 도관
822 : 제2 도관
900,901 : 열교환 모듈부
910 : 제1 열교환 모듈부
920 : 방열판부(또는 지지부)
930 : 제2 열교환 모듈부
Claims (13)
- 반도체 처리액을 주입하고, 주입된 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 배출되는 주입 및 배출부,
상기 주입 및 배출 부에서 주입된 반도체 처리액을 여러 가지로 한 방향으로 분기하면서 1차 온도 조절 및 유지하는 1차 온도 조절부,
상기 1차 온도 유지 부에서 분기되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 모아서 전달하는 반도체 처리액 전달부,
상기 반도체 처리액 전달 부로부터 전달된 반도체 처리액을 여러 가지로 일방향으로 분기하면서 2차 온도 조절 및 유지하고, 온도 조절된 반도체 처리액을 상기 주입 및 배출부로 전달하는 2차 온도 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 1차 온도 조절부에서 수평방향으로 분기되어 흐르는 반도체 처리액의 흐름 방향과 상기 2차 온도 조절부에서 수평방향으로 분기되어 흐르는 반도체 처리액의 흐름 방향은 서로 반대 방향인 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 2 항에 있어서,
상기 반도체 처리액 전달부에서의 반도체 처리액 전달방향은 상기 1,2차 온도 조절부의 흐름 방향과 서로 다른 방향인 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 주입 및 배출부는 일측에 배치되고,
상기 반도체 처리액 전달부는 상기 주입 및 배출부의 타측에 배치되며,
상기 1차 온도 조절부 및 2차 온도 조절부는 상기 주입 및 배출부와 반도체 처리액 전달부의 사이 공간에 몸체의 길이방향 또는 수평방향으로 배치되면서 순차적으로 반도체 처리액의 온도를 조절하기 위해 서로 대칭적으로 마주보도록 쌍으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 1차 온도 조절부는,
몸체의 길이방향으로 배치되는 1차 방열판부,
상기 반도체 처리액을 1차 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 복수 배치되는 1차 열교환 모듈부,
상기 주입 및 배출부에서 전달된 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제1 방향으로 흐르도록 몸체 길이방향으로 배치되는 1차 도관부를 포함하며,
상기 2차 온도 조절부는,
상기 1차 방열판부와 마주보도록 대향하여 쌍으로 배치되는 2차 방열판부,
상기 1차 열교환 모듈부에서 1차 온도 조절한 반도체 처리액을 2차 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 복수 배치되는 2차 열교환 모듈부,
상기 반도체 처리액 전달부에서 전달된 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제2 방향으로 흐르도록 몸체 길이방향으로 배치되는 2차 도관부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 제1 방향은 상기 주입 및 배출부에서 상기 반도체 처리액 전달부로 반도체 처리액이 흐르는 방향이고,
상기 제2 방향은 상기 반도체 처리액 전달부에서 상기 주입 및 배출부로 반도체 처리액이 흐르는 방향인 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 6 항에 있어서,
상기 1차 도관부 및 2차 도관부 각각은,
반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 상기 제1 방향으로 흐르도록 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 몸체 길이방향으로 복수 배치되는 도관,
상기 도관이 끼움 삽입되도록 도관 끼움 홈이 형성된 도관 끼움 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 7 항에 있어서,
상기 1차 도관부 및 2차 도관부 각각은,
상기 도관의 일측 끝 부분을 지지하도록 복수의 도관 지지 홈이 형성된 제1 도관 지지부,
상기 도관의 타측 끝 부분을 지지하도록 복수의 도관 지지 홈이 형성된 제2 도관 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 7 항에 있어서,
상기 도관 끼움 몸체는,
상기 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 일면에 형성되는 제1 도관 끼움 몸체,
상기 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 양면에 형성되는 제2 도관 끼움 몸체,
상기 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 일면에 형성되는 제3 도관 끼움 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 7 항에 있어서,
상기 반도체 처리액 전달부는,
상기 1차 도관부의 복수의 분기된 도관으로부터 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 전달받아 모으는 반도체 처리액 모음 매니폴드부,
상기 반도체 처리액 모음 매니폴드부와 서로 연통 되어 반도체 처리액을 전달받는 반도체 처리액 전달 매니폴드부,
상기 반도체 처리액 전달 매니폴드부와 서로 연통 되어 반도체 처리액을 전달받으며, 전달받은 반도체 처리액의 2차 온도 조절을 위해 상기 2차 도관부의 복수의 분기된 도관으로 상기 반도체 처리액을 배출하는 반도체 처리액 배출 매니폴드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 10 항에 있어서,
상기 반도체 처리액 모음 매니폴드부에는 상기 1차 도관부의 도관으로부터 반도체 처리액을 전달받기 위한 1차도관 연통 홀이 수직방향으로 복수로 형성되며,
상기 반도체 처리액 배출 매니폴드부에는 상기 2차 도관부의 도관으로 반도체 처리액을 배출하기 위한 2차도관 연통 홀이 수직방향으로 복수로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 1차 온도 조절부는,
상기 1차 방열판부, 1차 열교환 모듈부, 및 1차 도관부가 몸체의 폭 방향을 기준으로 몸체의 외측에서 내측으로 순차적으로 배치되며,
상기 2차 온도 조절부는,
상기 2차 도관부,
상기 2차 방열판부, 1차 열교환 모듈부, 및 2차 방열판부가 몸체의 폭 방향을 기준으로 몸체의 외측에서 내측으로 순차적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
- 제 9 항에 있어서,
상기 제1,2 도관 끼움 몸체의 도관 끼움 홈에 삽입 고정됨으로써 수직방향으로 위치를 달리하여 제1 열로 도관이 배치되고,
상기 제2,3 도관 끼움 몸체의 도관 끼움 홈에 삽입 고정됨으로써 수직방향으로 위치를 달리하여 제2 열로 도관이 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
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|---|---|---|---|
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-
2020
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