KR102090550B1

KR102090550B1 - 유동로

Info

Publication number: KR102090550B1
Application number: KR1020180147506A
Authority: KR
Inventors: 고창국; 신명균
Original assignee: 주식회사 포스코
Priority date: 2018-11-26
Filing date: 2018-11-26
Publication date: 2020-03-18
Also published as: EP3889532A1; CN113167534A; CN113167534B; WO2020111666A1; EP3889532B1; EP3889532A4

Abstract

유동로는 제1 지름을 가지는 제1 유동층 공간을 형성하며 미분 환원철이 배출되는 배출구를 포함하는 하부 반응기, 상기 제1 지름 대비 큰 제2 지름을 가지는 제2 유동층 공간을 형성하며 미분 철광석이 장입되는 장입구를 포함하는 상부 반응기, 및 상기 제1 유동층 공간과 상기 제2 유동층 공간 사이를 연통하는 연결 공간을 형성하며 상기 하부 반응기와 상기 상부 반응기 사이를 직접 연결하는 테이퍼부를 포함한다.

Description

유동로{FLUIDIZED FURNACE}

본 기재는 유동로에 관한 것이다.

일반적으로, 미분 철광석을 직접 사용하여 용철을 제조하는 용융 환원 제철 설비의 경우, 미분 철광석을 유동 환원 처리하기 위한 복수의 유동로들을 포함한다.

유동로는 용융 가스 화로로부터 공급되는 고온의 환원 가스를 이용하여 가루 형태의 미분 철광석을 미분 환원철로 환원한다.

종래의 유동로는 실질적으로 8mm 이하의 입도를 가지는 미분 철광석을 사용하였으나, 최근 더 작은 입도를 가지는 극미분 철광석의 사용이 요구되고 있다.

그런데, 극미분 철광석이 종래의 유동로에 다량 장입되는 경우, 극미분 철광석간의 상호 작용에 의해 유동로 내부에 정체층이 형성되거나, 유동로의 내벽에 극미분 철광석으로부터 환원된 극미분 환원철이 융착 및 응집되어 큰 입자를 형성하는 문제점이 있다.

또한, 종래의 유동로는 유동로 내부에서 비산되는 조업 유속보다 작은 종말 속도를 가진 극미분 철광석이 유동로 내부의 사이클론에 의해 회수 및 재주입 되어야 하나, 사이클론의 효율이 비산 입자인 극미분 철광석의 입도가 작아짐에 따라 감소하므로, 비산 손실이 증가되는 문제점이 있다.

일 실시예는, 극미분 철광석이 장입되더라도, 비산 손실이 최소화되는 동시에 융착 문제가 최소화되는 유동로를 제공하고자 한다.

또한, 원료로서 극미분 철광석을 100%로 사용할 수 있는 유동로를 제공하고자 한다.

일 측면은 제1 지름을 가지는 제1 유동층 공간을 형성하며, 미분 환원철이 배출되는 배출구를 포함하는 하부 반응기, 상기 제1 지름 대비 큰 제2 지름을 가지는 제2 유동층 공간을 형성하며, 미분 철광석이 장입되는 장입구를 포함하는 상부 반응기, 및 상기 제1 유동층 공간과 상기 제2 유동층 공간 사이를 연통하는 연결 공간을 형성하며, 상기 하부 반응기와 상기 상부 반응기 사이를 직접 연결하는 테이퍼부를 포함하는 유동로를 제공한다.

상기 제2 지름은 상기 제1 지름 대비 3배 내지 4배일 수 있다.

상기 테이퍼부의 외벽은 상기 제2 지름 방향과 45도 내지 75도의 각도를 가질 수 있다.

상기 장입구는 상기 상부 반응기의 외벽 높이의 1/2 대비 높을 수 있다.

상기 배출구는 상기 하부 반응기의 외벽 높이의 1/2 대비 낮으며, 상측으로 연장될 수 있다.

상기 제2 유동층 공간과 상기 연결 공간 사이에 위치하며, 복수의 관통홀들을 포함하는 다공판을 더 포함할 수 있다.

상기 제2 유동층 공간으로부터 상기 다공판을 거쳐 상기 제1 유동층 공간으로 연장되며, 상기 다공판에 지지된 스탠드 파이프를 더 포함할 수 있다.

상기 상부 반응기의 외벽의 원주 방향으로 따라 배치된 복수의 질소 퍼지 공급관들을 더 포함할 수 있다.

상기 하부 반응기는 상기 제1 유동층 공간으로 공급되는 환원 가스를 통과시키는 분산판을 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 극미분 철광석이 장입되더라도, 비산 손실이 최소화되는 동시에 융착 문제가 최소화되는 유동로가 제공된다.

또한, 원료로서 극미분 철광석을 100%로 사용할 수 있는 유동로가 제공된다.

도 1은 제1 실시예에 따른 유동로를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 질소 퍼지 공급관들을 나타낸 도면들이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 유동로 내부를 나타낸 도면이다.
도 4는 제2 실시예에 따른 유동로를 나타낸 사시도이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 유동로의 내부를 나타낸 도면이다.
도 6은 제3 실시예에 따른 유동로를 나타낸 사시도이다.
도 7은 제3 실시예에 따른 유동로의 내부를 나타낸 도면이다.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 제1 실시예에 따른 유동로를 설명한다. 유동로는 용융환원 제철 설비에 포함된 유동로일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

일례로, 용융환원 제철 설비는 미분 철광석을 미분 환원철로 환원하는 적어도 하나의 유동로들, 미분 환원철을 압착하여 괴성체로 제조하는 괴성화 장치, 용융 가스 화로를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 공지된 다양한 구성들을 더 포함할 수 있다. 미분 철광석은 유동로들로 장입되며, 유동로들로부터 환원된 미분 환원철은 괴성화 장치에서 괴성체로 제조되어 성형탄과 함께 용융 가스 화로로 공급되어 용철로 제조될 수 있다. 또한, 용융 가스 화로로부터 발생된 환원 가스는 유동로들로 공급될 수 있다.

도 1은 제1 실시예에 따른 유동로를 나타낸 사시도이다.

도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 유동로(1000)는 하부 반응기(100), 상부 반응기(200), 테이퍼부(300), 복수의 질소 퍼지 공급관(400)들을 포함한다.

하부 반응기(100)는 원기둥 형태를 가지고 있으며, 평면적으로 제1 지름(D1)을 가지는 제1 유동층 공간(FS1)을 형성한다.

하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에서는 고속 유동층(Turbulent Fluidized bed 내지 Fast Fluidized Bed)이 형성되어 격렬한 기체 고체 혼합이 발생될 수 있다.

하부 반응기(100)는 미분 환원철이 배출되는 배출구(110)를 포함한다.

하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에서 미분 철광석으로부터 환원된 미분 환원철은 배출구(110)를 통해 배출된다.

배출구(110)는 하부 반응기(100)의 외벽(101) 높이의 1/2 대비 낮게 위치하며, 상측으로 연장된다.

하부 반응기(100)는 제1 유동층 공간(FS1)으로 공급되는 환원 가스(RG)를 통과시키는 분산판(120)을 포함한다.

분산판(120)은 환원 가스(RG)가 통하는 복수의 관통홀들을 포함한다. 분산판(120)의 하부로부터 환원 가스(RG)가 공급되며, 환원 가스(RG)는 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)을 거쳐 상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)을 지나 상부 반응기(200)의 상부로 배출된다. 환원 가스(RG)는 용융 환원 제철 설비의 용융 가스 화로로부터 발생될 수 있으며, 상부 반응기(200)의 상부로 배출된 환원 가스(RG)는 다른 유동로의 하부로 공급될 수 있다.

상부 반응기(200)는 하부 반응기(100) 대비 부피가 큰 원기둥 형태를 가지고 있다. 상부 반응기(200)는 평면적으로 제1 지름(D1) 대비 큰 제2 지름(D2)을 가지는 제2 유동층 공간(FS2)을 형성한다.

제2 지름(D2)은 제1 지름(D1) 대비 3배 내지 4배일 수 있다.

상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)에서는 제1 유동층 공간(FS1)의 가스 유속 대비 낮은 가스 유속으로 인해 잔잔한 유동층(Minimum fluidized bed 내지 Bubbling fluidized bed)이 형성된다.

상부 반응기(200)는 미분 철광석이 장입되는 장입구(210)를 포함한다.

상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)에는 장입구(210)를 통해 미분 철광석이 장입된다.

장입구(210)는 상부 반응기(200)의 외벽(201) 높이의 1/2 대비 높게 위치하며, 상측으로 연장된다.

테이퍼부(300)는 하부 반응기(100)와 상부 반응기(200) 사이를 직접 연결한다. 테이퍼부(300)는 제1 유동층 공간(FS1)과 제2 유동층 공간(FS2) 사이를 연통하는 연결 공간(CS)을 형성한다.

테이퍼부(300)의 외벽(301)은 제2 지름(D2) 방향과 45도 내지 75도의 각도를 가질 수 있다.

테이퍼부(300), 하부 반응기(100), 상부 반응기(200)는 일체로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

복수의 질소 퍼지 공급관(400)들은 상부 반응기(200)의 외벽(201)의 원주 방향으로 따라 배치된다.

도 2는 도 1에 도시된 질소 퍼지 공급관들을 나타낸 도면들이다. 도 2의 (A)는 상부 반응기(200)에 연결된 질소 퍼지 공급관(400)의 일례를 나타낸 도면이다.

도 2의 (A)를 참조하면, 질소 퍼지 공급관(400)은 상부 반응기(200)의 외벽(201)의 하측 부분에 위치하며, 테이퍼부(300)의 외벽(301)과 이웃한다.

질소 퍼지 공급관(400)은 상부 반응기(200)로부터 테이퍼부(300) 방향으로 장입물의 흐름을 원활하게 하기 위해, 테이퍼부(300)의 외벽(301)의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장될 수 있다.

도 2의 (B)는 상부 반응기(200)에 연결된 복수의 질소 퍼지 공급관(400)들의 배치의 일례를 나타낸 도면이다.

도 2의 (B)를 참조하면, 복수의 질소 퍼지 공급관(400)들 각각은 상부 반응기(200)의 외벽(201)의 원주를 따라 제2 유동층 공간(FS2)의 중심과 45도의 각도를 가지도록 배치될 수 있다.

도 2의 (C)는 상부 반응기(200)에 연결된 복수의 질소 퍼지 공급관(400)들의 배치의 다른 예를 나타낸 도면이다.

도 2의 (C)를 참조하면, 복수의 질소 퍼지 공급관(400)들 각각은 상부 반응기(200)의 외벽(201)의 원주를 따라 제2 유동층 공간(FS2)의 중심과 30도의 각도를 가지도록 배치될 수 있다.

도 3은 제1 실시예에 따른 유동로 내부를 나타낸 도면이다. 도 3에서 고체 흐름은 미분 철광석 흐름 및 미분 환원철의 흐름의 의미할 수 있으며, Solid 존재 영역은 미분 철광석 및 미분 환원철의 존재 영역을 의미할 수 있다.

도 3을 참조하면, 분산판(120)을 통해 환원 가스(RG)가 주입되는 유동로(1000)의 상부 반응기(200)의 장입구(210)에 미분 철광석(IO1)이 장입되면, 제2 유동층 공간(FS2)에는 낮은 가스 유속으로 인해 잔잔한 유동층(FB1)이 형성된다.

상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)에 형성된 잔잔한 유동층(FB1)은 테이퍼부(300)의 연결 공간(CS)을 거쳐 고속 영역인 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)으로 이동하게 된다.

하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에서 고속 유동층(FB2)이 형성되어 격렬한 기체 고체 혼합이 발생된다. 이로 인해, 고속 유동층(FB2)에서 환원된 미분 환원철(IO2)들이 서로 응집하는 융착 현상이 발생되는 것이 최소화된다.

하부 반응기(100)에서 환원된 미분 환원철(IO2)은 배출구(110)를 통해 하부 반응기(100) 외부로 압력차에 의해 배출된다.

하부 반응기(100)의 좁은 제1 유동층 공간(FS1)에서 장입물인 미분 철광석(IO1)은 고속 유동층(FB2)인 난류 유동층 조건에서 환원된다.

하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에서 빠른 가스 흐름에 의해 환원 가스(RG)와 미분 철광석(IO1)들이 격렬히 혼합되기 때문에, 하부 반응기(100)의 내벽에서 환원된 미분 환원철(IO2)들의 융착되거나, 환원된 입자들끼리의 융착되어 큰 입자를 형성하는 현상(agglomeration)이 억제된다.

하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에서 높은 가스/광석의 비율로 인해 환원이 빠르게 발생된다. 제1 유동층 공간(FS1)에서 환원된 미분 환원철(IO2)은 압력차에 의해 배출구(110)를 통해 배출된다.

하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에서 격렬한 혼합에 의해 환원된 미분 환원철(IO2)은 상부 반응기(200)로 이동하는 환원 가스(RG)와 함께 상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)으로 비산될 수 있으나, 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1) 대비 급격히 넓어진 상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)에 의해 가스 유속이 줄어들기 때문에, 제2 유동층 공간(FS2)으로 비산된 미분 환원철(IO2)은 바로 중력에 의해 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)으로 떨어진다.

상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)에서는 장입구(210)로부터 장입되는 상온의 미분 철광석(IO1)과의 열교환에 의해 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1) 대비 낮은 온도 및 가스/광석 비율이 되고, 이로 인해 낮은 환원 반응이 일어난다.

따라서, 상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)에서는 잔잔한 유동층(FB1)인 기포 유동층 분위기로 미분 환원철(IO2)의 융착 문제는 발생하지 않으며, 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에서는 고속 유동층(FB2)인 난류 유동층 분위기로 미분 환원철(IO2)의 환원이 가속화되어 배출구(110)를 통해 배출되어 미분 환원철(IO2)의 융착 문제가 최소화된다.

즉, 상부 반응기(200), 하부 반응기(100), 테이퍼부(300)를 포함함으로써, 극미분 철광석이 장입되더라도, 비산 손실이 최소화되는 동시에 융착 문제가 최소화되는 유동로(1000)가 제공된다.

또한, 상부 반응기(200), 하부 반응기(100), 테이퍼부(300)를 포함함으로써, 원료로서 극미분 철광석을 100%로 사용할 수 있는 유동로(1000)가 제공된다.

이하, 도 4 및 도 5를 참조하여 제2 실시예에 따른 유동로를 설명한다. 이하에서는 상술한 제1 실시예에 따른 유동로와 다른 부분에 대해서 설명한다.

도 4는 제2 실시예에 따른 유동로를 나타낸 사시도이다.

도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 유동로(1002)는 하부 반응기(100), 상부 반응기(200), 테이퍼부(300), 복수의 질소 퍼지 공급관(400)들, 다공판(500)을 포함한다.

다공판(500)은 상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)과 테이퍼부(300)의 연결 공간(CS) 사이에 위치하며, 복수의 관통홀들을 포함한다.

다공판(500)은 제2 유동층 공간(FS2)과 연결 공간(CS) 사이에 위치하여, 제2 유동층 공간(FS2)과 제1 유동층 공간(FS1) 사이의 격벽 역할을 한다.

다공판(500)은 상부 반응기(200)와 하부 반응기(100) 사이를 물리적으로 분리할 수 있다.

도 5는 제2 실시예에 따른 유동로의 내부를 나타낸 도면이다.

도 5를 참조하면, 분산판(120)을 통해 환원 가스(RG)가 주입되는 유동로(1002)의 상부 반응기(200)의 장입구(210)에 미분 철광석(IO1)이 장입되면, 제2 유동층 공간(FS2)에는 낮은 가스 유속으로 인해 잔잔한 유동층(FB1)이 형성된다. 다공판(500)에 의해 미분 철광석(IO1)이 잔잔한 유동층(FB1)에서 일부 환원된다.

이후, 제2 유동층 공간(FS2)에서 일부 환원된 미분 환원철(IO2) 및 미분 철광석(IO1)이 다공판(500)의 관통홀들을 통과하여 하부 반응기(100)로 이동하면, 빠른 유속으로 인해 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에서 고속 유동층(FB2)이 형성되어 격렬한 기체 고체 혼합이 발생된다. 이로 인해, 고속 유동층(FB2)에서 환원된 미분 환원철(IO2)들이 서로 응집하는 융착 현상이 발생되는 것이 최소화된다.

즉, 상부 반응기(200), 하부 반응기(100), 테이퍼부(300), 다공판(500)을 포함함으로써, 극미분 철광석이 장입되더라도, 비산 손실이 최소화되는 동시에 융착 문제가 최소화되는 유동로(1002)가 제공된다.

또한, 상부 반응기(200), 하부 반응기(100), 테이퍼부(300), 다공판(500)을 포함함으로써, 원료로서 극미분 철광석을 100%로 사용할 수 있는 유동로(1002)가 제공된다.

이하, 도 6 및 도 7을 참조하여 제3 실시예에 따른 유동로를 설명한다. 이하에서는 상술한 제1 실시예에 따른 유동로와 다른 부분에 대해서 설명한다.

도 6은 제3 실시예에 따른 유동로를 나타낸 사시도이다.

도 6을 참조하면, 제3 실시예에 따른 유동로(1003)는 하부 반응기(100), 상부 반응기(200), 테이퍼부(300), 복수의 질소 퍼지 공급관(400)들, 다공판(500), 스탠드 파이프(600)를 포함한다.

스탠드 파이프(600)는 제2 유동층 공간(FS2)으로부터 다공판(500)을 거쳐 제1 유동층 공간(FS1)으로 연장된다. 스탠드 파이프(600)는 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에 대응하여 다공판(500)에 지지된다.

스탠드 파이프(600)는 상부 반응기(200)로부터 하부 반응기(100)로의 미분 철광석의 흐름을 원활하게 한다.

도 7은 제3 실시예에 따른 유동로의 내부를 나타낸 도면이다.

도 7을 참조하면, 분산판(120)을 통해 환원 가스(RG)가 주입되는 유동로(1003)의 상부 반응기(200)의 장입구(210)에 미분 철광석(IO1)이 장입되면, 제2 유동층 공간(FS2)에는 낮은 가스 유속으로 인해 잔잔한 유동층(FB1)이 형성된다. 다공판(500)에 의해 미분 철광석(IO1)이 잔잔한 유동층(FB1)에서 일부 환원된다.

이때, 제2 유동층 공간(FS2)에 위치하는 미분 철광석(IO1)의 일부가 낮은 압력인 상부 반응기(200)의 제2 유동층 공간(FS2)으로부터 스탠드 파이프(600)를 통해 높은 압력인 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)으로 원활하게 이동된다.

이후, 제2 유동층 공간(FS2)에서 일부 환원된 미분 환원철(IO2) 및 미분 철광석(IO1)이 다공판(500)의 관통홀들을 통과하여 하부 반응기(100)로 이동하고, 스탠드 파이프(600)를 통해 미분 철광석(IO1)이 하부 반응기(100)로 이동하면, 빠른 유속으로 인해 하부 반응기(100)의 제1 유동층 공간(FS1)에서 고속 유동층(FB2)이 형성되어 격렬한 기체 고체 혼합이 발생된다. 이로 인해, 고속 유동층(FB2)에서 환원된 미분 환원철(IO2)들이 서로 응집하는 융착 현상이 발생되는 것이 최소화된다.

즉, 상부 반응기(200), 하부 반응기(100), 테이퍼부(300), 다공판(500), 스탠드 파이프(600)를 포함함으로써, 극미분 철광석이 장입되더라도, 비산 손실이 최소화되는 동시에 융착 문제가 최소화되는 유동로(1003)가 제공된다.

또한, 상부 반응기(200), 하부 반응기(100), 테이퍼부(300), 다공판(500), 스탠드 파이프(600)를 포함함으로써, 원료로서 극미분 철광석을 100%로 사용할 수 있는 유동로(1003)가 제공된다.

이상에서 본 발명의 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

제1 유동층 공간(FS1), 하부 반응기(100), 제2 유동층 공간(FS2), 상부 반응기(200), 연결 공간(CS), 테이퍼부(300)

Claims

제1 지름을 가지는 제1 유동층 공간을 형성하며, 미분 환원철이 배출되는 배출구를 포함하는 하부 반응기;
상기 제1 지름 대비 큰 제2 지름을 가지는 제2 유동층 공간을 형성하며, 미분 철광석이 장입되는 장입구를 포함하는 상부 반응기;
상기 제1 유동층 공간과 상기 제2 유동층 공간 사이를 연통하는 연결 공간을 형성하며, 상기 하부 반응기와 상기 상부 반응기 사이를 직접 연결하는 테이퍼부;
상기 제2 유동층 공간과 상기 연결 공간 사이에 위치하며, 복수의 관통홀들을 포함하는 다공판; 및
상기 제2 유동층 공간으로부터 상기 다공판을 거쳐 상기 제1 유동층 공간으로 연장되며, 상기 다공판에 지지된 스탠드 파이프
를 포함하며,
상기 제2 지름은 상기 제1 지름 대비 3배 내지 4배이며,
상기 하부 반응기는 상기 제1 유동층 공간으로 공급되는 환원 가스를 통과시키는 분산판을 더 포함하며,
상기 제1 유동층 공간에는 고속 유동층이 형성되며,
상기 제2 유동층 공간에는 상기 고속 유동층의 가스 유속 대비 낮은 가스 유속을 가지는 잔잔한 유동층이 형성되는 유동로.
삭제
제1항에서,
상기 테이퍼부의 외벽은 상기 제2 지름 방향과 45도 내지 75도의 각도를 가지는 유동로.
제1항에서,
상기 장입구는 상기 상부 반응기의 외벽 높이의 1/2 대비 높은 유동로.
제1항에서,
상기 배출구는 상기 하부 반응기의 외벽 높이의 1/2 대비 낮으며, 상측으로 연장된 유동로.
삭제
삭제
제1항에서,
상기 상부 반응기의 외벽의 원주 방향으로 따라 배치된 복수의 질소 퍼지 공급관들을 더 포함하는 유동로.
삭제