KR102078326B1

KR102078326B1 - 증착 설비 및 물리 기상 증착 설비

Info

Publication number: KR102078326B1
Application number: KR1020177035747A
Authority: KR
Inventors: 준 장; 보위 동; 진롱 자오; 쑤에웨이 우; 빙리앙 궈; 바오강 쑤; 허난 장; 통 왕; 샤오후이 리우; 준 왕
Original assignee: 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
Priority date: 2016-06-12
Filing date: 2016-10-09
Publication date: 2020-04-07
Also published as: US10984994B2; SG11201810530YA; WO2017215154A1; CN107488832A; US20180247799A1; TW201742939A; KR20180018554A; CN107488832B; MY193979A; TWI652364B

Abstract

본 발명은 증착 설비를 제공하며, 제1 챔버, 제2 챔버 및 제3 챔버를 포함한다. 제1 챔버는 기판을 로드하도록 배치된다. 제2 챔버는 고온의 분위기를 제공하며, 제2 챔버 내에서 기판에 대한 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행하도록 배치된다. 제3 챔버는 제1 챔버 및 제2 챔버 사이에 배치된다. 제3 챔버는 기판을 제1 챔버로부터 제3 챔버를 통해 제2 챔버로 직접 전달하도록 배치된다. 본 발명은 물리 기상 증착 챔버 또한 제공하며, 챔버 본체, 타겟, 지지대 및 열원을 포함하고; 지지대는 챔버 본체 내에 구비되어 기판을 지지하고; 열원은 챔버 본체 내에 구비되어 챔버 본체를 고온의 분위기로 가열하여, 기판에 대한 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행한다. 본 발명은 증착 설비 및 물리 기상 증착 챔버를 제공하여, 별도의 예열/배기 챔버를 생략할 수 있고 나아가 설비 부피 축소 및 원가 감소의 효과를 달성한다.

Description

증착 설비 및 물리 기상 증착 설비

본 발명은 반도체 공정 설비에 관한 것으로, 특히 증착 설비 및 물리 기상 증착 챔버에 관한 것이다.

물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD), 예를 들어 스퍼터링 공정은 현재의 반도체 집적 회로, 발광 다이오드(light emitting diode, LED), 태양 전지 및 모니터 등의 제작에 광범위하게 사용된다. PVD 설비의 공정 챔버에서, 통상적으로는 고출력 직류 전원을 스퍼터링 타겟에 연결하고, 직류 전원을 통해 반응 챔버 내의 동작 가스를 플라스마(plasma)로 여기하고, 플라스마 내의 이온을 유인하여 스퍼터링 타겟에 충격을 가하는 것을 이용하여, 이로써 타겟의 재료를 스퍼터링하여 웨이퍼 또는 기타 기판 상에 증착한다. 상이한 응용 분야는 통상적으로 스퍼터링 출력, 스퍼터링 속도 등 공정 파라미터에 대한 요구 또한 다르지만, 기본적으로 박막 형성 품질 향상 및 설비 생산 능력 증대에 대한 노력 방향은 매우 명확한 것이다.

상기 기술 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 증착 설비 및 물리 기상 증착 챔버를 제공하며, 그 중 물리 기상 증착 챔버에는 챔버를 섭씨 400도 이상으로 가열하는 열원이 배치되고, 따라서, 로드된 기판은 물리 기상 증착 챔버의 고온 분위기 하에 예열, 배기 및 스퍼터링을 진행할 수 있으며, 나아가 설비 부피 축소, 원가 감소, 공정 시간 단축 및 생산 능력 증대의 효과에 도달할 수 있다.

본 발명의 일 실시예는 증착 설비를 제공하며, 제1 챔버, 제2 챔버 및 제3 챔버를 포함한다. 제1 챔버는 기판을 로드하도록 배치된다. 제2 챔버는 고온의 분위기를 제공하며, 제2 챔버 내에서 기판에 대한 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행하도록 배치된다. 제3 챔버는 제1 챔버 및 제2 챔버 사이에 배치된다. 제3 챔버는 기판을 제1 챔버로부터 제3 챔버를 통해 제2 챔버로 직접 전달하도록 배치된다.

본 발명의 일 실시예는 물리 기상 증착 챔버를 제공하며, 챔버 본체, 타겟, 지지대 및 열원을 포함한다. 지지대는 챔버 본체 내에 배치되어 기판을 지지한다. 열원은 챔버 본체 내에 배치되므로, 챔버 본체를 고온의 분위기로 가열하여, 기판에 대한 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행한다.

본 발명의 증착 설비는 제1 챔버, 제2 챔버 및 제3 챔버를 포함하며, 그 중 제3 챔버는 제1 챔버 및 제2 챔버와 연결되며 기판을 제1 챔버로부터 제2 챔버로 직접 전달한다. 제2 챔버는 기판에 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행하고, 따라서 별도의 예열/배기 챔버를 생략할 수 있고 나아가 설비 부피 축소 및 원가 감소의 효과를 달성한다.

본 발명의 물리 기상 증착 챔버에서, 챔버 본체 내에 마련된 열원을 사용하여, 챔버 본체를 고온의 환경으로 가열하고, 챔버 본체 내에 로드된 기판에 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행하므로, 별도의 예열/배기 챔버를 생략할 수 있고 나아가 설비 부피 축소 및 원가 감소의 효과를 달성한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예의 증착 설비의 설명도이고;
도 2는 본 발명의 일 실시예의 증착 설비의 조작 과정에 대한 설명도이고;
도 3은 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버의 설명도이고;
도 4는 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버가 스퍼터링 과정을 수행하는 과정의 설명도이고;
도 5는 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버의 설명도이고;
도 6A는 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버가 스퍼터링 과정을 수행하는 상황에 대한 설명도이고;
도 6B는 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버가 스퍼터링 과정을 수행하는 상황에 대한 설명도이고;
도 7은 본 발명의 일 실시예의 셔터 디스크와 전달부 간의 연결 상태의 설명도이고;
도 8A은 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버가 스퍼터링 과정을 수행하는 상황에 대한 설명도이고;
도 8B는 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버가 스퍼터링 과정을 수행하는 상황의 설명도이고;
도 9는 본 발명의 일 실시예의 증착 설비의 설명도이고; 및
도 10은 본 발명의 일 실시예의 증착 설비의 조작 과정의 설명도이다.

본 발명의 목적, 기술 방안 및 우수한 점이 더욱 명확하고 분명해지도록, 이하에서는 도면을 결합하여 본 발명이 제공하는 증착 설비 및 물리 기상 증착 챔버에 대해 설명한다. 여기서 서술하는 구체적인 실시예는 단지 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명을 한정하지 않음을 분명하게 이해해야 한다.

본 발명의 증착 설비에서, 제2 챔버는 고온의 환경을 제공하며, 기판이 제2 챔버 내에서 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행할 수 있도록 배치됨으로써, 기타 예열 및/또는 배기 챔버를 생략할 수 있으므로 설비 부피 축소 및 원가 감소의 효과를 달성한다.

본 발명의 물리 기상 증착 챔버에서, 챔버 본체 내에 마련된 열원을 사용하여 챔버 본체를 고온의 환경으로 가열하므로, 챔버 본체 내에 로드된 기판에 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행함으로써, 별도의 예열/배기 챔버를 생략할 수 있고 나아가 설비 부피 축소 및 원가 감소의 효과를 달성한다.

본 명세서에서 사용한 “단계”라는 단어는 단일 동작에 한정되지 않으며, 상기 “단계”는 단일 동작, 조작 또는 수법을 포함할 수 있고, 또는 복수의 동작, 조작 및/또는 수법으로 구성된 집합을 포함할 수 있다.

도 1 및 도 2를 참조한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비의 설명도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 설비의 조작 과정에 대한 설명도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 제1 챔버(100), 제2 챔버(200) 및 제3 챔버(300)를 포함하는 증착 설비(M1)를 제공한다. 제1 챔버(100)는 기판(도 1 및 도 2에 미도시)을 로드하도록 배치되고, 이에 따라 제1 챔버(100)는 로드/언로드 챔버로 볼 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 제2 챔버(200)는 고온의 환경을 제공하도록 배치되고, 로드된 기판이 제2 챔버(200) 내에서 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행하도록 한다. 제3 챔버(300)는 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200) 사이에 배치되며 또한 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200)와 연결된다. 제3 챔버(300)는 기판을 제1 챔버(100)로부터 제3 챔버(300)를 통해 제2 챔버(200)로 직접 전달하도록 배치된다. 제3 챔버는 전달 챔버로 볼 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 증착 설비(M1)의 조작 과정은 이하의 S1 단계, S2 단계 및 S3 단계를 포함할 수 있다. S1 단계에서, 기판을 증착 설비(M1)의 제1 챔버(100)에 로드한다. S2 단계에서, 기판을 제1 챔버(100)로부터 제3 챔버(300)를 통해 제2 챔버(200)(즉 물리 기상 증착 챔버)로 직접 전달한다. S3 단계에서, 제2 챔버(200) 내에서 기판에 대해 배기(degas) 공정 및 스퍼터링(sputtering) 공정을 수행한다. 일부 실시예에서, 증착 설비(M1)는 제2 챔버(200) 내에 마련된 열원(도 1 및 도 2에 미도시)을 더 포함할 수 있으며, 열원은 고온의 분위기를 제공하고, 또한 제2 챔버(200)의 고온 분위기는 예를 들어 섭씨 400도 이상이므로, 열원을 사용하여 스퍼터링 공정 수행 전 그리고/또는 스퍼터링 공정 시에 기판 그리고/또는 제2 챔버(200) 내의 분위기에 대하여 가열을 진행한다. 제2 챔버(200) 내의 온도가 열원에 의해 기판 표면에 증착될 재료층, 예를 들어 질화알루미늄 박막의 결정보다 높은 온도로 가열(예를 들어 물리 기상 증착 챔버 내의 온도는 섭씨 400도 이상일 수 있고, 또는 바람직하게 섭씨 400도 내지 섭씨 800도 사이일 수 있고, 또는 더욱 바람직하게 섭씨 500도 내지 섭씨 700도 사이일 수 있다)됨과 동시에, 기판 그리고/또는 기판 표면에 배기 그리고/또는 고온 활성화 효과가 생성될 수 있다. 따라서, 제2 챔버(200) 또한 배기 및 물리 기상 증착 챔버로 볼 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 또한, 제2 챔버(200)의 열원에 의한 가열이 계속되어 물리 기상 증착 공정을 수행할 수 있는 온도 조건에 도달하고, 이 온도는 물리 기상 증착 공정에서 스퍼터링되어 형성된 박막의 결정 온도보다 높을 수 있으며, 이로써 물리 기상 증착 공정의 박막 형성 품질에 긍정적인 도움이 된다. 또한, 상기 물리 기상 증착 챔버 내의 고온 상태는 타겟과 챔버 상태에도 긍정적인 영향이 있다. 예를 들어, 상기 고온 상태는 타겟의 결정 입자를 증가시켜 미립자(particle)로 인한 결함의 발생을 낮추고, 그 외 물리 기상 증착 챔버가 고온인 상태에서 셔터부(미도시)의 부품 상의 박막 또한 쉽게 파열(crack)되지 않으므로, 이 또한 미립자로 인한 결함 문제를 개선하는데 도움이 된다. 정확하게 말하자면, 본 실시예의 물리 기상 증착 챔버는 1차 스퍼터링을 수행한 후 페이스팅 처리를 수행할 수 있고, 챔버는 섭씨 400도 이상의 환경 하에 있기 때문에, 저출력으로 공정을 수행할 수 있고, 페이스팅 처리 시간을 단축할 수 있으며, 페이스팅(pasting) 처리의 횟수와 빈도를 줄일 수 있고, 따라서 전체 공정 시간을 단축할 수 있으며 타겟의 사용 수명에 또한 긍정적인 도움이 된다. 반대로, 공지의 물리 기상 증착 설비에서, 챔버 내는 섭씨 350도보다 낮아서 타겟의 결정 입자는 비교적 작으므로 미립자로 인한 결함의 발생 확률이 높아지고, 이러한 상태 하에, 덮개 링과 상단 덮개 등과 같은 부품에서 박막의 파열이 발생되기 쉬우므로 미립자 결함의 증가를 초래한다. 따라서, 공지의 물리 기상 증착 챔버의 페이스팅 처리는 고출력의 사용이 필요하며 수십 분을 지속해야 하고, 페이스팅 처리의 수행 횟수 및 빈도가 비교적 높고, 전체 공정 시간을 증가시켰을 뿐만이 아니라, 타겟의 사용 수명 단축을 초래하였다.

제2 챔버(200) 내에서 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행할 수 있기 때문에, 이로써 배기 챔버 및/또는 기타 가열 챔버의 설치를 생략할 수 있고, 나아가 설비 부피 축소 및 원가 감소의 효과에 달성할 수 있다. 그 외, 본 발명의 증착 설비 및 물리 기상 증착 챔버의 설계는 제작 과정 또한 간소화할 수 있고, 또한 기판이 가열 챔버에서 가열된 후에 스퍼터링 챔버로 전달되는 과정에서 미립자가 기판 상에 떨어져서 관련 결함을 초래하는 것을 방지할 수 있다. 그 외, 상기 고온 환경은 바람직하게는 섭씨 400도 이상이며, 이로써 기판의 배기 그리고/또는 고온 활성화를 효과적으로 달성하고, 물리 기상 증착 설비가 고온 물리 기상 증착 공정일 때, 제2 챔버(200) 내의 열원의 도움을 받아 계속적으로 가열되므로 고온 물리 기상 증착 공정을 실현한다.

다시 말하면, 기판이 증착 설비(M1)에 로드되기 후 및 제2 챔버(200)에서 배기 공정 및 스퍼터링 공정이 수행되기 전에 기타 가열 챔버 없이 예열 그리고/또는 배기를 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 챔버(200)를 제외하고는 제3 챔버(300)는 모든 가열 챔버와 연결되지 않을 수 있다. 일 실시예에서, 증착 설비(M1)는 제2 챔버(200)(즉 물리 기상 증착 설비)를 제외하고는 기타 가열 챔버를 구비하지 않는다.

도 3 및 도 4를 참조한다. 도 3은 본 발명의 일부 실시예의 물리 기상 증착 챔버의 설명도이고, 도 4는 본 발명의 일부 실시예의 물리 기상 증착 챔버가 스퍼터링 과정을 수행하는 과정 설명도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에서, 물리 기상 증착 챔버(즉 제2 챔버(200))는 챔버 본체(10), 타겟(T), 지지대(20) 및 열원(21)을 포함한다. 지지대(20)는 타겟(T)과 소정 간격을 유지하는 방식으로 챔버 본체(10) 내에 배치되고, 지지대(20)는 타겟(T)에 마주보는 지지면(20S)을 구비하고, 기판(W)을 지지하는데 이용된다. 열원(21)은 챔버 본체(10) 내에 배치되고, 열원(21)은 챔버 본체(10)를 섭씨 400도 이상(바람직하게 섭씨 400도 내지 섭씨 800도 사이일 수 있고, 또는 더욱 바람직하게 섭씨 500도 내지 섭씨 700도 사이일 수 있다)으로 가열할 수 있으므로, 기판(W)에 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행한다. 일 실시예에서, 열원(21)은 복사식 열원을 포함할 수 있으며, 또한 상기 복사식 열원은 복수의 가열 램프(21T)를 포함할 수 있고, 기판(W)은 열원(21)과 타겟(T) 사이에 배치될 수 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.

일 실시예에서, 물리 기상 증착 챔버(즉 제2 챔버(200))는 전달부(41) 및 셔터 디스크(42)를 포함할 수 있다. 전달부(41)의 적어도 일부는 챔버 본체(10) 내에 배치되며, 셔터 디스크(42)는 전달부(41) 상에 고정되고, 또한 전달부(41)는 셔터 디스크(42)를 지지면(20S)과 타겟(T) 사이로 이동시킬 수 있으며, 셔터 디스크(42) 또한 지지대(20)와 타겟(T) 사이에 위치된다. 전달부(41)는 예를 들어 회전 방식, 평행 이동 방식 또는 기타 적합한 방식의 도움을 받아 셔터 디스크(42)를 지지면(20S)과 타겟(T) 사이로 이동시킬 수 있으며, 셔터 디스크(42)는 전달부(41) 상에 고정되기 때문에, 셔터 디스크(42)는 지지대(20) 상에 놓아 둘 필요가 없다. 따라서, 셔터 디스크(42)가 지지면(20S)과 타겟(T) 사이에 위치할 시, 지지대(20) 상에는 여전히 스퍼터링을 수행하고자 하는 기판(W)이 지지될 수 있으므로, 제2 챔버(200)(즉 물리 기상 증착 챔버)의 설계의 도움을 받아, 물리 기상 증착 챔버에 기판(W)이 이미 로드된 상태에서 타겟(T)에 표면 개질 공정을 수행하므로, 공정 시간 단축 및 생산 능력을 높이는 효과에 도달한다. 일 실시예에서, 하나 이상의 기판(W)을 먼저 트레이(미도시)에 배치해 두고, 그 다음 기판(W)이 배치된 트레이를 상기 제1 챔버(100) 및 제3 챔버(300)를 통해 물리 기상 증착 챔버의 챔버 본체(10)로 로드하여 지지대(20) 상에 배치할 수 있다. 또 다른 일부 실시예에서, 트레이를 통하지 않고 기판(W)을 직접적으로 지지대(20) 상에 배치할 수도 있다. 일부 실시예에서, 기판(W)은 사파이어 기판, 탄화규소(SiC) 기판 또는 기타 적합한 재질로 형성된 단일 재료 기판 또는 복합층 재료 기판, 예를 들어 실리콘 기판, 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기판, 유리 기판 또는 세라믹 기판일 수 있고, 셔터 디스크(42)는 예를 들어 탄화규소(SiC) 또는 몰리브덴 등과 같은 내고온성 재료로 만들어지지만, 이에 한정되지 않는다. 그 외, 챔버 본체(10) 및 챔버 본체(10) 내의 부품은 바람직하게는 금속 몰리브덴, 저탄소 스텐인리스강, 석영 또는 기타 내고온성 금속 또는 비금속 재료로 만들어지고, 이로써 챔버 본체(10) 내에 상기 고온 분위기를 형성하거나 기타 고온 공정을 수행할 수 있어 질적 변화 또는 변형이 생기지 않는다.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 물리 기상 증착 챔버(즉 제2 챔버(200)) 내에서 수행되는 스퍼터링 과정(SR)은 이하의 S11 단계, S12 단계, S13 단계, S14 단계, S15 단계, S16 단계 및 S17 단계를 포함한다. S11 단계에서, 기판(W)을 물리 기상 증착 챔버 내로 로드한다. S12 단계에서, 물리 기상 증착 챔버에 대해 배기 공정을 수행한다. 배기 공정은 열원(21)을 이용하여 챔버 본체(10)를 고온 분위기로 가열하여 실현하며, 상기 고온의 분위기는 기판(W)에 배기 그리고/또는 활성화의 효과를 생성하므로, 상기 고온의 분위기는 바람직하게는 기판 표면에 증착될 재료층, 예를 들어 질화알루미늄 박막의 결정 온도보다 높은 온도일 수 있다(예를 들어 물리 기상 증착 챔버 내의 온도는 섭씨 400도보다 높을 수 있거나, 바람직하게는 섭씨 400도 내지 섭씨 800도 사이지만, 이에 한정되지 않는다). 그 후, S13 단계에서, 전달부(41)를 사용하여 셔터 디스크(42)를 지지면(20S)과 타겟(T) 사이로 이동시킨다. S14 단계에서, 타겟에 표면 개질 공정을 수행한다. S15 단계에서, 전달부(41)를 사용하여 셔터 디스크(42)를 옮긴다. S16 단계에서, 챔버 본체(10) 내의 타겟(T)을 사용하여 기판(W)에 스퍼터링을 수행함으로써 기판(W) 상에 박막을 형성한다. 단계(S17)에서, 박막이 형성된 기판(W)을 물리 기상 증착 챔버로부터 언로드한다. 타겟(T)에 표면 개질 공정을 수행할 시 기판(W)은 이미 챔버 본체(10) 내에 로드되지만, 셔터 디스크(42)가 지지면(20S)과 타겟(T) 사이에 위치하므로, 타겟(T)의 재료가 기판(W)상에 형성되는 것을 방지할 수 있다. 다시 말하자면, 상기 스퍼터링 과정(SR)의 도움을 받아 타겟(T)에 표면 개질 공정을 수행한 후 챔버 본체(10)를 개방하여 기판(W)을 로드할 필요가 없어서, 기판(W)에 스퍼터링을 수행할 시의 공정 상태를 안정시키는데 긍정적인 도움이 되며, 그 외 기판(W) 로드로 인해 필요한 시간을 소비한 후 챔버 본체(10)를 안정시키는 조작을 생략할 수 있고, 나아가 스퍼터링 과정(SR)의 전체 시간을 단축할 수 있으며 생산 능력을 향상시키는 효과에 도달한다.

일 실시예에서, 열원(21)이 챔버 본체(10)에서 고온의 분위기를 형성하는 동작은 가열 공정으로 볼 수 있고, 적어도 일부 가열 공정은 타겟(W)의 표면 개질 공정과 동시에 수행할 수 있으므로, 전체 공정 시간을 단축하는 효과에 도달한다. 그 외, 물리 기상 증착 공정이 고온 물리 기상 증착 공정인 경우, 제2 챔버(200)의 열원(21)의 도움을 받아 지속하여 가열을 수행하므로 고온 물리 기상 증착 공정을 실현한다. 열원(21)은 챔버 본체(10) 내에 배치될 수 있고, 열원(21)은 제2 챔버(200)를 섭씨 400도 이상으로 가열할 수 있으므로, 열원(21)은 챔버 본체(10) 내의 온도 제어용으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 가열 공정 및/또는 물리 기상 증착 공정을 수행할 시, 열원(21)을 사용하여 챔버 본체(10) 및/또는 기판(W)을 가열할 수 있으므로, 배기의 효과 그리고/또는 물리 기상 증착 공정 시 필요한 공정 온도에 도달할 수 있다.

상기 물리 기상 증착 챔버가 수행하는 스퍼터링 과정(SR)은 단지 예시로써, 본 발명은 상기 스퍼터링 과정(SR)의 내용에 한정되지 않으며, 기타 필요한 별도의 단계는 스퍼터링 과정(SR) 전, 후 및/또는 중에서 수행될 수 있고, 스퍼터링 과정(SR)의 상기 단계는 기타 실시예에서 대체, 삭제 또는 순서 변화가 있을 수 있다.

일 실시예에서, 상기 증착 설비 및 물리 기상 증착 챔버는 비금속 박막, 금속 박막 또는 금속 화합물 박막, 예를 들어 질화알루미늄(AlN) 박막 형성에 사용될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 바꾸어 말하면, 제2 챔버(200)는 질화알루미늄 물리 기상 증착 챔버일 수 있고, 기판(W) 상에 질화알루미늄 박막을 형성하는데 사용된다.

이하는 본 발명의 다른 실시예에 대한 간단한 설명으로, 이하 설명은 주로 각 실시예의 상이한 점에 대한 상세한 설명이며, 동일한 내용의 중복 설명을 하지 않는다. 그 외, 본 발명의 각 실시예에서 동일한 부품은 같은 번호로 표기하므로, 각 실시예 간의 상호 대조를 편리하게 한다.

도 5를 참조한다. 도 5는 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버의 설명도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 물리 기상 증착 챔버(201)는 챔버 본체(10) 내에 배치된 차폐부(30)를 더 포함하고, 차폐부(30)는 타겟(T)과 지지대(20) 사이에 배치되며, 셔터 디스크(42)가 지지면(20S)과 타겟(T) 사이로 이동할 시, 셔터 디스크(42) 또한 지지대(20)와 차폐부(30) 사이에 위치한다. 지지대(20)는 차폐부(30)와 대응되게 제1 방향(D1)으로 배치될 수 있으며, 제1 방향(D1)은 수직 방향으로 볼 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 차폐부(30)는 제1 방향(D1)에서 지지대(20) 및 타겟(T) 사이에 배치된다. 셔터 디스크(42)는 전달부(41) 상에 고정되며, 전달부(41)는 제2 방향(D2)을 따라 셔터 디스크(42)를 임시 배치 위치(P1)와 차단 위치(P2) 사이에서 이동시키고, 차단 위치(P2) 시 셔터 디스크(42)는 지지면(20S)과 타켓(T) 사이에 위치되며, 또한 셔터 디스크(42)는 지지면(20S)과 차폐부(30) 사이에 위치된다. 제2 방향(D2)은 수평 방향으로 볼 수 있지만, 이에 한정하지 않는다. 전달부(41)는 예를 들어 회전 방식, 평행 이동 방식 또는 기타 적합한 방식의 도움을 받아 셔터 디스크(42)를 지지면(20S)과 타겟(T) 사이로 이동시키고, 셔터 디스크(42)를 제2 방향(D2)을 따라 임시 배치 위치(P1)와 차단 위치(P2) 사이에서 이동시킨다고도 말할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 그 외, 셔터 디스크(42)는 전달부(41) 상에 고정되기 때문에, 셔터 디스크(42)는 지지대(20) 상에 배치될 필요가 없다. 그 외, 물리 기상 증착 챔버(201)는 지지대(20) 상에 배치된 복수의 리프트 핀(lift pin, 22)을 더 포함하며, 리프트 핀(22)은 기판(W)을 지지대(20)의 표면으로부터 들어 올린다. 일 실시예에서, 리프트 핀(22)은 온도 측정식 리프트 핀을 포함할 수 있으므로, 챔버 본체(10) 내 및/또는 기판(W)의 온도를 검측할 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.

일 실시예에서, 셔터 디스크(42)는 접착면을 구비할 수 있고, 적어도 일부 접착면은 타겟(T)을 마주보며, 상기 접착면은 거친면 또는 적당한 표면 처리, 예를 들어 모래 분사, 용사 또는 표면 러프닝 등의 방식을 거쳐 형성된 접착면이고, 셔터 디스크(42)와 타겟(T) 재료의 결합 능력을 향상시키며, 나아가 셔터 디스크(42)의 상부 표면이 타겟(T)에서 떨어진 더 많은 재료를 흡착하도록 함으로써, 셔터 디스크(42)의 차단 작용의 효과를 강화한다.

도 6A, 도 6B 및 도 7을 참조한다. 도 6A 및 도 6B는 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버가 스퍼터링 과정을 수행하는 상황에 대한 설명도이고, 도 7은 본 발명의 일부 실시예의 셔터 디스크와 전달부 간의 연결 상태의 설명도이다. 도 6A에 도시된 바와 같이, 전달부(41)를 사용하여 셔터 디스크(42)를 지지면(20S)과 타겟(T) 사이로 이동시킬 수 있으며, 셔터 디스크(42)를 기판(W) 상측의 차단 위치(P2)로 전달시킨다고도 말할 수 있고; 또는, 도 6B에 도시된 바와 같이, 전달부(41)를 사용하여 셔터 디스크(42)를 포트(port, 51)를 통해 셔터 디스크 보관부(50)에 형성된 임시 배치 위치(P1)로 이동시킨다. 일 실시예에서, 셔터 디스크 보관부(50)와 챔버 본체(10) 사이에는 실링 처리를 할 수 있으며, 셔터 디스크 보관부(50)와 챔버 본체(10)간의 진공 완전성을 고려하여, 셔터 디스크 보관부(50) 또한 챔버 본체(10)와 용접의 방식으로 연결 또는 일체형의 방식으로 형성될 수 있다. 전달부(41)는 회전 방식 또는 기타 적합한 방식으로 셔터 디스크(42)를 지지면(20S)과 타겟(T) 사이로 이동할 수 있고, 셔터 디스크(42)를 제2 방향(D2)을 따라 임시 배치 위치(P1)와 차단 위치(P2) 사이에서 이동시킨다고도 말할 수 있다. 예를 들어, 전달부(41)의 구조는 회전축(41A) 및 블레이드(41B)를 포함하며, 셔터 디스크(42)는 블레이드(41B)의 상부 표면 상에 고정할 수 있고, 회전축(41A)은 블레이드(41B)를 시계 방향 또는 시계 반대 방향으로 기설정된 각도만큼 회전시켜, 셔터 디스크(42)를 차단 위치(P2) 또는 임시 배치 위치(P1)로 이동시킨다. 그 외, 도 7에 도시된 바와 같이, 셔터 디스크(42)는 고정 부품(43)의 도움을 받아 전달부(41) 상에 고정될 수 있다. 고정 부품(43)은 나사못, 리벳, 접착 재료 또는 기타 적합한 고정 부품을 포함할 수 있고, 셔터 디스크(42)를 전달부(41)의 블레이드(41B)에 고정시킨다. 본 발명의 기타 실시예에서, 기타 해체 방식 또는 비해체 방식, 예를 들어 용접 방식으로 셔터 디스크(42)를 전달부(41) 상에 고정시킬 수 있다.

도 6A에 도시된 바와 같이, 셔터 디스크(42)를 차단 위치(P2)로 이동할 시, 셔터 디스크(42)는 차폐부(30)와 기판(W) 사이에 위치하고, 지지대(20) 상에 위치된 기판(W)은 지지대(20)의 도움을 받아 언로딩 위치(P3)로 하강하며, 이 때 타겟(T)에 대한 세정을 수행할 수 있고, 또한 동시에 열원(21)을 사용하여 챔버 본체(10) 및/또는 기판(W)을 가열한다. 일 실시예에서, 차폐부(30)는 개구(H)를 구비하며, 또한 셔터 디스크(42)의 면적(예를 들어 제1 방향(D1)의 투영 면적)은 차폐부(30)의 개구(H)의 면적보다 크고, 이에 따라 셔터 디스크(42)의 셔터 효과를 확실히 보장한다. 예를 들어, 일 실시예에서, 차폐부(30)는 셔터링(30A) 및 셔터링(30A)을 지지하는 링형 커버(30B)를 포함하고, 셔터링(30A)은 지지면(20S)의 일단의 내표면(30W)에 근접하여 개구(H)를 정의하지만, 이에 한정되지 않는다. 셔터 디스크(42)가 차단 위치(P2)로 이동 시(즉 지지면(20S)과 차폐부(30) 사이에 위치할 시), 셔터 디스크(42)와 차폐부(30) 사이에는 제1 방향(D1)으로 이격 거리(SP)가 있으므로, 셔터 디스크(42)가 제2 방향(D2)으로 순조롭게 이동하고 또한 타겟(T)으로부터 스퍼터링된 타겟 재료가 차폐부(30)와 셔터 디스크(42) 사이의 이격을 통해 기판(W) 상에 스퍼터링되지 않도록 확실히 보장한다. 예를 들어, 이격 거리(SP)는 2mm 내지 4mm 사이지만, 이에 한정되지 않는다. 일 실시예에서, 셔터 디스크(42)의 외경(R1)은 바람직하게는 셔터링(30A)의 내경(R2)보다 크므로, 타겟(T)의 재료가 셔터링(30A)과 셔터 디스크(42) 사이의 간격을 지나가도, 챔버 본체(10)의 측벽 방향으로만 스퍼터링되고, 기판(W) 상에 스퍼터링되지 않도록 확실히 보장한다. 그 외, 상기 내경(R2)은 개구(H)의 직경으로 볼 수 있으며, 셔터 디스크(42)의 외경(R1)은 바람직하게는 셔터 디스크(30A)의 내경(R2) 보다 20mm 내지 30mm 크지만, 이에 한정되지 않는다.

도 6B에 도시된 바와 같이, 셔터 디스크(42)가 임시 배치 위치(P1)로 이동할 시, 지지대(20) 상에 위치하는 기판(W)은 지지대(20)의 도움을 받아 공정 위치(P4)로 상승하며, 이 때 셔터링(30A)은 링형 커버(30B)에 의해 지지되므로, 셔터링(30A)이 자체 중력의 작용 하에 기판(W)의 가장자리 부분을 눌러 타겟(T)을 사용하여 기판(W)에 스퍼터링을 수행하도록 한다. 셔터 디스크(42)가 임시 배치 위치(P1)에 위치할 시, 셔터 디스크(42)의 일부는 포트(51)를 통해 셔터 디스크 보관부(50)에 의해 덮이는 공간으로 진입하고, 셔터 디스크(42)의 나머지 부분 또한 챔버 본체(10)의 주변 방향을 향해 기판(W) 및 지지대(20)의 상승 경로 외측까지 편향됨으로써, 기판(W)이 공정 위치(P4)까지 순조롭게 상승하는 것을 확실히 보장한다.

도 8A 및 도 8B를 참조한다. 도 8A 및 8B는 본 발명의 일 실시예의 물리 기상 증착 챔버가 스퍼터링 과정을 수행하는 상황의 설명도이다. 도 8A에 도시된 바와 같이, 전달부(41)를 사용하여 셔터 디스크(42)를 지지면(20S)과 타겟(T) 사이로 이동할 수 있으며, 셔터 디스크(42)를 기판(W) 상측의 차단 위치(P2)로 전달한다고도 할 수 있고; 또는 도 8B에 도시된 바와 같이, 전달부(41)를 사용하여 셔터 디스크(42)를 포트(51)를 통해 셔터 디스크 보관부(50)에 의해 형성된 임시 배치 위치(P1)로 이동시킬 수 있다. 도 8A 및 도 8B에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 전달부(41)는 평행 이동의 방식으로 셔터 디스크(42)를 지지면(20S)과 타겟(T) 사이로 이동시킬 수 있으며, 셔터 디스크(42)를 제2 방향(D2)을 따라 임시 배치 위치(P1)와 차단 위치(P2) 사이에서 이동시킨다고도 할 수 있다. 예를 들어, 전달부(41)는 셔터 디스크(42)를 지지하는 로봇암(robot arm, 41C)를 포함할 수 있으며, 로봇암(41C)은 셔터 디스크 보관부(50)에 의해 형성된 공간 내에 배치되고, 로봇암(41C)은 포트(51)를 통해 챔버 본체(10) 내부로 들어가거나, 챔버 본체(10) 내부로부터 셔터 디스크 보관부(50)에 의해 형성된 공간으로 돌아가므로, 셔터 디스크(42)를 차단 위치(P2) 또는 임시 배치 위치(P1)로 이동시킨다. 예를 들어, 로봇암(41C)은 복수의 서로 연결된 암(arm)으로 구성되며, 복수의 암은 접기 또는 펴기를 통해 제2 방향(D2)으로 수평 신축(伸縮) 동작을 실현하지만, 이에 한정되지 않는다. 기타 구조의 기타 로봇암 또는 기타 제2 방향(D2)으로 수평 신축 동작을 실현할 수 있는 구조 또한 본 발명의 범위 내에 속한다.

도 9 및 도 10을 참조한다. 도 9는 본 발명의 일 실시예의 증착 설비의 설명도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예의 증착 설비의 조작 과정의 설명도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 증착 설비(M2)를 제공하며, 증착 설비(M2)는 제3 챔버(300)와 서로 연결된 제4 챔버(400)를 더 포함하고, 제4 챔버(400)는 냉각 공정을 수행하며, 제2 챔버(200)에서 배기 공정 및 스퍼터링 공정이 이미 완료된 기판에 대해 냉각 동작을 수행한다는 것이 도 1에 도시된 증착 설비(M1)와 상이하다. 예를 들어, 일 실시예에서, 증착 설비(M2)의 조작 과정은 도 10에 도시된 S1 단계, S2 단계, S3 단계 및 S4 단계를 포함할 수 있다. S1 단계에서, 기판을 증착 설비(M1)의 제1 챔버로 로드한다. S2 단계에서, 기판을 제1 챔버(100)로부터 제3 챔버(300)를 통해 제2 챔버(200)로 직접 전달한다. S3 단계에서, 제2 챔버(200) 내에서 기판에 대해 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행한다. S4 단계에서, 배기 공정 및 스퍼터링 공정이 완료된 기판을 제2 챔버(200)로부터 언로드하며, 제3 챔버(300)를 통해 제4 챔버(400)로 전달하여 냉각 공정을 수행한다. 그 외, 제4 챔버(400)의 도움을 받아 기판의 온도를 일정 온도로 낮춘 후 기판을 제4 챔버(400)로부터 순차적으로 제3 챔버(300), 제1 챔버(100)를 거쳐 증착 설비(M2)로부터 언로드한다.

상술한 내용을 종합하여, 본 발명의 증착 설비에서, 물리 기상 증착 챔버는 챔버 본체를 고온의 분위기로 가열하는 데 사용되도록 배치되므로, 물리 기상 증착 챔버 내에서 기판에 대해 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행할 수 있다. 그 외, 전달 챔버를 사용하여 기판을 로드/언로드 챔버로부터 물리 기상 증착 챔버로 직접 전달하므로, 기판에 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행할 수 있고, 이로써 예열 배기 챔버를 생략할 수 있으므로 설비 부피 축소 및 원가 감소의 효과를 달성한다. 그 외, 본 발명의 증착 설비의 도움을 받아 제작 과정 또한 간소화할 수 있고, 기판이 기타 가열 챔버에서 가열된 후 물리 기상 증착 챔버로 전달되는 과정에서 미립자가 기판 상에 떨어지는 문제를 방지할 수 있다. 본 발명의 물리 기상 증착 챔버에서, 챔버 본체 내에 열원을 배치하여, 챔버 본체를 고온의 분위기로 가열시킬 수 있고, 챔버 본체 내에 로드된 기판에 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행한다. 그 외, 셔터 디스크는 전달부 상에 고정되며, 전달부는 셔터 디스크를 지지대의 지지면과 타겟 사이로 이동하므로, 셔터 디스크가 차단 위치에 위치할 시 지지대 상에서는 여전히 스퍼터링이 수행될 기판을 지지할 수 있고, 이로써 기판을 로드한 상태에서 타겟 세정 동작을 수행할 수 있으며, 나아가 공정 시간 단축 및 생산 능력 증대의 효과에 도달할 수 있다. 그 외, 타겟에 대한 세정을 수행할 시 셔터 디스크 하측에 위치된 기판에 동시에 가열 공정을 수행할 수 있고, 이로써 기판에 대해 배기 및/또는 고온 활성화의 효과를 생성하며, 따라서 전체 공정 시간을 단축할 수 있고 나아가 생산 능력을 증대할 수 있다.

상기 내용 설명은 일 실시예의 특징으로, 따라서 본 분야의 당업자는 본 출원에서 기재한 내용의 각 방면을 더욱 이해할 수 있다. 본 분야의 당업자는 본 출원에서 기재한 내용을 바탕으로 쉽게 사용하여, 기타 공정과 구조를 설계 또는 변경하여 본 출원의 상기 실시 방식과 동일 목적을 실현 그리고/또는 동일 우수한 점에 도달할 수 있다는 것을 이해해야 한다. 본 분야의 당업자는 또한 균등 구조는 본 출원에서 기재한 내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않았음을 이해해야 하고, 또한 본 분야의 당업자는 각종 변화, 대체 및 교체를 할 수 있으며, 본 출원에서 기재한 내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않았다.

10 챔버 본체
20 지지대
20S 지지면
21 열원
21T 가열램프
22 리프트 핀
30 차폐부
30A 셔터링
30B 링형 커버
30W 내표면
41 전달부
41A 회전축
41B 블레이드
41C 로봇암
42 셔터 디스크
43 고정 모듈
50 셔터 디스크 보관부
51 포트
100 제1 챔버
300 제3 챔버
400 제4 챔버
200 제2 챔버
201~203 물리 기상 증착 챔버
D1 제1 방향
D2 제2 방향
H 개구
M1, M2 증착 설비
P1 임시 배치 위치
P2 차단 위치
P3 언로딩 위치
P4 공정 위치
R1 외경
R2 내경
S1~S4, S11~S17 단계
SP 이격 거리
SR 스퍼터링 과정
T 타겟
W 기판

Claims

기판이 로드되는 제1 챔버;
고온의 분위기를 제공하며, 내부에서 상기 기판의 배기 공정 및 스퍼터링 공정이 수행되는 제2 챔버; 및
상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버 사이에 배치되는 제3 챔버를 포함하고,
상기 기판은 상기 제1 챔버로부터 상기 제3 챔버를 통해 상기 제2 챔버로 직접 전달되며,
상기 제2 챔버는:
챔버 본체;
타겟;
상기 타겟과 일정 간격을 유지하며 상기 기판을 지지하는 지지대;
상기 챔버 본체 내에 배치되며, 상기 고온의 분위기를 제공하는 열원;
전달부;
상기 전달부에 고정되는 셔터 디스크; 및
셔터링 및 상기 셔터링의 일단부로부터 상기 지지대를 향하여 연장되는 내표면을 포함하는 차폐부를 포함하되,
상기 전달부는 상기 셔터 디스크를 상기 지지대와 상기 타겟 사이의 공간인 차단 위치 P2와 임시 배치 위치 P1의 사이에서 이동시키고,
공정 위치에서, 상기 기판은 상기 지지대에 의해 상승하여 상기 차폐부의 상기 내표면에 의해 정의되는 개구로 들어가고 상기 셔터링의 하부를 누르고,
상기 제2 챔버는 고온의 분위기를 제공하도록 구성되고 상기 제3 챔버에 연결되어 고온의 분위기를 제공하는 유일의 챔버이고,
상기 제2 챔버는 제1 처리로서 상기 기판 상의 미립자를 방지하도록 고온 하에서 배기 공정 및 고온 활성화 공정 중 적어도 하나를 수행하도록 구성되며,
상기 열원은 제2 처리로서 상기 제2 챔버를 계속해서 가열하여 상기 제2 챔버로 하여금 상기 기판 상에 물리 기상 증착(PVD) 공정을 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 챔버의 상기 고온의 분위기는 섭씨 400도 이상인 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 1에 있어서,
상기 제3 챔버와 연결되며, 냉각 공정을 수행하는 제4 챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 1에 있어서,
상기 전달부는 회전 방식으로 상기 셔터 디스크를 상기 지지대와 상기 타겟 사이로 이동시키는 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 1에 있어서,
상기 전달부는 평행 이동의 방식으로 상기 셔터 디스크를 상기 지지대와 상기 타겟 사이로 이동시키는 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 1에 있어서,
상기 셔터 디스크가 상기 지지대와 상기 타겟 사이로 이동할 때, 상기 지지대와 상기 차폐부 사이에 상기 셔터 디스크가 위치하는 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 6에 있어서,
상기 셔터 디스크가 상기 지지대와 상기 차폐부 사이에 위치할 때, 상기 셔터 디스크와 상기 차폐부 사이에는 이격 거리가 있는 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 7에 있어서,
상기 이격 거리는 2mm 내지 4mm 사이인 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 6에 있어서,
상기 셔터 디스크의 면적은 상기 차폐부의 상기 개구의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 증착 설비.
삭제
청구항 9에 있어서,
상기 셔터 디스크의 외경은 상기 셔터링의 내경보다 20mm 내지 30mm 큰 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 1에 있어서,
상기 셔터 디스크는 고정 부품의 도움을 받아 상기 전달부 상에 고정되는 것을 특징으로 하는 증착 설비.
청구항 1에 있어서,
상기 증착 설비는 질화알루미늄 박막 스퍼터링 설비인 것을 특징으로 하는 증착 설비.
챔버 본체;
타겟;
상기 챔버 본체 내에 배치되고 기판을 지지하는 지지대;
상기 챔버 본체 내에 배치되어, 상기 챔버 본체를 고온의 분위기로 가열하여, 상기 기판에 대한 배기 공정 및 스퍼터링 공정을 수행하는 열원;
전달부;
상기 전달부에 고정되는 셔터 디스크; 및
셔터링 및 상기 셔터링의 일단부로부터 상기 지지대를 향하여 연장되는 내표면을 포함하는 차폐부를 포함하되,
상기 전달부는 상기 셔터 디스크를 상기 지지대와 상기 타겟 사이의 공간인 차단 위치 P2와 임시 배치 위치 P1의 사이에서 이동시키고,
공정 위치에서, 상기 기판은 상기 지지대에 의해 상승하여 상기 차폐부의 상기 내표면에 의해 정의되는 개구로 들어가고 상기 셔터링의 하부를 누르고,
상기 챔버는 고온의 분위기를 제공하도록 구성되고 전송 챔버에 연결되어 고온의 분위기를 제공하는 유일의 챔버이고,
상기 챔버는 제1 처리로서 상기 기판 상의 미립자를 방지하도록 고온 하에서 배기 공정 및 고온 활성화 공정 중 적어도 하나를 수행하도록 구성되며,
상기 열원은 제2 처리로서 상기 챔버를 계속해서 가열하여 상기 챔버로 하여금 상기 기판 상에 물리 기상 증착(PVD) 공정을 상기 기판 상에 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 14에 있어서,
상기 고온의 분위기는 섭씨 400도 이상인 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 14에 있어서,
상기 전달부는 회전 방식으로 상기 셔터 디스크를 상기 지지대와 상기 타겟 사이로 이동시키는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 14에 있어서,
상기 전달부는 평행 이동의 방식으로 상기 셔터 디스크를 상기 지지대와 상기 타겟 사이로 이동시키는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 14에 있어서,
상기 셔터 디스크가 상기 지지대와 상기 타겟 사이로 이동할 때,
상기 지지대와 상기 차폐부 사이에 상기 셔터 디스크가 위치하는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 18에 있어서,
상기 셔터 디스크가 상기 지지대와 상기 차폐부 사이에 위치할 때, 상기 셔터 디스크와 상기 차폐부 사이에는 이격 거리가 있는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 19에 있어서,
상기 이격 거리는 2mm 내지 4mm 사이인 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 18에 있어서,
상기 셔터 디스크의 면적은 상기 차폐부의 상기 개구의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
삭제
청구항 21에 있어서,
상기 셔터 디스크의 외경은 상기 셔터링의 내경보다 20mm 내지 30mm 큰 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 14에 있어서,
상기 셔터 디스크는 접착면을 구비하는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 24에 있어서,
상기 접착면은 거친 면을 포함하는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 14에 있어서,
상기 셔터 디스크는 고정 부품의 도움을 받아 상기 전달부 상에 고정되는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 14에 있어서,
상기 열원은 복사식 열원을 포함하는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 27에 있어서,
상기 복사식 열원은 복수의 가열 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 14에 있어서,
상기 지지대가 상기 기판을 지지할 때, 상기 기판은 상기 열원과 상기 타겟 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
청구항 14에 있어서,
상기 물리 기상 증착 챔버는 질화알루미늄 물리 기상 증착 챔버이며, 상기 기판 상에 질화알루미늄 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 물리 기상 증착 챔버.
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