JPH0711442A - 半導体装置製造用スパッタ装置 - Google Patents
半導体装置製造用スパッタ装置Info
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- JPH0711442A JPH0711442A JP15593093A JP15593093A JPH0711442A JP H0711442 A JPH0711442 A JP H0711442A JP 15593093 A JP15593093 A JP 15593093A JP 15593093 A JP15593093 A JP 15593093A JP H0711442 A JPH0711442 A JP H0711442A
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- Japan
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- film forming
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- forming chamber
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スパッタ蒸着用成膜室を大気開放することなく
（真空状態のまま）コリメーターフィルターの交換を
し、不純ガスの発生をおさえ、装置占有面積の少ない半
導体装置製造用スパッタ装置を得る。 【構成】半導体ウエハーを搬送する搬送装置４を有し、
平面を多角形で構成した搬送室６と、この搬送室６の複
数の辺に結合されたスパッタ蒸着用成膜室３および少な
くとも１つの辺に結合され、中にウエハーカセット１８
を設置するカセットロードロック室８とからなる半導体
装置製造用スパッタ装置のスパッタ蒸着用成膜室３の１
か所をコリメーターフィルターストック室９とし、そこ
に多種類のコリメーターフィルター５をストックし、さ
らにスパッタ装置の平面を多角形で構成する搬送室６の
余裕空間にウェハーホルダーを保護するための遮蔽板１
７とこれを作動するための遮蔽板昇降機構を設置する場
所を設けて構成する。
（真空状態のまま）コリメーターフィルターの交換を
し、不純ガスの発生をおさえ、装置占有面積の少ない半
導体装置製造用スパッタ装置を得る。 【構成】半導体ウエハーを搬送する搬送装置４を有し、
平面を多角形で構成した搬送室６と、この搬送室６の複
数の辺に結合されたスパッタ蒸着用成膜室３および少な
くとも１つの辺に結合され、中にウエハーカセット１８
を設置するカセットロードロック室８とからなる半導体
装置製造用スパッタ装置のスパッタ蒸着用成膜室３の１
か所をコリメーターフィルターストック室９とし、そこ
に多種類のコリメーターフィルター５をストックし、さ
らにスパッタ装置の平面を多角形で構成する搬送室６の
余裕空間にウェハーホルダーを保護するための遮蔽板１
７とこれを作動するための遮蔽板昇降機構を設置する場
所を設けて構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置を製造する
ための半導体製造装置に係わり、特に半導体装置製造用
スパッタ装置に関する。
ための半導体製造装置に係わり、特に半導体装置製造用
スパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路を主体とした半導体装置の電極
形成、配線形成、絶縁膜形成、多層配線などに、ターゲ
ット材料を変えることで膜厚の均一性の良い薄膜が比較
的容易に得られることから、スパッタリング法を採用す
ることが多い。この場合主として用いられるターゲット
材料として白金、チタン、金、アルミニウム、タングス
テン、シリコンなどがある。またエッチング工程に、大
量のバッチ処理ができサイドエッチを少なくシャープな
エッジを得ることができるスパッタエッチング法による
気相エッチングにも採用されている。このような多目的
利用に合った半導体製造用スパッタ装置（以下スパッタ
装置と称す）は図８に示すように、平面を多角形で構成
する搬送室６の各辺に対向する位置に複数のスパッタ蒸
着用成膜室３と１ないし２か所にウェハーカセット１８
を設置するカセットロードロック室８を設ける構成とす
るものが一般的である。
形成、配線形成、絶縁膜形成、多層配線などに、ターゲ
ット材料を変えることで膜厚の均一性の良い薄膜が比較
的容易に得られることから、スパッタリング法を採用す
ることが多い。この場合主として用いられるターゲット
材料として白金、チタン、金、アルミニウム、タングス
テン、シリコンなどがある。またエッチング工程に、大
量のバッチ処理ができサイドエッチを少なくシャープな
エッジを得ることができるスパッタエッチング法による
気相エッチングにも採用されている。このような多目的
利用に合った半導体製造用スパッタ装置（以下スパッタ
装置と称す）は図８に示すように、平面を多角形で構成
する搬送室６の各辺に対向する位置に複数のスパッタ蒸
着用成膜室３と１ないし２か所にウェハーカセット１８
を設置するカセットロードロック室８を設ける構成とす
るものが一般的である。
【０００３】このスパッタ装置を利用して、微細なコン
タクト底面に効率よく成膜する場合がある。図２を参考
にして説明するとターゲット１４と半導体ウェハー１５
の間に半導体ウェハー１５に対して垂直な運動方向を持
つスパッタ粒子のみを通過させるためのコリメーターフ
ィルター５を設置したコリメーションスパッタ方式を採
用している。また効率よく成膜するために半導体装置の
コンタクトホールに適合するアスペクト比に応じたコリ
メーターフィルター５を数種用意しアスペクト比が変わ
る都度交換している。またコリメーターフィルター５の
交換サイクルも短くコリメーターフィルター５の交換を
する都度成膜室３を大気開放し、交換後成膜室３の真空
引きおよびベーキングをしている。
タクト底面に効率よく成膜する場合がある。図２を参考
にして説明するとターゲット１４と半導体ウェハー１５
の間に半導体ウェハー１５に対して垂直な運動方向を持
つスパッタ粒子のみを通過させるためのコリメーターフ
ィルター５を設置したコリメーションスパッタ方式を採
用している。また効率よく成膜するために半導体装置の
コンタクトホールに適合するアスペクト比に応じたコリ
メーターフィルター５を数種用意しアスペクト比が変わ
る都度交換している。またコリメーターフィルター５の
交換サイクルも短くコリメーターフィルター５の交換を
する都度成膜室３を大気開放し、交換後成膜室３の真空
引きおよびベーキングをしている。
【０００４】さらにこのスパッタ装置を利用して、ター
ゲット材料の表面を空スパッタリングにより清浄する場
合（以下ターゲットクリーニング）もあり、図９に基づ
いて説明すると、ウェハーホルダー３５部の成膜を防止
しかつウェハーホルダー３５を保護するための遮蔽板３
１を成膜室３内部に設置し、遮蔽板回転導入機３２によ
りターゲット３７とウェハーホルダー３５間にこの遮蔽
板３１を移動しウェハーホルダー３５に成膜するのを防
止している。
ゲット材料の表面を空スパッタリングにより清浄する場
合（以下ターゲットクリーニング）もあり、図９に基づ
いて説明すると、ウェハーホルダー３５部の成膜を防止
しかつウェハーホルダー３５を保護するための遮蔽板３
１を成膜室３内部に設置し、遮蔽板回転導入機３２によ
りターゲット３７とウェハーホルダー３５間にこの遮蔽
板３１を移動しウェハーホルダー３５に成膜するのを防
止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述の方法によれば、
前記コリメーションスパッタ方式の場合は、コリメータ
ーフィルターの交換時にスパッタ蒸着用成膜室を大気開
放しているため、成膜室内にある防着板や成膜室内壁に
大気中の水分やガスが吸着する。このためコリメーター
フィルター交換の都度長時間にわたるベーキングや真空
引きが必要となり半導体製造装置の稼働率を低下させる
という問題が発生している。また成膜効率を向上させる
ため成膜する半導体装置のコンタクトホールに適合する
アスペクト比に応じたコリメーターフィルターを必要と
するが、異なったコンタクトホールをもつ半導体装置を
同一スパッタ装置で成膜する場合、スパッタ装置の稼働
率低下防止を主眼とし成膜効率を犠牲にするなどの弊害
も発生している。
前記コリメーションスパッタ方式の場合は、コリメータ
ーフィルターの交換時にスパッタ蒸着用成膜室を大気開
放しているため、成膜室内にある防着板や成膜室内壁に
大気中の水分やガスが吸着する。このためコリメーター
フィルター交換の都度長時間にわたるベーキングや真空
引きが必要となり半導体製造装置の稼働率を低下させる
という問題が発生している。また成膜効率を向上させる
ため成膜する半導体装置のコンタクトホールに適合する
アスペクト比に応じたコリメーターフィルターを必要と
するが、異なったコンタクトホールをもつ半導体装置を
同一スパッタ装置で成膜する場合、スパッタ装置の稼働
率低下防止を主眼とし成膜効率を犠牲にするなどの弊害
も発生している。
【０００６】さらに前記ターゲットクリーニングの場合
は、ウェハーホルダー保護用遮蔽板を成膜室内に設置す
るため成膜室の容量が増加し、これに伴い装置占有面積
および成膜室内壁面積が増加しクリンルーム投資コスト
の増大、成膜室内壁からの不純ガス放出が増加し成膜さ
れる薄膜の品質・信頼性が低下するという問題も発生し
ている。近年このターゲットクリーニングを持たない構
造で不純ガス放出および装置占有面積を減少させる方法
もとられているが、拡散バリア膜の成膜に使用される反
応性スパッタリングの場合ターゲット材料とガスが反応
をおこし、ターゲット表面に反応生成物が付着しゴミの
発生原因となるためターゲットクリーニングが必須とな
ってきている。
は、ウェハーホルダー保護用遮蔽板を成膜室内に設置す
るため成膜室の容量が増加し、これに伴い装置占有面積
および成膜室内壁面積が増加しクリンルーム投資コスト
の増大、成膜室内壁からの不純ガス放出が増加し成膜さ
れる薄膜の品質・信頼性が低下するという問題も発生し
ている。近年このターゲットクリーニングを持たない構
造で不純ガス放出および装置占有面積を減少させる方法
もとられているが、拡散バリア膜の成膜に使用される反
応性スパッタリングの場合ターゲット材料とガスが反応
をおこし、ターゲット表面に反応生成物が付着しゴミの
発生原因となるためターゲットクリーニングが必須とな
ってきている。
【０００７】この発明は前記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は成膜室を大気開放することなく
（真空状態のまま）コリメーターフィルターの交換を
し、不純ガスの発生をおさえ、装置占有面積の少ない半
導体装置製造用スパッタ装置を提供することにある。
ものであり、その目的は成膜室を大気開放することなく
（真空状態のまま）コリメーターフィルターの交換を
し、不純ガスの発生をおさえ、装置占有面積の少ない半
導体装置製造用スパッタ装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明によれば前述の
目的は、半導体ウエハーを搬送する搬送装置を有し、平
面を多角形で構成した搬送室と、この搬送室の複数の辺
に結合されたスパッタ蒸着用成膜室および少なくとも１
つの辺に結合され、中にウエハーカセットを設置するカ
セットロードロック室とからなり、これらの室はいずれ
も真空槽で構成され、互いに開閉可能な仕切りバルブを
介して気密に接合されたものにおいて、スパッタ蒸着用
成膜室内での作業に必要な部品を成膜室とは別の真空槽
内に設置し、この部品の成膜室への出し入れを搬送室に
設置された搬送装置により行うことにより達成される。
またかかる構成においてスパッタ蒸着用成膜室内での作
業に必要な部品はコリメータフィルタであり、成膜室と
別の真空槽は搬送室の辺に開閉可能な仕切りバルブを介
して気密に接合されたコリメータフィルタストック室で
あり、さらにはスパッタ蒸着用成膜室内での作業に必要
な部品はウエハーホルダー保護用の遮蔽板であり、成膜
室と別の真空槽は搬送室であることとする。
目的は、半導体ウエハーを搬送する搬送装置を有し、平
面を多角形で構成した搬送室と、この搬送室の複数の辺
に結合されたスパッタ蒸着用成膜室および少なくとも１
つの辺に結合され、中にウエハーカセットを設置するカ
セットロードロック室とからなり、これらの室はいずれ
も真空槽で構成され、互いに開閉可能な仕切りバルブを
介して気密に接合されたものにおいて、スパッタ蒸着用
成膜室内での作業に必要な部品を成膜室とは別の真空槽
内に設置し、この部品の成膜室への出し入れを搬送室に
設置された搬送装置により行うことにより達成される。
またかかる構成においてスパッタ蒸着用成膜室内での作
業に必要な部品はコリメータフィルタであり、成膜室と
別の真空槽は搬送室の辺に開閉可能な仕切りバルブを介
して気密に接合されたコリメータフィルタストック室で
あり、さらにはスパッタ蒸着用成膜室内での作業に必要
な部品はウエハーホルダー保護用の遮蔽板であり、成膜
室と別の真空槽は搬送室であることとする。
【０００９】
【作用】この発明の構成によれば、コリメーターフィル
ターストック室に多種類のコリメーターフィルターをス
トックしているため、コリメーターフィルター交換時に
大気開放の必要がなく装置の稼働率が向上し、半導体装
置のコンタクトホールに適合するアスペクト比に応じた
コリメーターフィルターが選定できる。また搬送室の余
裕空間を利用することにより装置占有面積の少ない半導
体装置製造用スパッタ装置が得られる。
ターストック室に多種類のコリメーターフィルターをス
トックしているため、コリメーターフィルター交換時に
大気開放の必要がなく装置の稼働率が向上し、半導体装
置のコンタクトホールに適合するアスペクト比に応じた
コリメーターフィルターが選定できる。また搬送室の余
裕空間を利用することにより装置占有面積の少ない半導
体装置製造用スパッタ装置が得られる。
【００１０】商品の機能を高めること（過剰機能でない
限り）は社会の基本理念であり、工場レイアウトにおい
て省スペースは基本原則である。この発明は、この基本
理念および基本原則に則したものである。
限り）は社会の基本理念であり、工場レイアウトにおい
て省スペースは基本原則である。この発明は、この基本
理念および基本原則に則したものである。
【００１１】
【実施例】この実施例を図に基づいて説明する。図１は
この発明によるスパッタ装置の構成を平面図で示してい
る。図２および図３はこの発明によるスパッタ装置の構
成を断面図で示している。 実施例１ この発明によるコリメーションスパッタ装置の実施例で
あり、図１に示すように成膜室３の１か所をコリメータ
ーフィルターストック室９に置きかえてある（以下図
１、２、４、５、６、７を参考にして説明する）。図４
に成膜室３における半導体ウェハー搬送手順を示す。搬
送室６に設置されたフロッグレッグアーム４に取り付け
られたウェハーピックアップ１６がカセットロードロッ
ク室８に移動しウェハーカセット１８にセットされた半
導体ウェハー１５をウェハーピックアップ１６に乗せ成
膜室３に移動する。各室にフロッグレッグアーム４が移
動するときは仕切りバルブ７が開閉する。ウェハーピッ
クアップ１６上の半導体ウェハー１５は上部のコリメー
ターフィルター５とフィルターホルダー１０の下に入
り、その後突き上げピン付きウェハー昇降機構１３が上
昇し半導体ウェハー１５をいったん持ち上げ、ウェハー
ピックアップ１６が後退したのちに突き上げピン付きウ
ェハー昇降機構１３が降下しウェハーホルダー１の上に
乗せる。これと逆の手順で半導体ウェハー１５をウェハ
ーピックアップ１６の上に乗せ搬送室６へ移動すること
ができる。この時コリメーターフィルター５はフィルタ
ーホルダー１０上に位置し、フィルターホルダー昇降装
置１２により持ち上げられウェハーピックアップ１６の
移動平面より高い位置にありこの半導体ウェハー１５移
動時の干渉がない。
この発明によるスパッタ装置の構成を平面図で示してい
る。図２および図３はこの発明によるスパッタ装置の構
成を断面図で示している。 実施例１ この発明によるコリメーションスパッタ装置の実施例で
あり、図１に示すように成膜室３の１か所をコリメータ
ーフィルターストック室９に置きかえてある（以下図
１、２、４、５、６、７を参考にして説明する）。図４
に成膜室３における半導体ウェハー搬送手順を示す。搬
送室６に設置されたフロッグレッグアーム４に取り付け
られたウェハーピックアップ１６がカセットロードロッ
ク室８に移動しウェハーカセット１８にセットされた半
導体ウェハー１５をウェハーピックアップ１６に乗せ成
膜室３に移動する。各室にフロッグレッグアーム４が移
動するときは仕切りバルブ７が開閉する。ウェハーピッ
クアップ１６上の半導体ウェハー１５は上部のコリメー
ターフィルター５とフィルターホルダー１０の下に入
り、その後突き上げピン付きウェハー昇降機構１３が上
昇し半導体ウェハー１５をいったん持ち上げ、ウェハー
ピックアップ１６が後退したのちに突き上げピン付きウ
ェハー昇降機構１３が降下しウェハーホルダー１の上に
乗せる。これと逆の手順で半導体ウェハー１５をウェハ
ーピックアップ１６の上に乗せ搬送室６へ移動すること
ができる。この時コリメーターフィルター５はフィルタ
ーホルダー１０上に位置し、フィルターホルダー昇降装
置１２により持ち上げられウェハーピックアップ１６の
移動平面より高い位置にありこの半導体ウェハー１５移
動時の干渉がない。
【００１２】図５にフィルター交換時の各部位の動きを
示す。ウェハーピックアップ１６をコリメーターフィル
ター５直下に移動し、フィルターホルダー昇降装置１２
を降下しウェハーピックアップ１６上にコリメーターフ
ィルター５を乗せ移動することができる。この時フィル
ターホルダー１０はウェハーホルダー１およびウェハー
ピックアップ１６と干渉しないよう図１に示すような半
円のドーナツ状になっている。
示す。ウェハーピックアップ１６をコリメーターフィル
ター５直下に移動し、フィルターホルダー昇降装置１２
を降下しウェハーピックアップ１６上にコリメーターフ
ィルター５を乗せ移動することができる。この時フィル
ターホルダー１０はウェハーホルダー１およびウェハー
ピックアップ１６と干渉しないよう図１に示すような半
円のドーナツ状になっている。
【００１３】図６にコリメーターフィルターストック室
９の断面図を示し、図７にコリメーターフィルタースト
ック室９の一部を示しフィルター交換時の各部位の動き
を示す。真空槽に設置された２本のフォーク状の棚を複
数個持った昇降機能付のフィルターストック装置１１上
のコリメーターフィルター５直下にフロッグレッグアー
ム４の先端に設置されたウェハーピックアップ１６が入
り、フィルターストック装置１１を降下することにより
ウェハーピックアップ１６上にコリメーターフィルター
５を移動する。これと逆の手順で使用済みのコリメータ
ーフィルター５をフィルターストック装置１１上に移動
することができる。
９の断面図を示し、図７にコリメーターフィルタースト
ック室９の一部を示しフィルター交換時の各部位の動き
を示す。真空槽に設置された２本のフォーク状の棚を複
数個持った昇降機能付のフィルターストック装置１１上
のコリメーターフィルター５直下にフロッグレッグアー
ム４の先端に設置されたウェハーピックアップ１６が入
り、フィルターストック装置１１を降下することにより
ウェハーピックアップ１６上にコリメーターフィルター
５を移動する。これと逆の手順で使用済みのコリメータ
ーフィルター５をフィルターストック装置１１上に移動
することができる。
【００１４】実施例２ この発明によるターゲットクリーニングの実施例であ
り、図１、図３を参考にして説明する。搬送室６に遮蔽
板１７を設置するスペースを設けてある。搬送室６に設
置される遮蔽板１７を使用しないときはフロッグレッグ
アーム４の回転平面より下に遮蔽板１７が位置し、遮蔽
板１７を使用するときは遮蔽板昇降機構１９によりフロ
ッグレッグアーム４の搬送位置に移動し、ウェハーピッ
クアップ１６上に遮蔽板１７を乗せ仕切りバルブ７を通
りウェハーホルダー１の上に移動する。その後遮蔽板１
７をウェハー昇降機構２０によりウェハーピックアップ
１６上からウェハーホルダー１の上に移し替え、ウェハ
ーホルダー１を遮蔽する。また遮蔽板１７を使用しない
ときは、逆の手順により成膜室３から搬送室６の遮蔽板
昇降機構１９の上に戻すことができる。
り、図１、図３を参考にして説明する。搬送室６に遮蔽
板１７を設置するスペースを設けてある。搬送室６に設
置される遮蔽板１７を使用しないときはフロッグレッグ
アーム４の回転平面より下に遮蔽板１７が位置し、遮蔽
板１７を使用するときは遮蔽板昇降機構１９によりフロ
ッグレッグアーム４の搬送位置に移動し、ウェハーピッ
クアップ１６上に遮蔽板１７を乗せ仕切りバルブ７を通
りウェハーホルダー１の上に移動する。その後遮蔽板１
７をウェハー昇降機構２０によりウェハーピックアップ
１６上からウェハーホルダー１の上に移し替え、ウェハ
ーホルダー１を遮蔽する。また遮蔽板１７を使用しない
ときは、逆の手順により成膜室３から搬送室６の遮蔽板
昇降機構１９の上に戻すことができる。
【００１５】この構成において遮蔽板１７が常設される
搬送室６は従来利用されない空間であり、これにより搬
送室６の占有面積を増加する必要がなく図９に示す成膜
室３の占有面積を３０％以上縮小することができる。ま
たカセットロードロック室８に遮蔽板昇降機構１９を追
加することにより、遮蔽板１７をフロッグレッグアーム
４により搬送室６からカセットロードロック室８に移動
し使用済みの遮蔽板１７を取り出し、逆の手順で新しい
遮蔽板１７を挿入することもできる。
搬送室６は従来利用されない空間であり、これにより搬
送室６の占有面積を増加する必要がなく図９に示す成膜
室３の占有面積を３０％以上縮小することができる。ま
たカセットロードロック室８に遮蔽板昇降機構１９を追
加することにより、遮蔽板１７をフロッグレッグアーム
４により搬送室６からカセットロードロック室８に移動
し使用済みの遮蔽板１７を取り出し、逆の手順で新しい
遮蔽板１７を挿入することもできる。
【００１６】
【発明の効果】この発明によればフィルターストック室
を設けかつ搬送室の未利用空間を有効利用することとし
たため、真空を破ることなく作業ができ、コリメーショ
ンフィルターの交換段取り時間が短縮し、コンタクトホ
ールのアスペクト比に合った適正なコリメーションフィ
ルターの選択ができ、最小の占有面積でターゲットクリ
ーニングができる半導体装置製造用スパッタ装置が得ら
れる。
を設けかつ搬送室の未利用空間を有効利用することとし
たため、真空を破ることなく作業ができ、コリメーショ
ンフィルターの交換段取り時間が短縮し、コンタクトホ
ールのアスペクト比に合った適正なコリメーションフィ
ルターの選択ができ、最小の占有面積でターゲットクリ
ーニングができる半導体装置製造用スパッタ装置が得ら
れる。
【図１】この発明によるスパッタ装置の平面図
【図２】この発明の実施例１を示すスパッタ装置の側面
図
図
【図３】この発明の実施例２を示すスパッタ装置の側面
図
図
【図４】この発明の実施例１によるスパッタ装置の成膜
室における半導体ウェハー搬送手順を示す図で、
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各工程における成膜
室の側面図
室における半導体ウェハー搬送手順を示す図で、
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各工程における成膜
室の側面図
【図５】この発明の実施例１によるスパッタ装置の成膜
室におけるコリメーターフィルター搬送手順を示す図
で、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各工程における
成膜室の側面図
室におけるコリメーターフィルター搬送手順を示す図
で、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各工程における
成膜室の側面図
【図６】この発明の実施例１によるスパッタ装置のフィ
ルターストック室を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）
は側面図
ルターストック室を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）
は側面図
【図７】図６に示すフィルターストック室におけるコリ
メーターフィルター搬送手順を示す図で、（ａ）、
（ｂ）は各工程におけるフィルターストックの側面図
メーターフィルター搬送手順を示す図で、（ａ）、
（ｂ）は各工程におけるフィルターストックの側面図
【図８】従来例におけるスパッタ装置の平面図
【図９】従来例におけるスパッタ装置成膜室を示す図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
で、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
１ ウェハーホルダー ２ メインバルブ ３ 成膜室 ４ フロッグレッグアーム（搬送装置） ５ コリメーターフィルター ６ 搬送室 ７ 仕切りバルブ ８ カセットロードロック室 ９ コリメーターフィルターストック室 １０ フィルターホルダー １１ フィルターストック装置 １２ フィルターホルダー昇降装置 １３ 突き上げピン付きウェハー昇降機構 １４ ターゲット １５ 半導体ウェハー １６ ウェハーピックアップ １７ 遮蔽板 １８ ウェハーカセット １９ 遮蔽板昇降機構 ２０ ウェハー昇降機構 ３１ 遮蔽板 ３２ 遮蔽板回転導入機 ３３ メインバルブ ３４ 仕切りバルブ ３５ ウェハーホルダー ３６ ウェハー昇降機構 ３７ ターゲット
Claims (3)
- 【請求項１】半導体ウエハーを搬送する搬送装置を有
し、平面を多角形で構成した搬送室と、この搬送室の複
数の辺に結合されたスパッタ蒸着用成膜室および少なく
とも１つの辺に結合され、中にウエハーカセットを設置
するカセットロードロック室とからなり、これらの室は
いずれも真空槽で構成され、互いに開閉可能な仕切りバ
ルブを介して気密に接合されたものにおいて、 スパッタ蒸着用成膜室内での作業に必要な部品を成膜室
とは別の真空槽内に設置し、この部品の成膜室への出し
入れを搬送室に設置された搬送装置により行うことを特
徴とする半導体装置製造用スパッタ装置。 - 【請求項２】請求項１記載のものにおいて、スパッタ蒸
着用成膜室内での作業に必要な部品はコリメータフィル
タであり、成膜室と別の真空槽は搬送室の辺に開閉可能
な仕切りバルブを介して気密に接合されたコリメータフ
ィルタストック室であることを特徴とする半導体装置製
造用スパッタ装置。 - 【請求項３】請求項１記載のものにおいて、スパッタ蒸
着用成膜室内での作業に必要な部品はウエハーホルダー
保護用の遮蔽板であり、成膜室と別の真空槽は搬送室で
あることを特徴とする半導体装置製造用スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15593093A JPH0711442A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体装置製造用スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15593093A JPH0711442A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体装置製造用スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0711442A true JPH0711442A (ja) | 1995-01-13 |
Family
ID=15616624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15593093A Pending JPH0711442A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体装置製造用スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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