KR102073485B1 - 처리 장치 및 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공통의 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상이한 복수의 처리 용기에 있어서 처리 가스에 따른 처리를 행할 때에, 처리 용기 사이의 처리 결과의 변동을 억제하는 것을 목적으로 한다.
처리 방법은, 가스 공급원에 접속되고, 적어도 일부의 처리 용기 사이에서 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상이한 복수의 처리 용기에 있어서 처리 가스에 따른 처리를 행하는 처리 방법으로서, 가스 공급원으로부터 복수의 처리 용기에 처리 가스를 동시에 공급하는 제1 가스 공급 공정과, 가스 공급원으로부터 복수의 처리 용기 또는 복수의 처리 용기 중 일부의 처리 용기에 처리 가스를 개별적으로 공급하는 제2 가스 공급 공정을 포함한다.

Description

처리 장치 및 처리 방법{PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD}
본 발명의 여러 가지 측면 및 실시형태는, 처리 장치 및 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리를 행하는 기판 처리 장치에서는, 스루풋을 향상시키기 위해서, 복수의 피처리 기판을 병행하여 처리하는 복수의 처리 용기가 설치되는 경우가 있다. 이 경우, 각 처리 용기에 있어서, 처리 가스가 공급되고, 공급된 처리 가스에 따른 처리가 행해진다. 처리 가스에 따른 처리로서는, 예컨대, 에칭, 성막(成膜) 및 클리닝 등을 들 수 있다.
단, 기판 처리 장치에 복수의 처리 용기가 설치되는 경우, 처리 가스를 공급하는 가스 공급원이 처리 용기마다 설치되기 때문에, 기판 처리 장치의 사이즈나 설비 비용이 증대해 버린다. 이것을 회피하기 위해서, 복수의 처리 용기에 공통의 가스 공급원을 접속하고, 공통의 가스 공급원으로부터 각 처리 용기에 처리 가스를 개별적으로 공급함으로써, 가스 공급원의 수를 적게 하는 것이 고려된다.
일본 특허 공개 평성 제7-86169호 공보
그런데, 복수의 처리 용기에 공통의 가스 공급원을 접속하는 경우, 레이아웃의 관점에서, 복수의 처리 용기 사이에서 공통의 가스 공급원까지의 배관의 길이를 동일하게 하는 것이 곤란하다. 복수의 처리 용기 사이에서 공통의 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상이하면, 공통의 가스 공급원으로부터 복수의 처리 용기에 분배되는 처리 가스의 균일성이 손상되기 때문에, 처리 용기 사이에서 처리 결과가 변동될 우려가 있다. 예컨대, 처리 가스가 처리 용기 내의 막을 제거하기 위한 클리닝 가스인 경우를 상정한다. 이 경우, 공통의 가스 공급원으로부터 공급되는 클리닝 가스가 복수의 처리 용기에 균등하게 분배되지 않기 때문에, 어느 처리 용기 내의 막이 완전히 제거되었다고 해도, 다른 처리 용기 내에는 막이 잔류할 가능성이 있다.
개시하는 처리 방법은, 하나의 실시 양태에 있어서, 가스 공급원에 접속되고, 적어도 일부의 처리 용기 사이에서 상기 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상이한 복수의 처리 용기에 있어서 처리 가스에 따른 처리를 행하는 처리 방법으로서, 상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기에 상기 처리 가스를 동시에 공급하는 제1 가스 공급 공정과, 상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기 또는 상기 복수의 처리 용기 중 일부의 처리 용기에 상기 처리 가스를 개별적으로 공급하는 제2 가스 공급 공정을 포함한다.
개시하는 처리 방법의 하나의 양태에 의하면, 공통의 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상이한 복수의 처리 용기에 있어서 처리 가스에 따른 처리를 행할 때에, 처리 용기 사이의 처리 결과의 변동을 억제할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
도 1은 일 실시형태에 따른 성막 장치의 평면도이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 성막 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 성막 장치에 설치되는 웨이퍼 처리 유닛의 사시도이다.
도 4는 배관계의 일례를 도시한 도면이다.
도 5는 웨이퍼 처리 유닛을 구성하는 성막 모듈의 종단 측면도이다.
도 6은 일 실시형태에 따른 클리닝 처리의 흐름의 일례를 도시한 흐름도이다.
도 7은 일 실시형태에 따른 클리닝 처리의 구체예를 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본원이 개시하는 처리 장치 및 처리 방법의 실시형태에 대해 상세히 설명한다. 한편, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다. 또한, 이하에 있어서, 처리 장치의 일례로서, 성막 장치에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시형태에 따른 성막 장치(1)의 평면도이다. 도 2는 일 실시형태에 따른 성막 장치(1)의 종단 측면도이다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 성막 장치(1)는, 캐리어 블록(D1)과, 전달 블록(D2)과, 처리 블록(D3)을 가로 방향으로 직선형으로 접속하여 구성되어 있다. 이후의 성막 장치(1)의 설명에서는, 블록(D1∼D3)의 배열 방향을 전후 방향으로 하고, 블록(D1)측을 전방측으로 한다. 또한, 설명 중에서의 우측, 좌측은, 각각 블록(D1)으로부터 블록(D3)을 향해 보았을 때의 우측, 좌측이다.
캐리어 블록(D1)에는, 다수 매의 웨이퍼(W)를 수납한 반송 용기(11)를 각각 배치하는 배치대(12)가 좌우 방향으로 4개 설치되어 있고, 캐리어 블록(D1)은, 이 배치대(12)에 배치된 반송 용기(11)에 대해 웨이퍼(W)를 반입 및 반출하는 로드 포트로서 구성되어 있다. 배치대(12)에 배치된 반송 용기(11)에 대향하는 캐리어 블록(D1)의 측벽에는, 캐리어 블록(D1) 내에 형성된 반송실(13)에 개구되는 반송 포트가 형성되어 있고, 개폐 도어(14)에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 반송실(13)은 상압의 대기 분위기이고, 상기 반송실(13)에는 웨이퍼(W)의 반송 기구(15)가 설치되어 있다. 이 반송 기구(15)는, 좌우 방향으로 이동 가능하고 또한 승강 가능하게 구성된 다관절 아암이고, 반송실(13)과 반송 용기(11) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
전달 블록(D2) 내에는, 상압의 대기 분위기인 반송실(16)이 형성되어 있고, 이 반송실(16)에는, 웨이퍼(W)가 배치되는 배치부(17)가 설치되어 있다. 상기한 캐리어 블록(D1)의 반송 기구(15)는, 이 배치부(17)에 액세스하여, 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다.
계속해서, 처리 블록(D3)에 대해 설명한다. 이 처리 블록(D3) 내에는, 상압의 대기 분위기인 웨이퍼(W)의 반송 영역(21)과, 4개의 웨이퍼 처리 유닛(2)이 설치되어 있다. 반송 영역(21)은, 처리 블록(D3)의 좌우 방향의 중앙부에 있어서 전후 방향으로 연장되도록 형성되어 있다. 반송 영역(21)에는 웨이퍼(W)의 반송 기구(22)가 설치되어 있고, 이 반송 기구(22)는, 상기한 전달 블록(D2)의 배치부(17)와 각 웨이퍼 처리 유닛(2)에 설치되는 후술하는 로드록 모듈(3) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 반송 기구(22)는, 전후 방향으로 연장되는 가이드 레일(23)과, 상기 가이드 레일(23)을 따라 전후로 이동하는 지주(24)와, 상기 지주(24)에 설치되는 수직으로 승강 가능한 승강대(25)와, 상기 승강대(25) 상에서 수직축 주위로 회전 가능한 회전대(26)와, 상기 회전대(26) 상에서 진퇴 가능하고 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 지지부(27)에 의해 구성되어 있다.
계속해서, 웨이퍼 처리 유닛(2)에 대해 설명한다. 웨이퍼 처리 유닛(2)은, 피처리 기판의 일례인 웨이퍼(W)에 SiN(질화실리콘)막을 형성할 수 있도록 구성되어 있고, 반송 영역(21)의 좌우에 2개씩 설치되어 있다. 그리고, 반송 영역(21)의 좌측, 우측에 각각 설치된 2개의 웨이퍼 처리 유닛(2)은, 전후 방향을 따라 배열되고, 반송 영역(21)을 사이에 두고 서로 대향하고 있다. 4개의 웨이퍼 처리 유닛(2)을 서로 구별하기 위해서, 2A∼2D로서 나타내는 경우가 있다. 4개의 웨이퍼 처리 유닛(2) 중, 우측 전방의 웨이퍼 처리 유닛(2)을 2A, 우측 후방의 웨이퍼 처리 유닛(2)을 2B, 좌측 전방의 웨이퍼 처리 유닛(2)을 2C, 좌측 후방의 웨이퍼 처리 유닛(2)을 2D로 하고 있다.
2A∼2D의 각 웨이퍼 처리 유닛은 서로 동일하게 구성되어 있고, 여기서는 대표해서 웨이퍼 처리 유닛(2A)에 대해 도 3도 참조하면서 설명한다. 도 3은 성막 장치(1)에 설치되는 웨이퍼 처리 유닛(2A)의 사시도이다. 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 처리 유닛(2A)은, 3개의 로드록 모듈(3)과, 6개의 성막 모듈(4)을 구비하고 있다. 3개의 로드록 모듈(3)은, 상하 방향으로 각각 간격을 두고, 열을 이루며 반송 영역(21)을 향하도록 설치되어 있다. 또한, 각 로드록 모듈(3)의 반송 영역(21)의 반대측에는, 2개의 성막 모듈(4)이 전후 방향을 따라 배치되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼 처리 유닛(2A)을 구성하는 6개의 성막 모듈(4)[즉, 6개의 처리 용기(41)]은, 상하 방향으로 3단으로 적층되고, 또한 전후로 2열을 이루도록 배치되어 있다.
로드록 모듈(3)은 예컨대 평면에서 볼 때 대략 오각형으로 형성되어 있고, 오각형의 변 중 하나가 반송 영역(21)을 따르도록 배치되며, 상기 변을 구성하는 로드록 모듈(3)의 측벽에는, 반송 영역(21)에 개구되도록 웨이퍼(W)의 반송구(31)가 형성되어 있다. 그리고, 상기한 오각형의 변 중, 반송구(31)가 형성된 변에 인접하지 않은 2개의 변에는, 성막 모듈(4)을 구성하는 처리 용기(41)가 각각 접속되고, 웨이퍼(W)의 반송구(32)가 상기 처리 용기(41) 내에 개구되도록 형성되어 있다. 이 로드록 모듈(3)의 반송구(31, 32)는, 게이트 밸브(33, 34)에 의해 각각 개폐 가능하게 구성되어 있다.
이와 같이 하나의 로드록 모듈(3)에는 반송 영역(21)의 반대측에 2개의 성막 모듈(4)이 접속되어 설치되어 있고, 이 2개의 성막 모듈(4)은 전후 방향으로 배치되어 있다. 이와 같이 서로 접속된 로드록 모듈(3) 및 2개의 성막 모듈(4)을 처리부로 하면, 웨이퍼(W)는 이 처리부 내에서 반송되어, 성막 장치(1)에 의한 성막 처리를 받는다. 따라서, 이 2개의 성막 모듈(4)은, 동일한 웨이퍼(W)에 처리를 행하기 위해서 서로 조(組)를 이루는 성막 모듈(4)이다. 한편, 상기한 바와 같이 웨이퍼 처리 유닛(2A∼2D)이 설치되어 있기 때문에, 이 처리부는, 반송 영역(21)의 전후, 좌우를 각각 따라 복수개 배치되고, 반송 영역(21)을 사이에 두고 좌우에 대향하고 있다.
로드록 모듈(3) 내에는, 도시하지 않은 에어의 공급구와, 배기구가 개구되어 있다. 이 에어의 공급과 배기에 의해, 로드록 모듈(3) 내부는, 상압 분위기와 진공 분위기가 전환 가능한 로드록실로서 구성되어 있다. 한편, 공급되는 가스는 에어에 한정되지 않고, 예컨대 불활성 가스여도 좋다. 또한, 로드록 모듈(3) 내에는 다관절 아암인 웨이퍼(W)의 반송 기구(35)가 설치되어 있다. 제1 반송 기구인 이 반송 기구(35)는, 로드록 모듈(3)에 접속된 각 성막 모듈(4)의 처리 용기(41) 내 및 상기한 반송 영역(21)에 진입하여, 상기 각 성막 모듈(4)과 반송 기구(22) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
각 성막 모듈(4)은 서로 동일하게 구성되어 있고, 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)를 격납하는 처리 용기(41)를 구비하며, 웨이퍼(W)를 격납한 상기 처리 용기(41) 내에 플라즈마를 형성하고 성막 가스를 처리 가스로서 공급하여, CVD에 의해 상기 웨이퍼(W)에 SiN막을 형성한다. 그리고, 이 성막 처리 후에는 클리닝 가스가 처리 가스로서 공급되고, 처리 용기(41) 내에 형성된 SiN막이 제거되어, 상기 처리 용기(41) 내부가 클리닝된다.
6개의 성막 모듈(4) 중, 전방측에서 적층된 3개의 성막 모듈(4)을 총칭하여 성막 모듈군(40A), 후방측에서 적층된 3개의 성막 모듈(4)을 총칭하여 성막 모듈군(40B)으로 한다. 또한, 이 이후, 설명의 편의상, 성막 모듈군(40A)을 구성하는 각 성막 모듈(4)을 4A, 성막 모듈군(40B)을 구성하는 각 성막 모듈(4)을 4B로 기재하는 경우가 있다. 각 성막 모듈(4A)을 구성하는 처리 용기(41)는 제1 처리 용기이고, 각 성막 모듈(4B)을 구성하는 처리 용기(41)는 제2 처리 용기이다. 상기한 SiN막의 성막 처리 및 클리닝은, 성막 모듈군(40A)을 구성하는 각 성막 모듈(4A) 사이에서 동시에 행해지고, 또한 성막 모듈군(40B)을 구성하는 각 성막 모듈(4B) 사이에서 동시에 행해진다. 또한, 성막 모듈군(40A, 40B) 중 한쪽에서 성막 처리가 행해지고, 다른쪽에서 이 성막 처리에 병행하여 클리닝이 행해진다. 즉, 성막 처리가 행해지는 시간대와 클리닝이 행해지는 시간대가 겹쳐진다.
계속해서, 상기한 바와 같이 성막 처리 및 클리닝을 행하기 위해서 성막 모듈군(40A, 40B)에 대해 형성된 배관계의 일례를, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는 배관계의 일례를 도시한 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 성막 모듈군(40A)을 구성하는 각 성막 모듈(4A)에는, 가스 공급관(51A, 52A)의 하류단이 각각 접속되고, 성막 모듈군(40B)을 구성하는 각 성막 모듈(4B)에는, 가스 공급관(51B, 52B)의 하류단이 각각 접속되어 있다. 각 가스 공급관(51A, 52A, 51B, 52B)에는 각각 밸브(V1, V2, V3, V4)가 개재되어 설치되어 있다.
각 가스 공급관(51A, 51B)의 상류측은 합류하여 합류관을 형성하고, 이 합류관의 상류측이 4개로 분기되어 분기관을 구성하며, 각 분기관의 상류측은, 밸브(V5∼V8)를 통해 SiH4(모노실란) 가스의 공급원(53), NH3(암모니아) 가스의 공급원(54), Ar(아르곤) 가스의 공급원(55), N2(질소) 가스의 공급원(56)에 각각 접속되어 있다. SiH4 가스 및 NH3 가스는, SiN막을 성막하기 위한 처리 가스, 즉 성막 가스이다. Ar 가스는 플라즈마 형성용의 가스이고, N2 가스는 처리 가스에 대한 캐리어 가스이다. 밸브(V5∼V8) 및 가스 공급원(53∼56)은, 성막 가스 공급 기구인 제1 가스 공급 기구 및 제2 가스 공급 기구를 구성한다. 이 성막 가스 공급 기구는, 각 밸브(V)의 개폐에 의해, 성막 모듈군(40A, 40B)에 각각 독립적으로 가스를 공급할 수 있다.
또한, 각 가스 공급관(51A)에 있어서는 밸브(V1)의 하류측에, 가스 공급관(91A)의 하류단이 각각 접속되어 있고, 가스 공급관(91A)의 상류단은 밸브(V11)를 통해 N2 가스의 공급원(92)에 접속되어 있다. 또한, 각 가스 공급관(51B)에 있어서는 밸브(V3)의 하류측에, 가스 공급관(91B)의 하류단이 각각 접속되어 있고, 가스 공급관(91B)의 상류단은 밸브(V12)를 통해 N2 가스의 공급원(94)에 접속되어 있다. 이들 N2 가스의 공급원(92, 94)으로부터 공급되는 N2 가스는, 성막 모듈군(40A)의 각 처리 용기(41) 내부, 성막 모듈군(40B)의 각 처리 용기(41) 내부를 퍼지하기 위한 퍼지 가스이다.
또한, 각 가스 공급관(52A, 52B)의 상류측은 합류하여 합류관을 형성하고, 이 합류관의 상류측은 리모트 플라즈마 형성부(59)를 통해 2개로 분기되어 분기관을 구성하며, 각 분기관의 상류측은 밸브(V13, V14)를 통해, NF3(삼불화질소) 가스의 공급원(95), Ar 가스의 공급원(96)에 각각 접속되어 있다. 즉, 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41) 및 성막 모듈군(40B)의 3개의 처리 용기(41)는, 공통의 가스 공급원인 가스 공급원(95, 96)에 각각 접속되어 있다. 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41) 및 성막 모듈군(40B)의 3개의 처리 용기(41)는, 적어도 일부의 처리 용기(41) 사이에서 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 상이하다. 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이란, 각 가스 공급관(52A, 52B)의 길이와, 합류관에 있어서 각 가스 공급관(52A, 52B)에 대응하는 부분의 길이와, 분기관의 길이를 합계하여 얻어지는 길이이다. 가스 공급원(95)으로부터 공급되는 NF3 가스는, 처리 용기(41) 내의 막을 제거하기 위한 처리 가스, 즉 클리닝 가스이고, 가스 공급원(96)으로부터 공급되는 Ar 가스는, 플라즈마 형성용의 가스이다. 리모트 플라즈마 형성부(59)는, 가스 공급원(95, 96)의 하류측에 배치되고, NF3 가스와 Ar 가스를 여기시켜 플라즈마화하며, 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스를 리모트 플라즈마로서 하류측에 공급한다. 가스 공급원(95, 96), 리모트 플라즈마 형성부(59) 및 밸브(V13, V14)는, 클리닝 가스 공급 기구를 구성한다. 각 밸브(V)의 개폐에 의해, 클리닝 가스 공급 기구는 성막 모듈군(40A, 40B)에 서로 독립적으로 가스를 공급할 수 있다.
또한, 성막 모듈군(40A, 40B)은, 접지된 고주파 전원(61A, 61B)을 각각 구비하고 있다. 고주파 전원(61A, 61B)은, 상기 고주파 전원(61A, 61B)으로부터 각각 분기된 고주파의 공급 라인(62)을 통해 성막 모듈군(40A)의 각 성막 모듈(4A), 성막 모듈군(40B)의 각 성막 모듈(4B)에 각각 접속되어 있고, 분기된 각 공급 라인(62)에는, 정합기가 개재되어 설치되어 있다. 고주파 전원(61A)으로부터 분기된 공급 라인(62)에 개재되어 설치되는 정합기를 63A, 고주파 전원(61B)으로부터 분기된 공급 라인(62)에 개재되어 설치되는 정합기를 63B로서 각각 나타내고 있다.
도 2, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기한 정합기(63A, 63B)는, 예컨대 동일한 로드록 모듈(3)에 접속된 성막 모듈(4A, 4B)이 이루는 각 열의 전후의 중앙부 상에 설치되고, 대응하는 성막 모듈(4A, 4B) 부근에 배치되어 있다. 즉 정합기(63A, 63B)는 각각 상하 3단으로 배치되어 있다. 또한, 고주파 전원(61A, 61B), 리모트 플라즈마 형성부(59), 각 가스 공급원 및 각 밸브(V)는, 예컨대 도 1에 도시된 로드록 모듈(3) 및 성막 모듈(4)의 측방에 있어서의 기기 설치 영역(64)에 설치된다. 도 1 이외의 도면에서는 기기 설치 영역(64)의 표시는 생략하고 있다.
도 4로 되돌아가서 설명을 계속하면, 성막 모듈(4A, 4B)에는, 처리 용기(41) 내부를 배기하기 위한 배기관(65)의 상류단이 각각 접속되어 있다. 성막 모듈(4A)에 접속된 각 배기관(65)의 하류측, 성막 모듈(4B)에 접속된 각 배기관(65)의 하류측은 각각 합류하여 공통 배기관(66)을 형성하고 있다. 각 공통 배기관(66)에는, 밸브 등을 포함하고, 배기 유량을 조정함으로써 처리 용기(41) 내의 압력을 조정하기 위한 압력 조정부가 개재되어 설치되어 있다. 이 압력 조정부에 대해, 성막 모듈(4A)에 접속되는 공통 배기관(66)에 개재되어 설치되는 것을 67A, 성막 모듈(4B)에 접속되는 공통 배기관(66)에 개재되어 설치되는 것을 67B로서 각각 나타내고 있다. 압력 조정부(67A, 67B)의 하류측에서 각 공통 배기관(66)은 서로 합류하고, 진공 펌프 등에 의해 구성되는 배기 기구(68)에 접속되어 있다.
상기한 배기관(65) 및 공통 배기관(66)에 대해 더욱 설명해 두면, 도 2, 도 3에 도시된 바와 같이, 각 배기관(65)은 각 성막 모듈(4)의 처리 용기(41)로부터 가로 방향으로 인출되도록 설치되어 있다. 그리고, 각 공통 배기관(66)은, 접속관(97)과, 본체관(98)을 구비하고 있다. 각 접속관(97)은, 적층된 성막 모듈(4A)의 각 배기관(65), 적층된 성막 모듈(4B)의 각 배기관(65)이 접속되도록 상하 방향으로, 즉 성막 모듈(4)의 배열 방향을 따라 연장되어 있다. 본체관(98)은, 접속관(97)의 길이 방향의 중앙부로부터 가로 방향으로 인출된 후, 굴곡되어 하방으로 연장되어 있고, 상기 본체관(98)에 압력 조정부(67A, 67B)가 설치되어 있다. 이와 같이 공통 배기관(66)은, 상하 방향으로 둘러쳐지도록 형성되어 있다.
계속해서 도 5의 종단 측면도를 참조하면서, 성막 모듈(4)의 구성에 대해 설명한다. 도 5는 웨이퍼 처리 유닛(2)을 구성하는 성막 모듈(4)의 종단 측면도이다. 상기한 바와 같이 6개의 각 성막 모듈(4)은 서로 동일하게 구성되어 있기 때문에, 도 5에서는 대표해서 하나의 성막 모듈(4A)에 대해 도시하고 있다. 도면 중 부호 42는, 처리 용기(41)의 측벽에 개구된 웨이퍼(W)의 반송구이고, 상기한 게이트 밸브(34)에 의해, 개폐 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 부호 43은, 반송구(42)의 상부측의 처리 용기(41)의 내측의 측벽이, 내측으로 돌출되어 형성되는 링형의 돌출부이다.
처리 용기(41) 내에는 수평인 웨이퍼(W)의 배치대(44)가 설치되어 있다. 이 배치대(44)에는, 웨이퍼(W)의 중심부와 주연부(周緣部)를 서로 독립적으로 가열하는 히터(45)와, 후술하는 가스 샤워 헤드(75)와 함께 용량 결합 플라즈마를 형성하기 위한 전극(46)이 매설되어 있다. 도면 중 부호 47은, 배치대(44)를 하부측으로부터 지지하는 지지부이고, 처리 용기(41)의 하부측의 개구부(48)를 관통하여 하방으로 연장되며, 승강 기구(49)에 접속되어 있다. 도면 중 부호 71은, 개구부(48)의 하방에 있어서 지지부(47)에 설치되는 플랜지이다. 도면 중 부호 72는 신축 가능한 벨로우즈이고, 플랜지(71)와 개구부(48)의 가장자리부에 접속되어, 처리 용기(41) 내부를 기밀하게 유지한다.
승강 기구(49)에 의해, 배치대(44)는 돌출부(43)보다 하방측에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달 위치(도면 중에 쇄선으로 표시하고 있음)와, 돌출부(43)로 둘러싸이는 상방측의 처리 위치(도면 중에 실선으로 표시하고 있음) 사이를 승강할 수 있다. 전달 위치에 있어서의 배치대(44)와, 반송구(42)를 통해 처리 용기(41) 내에 진입한 상기한 로드록 모듈(3)의 반송 기구(35) 사이에서, 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 이 전달은 배치대(44)의 표면을 돌출 및 함몰하는 승강 가능한 웨이퍼(W)의 지지 핀을 통해 행해지지만, 이 지지 핀의 도시는 생략하고 있다.
배치대(44)가 처리 위치로 이동함으로써, 상기 배치대(44), 처리 용기(41)의 천장부, 처리 용기(41)의 측벽 및 돌출부(43)로 둘러싸이는 평평한 원형의 처리 공간(73)이 형성된다. 도면 중 부호 74는 처리 용기(41)의 측벽 내에, 이 처리 공간(73)을 둘러싸도록 형성된 링형의 배기 공간이다. 처리 용기(41)의 측벽에는, 처리 공간(73)에 개구되고 이 배기 공간(74)에 접속되는 다수의 배기구(80)가 형성되어 있다. 처리 용기(41)의 외측으로부터 상기한 배기관(65)이, 이 배기 공간(74)에 접속되어 있어, 처리 공간(73)을 배기할 수 있다.
도면 중 부호 75는, 처리 용기(41)의 천장부를 구성하고, 배치대(44)와 대향하는 가스 샤워 헤드이다. 이 가스 샤워 헤드(75)의 중앙 상부는 융기되어, 유로 형성부(76)를 형성하고 있다. 도면 중 부호 77은, 가스 샤워 헤드(75)의 하면에 천공(穿孔)된 가스 토출구이고, 가스 샤워 헤드(75) 내에 형성된 평평한 가스 확산실(78)에 연접(連接)하고 있다. 가스 확산실(78)의 중앙부는 유로 형성부(76) 내에서 상방측으로 인출되어 가스 도입로(79)를 구성하고, 이 가스 도입로(79)의 상류측에 상기한 가스 공급관(52A)이 접속되어 있다. 따라서, 가스 도입로(79), 가스 확산실(78)을 통해, 가스 토출구(77)로부터 리모트 플라즈마 형성부(59)에 의해 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스를 토출할 수 있다.
도면 중 부호 81은, 가스 샤워 헤드(75)에 있어서 가스 확산실(78)의 상방에 겹쳐지도록 설치된 평평한 가스 확산실이다. 도면 중 부호 82는, 가스 확산실(81, 78)을 접속하기 위해서 분산되어 다수 형성된 연통로이다. 도면 중 부호 83은, 가스 확산실(81)의 내연부(內緣部)가 유로 형성부(76) 내에서 상방측으로 인출되어, 가스 도입로(79)를 둘러싸도록 형성된 수직 가스 유로이다. 도면 중 부호 84는, 수직 가스 유로(83)의 상류측에 형성되고, 가스 도입로(79)의 상부를 둘러싸도록 형성된 나선형의 가스 도입로이다. 상기한 가스 공급관(51A)은, 이 가스 도입로(84)의 상류측에 접속되어 있다. 따라서, 가스 공급원(53∼56, 92)으로부터 공급되는 각 가스는, 가스 도입로(84), 가스 확산실(81, 78)을 통해 가스 토출구(77)로부터 토출된다.
도면 중 부호 85는, 상기한 유로 형성부(76) 주위를 둘러싸는 커버 부재이고, 가스 샤워 헤드(75)의 상방에 구획된 상부 공간(86)을 형성한다. 가스 샤워 헤드(75)에는 상기한 고주파의 공급 라인(62)이 접속되어 있다. 즉 가스 샤워 헤드(75)는 전극으로서 구성되고, 배치대(44)와 함께 처리 공간(73)에 용량 결합 플라즈마를 형성한다. 이 공급 라인(62)은, 가로 방향으로부터 커버 부재(85)를 관통하고, 상부 공간(86)에 있어서 가스 샤워 헤드(75)에 접속되어 있다. 이와 같이 공급 라인(62)을 가로 방향으로 연장되도록 형성함으로써, 성막 모듈(4)을 적층하기 위해서 필요한 높이를 억제하여, 성막 장치(1)의 대형화를 방지하고 있다.
또한, 상부 공간(86)에 있어서는 가스 샤워 헤드(75) 상에 히트 싱크(87)가 설치되어 있다. 도면 중 부호 88은, 커버 부재(85)에 있어서 상부 공간(86)의 외측에 설치된 팬 기구이고, 커버 부재(85)에 형성된 송풍로를 통해 히트 싱크(87)에 송풍하여, 가스 샤워 헤드(75)의 온도 상승을 억제한다. 그에 의해, 적층된 성막 모듈(4)에 있어서, 하측의 성막 모듈(4)의 가스 샤워 헤드(75)의 열이, 상측의 성막 모듈(4)의 웨이퍼(W)의 처리에 영향을 주는 것이 억제된다. 한편, 가스 샤워 헤드(75) 상에 배관을 둘러치고, 물 등의 냉각용 유체를 유통시켜 가스 샤워 헤드(75)를 냉각하도록 해도 좋다.
한편, 도 5에 도시된 배관계는, 도 4에 도시된 배관계 중 성막 모듈(4A)의 가스 처리에 관여하는 부분을 발췌하여 도시한 것이다. 따라서, 가스 공급원(53∼56)의 각 가스의 성막 모듈(4B)에의 공급 및 정지를 제어하는 밸브(V3), 가스 공급원(94), 및 상기 가스 공급원(94)의 N2 가스(퍼지 가스)의 성막 모듈(4B)에의 공급 및 정지를 제어하는 밸브(V12)에 대해서는 표시하고 있지 않다. 밸브(V3, V12)는, 도 5의 밸브(V1, V11)에 각각 대응하는 밸브이고, 가스 공급원(94)은, 도 5의 가스 공급원(92)에 대응한다. 즉, 배관계에 있어서 성막 모듈(4B)의 가스 처리에 관여하는 부분은, 도 5에 도시된 성막 모듈(4B)의 가스 처리에 관여하는 부분과 대략 동일한 구성으로서 나타낼 수 있으나, 도 5와의 차이점으로서 밸브(V1, V11) 대신에 밸브(V3, V12)가, 가스 공급원(92) 대신에 가스 공급원(94)이 설치된 구성이 된다.
성막 장치(1)에는, 도 1에 도시된 바와 같이 컴퓨터인 제어부(100)가 설치되어 있다. 제어부(100)는, 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 성막 장치(1)에 의한 각종의 처리가 행해지도록 명령(단계군)이 짜여진 프로그램이 저장되어 있다. 구체적으로는, 각 반송 기구(15, 22, 35)의 동작, 게이트 밸브(33, 34)의 개폐, 각 밸브(V)의 개폐, 고주파 전원(61A, 61B)의 온 오프의 전환, 리모트 플라즈마 형성부(59)에 의한 리모트 플라즈마의 형성, 승강 기구(49)에 의한 배치대(44)의 승강, 히터(45)에 의한 웨이퍼(W)의 온도의 조정, 압력 조정부(67A, 67B)에 의한 각 처리 용기(41) 내의 압력 조정 등의 각 동작이, 상기한 프로그램에 의해 제어부(100)로부터 성막 장치(1)의 각부에 제어 신호가 출력됨으로써 제어된다. 한편, 상기한 프로그램은, 예컨대 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.
그런데, 전술한 바와 같이, 성막 장치(1)에서는, 성막 모듈군(40A)을 구성하는 각 성막 모듈(4A) 사이에서 웨이퍼(W)에의 성막 처리가 동시에 행해지는데, 이때, 성막 가스에서 기인한 반응 생성물인 SiN막이, 처리 용기(41) 내의 벽면에 부착된다. 부착된 SiN막은, 그 후의 처리에 있어서, 웨이퍼(W)의 오염의 원인이 된다. 그 때문에, 성막 장치(1)에서는, 처리 용기(41) 내의 벽면에 부착된 SiN막을 제거하기 위해서, 이하와 같은 클리닝 처리가 실행된다. 예컨대, 제어부(100)는, 가스 공급원(95, 96)으로부터 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41)에 NF3 가스 및 Ar 가스를 동시에 공급하고, 그 후, 가스 공급원(95, 96)으로부터 3개의 처리 용기(41) 중 일부의 처리 용기(41)에 NF3 가스 및 Ar 가스를 개별적으로 공급하여 클리닝 처리를 실행한다.
도 6은 일 실시형태에 따른 클리닝 처리의 흐름의 일례를 도시한 흐름도이다. 도 6에서는, 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(이하 적절히 「3개의 처리 용기(41)」라고 약기함)에 있어서 클리닝 처리를 실행하는 예를 설명한다.
제어부(100)는, 3개의 처리 용기(41)에 있어서 웨이퍼(W)에 SiN막을 형성하는 성막 처리가 행해진 후, SiN막이 형성된 웨이퍼(W)를 3개의 처리 용기(41)의 각각으로부터 반출한다(S101).
다음으로, 제어부(100)는, 가스 공급원(95, 96)으로부터 3개의 처리 용기(41)에 NF3 가스 및 Ar 가스를 동시에 공급하는 제1 가스 공급 공정을 행한다(S102). 구체적으로는, 제어부(100)는, 밸브(V13, V14) 및 3개의 처리 용기(41)에 대응하는 3개의 밸브(V2)를 개방하여, 리모트 플라즈마 형성부(59)에 의해 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스를 3개의 처리 용기(41)에 동시에 공급한다. 그 결과, 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스에 의해, 성막 처리 시에 각 처리 용기(41) 내의 벽면에 부착된 SiN막이 제거된다. 단, 3개의 처리 용기(41)는, 전술한 바와 같이, 적어도 일부의 처리 용기(41) 사이에서 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 상이하여, 가스 공급원(95, 96)으로부터 3개의 처리 용기(41)에 NF3 가스 및 Ar 가스가 균일하게 분배되지 않는다. 그 때문에, 처리 용기(41) 내에 잔류하는 SiN막의 막 두께가 처리 용기(41) 사이에서 변동된다.
다음으로, 제어부(100)는, 가스 공급원(95, 96)으로부터 3개의 처리 용기(41) 중 일부의 처리 용기(41)에 NF3 가스 및 Ar 가스를 개별적으로 공급하는 제2 가스 공급 공정을 행한다(S103). 구체적으로는, 제어부(100)는, 3개의 처리 용기(41)에 대응하는 3개의 밸브(V2) 중 일부의 밸브(V2)를 개방하고, 나머지 일부의 밸브(V2)를 폐쇄하며, 리모트 플라즈마 형성부(59)에 의해 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스를 일부의 처리 용기(41)에 개별적으로 공급한다. 이에 의해, 가스 공급원(95, 96)으로부터 3개의 처리 용기(41)에 분배되는 NF3 가스 및 Ar 가스의 균일성이 개선되고, 결과로서, 처리 용기(41) 내에 잔류하는 SiN막이 처리 용기(41) 사이에서 균등하게 제거된다.
계속해서, 전술한 클리닝 처리의 구체예에 대해, 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 7은 일 실시형태에 따른 클리닝 처리의 구체예를 도시한 도면이다. 도 7에 있어서, 해칭이 표시된 밸브는, 폐쇄되어 있는 밸브를 나타내고, 해칭이 표시되지 않은 밸브는, 개방되어 있는 밸브를 나타낸다. 또한, 도 7에서는, 가스가 유통되고 있는 각 배관에는, 화살표를 붙이고 있다. 또한, 도 7에 있어서, 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41)는, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 서로 상이한 것으로 한다. 여기서는, 설명의 편의상, 3개의 처리 용기(41)를 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 짧은 것으로부터 순서대로 「처리 용기(41-1)」, 「처리 용기(41-2)」 및 「처리 용기(41-3)」라고 표기한다. 또한, 설명의 편의상, 처리 용기(41-1)에 대응하는 밸브(V2)를 「밸브(V2-1)」, 처리 용기(41-2)에 대응하는 밸브(V2)를 「밸브(V2-2)」, 처리 용기(41-3)에 대응하는 밸브(V2)를 「밸브(V2-3)」라고 표기한다.
도 7의 (A)에 도시된 바와 같이, SiN막이 형성된 웨이퍼(W)가 처리 용기(41-1), 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3)의 각각으로부터 반출되면, 밸브(V13, V14) 및 밸브(V2-1, V2-2, V2-3)가 개방된다. 이에 의해, 리모트 플라즈마 형성부(59)에 의해 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스가, 처리 용기(41-1), 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3)에 동시에 공급된다. 그 결과, 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스에 의해, 성막 처리 시에 처리 용기(41-1), 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3) 내의 벽면에 부착된 SiN막이 제거된다. 여기서는, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 가장 짧은 처리 용기(41-1) 내의 벽면에 부착된 SiN막이 완전히 제거된 것으로 한다.
단, 처리 용기(41-1), 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3)는, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 서로 상이하여, 가스 공급원(95, 96)으로부터 처리 용기(41-1), 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3)에 NF3 가스 및 Ar 가스가 균일하게 분배되지 않는다. 그 때문에, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 가장 짧은 처리 용기(41-1) 내의 벽면에 부착된 SiN막이 완전히 제거된 경우라도, 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3) 내의 내면에 부착된 SiN막은 완전히 제거되지 않고 잔류한다. 한편, 도 7의 (A)는 상기한 제1 가스 공급 공정에 상당한다.
계속해서, 도 7의 (B)에 도시된 바와 같이, 밸브(V2-1, V2-2, V2-3) 중 일부의 밸브가 개방되고, 나머지 밸브가 폐쇄된다. 이에 의해, 리모트 플라즈마 형성부(59)에 의해 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스가, 처리 용기(41-1), 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3) 중 일부의 처리 용기(41)에 개별적으로 공급된다. 즉, 본 실시형태에서는, 도 7의 (B-1)에 도시된 바와 같이, 밸브(V2-2, V2-3)가 개방되고, 밸브(V2-1)가 폐쇄됨으로써, 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스가, 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3)에 공급된다. 그 결과, 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스에 의해, 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3) 내에 잔류하는 SiN막이 제거된다. 여기서는, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 상대적으로 짧은 처리 용기(41-2) 내에 잔류하는 SiN막이 완전히 제거된 것으로 한다.
단, 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3)는, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 서로 상이하여, 가스 공급원(95, 96)으로부터 처리 용기(41-2) 및 처리 용기(41-3)에 NF3 가스 및 Ar 가스가 균일하게 분배되지 않는다. 그 때문에, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 상대적으로 짧은 처리 용기(41-2) 내에 잔류하는 SiN막이 완전히 제거된 경우라도, 처리 용기(41-3) 내의 내면에 부착된 SiN막은 완전히 제거되지 않고 잔류한다. 이에 대해, 본 실시형태에서는, 도 7의 (B-2)에 도시된 바와 같이, 밸브(V2-3)가 개방되고, 밸브(V2-1, V2-2)가 폐쇄됨으로써, 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스가, 처리 용기(41-3)에 공급된다. 그 결과, 플라즈마화된 NF3 가스 및 Ar 가스에 의해 처리 용기(41-3) 내에 잔류하는 SiN막이 제거된다. 한편, 도 7의 (B)는 상기한 제2 가스 공급 공정에 상당한다.
이와 같이, 제2 가스 공급 공정에서는, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 상대적으로 긴 처리 용기에 처리 가스(NF3 가스 및 Ar 가스)가 공급되는 시간이, 배관의 길이가 상대적으로 짧은 처리 용기에 처리 가스가 공급되는 시간보다 길어지도록, 일부의 처리 용기(41)에 처리 가스가 순차 공급된다. 이에 의해, 가스 공급원(95, 96)으로부터 3개의 처리 용기(41)에 분배되는 처리 가스의 균일성이 개선되고, 결과로서, 처리 용기(41) 내에 잔류하는 SiN막이 처리 용기(41) 사이에서 균등하게 제거된다.
이상과 같이, 일 실시형태의 클리닝 처리에 의하면, 가스 공급원(95, 96)으로부터 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41)에 클리닝 가스를 동시에 공급하고, 그 후, 가스 공급원(95, 96)으로부터 3개의 처리 용기(41) 중 일부의 처리 용기(41)에 클리닝 가스를 개별적으로 공급한다. 이 때문에, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 상이한 3개의 처리 용기(41)에 분배되는 클리닝 가스의 균일성을 향상시킬 수 있다. 결과로서, 처리 용기(41) 사이의 처리 결과의 변동을 억제하여 모든 처리 용기(41)에 있어서 SiN막을 균등하게 제거할 수 있다.
(다른 실시형태)
한편, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.
예컨대, 상기 실시형태에서는, 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41)에 있어서 처리 가스에 따른 처리로서 클리닝 처리를 실행하는 예를 나타내었으나, 3개의 처리 용기(41)에 있어서 실행되는 처리는 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41)에 있어서 에칭 처리 또는 성막 처리가 실행되어도 좋다. 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41)에 있어서 에칭 처리가 실행되는 경우, 각 처리 용기(41) 내에서 웨이퍼(W)를 에칭하기 위한 에칭 가스가 처리 가스로서 이용된다. 또한, 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41)에 있어서 성막 처리가 실행되는 경우, 각 처리 용기(41) 내에서 웨이퍼(W)에 막을 형성하기 위한 성막 가스가 처리 가스로서 이용된다.
여기서, 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41)에 있어서 웨이퍼(W)에 SiN막을 형성하는 성막 처리가 실행되는 경우, 성막 장치(1)는, 예컨대 이하와 같은 동작을 행한다. 즉, 성막 장치(1)는, 가스 공급원(53∼56)으로부터 성막 모듈군(40A)의 3개의 처리 용기(41)에 SiH4 가스, NH3 가스, Ar 가스 및 N2 가스를 동시에 공급하는 제1 가스 공급 공정을 행한다. 그 후, 성막 장치(1)는, 가스 공급원(53∼56)으로부터 3개의 처리 용기(41) 중 일부의 처리 용기(41)에 SiH4 가스, NH3 가스, Ar 가스 및 N2 가스를 개별적으로 공급하는 제2 가스 공급 공정을 행한다. 이에 의해, 가스 공급원(53∼56)까지의 배관의 길이가 상이한 3개의 처리 용기(41)에 분배되는 성막 가스(SiH4 가스 및 NH3 가스)의 균일성이 개선되고, 결과로서, 처리 용기(41) 사이에서 SiN막의 성막 레이트의 변동을 억제할 수 있다.
또한, 처리 가스가 클리닝 가스 또는 에칭 가스인 경우, 제1 가스 공급 공정을 제2 가스 공급 공정으로 전환하는 타이밍, 또는 제2 가스 공급 공정을 종료하는 타이밍이 이하와 같이 검출되어도 좋다. 즉, 처리 장치는, 클리닝 가스에 따른 클리닝 처리, 또는 에칭 가스에 따른 에칭 처리가 행해질 때에 각 처리 용기(41)로부터 배출되는 가스에 포함되는 특정 성분의 양을 측정한다. 각 처리 용기(41)로부터 배출되는 가스에 포함되는 특정 성분의 양의 측정은, 예컨대, 각 처리 용기(41)에 대응하는 배기관(65)에 설치된 가스 분석 장치를 이용하여 행해진다. 가스 분석 장치로서는, 예컨대, 질량 분석계, 적외 분광계, 가스 크로마토그래피, 또는 정전위 전해식 가스 센서 등을 이용할 수 있다. 그리고, 처리 장치는, 측정된 특정 성분의 양을 이용하여, 제1 가스 공급 공정을 제2 가스 공급 공정으로 전환하는 타이밍, 또는 제2 가스 공급 공정을 종료하는 타이밍을 검출한다. 예컨대, 처리 장치는, 특정 성분의 양이 소정량 이하가 되는 타이밍을 제1 가스 공급 공정을 제2 가스 공급 공정으로 전환하는 타이밍, 또는 제2 가스 공급 공정을 종료하는 타이밍으로서 검출한다.
또한, 처리 가스가 성막 가스인 경우, 제1 가스 공급 공정을 제2 가스 공급 공정으로 전환하는 타이밍, 또는 제2 가스 공급 공정을 종료하는 타이밍이 이하와 같이 검출되어도 좋다. 즉, 성막 장치(1)는, 성막 가스에 따른 성막 처리가 행해질 때에 각 처리 용기(41) 내에서 웨이퍼(W)에 형성되는 막의 막 두께를 측정한다. 각 처리 용기(41) 내에서 웨이퍼(W)에 형성되는 막의 막 두께의 측정은, 예컨대, 각 처리 용기(41)에 설치된 막 두께 측정 장치를 이용하여 행해진다. 막 두께 측정 장치는, 예컨대, 일본 특허 공개 제2010-206026호 공보에 개시되어 있다. 그리고, 성막 장치(1)는, 측정된 막 두께를 이용하여, 제1 가스 공급 공정을 제2 가스 공급 공정으로 전환하는 타이밍, 또는 제2 가스 공급 공정을 종료하는 타이밍을 검출한다. 예컨대, 성막 장치(1)는, 막 두께가 미리 정해진 막 두께 이상이 되는 타이밍을 제1 가스 공급 공정을 제2 가스 공급 공정으로 전환하는 타이밍, 또는 제2 가스 공급 공정을 종료하는 타이밍으로서 검출한다.
또한, 상기 실시형태에서는, 제2 가스 공급 공정에 있어서, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 상대적으로 긴 처리 용기에 처리 가스(NF3 가스 및 Ar 가스)가 공급되는 시간이, 배관의 길이가 상대적으로 짧은 처리 용기에 처리 가스가 공급되는 시간보다 길어지도록, 일부의 처리 용기(41)에 처리 가스를 순차 공급하는 예를 나타내었다. 그러나, 개시 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 제2 가스 공급 공정에 있어서, 가스 공급원(95, 96)까지의 배관의 길이가 상대적으로 긴 처리 용기에 공급되는 처리 가스(NF3 가스 및 Ar 가스)의 유량이, 배관의 길이가 상대적으로 짧은 처리 용기에 공급되는 처리 가스의 유량보다 커지도록, 일부의 처리 용기(41)에 처리 가스를 순차 공급하도록 해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 제1 가스 공급 공정이 상기 제2 가스 공급 공정으로 전환될 때에 특별히 온도가 변경되지 않는 예를 나타내었으나, 개시 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 제2 가스 공급 공정은, 제1 가스 공급 공정과 비교하여 낮은 온도에서 실행되어도 좋다. 이에 의해, 리모트 플라즈마 형성부(59)에 의해 플라즈마화된 처리 가스(NF3 가스 및 Ar 가스)로부터 처리 용기(41) 내의 부재에 대해 부여되는 손상을 경감할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 제1 가스 공급 공정이 상기 제2 가스 공급 공정으로 전환될 때에 특별히 리모트 플라즈마 형성부(59)의 전력이 변경되지 않는 예를 나타내었으나, 개시 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 제2 가스 공급 공정은, 제1 가스 공급 공정과 비교하여 낮은 리모트 플라즈마 형성부(59)의 전력으로 실행되어도 좋다. 이에 의해, 리모트 플라즈마 형성부(59)에 의해 플라즈마화된 처리 가스(NF3 가스 및 Ar 가스)로부터 처리 용기(41) 내의 부재에 대해 부여되는 손상을 경감할 수 있다. 한편, 리모트 플라즈마 형성부(59)의 전력이란, 처리 가스(NF3 가스 및 Ar 가스)를 플라즈마화하기 위해서 이용되는 전력이다.
또한, 상기 실시형태에서는, 제2 가스 공급 공정에 있어서, 가스 공급원(95, 96)으로부터 3개의 처리 용기(41) 중 일부의 처리 용기(41)에 클리닝 가스를 개별적으로 공급하는 예를 나타내었으나, 개시 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 제2 가스 공급 공정에 있어서, 가스 공급원(95, 96)으로부터 3개의 처리 용기(41)에 클리닝 가스를 개별적으로 공급해도 좋다.
W: 웨이퍼 1: 성막 장치
2A∼2D: 웨이퍼 처리 유닛 3: 로드록 모듈
4(4A∼4D): 성막 모듈 41: 처리 용기
59: 리모트 플라즈마 형성부 95, 96: 가스 공급원
100: 제어부

Claims (10)

  1. 가스 공급원에 접속되고, 적어도 일부의 처리 용기 사이에서 상기 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상이한 복수의 처리 용기에 있어서 처리 가스에 따른 처리를 행하는 처리 방법으로서,
    상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기에 상기 처리 가스를 동시에 공급하는 제1 가스 공급 공정과,
    상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기 또는 상기 복수의 처리 용기 중 일부의 처리 용기에 상기 처리 가스를 개별적으로 공급하는 제2 가스 공급 공정을 포함하고,
    상기 처리 가스는, 각 상기 처리 용기 내의 막을 제거하기 위한 클리닝 가스, 또는 각 상기 처리 용기 내에서 피처리 기판을 에칭하기 위한 에칭 가스이고,
    상기 처리 가스에 따른 처리가 행해질 때에 각 상기 처리 용기로부터 배출되는 가스에 포함되는 특정 성분의 양을 측정하는 공정
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  2. 가스 공급원에 접속되고, 적어도 일부의 처리 용기 사이에서 상기 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상이한 복수의 처리 용기에 있어서 처리 가스에 따른 처리를 행하는 처리 방법으로서,
    상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기에 상기 처리 가스를 동시에 공급하는 제1 가스 공급 공정과,
    상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기 또는 상기 복수의 처리 용기 중 일부의 처리 용기에 상기 처리 가스를 개별적으로 공급하는 제2 가스 공급 공정을 포함하고,
    상기 처리 가스는, 각 상기 처리 용기 내에서 피처리 기판에 막을 형성하기 위한 성막(成膜) 가스이고,
    상기 처리 가스에 따른 처리가 행해질 때에 각 상기 처리 용기 내에서 피처리 기판에 형성되는 막의 막 두께를 측정하는 공정
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 가스 공급 공정은,
    상기 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상대적으로 긴 처리 용기에 상기 처리 가스가 공급되는 시간이, 상기 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상대적으로 짧은 처리 용기에 상기 처리 가스가 공급되는 시간보다 길어지도록, 상기 복수의 처리 용기 또는 상기 일부의 처리 용기에 상기 처리 가스를 순차 공급하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 가스 공급 공정은,
    상기 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상대적으로 긴 처리 용기에 공급되는 상기 처리 가스의 유량이, 상기 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상대적으로 짧은 처리 용기에 공급되는 상기 처리 가스의 유량보다 커지도록, 상기 복수의 처리 용기 또는 상기 일부의 처리 용기에 상기 처리 가스를 순차 공급하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 처리 가스는, 상기 클리닝 가스이고,
    상기 가스 공급원의 하류측에는, 상기 처리 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 형성부가 배치되며,
    상기 제1 가스 공급 공정 및 상기 제2 가스 공급 공정은,
    상기 플라즈마 형성부에 의해 플라즈마화된 상기 처리 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    측정된 상기 특정 성분의 양을 이용하여, 상기 제1 가스 공급 공정을 상기 제2 가스 공급 공정으로 전환하는 타이밍, 또는 상기 제2 가스 공급 공정을 종료하는 타이밍을 검출하는 공정
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  7. 제2항에 있어서,
    측정된 상기 막 두께를 이용하여, 상기 제1 가스 공급 공정을 상기 제2 가스 공급 공정으로 전환하는 타이밍, 또는 상기 제2 가스 공급 공정을 종료하는 타이밍을 검출하는 공정
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 처리 용기는, 상하 방향으로 적층되어 배치되는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  9. 처리 가스를 공급하는 가스 공급원과,
    상기 가스 공급원에 접속되고, 적어도 일부의 처리 용기 사이에서 상기 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상이하며, 상기 처리 가스에 따른 처리를 행하기 위한 복수의 처리 용기와,
    상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기에 상기 처리 가스를 동시에 공급하는 제1 가스 공급 공정과, 상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기 또는 상기 복수의 처리 용기 중 일부의 처리 용기에 상기 처리 가스를 개별적으로 공급하는 제2 가스 공급 공정을 실행하는 제어부를 갖고,
    상기 처리 가스는, 각 상기 처리 용기 내의 막을 제거하기 위한 클리닝 가스 또는 각 상기 처리 용기 내에서 피처리 기판을 에칭하기 위한 에칭 가스이고, 상기 처리 가스에 따른 처리가 행해질 때에 각 상기 처리 용기로부터 배출되는 가스에 포함되는 특정 성분의 양을 측정하는 공정을 실행하는 가스 분석 장치
    를 더 갖는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  10. 처리 가스를 공급하는 가스 공급원과,
    상기 가스 공급원에 접속되고, 적어도 일부의 처리 용기 사이에서 상기 가스 공급원까지의 배관의 길이가 상이하며, 상기 처리 가스에 따른 처리를 행하기 위한 복수의 처리 용기와,
    상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기에 상기 처리 가스를 동시에 공급하는 제1 가스 공급 공정과, 상기 가스 공급원으로부터 상기 복수의 처리 용기 또는 상기 복수의 처리 용기 중 일부의 처리 용기에 상기 처리 가스를 개별적으로 공급하는 제2 가스 공급 공정을 실행하는 제어부를 갖고,
    상기 처리 가스는, 각 상기 처리 용기 내에서 피처리 기판에 막을 형성하기 위한 성막(成膜) 가스이고, 상기 처리 가스에 따른 처리가 행해질 때에 각 상기 처리 용기 내에서 피처리 기판에 형성되는 막의 막 두께를 측정하는 공정을 실행하기 위한 막 두께 측정 장치
    를 더 갖는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
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Families Citing this family (162)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
CN110176414B (zh) * 2019-04-16 2020-10-16 北京北方华创微电子装备有限公司 反应气体供应系统及其控制方法
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11236424B2 (en) * 2019-11-01 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024638A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007142018A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Seiko Epson Corp 成膜装置のクリーニング方法及び半導体装置の製造方法
JP2017014903A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 富士重工業株式会社 蒸発燃料処理装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3066691B2 (ja) 1993-09-17 2000-07-17 東京エレクトロン株式会社 マルチチャンバー処理装置及びそのクリーニング方法
JPH11168093A (ja) * 1997-12-04 1999-06-22 Sony Corp 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US6432255B1 (en) * 2000-01-31 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing chamber cleaning
CA2462447A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Monogen, Inc. Article handling system and method
JP2010258207A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Hiroshima Univ 半導体製造装置
JP5554252B2 (ja) * 2011-01-20 2014-07-23 株式会社東芝 半導体製造装置およびそのクリーニング方法
US9605343B2 (en) * 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10167557B2 (en) * 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) * 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
JP6568769B2 (ja) * 2015-02-16 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024638A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007142018A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Seiko Epson Corp 成膜装置のクリーニング方法及び半導体装置の製造方法
JP2017014903A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 富士重工業株式会社 蒸発燃料処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20190035698A1 (en) 2019-01-31
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