KR20050068560A - 트윈 공정챔버 및 이를 이용한 클러스터 툴 시스템 및클러스터 툴 시스템을 이용한 박막 증착 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 두 개의 공정챔버를 결합하는 트윈 공정챔버 및 이를 이용한 클러스터 툴 시스템 및 이를 이용한 박막증착방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 트윈 공정챔버는 웨이퍼를 가공하기 위하여 이송챔버로부터 이송된 웨이퍼를 통상적으로 화학적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 공정을 처리하는 공정챔버에 있어서, 두 개의 공정챔버 각각 하나씩 배치되어 웨이퍼가 안착되는 스테이지에 열을 가하는 스테이지 히터 어셈블리; 상기 공정챔버에서 처리된 웨이퍼를 이송챔버로 이송하고 위하여 상기 스테이지로부터 상기 웨이퍼를 리프트시키는 웨이퍼 리프트 핀; 상기 두 개의 스테이지 히터 어셈블리가 Z-모션이 가능하도록 결합되는 Z-모션 셔틀; 및 상기 두 개의 스테이지 히터 어셈블리가 Z-모션 동기화를 위해 Z-모션 셔틀을 구동시키는 Z-모션 셔틀 구동부;를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 두 개의 공정챔버를 하나의 트윈 공정챔버로 구현함으로써 기판 처리량이 증가하고, 공정비용을 절감할 수 있다.

Description

트윈 공정챔버 및 이를 이용한 클러스터 툴 시스템 및 클러스터 툴 시스템을 이용한 박막 증착 방법{A twin process chamber and a cluster tool system using it and A method of plating a thin film thereof}
본 발명은 화학반응에 기초한 박막 증착 장치에 관한 것으로, 특히 다중웨이퍼 클러스터 툴 시스템에 관한 것이다.
반도체 생산 업계에서 가장 큰 관심사 중 하나는 기판 한 장당 CoO 비용의 절감이며 반도체 제조장치가 이 지수에 큰 영향을 미친다. 즉, 반도체 제조장치의 footprint, 시간당 기판 처리량, 장치 가격 등이 CoO 계산에 포함되어지며 특히 시간당 기판처리량은 반도체 생산업계가 매우 중요시하는 항목으로서 상기 처리량이 높을 경우 반도체 업계가 생산계획을 잡고 공장을 운용하는데 매우 높은 융통성을 제공할 수 있게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판 처리량의 증가와 공정비용의 절감을 위하여 두 개의 공정 챔버를 결합하는 트윈 공정챔버 및 이를 이용한 클러스터 툴 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 클러스터 툴 시스템을 이용한 박막증착방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 트윈 공정챔버는 웨이퍼를 가공하기 위하여 이송챔버로부터 이송된 웨이퍼를 통상적으로 화학적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 공정을 처리하는 공정챔버에 있어서, 두 개의 공정챔버 각각 하나씩 배치되어 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지에 열을 가하는 스테이지 히터 어셈블리; 상기 웨이퍼 스테이지로부터 상기 웨이퍼를 리프트시키는 웨이퍼 리프트 핀; 상기 두 개의 스테이지 히터 어셈블리가 Z-모션이 가능하도록 결합되는 Z-모션 셔틀; 및 상기 두 개의 스테이지 히터 어셈블리가 Z-모션 동기화를 위해 Z-모션 셔틀을 구동시키는 Z-모션 셔틀 구동부;를 포함함을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 트윈 공정챔버는 웨이퍼를 가공하기 위하여 이송챔버로부터 이송된 웨이퍼를 통상적으로 화학적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 공정을 처리하는 공정챔버에 있어서, 두 개의 공정챔버 각각 하나씩 배치되어 웨이퍼가 안착되는 위치고정형 스테이지와 연결되어 있는 웨이퍼 리프트 핀을 리프트시키는 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리; 상기 두 개의 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리가 Z-모션이 가능하도록 결합되는 Z-모션 셔틀; 및 상기 두 개의 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리가 Z-모션 동기화를 위해 Z-모션 셔틀을 구동시키는 Z-모션 셔틀 구동부;를 포함함을 특징으로 한다.
상기 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 트윈 공정챔버를 이용한 클러스터 툴 시스템은 웨이퍼에 박막을 증착하기 위한 클러스터 툴 시스템에 있어서, 한번에 웨이퍼 두 장을 집거나 놓을 수 있는 하나 또는 두 개 이송 암을 구비하는 이송챔버; Z-모션이 가능하도록 2개가 하나의 쌍을 이루도록 구성되며, 상기 이송 챔버의 임의의 한 측면에 부착되는 트윈 공정챔버; 및 진공상태의 이송 챔버 내부 영역과 ATM상태의 프론트 엔드 모듈 영역 사이에 위치하여 두 영역사이의 기판 유출입경로가 되는 로드락 챔버;를 포함함을 특징으로 한다.
상기 또 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 트윈 공정챔버를 이용한 클러스터 툴 시스템을 통한 박막 증착 방법은 (a)하나이상의 반응가스들의 교호적이고도 반복적인 분사단계; (b)상기 반응가스들의 교호적이고도 반복적인 분사단계 사이에 퍼지가스를 개재시킨 반응가스 퍼지단계; (c)상기 트윈 공정챔버로의 반응가스 분사 및 퍼지를 동기화 및 동일시간동안 실행하는 단계; 및 (d)상기 동기화된 적어도 하나의 반응가스 분사 및 퍼지를 임의의 한 공정가스 분할부에 의하여 수행하며 상기 반응가스의 동기화 된 피딩은 상기 공정가스 분할부 내의 두 공정가스 릴리즈 밸브들에 의하여 수행되며, 상기 반응가스의 퍼지는 상기 공정가스 분할부 내의 하나의 공정가스 바이패스 밸브에 의하여 수행되는 단계;를 포함함을 특징으로 한다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 의한 트윈 공정챔버의 일실시예를 도시한 것으로, 제1 공정챔버(10), 제2 공정챔버(20), 스테이지 히터 어셈블리(120), Z-모션 셔틀(30) 및 Z-모션 셔틀 구동부(40)로 이루어진다.
제1 공정챔버(10), 제2 공정챔버(20)는 웨이퍼를 가공하기 위하여 이송챔버로부터 이송된 웨이퍼를 통상적으로 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 공정을 처리하는 수단으로, 진공으로 유지되는 반응공간을 제공하며, 챔버의 밀봉을 유지하는 탑리드(11), 상기 탑리드(11)에 부착된 샤워헤드(12), 적어도 하나이상의 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지(13), 상기 웨이퍼 스테이지(13)에 결합되는 웨이퍼 핀(131) 및 챔버와 반응가스 이송 및 제어장치를 연결시켜주는 적어도 하나이상의 반응가스 이송라인으로 이루어진다.
스테이지 히터 어셈블리(120)는 상기 웨이퍼 스테이지(13)에 열을 가하는 수단으로, 스테이지 히터 상부 쉴드(121), 스테이지 히터 하부 쉴드(122), 스테이지 히터 밀봉부(123)로 이루어진다.
Z-모션 셔틀(30)은 제1 공정챔버(10)와 제2 공정챔버(20)의 스테이지 히터 어셈블리(120)와 연결된다.
Z-모션 셔틀 구동부(40)는 Z-모션 셔틀(30)을 구동시켜 상기 제1 공정챔버(10)와 제2 공정챔버(20)가 Z-모션으로 동작하도록 한다.
상술한 바와 같이 도 1의 구성은 제1 공정챔버(10)와 제2 공정챔버(20)의 스테이지 히터 어셈블리(120)의 스테이지 히터 밀봉부(123)가 z-모션 셔틀(30)에 결합된 형태로서, 상기 제1 및 제2 공정챔버(10,20)는 Z-모션이 가능한 스테이지 히터 어셈블리(120)가 챔버별로 한 개씩 배치되며, 상기 두 개의 스테이지 히터 어셈블리(120)는 기판안착이 동기화 되도록 Z-모션이 동기화 된다.
상기 제1 공정챔버(10)와 제2 공정챔버(20)로 이루어진 본 발명에 의한 트윈 공정챔버는 하나의 트로틀 밸브(50)와 하나의 펌프(60)를 공유한다.
도 2는 본 발명에 의한 트윈 공정챔버의 다른 일실시예를 도시한 것으로, 제1 공정챔버(10), 제2 공정챔버(20), 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리(140), Z-모션 셔틀(30) 및 Z-모션 셔틀 구동부(40)로 이루어진다.
제1 및 제2 공정챔버(10,20)는 웨이퍼를 가공하기 위하여 이송챔버로부터 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 공정을 처리하는 수단으로, 진공으로 유지되는 반응공간을 제공하며, 챔버의 밀봉을 유지하는 탑리드(11), 상기 탑리드(11)에 부착된 샤워헤드(12), 적어도 하나이상의 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지(13), 웨이퍼 스테이지에 열을 가하는 스테이지 히터 어셈블리(120), 챔버와 반응가스 이송 및 제어장치를 연결시켜주는 적어도 하나이상의 반응가스 이송라인 및 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리(140)를 구비한다.
웨이퍼 리프트 핀 어셈블리(140)는 웨이퍼 리프트 핀(141), 웨이퍼 리프트 핀 홀더(142) 및 웨이퍼 리프트 쉴드(143)로 이루어진다.
Z-모션 셔틀(30)은 제1 공정챔버(10)와 제2 공정챔버(20)의 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리(140)의 웨이퍼 리프트 쉴드(143)와 연결된다.
Z-모션 셔틀 구동부(40)는 Z-모션 셔틀(30)을 구동시켜 상기 제1 공정챔버(10)와 제2 공정챔버(20)가 Z-모션으로 동작하도록 한다.
상술한 바와 같이 도 2의 구성은 제1 공정챔버(10)와 제2 공정챔버(20)의 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리(140)의 웨이퍼 리프트 쉴드(143)가 z-모션 셔틀(30)에 결합된 형태로서, 상기 제1 및 제2 공정챔버(10,20)는 Z-모션이 가능한 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리(140)가 챔버별로 한 개씩 배치되며, 상기 두 개의 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리(140)는 기판안착이 동기화 되도록 Z-모션이 동기화 된다.
상기 제1 공정챔버(10)와 제2 공정챔버(20)로 이루어진 본 발명에 의한 트윈 공정챔버는 하나의 트로틀 밸브(50)와 하나의 펌프(60)를 공유한다.
도 3은 본 발명에 의한 트윈 공정챔버와 반응가스 이송 및 제어수단의 연결관계를 도시한 것이다.
반응가스 이송 및 제어수단(310)은 소정의 반응가스를 제1 공정챔버(320)와 제2 공정챔버(330)에 이송하고, 상기 반응가스의 양을 제어하는 수단이다.
이러한 반응가스 이송 및 제어수단(300)은 상기 반응가스 소스를 상기 제1 공정챔버(320) 및 제2 공정챔버(320)에 연결된 제1 및 제2 반응가스 이송라인으로 이송하기 위하여 반응가스를 분할하는 제1 반응가스 분할부(311)와 제2 반응가스 분할부(312)를 구비한다.
상기 제1 반응가스 분할부(311)는 소정의 반응가스 소스와 연결된 하나의 유량제어기(MFC)와 상기 유량제어기(MFC)로부터 제2 공정 챔버(320)로 연결되는 라인 상에 있는 제1 니들(needle)밸브(3111)와 제1 니들밸브(3111)와 연결된 제1 공정가스 릴리즈 밸브(3113), 상기 유량제어기(MFC)로부터 제1 공정챔버(320)로 연결되는 라인 상에 있는 제2 니들(needle)밸브(3112)와 제2 니들밸브(3112)와 연결된 제2 공정가스 릴리즈 밸브(3114)를 포함한다.
또한, 상기 제1 반응가스 분할부(311)는 하나의 유량제어기(MFC)와 병렬로 연결된 제1 및 제2 공정가스 라인 사이에 하나의 바이패스라인을 가지며 상기 바이패스라인에는 펌프로의 가스흐름을 온/오프하는 하나의 바이패스 밸브(3115)가 설치되며, 하나의 공정가스라인 분할 포인트(3116)를 포함한다. 상기 공정가스라인 분할 포인트(3116)는 완전 대칭이다.
따라서, 반응가스 이송 및 제어수단(410)에 의해 이송된 반응가스가 제1 공정챔버(320)와 제2 공정챔버(330)에 주입되고, 상기 제1 공정챔버(320)와 제2 공정챔버(330)에 주입된 반응가스가 적절한지를 메인 컴퓨터(340)에 의해 확인된다.
상기 메인 컴퓨터(340)는 반응가스 이송 및 제어수단(310)에 반응가스의 양을 제어하는 역할을 수행한다.
도 4는 본 발명에 의한 트윈 공정챔버를 이용한 클러스터 툴 시스템을 도시한 것으로, 이송챔버(410), 트윈 공정챔버(420a, 420b, 420c), 로드락 챔버(430) 및 프론트 앤드 모듈영역(440)으로 이루어진다.
이송챔버(410)는 기판을 이송하는 기능을 수행하는 챔버로서, 한번에 기판 두 장을 집거나 놓을 수 있는 이중 암을 하나 내지는 두 개 포함한다.
트윈 공정챔버(420a, 420b, 420c)는 이송챔버(410)의 임의의 한 측면에 부착되는 독립적인 두 개의 공정챔버로서, Z-모션 가능한 스테이지 히터 어셈블리가 챔버별로 한 개씩 배치되어 Z-모션 셔틀에 결합되며, 상기 두 개의 스테이지 히터 어셈블리는 기판 안착이 동기화 되도록 Z-모션이 동기화 된다.
또한, 트윈 공정챔버(420a, 420b, 420c)는 상기 스테이지 히터 어셈블리 대신에 Z-모션 가능한 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리가 챔버별로 한 개씩 배치되어 Z-모션 셔틀에 결합되며, 상기 두 개의 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리는 기판 안착이 동기화 되도록 Z-모션이 동기화 된다. 그리고, 상기 트윈 공정챔버(420a, 420b, 420c)는 하나의 트로틀 밸브와 하나의 펌브를 공유한다.
로드락 챔버(430)는 진공상태의 이송챔버(410) 내부 영역과 ATM 상태의 프론트 앤드 모듈영역(440) 사이에 위치하여 두 영역사이의 기판 유출입 경로가 된다.
또한, 로드락 챔버(430)는 다수개의 기판들을 적층하여 내장할 수 있고, Z-모션 가능한 두개로 분리되거나 하나로 통합된 멀티스테이션을 포함한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 트윈 공정챔버를 이용한 클러스터 툴 시스템은 중앙에 하나의 밀폐된 공간을 구비하는 이송 챔버(410)가 구비되고, 상기 이송 챔버(410)를 중심으로 이송 챔버(410)의 주변에 인접하도록 제1, 제2 및 제3 트윈 공정챔버(420a, 420b, 420c)가 구비되며, 이송챔버(410) 내부 영역과 ATM 상태의 프론트 앤드 모듈영역(440) 사이에 위치하여 두 영역사이의 기판 유출입 경로가 되는 로드락 챔버(430)가 구비된다.
상기 다수의 제1, 제2 및 제3 트윈 공정챔버(420a, 420b, 420c) 각각은 하나의 밀폐된 공간을 구비하며, 상기 밀폐된 공간에 웨이퍼를 수납하여 가공 공정을 수행한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 트윈 공정챔버를 이용한 클러스터 툴 시스템을 이용하여 기판 상에 박막을 증착하기 위한 방법을 설명하면 다음과 같다.
이송챔버(410)로부터 그 일측에 위치한 동일하면서 완전 분리된 두 개의 독립적인 트윈 공정챔버들(420a, 420b, 420c)에 2장의 기판을 동시에 로딩한다.
하나 이상의 모든 공정가스들을 상기 독립적 트윈 공정챔버들(420a, 420b, 420c)에 동일 유량으로 흘리며, 동시에 하나의 펌프에 의하여 상기 트윈 공정챔버들(420a, 420b, 420c) 내부를 배기한다.
여기서, 적어도 하나의 공정가스는 도 3에 의해 설명된 바와 같이 반응가스 분할부(311,312)를 경유하여 상기 트윈 공정챔버들(420a, 420b, 420c)로 동일 유량으로 배분되어 흐르게 된다.
상기 트윈 공정챔버들(420a, 420b, 420c) 내부에 배기된 하나 이상의 반응가스들이 반복적으로 분사되며, 상기 반복적인 분사 도중에 퍼지가스를 개재시킨다.
상기 트윈 공정챔버들(420a, 420b, 420c)로의 반응가스 분사 및 퍼지는 동기화 및 동일시간동안 실행하며, 동기화된 적어도 하나의 반응가스 분사 및 퍼지는 임의의 한 반응가스 분할부(311,312)에 의하여 수행되며 상기 반응가스의 동기화 된 피딩은 상기 반응가스 분할부(311,312) 내의 두 공정가스 릴리즈 밸브들(3113,3114,3123,3124)에 의하여 수행되며, 상기 반응가스의 퍼지는 상기 공정가스 분할부 내의 하나의 공정가스 바이패스 밸브(3115,3125)에 의하여 수행된다. 상기 퍼지가스는 N2, Ar, Xe로 이루어진 군에서 선택한 가스를 사용한다.
이상으로, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
본 발명에 의하면, 두 개의 공정챔버를 하나의 트윈 공정챔버로 구현함으로써 기판 처리량이 증가하고, 공정비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 트윈 공정챔버의 일실시예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 의한 트윈 공정챔버의 다른 일실시예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 의한 트윈 공정챔버와 반응가스 이송 및 제어수단의 연결관계를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 의한 트윈 공정챔버를 이용한 클러스터 툴 시스템을 도시한 것이다.

Claims (13)

  1. 웨이퍼를 가공하기 위하여 이송챔버로부터 이송된 웨이퍼를 통상적으로 화학적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 공정을 처리하는 공정챔버에 있어서,
    두 개의 공정챔버 각각 하나씩 배치되어 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지에 열을 가하는 스테이지 히터 어셈블리;
    상기 웨이퍼 스테이지로부터 상기 웨이퍼를 리프트시키는 웨이퍼 리프트 핀;
    상기 두 개의 스테이지 히터 어셈블리가 Z-모션이 가능하도록 결합되는 Z-모션 셔틀; 및
    상기 두 개의 스테이지 히터 어셈블리가 Z-모션 동기화를 위해 Z-모션 셔틀을 구동시키는 Z-모션 셔틀 구동부;를 포함함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 임의의 한 공정챔버는 하나의 웨이퍼에 제공하기 위한 하나의 증착 공간과 하나의 챔버 게이트 밸브를 포함함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  3. 제1항에 있어서, 상기 두 개의 공정챔버는
    하나의 트로틀 밸브와 하나의 펌프를 공유함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  4. 웨이퍼를 가공하기 위하여 이송챔버로부터 이송된 웨이퍼를 통상적으로 화학 적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 공정을 처리하는 공정챔버에 있어서,
    두 개의 공정챔버 각각 하나씩 배치되어 웨이퍼가 안착되는 위치고정형 스테이지와 연결되어 있는 웨이퍼 리프트 핀을 리프트시키는 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리;
    상기 두 개의 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리가 Z-모션이 가능하도록 결합되는 Z-모션 셔틀; 및
    상기 두 개의 웨이퍼 리프트 핀 어셈블리가 Z-모션 동기화를 위해 Z-모션 셔틀을 구동시키는 Z-모션 셔틀 구동부;를 포함함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 임의의 한 공정챔버는 하나의 기판에 제공하기 위한 하나의 증착 공간과 하나의 챔버 게이트 밸브를 포함함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  6. 제4항에 있어서, 상기 두 개의 공정챔버는
    하나의 트로틀 밸브와 하나의 펌프를 공유함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  7. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 공정챔버는
    반응가스를 공급받는 반응가스 이송 및 제어수단을 더 포함함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반응가스 이송 및 제어수단은
    공정챔버에 공급하기 위한 소정의 반응가스 소스;
    상기 반응가스 소스를 상기 공정챔버에 연결된 복수의 반응가스라인으로 이송하기 위하여 반응가스를 분할하는 반응가스 분할 수단; 및
    상기 공정챔버내의 반응가스의 양을 제어하는 제어수단;을 포함함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  9. 제8항에 있어서, 상기 공정가스 분할 수단은
    상기 소정의 반응가스 소스와 연결된 하나의 유량제어기;
    상기 유량제어기로부터 소정의 공정챔버의 반응가스 라인과 연결되는 두 개의 니들 밸브; 및
    상기 니들밸브와 연결된 공정가스 릴리즈밸브;를 포함함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  10. 제9항에 있어서, 상기 공정가스 분할 수단은
    하나의 유량제어기와 병렬로 연결된 제1 및 제2 반응가스 라인 사이에 하나의 바이패스 라인을 가지며, 상기 바이패스 라인상에는 펌프로의 가스흐름을 온/오프하는 하나의 바이패스 밸브가 설치됨을 특징으로 하는 트윈 공정챔버.
  11. 웨이퍼에 박막을 증착하기 위한 클러스터 툴 시스템에 있어서,
    한번에 웨이퍼 두 장을 집거나 놓을 수 있는 하나 또는 두 개 이송 암을 구비하는 이송챔버;
    Z-모션이 가능하도록 2개가 하나의 쌍을 이루도록 구성되며, 상기 이송 챔버의 임의의 한 측면에 부착되는 트윈 공정챔버; 및
    진공상태의 이송 챔버 내부 영역과 ATM상태의 프론트 엔드 모듈 영역 사이에 위치하여 두 영역사이의 기판 유출입경로가 되는 로드락 챔버;를 포함함을 특징으로 하는 트윈 공정챔버를 이용한 클러스터 툴 시스템.
  12. 트윈 공정챔버를 이용한 클러스터 툴 시스템을 통한 박막 증착 방법에 있어서,
    (a)하나이상의 반응가스들의 교호적이고도 반복적인 분사단계;
    (b)상기 반응가스들의 교호적이고도 반복적인 분사단계 사이에 퍼지가스를 개재시킨 반응가스 퍼지단계;
    (c)상기 트윈 공정챔버로의 반응가스 분사 및 퍼지를 동기화 및 동일시간동안 실행하는 단계; 및
    (d)상기 동기화된 적어도 하나의 반응가스 분사 및 퍼지를 임의의 한 공정가스 분할부에 의하여 수행하며 상기 반응가스의 동기화 된 피딩은 상기 공정가스 분할부 내의 두 공정가스 릴리즈 밸브들에 의하여 수행되며, 상기 반응가스의 퍼지는 상기 공정가스 분할부 내의 하나의 공정가스 바이패스 밸브에 의하여 수행되는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 클러스터 툴 시스템을 통한 박막 증착 방법
  13. 제12항에 있어서, 상기 퍼지가스는
    N2, Ar, Xe로 이루어진 군에서 선택한 가스인 것을 특징으로 하는 클러스터 툴 시스템을 통한 박막 증착 방법.
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