TW202145411A - 半導體處理系統的底部淨化 - Google Patents

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Abstract

示例性基板處理系統可以包括複數個處理區域。該系統可以包括限定與複數個處理區域流體耦合的轉移區域的轉移區域外殼。該系統可以包括複數個基板支撐件，並且複數個基板支撐件中的每個基板支撐件可以在轉移區域和複數個處理區域的相關處理區域之間垂直轉移。該系統可以包括轉移裝置，該轉移裝置包括延伸穿過轉移區域外殼的可旋轉軸。轉移裝置可包括與可旋轉軸耦接的端執行器。端執行器可包括限定與淨化源流體連接的中心孔的中心轂。端執行器還可以包括複數個臂，該複數個臂的臂的一數量等於複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量。

Description

半導體處理系統的底部淨化
本申請要求於 2020 年 4 月 9 日提交的題為「BOTTOM PURGE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM」的編號第 16/844,121 號的美國專利申請的權益和優先權，該申請的全部內容透過引用併入本文。
本技術係關於半導體處理和設備。更具體地，本技術係關於半導體基板支撐件。
半導體處理系統通常利用群集工具將多個處理腔室整合在一起。這種配置可以促進多個按順序的處理操作的執行，而無需從受控處理環境中移除基板，或者它可以允許在不同的腔室中一次對多個基板執行類似的處理。這些腔室可以包括例如脫氣腔室、預處理腔室、轉移腔室、化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、蝕刻腔室、計量腔室和其他腔室。選擇群集工具中的腔室組合，以及運行這些腔室的操作條件和參數，以使用特定處理配方和處理流程製造特定結構。
一些處理系統可以包括連接在一起的多個處理區域和轉移區域。根據部件的佈局和配置，透過系統輸送的前驅物可能可以流動地進入不同的區域。當沉積和清潔前驅物(包括前驅物的電漿增強物質)可能進入系統的多個區域時，系統內可能發生沉積或損壞。此外，特定的佈局和流動模式可能會在系統內產生死區，這可能導致前驅物在特定區域內積聚，這可能會導致系統不同區域的耗盡。
因此，需要能夠用於在半導體處理腔室和系統內有效地流動和排出材料的改進的系統和部件。本技術解決了這些和其他需要。
示例性基板處理系統可以包括複數個處理區域。該系統可以包括限定與複數個處理區域流體耦合的轉移區域的轉移區域外殼。該系統可以包括複數個基板支撐件，並且複數個基板支撐件中的每個基板支撐件可以在轉移區域和複數個處理區域的相關處理區域之間垂直轉移。該系統可以包括轉移裝置，該轉移裝置包括延伸穿過轉移區域外殼的可旋轉軸。轉移裝置可包括與可旋轉軸耦接的端執行器。端執行器可包括限定與淨化源流體連接的中心孔的中心轂。端執行器還可以包括複數個臂，該複數個臂的臂的一數量等於複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量。
在一些實施例中，半導體處理腔室可以包括複數個淨化通道，該複數個淨化通道的淨化通道的一數量等於複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量。複數個淨化通道中的每個淨化通道可以延伸穿過接近複數個基板支撐件中的單獨基板支撐件的轉移區域外殼。複數個處理區域中的每個處理區域可以至少部分地由單獨的蓋堆疊從上方限定，並且每個蓋堆疊可以包括與基板處理系統的排氣口流體耦合的泵送襯套。每個泵送襯套可以至少部分地限定來自每個處理區域的排氣流動路徑以用於透過複數個淨化通道而輸送的淨化氣體。可旋轉軸可限定一個或多個與淨化源流體連接的孔。一個或多個孔可以被配置為將淨化氣體輸送到至少部分地由端執行器的中心轂限定的轉移區域的中心容積。淨化源可被配置為透過一個或多個孔輸送大於或約為75％的相對於透過中心轂限定的中心孔輸送的淨化氣體。複數個基板支撐件可以包括圍繞轉移區域分佈的至少三個基板支撐件。轉移裝置可以位於複數個基板支撐件之間的中央。
本技術的一些實施例可以涵蓋包括複數個處理區域的基板處理系統。該系統可以包括限定與複數個處理區域流體耦合的轉移區域的轉移區域外殼。該系統可包括複數個基板支撐件，複數個基板支撐件中的每個基板支撐件可在轉移區域和複數個處理區域的相關處理區域之間垂直轉移。該系統可包括透過轉移區域外殼限定的複數個淨化通道。複數個淨化通道中的淨化通道的一數量可以等於複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量。該系統可以包括轉移裝置，該轉移裝置包括延伸穿過轉移區域外殼的可旋轉軸。轉移裝置可包括與可旋轉軸耦接的端執行器。端執行器可以包括中心轂，並且端執行器還可以包括複數個臂，該複數個臂的臂的一數量等於複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量。
在一些實施例中，端執行器的中心轂可以限定孔，該孔提供從轉移裝置的可旋轉軸到轉移區域的流體的進出。複數個處理區域中的每個處理區域可以至少部分地由單獨的蓋堆疊從上方限定。每個蓋堆疊可以包括與基板處理系統的排氣口流體耦合的泵送襯套。每個泵送襯套可以至少部分地限定來自每個處理區域的排氣流動路徑而用於透過複數個淨化通道輸送的淨化氣體。可旋轉軸可限定一個或多個與淨化源流體連接的孔。一個或多個孔可以被配置為將淨化氣體輸送到至少部分地由端執行器的中心轂限定的轉移區域的中心容積。
本技術的一些實施例可以包括半導體處理方法。該方法可包括透過基板處理系統的複數個蓋堆疊來輸送一種或多種處理前驅物。複數個蓋堆疊中的每個蓋堆疊可以流體地進出複數個處理區域中的處理區域。複數個處理區域中的每個處理區域可以至少部分地由複數個蓋堆疊的蓋堆疊和複數個基板支撐件的基板支撐件限定。該方法可以包括透過延伸穿過限定轉移區域的轉移區域外殼的複數個淨化通道將淨化氣體輸送到基板處理系統的轉移區域中。轉移區域可以與複數個處理區流體耦合。該方法可以包括透過複數個蓋堆疊的泵送襯套排出一種或多種處理前驅物和淨化氣體。
在一些實施例中，基板處理系統可以包括位於轉移區域中的轉移裝置。轉移裝置可包括延伸穿過轉移區域外殼的可旋轉軸。轉移裝置可包括與可旋轉軸耦接的端執行器。端執行器可包括限定與淨化源流體連接的中心孔的中心轂。端執行器還可以包括複數個臂，該複數個臂的臂的一數量等於複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量。該方法可以包括透過可旋轉軸從由中心轂限定的中心孔將額外的淨化氣體輸送進入轉移區域。可旋轉軸可限定一個或多個與淨化源流體連接的孔。轉移區域的中心容積可以至少部分地由端執行器的中心轂限定。該方法可以包括透過可旋轉軸將額外的淨化氣體輸送進入轉移區域的中心容積。淨化氣體可以透過複數個淨化通道輸送到基板處理系統的轉移區域中，該複數個淨化通道包含一氣體量，其小於或約為80%的透過基板處理系統的複數個蓋堆疊所輸送的一種或多種處理前驅物的氣體量。額外的淨化氣體可以透過可旋轉軸而從由中心轂限定的中心孔輸送到轉移區域，其小於或約為 20%的透過可旋轉軸而被輸送進入轉移區域的中心容積的額外的淨化氣體的總量。
這種技術可以提供優於習知系統和技術的許多好處。例如，淨化通道可以限制或防止死區形成在系統的轉移區域或其他區域內。此外，一種或多種淨化氣體的流動可以限制處理前驅物進入系統內的轉移區域。結合以下描述和附圖(連同它們的許多優點和特徵)會更詳細地描述這些和其他實施例。
基板處理可包括用於添加、移除或以其他方式修改晶圓或半導體基板上的材料的時間密集型操作。基板的有效移動可減少排隊時間並提高基板產量。為了增加群集工具內處理的基板數量，可以將額外的腔室併入到主機上。儘管可以透過加長工具不斷增加轉移機械手和處理腔室，但這可能會隨著群集工具的佔地面積擴大而變得空間效率低下。因此，本技術可以包括在限定的佔地面積內具有增加的一數量的處理腔室的群集工具。為了適應轉移機械手的有限佔地面積，本技術可以從機械手橫向向外增加處理腔室的數量。例如，一些傳統的群集工具可以包括一個或兩個處理腔室，這些處理腔室以圍繞位於中央的轉移機械手段來定位，以最大化機械手徑向周圍的腔室數量。本技術可以透過結合橫向向外的額外的腔室作為另一列或另一組腔室來擴展該概念。例如，本技術可應用於包括三個、四個、五個、六個或更多個可在一個或多個機械手進出位置中的每一處進出的處理腔室的群集工具。
然而，隨著增加額外的處理位置，在每個位置沒有額外的轉移能力的情況下，從中央機械手進出這些位置可能不再可行。一些傳統技術可以包括晶圓載體，在過渡期間基板保持在晶圓載體上。然而，晶圓載體可能會導致基板上的熱不均勻性和顆粒污染。本技術透過合併與處理腔室區域垂直對齊的轉移部分和可與中央機械手協同操作以進出額外晶圓位置的迴轉帶或轉移裝置來克服這些問題。基板支撐件然後可以在轉移區域和處理區域之間垂直轉移以轉移用於處理的基板。
當轉移區域對於處理區域是流體地可進出時，處理氣體或電漿增強物質可以滲透透過處理區域並進入轉移區域。這些活性前驅物(可包括沉積前驅物、清潔氣體或其他材料)可導致在轉移區域內發生沉積或其他處理相互作用，並且可能導致在轉移區域部件上發生沉積或損壞。本技術可以透過將一種或多種淨化氣體輸送到轉移區域以幫助限制或防止處理前驅物進入轉移區域來克服這些問題。當多個處理腔室執行與其他處理腔室相同的處理並且淨化氣體流向每個區域時，材料流可能會平衡，這可能會在轉移區域或處理系統的其他區域內的中心或其他區域產生流動死區。本技術還可以透過結合引向轉移區域的一個或多個區域的額外淨化通道以提供透過系統的多個區域的流動來限制這些死區的形成。
儘管剩餘的揭露內容將例行地識別出(可以對其採用本結構和方法的)特定結構，例如四位置轉移區域，但是將容易理解，基板支撐組件或部件可以同等地用於任何其他系統或腔室的數量。因此，不應認為該技術僅限於單獨用於任何特定腔室。此外，雖然將描述示例性工具系統以為本技術提供基礎，但應理解，本技術可與可受益於待描述的一數量的或所有操作和系統的任何數量的半導體處理腔室和工具相結合。
圖1A示出了根據本技術的一些實施例的沉積、蝕刻、烘烤和固化腔室的基板處理工具或處理系統100的一個實施例的俯視圖。在圖中，一組前開口的統一晶圓盒102供應各種尺寸的基板，這些基板由機械臂104a和104b接收在工廠界面103內，並在被運送到基板處理區域108之一者之前被放置在裝載閘或低壓保持區域106中，其中基板處理區域108位於腔室系統或四個一組部分109a-c中，且可以是具有與複數個處理區域108流體耦合的轉移區域的基板處理系統。儘管圖示了四方系統，但應當理解，本技術同樣包括結合獨立腔室、雙腔室和其他多腔室系統的平台。容納在轉移腔室112中的第二機械臂110可以用於將基板晶圓從保持區域106轉移到四個一組部分109並返回，並且第二機械臂110可以容納在轉移腔室中，四個一組部分之每者或處理系統與該轉移腔室連接在一起。每個基板處理區域 108 可以被配備以執行多個基板處理操作，包括任意數量的沉積處理，包括循環層沉積、原子層沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積以及蝕刻、預清潔、退火、電漿處理、脫氣、定向和其他基板處理。
每個四個一組部分 109 可以包括轉移區域，該轉移區域可以從第二機械臂 110 接收基板及將基板轉移到第二機械臂 110。腔室系統的轉移區域可以與具有第二機械臂110的轉移腔室對齊。在一些實施例中，機械手可以橫向進出轉移區域。在隨後的操作中，轉移部分的部件可以將基板垂直地轉移到上覆的處理區域108中。類似地，轉移區域也可操作以在每個轉移區域內的位置之間旋轉基板。基板處理區域108可以包括用於在基板或晶圓上沉積、退火、固化和/或蝕刻材料膜的任何數量的系統部件。在一種配置中，兩組處理區域(例如四個一組部分 109a 和 109b 中的處理區域)可用於在基板上沉積材料，而第三組處理腔室(例如四個一組部分109c中的處理腔室或區域)可用於固化、退火或處理經沉積的薄膜。在另一種配置中，所有三組腔室(例如所示的所有十二個腔室)可以被配置為在基板上沉積和/或固化膜。
如圖所示，第二機械臂110可以包括用於同時轉移和/或取回多個基板的兩個臂。例如，每個四個一組部分109可以包括沿著轉移區域的外殼的表面的兩個入口107，其可以與第二機械臂橫向對齊。可以沿著與轉移腔室112相鄰的表面限定出入口。在一些實施例中，例如所示出的，第一進出口可以與四個一組部分的複數個基板支撐件中的第一基板支撐件對準。此外，第二進出可以與四個一組部分的複數個基板支撐件中的第二基板支撐件對準。在一些實施例中，第一基板支撐件可以與第二基板支撐件相鄰，並且兩個基板支撐件可以限定第一列基板支撐件。如所示配置中所示，第二列基板支撐件可定位在第一列基板支撐件後面，而從轉移腔室112橫向向外。第二機械臂110的兩個臂可以間隔開以允許兩個臂同時進入四個一組部分或腔室系統以將一個或兩個基板轉移至轉移區域內的基板支撐件或從其取回。
所描述的任何一個或多個轉移區域任一個可以與從不同實施例中所示的製造系統相分離的額外的腔室合併。應當理解，處理系統100考慮了用於材料膜的沉積、蝕刻、退火和固化腔室的額外的配置。此外，任何數量的其他處理系統可以與本技術一起使用，其可以結合用於執行任何特定操作（例如基板移動）的轉移系統。在一些實施例中，可以提供對多個處理腔室區域的進出且同時在各個部分(例如所提到的保持和轉移區域)中保持真空環境的處理系統，可以允許在多個腔室中執行操作且同時在離散的製程之間保持特定的真空環境。
圖1B示出了根據本技術的一些實施例的示例性處理工具(例如穿過腔室系統)的一個實施例的示意性橫截面正視圖。圖1B可以示出透過任何四個一組部分109中的任何兩個相鄰處理區域108的截面圖。正視圖可以說明一個或多個處理區域 108 與轉移區域 120 的配置或流體耦合。例如，連續轉移區域120可由轉移區域外殼125限定。外殼可限定開放的內部容積，其中可設置多個基板支撐件130。例如，如圖1A所示，示例性處理系統可以包括四個或更多個，包括分佈在外殼內圍繞轉移區域的複數個基板支撐件130。基板支撐件可以是如圖所示的基座，但也可以使用多種其他配置。在一些實施例中，基座可以在轉移區域120和覆蓋轉移區域的處理區域之間垂直轉移。基板支撐件可以沿著基板支撐件的中心軸而沿著腔室系統內的第一位置和第二位置之間的路徑垂直轉移。因此，在一些實施例中，每個基板支撐件130可以與由一個或多個腔室部件限定的上覆處理區域108軸向對準。
開放的轉移區域可以提供轉移裝置135(例如轉盤)能在各種基板支撐件之間接合和移動基板(例如旋轉)的能力。轉移裝置135可以圍繞中心軸旋轉。這可以允許基板被定位以在處理系統內的任何處理區域108內進行處理。轉移裝置135可包括一個或多個端執行器，其可從上方、下方接合基板，或可接合基板的外邊緣以圍繞基板支撐件移動。轉移裝置可以從轉移腔室機械手接收基板，例如先前描述的機械手110。轉移裝置然後可以旋轉基板以交替基板支撐件以促進額外的基板的轉移。
一旦定位並等待處理，轉移裝置可以將端執行器或臂定位在基板支撐件之間，這可以允許基板支撐件被升高而通過轉移裝置135並且將基板轉移到處理區域108中，處理區域108可以是從轉移區域垂直偏移。例如，並且如圖所示，基板支撐件130a可以將基板轉移到處理區域108a中，而基板支撐件130b可以將基板轉移到處理區域108b中。這可以在其他兩個基板支撐件和處理區域以及在包括額外的處理區域的實施例中用額外的基板支撐件和處理區域來執行。在該配置中，當可操作地接合以用於處理基板時(例如在第二位置)，基板支撐件可以至少部分地從下方限定處理區域108，並且處理區域可以與相關聯的基板支撐件軸向對齊。處理區域可以由面板140以及其他蓋堆疊部件從上方限定。在一些實施例中，每個處理區域可具有單獨的蓋堆疊部件，但在一些實施例中，部件可容納多個處理區域108。基於這種配置，在一些實施例中，每個處理區域108可以與轉移區域流體耦合，同時從上方與腔室系統或四個一組部分內的每個其他處理區域流體隔離。
在一些實施例中，面板140可以作為用於在處理區域108內產生局部電漿的系統的電極來操作。如圖所示，每個處理區域可以利用或結合單獨的面板。例如，可以包括面板140a以從處理區域108a上方限定，並且可以包括面板140b以從處理區域108b上方限定。在一些實施例中，基板支撐件可以作為用於在面板和基板支撐件之間產生電容耦合電漿的配對電極來操作。根據容積幾何形狀，泵送襯套145可以至少部分地徑向地或橫向地限定處理區域108。同樣，可以為每個處理區域使用單獨的泵送襯套。例如，泵送襯套145a可以至少部分徑向地限定處理區域108a，並且泵送襯套145b可以至少部分地徑向限定處理區域108b。在實施例中，阻擋板150可以定位在蓋155和面板140之間，並且可以再次包括單獨的阻擋板以促進每個處理區域內的流體分佈。例如，可以包括阻擋板150a以用於朝向處理區域108a的分佈，並且可以包括阻擋板150b以用於朝向處理區域108b的分佈。
蓋155可以是用於每個處理區域的單獨部件，或者可以包括一個或多個共同態樣。在一些實施例中，例如所示出的，蓋155可以是限定多個孔160的單個部件，以用於將流體輸送到單獨的處理區域。例如，蓋155可以限定用於將流體輸送到處理區域108a的第一孔160a，並且蓋155可以限定用於將流體輸送到處理區域108b的第二孔160b。當包括額外的孔時，可以為每個部分內的額外的處理區域定義額外的孔。在一些實施例中，每個四個一組部分109—或可容納多於或少於四個基板的多處理區域部分，可包括一個或多個遠端電漿單元165，以用於將電漿流出物輸送到處理腔室中。在一些實施例中，可以為每個腔室處理區域併入單獨的電漿單元，儘管在一些實施例中可以使用更少的遠端電漿單元。例如，如圖所示，單個遠端電漿單元165可用於多個腔室，例如兩個、三個、四個或高達特定四個一組部分的所有腔室的更多個腔室。在本技術的實施例中，管道可以從遠端電漿單元165延伸到每個孔160，以用於輸送電漿流出物以進行處理或清潔。
在一些實施例中，淨化通道 170 可以延伸穿過接近或接近每個基板支撐件 130 的轉移區域外殼。例如，複數個淨化通道可以延伸穿過轉移區域外殼以提供流體的進出以供經流體耦合的淨化氣體被輸送到轉移區域中。淨化通道的數量可以與處理系統內的基板支撐件的數量相同或不同，包括更多或更少。例如，淨化通道170可以延伸穿過每個基板支撐件下方的轉移區域外殼。對於圖示的兩個基板支撐件130，第一淨化通道170a可以延伸穿過接近基板支撐件130a的外殼，並且第二淨化通道170b可以延伸穿過接近基板支撐件130b的外殼。應當理解，任何額外的基板支撐件可以類似地具有延伸穿過轉移區域外殼的經鉛垂線校正的淨化通道，以將淨化氣體提供進入轉移區域。
當淨化氣體被輸送穿過一個或多個淨化通道時，它可以類似地透過泵送襯套145排出，泵送襯套145可以提供來自處理系統的所有排出路徑。因此，在一些實施例中，處理前驅物和淨化氣體都可以透過泵送襯套排出。淨化氣體可向上流動至相關聯的泵送襯套，例如流過淨化通道170b的淨化氣體可從泵送襯套145b從處理系統排出。如下文將進一步解釋的，可以輸送淨化氣體流以限制處理前驅物侵入系統的轉移區域。因為淨化氣體的流動分佈可朝相關聯的泵襯套向上延伸，淨化氣體流的死區可形成在轉移區域的某些區域，例如中心。如下文將描述的，為了限制處理前驅物在這些區域中的積聚，在本技術的一些實施例中，額外的淨化氣體可以流過並圍繞轉移裝置135。
如所指出的，處理系統100，或更具體地，與處理系統100或其他處理系統結合的四個一組部分或腔室系統，可以包括位於所示處理腔室區域下方的轉移部分。圖2示出了根據本技術的一些實施例的示例性腔室系統200的轉移部分的示意性等距視圖。圖2可以示出上述轉移區域120的其他態樣或態樣的變化，並且可以包括所描述的任何部件或特徵。所圖示的系統可以包括轉移區域外殼205，該轉移區域外殼205限定了其中可以包括多個部件的轉移區域。轉移區域可以另外地至少部分地由處理腔室或與轉移區域流體耦合的處理區域來從上方限定，例如圖1A的四個一組部分109中所示的處理腔室區域108。轉移區域外殼的側壁可以限定一個或多個進出位置207，基板可以透過這些進出位置207被輸送和取回，例如透過如上所述的第二機械臂110。在一些實施例中，進出位置207可以是狹縫閥或其他可密封進出位置，其包括門或其他密封機構以在轉移區域外殼205內提供密封環境。儘管示出了兩個這樣的進出位置207，但是應當理解，在一些實施例中可以僅包括單個進出位置207，以及在轉移區域外殼的多個側面上的進出位置。還應當理解，所示的轉移部分的尺寸可以適合任何基板尺寸，包括200mm、300mm、450mm，或更大或更小的基板，包括以任意數量的幾何形狀或形狀為特徵的基板。
在轉移區域外殼205內可以是圍繞轉移區域容積來定位的複數個基板支撐件210。儘管圖示了四個基板支撐件，但應理解，本技術的實施例類似地涵蓋任何數量的基板支撐件。例如，根據本技術的實施例，多於或約為三個、四個、五個、六個、八個或更多個基板支撐件210可以容納在轉移區域中。第二機械臂110可以透過進出207將基板轉移到基板支撐件210a或210b中的一個或兩個。類似地，第二機械臂110可以從這些位置取回基板。升降銷212可以從基板支撐件210突出，並且可以允許機械手在基板下方進出。在一些實施例中，升降銷可以固定在基板支撐件上，或者固定在基板支撐件的可於下方凹陷的位置處，或者升降銷可以透過基板支撐件另外升高或降低。基板支撐件210可以是垂直可轉移的，並且在一些實施例中可以延伸至基板處理系統的處理腔室區域，例如處理腔室區域108，其位於轉移區域外殼205上方。
轉移區域外殼205可以為對準系統提供進出口215，對準系統可以包括對準器，該對準器可以如圖所示延伸穿過轉移區域外殼的孔並且可以與雷射、照相機或其他突出的監視元件結合操作，或透過相鄰的孔傳輸，這可以確定正在轉移的基板是否正確對齊。轉移區域外殼205還可以包括轉移裝置220，該轉移裝置220可以以多種方式操作以定位基板並在各種基板支撐件之間移動基板。在一實例中，轉移裝置220可將基板支撐件210a及210b上的基板移動至基板支撐件210c及210d，這可允許額外的基板被輸送到轉移腔室中。額外的轉移操作可包括在基板支撐件之間旋轉基板以在上覆處理區域中進行額外處理。
轉移裝置220可包括中心轂225，其可包括延伸到轉移腔室中的一個或多個軸。與軸連接的可以是端執行器 235。端執行器235可包括從中心轂徑向或橫向向外延伸的複數個臂237。儘管示出了臂從其延伸的中心體，但在各種實施例中，端執行器還可包括單獨的臂，每個臂均與軸或中心轂耦接。在本技術的實施例中可以包括任意數量的臂。在一些實施例中，臂237的數量可以類似於或等於腔室中所包括的基板支撐件210的數量。因此，如圖所示，對於四個基板支撐件，轉移裝置220可以包括從端執行器延伸的四個臂。臂的特徵可以在於任何數量的形狀和輪廓，例如直輪廓或弓形輪廓，以及包括任何數量的遠側輪廓，其包括鉤、環、叉或用於支撐基板和/或提供讓基板進出的其他設計(例如用於對齊或接合)。
如上所述，在一些實施例中，可以在處理區域內包括中央淨化。例如，當四個基板支撐件 210 中的每一個都包括接近桿並延伸穿過轉移腔室外殼的淨化通道時，流可能不會延伸越過中心轂 225。因此，可能流向該區域的處理前驅物可能會積聚而不是從轉移區域淨化。為了限制或防止這種影響，在一些實施例中，本技術可以透過和/或圍繞轉移裝置傳遞額外的淨化。如下文將描述的，流可以從端執行器下方延伸，並且流也可以延伸透過中心孔240，其經限定而透過中心轂。孔可以提供從轉移裝置的軸(例如可旋轉軸)進入轉移區域的流體的進出，其中端執行器可以與該轉移裝置耦接。淨化源可與軸流體連接以提供穿過中心孔的淨化路徑。
端執行器235或端執行器的部件或部分可用於在轉移或移動期間接觸基板。這些部件以及端執行器可由多種材料製成或包括多種材料，包括導電和/或絕緣材料。在一些實施例中，材料可以被塗覆或鍍覆以承受與可能從上覆處理腔室進入轉移腔室的前驅物或其他化學品的接觸。
此外，可以提供或選擇材料以承受其他環境特性，例如溫度。在一些實施例中，基板支撐件可用於加熱設置在支撐件上的基板。基板支撐件可被配置為將表面或基板溫度增加至大於或約為100℃、大於或約為200℃、大於或約為300℃、大於或約為400℃、大於或約為500℃的溫度、大於或約為600°C、大於或約為700°C、大於或約為800°C、或更高。在操作期間可以保持這些溫度中的任何一個，並且因此轉移裝置220的部件可以暴露於這些所規定或包含的溫度中的任何一個。因此，在一些實施例中，可以選擇任何材料以適應這些溫度範圍，並且可以包括諸如陶瓷和金屬之類的材料，其特徵在於相對低的熱膨脹係數或其他有益特性。
部件耦接器還可以適用於在高溫和/或腐蝕性環境中操作。例如，在端執行器和端部分均是陶瓷的情況下，耦接器可以包括壓配合、卡扣配合或可能不包括額外的材料（例如螺栓）的其他配合，這些額外材料可能隨溫度膨脹和收縮，並且可能導致陶瓷開裂。在一些實施例中，端部可以與端執行器呈連續，並且可以與端執行器一體地形成。可以使用可以促進操作期間的操作或阻力的任何數量的其他材料，並且類似地被本技術涵蓋。
圖3示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的示例性排氣系統300的示意性等距視圖。該圖可以說明上述處理系統和部件的態樣，並且可以說明系統的額外的態樣。該圖可以說明移除了多個部件的系統，以便於說明處理系統的排氣系統。應當理解，排氣系統300可以包括在別處描述或圖示的處理系統的任何部分的任何態樣，並且可以圖示與在別處描述的任何系統結合的排氣系統的態樣。例如，排氣系統300可以示出移除了一些先前描述的蓋堆疊部件的系統。應當理解，仍然可以結合這些部件，例如在每個處理位置包括泵送襯套。
如前所述，根據本技術的一些實施例的處理系統可以包括可以從轉移區域310垂直轉移的基板支撐件305，轉移區域310可以包括上述腔室部分200的任何態樣。基板支撐件305可以各自延伸到相關聯的處理區域，在那裡它們可以至少部分地從下方限定處理區域，面板或其他蓋堆疊部件至少部分地從上方限定處理區域。泵送襯套可以至少部分地徑向限定處理區域，並且可以提供如上所示的排氣路徑，其可以將材料輸送到排氣系統，例如圖中所示。每個泵送襯管可提供通向排氣口315的進出，該排氣口可通向前級管線。前級管線可以將排氣口315中的每一個與泵送系統流體連接，泵送系統被配置為從系統抽取材料。
如圖所示，排氣口315可以是來自處理系統的僅有的排氣路徑，包括來自轉移區域310。此外，如圖所示，基板支撐件305可能不完全安置或密封蓋堆疊部件，例如可以支撐單獨蓋堆疊部件的下蓋板320，並且可以至少部分地限定基板支撐件周圍的處理區域。下蓋板320也可以從上方限定轉移區域。因此，每個處理區域接著可以與基板支撐件周圍的轉移區域流體耦合。當淨化氣體從接近基板支撐件的淨化通道流出時，氣體因此可以在流過泵送襯套並進入排氣系統之前被抽吸到圍繞基板支撐件的泵送襯套並通過下蓋板。因此，泵送襯套可限定來自每個處理區域的排氣流動路徑，而用於可從泵送襯套上方輸送的處理前驅物以及可從轉移區域和泵送襯套下方輸送的淨化氣體兩者。
當每個處理區域正在執行類似的操作時，這可以包括從處理區域圍繞每個基板支撐件輸送相似量的淨化氣體，所示的中心區域可能沒有太多流過該區域，因為淨化氣體大體可以流動向上到相關的處理區域，並且可能不會流過基板支撐件或在基板支撐件之間流動。這可能會在轉移區域的中心區域產生死區，其可允許處理前驅物進出轉移區域而積聚在基板支撐件之間，並且該死區可能在轉移裝置上方。如果允許材料積聚，沉積可能會干擾轉移裝置的操作，或者清潔氣體可能會損壞端執行器。
為了限制處理材料或前驅物在轉移區域內的積聚，在本技術的一些實施例中可以將額外的淨化流輸送到處理區域中。圖4示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的轉移部分400的示意性局部截面視圖，並且可以示出穿過轉移裝置405的橫截面。轉移裝置可定位在轉移區域內，如上所述。轉移區域可以由下蓋板410從上方限定，並且從下方由轉移區域外殼412限定。當基板支撐件415處於升高位置時，處理前驅物可能會積聚在轉移區域的中心區域，該中心區域可能在轉移裝置上方。本技術可產生一個或多個額外的淨化流動路徑以限制積聚並改善從轉移區域的淨化。
如圖所示，轉移裝置405可以包括與端執行器425耦接的可旋轉軸420。端執行器可包括與可旋轉軸耦接的中心轂427。端執行器還可包括從中心轂延伸的複數個臂430。如上所述，中心轂427可限定可透過其輸送淨化氣體的孔。淨化氣體可以向上流動透過軸420以被輸送到轉移裝置上方的轉移區域中，該轉移區域可以位於基板支撐件之間的中心，並且可以與轉移區域內的流動死區相鄰。淨化源435可以與可旋轉軸流體連接，以用於透過中心轂孔輸送淨化氣體。此外，淨化源可以與擋板耦合或透過轉移區域外殼進出形成在轉移裝置和轉移區域外殼412之間的中心容積。如圖所示，淨化氣體可以透過轉移裝置的可旋轉軸向上轉移並進入轉移裝置正上方的區域，例如在中心轂和下蓋板410之間。
此外，淨化氣體可以被輸送到限定在轉移裝置下方的中心容積，例如在中心轂和轉移區域外殼之間，如圖所示。在轉移裝置下方輸送的淨化氣體接著可以徑向向外流動以與在每個基板支撐件附近延伸的淨化流相互作用，這可以淨化轉移區域的中心區域。端執行器 425 可以促進將流動均等地向外引導以限制對朝向每個泵送襯套延伸的流動分佈圖的任何不同影響，這可以促進在每個處理區域保持類似的處理和效果，並且限制可以產生朝向一個或更多處理區域的流動變化的任何擾動。為了進一步限制來自中心孔的流的循環或噴射，在一些實施例中可以限制透過中心孔的淨化氣體的流量。例如，在任何單位時間期間流過中心孔的淨化氣體的流量可以小於或約為40％的流過中心容積的流量。此外，流過中心孔的流量可以小於或約為35%的流入中心容積的流量，並且可以小於或約為30%、小於或約為 25%、小於或約為 20%、小於或約為 15%、小於或約為 10%、小於或約為 5%、或更少，這可進一步促進流向系統的每個處理區域的等效流。
圖5A示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的轉移部分500的示意性局部截面視圖，並且可以示出用於使淨化氣體流入轉移裝置和轉移區域外殼之間的中心區域的額外的實施例。如圖所示，轉移裝置505可以包括與端執行器515耦接的可旋轉軸510。端執行器515可包括中央轂520，其中一個或多個臂525從中央轂延伸。孔522可以限定在中心轂內並且透過穿過軸510的通道提供流體耦合，使得從淨化源527輸送的淨化氣體可以流到轉移裝置上方的區域。
此外，一個或多個孔535可限定在軸510內，並且其還可與淨化源527流體連接，以用於將淨化氣體輸送到形成在端執行器515和轉移區域外殼530之間的中心容積。在一些實施例中，孔535可包括如圖所示的擋板或節流器，其可增加從軸離開到中心容積的流量，並減少輸送透過中心孔522的流量。這可能會限制從轉移裝置噴射淨化流，這可能難以確保流會均等地流向各個處理區域以從系統中排出。
圖5B示出了沿根據本技術的一些實施例的示例性轉移裝置軸510的圖5A的線AA的示意性截面局部視圖。如圖所示，一個或多個孔535可限定為穿過轉移裝置的軸510。儘管圖示了四個孔，但應理解可形成任何數量的孔，包括大於或約為一個、大於或約為兩個、大於或約為三個、大於或約為四個、大於或約為五個、大於或約為六個，或更多，這可以改善在轉移裝置下方限定的中心容積中的流動均勻性。此外，一個或多個擋板或節流器可以透過軸延伸到中心通道中，並且可以引導流朝向孔流動。這可用於藉由形成延伸經過孔（該孔通向轉移裝置的中心轂與轉移區域外殼之間的轉移區域的中心容積）的減小路徑540來減少可延伸透過中心穀的中心孔的流量。節流器可以將被相對於孔535來輸送透過中心孔的淨化氣體的流量減小到上述百分比或範圍中的任何一個。藉由輸送淨化氣體通過轉移裝置的中心孔和轉移區域的中心容積中的一個或每個，流動的死區可以被限制或防止，這可以確保發生前驅物的完全去除。
圖6示出了根據本技術的一些實施例的半導體處理方法600中的選定操作。該方法可以在多種處理系統中執行，包括上述處理系統100。該方法可以包括在半導體處理或腔室清潔期間在處理系統的轉移區域內執行淨化操作，這可以限制材料在轉移區域內積聚，如前所述。方法600可以包括多個可選操作，其可以或可以不與根據本技術的方法的一些實施例具體相關聯。例如，描述了許多操作以提供更廣範圍的結構形成和執行的操作，但對技術並不關鍵，或者可以透過容易理解的替代方法執行。該方法可以在包括上述任何部件、配置或態樣的任何處理腔室或系統中執行，包括上述轉移裝置或排氣系統的任何態樣。根據本技術的實施例，該方法也可在可受益於淨化的任何其他處理腔室中執行。
方法600可以包括在所列操作開始之前的額外的操作。例如，額外的處理操作可以包括將基板轉移到轉移區域、在基板支撐件之間旋轉基板、以及在處理系統或任何其他處理腔室內執行任何數量的基板處理。基板可以安置在其上的基板支撐件(例如在轉移區域內)可以被轉移到處理區域，該處理區域可以如先前描述的那樣覆蓋在轉移區域上。在操作605，可將一種或多種處理前驅物輸送至處理區域，其可包括輸送至多個處理區域，例如透過如前所述的單獨的蓋堆疊。如上所述，每個處理區域可以至少部分地由相關聯的蓋堆疊、基板支撐件和泵送襯套來限定，其中處理和淨化材料可以透過泵送襯套從系統排出。
在操作610，一種或多種淨化氣體可以被輸送到在每個處理區域下方延伸的轉移區域中。淨化氣體可以流過一個或多個淨化通道，例如淨化通道170，淨化通道170可以接近每個基板支撐件來定位，並且可以延伸穿過轉移區域外殼。在一些實施例中，可額外地透過可旋轉軸提供淨化氣體，這可將額外淨化氣體輸送到轉移區域中，例如透過由轉移裝置的中心轂所限定的中心孔。此外，淨化氣體可以透過在轉移區域底部圍繞轉移裝置的軸的擋板，或透過轉移裝置的軸的孔，如前所述。
在操作615處，處理系統可以排出一種或多種處理前驅物、處理的副產物以及透過轉移區域輸送的淨化氣體。透過如前所述透過泵送襯套和排氣系統排出淨化氣體，淨化氣體可以提供屏障以限制或防止處理前驅物在轉移區域內積聚。
淨化氣體可包括任何材料，其可為惰性或不與系統的一種或多種成分反應的材料，並且可包括氮氣、氬氣、氦氣、氫氣、氧氣或任何其他處理前驅物或載氣，它們可以限制對正在執行的處理的影響。因為可以輸送淨化氣體以提供屏障或幕簾以限制來自處理區域的處理前驅物的流，所以流可以小於處理前驅物的流。例如，在一些實施例中，從每個淨化通道輸送的淨化氣體的流量可小於或約為 90%的透過相關聯的蓋堆疊所傳輸的處理前驅物流的流量。另外，所輸送的淨化氣體的流量可以小於或約為 85%的處理前驅物的流量，並且可以小於或約為80%、小於或約為75%、小於或約為70%、小於或約為 65%、小於或約為 60%、小於或約為 55%、小於或約為 50%、或更少。
如前所述，可以提供在轉移裝置上方和下方輸送的淨化氣體，以防止形成可能發生處理材料積聚的死區。為了限制到每個處理區域的處於平衡流速的輸送的影響，在一些實施例中，集中輸送的淨化氣體的流量可以小於輸送到任何單獨淨化通道的流量。例如，在一些實施例中，透過和/或圍繞轉移裝置而集中輸送的淨化氣體的流量可以小於或約為 80%的從接近單獨基板支撐件的任何單獨淨化通道所輸送的流量。此外，集中輸送的淨化氣體可以小於或約為 75% 的從任何單獨淨化通道所輸送的流量，並且可以小於或約為70%、小於或約為65%、小於或約為60%、小於或約為55%、小於或約為50%、小於或約為45%、小於或約為40%、小於或約為35%、小於或約為30%、小於或約為25%、小於或約為20%、小於或約為15%、小於或約為10%，或更少的量。因此，當多個淨化通道設置有多個基板支撐件時，集中輸送的淨化氣體的流量可能小於或約為40%的透過淨化通道輸送的額外的淨化氣體的或透過蓋堆疊輸送的處理前驅物的總量，並且可以小於或約為35%的總量、小於或約為30%的總量、小於或約為25%的總量、小於或約為20%的總量、小於或約為15%的總量、小於或約為10%的總量、小於或約為 5%的總量、小於或約為1%的總量，或更少。
為了進一步限制淨化氣體從中心孔透過轉移裝置的噴射，在一些實施例中，透過中心孔轉移的淨化氣體的流量可以小於或約為50%的透過可旋轉軸和/或圍繞轉移裝置轉移的淨化氣體的總量，並且可以小於或約為45%、小於或約為40%的總量、小於或約為35%的總量、小於或約為30%的總量、小於或約為25%的總量、小於或約為20%的總量、小於或約為15%的總量、小於或約為10%的總量、小於或約為5%的總量、小於或約為1%的總量，或更少。
在轉移裝置周圍和/或透過轉移裝置輸送的淨化氣體的流量可以至少部分地基於轉移區域的體積、透過蓋堆疊輸送的前驅物的體積，以及任何其他特性處理和腔室配置。在一些實施例中，透過和/或圍繞轉移裝置軸輸送的淨化氣體的總量可小於或約為5slm，並且可小於或約為4slm、小於或約為3slm、小於或約為2slm、小於或約為1slm、小於或約為0.5slm、小於或約為0.3slm，或更少。在一些實施例中，輸送可以處在小於或約為3slm的速率，這可以限制對轉移裝置的熱效應。因為轉移裝置可以提供用於淨化氣體的流動路徑，所以在一些實施例中可以控制淨化氣體的流速以限制沿著臂或轉移裝置的任何態樣的冷卻。透過根據本技術的一些實施例提供穿過處理系統的轉移區域的淨化氣體，可以限制或防止處理前驅物的流動流入和/或積聚在轉移區域內。
在前面的描述中，為了解釋的目的，已經闡述了許多細節以提供對本技術的各種實施例的理解。然而，對於本領域技術人員來說顯而易見的是，可以在沒有這些細節中的一些或者具有額外的細節的情況下實踐某些實施例。
已經揭露了幾個實施例，本領域技術人員將認識到，在不脫離實施例的精神的情況下可以使用各種修改、替代構造和等同物。此外，為了避免不必要地混淆本技術，未描述許多眾所周知的處理和元件。因此，以上描述不應被視為限制本技術的範圍。此外，方法或處理可被描述為按順序的或分步的，但應理解，這些操作可同時執行，或以與所列不同的按順序的執行。
在提供值範圍的情況下，應當理解，每個中間值，精確到下限單位的最小分數，除非上下文另有明確規定，該範圍的上限和下限之間也特別地被揭露。任何規定值或規定範圍內未規定的中間值與該規定範圍內的任何其他規定或中間值之間的任何更窄範圍都包括在內。這些較小範圍的上限和下限可以獨立地包括在該範圍內或排除在該範圍外，並且每個範圍(其中一個、兩個皆不包含或兩個限制皆包括在較小的範圍內)，也包括在該技術內且受制於任何明確排除的限制規定的範圍。如果所述範圍包括一個或兩個限制，則還包括不包括其中一個或兩個限制的範圍。
如本文和所附請求項中所用，單數形式「一」和該「該」包括複數形式，除非上下文另有明確規定。因此，例如，提及「軸」包括複數個這樣的軸，並且提及「孔」包括提及本領域技術人員已知的一個或多個連接器及其等效物，等等。
此外，當在本說明書和下文請求項中使用詞語「包含」和「包括」時，其旨在指定所述特徵、整數、部件或操作的存在，但不排除一個或多個其他特徵、整數、部件、操作、動作或組的存在或添加。
100:處理系統 102:統一晶圓盒 104a、104b:機械臂 103:工廠界面 108:處理區域 106:保持區域 109a-c:四個一組部分 109:四個一組部分 112:轉移腔室 110:第二機械臂 107:入口 125:轉移區域外殼 130:基板支撐件 135:轉移裝置 110:機械手 130a:基板支撐件 108a:處理區域 130b:基板支撐件 108b:處理區域 140:面板 145:泵送襯套 145a:泵送襯套 145b:泵送襯套 150:阻擋板 155:蓋 150a:阻擋板 150b:阻擋板 160:孔 160a:第一孔 160b:第二孔 165:遠端電漿單元 170:淨化通道 170a:第一淨化通道 170b:第二淨化通道 200:腔室系統 205:轉移區域外殼 207:進出位置 210a、210b:基板支撐件 212:升降銷 215:進出口 220:轉移裝置 225:中心轂 235:端執行器 237:臂 240:中心孔 300:排氣系統 310:轉移區域 305:基板支撐件 200:腔室部分 315:排氣口 320:下蓋板 400:轉移部分 405:轉移裝置 410:下蓋板 412:轉移區域外殼 415:基板支撐件 425:端執行器 420:可旋轉軸 427:中心轂 430:臂 435:淨化源 500:轉移部分 505:轉移裝置 515:端執行器 510:可旋轉軸 520:中央轂 525:臂 522:孔 527:淨化源 535:孔 540:路徑 600:方法 605:操作 610:操作 615:操作
透過參考說明書的其餘部分和附圖，可以實現對所揭露技術的性質和優點的進一步理解。
圖1A示出了根據本技術的一些實施例的示例性處理工具的示意性俯視圖。
圖1B示出了根據本技術的一些實施例的示例性處理系統的示意性局部截面視圖。
圖2示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的轉移部分的示意性等距視圖。
圖3示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的示例性排氣系統的示意性等距視圖。
圖4示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的轉移部分的示意性局部截面視圖。
圖5A示出了根據本技術的一些實施例的示例性基板處理系統的轉移部分的示意性局部截面視圖。
圖5B示出了根據本技術的一些實施例的示例性轉移裝置的沿圖5A的線AA的示意性截面局部視圖。
圖6示出了根據本技術的一些實施例的半導體處理方法中的選定操作。
包括幾個圖作為示意圖。應當理解的是，這些圖是為了說明的目的，除非特別說明是按比例或比例的，否則不應認為是按比例或比例的。此外，作為示意圖，提供這些圖是為了幫助理解，並且可能不包括與現實表示相比的所有態樣或資訊，並且可能包括用於說明目的誇示材料。
在附圖中，相似的部件和/或特徵可以具有相同的元件符號。此外，相同類型的各種部件可以透過在參考標籤後面加上區分相似部件的字母來區分。如果說明書中僅使用第一元件符號，則該描述適用於具有相同第一元件符號的任何一個相似部件，而不管字母如何。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
300:排氣系統
305:基板支撐件
310:轉移區域
315:排氣口
320:下蓋板

Claims (20)

  1. 一種基板處理系統，包括： 複數個處理區域； 一轉移區域外殼，其限定與該複數個處理區流體耦合的一轉移區域； 複數個基板支撐件，該複數個基板支撐件中的每個基板支撐件可在該轉移區域和該複數個處理區域的一相關處理區域之間垂直轉移；和 一轉移裝置，其包括： 延伸穿過該轉移區域外殼的一可旋轉軸，以及 與該可旋轉軸耦接的一端執行器，其中該端執行器包括限定一中心孔的一中心轂，該中心孔與一淨化源流體耦接，並且其中該端執行器還包括複數個臂，該複數個臂的臂的一數量等於該複數個基板支撐件的基板支撐件的一數量。
  2. 如請求項1所述的基板處理系統，還包括： 複數個淨化通道，其中淨化通道的一數量等於該複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量。
  3. 根據請求項2所述的基板處理系統，其中該複數個淨化通道中的每個淨化通道延伸穿過該複數個基板支撐件中的一單獨基板支撐件附近的該轉移區域外殼。
  4. 根據請求項2所述的基板處理系統，其中該複數個處理區域中的每個處理區域至少部分地由一單獨的蓋堆疊件從上方限定，並且其中每個蓋堆疊件包括與該基板處理系統的一排氣口流體耦合的一泵送襯套。
  5. 根據請求項4所述的基板處理系統，其中每個泵送襯套至少部分地限定來自每個處理區域的用於透過該複數個淨化通道輸送的一淨化氣體的一排氣流動路徑。
  6. 根據請求項1所述的基板處理系統，其中該可旋轉軸限定與該淨化源流體耦合的一個或多個孔，該一個或多個孔被配置為將淨化氣體輸送至至少部分地由該端執行器的該中心轂限定的該轉移區域的一中心容積。
  7. 根據請求項6所述的基板處理系統，其中該淨化源被配置為透過該一個或多個孔輸送大於或約75％的相對於透過該中心轂所限定的該中心孔輸送的一淨化氣體。
  8. 根據請求項1所述的基板處理系統，其中該複數個基板支撐件包括圍繞該轉移區域分佈的至少三個基板支撐件，並且其中該轉移裝置位於該複數個基板支撐件之間的中央。
  9. 一種基板處理系統，包括： 複數個處理區域； 一轉移區域外殼，其限定與複數個處理區流體耦合的一轉移區域； 複數個基板支撐件，該複數個基板支撐件中的每個基板支撐件可在該轉移區域和複數個處理區域的一相關處理區域之間垂直轉移； 複數個淨化通道，其被限定為穿過該轉移區域外殼，該複數個淨化通道的淨化通道的一數量等於該複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量；和 一轉移裝置，包括： 延伸穿過該轉移區域外殼的一可旋轉軸，以及 與該可旋轉軸耦接的一端執行器，其中該端執行器包括一中心轂，並且其中該端執行器還包括複數個臂，該複數個臂的臂的一數量等於該複數個基板支撐件中的基板支撐件的一數量。
  10. 根據請求項9所述的基板處理系統，其中，該端執行器的該中心轂限定一孔，該孔提供從該轉移裝置的該可旋轉軸到該轉移區域的流體的進出。
  11. 根據請求項9所述的基板處理系統，其中該複數個處理區域中的每個處理區域至少部分地由一單獨的蓋堆疊從上方限定，並且其中每個蓋堆疊包括與該基板處理系統的一排氣口流體耦合的一泵送襯套。
  12. 根據請求項9所述的基板處理系統，其中，每個泵送襯套至少部分地限定了來自每個處理區域的一排氣流動路徑，以用於透過該複數個淨化通道所輸送的一淨化氣體。
  13. 根據請求項9所述的基板處理系統，其中該可旋轉軸限定與一淨化源流體耦合的一個或多個孔，該一個或多個孔被配置為將淨化氣體輸送至至少部分地由該端執行器的該中心轂所限定的該轉移區域的一中心容積。
  14. 一種半導體處理方法，包括： 透過一基板處理系統的複數個蓋堆疊來輸送一種或多種處理前驅物，該複數個蓋堆疊中的每個蓋堆疊流體地進出複數個處理區域中的一處理區域，其中該複數個處理區域中的每個處理區域是至少部分地由該複數個蓋堆疊的一蓋堆疊和複數個基板支撐件的一基板支撐件所限定； 透過延伸穿過限定該轉移區域的一轉移區域外殼的複數個淨化通道來將一淨化氣體輸送到該基板處理系統的一轉移區域中，其中該轉移區域與該複數個處理區域流體耦合；和 透過該複數個蓋堆疊的泵送襯墊排出該一種或多種處理前驅物和該淨化氣體。
  15. 如請求項14所述的半導體處理方法，其中該基板處理系統包括位於該轉移區域中的一轉移裝置，該轉移裝置包括： 延伸穿過該轉移區域外殼的一可旋轉軸，以及 與該可旋轉軸耦接的一端執行器，其中該端執行器包括限定一中心孔的一中心轂，該中心孔與一淨化源流體耦接，並且其中該端執行器還包括複數個臂，該複數個臂的臂的一數量等於該複數個基板支撐件的支撐件的一數量。
  16. 如請求項15所述的半導體處理方法，還包括： 將一額外的淨化氣體透過該可旋轉軸從由該中心轂所限定的該中心孔輸送到該轉移區域。
  17. 根據請求項16所述的半導體處理方法，其中該可旋轉軸限定與該淨化源流體耦合的一個或多個孔，並且其中該轉移區域的一中心容積至少部分地由該端執行器的該中心轂所限定。
  18. 如請求項17所述的半導體處理方法，還包括： 將該額外的淨化氣體透過該可旋轉軸輸送到該轉移區域的該中心容積中。
  19. 根據請求項18所述的半導體處理方法，其中透過複數個淨化通道輸送到該基板處理系統的一轉移區域中的該淨化氣體的一氣體量小於或約為80%的透過該基板處理系統的該複數個蓋堆疊來輸送的該一個或多個處理前驅物的一氣體量。
  20. 如請求項19所述的半導體處理方法，其中透過該可旋轉軸來輸送且從由該中心轂所限定的該中心孔進入該轉移區域的淨化氣體小於或約為20％的透過該可旋轉軸輸送且進入該轉移區域的該中心容積的該額外的淨化氣體的一總量。
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