TW202403091A - 模組化的多方向性氣體混合區塊 - Google Patents

Abstract

示例性模組化氣體區塊可包括具有入口端及出口端的主體。此主體可定義沿著此主體的長度的第一氣體路徑的部分，且可定義沿著此主體的寬度的第二氣體路徑。此第一氣體路徑可包括定義在此主體內的通道段。此入口端可定義與此第一氣體路徑耦合的氣體入口。此主體可定義與此第一氣體路徑耦合的第一流體埠。此等第一流體埠中的流體埠可與此氣體入口耦合。此等第一流體埠可經由各自的通道段彼此耦合。上表面可定義橫向流體埠，此橫向流體埠沿著此寬度與第一流體埠間隔開，且經由此第二氣體路徑與此第一流體埠耦合。

Description

模組化的多方向性氣體混合區塊

本申請案主張於2022年3月10日提交的題為「MODULAR MULTl-DIRECTIONAL GAS MIXING BLOCK」（模組化的多方向性氣體混合區塊）的美國專利申請案第63/318,771號的權益及優先權，其全部內容藉由引用併入本文。

本技術係關於半導體製程及設備。更特定言之，本技術係關於基板處理系統及部件。

半導體處理系統通常利用群集工具將多個處理腔室整合在一起。此種配置可有助於在不將基板自受控處理環境中移除的情況下執行數個順序處理操作，或者其可允許在變化的腔室中同時對多個基板執行類似的製程。該等腔室可包括，例如，脫氣腔室、預處理腔室、移送腔室、化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、蝕刻腔室、計量腔室及其他腔室。群集工具中腔室的組合及運行該等腔室所處的操作條件及參數被選擇為使用特定的製程配方及製程流來製造特定的結構。

通常，處理系統包括氣體輸送組件，該等氣體輸送組件可將多種處理氣體混合及/或以其他方式輸送到各種腔室。可仔細控制該等氣體的流量，以確保氣體均勻地流入每個處理腔室。

因此，需要改進的系統及方法，可用於在所需條件下有效混合及/或以其他方式將氣體輸送到處理腔室。本技術解決了該等及其他需求。

示例性模組化氣體區塊可包括具有入口端及出口端的塊體。此塊體可定義沿著此塊體的長度的第一氣體路徑的部分，且可定義沿著此塊體的寬度的第二氣體路徑。此第一氣體路徑可包括定義在此塊體內的複數個通道段。此塊體的此入口端可定義與此第一氣體路徑流體耦合的氣體入口。此塊體的上表面可定義與此第一氣體路徑流體耦合的第一複數個流體埠。該第一複數個流體埠中的第一流體埠可與此氣體入口流體耦合。該第一複數個流體埠中的至少一些可經由此些通道段中的各別一者彼此耦合。此塊體的此上表面可定義橫向流體埠，此橫向流體埠沿著此塊體的此寬度與該第一複數個流體埠中的各別一者間隔開，且經由此第二氣體路徑與該第一複數個流體埠中的該各別一者耦合。

在一些實施例中，此等模組化氣體區塊可包括與此氣體入口耦合的氣體焊件。此塊體可包括設置在此入口端的第一部分及設置在此出口端的第二部分。此第一部分及此第二部分可沿著此塊體的此長度彼此間隔開。此等模組化氣體區塊可包括複數個閥。此等閥中的每一者可與該第一複數個流體埠中的至少兩者耦合。該第一複數個流體埠中的此等至少兩者可包括不經由此等通道段中的一者彼此耦合的流體埠。此塊體可定義橫向出口埠，此橫向出口埠經由此第二氣體路徑與此橫向流體埠流體耦合。此等模組化氣體區塊可包括與此橫向出口埠及此橫向流體埠介接的一或多個插塞。此等通道段中的每一者可延伸穿過此塊體的底表面以形成開口。插塞可與每個開口介接，以封閉此等通道段中的各別一者的底表面。此塊體可在此出口端附近定義氣體出口。此等模組化氣體區塊可包括與此塊體的第一橫向側耦合的附加塊體。此附加塊體可定義沿著此附加塊體的長度的第三氣體路徑的部分，且可定義沿著此附加塊體的寬度的第四氣體路徑。此附加塊體可定義與此第四氣體路徑流體耦合的附加橫向出口埠。此橫向出口埠及此附加橫向出口埠可彼此耦合。此第一氣體路徑及此第二氣體路徑可彼此流體耦合。

本技術的一些實施例可包括模組化氣體區塊。此等模組化氣體區塊可包括具有入口端及出口端的塊體。此塊體可定義沿著此塊體的長度的第一氣體路徑的部分，且可定義沿著此塊體的寬度的第二氣體路徑。此第一氣體路徑及此第二氣體路徑可彼此流體耦合。此第一氣體路徑可包括定義在此塊體內的複數個通道段。此塊體的此入口端可定義與此第一氣體路徑流體耦合的氣體入口。此塊體的上表面可定義與此第一氣體路徑流體耦合的第一複數個流體埠。該第一複數個流體埠中的第一流體埠可與此氣體入口流體耦合。該第一複數個流體埠中的至少一些可經由此些通道段中的各別一者彼此耦合。此塊體的此上表面可定義橫向流體埠，此橫向流體埠沿著此塊體的此寬度與該第一複數個流體埠中的各別一者間隔開，且經由此第二氣體路徑與該第一複數個流體埠中的該各別一者耦合。此塊體可定義靠近此出口端的氣體出口。

在一些實施例中，此氣體入口可延伸穿過此塊體的端表面。此等通道段中的每一者可定義大體上v形流動路徑。此氣體出口可形成在此塊體的底表面中。此等模組化氣體區塊可包括底座。此塊體可包括設置在此入口端的第一部分及設置在此出口端的第二部分。此第一部分及此第二部分可沿著此基板的此長度彼此間隔開。

本技術的一些實施例可涵蓋模組化氣體輸送組件。此等組件可包括複數個模組化氣體區塊。此等模組化氣體區塊中的每一者可包括具有入口端及出口端的塊體。此塊體可定義沿著此塊體的長度的第一氣體路徑的部分，且可定義沿著此塊體的寬度的第二氣體路徑。給定塊體的此第一氣體路徑及此第二氣體路徑可彼此流體耦合。每個第一氣體路徑可包括定義在此塊體內的複數個通道段。每個塊體的此入口端可定義與各別塊體的此第一氣體路徑流體耦合的氣體入口。每個塊體的上表面可定義與此各別塊體的此第一氣體路徑流體耦合的第一複數個流體埠。每個塊體的該第一複數個流體埠中的第一流體埠可與此各別塊體的此氣體入口流體耦合。每個塊體的該第一複數個流體埠中的至少一些可經由此各別塊體的此等通道段中的各別一者彼此耦合。每個塊體可定義與此第二氣體路徑流體耦合的橫向出口埠。每個塊體的此橫向出口埠可與至少一個相鄰塊體的此橫向出口埠介接。

在一些實施例中，組件可包括與此等模組化氣體區塊中的至少一者的出口耦合的氣體輸送管腔。此等組件可包括複數個氣源。此等氣源中的每一者可與此等模組化氣體區塊中的各別一者的此氣體入口耦合。質量流量控制器及閥中的一或兩者可與此等模組化氣體區塊中的每一者的該第一複數個埠中的至少一者介接。

與習知系統及技術相比，此種技術可提供許多益處。例如，此等處理系統可提供模組化氣體組件部件，該等部件可容易地組裝成生產的客製化氣體組件。此外，此等模組化氣體組件部件可促進不同氣體的混合，而不需要複雜的焊件佈置，此可減少氣體輸送組件的時間、成本及複雜性。結合以下描述及隨附圖式更詳細地描述該等及其他實施例及其許多優點及特徵。

基板處理可包括在晶圓或半導體基板上用於添加、移除或以其他方式改質材料的時間密集型操作。基板的有效移動可減少佇列時間且提高基板處理量。為了提高在群集工具內處理的基板的數量，可將附加腔室結合到主機上。儘管可藉由延長工具來不斷增加移送機器人及處理腔室，但隨著群集工具的佔地面積的擴大，此可能會變得空間效率低下。因此，本技術可包括在定義的佔地面積內具有增加數量的處理腔室的群集工具。為了適應移送機器人的有限佔地面積，本技術可增加自機器人橫向向外的處理腔室的數量。例如，一些習知的群集工具可包括一或兩個處理腔室，此等處理腔室圍繞位於中心的移送機器人的區段定位，以最大化徑向圍繞機器人的腔室的數量。本技術可藉由將附加腔室橫向向外合併為另一列或一組腔室來擴展此概念。例如，本技術可應用於包括三個、四個、五個、六個或更多個處理腔室的群集工具，該等處理腔室可在一或多個機器人出入口位置中的每一者處存取。

處理系統可包括氣體輸送組件，以將各種氣體輸送到處理腔室。為了消除針對流向給定腔室或一組腔室的每種類型的氣體具有不同的輸出輸送管腔的需要，氣體輸送組件通常被設計為將相容氣體混合且共同流到腔室。習知的氣體輸送組件沿著組件的長度（或y軸）將氣體輸送到輸出焊件。為了促進各種氣體的混合，習知系統利用一系列不同的焊件，該等焊件通常設置在氣體區塊下方，在該等氣體區塊上可安裝閥、質量流量控制器及/或其他關閉及/或流量節流部件。焊件的網路可能係複雜的，此可能導致在設計及製造新的氣體輸送組件、改變現有氣體輸送組件及/或維修現有氣體輸送組件時出現問題。

要使用習知部件設計新的氣體輸送組件，工程師需要設計及/或形狀及尺寸正確的焊件，以正確連接氣體組件的各種埠，同時確保位於氣體區塊下方的焊件不會相互碰撞。製造可能係冗長的，且可能涉及使用大量不同的焊件來達成功能組件。此外，由於焊件配置的複雜性，工程師無法設計出可輕易更改以適應新的組件設計的基礎組件設計。因此，工程師必須從頭開始設計每個組件。該等問題可能導致新組件的設計及製造緩慢（長達15週）且非常昂貴。

在改變（如增加或減少新的氣源/氣體棒）及/或維修現有氣體輸送組件期間，技術人員必須拆除所有上部部件（如閥、質量流量控制器、氣體區塊等），以接近焊件。通常，可能需要拆卸氣體組件的大部分或全部以添加或移除氣體棒。氣體區塊下方的焊件網路可能需要完全重新設計及/或更換，以適應新添加的氣體棒的混合。通常，氣體輸送組件上一次迭代的任何焊件均必須報廢，從而導致相當大的浪費。此外，若氣體組件的修改及/或維修影響到有毒氣體棒，則可能需要更換整個有毒氣體棒以防止任何有毒氣體洩漏到環境中。該等問題可能會導致現有組件的修改或維修速度緩慢（長達18週）且非常昂貴。

本技術透過利用模組化氣體區塊克服了該等問題，此等模組化氣體磚包括有助於在x方向上在相鄰氣體棒之間進行氣體混合的管腔。此種管腔可消除對氣體輸送組件底部的焊件網路的需要，且可顯著簡化氣體輸送組件的設計及製造。所有或大多數模組化氣體區塊可具有相同的幾何形狀，此可使得氣體輸送組件的改變能夠簡單地將氣體棒連接到現有氣體輸送組件或自現有氣體輸送組件移除氣體棒，而不需要暴露其他流動路徑。此可消除暴露有毒氣體棒的風險，並有助於減少改變操作期間的浪費。此外，可提供可用於沖洗任何有毒氣體流動路徑的淨化氣體棒，以進一步減輕在氣體輸送組件的維修期間有毒氣體的任何風險。此種特徵可顯著縮短與設計、製造及/或以其他方式改變氣體輸送組件相關的時間（通常小於4-5週）及成本。

儘管剩餘的揭示內容將常規地確定可採用本發明結構及方法的特定結構，如四位腔室系統，但很容易理解，該等系統及方法同樣適用於任何數量的結構及設備，該等結構及設備可能受益於所解釋的結構能力。因此，本技術不應被認為係如此有限以至於僅與任何特定結構一起使用。此外，儘管將描述示例性工具系統以為本技術提供基礎，但應當理解，本技術可與任何數量的半導體處理腔室及工具結合，該等半導體處理腔室及工具可能受益於將要描述的一些或全部操作及系統。

第1圖示出了根據本技術的一些實施例的沉積、蝕刻、烘焙及固化腔室的基板處理工具或處理系統100的一個實施例的俯視平面圖。在此圖中，一組前開式統一晶匣102供應各種尺寸的基板，該等基板由機器人臂104a及104b接收在工廠介面103內，且在被輸送到基板處理區域108中的一者之前被放置在裝載閘或低壓保持區域106中，此等基板處理區域被定位在腔室系統或四腔區段109a-c中，此等腔室系統或四腔區段可各自為具有與複數個處理區域108流體耦合的移送區域的基板處理系統。儘管示出了四腔系統，但應當理解，併入有獨立腔、雙腔及其他多腔系統的平台同樣由本技術涵蓋。容納在移送腔室112中的第二機器人臂110可用於將基板晶圓自保持區域106傳送到四腔區段109且返回，且第二機器人臂110可容納在移送腔室內，四腔區段或處理系統中的每一者可與此移送腔室連接。每個基板處理區域108可經裝配以執行多個基板處理操作，包括任意數量的沉積製程，包括循環層沉積、原子層沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積，及蝕刻、預清洗、退火、電漿處理、脫氣、定向及其他基板製程。

每個四腔區段109可包括移送區域，此移送區域可自第二機器人臂110接收基板且將基板輸送到第二機器人臂110。腔室系統的移送區域可與具有第二機器人臂110的移送腔室對準。在一些實施例中，移送區域可被機器人橫向地接近。在隨後的操作中，移送區段的部件可將基板垂直地平移到上覆的處理區域108中。類似地，移送區域亦可操作以在每個移送區域內的位置之間旋轉基板。基板處理區域108可包括用於在基板或晶圓上沉積、退火、固化及/或蝕刻材料膜的任何數量的系統部件。在一種配置中，兩組處理區域，如四腔區段109a及109b中的處理區域，可用於在基板上沉積材料，且第三組處理腔室，如四腔區段109c中的處理腔室或區域，可用來固化、退火或處理沉積的膜。在另一配置中，所有三組腔室，如所示的所有十二個腔室，可經配置為在基板上沉積及/或固化膜。

如圖所示，第二機器人臂110可包括兩個臂，用於同時輸送及/或取回多個基板。例如，每個四腔區段109可包括沿著移送區域的殼體的表面的兩個出入口107，該兩個出入口可與第二機器人臂橫向對準。此等出入口可沿著與移送腔室112相鄰的表面來定義。在一些實施例中，如圖所示，第一出入口可與四腔區段的複數個基板支撐件中的第一基板支撐件對準。此外，第二出入口可與四腔區段的複數個基板支撐件中的第二基板支撐件對準。在一些實施例中，第一基板支撐件可與第二基板支撐件相鄰，且兩個基板支撐件可定義第一列基板支撐件。如所示配置中所示，第二列基板支撐件可定位在自移送腔室112橫向向外的第一列基板支撐件的後面。第二機器人臂110的兩個臂可間隔開，以允許該兩個臂同時進入四腔區段或腔室系統，以將一或兩個基板輸送或取回到移送區域內的基板支撐件。

所描述的移送區域中的任何一或多個可與不同實施例中所示的製造系統分離的附加腔室結合。應當理解，用於材料膜的沉積、蝕刻、退火及固化腔室的附加配置係由處理系統100涵蓋。此外，本技術可使用任何數量的其他處理系統，其可結合用於執行任何特定操作（如基板移動）的移送系統。在一些實施例中，可提供對多個處理腔室區域的進出，同時在如所述的保持及移送區域的各種區段中維持真空環境的處理系統可允許在多個腔室中執行操作，同時在離散製程之間維持特定的真空環境。

如前所述，處理系統100，或更特定言之，與處理系統100或其他處理系統結合的四腔區段或腔室系統，可包括位於所示處理腔室區域下方的移送區段。第2圖示出了根據本技術的一些實施例的示例性腔室系統200的移送區段的示意性等角視圖。第2圖可示出上述移送區域的附加態樣或態樣的變化，且可包括所描述的任何部件或特性。所示的系統可包括移送區域殼體205，此移送區域殼體可為如下進一步論述的腔室主體，其定義移送區域，在此移送區域中可包括多個部件。移送區域可另外由處理腔室或與移送區域流體耦合的處理區域（如第1圖的四腔區段109中所示的處理腔室區域108）自上方至少部分地定義。移送區域殼體的側壁可定義一或多個出入口位置207，基板可諸如由如上所述的第二機器人臂110經由此等一或多個出入口位置輸送及取回。出入口位置207可為狹縫閥或其他可密封的出入口位置，在一些實施例中，其包括門或其他密封機構以在移送區域殼體205內提供密封環境。儘管圖示為具有兩個此種出入口位置207，但應當理解，在一些實施例中，可僅包括單個出入口位置207及在移送區域殼體的多個側面上的出入口位置。亦應當理解，所示的移送區段的尺寸可設定為適應任何基板尺寸，包括200 mm、300 mm、450 mm或更大或更小的基板，包括以任何數量的幾何形狀或形狀為特徵的基板。

在移送區域殼體205內，可有位於移送區域體積周圍的複數個基板支撐件210。儘管示出了四個基板支撐件，但應當理解，本技術的實施例類似地涵蓋任何數量的基板支撐件。例如，根據本技術的實施例，可在移送區域中容納大於或約三個、四個、五個、六個、八個或更多的基板支撐件210。第二機器人臂110可經由出入口207將基板輸送到基板支撐件210a或210b中的一或兩者。類似地，第二機器人臂110可自該等位置取回基板。升舉銷212可自基板支撐件210突出，且可允許機器人接近基板下方。在一些實施例中，升舉銷可固定在基板支撐件上，或固定在基板支撐件可凹進下方的位置，或升舉銷可另外經由基板支撐件升高或降低。基板支撐件210可係可垂直平移的，且在一些實施例中可向上延伸到基板處理系統的處理腔室區域，如處理腔室區域108，其定位在移送區域殼體205上方。

移送區域殼體205可為對準系統提供出入口215，此等對準系統可包括對準器，此對準器可延伸穿過移送區域殼體的孔，如圖所示，且可與雷射器、攝影機或突出或透射穿過相鄰孔的其他監測裝置結合操作，且其可確定被平移的基板是否被適當地對準。移送區域殼體205亦可包括移送設備220，此移送設備220可以多種方式操作以定位基板且在各種基板支撐件之間移動基板。在一個實例中，移送設備220可將基板支撐件210a及210b上的基板移動到基板支撐件210c及210d，此可允許將額外的基板輸送到移送腔室中。附加的移送操作可包括在基板支撐件之間旋轉基板，以便在上覆的處理區域中進行附加的處理。

移送設備220可包括中心轂225，此中心轂可包括延伸到移送腔室中的一或多個軸。端效器235可與此軸耦合。端效器235可包括自中心轂徑向或橫向向外延伸的複數個臂237。儘管示出為具有臂自其延伸的中心體，但在各種實施例中，端效器可另外包括各自與軸或中心轂耦合的單獨的臂。在本技術的實施例中可包括任意數量的臂。在一些實施例中，多個臂237可與包括在腔室中的基板支撐件210的數量相似或相等。因此，如圖所示，對於四個基板支撐件，移送設備220可包括自端效器延伸的四個臂。臂的特徵可為任何數量的形狀及輪廓，例如直輪廓或弓形輪廓，及包括任何數量的遠端輪廓，包括鉤、環、叉或用於支撐基板及/或提供對基板的接近的其他設計，如用於對準或接合。

端效器235或端效器的部件或部分可用於在移送或移動期間接觸基板。該等部件及端效器可由包括導電及/或絕緣材料的多種材料製成或包括該等多種材料。在一些實施例中，材料可被塗覆或電鍍以承受與前驅物或其他化學物質的接觸，該等前驅物或化學物質可自上覆的處理腔室進入移送腔室。

此外，可提供或選擇材料以承受其他環境特性，諸如溫度。在一些實施例中，基板支撐件可操作以加熱設置在支撐件上的基板。基板支撐件可經配置為將表面或基板溫度升高到大於或約100℃、大於或約200℃、大於或約300℃、大於或約400℃、大於或約500℃、大於或約600℃、大於或約700℃、大於或約800℃或更高的溫度。該等溫度中的任何一者均可在操作期間保持，且因此移送設備220的部件可暴露於該等規定或涵蓋的溫度中的任意一者。因此，在一些實施例中，可選擇任何材料來適應該等溫度狀態，且可包括諸如陶瓷及金屬的材料，該等材料可以相對低的熱膨脹係數或其他有益的特性為特徵。

部件耦合亦可適用於高溫及/或腐蝕性環境中的操作。例如，在端效器及端部各自為陶瓷的情況下，耦合可包括壓裝、卡扣裝接或其他可能不包括諸如螺栓的額外材料的裝接，該等材料可能隨著溫度而膨脹及收縮，且可能導致陶瓷破裂。在一些實施例中，端部可與端效器連續，且可與端效器一體形成。可使用任何數量的其他材料，該等材料可促進操作或在操作期間抵抗，且類似地被本技術所涵蓋。移送設備220可包括多個部件及配置，該等部件及配置可促進端效器在多個方向上的移動，此可促進與端效器可耦合到的驅動系統部件以一或多種方式的旋轉移動及垂直移動或橫向移動。

第3圖示出了根據本技術的一些實施例的示例性腔室系統的腔室系統300的移送區域的示意性等角視圖。腔室系統300可類似於上述腔室系統200的移送區域，且可包括類似的部件，包括上述任何部件、特性或配置。第3圖亦可連同隨附附圖一起示出本技術所涵蓋的某些部件耦合。

腔室系統300可包括腔室主體305或定義移送區域的殼體。在定義的體積內可為如前所述分佈在腔室主體周圍的複數個基板支撐件310。如下文將進一步描述的，每個基板支撐件310可沿著基板支撐件的中心軸線在圖中所示的第一位置與可執行基板處理的第二位置之間垂直平移。腔室主體305亦可定義穿過腔室主體的一或多個出入口307。移送設備335可被定位在移送區域內，且經配置為接合移送區域內的基板支撐件310中的基板且使其旋轉，如前所述。例如，移送設備335可繞移送設備的中心軸線旋轉，以重新定位基板。在一些實施例中，移送設備335亦可為可橫向平移的，以進一步有助於在每個基板支撐件處重新定位基板。

腔室主體305可包括頂表面306，其可為系統的上覆部件提供支撐。頂表面306可定義墊圈槽308，墊圈槽308可為墊圈提供座位，以提供用於真空處理的上覆部件的氣密密封。與一些習知系統不同，腔室系統300及根據本技術的一些實施例的其他腔室系統可在處理腔室內包括開放的移送區域，且處理區域可形成為覆蓋移送區域。由於移送設備335產生掃掠區域，用於分離處理區域的支撐件或結構可能不可用。因此，本技術可利用上覆的蓋結構來形成覆蓋開放移送區域的分離處理區域，如下所述。因此，在一些實施例中，腔室主體與上覆部件之間的密封可能僅發生在定義移送區域的外部腔室主體壁周圍，且在一些實施例中可能不存在內部耦合。腔室主體305亦可定義孔315，此等孔可促進來自上覆結構的處理區域的排氣流。腔室主體305的頂表面306亦可在孔315周圍定義一或多個墊圈槽，用於與上覆部件密封。此外，在一些實施例中，孔可提供定位特徵，此等定位特徵可促進部件的堆疊。

第4圖示出了根據本技術的一些實施例的腔室系統300的上覆結構的示意性等角視圖。例如，在一些實施例中，第一蓋板405可安置在腔室主體305上。第一蓋板405的特徵可為第一表面407及與第一表面相對的第二表面409。第一蓋板405的第一表面407可接觸腔室主體305，且可定義配對槽以與上面論述的槽308合作，從而在部件之間產生墊圈通道。第一蓋板405亦可定義孔410，此等孔可提供移送腔室的上覆區域的分離，以形成用於基板處理的處理區域。

孔410可穿過第一蓋板405定義，且可與移送區域中的基板支撐件至少部分對準。在一些實施例中，多個孔410可等於移送區域中的基板支撐件的數量，且每個孔410可與此等基板支撐件中的基板支撐件軸向對準。如下文將進一步描述的，當在腔室系統內垂直上升到第二位置時，處理區域可至少部分地由基板支撐件定義。基板支撐件可延伸穿過第一蓋板405的孔410。因此，在一些實施例中，第一蓋板405的孔410的特徵可為直徑大於相關基板支撐件的直徑。取決於間隙量，此直徑可比基板支撐件的直徑大小於或約25%，且在一些實施例中可比基板支撐件的直徑大小於或約20%、小於或約15%、小於或約10%、小於或約9%、小於或約8%、小於或約7%、小於或約6%、小於或約5%、小於或約4%、小於或約3%、小於或約2%、小於或約1%或更小，此可在基板支撐件與孔410之間提供最小間隙距離。

第一蓋板405亦可包括與第一表面407相對的第二表面409。第二表面409可定義凹進突出部415，此突出部可產生穿過第一蓋板405的第二表面409的環形凹進架。在一些實施例中，凹進突出部415可圍繞此等孔410中的每個孔定義。凹進架可為蓋堆疊部件提供支撐，這將在下文進一步描述。此外，第一蓋板405可定義第二孔420，此等第二孔可至少部分地定義來自下文描述的上覆部件的泵送通道。第二孔420可與前面描述的腔室主體305的孔315軸向對準。

第5圖示出了根據本技術的一些實施例的腔室系統300的示意性局部等角視圖。此圖可示出經由腔室系統的兩個處理區域及移送區域的部分的部分橫截面。例如，腔室系統300可為前面描述的處理系統100的四腔區段，且可包括前面描述的任何部件或系統的任何部件。

如圖所示，腔室系統300可包括定義移送區域502的腔室主體305，此移送區域包括基板支撐件310，此等基板支撐件可延伸到腔室主體305中且可垂直平移，如前所述。第一蓋板405可安置成覆蓋腔室主體305，且可定義孔410，此等孔產生用於處理區域504的出入口，此處理區域將由附加的腔室系統部件形成。蓋堆疊505可圍繞每個孔安置或至少部分地安置在每個孔內，且腔室系統300可包括複數個蓋堆疊505，此等蓋堆疊包括與此等孔中的孔410的數量相等的蓋堆疊數量。每個蓋堆疊505可安置在第一蓋板405上，且可安置在由穿過第一蓋板的第二表面的凹進突出部產生的架上。蓋堆疊505可至少部分地定義腔室系統300的處理區域504。

如圖所示，處理區域504可垂直偏離移送區域502，但可與移送區域流體耦合。此外，處理區域可與其他處理區域分離。儘管處理區域可經由移送區域自下方與其他處理區域流體耦合，但處理區域可自上方與其他處理區中的每一者流體隔離。在一些實施例中，每個蓋堆疊505亦可與基板支撐件對準。例如，如圖所示，蓋堆疊505a可在基板支撐件310a上對準，且蓋堆疊505b可在基板支撐件310b上對準。當升高到操作位置，諸如第二位置時，基板可輸送基板用於在單獨的處理區域內進行單獨的處理。當處於此位置時，如將在下文中進一步描述的，每個處理區域504可由處於第二位置的相關基板支撐件自下方至少部分地定義。

第5圖亦示出了其中可包括用於腔室系統的第二蓋板510的實施例。第二蓋板510可與蓋堆疊中的每一者耦合，在一些實施例中，此等蓋堆疊可定位在第一蓋板405與第二蓋板510之間。如下文將要解釋的，第二蓋板510可有助於接近蓋堆疊505的部件。第二蓋板510可定義穿過第二蓋板的複數個孔512。此等孔中的每個孔可被定義為提供到特定蓋堆疊505或處理區域504的流體出入口。在一些實施例中，遠程電漿單元515可視情況包括在腔室系統300中，且可支撐在第二蓋板510上。在一些實施例中，遠程電漿單元515可經由第二蓋板510與此等孔中的每個孔512流體耦合。隔離閥520可沿著每個流體管線被包括，以向每個個別處理區域504提供流體控制。例如，如圖所示，孔512a可提供到蓋堆疊505a的流體出入口。孔512a亦可與任何蓋堆疊部件軸向對準，及在一些實施例中與基板支撐件310a軸向對準，此可產生與個別處理區域相關聯的每個部件的軸向對準，諸如沿著穿過基板支撐件或與特定處理區域504相關聯的任何部件的中心軸線軸向對準。類似地，在一些實施例中，孔512b可提供到蓋堆疊505b的流體出入口，且可對準，包括與蓋堆疊的部件及基板支撐件310b軸向對準。

第6圖示出了根據本技術的一些實施例的示例性模組化氣體區塊600的示意性等角視圖。模組化氣體區塊600可用作氣體輸送組件的部分，用於將一或多種氣體混合及/或輸送到半導體處理系統，以執行一或多個處理操作，如沉積、蝕刻、退火、清洗及/或固化。如下文將更詳細地論述的，多個模組化氣體區塊600可被組裝以產生沿著氣體輸送組件的長度及寬度（或x軸及y軸）延伸的氣體路徑，這使得多個氣體能夠被混合及/或以其他方式輸送到一或多個處理系統。

氣體區塊600可包括塊體605，此塊體包括上部602及下部604。如圖所示，上部602及下部604各自具有大致矩形稜柱形狀，儘管在各種實施例中可使用其他形狀。塊體605（及上部602及下部604中的每一者）可具有第一端606及第二端608，及設置在第一端606與第二端608之間的中間區域607。塊體605的縱軸可延伸穿過第一端606及第二端608。上部602的第一端606可延伸超過下部604的第一端606，使得上部602的第一端606相對於下部604形成外伸部。下部604的第二端608可延伸超過上部602的第二端608，使得下部604的第二端608相對於上部602形成突出部。以此種方式，在一些實施例中，塊體605的橫截面可具有大致z形。塊體605的形狀可取決於相鄰塊的幾何形狀（如端塊的幾何形狀）。例如，在各種實施例中，塊體605可具有t形、z形、倒置z形、鏡像z形及/或其他形狀。

在一些實施例中，上部602的第一端606的下表面及下部604的第二端608的上表面可實質上共面。此種設計可使得多個模組化氣體區塊600能夠沿著x方向耦合在一起（其中一個模組化氣體區塊600的第一端606與另一模組化氣體區塊600的第二端608耦合），相鄰的模組化氣體區塊600的各別頂表面及底表面實質上彼此共面。在一些實施例中，為了便於此種設計，上部602的第一端606及下部604的第二端608可具有實質上相同的厚度，儘管只要上部602的第一端606的下表面及下部604的第二端608的上表面實質上共面，上部602的第一端606及下部604的第二端608可具有不同的厚度，同時仍然有利於多個模組化氣體區塊600的共面耦合。

第6A圖示出了模組化氣體區塊600的示意性橫截面正視圖（如沿著y軸截取的橫截面）。塊體605可定義多個流體通道，該等流體通道可用於將製程及/或淨化氣體輸送到各別處理系統。例如，如第6A圖所示，塊體605可定義第一流體通道610，此第一流體通道在實質上平行於塊體605的縱軸的方向上延伸。第一流體通道610可被設計為沿著氣體輸送組件的寬度（或x軸）在相鄰的模組化氣體區塊600之間輸送氣體。第一流體通道610可包括第一流體埠615、第二流體埠620及/或第三流體埠625，及/或與第一流體埠615、第二流體埠620及/或第三流體埠625流體耦合。第一流體埠615可延伸穿過下部604的第二端608的上表面。如下文將要論述的，第一流體埠615可用於沿著氣體輸送組件的寬度流體地耦合相鄰的模組化氣體區塊600。第二流體埠620可延伸穿過上部602的中間區域607的上表面。第二流體埠620可與流量調節裝置介接，諸如閥、質量流量控制器及/或其他裝置，此等裝置可位於模組化氣體區塊600的頂部且可控制、調節及/或以其他方式影響經由氣體組件的流量。第三流體埠625可延伸穿過上部602的第一端606的下表面。如下文將要論述的，第三流體埠625可用於沿著氣體輸送組件的寬度流體耦合相鄰的模組化氣體區塊600。

第6B圖示出了模組化氣體區塊600的示意性橫截面側視圖（如沿著x軸截取的橫截面）。塊體605可定義橫向延伸至縱軸的第二流體通道630及第一流體通道610，以沿著氣體輸送組件的長度（或y軸）在相鄰的模組化氣體區塊600之間輸送氣體。第二流體通道630可包括第二流體埠620及第四流體埠635及/或與第二流體埠620及第四流體埠635流體耦合。第二流體埠620及第四流體埠635中的每一者可延伸穿過塊體605的上表面，諸如在中間區域607內。在一些實施例中，可提供附加流體埠。例如，一或多個流體埠可定義在塊體605的側壁內，且可用作氣體輸送組件的流體入口及/或出口。例如，形成在塊體605的側壁中的流體埠可與將氣體引入氣體輸送組件的氣源耦合，及/或可與將任何氣體自氣體輸送組件導引到一或多個處理腔室及/或歧管的焊件及/或其他氣體輸送管腔耦合。與第二流體埠620一起，第四流體埠635可與流量調節裝置介接，例如閥、質量流量控制器及/或其他裝置，此等裝置可位於模組化氣體區塊600的頂部且可控制、調節及/或以其他方式影響經由氣體組件的流量。第二流體通道630可為單個通道及/或可被分成多個段。例如，如圖所示，第二流體通道630的部分自第四流體埠635延伸到第二流體埠620。相鄰的模組化氣體區塊600的流體通道630可經由流量調節裝置彼此耦合，此流量調節裝置經由第二流體埠620及第四流體埠635與模組化氣體區塊600耦合。

在一些實施例中，第一流體通道610及第二流體通道630可彼此不同，而在其他實施例中，該兩個流體通道可彼此流體耦合。例如，第一流體通道610及第二流體通道630可在一或多個點處相交。在特定實施例中，第一流體通道610及第二流體通道630可在塊體605內靠近第二流體埠620相交，該兩個流體通道可共享此第二流體埠。儘管圖示為具有兩個埠（第二流體埠620及第四流體埠635），該兩個埠延伸穿過中間部分607的上表面用於與流量調節裝置耦合，但應當理解，在一些實施例中，可提供其他數量的流體埠，此可有助於更複雜的流量設計（例如，T形接合、三通閥等）。

返回第6圖，塊體605可定義多個緊固件插座，該等緊固件插座可接收用於將多個模組化氣體區塊600固定在一起及/或用於將流量調節裝置及/或其他部件固定到模組化氣體區塊600的緊固件。例如，上部602的第一端606及下部604的第二端608可定義多個緊固件插座655，該等緊固件插座可使得緊固件能夠插入穿過插座655以將一個模組化氣體區塊600的第一端606與另一模組化氣體區塊600的第二端608耦合。上部602的中間區域607及第二端608可各自定義複數個緊固件插座660，此等緊固件插座660可使得緊固件能夠插入穿過緊固件插座660以將流量調節裝置耦合到塊體605的上表面。

第7圖示出了多個模組化氣體區塊600的示意性橫截面正視圖，該等模組化氣體區塊被耦合以形成氣體輸送組件700的部分。如圖所示，模組化氣體區塊600沿著氣體輸送組件700的寬度（或x軸）耦合，以形成沿著氣體輸送組件700的寬度延伸的流體路徑。儘管示出為具有三個模組化氣體區塊600，但應當理解，在各種實施例中，氣體輸送組件700可包括任何數量的模組化氣體輸送區塊600。此外，一或多個模組化氣體區塊600可被添加到氣體輸送組件或自氣體輸送組件移除，以添加或移除不同的氣源。

如圖所示，第一模組化氣體區塊600a可位於第二模組化氣體區塊600b與第三模組化氣體區塊600c之間。第一模組化氣體區塊600a的上部602的第一端606可定位在第二模組化氣體區塊600b的下部604的第二端608的上方且與之耦合。例如，第一模組化氣體區塊600a的第三流體埠625可與第二模組化氣體區塊600b的第一流體埠615耦合。此可將第一模組化氣體區塊600a及第二模組化氣體區塊600b的第一流體通道610流體耦合。第一模組化氣體區塊600a的下部604的第二端608可定位在第三模組化氣體區塊600c的上部602的第一端606的下方且與之耦合。例如，第一模組化氣體區塊600a的第一流體埠615可與第三模組化氣體區塊600c的第三流體埠635耦合。當組裝時，氣體輸送組件700內的模組化氣體區塊600可具有大體上彼此共面的頂表面及大體上彼此共面的底表面。

如上所述，任何數量的模組化氣體區塊600可端對端連接，以形成一定寬度的氣體輸送組件700。氣體輸送組件700可包括在模組化氣體區塊600中的每一者的第一端606的方向上的近端（此處示出為最左端）及在模組化氣體區塊600中的每一者的第二端608的方向上的遠端（此處示出為最右端）。為了密封模組化氣體區塊600的經連接第一流體通道610，可諸如藉由阻塞、加蓋，及/或以其他方式用障礙物705封閉各別第三流體埠625及第一流體埠615阻塞最近端的模組化氣體區塊600（此處為第二模組化氣體區塊600b）的第三流體埠625及最遠端的區塊化氣體區塊600（此處為第三模組化氣體區塊600c）的第一流體埠615。為了將新的氣體棒添加到氣體輸送組件700，障礙物705（如帽、插塞及/或其他阻塞物）可自氣體輸送組件700的給定側（例如，近側或遠側）上的模組化氣體區塊600上的各別流體埠移除。隨後，附加的模組化氣體區塊600可與暴露的流體埠介接，以使氣體輸送組件700膨脹，從而併入附加的氣體棒。在一些實施例中，在耦合的模組化氣體區塊600的至少一些流體埠之間形成的介面包括密封機構。例如，相鄰的第一流體埠615與第三流體埠625之間的耦合可包括O形環、墊圈、C形密封件及/或其他密封機構，該等密封機構可防止氣體在相鄰的模組化氣體區塊600之間的各種介面處自第一流體通道610洩漏。

第8圖示出了多個模組化氣體區塊600的示意性橫截面側視圖，此等模組化氣體區塊被耦合以形成氣體輸送組件800的部分。如圖所示，模組化氣體區塊600沿著氣體輸送組件800的長度（或y軸）耦合，以形成沿著氣體輸送組件800的長度延伸的流體路徑。沿著y方向的模組化氣體區塊600的每條管線可被認為係單獨的氣體棒，且可與不同的氣源耦合。儘管示出為具有三個模組化氣體區塊600，但應當理解，在各種實施例中，氣體輸送組件800可包括任何數量的模組化氣體輸送區塊600。此外，一或多個模組化氣體區塊600可被添加到氣體輸送組件或自氣體輸送組件移除，以添加或移除不同的氣源。

如圖所示，第一模組化氣體區塊600d可位於第二模組化氣體區塊600e與第三模組化氣體區塊600f之間。第一模組化氣體區塊600d的第一側壁可抵靠第二模組化氣體區塊600e的第二側壁定位。例如，第一模組化氣體區塊600d的第四流體埠635可諸如經由閥及/或其他流量調節裝置與第二模組化氣體區塊600e的第二流體埠620耦合。此可將第一模組化氣體區塊600d及第二模組化氣體區塊600e的第二流體通道630流體耦合。第一模組化氣體區塊600d的第二側壁可抵靠第三模組化氣體區塊600f的第一側壁定位。例如，第一模組化氣體區塊600d的第四流體埠635可經由流量調節裝置與第三模組化氣體區塊600f的第二流體埠620耦合。此可將第一模組化氣體區塊600d及第三模組化氣體區塊600f的第二流體通道630流體耦合。當組裝時，氣體輸送組件800內的模組化氣體區塊600可具有大體上彼此共面的頂表面及大體上彼此共面的底表面。當閥在第二流體埠620及第四流體埠635處與每個模組化氣體區塊600介接時，第二流體通道630可彼此完全耦合。

如上所述，任何數量的模組化氣體區塊600可側壁對側壁連接，以形成一定長度的氣體輸送組件800。氣體輸送組件800可包括在每個模組化氣體區塊600的第一側壁的方向上的近端（此處示出為最左端）及在每個模組化氣體區塊600的第二側壁的方向上的遠端（此處示出為最右端）。在各種實施例中，氣體輸送組件800的暴露的第二流體埠620及/或第四流體埠635可與氣源、氣體出口耦合及/或被阻塞。在一些實施例中，在耦合的模組化氣體區塊600的至少一些流體埠之間形成的介面包括密封機構。例如，第四流體埠635及/或第二流體埠620與流量調節裝置之間的耦合可包括O形環、墊圈、C形密封件及/或其他密封機構，該等密封機構可防止氣體在相鄰模組化氣體區塊600之間的各種介面處自第二流體通道620洩漏。

在一些實施例中，氣體棒可由單個較大的模組化氣體區塊形成，而非由如上所述沿y方向耦合的多個較小的模組化氣體區塊形成。例如，第9A圖至第9F圖示出了根據本技術的一些實施例的模組化氣體區塊900的示例性實施例，其可單獨地形成整個氣體棒。模組化氣體區塊900可用作氣體輸送組件的部分，用於將一或多種氣體混合及/或輸送到半導體處理系統，用於執行一或多個處理操作，諸如沉積、蝕刻、退火、清洗及/或固化。如將在下文更詳細地論述的，模組化氣體區塊900可定義沿著模組化氣體組件的長度（例如，y軸）延伸的流動路徑，且多個模組化氣體區塊900可以並排的方式耦合，以產生沿著氣體輸送組件的寬度（例如，x軸）延伸的氣體路徑。此種設計可使得由連接的模組化氣體區塊900形成的模組化氣體組件能夠在被輸送到一或多個處理系統之前促進多種氣體沿著一或兩個軸線的輸送及/或混合。

氣體區塊900可包括塊體905，塊體905包括入口端902及出口端904。如圖所示，入口端902及出口端904各自具有大致矩形稜柱形狀，儘管在各種實施例中可使用其他形狀。在一些實施例中，入口端902及出口端904可形成為連續區塊，然而，如圖所示，入口端902及出口端904可沿著塊體905的長度間隔開。例如，入口端902及出口端904可由塊體905的不同部分（例如，分別為第一部分及第二部分）形成。在一些實施例中，氣體區塊900可包括與入口端902及出口端904耦合的底座910。例如，入口端902及/或出口端904可位於底座910的頂部及/或形成為底座910的部分。在入口端902及出口端904為分開的部分的實施例中，兩個端可沿著底座910的長度間隔開，使得底座910將兩個端耦合在一起。儘管示出為具有兩個部分，但應當理解，氣體區塊900可包括任何數量的部分。例如，氣體區塊900可包括至少或約一個部分、至少或約兩個部分、最少或約三個部分、最多或約四個部分或更多。在一些實施例中，每個部分可為相同的尺寸，而在其他實施例中，一或多個部分可具有不同的尺寸。僅作為一個實例，入口端902可比出口端904長，儘管一些實施例可使用相反的配置。在一些實施例中，每個部分的橫向表面、底表面及/或上表面可自一個部分到另一部分實質上係平面的，而在其他實施例中，一或多個表面可相對於塊體905的另一部分的對應表面偏移。

在一些實施例中，塊體905及/或其部分可具有大致矩形的形狀。如圖所示，塊體905的每個部分包括大致矩形的主要部分及自主要部分橫向向外延伸的大致矩形的突出部，然而在各種實施例中，任何其他合適的幾何形狀均為可能的。塊體905的形狀可取決於相鄰的區塊幾何形狀。例如，在各種實施例中，塊體905可具有t形、z形、倒置z形、鏡像z形及/或其他形狀。塊體905可包括一或多個外伸區域及/或突出部，該等外伸區域及/或突出部可用於與相鄰的氣體區塊耦合。

塊體905可定義多個埠，該等埠可用於將模組化氣體組件的各種部件與氣體區塊900介接。例如，入口端902可定義氣體入口915。如圖所示，氣體入口915被定義在塊體905的入口端902的端表面906內，儘管在各種實施例中，氣體入口915的其他位置（如上表面907或底表面908）係可能的。流體源可與氣體入口915流體耦合。例如，氣體焊件920及/或其他流體輸送管腔可與氣體入口915耦合，以將流體輸送到定義在氣體區塊900的內部的一或多個流體路徑。塊體905可定義靠近出口端904的一或多個氣體出口925，此等氣體出口使得通過流體路徑的氣體能夠離開氣體區塊900以輸送到一或多個基板處理系統。例如，如圖所示，氣體出口925可形成在塊體905的底表面908中及/或穿過塊體905的底表面908。儘管此處未示出，但一或多個氣體焊件及/或其他氣體輸送管腔可與氣體出口925耦合，以將氣體自各種流體路徑輸送到處理腔室。

塊體905可定義沿著塊體905的長度的多個流體埠930。流體埠930可形成沿著氣體區塊900的長度（y軸）延伸的第一氣體路徑940的部分。流體埠930可用於將各種流量控制裝置（質量流量控制器、閥等）與氣體區塊900介接。在一些實施例中，每個流體埠930可形成在塊體905的上表面907中及/或穿過塊體905的上表面907形成。在一些實施例中，流體埠930可沿著塊體905的縱軸線性對準，而在其他實施例中，一或多個流體埠930可相對於縱軸偏移。在一些實施例中，氣體入口915及氣體出口925中的一或兩者可沿著縱軸與流體埠930對準，而在其他實施例中，氣體入口915及/或氣體出口925可相對於縱軸偏離流體埠。例如，如圖所示，氣體入口915與流體埠930對準，而氣體出口925自流體埠930橫向偏移。在此種實施例中，閥或其他流量控制裝置可將氣體自一個流體埠930導引到與氣體出口925流體耦合的氣體輸送入口（如下文描述的橫向流體埠930）。相鄰流體埠930之間的間隔可在氣體區塊900的整個長度上係恆定的，或在一些實施例中可變化。例如，如圖所示，相鄰流體埠930之間的間隔可改變以適應各種流量控制裝置，諸如藉由確保每個流體埠930與各別流量控制裝置的對應埠對準。

塊體905可定義至少一個橫向流體埠935，此橫向流體埠可形成沿著氣體區塊900的寬度（x軸）延伸的第二氣體路徑945的部分。例如，上表面907可定義每個橫向流體埠935。每個橫向流體埠935可被定位為靠近流體埠930中的至少一者。例如，每個橫向流體埠935可沿著塊體905的寬度與各別流體埠930間隔開。此可使閥能夠將各別流體埠930與橫向流體埠935中的一者流體耦合，以將第一氣體路徑940及第二氣體路徑945流體耦合，從而促進相鄰氣體區塊900之間的氣體混合。以此種方式，流體埠930中的至少一些可為第一氣體路徑940及第二氣體路徑945兩者的部分，而其他流體埠930（及橫向流體埠935）可為單個氣體路徑的部分。每個橫向流體埠935可與定義在塊體905內的至少一個相應的橫向出口埠950相關聯。例如，每個橫向出口埠950可被定義在塊體905的橫向表面909內，此可使得相鄰的氣體區塊900的橫向出口埠950能夠彼此對準且流體耦合，以便於氣體在氣體區塊900之間的混合。在一些實施例中，每個氣體區塊905可包括在單個橫向表面908上的橫向出口埠950，而在其他實施例中，兩個橫向表面909可包括橫向出口埠950。

第9E圖示出了模組化氣體區塊900的示意性橫截面正視圖（如沿著y軸截取的橫截面）。如上所述，塊體905可定義第一氣體路徑940的至少部分（流量控制裝置可耦合第一氣體路徑940的不連續部分以提供沿著氣體區塊900的長度的連續流動路徑），此第一氣體路徑可沿著氣體區塊900的長度延伸。第一氣體路徑940可包括前面描述的氣體入口915、氣體出口925及流體埠930。第一氣體路徑940亦可包括多個通道段，該等通道段可用於將製程氣體及/或淨化氣體輸送到各別處理系統。例如，如第9E圖所示，塊體905可定義入口通道段960，此入口通道段在實質上平行於塊體905的縱軸的方向上延伸。入口通道段960可將氣體入口915與第一氣體路徑940流體耦合，且可被設計成將氣體自氣體入口915輸送到第一流體埠930。多個通道段965可在至少一些相鄰對的剩餘流體埠930之間延伸，以將進入一個流體埠930的流體輸送到另一流體埠930。例如，如圖所示，每個通道段965可定義耦合兩個流體埠930的大體上v形流動路徑。在一些實施例中，每個通道段965可延伸穿過塊體905的底表面908，以在底表面908中形成開口。例如，這樣做可有助於在製造製程期間形成通道段965。在此種實施例中，插塞、蓋及/或其他密封機構可與每個開口介接，以封閉各別通道段965的底表面。

如上所述，流量控制裝置，諸如閥、質量流量控制器及/或其他裝置，此等裝置可位於模組化氣體區塊900頂部且可控制、調節及/或以其他方式影響經由氣體組件的流量，可與兩個或更多個流體埠930耦接，以創建定義連續流動路徑的第一氣體路徑940。例如，流量控制裝置可為控制一或多種氣體經由一或多個流體埠930的流量的閥。此閥可包括兩個或更多個埠，此等埠與相應的流體埠930耦合以控制氣體的流動。例如，離開一個流體埠930的流體可進入閥（或其他流量控制裝置）的入口，此閥可選擇性地控制流體流入一或多個流體埠930。流量控制裝置可用於耦合兩個或更多個流體埠930，此等埠不經由通道段965中的一者彼此耦合。此可使流量控制裝置能夠耦合不同的流體埠930/通道段965/入口通道段960，以形成自氣體入口915到氣體出口925的連續流動路徑。

第9F圖示出了模組化氣體區塊900的示意性橫截面側視圖（如沿著x軸截取的橫截面）。如上所述，塊體905可定義至少一個附加的橫向氣體路徑（例如，第二氣體路徑945），此至少一個附加的橫向氣體路徑沿著塊體905的寬度的至少部分延伸（例如，橫向於塊體905的縱軸及/或橫向於第一氣體路徑940延伸），以在相鄰的模組化氣體區塊900之間輸送氣體，以促進氣體混合。氣體區塊900可定義至少一個或約一個橫向氣體路徑、至少兩個或約兩個橫向氣體通路、至少三個或約三個橫向氣體通道、至少四個或約四個橫向氣體通道，或更多。第二氣體路徑945可包括一或多個通道段970，此等通道段在至少一個橫向流體埠935與至少一個橫向出口埠950之間延伸且流體耦合。第二氣體路徑945可包括至少一個流體埠930，此流體埠可經由一或多個流量控制裝置與橫向流體埠935及橫向出口埠950流體耦合，以沿著塊體905的寬度的至少部分形成連續的第二氣體路徑945。例如，供應到第一氣體路徑940的氣體可離開流體埠930且進入閥或其他流量控制裝置，此閥或其他流量控制裝置可選擇性地將至少一部分氣體輸送到橫向流體埠935中。隨後，氣體可經由橫向出口埠950離開氣體區塊900，在此橫向出口埠處，氣體可進入相鄰的氣體區塊900中，此可使得每個氣體區塊900內的不同氣體能夠在流到半導體處理腔室之前被混合。

返回第7A圖至第7C圖，塊體905可定義多個緊固件插座975，此等緊固件插座可接收用於將多個模組化氣體區塊900固定在一起及/或用於將流量調節裝置（例如，質量流量控制器、閥等）及/或其他部件固定到模組化氣體塊900的緊固件。例如，塊體905的靠近一或多個流體埠930及/或橫向流體埠935的部分可定義多個緊固件插座975，此等緊固件插座可使得緊固件能夠插入穿過插座975以將一或多個流量調節裝置耦合到塊體905的上表面907。

通常，可向處理腔室供應多種不同的氣體。一些氣體可在被引入處理腔室之前被混合，此可有助於降低在氣源與處理腔室之間延伸的導管的複雜性。模組化氣體區塊600及/或900的使用可實現易於客製化的氣體輸送組件的設計及組裝，此氣體輸送組件可使得來自一或多個氣源的氣體能夠在將氣體輸送到一或多個處理腔室之前流到一或多個處理腔室內及/或混合。第10圖示出了多個氣體輸送組件1000，每個氣體輸送組件併入多個模組化氣體區塊1050，該等模組化氣體區塊沿著各別氣體輸送組件1000的寬度佈置以便於輸送及/或混合多種氣體。模組化氣體區塊1050可類似於本文所述的模組化氣體區塊600及900，且可包括根據其所述的任何特徵。如圖所示，模組化氣體區塊1050沿著氣體輸送組件1000的寬度（或x軸）並排耦合，以形成沿著氣體輸送組件1000的寬度延伸的流體路徑。應當理解，在各種實施例中，每個氣體輸送組件1000可包括任意數量的模組化氣體輸送區塊1050。此外，一或多個模組化氣體區塊1050可被添加到氣體輸送組件或自氣體輸送組件移除，以添加或移除不同的氣源。在模組化氣體區塊1050類似於模組化氣體區塊900的實施例中，添加或移除氣源可與添加或移除單個氣體區塊一樣簡單。在給定組件1000的極端側處的模組化氣體區塊1050可以括未使用的橫向流體埠（例如，橫向流體埠935）及/或橫向出口埠（例如橫向出口埠950）。在此種實施例中，此種未使用的埠可被阻塞，諸如藉由阻塞、加蓋及/或以其他方式用障礙物封閉各別埠，如根據第7圖所述。為了將新的氣體棒添加到氣體輸送組件1000，可自氣體輸送組件的給定側（例如，近側或遠側）上的模組化氣體區塊00上的各別流體埠移除障礙物（例如，帽、插塞及/或其他阻塞物）。隨後，附加的模組化氣體區塊1050可與暴露的流體埠介接，以使氣體輸送組件1000膨脹，從而併入附加的氣體棒。在一些實施例中，在耦合的模組化氣體區塊1050的至少一些流體埠之間形成的介面包括密封機構。例如，相鄰的橫向出口埠之間的耦合可包括O形環、墊圈、C形密封件及/或其他密封機構，該等密封機構可防止氣體自相鄰的模組化氣體區塊1050之間的各種介面洩漏。

每個氣體輸送組件1000可包括前述氣體輸送組件的任何特徵，諸如氣體輸送組件700及800。氣體輸送組件100可例如，各種模組化氣體區塊1050的第二流體通道630可將氣體自氣源1005輸送到氣體輸送組件1000的出口1010，以隨後輸送到一或多個處理腔室及/或歧管。第一流體通道610可使得在第二流體通道610中的一些或全部內沿著氣體輸送組件1000的寬度流動的氣體能夠混合。經由模組化氣體區塊1050的各種流體通道的氣體的流動及/或混合可使用一或多個流量調節裝置來控制，此等流量調節裝置例如閥1015、質量流量控制器1020等，其各自可與模組化氣體區塊1050中的各別一者耦合，諸如經由第二流體埠620及/或第四流體埠635或流體埠930及/或橫向流體埠935。例如，可使用各種閥1015來控制特定氣體（或氣體混合物）是否及/或有多少流過給定模組化氣體區塊1050的給定流體通道及/或氣體路徑。當耦合在一起時，一些或所有相鄰氣體區塊的橫向出口埠（例如，橫向出口埠950）可對準且彼此流體耦合，以便於在不同的氣體棒之間混合氣體。

如圖所示，每個氣體輸送組件1000包括三個或四個氣源1005（例如，每個氣體棒一個），其可包括一或多個淨化氣源1005a。然而，在其他實施例中，可使用其他數量的氣源1005，其中一些或所有的氣源為淨化氣源1005a。例如，給定的氣體輸送組件1000可包括至少或約一個氣源1005、至少或約兩個氣源1005、至少或約三個氣源1005、至少或約四個氣源1005、至少或約五個氣源1005、至少或約六個氣源1005或更多。每個氣體輸送組件1000可包括出口1010，諸如輸出焊件，其可將一或多種氣體的任何組合自氣體輸送組件1000輸送到一或多個處理腔室及/或歧管。

藉由使用模組化氣體區塊1050來產生氣體輸送組件1000，本發明的實施例可促進x方向上相鄰氣體棒之間的氣體混合，而無需在氣體輸送組件的底部使用焊件網路，此可顯著簡化氣體輸送組件的設計及製造，且減少與其相關的時間及成本。在一些實施例中，氣體輸送組件1000內的每個塊1050可具有相同的幾何形狀或設計，此可以簡化給定氣體輸送組件的構造。在其他實施例中，氣體輸送組件1000可包括一些不同的模組化氣體區塊（如一些類似於在中間區域607上包括附加埠的模組化氣體塊600及/或一些類似於包括不同埠佈置及/或耦合幾何形狀的模組化氣塊900的氣體區塊）。在一些實施例中，在氣體輸送組件1000的寬度及/或長度的最近端及/或遠端處的模組化氣體區塊1050可為不同的，以適應與其他部件的連接，諸如來自氣源、出口等的焊件。此種模組化設計可使現有的單一類型（或少量類型）的模組化氣體區塊1000能夠產生不同配置的氣體輸送組件。

如上所述，每個氣體輸送組件可包括一出口，此出口將一或多種氣體的混合物輸送到一或多個處理腔室及/或歧管。例如，氣體輸送組件的位置可遠離處理腔室（如在處理腔室下方）。出口可與流體管線連接，諸如焊件，此等流體管線將氣體自氣體輸送組件導引到處理腔室及/或歧管。第11圖示出了根據本技術的一些實施例的半導體處理系統1100的一個實施例的示意性俯視平面圖。此圖可包括先前示出及描述的任何系統的部件，且亦可示出先前描述的系統中的任一者的進一步態樣。應當理解，此圖示亦可示出在上述任何四腔區段109上可看到的示例性部件。

半導體處理系統1100可包括蓋板1105，此蓋板可類似於前面描述的第二蓋板510。例如，蓋板1105可定義多個孔，類似於孔512，該等孔提供通向位於蓋板1105下方的多個處理腔室的出入口。此等孔中的每個孔可被定義為提供到特定蓋堆疊、處理腔室及/或處理區域的流體出入口。

氣體分離器組件1110可安置在蓋板1105的頂表面上。例如，氣體分離器組件1110可位於蓋板1105的孔之間的中心。氣體分離器組件1110可與多個輸入焊件1115流體耦合，每個輸入焊件與氣體輸送組件（如氣體輸送組件700、800及1000）的各別出口耦合。輸入焊件1115可將氣體（如前驅物、電漿流出物及/或淨化氣體）自多個氣源輸送到氣體分離器組件1110。例如，每個輸入焊件1115可自位於蓋板1105下方的氣體輸送組件垂直延伸，且穿過饋通板1120。輸入焊件1115在饋通板1120上方的部分可水平彎曲，且可將氣體導引向氣體分離器組件1110。在一些實施例中，輸入焊件1115中的一些或全部可設置在加熱器夾套1119內，這有助於防止沿著輸入焊件1115的長度的熱損失。

氣體分離器組件1110可接收來自輸入焊件1115的氣體，且可遞迴地將氣流分成更多數量的氣體輸出，每個氣體輸出與一或多個閥1127介接，該等閥有助於控制經由閥塊1125的氣體流。例如，閥1127的致動可控制淨化氣體及/或處理氣體流向各別處理腔室或自處理腔室分流到系統1100的另一位置。例如，氣體分離器組件1110的出口可各自與輸出焊件1130流體耦合，此輸出焊件可將淨化氣體及/或製程氣體輸送到與特定處理腔室相關聯的輸出歧管1135。例如，輸出歧管1135可定位在蓋板1105內形成的每個孔上方，且可與蓋堆疊部件流體耦合，以將一或多種氣體輸送到各別處理腔室的處理區域。

在前面的描述中，出於解釋的目的，已闡述了許多細節，以便提供對本技術的各種實施例的了解。然而，對於熟習此項技術者來說顯而易見的為，可以在沒有該等細節中的一些或具有附加細節的情況下實踐某些實施例。

在揭示了幾個實施例後，熟習此項技術者將認識到，在不脫離實施例精神的情況下，可使用各種修改、替代構造及等效物。此外，為了避免不必要地混淆本技術，還沒有描述許多公知的製程及元件。因此，上述描述不應被視為限制本技術的範疇。此外，方法或製程可被描述為順序的或分步驟的，但應當理解，操作可同時執行，或以與所列的不同的次序執行。

在提供數值範圍的情況下，應當理解，除非上下文另有明確規定，否則亦具體揭示了彼範圍的上限及下限之間的每一個介於下限單元的最小分數之間的值。涵蓋在規定範圍內的任何規定值或未規定的中介值與彼規定範圍內的任何其他規定值或中介值之間的任何較窄範圍。該等較小範圍的上限及下限可獨立地包括或排除在此範圍內，且其中一個極限、兩個極限或兩個極限都不包括在較小範圍內的每個範圍亦涵蓋在此技術內，受規定範圍內任何特別排除的極限的規限。若規定的範圍包括一或兩個極限，則亦包括排除那些包括的極限中的一或兩者的範圍。

如本文及所附發明申請專利範圍中所用，單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數引用，除非上下文另有明確規定。因此，例如，對「一板」的引用包括複數個此種板，而對「該孔」的引用則包括對熟習此項技術者已知的一或多個孔及其等效物的引用等。

此外，當在本說明書及以下發明申請專利範圍中使用時，字語「包含(comprise/comprising)」、「含有(contain/containing)」及「包括(include/including)」意欲指定所述特徵、整數、部件或操作的存在，但其並不排除一或多個其他特徵、整數，部件、操作、動作或群的存在或添加。

100:處理系統 102:前開式統一晶匣 103:工廠介面 104a:機器人臂 104b:機器人臂 106:低壓保持區域 107:出入口 108:基板處理區域 109a:四腔區段 109b:四腔區段 109c:四腔區段 110:第二機器人臂 112:移送腔室 200:腔室系統 205:移送區域殼體 207:出入口位置 210:基板支撐件 210a:基板支撐件 210b:基板支撐件 210c:基板支撐件 210d:基板支撐件 212:升舉銷 215:出入口 220:移送設備 225:中心轂 235:端效器 237:臂 300:腔室系統 305:腔室主體 306:頂表面 307:出入口 308:墊圈槽 310:基板支撐件 315:孔 335:移送設備 405:第一蓋板 407:第一表面 409:第二表面 410:孔 415:凹進突出部 420:第二孔 502:移送區域 504:處理區域 505:蓋堆疊 505a:蓋堆疊 505b:蓋堆疊 510:第二蓋板 512:孔 512a:孔 512b:孔 515:遠程電漿單元 520:隔離閥 600:模組化氣體區塊 600a:第一模組化氣體區塊 600b:第二模組化氣體區塊 600c:第三模組化氣體區塊 600d:第一模組化氣體區塊 600e:第二模組化氣體區塊 600f:第三模組化氣體區塊 602:上部 604:下部 605:塊體 606:第一端 607:中間區域 608:第二端 610:第一流體通道 615:第一流體埠 620:第二流體埠 625:第三流體埠 630:第二流體通道 635:第四流體埠 640: 655:緊固件插座 660:緊固件插座 700:氣體輸送組件 705:障礙物 800:氣體輸送組件 900:氣體區塊 902:入口端 904:出口端 905:塊體 906:端表面 907:上表面 908:底表面 909:橫向表面 910:底座 915:氣體入口 920:氣體焊件 925:氣體出口 930:流體埠 935:橫向流體埠 940:第一氣體路徑 945:第二氣體路徑 950:橫向出口埠 960:入口通道段 965:通道段 970:通道段 975:緊固件插座 1000:氣體輸送組件 1005:氣源 1005a:淨化氣源 1010:出口 1015:閥 1020:質量流量控制器 1050:模組化氣體區塊 1100:氣體分離器組件 1105:蓋板 1110:半導體處理系統/氣體分離器組件 1115:輸入焊件 1119:加熱器夾套 1120:饋通板 1125:閥塊 1127:閥 1130:輸出焊件 1135:輸出歧管

藉由參考說明書的其餘部分及圖式，可進一步理解所揭示技術的性質及優點。

第1圖示出了根據本技術的一些實施例的示例性處理系統的示意性俯視平面圖。

第2圖示出了根據本技術的一些實施例的示例性腔室系統的移送區域的示意性等角視圖。

第3圖示出了根據本技術的一些實施例的示例性腔室系統的移送區域的示意性等角視圖。

第4圖示出了根據本技術的一些實施例的示例性腔室系統的移送區域的示意性等角視圖。

第5圖示出了根據本技術的一些實施例的腔室系統的示意性局部等角視圖。

第6圖示出了根據本技術的一些實施例的示例性模組化氣體區塊的示意性等角視圖。

第6A圖示出了第6圖的模組化氣體區塊的示意性橫截面正視圖。

第6B圖示出了第6圖的模組化氣體區塊的示意性橫截面側視圖。

第7圖示出了根據本技術的一些實施例的氣體輸送組件的示意性橫截面側視圖。

第8圖示出了根據本技術的一些實施例的氣體輸送組件的示意性橫截面正視圖。

第9A圖示出了根據本技術的一些實施例的示例性模組化氣體區塊的示意性等角視圖。

第9B圖示出了第9A圖的模組化氣體區塊的示意性俯視平面圖。

第9C圖示出了第9A圖的模組化氣體區塊的示意性側視圖。

第9D圖示出了第9A圖的模組化氣體區塊的示意性仰視平面圖。

第9E圖示出了第9A圖的模組化氣體區塊的示意性橫截面側視圖。

第9F圖示出了第9A圖的模組化氣體區塊的示意性橫截面正視圖。

第10圖示出了根據本技術的一些實施例的多個氣體輸送組件的示意性俯視平面圖。

第11圖示出了根據本技術的一些實施例的半導體處理系統的示意性俯視平面圖。

數個附圖作為示意圖包括在內。應當理解，該等附圖係為了說明的目的，且除非特別說明係按比例或比率，否則不應被視為按比例或比率。此外，作為示意圖，提供該等附圖係為了幫助理解，且與現實表示相比可能不包括所有態樣或資訊，且可能包括用於說明目的的誇大材料。

在隨附圖式中，類似的部件及/或特徵可能具有相同的元件符號。此外，相同類型的各種部件可藉由在元件符號後面加一個字母來區分，此字母在類似部件之間進行區分。若說明書中只使用了第一元件符號，則說明適用於具有相同第一元件符號的任何一個類似部件，而不考慮字母。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

600:模組化氣體區塊

602:上部

604:下部

605:塊體

606:第一端

607:中間區域

608:第二端

615:第一流體埠

620:第二流體埠

635:第四流體埠

655:緊固件插座

660:緊固件插座

Claims (20)

1. 一種模組化氣體區塊，其包含： 具有一入口端及一出口端的一塊體，該塊體定義沿著該塊體的一長度的一第一氣體路徑的一部分，且定義沿著該塊體的一寬度的一第二氣體路徑，其中： 該第一氣體路徑包含定義在該塊體內的複數個通道段； 該塊體的該入口端定義與該第一氣體路徑流體耦合的一氣體入口； 該塊體的一上表面定義與該第一氣體路徑流體耦合的第一複數個流體埠； 該第一複數個流體埠中的一第一流體埠與該氣體入口流體耦合； 該第一複數個流體埠中的至少一些經由該等通道段中的一各別一者彼此耦合；及 該塊體的該上表面定義一橫向流體埠，該橫向流體埠沿著該塊體的該寬度與該第一複數個流體埠中的一各別一者間隔開，且經由該第二氣體路徑與該第一複數個流體埠中的該各別一者耦合。
2. 如請求項1所述之模組化氣體區塊，其進一步包含： 與該氣體入口耦合的一氣體焊件。
3. 如請求項1所述之模組化氣體區塊，其中： 該塊體包含設置在該入口端的一第一部分及設置在該出口端的一第二部分；及 該第一部分及該第二部分沿著該塊體的該長度彼此間隔開。
4. 如請求項1所述之模組化氣體區塊，其進一步包含： 複數個閥，其中該等閥中的每一者與該第一複數個流體埠中的至少兩者耦合。
5. 如請求項4所述之模組化氣體區塊，其中： 該第一複數個流體埠中的該至少兩者包含流體埠，該等流體埠不經由該等通道段中的一者彼此耦合。
6. 如請求項1所述之模組化氣體區塊，其中： 該塊體定義一橫向出口埠，該橫向出口埠經由該第二氣體路徑與該橫向流體埠流體耦合。
7. 如請求項6所述之模組化氣體區塊，其進一步包含： 一或多個插塞，該或該等插塞與該橫向出口埠及該橫向流體埠介接。
8. 如請求項1所述之模組化氣體區塊，其中： 該等通道段中的每一者延伸穿過該塊體的一底表面以形成一開口；及 一插塞與每個開口介接，以封閉該等通道段中的該各別一者的一底表面。
9. 如請求項1所述之模組化氣體區塊，其中： 該塊體定義靠近該出口端的一氣體出口。
10. 如請求項1所述之模組化氣體區塊，其進一步包含： 與該塊體的一第一橫向側耦合的一附加塊體，該附加塊體定義沿著該附加塊體的一長度的一第三氣體路徑的一部分，且定義沿著該附加塊體的一寬度的一第四氣體路徑，其中： 該附加塊體定義與該第四氣體路徑流體耦合的一附加橫向出口埠；及 該橫向出口埠及該附加橫向出口埠彼此耦合。
11. 如請求項1所述之模組化氣體區塊，其中： 該第一氣體路徑及該第二氣體路徑彼此流體耦合。
12. 一種模組化氣體區塊，其包含： 具有一入口端及一出口端的一塊體，該塊體定義沿著該塊體的一長度的一第一氣體路徑的一部分，且定義沿著該塊體的一寬度的一第二氣體路徑，其中： 該第一氣體路徑及該第二氣體路徑彼此流體耦合； 該第一氣體路徑包含定義在該塊體內的複數個通道段； 該塊體的該入口端定義與該第一氣體路徑流體耦合的一氣體入口； 該塊體的一上表面定義與該第一氣體路徑流體耦合的第一複數個流體埠； 該第一複數個流體埠中的一第一流體埠與該氣體入口流體耦合； 該第一複數個流體埠中的至少一些經由該等通道段中的一各別一者彼此耦合； 該塊體的該上表面定義一橫向流體埠，該橫向流體埠沿著該塊體的該寬度與該第一複數個流體埠中的一各別一者間隔開，且經由該第二氣體路徑與該第一複數個流體埠中的該各別一者耦合；及 該塊體定義靠近該出口端的一氣體出口。
13. 如請求項12所述之模組化氣體區塊，其中： 該氣體入口延伸穿過該塊體的一端表面。
14. 如請求項12所述之模組化氣體區塊，其中： 該等通道段中的每一者定義一大體上v形流動路徑。
15. 如請求項12所述之模組化氣體區塊，其中： 該氣體出口形成在該塊體的一底表面中。
16. 如請求項12所述之模組化氣體區塊，其進一步包含： 一底座，其中： 該塊體包含設置在該入口端的一第一部分及設置在該出口端的一第二部分；及 該第一部分及該第二部分沿著該底座的長度彼此間隔開。
17. 一種模組化氣體輸送組件，其包含： 複數個模組化氣體區塊，該等模組化氣體區塊中的每一者包含： 具有一入口端及一出口端的一塊體，該塊體定義沿著該塊體的一長度的一第一氣體路徑的一部分，且定義沿著該塊體的一寬度的一第二氣體路徑，其中： 一給定塊體的該第一氣體路徑及該第二氣體路徑彼此流體耦合； 每個第一氣體路徑包含定義在該塊體內的複數個通道段； 每個塊體的該入口端定義與一各別塊體的該第一氣體路徑流體耦合的一氣體入口； 每個塊體的一上表面定義與該各別塊體的該第一氣體路徑流體耦合的第一複數個流體埠； 每個塊體的該第一複數個流體埠中的一第一流體埠與該各別塊體的該氣體入口流體耦合； 每個塊體的該第一複數個流體埠中的至少一些經由該各別塊體的該等通道段中的一各別一者彼此耦合； 每個塊體定義與該第二氣體路徑流體耦合的一橫向出口埠；及 每個塊體的該橫向出口埠與至少一個相鄰塊體的該橫向出口埠介接。
18. 如請求項17所述之模組化氣體輸送組件，其進一步包含： 與該等模組化氣體區塊中的至少一者的一出口耦合的一氣體輸送管腔。
19. 如請求項17所述之模組化氣體輸送組件，其進一步包含： 複數個氣源，其中該等氣源中的每一者與該等模組化氣體區塊中的一各別一者的該氣體入口耦合。
20. 如請求項17所述之模組化氣體輸送組件，其中： 一質量流量控制器及一閥中的一或兩者與該等模組化氣體區塊中的每一者的該第一複數個埠中的至少一個介接。