CN117981067A - 热扼流板 - Google Patents

热扼流板 Download PDF

Info

Publication number
CN117981067A
CN117981067A CN202280063649.0A CN202280063649A CN117981067A CN 117981067 A CN117981067 A CN 117981067A CN 202280063649 A CN202280063649 A CN 202280063649A CN 117981067 A CN117981067 A CN 117981067A
Authority
CN
China
Prior art keywords
choke
plate
protrusions
aperture
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280063649.0A
Other languages
English (en)
Inventor
S·钱德拉塞卡尔
S·拉达克里什南
V·卡尔塞卡尔
V·纳加潘
V·K·普拉巴卡尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN117981067A publication Critical patent/CN117981067A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Furnace Charging Or Discharging (AREA)

Abstract

示例性基板处理系统可包括限定传送区域的腔室主体。系统可包括安置在腔室主体上的盖板。盖板可限定第一多个孔和第二多个孔。系统可包括与第一多个孔的数量相等的多个盖堆叠。每个盖堆叠可包括扼流板，所述扼流板沿着扼流板的第一表面安置在盖板上。扼流板可限定与第一多个孔中的相关联孔轴向对齐的第一孔。扼流板可限定与第二多个孔中的相关联孔轴向对齐的第二孔。扼流板可限定从扼流板的顶表面和底表面中的每一者延伸的突出部，所述突出部围绕第一孔基本对称地布置。

Description

热扼流板
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年8月25日提交的题为“THERMAL CHOKE PLATE(热扼流板)”的美国专利申请第17/411,926号的权益和优先权，所述申请的全部内容通过引用并入于此。
技术领域
本技术涉及半导体处理装备。更具体地，本技术涉及提供受控热分布的半导体腔室部件。
背景技术
半导体处理系统经常利用集群工具以将多个处理腔室集成在一起。此配置可促进执行若干顺序处理操作而无需将基板从受控处理环境移除，或者此配置可允许在不同腔室中一次在多个基板上执行类似工艺。这些腔室可包括例如脱气腔室、预处置腔室、传送腔室、化学气相沉积腔室、物理气相沉积腔室、蚀刻腔室、计量腔室和其他腔室。选择集群工具中的腔室组合以及运行这些腔室的操作条件和参数，以使用特定的工艺配方和工艺流程制造特定的结构。
处理系统可使用一种或多种部件来将前驱物或流体分配到处理区域中，这可改善分配的均匀性。这些部件中的一个或多个可在处理操作期间被加热。热量可延伸穿过盖堆叠的部件。取决于系统内部件的耦合，在部件之间的热传递可能不均匀。
因此，存在对可用于生产高质量半导体器件的改进系统和部件的需求。本技术解决了这些和其他需求。
发明内容
示例性基板处理系统可包括限定传送区域的腔室主体。系统可包括安置在腔室主体上的盖板。盖板可限定穿过盖板的第一多个孔和穿过盖板的第二多个孔。系统可包括与穿过盖板限定的第一多个孔的孔的数量相等的多个盖堆叠。多个盖堆叠可至少部分地限定从传送区域垂直偏移的多个处理区域。多个盖堆叠中的每个盖堆叠可包括扼流板，所述扼流板沿着扼流板的第一表面安置在盖板上。扼流板可限定与第一多个孔中的相关联孔轴向对齐的第一孔。扼流板可限定与第二多个孔中的相关联孔轴向对齐的第二孔。扼流板可限定从扼流板的第一表面延伸的第一组突出部。第一组突出部可围绕第一孔基本对称地布置。扼流板可限定从扼流板的第二表面延伸的第二组突出部。第二组突出部可围绕第一孔基本对称地布置。盖堆叠可包括安置在扼流板的第二组突出部上的泵送衬垫。盖堆叠可包括安置在泵送衬垫上的面板。
在一些实施例中，扼流板可包括限定第一孔的外缘。外缘可沿着盖板的侧壁延伸，所述侧壁限定第一多个孔中的相关联孔。穿过盖板限定的第二多个孔中的相关联孔和穿过扼流板限定的第二孔可形成从泵送衬垫延伸的流动通道。扼流板可限定在扼流板的第二表面中的第一通道，所述第一通道在第二组突出部的径向内侧。扼流板可限定在扼流板的第二表面中的第二通道，所述第二通道在第二组突出部的径向外侧。系统可包括安置在面板上的阻挡板。系统可包括面板加热器，所述面板加热器安置在面板上并且定位在阻挡板的径向外侧。系统可包括安置在阻挡板上的气体箱。穿过扼流板限定的第二孔可从穿过扼流板限定的第一孔横向偏移。第二组突出部中的每个突出部可与第一组突出部中的突出部垂直对齐。扼流板的第一表面可限定设置在第一组突出部的径向外侧的台阶。台阶可相对于第一表面凹陷约0.05mm和0.50mm之间的距离。扼流板的外周边可以是大体上泪滴形的。第一组突出部和第二组突出部中的每个突出部可具有在约1mm和10mm之间的宽度。
本技术的一些实施例可涵盖基板处理腔室扼流板。扼流板可以是或包括板，所述板限定穿过板的第一孔和穿过板的第二孔。第二孔可从第一孔横向偏移。板可限定从板的第一表面延伸的第一组突出部。第一组突出部可围绕第一孔基本对称地布置。板可限定从板的与板的第一表面相对的第二表面延伸的第二组突出部。第二组突出部可围绕第一孔基本对称地布置。
在一些实施例中，板可包括限定第一孔的外缘。外缘可从板的第一表面垂直延伸。第一组突出部可围绕第一孔以规则的间隔设置。第二组突出部可围绕第一孔以规则的间隔设置。第一组突出部和第二组突出部中的每个突出部可具有在约5mm和50mm之间的长度。板可限定从板的第一表面延伸的第三组突出部。第三组突出部可围绕第二孔基本对称地布置。板可限定从板的第二表面延伸的第四组突出部。第四组突出部可围绕第二孔基本对称地布置。
本技术的一些实施例可涵盖基板处理系统。系统可包括限定处理区域的处理腔室。系统可包括配置为在处理区域内支撑基板的基座。系统可包括扼流板，所述扼流板限定穿过扼流板的第一孔和第二孔。扼流板可限定从扼流板的表面延伸的一组突出部。第一组突出部可围绕第一孔基本对称地布置。扼流板可限定从扼流板的与扼流板的第一表面相对的第二表面延伸的第二组突出部。第二组突出部可围绕第一孔基本对称地布置。系统可包括安置在扼流板上的泵送衬垫。系统可包括安置在泵送衬垫上的面板。系统可包括安置在面板上的阻挡板。在一些实施例中，第一组突出部可与第二组突出部垂直对齐。
这样的技术可提供优于常规系统和技术的许多益处。例如，对热传递的改进控制可改进沿面板的径向热分布的对称性。此外，减少在部件之间的接触位置可控制来自加热部件的热损失。结合以下说明书和附图更详细地描述这些和其他实施例以及它们的优点和特征中的许多优点和特征。
附图说明
可通过参考说明书的其余部分和附图来实现对所公开技术的本质和优点的进一步理解。
图1A示出了根据本技术的一些实施例的示例性处理工具的示意性俯视图。
图1B示出了根据本技术的一些实施例的示例性处理系统的示意性局部横截面图。
图2示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板处理系统的传送部分的示意性等距视图。
图3示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板处理系统的盖板的示意性等距视图。
图4示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板处理系统的示例性系统布置的部分示意性横截面图。
图5示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板处理系统的扼流板的示意性仰视图。
图6示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板处理系统的扼流板的示意性俯视图。
图7示出了根据本技术的一些实施例的部分盖堆叠布置的示意性横截面图。
附图中的若干附图被包括作为示意图。应当理解，附图是为了说明的目的，并且除非特别说明是按比率或比例的，否则不应被认为是按比率或比例的。此外，作为示意图，附图被提供以帮助理解，并且可能不包括与现实表示相比的所有方面或信息，并且出于说明目的可能包括夸大的材料。
在附图中，相似的部件和/或特征可具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种部件可通过在附图标记后加上区分相似部件的字母来加以区分。如果说明书中仅使用了第一附图标记，则说明适用于具有相同第一附图标记的类似部件中的任何一者，而与字母无关。
具体实施方式
基板处理可包括用于在晶片或半导体基板上添加、移除或以其他方式修改材料的耗时操作。基板的高效移动可减少排队时间并提高基板吞吐量。为了改善在集群工具内处理的基板的数量，可将额外的腔室结合到主框架中。尽管可通过加长工具来不断添加传送机器人和处理腔室，但随着集群工具的占地面积扩大，这可能会变得空间效率低下。因此，本技术可包括在限定的占地面积内具有增加数量的处理腔室的集群工具。为了适应关于传送机器人的有限占地面积，本技术可从机器人横向向外增加处理腔室的数量。例如，一些常规的集群工具可包括围绕位于中心的传送机器人的部分定位的一个或两个处理腔室，以最大化在径向上围绕机器人的腔室的数量。本技术可通过横向向外结合额外的腔室作为另一排或另一组腔室来扩展这个概念。例如，本技术可与集群工具一起应用，所述集群工具包括在一个或多个机器人进出位置中的每一者处可进出的三个、四个、五个、六个或更多个处理腔室。
随着添加额外的处理位置，在没有在每个位置处的额外传送能力的情况下，从中央机器人进出这些位置可能不再可行。一些常规技术可包括在过渡期间基板保持安置于其上的晶片载体。然而，晶片载体可能会导致基板上的热不均匀性和颗粒污染。本技术通过结合与处理腔室区域垂直对齐的传送区段和可与中央机器人协同操作以进出额外晶片位置的转盘或传送设备来克服这些问题。基板支撑件可接着在传送区域和处理区域之间垂直平移，以输送基板用于处理。
每个个体处理位置可包括单独的盖堆叠，以提供改进的和更均匀的处理前驱物到分开的处理区域中的输送。系统的布置可能会影响来自系统的热传递，并使均匀的热传递更加困难。例如，容纳多腔室系统的冷却系统可能会导致来自系统的冷却不对称。虽然部件(诸如面板)可被相对均匀地加热，但来自部件的热量分布可能不均匀，这可能导致部件上的温度偏差。在多个盖堆叠中的每一个的面板的示例中，热分布在一些区域中可能比在其他区域中更容易发生。例如，靠近从腔室中排出处理气体的泵组件的面板的区域可能会比面板的其余部分经历更高的温度，这可能会导致晶片上的平面膜不均匀性问题。这些平面不均匀性问题可能无法使用处理参数(诸如通过调整加热器)进行校正。本技术可结合被配置为将泵送组件和面板与盖(较冷)热隔离以防止热损失的部件，并且可促进穿过系统的对称热分布，这可改善部件之间的温度模式的对称性。此外，本技术可通过减少在盖堆叠的部件之间的接触来减少热损失，这可减少用于维持部件温度的加热器的功耗。
尽管剩余的公开内容将常规地识别可采用本结构和方法的特定结构(诸如四位置传送区域)，但是将容易理解的是，所讨论的面板或部件可同等地在任何数量的其他系统或腔室、以及可连接或耦接多个部件的任何其他设备中被采用。因此，不应认为本技术仅限于与任何特定腔室一起使用。此外，虽然将描述示例性工具系统以为本技术提供基础，但应理解，本技术可与可受益于将描述的操作和系统中的一些或所有操作和系统的任何数量的半导体处理腔室和工具结合。
图1A示出了根据本技术的一些实施例的沉积、蚀刻、烘烤和固化腔室的基板处理工具或处理系统100的一个实施例的俯视平面图。在附图中，一组前开式标准舱102供应各种尺寸的基板，这些基板由机械臂104a和104b接收在工厂接口103内，并被放置到负载锁定或低压保持区域106中，然后被输送到定位在腔室系统或四重区段109a-c中的基板处理区域108中的一者，腔室系统或四重区段109a-c可各自是具有与多个处理区域108流体耦合的传送区域的基板处理系统。虽然示出了四重系统，但应当理解，结合独立腔室、双腔室和其他多腔室系统的平台同样被本技术涵盖。容纳在传送腔室112中的第二机械臂110可用于将基板晶片从保持区域106传输到四重区段109和返回，并且第二机械臂110可容纳在传送腔室中，四重区段或处理系统中的每一个可与传送腔室连接。每个基板处理区域108可装备成执行多个基板处理操作，包括任何数量的沉积工艺，包括循环层沉积、原子层沉积、化学气相沉积、物理气相沉积，以及蚀刻、预清洁、退火、等离子体处理、脱气、定向和其他基板工艺。
每个四重区段109可包括可从第二机械臂110接收基板并且将基板输送到第二机械臂110的传送区域。腔室系统的传送区域可与具有第二机械臂110的传送腔室对齐。在一些实施例中，传送区域可由机器人横向可进出。在随后的操作中，传送区段的部件可将基板垂直地平移到上覆(overlying)处理区域108中。类似地，传送区域也可操作用于在每个传送区域内的位置之间旋转基板。基板处理区域108可包括用于在基板或晶片上沉积、退火、固化和/或蚀刻材料膜的任何数量的系统部件。在一种配置中，两组处理区域(诸如四重区段109a和109b中的处理区域)可用于在基板上沉积材料，并且第三组处理腔室(诸如四重区段109c中的处理腔室或区域)可用于固化、退火或处置沉积膜。在另一种配置中，所有三组腔室(诸如所示的所有十二个腔室)可配置为在基板上沉积和/或固化膜。
如图所示，第二机械臂110可包括用于同时输送和/或取回多个基板的两个臂。例如，每个四重区段109可包括沿着传送区域的外壳的表面的两个进出口107，两个进出口107可与第二机械臂横向对齐。进出口可沿着与传送腔室112相邻的表面限定。在一些实施例中，诸如在所示的实施例中，第一进出口可与四重区段的多个基板支撑件的第一基板支撑件对齐。此外，第二进出口可与四重区段的多个基板支撑件的第二基板支撑件对齐。在一些实施例中，第一基板支撑件可与第二基板支撑件相邻，并且两个基板支撑件可限定第一排基板支撑件。如所示配置中所示，第二排基板支撑件可定位在第一排基板支撑件之后，在传送腔室112的横向外侧。第二机械臂110的两个臂可间隔开以允许两个臂同时进入四重区段或腔室系统，以将一个或两个基板输送或取回到传送区域内的基板支撑件。
所描述的传送区域中的任何一个或多个可以和与不同实施例中所示的制造系统分开的额外腔室结合。应当理解，处理系统100考虑了用于材料膜的沉积、蚀刻、退火和固化腔室的额外配置。另外，本技术可利用任何数量的其他处理系统，其可结合用于执行任何特定操作(诸如基板移动)的传送系统。在一些实施例中，可在各个区段(诸如所述的保持和传送区域)中维持真空环境的同时为多个处理腔室区域提供进出口的处理系统可允许在多个腔室中执行操作，同时在离散工艺之间维持特定的真空环境。
图1B示出了根据本技术的一些实施例的示例性处理工具(诸如穿过腔室系统)的一个实施例的示意性横截面正视图。图1B可示出通过任何四重区段109中的任何两个相邻处理区域108的横截面图。正视图可示出一个或多个处理区域108与传送区域120的配置或流体耦合。例如，连续传送区域120可由传送区域外壳125限定。外壳可限定开放的内部容积，多个基板支撑件130可设置在开放内部容积中。例如，如图1A所示，示例性处理系统可包括四个或更多个，包括分布在外壳内围绕传送区域的多个基板支撑件130。基板支撑件可为如图所示的基座，虽然也可使用许多其他配置。在一些实施例中，基座可在传送区域120和上覆于传送区域的处理区域之间垂直平移。基板支撑件可沿着基板支撑件的中心轴线沿腔室系统内的第一位置和第二位置之间的路径垂直可平移。因此，在一些实施例中，每个基板支撑件130可与由一个或多个腔室部件限定的上覆处理区域108轴向对齐。
开放的传送区域可提供传送设备135(诸如转盘)在各种基板支撑件之间接合和移动基板(诸如旋转地)的能力。传送设备135可围绕中心轴线可旋转。这可允许将基板定位在处理系统内的处理区域108中的任一者内进行处理。传送设备135可包括一个或多个终端受动器，这些终端受动器可从上方、下方接合基板，或可接合基板的外边缘以围绕基板支撑件移动。传送设备可从传送腔室机器人(诸如先前描述的机器人110)接收基板。传送设备可接着将基板旋转到交替的基板支撑件以促进额外基板的传送。
一旦定位并等待处理，传送设备可将终端受动器或臂定位在基板支撑件之间，这可允许基板支撑件被提升经过传送设备135并将基板输送到处理区域108中，处理区域108可从传送区域垂直偏移。例如，并且如图所示，基板支撑件130a可将基板输送到处理区域108a中，而基板支撑件130b可将基板输送到处理区域108b中。这可能发生在其他两个基板支撑件和处理区域，以及包括额外处理区域的实施例中的额外基板支撑件和处理区域。在这种配置中，当在操作上接合以处理基板时，诸如在第二位置中，基板支撑件可从下方至少部分地限定处理区域108，并且处理区域可与相关联的基板支撑件轴向对齐。处理区域可由面板140以及其他盖堆叠部件从上方限定。在一些实施例中，每个处理区域可具有单独的盖堆叠部件，尽管在一些实施例中，部件可容纳多个处理区域108。基于这种配置，在一些实施例中，每个处理区域108可与传送区域流体耦合，同时与腔室系统或四重区段内的其他处理区域从上方流体隔离。
在一些实施例中，面板140可作为用于在处理区域108内产生局部等离子体的系统的电极来操作。如图所示，每个处理区域可利用或结合单独的面板。例如，可包括面板140a以从上方限定处理区域108a，并且可包括面板140b以从上方限定处理区域108b。在一些实施例中，基板支撑件可用作配对电极，用于在面板和基板支撑件之间产生电容耦合等离子体。在一些实施例中，可利用围绕面板延伸的加热器142来加热面板。取决于容积几何形状，泵送衬垫145可至少部分地径向地或横向地限定处理区域108。同样，可为每个处理区域使用单独的泵送衬垫。例如，泵送衬垫145a可至少部分地径向地限定处理区域108a，并且泵送衬垫145b可至少部分地径向地限定处理区域108b。泵送衬垫145可安置在热扼流板147上，热扼流板147可控制从盖堆叠到冷却腔室主体的热分布。在实施例中，阻挡板150可定位在盖155和面板140之间，并且可再次包括分开的阻挡板以促进每个处理区域内的流体分布。例如，可包括阻挡板150a用于向处理区域108a进行分配，并且可包括阻挡板150b用于向处理区域108b进行分配。
盖155可以是用于每个处理区域的单独部件，或者可包括一个或多个共同方面。在一些实施例中，盖155可以是系统的两个分开的盖板中的一者。例如，第一盖板158可安置在传送区域外壳125之上。传送区域外壳可限定开放容积，并且第一盖板158可包括穿过盖板的多个孔，第一盖板158将上覆容积分成特定的处理区域。在一些实施例中，诸如在所示的实施例中，盖155可以是第二盖板，并且可以是限定多个孔160的单个部件，多个孔160用于将流体输送到各个处理区域。例如，盖155可限定用于将流体输送到处理区域108a的第一孔160a，并且盖155可限定用于将流体输送到处理区域108b的第二孔160b。可为每个区段内的额外处理区域(当被包括时)限定额外孔。在一些实施例中，每个四重区段109或可容纳多于或少于四个基板的多处理区域区段可包括一个或多个远程等离子体单元165，以用于将等离子体流出物输送到处理腔室中。在一些实施例中，可为每个腔室处理区域结合单独的等离子体单元，尽管在一些实施例中可使用较少的远程等离子体单元。例如，如图所示，单个远程等离子体单元165可用于多个腔室，诸如两个、三个、四个或更多个腔室，直至特定四重区段的所有腔室。在本技术的实施例中，管道可从远程等离子体单元165延伸到每个孔160以用于输送等离子体流出物以进行处理或清洁。
在一些实施例中，净化通道170可延伸穿过邻近或靠近每个基板支撑件130的传送区域外壳。例如，多个净化通道可延伸穿过传送区域外壳，以为将输送到传送区域中的流体耦合的净化气体提供流体进出口。净化通道的数量可相同或不同，包括多于或少于处理系统内的基板支撑件数量的数量。例如，净化通道170可延伸穿过每个基板支撑件下方的传送区域外壳。在图示的两个基板支撑件130的情况下，第一净化通道170a可延伸穿过邻近基板支撑件130a的外壳，并且第二净化通道170b可延伸穿过邻近基板支撑件130b的外壳。应当理解，任何额外的基板支撑件可类似地具有延伸穿过传送区域外壳的垂直净化通道，以将净化气体提供到传送区域中。
当净化气体通过净化通道中的一个或多个净化通道输送时，它可类似地通过泵送衬垫145排出，泵送衬垫145可提供来自处理系统的所有排放路径。因此，在一些实施例中，处理前驱物和净化气体两者都可通过泵送衬垫排出。净化气体可向上流动到相关联的泵送衬垫，例如流过净化通道170b的净化气体可从泵送衬垫145b从处理系统排出。
如所指出的，处理系统100，或更具体地，与处理系统100或其他处理系统结合的四重区段或腔室系统，可包括定位在所示的处理腔室区域下方的传送区段。图2示出了根据本技术的一些实施例的示例性腔室系统200的传送区段的示意性等距视图。图2可说明上述传送区域120的额外方面或各方面的变型，并且可包括所描述的部件或特征中的任一者。所示的系统可包括传送区域外壳205，传送区域外壳205限定了传送区域，在传送区域中可包括多个部件。传送区域可另外至少部分地由处理腔室或与传送区域流体耦合的处理区域从上方限定，诸如图1A的四重区段109中所示的处理腔室区域108。传送区域外壳的侧壁可限定一个或多个进出位置207，诸如如上文所讨论地通过第二机械臂110可通过进出位置207输送和取回基板。在一些实施例中，进出位置207可以是狭缝阀或其他可密封的进出位置，这包括门或其他密封机构以在传送区域外壳205内提供密封环境。尽管用两个这样的进出位置207示出，但是应当理解，在一些实施例中，可仅包括单个进出位置207，以及在传送区域外壳的多个侧面上的进出位置。还应理解，所示的传送区段可经尺寸设计为适应任何基板尺寸，包括200mm、300mm、450mm或更大或更小的基板，包括由任何数量的几何形状或形状表征的基板。
在传送区域外壳205内的可以是围绕传送区域容积定位的多个基板支撑件210。尽管图示了四个基板支撑件，但应理解，任何数量的基板支撑件类似地被本技术的实施例涵盖。例如，根据本技术的实施例，多于或约三个、四个、五个、六个、八个或更多个基板支撑件210可容纳在传送区域中。第二机械臂110可通过进出口207将基板输送到基板支撑件210a或210b中的任一者或两者。类似地，第二机械臂110可从这些位置取回基板。升降杆212可从基板支撑件210突出，并且可允许机器人在基板下方进出。在一些实施例中，升降杆可固定在基板支撑件上，或固定在基板支撑件可凹入下方的位置处，或者升降杆可额外地穿过基板支撑件升高或降低。基板支撑件210可以是垂直可平移的，并且在一些实施例中可向上延伸到基板处理系统的处理腔室区域，诸如定位在传送区域外壳205上方的处理腔室区域108。
传送区域外壳205可为对准系统提供进出口215，所述对准系统可包括对准器，所述对准器可如图所示延伸穿过传送区域外壳的孔并且可与通过相邻的孔突出或传输的激光器、相机或其他监测设备一起操作，并且这可确定正在平移的基板是否正确对准。传送区域外壳205还可包括传送设备220，传送设备220可以多种方式操作以定位基板并在各种基板支撑件之间移动基板。在一个示例中，传送设备220可将基板支撑件210a和210b上的基板移动到基板支撑件210c和210d，这可允许将额外的基板输送到传送腔室中。额外的传送操作可包括在基板支撑件之间旋转基板以在上覆处理区域中进行额外处理。
传送设备220可包括中心毂225，中心毂225可包括延伸到传送腔室中的一个或多个轴。与轴耦合的可以是终端受动器235。终端受动器235可包括从中心毂径向或横向向外延伸的多个臂237。尽管示出了臂从其延伸的中心主体，但是在各种实施例中，终端受动器可另外包括分开的臂，每个臂都与轴或中心毂耦接。在本技术的实施例中可包括任意数量的臂。在一些实施例中，臂237的数量可与腔室中所包括的基板支撑件210的数量相似或相等。因此，如图所示，对于四个基板支撑件而言，传送设备220可包括从终端受动器延伸的四个臂。臂可由任何数量的形状和轮廓表征，诸如平直轮廓或弓形轮廓，以及包括任何数量的远程轮廓，包括钩、环、叉或用于支撑基板和/或提供对基板的进出口的其他设计，诸如用于对齐或接合。
终端受动器235或终端受动器的部件或部分可用于在传送或移动期间接触基板。这些部件以及终端受动器可由多种材料制成或包括多种材料，所述材料包括导电和/或绝缘材料。在一些实施例中，材料可被涂覆或镀覆以承受与可能从上覆处理腔室进到传送腔室中的前驱物或其他化学物质的接触。
此外，可提供或选择材料以承受其他环境特性，诸如温度。在一些实施例中，基板支撑件可操作用于加热设置在支撑件上的基板。基板支撑件可配置为将表面或基板温度提高到大于或约100℃、大于或约200℃、大于或约300℃、大于或约400℃、大于或约500℃、大于或约600℃、大于或约700℃、大于或约800℃或更高。这些温度中的任一个可在操作期间被维持，并且因此传送设备220的部件可暴露于这些阐明或涵盖的温度中的任一个。因此，在一些实施例中，可选择材料中的任一种以适应这些温度状况(regime)，并且可包括由相对低的热膨胀系数或其他有益特性表征的材料，诸如陶瓷和金属。
部件耦接件也可适用于在高温和/或腐蚀性环境中操作。例如，在终端受动器和末端部分各自是陶瓷的情况下，耦接件可包括压装配件、卡扣配件或可不包括额外材料(诸如螺栓)的其他配件，额外材料可能会随着温度而膨胀和收缩，并可能导致陶瓷中的破裂。在一些实施例中，末端部分可与终端受动器连续，并且可与终端受动器一体地形成。可利用可促进操作或操作期间的抗性的任何数量的其他材料，并且类似地被本技术所涵盖。
如先前所讨论，上覆于传送区域外壳205的可以是盖板，诸如第一盖板，所述第一盖板可限定可进出基板支撑件的分开的处理区域。图3示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板处理系统的盖板300的示意性等距视图。盖板300可包括第一盖板158或如前所述的任何其他部件的任何特征。如图所示，盖板300可限定第一多个孔305，第一多个孔305可限定如前所述的各个处理区域。盖板300还可限定第二多个孔310。每个孔310可定位在相关联的孔305附近。虽然孔305可限定处理区域，但孔310可限定排气通道或通向系统前级管线的通路，每个处理区域可通过所述排气通道或通向系统前级管线的通路而排气。如将在下文进一步描述的，用于每个单独的盖堆叠的泵送衬垫可定向为通过相关联的孔310排气。虽然示出了四个孔305和四个孔310，但是应当理解，根据本技术的实施例的盖板可包括用于处理腔室或排气系统的任何配置的任何数量的孔。
在本技术的一些实施例中，冷却系统可结合在盖板内。如图所示，流体冷却管线315可围绕每个第一孔305延伸。这可允许在处理期间冷却腔室主体。因为系统设置，每个腔室区域可如图所示排放到在盖板300的远侧边缘处的前级管线连接，尽管本技术可类似地涵盖其他配置。加热的处理气体或流出物可流过盖堆叠部件并流出第二孔，这可增加这些区域中的盖板的温度。因此，可跨越盖板形成温度轮廓，其中较冷的温度可能出现在盖板的中间附近。这可能会影响来自每个单独的盖堆叠的热量分布，这将在下文进一步讨论。此外，因为盖堆叠的部件可能不均匀地耦合，来自部件的热损失可能不均匀。
图4示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板处理系统的示例性处理系统400布置的示意性局部横截面图，并且可示出穿过如上文所讨论的盖板的第一孔和第二孔的横截面图。附图可说明上述处理系统和部件的各方面，并且可说明系统的额外方面。附图可说明系统的额外视图或版本。应当理解，处理系统400可包括在别处描述或示出的处理系统的任何部分的任何方面，并且可示出与在别处描述的系统中的任一者结合的盖堆叠的各方面。例如，处理系统400可示出系统的上覆于腔室的传送区域的部分，并且可示出定位在腔室主体之上的部件，所述部件限定了如前所述的传送区域。应当理解，仍然可结合任何先前提到的部件，诸如包括传送区域和先前针对包括处理系统400的部件的系统而描述的任何部件。
如前所述，多腔室系统可包括用于每个处理区域的单独的盖堆叠。处理系统400可示出一个盖堆叠的视图，所述盖堆叠可以是包括两个、三个、四个、五个、六个或更多个处理腔室区段的多腔室系统的一部分。然而，应当理解，所描述的盖堆叠部件也可结合在独立的腔室中。如上所述，一个或多个盖板可含有用于每个处理区域的单独的盖堆叠。例如，如图所示，处理系统400可包括第一盖板405，第一盖板405可以是或包括上述盖板158的任何方面。例如，第一盖板405可为单个盖板，所述盖板可安置在传送区域外壳402或如前所述的腔室主体上。第一盖板405可沿着盖板的第一表面安置在外壳上。盖板405可限定穿过盖板的第一多个孔406，从而允许基板垂直平移到所限定的处理区域中，如前所述。孔406可限定可执行基板处理的处理区域。盖板405可额外地限定穿过盖板的第二多个孔407，从而允许排气到与处理系统相关联的前级管线和泵送系统。
安置在第一盖板405上的可以是如前所述的多个盖堆叠。在一些实施例中，第一盖板405可限定如先前所示的从第一盖板405的与第一表面相对的第二表面延伸的凹陷壁架。凹陷壁架可围绕第一多个孔中的每个孔406延伸，或者可围绕孔的一部分延伸，如上所示。每个单独的盖堆叠可安置在单独的凹陷壁架上，或者可安置在非凹陷孔之上。多个盖堆叠可包括与穿过第一盖板限定的多个孔的孔的数量相等的盖堆叠的数量。如上所述，盖堆叠可至少部分地限定从传送区域垂直偏移的多个处理区域。尽管示出了一个孔406和一个盖堆叠并将在下文进一步讨论，但应理解，处理系统400可包括任何数量的盖堆叠，所述盖堆叠具有与本技术涵盖的实施例中的系统结合的类似或先前讨论的部件。以下描述可适用于任何数量的盖堆叠或系统部件。
在实施例中，盖堆叠可包括任何数量的部件，并且可包括上述部件中的任一个。例如，盖堆叠可包括安置在盖板405的第二表面上的扼流板410。扼流板410可安置在扼流板410的第一表面上的盖板上。扼流板可限定第一孔，第一孔与穿过盖板的第一多个孔中的相关联孔406轴向对齐。扼流板还可限定第二孔，第二孔与穿过盖板的第二多个孔中的相关联孔407轴向对齐。如图所示，扼流板410可包括限定穿过扼流板的第一孔的外缘412。外缘412可沿着盖板的侧壁延伸，所述侧壁限定了第一多个孔的相关联的第一孔406。如以下将解释的，在一些实施例中，可在外缘和盖板之间维持间隙以控制在部件之间的热流。外缘412可从扼流板的第一表面在朝向盖板405的方向上垂直地延伸，并且可从扼流板410形成突出部。
泵送衬垫415可安置在扼流板410的第二表面上，所述第二表面与安置在盖板405上的扼流板的第一表面相对。如上所述，泵送衬垫415可布置成为处理容积提供排气，其可流向相关联的第二孔407。因此，穿过盖板限定的第二多个孔中的孔407和穿过扼流板410限定的第二孔可形成从泵送衬垫延伸的流动通道，用于由特定的盖堆叠限定的特定处理区域，并且可将处理区域与泵送系统或排气系统流体耦合。盖堆叠可包括安置在泵送衬垫415上的面板420。在一些实施例中，面板420可为加热部件，所述加热部件可包括加热器422，在一些实施例中，加热器422可以是围绕面板延伸的环形加热器。
阻挡板425可安置在面板420上，并且可进一步促进如上所述的前驱物的均匀分布。在一些实施例中，面板加热器422可围绕阻挡板425的外边缘延伸，诸如从阻挡板径向向外延伸，并且可围绕阻挡板425径向延伸。可在阻挡板和加热器422之间维持间隙以限制对阻挡板的加热。气体箱430可安置在阻挡板425上。气体箱430可限定通道432，冷却流体可在通道432中流动以控制部件的温度。第二盖板435可安置在气体箱430上。
因此，可在面板上方通过气体箱提供冷却并且在面板下方通过盖板提供冷却。虽然基于与可从上方提供轴对称冷却的阻挡板的堆叠布置的耦合，可维持来自气体箱的冷却相对均匀，但基于下面的部件的不对称耦合，可能更难以维持对盖板的冷却。例如，泵送衬垫415可具有来自安置在衬垫上的面板的直接加热，并且因此泵送衬垫415可从面板相对均匀地被加热。然而，来自泵送衬垫的热量分布可能并不均匀。如图所示，扼流板410可提供在泵送衬垫和盖板405之间的耦合，这可包括冷却。虽然可跨盖板形成温度梯度，其中在第二孔407周围温度较高，但扼流板410和泵送衬垫415在这个位置处可能有与盖板的增加的直接耦合，从而有助于从泵送衬垫的热传递。
图5示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板处理系统的扼流板500的示意性仰视图。尽管标注为仰视图，但在一些实施例中，扼流板可被颠倒，并且因此附图可示出扼流板500的第一表面502。扼流板500可示出先前描述的任何扼流板的额外特征，并且可包括如上文所讨论的任何特征或特性。如图所示，扼流板500可以是或包括导热板，所述导热板限定穿过板的第一孔505和穿过板的第二孔510。第二孔510可在扼流板500上从第一孔505横向偏移。扼流板500的几何形状可提供成适应扼流板500可安置于其上的盖板的结构。在特定实施例中，扼流板500的外周边可为大体上泪滴形的。例如，外周边可包括小的弧形段，小的弧形段经由两个大致直线段与较大的弧形段连接。第二孔510可与小的弧形段同轴，而第一孔505可与较大的弧形段同轴。
扼流板500可限定从扼流板500的第一表面502延伸的第一组突出部515。在一些实施例中，扼流板500可在突出部515上安置在盖板上。如图所示，第一组突出部515可围绕第一孔505径向分布。例如，突出部515可围绕第一孔505以大致对称的布置分布。突出部515可围绕第一孔505以规则(或基本上规则)的间隔而隔开。如本文所用，基本上规则的间隔可被理解为意味着在任何两个相邻突出部之间的角间距可与在扼流板500的相邻突出部之间的平均角间距相差10度内或约10度、与平均角间距相差5度内或约5度、与平均角间距相差4度内或约4度、与平均角间距相差3度内或约3度、与平均角间距相差2度内或约2度、与平均角间距相差1度内或约1度，或相差更小。
尽管示出了八个突出部515，但是应当理解，在本技术的实施例中可包括任意数量的突出部515。例如，扼流板500可包括至少或约四个突出部515、至少或约五个突出部515、至少或约六个突出部515、至少或约七个突出部515、至少或约八个突出部515、至少或约九个突出部515、至少或约10个突出部515、至少或约12个突出部515、至少或约14个突出部515，或更多。每个突出部515可从扼流板500的第一表面502向外突出达介于0.05mm和0.50mm之间或约0.05mm或0.50mm、介于0.10mm和0.40mm之间或约0.10mm或0.40mm、介于0.15mm和0.30mm之间或约0.15mm或0.30mm，或约0.20mm。突出部515可为弓形段，然而每个突出部515的长度可足够小，使得每个突出部515的形状可接近矩形。每个突出部515的长度或平均长度(例如，每个突出部515的内边缘和外边缘的长度的平均值)可以是介于5mm和50mm之间或约5mm或50mm、介于10mm和40mm之间或约10mm或40mm、介于15mm和30mm之间或约15mm或30mm，或约20mm。每个突出部515的宽度(例如，在每个突出部515的内边缘和外边缘之间的距离)可以是介于1mm和10mm之间或约1mm或10mm、介于2mm和9mm之间或约2mm或9mm、介于3mm和8mm之间或约3mm或8mm，或介于4mm和7mm之间或约4mm或7mm。通常，突出部515中的每一个具有相同的一组尺寸，尽管一些实施例可结合具有不同尺寸的一个或多个突出部515。
扼流板500可限定从扼流板500的第一表面502延伸的多个突出部530，其中突出部530围绕第二孔510径向分布，如图所示。例如，突出部530可围绕第二孔510以大致对称的布置分布。突出部530可围绕第二孔510以规则的(或基本上规则的)间隔而隔开。虽然示出了三个突出部530，但是应当理解，在本技术的实施例中可包括任意数量的突出部530。例如，扼流板500可包括至少或约三个突出部530、至少或约四个突出部530、至少或约五个突出部530，或更多。每个突出部530可从扼流板500的第一表面502向外突出达介于0.05mm和0.50mm之间或约0.05mm或0.50mm、介于0.10mm和0.40mm之间或约0.10mm或0.40mm、介于0.15mm和0.30mm之间或约0.15mm或0.30mm，或约0.20mm。通常，突出部530可从第一表面502向外突出与突出部515相同或基本相同(例如，相差10％之内或约10％、5％之内或约5％、3％之内或约3％、1％之内或约1％)的距离。突出部530可为弓形段，然而每个突出部530的长度可足够小，使得每个突出部530的形状可接近矩形。每个突出部530的长度或平均长度(例如，每个突出部530的内边缘和外边缘的长度的平均值)可以是介于5mm和30mm之间或约5mm或30mm、介于10mm和20mm之间或约10mm或20mm，或约15mm。每个突出部530的宽度(例如，每个突出部530的内边缘和外边缘之间的距离)可以是介于1mm和8mm之间或约1mm或8mm、介于1.5mm和6mm之间或约1.5mm或6mm、或介于2mm和4mm之间或约2mm或4mm。通常，突出部530中的每一个具有相同的一组尺寸，尽管一些实施例可结合具有不同尺寸的一个或多个突出部530。
扼流板500的第一表面502可限定围绕第一表面502的外周边延伸的台阶550。例如，台阶550可设置在第一组突出部515和/或突出部530的径向外侧。在一些实施例中，台阶550的形状可基本上匹配扼流板500的外周边的形状。例如，台阶550可具有大体上泪滴形状，使得围绕扼流板500，距台阶的内边缘的距离可基本恒定。在其他实施例中，诸如图5所示，台阶550可具有大体上灯泡形状。例如，台阶550可具有大的球状部分，具有将大的球状部分与较小的弓形段耦接的向外弯曲段和/或线性段。在这样的实施例中，在第一孔505和第二孔510之间的台阶550的过渡区域的内边缘可以定位成与扼流板500的外周边和/或第一组突出部515和/或突出部530的外边缘相距的距离不同于台阶550的内边缘的其余部分。应当理解，台阶550的任何设计都可用于各种实施例中。台阶550可相对于第一表面502凹陷介于0.05mm和0.50mm之间或约0.05mm或0.50mm、介于0.10mm和0.40mm之间或约0.10mm或0.40mm、介于0.15mm和0.35mm之间或约0.15mm或0.35mm、介于0.20mm和0.30mm之间或约0.20mm或0.30mm，或约0.25mm的距离。
图6示出了根据本技术的一些实施例的示例性基板处理系统的扼流板500的示意性俯视图。同样，虽然标注为俯视图，但在一些实施例中，扼流板500可被颠倒，并且因此附图可示出扼流板500的与第一表面502相对的第二表面504。如图所示，扼流板500可限定穿过板的第一孔505和第二孔510。扼流板500的第二表面504还可限定多个突出部，泵送衬垫可安置在所述多个突出部上。例如，扼流板500可限定从扼流板500的第二表面504延伸的第二组突出部520。类似于第一组突出部515，第二组突出部520可围绕第一孔505径向分布，如图所示。例如，突出部520可围绕第一孔505以大致对称的布置分布。突出部520可围绕第一孔505以规则的(或基本上规则的)间隔而隔开。在一些实施例中，第一组突出部515可与第二组突出部520垂直对齐，使得第二多个突出部520中的每个单独的突出部520与第一组突出部515中的对应突出部515垂直对齐。在其他实施例中，第二组突出部520中的一些或全部可从第一组突出部515垂直偏移。突出部520中的每一个可具有与突出部515相似的尺寸。例如，在一些实施例中，突出部520和突出部515可具有相同的尺寸，而在其他实施例中，突出部520可具有与突出部515不同的尺寸。仅作为一个示例，突出部520可具有小于或大于突出部515的高度(投影距离)。
第二表面504还可限定多个突出部535，这些突出部535可从扼流板500的第二表面504延伸。类似于突出部530，突出部535可围绕第二孔510径向分布，如图所示。例如，突出部535可围绕第二孔510以大致对称的布置分布。突出部535可围绕第二孔510以规则的(或基本上规则的)间隔而隔开。在一些实施例中，突出部530可与突出部535垂直对齐，使得每个单独的突出部530与对应的突出部535垂直对齐。在其他实施例中，突出部530中的一些或全部可从突出部535垂直偏移。突出部535中的每一个可具有与突出部530相似的尺寸。例如，在一些实施例中，突出部530和突出部535可具有相同的尺寸，而在其他实施例中，突出部530可具有与突出部535不同的尺寸。仅作为一个示例，突出部530可具有小于或大于突出部535的高度(投影距离)。
通过结合围绕第一孔505和第二孔510的各种突出部的对称布置，本技术的实施例可使扼流板500在高真空负载下的变形能够更加均匀。这种均匀的变形可确保通过扼流板500的热传递是均匀的，并且可帮助改善面板的温度均匀性。此外，通过保持突出部的小尺寸，使在扼流板500与泵送衬垫和盖板之间的接触最小化，这限制了通过扼流板500的热传递并有助于将泵送衬垫和面板与较冷的、未加热的盖板热隔离。此外，通过包括台阶550，可进一步减少在真空负载时在扼流板500和盖板之间的接触。例如，台阶550在扼流板500的表面和盖板之间产生更大的间隙，从而使得扼流板500在扼流板500的第一表面502(和台阶550)接触盖板之前能够更大程度地偏转。
图7示出了根据本技术的一些实施例的部分盖堆叠布置700的示意性横截面图，并且可示出靠近底盖的中点的耦合，诸如与如前所述的第二孔或排气孔相对。盖堆叠布置可包括有如前所述的任何其他特征、特性或部件。附图可示出在盖板705、扼流板710和泵送衬垫715之间的耦合。扼流板710可理解为包括上述扼流板500的特征中的任何特征。如图所示，第一突出部712可从扼流板710的第一表面702延伸并将扼流板710安置在盖板705上，并且可另外维持部件之间的间隙，包括在扼流板710的外缘720和盖板705之间的间隙。第一突出部712可示出上述突出部515的横截面。扼流板710可包括台阶750(类似于台阶550)，台阶750增加在第一表面702和盖板705之间的距离，以帮助在扼流板710的悬臂部分被加载额外的盖堆叠部件时维持部件之间的间隙。第二突出部714可从扼流板710的与第一表面702相对的第二表面704延伸，并且允许泵送衬垫715安置在扼流板710上，同时另外维持部件之间的间隙。第二突出部714可示出上述突出部520的横截面。
附图还可示出可形成在部件中的通道，以容纳用于部件的真空耦合的O形环或弹性体元件。例如，扼流板710可在扼流板710的与泵送衬垫715相邻的第二表面702中限定一个或多个通道。如图所示，扼流板710可在扼流板710的第二表面704中限定第一通道740，第一通道740在围绕扼流板710延伸的突出部(包括突出部714)的径向内侧。第一通道725可围绕扼流板710径向延伸，并且可配置成安置弹性体元件。扼流板710还可在扼流板710的第二表面704中限定第二通道745，第二通道745在围绕扼流板710延伸的突出部(包括突出部714)的径向外侧。第二通道745可围绕扼流板710径向延伸，并且可配置成安置部件，诸如用于RF返回路径的RF垫圈。在一些实施例中，通道740和745可设置在形成于扼流板710的第一表面702中的台阶750的径向内侧。
在前面的描述中，为了解释的目的，已经阐述了许多细节以便提供对本技术的各种实施例的理解。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，某些实施例可在没有这些细节中的一些的情况下或具有额外细节的情况下实施。
已经公开了若干实施例，本领域技术人员将认识到，在不背离实施例的精神的情况下，可使用各种修改、替代构造和等效物。此外，为了避免不必要地混淆本技术，没有描述许多众所周知的工艺和元件。因此，以上描述不应被视为限制本技术的范围。此外，方法或工艺可描述为顺序的或分步骤的，但是应理解，操作可被同时执行，或者以不同于所列顺序的顺序执行。
在提供值的范围的情况下，应理解，除非上下文另有明确规定，否则此范围的上限和下限之间的每个中间值，直到下限单位的最小分数也被具体公开。在阐明范围中的任何阐明值或未阐明的中间值与此阐明范围中的任何其他阐明值或中间值之间的任何较窄范围被涵盖。那些较小范围的上限和下限可独立地被包括或排除在范围中，并且限值中的任一者、一者都不或两者都被包括在较小范围中的每个范围也被涵盖在本技术内，受限于阐明范围中任何具体排除的限值。当阐明范围包括限值中的一者或两者时，排除那些所包括的限值中的任一者或两者的范围也被包括。
如本文和所附权利要求书中使用的，除非上下文另有明确规定，否则单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”包括复数指代。因此，例如，对“一板”的指代包括多个此类板，并且对“所述孔”的指代包括对本领域技术人员已知的一个或多个孔及其等效物，等等。
此外，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，词语“包含(comprise(s))”、“包含(comprising)”、“含有(contain(s))”、“含有(containing)”、“包括(include(s))”和“包括(including)”旨在指明所阐明特征、整数、部件或操作的存在，但它们不排除一个或多个其他特征、整数、部件、操作、动作或群组的存在或添加。

Claims (20)

1.一种基板处理系统，包含：
腔室主体，所述腔室主体限定传送区域；
盖板，所述盖板安置在所述腔室主体上，其中所述盖板限定穿过所述盖板的第一多个孔和穿过所述盖板的第二多个孔；以及
多个盖堆叠，所述多个盖堆叠与穿过所述盖板限定的所述第一多个孔的孔的数量相等，其中所述多个盖堆叠至少部分地限定从所述传送区域垂直偏移的多个处理区域，并且其中所述多个盖堆叠中的每个盖堆叠包含：
扼流板，所述扼流板沿着所述扼流板的第一表面安置在所述盖板上，其中：
所述扼流板限定与所述第一多个孔中的相关联孔轴向对齐的第一孔，且其中所述扼流板限定与所述第二多个孔中的相关联孔轴向对齐的第二孔；以及
所述扼流板限定从所述扼流板的第一表面延伸的第一组突出部，所述第一组突出部围绕所述第一孔基本对称地布置；
所述扼流板在所述第一组突出部上安置在所述盖板上；
所述扼流板限定从所述扼流板的第二表面延伸的第二组突出部，所述第二组突出部围绕所述第一孔基本对称地布置；
泵送衬垫，所述泵送衬垫安置在所述扼流板的所述第二组突出部上；
面板，所述面板安置在所述泵送衬垫上。
2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中：
所述扼流板包含限定所述第一孔的外缘；并且
所述外缘沿着所述盖板的侧壁延伸，所述侧壁限定所述第一多个孔中的所述相关联孔。
3.如权利要求1所述的基板处理系统，其中：
穿过所述盖板限定的所述第二多个孔中的所述相关联孔和穿过所述扼流板限定的所述第二孔形成从所述泵送衬垫延伸的流动通道。
4.如权利要求1所述的基板处理系统，其中：
所述扼流板限定在所述扼流板的所述第二表面中的第一通道，所述第一通道在所述第二组突出部的径向内侧；并且
所述扼流板限定在所述扼流板的所述第二表面中的第二通道，所述第二通道在所述第二组突出部的径向外侧。
5.如权利要求1所述的基板处理系统，进一步包含：
阻挡板，所述阻挡板安置在所述面板上。
6.如权利要求5所述的基板处理系统，进一步包含：
面板加热器，所述面板加热器安置在所述面板上并且定位在所述阻挡板的径向外侧。
7.如权利要求5所述的基板处理系统，进一步包含：
气体箱，所述气体箱安置在所述阻挡板上。
8.如权利要求1所述的基板处理系统，其中：
穿过所述扼流板限定的所述第二孔从穿过所述扼流板限定的所述第一孔横向偏移。
9.如权利要求1所述的基板处理系统，其中：
所述第二组突出部中的每个突出部与所述第一组突出部中的突出部垂直对齐。
10.如权利要求1所述的基板处理系统，其中：
所述扼流板的所述第一表面限定设置在所述第一组突出部的径向外侧的台阶。
11.如权利要求10所述的基板处理系统，其中：
所述台阶相对于所述第一表面凹陷约0.05mm和0.50mm之间的距离。
12.如权利要求1所述的基板处理系统，其中：
所述扼流板的外周边为大体上泪滴形的。
13.如权利要求1所述的基板处理系统，其中：
所述第一组突出部和所述第二组突出部中的每个突出部具有在约1mm和10mm之间的宽度。
14.一种基板处理腔室扼流板，包含：
板，所述板限定穿过所述板的第一孔和穿过所述板的第二孔，其中：
所述第二孔从所述第一孔横向偏移；
所述板限定从所述板的第一表面延伸的第一组突出部，所述第一组突出部围绕所述第一孔基本对称地布置；并且
所述板限定从所述板的与所述板的所述第一表面相对的第二表面延伸的第二组突出部，所述第二组突出部围绕所述第一孔基本对称地布置。
15.如权利要求14所述的基板处理腔室扼流板，其中：
所述板包含限定所述第一孔的外缘，并且其中所述外缘从所述板的所述第一表面垂直延伸。
16.如权利要求14所述的基板处理腔室扼流板，其中：
所述第一组突出部围绕所述第一孔以规则的间隔设置；并且
所述第二组突出部围绕所述第一孔以规则的间隔设置。
17.如权利要求14所述的基板处理腔室扼流板，其中：
所述第一组突出部和所述第二组突出部中的每个突出部具有在约5mm和50mm之间的长度。
18.如权利要求14所述的基板处理腔室扼流板，其中：
所述板限定从所述板的所述第一表面延伸的第三组突出部，所述第三组突出部围绕所述第二孔基本对称地布置；并且
所述板限定从所述板的所述第二表面延伸的第四组突出部，所述第四组突出部围绕所述第二孔基本对称地布置。
19.一种基板处理系统，包含：
处理腔室，所述处理腔室限定处理区域；
基座，所述基座配置为在所述处理区域内支撑基板；
扼流板，所述扼流板限定穿过所述扼流板的第一孔和第二孔，其中：
所述扼流板限定从所述扼流板的第一表面延伸的第一组突出部，所述第一组突出部围绕所述第一孔基本对称地布置；并且
所述扼流板限定从所述扼流板的与所述扼流板的所述第一表面相对的第二表面延伸的第二组突出部，所述第二组突出部围绕所述第一孔基本对称地布置；
泵送衬垫，所述泵送衬垫安置在所述扼流板上；
面板，所述面板安置在所述泵送衬垫上；以及
阻挡板，所述阻挡板安置在所述面板上。
20.如权利要求19所述的基板处理系统，其中：
所述第一组突出部与所述第二组突出部垂直对齐。
CN202280063649.0A 2021-08-25 2022-08-16 热扼流板 Pending CN117981067A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/411,926 US20230069317A1 (en) 2021-08-25 2021-08-25 Thermal choke plate
US17/411,926 2021-08-25
PCT/US2022/040482 WO2023027916A1 (en) 2021-08-25 2022-08-16 Thermal choke plate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117981067A true CN117981067A (zh) 2024-05-03

Family

ID=85285979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280063649.0A Pending CN117981067A (zh) 2021-08-25 2022-08-16 热扼流板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230069317A1 (zh)
KR (1) KR20240051193A (zh)
CN (1) CN117981067A (zh)
WO (1) WO2023027916A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220031700A (ko) 2019-07-12 2022-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 동시 기판 이송을 위한 로봇
US20210013069A1 (en) * 2019-07-12 2021-01-14 Applied Materials, Inc. Multi-lid structure for semiconductor processing system

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US8444926B2 (en) * 2007-01-30 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Processing chamber with heated chamber liner
KR101671158B1 (ko) * 2009-04-21 2016-11-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 박막 두께 불균일성 및 파티클 성능이 개선된 ｃｖｄ 장치
TWI729447B (zh) * 2016-09-22 2021-06-01 美商應用材料股份有限公司 用於寬範圍溫度控制的加熱器基座組件
US11814716B2 (en) * 2019-11-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Faceplate having blocked center hole

Also Published As

Publication number Publication date
TW202324569A (zh) 2023-06-16
KR20240051193A (ko) 2024-04-19
WO2023027916A1 (en) 2023-03-02
US20230069317A1 (en) 2023-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN117981067A (zh) 热扼流板
KR20180126086A (ko) 마이크로-볼륨 증착 챔버
CN115803859A (zh) 用于半导体处理系统的兼容部件
CN114127887A (zh) 用于半导体处理系统的多盖结构
TWI831027B (zh) 多處理半導體處理系統及半導體處理方法
CN115443528A (zh) 用于半导体处理系统的底部净化
TWI783445B (zh) 熱控制的蓋堆疊組件
TWI813223B (zh) 熱噴淋頭
CN116137930A (zh) 用于半导体处理系统的分配部件
TWI834257B (zh) 熱扼流板
CN116529865A (zh) 用于更高产量和更快转变时间的半导体处理腔室架构
CN117730403A (zh) 将腔室体积隔离成具有内部晶片移送能力的处理体积的方法
WO2024097538A1 (en) Faraday faceplate
CN117616550A (zh) 具有最小rf损耗的多区加热器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination