KR20180126086A - 마이크로-볼륨 증착 챔버 - Google Patents

마이크로-볼륨 증착 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR20180126086A
KR20180126086A KR1020187033016A KR20187033016A KR20180126086A KR 20180126086 A KR20180126086 A KR 20180126086A KR 1020187033016 A KR1020187033016 A KR 1020187033016A KR 20187033016 A KR20187033016 A KR 20187033016A KR 20180126086 A KR20180126086 A KR 20180126086A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
baffle ring
inner baffle
substrate support
lid
processing
Prior art date
Application number
KR1020187033016A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102305854B1 (ko
Inventor
데일 알. 두보이스
카르틱 재나키라만
키엔 엔. 축
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20180126086A publication Critical patent/KR20180126086A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102305854B1 publication Critical patent/KR102305854B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • H01L21/205—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

하부 표면을 갖는 리드, 리드에 대면하는 상부 표면을 갖는 기판 지지부, 및 기판 지지부와 리드 사이의 내측 배플 링을 갖는 프로세싱 챔버들이 설명된다. 프로세싱 챔버를 사용하는 방법들이 설명된다.

Description

마이크로-볼륨 증착 챔버
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱을 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 실시예들은, 마이크로-볼륨(micro-volume) 증착 챔버들 및 사용 방법들에 관한 것이다.
[0002] 원자 층 증착은, 반도체 산업에서 박막들을 형성하기 위해 일반적으로 사용되는 프로세스이다. 통상적인 프로세스는, 반응기(reactor)에 기판을 포지셔닝(position)하는 것 및 반응기에 제1 전구체(precursor)를 제공하는 것을 포함한다. 제1 전구체는, 표면이 제1 종으로 포화될 때까지 기판 표면 상에 제1 종을 증착하며, 그 후, 증착이 중단된다. 이어서, 제2 전구체가 챔버에 제공된다. 제2 전구체는, 기판의 표면을 라이닝(line)하는 제1 종과, 제1 종이 더 이상 반응에 이용가능하지 않을 때까지 반응하며, 그 후, 증착이 중단된다. 그러한 사이클들은, 층의 원하는 두께가 형성될 때까지 반복된다. 챔버는 통상적으로, 기판 상에 제어된 계층화(layering)를 제공하기 위해, 전구체들 사이에서 퍼지(purge)된다.
[0003] 원자 층 증착 프로세스는, 증착 반응이 분자 수준 또는 원자 수준에서 제어되기 때문에, 매우 균일한 두께 및 조성을 갖는 층들을 형성하는 데 유용하다. 제1 종은, 접착 부위(adhesion site)가 이용가능한 경우에만 기판 표면에 접착된다. 제1 종의 모든 각각의 인스턴스(instance)가 동일한 방식으로 기판 표면에 접착되므로, 제1 종은 동일한 방식으로 제2 전구체와의 반응에 참여할 수 있다.
[0004] 각각의 증착 동작에서 증착되는 층은 단분자성 또는 단원자성이다. 통상적으로, 증착되는 종은 소분자들보다 크지 않다. 따라서, 증착되는 각각의 층은 통상적으로 5 Å 또는 그 미만의 두께를 갖는다. 2개의 전구체 동작들 및 2개의 퍼지 동작들로 이루어진 각각의 사이클은 실행하는데 최대 1 분이 소요될 수 있다. 2개 초과의 전구체들을 수반하는 더 복잡한 사이클들은 더 길게 소요될 수 있다. 층들을 50 - 100 Å 두께로 형성하는 것은 10 - 20 분이 소요될 수 있다. ALD 프로세스들에서 레이트(rate)들을 개선하기 위해, 예컨대, 플라즈마를 형성함으로써, 하나 이상의 전구체들이 활성화될 수 있다. 전구체는 챔버 내로 유동되고, 이어서, 플라즈마가 형성되어 증착을 활성화시킨다. 플라즈마는 통상적으로, 전구체로부터의 증착이 완료될 때 중단된다. 가스들의 고속 사이클링은 높은 스루풋을 촉진시킨다. 따라서, PEALD 프로세스들에서의 고속 사이클링을 위한 장치 및 방법들에 대한 계속되는 요구가 존재한다.
[0005] 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은, 리드(lid), 기판 지지부, 및 내측 배플 링(baffle ring)을 포함하는 프로세싱 챔버에 관한 것이다. 리드는 하부 표면을 갖는다. 기판 지지부는, 리드의 하부 표면에 대면하는 상부 표면을 갖는다. 내측 배플 링은, 복수의 개구들을 포함하고 그리고 리드의 하부 표면과 기판 지지부의 상부 표면 사이에 포지셔닝된다.
[0006] 본 개시내용의 부가적인 실시예들은, 측벽, 하부 벽, 및 리드를 포함하는 프로세싱 챔버에 관한 것이다. 리드는 하부 표면을 갖는다. 측벽은, 진공 플레넘(plenum), 및 프로세싱 챔버의 내부와 진공 플레넘 사이에 유체 연결을 형성하는 개구를 갖는다. 프로세싱 챔버에 있는 기판 지지부는, 리드의 하부 표면에 대면하는 상부 표면을 갖는다. 기판 지지부는, 상부 표면이 리드의 하부 표면에 더 가깝게 또는 리드의 하부 표면으로부터 더 멀리 이동될 수 있도록 이동가능하다. 라이너(liner)가 측벽에 인접하게 있으며, 라이너는, 반경방향으로 내측을 향해 연장되는 연장부를 갖는다. 프로세싱 챔버는, 외측 배플 링 및 내측 배플 링을 포함한다. 외측 배플 링은, 측벽에 있는 개구와 정렬되는 복수의 개구들을 포함한다. 내측 배플 링은, 복수의 개구들을 포함하고 그리고 리드의 하부 표면과 기판 지지부의 상부 표면 사이에 포지셔닝된다. 내측 배플 링은, 내측 배플 링이 라이너의 연장부와 접촉하는 로딩(loading) 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서 이동가능하다.
[0007] 본 개시내용의 추가적인 실시예들은 프로세싱 챔버에 관한 것으로, 이 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버의 내부를 형성하는, 측벽, 하부 벽, 및 리드를 포함한다. 리드는, 샤워헤드(showerhead)를 포함하고 하부 표면을 갖는다. 측벽은, 진공 플레넘, 및 프로세싱 챔버의 내부와 진공 플레넘 사이에 유체 연결을 형성하는 개구를 갖는다. 프로세싱 챔버는, 기판 지지부, 에지 링(edge ring), 라이너, 외측 배플 링 및 내측 배플 링을 포함한다. 기판 지지부는, 리드의 하부 표면에 대면하는 상부 표면을 갖는다. 기판 지지부는, 상부 표면이 리드의 하부 표면에 더 가깝게 또는 리드의 하부 표면으로부터 더 멀리 이동될 수 있도록 이동가능하다. 에지 링은, 기판 지지부 상에 있고 그리고 기판의 외측 에지 주위에 피팅(fit)되도록 사이즈가 정해진다. 라이너가 측벽에 인접하게 있으며, 라이너는, 반경반향으로 내측을 향해 연장되는 연장부를 갖는다. 외측 배플 링은 고정된 포지션에 있으며, 측벽에 있는 개구와 정렬되는 복수의 개구들을 포함한다. 내측 배플 링은, 복수의 개구들을 포함하고 그리고 리드의 하부 표면과 기판 지지부의 상부 표면 사이에 포지셔닝된다. 내측 배플 링은, 내측 배플 링이 라이너의 연장부와 접촉하는 로딩 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서 이동가능하다. 기판 지지부의 상향 이동은, 에지 링으로 하여금, 내측 배플 링과 접촉하게 하고 내측 배플 링을 연장부로부터 리프팅(lift)하게 하여, 내측 배플 링을 프로세싱 포지션으로 이동시킨다. 외측 배플 링은, 기판 지지부의 적어도 일부분 및 내측 배플 링의 외경 주위에 피팅되도록 사이즈가 정해지는 내경을 갖는다. 내측 배플 링이 프로세싱 포지션에 있을 때, 프로세싱 구역은, 리드, 내측 배플 링, 및 기판 지지부에 의해 정의된다.
[0008] 본 개시내용의 상기 인용된 특징들이 달성되고 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 본 개시내용의 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들은 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 하지만, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 통상적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 유의되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 일 실시예에 따른 프로세싱 챔버의 횡단면도이다.
[0010] 도 2a 및 도 2b는, 도 1의 챔버의 부분들의 상세도들이다.
[0011] 도 3은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 프로세싱 챔버의 부분 횡단면도이다.
[0012] 도 4는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버의 부분 횡단면도이다.
[0013] 도 5는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버의 부분 횡단면도이다.
[0014] 본 개시내용의 실시예들은, 화학 기상 증착 타입 프로세스들에서 사용하기 위한 가스 분배 장치에 관한 것이다. 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은, 설명되는 가스 분배 장치를 포함하는 (주기적 증착으로 또한 불리는) 원자 층 증착 프로세스들 및 장치에 관한 것이다. 설명되는 가스 분배 장치는 샤워헤드 또는 가스 분배 플레이트로 지칭될 수 있지만, 장치가 샤워헤드 또는 플레이트와 같이 형상화될 필요는 없다는 것이 당업자들에 의해 인지될 것이다. "샤워헤드" 및 "플레이트"라는 용어들은 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 고려되지 않아야 한다.
[0015] 본 개시내용의 일부 실시예들은, 밀접하게 커플링된 고속 액추에이션 다이어프램 밸브(fast actuation diaphragm valve)들을 사용하여 신속한 사이클링을 달성하기 위해 전구체들의 신속한 퍼지 및 스위칭을 사용하는 플라즈마 강화 원자 층 증착 프로세스들을 허용하는, 기존 챔버들에 대한 개장가능한(retrofitable) 솔루션들에 관한 것이다. 프로세스 볼륨을 감소시키기 위해 세라믹(또는 다른 재료) 링이 사용될 수 있다. 링은, 웨이퍼 이송들 동안 슬릿 밸브 영역 위의 라이너와 접촉하거나 그 위에 놓일 수 있어서, 이송 프로세스 및 하드웨어에 대한 간섭이 방지된다. 링은, 이동 동안 페디스털(pedestal) 가열기에 의해 픽 업(pick up)될 수 있다. 링은, 약 2 mm 내지 약 8 mm의 범위 내의, 웨이퍼와 면판(faceplate) 사이의 갭을 허용하도록, 프로세스 포지션에서 면판에 포지셔닝되는 시일링(sealing) 링 또는 O-링과 접촉할 수 있다. 프로세스 가스들은, 면판의 일 측에 있는 개구를 통해 도입되어, 웨이퍼 위의 프로세스 볼륨에서 직교류(cross-flow) 패턴으로 웨이퍼에 걸쳐 분배될 수 있다. 가스들은, 링에 있는 홀(hole)들을 통해 펌핑 아웃(pump out)될 수 있다.
[0016] 본 개시내용의 일부 실시예들은 유리하게, 전구체들의 더 효율적인 활용을 허용하기 위해 프로세스 챔버 볼륨을 최소화한다. 예컨대, 고비용의 전구체들 또는 플라즈마 프로세싱, 또는 둘 모두는, 프로세스 볼륨들이 더 작을수록 더 생산적일 수 있다. 일부 실시예들은 유리하게, 고반응성이고 고비용인 전구체들로 더 높은 압력들 및/또는 더 낮은 온도들에서 프로세스들이 동작하는 것을 허용한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 영역에서의 직교류 가스 분배가 샤워헤드 스타일 가스 분배로 변경되어, 링 대 면판 계면(ring to faceplate interface)에서의 시일(seal)을 이용하거나 그러한 시일 없이 동작하는 능력이 허용된다. 일부 실시예들은, 링을 변경함으로써 프로세스 볼륨을 변경하는 것을 허용한다. 하나 이상의 실시예들에서, 링은, 기존 프로세싱 챔버에 개장(retrofit)될 수 있다.
[0017] 도 1은 일 실시예에 따른 프로세싱 챔버(100)의 횡단면도이다. 프로세싱 챔버(100)는, 챔버 바디(body)(102), 및 챔버 바디(102)에 커플링되어 내부(150)를 정의하는 챔버 리드(104)를 갖는다. 챔버(100)의 내부(150)에 기판 지지부(106)가 배치된다. 기판 지지부(106)의 상부 표면(166) 및 챔버 리드(104)의 하부 표면(168)은, 기판 지지부(106)의 상부 표면(166) 상의 기판 접촉 영역(176)에 배치되는 기판이 프로세싱 환경에 노출되는 프로세싱 구역(108)을 정의한다.
[0018] 기판들은, 챔버 바디(102)에 있는 기판 통로(110)를 통해 프로세싱 챔버(100)에 진입하고 그로부터 빠져 나온다. (도 1에 도시된 바와 같은) 기판 핸들링(handling) 포지션(기판 지지부(106)의 상부 표면(166)이 통로(110)에 근접하게 있음) 및 (도 3에 도시된 바와 같은) 기판 프로세싱 포지션(기판 지지부(106)의 상부 표면(166)이 챔버 리드(104)의 하부 표면(168)에 근접하게 있음)에 기판 지지부(106)가 교번적으로 포지셔닝되기 위해, 기판 지지부(106)는, 챔버(100)의 길이방향(longitudinal) 축, 예컨대 수직 축을 따라 이동가능하다. 기판 지지부(106)의 샤프트(shaft)(172)는 통상적으로 챔버 바디(102)의 하부 벽(170)에 있는 개구(120)를 통해 연장되며, 기판 지지부(106)의 이동을 액추에이팅(actuate)하기 위해 리프트 메커니즘(도시되지 않음)에 커플링된다.
[0019] 기판 엘리베이터(112)가 기판 지지부(106)를 통해 배치된다. 기판 엘리베이터(112)는, 챔버(100)의 내부(150)의 하부 영역에 배치되는 액추에이터(actuator)(116)와 접촉하는 베이스(114)를 갖는다. 액추에이터(116)는, 지지 부재(118)에 의해 하부 벽(170)으로부터 지지될 수 있다. 액추에이터(116)는 환형 부재(이를테면, 링)일 수 있고, 지지 부재(118)는 액추에이터(116)로부터의 환형 돌출부(protrusion)일 수 있다. 대안적으로, 액추에이터(116), 지지 부재(118), 또는 둘 모두는 세그먼팅될(segmented) 수 있다. 예컨대, 어느 하나 또는 둘 모두가 세그먼팅된 환형 부재일 수 있거나, 또는 액추에이터(116)가, 기판 엘리베이터(112)의 베이스(114)에 맞물리도록 포지셔닝되는 패드(pad), 포스트(post), 또는 스핀들(spindle)일 수 있다.
[0020] 지지 부재(118)는, 액추에이터(116)를, 기판 지지부(106)의 상부 표면(166)과 실질적으로 평행한 관계로 유지한다. 기판 지지부(106)가 프로세싱 포지션으로부터 기판 핸들링 포지션으로 이동될 때, 기판 엘리베이터(112)의 베이스(114)가 액추에이터(116)와 접촉하여, 기판 엘리베이터(112)로 하여금, 기판 지지부(106)의 상부 표면(166)을 통해 돌출되게 하고, 그리고 기판 엘리베이터(112) 상에 배치된 기판(60)을, 통로(110)를 통한 기판 핸들링 로봇(도시되지 않음)에 의한 액세스를 위해, 상부 표면(166) 위로 리프팅하게 한다. 도 1의 도면에서 2개의 기판 엘리베이터들(112)만이 보이지만, 통상적인 실시예는, 기판 핸들링을 위한 안정적인 스테이셔닝(stationing)을 제공하도록 분배된 3개 이상의 기판 엘리베이터들(112)을 가질 것이다.
[0021] 챔버 리드(104)는 전극일 수 있고, RF 전력의 소스(174)에 커플링될 수 있다. 챔버 리드(104)가 전극인 경우, 챔버 리드(104)는 통상적으로, 전도성 재료를 포함할 것이다. 챔버 리드(104)는 전적으로 또는 실질적으로 전도성 재료로 만들어질 수 있거나, 또는 전도성 재료로 코팅될 수 있다. 챔버 리드(104)가 전극으로서 사용되는 경우, 챔버 리드(104)의 하부 표면(168)은 기판 지지부(106)의 상부 표면(166)에 근접하게 프로세싱 구역(108)으로의 RF 커플링을 제공하기 위해 전도성일 것이다. 일 실시예에서, 챔버 리드(104)는 알루미늄이다.
[0022] 가스 매니폴드(manifold)(124)가 포트(194)에서 챔버 리드(104)에 커플링된다. 프로세스 가스들은 가스 라인(128)을 통해 챔버에 전달된다. 일부 실시예들의 가스 매니폴드(124)는, 하나 이상의 고속 밸브들 및 전구체 소스들을 포함한다. 고속 밸브들은, 가스 라인(128)을 통한 챔버(100) 내로의 가스들의 유동을 제어한다. 고속 밸브들은 ALD 밸브들일 수 있고, 일부 실시예들에서, 1 초 미만 내에 그리고 일부 경우들에서는 0.25 초 미만 내에 개방 또는 폐쇄하는 것이 가능할 수 있다. 전구체 라인이 고속 밸브들 중 하나 이상에 커플링될 수 있다. 가스 라인(128)을 통해 하나 초과의 가스를 동시에 또는 별개로 전달하기 위해서, 다른 전구체 라인들을 연결하기 위해 다른 고속 밸브들이 사용될 수 있다. 고속 밸브들의 동작은, ALD 증착 사이클들과 같은 챔버 동작들에 필요한 바와 같은 가스 유동들의 신속한 스위칭을 허용할 수 있다.
[0023] 가스 유입구(inlet)(122)가 임의의 적절한 위치에 로케이팅될 수 있다. 예컨대, 가스 유입구(122)는, 챔버 리드(104)의 주변(peripheral) 구역에 또는 챔버 리드(104)의 중앙에 로케이팅될 수 있다. 챔버 리드(104)는, 하나 이상의 반응성 가스들을 프로세싱 구역(108)에 전달하기 위한 가스 샤워헤드(105)를 포함한다. 샤워헤드(105)는, 1개, 2개, 또는 그 초과의 별개의 전달 채널들을 갖는 나선형 샤워헤드들, 가스 확산기들 및 샤워헤드들을 갖는 와류 리드(vortex lid)들을 포함하지만 이에 제한되지 않는 임의의 적절한 가스 전달 디바이스일 수 있다. 다양한 실시예들의 샤워헤드(105)는, 균일한 방식으로 기판(60)을 향한 반응성 가스 또는 가스들의 유동을 제공한다. 일부 실시예들에서, 샤워헤드(105)는, 기판 표면에 실질적으로 직교하는 가스의 유동을 제공한다.
[0024] 에지 링(136)이 기판 지지부(106)의 주변 구역 주위에 배치될 수 있다. 에지 링(136)은 내측 치수 및 외측 치수를 갖는 환형 부재일 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 에지 링(136)의 내측 치수는, 기판 지지부 상에 배치된 기판이 에지 링(136) 내부에 자리잡도록(nest), 기판 접촉 영역(176)의 치수와 실질적으로 동일할 수 있다. 에지 링(136)의 내측 치수는 또한, 기판 접촉 영역(176)의 치수보다 클 수 있다. 에지 링(136)의 내측 치수는 또한, 에지 링(136)의 일부분이 기판의 에지를 넘어 연장되도록, 기판 접촉 영역(176)보다 작을 수 있다. 도 1의 에지 링(136)은 기판 지지부(106) 상에 놓이며, 기판 지지부(106)와 함께 이동할 수 있다. 일부 실시예들에서, 에지 링(136)은 기판 지지부(106) 상에 놓이지 않으며, 고정되거나 독립적으로 이동가능할 수 있다.
[0025] 펌핑 플레넘(132)이 기판 지지부(106)의 프로세싱 포지션에 근접하게 챔버 바디(102)의 측벽(178)에 로케이팅된다. 펌핑 플레넘(132)은, 프로세싱 구역(108)으로부터 프로세싱 가스들이 진공배기(evacuate)되는, 프로세싱 구역(108) 주위의 환형 통로이다. 라이너(134)가 프로세싱 구역(108)으로부터 펌핑 플레넘(132)을 분리시킨다. 라이너(134)는 프로세스 가스들이 프로세싱 구역(108)으로부터 펌핑 플레넘(132) 내로 유동하는 것을 허용하는 개구(180)를 갖는다.
[0026] 본 개시내용의 일부 실시예들은, 프로세싱 챔버의 볼륨을 최소화하기 위해 외측 배플 링(200) 및 내측 배플 링(250)을 포함한다. 외측 배플 링(200) 및 내측 배플 링(250)은 또한, 배기를 위해 샤워헤드(105)로부터 프로세싱 챔버 밖으로 유동하는 가스에 대한 저항(resistance)을 증가시키는 데 사용될 수 있다. 임의의 특정 동작 이론에 제한됨이 없이, 배기를 위해 샤워헤드(105)로부터의 가스 유동을 제한하는 것은 프로세싱 구역(108)의 볼륨을 감소시키는 것을 허용할 수 있다고 여겨진다.
[0027] 도 2a 및 도 2b는, 기판 지지부(106)가 로딩 포지션(도 2a) 및 프로세싱 포지션(도 2b)에 있을 때의, 도 1로부터의 구역 2의 확대도들을 도시한다. 외측 배플 링(200)은 고정되거나 이동가능할 수 있다. 도시된 실시예에서, 외측 배플 링(200)은, 샤워헤드(105)의 하부 표면과 접촉한 채 고정된 포지션에 있다. 외측 배플 링(200)은, 가스의 유동이 외측 배플 링(200)을 통과하는 것을 허용하기 위해 복수의 개구들(210)을 포함한다. 사용 시, 외측 배플 링(200)은, 개구들(210) 중 적어도 일부가 라이너(134)에 있는 개구(180)와 정렬되도록 포지셔닝된다.
[0028] 외측 배플 링(200)은, 예컨대, 프로세싱될 기판의 직경 및 타겟팅된 프로세싱 볼륨에 의존하여, 임의의 적절한 직경 및 임의의 적절한 높이를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 외측 배플 링(200)은, 약 25 mm 내지 약 1000 mm의 범위 내의, 또는 약 100 mm 내지 약 400 mm의 범위 내의 내경을 갖는다. 일부 실시예들에서, 외측 배플 링(200)은, 프로세싱되는 기판의 직경과 실질적으로 동일한 내경을 갖는다. 이와 관련하여 사용되는 바와 같이, "실질적으로 동일"이라는 용어는, 외측 배플 링(200)의 내경이 기판의 직경의 ±10 mm 내에 있다는 것을 의미한다.
[0029] 일부 실시예들은 내측 배플 링(250)을 포함한다. 내측 배플 링(250)이 있는 실시예들에서, 외측 배플 링(200)은, 내측 배플 링(250)이 외측 배플 링(200) 내의 포지션 내로 이동되는 것을 허용하기 위해, 내측 배플 링(250)의 외경보다 큰 내경을 갖는다.
[0030] 프로세싱 볼륨을 감소시키기 위해 외측 배플 링(200)의 벽의 두께가 또한 조정될 수 있다. 더 두꺼운 벽은 더 작은 내경을 제공할 것이다. 일부 실시예들에서, 외측 배플 링(200)은, 프로세싱 구역(108) 내에서 플라즈마가 점화되는 것을 허용하기에 충분한 높이를 갖는다.
[0031] 사용 시, 기판 지지부(106)가 프로세싱 포지션에 있을 때, 개구(180)는 기판 지지부(106)의 상부 표면(166)에 인접하게 로케이팅될 수 있다. 일부 실시예들에서, 외측 배플 링(200)에 있는 개구들(210)은 라이너(134)에 있는 개구(180)와 정렬된다. 일부 실시예들에서, 외측 배플 링(200)에 있는 개구들(210)은, 외측 배플 링(200)에 있는 개구들(210)을 통해 유동하는 가스에 대한 저항을 증가시키기 위해, 라이너(134)에 있는 개구(180)와 어긋나게 정렬(misalign)된다.
[0032] 사용 시, 기판 지지부(106)는, 기판 지지부(106)의 상부 표면(166)이 외측 배플 링(200)의 하부 에지(220)에 가깝도록 또는 그와 접촉하도록 상승될 수 있다. 외측 배플 링(200)은, 반응성 가스들이 개구들(210)을 통해 유동하는 것을 허용하는, 프로세싱 구역(108)에 대한 환형 경계를 형성할 수 있다.
[0033] 일부 실시예들에서, 샤워헤드(105)는 플라즈마 생성을 위한 전극이다. 외측 배플 링(200)이 전극과 맞물릴 때, 외측 배플 링(200)은, 기판(60)의 약 10 mm 미만 바로 위로, 기판 주위에 최소 볼륨 반응 공간을 형성한다. 300 mm 원형 기판의 경우, 일부 실시예들의 반응 볼륨은, 약 250 mL, 225 mL, 200 mL, 175 mL, 150 mL, 125 mL, 또는 100 mL 이하이다. 작은 반응 볼륨은, ALD 프로세스에 대한 가스들의 고속 스위칭을 촉진시키도록 돕는다.
[0034] 도시된 실시예는, 반경방향으로 내측을 향해 연장되고 그리고 외측 배플 링(200)에 대한 지지부를 제공하는 라이너(134)의 연장부(190)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 외측 배플 링(200)은 샤워헤드에 연결된다.
[0035] 외측 배플 링(200)에 있는 개구들(210)의 개수 및 사이즈는 변할 수 있다. 더 많은 개구들(210)은, 동일한 사이즈의 더 적은 개구들(210)을 갖는 유사한 링보다, 프로세싱 구역(108)으로부터의 더 많은 가스 유동을 허용할 것이다. 유동 저항을 변경하기 위해 개구들의 개수가 조정될 수 있다. 유사하게, 더 작은 개구들(210)은 더 큰 개구들보다 가스 유동에 대한 더 큰 저항을 생성할 것이다.
[0036] 도면들에 도시된 바와 같은 일부 실시예들은, 외측 배플 링(200)에 부가하여 내측 배플 링(250)을 포함한다. 내측 배플 링(250)은, 도 2a에 도시된 제1 포지션으로부터, 외측 배플 링(200) 내부의, 도 2b에 도시된 제2 포지션으로 이동가능하다. 내측 배플 링(250)은, 가스의 유동이 내측 배플 링(250)을 통과하는 것을 허용하기 위해 복수의 개구들(260)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 내측 배플 링(250)은, 개구들(260) 중 적어도 일부가 외측 배플 링(200)에 있는 개구들(210) 및 라이너(134)에 있는 개구(180)와 정렬되도록 포지셔닝된다.
[0037] 내측 배플 링(250)은, 예컨대, 프로세싱될 기판의 직경 및 타겟팅된 프로세싱 볼륨에 의존하여, 임의의 적절한 직경 및 임의의 적절한 높이를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 내측 배플 링(250)은, 약 25 mm 내지 약 1000 mm의 범위 내의, 또는 약 100 mm 내지 약 400 mm의 범위 내의 내경을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 내측 배플 링(250)은, 프로세싱될 기판의 직경보다 큰, 약 10 mm보다 크거나 같은 내경을 갖는다. 일부 실시예들에서, 내측 배플 링(250)의 내경은, 약 10 mm, 15 mm, 20 mm, 또는 25 mm보다 크거나 같은 양만큼, 프로세싱될 기판의 직경보다 크다. 일부 실시예들에서, 내측 배플 링(250)은, 프로세싱되는 기판의 직경과 실질적으로 동일한 내경을 갖는다. 이와 관련하여 사용되는 바와 같이, "실질적으로 동일"이라는 용어는, 내측 배플 링(250)의 내경이 기판의 직경의 ±10 mm 내에 있다는 것을 의미한다. 일부 실시예들에서, 내측 배플 링(250)은, 내측 배플 링(250)이 외측 배플 링(200)과 접촉함이 없이 외측 배플 링(200) 내의 포지션 내로 이동될 수 있도록, 외측 배플 링(200)의 내경보다 작은 외경을 갖는다.
[0038] 프로세싱 볼륨을 감소시키기 위해 내측 배플 링(250)의 벽의 두께가 또한 조정될 수 있다. 더 두꺼운 벽은 더 작은 내경을 제공할 것이다. 일부 실시예들에서, 내측 배플 링(250)은, 프로세싱 구역(108) 내에서 플라즈마가 점화되는 것을 허용하기에 충분한 높이를 갖는다. 사용 시, 내측 배플 링(250)은, 프로세싱 구역(108)의 볼륨을 감소시키는 데 사용될 수 있다. 기판 지지부(106)의 상부 표면(166)과 샤워헤드(105)의 하부 표면(168) 사이의 거리는, 프로세싱 구역(108)의 높이를 정의한다. 기판 지지부(106)가 내측 배플 링(250)의 높이보다 샤워헤드(105)에 더 가깝게 이동할 수 없기 때문에, 내측 배플 링(250)이 프로세싱 구역(108)의 높이를 정의할 수 있다. 일부 실시예들의 내측 배플 링(250)은, 프로세싱될 기판의 직경의 약 100분의 1보다 크거나 같은 높이를 갖는다. 예컨대, 300 mm 기판이 프로세싱되는 경우, 내측 배플 링(250)의 최소 높이는 약 3 mm이다. 일부 실시예들에서, 내측 배플 링(250)은, 약 0.5 mm, 1 mm, 1.5 mm, 2 mm, 2.5 mm, 3 mm, 3.5 mm, 4 mm, 4.5 mm 또는 5 mm보다 크거나 같은 높이를 갖는다. 일부 실시예들에서, 내측 배플 링(250)은, 약 0.5 mm, 1 mm, 1.5 mm, 2 mm, 2.5 mm, 3 mm, 3.5 mm, 4 mm, 4.5 mm 또는 5 mm보다 크거나 같은 높이로, 프로세싱될 기판 위에 포지셔닝된다.
[0039] 내측 배플 링(250) 및 외측 배플 링(200)은, 예컨대, 프로세싱 온도 및 반응성 가스들에 의존하여 임의의 적절한 재료로 만들어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 내측 배플 링(250) 및 외측 배플 링(200)은, 금속, 플라스틱, 또는 세라믹 재료로부터 독립적으로 선택된다. 적절한 예들은, 알루미늄, 티타늄, 스테인리스 강, PEEK, Torlon, Vespel, 알루미나, 알루미늄 질화물 및 지르코니아를 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
[0040] 사용 시, 기판 지지부(106)는, 기판 지지부(106)의 상부 표면(166)이 외측 배플 링(200)의 하부 에지(220)에 가깝도록 또는 그와 접촉하도록 상승될 수 있다. 상승 동안, 기판 지지부(106)는 내측 배플 링(250)의 하부 에지(270)와 접촉할 수 있다. 이어서, 기판 지지부(106)는, 내측 배플 링(250)을 프로세싱을 위한 포지션으로 리프팅할 수 있다. 프로세싱 동안, 내측 배플 링(250)은, 반응성 가스들이 개구들(260)을 통해 내측 배플 링(250)과 외측 배플 링(200) 사이의 구역 내로 유동하는 것을 허용하는, 프로세싱 구역(108)에 대한 환형 경계를 형성할 수 있다. 이어서, 가스들은, 링들 사이의 구역으로부터 외측 배플 링(200)에 있는 개구들(210)을 통해 유동할 수 있다.
[0041] 도시된 실시예에서, 로딩 포지션에서는, 내측 배플 링(250)은 연장부(190)에 의해 지지된다. 이는, 기판(60)의 로딩 및 언로딩 동안 내측 배플 링(250)이 방해가 되지 않음을 보장하기 위해 사용될 수 있다.
[0042] 내측 배플 링(250)은, 프로세싱 볼륨을 감소시키거나 증가시키도록 변경될 수 있다. 예컨대, 고가의 전구체가 사용될 경우, 내측 배플 링(250)은, 반응 볼륨을 감소시키기 위해 더 작은 높이 또는 내경을 갖는 내측 배플 링으로 교체될 수 있다. 프로세싱 포지션으로 이동할 때, 내측 배플 링(250) 및 기판 지지부(106)는, 내측 배플 링(250)이 프로세싱 구역(108)의 환형 에지를 정의하도록, 외측 배플 링(200) 내부로 이동될 수 있다.
[0043] 격리된 프로세싱 구역(108)을 형성하기 위해 프로세싱 챔버의 컴포넌트들 사이에 시일이 형성될 수 있다. 시일은, 내측 배플 링(250)과 샤워헤드(105) 사이에, 내측 배플 링(250)과 기판 지지부(106) 사이에, 외측 배플 링(200)과 샤워헤드(105) 사이에, 외측 배플 링(200)과 기판 지지부(106) 사이에, 또는 이들의 조합들에 형성될 수 있다. 예컨대, 내측의 프로세싱 구역(108)을 격리시키기 위해, 위로는 내측 배플 링(250)과 샤워헤드(105) 사이에 그리고 아래로는 내측 배플 링(250)과 기판 지지부(106) 사이에 시일이 형성될 수 있다.
[0044] 도 3은, 내측 배플 링(250)과 샤워헤드(105) 사이에 면 시일(face seal)이 형성되는 실시예를 도시한다. 내측 배플 링(250)의 최상부 에지(252)와 샤워헤드의 하부 표면(168) 사이에 시일링 링(255)이 포지셔닝된다. 시일링 링(255)은, 내측 배플 링(250)의 최상부 에지(252)에 형성된 홈(groove) 또는 환형 채널(254) 내에 포지셔닝될 수 있다. 유사하게, 샤워헤드(105)의 하부 표면(168)에 홈 또는 채널이 형성될 수 있다. 환형 채널(254)은, 압축 시에 시일링 링의 팽창을 허용하면서 시일링 링(255)을 리테이닝(retain)하도록 사이즈가 정해질 수 있다.
[0045] 도 4에 도시된 실시예에서, 피스톤 또는 립 시일(lip seal)을 형성하기 위해, 외측 배플 링(200)의 외측 주변 에지(203)와 라이너(134)의 면(135) 사이에 시일링 링(255)이 포지셔닝된다. 시일링 링(255)은, 라이너(134)의 면(135)에서 적소에(in position) 고정되어, 시일을 유지하면서 외측 배플 링(200)이 수직으로 이동하는 것을 허용할 수 있다. 유사하게, 당업자에 의해 인식될 바와 같이, 내측 배플 링(250)의 외측 주변 에지와 외측 배플 링(200)의 내측면 사이에 시일이 형성될 수 있다.
[0046] 일부 실시예들에서, 리던던트(redundant) 시일들을 제공하도록 포지셔닝되는 다수의 시일링 링들(255)이 존재할 수 있다. 도 1, 도 2a, 및 도 2b는 2개의 시일링 링들(255)이 있는 실시예를 도시한다. 일부 실시예들의 샤워헤드(105)는, 내측 배플 링(250)의 최상부 에지(252)와 협동적으로 상호작용하도록 사이즈가 정해지는 리세스(recess)(290)를 포함한다. 리세스(290)는, 별개의 환형 채널들(107a, 107b)에 포지셔닝되는 2개의 시일링 링들(255)을 포함한다. 내측 환형 채널(107a)은, 외측 환형 채널(107b)보다 더 작은 직경을 갖는다. 내측 환형 채널(107a) 및 외측 환형 채널(107b)은 동심을 이룰 수 있다. 도시된 내측 배플 링(250)의 최상부 에지(252)는, 환형 채널들(107a, 107b)과 정렬되도록 이격되는 2개의 돌출부들(257)을 갖는다. 내측 배플 링(250)이 상승될 때, 돌출부들(257)이 환형 채널들(107a, 107b) 내부의 시일링 링들(255)과 접촉하여 시일을 형성한다. 내측 환형 채널(107a)에 있는 시일링 링(255)이 시일을 형성하는 데 실패하는 경우, 외측 환형 채널(107b)에 있는 시일링 링(255)이 시일을 유지할 수 있다.
[0047] 도 5는, 기판 지지부(106)의 상부 표면(166)과 접촉하도록 시일링 링(285)이 포지셔닝되는 대안적인 실시예를 도시한다. 도시된 바와 같이, 시일링 링(285)은, 기판 지지부(106)와 접촉할 수 있는 가요성 돌출부(286)를 포함할 수 있다. 시일링 링(285)은, 상부 라이너(134a)와 하부 라이너(134b)를 분리하면서 프로세싱 구역(108)과 플레넘(132) 사이에 유체 연결을 형성하는 개구(180)의 하부 에지에 포지셔닝될 수 있다. 이러한 포지션에서, 시일링 링(285)은, 플레넘을 통한 진공으로의 연결이 프로세싱 구역(108)의 하부 에지에 있도록 프로세싱 구역(108)의 하부 에지를 형성하는 것을 돕는다.
[0048] 시일링 링(285)은 임의의 적절한 재료로 만들어질 수 있고 그리고 임의의 적절한 치수들을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 시일링 링(285)은 알루미늄 질화물을 포함한다. 일부 실시예들에서, 가요성 돌출부(286)는, 약 0.1 내지 약 0.3 mm의 범위 내의 두께를 갖는다.
[0049] 본 설명 전반에 걸쳐 접할 수 있는 "상부", "하부", "최상부", 및 "최하부"라는 용어들은, 설명되는 장치의 배향에 대해 상대적인 방향들의 설명들이며, 그렇게 설명된 장치를 임의의 절대적 배향으로 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
[0050] 설명된 장치는, 플라즈마 강화 원자 층 증착(PEALD) 프로세스 동안 하나 이상의 층들을 형성하는 데 사용될 수 있다. 일부 프로세스들에서, 플라즈마의 사용은, 표면 반응들이 유리하게 되고 가능성이 있게 되는 여기(excite)된 상태로 종을 촉진시키기에 충분한 에너지를 제공한다. 프로세스에 플라즈마를 도입하는 것은 연속적일 수 있거나 또는 펄스식일 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 및 전구체들(또는 반응성 가스들)의 순차적인 펄스들이, 층을 프로세싱하기 위해 사용된다. 일부 실시예들에서, 시약(reagent)들은, 국부적으로(즉, 프로세싱 영역 내에서), 또는 원격으로(즉, 프로세싱 영역 외부에서) 이온화될 수 있다. 이온들 또는 다른 에너제틱(energetic) 또는 발광 종이 증착 필름과 직접적으로 접촉하지 않도록, 원격 이온화가 증착 챔버의 상류에서 발생할 수 있다. 일부 PEALD 프로세스들에서, 플라즈마는, 프로세싱 챔버 외부에서, 이를 테면 원격 플라즈마 생성기 시스템에 의해 생성된다. 플라즈마는, 당업자에게 알려져 있는 임의의 적절한 플라즈마 생성 프로세스 또는 기법을 통해 생성될 수 있다. 예컨대, 플라즈마는, 마이크로파(MW) 주파수 생성기 또는 라디오 주파수(RF) 생성기 중 하나 이상에 의해 생성될 수 있다. 플라즈마의 주파수는, 사용되고 있는 특정 반응성 종에 의존하여 튜닝될 수 있다. 적절한 주파수들은, 2 MHz, 13.56 MHz, 40 MHz, 60 MHz 및 100 MHz를 포함하지만 이들로 제한되지 않는다. 본원에서 개시되는 증착 프로세스들 동안 플라즈마들이 사용될 수 있지만, 플라즈마들이 요구되지 않을 수도 있다는 것이 유의되어야 한다.
[0051] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 기판은, 장치에서 사용하기 전에 그리고/또는 장치에서 사용한 후에 프로세싱될 수 있다. 이러한 프로세싱은, 동일한 챔버에서 또는 하나 이상의 별개의 프로세싱 챔버들에서 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판은, 추가적인 프로세싱을 위해, 제1 챔버로부터 별개의 제2 챔버로 이동된다. 기판은, 제1 챔버로부터 별개의 프로세싱 챔버로 직접적으로 이동될 수 있거나, 또는 기판은, 제1 챔버로부터 하나 이상의 이송 챔버들로 이동될 수 있고, 그 후에, 원하는 별개의 프로세싱 챔버로 이동될 수 있다. 따라서, 프로세싱 장치는 이송 스테이션과 통신하는 다수의 챔버들을 포함할 수 있다. 이러한 종류의 장치는 "클러스터 툴(cluster tool)" 또는 "클러스터링된 시스템" 등으로 지칭될 수 있다.
[0052] 일반적으로, 클러스터 툴은, 기판 중심-발견 및 배향, 탈기, 어닐링, 증착, 및/또는 에칭을 포함하는 다양한 기능들을 수행하는 다수의 챔버들을 포함하는 모듈러(modular) 시스템이다. 하나 이상의 실시예들에 따르면, 클러스터 툴은, 적어도 제1 챔버 및 중앙 이송 챔버를 포함한다. 중앙 이송 챔버는, 로드 록(load lock) 챔버들과 프로세싱 챔버들 사이에서 그리고 이들 간에서 기판들을 셔틀링(shuttle)할 수 있는 로봇을 하우징(house)할 수 있다. 이송 챔버는 통상적으로, 진공 조건에서 유지되고, 기판들을, 하나의 챔버로부터 다른 챔버로, 그리고/또는 클러스터 툴의 전방 단부에 포지셔닝된 로드 록 챔버로 셔틀링하기 위한 중간 스테이지를 제공한다. 본 개시내용에 대해 적응될 수 있는 2개의 잘-알려진 클러스터 툴들은 Centura® 및 Endura®이고, 이들 둘 모두는, 캘리포니아 주 Santa Clara의 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능하다. 하지만, 챔버들의 정확한 어레인지먼트(arrangement) 및 조합은, 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세스의 특정 단계들을 수행하는 목적들을 위해 변경될 수 있다. 사용될 수 있는 다른 프로세싱 챔버들은, 주기적 층 증착(CLD; cyclical layer deposition), 원자 층 증착(ALD), 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 에칭, 사전-세정, 화학 세정, RTP와 같은 열 처리, 플라즈마 질화(nitridation), 탈기, 배향, 히드록실화(hydroxylation), 및 다른 기판 프로세스들을 포함하지만 이들로 제한되지 않는다. 클러스터 툴 상의 챔버에서 프로세스들을 수행함으로써, 대기 불순물들에 의한 기판의 표면 오염이, 후속 막을 증착하기 전의 산화 없이, 회피될 수 있다.
[0053] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 기판은 지속적으로 진공 또는 "로드 록" 조건들 하에 있고, 하나의 챔버로부터 다음 챔버로 이동될 때, 주변 공기에 노출되지 않는다. 따라서, 이송 챔버들은 진공 하에 있고, 진공 압력 하에서 "펌핑 다운(pump down)"된다. 불활성 가스들이 프로세싱 챔버들 또는 이송 챔버들에 존재할 수 있다. 일부 실시예들에서, 불활성 가스는, 기판의 표면 상에 실리콘 층을 형성한 후에, 반응물들의 일부 또는 전부를 제거하기 위해, 퍼지 가스로서 사용된다. 하나 이상의 실시예들에 따르면, 퍼지 가스는, 반응물들이 증착 챔버로부터 이송 챔버로 그리고/또는 부가적인 프로세싱 챔버로 이동하는 것을 방지하기 위해, 증착 챔버의 출구에서 주입된다. 따라서, 불활성 가스의 유동은 챔버의 출구에서 커튼을 형성한다.
[0054] 기판은, 예컨대, 설명된 장치를 사용하여 단일 기판 증착 챔버들에서 프로세싱될 수 있다. 그러한 챔버들에서, 단일 기판이 로딩되고, 프로세싱되고, 그리고 다른 기판이 프로세싱되기 전에 언로딩된다. 기판은 또한, 다수의 기판이 챔버의 제1 부분 내로 개별적으로 로딩되고, 챔버를 통해 이동하고, 그리고 챔버의 제2 부분으로부터 언로딩되는, 컨베이어 시스템과 같은 연속적인 방식으로 프로세싱될 수 있다. 챔버 및 연관된 컨베이어 시스템의 형상은 직선 경로 또는 곡선 경로를 형성할 수 있다. 부가적으로, 프로세싱 챔버는, 다수의 기판들이 중심 축을 중심으로 이동되고 그리고 캐러셀(carousel) 경로 전반에 걸쳐 증착, 에칭, 어닐링, 세정 등의 프로세스들에 노출되는 캐러셀일 수 있다.
[0055] 프로세싱 동안, 기판은 가열 또는 냉각될 수 있다. 그러한 가열 또는 냉각은, 기판 지지부의 온도를 변화시키는 것 및 가열된 또는 냉각된 가스들을 기판 표면으로 유동시키는 것을 포함하는(그러나 이들로 제한되지 않음) 임의의 적절한 수단에 의해 달성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부는, 기판 온도를 전도식으로(conductively) 변화시키도록 제어될 수 있는 가열기/냉각기를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 이용되는 가스들(반응성 가스들 또는 불활성 가스들)은, 기판 온도를 국부적으로 변화시키도록 가열 또는 냉각된다. 일부 실시예들에서, 가열기/냉각기는, 기판 온도를 대류식으로(convectively) 변화시키기 위해, 챔버 내에서 기판 표면에 인접하게 포지셔닝된다.
[0056] 기판은 또한, 프로세싱 동안, 고정식일 수 있거나 또는 회전될 수 있다. 회전되는 기판은, 연속적으로 또는 불연속적인 단계들로 회전될 수 있다. 예컨대, 기판은 전체 프로세스 전반에 걸쳐 회전될 수 있거나, 또는 기판은, 상이한 반응성 또는 퍼지 가스들에 대한 노출들 사이에서 작은 양만큼 회전될 수 있다. (연속적으로 또는 단계들로) 프로세싱 동안 기판을 회전시키는 것은, 예컨대, 가스 유동 기하학적 구조들의 국부적인 변동성의 영향을 최소화함으로써, 더 균일한 증착 또는 에칭을 생성하는 것을 도울 수 있다.
[0057] 본원에서의 개시내용이 특정 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이러한 실시예들은 단지 본 개시내용의 원리들 및 애플리케이션들을 예시하는 것임이 이해되어야 한다. 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 방법 및 장치에 대해 다양한 수정들 및 변형들이 이루어질 수 있음이 당업자에게 자명할 것이다. 따라서, 본 개시내용은 첨부된 청구항들 및 그 등가물들의 범위 내에 있는 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (15)

  1. 프로세싱 챔버로서,
    하부 표면을 갖는 리드(lid);
    상기 리드의 하부 표면에 대면하는 상부 표면을 갖는 기판 지지부; 및
    복수의 개구들을 포함하는 내측 배플 링(baffle ring)을 포함하며,
    상기 내측 배플 링은, 상기 리드의 하부 표면과 상기 기판 지지부의 상부 표면 사이에 포지셔닝(position)되는, 프로세싱 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 내측 배플 링은, 로딩 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서 이동가능한, 프로세싱 챔버.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 프로세싱 챔버의 외측 에지(edge) 주위의 진공 라이너(liner)를 더 포함하며,
    상기 진공 라이너는, 상기 내측 배플 링이 상기 로딩 포지션에 있을 때 상기 내측 배플 링을 지지하는 연장부를 포함하는, 프로세싱 챔버.
  4. 프로세싱 챔버로서,
    측벽, 하부 벽, 및 리드 ― 상기 리드는 하부 표면을 갖고, 상기 측벽은, 진공 플레넘(plenum), 및 상기 프로세싱 챔버의 내부와 상기 진공 플레넘 사이에 유체 연결을 형성하는 개구를 가짐 ―;
    상기 리드의 하부 표면에 대면하는 상부 표면을 갖는 기판 지지부 ― 상기 기판 지지부는, 상기 상부 표면이 상기 리드의 하부 표면에 더 가깝게 또는 상기 리드의 하부 표면으로부터 더 멀리 이동될 수 있도록 이동가능함 ―;
    상기 측벽에 인접하게 있고 그리고 반경방향으로 내측을 향해 연장되는 연장부를 갖는 라이너;
    복수의 개구들을 포함하는 외측 배플 링 ― 상기 개구들은, 상기 측벽에 있는 개구와 정렬됨 ―; 및
    복수의 개구들을 포함하는 내측 배플 링을 포함하며,
    상기 내측 배플 링은 상기 리드의 하부 표면과 상기 기판 지지부의 상부 표면 사이에 포지셔닝되고, 상기 내측 배플 링은 로딩 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서 이동가능하고, 상기 로딩 포지션에서, 상기 내측 배플 링은 상기 라이너의 연장부와 접촉하는, 프로세싱 챔버.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 기판 지지부의 상향 이동은, 상기 기판 지지부의 상부 표면으로 하여금, 상기 내측 배플 링과 접촉하게 하고, 그리고 상기 내측 배플 링을 상기 연장부로부터 리프팅(lift)하여 상기 프로세싱 포지션으로 이동하게 하는, 프로세싱 챔버.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판 지지부는, 상기 내측 배플 링과 접촉하도록 포지셔닝되는 에지 링을 포함하는, 프로세싱 챔버.
  7. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 프로세싱 챔버의 측벽에 있는 진공 플레넘, 및 상기 진공 플레넘과 프로세싱 구역 사이에 유체 연결을 형성하는 개구를 더 포함하며,
    상기 프로세싱 구역은, 상기 리드, 상기 내측 배플 링, 및 상기 기판 지지부에 의해 정의되는, 프로세싱 챔버.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 측벽에 있는 개구는 상기 내측 배플 링에 있는 적어도 하나의 개구와 실질적으로 정렬되는, 프로세싱 챔버.
  9. 제2항 또는 제4항에 있어서,
    상기 리드는, 상기 내측 배플 링이 상기 프로세싱 포지션에 있을 때 상기 내측 배플 링의 최상부 에지와 협동적으로 상호작용하도록 사이즈가 정해지는 리세스(recess)를 더 포함하는, 프로세싱 챔버.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 리드에 있는 상기 리세스는, 상기 내측 배플 링이 상기 프로세싱 포지션에 있을 때 상기 리드와 상기 내측 배플 링 사이에 시일(seal)을 형성하기 위한 적어도 하나의 시일링(sealing) 링을 더 포함하는, 프로세싱 챔버.
  11. 제2항에 있어서,
    외측 배플 링을 더 포함하며,
    상기 외측 배플 링은, 복수의 개구들을 갖고 그리고 상기 내측 배플 링의 외경보다 큰 내경을 갖는, 프로세싱 챔버.
  12. 제4항 또는 제11항에 있어서,
    상기 외측 배플 링은, 상기 내측 배플 링이 프로세싱 포지션에 있을 때 상기 내측 배플 링이 상기 외측 배플 링 내에 있도록 제자리(in place)에 고정되는, 프로세싱 챔버.
  13. 제4항 또는 제11항에 있어서,
    상기 외측 배플 링은, 상기 기판 지지부 주위에 피팅(fit)되도록 사이즈가 정해진 내경을 갖는, 프로세싱 챔버.
  14. 제4항 또는 제11항에 있어서,
    상기 복수의 개구들은, 상기 프로세싱 챔버의 측벽에 있는 개구와 정렬되고,
    상기 개구는, 상기 측벽에 있는 진공 플레넘과 유체 연통(fluid communication)하는, 프로세싱 챔버.
  15. 프로세싱 챔버로서,
    상기 프로세싱 챔버의 내부를 형성하는, 측벽, 하부 벽, 및 리드 ― 상기 리드는 샤워헤드(showerhead)를 포함하고 그리고 하부 표면을 갖고, 상기 측벽은, 진공 플레넘, 및 상기 프로세싱 챔버의 내부와 상기 진공 플레넘 사이에 유체 연결을 형성하는 개구를 가짐 ―;
    상기 리드의 하부 표면에 대면하는 상부 표면을 갖는 기판 지지부 ― 상기 기판 지지부는, 상기 상부 표면이 상기 리드의 하부 표면에 더 가깝게 또는 상기 리드의 하부 표면으로부터 더 멀리 이동될 수 있도록 이동가능함 ―;
    상기 기판 지지부 상에 있는 에지 링 ― 상기 에지 링은, 기판의 외측 에지 주위에 피팅되도록 사이즈가 정해짐 ―;
    상기 측벽에 인접하게 있고 그리고 반경방향으로 내측을 향해 연장되는 연장부를 갖는 라이너;
    고정된 포지션에 있는 외측 배플 링 ― 상기 외측 배플 링은 복수의 개구들을 포함하고, 상기 개구들은 상기 측벽에 있는 개구와 정렬됨 ―; 및
    복수의 개구들을 포함하는 내측 배플 링을 포함하며,
    상기 내측 배플 링은 상기 리드의 하부 표면과 상기 기판 지지부의 상부 표면 사이에 포지셔닝되고, 상기 내측 배플 링은 로딩 포지션과 프로세싱 포지션 사이에서 이동가능하고, 상기 로딩 포지션에서, 상기 내측 배플 링은 상기 라이너의 연장부와 접촉하고,
    상기 기판 지지부의 상향 이동은, 상기 에지 링으로 하여금, 상기 내측 배플 링과 접촉하게 하고, 그리고 상기 내측 배플 링을 상기 연장부로부터 리프팅하여 상기 프로세싱 포지션으로 이동하게 하고,
    상기 외측 배플 링은, 상기 기판 지지부의 적어도 일부분 및 상기 내측 배플 링의 외경 주위에 피팅되도록 사이즈가 정해지는 내경을 갖고, 그리고
    상기 내측 배플 링이 상기 프로세싱 포지션에 있을 때, 프로세싱 구역이, 상기 리드, 상기 내측 배플 링, 및 상기 기판 지지부에 의해 정의되는, 프로세싱 챔버.
KR1020187033016A 2016-04-15 2017-04-13 마이크로-볼륨 증착 챔버 KR102305854B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662322907P 2016-04-15 2016-04-15
US62/322,907 2016-04-15
PCT/US2017/027395 WO2017180856A1 (en) 2016-04-15 2017-04-13 Micro-volume deposition chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180126086A true KR20180126086A (ko) 2018-11-26
KR102305854B1 KR102305854B1 (ko) 2021-09-27

Family

ID=60039410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187033016A KR102305854B1 (ko) 2016-04-15 2017-04-13 마이크로-볼륨 증착 챔버

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10711347B2 (ko)
KR (1) KR102305854B1 (ko)
CN (1) CN109075024B (ko)
TW (1) TWI727024B (ko)
WO (1) WO2017180856A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10872804B2 (en) * 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
JP2019109980A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
WO2020068343A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 Applied Materials, Inc. Coaxial lift device with dynamic leveling
US11220747B2 (en) 2018-10-29 2022-01-11 Applied Materials, Inc. Complementary pattern station designs
US11078568B2 (en) * 2019-01-08 2021-08-03 Applied Materials, Inc. Pumping apparatus and method for substrate processing chambers
CN109817554B (zh) * 2019-01-31 2020-12-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种气体扩散器
US11631571B2 (en) 2019-08-12 2023-04-18 Kurt J. Lesker Company Ultra high purity conditions for atomic scale processing
US12054826B2 (en) 2019-09-22 2024-08-06 Applied Materials, Inc. ALD cycle time reduction using process chamber lid with tunable pumping
WO2021055990A1 (en) * 2019-09-22 2021-03-25 Applied Materials, Inc. Ald cycle time reduction using process chamber lid with tunable pumping
US11664247B2 (en) 2020-10-16 2023-05-30 Applied Materials, Inc. Dynamic interface for providing a symmetric radio frequency return path

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573666B1 (ko) * 1997-07-22 2006-07-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 박막증착장치
KR100773724B1 (ko) * 2006-08-23 2007-11-06 주식회사 아이피에스 박막증착장치
US20120009765A1 (en) * 2010-07-12 2012-01-12 Applied Materials, Inc. Compartmentalized chamber
KR20130115849A (ko) * 2012-04-13 2013-10-22 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 설비
KR20160028335A (ko) * 2014-08-27 2016-03-11 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW499504B (en) * 1999-09-09 2002-08-21 Yu-Tsai Liu Single chamber processing apparatus having multi-chamber functions
US7601242B2 (en) * 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
EP1915470A4 (en) * 2005-07-29 2012-04-04 Aviza Tech Inc APPLICATION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
US7479457B2 (en) * 2005-09-08 2009-01-20 Lam Research Corporation Gas mixture for removing photoresist and post etch residue from low-k dielectric material and method of use thereof
JP2010524225A (ja) * 2007-04-02 2010-07-15 ソースル シーオー エルティディー 基板支持装置及びこれを備えるプラズマエッチング装置
US20110136346A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Axcelis Technologies, Inc. Substantially Non-Oxidizing Plasma Treatment Devices and Processes
JP2013008949A (ja) * 2011-05-26 2013-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板載置台、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20140051253A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Lam Research Corporation Plasma baffle ring for a plasma processing apparatus and method of use
US20140127911A1 (en) * 2012-11-07 2014-05-08 Lam Research Corporation Palladium plated aluminum component of a plasma processing chamber and method of manufacture thereof
JP6045610B2 (ja) * 2013-01-24 2016-12-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
WO2015145663A1 (ja) * 2014-03-27 2015-10-01 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法および基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573666B1 (ko) * 1997-07-22 2006-07-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 박막증착장치
KR100773724B1 (ko) * 2006-08-23 2007-11-06 주식회사 아이피에스 박막증착장치
US20120009765A1 (en) * 2010-07-12 2012-01-12 Applied Materials, Inc. Compartmentalized chamber
KR20130115849A (ko) * 2012-04-13 2013-10-22 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 설비
KR20160028335A (ko) * 2014-08-27 2016-03-11 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체

Also Published As

Publication number Publication date
US20170298509A1 (en) 2017-10-19
CN109075024B (zh) 2023-06-06
TW201740435A (zh) 2017-11-16
WO2017180856A1 (en) 2017-10-19
CN109075024A (zh) 2018-12-21
KR102305854B1 (ko) 2021-09-27
TWI727024B (zh) 2021-05-11
US10711347B2 (en) 2020-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102305854B1 (ko) 마이크로-볼륨 증착 챔버
US11742189B2 (en) Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
KR102640272B1 (ko) 원자 층 증착 챔버들을 위한 덮개들 및 덮개 키트들
US9617640B2 (en) Apparatus and methods for injector to substrate gap control
US20170009348A1 (en) Chemical Deposition Apparatus Having Conductance Control
US9484233B2 (en) Carousel reactor for multi-station, sequential processing systems
US20070022959A1 (en) Deposition apparatus for semiconductor processing
US10679827B2 (en) Method and apparatus for semiconductor processing chamber isolation for reduced particles and improved uniformity
CN212542358U (zh) 喷头
TW202132616A (zh) 用於原子層沉積前驅物運送的噴淋頭
TWI741093B (zh) 時間性原子層沉積處理腔室
JP2024511195A (ja) 適用体積内へのボトムパージの侵入を防止し、ヒータ下のガス拡散を処理するハードウェア
CN117981067A (zh) 热扼流板
US20170053781A1 (en) Multi-Station Chamber Having Symmetric Grounding Plate
US20230407473A1 (en) Pump liner for process chamber
WO2023183312A1 (en) Dual channel showerhead assembly
US20190382895A1 (en) Blocker plate for use in a substrate process chamber

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant