JP2023521771A - 半導体処理システム用の底部パージ - Google Patents

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Abstract

例示的な基板処理システムは、複数の処理領域を含んでよい。該システムは、複数の処理領域に流体結合された移送領域を画定する移送領域ハウジングを含んでよい。該システムは、複数の基板支持体を含んでよく、複数の基板支持体の各基板支持体は、移送領域と複数の処理領域のうちの関連付けられた処理領域との間で鉛直方向に移動可能であってよい。該システムは、移送領域ハウジングを通って延在する回転可能なシャフトを含む移送装置を含んでよい。移送装置は、回転可能なシャフトに結合されたエンドエフェクタを含んでよい。エンドエフェクタは、パージ源に流体結合された中央開口部を画定する中央ハブを含んでよい。エンドエフェクタはまた、複数の基板支持体の基板支持体の数と等しい数のアームを有する複数のアームも含んでよい。【選択図】図３

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２０年４月９日に出願された「BOTTOM PURGE FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM」という名称の米国特許出願第16/844,121号の利益及び優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0002] 本技術は、半導体プロセス及び装備に関する。特に、本技術は、半導体基板支持体に関する。
[0003] 半導体処理システムは、しばしば、幾つかのプロセスチャンバを一体化するためにクラスタツールを利用する。この構成は、制御された処理環境から基板を取り出すことなく、幾つかの連続的な処理動作の実行を容易にしてよく、又は、同様のプロセスが、異なるチャンバ内で複数の基板に対して一度に実行されることを可能にする。これらのチャンバは、例えば、ガス抜きチャンバ、前処理チャンバ、移送チャンバ、化学気相堆積チャンバ、物理的気相堆積チャンバ、エッチングチャンバ、計測チャンバ、及び他のチャンバを含んでよい。クラスタツールにおけるチャンバの組み合わせ、ならびにこれらのチャンバが実行される動作条件及びパラメータは、特定のプロセスレシピ及びプロセスフローを使用して特定の構造を製造するために選択される。
[0004] 幾つかの処理システムは、互いに接続された複数の処理領域及び移送領域を含んでよい。構成要素のレイアウト及び構成に応じて、種々の領域が、システムを通して供給される前駆体にとって流体的にアクセス可能であってよい。前駆体のプラズマ強化種を含む堆積及び洗浄前駆体が、システムの領域にアクセスし得るときに、堆積又は損傷がシステム内で生じることがある。加えて、特定のレイアウト及びフローパターンは、システム内にデッドゾーンを生成し、前駆体を特定の領域内に蓄積させる場合があり、システムの種々の領域の排気を困難にする可能性がある。
[0005] したがって、半導体処理チャンバ及びシステム内で材料を効率的に流動させ及び排気するために使用することができる改良されたシステム及び構成要素が必要とされている。これらの必要性及びその他の必要性は、本技術によって対処される。
[0006] 例示的な基板処理システムは、複数の処理領域を含んでよい。該システムは、複数の処理領域に流体結合された移送領域を画定する移送領域ハウジングを含んでよい。該システムは、複数の基板支持体を含んでよく、複数の基板支持体の各基板支持体は、移送領域と複数の処理領域のうちの関連付けられた処理領域との間で鉛直方向に移動可能であってよい。該システムは、移送領域ハウジングを通って延在する回転可能なシャフトを含む移送装置を含んでよい。移送装置は、回転可能なシャフトに結合されたエンドエフェクタを含んでよい。エンドエフェクタは、パージ源に流体結合された中央開口部を画定する中央ハブを含んでよい。エンドエフェクタはまた、複数の基板支持体の基板支持体の数と等しい数のアームを有する複数のアームも含んでよい。
[0007] 幾つかの実施形態では、半導体処理チャンバが、複数の基板支持体の基板支持体の数と等しい数のパージチャネルを有する複数のパージチャネルを含んでよい。複数のパージチャネルの各パージチャネルは、複数の基板支持体の別個の基板支持体に近接して移送領域ハウジングを通って延在してよい。複数の処理領域の各処理領域は、別個の蓋スタックによって上方から少なくとも部分的に画定されてよく、各蓋スタックは、基板処理システムの排気部に流体結合されたポンピングライナを含んでよい。各ポンピングライナは、複数のパージチャネルを通して供給されるパージガスのための、各処理領域からの排気流路を少なくとも部分的に画定してよい。回転可能なシャフトは、パージ源に流体結合された１以上の開口部を画定してよい。１以上の開口部は、エンドエフェクタの中央ハブによって少なくとも部分的に画定される移送領域の中央空間にパージガスを供給するように構成されてよい。パージ源は、中央ハブを通して画定された中央開口部と比較して、１以上の開口部を通してパージガスの約７５％以上を供給するように構成されてよい。複数の基板支持体は、移送領域の周りに分散された少なくとも３つの基板支持体を含んでよい。移送装置は、複数の基板支持体の間で中央に配置されてよい。
[0008] 本技術の幾つかの実施形態は、複数の処理領域を含む基板処理システムを包含してよい。該システムは、複数の処理領域に流体結合された移送領域を画定する移送領域ハウジングを含んでよい。該システムは、複数の基板支持体を含んでよく、複数の基板支持体の各基板支持体は、移送領域と複数の処理領域のうちの関連付けられた処理領域との間で鉛直方向に移動可能である。該システムは、移送領域ハウジングを通して画定された複数のパージチャネルを含んでよい。複数のパージチャネルのパージチャネルの数は、複数の基板支持体の基板支持体の数に等しくてよい。該システムは、移送領域ハウジングを通って延在する回転可能なシャフトを含む移送装置を含んでよい。移送装置は、回転可能なシャフトに結合されたエンドエフェクタを含んでよい。エンドエフェクタは、中央ハブを含んでよく、エンドエフェクタはまた、複数の基板支持体の基板支持体の数と等しい数のアームを有する複数のアームを含んでよい。
[0009] 幾つかの実施形態では、エンドエフェクタの中央ハブが、移送装置の回転可能なシャフトから移送領域への流体アクセスを提供する開口部を画定してよい。複数の処理領域の各処理領域は、別個の蓋スタックによって上方から少なくとも部分的に画定されてよい。各蓋スタックは、基板処理システムの排気部に流体結合されたポンピングライナを含んでよい。各ポンピングライナは、複数のパージチャネルを通して供給されるパージガスのための、各処理領域からの排気流路を少なくとも部分的に画定してよい。回転可能なシャフトが、パージ源に流体結合された１以上の開口部を画定してよい。１以上の開口部は、エンドエフェクタの中央ハブによって少なくとも部分的に画定される移送領域の中央空間にパージガスを供給するように構成されてよい。
[0010] 本技術の幾つかの実施形態は、半導体処理の方法を包含してよい。該方法は、基板処理システムの複数の蓋スタックを通して１種類以上の処理前駆体を供給することを含んでよい。複数の蓋スタックの各蓋スタックは、複数の処理領域のうちの処理領域に流体的にアクセスしてよい。複数の処理領域の各処理領域は、複数の蓋スタックのうちの蓋スタック、及び複数の基板支持体のうちの基板支持体によって、少なくとも部分的に画定されてよい。該方法は、移送領域を画定する移送領域ハウジングを通って延在する複数のパージチャネルを通して、基板処理システムの移送領域の中にパージガスを供給することを含んでよい。移送領域は、複数の処理領域に流体結合されてよい。該方法は、１種類以上の処理前駆体及びパージガスを、複数の蓋スタックのポンピングライナを通して排気することを含んでよい。
[0011] 幾つかの実施形態では、基板処理システムが、移送領域内に配置された移送装置を含んでよい。移送装置は、移送領域ハウジングを通って延在する回転可能なシャフトを含んでよい。移送装置は、回転可能なシャフトに結合されたエンドエフェクタを含んでよい。エンドエフェクタは、パージ源に流体結合された中央開口部を画定する中央ハブを含んでよい。エンドエフェクタは、複数の基板支持体の基板支持体の数と等しい数のアームを有する複数のアームを更に含んでよい。該方法は、回転可能なシャフトを通して、中央ハブによって画定された中央開口部から、移送領域の中に更なるパージガスを供給することを含んでよい。回転可能なシャフトは、パージ源に流体結合された１以上の開口部を画定してよい。移送領域の中央空間が、エンドエフェクタの中央ハブによって少なくとも部分的に画定されてよい。該方法は、回転可能なシャフトを通して、移送領域の中央空間の中に更なるパージガスを供給することを含んでよい。複数のパージチャネルを通して基板処理システムの移送領域の中へ供給されてよいパージガスは、基板処理システムの複数の蓋スタックを通して供給される１種類以上の処理前駆体のガス容積の約８０％以下のガス容積を含む。回転可能なシャフトを通して中央ハブによって画定される中央開口部から移送領域の中に供給されてよい更なるパージガスは、回転可能なシャフトを通して移送領域の中央空間の中へ供給される更なるパージガスの全容積の約２０％以下である。
[0012] このような技術は、従来のシステム及び技法を超えた多数の利点を提供してよい。例えば、パージチャネルは、システムの移送領域又は他の領域内にデッドゾーンが形成されることを制限又は防止してよい。加えて、１種類以上のパージガスの流れは、処理前駆体がシステム内の移送領域に入ることを制限してよい。これらの実施形態及びその他の実施形態は、その多くの利点や特徴と共に、後述の記載及び添付の図面により詳細に説明されている。
[0013] 開示された技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分と図面を参照することによって更に理解を深めることができる。
[0014] 本技術の幾つかの実施形態による例示的な処理ツールの概略上面図を示す。 [0015] 本技術の幾つかの実施形態による例示的な処理システムの概略部分断面図を示す。 [0016] 本技術の幾つかの実施形態による例示的な基板処理システムの移送セクションの概略等角図を示す。 [0017] 本技術の幾つかの実施形態による例示的な基板処理システムの例示的な排気システムの概略等角図を示す。 [0018] 本技術の幾つかの実施形態による例示的な基板処理システムの移送セクションの概略部分断面図を示す。 [0019] 本技術の幾つかの実施形態による例示的な基板処理システムの移送セクションの概略部分断面図を示す。 [0020] 本技術の幾つかの実施形態による例示的な移送装置の図５Ａの線Ａ‐Ａに沿った概略部分断面図を示す。 [0021] 本技術の幾つかの実施形態による半導体処理の方法における選択された動作を示す。
[0022] 図面のうちの幾つかは、概略図として含まれている。図面は、例示目的であり、縮尺又は比率が具体的に記載されていない限り、その縮尺又は比率であると見なされるべきではないことを理解されたい。更に、概略図として、図面は、理解を助けるために提供されており、現実的な描写に比べて全ての態様又は情報を含まない場合があり、例示を目的として強調された素材を含むことがある。
[0023] 添付図面では、類似の構成要素及び／又は特徴は、同一の参照符号を有し得る。更に、同じ種類の様々な構成要素は、類似の構成要素間を区別する文字により、参照符号に従って区別することができる。本明細書において第１の参照符号のみが使用される場合、その記載は、文字に関わりなく、同じ第１の参照符号を有する類似の構成要素のうちの何れにも適用可能である。
[0024] 基板処理は、ウエハ又は半導体基板上に材料を追加、除去、又はさもなければ修正するための時間がかかる動作を含み得る。基板の効率的な移動は、待ち行列時間を短縮し、基板スループットを改善してよい。クラスタツール内で処理される基板の数を増やすために、更なるチャンバをメインフレーム上に組み込んでよい。ツールを長くすることにより、移送ロボット及び処理チャンバを継続的に追加することができるが、クラスタツールの設置面積が拡大するにつれて、これは空間的に非効率になる可能性がある。したがって、本技術は、画定された設置面積内で処理チャンバの数が増加したクラスタツールを含んでよい。移送ロボットの周りの制限された設置面積に対応するために、本技術は、ロボットから横方向外側に処理チャンバの数を増加させてよい。例えば、幾つかの従来のクラスタツールは、ロボットの周りで半径方向にチャンバの数を最大化するために、中央に位置付けられた移送ロボットのセクションの周囲に配置された１つ又は２つの処理チャンバを含むことがある。本技術は、チャンバの別の列又は群として横方向外側に更なるチャンバを組み込むことによって、この概念を拡張してよい。例えば、本技術は、１以上のロボットアクセス位置の各々においてアクセス可能な３つ、４つ、５つ、６つ、又はそれより多い処理チャンバを含むクラスタツールに適用されてよい。
[0025] しかし、更なるプロセス位置が追加されるので、中央ロボットからこれらの位置にアクセスすることは、もはや、各位置における更なる移送能力なしには実行可能でないだろう。従来の技術は、移行中に基板が着座したままであるウエハキャリアを含むことがある。しかし、ウエハキャリアは、基板上の熱的不均一性及び粒子汚染に寄与する可能性がある。本技術は、処理チャンバ領域と鉛直方向に整列した移送セクション、及び、更なるウエハ位置にアクセスするために、中央ロボットと協働して動作してよいカルーセル又は移送装置を組み込むことによって、これらの問題を克服する。次いで、基板支持体は、移送領域と処理領域との間で鉛直方向に移動して、処理のために基板を送達してよい。
[0026] 移送領域が、処理領域にとって流体的にアクセス可能であるときに、プロセスガス又はプラズマ強化種は、処理領域を通過して移送領域に入ることがある。堆積前駆体、洗浄ガス、又は他の材料を含むことがあるこれらの活性前駆体は、堆積又は他のプロセス相互作用を移送領域内で行わせ、堆積又は損傷を移送領域の構成要素にもたらすことがある。本技術は、１種類以上のパージガスを移送領域の中に供給して、処理前駆体が移送領域に入るのを制限又は防止する助けとすることによって、これらの問題を克服してよい。複数の処理チャンバが、他の処理チャンバと同じプロセスを実行し、パージガスが、各領域に向かって流れているときに、材料の流れは平衡することがあり、処理システムの移送領域又は他の領域内の中央又は他の領域に流れのデッドゾーンを生成することがある。本技術はまた、システムの複数のエリアを通る流れを提供するために、移送領域の１以上のエリアに向けられた更なるパージチャネルを組み込むことによって、これらのデッドゾーンの生成を制限してもよい。
[0027] 残りの開示は、本構造及び方法が使用されてよい、四位置移送領域などの具体的な構造を規定通りに特定することとなるが、基板支持アセンブリ又は構成要素が、任意の数の他のシステム又はチャンバにおいて等しく採用されてよいことは、容易に理解されるだろう。したがって、本技術は、任意の特定のチャンバ単独での使用に限定されるものと見なされるべきではない。更に、本技術の基礎を提供するために、例示的なツールシステムが説明されることとなるが、本技術は、説明される動作及びシステムの一部又は全部から利益を得る可能性のある任意の数の半導体処理チャンバ及びツールに組み込まれてよいことを理解されたい。
[0028] 図１Ａは、本技術の幾つかの実施形態による、堆積、エッチング、ベーキング、及び硬化チャンバの基板処理ツール又は処理システム１００の一実施形態の上面図を示している。図面では、一組の前面開口統一ポッド１０２が、ロボットアーム１０４ａ及び１０４ｂによってファクトリインターフェース１０３内に受け取られ、ロードロック又は低圧保持エリア１０６の中に配置される、様々なサイズの基板を供給する。その後で、基板は基板処理領域１０８のうちの１つに送達され、チャンバシステム又はクワッドセクション１０９ａ～ｃ内に配置される。チャンバシステム又はクワッドセクション１０９ａ～ｃは、各々、複数の処理領域１０８に流体結合された移送領域を有する基板処理システムであってよい。クワッドシステムが図示されているが、スタンドアロンチャンバ、ツインチャンバ、及び他の複数のチャンバシステムを組み込んだプラットフォームが、本技術によって等しく包含されることは、理解されるべきである。移送チャンバ１１２内に収容された第２のロボットアーム１１０を使用して、保持エリア１０６からクワッドセクション１０９へ及びその逆に、基板ウエハを移送してよい。第２のロボットアーム１１０は、移送チャンバ内に収容されてよい。移送チャンバには、クワッドセクション又は処理システムの各々が接続されてよい。各基板処理領域１０８は、周期的層堆積、原子層堆積、化学気相堆積、物理的気相堆積、ならびにエッチング、予洗浄、アニール、プラズマ処理、ガス抜き、配向、及び他の基板プロセスを含む、任意の数の堆積プロセスを含む、幾つかの基板処理動作を実行するために設けられ得る。
[0029] 各クワッドセクション１０９は、第２のロボットアーム１１０から基板を受け取ってよい、及び第２のロボットアーム１１０に基板を送達してよい、移送領域を含んでよい。チャンバシステムの移送領域は、第２のロボットアーム１１０を有する移送チャンバと位置合わせされてよい。幾つかの実施形態では、移送領域が、ロボットにとって横方向にアクセス可能であってよい。その後の動作では、移送セクションの構成要素が、重なっている処理領域１０８の中に、基板を鉛直方向に移動させてよい。同様に、移送領域はまた、各移送領域内の位置の間で基板を回転させるように動作可能であってよい。基板処理領域１０８は、基板又はウエハ上の材料膜を、堆積、アニール、硬化、及び／又はエッチングするための、任意の数のシステム構成要素を含んでよい。１つの構成では、クワッドセクション１０９ａ及び１０９ｂ内の処理領域などの処理領域の２つの組を使用して、基板上に材料を堆積させてよく、クワッドセクション１０９ｃ内の処理チャンバ又は領域などの処理チャンバの第３の組を使用して、堆積した膜を硬化、アニール、又は処理してよい。別の１つの構成では、図示されている１２個全てのチャンバなどの、３組全てのチャンバが、基板上に膜を堆積及び／又は硬化させるように構成されてもよい。
[0030] 図面で示されているように、第２のロボットアーム１１０は、複数の基板を同時に送達及び／又は回収するための２つのアームを含んでもよい。例えば、各クワッドセクション１０９は、移送領域ハウジングの表面に沿った２つのアクセス１０７を含んでもよく、これらは、第２のロボットアームと横方向に位置合わせされてよい。アクセスは、移送チャンバ１１２に隣接する表面に沿って画定されてよい。図示されているような幾つかの実施形態では、第１のアクセスが、クワッドセクションの複数の基板支持体のうちの第１の基板支持体と位置合わせされてよい。更に、第２のアクセスは、クワッドセクションの複数の基板支持体のうちの第２の基板支持体と位置合わせされてよい。幾つかの実施形態では、第１の基板支持体が、第２の基板支持体に隣接してもよく、２つの基板支持体は、基板支持体の第１の列を画定してよい。図示されている構成で示されているように、基板支持体の第２の列が、移送チャンバ１１２から横方向外側で、基板支持体の第１の列の後方に配置されてもよい。第２のロボットアーム１１０の２つのアームは、移送領域内の基板支持体に１つ又は２つの基板を送達又は回収するために、２つのアームがクワッドセクション又はチャンバシステムに同時に入ることを可能とするように、離隔されてよい。
[0031] 説明される移送領域のうちの任意の１以上は、種々の実施形態で図示される製造システムから分離した更なるチャンバに組み込まれてもよい。材料膜用の堆積、エッチング、アニール、及び硬化チャンバの更なる構成が、処理システム１００によって考慮されることを理解されたい。加えて、任意の数の他の処理システムが、本技術と共に利用されてよい。それは、基板移動などの特定の動作のうちのいずれかを実行するための移送システムを組み込んでよい。幾つかの実施形態では、上述された保持及び移送エリアなどの様々なセクション内の減圧環境を維持しながら、複数の処理チャンバ領域にアクセスを提供してよい処理システムが、離散的なプロセス間の特定の減圧環境を維持しながら、複数のチャンバ内で動作が実行されることを可能にしてよい。
[0032] 図１Ｂは、本技術の幾つかの実施形態による、チャンバシステムなどを通る、例示的な処理ツールの一実施形態の概略断面立面図を示している。図１Ｂは、任意のクワッドセクション１０９における任意の２つの隣接する処理領域１０８を通る断面図を示してよい。該立面図は、１以上の処理領域１０８と移送領域１２０との構成又は流体結合を示してよい。例えば、連続的な移送領域１２０が、移送領域ハウジング１２５によって画定されてよい。ハウジングは、幾つかの基板支持体１３０が配置されてよい開放内部空間を画定してよい。例えば、図１Ａで示されているように、例示的な処理システムは、移送領域の周りのハウジング内に分散された、４つ以上の複数の基板支持体１３０を含んでよい。基板支持体は、図示されているようにペデスタルであってもよいが、幾つかの他の構成が使用されてもよい。幾つかの実施形態では、ペデスタルが、移送領域１２０と移送領域に重なっている処理領域との間で鉛直方向に移動可能であってよい。基板支持体は、チャンバシステム内の第１の位置と第２の位置との間の経路に沿って、基板支持体の中心軸に沿って鉛直方向に移動可能であってよい。したがって、幾つかの実施形態では、各基板支持体１３０が、１以上のチャンバ構成要素によって画定される重なっている処理領域１０８と軸方向に整列してよい。
[0033] 解放移送領域は、様々な基板支持体の間で回転させるなど、基板と係合し、基板を移動させる能力を、カルーセルなどの移送装置１３５に与えてよい。移送装置１３５は、中心軸の周りで回転可能であってもよい。これは、処理システム内の処理領域１０８のいずれかの中で処理するために基板が配置されることを可能にする。移送装置１３５は、基板支持体の周りで移動させるために、基板の上方、下方から基板に係合することができるか、又は基板の外縁に係合することができる１以上のエンドエフェクタを含んでよい。移送装置は、前述されたロボット１１０などのような移送チャンバロボットから基板を受け取ってよい。次いで、移送装置は、更なる基板の送達を容易にするために、基板を替わりの基板支持体に回転させてもよい。
[0034] 一旦配置され、処理を待つと、移送装置は、エンドエフェクタ又はアームを基板支持体の間に配置してよい。これによって、基板支持体が、移送装置１３５を通過して持ち上げられ、基板を処理領域１０８の中に送達することが可能になる。処理領域１０８は、移送領域から鉛直方向にオフセットされていてよい。例えば、図示されているように、基板支持体１３０ｂが、基板を処理領域１０８ｂに送達してよい一方で、基板支持体１３０ａは、基板を処理領域１０８ａの中に送達してよい。これは、他の２つの基板支持体及び処理領域、ならびに更なる処理領域が含まれる実施形態における更なる基板支持体及び処理領域で行われてよい。この構成では、基板支持体が、第２の位置などで基板を処理するために動作可能に係合されたときに、処理領域１０８を下方から少なくとも部分的に画定してよく、処理領域は、関連付けられた基板支持体と軸方向に整列してよい。処理領域は、面板１４０、ならびに他の蓋スタック構成要素によって上方から画定されてよい。幾つかの実施形態では、各処理領域が、個々の蓋スタック構成要素を有してよいが、幾つかの実施形態では、複数の構成要素が、複数の処理領域１０８を収容してよい。この構成に基づいて、幾つかの実施形態では、各処理領域１０８が、チャンバシステム又はクワッドセクション内の互いの処理領域から上方から流体的に隔離されながら、移送領域と流体結合されてよい。
[0035] 幾つかの実施形態では、面板１４０が、処理領域１０８内に局所プラズマを生成するためのシステムの電極として動作してもよい。図示されているように、各処理領域は、別個の面板を利用してよく又は組み込んでよい。例えば、面板１４０ａは、処理領域１０８ａを上方から画定するように含まれてよく、面板１４０ｂは、処理領域１０８ｂを上方から画定するように含まれてよい。幾つかの実施形態では、基板支持体が、面板と基板支持体との間に容量結合プラズマを生成するための介在電極（companion electrode）として動作してよい。ポンピングライナ１４５が、空間形状寸法に応じて、処理領域１０８を半径方向又は横方向に少なくとも部分的に画定してよい。再び、各処理領域用に別個のポンピングライナが利用されてよい。例えば、ポンピングライナ１４５ａは、処理領域１０８ａを半径方向に少なくとも部分的に画定してよく、ポンピングライナ１４５ｂは、処理領域１０８ｂを半径方向に少なくとも部分的に画定してよい。ブロッカプレート１５０が、複数の実施形態において、蓋１５５と面板１４０との間に配置されてよく、再び、各処理領域内の流体の分配を容易にするために、個別のブロッカプレートが含まれてよい。例えば、ブロッカプレート１５０ａは、処理領域１０８ａに向けられた分配用に含まれてよく、ブロッカプレート１５０ｂは、処理領域１０８ｂに向けられた分配用に含まれてよい。
[0036] 蓋１５５は、各処理領域用の別個の構成要素であってよく、又は１以上の共通の態様を含んでよい。図示されているような幾つかの実施形態では、蓋１５５が、個々の処理領域に対する流体供給用の複数の開口部１６０を画定する単一の構成要素であってよい。例えば、蓋１５５は、処理領域１０８ａに対する流体供給用の第１の開口部１６０ａを画定してよく、蓋１５５は、処理領域１０８ｂに対する流体供給用の第２の開口部１６０ｂを画定してよい。更なる開口部は、含まれる場合、各セクション内の更なる処理領域用に画定されてよい。幾つかの実施形態では、各クワッドセクション１０９又は４つより多い若しくは少ない基板を受け入れてよい複数の処理領域のセクションが、プラズマ放出物を処理チャンバの中に供給するための１以上の遠隔プラズマユニット１６５を含んでよい。幾つかの実施形態では、個々のプラズマユニットが、各チャンバ処理領域用に組み込まれてよいが、幾つかの実施形態では、より少ない遠隔プラズマユニットが使用されてよい。例えば、図示されているように、単一の遠隔プラズマユニット１６５が、最大で特定のクワッドセクション用の全てのチャンバまで、２つ、３つ、４つ、又はそれより上などの、複数のチャンバ用に使用されてよい。配管が、本技術の実施形態において、処理又は洗浄のためのプラズマ放出物の供給のために、遠隔プラズマユニット１６５から各開口部１６０まで延在してよい。
[0037] 幾つかの実施形態では、パージチャネル１７０が、各基板支持体１３０に近接して又はその近くで、移送領域ハウジングを通って延在してよい。例えば、複数のパージチャネルが、移送領域ハウジングを通って延在してよく、移送領域の中に供給される流体結合されたパージガス用の流体アクセスを提供することができる。パージチャネルの数は、処理システム内の基板支持体の数と同じであっても異なっていても（より多い又はより少ないを含む）よい。例えば、パージチャネル１７０は、各基板支持体の下方の移送領域ハウジングを通って延在してよい。２つの基板支持体１３０が図示されており、第１のパージガスチャネル１７０ａは、基板支持体１３０ａに近接するハウジングを通って延在してよく、第２のパージガスチャネル１７０ｂは、基板支持体１３０ｂに近接するハウジングを通って延在してよい。任意の更なる基板支持体が、同様に、パージガスを移送領域の中に提供するために、移送領域ハウジングを通って延在する配管されたパージチャネルを有してよいことを理解されたい。
[0038] パージガスが、パージチャネルのうちの１以上を通って供給されるときに、パージガスは、ポンピングライナ１４５を通して同様に排気されてよい。ポンピングライナ１４５は、処理システムからの全ての排気経路を提供してよい。その結果、幾つかの実施形態では、処理前駆体とパージガスとの両方が、ポンピングライナを通して排気されてよい。パージガスは、関連付けられたポンピングライナへ上向きに流れてよく、例えば、パージチャネル１７０ｂを通して流されたパージガスは、ポンピングライナ１４５ｂから処理システムから排気されてよい。以下で更に説明されることとなるように、パージガスの流れは、システムの移送領域の中への処理前駆体の侵入を制限するために供給されてよい。パージガスの流れプロファイルは、関連付けられたポンピングライナに向かって上向き延びていてよいので、パージガス流れのデッドゾーンが、例えば、中央などの移送領域の特定の領域に生成されることがある。以下で説明されることとなるように、これらの領域における処理前駆体の蓄積を制限するために、本技術の幾つかの実施形態では、更なるパージガスが、移送装置１３５を通してその周りに流されてよい。
[0039] 上述されたように、処理システム１００は、より具体的には、処理システム１００又は他の処理システムに組み込まれたクワッドセクション又はチャンバシステムが、図示されている処理チャンバ領域の下方に配置された移送セクションを含んでよい。図２は、本技術の幾つかの実施形態による、例示的なチャンバシステム２００の移送セクションの概略等角図を示している。図２は、上述された移送領域１２０の更なる態様又は態様の変形例を示してよく、上述された構成要素又は特性のいずれかを含んでよい。図示されているシステムは、幾つかの構成要素が含まれてよい移送領域を画定する移送領域ハウジング２０５を含んでよい。移送領域は、更に、図１Ａのクワッドセクション１０９において示された処理チャンバ領域１０８などの、移送領域と流体結合された処理チャンバ又は処理領域によって、上方から少なくとも部分的に画定されてよい。移送領域ハウジングの側壁は、１以上のアクセス位置２０７を画定してよい。上述されたように、１以上のアクセス位置２０７を通して、第２のロボットアーム１１０などによって、基板が送達及び回収されてよい。アクセス位置２０７は、スリット弁又は他の密封可能なアクセス位置であってよく、これは、幾つかの実施形態において、移送領域ハウジング２０５内に気密環境を提供するためのドア又は他の密封機構を含む。２つのそのようなアクセス位置２０７を有するように図示されているが、幾つかの実施形態では、単一のアクセス位置２０７だけ、ならびに移送領域ハウジングの複数の側面上の複数のアクセス位置が、同様に含まれてよいことを理解されたい。また、図示されている移送セクションは、任意の数の寸法又は形状によって特徴付けられる基板を含む、２００mm、３００mm、４５０mm、又はそれよりも大きい若しくはそれよりも小さい基板を含む、任意の基板サイズを受け入れるようにサイズ決定されてよいことを理解されたい。
[0040] 移送領域ハウジング２０５内には、移送領域の空間の周りに配置された複数の基板支持体２１０があってよい。４つの基板支持体が図示されているが、任意の数の基板支持体が、本技術の実施形態によって同様に包含されることを理解されたい。例えば、本技術の実施形態によれば、３つ以上、４つ以上、５つ以上、６つ以上、８つ以上、又はそれより多い基板支持体２１０が、移送領域内に収容されてよい。第２のロボットアーム１１０は、アクセス２０７を通して、基板支持体２１０ａ又は２１０ｂの一方又は両方に基板を送達してよい。同様に、第２のロボットアーム１１０は、これらの位置から基板を回収してよい。リフトピン２１２が、基板支持体２１０から突出してよく、ロボットが基板の下方にアクセスできるようにしてよい。幾つかの実施形態では、リフトピンが基板支持体上に固定されてもよく、又は基板支持体が下方に後退してもよく、或いはリフトピンが基板支持体を通して更に上昇又は下降してもよい。基板支持体２１０は、鉛直方向に移動可能であってよく、幾つかの実施形態では、移送領域ハウジング２０５の上方に配置された、処理チャンバ領域１０８などの、基板処理システムの処理チャンバ領域まで延伸してよい。
[0041] 移送領域ハウジング２０５は、位置合わせシステム用のアクセス２１５を提供してよい。これは、アライナであって、図示されるように移送領域ハウジングの開口部を通って延在することができ、隣接する開口部を通って突出若しく送信するレーザ、カメラ、又は監視デバイスと併せて動作してよく、移動している基板が適切に位置合わせされているかどうかを判定してよい、アライナを含んでよい。移送領域ハウジング２０５はまた、基板を配置し、様々な基板支持体の間で基板を移動させるために、幾つかのやり方で動作されてよい移送装置２２０も含んでよい。一実施例では、移送装置２２０が、基板支持体２１０ａ及び２１０ｂ上の基板を、基板支持体２１０ｃ及び２１０ｄに移動させてよい。これによって、更なる基板が移送チャンバの中に送達されることが可能になってよい。更なる移送動作は、重なっている処理領域における更なる処理のために基板支持体間で基板を回転させることを含んでよい。
[0042] 移送装置２２０は、移送チャンバの中に延在する１以上のシャフトを含んでよい中央ハブ２２５を含んでよい。エンドエフェクタ２３５が、シャフトと結合されてよい。エンドエフェクタ２３５は、中央ハブから半径方向又は横方向外向きに延在する複数のアーム２３７を含んでよい。アームがそこから延在する中央本体を有するように図示されているが、様々な実施形態では、エンドエフェクタが、それぞれシャフト又は中央ハブと結合される別個のアームを更に含んでよい。任意の数のアームが、本技術の実施形態に含まれてよい。幾つかの実施形態では、アーム２３７の数が、チャンバ内に含まれる基板支持体２１０の数と同様であるか又はそれと等しくてもよい。したがって、図示されているように、４つの基板支持体では、移送装置２２０が、エンドエフェクタから延在する４つのアームを含んでよい。アームは、直線プロファイル又は弓形プロファイルなどの任意の数の形状及びプロファイルによって特徴付けられてよく、同様に、例えば、位置合わせ又は係合などのために、基板を支持し且つ／又は基板へのアクセスを提供するためのフック、リング、フォーク、又は他の設計を含む任意の数の遠位プロファイルを含む。
[0043] 上述されたように、幾つかの実施形態では、中央パージが処理領域内に含まれてよい。例えば、４つの基板支持体２１０の各々が、ステムに近接し、移送チャンバのハウジングを通って延在するパージチャネルを含むときに、流れは中央ハブ２２５を覆って延びない場合がある。その結果、この領域に流れる可能性がある処理前駆体が蓄積し、移送領域からパージされないことがある。この効果を制限又は防止するために、幾つかの実施形態では、本技術が、移送装置を通して及び／又は移送装置の周りに更なるパージを供給してよい。流れは、以下で説明されることとなるようにエンドエフェクタの下方から延びてよく、流れはまた、中央ハブを通して画定される中央開口部２４０を通って延びてよい。開口部は、エンドエフェクタが結合されてよい移送装置の回転可能なシャフトなどのシャフトから移送領域の中への流体アクセスを提供してよい。パージ源は、中央開口部を通るパージ経路を提供するために、シャフトと流体結合されてよい。
[0044] エンドエフェクタ２３５又はエンドエフェクタの構成要素若しくは部分を使用して、移送又は移動中に基板と接触することができる。これらの構成要素ならびにエンドエフェクタは、導電性及び／又は絶縁性材料を含む幾つか材料から作製されてよく又はそれらを含んでよい。材料は、幾つかの実施形態では、重なっている処理チャンバから移送チャンバの中へ移動してよい前駆体又は他の化学物質との接触に耐えるように、コーティング又はめっきされてよい。
[0045] 加えて、材料は、温度などの他の環境特性に耐えるように提供又は選択されてよい。幾つかの実施形態では、基板支持体が、支持体上に配置された基板を加熱するように動作可能であってよい。基板支持体は、表面又は基板の温度を、約１００℃以上、約２００℃以上、約３００℃以上、約４００℃以上、約５００℃以上、約６００℃以上、約７００℃以上、約８００℃以上、又はそれより上の温度に上昇させるように構成されてよい。これらの温度のいずれかが、動作中に維持されてよく、したがって、移送装置２２０の構成要素は、これらの記載された温度又は包含された温度のいずれかに曝露されることがある。その結果、幾つかの実施形態では、材料のいずれも、これらの温度レジームに適応するように選択されてよく、比較的低い熱膨張係数又は他の有益な特性によって特徴付けられてよいセラミック及び金属などの材料を含んでよい。
[0046] 構成要素の継ぎ手がまた、高温及び／又は腐食性環境での動作向けに適合されてもよい。例えば、エンドエフェクタ及び端部がそれぞれセラミックである場合、継ぎ手は、プレス継ぎ手、スナップ継ぎ手、又は、温度に伴って膨張及び収縮し、セラミックに亀裂を生じさせることがあるボルトなどの更なる材料を含まなくてもよい他の継ぎ手を含んでよい。幾つかの実施形態では、端部が、エンドエフェクタと連続してもよく、エンドエフェクタとモノリシックに形成されてもよい。動作又は動作中の抵抗を容易にしてよい任意の数の他の材料が、利用されてよく、同様に本技術に包含される。
[0047] 図３は、本技術の幾つかの実施形態による、例示的な基板処理システムの例示的な排気システム３００の概略等角図を示している。図面は、上述された処理システム及び構成要素の態様を示してよく、システムの更なる態様を示してよい。図面は、処理システムの排気システムの例示を容易にするために、幾つかの構成用を除去してシステムを示していてよい。排気システム３００は、他の場所で説明又は図示される処理システムの任意の部分の任意の態様を含んでよく、他の場所で説明されるシステムのいずれかに組み込まれる排気システムの態様を図示してよいことが理解されるべきである。例えば、排気システム３００は、前述された蓋スタックの構成要素の一部を除去してシステムを示していてよい。各処理位置にポンピングライナを含むなど、構成要素を依然として組み込んでよいことが理解されるべきである。
[0048] 前述されたように、本技術の幾つかの実施形態による処理システムは、上述されたチャンバセクション２００の任意の態様を含んでよい、移送領域３１０から鉛直方向に移動されてよい基板支持体３０５を含んでよい。基板支持体３０５は、各々、関連付けられた処理領域まで延伸してよく、ここで、それらは、少なくとも部分的に処理領域を下方から画定してよく、面板又は他の蓋スタック構成要素は、少なくとも部分的に処理領域を上方から画定する。ポンピングライナは、少なくとも部分的に、半径方向に処理領域を画定してよく、上述されたように排気経路を提供してよい。排気経路は、図面で示されているような排気システムに材料を供給してよい。各ポンピングライナは、フォアラインにつながってよい排気ポート３１５へのアクセスを提供してよい。フォアラインは、排気ポート３１５の各々を、システムから材料を引き出すように構成されたポンピングシステムと流体結合してよい。
[0049] 図示されているように、排気ポート３１５は、移送領域３１０からのものを含む処理システムからの唯一の排気経路であってよい。加えて、図示されているように、基板支持体３０５は、個々の蓋スタックの構成要素を支持してよく、基板支持体の周りの処理領域を少なくとも部分的に画定してよい、下側蓋プレート３２０のような蓋スタックの構成要素とは完全には着座しないか又は密封しないだろう。下側蓋プレート３２０はまた、上方から移送領域を画定してもよい。その結果、各処理領域は、次いで、基板支持体の周りの移送領域と流体結合されてよい。パージガスが、基板支持体に近接したパージチャネルから流されるときに、ガスは、したがって、ポンピングライナを通って排気システムの中へ流れる前に、基板支持体の周りのポンピングライナまで、下側蓋プレートを通って引き上げられてよい。したがって、ポンピングライナは、ポンピングライナの上方から供給されてよい処理前駆体と、移送領域からポンピングライナの下方に供給されてよいパージガスとの両方のために、各処理領域からの排気流路を画定してよい。
[0050] 各処理領域が、各基板支持体の周りの処理領域から同様な量のパージガスを供給することを含んでよい同様な動作を実行するときに、パージガスは、概して、関連付けられた処理領域まで上向きに流れてよく、基板支持体を横切って又は基板支持体の間で流れ得ないので、図示されている中央領域は、領域を横切る大量の流れを有し得ない。これによって、移送領域の中央領域にデッドゾーンが生成されることがあり、これは、移送領域にアクセスする処理前駆体が、基板支持体の間に蓄積することを可能にし得る。移送領域は、移送装置の上方にあってよい。材料が蓄積することが可能になると、堆積が移送装置の動作と干渉することがあり、又は洗浄ガスがエンドエフェクタを損傷することがある。
[0051] 移送領域内の処理材料又は前駆体の蓄積を制限するために、本技術の幾つかの実施形態では、更なるパージ流れが処理領域の中に供給されてよい。図４は、本技術の幾つかの実施形態による例示的な基板処理システムの移送セクション４００の概略部分断面図を示し、移送装置４０５を通る断面を示してよい。移送装置は、上述のように、移送領域内に配置されてよい。移送領域は、下側蓋プレート４１０によって上方から、及び移送領域ハウジング４１２によって下方から画定されてよい。基板支持体４１５が、持ち上げられた位置にあるときに、処理前駆体は、移送装置の上方にあってよい移送領域の中央エリアに蓄積することが可能であり得る。本技術は、蓄積を制限し、移送領域からのパージを改善するために、１以上の更なるパージ流路を生成してよい。
[0052] 図示されているように、移送装置４０５は、エンドエフェクタ４２５に結合された回転可能なシャフト４２０を含んでよい。エンドエフェクタは、回転可能なシャフトに結合された中央ハブ４２７を含んでよい。エンドエフェクタはまた、中央ハブから延在する複数のアーム４３０も含んでよい。上述されたように、中央ハブ４２７は、そこを通してパージガスが供給されてよい開口部を画定してよい。パージガスは、シャフト４２０を通って上に流れてよく、移送装置の上方の移送領域に供給されてよい。移送装置は、基板支持体の間の中央に位置付けられてよく、移送領域内の流れのデッドゾーンに隣接してよい。パージ源４３５は、パージガスを中央ハブ開口部を通して供給するために、回転可能なシャフトと流体結合されてよい。加えて、パージ源は、バッフルプレートと結合されてよく、又は、移送装置と移送領域ハウジング４１２との間に形成された中央空間に、移送領域ハウジングを通してアクセスしてよい。図示されているように、パージガスは、移送装置の回転可能なシャフトを通して、中央ハブと下側蓋プレート４１０との間などの、移送装置の真上のエリアの中に供給されてよい。
[0053] 加えて、パージガスは、図示されているように、中央ハブと移送領域ハウジングとの間などの、移送装置の下方に画定される中央空間に供給されてよい。次いで、移送装置の下方に供給されたパージガスは、半径方向外向きに流れて、各基板支持体の近くに延びるパージ流れと相互作用し、移送領域の中央ゾーンをパージしてよい。エンドエフェクタ４２５は、各ポンピングライナに向かって延びる流れプロファイルへの任意の完全に異なる影響を制限するために、流れを等しく外向きに流すことを容易にしてよい。それは、各処理領域における同様な処理及び効果を維持することを容易にしてよく、１以上の処理領域に向けられた流れの変動を生成することがある任意の乱流を制限してよい。中央開口部からの流れの循環又はジェッティング（jetting）を更に制限するために、中央開口部を通るパージガスの量は、幾つかの実施形態において制限されてもよい。例えば、中央開口部を通して流されるパージガスの容積は、任意の単位時間の間に中央空間を通して流される容積の約４０％以下であってよい。加えて、中央開口部を通して流される容積は、中央空間の中に流される容積の約３５％以下であってもよく、約３０％以下、約２５％以下、約２０％以下、約１５％以下、約１０％以下、約５％以下、又はそれより下であってもよく、それは、システムの各処理領域に向かう同等な流れを更に促進してよい。
[0054] 図５Ａは、本技術の幾つかの実施形態による例示的な基板処理システムの移送セクション５００の概略部分断面図を示し、移送装置と移送領域ハウジングとの間の中央ゾーンの中にパージガスを流すための更なる実施形態を示してよい。図示されているように、移送装置５０５は、エンドエフェクタ５１５に結合された回転可能なシャフト５１０を含んでよい。エンドエフェクタ５１５は、中央ハブから延在する１以上のアーム５２５を有する中央ハブ５２０を含んでよい。開口部５２２は、中央ハブ内に画定されてよく、シャフト５１０を通るチャネルを通る流体継ぎ手を提供してよい。それによって、パージ源５２７から供給されるパージガスは、移送装置の上方の領域まで流されてよい。
[0055] 加えて、１以上の開口部５３５が、シャフト５１０内に画定されてよい。それらはまた、エンドエフェクタ５１５と移送領域ハウジング５３０との間で形成される中央空間にパージガスを供給するために、パージ源５２７と流体結合されてもよい。幾つかの実施形態では、開口部５３５が、図示されているようにバッフル又はチョークを含んでよく、これによって、シャフトから中央空間に出る流れの量を増加させてよく、中央開口部５２２を通って供給される流れの量を減少させてよい。これは、システムから排気するために処理領域の各々への均等な流れを確保することが困難になることがある、移送装置からのジェッティング又はパージ流を制限してよい。
[0056] 図５Ｂは、本技術の幾つかの実施形態による例示的な移送装置のシャフト５１０の図５Ａの線Ａ‐Ａに沿った概略部分断面図を示している。図示されているように、１以上の開口部５３５が、移送装置のシャフト５１０を通して画定されてよい。４つの開口部が図示されているが、任意の数の開口部が形成されてよく、これには、約１つ以上、約２つ以上、約３つ以上、約４つ以上、約５つ以上、約６つ以上、又はそれより多い数が含まれ、それは、移送装置の下方で画定された中央空間内の流れの均一性を改善してよい。加えて、１以上のバッフル又はチョークが、シャフトを通って中央チャネルの中に延在してよく、開口部に向かって流れを導いてよい。これは、移送装置の中央ハブと移送領域ハウジングとの間の移送領域の中央空間に至る開口部を通過して延在する縮小経路５４０を形成することによって、中央ハブの中央開口部を通って延びてよい流れの量を低減させるために使用されてよい。チョークは、開口部５３５と比較して中央開口部を通して供給されるパージガスの容積を、上述された割合又は範囲のいずれかに低減させてよい。移送装置の中央開口部及び移送領域の中央空間のうちの１つ又はそれぞれを通してパージガスを供給することによって、流れのデッドゾーンが制限又は防止されてよく、これにより、前駆体の完全な除去を確実に行ってよい。
[0057] 図６は、本技術の幾つかの実施形態による、半導体処理の方法６００における選択された動作を示している。該方法は、上述された処理システム１００を含む様々な処理システムにおいて実行されてよい。該方法は、半導体処理又はチャンバ洗浄中に、処理システムの移送領域内でパージ動作を実行することを含んでよく、これは、前述されたように、材料が移送領域内に蓄積するのを制限してよい。方法６００は、本技術による方法の幾つかの実施形態に特に関連付けられてよく又は関連付けられなくてもよい、幾つかの任意選択的な動作を含んでよい。例えば、実施される構造形成及び動作のより広い範囲を提供するために、多くの動作が説明されるが、それらは、本技術にとって死活的に重要ではなく、又は容易に理解され得るように代替的な方法によって実施されてよい。該方法は、上述された移送装置又は排気システムの任意の態様を含む、上述された任意の構成要素、構成、又は態様を含む、任意の処理チャンバ又はシステムにおいて実行されてよい。該方法はまた、本技術の実施形態による、パージから恩恵を受けてよい任意の他の処理チャンバにおいて実行されてもよい。
[0058] 方法６００は、列挙された動作の開始前に更なる動作を含んでよい。例えば、更なる処理動作は、基板を移送領域の中に送達すること、基板支持体間で基板を回転させること、及び処理システム又は任意の他の処理チャンバ内で任意の量の基板処理を実行することを含んでよい。その上に基板が載置されてよい例えば移送領域内などの基板支持体は、処理領域に移動されてよい。処理領域は、前述されたように移送領域と重なっていてよい。動作６０５では、１種類以上の処理前駆体が、処理領域に供給されてよい。これは、前述されたように、個々の蓋スタックを介するなどして、複数の処理領域への供給を含んでよい。上述のように、各処理領域は、関連付けられた蓋スタック、基板支持体、及びポンピングライナによって、少なくとも部分的に画定されてよく、このライナを通して、処理材料及びパージ材料がシステムから排気されてよい。
[0059] 動作６１０では、１種類以上のパージガスが、各処理領域の下方で延在する移送領域の中に供給されてよい。パージガスは、パージチャネル１７０などの１以上のパージチャネルを通して流されてよい。パージチャネルは、各基板支持体に近接して配置されてよく、移送領域ハウジングを通って延在してよい。幾つかの実施形態では、パージガスが、回転可能なシャフトを通して更に提供されてよい。これは、移送装置の中央ハブによって画定される中央開口部を通してなど、更なるパージガスを移送領域の中へ供給してよい。加えて、パージガスは、移送装置のシャフトの周りの移送領域の底部におけるバッフルを通して、又は前述されたように移送装置のシャフトの開口部を通して供給されてよい。
[0060] 動作６１５では、処理システムが、１種類以上の処理前駆体、処理の副生成物、ならびに移送領域を通して供給されるパージガスを排気してよい。前述されたように、ポンピングライナ及び排気システムを通してパージガスを排気することによって、パージガスは、処理前駆体が移送領域内に蓄積するのを制限又は防止するためのバリアを提供してよい。
[0061] パージガスは、システムの１以上の構成要素と不活性又は非反応性であってよい任意の材料を含んでよく、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素、酸素、又は実行されるプロセスに対する影響を制限してよい任意の他のプロセス前駆体若しくはキャリアガスを含んでよい。パージガスは、処理領域からの処理前駆体の流れを制限するためのバリア又はカーテンを提供するために供給されてよいので、流量は、処理前駆体の流量未満であってよい。例えば、幾つかの実施形態では、パージチャネルの各々から供給されるパージガスが、関連付けられた蓋スタックを通して供給される処理前駆体の流量の容積の約９０％以下で供給されてよい。加えて、供給されるパージガスは、処理前駆体の流量の容積の約８５％以下であってもよく、約８０％以下、約７５％以下、約７０％以下、約６５％以下、約６０％以下、約５５％以下、約５０％以下、又はそれより下であってもよい。
[0062] 前述されたように、移送装置の上下に供給されるパージガスは、処理材料の蓄積が生じることがあるデッドゾーンの生成を防止するために提供されてよい。各処理領域へのバランスのとれた流量に対する供給の影響を制限するために、中央に供給されるパージガスの量は、幾つかの実施形態では、任意の個々のパージチャネルに供給される量よりも少なくてよい。例えば、幾つかの実施形態では、移送装置を通して及び／又は移送装置の周りで中央に供給されるパージガスは、個々の基板支持体に近接する任意の個々のパージチャネルから供給される容積の約８０％未満であり得る。加えて、中央に供給されるパージガスは、任意の個々のパージチャネルから供給される容積の約７５％以下であってもよく、容積の約７０％以下、容積の約６５％以下、容積の約６０％以下、容積の約５５％以下、容積の約５０％以下、容積の約４５％以下、容積の約４０％以下、容積の約３５％以下、容積の約３０％以下、容積の約２５％以下、容積の約２０％以下、容積の約１５％以下、容積の約１０％以下、又はそれより下であってもよい。その結果、複数のパージチャネルが、複数の基板支持体を備えているときに、中央に供給されるパージガスの容積は、パージチャネル通して供給される更なるパージガスと蓋スタックを通して供給される処理前駆体との全容積の約４０％以下であってもよく、全容積の約３５％以下、全容積の約３０％以下、全容積の約２５％以下、全容積の約２０％以下、全容積の約１５％以下、全容積の約１０％以下、全容積の約５％以下、全容積の約１％以下、又はそれより下であってもよい。
[0063] 移送装置を通る中央開口部からのパージガスのジェッティングを更に制限するために、幾つかの実施形態では、中央開口部を通して供給されるパージガスの量が、回転可能なシャフト及び／又は移送装置を通して供給されるパージガスの全容積の約５０％以下であってもよく、全容積の約４５％以下、全容積の約４０％以下、全容積の約３５％以下、全容積の約３０％以下、全容積の約２５％以下、全容積の約２０％以下、全容積の約１５％以下、全容積の約１０％以下、全容積の約５％以下、全容積の約１％以下、又はそれより下であってもよい。
[0064] 移送装置の周囲及び／又は中を通って供給されるパージガスの容積は、移送領域の容積、蓋スタックを通して供給される前駆体の容積、ならびに処理及びチャンバ構成の任意の他の特性に、少なくとも部分的に基づいてよい。幾つかの実施形態では、移送装置のシャフトを通して及び／又は移送装置のシャフトの周りに供給されるパージガスの全容積が、約５slm以下であってもよく、約４slm以下、約３slm以下、約２slm以下、約１slm以下、約０．５slm以下、約０．３slm以下、又はそれより下であってもよい。幾つかの実施形態では、供給が、移送装置に対する熱効果を制限してよい約３slm以下の流量であってよい。移送装置は、パージガス用の流路を提供してよいので、幾つかの実施形態では、アーム又は移送装置の任意の態様に沿った冷却を制限するために、パージガスの流量が制御されてよい。本技術の幾つかの実施形態による処理システムの移送領域を通してパージガスを提供することによって、プロセス前駆体の流れが、移送領域内に流れ込むこと及び／又は移送領域内に蓄積することを制限又は防止し得る。
[0065] 前述の記載では、説明を目的として、本技術の様々な実施形態の理解を促すために、数々の詳細が提示されている。しかし、当業者には、これらの詳細のうちの一部がなくても、或いは、追加の詳細があれば、特定の実施形態を実施することができることは明らかであろう。
[0066] 幾つかの実施形態を開示したが、当業者は、実施形態の精神から逸脱することなく、様々な修正例、代替構造物、及び均等物を使用できることを認識されよう。更に、幾つかの周知の処理及び要素は、本技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために説明されていない。したがって、上記の説明は、本技術の範囲を限定するものと解釈すべきでない。更に、方法又は処理は、連続的又は段階的に説明され得るが、工程は、同時に行われてもよく、又は、記載よりも異なる順序で行われてもよいことを理解するべきである。
[0067] 値の範囲が付与されているところでは、文脈上そうでないと明示されていない限り、その範囲の上限値と下限値との間の各介在値は、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されている。記載された範囲の任意の記載値又は記載されていない介在値の間の任意の小さい範囲、そしてその記載範囲のその他の任意の記載された値又は介在する値も含まれる。これら小さい範囲の上限及び下限は、その範囲に個々に含まれ、又はその範囲から除外される場合があり、小さい範囲に限界値の何れかが含まれる、どちらも含まれない、又は両方が含まれる各範囲もまた、記載された範囲における明確に除外される任意の限界値を条件として、この技術範囲に包含される。記載された範囲が、限界値の片方又は両方を含む場合、これらの含められた限界値のいずれか又は両方を除外する範囲も含まれる。
[0068] 本明細書及び特許請求の範囲で使用される単数形「a」、「an」、及び「the」は、文脈が他のことを明らかに示していない限り、複数の参照対象を含む。したがって、例えば、「シャフト」への言及は、複数のそのようなシャフトを含み、「開口部（aperture）」への言及は、当業者に知られている1つまたは複数のコネクタおよびその等価物などへの言及を含む。
[0069] また、「備える（comprise（s））」、「備えている（comprising）」、「含有する（contain（s））」、「含有している（containing）」、「含む（include（s））」、及び「含んでいる（including）」という用語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用された場合、記載された特徴、整数、構成要素、又はステップの存在を特定することを意図しているが、１以上のその他の特徴、整数、構成要素、工程、動作、又は群の存在若しくは追加を除外するものではない。

Claims (20)

  1. 基板処理システムであって、
    複数の処理領域、
    前記複数の処理領域に流体結合された移送領域を画定する移送領域ハウジング、
    複数の基板支持体であって、前記複数の基板支持体の各基板支持体は、前記移送領域と前記複数の処理領域のうちの関連付けられた処理領域との間で鉛直方向に移動可能である、複数の基板支持体、並びに
    移送装置を備え、前記移送装置は、
    前記移送領域ハウジングを通って延在する回転可能なシャフト、及び
    前記回転可能なシャフトに結合されたエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタは、パージ源に流体結合された中央開口部を画定する中央ハブを含み、前記エンドエフェクタは、前記複数の基板支持体の基板支持体の数と等しい数のアームを有する複数のアームを更に含む、基板処理システム。
  2. 前記複数の基板支持体の基板支持体の前記数と等しい数のパージチャネルを有する複数のパージチャネルを更に備える、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記複数のパージチャネルの各パージチャネルは、前記複数の基板支持体の別個の基板支持体に近接して前記移送領域ハウジングを通って延在する、請求項２に記載の基板処理システム。
  4. 前記複数の処理領域の各処理領域は、別個の蓋スタックによって上方から少なくとも部分的に画定され、各蓋スタックは、前記基板処理システムの排気部に流体結合されたポンピングライナを備える、請求項２に記載の基板処理システム。
  5. 各ポンピングライナは、前記複数のパージチャネルを通して供給されるパージガスのための、各処理領域からの排気流路を少なくとも部分的に画定する、請求項４に記載の基板処理システム。
  6. 前記回転可能なシャフトが、前記パージ源に流体結合された１以上の開口部を画定し、前記１以上の開口部は、前記エンドエフェクタの前記中央ハブによって少なくとも部分的に画定された前記移送領域の中央空間にパージガスを供給するように構成されている、請求項１に記載の基板処理システム。
  7. 前記パージ源は、前記中央ハブを通して画定された前記中央開口部と比較して、前記１以上の開口部を通してパージガスの約７５％以上を供給するように構成されている、請求項６に記載の基板処理システム。
  8. 前記複数の基板支持体は、前記移送領域の周りに分散された少なくとも３つの基板支持体を含み、前記移送装置は、前記複数の基板支持体の間の中央に位置付けられている、請求項１に記載の基板処理システム。
  9. 基板処理システムであって、
    複数の処理領域、
    前記複数の処理領域に流体結合された移送領域を画定する移送領域ハウジング、
    複数の基板支持体であって、前記複数の基板支持体の各基板支持体は、前記移送領域と前記複数の処理領域のうちの関連付けられた処理領域との間で鉛直方向に移動可能である、複数の基板支持体、
    前記移送領域ハウジングを通して画定された複数のパージチャネルであって、前記複数のパージチャネルのパージチャネルの数は、前記複数の基板支持体の基板支持体の数に等しい、複数のパージチャネル、並びに
    移送装置を備え、前記移送装置は、
    前記移送領域ハウジングを通って延在する回転可能なシャフト、及び
    前記回転可能なシャフトに結合されたエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタは、中央ハブを含み、前記エンドエフェクタは、前記複数の基板支持体の基板支持体の数と等しい数のアームを有する複数のアームを更に含む、基板処理システム。
  10. 前記エンドエフェクタの前記中央ハブは、前記移送装置の前記回転可能なシャフトから前記移送領域への流体アクセスを提供する開口部を画定する、請求項９に記載の基板処理システム。
  11. 前記複数の処理領域の各処理領域は、別個の蓋スタックによって上方から少なくとも部分的に画定され、各蓋スタックは、前記基板処理システムの排気部に流体結合されたポンピングライナを備える、請求項９に記載の基板処理システム。
  12. 各ポンピングライナは、前記複数のパージチャネルを通して供給されるパージガスのための、各処理領域からの排気流路を少なくとも部分的に画定する、請求項９に記載の基板処理システム。
  13. 前記回転可能なシャフトは、パージ源に流体結合された１以上の開口部を画定し、前記１以上の開口部は、前記エンドエフェクタの前記中央ハブによって少なくとも部分的に画定された前記移送領域の中央空間にパージガスを供給するように構成されている、請求項９に記載の基板処理システム。
  14. 半導体処理の方法であって、
    基板処理システムの複数の蓋スタックを通して１種類以上の処理前駆体を供給することであって、前記複数の蓋スタックの各蓋スタックは、複数の処理領域のうちの処理領域に流体的にアクセスし、前記複数の処理領域の各処理領域は、前記複数の蓋スタックのうちの蓋スタックと複数の基板支持体のうちの基板支持体とによって、少なくとも部分的に画定される、１種類以上の処理前駆体を供給すること、
    前記基板処理システムの移送領域を画定する移送領域ハウジングを通って延在する複数のパージチャネルを通して、前記移送領域の中にパージガスを供給することであって、前記移送領域は、前記複数の処理領域に流体結合されている、パージガスを供給すること、並びに
    前記複数の蓋スタックのポンピングライナを通して、前記１種類以上の処理前駆体及び前記パージガスを排気することを含む、方法。
  15. 前記基板処理システムは、前記移送領域内に配置された移送装置を備え、前記移送装置は、
    前記移送領域ハウジングを通って延在する回転可能なシャフト、及び
    前記回転可能なシャフトに結合されたエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタは、パージ源に流体結合された中央開口部を画定する中央ハブを含み、前記エンドエフェクタは、前記複数の基板支持体の基板支持体の数と等しい数のアームを有する複数のアームを更に含む、請求項１４に記載の半導体処理の方法。
  16. 前記回転可能なシャフトを通して、前記中央ハブによって画定された前記中央開口部から、前記移送領域の中に更なるパージガスを供給することを更に含む、請求項１５に記載の半導体処理の方法。
  17. 前記回転可能なシャフトは、前記パージ源に流体結合された１以上の開口部を画定し、前記移送領域の中央空間が、前記エンドエフェクタの前記中央ハブによって少なくとも部分的に画定される、請求項１６に記載の半導体処理の方法。
  18. 前記回転可能なシャフトを通して、前記移送領域の前記中央空間の中に、更なるパージガスを供給することを更に含む、請求項１７に記載の半導体処理の方法。
  19. 複数のパージチャネルを通して前記基板処理システムの移送領域の中に供給される前記パージガスは、前記基板処理システムの前記複数の蓋スタックを通して供給される前記１種類以上の処理前駆体のガス容積の約８０％以下のガス容積を含む、請求項１８に記載の半導体処理の方法。
  20. 前記回転可能なシャフトを通して、前記中央ハブによって画定された前記中央開口部から、前記移送領域の中に供給される前記更なるパージガスは、前記回転可能なシャフトを通して、前記移送領域の前記中央空間の中に供給される前記更なるパージガスの全容積の約２０％以下である、請求項１９に記載の半導体処理の方法。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6152070A (en) * 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
KR100497748B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
US20050196971A1 (en) * 2004-03-05 2005-09-08 Applied Materials, Inc. Hardware development to reduce bevel deposition
US20090324826A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Hitoshi Kato Film Deposition Apparatus, Film Deposition Method, and Computer Readable Storage Medium
US20100018548A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Applied Materials, Inc. Superimposition of rapid periodic and extensive post multiple substrate uv-ozone clean sequences for high throughput and stable substrate to substrate performance
US9297072B2 (en) * 2008-12-01 2016-03-29 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus
JP5156661B2 (ja) * 2009-02-12 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
KR102532607B1 (ko) * 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
KR102329196B1 (ko) * 2017-12-20 2021-11-22 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법

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