KR102066520B1 - 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법 - Google Patents

에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102066520B1
KR102066520B1 KR1020187009499A KR20187009499A KR102066520B1 KR 102066520 B1 KR102066520 B1 KR 102066520B1 KR 1020187009499 A KR1020187009499 A KR 1020187009499A KR 20187009499 A KR20187009499 A KR 20187009499A KR 102066520 B1 KR102066520 B1 KR 102066520B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
back surface
epitaxial wafer
defect
image
inspection method
Prior art date
Application number
KR1020187009499A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180050369A (ko
Inventor
타츠야 오사다
히데아키 긴바라
마사히코 에가시라
Original Assignee
가부시키가이샤 사무코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 사무코 filed Critical 가부시키가이샤 사무코
Publication of KR20180050369A publication Critical patent/KR20180050369A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102066520B1 publication Critical patent/KR102066520B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N2021/8477—Investigating crystals, e.g. liquid crystals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8845—Multiple wavelengths of illumination or detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

에피택셜 웨이퍼 이면에 있어서의 결함을 검출할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치를 제공한다. 본 발명의 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)는, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면에 대하여 수직으로 설치되는, 링 파이버 조명(10) 및 촬영부(20)를 구비하는 광학계(30)와, 상기 이면과 평행으로 광학계(30)를 주사하는 주사부(40)를 갖고, 링 파이버 조명(10)의 광원은, 청색 LED 및 적색 LED 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.

Description

에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법
본 발명은, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법에 관한 것으로, 특히, 에피택셜 웨이퍼 이면에 형성되는 결함을 식별하여 검출할 수 있는, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서 이용하는 기판으로서, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체로 이루어지는 웨이퍼가 널리 이용되고 있다. 이러한 웨이퍼로서, 단결정 잉곳을 슬라이스하여, 경면 연마한 폴리시드 웨이퍼(PW 웨이퍼)나, PW 웨이퍼의 표면에 에피택셜층이 형성된 에피택셜 웨이퍼 등이 알려져 있다. 예를 들면, 에피택셜 웨이퍼는, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), DRAM(Dynamic Random Access Memory), 파워 트랜지스터 및 이면 조사형 고체 촬상 소자 등, 여러 가지의 반도체 디바이스의 디바이스 기판으로서 이용되고 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「에피택셜 웨이퍼 표면」이라고 기재하는 경우, 에피택셜 웨이퍼의 주면 중, 에피택셜층이 형성된 측의 면을 가리키는 것으로 하고, 「에피택셜 웨이퍼 이면」이라고 기재하는 경우, 에피택셜 웨이퍼의 주면 중, 에피택셜층이 형성된 측의 면과는 반대측의 면(즉, 에피택셜층이 형성되어 있지 않은 측의 면)을 가리키는 것으로 한다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서 수율이나 신뢰성을 향상시키기 위해, 반도체 디바이스의 기판이 되는 웨이퍼 표리면의 결함 검사 기술이 매우 중요해지고 있다. 웨이퍼의 표리면에 존재하는 결함은, 피트, COP 등의 결정 결함, 가공 기인의 연마 불균일 및 스크래치 등의 외에, 이물인 파티클의 부착 등, 다방면에 걸친다.
종래, LPD(Light Point Defect; 휘점 결함) 검사 장치(레이저 면 검사기)를 이용하여, 마무리의 경면 연마를 실시한 후의 웨이퍼 표리면을 레이저광으로 주사하여, 그 표리면에 존재하는 파티클, 스크래치 등에 기인하는 산란광을 검출하는 웨이퍼 검사가 행해지고 있다. 또한, LPD 검사 장치에서는 판별하기 어려운 결함의 유무를 판정하기 위해, 웨이퍼 표리면을 육안에 의해 판정하는 외관 검사도 병용되고 있다. 외관 검사는 관능 검사이기 때문에, 검사원에 의한 판정의 편차는 불가피하며, 또한, 검사원의 숙련에도 시간을 필요로 하기 때문에, 객관적인 검사 방법 및 자동 검사 방법의 확립이 요구되고 있다.
그래서, 웨이퍼 검사 방법의 하나로서, 외관 검사에 의지하지 않고 웨이퍼를 적절히 평가하는 방법을, 웨이퍼 표리면 중 특히 이면측의 결함에 관해서 본 출원인들은 특허문헌 1에 있어서 먼저 제안하고 있다. 즉, 웨이퍼 이면의 파츠 화상을 웨이퍼의 원주 방향을 따라서 연속적으로 촬영하고, 촬영한 상기 파츠 화상을 합성하여 웨이퍼 이면의 전체 화상을 작성하는 맵 처리 공정과, 상기 전체 화상을 미분 처리하여 웨이퍼 이면의 미분 처리 화상을 작성하는 미분 처리 공정을 구비하고, 상기 전체 화상 또는 상기 미분 처리 화상을 기초로, 연마 불균일, 흐릿함(くもり), 스크래치 및 파티클을 검출하여 평가하는, 웨이퍼 이면의 평가 방법이다.
상기 전체 화상을 작성하기 위한 광학계(50)를, 도 1(A), 도 1(B)를 이용하여 설명한다. 또한, 도 1(B)는, 링 파이버 조명(51)에 의해 조사되는 조사광(L1)과, 반사광(산란광)(L2)을 도시하기 위해, 도 1(A)로부터 주요부를 추출한 것이다. 이 광학계(50)는, 링 파이버 조명(51), 경통(52), 텔레센트릭 렌즈(53) 및 수광부(54)를 구비한다. 또한, 링 파이버 조명(51)의 광원에는, 초고압 수은등(파장역 369㎚∼692㎚, 출력 1,000,000Lux 초과)을 이용하고 있고, 수광부(54)에는 CCD 카메라가 이용되고 있다. 링 파이버 조명(51)에 의해 조사되는 조사광(L1)은, 웨이퍼면에 대하여 약 20도로 웨이퍼(W)에 입사하고, 웨이퍼(W)의 이면에 존재하는 결함(D)과 충돌하면, 산란광(L2)이 발생한다. 수광부(54)는, 산란광(L2) 중, 수직 산란광을 수광하여 촬상하고, 광학계(50)의 위치 정보와 함께, 산란광의 휘도 정보를 갖는 화상을 촬영하여, 기록한다.
일본공개특허공보 2010-103275호
여기에서, 특허문헌 1에 기재된 기술을, 에피택셜 웨이퍼 이면의 결함 상태의 검사에 적용하는 것을 본 발명자들은 검토했다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 기술을 에피택셜 웨이퍼 이면 검사에 그대로 적용한 경우, 도 2에 일 예를 나타내는 바와 같이, 외관 검사라면 식별할 수 있어야 할 결함의 거의 전부를 검출하지 못한다. 또한, 도 2의 예에서는 에피택셜 웨이퍼 이면의 주연부를 제외한 중앙부의 거의 모두가 결함인 듯 오인식해 버린다.
에피택셜 웨이퍼 이면의 결함에는, 예를 들면 후술의 「핀 마크」, 「블레이드 흠집」, 저산란의 「헤일로」, 등의 결함과 같이, 형성되어 있어도 문제가 없는 결함이나, 필연적으로 형성되는 결함도 몇 가지 존재한다. 그 때문에, 에피택셜 웨이퍼 이면의 검사 장치는, 결함의 유무나, 그 발생량의 검출에 더하여, 결함의 종류까지 올바르게 식별할 수 있어야 한다. 이러한 점에서, 종래와 같이, 육안에 의한 외관 검사라면, 에피택셜 웨이퍼 이면의 결함을 식별하여, 그 품질을 판단할 수 있지만, 전술과 같이 외관 검사에서는 검사원에 의한 판정을 요한다. 따라서, 에피택셜 웨이퍼 이면을 객관적으로 검사할 수 있는 기술의 확립이 요구된다.
그래서 본 발명은, 상기 과제를 감안하여, 에피택셜 웨이퍼 이면에 있어서의 결함을 검출할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명자들은 예의 검토했다. 우선, 특허문헌 1에 기재된 기술은, PW 웨이퍼라면 결함 상태를 올바르게 평가할 수 있는 것임에도 불구하고, 에피택셜 웨이퍼 이면에 적용하면 결함을 간과해 버리는 원인을 본 발명자들은 검토했다. 종래 기술에 의해 얻어지는 에피택셜 웨이퍼 이면의 화상과, 외관 검사에 의해 확인되는 결함과의 상위(相違)를 본 발명자들이 분석한 결과, 이 화상에 있어서는 동종 또는 별종의 결함이 서로 겹치거나, 정상적인 부분이라도 결함에 기초하는 휘도 정보로 판단되거나 하는 것으로 보인다. 그 원인을 더욱 검토한 결과, 에피택셜 웨이퍼의 이면은, PW 웨이퍼의 이면에 비해 소스 가스의 돌아 들어감에 의해 이면의 일부가 성막되어 있고, 이면측의 표면이 거칠기 때문에, 상기 광학계(50)의 광원으로는 출력이 지나치게 강하여 난반사가 발생하여, CCD의 허용 용량을 초과해 버리기 때문이었다. 즉, 산란광의 휘도의 오버 플로우가 원인인 것을 본 발명자들은 밝혀냈다. 에피택셜 웨이퍼 이면은, 에피택셜층을 형성할 때에, 원료 가스가 이면으로 돌아 들어가 흐릿함이 발생하는 등, PW 웨이퍼에 비하면 면 상태가 거칠어져 있기(즉, 이면의 Haze 레벨이 나쁘기) 때문에, 전술의 오버 플로우가 발생하는 것 같다. 그 때문에, 특허문헌 1에 기재된 기술을 에피택셜 웨이퍼 이면의 결함 상태의 검사에 적용해도, 외관 검사라면 식별 가능한 결함을 간과해 버리는 것이라고 생각된다.
PW 웨이퍼의 표리면은, 에피택셜 웨이퍼 이면과 상이하게, 거칠음이 작기 때문에, PW 웨이퍼를 검사할 때에는 매우 얇은 흠집이라도 검출할 수 있도록, 단파장역이고, 또한, 조도가 큰 Hg 램프나 메탈 할라이드 램프 등의 초고압 수은등을 링 파이버 조명의 광원에 이용하고 있었다. 그러나, 전술과 같이 에피택셜 웨이퍼 이면에서는 오버 플로우가 발생해 버린다. 그래서, 이를 해소하고자 초고압 수은등의 조도를 내리면, 이번에는 검사 중에 조도가 불안정해져 버린다. 그래서, 본 발명자들은, 링 파이버 조명의 광원으로서, 비교적 저조도에서 안정적으로 사용 가능한 광원을 이용하는 것을 착상하고, 에피택셜 웨이퍼 이면에 있어서의 결함을 식별 가능한 광원을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 본 발명은, 상기의 인식 및 검토에 기초하는 것으로서, 그 요지 구성은 이하와 같다.
본 발명의 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치는, 에피택셜 웨이퍼의 이면에 대하여 수직으로 설치되는, 링 파이버 조명 및 촬영부를 구비하는 광학계와, 상기 이면과 평행으로 상기 광학계를 주사하는 주사부를 갖고, 상기 링 파이버 조명의 광원은, 청색 LED 및 적색 LED 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 광원의 조도는 300,000Lux 이상 1,000,000Lux 이하인 것이 바람직하고, 또한, 상기 광원은, 상기 청색 LED인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법은, 전술의 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치를 이용하여, 상기 광학계를 상기 주사부에 의해 주사하면서, 상기 이면의 파츠 화상을 연속적으로 촬영하는 촬영 공정과, 상기 파츠 화상으로부터, 상기 이면의 전체 화상을 취득하는 취득 공정과, 상기 전체 화상으로부터, 상기 이면에 존재하는 결함을 검출하는 검출 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
이 경우, 상기 검출 공정에 앞서, 상기 전체 화상을 화상 처리하는 화상 처리 공정을 추가로 갖고, 상기 검출 공정에 있어서, 상기 화상 처리한 전체 화상에 기초하여 상기 검출을 행하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 검출 공정에 있어서, 상기 에피택셜 웨이퍼 이면의 주연부에 있어서의 결함을 추출하고, 상기 결함 중, 상기 주연부를 내측 영역 및 외측 영역으로 구획하고, 소정의 문턱값을 초과하는 크기이고, 또한, 상기 외측 영역 내에만 위치하는 결함을 헤일로로서 검출하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 검출 공정에 있어서, 상기 에피택셜 웨이퍼 이면의 주연부에 있어서의 점 형상의 결함을 추출하고, 상기 점 형상의 결함 중, 제1 반경 이상이면서 제2 반경 이하이고, 또한, 중심이 암부(暗部)가 되는 점 형상의 결함을 서셉터 핀홀로서 검출하는 것이 바람직하다.
그리고 또한, 상기 검출 공정에 있어서, 상기 에피택셜 웨이퍼 이면의 중심으로부터 소정의 거리 떨어진 위치에 있어서의 점 형상의 규준 결함을 추출하여, 당해 규준 결함의 위치를 제1 규준 위치로 하고, 상기 중심으로부터 상기 제1 규준 위치를 등각씩 회전시켜 복수의 제2 규준 위치 근방에 있어서의 결함을 추출하고, 상기 제1 규준 위치 및 상기 제2 규준 위치 근방에 있어서의 점 형상의 결함이 이루는 조(組)를, 핀 마크로서 검출하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 추출한 상기 결함을 정상 결함 및 이상 결함으로 분류하고, 상기 이상 결함의 유무를 판정하는 판정 공정을 추가로 갖는 것도 바람직하다.
본 발명에 의하면, 적절한 광원을 이용하기 때문에, 에피택셜 웨이퍼 이면에 있어서의 결함을 검출할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 있어서 이용되는 웨이퍼 이면 검사 장치의 광학계를 설명하는 개략도이고, 도 1(A)는 광학계 전체를 나타내는 개략도이고, 도 1(B)는 입사광(L1) 및 산란광(L2)을 나타내는 개략도이다.
도 2는 종래 기술에 의한 웨이퍼 검사 장치를 이용하여 얻은, 에피택셜 웨이퍼 이면의 전체 화상의 일 예이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치를 설명하는 개략도이다.
도 4는 에피택셜 웨이퍼 이면의 전체 화상의 일 예이고, 도 4(A)는 청색 LED 광원에 의해 얻어진 전체 화상이고, 도 4(B)는 적색 LED 광원에 의해 얻어진 전체 화상이고, 도 4(C)는 녹색 LED 광원에 의해 얻어진 전체 화상이고, 도 4(D)는 백색 LED 광원에 의해 얻어진 전체 화상이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법을 설명하는 플로우 차트이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 의해 얻어지는 에피택셜 웨이퍼 이면의 제1 예이고, 도 6(A)는 전체 화상이고, 도 6(B)는 도 6(A)의 전체 화상을 화상 처리한 것이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 의해 검출할 수 있는 헤일로를 설명하기 위한 개략도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 의해 얻어지는 에피택셜 웨이퍼 이면의 제2 예이고, 도 8(A)는 전체 화상이고, 도 8(B)는 도 8(A)의 전체 화상을 화상 처리한 것이다.
도 9(A)는, 도 8(A)에 있어서의 서셉터 핀홀의 확대 화상이고, 도 9(B)는 그 강도 분포를 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 의해 검출할 수 있는 서셉터 핀홀을 설명하기 위한 개략도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태에 의해 얻어지는 에피택셜 웨이퍼 이면의 제3 예이고, 도 11(A)는 전체 화상이고, 도 11(B)는 도 11(A)의 전체 화상을 화상 처리한 것이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태에 의해 검출할 수 있는 핀 마크를 설명하기 위한 개략도이고, 도 12(A)는 규준 결함(PM1)을 나타내고, 도 12(B)는, 핀 마크인 결함의 조(PM1∼PM3)를 나타낸다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 형태를 설명한다. 도 3은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)의 개략도이다.
(에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치)
도 3에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)는, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면에 대하여 수직으로 설치되는, 링 파이버 조명(10) 및 촬영부(20)를 구비하는 광학계(30)와, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면과 평행으로 광학계(30)를 주사하는 주사부(40)를 갖는다. 그리고, 링 파이버 조명(10)의 광원을, 청색 LED 및 적색 LED 중 어느 하나로 한다. 또한, 도 3에 있어서의, 에피택셜 웨이퍼(1)란, 기판(S)의 표면에 에피택셜층(E)을 에피택셜 성장시킨 것이다. 그리고, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면은, 에피택셜층(E)이 형성된 측과 반대의 면(환언하면, 기판(S)의 에피택셜층(E)이 형성되어 있지 않은 측의 면이고, 기판(S)의 이측의 면이 노출되어 있다고 할 수도 있음)을 의미한다. 이하, 각 구성의 상세를 순서대로 설명한다.
링 파이버 조명(10)으로서는, 일반적인 것을 이용할 수 있지만, 그 광원을 청색 LED 및 적색 LED 중 어느 하나로 하는 것이 간요하고, 그 기술적 의의에 대해서는 도 4를 이용하여 후술한다. 또한, 링 파이버 조명(10)으로부터 조사되는 조사광(L)의 조도를 300,000∼1,000,000lux 정도로 하는 것이 바람직하다. 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면에 대한 조사광(L)이 이루는 각도는 일반적인 것이고, 예를 들면 10∼30도 정도로 할 수 있고, 종래 기술과 동일하게 대략 20도 또는 20도로 할 수도 있다.
촬영부(20)의 구성은, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면으로부터의 산란광을 수광하여 촬영할 수 있는 한은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 경통(22), 렌즈(23) 및 수광부(24)로 구성할 수 있다. 경통(22), 렌즈(23) 및 수광부(24)의 각각은, 일반적으로 사용되는 것을 이용할 수 있다. 렌즈(23)에는 예를 들면 텔레센트릭 렌즈를 이용할 수 있고, 수광부(24)에는 예를 들면 CCD 카메라를 이용할 수 있다.
광학계(30)는, 전술의 링 파이버 조명(10) 및 촬영부(20)를 구비하고, 링 파이버 조명(10)에 의해 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면을 조사하고, 그 산란광을 수광하고, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면의 파츠 화상을 취득한다.
주사부(40)는, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면과 평행으로 광학계(30)를 주사한다. 주사부(40)는, 광학계(30)를 둘레 방향으로 주사해도 좋고, 종횡으로 주사해도 좋다. 또한, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)가 광학계(30)를 복수(예를 들면 3개) 갖고, 각각의 광학계(30)를 주사부(40)가 둘레 방향으로 주사해도 좋다. 또한, 주사부(40)는 광학계(30)에 접속하는 아암 및, 아암을 구동시키기 위한 구동 스테핑 모터, 서보 모터 등으로 구성할 수 있다.
여기에서, 본 실시 형태에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)의 링 파이버 조명(10)의 광원으로서 청색 LED(조사광 조도: 300,000∼1,000,000lux, 파장역: 450∼500㎚, 발광 중심 파장: 470㎛)를 이용한 경우에, 에피택셜 웨이퍼의 이면의 파츠 화상을 웨이퍼 전체 면에서 연속적으로 촬영하고, 합성하여 이면 전체를 나타내는 전체 화상을 취득했을 때의 일 예를 도 4(A)에 나타낸다. 또한, 동일한 이면에 대하여, 광원을 상기 청색 LED로부터 적색 LED(조사광 조도: 300,000∼1,000,000lux, 파장역: 600∼700㎚, 발광 중심 파장: 660㎛)로 바꾼 경우의 전체 화상을 도 4(B)에 나타낸다. 또한, 이들 청색 LED 및 적색 LED와 동일 정도의 조도의 녹색 LED(발광 중심 파장: 530㎛)로 바꾼 경우의 전체 화상을 도 4(C)에, 백색 LED(상기 청색 LED, 적색 LED 및 녹색 LED의 합성광)로 바꾼 경우의 전체 화상을 도 4(D)에 각각 나타낸다.
도 4(A)∼도 4(D)에 나타내는 전체 화상의 중앙부에는 원호 형상의 결함인 스크래치 형상의 결함이 형성되어 있고, 광원에 청색 LED 또는 적색 LED를 이용한 도 4(A), 도 4(B)에서는, 스크래치 형상의 결함의 주위에 흐릿함 결함(クモリ缺陷)이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 도 4(C), 도 4(D)에서는, 스크래치 형상의 결함은 화상 중으로부터 식별 가능하지만, 도 4(A), 도 4(B)에서 보여지는 흐릿함 결함은 식별할 수 없다. 또한, 도 4(A)∼도 4(D)를 비교하면 분명한 바와 같이, 광원에 청색 LED를 이용하는 경우에, 결함의 검출 감도가 가장 높은 것을 알 수 있다. 따라서, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)의 링 파이버 조명(10)의 광원에는, 청색 LED를 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 도 2를 이용하여 이미 서술한 바와 같이, 링 파이버 조명(10)의 광원으로서, 종래 기술과 동일하게 초고압 수은등(예를 들면 조도 5,000,000Lux)을 이용하면, 결함에 기인하는 휘도가 오버 플로우하여, 결함을 식별할 수 없다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)에서는, 저조도에서도 안정성이 우수하고, 또한, 파장역이 450∼500㎚인 청색 LED 또는 600∼700㎚ 적색 LED를 링 파이버 조명(10)의 광원으로서 이용함으로써, Haze 레벨이 나쁜 에피택셜 웨이퍼 이면이라도, 그 결함 상태를 나타내는 화상을 정확하게 취득할 수 있다. 따라서, 종래 육안이 아니면 감지할 수 없었던 에피택셜 웨이퍼 이면의 결함을, 식별하여 검출할 수 있는 것이다.
또한, 에피택셜 웨이퍼(1)는, 경면 가공된 실리콘 웨이퍼의 표면에, 실리콘 에피택셜층을 에피택셜 성장시킨 에피택셜 실리콘 웨이퍼로 할 수 있다. 본 실시 형태에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)는, 에피택셜 실리콘 웨이퍼에 제공하는 것이 바람직하다. 이미 서술한 이면측의 Haze의 악화가 문제가 되기 때문이다.
(에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법)
다음으로, 전술의 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)를 이용하는 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법의 일 실시 형태를 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태는, 광학계(30)를 주사부(40)에 의해 주사하면서, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면의 파츠 화상을 연속적으로 촬영하는 촬영 공정(S1)과, 상기 파츠 화상으로부터, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면의 전체 화상을 취득하는 취득 공정(S2)과, 얻어진 전체 화상으로부터, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면에 존재하는 결함을 검출하는 검출 공정(S3)을 갖는다.
즉, 촬영 공정(S1)에서는, 우선 광학계(30)가 소정 위치에 위치할 때에, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면의 파츠 화상을 촬영한다. 이어서, 상기 소정 위치와 다른 위치에 주사부(40)가 광학계(30)를 주사하여, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면의 파츠 화상을 촬영한다. 예를 들면, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면을 100∼200 정도로 구분하고, 구분마다 이 촬영 및 주사를 반복하여, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면의 파츠 화상을 연속적으로 촬영한다(S1). 다음으로, 촬영한 각각의 파츠 화상을 합성하고, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면의 전체 화상을 취득한다(S2). 얻어진 전체 화상의 일 예는, 예를 들면 이미 서술한 도 4(A)이다.
다음으로, 전술의 취득 공정(S2)에 있어서 취득한 전체 화상으로부터, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면에 존재하는 결함을 검출하는 검출 공정(S3)을 행한다. 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면에는, 에피택셜층을 형성할 때의 원료 가스의 돌아 들어감에 기인하는 결함이나, 에피택셜 성장로 내에서 에피택셜 웨이퍼(1)를 지지하는 서셉터와의 접촉에 기인하는 결함 등, 결함이 발생하는 원인에 따라서, 각각 특유의 결함 패턴이 형성된다. 그리고, 결함의 발생 원인마다 특유의, 발생 위치(이면 중앙부 또는 이면 주연부 또는 이면 전면에 랜덤으로 발생 등)나 결함 패턴 길이, 종횡 사이즈비(比), 점 형상의 결함의 조합(이하, 이들을 총칭하여 「결함 패턴」이라고 함) 등이 존재한다. 본 공정에서는, 이들 결함의 종류마다 특유의 결함 패턴의 조건을 설정하고, 이 조건에 적용되는 결함을 전체 화상 중으로부터 검출한다. 이렇게 하여, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면에 존재하는 결함을 검출할 수 있다.
또한, 검출 공정(S3)에 앞서, 취득된 전체 화상을 화상 처리하는 화상 처리 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 화상 처리한 전체 화상에 기초하여 검출 공정(S3)을 행하는 것이 바람직하다. 화상 처리 공정에 있어서는, 예를 들면 미분 처리 화상을 전체 화상으로부터 취득하면, 노이즈의 영향 등도 억제할 수 있어, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면에 존재하는 결함을 보다 명확하게 검출할 수 있다. 또한, 후술하는 도 6(A)의 전체 화상을 미분 처리하고, 세선화 처리를 실시하면, 도 6(B)가 얻어진다. 도 8(A), 도 8(B) 및 도 11(A), 도 11(B)도 동일한 대응 관계이다. 화상 처리한 전체 화상을 이용함으로써, 에피택셜 웨이퍼(1) 이면의 결함의 검출 정밀도를 보다 높일 수 있다.
이하에, 에피택셜 웨이퍼(1)의 이면에 형성되는 「헤일로」, 「서셉터 핀홀」, 「핀 마크」의 구체적인 검출 방법의 형태를 설명한다. 이들 결함의 검출 형태는, 어디까지나 예시적인 것으로서, 결함의 종류마다 특유의 결함 패턴을 적용시키면, 상기 3종의 결함 이외의 결함에 대해서도, 본 방법에 따른 실시 형태에 의해 결함을 검출하는 것은 가능하다.
<헤일로>
결함의 제1 예로서, 도 6(A)에, 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)를 이용하여 취득한, 헤일로(D1)가 형성되어 있는 에피택셜 웨이퍼(1) 이면의 전체 화상을 나타낸다. 또한, 도 6(B)는, 도 6(A)을 화상 처리한 것이다. 또한 이 에피택셜 웨이퍼(1) 이면에는 흐릿함 결함(D2)도 형성되어 있다.
여기에서, 「헤일로」란, 에피택셜 성장에 의해 에피택셜 웨이퍼 이면의 주연부에 발생하는 에칭 모양 형상의 결함이다.
도 7을 이용하면서, 본 검사 방법의 일 실시 형태에 있어서의 상기 헤일로(D1)의 검출 형태를 설명한다. 또한, 도 7에서는, 헤일로(D1)는 에피택셜 웨이퍼(1) 이면의 주연부에 2개 형성되어 있다. 검출 공정(S3)에서는, 우선, 에피택셜 웨이퍼(1) 이면의 주연부에 있어서의 결함을 추출한다. 에피택셜 웨이퍼 이면의 주연부를, 소정의 반경을 이용하여, 내측 영역(RI) 및 외측 영역(RO)으로 구획한다. 추출된 결함 중, 소정의 문턱값을 초과하는 크기의 결함이고, 또한, 외측 영역(RO) 내에만 위치하는 결함을 「헤일로」로서 검출할 수 있다. 결함의 크기를 정할 때에는, 휘도로 소정의 문턱값을 설정해도 좋다. 또한 외측 영역(RO) 및 내측 영역(RI)에 걸쳐 형성되는 결함이었을 경우에는, 헤일로(D1)가 아니라 흐릿함 결함(D2)으로서 검출할 수 있다. 이렇게 하여, 헤일로(D1)가 검출되는 경우에는, 헤일로(D1)가 이면에 존재하는 에피택셜 웨이퍼로서 평가할 수 있다.
<서셉터 핀홀>
결함의 제2 예로서, 도 8(A)에, 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)를 이용하여 취득한, 서셉터 핀홀(D3)이 형성되어 있는 에피택셜 웨이퍼(1) 이면의 전체 화상을 나타낸다. 또한, 도 8(B)는, 도 8(A)를 화상 처리한 것이다. 또한, 도 9(A)에 도 8(A)에 있어서의 서셉터 핀홀(D3) 근방의 확대 화상을 나타낸다. 또한, 도 9(B)에, 이 서셉터 핀홀(D3)의 강도(휘도) 분포를 나타낸다. 도 9(A), 도 9(B)에 일 구체예가 나타나 있는 바와 같이, 서셉터 핀홀은 대략 원형의 점 형상의 결함이며, 중앙부는 암부가 된다.
여기에서, 「서셉터 핀홀」이란, 에피택셜 성장 중에 서셉터에 의한 핀홀이 에피택셜 웨이퍼의 이면에 전사된 흔적이고, 핵을 가진 흐릿함 형상으로 육안으로 보이는 결함이다. 그 때문에, 서셉터 핀홀의 외경은, 소정의 범위 내가 된다.
도 10을 이용하면서, 본 검사 방법의 일 실시 형태에 있어서의 상기 서셉터 핀홀(D3)의 검출 형태를 설명한다. 검출 공정(S3)에서는, 에피택셜 웨이퍼(1) 이면의 주연부에 있어서의 점 형상의 결함을 추출한다. 서셉터 핀홀의 외경이 포함되도록, 문턱값으로서 제1 반경 및 제2 반경([제2 반경]＞[제1 반경]으로 함)을 미리 설정해 두고, 추출한 점 형상의 결함 중, 제1 반경 이상이면서 제2 반경 이하인 것을 추가로 추출한다. 이와 같은 점 형상의 결함 중, 중심이 암부로 되어 있는 결함을, 「서셉터 핀홀」로서 검출할 수 있다. 또한, 제1 반경 미만의 크기의 점 형상의 결함(D4)은, (발생 위치에도 의존할 수 있지만) 파티클로서 판정해도 좋다.
<핀 마크>
결함의 제3 예로서, 도 11(A)에, 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치(100)를 이용하여 취득한, 핀 마크(PM1∼PM3)가 형성되어 있는 에피택셜 웨이퍼(1) 이면의 전체 화상을 나타낸다. 또한, 도 11(B)는, 도 11(A)를 화상 처리한 것이다.
여기에서, 「핀 마크」란, 웨이퍼 리프트 핀 형상이나, 핀과 웨이퍼의 접촉 상태에 기인하여, 센추라사 제조의 에피택셜로(爐)의 특유인, 에피택셜 웨이퍼 이면 외주부에 발생하는 마모 흔적과 같은 미소 흠집의 집합체 또는 부착물로 이루어지는 결함이다. 웨이퍼 리프트 핀 형상에도 따르지만, 예를 들면 3개소에 형성될 수 있는 핀 마크라면, 반드시 3개소 동시에 형성되고, 이 경우, 에피택셜 웨이퍼 이면의 중심으로부터 120도씩 회전시킨 위치에 존재한다. 또한, 리프트 핀 형상에 기인하여, 소정의 반경의 범위 내에 핀 마크는 존재하고, 핀 마크 각각의 결함은 원형 형상의 휘점이 된다.
도 12(A), 도 12(B)를 이용하면서, 본 검사 방법의 일 실시 형태에 있어서의 상기 핀 마크(PM1∼PM3)의 검출 형태를 설명한다. 검출 공정(S3)에 있어서, 에피택셜 웨이퍼 이면의 중심으로부터 소정의 거리(R) 떨어진 위치에 있어서의 점 형상의 규준 결함(PM1)을 우선 추출한다(도 12(A)). 이 규준 결함(PM1)의 위치를 제1 규준 위치로 하고, 상기 중심으로부터 상기 제1 규준 위치를 등각씩(도 12의 예에서는, 핀 마크는 3개소 형성되기 때문에 120도씩) 회전시켜, 복수의 제2 규준 위치(A, B)의 근방에 있어서의 결함을 추출한다. 핀 마크의 발생 위치가 등각 간격으로부터 약간 어긋나는 경우가 있기 때문에, 검출 허용각을 설정해도 좋다(도 12(B)). 이 경우, 검출 허용각의 범위 내에 있으면, 상기 「근방」에 포함되는 것으로 한다. 제1 규준 위치 및 상기 제2 규준 위치(A, B) 근방에 있어서의 점 형상의 결함(PM1∼PM3)이 이루는 조를, 「핀 마크」로서 검출할 수 있다.
또한, 본 실시 형태는, 검출 공정(S3) 후에, 상기 추출한 결함을 정상 결함 및 이상 결함으로 분류하고, 이상 결함의 유무를 판정하는 판정 공정을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 전술한 바와 같이, 핀 마크와 같이, 에피택셜 웨이퍼 이면에는 형성되어 있어도 문제가 없는 결함이 존재한다. 그래서, 에피택셜 웨이퍼 이면의 품질을 평가할 때에는, 이상 결함의 유무를 판정하는 것이 바람직하다. 발생하고 있는 이상 결함의 종류나 양을 정성적 또는 정량적으로 평가해도 좋다.
이상, 본 발명의 실시 형태를 설명했지만, 이들은 대표적인 실시 형태의 예를 나타낸 것으로서, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 발명의 요지의 범위 내에서 여러 가지의 변경이 가능하다.
[산업상 이용가능성]
본 발명에 의하면, 에피택셜 웨이퍼 이면에 있어서의 결함을 검사할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법을 제공할 수 있다.
1 : 에피택셜 웨이퍼
10 : 링 파이버 조명
20 : 촬영부
30 : 광학계
40 : 주사부
100 : 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치
D : 결함

Claims (11)

  1. 에피택셜 웨이퍼의 이면에 대하여 수직으로 설치되는, 링 파이버 조명 및 촬영부를 구비하는 광학계와,
    상기 이면과 평행으로 상기 광학계를 주사하는 주사부를 갖고,
    상기 링 파이버 조명의 광원은, 청색 LED 및 적색 LED 중 어느 하나만으로 구성되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광원의 조도는 300,000Lux 이상 1,000,000Lux 이하인, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 광원은, 상기 청색 LED인, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치를 이용하여, 상기 광학계를 상기 주사부에 의해 주사하면서, 상기 이면의 파츠 화상을 연속적으로 촬영하는 촬영 공정과,
    상기 파츠 화상으로부터, 상기 이면의 전체 화상을 취득하는 취득 공정과,
    상기 전체 화상으로부터, 상기 이면에 존재하는 결함을 검출하는 검출 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 검출 공정에 앞서, 상기 전체 화상을 화상 처리하는 화상 처리 공정을 추가로 갖고,
    상기 검출 공정에 있어서, 상기 화상 처리한 전체 화상에 기초하여 상기 검출을 행하는, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 검출 공정에 있어서, 상기 에피택셜 웨이퍼 이면의 주연부에 있어서의 결함을 추출하고, 상기 결함 중, 상기 주연부를 내측 영역 및 외측 영역으로 구획하고, 소정의 문턱값을 초과하는 크기이고, 또한, 상기 외측 영역 내에만 위치하는 결함을 헤일로로서 검출하는, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 검출 공정에 있어서, 상기 에피택셜 웨이퍼 이면의 주연부에 있어서의 점 형상의 결함을 추출하고, 상기 점 형상의 결함 중, 제1 반경 이상이면서 제2 반경 이하이고, 또한, 중심이 암부(暗部)가 되는 점 형상의 결함을 서셉터 핀홀로서 검출하는, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 검출 공정에 있어서, 상기 에피택셜 웨이퍼 이면의 중심으로부터 소정의 거리 떨어진 위치에 있어서의 점 형상의 규준 결함을 추출하여, 당해 규준 결함의 위치를 제1 규준 위치로 하고, 상기 중심으로부터 상기 제1 규준 위치를 등각씩 회전시켜 복수의 제2 규준 위치 근방에 있어서의 결함을 추출하고, 상기 제1 규준 위치 및 상기 제2 규준 위치 근방에 있어서의 점 형상의 결함이 이루는 조(組)를, 핀 마크로서 검출하는, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 추출한 상기 결함을 정상 결함 및 이상 결함으로 분류하고, 상기 이상 결함의 유무를 판정하는 판정 공정을 추가로 갖는, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 추출한 상기 결함을 정상 결함 및 이상 결함으로 분류하고, 상기 이상 결함의 유무를 판정하는 판정 공정을 추가로 갖는, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 추출한 상기 결함을 정상 결함 및 이상 결함으로 분류하고, 상기 이상 결함의 유무를 판정하는 판정 공정을 추가로 갖는, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법.
KR1020187009499A 2015-10-05 2016-08-03 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법 KR102066520B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-197776 2015-10-05
JP2015197776A JP6601119B2 (ja) 2015-10-05 2015-10-05 エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法
PCT/JP2016/003583 WO2017061063A1 (ja) 2015-10-05 2016-08-03 エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180050369A KR20180050369A (ko) 2018-05-14
KR102066520B1 true KR102066520B1 (ko) 2020-01-15

Family

ID=58487333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187009499A KR102066520B1 (ko) 2015-10-05 2016-08-03 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10338005B2 (ko)
JP (1) JP6601119B2 (ko)
KR (1) KR102066520B1 (ko)
CN (1) CN108139339B (ko)
DE (1) DE112016004547T5 (ko)
TW (1) TWI627398B (ko)
WO (1) WO2017061063A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120267021A1 (en) * 2009-11-23 2012-10-25 CGEM and MRT, S.A. Corporation Tire with a lateral groove having a chamfer for improved snow performance
JP6380582B1 (ja) * 2017-03-08 2018-08-29 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法
TWI647465B (zh) * 2017-08-16 2019-01-11 旺矽科技股份有限公司 光學檢測系統
JP6844529B2 (ja) * 2017-12-27 2021-03-17 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
CN108169247B (zh) * 2017-12-29 2023-12-01 星阵（广州）基因科技有限公司 一种毛细玻璃管品质检测装置
CN111307819B (zh) * 2020-03-16 2024-03-08 上海华力微电子有限公司 晶圆边缘缺陷检测系统及方法
CN115128099A (zh) * 2022-08-29 2022-09-30 苏州高视半导体技术有限公司 晶圆缺陷检测方法、晶圆缺陷检测设备及其拍摄装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007292641A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd 外観検査装置
JP2010103275A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sumco Corp ウェーハ裏面の評価方法
JP2010127897A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Tech Vision:Kk リング型照明装置
JP2015513111A (ja) * 2012-04-12 2015-04-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション サンプル検査とレビューのためのシステム及び方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57161641A (en) * 1981-03-31 1982-10-05 Olympus Optical Co Ltd Inspecting device for defect of surface
US4450358A (en) * 1982-09-22 1984-05-22 Honeywell Inc. Optical lithographic system
DE3637477A1 (de) * 1986-11-04 1988-05-11 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur ermittlung der qualitaet von oberflaechen, insbesondere von halbleiterscheiben
JP2941308B2 (ja) * 1989-07-12 1999-08-25 株式会社日立製作所 検査システムおよび電子デバイスの製造方法
JPH07249665A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Komatsu Electron Metals Co Ltd シリコンウェーハの汚染度評価方法
US5609780A (en) * 1994-11-14 1997-03-11 International Business Machines, Corporation Laser system
US6002262A (en) * 1996-07-19 1999-12-14 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of and apparatus for measuring flatness of semiconductor wafers that have not been subjected to donor-killer treatment
US6503594B2 (en) * 1997-02-13 2003-01-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Silicon wafers having controlled distribution of defects and slip
DE69800328T2 (de) * 1998-02-05 2001-02-01 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion der Mikrotextur am Umfang einer Halbleiterscheibe
US6700606B1 (en) * 1999-06-09 2004-03-02 Activcard Ireland Limited Micromirror optical imager
FR2797714B1 (fr) * 1999-08-20 2001-10-26 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement de substrats pour la microelectronique et substrats obtenus par ce procede
JP2001168160A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体ウェハの検査システム
TW502132B (en) * 2000-08-30 2002-09-11 Toshiba Corp Method for producing photomask
US7049586B2 (en) * 2002-02-21 2006-05-23 Applied Material Israel, Ltd. Multi beam scanning with bright/dark field imaging
US7016028B2 (en) * 2002-06-07 2006-03-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for defect detection
US6825487B2 (en) * 2002-07-30 2004-11-30 Seh America, Inc. Method for isolation of wafer support-related crystal defects
US7968354B1 (en) * 2002-10-04 2011-06-28 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for correlating backside and frontside defects detected on a specimen and classification of backside defects
KR100553710B1 (ko) * 2004-03-23 2006-02-24 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼를 검사하는 검사 시스템 및 검사 방법
TWI257140B (en) * 2004-04-13 2006-06-21 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Semiconductor wafer inspection device and method
US7315361B2 (en) * 2005-04-29 2008-01-01 Gsi Group Corporation System and method for inspecting wafers in a laser marking system
JP4713278B2 (ja) * 2005-08-30 2011-06-29 シャープ株式会社 多結晶半導体ウエハの外観検査方法および外観検査装置
US7583833B2 (en) * 2006-01-27 2009-09-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for manufacturing data indexing
WO2007137261A2 (en) * 2006-05-22 2007-11-29 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for detecting pinholes in a film formed on a wafer or for monitoring a thermal process tool
DE112007001361B4 (de) * 2006-06-09 2019-06-06 Sumco Corporation Verfahren zur Durchführung einer COP-Evaluierung an einem EinkristallSiliciumwafer
US7754502B1 (en) * 2006-10-27 2010-07-13 National Semiconductor Corporation Backside defect detector and method that determines whether unwanted materials are present on the backside of a semiconductor wafer
JP5369643B2 (ja) * 2008-06-10 2013-12-18 富士通セミコンダクター株式会社 欠陥検査装置
JP5332478B2 (ja) 2008-10-06 2013-11-06 株式会社Ｓｕｍｃｏ レーザー散乱式欠陥検査装置及びレーザー散乱式欠陥検査方法
JP2010103261A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Toshiba Corp 半導体評価装置、半導体評価方法及び半導体製造装置
KR101089787B1 (ko) * 2009-12-15 2011-12-07 한국생산기술연구원 포토루미네선스 이미징을 이용한 ｌｅｄ 에피웨이퍼 검사 장치 및 그 방법
US9031810B2 (en) * 2011-01-11 2015-05-12 Haiguang Chen Methods and systems of object based metrology for advanced wafer surface nanotopography
JP5682858B2 (ja) * 2011-05-20 2015-03-11 株式会社Sumco シリコンウェーハの評価方法および製造方法
JP6004033B1 (ja) * 2015-04-14 2016-10-05 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007292641A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd 外観検査装置
JP2010103275A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sumco Corp ウェーハ裏面の評価方法
JP2010127897A (ja) * 2008-12-01 2010-06-10 Tech Vision:Kk リング型照明装置
JP2015513111A (ja) * 2012-04-12 2015-04-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション サンプル検査とレビューのためのシステム及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108139339B (zh) 2020-10-16
DE112016004547T5 (de) 2018-06-14
JP2017072403A (ja) 2017-04-13
US10338005B2 (en) 2019-07-02
JP6601119B2 (ja) 2019-11-06
CN108139339A (zh) 2018-06-08
WO2017061063A1 (ja) 2017-04-13
US20180306731A1 (en) 2018-10-25
TWI627398B (zh) 2018-06-21
KR20180050369A (ko) 2018-05-14
TW201719150A (zh) 2017-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102066520B1 (ko) 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법
KR102121890B1 (ko) 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법, 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치, 에피택셜 성장 장치의 리프트 핀 관리 방법 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법
CN108351311B (zh) 晶圆检查方法及晶圆检查装置
TWI617800B (zh) 磊晶晶圓表面檢查裝置及使用該裝置之磊晶晶圓表面檢查方法
TW201734442A (zh) 缺陷檢測裝置、缺陷檢測方法及程式產品
JP2009042202A (ja) ウエハ検査装置およびウエハ検査方法
TWI765380B (zh) 矽晶圓的缺陷檢查方法及矽晶圓的缺陷檢查系統
JP2009109243A (ja) 樹脂封止材の検査装置
JP2009236760A (ja) 画像検出装置および検査装置
JP5868203B2 (ja) 検査装置
JP2008180601A (ja) 基板端面検査装置
JP2008241408A (ja) 対象物表面の欠陥検査方法
JP2023142887A (ja) 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
TW202210790A (zh) 矽晶圓的檢查方法、矽晶圓的製造方法
JPH08122261A (ja) 表面欠陥検査方法および同検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant