JPH07249665A - シリコンウェーハの汚染度評価方法 - Google Patents
シリコンウェーハの汚染度評価方法Info
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- JPH07249665A JPH07249665A JP6809094A JP6809094A JPH07249665A JP H07249665 A JPH07249665 A JP H07249665A JP 6809094 A JP6809094 A JP 6809094A JP 6809094 A JP6809094 A JP 6809094A JP H07249665 A JPH07249665 A JP H07249665A
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- JP
- Japan
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- silicon wafer
- concentration
- contamination
- epitaxial layer
- iron
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エピタキシャル成長工程における鉄、クロム
の汚染度を簡便に、かつ精度良く測定可能なシリコンウ
ェーハの汚染度評価方法を提供する。 【構成】 ボロンをドーパントとするｐ型シリコンウェ
ーハにエピタキシャル成長を行い、成長後のシリコンウ
ェーハの汚染度評価方法において、エピタキシャル層を
化学エッチングで除去後、除去後のサブストレートにお
ける鉄濃度および／又はクロム濃度を表面光起電圧法に
より測定することを特徴とする。また、測定する面は、
エピタキシャル層除去後のサブストレートの裏面であ
る。さらには、鉄濃度および／又はクロム濃度を、一端
面に前記エピタキシャル層を有するサブストレートの他
端面となる裏面から表面光起電圧法により測定してもよ
い。
の汚染度を簡便に、かつ精度良く測定可能なシリコンウ
ェーハの汚染度評価方法を提供する。 【構成】 ボロンをドーパントとするｐ型シリコンウェ
ーハにエピタキシャル成長を行い、成長後のシリコンウ
ェーハの汚染度評価方法において、エピタキシャル層を
化学エッチングで除去後、除去後のサブストレートにお
ける鉄濃度および／又はクロム濃度を表面光起電圧法に
より測定することを特徴とする。また、測定する面は、
エピタキシャル層除去後のサブストレートの裏面であ
る。さらには、鉄濃度および／又はクロム濃度を、一端
面に前記エピタキシャル層を有するサブストレートの他
端面となる裏面から表面光起電圧法により測定してもよ
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハの汚
染度評価方法に係り、特にエピタキシャル成長工程後の
品質評価に好適なシリコンウェーハの汚染度評価方法に
関する。
染度評価方法に係り、特にエピタキシャル成長工程後の
品質評価に好適なシリコンウェーハの汚染度評価方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェーハの汚染度評価方
法、特にエピタキシャル成長工程でのシリコンウェーハ
への鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）の汚染程度の評価方法
としては、次の方法が知られている。 （イ）エピタキシャル層表面にショットキー接合又はＰ
／Ｎ接合を形成し、ＤＬＴＳ法（Ｄｅｅｐ ｌｅｖｅｌ
ｔｒａｎｇｅｎｔ ｓｐｅｃｔｒｏ ｓｃｏｐｅ法）
により鉄、クロムが作る深い準位の密度を測定する。こ
の方法は、例えばＤｉａｇｎｏｓｔｉｃ Ｔｅｃｈｎｉ
ｑｕｅｓ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅ
ｖｉｃｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（１８０ｔｈ
ＥＣＳＭｅｅｔｉｎｇ、ｐ．１１３〜１１８（１９９
１）、Ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ ｉｎ１９９２）において示
されている。
法、特にエピタキシャル成長工程でのシリコンウェーハ
への鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）の汚染程度の評価方法
としては、次の方法が知られている。 （イ）エピタキシャル層表面にショットキー接合又はＰ
／Ｎ接合を形成し、ＤＬＴＳ法（Ｄｅｅｐ ｌｅｖｅｌ
ｔｒａｎｇｅｎｔ ｓｐｅｃｔｒｏ ｓｃｏｐｅ法）
により鉄、クロムが作る深い準位の密度を測定する。こ
の方法は、例えばＤｉａｇｎｏｓｔｉｃ Ｔｅｃｈｎｉ
ｑｕｅｓ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅ
ｖｉｃｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（１８０ｔｈ
ＥＣＳＭｅｅｔｉｎｇ、ｐ．１１３〜１１８（１９９
１）、Ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ ｉｎ１９９２）において示
されている。
【０００３】（ロ）通常のシリコンウェーハの表面を、
光照射による光学励起または２００℃加熱により活性化
させ、この活性化の前後における、鉄ーボロンまたはク
ロムーボロン解離等による拡散長変化を測定し、これに
基づき鉄、クロムの濃度を定量する表面光起電圧法（Ｓ
ｕｒｆａｃｅ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ法、以下ＳＰ
Ｖ法という。）が知られており、例えばＳＰＶ法による
重金属汚染測定（ワークショップ資料、１９９３年１１
月１６日、日本エー・ディー・イー株式会社）において
示されている。この方法により、鉄、クロム濃度を高感
度（１０8 ｃｍ-3）に測定可能としている。
光照射による光学励起または２００℃加熱により活性化
させ、この活性化の前後における、鉄ーボロンまたはク
ロムーボロン解離等による拡散長変化を測定し、これに
基づき鉄、クロムの濃度を定量する表面光起電圧法（Ｓ
ｕｒｆａｃｅ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ法、以下ＳＰ
Ｖ法という。）が知られており、例えばＳＰＶ法による
重金属汚染測定（ワークショップ資料、１９９３年１１
月１６日、日本エー・ディー・イー株式会社）において
示されている。この方法により、鉄、クロム濃度を高感
度（１０8 ｃｍ-3）に測定可能としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術には次のような問題点がある。すなわち、（イ）
においては、接合形成およびＤＬＴＳ測定に長い時間を
要し、例えば、真空蒸着による接合形成に１時間、さら
に１点のＤＬＴＳ測定時間が１時間以上と多大な工数を
必要とする問題がある。また、（ロ）においては、エピ
タキシャル層とサブストレートとの界面で少数キャリア
が散乱するため、少数キャリアの拡散長を精度良く測定
するのが難しく、従って、エピタキシャル成長後のエピ
タキシャル層表面では、鉄、クロムの濃度が測定できな
い問題がある。
来技術には次のような問題点がある。すなわち、（イ）
においては、接合形成およびＤＬＴＳ測定に長い時間を
要し、例えば、真空蒸着による接合形成に１時間、さら
に１点のＤＬＴＳ測定時間が１時間以上と多大な工数を
必要とする問題がある。また、（ロ）においては、エピ
タキシャル層とサブストレートとの界面で少数キャリア
が散乱するため、少数キャリアの拡散長を精度良く測定
するのが難しく、従って、エピタキシャル成長後のエピ
タキシャル層表面では、鉄、クロムの濃度が測定できな
い問題がある。
【０００５】本発明は、上記従来技術の問題点に着目
し、エピタキシャル成長工程前の洗浄工程およびエピタ
キシャル成長工程における鉄、クロムの汚染度を簡便
に、かつ精度良く測定することが可能なシリコンウェー
ハの汚染度評価方法を提供することを目的とする。
し、エピタキシャル成長工程前の洗浄工程およびエピタ
キシャル成長工程における鉄、クロムの汚染度を簡便
に、かつ精度良く測定することが可能なシリコンウェー
ハの汚染度評価方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るシリコンウェーハの汚染度評価方法に
おいては、第１発明は、ボロンをドーパントとするｐ型
シリコンウェーハにエピタキシャル成長を行い、前記成
長後のシリコンウェーハの汚染度評価方法において、前
記エピタキシャル層を化学エッチングで除去後、前記除
去後のサブストレートにおける鉄濃度および／又はクロ
ム濃度を表面光起電圧法（ＳＰＶ法）により測定するこ
とを特徴とする。第２発明は、第１発明において、前記
測定する面は、前記エピタキシャル層除去後の前記サブ
ストレートの裏面である。第３の発明は、ボロンをドー
パントとするｐ型シリコンウェーハにエピタキシャル成
長を行い、前記成長後のシリコンウェーハの汚染度評価
方法において、鉄濃度および／又はクロム濃度を、一端
面に前記エピタキシャル層を有するサブストレートの他
端面となる裏面から表面光起電圧法（ＳＰＶ法）により
測定することを特徴とする。
め、本発明に係るシリコンウェーハの汚染度評価方法に
おいては、第１発明は、ボロンをドーパントとするｐ型
シリコンウェーハにエピタキシャル成長を行い、前記成
長後のシリコンウェーハの汚染度評価方法において、前
記エピタキシャル層を化学エッチングで除去後、前記除
去後のサブストレートにおける鉄濃度および／又はクロ
ム濃度を表面光起電圧法（ＳＰＶ法）により測定するこ
とを特徴とする。第２発明は、第１発明において、前記
測定する面は、前記エピタキシャル層除去後の前記サブ
ストレートの裏面である。第３の発明は、ボロンをドー
パントとするｐ型シリコンウェーハにエピタキシャル成
長を行い、前記成長後のシリコンウェーハの汚染度評価
方法において、鉄濃度および／又はクロム濃度を、一端
面に前記エピタキシャル層を有するサブストレートの他
端面となる裏面から表面光起電圧法（ＳＰＶ法）により
測定することを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記構成による本発明の作用を説明する。エピ
タキシャル層の除去を化学エッチングで行うので、高度
な熟練技術を必要とせず、またエピタキシャル層を除去
したシリコンウェーハのサブストレートの鉄、クロムの
濃度をＳＰＶ法により測定するので、エピタキシャル層
とサブストレートとの界面での少数キャリア散乱の影響
を受けることなく、精度のよい濃度測定が可能になる。
従って、エピタキシャル成長工程におけるシリコンウェ
ーハの汚染度評価が的確に行われる。次に、エピタキシ
ャル層を形成するサブストレートの裏面からＳＰＶ法に
より測定するので、簡便にシリコンウェーハの汚染度評
価が行われる。
タキシャル層の除去を化学エッチングで行うので、高度
な熟練技術を必要とせず、またエピタキシャル層を除去
したシリコンウェーハのサブストレートの鉄、クロムの
濃度をＳＰＶ法により測定するので、エピタキシャル層
とサブストレートとの界面での少数キャリア散乱の影響
を受けることなく、精度のよい濃度測定が可能になる。
従って、エピタキシャル成長工程におけるシリコンウェ
ーハの汚染度評価が的確に行われる。次に、エピタキシ
ャル層を形成するサブストレートの裏面からＳＰＶ法に
より測定するので、簡便にシリコンウェーハの汚染度評
価が行われる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明に係るシリコンウェーハの汚
染度評価方法の実施例につき、図面を参照しつつ詳述す
る。図１に本実施例のシリコンウェーハの汚染度評価方
法の操作手順概要を示す。図１において、（ａ）はエピ
タキシャル成長工程前のシリコンウェーハ、（ｂ）はエ
ピタキシャル成長工程後のシリコンウェーハ、（ｃ）は
化学エッチングによるエピタキシャル層の除去、（ｄ）
はＳＰＶ法による鉄濃度測定を示す。まず、図１（ａ）
において、本実施例の適用対象となるシリコンウェーハ
１は、ボロンをドーパントとするｐ型シリコンウェーハ
１である。したがって、シリコン単結晶は浮遊帯域融解
（ＦＺ）法、チョクラルスキー（ＣＺ）法、さらには新
しいＣＺ法である、磁界下引上げ（ＭＣＺ）法、リチャ
ージ引上げ（ＲＣＣＺ）法、連続チャージ引上げ（ＣＣ
ＣＺ）法等により単結晶化され、半導体デバイスに適用
可能なシリコンである。また、ボロンのドーピングは必
要に応じて、多結晶シリコンへの添加、シリコン単結晶
の引上げ中での添加などにより行われる。次に、スライ
ス等のウェーハ加工により鏡面研磨ウェーハが得られ、
必要に応じてゲッタリング処理が行われ、洗浄工程を経
てエピタキシャル成長工程に処される。
染度評価方法の実施例につき、図面を参照しつつ詳述す
る。図１に本実施例のシリコンウェーハの汚染度評価方
法の操作手順概要を示す。図１において、（ａ）はエピ
タキシャル成長工程前のシリコンウェーハ、（ｂ）はエ
ピタキシャル成長工程後のシリコンウェーハ、（ｃ）は
化学エッチングによるエピタキシャル層の除去、（ｄ）
はＳＰＶ法による鉄濃度測定を示す。まず、図１（ａ）
において、本実施例の適用対象となるシリコンウェーハ
１は、ボロンをドーパントとするｐ型シリコンウェーハ
１である。したがって、シリコン単結晶は浮遊帯域融解
（ＦＺ）法、チョクラルスキー（ＣＺ）法、さらには新
しいＣＺ法である、磁界下引上げ（ＭＣＺ）法、リチャ
ージ引上げ（ＲＣＣＺ）法、連続チャージ引上げ（ＣＣ
ＣＺ）法等により単結晶化され、半導体デバイスに適用
可能なシリコンである。また、ボロンのドーピングは必
要に応じて、多結晶シリコンへの添加、シリコン単結晶
の引上げ中での添加などにより行われる。次に、スライ
ス等のウェーハ加工により鏡面研磨ウェーハが得られ、
必要に応じてゲッタリング処理が行われ、洗浄工程を経
てエピタキシャル成長工程に処される。
【０００９】次に、図１（ｂ）において、このエピタキ
シャル成長は、化学的気相成長（ＣＶＤ）法、分子線エ
ピタキシー（ＭＢＥ）法など通常の方法が適用され、エ
ピタキシャル層３が形成される。例えば、ＣＶＤ法では
シリンダ炉、横型炉、縦型炉などのエピタキシャル成長
装置が使用されるが、炉の管理状態、温度等の処理条件
等により、エピタキシャル処理前と比較して、処理後の
シリコンウェーハ１のサブストレート２の重金属が増加
し、品質上問題となることがある。したがって、炉の清
浄度の維持管理、場合によっては清浄度の向上により、
鉄などの重金属汚染を所定濃度以下にする必要がある
が、同時に重金属汚染度を簡便にかつ精度良く測定し評
価することが重要である。
シャル成長は、化学的気相成長（ＣＶＤ）法、分子線エ
ピタキシー（ＭＢＥ）法など通常の方法が適用され、エ
ピタキシャル層３が形成される。例えば、ＣＶＤ法では
シリンダ炉、横型炉、縦型炉などのエピタキシャル成長
装置が使用されるが、炉の管理状態、温度等の処理条件
等により、エピタキシャル処理前と比較して、処理後の
シリコンウェーハ１のサブストレート２の重金属が増加
し、品質上問題となることがある。したがって、炉の清
浄度の維持管理、場合によっては清浄度の向上により、
鉄などの重金属汚染を所定濃度以下にする必要がある
が、同時に重金属汚染度を簡便にかつ精度良く測定し評
価することが重要である。
【００１０】所定のエピタキシャル成長工程を経たシリ
コンウェーハ１は、重金属の汚染度が評価される。ま
ず、図１（ｃ）に示すように、エピタキシャル層３が化
学エッチングで除去される。ここで使用されるエッチン
グ液は、フッ酸と硝酸の混液、またはフッ酸と硝酸に水
あるいは酢酸を加えた混液など、一般的なシリコン用エ
ッチング液が使用される。このエッチング後のシリコン
ウェーハ１は平滑な鏡面状態が好ましく、フッ酸と硝酸
に水あるいは酢酸を加えた混液で温度制御と攪拌を行う
ことが好ましい。
コンウェーハ１は、重金属の汚染度が評価される。ま
ず、図１（ｃ）に示すように、エピタキシャル層３が化
学エッチングで除去される。ここで使用されるエッチン
グ液は、フッ酸と硝酸の混液、またはフッ酸と硝酸に水
あるいは酢酸を加えた混液など、一般的なシリコン用エ
ッチング液が使用される。このエッチング後のシリコン
ウェーハ１は平滑な鏡面状態が好ましく、フッ酸と硝酸
に水あるいは酢酸を加えた混液で温度制御と攪拌を行う
ことが好ましい。
【００１１】次に、エピタキシャル層３を除去したシリ
コンウェーハ１を洗浄・乾燥後、図１（ｄ）に示すよう
に、ＳＰＶ法による測定装置４を使用して、シリコンウ
ェーハ１のサブストレート２における鉄の濃度を表面２
ａ側から測定した。鉄の濃度は、光学励起による活性化
の前後における拡散長を測定し、この拡散長に基づき鉄
濃度が定量される。図２に従来法であるＤＬＴＳ法での
鉄濃度に対する本実施例のＳＰＶ法での鉄濃度を示す。
図から明らかなように、本実施例で得られる鉄濃度はＤ
ＬＴＳ法と良い相関を示しており、精度の良い値が得ら
れることが分かる。また、本実施例での所要時間は、エ
ピタキシャル層除去の化学エッチングが約２０分、ＳＰ
Ｖ法による鉄濃度測定が１点に付き約１０分以内、合計
で約３０分であり、従来技術で説明したＤＬＴＳ法での
１点に付き２時間以上に比して、極めて短時間である。
さらに、エッチング、ＳＰＶ法での測定も高度な熟練技
術が不要であり、簡便な方法である。なお、ＳＰＶ法で
の測定精度を確保する関係から、測定時のシリコンウェ
ーハ１の抵抗率は０．０５Ω・ｃｍ以上が好ましい。
コンウェーハ１を洗浄・乾燥後、図１（ｄ）に示すよう
に、ＳＰＶ法による測定装置４を使用して、シリコンウ
ェーハ１のサブストレート２における鉄の濃度を表面２
ａ側から測定した。鉄の濃度は、光学励起による活性化
の前後における拡散長を測定し、この拡散長に基づき鉄
濃度が定量される。図２に従来法であるＤＬＴＳ法での
鉄濃度に対する本実施例のＳＰＶ法での鉄濃度を示す。
図から明らかなように、本実施例で得られる鉄濃度はＤ
ＬＴＳ法と良い相関を示しており、精度の良い値が得ら
れることが分かる。また、本実施例での所要時間は、エ
ピタキシャル層除去の化学エッチングが約２０分、ＳＰ
Ｖ法による鉄濃度測定が１点に付き約１０分以内、合計
で約３０分であり、従来技術で説明したＤＬＴＳ法での
１点に付き２時間以上に比して、極めて短時間である。
さらに、エッチング、ＳＰＶ法での測定も高度な熟練技
術が不要であり、簡便な方法である。なお、ＳＰＶ法で
の測定精度を確保する関係から、測定時のシリコンウェ
ーハ１の抵抗率は０．０５Ω・ｃｍ以上が好ましい。
【００１２】次に、本実施例での測定法により、各炉で
処理したシリコンウェーハのサブストレートにおける鉄
濃度の測定結果を図３に示す。図から明らかなように、
種々の処理条件に設定した炉により、鉄濃度、即ち鉄汚
染度は異なり、シリコンウェーハの汚染度の的確な評価
から、炉の清浄度等の評価が可能である。従って、例え
ば、Ａ炉とＢ炉は鉄濃度を低下させる対策、Ｅ炉は鉄濃
度のばらつきを小さくする対策が必要となる。
処理したシリコンウェーハのサブストレートにおける鉄
濃度の測定結果を図３に示す。図から明らかなように、
種々の処理条件に設定した炉により、鉄濃度、即ち鉄汚
染度は異なり、シリコンウェーハの汚染度の的確な評価
から、炉の清浄度等の評価が可能である。従って、例え
ば、Ａ炉とＢ炉は鉄濃度を低下させる対策、Ｅ炉は鉄濃
度のばらつきを小さくする対策が必要となる。
【００１３】さらに、鉄濃度測定後、ＳＰＶ法によりク
ロム濃度を測定したが、鉄濃度と同様に精度のよい結果
が得られ、エピタキシャル成長工程におけるシリコンウ
ェーハの汚染度評価方法として有用であることが分かっ
た。また、ＳＰＶ法による測定は、エピタキシャル層除
去の裏面２ｂ（図１（ｄ）参照）から測定してもよく、
さらに、エピタキシャル層を除去することなく、裏面２
ｃ（図１（ｂ）参照）から測定してもよい。すなわち、
後者の例として、エピタキシャル成長を行う面の反対側
であるシリコンウェーハの裏面を平滑な鏡面状態とし、
次に必要に応じてこの裏面に熱酸化、ＣＶＤ法等で保護
膜となる薄膜を形成し、次に所定のシリコンウェーハの
表面にエピタキシャル成長を行い、成長後シリコンウェ
ーハの裏面からＳＰＶ法により鉄濃度等を測定してもよ
い。
ロム濃度を測定したが、鉄濃度と同様に精度のよい結果
が得られ、エピタキシャル成長工程におけるシリコンウ
ェーハの汚染度評価方法として有用であることが分かっ
た。また、ＳＰＶ法による測定は、エピタキシャル層除
去の裏面２ｂ（図１（ｄ）参照）から測定してもよく、
さらに、エピタキシャル層を除去することなく、裏面２
ｃ（図１（ｂ）参照）から測定してもよい。すなわち、
後者の例として、エピタキシャル成長を行う面の反対側
であるシリコンウェーハの裏面を平滑な鏡面状態とし、
次に必要に応じてこの裏面に熱酸化、ＣＶＤ法等で保護
膜となる薄膜を形成し、次に所定のシリコンウェーハの
表面にエピタキシャル成長を行い、成長後シリコンウェ
ーハの裏面からＳＰＶ法により鉄濃度等を測定してもよ
い。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、ボロンをドーパントとするｐ
型シリコンウェーハにエピタキシャル成長を行った後、
このエピタキシャル層をフッ酸と硝酸に水あるいは酢酸
を加えた混液等で化学的に除去し、エピタキシャル層除
去後のサブストレートをＳＰＶ法による測定装置を使用
して、シリコンウェーハの鉄、クロム濃度を測定し、重
金属の汚染度を評価する。以上により、化学エッチン
グ、ＳＰＶ法による測定は極めて短時間であり、簡便な
測定方法である。さらに、エピタキシャル層除去後に
鉄、クロム濃度を測定するので、精度の良い汚染度の把
握が可能であり、シリコンウェーハのエピタキシャル成
長工程の的確な評価および対応が迅速に行われる。ま
た、エピタキシャル層除去後のサブストレートの裏面、
あるいはエピタキシャル層を除去せずにサブストレート
の裏面からＳＰＶ法による測定も可能であり、簡便であ
る。
型シリコンウェーハにエピタキシャル成長を行った後、
このエピタキシャル層をフッ酸と硝酸に水あるいは酢酸
を加えた混液等で化学的に除去し、エピタキシャル層除
去後のサブストレートをＳＰＶ法による測定装置を使用
して、シリコンウェーハの鉄、クロム濃度を測定し、重
金属の汚染度を評価する。以上により、化学エッチン
グ、ＳＰＶ法による測定は極めて短時間であり、簡便な
測定方法である。さらに、エピタキシャル層除去後に
鉄、クロム濃度を測定するので、精度の良い汚染度の把
握が可能であり、シリコンウェーハのエピタキシャル成
長工程の的確な評価および対応が迅速に行われる。ま
た、エピタキシャル層除去後のサブストレートの裏面、
あるいはエピタキシャル層を除去せずにサブストレート
の裏面からＳＰＶ法による測定も可能であり、簡便であ
る。
【図１】本発明に係るシリコンウェーハの汚染度評価方
法の操作手順概要の説明図である。
法の操作手順概要の説明図である。
【図２】本発明に係るＳＰＶ法での鉄濃度と従来法であ
るＤＬＴＳ法での鉄濃度との比較を表す図である。
るＤＬＴＳ法での鉄濃度との比較を表す図である。
【図３】本発明に係る各炉で処理したシリコンウェーハ
のサブストレートにおける鉄濃度の測定結果を表す図で
ある。
のサブストレートにおける鉄濃度の測定結果を表す図で
ある。
１ シリコンウェーハ、２ サブストレート、２ａ 表
面、２ｂ、２ｃ 裏面、３ エピタキシャル層、４ Ｓ
ＰＶ法による測定装置。
面、２ｂ、２ｃ 裏面、３ エピタキシャル層、４ Ｓ
ＰＶ法による測定装置。
Claims (3)
- 【請求項１】 ボロンをドーパントとするｐ型シリコン
ウェーハにエピタキシャル成長を行い、前記成長後のシ
リコンウェーハの汚染度評価方法において、前記エピタ
キシャル層を化学エッチングで除去後、前記除去後のサ
ブストレートにおける鉄濃度および／又はクロム濃度を
表面光起電圧法により測定することを特徴とするシリコ
ンウェーハの汚染度評価方法。 - 【請求項２】 前記測定する面は、前記エピタキシャル
層除去後の前記サブストレートの裏面であることを特徴
とする請求項１記載のシリコンウェーハの汚染度評価方
法。 - 【請求項３】 ボロンをドーパントとするｐ型シリコン
ウェーハにエピタキシャル成長を行い、前記成長後のシ
リコンウェーハの汚染度評価方法において、鉄濃度およ
び／又はクロム濃度を、一端面に前記エピタキシャル層
を有するサブストレートの他端面となる裏面から表面光
起電圧法により測定することを特徴とするシリコンウェ
ーハの汚染度評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6809094A JPH07249665A (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | シリコンウェーハの汚染度評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6809094A JPH07249665A (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | シリコンウェーハの汚染度評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249665A true JPH07249665A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=13363698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6809094A Pending JPH07249665A (ja) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | シリコンウェーハの汚染度評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249665A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050282A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶基板の評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法 |
| JP2013051303A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置の清浄度評価方法 |
| CN106449455A (zh) * | 2016-10-21 | 2017-02-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法 |
| JP2017072403A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法 |
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1994
- 1994-03-11 JP JP6809094A patent/JPH07249665A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010050282A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶基板の評価方法及びエピタキシャル基板の製造方法 |
| JP2013051303A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置の清浄度評価方法 |
| JP2017072403A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法 |
| WO2017061063A1 (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法 |
| US10338005B2 (en) | 2015-10-05 | 2019-07-02 | Sumco Corporation | Apparatus for inspecting back surface of epitaxial wafer and method of inspecting back surface of epitaxial wafer using the same |
| CN106449455A (zh) * | 2016-10-21 | 2017-02-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法 |
| CN106449455B (zh) * | 2016-10-21 | 2019-02-19 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法 |
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