JP5369643B2 - 欠陥検査装置 - Google Patents
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Description
検査対象であるウエハの表面において、欠陥検出処理を中断する位置情報を記憶する検査中断位置情報記憶部と、
検査対象であるウエハの表面の画像データを取得する画像データ取得装置と、
検出された複数の欠陥の情報を記憶する欠陥情報記憶部と、
疑似欠陥率判定基準値記憶部と、
検査結果を出力する出力装置と、
処理装置と
を有し、
前記処理装置は、
前記検査中断位置情報記憶部に記憶されている位置情報で規定される中断位置まで、前記画像データ取得装置で画像データを取得し、
取得された前記画像データに基づいて、ウエハ表面上の欠陥を検出し、
前記検出された欠陥の情報を、前記欠陥情報記憶部に記憶させ、
前記検出された欠陥を、プロセスに起因する欠陥と、プロセスに起因しない疑似欠陥とに分類し、前記検出された欠陥の総個数に対する前記疑似欠陥の個数の割合を、前記疑似欠陥率判定基準値記憶部に記憶された疑似欠陥率の判定基準値と比較し、比較結果に基づいて、前記中断位置よりも後方の領域の欠陥の検出処理を再開するか否かを判定する。
プロセスに起因する欠陥と、プロセスに起因しない疑似欠陥とを切り分けるための欠陥のサイズである切り分けサイズを記憶する切り分けサイズ記憶部と、
検査対象であるウエハの表面の画像データを取得する画像データ取得装置と、
検出された複数の欠陥の情報を記憶する欠陥情報記憶部と、
検査結果を出力する出力装置と、
処理装置と
を有し、
前記処理装置は、
前記画像データ取得装置で取得された画像データに基づいて、ウエハ表面上の欠陥を検出し、
検出された欠陥の情報を、前記欠陥情報記憶部に記憶させ、
ウエハ表面の欠陥検出を行うべき範囲の全域について欠陥検出処理が終了する前に、一部の範囲について検出された欠陥のサイズと、前記切り分けサイズ記憶部に記憶されている切り分けサイズとを比較し、該切り分けサイズ以上の大きさの欠陥が検出されている場合には、前記出力装置から検査装置異常であることを知らせる警報を出力させ、該切り分けサイズ以上の大きさの欠陥が検出されていない場合には、未だ欠陥検出処理が行われていない範囲について欠陥検出処理を行う欠陥検査装置。
ウエハ1枚あたり、欠陥情報を蓄積することができる欠陥の数の上限値である蓄積可能数を記憶する蓄積可能数記憶部をさらに有し、
前記制御装置は、
欠陥検出処理の対象となった範囲の広さと、前記蓄積可能数記憶部に記憶されている蓄積可能数とに基づいて、欠陥検出処理の対象となった範囲内で検出された欠陥のうち、欠陥情報を蓄積すべき欠陥の数の上限値である抽出上限数を算出し、
検出された欠陥の数が前記抽出上限数を超えている場合には、欠陥検出処理の対象となった範囲内で検出された欠陥から、前記抽出上限数分の欠陥を抽出し、抽出された欠陥の情報を前記欠陥情報記憶部に記憶させ、抽出されなかった欠陥の情報を廃棄する付記1に記載の欠陥検査装置。
検査対象であるウエハの表面が、優先度の異なる複数の領域に区分されており、
ウエハ表面内の位置と優先度とを対応付ける優先度位置情報を記憶する優先度位置情報記憶部をさらに有し、
前記制御装置は、
検出された欠陥から、抽出上限数分の欠陥を抽出する際に、検出された欠陥の位置に対応付けられている優先度に基づいて、欠陥を抽出する付記2に記載の欠陥検査装置。
相対的にパターン密度の密な領域が疎な領域よりも、前記優先度が高くなるように、優先度の異なる複数の領域に区分されており、
前記制御装置は、相対的に優先度の高い領域内で検出された欠陥から抽出する確率が、優先度の低い領域内で検出された欠陥から抽出する確率よりも高くなるように、欠陥を抽出する付記3に記載の欠陥検査装置。
前記制御装置は、
抽出された欠陥の欠陥情報に基づいて、クラスタ欠陥の有無を判定し、
クラスタ欠陥があると判定された場合には、クラスタ欠陥の面積及び位置に基づいて、ウエハの裏面検査、ウエハの周辺無効領域の検査、またはベベル検査を実行する指示を、前記出力装置に出力する付記2乃至4のいずれか1項に記載の欠陥検査装置。
ウエハ表面内の欠陥を検出する工程と、
欠陥検出を行うべき全域について欠陥検出処理が完了する前に、一部の範囲で検出された欠陥の各々について、当該欠陥のサイズに基づいて、プロセスに起因する欠陥か、プロセスに起因しない疑似欠陥かを切り分ける工程と、
検出された欠陥に、前記疑似欠陥と判定されたものがある場合には、欠陥検出処理を停止させる工程と、
検出された欠陥に、前記疑似欠陥と判定されたものが無い場合には、欠陥検出処理が行われていない範囲について、ウエハ表面内の欠陥を検出する前記工程を繰り返す工程と
を有する欠陥検査方法。
半導体ウエハの表面に、電子回路パターンを形成する工程と、
前記電子回路パターンが形成された半導体ウエハの表面内の欠陥を検出する工程と、
欠陥検出を行うべき全域について欠陥検出処理が完了する前に、一部の範囲で検出された欠陥の各々について、当該欠陥のサイズに基づいて、プロセスに起因する欠陥か、プロセスに起因しない疑似欠陥かを切り分ける工程と、
検出された欠陥に、前記疑似欠陥と判定されたものがある場合には、欠陥検出処理を停止させる工程と、
検出された欠陥に、前記疑似欠陥と判定されたものが無い場合には、欠陥検出処理が行われていない範囲について、ウエハ表面内の欠陥を検出する前記工程を繰り返す工程と
を有する半導体装置の製造方法。
検査対象であるウエハの表面において、欠陥検出処理を中断する位置情報を記憶する検査中断位置情報記憶部と、
検査対象であるウエハの表面の画像データを取得する画像データ取得装置と、
検出された複数の欠陥の情報を記憶する欠陥情報記憶部と、
検査結果を出力する出力装置と、
処理装置と
を有し、
前記処理装置は、
前記検査中断位置情報記憶部に記憶されている位置情報で規定される中断位置まで、前記画像データ取得装置で画像データを取得し、
取得された前記画像データに基づいて、ウエハ表面上の欠陥を検出し、
検出された欠陥の情報を、前記欠陥情報記憶部に記憶させ、
検出された欠陥を、プロセスに起因する欠陥と、プロセスに起因しない疑似欠陥とに分類し、分類結果に基づいて、前記中断位置よりも後方の領域の欠陥の検出処理を再開するか否かを判定する欠陥検査装置。
検査対象であるウエハの表面の光学像を取得する光学顕微鏡を、さらに有し、
前記処理装置は、検出された欠陥の位置情報に基づいて、前記光学顕微鏡により欠陥検出位置の光学像を取得し、
取得された光学像に基づいて、プロセスに起因する欠陥と、プロセスに起因しない疑似欠陥とに分類する付記8に記載の欠陥検査装置。
疑似欠陥率の判定基準値を記憶する疑似欠陥率判定基準値記憶部を、さらに有し、
前記処理装置は、検出された欠陥の総個数に対する疑似欠陥の個数の割合を、前記疑似欠陥率判定基準値記憶部に記憶された判定基準値と比較し、比較結果に基づいて、前記中断位置より後方の領域の欠陥の検出処理を再開するか否かを判定する付記8または9に記載の欠陥検査装置。
検査対象であるウエハの表面に、前記画像データを取得する単位とある複数の欠陥検出区画が画定されており、
前記処理装置は、
検出された欠陥の総個数に対する疑似欠陥の個数の割合を、前記疑似欠陥率判定基準値記憶部に記憶された判定基準値と比較し、疑似欠陥の割合が前記判定基準値以上であった場合に、前記欠陥検出区画ごとの疑似欠陥の割合を求め、疑似欠陥の割合が判定基準値以上の欠陥検出区画がクラスタ状に分布する場合に、前記出力装置から警報を出力する付記10に記載の欠陥検査装置。
前記処理装置は、
疑似欠陥の割合が判定基準値以上の欠陥検出区画がクラスタ状に分布しない場合に、欠陥検出条件を修正して、前記中断位置までの領域の欠陥の検出処理を再実行する付記11に記載の欠陥検出装置。
ウエハ表面内の中断位置までの領域の欠陥を検出する工程と、
前記中断位置までに検出された欠陥の位置の光学画像に基づいて、検出された欠陥を、プロセス起因の欠陥と、プロセスに起因しない疑似欠陥とに分類する工程と、
前記中断位置までに検出された欠陥の総数に対する前記疑似欠陥の数の割合を、判定基準値と比較し、比較結果に基づいて、前記中断位置よりも後方の領域の欠陥の検出処理を再開するか否かを決定する工程と
を有する欠陥検査方法。
半導体ウエハの表面に、電子回路パターンを形成する工程と、
前記電子回路パターンが形成された前記半導体ウエハの表面内の中断位置までの領域の欠陥を検出する工程と、
前記中断位置までに検出された欠陥の位置の光学画像に基づいて、検出された欠陥を、プロセス起因の欠陥と、プロセスに起因しない疑似欠陥とに分類する工程と、
前記中断位置までに検出された欠陥の総数に対する前記疑似欠陥の数の割合を、判定基準値と比較し、比較結果に基づいて、前記中断位置よりも後方の領域の欠陥の検出処理を再開するか否かを決定する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
11 出力装置
12 画像データ取得装置
13 処理装置
14 記憶装置
15 検査レシピ記憶部
16 欠陥情報蓄積可能数記憶部
17 欠陥情報蓄積部
18 欠陥抽出上限数記憶部
19 優先度位置情報記憶部
20 重み付け情報記憶部
21 切り分けサイズ記憶部
22 クラスタ欠陥面積しきい値記憶部
23 検査中断位置情報記憶部
24 疑似欠陥率判定基準値記憶部
25 光学顕微鏡
30 半導体ウエハ
31 欠陥検出区画
32 ワード線
35 メモリセル領域
38 ロジック回路領域
40 クラスタ欠陥
41 クラスタ欠陥対応部位
45 クラスタ欠陥
50 ベベル領域
51 周辺非使用領域
52 有効領域
Claims (2)
- 検査対象であるウエハの表面において、欠陥検出処理を中断する位置情報を記憶する検査中断位置情報記憶部と、
検査対象であるウエハの表面の画像データを取得する画像データ取得装置と、
検出された複数の欠陥の情報を記憶する欠陥情報記憶部と、
疑似欠陥率判定基準値記憶部と、
検査結果を出力する出力装置と、
処理装置と
を有し、
前記処理装置は、
前記検査中断位置情報記憶部に記憶されている位置情報で規定される中断位置まで、前記画像データ取得装置で画像データを取得し、
取得された前記画像データに基づいて、ウエハ表面上の欠陥を検出し、
前記検出された欠陥の情報を、前記欠陥情報記憶部に記憶させ、
前記検出された欠陥を、プロセスに起因する欠陥と、プロセスに起因しない疑似欠陥とに分類し、前記検出された欠陥の総個数に対する前記疑似欠陥の個数の割合を、前記疑似欠陥率判定基準値記憶部に記憶された疑似欠陥率の判定基準値と比較し、比較結果に基づいて、前記中断位置よりも後方の領域の欠陥の検出処理を再開するか否かを判定する欠陥検査装置。 - 前記検査対象であるウエハの表面の光学像を取得する光学顕微鏡を、さらに有し、
前記処理装置は、前記検出された欠陥の位置情報に基づいて、前記光学顕微鏡により欠陥検出位置の光学像を取得し、
前記取得された光学像に基づいて、プロセスに起因する欠陥と、プロセスに起因しない疑似欠陥とに分類する請求項1に記載の欠陥検査装置。
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