KR102056661B1 - 실리콘 단결정의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

실리콘 단결정의 제조 방법은, 실리콘이 수용된 석영 도가니를 가열부에서 가열함으로써, 실리콘을 융해하는 융해 공정과, 종 결정을 석영 도가니 내의 실리콘 융액에 접촉시키는 딥 공정과, 종 결정을 인상함으로써, 실리콘 단결정을 육성하는 인상 공정을 구비하고, 인상 공정은, 가열부의 소비 전력량이 10000kwh 이상이 되고 나서 실리콘 단결정의 직동부의 형성을 개시하고, 실리콘 단결정 전체를 육성한다.

Description

실리콘 단결정의 제조 방법

본 발명은, 실리콘 단결정의 제조 방법에 관한 것이다.

종래, 실리콘 단결정을 제조하는 방법으로서, 자장을 인가하는 MCZ(자장 인가 초크랄스키)법이나, 자장을 인가하지 않는 CZ(초크랄스키)법이 알려져 있다. 이러한 MCZ법이나 CZ법에서는, 직동부(straight body)에 유전위화(dislocation)가 발생하는 경우가 있다는 문제가 있어, 이를 해결하기 위한 검토가 이루어지고 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 2 참조).

CZ법에 관한 특허문헌 1의 장치에서는, 열 복사체를 열 차폐체에 대하여 승강시켜, 석영 도가니의 상단에 위치시킴으로써, 실리콘 융액의 열의 방산을 억제함과 함께, 석영 도가니를 통하여 열을 효율 좋게 실리콘 융액에 전달하여, 실리콘 융액을 적은 전력으로 소정 온도로 가열할 수 있다. 또한, 석영 도가니 내의 측부 상단까지의 온도를 균일하게 할 수 있어, 석영 도가니의 상단 내주면에 실리콘 융액이 부착되는 것을 방지하여, 유전위화를 억제할 수 있다.

MCZ법에 관한 특허문헌 2의 방법에서는, 다결정 실리콘의 융해 공정 후, 실리콘 단결정을 육성하는 인상 공정 전에, 실리콘 융액에 자장을 인가하여 방치하는 공정과, 그 후, 자장의 인가를 멈추어 방치하는 공정을 행한다. 이에 따라, 실리콘 융액에 대하여 자장을 인가한 방치로 석영 도가니 표면에 크리스토발라이트(cristobalite)를 형성하고, 이어서 행해지는 자장의 인가를 멈춘 방치로 크리스토발라이트를 적절히 용해함으로써, 유전위화를 억제할 수 있다.

일본공개특허공보 평11-255577호 일본공개특허공보 2012-82121호

그러나, 특허문헌 1의 장치에서는, 열 복사체를 형성하기 위해, 단결정 인상 장치의 설계 변경이 필요해진다는 문제가 있다.

또한, 특허문헌 2의 방법에서는, CZ법에는 적용할 수 없다는 문제가 있다.

본 발명의 목적은, 범용성이 있고 또한 간단한 방법으로 유전위화의 발생을 저감 가능한 실리콘 단결정의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명자는, 예의 연구를 거듭한 결과, 석영 도가니를 가열하는 가열부의 소비 전력량이 소정값(석영 도가니에 주어지는 에너지량이 3.6×10¹⁷kJ) 이상이 되고 나서, 실리콘 단결정의 직동부의 형성을 개시함으로써, 직동부에 있어서의 유전위화의 발생을 저감할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

본 발명의 실리콘 단결정의 제조 방법은, 실리콘이 수용된 석영 도가니를 가열부에서 가열함으로써, 상기 실리콘을 융해하는 융해 공정과, 종(seed) 결정을 상기 석영 도가니 내의 실리콘 융액에 접촉시키는 딥(dip) 공정과, 상기 종 결정을 인상함으로써, 실리콘 단결정을 육성하는 인상 공정을 구비하고, 상기 인상 공정은, 상기 가열부의 소비 전력량이 10000kwh 이상이 되고 나서 상기 실리콘 단결정의 직동부의 형성을 개시하고, 상기 실리콘 단결정 전체를 육성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실리콘 단결정의 제조 방법에 있어서, 상기 딥 공정과 상기 인상 공정의 사이에 행해지는 가육성(temporarily-growing) 공정과 멜팅백(melting-back) 공정을 구비하고, 상기 가육성 공정은, 상기 실리콘 융액에 접촉하고 있는 상기 종 결정을 인상함으로써, 실리콘 단결정의 일부를 육성하고, 상기 멜팅백 공정은, 상기 가육성 공정에서 육성한 실리콘 단결정을 상기 실리콘 융액에 녹이는 것이 바람직하다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 단결정 인상 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는 상기 일 실시 형태 및 본 발명의 실시예 1에 있어서의 실리콘 단결정의 제조 방법의 설명도이다.
도 3은 본 발명의 변형예 및 실시예 2에 있어서의 실리콘 단결정의 제조 방법의 설명도이다.
도 4는 본 발명의 비교예에 있어서의 실리콘 단결정의 제조 방법의 설명도이다.
도 5는 상기 비교예에 있어서의 유전위화 발생시의 소비 전력량의 도수 분포이다.

(발명을 실시하기 위한 형태)

[실시 형태]

이하, 본 발명의 일 실시 형태를 도면을 참조하여 설명한다.

〔단결정 인상 장치의 구성〕

도 1에 나타내는 바와 같이, 단결정 인상 장치(1)는, CZ법에 이용되는 장치로서, 인상 장치 본체(2)와, 제어부(3)를 구비하고 있다.

인상 장치 본체(2)는, 챔버(21)와, 이 챔버(21) 내의 중심부에 배치된 도가니(22)와, 이 도가니(22)에 열을 방사하여 가열하는 가열부로서의 히터(23)와, 단열통(24)과, 인상 케이블(25)과, 열 차폐체(26)를 구비하고 있다.

챔버(21)의 상부에는, Ar 가스 등의 불활성 가스를 챔버(21) 내에 도입하는 가스 도입구(21A)가 형성되어 있다. 챔버(21)의 하부에는, 도시하지 않는 진공 펌프의 구동에 의해, 챔버(21) 내의 기체를 배출하는 가스 배기구(21B)가 형성되어 있다.

챔버(21) 내에는, 제어부(3)의 제어에 의해, 챔버(21) 상부의 가스 도입구(21A)로부터, 불활성 가스가 소정의 가스 유량으로 도입된다. 그리고 도입된 가스가, 챔버(21) 하부의 가스 배기구(21B)로부터 배출됨으로써, 불활성 가스가 챔버(21) 내의 상방으로부터 하방을 향하여 흐르는 구성으로 되어 있다.

챔버(21) 내의 압력(로(furnace) 내압)은, 제어부(3)에 의해 제어 가능하게 되어 있다.

도가니(22)는, 실리콘 웨이퍼의 원료인 다결정의 실리콘을 융해하여, 실리콘 융액(M)으로 하는 것이다. 도가니(22)는, 소정의 속도로 회전 및 승강이 가능한 지지축(27)으로 지지되어 있다. 도가니(22)는, 바닥이 있는 원통 형상의 석영 도가니(221)와, 이 석영 도가니(221)를 수납하는 흑연 도가니(222)를 구비하고 있다. 또한, 석영 도가니(221) 및 흑연 도가니(222)로서는, 이하의 스펙의 것을 이용할 수 있다.

석영 도가니

·외경: 32인치

·재질: 천연 석영 또는 합성 석영

·두께: 13㎜∼35㎜

흑연 도가니

·내경: 32인치(석영 도가니를 수용 가능한 치수)

·재질: 등방성 흑연 또는 카본 카본 복합 재료(C/C 컴포지트)

히터(23)는, 도가니(22)의 외측에 배치되어 있고, 도가니(22)를 가열하여, 도가니(22) 내의 실리콘을 융해한다.

단열통(24)은, 도가니(22) 및 히터(23)의 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다.

인상 케이블(25)은, 일단이, 도가니(22) 상방에 배치된 도시하지 않는 인상 구동부에 접속되고, 타단에, 종 결정(SC)이 부착된다. 인상 케이블(25)은, 제어부(3)에 의한 인상 구동부의 제어에 의해, 소정의 속도로 승강함과 함께, 당해 인상 케이블(25)의 축을 중심으로 하여 회전한다.

열 차폐체(26)는, 히터(23)로부터 상방을 향하여 방사되는 복사열을 차단한다.

제어부(3)는, 메모리(31)에 기억된 제어 프로그램과, 작업자의 설정 입력 등에 기초하여, 챔버(21) 내의 가스 유량이나 로 내압, 히터(23)에 의한 챔버(21) 내의 가열 온도, 도가니(22)나 실리콘 단결정(SM)의 회전수, 종 결정(SC)의 승강 타이밍 등을 제어하여, 실리콘 단결정(SM)을 제조한다.

〔실리콘 단결정의 제조 방법〕

다음으로, 실리콘 단결정(SM)의 제조 방법에 대해서 설명한다.

도 2는, 본 실시 형태에 있어서의 실리콘 단결정(SM)의 제조 방법의 설명도로서, 세로축은 히터(23)에 공급하는 전력을 나타내고, 가로축은 히터(23)의 소비 전력량을 나타낸다.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 숄더부는, 종 결정(SC)에 연속하고 직경이 서서히 증가하는 영역이고, 직동부는, 숄더부에 연속하고 직경이 거의 균일한 영역이고, 테일부는, 직동부의 하단에 연속하고 직경이 서서히 저하되어 제로가 되는 영역이다.

우선, 단결정 인상 장치(1)의 제어부(3)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 히터(23)의 소비 전력량이 0인 상태에서 히터(23)로의 전력의 공급을 개시하고, 소비 전력량이 Wa(kWh)(Wa＜10000)에 도달할 때까지, 폴리실리콘 소재(material) 및 도펀트가 수용된 도가니(22)를 가열함으로써 이들을 융해시켜, 도펀트 첨가 융액(MD)을 생성한다(융해 공정). 이 융해 공정 중, 제어부(3)는, 가스 도입구(21A)로부터 챔버(21) 내에 Ar 가스를 소정의 유량으로 도입함과 함께, 챔버(21) 내를 감압하여, 챔버(21) 내를 감압하의 불활성 분위기로 유지한다.

그 후, 소비 전력량이 Wa에 도달하면, 제어부(3)는, 히터(23)에 공급하는 전력을 줄여, 인상 케이블(25)을 하강시킴으로써 종 결정(SC)을 도펀트 첨가 융액(MD)에 접촉시킨다(딥 공정).

그리고, 제어부(3)는, 도가니(22) 및 인상 케이블(25)을 소정의 방향으로 회전시키면서, 인상 케이블(25)을 인상함으로써, 실리콘 단결정(SM)의 일부를 육성한다(가육성 공정). 또한, 이 가육성 공정에 있어서, 실리콘 단결정(SM)의 숄더부의 일부 또는 전체를 육성해도 좋고, 숄더부 전체에 더하여 직동부의 일부 또는 전체를 육성해도 좋다.

다음으로, 가육성 공정이 종료되고, 소비 전력량이 Wb(kWh)(Wb＜10000)에 도달하면, 제어부(3)는, 히터(23)에 공급하는 전력을 융해 공정과 거의 동일한 양까지 늘려, 인상 케이블(25)을 하강시킴으로써, 가육성 공정에서 육성한 실리콘 단결정(SM)을 도펀트 첨가 융액(MD)에 녹인다(멜팅백 공정).

그리고, 멜팅백 공정이 종료되고, 소비 전력량이 Wc(kWh)(Wc＜10000)에 도달하면, 제어부(3)는, 히터(23)에 공급하는 전력을 가육성 공정과 거의 동일한 양까지 줄이고 나서, 가육성 공정과 동일한 제어를 행하여, 실리콘 단결정(SM) 전체를 육성한다(인상 공정).

이 인상 공정 중, 숄더부 형성 공정은, 소비 전력량이 Wd(kWh)(10000＜Wd＜12000)에 도달할 때까지 행해지고, 그 후, 직동부 형성 공정 및 테일부 형성 공정은, Wf(kWh)(10000＜Wf)에 도달할 때까지 행해진다. 즉, 인상 공정은, 히터(23)의 소비 전력량이 10000kwh 이상 12000kwh 이하인 상태에서 실리콘 단결정(SM)의 직동부의 형성을 개시하고, 실리콘 단결정(SM) 전체를 육성한다.

이상의 공정에 의해, 직동부에 있어서의 유전위화의 발생이 저감된 실리콘 단결정(SM)이 제조된다.

[실시 형태의 작용 효과]

상기 실시 형태에서는, 특허문헌 1의 장치와 같이 열 복사체를 형성하는 일 없이, 히터(23)의 소비 전력량이 10000kwh 이상이 되었을 때에, 직동부의 형성을 개시할 뿐인 간단한 방법으로, 유전위화의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 상기 제조 방법을 MCZ법에도 적용할 수 있는 점에서, 범용성이 있는 실리콘 단결정(SM)의 제조 방법을 제공할 수 있다.

특히, 히터(23)의 소비 전력량이 12000kwh 이하인 상태에서 직동부의 형성을 개시함으로써, 실리콘 단결정(SM)의 제조 시간이 길어져 생산성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

[다른 실시 형태]

또한, 본 발명은 상기 실시 형태에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 여러 가지의 개량 그리고 설계의 변경 등이 가능하고, 그 외, 본 발명의 실시시의 구체적인 순서 및, 구조 등은 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서 다른 구조 등으로 해도 좋다.

예를 들면, 도 3에 나타내는 바와 같은 실리콘 단결정(SM)의 제조 방법을 이용해도 좋다.

이 제조 방법에 있어서, 제어부(3)는, 히터(23)의 소비 전력량이 0에서 Wa에 도달할 때까지, 상기 실시 형태와 동일한 융해 공정을 행하고, 그 후, 전력 공급량을 바꾸지 않고 소비 전력량이 Wg(kWh)(Wg＜10000)에 도달할 때까지, 도펀트 첨가 융액(MD)을 융해시킨 채로 방치한다(방치 공정).

다음으로, 제어부(3)는, 히터(23)에 공급하는 전력을 줄이고, 상기 실시 형태와 동일한 딥 공정을 행한 후, 가육성 공정 및 멜팅백 공정을 행하지 않고, 실리콘 단결정(SM) 전체를 육성한다(인상 공정).

이 인상 공정 중, 숄더부 형성 공정은, 소비 전력량이 Wh(kWh)(10000＜Wh＜12000)에 도달할 때까지 행해지고, 그 후, 직동부 형성 공정 및 테일부 형성 공정은, Wi(kWh)(10000＜Wi)에 도달할 때까지 행해진다.

이러한 제조 방법에 있어서도, 인상 공정은, 히터(23)의 소비 전력량이 10000kwh 이상 12000kwh 이하인 상태로 실리콘 단결정(SM)의 직동부의 형성을 개시하고, 실리콘 단결정(SM) 전체를 육성하게 되기 때문에, 직동부에 있어서의 유전위화의 발생이 저감되는데다가, 생산성이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

도 2에 나타내는 실리콘 단결정의 제조 방법에 있어서, 가육성 공정과 멜팅백 공정을 각각 2회 이상 행해도 좋다.

도 3에 나타내는 실리콘 단결정의 제조 방법에 있어서, 소비 전력량이 10000kwh 이상이 될 때까지 방치 공정을 행해도 좋다.

도 3에 나타내는 실리콘 단결정의 제조 방법에 있어서, 딥 공정 후에 가육성 공정과 멜팅백 공정을 각각 1회 이상 행해도 좋다.

도 3에 나타내는 실리콘 단결정의 제조 방법에 있어서, 방치 공정 대신에 멜팅백 시뮬레이션 공정을 행해도 좋다. 멜팅백 시뮬레이션 공정이란, 히터(23)에 공급하는 전력을, 도 2에 나타내는 소비 전력량이 Wa(kWh)에서 Wc(kWh)에 도달할 때까지 같이 제어하면서, 종 결정(SC)을 도펀트 첨가 융액(MD)에 접촉시키지 않은 채 방치하는 공정을 의미한다.

도 2, 3에 나타내는 실리콘 단결정의 제조 방법에 있어서, 히터(23)의 소비 전력량이 12000kwh를 초과하고 나서 실리콘 단결정(SM)의 직동부의 형성을 개시해도 좋다.

석영 도가니(221), 흑연 도가니(222)의 스펙은, 본 발명의 효과를 가져오는 범위이면, 전술한 스펙 이외라도 좋다.

본 발명의 실리콘 단결정의 제조 방법을, 자장을 인가하는 MCZ법에 적용해도 좋다. 이 경우, 도 1에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 챔버(21)의 외측에 있어서 도가니(22)를 사이에 끼우고 대향하도록 한 쌍의 전자 코일(28)을 배치하고, 수평 방향의 횡자장으로 실리콘 융액(M)의 자연 대류를 억제하면 좋다.

실시예

다음으로, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.

이하에 나타내는 비교예 및 실시예 1, 2의 실리콘 단결정의 제조 방법에 기초하여, 실리콘 단결정을 제조하고, 직동부 형성 개시시에 있어서의 히터(23)의 소비 전력량과, 유전위화의 발생 상황의 관계를 조사했다. 비교예 및 실시예 1, 2에서는, 도 1에 나타내는 단결정 인상 장치(1)를 이용하여, 직경이 300㎜, 직동부의 산소 농도가 13.0×10¹⁷atoms/㎤ 이상인 p＋실리콘 단결정을 제조했다.

우선, 비교예의 실리콘 단결정의 제조 방법에 대해서 설명한다.

비교예의 제조 방법에서는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 히터(23)의 소비 전력량이 0에서 Wa에 도달할 때까지, 상기 실시 형태와 동일한 융해 공정을 행한다. 그 후, 바로 히터(23)에 공급하는 전력을 줄여, 상기 실시 형태와 동일한 딥 공정을 행하고, 가육성 공정 및 멜팅백 공정을 행하지 않고, 실리콘 단결정 전체를 육성한다(인상 공정).

이 인상 공정 중, 숄더부 형성 공정은, 소비 전력량이 Wj(kWh)(Wj＜10000)에 도달할 때까지 행해지고, 그 후, 직동부 형성 공정 및 테일부 형성 공정은, Wk(kWh)(10000＜Wk)에 도달할 때까지 행해진다.

즉, 비교예에서는, 히터(23)의 소비 전력량이 10000kwh 미만인 상태로 직동부의 형성이 개시된다.

그리고, 비교예의 제조 방법을 이용하여, 직동부에 유전위화가 발생했는지 아닌지를 관찰하면서 복수의 실리콘 단결정을 제조했다. 유전위화의 발생 상황을 이하의 표 1에 나타낸다. 또한, 유전위화가 발생한 시점에 있어서의 히터(23)의 소비 전력량의 도수 분포를 도 5에 나타낸다.

또한, 표 1의 「ALL DF율」은, 모든 실리콘 단결정 중, 직동부에 유전위화가 발생하지 않은 실리콘 단결정의 비율을 나타내고, 이하의 식 (1)에 기초하여 산출된다.

AD(％)＝B1/B2×100 … (1)

AD: ALL DF율

B1: 직동부에 유전위화가 발생하지 않은 실리콘 단결정의 총수

B2: 제조한 실리콘 단결정의 총수

표 1에 나타내는 바와 같이, 비교예에서는, ALL DF율이 0％이고, 모든 실리콘 단결정의 직동부에서 유전위화가 발생한 것을 확인할 수 있었다.

또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 소비 전력량이 7000kWh 이상 10000kWh 미만인 범위에 있어서, 직동부에 유전위화가 집중적으로 발생하고 있는 것을 확인할 수 있었다.

본 발명자는, 전술의 범위에 있어서 유전위화가 집중적으로 발생하는 이유를, 이하와 같이 추정했다.

산소 농도가 높은 실리콘 단결정을 제조하기 위한 하나의 방법으로서, 석영 도가니(221)로부터 실리콘 융액(도펀트 첨가 융액)으로의 산소의 용입(incorporation)을 촉진하는 것을 들 수 있다. 이 용입을 촉진하는 방법에서는, 석영 도가니(221) 내면의 반응이 촉진되어, 그 내면의 상태가 어모퍼스로부터 브라운 링, 재결정화로 변화되어 간다. 석영 도가니(221) 내면에는 복수의 조직이 존재하기 때문에, 이 변화의 과정에 있어서의 조직 사이에서의 열 팽창차로부터, 내면의 석영편이 박리되어 간다. 이 석영편이 실리콘 단결정에 취입되면 국소적인 응력이 발생하여, 유전위화하기 쉬워진다고 생각된다.

한편, 석영 도가니(221)의 반응은, 산소 농도, 가열 온도 및 가열 시간과 상관이 있고, 석영 도가니(221)의 가열 온도 및 가열 시간은, 히터(23)(가열부)의 소비 전력량과 상관이 있다.

이상의 점에서, 히터(23)의 소비 전력량이 7000kWh 이상 10000kWh 미만인 범위에 있어서, 석영 도가니(221)의 반응에 의한 석영편의 박리가 발생하기 쉽고, 이 석영편이 직동부에 취입됨으로써 유전위화가 집중적으로 발생한다고 추정했다.

그래서, 본 발명자는, 히터(23)의 소비 전력량이 10000kWh 이상이 되고 나서 직동부의 형성을 개시하면, 직동부 형성 개시 전에 석영편이 박리되고, 개시 후에 석영편의 박리가 억제되기 때문에, 직동부에 석영편이 취입될 확률이 낮아져, 유전위화의 발생을 저감할 수 있다는 가설을 세웠다. 이 가설을 검증하기 위해, 이하의 실시예 1, 2의 실험을 행했다.

실시예 1로서 도 2에 나타내는 실시 형태의 제조 방법을 이용하고, 실시예 2로서 도 3에 나타내는 변형예의 제조 방법을 이용하여, 비교예와 동일하게 직동부에 유전위화가 발생했는지 아닌지를 관찰하면서 실리콘 단결정을 제조했다.

상기 표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1, 실시예 2의 ALL DF율은, 70％, 100％이고, 비교예보다도 유전위화의 발생을 저감할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 실시예 1에 있어서 유전위화가 발생했을 때의 소비 전력량은, 약 17000kWh, 약 19000kWh, 약 20000kWh였다.

이상의 점에서, 전술의 가설이 올바르고, 히터(23)의 소비 전력량이 10000kWh 이상이 되고 나서 직동부의 형성을 개시함으로써, 직동부에 있어서의 유전위화의 발생을 저감할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.

23 : 히터(가열부)
221 : 석영 도가니
M : 실리콘 융액
SC : 종 결정
SM : 실리콘 단결정

Claims (3)

1. 실리콘이 수용된 석영 도가니를 가열부에서 가열함으로써, 상기 실리콘을 융해하는 융해 공정과,
   종(seed) 결정을 상기 석영 도가니 내의 실리콘 융액에 접촉시키는 딥 공정과,
   상기 종 결정을 인상함으로써, 실리콘 단결정을 육성하는 인상 공정을 구비하고,
   상기 인상 공정은, 상기 가열부의 소비 전력량이 10000kwh 이상이 되고 나서 상기 실리콘 단결정의 직동부(straight body)의 형성을 개시하고, 상기 실리콘 단결정 전체를 육성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 딥 공정과 상기 인상 공정의 사이에 행해지는 가육성(temporarily-growing) 공정과 멜팅백(melting-back) 공정을 구비하고,
   상기 가육성 공정은, 상기 실리콘 융액에 접촉하고 있는 상기 종 결정을 인상함으로써, 실리콘 단결정의 일부를 육성하고,
   상기 멜팅백 공정은, 상기 가육성 공정에서 육성한 실리콘 단결정을 상기 실리콘 융액에 녹이는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서,
   상기 융해 공정과 상기 딥 공정의 사이에 행해지는 방치 공정을 구비하고,
   상기 방치 공정은, 상기 융해 공정 시에 있어서의 상기 가열부로의 전력 공급량을 바꾸는 일 없이, 상기 실리콘 융액을 방치하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조 방법.

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