JP5577726B2 - シリコン原料の溶解方法および供給装置 - Google Patents
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Description
また、本発明は、上記したシリコン原料の短時間溶解を実施するのに好適なシリコン原料の供給装置に関するものである。
すなわち、「追加チャージ」では、ルツボ内に初期チャージされた固体原料を溶解した後、形成された原料融液に固形原料をさらに追加投入することによって、ルツボ内の原料融液量を増加させる技術である。この「追加チャージ」を適用することによって、使用するルツボの容積を有効に活用することができ、シリコン単結晶育成における生産性を向上させることができる。
450mm結晶の場合、300mm結晶に比べると、直径が1.5倍となるので、溶解される原料融液量も格段に増大し、単純計算で3.38倍となる。そのため、原料を溶解する時間も300 mm結晶の場合に比較して大幅に長くなる。
これは粒状シリコンを用いたものであるが、粒状シリコンは水素が侵入し易い等の製法上の問題があるだけでなく、表面積が大きいために結晶品質が悪く、さらに単結晶が有転位し易いという問題があった。
しかも、特許文献1の技術は、CZ引上げ装置の外部に加熱装置を設ける構造であるため、大規模な構造となり装置投資額が大きくなるという設備的なデメリットもある。
粒状シリコンのかような問題を解決するためには、原料として塊状の原料を用い、ルツボを囲繞するヒータのパワーを増大させて溶解速度を向上させることが考えられるが、ヒータのパワーを増大させた場合には石英ルツボの劣化を余儀なくされ、その結果、単結晶の引き上げ中に転位が発生し易くなるという問題があった。
また、別途、外部で固体原料を溶解し、この原料融液を使用することも考えられるが、融液は反応性に富んでいるため、その取り扱いが極めて難しいという問題があった。
1.チョクラルスキー法により直径が300mm以上のシリコン単結晶を育成するに先立ち、石英ルツボ内に、シリコン原料を複数回にわたってチャージして所定量の原料融液を確保するに際し、
原料供給管として、下端外周部にシリコン原料を排出するための排出口を有する内筒と、上記内筒の外周を覆う外筒との円筒二重管構造になる原料供給管を用いるものとし、
上記シリコン原料として塊状原料を用いること、
上記石英ルツボ内に投入したチャージ原料が溶解するまでの間に、上記原料供給管の少なくとも下部については、原料融液の輻射熱による加熱に加え、該下部周囲に配設された抵抗加熱方式または高周波加熱方式の加熱装置により積極的に加熱して、次回のチャージ原料の供給時における温度を500℃以上とすること、
を特徴とするシリコン原料の溶解方法。
上記塊状のシリコン原料を収容し、下端外周部にシリコン原料を排出するための排出口を有する内筒と、上記内筒の外周を覆う外筒との円筒二重管構造になる原料供給管と、上記内筒および上記外筒をそれぞれ独立して昇降移動可能な上記原料供給管の昇降装置とをそなえ、
上記原料供給管の少なくとも下部の周囲に、上記シリコン原料の加熱用の抵抗加熱方式または高周波加熱方式の加熱装置を配設した
ことを特徴とするシリコン原料の供給装置。
図1に、本発明に従うシリコン原料の供給装置をそなえるCZ炉を断面で示す。
図中、符号1はルツボであり、このルツボ1は石英ルツボ1aおよびカーボンルツボ1bから構成されている。2はルツボ1を囲繞するヒータ、3はペディスタル(支持軸)、4は炉内ホットゾーン(HZ)下部断熱材、5は保温筒、6はチャンバーであり、7が溶解したシリコンからなる原料融液である。また、8は原料供給管であり、この原料供給管8は内筒8a,外筒8bの円筒二重管で構成され、それぞれの昇降を司るワイヤ9a,9bで吊下されている。10は原料供給管8内に充填された塊状のシリコン原料(以下、単に塊状原料ともいう)、10′は原料融液7内に追加投入された塊状原料である、
そして、11が原料供給管8の下部周囲に配設された塊状原料(シリコン原料)10を加熱するための加熱装置であり、この加熱装置11は電極フランジ12を通じて加熱電源制御装置13と接続されている。14は、加熱装置11から石英ルツボ1aへの熱を遮断するAr整流筒であり、このAr整流筒14はカーボン外筒14aと断熱材14bからなっている。
そこで、本発明では、この原料供給管8を、その底面がルツボ1内の原料融液7の直上(好ましくは50〜300mm上方)に位置するように保持しておく。これにより、原料供給管8内の塊状原料10を、原料融液7の輻射熱により効果的に予熱することができる。
そして、本発明では、さらに原料供給管8の少なくとも下部については、その周囲に配設した加熱装置11により積極的に加熱して、内部の塊状原料10の温度を一層上昇させる。
このように、原料供給管8の内部に収容した塊状原料10が、融液7に投入されるまでの間に、加熱装置11による加熱あるいは、融液7による予熱と加熱装置11による加熱の両者を付加して原料温度の上昇を図ることにより、追加チャージをルツボ1内に投入した後の原料溶解時間を大幅に短縮することができる。
ここに、加熱装置として抵抗加熱方式を利用する場合、電力投入量は坩堝内融液を加熱するメインヒーターの電力の5〜50%程度とすることが好ましい。
一方、加熱装置として高周波加熱方式を利用する場合、周波数があまりに大きいと、塊状原料の表面のみしか加熱されず、かえって加熱効率が低下するので、高周波加熱方式を利用する場合の周波数は20 kHz以下とすることが好ましい。
従って、本発明では、引き上げに先立ち予め溶解しておくべき原料融液の量が多いほど、その効果を発揮することができる。すなわち、融液量が400 kg以上の場合にとりわけ有利に適合する。さらに、シリコン単結晶の直径が400mm以上になると、準備しておくべき融液の量は800kg以上になるが、本発明は、このような場合に最適である。
また、本発明では、原料供給管内の塊状原料を、融液による予熱と加熱装置による加熱で効果的に昇温することができ、ルツボ周りのヒータのパワーを増大させる必要がないので、石英ルツボの劣化を招くおそれもない。
さらに、抵抗加熱ヒーターのように、ヒーター単体で発熱できる加熱装置の場合、坩堝内の未溶解原料を上方から加熱して、溶解時間をさらに短縮するという効果もある。
図1に示す構造になるCZ炉において、総原料溶解量:350 kgのシリコン原料の溶解を行った。
溶解条件は次のとおりである。
・使用炉:300 mmφ結晶製造用炉
・ルツボ初期チャージ量:200 kg
・追加チャージ量:50kg/回×3回(計150kg追加)
・ルツボサイズ:約76mmφ(30インチ)
・原料供給管(石英管)
内筒 内径:250mmφ、厚み:8mm、高さ:1300mm(底部のテーパ角度:2°)
外筒 内径:270mmφ、厚み:8mm、高さ:1200mm
・加熱ヒータ:350mmφ、高さ:450mm(抵抗加熱式で40kwで加熱)
・使用原料:10〜50mmサイズの塊状シリコン原料(形状は不定形)
また、比較のため、本発明に従う予熱・加熱処理を施さずに、従来法に従い、ルツボ周りのヒータ(160kw)のみの加熱で塊状原料の溶解を行った場合の合計所要時間は20時間であった。
従って、本発明に従えば、従来法に比べて、5時間の溶解時間の短縮効果があることが分かる。
総原料溶解量を500 kg、ルツボサイズを約81mmφ(32インチ)とし、追加チャージ量を50kg/回×6回(計300kg追加)とする以外は、実施例1と同様にして、ルツボ内で塊状原料の溶解を行った。
その結果、従来法に従って溶解した場合の合計所要時間は30時間であったのに対し、本発明に従って溶解した場合の合計所要時間は20時間であり、従来法に比べて溶解時間を10時間も短縮することができた。
1a 石英ルツボ
1b カーボンルツボ
2 ヒータ
3 ペディスタル(支持軸)
4 炉内ホットゾーン(HZ)下部断熱材
5 保温筒
6 チャンバー
7 原料融液
8 原料供給管
8a 内筒
8b 外筒
9a ワイヤ
9b ワイヤ
10 塊状原料
10′ 原料融液内に追加投入された塊状原料
11 加熱装置
12 電極フランジ
13 加熱電源制御装置
13 Ar整流筒
14a カーボン外筒
14b 断熱材
Claims (5)
- チョクラルスキー法により直径が300mm以上のシリコン単結晶を育成するに先立ち、石英ルツボ内に、シリコン原料を複数回にわたってチャージして所定量の原料融液を確保するに際し、
原料供給管として、下端外周部にシリコン原料を排出するための排出口を有する内筒と、上記内筒の外周を覆う外筒との円筒二重管構造になる原料供給管を用いるものとし、
上記シリコン原料として塊状原料を用いること、
上記石英ルツボ内に投入したチャージ原料が溶解するまでの間に、上記原料供給管の少なくとも下部については、原料融液の輻射熱による加熱に加え、該下部周囲に配設された抵抗加熱方式または高周波加熱方式の加熱装置により積極的に加熱して、次回のチャージ原料の供給時における温度を500℃以上とすること、
を特徴とするシリコン原料の溶解方法。 - 前記塊状原料が、直径が10〜50mmの不定形原料からなることを特徴とする請求項1に記載のシリコン原料の溶解方法。
- 前記所定量の原料融液量が400kg以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン原料の溶解方法。
- 前記シリコン単結晶の直径が400mm以上であることを特徴とした請求項1乃至3のいずれかに記載のシリコン原料の溶解方法。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載のシリコン原料の溶解方法に用いられ、ルツボ内の原料融液に、塊状のシリコン原料を追加チャージする原料供給装置であって、
上記塊状のシリコン原料を収容し、下端外周部にシリコン原料を排出するための排出口を有する内筒と、上記内筒の外周を覆う外筒との円筒二重管構造になる原料供給管と、上記内筒および上記外筒をそれぞれ独立して昇降移動可能な上記原料供給管の昇降装置とをそなえ、
上記原料供給管の少なくとも下部の周囲に、上記シリコン原料の加熱用の抵抗加熱方式または高周波加熱方式の加熱装置を配設した
ことを特徴とするシリコン原料の供給装置。
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