KR102052326B1 - 다이 및 클립 부착 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 17
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 235000012773 waffles Nutrition 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
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- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
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- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
다이 및 클립 부착의 방법은 클립, 다이 및 기판을 제공하는 단계, 클립 및 다이 상에 소결성 은 필름을 적층하는 단계, 기판 상에 점착제를 증착하는 단계, 기판 상에 다이를 배치하는 단계, 기판, 다이 및 클립 패키지를 생성하도록 다이 및 기판 상에 클립을 배치하는 단계, 및 기판, 다이 및 클립 패키지를 소결하는 단계를 포함한다.
Description
관련 출원
본 출원은 모든 목적을 위해 그 전체가 본원에 참조에 의해 본 명세서에 통합되는 "다이 및 클립 부착 방법"이라는 명칭으로 2014년 12월 17일자로 출원된 미국 특허 가출원 제62/093,004호에 관한 것이고 이에 대해 우선권을 주장한다.
본 발명은 일반적으로 기판 또는 리드 프레임에 전자 구성요소들의 부착 방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로 이러한 방법을 수행하는데 사용되는 소결 재료를 통합하는 방법에 관한 것이다.
소결 은 다이 부착 필름들은 나노 은 분말의 고유한 물리적 성질과 혁신적인 화학 제제를, 극히 신뢰 가능한 높은 열 전도성 및 전기 전도성 인터페이스를 생산하도록 다양한 전자 디바이스의 접합을 가능하게 하는 혁신적인 제품에 결합한다. 소결 은 다이 부착 필름들이 대량 생산을 가능하게 하기 위하여 기존의 제조 장비 및 공정에 맞춰지도록 고유하게 위치되는 공정에 대하여, 모든 목적을 위하여 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 통합되는 미국 특허 출원 공개 제2012/0114927 A1호를 참조할 수 있다. 이러한 기술은 전기 및 자동차 장비를 위한 대면적 사이리스터(large area thyristor)들 및 전원 모듈로부터 모바일 기술 및 LED 조명을 위한 소형 별개의 부품에 이르기까지 다양한 디바이스들 및 적용을 포괄한다. 상기 기술은 전통적인 접합 기술과 비교하여 전력 또는 광 출력 또는 신뢰성을 증가시키는 것에 의해 기존 디바이스들의 성능을 개선한다. 소결 필름은 기존 기술로는 달성할 수 없는 전기 효율을 생산하는 신규의 고온 SiC 및 GaN 반도체들과 신규의 디바이스 설계의 사용을 가능하게 한다.
은 다이 부착 페이스트 및 필름들은 전자 디바이스를 패시브 기판(passive substrate) 또는 다른 디바이스에 부착하는 접합 재료들이다. 은 필름은 개별 다이, 다이의 배면측, 또는 웨이퍼에 도포되거나 또는 적층될 수 있기 때문에 고유하다. 한 실시예에서, 다이는 필름을 조밀화하고 재료와 접속 부품 사이의 밀접한 접속을 확립하는데 충분한 힘으로 예열된 기판 상에 배치된다. 적용된 열과 압력 하에서, 필름은 소결되고 다이를 기판에 접속한다. 다이와 기판 사이의 결과적인 접합은 도 1을 참조하여 도시된 구조 및 성질을 갖는 금속성 은이다.
많은 반도체 패키지에서, 디바이스들의 전기 접속은 다이의 상부로의 클립 본딩을 통해 제공된다. 이러한 배열은 와이어 본딩에 비교하여 패키지의 낮은 전기 저항 및 향상된 성능을 보장한다. 클립 본딩은 구리 클립을 한쪽 또는 양쪽의 본드 패드와 그 대응하는 리드에 납땜하는 것에 의해 행해진다. 공정은 전형적으로 고연(high lead) 땜납 물질을 사용하며, 납땜 리플로우 공정(solder reflow process)의 용융 단계 동안 양호한 납땜 공정, 특히 다이 및 클립의 위치 선정의 제어를 요구한다.
소결성 은 필름들을 사용하는 다이 및 클립 부착을 위한 공정은 개별 패키지의 대량 생산에 적합하다. 공정은 소결 전에 리드 프레임 상에 다이 및 클립을 위치시키도록 분배 가능한 점착제(tack agent) 기술을 이용한다. 클립들은 리드 프레임에 접속된 매트릭스에서도 또한 사용될 수 있다. 다음 소결 단계는 시중에서 구할 수 있는 모든 소결 프레스에서 행해질 수 있다.
본 발명의 하나의 양태에서, 다이 및 클립 부착 방법에 관한 것으로서, 클립, 다이 및 기판을 제공하는 단계; 소결성 은 필름을 클립과 다이에 적층하는 단계; 상기 기판 상에 점착제를 증착하는 단계; 상기 다이를 상기 기판 상에 배치하는 단계; 기판, 다이 및 클립 패키지를 생성하도록 상기 다이 및 상기 기판 상에 상기 클립을 배치하는 단계; 및 기판, 다이 및 클립 패키지를 소결하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예는 또한 30초 동안 인가된 2 내지 3 ㎫ 이상의 압력 및 130 ℃의 온도의 인가에 의한 소결성 은 필름을 적층하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 다이는 개별적으로 또는 전체 웨이퍼로서 적층될 수 있고, 그 후에 다이싱이 행하여진다. 클립은 개별적으로 또는 구리판의 형태로 적층될 수 있고, 그 후에 다이싱 또는 스탬핑이 행하여진다. 소결성 은 필름의 적층은 지정된 압력 및 온도를 제공할 수 있는 적층 프레스 또는 다이 본딩 기계에서 행해질 수 있다. 적층된 다이는 와플 팩(waffle pack) 또는 다이싱 테이프에 수집 및 보관될 수 있다. 적층된 클립은 테이프, 릴 또는 와플 팩에 수집 및 보관될 수 있다. 점착제는 구성요소들이 소결 프레스로 움직이기 전에 패키지의 구성요소들을 배치하고 적소에서 유지하도록 상기 기판 상에 분배될 수 있다. 점착제는 기판에 대한 다이 및 클립의 임시 부착을 제공한다. 점착제는 소결 공정과 간섭없이 기판, 다이 및 클립 패키지의 소결 동안 증발한다. 다이는 다이 본더(die bonder)로 기판 상에 배치될 수 있고, 점착제로 적소에서 고정될 수 있다. 클립은 픽 앤드 플레이스 기계 또는 에폭시 다이 본더로 기판 상에 배치될 수 있고, 점착제로 적소에서 고정될 수 있다. 기판, 다이 및 클립 패키지를 소결하는 것은 압력 공구 및 가열 압반을 가지는 소결 프레스를 포함할 수 있다. 소결은 60초 동안 10 ㎫의 압력 및 250 ℃의 온도의 인가를 포함할 수 있다. 클립은 기판에 접속된 매트릭스의 형태로 소결성 은 필름으로 적층될 수 있다. 클립들 사이의 공간은 기판 상에 위치된 다이들에 정합될 수 있다. 납땜 접합(solder joint)은 본 명세서에 설명된 방법으로 생성될 수 있다. 클립은 기판의 다이 및 풋 패드(foot pad)로의 압력의 균일한 전달을 가능하게 할 수 있다.
적어도 하나의 실시예의 다양한 양태는 축척으로 도시되도록 의도되지 않은 첨부 도면을 참조하여 이하에서 논의된다. 도면, 상세한 설명 또는 임의의 청구항의 기술적 특징이 도면 부호가 따르는 경우에, 도면 부호는 도면, 상세 설명 및 청구항의 명료성을 증가시킬 목적으로 포함되었다. 따라서, 도면 부호들 또는 도면들의 부재는 임의의 청구항의 범위에 대해 어떠한 제한적인 영향을 갖지 않는다. 도면들에서, 다양한 도면들에 예시된 각각의 동일하거나 거의 동일한 구성요소는 동일한 부호로 표시된다. 명확성의 목적을 위하여, 모든 구성요소가 모든 도면에 표시되는 것은 아니다. 도면은 예시 및 설명의 목적을 위해 제공되며, 본 발명의 범위를 한정하도록 의도되지 않는다:
도 1은 다이와 금속성 은인 기판 사이의 결과적인 접합의 사진;
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예의 다이 및 클립 부착의 공정을 도시하는 개략도;
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예의 클립 디자인의 개략 단면도;
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예의 클립 디자인을 도시한 도면;
도 5는 본 발명의 실시예의 다이 및 클립 부착을 가지는 패키지의 개략 사시도;
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시예의 리드 프레임, 클립 및 다이를 도시한 도면;
도 7a 및 도 7b는 다이 및 클립을 적소에서 유지하도록 리드 프레임 상에 분배된 점착제를 도시한 도면;
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 실시예의 완성된 다이 및 클립 부착 조립체의 사진;
도 9a 내지 도 9h는 CSAM에 의한 접합 분석의 사진;
도 10a 및 도 10b는 SEM에 의한 접합 분석의 사진;
도 11a 내지 도 11e는 완성된 다이 및 클립 부착 조립체의 접합 분석의 사진;
도 12a는 적층 전에 클립을 가지는 리드 프레임의 도면;
도 12b는 적층 전의 클립의 도면;
도 13a는 적층 후의 클립을 가지는 리드 프레임의 도면; 및
도 13b는 적층 후의 클립의 도면.
도 1은 다이와 금속성 은인 기판 사이의 결과적인 접합의 사진;
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예의 다이 및 클립 부착의 공정을 도시하는 개략도;
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예의 클립 디자인의 개략 단면도;
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예의 클립 디자인을 도시한 도면;
도 5는 본 발명의 실시예의 다이 및 클립 부착을 가지는 패키지의 개략 사시도;
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시예의 리드 프레임, 클립 및 다이를 도시한 도면;
도 7a 및 도 7b는 다이 및 클립을 적소에서 유지하도록 리드 프레임 상에 분배된 점착제를 도시한 도면;
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 실시예의 완성된 다이 및 클립 부착 조립체의 사진;
도 9a 내지 도 9h는 CSAM에 의한 접합 분석의 사진;
도 10a 및 도 10b는 SEM에 의한 접합 분석의 사진;
도 11a 내지 도 11e는 완성된 다이 및 클립 부착 조립체의 접합 분석의 사진;
도 12a는 적층 전에 클립을 가지는 리드 프레임의 도면;
도 12b는 적층 전의 클립의 도면;
도 13a는 적층 후의 클립을 가지는 리드 프레임의 도면; 및
도 13b는 적층 후의 클립의 도면.
소결 기술은 소결이 무공극(void-free), 높은 전기 및 열 전도성 본드를 제공하고 독성의 납 함유 납땜의 사용을 제거하기 때문에 클립 납땜에 대한 우수한 대안이다. 본 발명은 소결 공정을 통해 클립 부착 전력 패키지의 대량 생산에 독특하게 적합한 공정을 설명한다. 본 발명의 실시예의 공정은 구성요소들의 정확한 위치 선정 및 확실한 접속을 보장하도록 소결성 은 필름들 및 특수 점착제의 능력을 이용한다. 예비 도포된 소결성 은 필름을 사용하여 단일의 단계에서 다이 및 클립 부착의 공정은 본 명세서에 개시된다. 은 필름의 조성 및 사용은 미국 특허 출원 공개 제2012/0114927 A1호에 기재되어 있다. 공정은 다이(10) 및 클립(12)을 도시하는 도 2a 내지 도 2f를 참고로 개략적으로 설명된다.
특정 실시예에서, 공정(도 2a)에 사용된 재료들은 다이, 클립 및 기판, 예를 들어 리드 프레임을 포함할 수 있다. 제1 단계(도 2b)에서, 패키지의 2개의 구성요소, 즉 다이(10) 및 클립(12)은 미국 특허 출원 공개 제2012/0114927A1호에 기재된 방법에 따라서 소결성 은 필름(14)이 적층된다. 특정 실시예들에서, 적층 압력은 1초 미만 내지 90초 동안 100-200 ℃의 온도에서 0.5 내지 20 ㎫에서 변경될 수 있다. 특정 실시예에서, 적층 파라미터들은 30초 동안 인가된 2 내지 3 ㎫ 이상의 압력 및 130 ℃의 온도를 포함할 수 있다. 다이들은 개별적으로 또는 전체 웨이퍼로서 적층될 수 있고, 그 후에 다이싱이 행하여진다. 유사하게, 클립들은 개별적으로 또는 구리판의 형태로 적층될 수 있고, 그 후에 다이싱 또는 스탬핑이 행하여진 다. 적층 단계는 특정 압력 및 온도를 제공할 수 있는 적층 프레스 또는 BE Semiconductor Industries N.V.에 의해 제공되는 Datacon™ 2200 evo 멀티 칩 다이 본더 또는 이와 유사한 기계와 같은 다이 본딩 장비에서 행해질 수 있다. 적층된 다이들은 와플 팩 또는 다이싱 테이프에 수집 및 보관된다. 적층된 클립들은 테이프, 릴 또는 와플 팩에 수집 및 보관된다.
재2 단계(도 2c)에서, 점착제(16)는 부품들이 소결 프레스로 움직이기 전에 패키지의 구성요소들을 배치하고 유지하도록 기판(또는 리드 프레임)(18) 상에 분배된다. 점착제(16)의 역할은 다이(10) 및 클립(12)을 리드 프레임(18)으로의 임시 부착을 제공하는 것이다. 소결 공정 동안, 점착제는 소결 공정과 간섭없이 증발한다.
다음 단계(도 2d)에서, 다이(10)는 리드 프레임(18) 상에 배치되고, 점착 제(16)로 인해 적소에서 고정된다. 다이 배치는 BE Semiconductor Industries NV에 의해 제공되는 ESEC™ 2100 다이 본더 또는 이와 유사한 장비로 행해질 수 있다.
제4 단계(도 2e)에서, 클립(12)은 표준 픽 앤 플레이스 장비 또는 ESEC™ 2100과 같은 등가의 에폭시 다이 본더를 사용하여 리드 프레임(18) 상에 배치된다. 클립(12)은 점착제로 인해 적소에서 고정된다. 클립 배치는 Fuji® 픽 앤 플레이스 기계와 같은 픽 앤 플레이스 기계 또는 이와 유사한 장비로 행해질 수 있다.
최종 단계(도 2f)에서, 모든 다이 및 클립으로 채워진 리드 프레임(18)은 소결 프레스(가열 압반(20))로 움직인다. 특정 실시예에서, 소결 압력은 1 내지 180 초 동안 190 내지 300 ℃의 온도에서 3 ㎫ 내지 25 ㎫에서 변경될 수 있다. 한 실시예에서, 부품들은 60 초 동안 10 ㎫의 압력 및 250 ℃의 온도에서 소결된다. 소결 단계는 Boschman Technologies의 Sinterstar™ Innovate-F-XL 프레스 기계 또는 이와 유사한 장비로 행해질 수 있다.
클립의 형상은 다양할 수 있으며, 전기 접속부들을 수용하도록 다이 및 리드 프레임 디자인에 의존한다. 클립 디자인은 또한 소결 공정으로 인하여 열 응력 완화의 이유가 될 수 있다. 클립 디자인의 예는 도 3a, 도 3b 및 도 3c에 있다. 도 3a는 클립(30)을 도시한다. 도 3b는 클립(32)을 도시한다. 도 3c는 클립(34)을 도시한다. 도시된 바와 같이, 클립(30 및 32)들은 각각 리드 프레임을 결합하는 하나의 다리로 구성된다. 클립(34)은 리드 프레임을 결합하는 하나의 다리로 구성된다. 특정 실시예에서, 클립 디자인은 도 4a 및 도 4b에 도시된 디자인을 구현할 수 있다. 도시된 바와 같이, 클립(40)은 다이(42) 및 리드 프레임(44)을 고정하도록 디자인된다. 다이 및/또는 리드 프레임의 크기 및 형상에 의존하여 임의의 수의 클립 디자인이 채택될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
공정 설명
타겟 패키지
도 5는 본 발명의 실시예의 다이 및 클립 부착을 가지는 패키지를 도시한다. 도시된 바와 같이, 패키지는 리드 프레임(54)에 고정되도록 구성된 클립(50) 및 다이(52)를 포함한다.
재료 및 구성요소
도 6a는 예시적인 리드 프레임을 도시하고, 도 6b는 예시적인 클립 디자인들을 도시하고, 도 6c는 본 발명의 실시예의 예시적인 다이들을 도시한다. 은 필름들 및 점착제들도 또한 제공된다.
공정 세부 정보
다이 및 클립들은 Alpha Metals, Inc.로부터의 소결성 은 필름 Argomax® 8020이 적층된다. 점착제는 아래에 도시된 위치들에서 리드 프레임 상에 분배된다. 한 실시예에서, 점착제는 DATA 600 하에 판매되며, Alpha Metals, Inc.의 시판 제품이다.
도 7a 및 도 7b는 다이 및 클립을 적소에 유지하도록 리드 프레임 상에 분배되는 점착제를 도시한다.
다이와 클립들은 리드 프레임 상의 8개의 위치에 배치되고 Bomchman Technologies의 소결 프레스 Sinterstar™에서 소결된다. 패키지의 상부 및 측부로로부터의 광학 시야(optical view)는 다이와 기판 및 클립과 다이 사이의 양호한 소결 접속을 나타내었다.
클립 디자인은 독특하며, 클립의 상부로부터 다이 영역으로 및 클립의 풋 패드로 균일한 압력을 전달하는 것을 허용한다. 역으로, 다이 공구는 독특하고, 클립의 상부 영역에 걸쳐서 균일한 압력을 인가하도록 디자인된다. 이러한 방식으로, 클립, 다이 및 기판 또는 리드 프레임은 하나의 단계로 소결될 수 있다.
또한 동적 인서트(dynamic insert)들로서 지칭되는 다이 공구들은 한번에 각각의 개별 다이, 일군의 다이 또는 모든 다이들에 걸쳐서 균일한 압력을 인가하도록 어레이에서 밀집될 수 있다. 평탄하고 3차원 패키지인 패키지들은 동적 인서트 공구 구성으로 효과적으로 처리될 수 있다. 리드 프레임들 또는 패키지들의 어레이는 프레스 영역인 유일한 제한과 팽행하게 소결될 수 있다.
클립 및 공구 설계는 높은 처리율 및 수율을 가능하게 한다. 그러므로, 높은 신뢰성과 무연 시스템의 이점과 함께, 비용 목표가 달성될 수 있다.
또한, 도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 실시예들의 완성된 다이 및 클립 부착 조립체의 사진이다.
공 초점 스캐닝 음향 현미경(CSAM, Confocal Scanning Acoustic Microscopy)에 의한 접합 분석
스캐닝 음향 현미경 검사는 양쪽 인터페이스, 즉 클립과 다이, 그리고 다이와 기판에서 균일하고 완전한 접속을 나타냈다.
또한, 도 9a 내지 도 9h는 CSAM에 의한 공동 분석의 사진이다.
스캐닝 전자 현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)에 의한 접합 분석
부착된 구성요소들은 단면화되며, 접속은 주사형 전자 현미경을 사용하여 검사되었다. 다이와 클립은 모두 접속된다. 약 15㎛의 균일한 완전 소결 은 본딩이 접속부들 사이에 형성된다.
또한, 도 10a 및 도 10b는 SEM에 의한 접합 분석의 사진이다. 또한, 도 11a 내지 도 11e는 완성된 다이 및 클립 부착 조립체의 접합 분석 사진이다.
리드 프레임 상의 클립 적층 공정
클립들은 상기된 바와 같이 소결성 은 층으로 개별적으로 또는 리드 프레임에 접속된 매트릭스의 형태로 적층될 수 있다. 이러한 경우에, 클립들 사이의 공간은 기판 또는 리드 프레임 상에 위치된 다이에 정합된다. 또한, 도 12a, 도 12b, 도 13a 및 도 13b는 적층 전후의 이러한 디자인의 예를 도시한다. 클립을 다이의 상부측에 부착하도록, 클립은 이전에 부착된 다이와 함께 기판 리드 프레임의 상부에 위치되고 배치될 것이다. 이어지는 소결 단계는 상기된 것과 유사하게 수행된다.
도 12a는 적층 전에 클립들을 갖는 리드 프레임의 도면이다. 도 12b는 적층 전의 클립들의 도면이다. 도 13a는 적층 후의 클립들을 갖는 리드 프레임의 도면이다. 도 13b는 적층 후의 클립들의 도면이다.
대안적으로, 은 도금층을 갖거나 갖지 않는 평탄 구리 호일은 소결성 은 필름이 적층될 수 있다. 다음 단계에서, 구리 호일은 도 13b에 도시된 클립들을 갖는 리드 프레임을 만들도록 정돈되고 스탬핑될 수 있다.
본 명세서에서 논의된 방법 및 장치의 실시예들이 다음의 설명에서 설정되거나 또는 첨부 도면에 도시된 구성의 구성 및 배열의 세부 사항으로 적용에서 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 방법들 및 장치들은 다른 실시예들에서 구현될 수 있고, 다양한 방식으로 실시되거나 수행될 수 있다. 특정 실시의 예는 단지 설명의 예시 목적을 위해 본 명세서에서 제공되며 제한하도록 의도되지 않는다. 특히, 하나 이상의 실시예와 관련하여 논의된 작용, 요소 및 특징부들은 임의의 다른 실시예에서 유사한 역할로부터 배제되도록 의도되지 않는다.
또한, 본 명세서에서 사용된 어구 및 용어는 설명의 목적을 위한 것이며, 제한적인 것으로 간주되어서는 안된다. 단수로 언급된 본 명세서의 시스템 및 방법의 실시예 또는 요소 또는 작용에 대한 임의의 언급은 또한 다수의 이러한 요소를 포함하는 실시예를 포함할 수 있으며, 임의의 실시예 또는 요소 또는 작용에 대한 다수의 임의의 언급은 또한 단일 요소만을 포함하는 실시예들을 또한 포함할 수 있다. 단수 또는 복수 형태의 언급은 현재 개시된 시스템 또는 방법, 구성요소, 행위 또는 요소를 제한하도록 의도되지 않는다. 본 명세서에서 "구비하는", "포함하는", "가지는", "수용하는", "수반하는" 및 그 변형은 이후에 열거된 항목 및 그 등가물뿐만 아니라 추가 항목을 포함하도록 의도된다. "또는"에 대한 언급은 "또는"을 사용하여 기술된 임의의 용어가 설명된 용어 중 하나, 하나 이상 및 모두를 나타낼 수 있도록 포괄적인 것으로 해석될 수 있다. 전방 및 후방, 좌측 및 우측, 상부 및 하부, 상부 및 하부, 및 수직 및 수평에 대한 임의의 언급은 설명의 편의를 위하여 의도된 것이며, 본 시스템 및 방법 또는 이들의 구성요소를 임의의 위치 또는 공간 방향으로 제한하지 않는다.
그러므로, 적어도 하나의 실시예의 설명된 몇몇 양태들을 기술하였으므로, 당업자라면 다양한 변경, 수정 및 개선이 용이하게 이루어질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 이러한 변경, 수정 및 개선은 본 발명의 일부로 의도되며, 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 의도된다. 따라서, 상기 설명 및 도면은 단지 예일 뿐이고, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항 및 그 등가물의 적절한 구성으로부터 결정되어야한다.
Claims (20)
- 다이 및 클립 부착 방법으로서,
클립, 다이 및 기판을 제공하는 단계;
소결성 은 필름을 상기 클립과 다이에 적층하는 단계;
상기 기판 상에 점착제를 증착하는 단계;
상기 다이를 상기 점착제 및 상기 소결성 은 필름을 통해 상기 기판 상에 배치하는 단계;
기판, 다이 및 클립 패키지를 생성하도록, 상기 클립을 상기 다이 상에 상기 소결성 은 필름을 통해 배치하고 상기 클립을 상기 기판 상에 상기 점착제 및 상기 소결성 은 필름을 통해 배치하는 단계; 및
상기 기판, 다이 및 클립 패키지를 소결하는 단계를 포함하고,
상기 점착제는 상기 기판으로의 상기 다이 및 상기 클립의 임시 부착을 제공하는 방법. - 제1항에 있어서, 상기 소결성 은 필름을 적층하는 단계는 1초 내지 90초 미만 동안 0.5 내지 20 ㎫의 압력 및 100 내지 200 ℃의 온도의 인가를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소결성 은 필름을 적층하는 단계는 30초 동안 인가된 2 ㎫ 이상의 압력 및 130 ℃의 온도의 인가를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다이는 개별적으로 적층되거나 또는 전체 웨이퍼로서 적층되고, 그 후에 다이싱이 행하여지는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 클립은 개별적으로 적층되거나 또는 구리판의 형태로 적층되고, 그 후에 다이싱 또는 스탬핑이 행하여지는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소결성 은 필름을 적층하는 단계는 특정 압력 및 온도를 제공할 수 있는 적층 프레스 공정에서 또는 다이 본딩 기계에서 달성되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 적층된 다이는 와플 팩 내에 또는 다이싱 테이프 상에 수집 및 보관되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 적층된 클립은 테이프, 릴 또는 와플 팩에 수집 및 보관되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 점착제는 상기 클립, 상기 다이 및 상기 기판이 소결 프레스로 움직이기 전에 상기 클립, 상기 다이 및 상기 기판을 적소에서 배치하고 유지하도록 상기 기판 상에 분배되는 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 점착제는 소결 공정과 간섭없이 상기 기판, 다이 및 클립 패키지의 소결 동안 증발하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다이는 다이 본더로 상기 기판 상에 배치되고, 상기 점착제로 적소에서 고정되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 클립은 픽 앤드 플레이스 기계 또는 에폭시 다이 본더로 상기 기판 상에 배치되고, 상기 점착제로 적소에서 고정되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판, 다이 및 클립 패키지를 소결하는 단계는 압력 공구 및 가열 압반을 가지는 소결 프레스를 포함하는 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 소결 단계는 3 내지 25 ㎫의 압력 및 190 내지 300 ℃의 온도를 1 내지 180초 동안 인가하는 것을 포함하는 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 소결 단계는 10 ㎫의 압력 및 250 ℃의 온도를 60초 동안 인가하는 것을 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 다수의 클립을 추가로 포함하며, 상기 클립들은 상기 기판에 접속된 매트릭스의 형태로 소결성 은 필름으로 적층되는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 클립들 사이의 공간은 상기 기판 상에 위치된 상기 다이들에 정합되는 방법.
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462093004P | 2014-12-17 | 2014-12-17 | |
US62/093,004 | 2014-12-17 | ||
PCT/US2015/066026 WO2016100470A1 (en) | 2014-12-17 | 2015-12-16 | Method for die and clip attachment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170107994A KR20170107994A (ko) | 2017-09-26 |
KR102052326B1 true KR102052326B1 (ko) | 2019-12-05 |
Family
ID=56127520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020177019649A KR102052326B1 (ko) | 2014-12-17 | 2015-12-16 | 다이 및 클립 부착 방법 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11289447B2 (ko) |
EP (1) | EP3234988B1 (ko) |
JP (1) | JP6466594B2 (ko) |
KR (1) | KR102052326B1 (ko) |
CN (1) | CN107431019B (ko) |
MY (1) | MY188980A (ko) |
SG (1) | SG11201704928UA (ko) |
TW (3) | TWI689020B (ko) |
WO (1) | WO2016100470A1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10861775B2 (en) * | 2018-09-28 | 2020-12-08 | Semiconductor Components Industries, Llc | Connecting clip design for pressure sintering |
US11710705B2 (en) | 2018-10-09 | 2023-07-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US11894286B2 (en) | 2019-06-13 | 2024-02-06 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Hermetically sealed electronics module with enhanced cooling of core integrated circuit |
US11894347B2 (en) * | 2019-08-02 | 2024-02-06 | Semiconductor Components Industries, Llc | Low stress asymmetric dual side module |
US11469163B2 (en) * | 2019-08-02 | 2022-10-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Low stress asymmetric dual side module |
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-
2015
- 2015-12-16 TW TW104142327A patent/TWI689020B/zh active
- 2015-12-16 TW TW109105752A patent/TWI839472B/zh active
- 2015-12-16 KR KR1020177019649A patent/KR102052326B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-16 US US15/545,607 patent/US11289447B2/en active Active
- 2015-12-16 CN CN201580068422.5A patent/CN107431019B/zh active Active
- 2015-12-16 JP JP2017551568A patent/JP6466594B2/ja active Active
- 2015-12-16 WO PCT/US2015/066026 patent/WO2016100470A1/en active Application Filing
- 2015-12-16 TW TW109105751A patent/TWI726629B/zh active
- 2015-12-16 MY MYPI2017000868A patent/MY188980A/en unknown
- 2015-12-16 SG SG11201704928UA patent/SG11201704928UA/en unknown
- 2015-12-16 EP EP15870960.0A patent/EP3234988B1/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN107431019B (zh) | 2021-10-08 |
EP3234988A4 (en) | 2018-09-12 |
KR20170107994A (ko) | 2017-09-26 |
TWI689020B (zh) | 2020-03-21 |
SG11201704928UA (en) | 2017-07-28 |
JP2018504788A (ja) | 2018-02-15 |
TWI726629B (zh) | 2021-05-01 |
US11289447B2 (en) | 2022-03-29 |
MY188980A (en) | 2022-01-17 |
TWI839472B (zh) | 2024-04-21 |
TW201626474A (zh) | 2016-07-16 |
JP6466594B2 (ja) | 2019-02-06 |
WO2016100470A1 (en) | 2016-06-23 |
TW202030807A (zh) | 2020-08-16 |
EP3234988A1 (en) | 2017-10-25 |
EP3234988B1 (en) | 2024-10-09 |
CN107431019A (zh) | 2017-12-01 |
US20180166415A1 (en) | 2018-06-14 |
TW202030808A (zh) | 2020-08-16 |
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