KR102012989B1 - 실리콘-온-절연체를 포함하는 반도체 패키지 - Google Patents

실리콘-온-절연체를 포함하는 반도체 패키지 Download PDF

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Abstract

실리콘-온-절연체(SOI) 다이로부터의 열 전달은 반도체 패키지 내에 범프-온-리드프레임 방식으로 다이를 실장함으로써 개선되며, 이러한 방식에서는 솔더 또는 다른 금속 범프들이 인쇄 회로 보드 또는 다른 지지 구조 상에 패키지를 실장하는 데 사용되는 금속 리드들에 SOI 다이의 활성층을 접속한다.

Description

실리콘-온-절연체를 포함하는 반도체 패키지{SEMICONDUCTOR PACKAGE CONTAINING SILICON-ON-INSULATOR}
관련 출원들의 상호 참조
본원은 "Bump-on-Leadframe (BOL) Package Technology with Reduced Parasitics"라는 명칭으로 2006년 5월 2일자로 출원된 출원 제11/381,292호와 관련되며, 이 출원은 그 전체가 본 명세서에 참고로 반영된다.
실리콘-온-절연체 반도체 다이들은 다이 내에 형성된 반도체 장치들 사이에 매우 효과적인 절연 장벽을 제공하는 것이 필요한 응용들에서 사용된다. 실리콘-온-절연체(SOI) 다이는 3개의 층, 즉 (1) 반도체 장치들이 형성되는 활성층, (2) 절연층 및 (3) 핸들층으로 구성된다. 절연층은 활성층과 핸들층 사이에 샌드위치된다. 활성층 및 핸들층은 실리콘으로 형성되며, 절연층은 통상적으로 실리콘 이산화물(간단히 "산화물"로서 자주 지칭됨)로 형성된다. 절연층은 열적으로 성장된 산화물들과 침적된 유리들 또는 산화물들의 샌드위치도 포함할 수 있다. 핸들층은 통상적으로 3개의 층 중에서 가장 두껍다. 활성층 및 핸들층은 실리콘으로 형성되고, 따라서 동일한 열팽창 계수를 가지므로, 다이는 열적으로 매우 안정된다. 더구나, 절연층은 강한 절연 장벽을 제공하므로, 활성층 내에 형성된 장치들은 활성층을 통해 연장하는 절연 구조들을 이용하여 서로 매우 효과적으로 전기적으로 절연될 수 있다.
도 1a는 SOI 다이(3)를 포함하는 전통적인 SOT형 반도체 패키지(1)의 단면도를 도시한다. SOT, 즉 "소형 트랜지스터(small outline transistor)"는 개별 트랜지스터들 또는 로우 핀 카운트(low pin count) 집적 회로들의 패키징에서 사용되는 산업 표준 패키지이다. SOI 다이(3)는 활성층(3A), 절연층(3I) 및 핸들층(3H)을 포함한다. SOI 다이(3)는 핸들층(3H)의 노출된 표면을 통해 리드(2B)에 실장된다. 활성층(3A) 내의 장치들(도시되지 않음)은 활성층(3A)의 표면에서 콘택 패드들(도시되지 않음)을 통해 그리고 본딩 와이어들(4A, 4B)을 통해 리드들(2A, 2B)에 전기적으로 접속된다. "갈매기 날개(gull wing)" 리드들(2A, 2B)은 성형 화합물(5)로부터 돌출한다. 리드들(2A, 2B)의 하면들은 인쇄 회로 보드(PCB)(6)에 실장된다.
도 1b는 SOI 다이(13)를 포함하는 전통적인 이중 노-리드(Double No-Lead; DFN) 반도체 패키지(11)의 단면도를 나타낸다. SOI 다이(13)는 활성층(13A), 절연층(13I) 및 핸들층(13H)을 포함한다. SOI 다이(13)는 핸들층(13H)의 노출된 표면을 통해 히트 슬러그(heat slug; 12B)에 실장된다. 활성층(13A) 내의 장치들(도시되지 않음)은 활성층(13A)의 표면에서 콘택 패드들(도시되지 않음)을 통해 그리고 본딩 와이어들(14A, 14B)을 통해 리드들(12A, 12C)에 전기적으로 접속된다. 리드들(12A, 12C)은 성형 화합물(15)의 측면 및 저면과 동일 평면 상에 있는 외부 표면들을 갖는데, 즉 도 1a의 리드들(2A, 2B)과 달리, 리드들(12A, 12C)은 성형 화합물(15)로부터 돌출하지 않는다. 리드들(12A, 12C) 및 히트 슬러그(12B)의 하면들은 패키지(11)를 PCB(16)에 실장하는 데 사용된다.
불행하게도, SOI 다이의 양호한 전기적 절연 특성들은 열적인 문제들을 유발하는데, 이는 활성층에 형성된 장치들에 의해 생성되는 열이 절연층에 의해 갇히기 때문이다. 예를 들어, 패키지들(1, 11)에서, SOI 다이들(3, 13)의 활성층들은 절연층 및 핸들층에 의해 리드들로부터 물리적으로, 열적으로 분리된다(본딩 와이어들은 통상적으로 매우 얇으며, 많은 양의 열을 전달하지 못한다). 절연층을 위해 사용되는 실리콘 이산화물과 같은 재료들은 종종 양호한 열 절연체들이다. 결과적으로, 활성층의 온도는 수용 불가하게 높은 레벨에 도달할 수 있으며, SOI 다이 내에 형성된 장치들을 손상 또는 파괴할 수 있다.
따라서, 다이 내에 형성된 반도체 장치들에 의해 생성되는 열의 제거를 용이하게 하는 SOI 다이용 반도체 패키지를 제공하는 것이 매우 유용할 것이다. 그러한 해법은 SOI 다이들이 전기 및 열 모두의 관점에서 그들의 최대 잠재력을 발휘할 수 있게 할 것이다.
발명의 요약
본 발명에 따른 반도체 패키지에서, 실리콘-온-절연체(SOI) 다이는 범프-온-리드프레임(BOL) 또는 "플립칩" 방식으로 배향되며, 이러한 방식에서는 활성층이 리드에 대면하고, 솔더(solder) 또는 다른 금속 범프(bump)가 활성층 표면의 콘택 패드를 리드에 접속시킨다. 솔더는 납-주석(Pb-Sn) 또는 주석-은(Sn-Ag)과 같은 금속들의 합금, 이원 또는 삼원 화합물을 포함할 수 있거나, 금, 은 또는 주석과 같은 임의의 연성 금속을 포함할 수 있다. 이것은 활성층에서 생성된 열을 패키지가 실장되는 인쇄 회로 보드 또는 다른 구조로 쉽게 전달할 수 있는 열 경로를 형성한다.
본 발명은 SOT형 및 DFN 패키지들을 포함하는 다양한 패키지들에 적용될 수 있다.
일부 실시예들에서, SOI 다이의 활성층은 절연 트렌치들에 의해 열 섬들(thermal islands)로 분리되며, 각각의 열 섬은 하나 이상의 솔더 범프에 의해 리드에 접속된다.
본 발명은 아래의 도면들을 참조하여 더 잘 이해될 것이며, 이 도면들은 반드시 축척으로 그려진 것은 아니고, 도면들에서 동일한 컴포넌트들은 유사한 참조 번호들을 갖는다.
도 1a는 실리콘-온-절연체(SOI) 다이를 포함하는 전통적인 SOT형 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 1b는 SOI 다이를 포함하는 전통적인 DFN 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 2a는 히트 슬러그 없이 범프-온-리드프레임(BOL) 실장 SOI 다이를 포함하는 성형된 SOT형 반도체 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 2b는 히트 슬러그 없이 BOL 실장 SOI 다이를 포함하는 이중 편평 노-리드(DFN) 반도체 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 3a는 노출된 히트 슬러그와 더불어 BOL 실장 SOI 다이를 포함하는 성형된 SOT형 반도체 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 3b는 노출된 히트 슬러그와 더불어 BOL 실장 SOI 다이를 포함하는 이중 편평 노-리드(DFN) 반도체 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 3b에 도시된 DFN 패키지의 더 상세한 단면도이다.
도 5는 트렌치들에 의해 격리된 열 섬들 및 각각의 열 섬으로부터 연장하는 하나 이상의 열 비아를 나타내는 도 3b의 패키지 내의 SOI 다이의 평면도이다.
도 2a는 본 발명에 따른 성형된 SOT형 패키지(30)를 나타낸다. 패키지(30)는 핸들층(22), 절연층(23) 및 활성층(24)을 갖는 SOI 다이(21)를 포함한다. SOI 다이(21)는 솔더 범프들(34A, 34B) 각각에 의해 리드들(2A, 2B) 상에 범프-온-리드프레임(BOL) 또는 "플립칩" 스타일로 실장된다. SOI 다이(21)는 활성층(24)이 리드들(2A, 2B)에 면하도록 배향된다. 솔더 범프들(34A, 34B)은 활성층(24)의 표면에 위치하는 콘택 패드들(25A, 25B) 각각과 전기적으로 접촉하고, 그들로부터 아래로 연장한다. 솔더 범프들(34A, 34B)은 반도체 패키징에서 사용되는 임의 타입의 솔더, 예컨대 납-주석(Pb-Sn) 또는 주석-은(Sn-Ag) 솔더 또는 순수 주석(Sn), 순수 은(Ag) 또는 금(Au)과 같은 연성 금속으로 제조될 수 있다.
SOI 다이(21), 솔더 범프들(34A, 34B), 및 리드들(2A, 2B)의 부분들은 통상적으로 플라스틱으로 형성된 성형 화합물(5) 내에 봉입된다. 통상적으로 알루미늄과 같은 금속으로 제조되는 "갈매기 날개" 형상의 리드들(2A, 2B)은 성형 화합물(5)로부터 돌출하며, 인쇄 회로 보드(PCB)(6)에 실장된다.
활성층(24)은 통상적으로 복수의 반도체 장치(MOSFET, 바이폴라 트랜지스터, 다이오드 등)를 포함하며, 이들 중 일부는 활성층(24) 내의 회로가 동작할 때 상당한 양의 열을 생성할 수 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 활성층(24)에서 생성된 열을 PCB(6)로 전달할 수 있는 2개의 열 경로가 존재하며, 제1 경로는 콘택 패드(25A), 솔더 범프(34A) 및 리드(2A)를 포함하고, 제2 경로는 콘택 패드(25B), 솔더 범프(34B) 및 리드(2B)를 포함한다. 이러한 열 경로들 각각은 SOI 다이 내의 회로를 PCB(6)와 접속하는 전기 경로로도 사용될 수 있다.
패키지(30)의 열 전달 특성들은 도 1a에 도시된 비교되는 종래 기술의 패키지(1)의 열 전달 특성들에 비해 훨씬 우수한데, 그 이유는 SOI 다이(21)에서 생성되는 열을 PCB(6)로 전달할 수 있는 2개의 고전도 열 경로가 존재하기 때문이다. 더욱이, SOI 다이(21)에서 생성되는 열의 일부는 복사 및 대류에 의해 리드들(2A, 2B)로부터 제거된다.
패키지(30)를 제조하기 위한 프로세스들은 이 분야에 잘 알려져 있다. 하나의 예시적인 프로세스에서는, 솔더 볼들이 먼저 콘택 패드들(25A, 25B) 상에 배치되고, 솔더가 콘택 패드들에 접착되도록 충분히 가열된다. 솔더 볼들의 배치는 볼들이 부착될 본드 패드의 상부 또는 바로 근처에서 볼들이 다이 상에만 떨어지도록 볼들을 "스텐실" 마스크를 통해 다이 상에 떨어뜨림으로써 배열될 수 있다. 이어서, SOI 다이(21)는 뒤집히고, 솔더 볼들은 여전히 리드프레임의 일부인 리드들(2A, 2B)과 각각 접촉된다. 이어서, 솔더는 다시 가열(리플로우)되어, 솔더 볼들은 콘택 패드(25A)와 리드(2A)에 접착되는 솔더 범프(34A) 및 콘택 패드(25B)와 리드(2B)에 접착되는 솔더 범프(34B)를 형성한다. 솔더 범프들(34A, 34B)이 SOI 다이(21) 및 리드들(2A, 2B)에 부착되면, 조립체는 사출 성형 프로세스에 의해 성형 화합물(5) 내에 봉입되고, 이어서 리드들은 리드프레임 내의 다른 리드들로부터 개별화된다.
도 2b는 이중 노-리드(DFN) 패키지(40) 내에 실장된 SOI 다이(21)를 나타낸다. SOI 다이(21)는 솔더 범프들(44A, 44B) 각각에 의해 리드들(12A, 12B) 상에 BOL 스타일로 실장된다. 솔더 범프들(44A, 44B)은 콘택 패드들(25A, 25B) 각각과 전기적으로 접촉하며 그들로부터 아래로 연장한다.
SOI 다이(21), 솔더 범프들(44A, 44B) 및 리드들(12A, 12B)은 통상적으로 플라스틱으로 제조된 성형 화합물(15) 내에 봉입된다. 성형 화합물(5)로부터 돌출하는 패키지(30) 내의 갈매기 날개 형상의 리드들(2A, 2B)과 달리, 리드들(12A, 12B)은 성형 화합물(15)의 저면(15B)과 동일 평면 상에 있는 저면들(12AB, 12BB) 및 성형 화합물(15)의 측면들(15A, 15C)과 동일 평면 상에 있는 측면들(12AL, 12BL)을 갖는다. 리드들(12A, 12B)의 저면들(12AB, 12BB)은 인쇄 회로 보드(PCB)(6)에 실장된다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 활성층(24)에서 생성되는 열을 PCB(6)로 전달할 수 있는 2개의 열 경로가 존재하며, 제1 경로는 콘택 패드(25A), 솔더 범프(44A) 및 리드(12A)를 포함하고, 제2 경로는 콘택 패드(25B), 솔더 범프(44B) 및 리드(12B)를 포함한다. 이러한 열 경로들 각각은 SOI 다이(21) 내의 회로를 PCB(6)와 접속하는 전기적 경로로도 사용될 수 있다.
패키지(40)의 열 전달 특성들은 도 1b에 도시된 비교되는 종래 기술의 패키지(11)의 열 전달 특성들보다 훨씬 우수한데, 그 이유는 SOI 다이(21)에서 생성되는 열을 PCB(6)로 전달할 수 있는 2개의 고전도 열 경로가 존재하기 때문이다.
도 3a는 본 발명에 따른 성형된 SOT형 패키지(50)를 나타낸다. 패키지(50)는 핸들층(22A), 절연층(23A) 및 활성층(24A)을 갖는 SOI 다이(21A)는 물론, 노출된 다이 패드 또는 히트 슬러그(2C)도 포함한다. 콘택 패드들(25A, 25B, 25C)은 활성층(24A)의 노출된 표면에 배치된다. 그 외에, 패키지(50)는 패키지(50) 내의 성형 화합물(5)의 저면(29)이 리드들(2A, 2B)의 실장 표면들(2AM, 2BM)과 동일 평면 상에 있다는 점 외에는 도 2a에 도시된 패키지(30)와 유사하다. 패키지(50)에서, SOI 다이(21A)는 솔더 범프들(34A, 34B, 34C) 각각에 의해 리드들(2A, 2B) 및 히트 슬러그(2C) 상에 BOL 스타일로 실장된다. 솔더 범프들(34A, 34B, 34C)은 활성층(24A)의 표면에 위치하는 콘택 패드들(25A, 25B, 25C) 각각과 전기적으로 접촉하며, 그들로부터 아래로 연장한다.
SOI 다이(21A), 솔더 범프들(34A, 34B, 34C), 히트 슬러그(2C), 및 리드들(2A, 2B)의 부분들은 성형 화합물(5) 내에 봉입된다. 히트 슬러그(2C)는 성형 화합물(5)의 저면(29)과 동일 평면 상에 있고 그에 의해 둘러싸인 노출된 표면(28)을 갖는다. 히트 슬러그(2C)의 저면(28)은 PCB(6)와 접촉한다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 활성층(24A)에서 생성되는 열을 PCB(6)로 전달할 수 있는 3개의 열 경로가 존재한다. 제1 경로는 콘택 패드(25A), 솔더 범프(34A) 및 리드(2A)를 포함하고, 제2 경로는 콘택 패드(25B), 솔더 범프(34B) 및 리드(2B)를 포함하고, 제3 경로는 콘택 패드(25C), 솔더 범프(34C) 및 히트 슬러그(2C)를 포함한다. 이러한 열 경로들 각각은 SOI 다이 내의 회로를 PCB(6)와 접속하는 전기적 경로로도 사용될 수 있다.
히트 슬러그(2C)를 통한 열 전달을 촉진하기 위하여, 수평 단면을 통해 취해지는 히트 슬러그(2C)의 면적은 리드(2A 또는 2B)의 벽들 각각에 수직인 단면을 통해 취해지는 리드(2A 또는 2B)의 면적보다 훨씬 크다(예를 들어, 3 내지 5배 이상 더 크다).
도 3b는 이중 편평 노-리드(DFN) 패키지(60) 내에 실장된 SOI 다이(21A)를 도시한다. 패키지(60)는 패키지(60)가 노출된 다이 패드 또는 히트 슬러그(12C)도 포함한다는 점 외에는 도 2b에 도시된 패키지(40)와 유사하다. 패키지(60)에서, SOI 다이(21A)는 솔더 범프들(44A, 44B, 44C) 각각에 의해 리드들(12A, 12B) 및 히트 슬러그(12C) 상에 BOL 스타일로 실장된다. 솔더 범프들(44A, 44B, 44C)은 활성층(24A)의 표면에 위치하는 콘택 패드들(25A, 25B, 25C) 각각과 전기적으로 접촉하며, 그들로부터 아래로 연장한다.
SOI 다이(21A), 솔더 범프들(44A, 44B, 44C), 리드들(12A, 12B) 및 히트 슬러그(12C)는 성형 화합물(15) 내에 봉입된다. 리드들(12A, 12B)은 성형 화합물(15)의 저면(39)과 동일 평면 상에 있는 저면들(12AB, 12BB) 및 성형 화합물(15)의 측면들(15A, 15C)과 동일 평면 상에 있는 측면들(12AL, 12BL)을 갖는다. 리드들(12A, 12B)의 저면들(12AB, 12BB) 및 히트 슬러그(12C)의 저면(38)은 PCB(6)에 실장된다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 활성층(24A)에서 생성되는 열을 PCB(6)로 전달할 수 있는 3개의 열 경로가 존재한다. 제1 경로는 콘택 패드(25A), 솔더 범프(44A) 및 리드(12A)를 포함하고, 제2 경로는 콘택 패드(25B), 솔더 범프(44B) 및 리드(12B)를 포함하고, 제3 경로는 콘택 패드(25C), 솔더 범프(44C) 및 히트 슬러그(12C)를 포함한다. 이러한 열 경로들 각각은 SOI 다이(21A) 내의 회로를 PCB(6)와 접속하는 전기적 경로로도 사용될 수 있다.
히트 슬러그(12C)를 통한 열 전달을 촉진하기 위하여, 수평 단면을 통해 취해지는 히트 슬러그(12C)의 면적은 리드(12A 또는 12B)의 벽들 각각에 수직인 단면을 통해 취해지는 리드(12A 또는 12B)의 면적보다 훨씬 크다(예를 들어, 5배 이상 더 크다).
일부 실시예들에서, SOI 다이의 활성층은 "열 섬들"로 분할되며, 따라서 하나의 열 섬 내의 장치들은 다른 열 섬 내의 장치들에 의해 생성되는 열로부터 절연된다. 도 4는 도 3b의 DFN 패키지(60)의 상세 단면도로서, 활성층(24A)을 절연 트렌치들(72A, 72B, 72C, 72D)로 관통함으로써 열 섬들(71A, 71D, 71E)을 생성하는 것을 나타낸다. 트렌치들(72A, 72B, 72C, 72D)은 통상적으로 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 침적된 유리를 갖는 열 성장 실리콘 이산화물, 또는 침적된 폴리실리콘 층을 포함하거나 둘러싸는 열 성장 실리콘 이산화물과 같은 절연성 유전체로 채워진다.
도 5는 도 3b의 패키지 내의 SOI 다이(21A)의 평면도이다. 도 4를 취한 단면 4-4이 지시된다. 도시된 바와 같이, 트렌치들(72A, 72B, 72C, 72D) 각각은 열 섬을 둘러싸는 닫힌 형상으로 형성되는데, 즉 트렌치(72C)는 열 섬(71D)을 둘러싸고, 트렌치(72D)는 열 섬(71E)을 둘러싸고, 이중 트렌치들(72A, 72B)은 열 섬(71A)을 둘러싼다. 열 섬(71D)은 MOSFET(M1)를 포함하고, 열 섬(71A)은 MOSFET들(M2, M3)을 포함하며, 열 섬(71E)은 MOSFET(M4)를 포함한다. 트렌치들(72A, 72B, 72C, 72D) 중 하나에 의해 둘러싸이지 않은 섬간 영역(71C)도 도시된다.
도 4 및 5를 함께 관찰하면, 열 섬(71D)은 솔더 범프(44A) 및 리드(12A)를 포함하는 열 경로에 콘택 패드(25A)를 통해 접속되고, 열 섬(71E)은 솔더 범프(44B) 및 리드(12B)를 포함하는 열 경로에 콘택 패드(25B)를 통해 접속되며, 열 섬(71A)은 솔더 펌프(44C) 및 히트 슬러그(12C)를 포함하는 열 경로에 콘택 패드(25C)를 통해 접속된다는 것을 알 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 열 섬(71A)은 도 4의 단면 밖에 있는 솔더 범프들(44D, 44E, 44K)을 통해 히트 슬러그에도 접속된다.
트렌치들(72A, 72B, 72C, 72D)은 전통적인 포토리소그래피 및 에칭 프로세스들에 의해 활성층(24A) 내에 형성될 수 있다. 예를 들어, 트렌치 마스크가 활성층(24A)의 노출된 표면 상에 형성되며, 트렌치들이 배치될 영역들 위에 개구들을 갖도록 패턴화될 수 있다. 활성층(24A)은, 반응성 이온 에치를 이용하여, 예를 들어, 브롬화수소(HBr) 또는 육불화황(SF6) 또는 유사한 가스들을 이용하여 트렌치들을 형성하기 위해 트렌치 마스크 내의 개구들을 통해 절연층(23A)까지 아래로 에칭될 수 있다. 이어서, 트렌치들이 열 산화될 수 있으며, 이어서 화학 기상 침적에 의해 실리콘 이산화물과 같은 절연성 재료 또는 도핑되지 않은 폴리실리콘과 같은 반절연성 재료로 채워질 수 있다. 이 분야에 공지된 바와 같이, 트렌치들을 채우기 위해 다른 재료들 및 프로세스들이 이용될 수 있다.
위의 설명은 한정이 아니라 예시적인 것을 의도한다. 본 발명의 많은 대안 실시예가 이 분야의 기술자들에게 명백할 것이다. 본 발명의 광범위한 원리들은 아래의 청구항들에서만 정의된다.

Claims (31)

  1. 반도체 패키지로서,
    리드(lead);
    실리콘-온-절연체(silicon-on-insulator) 다이 - 상기 실리콘-온-절연체 다이는 핸들층과 활성층 사이에 샌드위치된 절연층을 포함하고, 상기 핸들층은 상기 절연층과 접촉하는 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 갖고, 상기 실리콘-온-절연체 다이는 상기 활성층이 상기 리드에 대면하도록 상기 패키지 내에 배향됨 -; 및
    상기 활성층의 표면에서의 콘택 패드를 상기 리드와 접속시키는 금속 범프 - 상기 콘택 패드는 상기 활성층 내의 열 섬(thermal island) 내에 형성되고, 상기 열 섬은 적어도 하나의 유전체로 채워진 트렌치에 의해 정의되며, 상기 트렌치는 상기 활성층의 표면과 상기 절연층 사이에서 연장되고 상기 활성층 내에 측면으로(laterally) 둘러싸여 있으며, 상기 실리콘-온-절연체 다이, 상기 금속 범프 및 상기 리드의 적어도 일부는 성형 화합물 내에 봉입되며, 상기 성형 화합물은 상기 핸들층의 상기 제2 표면을 완전히 덮음 -
    를 포함하는, 반도체 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 열 섬은 이중 트렌치에 의해 둘러싸이는, 반도체 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 열 섬은 적어도 하나의 반도체 장치를 포함하는, 반도체 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 리드는 상기 성형 화합물의 외면으로부터 돌출하는, 반도체 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    히트 슬러그(heat slug) 및 제2 금속 범프를 더 포함하고, 상기 제2 금속 범프는 상기 활성층의 상기 표면에서의 제2 콘택 패드를 상기 히트 슬러그와 접속시키고, 상기 히트 슬러그는 상기 성형 화합물의 저면과 동일 평면 상에 있고 상기 저면에 의해 둘러싸이는 노출된 표면을 갖는, 반도체 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 히트 슬러그의 수평 단면적은 상기 리드의 벽에 수직인 단면에서 취해진 상기 리드의 면적보다 적어도 5배 큰, 반도체 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 패키지는 이중 노-리드(Double No-Lead)형 패키지를 포함하고, 상기 리드는 상기 성형 화합물의 외면과 동일 평면 상에 있는 적어도 하나의 표면을 갖는, 반도체 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    히트 슬러그 및 제2 금속 범프를 더 포함하고, 상기 제2 금속 범프는 상기 활성층의 상기 표면에서의 제2 콘택 패드를 상기 히트 슬러그와 접속시키고, 상기 히트 슬러그는 상기 성형 화합물의 저면과 동일 평면 상에 있고 상기 저면에 의해 둘러싸이는 노출된 표면을 갖는, 반도체 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 히트 슬러그의 수평 단면적은 상기 리드의 벽에 수직인 단면에서 취해진 상기 리드의 면적보다 적어도 5배 큰, 반도체 패키지.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2 콘택 패드는 상기 활성층 내의 제2 열 섬 내에 형성되고, 상기 제2 열 섬은 상기 활성층의 상기 표면과 산화물층 사이에 연장하는 적어도 하나의 제2 트렌치에 의해 둘러싸이고, 상기 제2 트렌치는 유전체 재료로 채워지는, 반도체 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 열 섬은 적어도 하나의 반도체 장치를 포함하는, 반도체 패키지.
  12. 반도체 패키지로서,
    상기 반도체 패키지로부터 연장되는 리드(lead);
    핸들층과 활성층 사이에 샌드위치된 절연층을 포함하는 실리콘-온-절연체(silicon-on-insulator) 다이 - 상기 핸들층은 상기 절연층과 접촉하는 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 갖고, 상기 실리콘-온-절연체 다이는 상기 활성층이 상기 리드에 대면하도록 상기 패키지 내에 배향됨 -;
    상기 활성층의 표면에서의 제1 콘택 패드를 상기 리드와 접속시키는 제1 금속 범프 - 상기 제1 콘택 패드는 상기 활성층 내의 열 섬에 형성되고, 상기 열 섬은 적어도 하나의 유전체로 채워진 트렌치에 의해 정의되며, 상기 트렌치는 상기 활성층의 표면과 상기 절연층 사이에서 연장되고 상기 활성층 내에 측면으로 둘러싸임 -;
    상기 실리콘-온-절연체 다이, 상기 제1 금속 범프, 및 상기 리드의 적어도 일부를 봉입하는 성형 화합물 - 상기 성형 화합물은 상기 핸들층의 상기 제2 표면을 완전히 덮음 -;
    상기 성형 화합물의 저면과 동일 평면 상에 있고 상기 저면에 의해 둘러싸이는 표면을 갖는 히트 슬러그(heat slug); 및
    상기 활성층의 상기 표면에서의 제2 콘택 패드를 상기 히트 슬러그와 접속시키는 제2 금속 범프
    를 포함하는, 반도체 패키지.
  13. 제12항에 있어서, 상기 활성층에서 생성된 열을 인쇄 회로 보드에 전달하도록 구성되는 제1 열 경로가 상기 제1 콘택 패드, 상기 제1 금속 범프, 및 상기 리드를 포함하는, 반도체 패키지.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 열 경로는 상기 실리콘-온 절연체 다이 내의 회로를 상기 인쇄 회로 보드에 전기적으로 접속시키도록 구성되는, 반도체 패키지.
  15. 제13항에 있어서, 상기 활성층에서 생성된 열을 상기 인쇄 회로 보드에 전달하도록 구성된 제2 열 경로가 상기 제2 콘택 패드, 상기 제2 금속 범프, 및 상기 히트 슬러그를 포함하는, 반도체 패키지.
  16. 제12항에 있어서, 상기 히트 슬러그의 수평 단면적이 상기 리드의 벽에 수직인 단면에서 취해진 리드의 면적보다 적어도 5배 더 큰, 반도체 패키지.
  17. 삭제
  18. 제12항에 있어서, 상기 열 섬은 이중 트렌치에 의해 둘러싸이는, 반도체 패키지.
  19. 제12항에 있어서, 상기 열 섬은 적어도 하나의 반도체 장치를 포함하는, 반도체 패키지.
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 제12항에 있어서, 상기 히트 슬러그의 수평 단면적은 상기 리드의 벽에 수직인 단면에서 취해진 상기 리드의 면적보다 적어도 5배 큰, 반도체 패키지.
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 제12항에 있어서, 상기 성형 화합물의 저면은 상기 리드의 실장 표면과 동일 평면 상에 있는, 반도체 패키지.
  27. 반도체 패키지로서,
    상기 반도체 패키지로부터 연장되는 리드(lead);
    핸들층과 활성층 사이에 샌드위치된 절연층을 포함하는 실리콘-온-절연체(silicon-on-insulator) 다이 - 상기 핸들층은 상기 절연층과 접촉하는 제1 표면 및 상기 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 갖고, 상기 실리콘-온-절연체 다이는 상기 활성층이 상기 리드에 대면하도록 상기 패키지 내에 배향됨 -;
    상기 활성층의 표면에서의 제1 콘택 패드를 상기 리드와 접속시키는 제1 금속 범프 - 상기 제1 콘택 패드는 상기 활성층 내의 열 섬에 형성되고, 상기 열 섬은 적어도 하나의 유전체로 채워진 트렌치에 의해 정의되며, 상기 트렌치는 상기 활성층의 표면과 상기 절연층 사이에서 연장되고 상기 활성층 내에 측면으로 둘러싸임 -;
    상기 실리콘-온-절연체 다이, 상기 제1 금속 범프, 및 상기 리드의 적어도 일부를 봉입하는 성형 화합물 - 상기 성형 화합물은 상기 핸들층의 상기 제2 표면을 완전히 덮음 -;
    상기 성형 화합물의 저면과 동일 평면 상에 있고 상기 저면에 의해 둘러싸이는 표면을 갖는 히트 슬러그(heat slug); 및
    상기 활성층의 표면과 상기 히트 슬러그 사이의 열 경로를 형성하기 위한 수단
    을 포함하는, 반도체 패키지.
  28. 제27항에 있어서, 상기 리드는 상기 성형 화합물의 외면으로부터 돌출하는, 반도체 패키지.
  29. 제27항에 있어서, 상기 반도체 패키지는 이중 노-리드형 패키지이고, 상기 리드는 상기 성형 화합물의 외면과 동일 평면 상에 있는 적어도 하나의 표면을 갖는, 반도체 패키지.
  30. 반도체 패키지로서,
    상기 반도체 패키지로부터 연장되는 리드(lead);
    핸들층과 활성층 사이에 샌드위치된 절연층을 포함하는 실리콘-온-절연체(silicon-on-insulator) 다이 - 상기 핸들층은 상기 절연층과 접촉하는 제1 표면 및 상기 제1 표면과 대향하는 제2 표면을 갖고, 상기 실리콘-온-절연체 다이는 상기 활성층이 상기 리드에 대면하도록 상기 패키지 내에 배향됨 -;
    상기 활성층의 표면에서의 제1 콘택 패드를 상기 리드와 접속시키는 제1 금속 범프;
    상기 실리콘-온-절연체 다이, 상기 제1 금속 범프, 및 상기 리드의 적어도 일부를 봉입하는 성형 화합물 - 상기 성형 화합물은 상기 핸들층의 상기 제2 표면을 완전히 덮음 -; 및
    상기 활성층의 표면에 그리고 상기 활성층 내에 형성된 열 섬 내에 형성되는 제2 콘택 패드 - 상기 제2 콘택 패드는 상기 활성층을 히트 슬러그에 열적으로 결합시킴 -
    를 포함하는, 반도체 패키지.
  31. 제30항에 있어서, 상기 제1 콘택 패드는 상기 활성층 내의 열 섬 내에 형성되고, 상기 열 섬은 상기 활성층의 표면과 상기 절연층 사이에서 연장되는 적어도 하나의 트렌치에 의해 둘러싸이고, 상기 트렌치는 유전체 재료로 채워지는, 반도체 패키지.
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