KR101970114B1 - Method for forming patterns - Google Patents

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진 니시카와
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

기판처리장치는, 띠 모양으로 형성된 기판에 대해, 각각 처리를 행하는 복수의 처리부와, 복수의 처리부에서의, 공통 서브 프로세스를 실행할 수 있는 제1 처리부를 수용하는 제1 처리실과, 복수의 처리부 가운데, 제2 처리부를 수용하는 제2 처리실과, 제1 처리실 및 제2 처리실의 각각에 기판을 반송하는 반송부를 구비한다.The substrate processing apparatus includes a first processing chamber for accommodating a plurality of processing units for performing processing on a substrate formed in a band shape and a first processing unit capable of executing a common subprocess in a plurality of processing units, A second processing chamber for accommodating the second processing portion, and a transporting portion for transporting the substrate to each of the first processing chamber and the second processing chamber.

Figure R1020187023604
Figure R1020187023604

Description

패턴 형성 방법{METHOD FOR FORMING PATTERNS}[0001] METHOD FOR FORMING PATTERNS [0002]

본 발명은 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

본원은 2011년 4월 25일에 출원된 일본국 특원2011-097122호에 근거하여 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.The present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2011-097122 filed on April 25, 2011, the contents of which are incorporated herein by reference.

디스플레이 장치 등의 표시장치를 구성하는 표시소자로서, 예를 들면 액정표시소자, 유기전계발광(유기EL) 소자가 알려져 있다. 현재, 이들 표시소자에서는 각 화소에 대응하여 기판 표면에 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)를 형성하는 능동적 소자(액티브 디바이스)가 주류로 되어 가고 있다.As a display element constituting a display device such as a display device, for example, a liquid crystal display element and an organic electroluminescence (organic EL) element are known. At present, active devices (active devices) forming thin film transistors (TFTs) on the surface of a substrate corresponding to each pixel are becoming mainstream in these display devices.

근래에는, 시트 모양의 기판(예를 들면 필름부재 등)상에 표시소자를 형성하는 기술이 제안되어 있다. 이와 같은 기술로서, 예를 들면 롤·투·롤(roll·to·roll) 방식(이하, 간단히 「롤 방식」이라고 표기함)으로 불리는 수법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 롤 방식은 기판공급 측의 공급용 롤러에 감겨진 1매의 시트 모양의 기판(예를 들면, 띠 모양의 필름부재)을 송출(送出)함과 아울러 송출된 기판을 기판회수 측의 회수용 롤러로 권취(卷取)하면서, 공급용 롤러와 회수용 롤러와의 사이에 설치된 처리부(유니트)에 의해 기판에 소망의 가공을 시행해 가는 것이다.BACKGROUND ART [0002] In recent years, a technique of forming a display element on a sheet-like substrate (for example, a film member or the like) has been proposed. As such a technique, for example, a technique called a roll-to-roll method (hereinafter simply referred to as "roll method") is known (see, for example, Patent Document 1). In the roll system, a single sheet-like substrate (for example, a strip-shaped film member) wound on a supply roller on a substrate supply side is fed out, And a desired processing is performed on the substrate by a processing unit (unit) provided between the supply roller and the rotation roller while being wound on the substrate.

그리고, 기판이 송출되고 나서 권취될 때까지 동안에, 예를 들면 복수의 반송 롤러 등을 이용하여 기판이 반송되고, 복수의 처리부를 이용하여 TFT를 구성하는 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체막, 소스·드레인 전극 등을 형성하며, 기판의 피처리면에 표시소자의 구성요소를 차례차례 형성한다.Then, the substrate is transported, for example, by using a plurality of transport rollers or the like, until the substrate is fed out and then wound, and the gate electrode, the gate insulating film, the semiconductor film, the source Drain electrodes, and the like, and the constituent elements of the display element are sequentially formed on the surface of the substrate to be processed.

[특허문헌 1] 국제공개 제2006/100868호 팜플렛[Patent Document 1] International Publication No. 2006/100868 pamphlet

그렇지만, 상기의 공정에서는 전체 길이 수백 미터라고 하는 긴 반송경로가 필요하게 될 가능성이 있으며, 예를 들면 공장 등의 한정된 스페이스에서 각 처리부를 효율적으로 배치하는 것이 요구된다.However, in the above-described process, a long conveyance path of several hundred meters in total length may be required. For example, it is required to efficiently arrange each processing unit in a limited space such as a factory.

본 발명에 관한 태양은, 효율적으로 처리부를 배치하는 것이 가능한 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently disposing a processing section.

본 발명에 관한 태양에 따르면, 가요성을 가지는 띠 모양의 기판을 장척방향으로 노광장치에 반송하여 처리한 후, 웨트처리장치에 반송하는 것에 의해, 상기 기판 상에 전자 디바이스의 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법으로서, 상기 노광장치는 구획부재에 의해서 나누어진 제1 처리실 내에 설치되며, 상기 웨트처리장치는 상기 제1 처리실에 대해 중력방향에 관하여 아래쪽 측에 위치하는 제2 처리실 내에 설치되며, 상기 제1 처리실의 구획부재에 마련된 개구부를 통하여, 감광제가 도포된 상기 기판을 장척방향으로 상기 노광장치에 반입하며, 상기 기판의 상기 감광제에 의한 도포막에 전자 디바이스의 패턴을 노광하는 공정과, 중력방향에 관하여 상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실 사이를 나누는 구획부재에 마련된 접속부를 통하여, 상기 노광장치에서 노광된 상기 기판을 장척방향으로 상기 웨트처리장치로 반송하며, 상기 도포막을 액체로 처리하는 공정을 포함한다.According to the aspect of the present invention, a band-shaped substrate having flexibility is conveyed to an exposure apparatus in an elongated direction for processing, and then transferred to a wet processing apparatus, whereby a pattern for forming a pattern of an electronic device Wherein said exposure apparatus is installed in a first treatment chamber divided by a partition member and said wet treatment apparatus is provided in a second treatment chamber located on the lower side with respect to the first treatment chamber in the gravity direction, A step of bringing the substrate coated with a photosensitizer into the exposure apparatus in a longitudinal direction through an opening provided in a partitioning member of a first treatment chamber and exposing a pattern of the electronic device to a coating film of the substrate with the photosensitizer; Through the connection portion provided in the partitioning member dividing the first treatment chamber and the second treatment chamber with respect to the exposure apparatus It standing exposed to the substrate and the conveying direction as long as the wet processing apparatus, includes a step of treating the coating film with a liquid.

상기 제2 처리실에 설치되는 상기 웨트처리장치는, 상기 노광장치에서 노광처리되기 전의 상기 기판의 표면에 상기 도포막을 형성하는 도포장치와, 상기 노광장치에서 노광된 상기 기판의 상기 도포막을 현상액으로 처리하는 현상장치를 포함한다. Wherein the wet processing apparatus installed in the second processing chamber includes a coating apparatus for forming the coating film on the surface of the substrate before the exposure processing in the exposure apparatus, and a coating apparatus for coating the coating film of the substrate exposed in the exposure apparatus with a developer And a developing device.

상기 패턴 형성 방법은, 상기 기판을 장척방향으로 반송하기 위한 복수의 롤러로 구성되는 반송부에 의해, 상기 제2 처리실 내의 상기 도포장치, 상기 제1 처리실 내의 상기 노광장치 및 상기 제2 처리실 내의 상기 현상장치 순서로 상기 기판을 반송한다.The pattern forming method may further include a step of forming a pattern on the substrate in the coating device in the second process chamber, the exposure device in the first process chamber, and the process chamber in the second process chamber by a transporting section composed of a plurality of rollers for transporting the substrate in the long- And conveys the substrate in the developing apparatus order.

상기 기판을 상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실과의 사이에서 반송하기 위해서, 상기 반송부는, 상기 제1 처리실 측과 상기 제2 처리실 측의 각각에 마련되며, 상기 기판을 중력방향으로 되접는 롤러를 포함한다.Wherein the transfer section is provided on each of the first process chamber side and the second process chamber side to transfer the substrate between the first process chamber and the second process chamber, .

상기 제2 처리실에는, 상기 웨트처리장치에서 발생하는 폐기물을 회수하는 회수부가 마련된다.The second treatment chamber is provided with a recovery unit for recovering waste generated in the wet processing apparatus.

상기 패턴 형성 방법은, 상기 제1 처리실의 압력을 상기 제2 처리실의 압력보다도 높게 한다.In the pattern forming method, the pressure of the first processing chamber is made higher than the pressure of the second processing chamber.

상기 기판은, 중력방향에 관하여 상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실과의 사이에 설치되는 제3 처리실을 통과하도록 상기 반송부의 복수의 롤러에 의해 반송되며, 상기 도포장치에서의 처리에 의해 상기 기판에 도포된 상기 도포막, 또는 상기 현상장치에서의 처리에 의해 상기 기판에 부착된 액체를, 상기 기판이 상기 제3 처리실을 통과하는 동안에 건조 혹은 제거한다.Wherein the substrate is conveyed by a plurality of rollers of the conveying unit so as to pass through a third processing chamber provided between the first processing chamber and the second processing chamber with respect to the gravity direction, Or the liquid attached to the substrate by the treatment in the developing apparatus is dried or removed while the substrate passes through the third treatment chamber.

본 발명에 관한 태양에 의하면, 처리부의 스페이스를 효율적으로 이용할 수 있다.According to the aspect of the present invention, the space of the processing section can be efficiently used.

도 1은 본 실시형태에 관한 기판처리장치의 전체 구성을 나타내는 도면.
도 2는 본 실시형태에 관한 기판처리장치의 기판처리부의 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 본 실시형태에 관한 가열유니트의 구성을 나타내는 단면도.
도 4는 본 실시형태에 관한 가열유니트의 구성을 나타내는 사시도.
도 5는 본 실시형태에 관한 가열장치의 구성을 나타내는 사시도.
도 6은 본 실시형태에 관한 처리실에 배치되는 가열장치의 레이아웃의 예를 나타내는 도면.
도 7은 가열장치의 레이아웃의 예를 나타내는 비교도.
도 8은 본 실시형태에 관한 진동제거장치의 구성을 나타내는 측면도.
도 9는 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 10은 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 11은 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 12는 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 13은 진동제거장치의 다른 구성을 나타내는 측면도.
도 14는 본 실시형태에 관한 처리실끼리의 사이의 구성을 나타내는 도면.
도 15는 본 실시형태에 관한 유체제거장치의 구성을 나타내는 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing the entire configuration of a substrate processing apparatus according to the embodiment; Fig.
2 is a sectional view showing a configuration of a substrate processing section of the substrate processing apparatus according to the embodiment;
3 is a sectional view showing a configuration of a heating unit according to the present embodiment.
4 is a perspective view showing a configuration of a heating unit according to the present embodiment.
5 is a perspective view showing a configuration of a heating apparatus according to the present embodiment.
6 is a view showing an example of a layout of a heating apparatus disposed in a treatment chamber according to the embodiment;
7 is a comparative view showing an example of the layout of the heating apparatus.
8 is a side view showing a configuration of a vibration removing apparatus according to the present embodiment.
9 is a side view showing another configuration of the vibration removing device.
10 is a side view showing another configuration of the vibration removing device.
11 is a side view showing another configuration of the vibration removing device.
12 is a side view showing another configuration of the vibration removing device.
13 is a side view showing another configuration of the vibration removing device.
Fig. 14 is a view showing a structure between the treatment chambers according to the embodiment; Fig.
15 is a view showing a configuration of a fluid removing apparatus according to the present embodiment.

이하, 도면을 참조하여, 본 실시형태를 설명한다.Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 기판처리장치(100)의 구성을 나타내는 도면이다.Fig. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1에 나타내는 바와 같이, 기판처리장치(100)는 띠 모양의 기판(예를 들면, 시트 모양의 필름부재)(S)을 공급하는 기판공급부(2)와, 기판(S)의 표면(피처리면)(Sa)에 대해서 처리를 행하는 기판처리부(3)와, 기판(S)을 회수하는 기판회수부(4)와, 이들 각부를 제어하는 제어부(CONT)를 가지고 있다. 기판처리부(3)는 기판공급부(2)로부터 기판(S)이 송출되고 나서, 기판회수부(4)에 의해서 기판(S)이 회수될 때까지 동안에, 기판(S)의 표면에 각종 처리를 실행하기 위한 기판처리장치(100)를 구비한다. 이 기판처리장치(100)는 기판(S)상에 예를 들면 유기EL소자, 액정표시소자 등의 표시소자(전자 디바이스)를 형성하는 경우에 이용할 수 있다.1, the substrate processing apparatus 100 includes a substrate supply section 2 for supplying a strip-shaped substrate (for example, a sheet-like film member) S, A substrate recovery unit 4 for recovering the substrate S, and a control unit CONT for controlling these parts. The substrate processing section 3 performs various processes on the surface of the substrate S until the substrate S is delivered from the substrate supply section 2 and then the substrate S is collected by the substrate collecting section 4 And a substrate processing apparatus 100 for executing the substrate processing apparatus. This substrate processing apparatus 100 can be used when forming a display element (electronic device) such as an organic EL element or a liquid crystal display element on the substrate S. [

또한, 본 실시형태에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이 XYZ좌표계를 설정하고, 이하에서는 적절히 이 XYZ좌표계를 이용하여 설명을 행한다. XYZ좌표계는, 예를 들면, 수평면을 따라서 X축 및 Y축이 설정되며, 연직방향을 따라서 위쪽 방향으로 Z축이 설정된다. 또, 기판처리장치(100)는, 전체적으로 X축을 따라서, 그 마이너스 측(-측)으로부터 플러스 측(+측)으로 기판(S)을 반송한다. 그 때, 띠 모양의 기판(S)의 폭방향(단척(短尺)방향)은 Y축방향으로 설정된다.In the present embodiment, an XYZ coordinate system is set as shown in Fig. 1, and an explanation will be given below using this XYZ coordinate system as appropriate. In the XYZ coordinate system, for example, the X axis and the Y axis are set along the horizontal plane, and the Z axis is set upward in the vertical direction. Further, the substrate processing apparatus 100 conveys the substrate S from the minus side (- side) to the plus side (+ side) along the X axis as a whole. At this time, the width direction (short-length direction) of the band-shaped substrate S is set in the Y-axis direction.

기판처리장치(100)에서 처리대상이 되는 기판(S)으로서는, 예를 들면 수지필름이나 스테인리스강 등의 박(箔)(호일)을 이용할 수 있다. 예를 들면, 수지필름은 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌 비닐 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 아세트산 비닐 수지 등의 재료를 이용할 수 있다.As the substrate S to be processed in the substrate processing apparatus 100, for example, a foil (foil) such as a resin film or stainless steel can be used. For example, the resin film may be formed of a resin such as polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, Can be used.

기판(S)은, 예를 들면 200℃ 정도의 열을 받아도 치수가 변함없게 열팽창계수가 작은 것이 바람직하다. 예를 들면, 무기(無機)필러를 수지필름에 혼합하여 열팽창계수를 작게 할 수 있다. 무기필러의 예로서는, 산화 티탄, 산화 아연, 알루미나, 산화 규소 등을 들 수 있다.It is preferable that the substrate S has a small coefficient of thermal expansion so that the dimension does not change even if it receives heat of, for example, about 200 캜. For example, an inorganic (inorganic) filler can be mixed with a resin film to reduce the thermal expansion coefficient. Examples of the inorganic filler include titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide and the like.

기판(S)의 폭방향(단척방향)의 치수는 예를 들면 1m ~ 2m 정도로 형성되어 있고, 길이방향(장척(長尺)방향)의 치수는 예를 들면 10m 이상으로 형성되어 있다. 물론, 이 치수는 일례에 불과하고, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 기판(S)의 Y방향의 치수가 50㎝ 이하라도 상관없고, 2m 이상이라도 상관없다. 또, 기판(S)의 X방향의 치수가 10m 이하라도 상관없다.The dimension of the substrate S in the width direction (the short direction) is, for example, about 1 m to 2 m, and the dimension in the length direction (long direction) is, for example, 10 m or more. Of course, this dimension is merely an example, and is not limited to this. For example, the dimension of the substrate S in the Y direction may be 50 cm or less, and it may be 2 m or more. The size of the substrate S in the X direction may be 10 m or less.

기판(S)은 가요성을 가지도록 형성되어 있다. 여기서 가요성이란, 기판에 자중(自重) 정도의 힘을 가해도 전단(剪斷)하거나 파단(破斷)하거나 하지 않고, 이 기판을 휠 수 있는 것이 가능한 성질을 말한다. 또, 자중 정도의 힘에 의해서 굴곡 하는 성질도 가요성에 포함된다. 또, 상기 가요성은 이 기판의 재질, 크기, 두께, 또는 온도 등의 환경 등에 따라 바뀐다. 또한, 기판(S)으로서는, 1매의 띠 모양의 기판을 이용해도 상관없지만, 복수의 단위 기판을 접속하여 띠 모양으로 형성되는 구성으로 하여도 상관없다.The substrate S is formed to have flexibility. Here, the flexibility refers to a property that the substrate can be rolled without being sheared or fractured even when a force of about its own weight is applied to the substrate. Also, the property of flexing by the force of the degree of self weight is included in flexibility. In addition, the flexibility varies depending on the material, size, thickness, temperature, etc. of the substrate. As the substrate S, a single strip-shaped substrate may be used, but a plurality of unit substrates may be connected to form a strip.

기판공급부(2)는, 예를 들면 롤 모양으로 감겨진 기판(S)을 기판처리부(3)에 송출하여 공급한다. 이 경우, 기판공급부(2)에는 기판(S)을 감는 축부나 당해 축부를 회전시키는 회전구동장치 등이 마련된다. 이 외, 예를 들면 롤 모양으로 감겨진 상태의 기판(S)을 덮는 커버부 등이 마련된 구성이라도 상관없다. 또한, 기판공급부(2)는 롤 모양으로 감겨진 기판(S)을 송출하는 기구에 한정되지 않고, 띠 모양의 기판(S)을 그 길이방향으로 차례차례 송출하는 기구를 포함하는 것이면 된다.The substrate feeding section 2 feeds the substrate S wound, for example, in the form of a roll to the substrate processing section 3 for supply. In this case, the substrate supply unit 2 is provided with a shaft for winding the substrate S or a rotation driving device for rotating the shaft. In addition, a cover portion for covering the substrate S wound, for example, in the form of a roll may be provided. The substrate feeding part 2 is not limited to the mechanism for feeding the substrate S rolled up in a roll shape but may be a device including a mechanism for sequentially feeding the band-like substrate S in the longitudinal direction thereof.

기판회수부(4)는 기판처리부(3)가 구비하는 기판처리장치(100)를 통과한 기판(S)을 예를 들면 롤 모양으로 권취하여 회수한다. 기판회수부(4)에는, 기판공급부(2)와 마찬가지로, 기판(S)을 감기 위한 축부나 당해 축부를 회전시키는 회전구동원, 회수한 기판(S)을 덮는 커버부 등이 마련되어 있다. 또한, 기판처리부(3)에서 기판(S)이 패널 모양으로 절단되는 경우 등에는 예를 들면 기판(S)을 겹친 상태로 회수하는 등, 롤 모양으로 감은 상태와는 다른 상태에서 기판(S)을 회수하는 구성이라도 상관없다.The substrate collecting unit 4 collects the substrate S having passed through the substrate processing apparatus 100 provided in the substrate processing unit 3, for example, in the form of a roll. Like the substrate supplying unit 2, the substrate collecting unit 4 is provided with a shaft for winding the substrate S, a rotation driving source for rotating the shaft, a cover unit for covering the recovered substrate S, and the like. When the substrate S is cut in the form of a panel in the substrate processing section 3, the substrate S is recovered in a stacked state, for example, It is also possible to adopt a configuration in which the recovery is performed.

기판처리부(3)는 기판공급부(2)로부터 공급되는 기판(S)을 기판회수부(4)로 반송함과 아울러, 반송의 과정에서 기판(S)의 피처리면(Sa)에 대해서 처리를 행한다. 기판처리부(3)는 처리장치(10) 및 반송장치(반송부)(20)를 가지고 있다.The substrate processing section 3 transports the substrate S supplied from the substrate supply section 2 to the substrate collection section 4 and performs processing on the processed surface Sa of the substrate S in the course of transport . The substrate processing section 3 has a processing apparatus 10 and a transfer apparatus (transfer section)

처리장치(10)는 기판(S)의 피처리면(Sa)에 대해서 예를 들면 유기EL소자를 형성하기 위한 각종 장치를 가지고 있다. 이와 같은 장치로서는, 예를 들면 피처리면(Sa)상에 격벽을 형성하기 위한 격벽형성장치, 전극을 형성하기 위한 전극형성장치, 발광층을 형성하기 위한 발광층 형성장치 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 액적(液滴)도포장치(예를 들면 잉크젯형 도포장치 등), 성막(成膜)장치(예를 들면 도금장치, 증착(蒸着)장치, 스퍼터링(sputtering) 장치), 노광장치, 현상장치, 표면개질(改質)장치, 세정장치 등을 들 수 있다. 이들 각 장치는 기판(S)의 반송경로를 따라서 적절히 마련된다. 본 실시형태에서는, 처리장치(10)로서, 예를 들면 도포장치(41), 가열장치(51 ~ 53), 노광장치(EX), 현상장치(42), 세정장치(43), 도금장치(44)(이상, 도 2 이후에서 상세히 설명) 등이 이용된 구성을 예로 들어 설명한다.The processing apparatus 10 has various apparatuses for forming, for example, an organic EL element with respect to an object surface Sa of the substrate S. Examples of such devices include a barrier-wall forming apparatus for forming barrier ribs on an object surface Sa, an electrode forming apparatus for forming electrodes, and a light-emitting layer forming apparatus for forming a light-emitting layer. More specifically, the present invention can be applied to a coating apparatus such as a droplet applying apparatus (e.g., an inkjet type coating apparatus), a film forming apparatus (e.g., a plating apparatus, a deposition apparatus, a sputtering apparatus) An apparatus, a developing apparatus, a surface modifying apparatus, a cleaning apparatus, and the like. Each of these devices is appropriately provided along the conveying path of the substrate S. In this embodiment, as the processing apparatus 10, for example, a coating apparatus 41, heating apparatuses 51 to 53, an exposure apparatus EX, a developing apparatus 42, a cleaning apparatus 43, 44) (which will be described in detail later on with reference to FIG. 2) will be described as an example.

반송장치(20)는 기판처리부(3) 내에서 기판(S)을 안내하는 복수의 안내롤러(안내부)(R)(도 1에서는, 2개의 롤러만을 예시)를 가지고 있다. 안내롤러(R)는 기판(S)의 반송경로를 따라서 배치되어 있다. 복수의 안내롤러(R) 중 적어도 일부의 안내롤러(R)에는 회전구동기구(미도시)가 장착되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 반송장치(20)에서의 반송경로의 길이는, 예를 들면 전체 길이 수백 미터 정도로 되어 있다.The conveying device 20 has a plurality of guide rollers (guide portions) R (only two rollers in FIG. 1) for guiding the substrate S in the substrate processing portion 3. [ The guide roller R is disposed along the conveying path of the substrate S. At least a part of the guide rollers R of the plurality of guide rollers R is equipped with a rotation drive mechanism (not shown). In the present embodiment, the length of the conveying path in the conveying device 20 is, for example, a total length of several hundred meters.

도 2는 기판처리부(3)의 일부의 구성을 나타내는 단면도이다.Fig. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of a part of the substrate processing section 3. Fig.

도 2에 나타내는 바와 같이, 기판처리부(3)는 3개의 처리실(11 ~ 13)을 가지고 있다. 처리실(11 ~ 13)은 구획부(14)에 의해서 나누어져 있다.As shown in FIG. 2, the substrate processing section 3 has three processing chambers 11 to 13. The treatment chambers 11 to 13 are divided by the partitioning portion 14. [

구획부(14)는 처리실(11)의 바닥부를 구성하는 구획부재(14a)와, 처리실(11)의 천장부 및 처리실(12)의 바닥부를 구성하는 구획부재(14b)와, 처리실(12)의 천장부 및 처리실(13)의 바닥부를 구성하는 구획부재(14c)와, 처리실(13)의 천장부를 구성하는 구획부재(14d)를 구비한다.The partitioning portion 14 has a partition member 14a constituting a bottom portion of the treatment chamber 11, a partition member 14b constituting a ceiling portion of the treatment chamber 11 and a bottom portion of the treatment chamber 12, A partition member 14c constituting a ceiling portion and a bottom portion of the treatment chamber 13 and a partition member 14d constituting a ceiling portion of the treatment chamber 13. [

처리실(11)은 복수의 처리실 안에서 중력방향의 최하부(가장 -Z측)에 배치되어 있다. 처리실(11)은 기판(S)에 대해서 액체를 이용한 처리(웨트(wet)처리)를 행하는 처리공간을 형성하고 있다. 처리실(11)에는, 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이, 처리장치(10)로서, 기판(S)에 도포하기 위한 레지스트액을 수용하는 레지스트액 수용용기(41a)를 구비하는 도포장치(41)와, 기판(S)에 현상처리를 행하기 위한 현상액을 수용하는 현상액 수용용기(42a)를 구비하는 현상장치(42)와, 기판(S)을 세정하는 세정액을 수용하는 세정액 수용용기(43a)를 구비하는 세정장치(43)와, 세정처리 후의 기판(S)에 대해서 패턴을 형성하기 위한 도금액을 수용하는 도금액 수용용기(44a)를 구비하는 도금장치(44)가 마련되어 있다. 또한, 처리실(11)에는, 상술한 액체에 한정하지 않고, 각종 액체를 사용하는 처리장치를 수용하는 것이 가능하다.The treatment chamber 11 is disposed at the lowermost part (the most-Z side) in the gravity direction in the plurality of treatment chambers. The processing chamber 11 forms a processing space for performing processing (wet processing) using liquid on the substrate S. As shown in FIG. 2, for example, the processing chamber 10 is provided with a coating apparatus 41 having a resist solution container 41a for containing a resist solution to be coated on the substrate S A developing device 42 having a developer accommodating container 42a for accommodating a developer for carrying out development processing on the substrate S and a cleaning liquid container 43a for accommodating the cleaning liquid for cleaning the substrate S, A plating apparatus 44 having a plating liquid container 44a for containing a plating liquid for forming a pattern on the substrate S after the cleaning process is provided. In addition, the processing chamber 11 is not limited to the above-described liquid, and it is possible to accommodate a processing apparatus using various liquids.

도포장치(41)는 당해 도포장치(41)의 내부에 배치되고, 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R2) 및 도포처리가 종료한 기판(S)을 도포장치(41) 내로부터 처리실(11)로 반출하는 안내롤러(R3)를 가진다. 기판(S)의 반송방향에 관한 안내롤러(R2)의 상류 측에는 기판공급부(2)로부터 공급된 기판(S)을 도포장치(41)로 안내하는 안내롤러(R1)가 배치되어 있다. 현상장치(42)에는 당해 현상장치(42)의 내부에 배치되고, 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R20) 및 현상처리가 종료한 기판(S)을 현상장치(42) 내로부터 처리실(11) 내로 반출하는 안내롤러(R21)를 가진다. 기판(S)의 반송방향에 관한 안내롤러(R20)의 상류 측에는 처리실(12)의 가열장치(52)로부터 안내롤러(R17)를 통하여 기판(S)을 현상장치(42)로 안내하는 안내롤러(R18 및 R19)가 배치되어 있다.The application device 41 is disposed inside the application device 41 and guides the substrate S from the application device 41 to the processing chamber 41 through the guide roller R2 for guiding the substrate S and the substrate S, And a guide roller R3 for guiding the sheet bundle 11 to the outside. A guide roller R1 for guiding the substrate S supplied from the substrate supply section 2 to the coating device 41 is disposed on the upstream side of the guide roller R2 in the carrying direction of the substrate S. [ The developing device 42 is provided with a guide roller R20 for guiding the substrate S and a substrate S having undergone the developing process from the inside of the developing device 42 to the processing chamber 11). A guide roller R20 for guiding the substrate S from the heating device 52 of the processing chamber 12 to the developing device 42 through a guide roller R17 is provided on the upstream side of the guide roller R20, (R18 and R19) are disposed.

기판(S)의 반송방향에서의 안내롤러(R21)의 하류 측에는 기판(S)을 현상장치(42)로부터 세정장치(43)로 안내하는 안내롤러(R22 및 R23)가 배치되어 있다. 또한, 이들 안내롤러(R1, R18, R19, R22 및 R23)는 처리실(11) 내에 배치되어 있다.Guide rollers R22 and R23 for guiding the substrate S from the developing device 42 to the cleaning device 43 are disposed on the downstream side of the guide roller R21 in the transport direction of the substrate S. [ The guide rollers R1, R18, R19, R22, and R23 are disposed in the process chamber 11. [

세정장치(43)에는 당해 세정장치(43)의 내부에 배치되고, 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R24) 및 세정처리가 종료한 기판(S)을 세정장치(43) 내로부터 처리실(11) 내로 반출하는 안내롤러(R25)가 구비되어 있다. 도금장치(44)에는 당해 도금장치(44)의 내부에 배치되고, 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R28)와, 도금처리가 종료한 기판(S)을 도금장치(44)로부터 처리실(11) 내로 반출하는 안내롤러(R29)가 구비되어 있다.The cleaning device 43 is provided with a guide roller R24 for guiding the substrate S and a substrate S which has been subjected to the cleaning process are disposed inside the cleaning device 43 from the inside of the cleaning device 43 to the processing chamber 11 which are provided in the guide rails R25 and R25. The plating device 44 is provided with a guide roller R28 disposed inside the plating device 44 for guiding the substrate S and a substrate S from which the plating process has been completed is transferred from the plating device 44 to the processing chamber 11) for guiding the sheet to the outside.

구획부재(14a)에는 도시하지 않은 회수장치에 접속된 폐액(廢液)회수유로의 일부를 구성하는 복수의 회수관(폐액회수부, 회수부)(45)이 마련되어 있다. 회수관(45)의 일단부는 도포장치(41), 현상장치(42) 및 세정장치(43)의 각각에 접속되고, 타단부는 회수장치에 접속된 도시하지 않은 폐액회수유로에 접속되어 있다. 각 회수관(45)은 도포장치(41), 현상장치(42) 및 세정장치(43)에서 폐액이 된 레지스트액, 현상액 및 세정액을 폐액회수유로를 통하여 회수장치로 배출한다. 회수관(45)에는 도시하지 않은 개폐밸브 등이 마련되어 있다. 제어부(CONT)는 당해 개폐밸브의 개폐의 타이밍을 제어 가능하다. 본 실시형태에서는, 중력방향의 최하부의 처리실(11)에 웨트처리용의 장치가 마련되어 있기 때문에, 이들 장치와 회수장치와의 사이의 폐액회수유로의 유로계(流路系)의 길이를 억제할 수 있다.The partition member 14a is provided with a plurality of collecting tubes (a waste liquid collecting section, collecting section) 45 constituting a part of a waste liquid collecting passage connected to a collecting device not shown. One end of the recovery pipe 45 is connected to each of the application device 41, the developing device 42 and the cleaning device 43 and the other end is connected to a waste liquid recovery flow passage (not shown) connected to the recovery device. Each recovery pipe 45 discharges the resist solution, the developing solution and the cleaning solution, which have become the waste solution, in the application device 41, the developing device 42 and the cleaning device 43 through the waste solution return flow path to the recovery device. The return pipe 45 is provided with an open / close valve (not shown). The control unit CONT can control the timing of opening and closing the opening / closing valve. In the present embodiment, since the apparatus for wet treatment is provided in the treatment chamber 11 at the bottommost portion in the gravity direction, the length of the flow path system (flow path system) of the waste liquid recovery flow path between these devices and the recovery device can be suppressed .

처리실(12)은 처리실(11)의 위쪽(+Z측)에 배치되어 있다. 처리실(12)은 기판(S)에 대해서 가열처리를 행하는 처리공간을 형성하고 있다. 처리실(12)에는, 처리장치(10)로서, 기판(S)을 가열하는 가열장치(51 ~ 53)가 마련되어 있다. 가열장치(51)는 도포장치(41)에 의해서 레지스트액이 도포된 기판(S)을 가열하여, 레지스트액을 건조시킨다. 가열장치(52)는 처리실(13)의 노광장치(EX)를 통과한 기판(S)을 다시 가열하여, 레지스트액을 건조시킨다. 가열장치(52)는 가열장치(51)의 가열온도와 다른 온도, 예를 들면, 가열장치(51)의 가열온도보다 높은 온도로 기판(S)을 가열하고 있다. 가열장치(53)는 현상장치(42)에 의해서 현상처리가 행해지고, 또한 세정장치(43)에 의해서 세정된 후의 기판(S)을 가열하여, 기판(S)의 표면을 건조시킨다.The treatment chamber 12 is disposed on the upper side (+ Z side) of the treatment chamber 11. The processing chamber 12 forms a processing space for performing heat treatment on the substrate S. The processing chamber 12 is provided with heating devices 51 to 53 for heating the substrate S as the processing device 10. The heating device 51 heats the substrate S coated with the resist solution by the application device 41 to dry the resist solution. The heating apparatus 52 heats the substrate S having passed through the exposure apparatus EX of the processing chamber 13 again to dry the resist solution. The heating device 52 heats the substrate S to a temperature different from the heating temperature of the heating device 51, for example, a temperature higher than the heating temperature of the heating device 51. [ The heating device 53 heats the substrate S after development processing by the developing device 42 and cleaning by the cleaning device 43 to dry the surface of the substrate S.

기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(51)의 상류 측에는 처리실(11) 내의 도포장치(41)를 통과한 기판(S)을 당해 가열장치(51)로 안내하는 안내롤러(R4)가 배치되어 있다. 기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(51)의 하류 측에는 안내롤러(R5, R6 및 R7)가 반송경로를 따라서 배치되어 있으며, 이들 안내롤러(R5, R6 및 R7)에 의해서 처리실(13) 내의 노광장치(EX)로 기판(S)을 안내하고 있다.A guide roller R4 for guiding the substrate S having passed through the coating device 41 in the treatment chamber 11 to the heating device 51 is provided on the upstream side of the heating device 51 with respect to the conveying direction of the substrate S Respectively. On the downstream side of the heating device 51 relating to the conveying direction of the substrate S, guide rollers R5, R6 and R7 are arranged along the conveying path, and these guide rollers R5, The substrate S is guided by the exposure apparatus EX in the exposure apparatus EX.

기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(52)의 상류 측에는 처리실(13)의 노광장치(EX)를 통과한 기판(S)을 안내롤러(R13)를 통하여 당해 가열장치(52)로 안내하는 안내롤러(R14, R15 및 R16)가 반송경로를 따라서 배치되어 있다. 기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(52)의 하류 측에는 처리실(11)의 현상장치(42)로, 안내롤러(R18 및 R19)를 통하여 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R17)가 배치되어 있다.The substrate S having passed through the exposure apparatus EX of the processing chamber 13 is guided to the heating device 52 through the guide roller R13 on the upstream side of the heating device 52 in the carrying direction of the substrate S The guide rollers R14, R15 and R16 are arranged along the conveying path. A guide roller R17 for guiding the substrate S through the guide rollers R18 and R19 to the developing device 42 of the treatment chamber 11 is provided on the downstream side of the heating device 52 in the conveying direction of the substrate S, Respectively.

기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(53)의 상류 측에는 세정장치(43)를 통과한 기판(S)을 당해 가열장치(53)로 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R26)가 배치되어 있다. 또, 기판(S)의 반송방향에 관한 가열장치(53)의 하류 측에는 처리실(11) 내의 도금장치(44)로 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R27)가 배치되어 있다. 또, 안내롤러(R27)의 +X측에는 다음의 공정으로 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R30)가 배치되어 있다. 이들 안내롤러(R4, R5, R6, R7, R14, R15, R16, R17, R26, R27 및 R30)는 처리실(12) 내에 배치되어 있다.A guide roller R26 for guiding the substrate S to the heating device 53 is provided on the upstream side of the heating device 53 with respect to the conveying direction of the substrate S, Respectively. A guide roller R27 for guiding the substrate S to the plating device 44 in the treatment chamber 11 is disposed downstream of the heating device 53 in the conveying direction of the substrate S. [ On the + X side of the guide roller R27, a guide roller R30 for guiding the substrate S is disposed in the next step. These guide rollers R4, R5, R6, R7, R14, R15, R16, R17, R26, R27 and R30 are disposed in the process chamber 12. [

구획부재(14b)에는, 처리실(11)과 처리실(12)과의 사이에서, 기판(S)을 통과시키기 위한 복수의 접속부(15 ~ 19)가 마련되어 있다. 접속부(15 ~ 19)는, 예를 들면, 구획부재(14b)를 Z방향으로 관통하는 관통구멍이다. 각 접속부(15 ~ 19)는 기판(S)이 통과 가능한 치수로 형성되어 있다. 기판(S)은 접속부(15 ~ 19)를 통과하는 것에 의해서 처리실(11)과 처리실(12)과의 사이에 걸쳐 이동한다.The partition member 14b is provided with a plurality of connection portions 15 to 19 for passing the substrate S between the process chamber 11 and the process chamber 12. [ The connecting portions 15 to 19 are, for example, through holes penetrating the partitioning member 14b in the Z direction. Each of the connecting portions 15 to 19 is formed in such a dimension that the substrate S can pass therethrough. The substrate S moves between the processing chamber 11 and the processing chamber 12 by passing through the connecting portions 15 to 19. [

안내롤러(R3) 및 안내롤러(R4)는 기판(S)이 접속부(15)를 통과하도록 안내한다. 안내롤러(R17) 및 안내롤러(R18)는 기판(S)이 접속부(16)를 통과하도록 안내한다. 안내롤러(R25) 및 안내롤러(R26)는 기판(S)이 접속부(17)를 통과하도록 안내한다. 안내롤러(R27) 및 안내롤러(R28)는 기판(S)이 접속부(18)를 통과하도록 안내한다. 안내롤러(R29) 및 안내롤러(R30)는 기판(S)이 접속부(19)를 통과하도록 안내한다. 이와 같이, 반송장치(20)는 기판(S)이 접속부(15 ~ 19)를 통과하도록 당해 기판(S)을 안내한다.The guide roller R3 and the guide roller R4 guide the substrate S through the connection portion 15. [ The guide roller R17 and the guide roller R18 guide the substrate S to pass through the connection portion 16. The guide roller R25 and the guide roller R26 guide the substrate S to pass through the connecting portion 17. The guide roller R27 and the guide roller R28 guide the substrate S to pass through the connection portion 18. The guide roller R29 and the guide roller R30 guide the substrate S to pass through the connecting portion 19. Thus, the transfer apparatus 20 guides the substrate S so that the substrate S passes through the connection portions 15-19.

또한, 접속부(15 ~ 19)를 사이에 두고 배치된 상기의 안내롤러(R3, R4, R17, R18, R25 ~ R30)가, 예를 들면 기판(S)의 온도를 조정하는 온도조절장치를 가지는 구성이라도 상관없다. 이 구성에 의해, 가열장치(51 ~ 53)의 전후에서 기판(S)의 온도조정이 가능하게 된다.The guide rollers R3, R4, R17, R18, and R25 to R30 disposed above the connecting portions 15 to 19 are provided with a temperature control device for adjusting the temperature of the substrate S It may be a configuration. With this configuration, it is possible to adjust the temperature of the substrate S before and after the heating apparatuses 51 to 53.

다음으로 가열장치(51 ~ 53)의 상세한 구성에 대해서 설명한다. 가열장치(51 ~ 53)는 각각 하나 또는 복수의 가열유니트(50)를 가지고 있다. 도 3은 가열유니트(50)의 구성을 나타내는 측단면도이다. 도 4는 가열유니트(50)의 구성을 나타내는 사시도이다.Next, the detailed configuration of the heating apparatuses 51 to 53 will be described. Each of the heating devices 51 to 53 has one or a plurality of heating units 50. 3 is a side sectional view showing a configuration of the heating unit 50. As shown in Fig. Fig. 4 is a perspective view showing a configuration of the heating unit 50. Fig.

도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 가열유니트(50)는 케이스(60) 및 케이스(60) 내를 가열하는 가열부(70)를 가지고 있다.As shown in Figs. 3 and 4, the heating unit 50 has a case 60 and a heating unit 70 for heating the inside of the case 60. Fig.

케이스(60)는 한 쌍의 제1 벽부(우측벽부(60d) 및 좌측벽부(60c))와, 한 쌍의 제2 벽부(상벽부(60f) 및 하벽부(60e))에 의해서, 내부 공간을 형성하는 직사각형의 환상(環狀, 고리 모양)이다. 그리고, 케이스(60)에 형성된 내부 공간은 기판수용실(수용실)(62)로서 기능한다. 케이스(60)의 한쪽의 제1 벽부(좌측 측벽부)(60c)에는 기판반입구(반입구)(61)가 형성되고, 케이스(60)의 다른 쪽의 제1 벽부(우측 측벽부)(60d)에는 기판반출구(반출구)(63)가 형성되어 있다. 또, 케이스(60)의 한쪽의 단면(-Y측의 단면)을 제1 개구단(60a)으로 하고, 케이스(60)의 다른 쪽의 단면(Y측의 단면)을 제2 개구단(60b)으로 한다. 케이스(60)의 제1 개구단(60a) 및 제2 개구단(60b)에는 복수의 가열유니트(50)를 연결시키기 위한 연결부(미도시)가 마련되어 있다.The case 60 is formed by a pair of first wall portions 60d and 60c and a pair of second wall portions 60f and 60e, And is a rectangular annular shape. The inner space formed in the case 60 functions as a substrate accommodating chamber (accommodating chamber) 62. (Inlet port) 61 is formed in one of the first wall portions (left side wall portion) 60c of the case 60 and the other first wall portion (right side wall portion) 60d are formed with a substrate transfer port (transfer port) 63. One end face (end face on the -Y side) of the case 60 is used as the first opening end 60a and the other end face (end face on the Y side) of the case 60 is connected to the second opening end 60b ). The first opening end 60a and the second opening end 60b of the case 60 are provided with connecting portions (not shown) for connecting the plurality of heating units 50.

케이스(60)의 제1 개구단(60a) 및 제2 개구단(60b)은 기판수용실(62)을 밀폐하는 덮개부가 장착 가능하게 되어 있다. 이 때문에, 가열유니트(50)를 하나만 이용하는 경우에는 개구단(60a 및 60b)의 단면을 폐색하는 것에 의해서 밀폐공간을 형성하는 것이 가능하다. 또, 복수의 가열유니트(50)를 연결함으로써, 단체(單體)의 가열유니트(50)를 이용하는 경우에 비해 큰 밀폐공간을 형성할 수 있다. 이 경우에는 연결방향의 끝단에 배치되는 가열유니트(50)의 단면을 덮개부로 폐색하는 것이 가능하게 되어 있다.The first opening end 60a and the second opening end 60b of the case 60 are configured such that a lid for sealing the substrate accommodating chamber 62 can be mounted. Therefore, when only one heating unit 50 is used, it is possible to form a closed space by closing the end faces of the opening ends 60a and 60b. Further, by connecting the plurality of heating units 50, a larger sealed space can be formed than in the case of using a single heating unit 50. In this case, the end face of the heating unit 50 disposed at the end of the connection direction can be closed with the lid part.

기판반입구(61) 및 기판반출구(63)는 기판(S)이 통과 가능한 치수로 형성되어 있다. 즉, 기판반입구(61) 및 기판반출구(63)의 Z방향의 치수는 기판(S)의 두께보다도 크게 형성되어 있다. 또, 기판반입구(61) 및 기판반출구(63)의 Y방향의 치수는 기판(S)의 단수(短手, 길이가 짧은)방향의 치수보다도 크게 형성되어 있다.The substrate inlet port 61 and the substrate outlet port 63 are formed so that the substrate S can pass therethrough. That is, the dimensions of the substrate inlet port 61 and the substrate outlet port 63 in the Z direction are formed larger than the thickness of the substrate S. The dimensions of the substrate inlet port 61 and the substrate exit port 63 in the Y direction are formed to be larger than the dimensions of the substrate S in the short (shorter), shorter (shorter) direction.

기판수용실(62)에는 기판(S)을 안내하는 되접기롤러(되접기부)(64 ~ 67)가 마련되어 있다. 되접기롤러(64 ~ 67)는 도시하지 않은 지지부재에 의해서 케이스(60)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 되접기롤러(64 및 66)는 기판수용실(62)의 +X측의 단부, 즉 우측 측벽부(60d) 측에 배치되어 있다. 되접기롤러(65 및 67)는 기판수용실(62)의 -X측의 단부, 즉 좌측 측벽부(60c) 측에 배치되어 있다. 되접기롤러(64, 65, 66 및 67)는 이 순서로 케이스(60)의 상부(+Z측)로부터 하부(-Z측)로 향해서 배치되어 있다.The substrate holding chamber 62 is provided with folding rollers (folding back portions) 64 to 67 for guiding the substrate S therein. The folding back rollers 64 to 67 are rotatably supported on the case 60 by a support member (not shown). The folding rollers 64 and 66 are disposed on the + X side end of the substrate accommodation chamber 62, that is, on the right side wall portion 60d side. The folding rollers 65 and 67 are disposed on the -X side end of the substrate accommodation chamber 62, that is, on the left side wall portion 60c side. The folding rollers 64, 65, 66 and 67 are arranged in this order from the upper portion (+ Z side) to the lower portion (-Z side) of the case 60.

되접기롤러(64)는 기판반입구(61)로부터 반입되어 +X방향으로 진행하는 기판(S)을 -X방향으로 되접는다. 되접기롤러(65)는 되접기롤러(64)에 의해 되접어져 -X방향으로 진행하는 기판(S)을 +X방향으로 되접는다. 되접기롤러(66)는 되접기롤러(64)에 의해 되접어져 +X방향으로 진행하는 기판(S)을 -X방향으로 되접는다. 되접기롤러(65)는 되접기롤러(64)에 의해 되접어져 -X방향으로 진행하는 기판(S)을 +X방향으로 되접는다.The folding back roller 64 is fed from the substrate inlet port 61 and folds back the substrate S advancing in the + X direction in the -X direction. The folding back roller 65 is folded back by the folding roller 64 to fold the substrate S moving in the -X direction back in the + X direction. The folding roller 66 is folded back by the folding roller 64 to fold the substrate S moving in the + X direction back in the -X direction. The folding back roller 65 is folded back by the folding roller 64 to fold the substrate S moving in the -X direction back in the + X direction.

따라서, 되접기롤러(64 ~ 67)에 의해서 안내되는 기판(S)은 Z방향으로 보았을 때에 당해 기판(S)의 되접기편(일부)끼리가 겹침과 아울러, 당해 되접기편끼리가 비접촉이 된 상태로 배치된다. 이 때문에, 기판(S)의 피처리면(Sa)의 상태를 유지하면서, 기판수용실(62)에 기판(S)이 효율적으로 수용된다.Therefore, when viewed in the Z direction, the substrate S guided by the folding rollers 64 to 67 overlap each other with the folded back portions (portions) of the substrate S, and the folded sheets are not contacted with each other . Therefore, the substrate S is efficiently accommodated in the substrate accommodation chamber 62 while maintaining the state of the surface S of the substrate S to be processed.

되접기롤러(64 ~ 67) 중 적어도 1개에는, 예를 들면 모터 등의 도시하지 않은 회전구동기구가 접속되어 있다. 제어부(CONT)는 당해 회전구동기구의 회전수 및 회전의 타이밍을 조정 가능하다. 따라서, 가열유니트(50)마다 기판(S)의 반송속도를 조정 가능하게 되어 있다.At least one of the folding rollers 64 to 67 is connected to a rotation driving mechanism (not shown) such as a motor. The control section CONT is capable of adjusting the number of revolutions and the timing of rotation of the rotary drive mechanism. Therefore, the conveying speed of the substrate S can be adjusted for each heating unit 50. [

또, 되접기롤러(64 ~ 67) 중 적어도 1개를 X방향, Y방향 및 Z방향 중 어느 한쪽으로 이동 가능하게 해도 상관없다. 이 경우, 제어부(CONT)가 되접기롤러(64 ~ 67)의 이동을 제어하는 것에 의해, 가열유니트(50)마다 기판(S)의 반송경로를 조정 가능하게 된다. 또한, 본 실시형태에서는, 케이스(60) 내에 4개의 되접기롤러를 배치했지만, 기판(S)의 가열시간에 따라서, 그 수를 증감하는 것도 가능하다.Further, at least one of the folding rollers 64 to 67 may be movable in either the X direction, the Y direction, or the Z direction. In this case, the control unit CONT controls the movement of the folding rollers 64 to 67, so that the conveyance path of the substrate S can be adjusted for each heating unit 50. In the present embodiment, four folding rollers are disposed in the case 60, but it is also possible to increase or decrease the number of folding rollers in accordance with the heating time of the substrate S.

도 5는 가열장치(51 ~ 53)의 구성을 예시하는 도면이다.Fig. 5 is a diagram illustrating the configuration of the heating devices 51 to 53. Fig.

도 5에 나타내는 바와 같이, 가열장치(51 ~ 53)는 Y방향으로 복수 늘어서 배치된 복수의 가열유니트(50)를 가지고 있다. 당해 복수의 가열유니트(50)는 인접하는 가열유니트(50)끼리가 연결된 상태로 되어 있다. 또한, 도 5에서는 가열유니트(50)의 제1 개구단(60a)의 덮개부를 생략하고 있다.As shown in Fig. 5, the heating devices 51 to 53 have a plurality of heating units 50 arranged in a plurality of rows in the Y direction. The plurality of heating units 50 are in a state where the adjacent heating units 50 are connected to each other. In Fig. 5, the lid of the first opening end 60a of the heating unit 50 is omitted.

가열유니트(50)를 연결함으로써, 기판수용실(62)끼리가 연통하게 된다. 따라서, 가열유니트(50)를 연결함으로써, 기판(S)의 반송경로가 복수 마련된 하나의 가열로(爐)를 구성하는 것이 가능하게 된다. 가열부(70)는 복수의 가열유니트(50)에 대해서 공통되어서 마련되는 구성으로 하여도 되고, 가열유니트(50)의 각각에 대해서 개별적으로 마련되는 구성으로 하여도 된다.By connecting the heating unit 50, the substrate accommodation chambers 62 communicate with each other. Therefore, by connecting the heating unit 50, it is possible to constitute one heating furnace in which a plurality of conveying paths of the substrate S are provided. The heating unit 70 may be provided in common to the plurality of heating units 50, or may be provided separately for each of the heating units 50.

가열부(70)가 복수의 가열유니트(50)에 대해서 공통되어서 마련되는 경우, 가열부(70)는 하나의 가열로로서 형성된 복수의 기판수용실(62)을 한데 모아서 가열할 수 있다. 이 때문에, 다른 반송경로를 통하여 반송되는 복수의 기판(S)이 하나의 가열로에서 가열부(70)에 의해서 한데 모아서 가열되게 된다. 이 때문에, 가열처리의 효율화를 도모할 수 있다. 또한, 가열부(70)를 가열유니트(50)마다 각각 마련하는 구성의 경우, 가열유니트(50)마다 가열온도나 가열의 타이밍을 조정하도록 해도 상관없다. 또, 가열부(70)로서는 발열기구나, 전자파를 조사하는 조사부(미도시) 등을 이용할 수 있다.When the heating section 70 is provided in common to a plurality of the heating units 50, the heating section 70 can collect a plurality of substrate containing chambers 62 formed as one heating furnace and heat them. Therefore, the plurality of substrates S conveyed through the other conveyance path are collected and heated by the heating unit 70 in one heating furnace. Therefore, the efficiency of the heat treatment can be improved. In the case where the heating unit 70 is provided for each heating unit 50, the heating temperature and the timing of heating may be adjusted for each heating unit 50. As the heating unit 70, a heating unit or an irradiation unit (not shown) for irradiating electromagnetic waves can be used.

도 6은 처리실(12)에서의 가열장치(51 및 52)의 배치를 나타내는 도면이다.Fig. 6 is a diagram showing the arrangement of the heating devices 51 and 52 in the process chamber 12. Fig.

도 6에 나타내는 구성에서는, 처리실(12)에서 복수의 가열유니트(50)를 연결시킨 가열장치(51)가 Y방향으로 복수(3개) 늘어서 배치된 구성으로 되어 있다. 이와 같이, 가열유니트(50) 혹은 가열장치(51)를 Y방향으로 늘어놓아 배치시킴으로써, 도 7에 나타내는 가열유니트(50)를 X방향으로 늘어놓아 배치시킨 구성에 비해, 처리실(12)의 스페이스를 절약할 수 있다.In the configuration shown in Fig. 6, a plurality of (three) heating devices 51 connected to a plurality of heating units 50 in the process chamber 12 are arranged in the Y direction. 7 is arranged in the X direction by arranging the heating unit 50 or the heating unit 51 arranged in the Y direction as described above, the space of the processing chamber 12 . ≪ / RTI >

도 2로 돌아와, 처리실(13)은 처리실(12)의 위쪽(+Z측)에 배치되어 있다. 처리실(13)은 기판(S)에 대해서 노광처리를 행하는 처리공간이다. 처리실(13)에는, 처리장치(10)로서, 노광장치(EX)가 마련되어 있다. 노광장치(EX)는 도포장치(41)에서 기판(S)에 도포된 레지스터층에 마스크의 패턴을 통한 노광광을 조사한다. 처리실(13)에는 노광장치(EX)의 노광광이 조사되는 위치로 기판(S)을 안내하는 안내롤러(R10 및 R11)가 배치되어 있다.Returning to Fig. 2, the processing chamber 13 is disposed on the upper side (+ Z side) of the processing chamber 12. The processing chamber 13 is a processing space for performing exposure processing on the substrate S. In the treatment chamber 13, the exposure apparatus EX is provided as the treatment apparatus 10. [ The exposure apparatus EX irradiates the resist layer coated on the substrate S in the coating apparatus 41 with exposure light through a pattern of a mask. The treatment chamber 13 is provided with guide rollers R10 and R11 for guiding the substrate S to a position where exposure light of the exposure apparatus EX is irradiated.

구획부재(14c)에는 개구부(90)가 형성되어 있다. 개구부(90)는 구획부재(14c)를 Z방향으로 관통하여 형성되어 있다. 기판(S)은 안내롤러(R8 및 R9)에 의해, 당해 개구부(90)를 통하여 처리실(12)로부터 처리실(13)로 안내된다. 또, 기판(S)은 안내롤러(R12 및 R13)에 의해, 당해 개구부(90)를 통하여 처리실(13)로부터 처리실(12)로 안내된다. 이와 같이, 개구부(90)는 기판(S)이 통과하는 부분이다.An opening 90 is formed in the partition member 14c. The opening 90 is formed through the partition member 14c in the Z direction. The substrate S is guided from the processing chamber 12 to the processing chamber 13 through the opening portion 90 by the guide rollers R8 and R9. The substrate S is guided from the processing chamber 13 to the processing chamber 12 through the opening portion 90 by the guide rollers R12 and R13. Thus, the opening 90 is a portion through which the substrate S passes.

개구부(90)의 내부에는 반송장치(20)(예를 들면, 안내롤러(R8 ~ R13) 등)에 의해서 안내되는 기판(S)의 진동을 제거하는 진동제거장치(조정기구)(91)가 마련되어 있다. 진동제거장치(91)는 기판(S)의 장력을 해소하고, 기판(S)의 진동전달성을 저하시킴으로써, 기판(S)에 전달된 진동을 제거하는 구성으로 되어 있다. 그래서, 본 실시형태에서의 진동제거장치(91)는 기판(S)의 장력을 해소하기 위한 장력해소기구(92 및 93)를 가지고 있다. 또한, 진동제거장치(91)는 기판(S)의 진동을 완전하게 없애지 않고, 처리장치를 허용할 수 있는 정도로 진동이 저감할 수 있으면 된다. 따라서, 장력해소기구는 장력저감기구로 칭할 수도 있다.A vibration removing device (adjusting mechanism) 91 for removing the vibration of the substrate S guided by the conveying device 20 (for example, the guide rollers R8 to R13) is provided inside the opening 90 Lt; / RTI > The vibration removing device 91 is configured to remove the vibration transmitted to the substrate S by reducing the tension of the substrate S and lowering the achievement of the vibration before the vibration of the substrate S. Therefore, the vibration removing device 91 in the present embodiment has tension releasing mechanisms 92 and 93 for relieving the tension of the substrate S. Further, the vibration removing device 91 need only completely eliminate the vibration of the substrate S, and can reduce the vibration to such an extent as to allow the processing device. Therefore, the tension releasing mechanism can also be referred to as a tension reducing mechanism.

장력해소기구(92)는 노광장치(EX)(안내롤러(R10))보다도 기판(S)의 반송방향의 상류 측에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 장력해소기구(92)는 안내롤러(R8)와 안내롤러(R9)와의 사이에 배치되어 있다. 장력해소기구(93)는 노광장치(EX)(안내롤러(R11))보다도 기판(S)의 반송방향의 하류 측에 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 장력해소기구(93)는 안내롤러(R12)와 안내롤러(R13)와의 사이에 배치되어 있다.The tension relieving mechanism 92 is disposed upstream of the exposure apparatus EX (guide roller R10) in the conveying direction of the substrate S. More specifically, the tension releasing mechanism 92 is disposed between the guide roller R8 and the guide roller R9. The tension releasing mechanism 93 is disposed downstream of the exposure apparatus EX (guide roller R11) in the conveying direction of the substrate S. [ More specifically, the tension releasing mechanism 93 is disposed between the guide roller R12 and the guide roller R13.

도 8은 장력해소기구(92 및 93)의 구성을 나타내는 도면이다.8 is a view showing the structure of the tension releasing mechanisms 92 and 93. Fig.

도 8에 나타내는 바와 같이, 장력해소기구(92 및 93)는 방향전환롤러(94a 및 94b)(방향전환부(94))와, 닙(NIP)롤러(95a 및 95b)(닙부(95))를 가지고 있다. 방향전환롤러(94a 및 94b)는 기판(S)이 중력방향(-Z방향)으로 느슨해지도록 기판(S)의 반송방향을 전환한다. 구체적으로는, 기판(S) 중 방향전환롤러(94a)와 방향전환롤러(94b)와의 사이의 부분(Sb)이 느슨해진 상태가 된다. 또, 방향전환롤러(94a)에는 온도조정기구(기판온도조절부)(94c)가 마련되어 있다. 온도조정기구(94c)에 의해, 기판(S) 중 방향전환롤러(94a)에 접촉하는 부분의 온도가 조정되게 된다. 또한, 당해 온도조정기구(94c)는 생략 가능하다.8, the tension releasing mechanisms 92 and 93 are connected to the nip rollers 95a and 95b (the nip portion 95) and the nip rollers 95a and 95b (direction switching portion 94) Lt; / RTI > The direction changing rollers 94a and 94b switch the conveying direction of the substrate S so that the substrate S is loosened in the gravity direction (-Z direction). Specifically, the portion Sb between the direction changing roller 94a and the direction changing roller 94b in the substrate S is loosened. A temperature adjusting mechanism (substrate temperature adjusting section) 94c is provided on the direction changing roller 94a. The temperature of the portion of the substrate S which contacts the direction switching roller 94a is adjusted by the temperature adjusting mechanism 94c. The temperature adjusting mechanism 94c may be omitted.

닙롤러(95a)는 방향전환롤러(94a)와의 사이에 기판(S)을 끼우는 위치에 마련되어 있다. 닙롤러(95b)는 방향전환롤러(94b)와의 사이에 기판(S)을 끼우는 위치에 마련되어 있다. 닙롤러(95a 및 95b)는 회전구동부(96)에 접속되어 있다. 회전구동부(96)는 닙롤러(95a 및 95b)의 회전의 타이밍이나 회전수를 개별적으로 조정한다. 이 때문에, 느슨함 부분(Sb)이 형성된 상태에서 기판(S)을 반송할 수 있다.The nip roller 95a is provided at a position where the substrate S is sandwiched between the nip roller 95a and the direction changing roller 94a. The nip roller 95b is provided at a position where the substrate S is sandwiched between the nip roller 95b and the direction changing roller 94b. The nip rollers 95a and 95b are connected to the rotation drive unit 96. [ The rotation drive unit 96 individually adjusts the timing and the rotation speed of the nip rollers 95a and 95b. Therefore, the substrate S can be transported in a state where the loosened portion Sb is formed.

또, 기판(S) 중 방향전환롤러(94a)와 닙롤러(95a)에서 끼인 부분과, 기판(S) 중 방향전환롤러(94b)와 닙롤러(95b)에서 끼인 부분과의 사이에서, 반송속도가 다르도록 기판(S)을 반송할 수 있다. 따라서, 느슨함 부분(Sb)의 치수를 조정하면서 기판(S)을 반송할 수 있다.Between the portion of the substrate S held between the direction changing roller 94a and the nip roller 95a and the portion of the substrate S sandwiched between the nip roller 95b and the direction changing roller 94b, The substrate S can be transported at a different speed. Therefore, the substrate S can be transported while adjusting the dimension of the loosened portion Sb.

이와 같이 장력해소기구(92 및 93)가 느슨함 부분(Sb)을 형성하여 기판(S)의 장력을 해소시킴으로써, 방향전환롤러(94a) 및 닙롤러(95a)의 상류 측으로부터의 진동은 저감되게 된다. 이 때문에, 장력해소기구(92 및 93)를 사이에 둔 처리실(12)과 처리실(13)과의 사이에서는, 기판(S)의 진동의 전달이 억제되게 된다. 따라서, 처리실(13)에 배치된 노광장치(EX)에서는 처리실(11)이나 처리실(12)에서의 진동의 영향을 받지 않고 노광처리가 행해지게 된다. 이와 같은 장력해소기구(92 및 93)가 구획부재(14c)에 배치되어 있기 때문에, 기판처리부(3)의 처리실(11 ~ 13)의 스페이스를 효율적으로 이용할 수 있다.By thus releasing the tension of the substrate S by forming the loosened portion Sb in the tension releasing mechanisms 92 and 93 as described above, the vibration from the upstream side of the direction changing roller 94a and the nip roller 95a is reduced . Therefore, transmission of the vibration of the substrate S is suppressed between the processing chamber 12 and the processing chamber 13 between which the tension canceling mechanisms 92 and 93 are disposed. Therefore, in the exposure apparatus EX disposed in the processing chamber 13, the exposure processing is performed without being affected by the vibrations in the processing chamber 11 and the processing chamber 12. Since such tension relieving mechanisms 92 and 93 are disposed in the partition member 14c, the space of the processing chambers 11 to 13 of the substrate processing section 3 can be efficiently utilized.

다음으로, 상기와 같이 구성된 기판처리장치(100)를 이용하여 유기EL소자, 액정표시소자 등의 표시소자(전자 디바이스)를 제조하는 공정을 설명한다. 기판처리장치(100)는, 제어부(CONT)의 제어에 따라서, 당해 표시소자를 제조한다.Next, a step of manufacturing a display element (electronic device) such as an organic EL element or a liquid crystal display element by using the substrate processing apparatus 100 configured as described above will be described. The substrate processing apparatus 100 manufactures the display element under the control of the control unit CONT.

우선, 도시하지 않은 롤러에 감겨진 기판(S)을 기판공급부(2)에 장착한다. 제어부(CONT)는 이 상태로부터 기판공급부(2)로부터 당해 기판(S)이 송출되도록, 도시하지 않은 롤러를 회전시킨다. 그리고, 기판처리부(3)를 통과한 당해 기판(S)을 기판회수부(4)에 마련된 도시하지 않은 롤러로 권취시킨다.First, the substrate S wound around a roller (not shown) is mounted on the substrate supply unit 2. [ The control unit CONT rotates a roller (not shown) so that the substrate S is fed from the substrate supply unit 2 from this state. Then, the substrate S having passed through the substrate processing section 3 is wound by a roller (not shown) provided in the substrate recovery section 4. Then,

제어부(CONT)는 기판(S)이 기판공급부(2)로부터 송출되고 나서 기판회수부(4)로 권취될 때까지 동안에, 기판처리부(3)의 반송장치(20)에 의해서 기판(S)을 당해 기판처리부(3) 내에서 적절히 반송시킨다. 제어부(CONT)는 우선 기판(S)을 기판처리부(3)의 처리실(11)로 반입시킨다. 이하, 제어부(CONT)에 의한 동작을 설명한다.The control section CONT controls the substrate S to be transported by the transport apparatus 20 of the substrate processing section 3 until the substrate S is delivered from the substrate supply section 2 and then taken up by the substrate collection section 4. [ And is appropriately transported in the substrate processing section 3. The control unit CONT first loads the substrate S into the processing chamber 11 of the substrate processing unit 3. Then, Hereinafter, the operation of the control unit CONT will be described.

처리실(11)로 반입된 기판(S)은, 도 2에 나타내는 안내롤러(R1)를 경유하여 도포장치(41)로 반입된다. 도포장치(41)에서는, 기판(S)은 안내롤러(R2)에 의해서+X방향으로 반송된다. 반송의 과정에서, 기판(S)의 피처리면(Sa)에는 감광제의 도포막이 형성된다. 도포장치(41)에서 처리가 행해진 기판(S)은 안내롤러(R3)의 안내에 의해서 접속부(15)를 통하여 처리실(12)로 반송된다.The substrate S carried into the treatment chamber 11 is carried into the coating apparatus 41 via the guide roller R1 shown in Fig. In the coating device 41, the substrate S is transported in the + X direction by the guide roller R2. A coating film of a photosensitive agent is formed on the surface Sa to be processed of the substrate S. The substrate S subjected to the treatment in the coating device 41 is conveyed to the treatment chamber 12 through the connection portion 15 by the guidance of the guide roller R3.

처리실(12)로 반입된 기판(S)은 안내롤러(R4)를 거쳐 가열장치(51)의 기판반입구(61)로부터 기판수용실(62)로 반입된다(도 3 참조). 기판수용실(62)에서는, 기판(S)이 복수 회 절곡된 상태에서 기판(S)이 가열되고, 이 반송 상태에서 기판(S)의 가열이 행해진다. 이 때문에, 기판수용실(62)의 스페이스를 효율적으로 이용한 가열처리가 행해지게 된다. 가열장치(51)에서는, 가열에 의해 기판(S)에 형성된 도포막을 건조시킨다. 가열처리가 행해진 후, 기판반출구(63)로부터 반출된 기판(S)은 안내롤러(R5, R6 및 R7)를 통하여 개구부(90)로 반송된다.The substrate S carried into the processing chamber 12 is transferred from the substrate inlet port 61 of the heating apparatus 51 to the substrate containing chamber 62 via the guide roller R4 (see FIG. 3). In the substrate accommodating chamber 62, the substrate S is heated while the substrate S is bent a plurality of times, and the substrate S is heated in this conveying state. Therefore, the heat treatment using the space of the substrate accommodation chamber 62 is performed efficiently. In the heating device 51, the coating film formed on the substrate S is dried by heating. After the heating process is performed, the substrate S carried out from the substrate transfer opening 63 is conveyed to the opening 90 through the guide rollers R5, R6 and R7.

개구부(90)에 도달한 기판(S)은 안내롤러(R8)에 의해서 장력해소기구(92)로 반입된다. 장력해소기구(92)에서는 방향전환롤러(94a)와 닙롤러(95a)에 의해 끼인 부분과, 방향전환롤러(94b)와 닙롤러(95b)에 의해 끼인 부분과의 사이에서 반송속도를 다르게 하는 것에 의해, 기판(S)에 느슨함 부분(Sb)이 형성된다.The substrate S arriving at the opening 90 is carried into the tension releasing mechanism 92 by the guide roller R8. The tension eliminating mechanism 92 changes the conveying speed between the portion sandwiched by the direction changing roller 94a and the nip roller 95a and the portion sandwiched by the nip roller 95b and the direction changing roller 94b The loosened portion Sb is formed on the substrate S.

느슨함 부분(Sb)이 형성된 후, 방향전환롤러(94a 및 94b)와 닙롤러(95a 및 95b)에 의한 기판(S)의 반송속도를 동일하게 한다. 이 동작에 의해, 느슨함 부분(Sb)이 형성된 상태에서 기판(S)이 장력해소기구(92)로부터 반출된다. 당해 기판(S)은 안내롤러(R9)를 거쳐 처리실(13)로 반송된다.After the loosened portion Sb is formed, the conveying speed of the substrate S by the direction changing rollers 94a and 94b and the nip rollers 95a and 95b is made equal. With this operation, the substrate S is carried out of the tension releasing mechanism 92 in a state where the loosened portion Sb is formed. The substrate S is conveyed to the processing chamber 13 via the guide roller R9.

처리실(12) 측으로부터 기판(S)을 통하여 전달되는 진동은 기판(S)의 느슨함 부분(Sb)에서 진동이 제거된다. 이 때문에, 기판(S)을 통하여 처리실(13)에 진동이 전달되는 것이 억제되게 된다. 또한, 방향전환롤러(94a)에 온도조정기구(94c)가 마련되어 있는 경우에는, 당해 방향전환롤러(94a)에서 기판(S)의 온도 조정이 행해진다. 여기에서는, 예를 들면 노광처리에 적절한 온도로 조정된다.The vibration transmitted through the substrate S from the processing chamber 12 side is removed from the loosened portion Sb of the substrate S. [ Therefore, transmission of vibration to the processing chamber 13 through the substrate S is suppressed. When the temperature adjusting mechanism 94c is provided on the direction changing roller 94a, the temperature of the substrate S is adjusted by the direction changing roller 94a. Here, for example, the temperature is adjusted to a suitable temperature for the exposure process.

처리실(13)로 반입된 기판(S)은 안내롤러(R10 및 R11)에 의해서 반송된다. 당해 기판(S)에 대해서는 노광장치(EX)에 의해서 노광처리가 행해진다. 노광처리에 의해, 기판(S)의 피처리면(Sa)에 형성된 도포막 중 소정의 영역이 감광된다. 노광처리가 완료한 기판(S)은, 개구부(90)에 삽입된 후, 안내롤러(R12)를 거쳐 장력해소기구(93)로 반입된다.The substrate S carried into the treatment chamber 13 is conveyed by the guide rollers R10 and R11. The substrate S is subjected to exposure processing by the exposure apparatus EX. A predetermined area of the coating film formed on the work surface Sa of the substrate S is exposed by the exposure processing. After the exposure process is completed, the substrate S is inserted into the opening 90 and then carried into the tension releasing mechanism 93 via the guide roller R12.

장력해소기구(93)에서는, 상기의 장력해소기구(92)와 마찬가지로, 기판(S)에 느슨함 부분(Sb)이 형성된다. 따라서, 처리실(12) 측으로부터 기판(S)을 통하여 전달되는 진동은 기판(S)의 느슨함 부분(Sb)에서 진동이 제거된다. 한편, 상술한 바와 같이, 장력해소기구(92)에서도 느슨함 부분(Sb)이 형성되어 있다. 이 때문에, 기판(S) 중 처리실(13)에 배치되는 부분은 장력해소기구(92) 및 장력해소기구(93)의 양쪽에서 처리실(12)로부터의 진동의 전달이 제거된 상태가 된다.In the tension releasing mechanism 93, the loosened portion Sb is formed on the substrate S, similarly to the tension releasing mechanism 92 described above. Therefore, the vibration transmitted through the substrate S from the processing chamber 12 side is removed from the loosened portion Sb of the substrate S. On the other hand, as described above, the tension releasing mechanism 92 also has a loosened portion Sb. Therefore, the portion of the substrate S disposed in the processing chamber 13 is in a state in which transmission of vibration from the processing chamber 12 is removed from both the tension releasing mechanism 92 and the tension releasing mechanism 93.

안내롤러(R8 ~ R13)나 가열장치(51, 52) 등의 진동이 기판(S)에 전해지면, 노광장치(EX)의 노광광 조사위치에서 기판(S)이나 다른 부위가 진동하는 경우가 있어, 노광 정밀도가 저하할 가능성이 있다. 이 때문에, 진동제거장치(91)를 이용하여 노광장치(EX)를 걸치는 부분에서의 기판(S)의 진동을 제거함으로써, 노광 정밀도의 저하가 억제된다.When the vibrations of the guide rollers R8 to R13 and the heating devices 51 and 52 are transmitted to the substrate S, there is a case where the substrate S and other portions are vibrated at the exposure light exposure position of the exposure apparatus EX There is a possibility that the exposure accuracy is lowered. Therefore, by eliminating the vibration of the substrate S at the portion where the vibration eliminating device 91 is used to place the exposure apparatus EX, the lowering of the exposure accuracy is suppressed.

처리실(13)로부터 처리실(12)로 반송된 기판(S)은 안내롤러(R14, R15 및 R16)를 통하여 가열장치(52)로 반입된다. 가열장치(52)에서는 감광된 도포막에 대한 가열처리가 행해진다. 가열처리가 행해진 후, 가열장치(52)로부터 반출된 기판(S)은 안내롤러(R17)를 통하여 접속부(16)에 삽입되며, 접속부(16)를 경유하여 처리실(11)로 반송된다.The substrate S conveyed from the processing chamber 13 to the processing chamber 12 is carried into the heating apparatus 52 through the guide rollers R14, R15, and R16. In the heating device 52, the photosensitive film is subjected to a heat treatment. After the heat treatment is performed, the substrate S carried out of the heating device 52 is inserted into the connection portion 16 through the guide roller R17, and is transported to the treatment chamber 11 via the connection portion 16.

처리실(11)로 반송된 기판(S)은 안내롤러(R18 및 R19)를 경유하여 현상장치(42)로 반입된다. 현상장치(42)에서는 기판(S)은 현상액에 잠기면서 안내롤러(R20)에 의해서 반송되고, 반송의 과정에서 현상처리가 행해진다. 현상처리가 행해진 기판(S)은 안내롤러(R21)에 의해서 현상장치(42)로부터 반출되고, 안내롤러(R22 및 R23)를 통하여 세정장치(43)로 반입된다.The substrate S conveyed to the process chamber 11 is conveyed to the developing device 42 via the guide rollers R18 and R19. In the developing device 42, the substrate S is conveyed by the guide roller R20 while being immersed in the developer, and development processing is performed in the process of conveyance. The substrate S subjected to the developing process is taken out of the developing device 42 by the guide roller R21 and brought into the cleaning device 43 through the guide rollers R22 and R23.

세정장치(43)에서는, 기판(S)은 세정액에 잠기면서 안내롤러(R24)에 의해서 반송되며, 반송의 과정에서 세정처리가 행해진다. 세정처리가 행해진 기판(S)은 안내롤러(R25)에 의해서 세정장치(43)로부터 반출된 후, 접속부(17)를 통하여 처리실(12)로 반송된다.In the cleaning device 43, the substrate S is conveyed by the guide roller R24 while being immersed in the cleaning liquid, and the cleaning process is performed in the course of the conveyance. The substrate S subjected to the cleaning process is taken out of the cleaning device 43 by the guide roller R25 and then transported to the processing chamber 12 through the connection portion 17. [

처리실(12)로 반송된 기판(S)은 안내롤러(R26)를 통하여 가열장치(53)로 반입된다. 가열장치(52)에서는 세정된 기판(S)을 건조시키기 위한 가열처리나, 도포막을 가열하기 위한 가열처리 등이 행해진다. 당해 가열처리가 행해진 후, 가열장치(53)로부터 반출된 기판(S)은, 안내롤러(R27)의 안내에 의해서, 접속부(18)를 경유하여 처리실(11)로 반송된다.The substrate S conveyed to the process chamber 12 is conveyed to the heating device 53 through the guide roller R26. In the heating device 52, a heating process for drying the cleaned substrate S, a heating process for heating the coating film, and the like are performed. After the heating process is performed, the substrate S carried out of the heating device 53 is conveyed to the process chamber 11 via the connection portion 18 by the guidance of the guide roller R27.

처리실(11)로 반송된 기판(S)은 도금장치(44)로 반입된다. 도금장치(44)에서는, 기판(S)은 도금액에 잠기면서 안내롤러(R28)에 의해서 반송되고, 반송의 과정에서 도금처리가 행해진다. 도금처리가 행해진 기판(S)에는 소정의 패턴이 형성된다. 도금처리 후의 기판(S)은 안내롤러(R29)에 의해서 도금장치(44)로부터 반출되며, 접속부(19)를 통하여 처리실(12)로 반송된다. 처리실(12)에서는 안내롤러(R30)를 통하여 도시하지 않은 가열장치로 반입되어 가열처리가 행해진다.The substrate S conveyed to the processing chamber 11 is carried into the plating apparatus 44. [ In the plating apparatus 44, the substrate S is conveyed by the guide roller R28 while being immersed in the plating liquid, and plating is performed in the course of the conveyance. A predetermined pattern is formed on the substrate S subjected to the plating process. The substrate S after the plating process is taken out of the plating apparatus 44 by the guide roller R29 and is conveyed to the processing chamber 12 through the connection portion 19. [ In the treatment chamber 12, a heating process is carried out by a heating device (not shown) through a guide roller R30.

이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 기판(S)에 대해서 각각 다른 종류의 처리를 행하는 처리부(3)를 배치하고, 또한, 이 처리부(3) 가운데, 서로 공통되는 처리공정(공통 서브 프로세스)을 가지는 처리부(3)를 동일한 처리실 내에 배치하도록 했다. 또한, 기판(S)이 각 처리실(11 ~ 13) 내를 걸쳐 반송 가능하게 되도록, 또한, 기판(S)이 각각의 처리실(11 ~ 13)에 대해서 복수 회씩 출입하도록, 당해 기판(S)을 반송하는 반송장치(20)를 구비하기 때문에, 기판처리부(3)의 스페이스를 효율적으로 이용하는 것이 가능하게 된다.As described above, according to the present embodiment, the processing section 3 for performing different kinds of processing to the substrate S is disposed, and among the processing sections (common sub-process) Is arranged in the same processing chamber. The substrate S is transferred to the processing chambers 11 to 13 so that the substrate S can be transported through the processing chambers 11 to 13 and the substrate S is transported to and from the processing chambers 11 to 13 a plurality of times. It is possible to efficiently utilize the space of the substrate processing unit 3 because the transfer device 20 for transferring the substrate is provided.

예를 들면, 본 실시형태와 같이, 표시소자의 구성요소를 형성하는 경우, 가열처리가 빈번히 행해지기 때문에, 가열장치의 대수가 다수 마련되게 된다. 본 실시형태와 같이 하나의 처리실(12)에 가열장치를 한데 모아서 배치시키는 경우, 열에너지를 효율적으로 이용할 수 있다. 또, 가열장치가 배치되는 처리실(12)을 Z방향의 중앙의 계층에 배치시키고, 당해 처리실(12)을 사이에 두고 처리실(11)(웨트처리) 및 처리실(13)(노광처리)을 배치시키는 구성으로 했으므로, 가열장치에 액세스하기 쉬운 구성이 된다. 이 때문에, 장치 전체의 기판(S)의 반송경로를 단축시킬 수 있다. 또, 처리실(12)에서, 가열장치가 X방향 및 Y방향과 겹쳐지도록 복수 늘어서 배치되어 있기 때문에, 처리실(12)의 스페이스를 절약할 수 있다. 이 때문에, 기판처리장치(100)를 설치하기 위해서 필요로 하는 부지의 면적을 억제할 수 있다.For example, in the case of forming the constituent elements of the display element as in the present embodiment, since the heat treatment is frequently performed, a large number of heating apparatuses are provided. In the case where the heating apparatuses are collectively arranged in one processing chamber 12 as in the present embodiment, thermal energy can be efficiently used. The treatment chamber 12 in which the heating device is disposed is arranged in the middle layer in the Z direction and the treatment chamber 11 (wet treatment) and the treatment chamber 13 (exposure treatment) are disposed with the treatment chamber 12 interposed therebetween So that it is easy to access the heating apparatus. Therefore, the conveyance path of the substrate S in the whole apparatus can be shortened. In addition, in the treatment chamber 12, since the plurality of heating devices are arranged so as to overlap with the X direction and the Y direction, the space of the treatment chamber 12 can be saved. Therefore, the area of the site required for installing the substrate processing apparatus 100 can be suppressed.

또, 도 2에서는, 처리장치(10)로서, 도포장치, 가열장치, 노광장치, 현상장치, 세정장치, 도금장치의 조합을 예로 설명했지만, 이 조합에 한정되지 않는다. 또, 이 처리장치(10)를 X방향 또는 Y방향으로 복수 배치시켜도 된다. 즉, 안내롤러(R30)를 통하여, 다른 처리장치(10)의 도포장치에 기판(S)을 반송시켜, 상기의 동작을 반복 행하는 것에 의해, 기판(S)에 표시소자의 구성요소가 차례차례 형성된다. 이 경우, 복수의 처리장치(10)를 복수 배치시켰을 경우, 복수의 노광장치(EX)의 노광 정밀도나 해상도를 서로 다른 것으로 해도 된다.2, a combination of a coating device, a heating device, an exposure device, a developing device, a cleaning device, and a plating device has been described as an example of the processing device 10, but the present invention is not limited to this combination. A plurality of the processing apparatuses 10 may be arranged in the X direction or the Y direction. That is, by carrying the substrate S to the coating device of the other processing apparatus 10 through the guide roller R30 and repeating the above operation, the constituent elements of the display element are sequentially formed on the substrate S . In this case, when a plurality of processing apparatuses 10 are arranged in plural, the exposure precision and resolution of the plurality of exposure apparatuses EX may be different from each other.

이 처리장치(10)를 Y방향으로 복수 배치했을 경우, 상술한 바와 같이, 도 5에 나타내는 복수의 가열유니트(50), 즉, 인접하는 가열유니트(50)를 연결한 구성을 이용할 수 있다.When a plurality of the processing apparatuses 10 are arranged in the Y direction, a configuration in which a plurality of heating units 50 shown in Fig. 5, that is, a structure in which adjacent heating units 50 are connected as described above can be used.

본 발명의 기술 범위는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경을 가할 수 있다.The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and can be appropriately changed within the scope of the present invention.

예를 들면, 상기 실시형태에서는, 진동제거장치(91)의 구성으로서는, 도 8에 나타내는 장력해소기구(92 및 93)를 이용한 구성으로 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 진동제거장치(91)로서, 예를 들면 도 9 ~ 도 11에 각각 나타내는 구성이라도 상관없다.For example, in the above-described embodiment, the structure of the vibration removing device 91 is configured to use the tension releasing mechanisms 92 and 93 shown in Fig. 8, but the present invention is not limited to this. The vibration removing device 91 may be constituted as shown in Figs. 9 to 11, for example.

도 9는 진동제거장치(91)에서의 장력해소기구(92 및 93)의 다른 구성예로서의, 진동흡수기구(192 및 193)를 나타내고 있다.9 shows vibration absorbing mechanisms 192 and 193 as other structural examples of the tension relieving mechanisms 92 and 93 in the vibration removing device 91. As shown in Fig.

진동흡수기구(192 및 193)는 방향전환롤러(194a 및 194b)(방향전환부(194))와, 진동흡수부(196)를 가지고 있다.The vibration absorbing mechanisms 192 and 193 have the direction changing rollers 194a and 194b (direction switching section 194) and the vibration absorbing section 196. [

진동흡수부(196)는 롤러(196a)와, 롤러 지지부(196b)와, 스프링 부재(196c)와, 벽부(196d)를 가지고 있다.The vibration absorbing portion 196 has a roller 196a, a roller supporting portion 196b, a spring member 196c and a wall portion 196d.

롤러(196a)는 방향전환롤러(194a)와 방향전환롤러(194b)와의 사이에 배치되어 있다. 이 롤러(196a)에는 기판(S) 중 방향 전환된 일부분(Sc)이 걸려져 있다. 롤러(196a)는 롤러 지지부(196b) 및 스프링 부재(196c)를 통하여 벽부(196d)에 장착되어 있다. 이 때문에, 기판(S)의 진동은, 당해 일부분(Sc)에 있어서, 롤러(196a) 및 스프링 부재(196c)에 의해서 흡수된다.The roller 196a is disposed between the direction changing roller 194a and the direction changing roller 194b. A portion Sc of the substrate S which has been changed in direction is engaged with the roller 196a. The roller 196a is mounted on the wall portion 196d through a roller support portion 196b and a spring member 196c. Therefore, the vibration of the substrate S is absorbed by the roller 196a and the spring member 196c in the part Sc.

도 10은 진동제거장치(91)에서의 장력해소기구(92 및 93)의 다른 구성예로서의, 진동흡수기구(292 및 293)를 나타내고 있다.Fig. 10 shows vibration absorbing mechanisms 292 and 293 as other structural examples of the tension relieving mechanisms 92 and 93 in the vibration removing device 91. Fig.

당해 진동흡수기구(292 및 293)는 방향전환롤러(294a 및 294b)(방향전환부(294))와, 진동흡수부(297)를 가지고 있다. 진동흡수부(297)는 롤러(297a)와, 당해 롤러(297a)의 원통면에 형성된 진동흡수층(297b)을 가지고 있다.The vibration absorbing mechanisms 292 and 293 have the direction changing rollers 294a and 294b (direction switching portion 294) and the vibration absorbing portion 297. [ The vibration absorbing portion 297 has a roller 297a and a vibration absorbing layer 297b formed on the cylindrical surface of the roller 297a.

롤러(297a)는 방향전환롤러(294a)와 방향전환롤러(294b)와의 사이에 배치되어 있다. 이 롤러(297a)에는 기판(S) 중 방향 전환된 일부분(Sc)이 걸려져 있다. 진동흡수층(297b)은, 예를 들면 솔보세인(solbothane) 등의 진동 흡수성 재료가 이용되고 있다. 도 10에 나타내는 구성에서는, 롤러(297a)에 형성된 진동흡수층(297b)에 의해서 기판(S)의 진동이 흡수되기 때문에, 간단한 구성으로 마무리되게 된다.The roller 297a is disposed between the direction changing roller 294a and the direction changing roller 294b. A portion Sc of the substrate S which has been redirected is attached to the roller 297a. As the vibration absorbing layer 297b, for example, a vibration absorbing material such as a solbothane is used. In the structure shown in Fig. 10, since the vibration of the substrate S is absorbed by the vibration absorbing layer 297b formed on the roller 297a, the structure is finished with a simple structure.

도 11은 진동제거장치(91)에서의 장력해소기구(92 및 93)의 다른 구성예로서의, 진동부여기구(392 및 393)를 나타내고 있다.11 shows vibration imparting mechanisms 392 and 393 as another example of the tension relieving mechanisms 92 and 93 in the vibration eliminating device 91. [

진동부여기구(392 및 393)는 방향전환롤러(394a 및 394b)(방향전환부(394))와, 진동발생부(398)를 가지고 있다. 진동발생부(398)는 롤러(398a)와, 당해 롤러(398a)를 진동시키는 진동조정부(398b)와, 기판(S) 중 롤러(398a)의 하류 측의 위치에서의 진동을 검출하는 센서(398c)를 가지고 있다.The vibration imparting mechanisms 392 and 393 have the direction changing rollers 394a and 394b (direction changing portion 394) and the vibration generating portion 398. [ The vibration generating section 398 includes a roller 398a, a vibration adjusting section 398b for vibrating the roller 398a, a sensor (not shown) for detecting vibration at a position on the downstream side of the roller 398a 398c.

롤러(398a)는 방향전환롤러(394a)와 방향전환롤러(394b)와의 사이에 배치되어 있다. 이 롤러(398a)에는 기판(S) 중 방향 전환된 일부분(Sc)이 걸려져 있다. 진동조정부(398b)는 센서(398c)의 검출결과에 근거하여, 기판(S)의 진동을 없애는 진동을 발생시킨다. 따라서, 도 11에 나타내는 구성에서는, 롤러(398a)에서 기판(S)의 진동을 없애는 것에 의해, 기판(S)의 진동의 전달을 억제할 수 있다.The roller 398a is disposed between the direction changing roller 394a and the direction changing roller 394b. A portion Sc of the substrate S which has been redirected is attached to the roller 398a. Based on the detection result of the sensor 398c, the vibration adjusting unit 398b generates vibration that eliminates the vibration of the substrate S. [ Therefore, in the structure shown in Fig. 11, the oscillation of the substrate S can be suppressed by removing the vibration of the substrate S by the roller 398a.

또한, 도 12에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 상기 장력해소기구(92)의 구성에서는, 방향전환롤러(94a)와 닙롤러(95a)가 처리실(12)에 배치되고, 방향전환롤러(94b)와 닙롤러(95b)가 처리실(13)에 배치되며, 상기 장력해소기구(93)의 구성에서는, 방향전환롤러(94a)와 닙롤러(95a)가 처리실(13)에 배치되고, 방향전환롤러(94b)와 닙롤러(95b)가 처리실(12)에 배치된 구성이라도 상관없다.12, for example, in the configuration of the tension releasing mechanism 92, the direction changing roller 94a and the nip roller 95a are disposed in the processing chamber 12, and the direction changing roller 94b And the nip roller 95b are arranged in the processing chamber 13. In the structure of the tension releasing mechanism 93, the direction changing roller 94a and the nip roller 95a are arranged in the processing chamber 13, The roller 94b and the nip roller 95b may be arranged in the process chamber 12. [

마찬가지로, 도 9에 나타내는 진동흡수기구(192)의 구성에 있어서, 예를 들면 방향전환롤러(194a)와 롤러(196a)가 처리실(12)에 배치되고, 방향전환롤러(194b)가 처리실(13)에 배치되며, 진동흡수기구(193)의 구성에 있어서, 방향전환롤러(194a)가 처리실(13)에 배치되고, 롤러(196a)와 방향전환롤러(194b)가 처리실(12)에 배치된 구성이라도 상관없다. 또, 벽부(196d)로서는, 예를 들면 구획부재(14b) 등을 이용할 수 있다.Similarly, in the structure of the vibration absorbing mechanism 192 shown in Fig. 9, for example, the direction changing roller 194a and the roller 196a are disposed in the process chamber 12, and the direction changing roller 194b is disposed in the process chamber 13 And the roller 196a and the direction switching roller 194b are disposed in the process chamber 12 in the structure of the vibration absorbing mechanism 193. In the structure of the vibration absorbing mechanism 193, the direction changing roller 194a is disposed in the process chamber 13, It may be a configuration. As the wall portion 196d, for example, a partition member 14b or the like can be used.

또, 도 10에 나타내는 진동흡수기구(292)의 구성에 있어서, 예를 들면 방향전환롤러(294a)와 롤러(297a)가 처리실(12)에 배치되고, 방향전환롤러(294b)가 처리실(13)에 배치되며, 진동흡수기구(293)의 구성에 있어서, 방향전환롤러(294a)가 처리실(13)에 배치되고, 롤러(297a)와 방향전환롤러(294b)가 처리실(12)에 배치된 구성이라도 상관없다.10, for example, the direction changing roller 294a and the roller 297a are disposed in the process chamber 12, and the direction changing roller 294b is disposed in the process chamber 13 And the roller 297a and the direction switching roller 294b are disposed in the process chamber 12 in the structure of the vibration absorbing mechanism 293. The direction of the rotation of the roller 297a It may be a configuration.

또한, 도 11에 나타내는 진동부여기구(392)의 구성에 있어서, 예를 들면 방향전환롤러(394a)와 롤러(398a)가 처리실(12)에 배치되고, 방향전환롤러(394b)가 처리실(13)에 배치되며, 진동흡수기구(393)의 구성에 있어서, 방향전환롤러(394a)가 처리실(13)에 배치되고, 롤러(398a)와 방향전환롤러(394b)가 처리실(12)에 배치된 구성이라도 상관없다.11, for example, a direction changing roller 394a and a roller 398a are disposed in the process chamber 12, and a direction changing roller 394b is disposed in the process chamber 13 And the roller 398a and the direction changing roller 394b are disposed in the process chamber 12 in the structure of the vibration absorbing mechanism 393. The direction of the rotation It may be a configuration.

또, 도 8에 나타내는 장력해소기구(92 및 93)의 구성에서는, 방향전환롤러(94a) 및 닙롤러(95a)와, 방향전환롤러(94b) 및 닙롤러(95b)가 처리실(12) 및 처리실(13) 중 적어도 한쪽에 배치된 구성이라도 상관없다. 도 13에는 방향전환롤러(94a 및 94b)와 닙롤러(95a 및 95b)가 처리실(13)에 배치된 구성을 나타낸다.8, the direction switching roller 94a and the nip roller 95a and the direction changing roller 94b and the nip roller 95b are disposed in the processing chamber 12 and Or may be arranged in at least one of the processing chamber 13. 13 shows a configuration in which the direction changing rollers 94a and 94b and the nip rollers 95a and 95b are disposed in the process chamber 13. In Fig.

또, 상기 실시형태에서는, 처리실(12)과 처리실(13)과의 사이에 진동제거장치(91)가 마련된 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다.In the above embodiment, the vibration removing device 91 is provided between the process chamber 12 and the process chamber 13, but the present invention is not limited to this.

예를 들면, 처리실(12)과 처리실(13)과의 사이에는, 도 14에 나타내는 바와 같이, 진동제거장치(91)에 더하여, 이물의 이동을 억제하는 이물이동 억제장치(84)나, 기체 및 액체의 이동을 규제하는 유체이동 규제장치(85), 기판(S)의 온도를 조정하는 온도조절장치(기판온도조절부)(86) 등이 마련된 구성이라도 상관없다.14, in addition to the vibration removing device 91, a foreign matter movement restraining device 84 for suppressing the movement of foreign matter, and a foreign matter movement restraining device 84 for suppressing the movement of the foreign matter, for example, A fluid movement restricting device 85 for regulating the movement of the liquid, and a temperature regulating device (substrate temperature regulating portion) 86 for regulating the temperature of the substrate S, and the like.

도 14에서는, 기판(S)의 반송방향의 상류 측으로부터 하류 측으로, 이물이동 억제장치(84), 유체이동 규제장치(85), 온도조절장치(86) 및 진동제거장치(91)의 순서로 배치되어 있다. 또, 상기의 진동제거장치(91), 이물이동 억제장치(84), 유체이동 규제장치(85), 온도조절장치(86) 중 적어도 하나는, 처리실(11)과 처리실(12)과의 사이에 배치되어도 상관없다.14, the foreign matter movement restraining device 84, the fluid movement restricting device 85, the temperature regulating device 86 and the vibration removing device 91 are arranged in this order from the upstream side to the downstream side in the carrying direction of the substrate S Respectively. At least one of the vibration removing device 91, the foreign material movement restraining device 84, the fluid movement restricting device 85 and the temperature regulating device 86 is disposed between the process chamber 11 and the process chamber 12 As shown in Fig.

이물이동 억제장치(84)는 에어커튼 형성부(84a) 및 스테이지(84b)를 가지고 있다. 이물이동 억제장치(84)는 스테이지(84b)에 의해서 지지된 기판(S)에 대해서 에어커튼 형성부(84a)에 의해서 에어커튼을 형성한다. 당해 에어커튼에 의해, 기판(S)상의 이물이 제거된다.The foreign material movement restraining device 84 has an air curtain forming portion 84a and a stage 84b. The foreign matter movement restraining device 84 forms an air curtain by the air curtain forming portion 84a with respect to the substrate S supported by the stage 84b. The foreign matter on the substrate S is removed by the air curtain.

또, 유체이동 규제장치(85)는 상류 측 롤러(85a), 하류 측 롤러(85b) 및 기체 분사부(85c)를 가지고 있다. 도 15는 유체이동 규제장치(85)의 구성을 나타내는 평면도이다. 도 14 및 도 15에 나타내는 바와 같이, 유체이동 규제장치(85)는 상류 측 롤러(85a)와 하류 측 롤러(85b)에 걸린 상태로 반송되는 기판(S)에 대해서, 기체 분사부(85c)로부터 기체를 분사한다.The fluid movement restricting device 85 has an upstream roller 85a, a downstream roller 85b, and a gas injector 85c. 15 is a plan view showing the configuration of the fluid movement restricting device 85. Fig. As shown in Figs. 14 and 15, the fluid movement restricting device 85 is provided with a gas ejecting portion 85c for the substrate S, which is conveyed while being held by the upstream roller 85a and the downstream roller 85b, As shown in FIG.

기체 분사부(85c)는, 예를 들면 상류 측 롤러(85a)와 하류 측 롤러(85b)에 걸린 상태의 기판(S)에 대해서, -Y측의 위치, +X측의 위치 및 -Y방향과 +X방향과의 사이의 위치 중 적어도 1개에 배치되어 있다. 기판(S)에 대해서 기체를 분사하는 것에 의해, 당해 기체에 의해서 기판(S)의 표면에 부착한 액체 혹은 기판의 표면에 감도는 기체를 제거할 수 있다.The gas injecting section 85c is arranged so that the position on the -Y side, the position on the + X side, and the side in the -Y direction (the Y direction) with respect to the substrate S held in the state of being engaged with the upstream roller 85a and the downstream roller 85b And the position in the + X direction. It is possible to remove the gas adhering to the surface of the substrate S by the gas or the gas sensitive to the surface of the substrate by jetting the gas onto the substrate S. [

또, 도 14에 나타내는 바와 같이, 온도조절장치(86)는 유체가 제거된 기판(S)의 온도 조정을 행한다. 온도조절장치(86)는 롤러(86a) 및 온도조절기구(86b)를 가지고 있다. 상기 실시형태에서는 방향전환롤러(94a)에 온도조정기구(94c)가 마련된 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것과는 별도로, 기판(S)의 온도 조정이 가능하게 된다.14, the temperature adjusting device 86 adjusts the temperature of the substrate S from which the fluid has been removed. The temperature regulating device 86 has a roller 86a and a temperature regulating device 86b. In the above-described embodiment, the configuration in which the temperature adjusting mechanism 94c is provided on the direction changing roller 94a has been described as an example, but the temperature of the substrate S can be adjusted separately from this.

또한, 이물이동 억제장치(84), 유체이동 규제장치(85), 온도조절장치(86), 진동제거장치(91)의 각각은 처리실(12)과 처리실(13)과의 사이에 배치되는 구성에 한정되지 않고, 처리실(11)과 처리실(12)과의 사이에 배치되는 구성이라도 상관없다.Each of the foreign matter movement restraining device 84, the fluid movement restricting device 85, the temperature regulating device 86 and the vibration removing device 91 is configured to be disposed between the process chamber 12 and the process chamber 13 But may be arranged between the process chamber 11 and the process chamber 12.

또, 상기 실시형태에서는, 처리실(11 ~ 13)을 Z방향으로 계층적으로 배치하는 구성을 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리실(11 ~ 13)이 X방향 또는 Y방향으로 늘어놓아서 배치된 구성이라도 상관없다. 또, 처리실(11 ~ 13)의 각각이 독립한 장치 혹은 공장으로서 형성되었을 경우라도, 본 발명의 적용은 가능하다.In the above embodiment, the treatment chambers 11 to 13 are hierarchically arranged in the Z direction. However, the present invention is not limited to this. For example, the treatment chambers 11 to 13 may be arranged in the X direction or the Y direction. Further, the present invention can be applied even when each of the treatment chambers 11 to 13 is formed as an independent apparatus or a factory.

또, 상기 실시형태에서는, 기판(S)의 피처리면(Sa)이 중력방향에 수직인 방향(XY평면에 평행한 방향)을 향하도록 기판(S)을 반송시키는 구성으로 했지만, 이것에 한정되지 않고, 기판(S)의 피처리면(Sa)이 중력방향에 평행한 방향을 향한 상태(기판(S)을 세운 상태)로 기판(S)을 반송시키는 구성으로 하여도 상관없다. 이 경우, 장력해소기구(92 및 93)에서 기판(S)을 중력방향으로 휘게 하는 경우, 기판(S)의 피처리면(Sa)을 부분적으로 중력방향에 수직인 방향을 향하는 구성으로 할 수 있다.In the above embodiment, the substrate S is conveyed such that the surface S of the substrate S faces the direction perpendicular to the gravitational direction (parallel to the XY plane). However, the present invention is not limited thereto The substrate S may be transported in a state in which the target surface Sa of the substrate S faces the direction parallel to the gravity direction (the substrate S is standing). In this case, when the substrate S is bent in the gravitational direction by the tension releasing mechanisms 92 and 93, the work surface Sa of the substrate S may be partially oriented in a direction perpendicular to the gravitational direction .

또, 도 2에서는, 처리장치(10)로서, 도포장치, 가열장치, 노광장치, 현상장치, 세정장치, 도금장치의 조합을 예로 설명했지만, 이 조합에 한정되지 않는다. 또, 이 처리장치(10)를 X방향 또는 Y방향으로 복수 배치시켜도 된다. 즉, 안내롤러(R30)를 통하여, 다른 처리장치(10)의 도포장치에 기판(S)을 반송시켜, 상기의 동작을 반복 행하는 것에 의해, 기판(S)에 표시소자의 구성요소가 차례차례 형성된다. 이 경우, 복수의 처리장치(10)를 복수 배치시켰을 경우, 복수의 노광장치(EX)의 노광 정밀도나 해상도를 서로 다른 것으로 해도 된다. 이 처리장치(10)를 Y방향으로 복수 배치했을 경우, 상술한 바와 같이, 도 5에 나타내는 복수의 가열유니트(50), 즉, 인접하는 가열유니트(50)를 연결한 구성을 이용할 수 있다.2, a combination of a coating device, a heating device, an exposure device, a developing device, a cleaning device, and a plating device has been described as an example of the processing device 10, but the present invention is not limited to this combination. A plurality of the processing apparatuses 10 may be arranged in the X direction or the Y direction. That is, by carrying the substrate S to the coating device of the other processing apparatus 10 through the guide roller R30 and repeating the above operation, the constituent elements of the display element are sequentially formed on the substrate S . In this case, when a plurality of processing apparatuses 10 are arranged in plural, the exposure precision and resolution of the plurality of exposure apparatuses EX may be different from each other. When a plurality of the processing apparatuses 10 are arranged in the Y direction, a configuration in which a plurality of heating units 50 shown in Fig. 5, that is, a structure in which adjacent heating units 50 are connected as described above can be used.

본 실시형태에서는, 처리실(11 ~ 13)의 실내의 압력을 각각 독립적으로 조정하는 구성으로 해도 된다.In the present embodiment, the pressures in the chambers of the processing chambers 11 to 13 may be independently adjusted.

예를 들면, 노광장치(EX)를 수용하는 처리실(13)에는 광학계의 표면에 부착하는 이물(파티클)이 다른 처리실, 예를 들면 처리실(12)로부터 침입하지 않도록, 처리실(13)의 실내의 압력을 처리실(12)의 압력보다 높게 해 두는 것이 바람직하다. 또, 처리실(11)에서는, 복수의 액체를 사용하므로, 이들 액체가 처리실(12) 내에 침수하지 않도록, 처리실(13)의 실내의 압력을 처리실(12)의 압력보다 높게 해 두는 것이 바람직하다.For example, in the processing chamber 13 accommodating the exposure apparatus EX, particles (particles) adhering to the surface of the optical system are prevented from entering the other processing chamber, for example, the processing chamber 12, It is preferable to make the pressure higher than the pressure of the processing chamber 12. [ Since the processing chamber 11 uses a plurality of liquids, it is preferable to set the pressure in the processing chamber 13 higher than the pressure in the processing chamber 12 so that these liquids do not flood into the processing chamber 12.

또, 3개의 처리실의 압력은, 3개의 처리실 가운데, 처리실(13)의 압력을 가장 높게 하고, 처리실(11)의 압력을 가장 낮게 하며, 처리실(12)을 처리실(13)과 처리실(11)의 사이의 압력으로 설정해도 된다.The pressures of the three processing chambers are set such that the pressure in the processing chamber 13 is the highest among the three processing chambers and the pressure in the processing chamber 11 is the lowest, As shown in FIG.

S … 기판 CONT … 제어부
EX … 노광장치 R(R1 ~ R30) … 안내롤러(안내부)
3 … 기판처리부(처리부) 10 … 처리장치
41 … 도포장치 42 … 현상장치
43 … 세정장치 44 … 도금장치
11 ~ 13 … 처리실(제1 처리실, 제2 처리실, 제3 처리실)
15 ~ 19 … 접속부 20 … 반송장치(반송부)
45 … 폐액회수부(회수관, 회수부) 51 ~ 53 … 가열장치
60 … 챔버 61 … 기판반입구(반입구)
62 … 기판수용실(수용실) 63 … 기판반출구(반출구)
70 … 가열부 84 … 이물이동 억제장치
85 … 유체이동 규제장치 86 … 온도조절장치(기판온도조절부)
91 … 진동제거장치(조정기구) 92, 93 … 장력해소기구
96 … 회전구동부 100 … 기판처리장치
192, 193 … 진동흡수기구 292, 293 … 진동흡수기구
392, 393 … 진동부여기구
S ... PCB CONT ... The control unit
EX ... Exposure device R (R1 to R30) ... Guide roller (guide portion)
3 ... Substrate processing section (processing section) Processing device
41 ... The applicator 42 ... The developing device
43 ... The cleaning device 44 ... Plating device
11-13 ... (First treatment chamber, second treatment chamber, third treatment chamber)
15 to 19 ... Connection 20 ... The transfer device (transfer section)
45 ... The waste liquid collecting unit (collecting pipe, collecting unit) 51 to 53 ... Heating device
60 ... Chamber 61 ... Substrate inlet (inlet)
62 ... Substrate accommodating chamber (accommodating chamber) 63 ... Substrate outlet (outlet)
70 ... Heating section 84 ... Foreign matter movement suppression device
85 ... Fluid movement regulating device 86 ... Temperature controller (substrate temperature controller)
91 ... Vibration removing device (adjusting mechanism) 92, 93 ... Tension relieving mechanism
96 ... The rotation driving unit 100 ... Substrate processing apparatus
192, 193 ... Vibration absorbing mechanisms 292, 293 ... Vibration absorbing mechanism
392, 393 ... Vibration imparting mechanism

Claims (7)

가요성을 가지는 띠 모양의 기판을 장척방향으로 노광장치에 반송하여 처리한 후, 웨트처리장치에 반송하는 것에 의해, 상기 기판 상에 전자 디바이스의 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법으로서,
상기 노광장치는 구획부재에 의해서 나누어진 제1 처리실 내에 설치되며, 상기 웨트처리장치는 상기 제1 처리실에 대해 중력방향에 관하여 아래쪽 측에 위치하는 제2 처리실 내에 설치되며,
상기 웨트처리장치는, 상기 노광장치에서 노광처리되기 전의 상기 기판의 표면에 감광제의 도포막을 형성하는 도포장치와, 상기 노광장치에서 노광된 상기 기판의 상기 도포막을 현상액으로 처리하는 현상장치를 포함하며,
중력방향에 관하여 상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실과의 사이를 나누는 구획부재에 마련된 관통구멍 또는 개구부를 통하여, 상기 도포장치에 의해 상기 도포막이 도포된 상기 기판을 장척방향으로 상기 노광장치에 반입하며, 상기 기판의 상기 도포막에 전자 디바이스의 패턴을 노광하는 공정과,
중력방향에 관하여 상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실과의 사이를 나누는 구획부재에 마련된 관통구멍 또는 개구부를 통하여, 상기 노광장치에서 노광된 상기 기판을 장척방향으로 상기 현상장치로 반송하며, 상기 도포막을 현상처리하는 공정을 포함하며,
상기 기판을 장척방향으로 반송하기 위한 복수의 롤러로 구성되는 반송부에 의해, 상기 제2 처리실 내의 상기 도포장치, 상기 제1 처리실 내의 상기 노광장치, 및 상기 제2 처리실로 돌아와 상기 제2 처리실 내의 상기 현상장치 순서로 상기 기판을 반송하는 패턴 형성 방법.
There is provided a pattern forming method for forming a pattern of an electronic device on a substrate by transporting a band-shaped substrate having flexibility in an elongated direction to an exposure apparatus, carrying the processed substrate to a wet processing apparatus,
Wherein said exposure apparatus is installed in a first treatment chamber divided by a partition member and said wet treatment apparatus is installed in a second treatment chamber located on the lower side with respect to the first treatment chamber in the direction of gravity,
Wherein the wet processing apparatus includes a coating apparatus for forming a coating film of a photosensitive agent on a surface of the substrate before exposure processing in the exposure apparatus and a developing apparatus for treating the coating film of the substrate exposed in the exposure apparatus with a developing solution ,
The substrate coated with the coating film is brought into the exposure apparatus in the longitudinal direction through the through hole or opening provided in the partitioning member dividing the first treatment chamber and the second treatment chamber with respect to the gravity direction A step of exposing a pattern of the electronic device to the coating film of the substrate;
The substrate exposed in the exposure apparatus is conveyed to the developing apparatus in the longitudinal direction through a through hole or an opening provided in the partitioning member dividing the first processing chamber and the second processing chamber with respect to the gravity direction, And developing the film,
And a transfer unit configured by a plurality of rollers for transporting the substrate in the longitudinal direction, the substrate is returned to the coating apparatus in the second processing chamber, the exposure apparatus in the first processing chamber, and the second processing chamber, And the substrate is transported in the developing apparatus order.
청구항 1에 있어서,
상기 기판을 상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실과의 사이에서 반송하기 위해서, 상기 반송부는, 상기 제1 처리실 측과 상기 제2 처리실 측의 각각에 마련되며, 상기 기판을 중력방향으로 되접는 롤러를 포함하는 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the transfer section is provided on each of the first process chamber side and the second process chamber side to transfer the substrate between the first process chamber and the second process chamber, ≪ / RTI >
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제2 처리실에는, 상기 웨트처리장치에서 발생하는 폐기물을 회수하는 회수부가 마련되는 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the second processing chamber is provided with a recovery section for recovering waste generated in the wet processing apparatus.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1 처리실의 압력을 상기 제2 처리실의 압력보다도 높게 하는 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the pressure of the first processing chamber is higher than the pressure of the second processing chamber.
청구항 1에 있어서,
상기 기판은, 중력방향에 관하여 상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실과의 사이에 구획부재에 의해서 나누어져 설치되는 제3 처리실을 통과하도록 상기 반송부의 복수의 롤러에 의해 반송되며, 상기 도포장치에서의 처리에 의해 상기 기판에 도포된 상기 도포막, 또는 상기 현상장치에서의 처리에 의해 상기 기판에 부착된 액체를, 상기 기판이 상기 제3 처리실을 통과하는 동안에 건조 혹은 제거하는 패턴 형성 방법.
The method according to claim 1,
The substrate is conveyed by a plurality of rollers of the conveying unit so as to pass through a third processing chamber divided by the partitioning member between the first processing chamber and the second processing chamber with respect to the gravity direction, Wherein the coating film applied to the substrate by the treatment of the developing device or the liquid attached to the substrate by the treatment in the developing device is dried or removed while the substrate passes through the third treatment chamber.
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