KR101952971B1 - 판형 워크 중심 검출 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 차광성을 갖는 판형 워크에 더하여, 투광성을 갖는 판형 워크의 중심을 검출할 수 있는 판형 워크 중심 검출 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
투광성의 판형 워크(Wt)를 유지하는 유지면(14b)을 갖는 유지 테이블(14)과, 유지 테이블에 유지된 판형 워크를 위쪽으로부터 촬상하는 촬상 수단(17)과, 판형 워크보다 넓은 면적의 발광면(12a)을 가지며, 촬상 수단에 의한 촬상시에 판형 워크를 아래쪽으로부터 조광하는 촬상 조명(12)으로 구성되는 워크 촬상 장치(1)에 있어서, 촬상 조명의 발광면과 유지 테이블의 유지면 사이에 정해진 간격(D)을 확보하여 판형 워크에 수직으로 조광시키고, 판형 워크의 외주가 링형으로 흑색으로 촬상되고, 판형 워크의 외측이 백색으로 촬상되도록 촬상 카메라(17b)의 높이(H)를 설정했다.

Description

판형 워크 중심 검출 방법{METHOD FOR DETECTING CENTER OF PLATE-SHAPED WORK}
본 발명은, 웨이퍼 등의 판형 워크의 중심을 검출하는 판형 워크 중심 검출 방법에 관한 것으로, 특히, 투광성을 갖는 판형 워크 및 차광성을 갖는 판형 워크의 중심을 함께 검출할 수 있는 판형 워크 중심 검출 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에서는, 웨이퍼에 대하여 여러가지 가공 처리가 행해진다. 웨이퍼는, 외주 형상에 기초하여 중심이 위치 맞춤된 후에 가공 처리가 행해지는 가공 장치에 반입된다. 위치 맞춤에 이용되는 위치 맞춤 기구는, 웨이퍼 등의 판형 워크보다 직경이 작은 유지 테이블과, 유지 테이블의 주위에서 직경 방향으로 이동 가능한 복수의 핀을 구비한다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 위치 맞춤 기구의 유지 테이블에 판형 워크가 배치되면, 복수의 핀이 판형 워크의 외주면에 접촉하여 판형 워크는 유지 테이블의 중심에 위치 맞춤된다.
전술한 위치 맞춤 기구에서, 판형 워크는 외주 형상에 기초하여 기계적으로 위치 맞춤된다. 이 때문에, 결정 방위를 나타내는 배향판이나 노치 등의 이형상부(異形狀部)가 외주에 존재하는 경우에는, 판형 워크를 외주 형상에 기초하여 정확하게 위치 맞춤할 수 없을 우려가 있다. 이 문제를 해소하기 위해, 유지 테이블에 유지시킨 판형 워크를 촬상 카메라로 촬상하고, 촬상된 화상으로부터 판형 워크의 외주를 판단하여 중심을 검출하는 위치 맞춤 방법이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평성7-211766호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2011-253936호 공보
특허문헌 2에 기재되는 방법은, 외주 형상에서의 배향판 등의 이형상부를 고려할 수 있기 때문에, 판형 워크의 중심의 검출 정밀도는 향상된다. 그러나, 광을 투과하는 투광성의 판형 워크를 이용하는 경우에는, 외주를 판단하기 위해 적절한 화상을 촬상할 수 없고, 촬상된 화상에 기초하여 판형 워크의 중심을 검출할 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 차광성을 갖는 판형 워크에 더하여, 투광성을 갖는 판형 워크의 중심을 검출할 수 있는 판형 워크 중심 검출 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 판형 워크 중심 검출 방법은, 투광성의 판형 워크를 유지면으로 유지하는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블에 유지된 판형 워크를 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상 수단이 촬상할 때에 상기 유지 테이블의 아래로부터 판형 워크를 조광하는 촬상 조명으로 구성되는 워크 촬상 장치를 이용하여, 판형 워크의 중심을 검출하는 판형 워크 중심 검출 방법으로서, 상기 촬상 조명은, 상기 유지 테이블이 유지하는 판형 워크보다 넓은 면적의 발광면으로 구성되고, 상기 발광면으로부터 수직으로 촬상광을 발광하고, 상기 촬상 수단은, 상기 유지 테이블에 유지된 판형 워크의 위쪽에 배치되어 상기 유지 테이블의 중심의 직상(直上)으로부터 판형 워크의 전체를 촬상하는 촬상 카메라와, 상기 촬상 카메라가 촬상한 촬상 화상으로부터 상기 판형 워크의 외주를 판단하는 판단부와, 상기 판단부가 판단한 판형 워크 외주로부터 상기 판형 워크 중심을 검출하는 검출부로 구성되고, 상기 발광면과 상기 유지 테이블의 상기 유지면 사이에는 정해진 간격이 확보되어 있고, 상기 촬상 수단으로, 상기 유지 테이블이 유지하는 판형 워크를 촬상했을 때, 상기 판형 워크의 외주가 링형으로 흑색이고, 상기 판형 워크의 외측이 백색인 촬상 화상이 되도록 상기 촬상 카메라의 높이가 설정되는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 판형 워크보다 넓은 면적의 발광면을 갖는 촬상 조명을 이용하여, 촬상 조명의 촬상광이 판형 워크의 이면에 수직으로 입사되도록 촬상 조명의 발광면과 유지 테이블의 유지면 사이에 정해진 간격을 확보하고, 투광성을 갖는 판형 워크의 외주가 링형으로 흑색으로 촬상되도록 촬상 카메라의 높이를 설정했기 때문에, 촬상 수단으로 촬상되는 촬상 화상에 기초하여, 투광성을 갖는 판형 워크의 외주를 적절하게 판단하여 중심을 검출할 수 있다. 또, 이 방법에 의하면, 차광성을 갖는 판형 워크의 외주도 적절하게 판단하여 중심을 검출할 수 있다. 따라서, 차광성을 갖는 판형 워크에 더하여, 투광성을 갖는 판형 워크의 중심을 검출할 수 있는 판형 워크 중심 검출 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 차광성을 갖는 판형 워크에 더하여, 투광성을 갖는 판형 워크의 중심을 검출할 수 있는 판형 워크 중심 검출 방법이 제공된다.
도 1은 본 실시형태에 따른 판형 워크 중심 검출 방법에 이용되는 워크 촬상 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 판형 워크 중심 검출 방법에 이용되는 워크 촬상 장치의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 판형 워크 중심 검출 방법에서 촬상 수단으로 촬상되는 화상의 예를 나타내는 도면이다.
지금까지의 방법에서는, 광을 투과하는 투광성의 판형 워크의 중심을 적절하게 검출할 수 없었다. 이 문제는, 투광성의 판형 워크를 촬상하더라도 외주를 판단하기 위해서 필요한 화상을 취득할 수 없는 것에 기인하고 있다. 본 발명자는, 이 점에 관해서 예의 연구를 거듭하여, 판형 워크보다 넓은 면적의 발광면을 구비하는 면광원을 이용하여, 조명광(촬상광)을 판형 워크의 이면(또는 표면)에 수직으로 입사시킴으로써, 투광성을 갖는 판형 워크의 외주를 흑색으로 촬상할 수 있는 것을 발견했다. 그리고, 이 지견에 기초하여, 본 발명에 따른 판형 워크 중심 검출 방법을 완성했다. 즉, 본 발명의 골자는, 판형 워크보다 넓은 면적의 발광면을 갖는 촬상 조명으로부터, 판형 워크의 이면(또는 표면)에 수직으로 조명광을 입사시키는 것이다. 이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다.
우선, 본 실시형태에 따른 판형 워크 중심 검출 방법에 이용되는 워크 촬상 장치의 구성을 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 판형 워크 중심 검출 방법에 이용되는 워크 촬상 장치(1)의 구성을 나타내는 사시도이다. 도 2는, 본 실시형태에 따른 판형 워크 중심 검출 방법에 이용되는 워크 촬상 장치(1)의 구성을 나타내는 모식도이다. 또한, 도 1 및 도 2에서는, 판형 워크 중심 검출 방법의 대상이 되는 투광성을 갖는 웨이퍼(판형 워크)(Wt)를 함께 나타내고 있다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 따른 판형 워크 중심 검출 방법에 이용되는 워크 촬상 장치(1)는, 베이스(11)의 위쪽에 웨이퍼(Wt)를 유지하는 유지 테이블(14)이 설치되어 있다. 유지 테이블(14)에 유지되는 웨이퍼(Wt)는, 대략 원판형으로 형성되어 있고, 표면(Wt1)에 배열된 격자형의 분할 예정 라인(도시되지 않음)에 의해 복수의 영역으로 구획되어 있다. 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에는, 발광 디바이스나 반도체 집적 회로 등이 형성된다.
웨이퍼(Wt)로는, 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 실리콘카바이드(SiC) 등을 포함하는 반도체 웨이퍼, 세라믹, 유리, 사파이어계의 무기 재료 기판, 판형 금속, 수지 기판 등이 이용된다. 본 실시형태에서는, 유리, 사파이어 등의 투광성을 갖는 웨이퍼(Wt)를 이용하는 예를 설명하지만, 차광성을 갖는 웨이퍼도 동일하게 적용할 수 있다. 또한, 웨이퍼(Wt)의 외주에는, 결정 방위를 나타내는 배향판이나 노치 등의 이형상부가 형성되어 있어도 좋다.
워크 촬상 장치(1)는, 대략 직방체형의 베이스(11)를 구비한다. 베이스(11)는, 대략 평탄한 상면(11a)을 갖고 있고, 이 상면(11a)에는, 백색광을 발광하는 면광원인 촬상 조명(12)이 배치되어 있다. 촬상 조명(12)은, 웨이퍼(Wt)의 이면(Wt2)(또는 표면(Wt1))보다 넓은 면적의 발광면(12a)을 갖고 있고, 웨이퍼(Wt)의 이면(Wt2)에 대하여 조명광(촬상광)(L)을 수직으로 입사시킬 수 있다. 이 촬상 조명(12)은, 예컨대, 유기 EL 조명이며, 배선(도시되지 않음)을 통해 외부로부터 전력이 공급된다.
촬상 조명(12)의 위쪽에는, 대략 원통형의 테이블 지주(13)가 설치되어 있고, 테이블 지주(13)의 상단에는, 웨이퍼(Wt)를 유지하는 유지 테이블(14)이 설치되어 있다. 유지 테이블(14)은, 웨이퍼(Wt)보다 직경이 작은 원판형으로 형성되어 있고, 그 상면 중앙 부분에는, 다공성 세라믹재에 의한 흡착부(14a)가 설치되어 있다. 유지 테이블(14)은, 흡착부(14a)에서 웨이퍼(Wt)를 흡착할 수 있도록, 테이블 지주(13)의 내부에 설치된 배관(15a)을 통해 베이스(11)의 하부에 설치된 흡인원(15)과 접속되어 있다. 흡착부(14a)에서 웨이퍼(Wt)를 이면(Wt2)측으로부터 흡착시킴으로써, 웨이퍼(Wt)는 유지 테이블(14) 상의 유지면(14b)에 유지된다.
유지 테이블(14)의 위쪽에는, 지지 아암(16)이 위치 부여되어 있고, 지지 아암(16)의 선단부에는 촬상 수단(17)이 설치되어 있다. 촬상 수단(17)은, 촬상 영역을 확대하여 투영하는 렌즈(17a)와, 확대된 촬상 영역을 촬상하는 촬상 카메라(17b)를 구비한다. 렌즈(17a)에 의해 정해진 배율로 결상된 촬상 영역의 이미지는, 촬상 카메라(17b)에 투영되어 촬상된다. 촬상 카메라(17b)는, 내부에 CCD나 CMOS 등의 촬상 소자를 구비한다. 촬상 소자는 복수의 화소로 구성되어 있고, 각 화소가 받는 광량에 따른 전기 신호를 얻을 수 있게 되어 있다.
또, 촬상 수단(17)은, 촬상 카메라(17b)로 촬상된 촬상 화상에 기초하여 웨이퍼(Wt)의 외주를 판단하는 판단부(17c)와, 판단부(17c)에서 판단된 웨이퍼(Wt)의 외주에 기초하여 웨이퍼(Wt)의 중심을 검출하는 검출부(17d)를 포함한다. 촬상 카메라(17b)의 촬상 화상은 판단부(17c)로 보내어져, 미분 처리 등에 의해 휘도의 구배가 큰 에지부가 검출된다. 검출된 에지부의 정보는, 검출부(17d)에서 웨이퍼(Wt)의 중심을 검출할 때에 이용된다. 또한, 촬상 수단(17)의 상부에는 배선(17e)이 설치되어 있고, 배선(17e)을 통해 촬상 수단(17)에 전력이 공급되고, 외부 장치(도시되지 않음)에 대하여 웨이퍼(Wt)의 중심에 관한 정보를 출력할 수 있게 되어 있다.
이와 같이 구성된 워크 촬상 장치(1)의 유지 테이블(14)에, 투광성의 웨이퍼(Wt)가 유지되고, 촬상 조명(12)에 의해 유지 테이블(14)의 아래쪽으로부터 웨이퍼(Wt)가 조광된다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 촬상 조명(12)의 발광면(12a)과 유지 테이블(14)의 유지면(14b)은 테이블 지주(13)에 의해 대략 평행하게 유지되고 있어, 간격(D)이 확보되어 있다. 이 때문에, 촬상 조명(12)으로부터의 조명광(촬상광)(L)은, 웨이퍼(Wt)의 이면(Wt2)에 대하여 대략 수직으로 입사된다.
이 상태에서, 촬상 수단(17)을 유지면(14b)으로부터 적절한 높이(H)에 배치하면, 웨이퍼(Wt)는 촬상 카메라(17b)에 의해 촬상된다. 여기서, 촬상 수단(17)의 높이(H)는, 웨이퍼(Wt)의 외주가 흑색의 링형으로 촬상되고, 판형 워크의 바깥쪽이 백색으로 촬상되도록 설정된다. 이에 따라, 판단부(17c)는, 촬상 카메라(17b)에서 보내지는 촬상 화상에 기초하여 웨이퍼(Wt)의 외주를 판단하고, 검출부(17d)는, 웨이퍼(Wt)의 중심을 검출할 수 있다.
이 워크 촬상 장치(1)는, 웨이퍼(Wt)보다 넓은 발광면(12a)을 갖는 촬상 조명(12)을 구비하고 있기 때문에, 조명광(L)은 웨이퍼(Wt)의 이면(Wt2) 전역(全域)에 입사되기 쉬워져, 웨이퍼(Wt)의 외주를 흑색의 링형으로 촬상하는 것이 가능해진다. 이에 비해, 점광원이나 선광원을 이용하는 장치 구성에서는, 웨이퍼(Wt)의 이면(Wt2)은 부분적으로 조광되어 외주는 흐려지기 쉬워지므로, 이러한 휘도 구배가 큰 화상을 얻는 것은 어렵다.
다음으로, 전술한 워크 촬상 장치(1)를 이용하는 판형 워크 중심 검출 방법에 관해 설명한다. 우선, 전술한 바와 같이, 촬상 조명(12)의 발광면(12a)과 유지 테이블(14)의 유지면(14b)의 간격(D)을 확보한다. 또, 웨이퍼(Wt)의 외주가 링형으로 흑색으로 촬상되고, 판형 워크의 바깥쪽이 백색으로 촬상되도록, 촬상 수단(17)의 높이(H)를 설정한다. 구체적으로는, 예컨대, 촬상 조명(12)의 발광면(12a)과 유지 테이블(14)의 유지면(14b)의 간격(D)을 100 mm로 설정하고, 촬상 수단(17)의 높이(H)를 400 mm로 설정한다. 단, 간격(D) 및 높이(H)는 이것으로 한정되지 않는다.
전술한 바와 같이 간격(D) 및 높이(H)가 설정된 상태로, 유지 테이블(14)의 유지면(14b)에 웨이퍼(Wt)를 유지시키고, 촬상 조명(12)으로부터 조명광(L)을 웨이퍼(Wt)의 이면(Wt2)에 입사시킨다. 그리고, 웨이퍼(Wt)의 위쪽에 위치 부여된 촬상 수단(17)의 촬상 카메라(17b)로 촬상한다.
도 3은, 촬상 수단(17)에서 촬상되는 화상의 예를 나타내는 도면이다. 간격(D) 및 높이(H)를 전술한 바와 같이 설정하면, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 투광성의 웨이퍼(Wt)의 외주(Wt3)는 촬상 카메라(17b)에서 흑색의 링형으로 촬상되고, 웨이퍼(Wt)의 내측 및 외측은 백색으로 촬상된다. 또한, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 차광성의 웨이퍼(판형 워크)(Ws)를 이용하는 경우에는, 웨이퍼(Ws)의 내측 및 외주(Ws3)는 촬상 수단(17)에서 흑색으로 촬상되고, 웨이퍼(Ws)의 외측은 백색으로 촬상된다.
여기서, 간격(D)이 적절한 값보다 작게 설정되면, 촬상 수단(17)의 핀트를 조절하더라도 투광성의 웨이퍼(Wt)의 외주(Wt3)는 회색으로 촬상되어 버려, 판단부(17c)에서 외주(Wt3)를 적절하게 판단할 수 없게 된다. 이것은, 간격(D)을 적절한 값보다 작게 함으로써, 웨이퍼(Wt)의 외주(Wt3)의 근방에서 반사, 산란, 또는 투과된 광이 촬상 수단(17)에 입사되어, 외주(Wt3)가 흐려져 버리기 때문이라고 생각된다. 이에 비해, 본 실시형태에서는, 투광성의 웨이퍼(Wt)의 외주(Wt3)가 흑색의 링형으로 촬상되도록 간격(D) 및 높이(H)는 적절하게 설정되어 있기 때문에, 판단부(17c)에서 외주(Wt3)를 적절하게 판단할 수 있다.
촬상 카메라(17b)에서 촬상된 촬상 화상은, 판단부(17c)로 보내어져, 미분 처리 등에 의해 휘도의 구배가 큰 에지부가 검출된다. 구체적으로는, 판단부(17c)는, 예컨대, 휘도 구배의 절대치가 임계치보다 커지는 영역을 에지부로서 추출하여, 외주(Wt3)(또는, 외주(Ws3))로 판정한다. 도 3a에 나타낸 바와 같이, 투광성의 웨이퍼(Wt)의 내측의 영역 및 외측의 영역은 백색으로 촬상되기 때문에, 웨이퍼(Wt)의 내측의 영역 및 외측의 영역에서 촬상 화상의 휘도 구배는 대략 일정해진다. 한편, 외주(Wt3)는 흑색의 링형으로 촬상되기 때문에, 촬상 화상의 휘도 구배의 절대치는 외주(Wt3)에서 커진다. 판단부(17c)는, 이 휘도 구배에 기초하여 웨이퍼(Wt)의 외주(Wt3)를 판단한다.
또한, 도 3b에 나타낸 바와 같이, 차광성의 웨이퍼(Ws)에서는, 웨이퍼(Ws)의 내측의 영역은 흑색으로 촬상되고, 촬상 화상의 휘도 구배는 대략 일정해진다. 또, 웨이퍼(Ws)의 외측의 영역은 백색으로 촬상되고, 촬상 화상의 휘도 구배는 대략 일정해진다. 한편, 외주(Ws3)를 경계로 내측과 외측에서 휘도는 크게 상이하고, 휘도 구배의 절대치는 외주(Ws3)에서 커진다. 판단부(17c)는, 이 휘도 구배에 기초하여 웨이퍼(Ws)의 외주(Ws3)를 판단한다.
판단부(17c)에서 웨이퍼(Wt)(또는 웨이퍼(Ws))의 외주(Wt3)(또는 외주(Ws3))가 판단되면, 외주(Wt3)의 좌표 정보는 검출부(17d)로 보내어진다. 검출부(17d)는, 외주(Wt3)의 좌표 정보로부터 웨이퍼(Wt)의 중심을 검출한다.
웨이퍼(Wt)의 중심은, 예컨대, 웨이퍼(Wt)의 외주(Wt3)에 대하여 하프 변환을 적용함으로써 검출할 수 있다. 또는, 웨이퍼(Wt)의 외주(Wt3)의 좌표치를 평균화함으로써 검출할 수 있다. 외주(Wt3)의 3점의 좌표치를, 원의 중심을 구하는 방정식에 대입하는 방법으로 웨이퍼(Wt)의 중심을 검출해도 좋다. 또, 외주(Wt3)의 2개의 현의 수직이등분선을 구하는 방법으로 웨이퍼(Wt)의 중심을 검출해도 좋다. 또한, 결정 방위를 나타내는 배향판이나 노치 등의 이형상부가 설치되어 있는 경우에, 검출부(17d)는, 이형상부를 고려하여 중심을 검출한다.
검출부(17d)에 의해 검출된 웨이퍼(Wt)의 중심의 좌표는, 배선(17e)을 통하여 외부 장치에 출력된다. 외부 장치는, 이 좌표 정보에 기초하여 웨이퍼(Wt)의 중심을 인식하여 위치 맞춤을 행한다. 또한, 본 실시형태의 워크 촬상 장치(1)에서는, 촬상 수단(17)이 판단부(17c) 및 검출부(17d)를 구비하고 있지만, 판단부(17c) 및 검출부(17d)는, 워크 촬상 장치(1)의 외부에 설치되어 있어도 좋다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 판형 워크 중심 검출 방법은, 웨이퍼(판형 워크)(Wt)보다 넓은 면적의 발광면(12a)을 갖는 촬상 조명(12)을 이용하여, 촬상 조명(12)의 조명광(촬상광)(L)이 웨이퍼(Wt)의 이면(Wt2)에 수직으로 입사되도록 촬상 조명(12)의 발광면(12a)과 유지 테이블(14)의 유지면(14b) 사이에 정해진 간격(D)을 확보하고, 투광성을 갖는 웨이퍼(Wt)의 외주(Wt3)가 링형으로 흑색으로 촬상되도록 촬상 카메라(17b)의 높이(H)를 설정했기 때문에, 촬상 수단(17)으로 촬상되는 촬상 화상에 기초하여, 웨이퍼(Wt)의 외주(Wt3)를 적절하게 판단하여 중심을 검출할 수 있다. 또, 이 방법에 의하면, 차광성을 갖는 웨이퍼(판형 워크)(Ws)의 경우에도, 외주(Ws3)를 적절하게 판단하여 중심을 검출할 수 있다. 따라서, 차광성을 갖는 웨이퍼(Ws)에 더하여, 투광성을 갖는 웨이퍼(Wt)의 중심을 검출할 수 있는 판형 워크 중심 검출 방법이 제공된다.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. 예컨대, 유지 테이블은, 베이스 상면에 수직인 수직축의 둘레에 회전 가능하게 구성되어 있어도 좋다. 또, 본 실시형태에서는, 촬상 조명의 조명광(촬상광)을 웨이퍼의 이면에 입사되는 예를 설명했지만, 조명광은, 웨이퍼의 표면에 입사시켜도 좋다. 또, 조명광은, 적절한 휘도의 화상을 촬상할 수 있는 광강도 및 파장을 갖고 있으면 된다. 즉, 조명광은 반드시 백색이 아니어도 좋다.
기타, 상기 실시형태에 따른 구성, 방법 등은, 본 발명이 목적으로 하는 범위를 일탈하지 않는 한, 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
본 발명의 판형 워크 중심 검출 방법은, 투광성을 갖는 판형 워크 또는 차광성을 갖는 판형 워크의 중심을 검출할 때 유용하다.
1 : 워크 촬상 장치 11 : 베이스
11a : 상면 12 : 촬상 조명
12a : 발광면 13 : 테이블 지주
14 : 유지 테이블 14a : 흡착부
14b : 유지면 15 : 흡인원
15a : 배관 16 : 지지 아암
17 : 촬상 수단 17a : 렌즈
17b : 촬상 카메라 17c : 판단부
17d : 검출부 17e : 배선
D : 간격 H : 높이
L : 조명광(촬상광) Wt, Ws : 웨이퍼(판형 워크)

Claims (1)

  1. 투광성의 판형 워크를 유지면으로 유지하는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블에 유지된 판형 워크를 촬상하는 촬상 수단과, 상기 촬상 수단이 촬상할 때에 상기 유지 테이블의 아래로부터 판형 워크를 조광하는 촬상 조명으로 구성되는 워크 촬상 장치를 이용하여, 판형 워크의 중심을 검출하는 판형 워크 중심 검출 방법으로서,
    상기 촬상 조명은, 상기 유지 테이블이 유지하는 판형 워크보다 넓은 면적의 발광면으로 구성되고, 상기 발광면으로부터 수직으로 촬상광을 발광하고,
    상기 촬상 수단은, 상기 유지 테이블에 유지된 판형 워크의 위쪽에 배치되어 상기 유지 테이블의 중심의 직상(直上)로부터 판형 워크의 전체를 촬상하는 촬상 카메라와, 상기 촬상 카메라가 촬상한 촬상 화상으로부터 상기 판형 워크의 외주를 판단하는 판단부와, 상기 판단부가 판단한 판형 워크 외주로부터 상기 판형 워크 중심을 검출하는 검출부로 구성되고,
    상기 발광면과 상기 유지 테이블의 상기 유지면 사이에는 정해진 간격이 확보되어 있고,
    상기 촬상 수단으로, 상기 유지 테이블이 유지하는 판형 워크를 촬상했을 때, 상기 판형 워크의 외주가 링형으로 흑색이고, 상기 판형 워크의 외측이 백색인 촬상 화상이 되도록 상기 촬상 카메라의 높이가 설정되는 것인 판형 워크 중심 검출 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6210902B2 (ja) * 2014-02-18 2017-10-11 株式会社ディスコ レーザー加工溝の検出方法
CN109000570A (zh) * 2018-07-28 2018-12-14 大连云腾机械制造有限公司 高精度工件高度检测仪
JP2022078570A (ja) 2020-11-13 2022-05-25 株式会社ディスコ 中心検出装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017545A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の位置決め方法と装置
JP2011253936A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63161637A (ja) * 1986-12-25 1988-07-05 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハの位置認識装置
JPH07211766A (ja) 1994-01-14 1995-08-11 Disco Abrasive Syst Ltd 中心合わせ装置
JP4385699B2 (ja) * 2003-09-25 2009-12-16 オムロン株式会社 半導体ウェーハの方向調整方法および半導体ウェーハの方向調整装置
JP4774332B2 (ja) * 2006-06-06 2011-09-14 富士フイルム株式会社 偏芯量測定方法
KR100978487B1 (ko) * 2008-12-29 2010-08-30 에이티아이 주식회사 기판검사용 조명장치
TWM387242U (en) * 2010-04-09 2010-08-21 Nat Applied Res Laboratories Eccentric inspection device of optical lens

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017545A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の位置決め方法と装置
JP2011253936A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置

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