KR101927868B1 - 알파-입자 방출원의 제거 - Google Patents

알파-입자 방출원의 제거 Download PDF

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Abstract

적어도 일부의 알파-입자 방출 물질을 제거함으로써 산성 금속 용액을 정제하는 방법이 제공되었다. 정제된 금속 용액은 낮은 수준의 알파-입자 방출원을 요구하는 다양한 분야에서 유용하게 활용된다.

Description

알파-입자 방출원의 제거 {Alpha-particle emitter removal}
본 발명은 낮은 수준의 알파-입자 방출 불순물(alpha-particle emitting impurities)을 갖는 금속 조성물 분야 및 금속 조성물로부터 알파-입자 방출 불순물을 제거하는 방법에 관한 것이다.
많은 상이한 금속들이 전자 장치 제조에 사용된다. 이들 금속 몇몇은 알파-입자를 방출하는, 낮은 수준의 특정 방사성 동위원소("알파-입자 방출원")를 함유할 수 있다. 방출된 이들 알파-입자는 "소프트 에러"라고 불리는, 전기적 상태의 변화를 유발할 수 있다. "소프트"라고 불리는 것은 이것이 영구적이지 않기 때문이나, 전형적으로 이러한 에러는 적어도 1회의 부정확한 계산을 유발한다. 이러한 소프트 에러는 집적회로 칩 제작자에게 큰 문젯거리이다.
많은 이온화 방사선(ionizing radiation) 공급원이 존재하나, 반도체 장치 패키지의 경우 가장 빈번히 문제되는 것은 솔더(solder)이다. 솔더는 집적회로("IC") 칩을 패키지 또는 기판에 부착시키는 반도체 장치 패키징에 통상적으로 사용된다. IC 회로망을 부착시키는 솔더가 알파-입자 방출원을 함유하는 경우, 알파-입자가 IC에 근접하여 방출되며 패키징된 반도체 장치를 손상시킬 수 있다.
IC 칩 회로망의 소형화 및 향상된 성능에 대한 요구는 칩 제작자로 하여금 알파-입자와 같은 이온화 방사선의 영향에 더 많은 주의를 기울이게 하였다. 예를 들어, 어떤 패키지 디자인은 알파-입자로부터 IC를 보호하기 위하여 차폐물을 결합시킨다. 이러한 차폐물은 항상 효과적인 것은 아니며 IC 칩 패키지의 복잡도를 증가시킨다. 따라서, 솔더 내의 알파-입자 방출원의 농도를 줄이는 것이 바람직하다.
납은 주석-납 합금과 같은 많은 솔더의 공통적인 구성요소이다. 그러나, 납 동위원소 중 하나(구체적으로 210Pb)는 붕괴계열(decay chain)을 가져 알파-입자를 낸다. 210Pb은, 벌크 금속 물질(예를 들어, 은 및 주석) 내에서 불순물인 알파 입자 방출원의 주원인이 되는 우라늄 붕괴계열의 일원이다. 또한, 여러 공통적인 납 오염물, 예를 들어, 우라늄 동위원소(234,238U), 토륨 동위원소(230Th), 라듐 동위원소(226Ra), 라돈 동위원소(222Rn), 폴로늄 동위원소(210,218Po) 및 비스무스 동위원소(211,212Bi)는 알파-입자를 방출할 수 있다.
납에 존재하는 알파-입자 방출원은, 납이 처음 제련되어 나오는 광석에 존재할 수 있다. 이와 달리, 또는 이에 더하여 알파-입자 방출원은 제조 공정 및/또는 납의 사용 중에 도입될 수 있다. 예를 들어, 인산 및 몇몇 정전기 방지 시스템은 알파-입자 방출원을 함유하며; 몇몇 연마제 및 세정제는 납에 알파-입자 방출원을 도입시킬 수 있고; 시판되는 납의 제련은 우라늄, 토륨 및 기타 알파-입자 방출원을 맥석암(gangue rock)에서 얻은 납으로 도입시킬 수 있다.
납에 존재하는 알파-입자 방출원의 양은 전형적으로 알파 플럭스 측정에 의해 측정될 수 있는데, 그 결과는 시간당 단위면적당 알파-입자 카운트(cts/cm2/hr)로 표현된다. 0.002 내지 0.02 cts/cm2/hr의 알파 플럭스를 갖는 납은 시판되고 있으나, 그보다 낮은 알파 플럭스를 갖는 물질을 얻기는 매우 어렵다. 그러나, 반도체 산업분야에서는, 예를 들어, 0.0001cts/cm2/hr 이하의 알파 플럭스를 갖는 물질을 포함하는, 현저히 낮은 알파 플럭스를 갖는 물질이 요구되고 있다.
납-함유 솔더에 있어서 알파-입자 방출원의 수를 감소시키기 위해 이용되어 왔던 방법 중 하나는 매우 적은 방출원을 함유하는 납 물질로부터 시작하는 것이다. 현재, 이러한 물질의 3가지 공급원이 존재한다: (1) 210Pb가 실질적으로 모두 붕괴된 매우 오래된 납; (2) 매우 적은 210Pb를 가지며 세심하게 제련된 몇몇 특정 PbS 광체(ore bodies); 및 (3) 레이저 동위원소 분리를 거쳐 납으로부터 210Pb 동위원소를 제거한 납. 이들 공급원 모두에서 다양한 문제들이 존재한다. 예를 들어, 1번째 공급원은 매우 오래된 납을 이용하는데, 이는 잘 제련되지 않으며 다양한 방사성핵종(radionuclides)을 오염물질로 함유한다. 전형적으로, 2번째 공급원은 반도체 분야에서 궁극적으로 요구하는 만큼 충분히 낮은 알파-입자 방출원 농도를 갖지 못한다. 3번째 공급원은 제조에 에너지가 많이 소비되므로 경제적인 면에서 실현 가능성이 적다.
솔더에서 알파-입자 방출원의 농도를 감소시키는 다른 방법은 "납이 없는" 솔더를 이용하는 것이다. 납이 없는 적당한 솔더는 다양한 금속, 그 중에서도 특히, 순수 주석 또는 주석-은, 주석-비스무스, 주석-구리, 및 주석-은-구리로 구성될 수 있다. 이러한 솔더는 납을 거의 함유하지 않으며, 만일 존재하더라도, 환경적인 관점에서 바람직한 수준이다. 그러나, 이들 납이 없는 솔더에는 여전히 바람직하지 못한 양의 알파-입자 방출원이 존재할 수 있는데, 왜냐하면 이러한 솔더를 제조하기 위해 사용된 물질이 하나 이상의 알파-입자 방출원을 함유할 수 있으며, 알파-입자 방출원을 제공하는, 산, 정전기 방지제, 세정제, 연마제 또는 제련 오염 물질로 처리될 수 있기 때문이다.
솔더 물질의 알파-입자 방출 불순물 수준을 감소시키기 위한 시도가 있어왔다. 미국 특허번호 7,521,286은 수성 질산조를 이용한 전기제련에 의해 납-함유 물질에서의 알파-입자 방출 물질의 수준을 0.001cts/cm2/hr 이하로 감소시키는 방법을 청구하였다. 이는 여전히 에너지 및 시간 집약적인 방법이며 납이 없는 솔더 물질로부터 알파-입자 방출 불순물을 제거하는 문제를 다루지 않고 있다. 일본 출원 공개 번호 2003-193283은, 실리카 겔과 같은 흡수제와 전기도금 조를 접착시키는 단계, 암모니아로 도금 조의 pH를 강염기(pH 10 내지 11)로 조정하는 단계, 일정 시간 동안 흡수제와 접촉시켜 흡수제에 알파-방출 입자를 흡수시키는 단계, 흡수제를 제거하는 단계, 및 조를 가열하여 암모니아를 제거하는 단계 및 이온 교환 수지를 사용하여 잔류 암모니아를 제거하는 단계, 및 전기도금 조를 재-산성화시키는 단계에 의하여, 금속 전기도금 조로부터 알파-입자 불순물을 제거하는 방법을 청구하고 있다. 이는 경제성이 없는 방법이며, 오히려 공정 중 염기 및 산의 첨가로 인해 불순물이 포함될 가능성이 더 많다. 따라서, 금속 용액으로부터 알파-입자 방출 불순물을 제거하는 상대적으로 간단한 방법에 대한 요구가 여전히 존재한다.
본 발명은, 알파-방출 물질을 갖는 산성 금속 용액을 제공하는 단계; 상기 금속 용액을 적어도 일부의 알파-방출 물질을 제거하기에 충분한 시간 동안 이온 교환 수지와 접촉시키는 단계; 및 이온 교환 수지로부터 금속 용액을 분리하여 정제된 금속 용액을 제공하는 단계를 포함하는 금속 용액의 정제 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 금속 이온의 산성 수용액을 제공하는 단계; 알파-입자 방출 물질을 제거할 수 있는 이온 교환 수지를 제공하는 단계; 금속 이온의 수용액을 이온 교환 수지와 접촉시켜 적어도 일부의 알파-입자 방출 물질을 제거하는 단계; 및 이온 교환 수지로부터 금속 용액을 분리하는 단계를 포함하는 금속 용액의 제조 방법을 제공한다.
더 구체적으로, 본 발명은 6.9 이하의 pH를 갖는 주석 이온의 수용액을 제공하는 단계; 알파-입자 방출 물질을 제거할 수 있는 이온 교환 수지를 제공하는 단계; 주석 이온의 수용액을 이온 교환 수지와 접촉시켜 적어도 일부의 알파-입자 방출 물질을 제거하는 단계; 및 이온 교환 수지로부터 주석 용액을 분리하는 단계를 포함하는 상대적으로 낮은 수준의 알파-입자 방출원을 갖는 주석 용액의 제조 방법을 제공한다.
용어 "알파-입자 방출원", "알파-입자 방출 물질" 및 "알파-입자 방출 불순물"은 상호교환적으로 사용된다. 관사 "a" 및 "an"은 단수 및 복수를 의미한다. 달리 지시되지 않는 한, 모든 양은 중량 퍼센트("wt%")이고 모든 비율은 몰 비이다. 모든 수적 범위는 포함적인 것이며 이러한 수적 범위가 합하여 100%로 되는 것이 분명한 경우를 제외하고는 어떠한 순서로도 결합 가능하다.
본 발명은 산성 금속 용액, 바람직하게는 산성 주석 용액으로부터 주지의 알파-입자 방출 불순물을 선택적으로 제거하기 위하여 특정 이온 교환 수지를 사용한다. 본 원에서 사용된 바와 같이, 용어 "금속 용액"은 금속이 0.01wt% 이상, 바람직하게는 0.01 내지 30wt%의 양으로 존재하는 금속의 용액을 의미한다. 금속 용액이 주석-은 금속 용액과 같이 2 이상의 금속으로 구성되는 경우, 각 금속은 용액에서 0.01wt%, 바람직하게는 0.01 내지 30wt%의 양으로 존재한다. 바람직하게는, 금속 용액을 제조하기 위하여 사용된 금속은 주석, 납, 은, 구리, 비스무스, 인듐 및 이의 혼합물, 더 바람직하게는, 주석, 은, 구리, 비스무스, 및 이의 혼합물, 훨씬 더 바람직하게는, 주석, 은, 구리 및 이의 혼합물, 가장 바람직하게는 주석으로부터 선택된다. 전형적으로, 금속 용액은 원소 주석(Sn0)과 같은 원소 금속, 원소 금속 합금, 또는 주석 옥사이드(SnO)와 같은 금속 염을 산에서 용해시킴으로써 제조된다. 원소 금속, 금속 염 또는 원소 금속 및 금속 염의 어떠한 조합에 의한 혼합물도 사용될 수 있다. 금속 용액을 제조하기 위하여 사용될 수 있는 원소 금속 혼합물의 예는, Sn0-Ag0, Sn0-Ag0-Cu0, Sn0-Bi0, 및 Sn0-Cu0를 포함하나 이에 한정되는 것은 아니다. 산성 수용액에 용해되는 어떠한 금속 염이라도 본 발명의 방법에서 사용될 수 있다. 금속 염의 예는, 그중에서도 특히, 금속 옥사이드, 금속 하이드록사이드, 금속 할라이드, 금속 카복실레이트, 금속 니트릴레이트, 및 금속 니트라이트를 포함하나 이에 한정되는 것은 아니다. 금속 옥사이드, 금속 할라이드, 및 금속 니트레이트가 바람직한 금속 염이다. 금속 용액은 산에서 Sn0 또는 주석 염을 용해시켜 제조하는 것이 바람직하다. 다양한 종류의 산이 사용될 수 있으며, 광산 또는 유기 술폰산이 바람직하며, 이 중 유기 술폰산이 더 바람직하다. 바람직한 광산은 하이드로할로겐 산, 질산, 및 황산을 포함하나 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직한 유기 술폰산은 알칸 술폰산 및 아릴 술폰산이다. 특히 바람직한 유기 술폰산은 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 프로판 술폰산, 벤젠 술폰산, p-톨루엔 술폰산, 및 페놀 술폰산을 포함하나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 원에서 사용된 바와 같이, 용어 "산성 금속 용액"은 6.9 이하, 바람직하게는 6.5 이하의 pH를 갖는 금속 용액을 의미한다. 금속 용액의 pH가 0 내지 6.5의 범위인 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 용액이 염산 수용액에서 원소 주석을 용해시켜 제조된 주석 용액인 경우, pH가 3.5 이하, 더 바람직하게는 2 이하, 훨씬 더 바람직하게는 1.5 이하, 이보다 더 바람직하게는 0.5 이하인 것이 바람직하다. 이와 달리, 금속 용액이 메탄 술폰산과 같은 유기 술폰산 수용액에서 주석 옥사이드(SnO)를 용해시켜 제조된 주석 용액인 경우, pH가 4 내지 6.9, 더 바람직하게는 4.5 내지 6.5, 훨씬 더 바람직하게는 5 내지 6.5 범위인 것이 바람직하다. 알파-입자 방출원의 제거에 적용될 본 발명의 방법에 있어서, 금속 용액은 균일 하여야 하는데, 즉, 침전물 또는 분산된 고체가 없어야 한다.
본 발명의 금속 용액은 특정 이온 교환 수지와 접촉되어 용액에 함유된 적어도 일부의 알파-입자 방출원 불순물을 제거한다. 적당한 이온 교환 수지는 알파-입자 방출원 물질을 제거할 수 있는 것들이다. 특정 이온 교환 수지는 킬레이트 수지, 음이온 교환 수지, 양이온 교환 수지, 티타니아계 흡수성 수지(titania-based absorbing resin) 및 이의 혼합물이다. 바람직한 이온 교환 수지는 이미노디아세트산 수지, 니트릴로트리아세트산 수지, 포스피노아세트산 수지, 티오우레아 수지, 피코릴아민 수지, 4급 아민 수지, 3급 아민 수지, 방향족 아민 수지, 티올 수지, 술폰화 페놀 수지 및 티타니아계 흡수성 수지 및 이의 혼합물이다. 특히 바람직한 이온 교환 수지는 이미노디아세트산 수지, 티오우레아 수지, 4급 아민 수지, 티올 수지, 티타니아계 흡수성 수지 및 이의 혼합물이다. 특정 이온 교환 수지, DOWEX 21k XLT 수지(The Dow Chemical Company 제품)와 같은 4급 아민 수지는 234,238U와 같은 우라늄의 제거에 특히 유용하다. 납(210Pb), 폴로늄(210,218Po), 비스무스(211,212Bi)를 제거하는데 유용한 기타 이온 교환 수지는 다음을 포함한다: 상품명 XZ-91419 및 DOWEX PSR-2로 판매되는 것들과 같은 4급 아민 이온 교환 수지; 상품명 XUS-43600으로 판매되는 티오우레아계 수지; 상품명 AMBERSEP GT-74로 판매되는 티올계 수지; 상품명 AMBERLITE IRC748i로 판매되는 이미노디아세트산계 수지; 상품명 AMBERLITE PWA5로 판매되는 트리에틸암모늄 수지, 이들 모두는 The Dow Chemical Company(Midland, Michigan) 제품이다.
금속 용액은 넓은 범위의 온도에서 이온 교환 수지와 접촉될 수 있다. 전형적으로, 금속 용액은 15 내지 90℃, 바람직하게는 20 내지 80℃, 더 바람직하게는 25 내지 80℃의 온도 범위에서 이온 교환 수지와 접촉될 수 있다. 금속 용액 및 이온 교환 수지는 하나 이상의 알파-입자 방출 불순물을 적어도 부분적으로 제거하기에 충분한 시간 동안 접촉된다. 일반적으로, 접촉 시간은 수분 내지 수일, 바람직하게는 15분 내지 72시간, 더 바람직하게는 30분 내지 72시간, 훨씬 더 바람직하게는 1시간 내지 72시간까지 변할 수 있다.
사용에 있어서, 다량의 이온 교환 수지가 용기에서 다량의 금속 용액에 첨가될 수 있다(배치법). 혼합물은 임의적으로 섞거나 교반될 수 있다. 이와 달리, 금속 용액을 이온 교환 수지를 함유하는 컬럼을 통과시켜 금속 용액을 이온 교환 수지와 접촉시킬 수 있다. 금속 용액은 이온 교환 컬럼 꼭대기에 단일 배치로서 첨가되거나, 이와 달리 이온 교환 컬럼은 알파-입자 방출원을 제거하기 위한 연속법(continuous process)에서 사용될 수도 있다. 이러한 이온 교환 컬럼의 디자인은 당업자의 능력 범위 내에서 가능한 것이다. 단일 이온 교환 수지("단일층")가 사용되거나, 상이한 이온 교환 수지의 혼합물("혼상층")이, 본 발명의 방법에 있어서의 배치 아니면 이온 교환 컬럼에서 사용될 수 있다는 것은 이해 가능한 것이다. 하나의 실시예에서, DOWEX 21k XLT와 같은 4급 아민 수지 및 하나 이상의: 상품명 DOWEX PSR-2 및 XZ-91419로 판매되는 것들과 같은 4급 아민 이온 교환 수지; 상품명 XUS-43600로 판매되는 티오우레아계 수지; 상품명 GT-74로 판매되는 티올계 수지; 상품명 AMBERLITE IRC748i로 판매되는 이미노디아세트산계 수지; 및 상품명 AMBERLITE PWA5로 판매되는 트리에틸암모늄 수지의 혼합물이 사용된다. 이러한 수지들은 서로 혼합되어(혼상층) 금속 용액을 함유하는 용기로 첨가될 수 있거나, 이와 달리, 금속 용액이 이러한 혼합물을 함유하는 컬럼을 통과할 수도 있다. 또한, 2 이상의 상이한 수지들이 연속적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 배치법에 있어서, 첫 번째 수지가 금속 용액과 접촉될 수 있고, 그리고 나서 첫 번째 수지로부터 금속 용액을 제거한 후, 금속 용액을 두 번째 수지와 접촉시킬 수 있다. 연속법에 있어서도 이와 같이, 금속 용액을 첫 번째 이온 교환 수지를 함유하는 1차 컬럼을 통과시키고, 그 용출액을 두 번째 이온 교환 수지를 함유하는 2차 컬럼을 통과시킬 수 있다. 2 이상의 수지를 함께 또는 연속으로 사용하면 금속 용액으로부터 알파-입자 방출원을 최대한 제거할 수 있는 이온 교환 수지를 선발할 수 있다.
사용된 이온 교환 수지의 양은 중요하지 않으며 당업자는 특정한 양을 어렵지 않게 정할 수 있다. 일반적으로, 사용된 이온 교환 수지의 양은 용액 내 금속의 중량을 기준으로 0.25 내지 30wt%, 바람직하게는 0.5 내지 25wt%, 더 바람직하게는 1 내지 20wt%이다.
적어도 일부의 알파-입자 방출원 물질을 제거한 후, 금속 용액이 이온 교환 수지와의 접촉 면으로부터 제거될 수 있다. 배치법에 있어서, 금속 용액이 여과, 경사법(decantation), 또는 기타 적절한 수단에 의해 수지와의 접촉 면으로부터 제거될 수 있다. 이온 교환 컬럼이 사용된 경우, 금속 용액은 컬럼으로부터의 용출액으로 수집된다. 수집된 금속 용액은 있는 그대로 사용되거나 금속이 해당 기술 분야에 알려진 다양한 기술에 의한 그의 염의 형태로 용액으로부터 분리될 수 있다. 이온 교환 수지와의 접촉 이후, 금속 용액은 이온 교환 수지와의 접촉 전의 금속 용액에 비해 알파-입자 방출원의 수준이 감소한다. 또한, 금속 용액으로부터 분리된 어떠한 금속 염도 결과적으로 본 발명의 방법에 의해 정제되기 전의 금속 또는 금속염에 비해 알파-입자 방출원의 수준이 감소한다. 일반적으로, 금속 용액을 이온 교환 수지로 처리하면 알파-입자 방출원의 수준이 5wt% 이상, 바람직하게는 8wt% 이상, 더 바람직하게는 10wt% 이상, 훨씬 더 바람직하게는 12wt% 이상, 이보다 더 바람직하게는 15wt% 이상, 이보다 더 바람직하게는 20wt% 이상 감소한다.
본 발명의 방법에서 사용되기 위한 이온 교환 수지는 하나 이상의 알파-입자 방출원 물질을 제거할 수 있어야 한다. 특히, 이러한 수지는, 234,238U, 230Th, 226Ra, 222Rn, 210,218Po, 210Pb, 및 211,212Bi와 같은, 알파 입자 방출원으로 알려진 우라늄 붕괴 계열 내에서 하나 이상의 방사성핵종을 제거할 수 있다. 영년 평형(즉, 하나의 방사성 동위원소가 그의 전구체 동위원소(precursor isotope)로 대체됨) 메커니즘이 우라늄 붕괴 계열의 여러 단계에서 존재하며, 금속 내의 알파-입자 방출 불순물이 "정류상태(steady-state)"가 된다. 예로서, 210Po는 붕괴 계열을 거치면서 210Pb로 서서히 붕괴된다. 이러한 현상은 알파-입자 플럭스를 낮추기에 부적당한 단 하나의 불순물 요소를 선택적으로 제거할 수 있도록 한다. 대신, 붕괴 계열 내에서 밀접히 관련된 요소들의 블록은 원하는 물질 내의 알파-입자 플럭스를 효과적으로 낮추기 위해 제거되어야 한다. 본 발명은 우라늄 붕괴 계열의 영년 평형 구성원 중 적어도 일부, 구체적으로는 우라늄, 토륨, 라듐, 라돈, 폴로늄, 비스무스, 및 납, 바람직하게는 우라늄, 토륨, 라듐, 폴로늄, 비스무스, 및 납, 더 바람직하게는 폴로늄, 비스무스, 및 납, 훨씬 더 바람직하게는 비스무스 및 납을 제거함으로써 이러한 결과를 달성한다. 본 발명은 SnCl2 및 SnO와 같은 벌크 물질로부터 폴로늄, 비스무스 및 납을 선택적으로 제거함으로써 알파-입자 방출원의 수준, 구체적으로는 주석에서의 알파-입자 방출원의 수준을 낮추는데 효과적이다.
본 발명의 방법은 감소된 수준의 알파-입자 방출원을 갖는 금속 용액, 및 특히 주석-함유 금속 용액, 및 이러한 용액으로부터 얻어진 금속염을 제공한다. 이러한 금속 용액, 및 이러한 용액으로부터 얻어진 금속염은 솔더에 있어서와 같이, 다양한 전자제품과 관련하여 유용하게 활용될 수 있다. 패키징에서의 활용과 같은 전자제품에의 활용에 있어서, 솔더는 솔더 범프(solder bump), 솔더 볼(solder ball), 필러(pillar) 또는 컬럼(column)의 형태로 이용될 수 있다. 각각의 경우에서, 본 발명의 금속 용액 또는 수득된 금속염이 이러한 솔더를 제조하기 위하여 사용되는 경우, 그 결과로 생긴 솔더 역시 감소된 수준의 알파-입자 방출원을 갖는다.
본 발명의 방법은 감소된 수준의 알파-입자 방출원을 갖는 금속염, 특히 주석염을 제조하기 위하여 이용될 수 있다. 감소된 수준의 알파-입자 방출원을 갖는 주석염은 본 발명의 방법에 따라 제조되는 것이 바람직하다. 예를 드어, 원소 주석이 HCl 수용액에 용해되어 본 발명의 방법에 따라 정제된 후, 감소된 수준의 알파-입자 방출원을 갖는 SnCl2가 금속 용액으로부터 분리된 수 있다. 이와 달리, 시판되는 SnCl2가 HCl 수용액과 같은 적당한 산에서 용해되고 본 발명의 방법에 따라 정제되고 난 후, 감소된 수준의 알파-입자 방출원을 갖는 SnCl2가 금속 용액으로부터 분리될 수 있다. 또한, 본 발명의 방법은 감소된 수준의 알파-입자 방출원을 갖는 SnO를 생산할 수 있도록 한다. 이러한 SnO는, HCl 수용액과 같은 산 수용액에서 원소 주석, 또는 기타 적당한 주석 염을 용해시키는 단계, 금속 용액을 본 발명의 방법에 따른 이온 교환 수지와 접촉시키는 단계, 충분한 양의 적당한 염기를 첨가하여 알칼리 용액으로부터 분리될 수 있는 SnO를 형성시키는 단계에 의해 제조될 수 있다. 이러한 SnO는 특히, 주석, 주석-은, 주석-은-구리 및 주석-비스무스 전기 도금 조와 같은, 주석계 솔더 전기도금 조의 주석 이온 공급원으로서 유용하다.
본 발명의 방법에 따라 처리된 금속 용액은, 이러한 처리 후 이렇게 처리되기 전의 금속 용액에 비해, 단위 면적당 시간당 알파-입자 카운트(cts/cm2/hr)가 5% 이상, 바람직하게는 10% 이상, 더 바람직하게는 20% 이상, 훨씬 더 바람직하게는 25% 이상, 이보다 더 바람직하게는 30% 이상 감소되는 것이 바람직하다.
실시예
다음의 표 1은 하기 실시예에서 사용된 이온 교환 수지들을 나열한 것이다. 모든 이온 교환 수지는 The Dow Chemical Company, Midland, Michigan으로부터 얻었다. 다음 표에 있어서, 약어는 다음의 의미를 갖는다: N/A = 해당사항 없음; ND = 검출되지 않음; DVB = 디비닐벤젠; Quat. = 4급; SB = 강염기; WB = 약염기; 및 WA = 약산.
Figure 112012041673682-pat00001
실시예 1
극단적으로 낮은 pH . 주석 금속(150g)을 염산 수용액(20% w/w, 1.1L)에 용해시켰다. 그 결과로 생긴 균일한 용액을 100mL의 앨리쿼트로 나누었다. 용액의 pH는 0.01 미만이었다. 각각의 앨리쿼트를 이온 교환 수지(1.5g)로 채우고 수 일간 평형화시켰다. 평형화시킨 후, 용액을 혼합물로부터 옮겨 붓고(decant), 납, 폴로늄 및 비스무스에 대해 이온-커플 플라스마 질량 분광분석법(ICP-MS)을 통하여 분석하였다. 결과는 표 2에 나타나 있다.
Figure 112012041673682-pat00002
Po의 검출 한계는 1ppm이었다. 대조군 샘플은 어떤 수지와도 접촉되기 전에 제조된 바와 같은 주석 용액의 샘플이다. 표 2에서 양의 % 변화는 불순물 수준이 실제로 증가하였음을 나타내는 반면, 음의 % 변화는 불순물 수준이 감소하였음을 나타낸다. % 변화는 대조군의 불순물 수준에 대해서 측정하였다. 샘플 C-1 내지 C-11은 비교 샘플이다. 샘플 1 및 2는 본 발명에 의한 샘플이다. 이처럼 극단적으로 낮은 pH 시스템에 있어서, 수지는 5% 이상의 불순물을 제거하는 경우 통과하는 것으로 판단하였다.
실시예 2
낮은 pH 실시예 . 주석 금속(150g)을 염산 수용액(20% w/w, 1.1L)에 용해시켰다. 그 결과로 생긴 용액을 흰 침전물이 형성될 때까지 가성 소다 수용액(10% w/w)으로 적정하였다. 이후, 고체가 용액으로 다시 용해될 때까지 염산으로 다시 적정하였다. 그 결과로 생긴 용액의 pH는 1.0이었다. 그 결과로 생긴 균일한 용액을 100mL 앨리쿼트로 나누었다. 각각의 앨리쿼드를 이온 교환 수지(1.5g)로 채우고 수 일간 평형화시켰다. 평형화시키는 동안, 주석 하이드록사이드 종을 용액으로부터 침전시켰다. 평형화 이후, 맑은 용액을 혼합물로부터 옮겨 붓고 Pb, Bi 및 Po 불순물에 대해 ICP-MS를 통해 분석하였다. 그 결과를 표 3에 나타냈다. 혼합된 슬러리의 앨리쿼트를 분석하고 상기 용액과 실질적으로 동일한 결과를 나타냄을 밝혀냈다.
Figure 112012041673682-pat00003
Bi 및 Po 양자의 검출 한계는 1ppm이었다. 대조군 샘플은 어떤 수지와도 접촉되기 전에 제조된 바와 같은 주석 용액의 샘플이다. 표 3에서 양의 % 변화는 불순물 수준이 실제로 증가하였음을 나타내는 반면, 음의 % 변화는 불순물 수준이 감소하였음을 나타낸다. % 변화는 대조군의 불순물 수준에 대해서 측정하였다. 샘플 C-1 내지 C-10은 비교 샘플이다. 샘플 1 내지 3은 본 발명에 의한 샘플이다. 이처럼 낮은 pH 시스템에 있어서, 수지는 15% 초과의 Bi 및 Pb를 제거하는 경우 통과하는 것으로 판단하였다.
실시예 3
중간 산성 pH . 주석을 함유한 옥사이드(239g)을 메탄술폰산(70%, 542g) 및 물(80g)을 함유하는 용액에 용해시켰다. 용액의 pH는 5.5 내지 6.35였다. 그 결과로 생긴 맑고 무색인 용액을 여러 앨리쿼트로 나누고 각 앨리쿼트를 별개 이온 교환 수지로 채웠다. 개별 용액을 수 일간 평형화시킨 후, 액체를 혼합물로부터 옮겨 붓고 Pb, Bi 및 Po 불순물에 대한 ICP-MS를 통하여 분석하였다. 이들 결과는 표 4에 나타나 있다.
Figure 112012041673682-pat00004
Bi의 검출 한계는 1ppm이고 Po의 경우는 5ppm이었다. 대조군 샘플은 어떤 수지와도 접촉되기 전에 제조된 바와 같은 주석 용액의 샘플이다. 표 4에서 양의 % 변화는 불순물 수준이 실제로 증가하였음을 나타내는 반면, 음의 % 변화는 불순물 수준이 감소하였음을 나타낸다. % 변화는 대조군의 불순물 수준에 대해서 측정하였다. 샘플 C-1 내지 C-6은 비교 샘플이다. 샘플 1 내지 7은 본 발명에 의한 샘플이다. 이처럼 중간 산성 시스템에 있어서, 수지는 5% 초과의 불순물을 제거하는 경우 통과하는 것으로 판단하였다.

Claims (16)

  1. 주석 용액의 정제 방법으로서,
    210Pb, 211Bi 및 212Bi 중 하나 이상을 포함하는 알파-방출 물질을 갖는 산성 주석 용액을 제공하는 단계;
    상기 주석 용액을 이온 교환 수지와 접촉시켜 상기 210Pb, 211Bi 및 212Bi 중 하나 이상을 포함하는 알파-방출 물질의 적어도 일부를 제거하는 단계; 및
    상기 주석 용액을 상기 이온 교환 수지로부터 분리하여 정제된 주석 용액을 제공하는 단계;를 포함하며,
    여기서, 상기 이온 교환 수지가 이미노디아세트산 수지, 니트릴로트리아세트산 수지, 포스피노아세트산 수지, 티오우레아 수지, 피콜릴아민 수지, 4급 아민 수지, 3급 아민 수지, 방향족 아민 수지, 티올 수지 및 술폰화 페놀 수지 중 하나 이상으로부터 선택되는, 방법.
  2. 제1항에 있어서, 산성 주석 용액이 6.9 미만의 pH를 갖는, 방법.
  3. 제1항에 있어서, 산성 주석 용액이 유기 술폰산을 포함하는, 방법.
  4. 제1항에 있어서, 정제될 주석 용액 내에 주석이 0.01 내지 30 wt%의 양으로 존재하는, 방법.
  5. 제1항에 있어서, 주석 용액이, 이미노디아세트산 수지, 니트릴로트리아세트산 수지, 포스피노아세트산 수지, 티오우레아 수지, 피콜릴아민 수지, 4급 아민 수지, 3급 아민 수지, 방향족 아민 수지, 티올 수지 및 술폰화 페놀 수지로부터 선택되는 2 종류의 이온 교환 수지와 접촉되는, 방법.
  6. 제5항에 있어서, 2 종류의 이온 교환 수지가 혼상층 수지(mixed bed resin)인, 방법.
  7. 제5항에 있어서, 주석 용액이 2 종류의 이온 교환 수지에 연속하여 접촉하는, 방법.
  8. 제1항에 있어서, 주석 용액을 이온 교환 수지와 접촉시키는 단계가 연속법(continuous process)인, 방법.
  9. 제1항에 있어서, 주석 용액을 이온 교환 수지와 접촉시키는 단계가 배치법(batch process)인, 방법.
  10. 염화주석(SnCl2)의 제조 방법으로서,
    주석 이온의 HCl 수용액을 제공하는 단계;
    알파-입자 방출 물질을 제거할 수 있는 이온 교환 수지를 제공하는 단계;
    상기 주석 이온의 HCl 수용액을 상기 이온 교환 수지와 접촉시켜 알파-입자 방출 물질의 적어도 일부를 제거하는 단계; 및
    상기 주석 이온의 HCl 수용액을 상기 이온 교환 수지로부터 분리하고, 염화주석(SnCl2)을 분리하는 단계;를 포함하며,
    여기서, 상기 이온 교환 수지가 이미노디아세트산 수지, 니트릴로트리아세트산 수지, 포스피노아세트산 수지, 티오우레아 수지, 피콜릴아민 수지, 4급 아민 수지, 3급 아민 수지, 방향족 아민 수지, 티올 수지 및 술폰화 페놀 수지로부터 선택되는, 방법.
  11. 210Pb, 211Bi 및 212Bi 중 하나 이상으로부터 선택되는 알파-방출 물질을 상대적으로 낮은 수준으로 갖는 산화주석(SnO) 용액의 제조 방법으로서,
    6.9 이하의 pH를 갖는 주석 이온의 수용액을 제공하는 단계;
    알파-입자 방출 물질을 제거할 수 있는 이온 교환 수지를 제공하는 단계;
    상기 주석 이온의 수용액을 상기 이온 교환 수지와 접촉시켜 알파-입자 방출 물질의 적어도 일부를 제거하는 단계; 및
    상기 주석 이온의 수용액을 상기 이온 교환 수지로부터 분리하고, 염기를 주석 이온의 수용액에 첨가하여 산화주석(SnO)을 형성시키는 단계;를 포함하며,
    여기서, 상기 이온 교환 수지가 이미노디아세트산 수지, 니트릴로트리아세트산 수지, 포스피노아세트산 수지, 티오우레아 수지, 피콜릴아민 수지, 4급 아민 수지, 3급 아민 수지, 방향족 아민 수지, 티올 수지 및 술폰화 페놀 수지로부터 선택되는, 방법.
  12. 삭제
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004034427A2 (en) * 2002-10-08 2004-04-22 Honeywell International Inc. Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials
WO2014126699A1 (en) * 2013-02-13 2014-08-21 Rohm And Haas Company Removal of uranium from water
DE102013102331B3 (de) * 2013-03-08 2014-07-03 Horst-Otto Bertholdt Verfahren zum Abbau einer Oxidschicht
US8992759B1 (en) 2014-02-20 2015-03-31 Honeywell International Inc. Metal refining process using mixed electrolyte
US10711358B2 (en) 2014-02-20 2020-07-14 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Method of producing low alpha-ray emitting bismuth, and low alpha-ray emitting bismuth
FR3021551A1 (fr) * 2014-06-03 2015-12-04 Arkema France Procede d'elimination d'ions metalliques dans une solution organique visqueuse
CN107109522B (zh) * 2015-01-26 2020-02-18 巴斯夫欧洲公司 从混合物中去除放射性核素
US9708689B2 (en) 2015-04-08 2017-07-18 Honeywell International Inc. Isotope displacement refining process for producing low alpha materials
US9359687B1 (en) 2015-11-24 2016-06-07 International Business Machines Corporation Separation of alpha emitting species from plating baths
US9425164B1 (en) * 2015-11-24 2016-08-23 International Business Machines Corporation Low alpha tin
US9546433B1 (en) 2015-11-24 2017-01-17 International Business Machines Corporation Separation of alpha emitting species from plating baths
CN108396146A (zh) * 2018-03-01 2018-08-14 常熟理工学院 稀土废渣中钍元素的吸附处理方法及装置
CN108998823A (zh) * 2018-07-24 2018-12-14 贵州振华群英电器有限公司（国营第八九厂） 一种镀银液中铜离子的去除工艺
KR102074507B1 (ko) 2018-09-04 2020-02-06 주식회사 에이텍 절전제어가 가능한 디스플레이 장치
AU2020298961A1 (en) * 2019-07-02 2022-02-03 Nihon Medi-Physics Co., Ltd. METHOD FOR PURIFYING 226Ra-CONTAINING SOLUTION, METHOD FOR PRODUCING 226Ra TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING 225Ac
CN110739092B (zh) * 2019-10-25 2023-07-14 洛阳市琦安科技有限公司 一种核辐射固化压制去污功能材料
CN112192086A (zh) * 2020-10-13 2021-01-08 重庆群崴电子材料有限公司 低阿尔法bga锡球的制备方法以及bga锡球
CN113960226B (zh) * 2021-10-21 2023-12-22 上海市计量测试技术研究院 一种硅基大孔型阳离子交换树脂、分离Po及制备平面参考源的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020153254A1 (en) * 2000-05-25 2002-10-24 Mykrolis Corporation Method and system for regenerating of plating baths
US20090098012A1 (en) * 2005-07-01 2009-04-16 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. High-Purity Tin or Tin Alloy and Process for Producing High-Purity Tin

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59208089A (ja) 1983-05-11 1984-11-26 Nippon Mining Co Ltd 硫酸酸性水溶液からのビスマス及びアンチモンの除去方法
JPS62235218A (ja) * 1986-04-04 1987-10-15 Unitika Ltd ウランおよびフツ酸の分離回収法
JPS62258748A (ja) * 1986-05-02 1987-11-11 Sumitomo Chem Co Ltd 金属塩の除去方法
JP2590869B2 (ja) * 1987-04-04 1997-03-12 三菱マテリアル株式会社 ハンダ用メッキ液の製造方法
US4927796A (en) * 1987-06-17 1990-05-22 Epicor Incorporated Compositions for purifying liquids
US4770698A (en) 1987-09-21 1988-09-13 Cominco Ltd. Method for making low alpha count lead
US4887492A (en) 1987-09-21 1989-12-19 Cominco Electronic Materials Inc. Method for making low alpha count lead
US4915802A (en) 1988-08-29 1990-04-10 Comino Ltd. Method for making low alpha count lead
JPH04142500A (ja) * 1990-10-04 1992-05-15 Asahi Chem Ind Co Ltd 放射性物質の分離方法
FR2708373A1 (fr) * 1993-07-26 1995-02-03 Westinghouse Electric Corp Traitement de liquides radioactifs.
US5618404A (en) 1994-05-17 1997-04-08 Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. Electrolytic process for producing lead sulfonate and tin sulfonate for solder plating use
JP3242566B2 (ja) 1995-04-27 2001-12-25 富士通株式会社 分析試料の調製方法、不純物の分析方法及び高純度燐酸の調製方法ならびに半導体装置の製造方法
FR2797786B1 (fr) * 1999-08-27 2001-10-05 Commissariat Energie Atomique Procede et installation d'elimination des cations metalliques d'un liquide par des resines de polyazacycloalcanes greffes sur un support
US6478970B1 (en) * 1999-09-17 2002-11-12 Framatome Anp Inc. Treatment process for removing radioactive thorium from solvent extraction liquid effluent
WO2002096559A1 (en) * 2001-05-31 2002-12-05 Australian Nuclear Science & Technology Organisation Inorganic ion exchangers for removing contaminant metal ions from liquid streams
JP2003193283A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Fujitsu Ltd 電解めっき液及びその調製方法、半導体装置の製造方法ならびに放射性不純物の分析方法
WO2004034427A2 (en) 2002-10-08 2004-04-22 Honeywell International Inc. Semiconductor packages, lead-containing solders and anodes and methods of removing alpha-emitters from materials
JP4975367B2 (ja) 2006-05-10 2012-07-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 高純度酸化第一錫、同粉末及び高純度酸化第一錫の製造方法
US8999764B2 (en) 2007-08-10 2015-04-07 International Business Machines Corporation Ionizing radiation blocking in IC chip to reduce soft errors
DE102007038947A1 (de) * 2007-08-17 2009-02-26 Areva Np Gmbh Verfahren zur Dekontamination von mit Alphastrahlern kontaminierten Oberflächen von Nuklearanlagen
US20090056502A1 (en) * 2007-08-29 2009-03-05 Vale Inco Limited Hydrometallurgical process for recovery of nickel and cobalt
US8368214B2 (en) 2008-12-09 2013-02-05 Marvell World Trade Ltd. Alpha shielding techniques and configurations
US20130341196A1 (en) 2012-06-20 2013-12-26 Honeywell International Inc. Refining process for producing low alpha tin

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020153254A1 (en) * 2000-05-25 2002-10-24 Mykrolis Corporation Method and system for regenerating of plating baths
US20090098012A1 (en) * 2005-07-01 2009-04-16 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. High-Purity Tin or Tin Alloy and Process for Producing High-Purity Tin

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