KR101826695B1 - 정전 척 및 웨이퍼 처리장치 - Google Patents

정전 척 및 웨이퍼 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101826695B1
KR101826695B1 KR1020177012449A KR20177012449A KR101826695B1 KR 101826695 B1 KR101826695 B1 KR 101826695B1 KR 1020177012449 A KR1020177012449 A KR 1020177012449A KR 20177012449 A KR20177012449 A KR 20177012449A KR 101826695 B1 KR101826695 B1 KR 101826695B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heater
main surface
hole
viewed
direction perpendicular
Prior art date
Application number
KR1020177012449A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170067838A (ko
Inventor
카즈키 아나다
유이치 요시이
Original Assignee
토토 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토토 가부시키가이샤 filed Critical 토토 가부시키가이샤
Priority claimed from PCT/JP2015/084611 external-priority patent/WO2016093297A1/ja
Publication of KR20170067838A publication Critical patent/KR20170067838A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101826695B1 publication Critical patent/KR101826695B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23B—TURNING; BORING
    • B23B31/00—Chucks; Expansion mandrels; Adaptations thereof for remote control
    • B23B31/02—Chucks
    • B23B31/24—Chucks characterised by features relating primarily to remote control of the gripping means
    • B23B31/28—Chucks characterised by features relating primarily to remote control of the gripping means using electric or magnetic means in the chuck
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

처리 대상물을 적재하는 제 1 주면과, 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖고, 다결정 세라믹 소결체인 세라믹 유전체 기판과, 세라믹 유전체 기판에 형성된 전극층과, 제 2 주면의 측에 설치되어 세라믹 유전체 기판을 지지하는 베이스 플레이트와, 전극층과 베이스 플레이트의 사이에 설치된 히터를 구비하고, 베이스 플레이트는 베이스 플레이트를 관통하는 관통구멍과, 처리 대상물의 온도를 조정하는 매체를 통과시키는 연통로를 갖고, 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 히터 중 적어도 일부는 관통구멍에 가장 근접한 연통로의 제 1 부분으로부터 보아서 관통구멍의 측에 존재하는 것을 특징으로 하는 정전 척이 제공된다.

Description

정전 척 및 웨이퍼 처리장치{ELECTROSTATIC CHUCK AND WAFER PROCESSING DEVICE}
본 발명의 형태는 일반적으로 정전 척 및 웨이퍼 처리장치에 관한 것이다.
에칭, CVD(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링, 이온주입, 애싱 등을 행하는 플라즈마 처리 챔버 내에서는, 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 처리 대상물을 흡착하여 지지하는 수단으로서 정전 척이 사용되고 있다.
정전 척은 알루미나 등의 세라믹 기재의 사이에 전극을 끼워넣고 소성함으로써 제작된다. 정전 척은 내장하는 전극에 정전 흡착용 전력을 인가하고, 규소 웨이퍼 등의 기판을 정전력에 의해 흡착하는 것이다.
최근, 플라즈마를 사용한 에칭 장치에 있어서는 플라즈마의 고출력화의 흐름이 있다. 플라즈마의 고출력화에 따라 웨이퍼에 공급되는 열량이 높아지고 있다. 웨이퍼에 공급되는 열량이 비교적 낮을 경우에는, 정전 척의 온도 변화가 비교적 작아 비교적 소형의 칠러로 대응할 수 있다. 또한, 웨이퍼에 공급되는 열량이 비교적 낮을 경우에는, 프로세스에 있어서 웨이퍼를 원하는 온도로 하기 위해서 냉매를 필요로 하지 않는 냉각용 금속 플레이트를 사용하거나, 칠러의 온도를 변경함으로써 충분하게 대응할 수 있다.
그러나, 웨이퍼에 공급되는 열량이 비교적 높아져서 세라믹 기재의 온도가 상승하면 웨이퍼의 온도가 상승한다. 그러면, 웨이퍼의 처리에 사용할 수 있는 재료가 고내열성 재료에 한정된다고 하는 문제가 있다.
한편으로, 웨이퍼의 면내의 온도 분포를 균일화하기 위해서 히터를 내장하는 정전 척이 있다.
웨이퍼의 면내의 온도 분포의 균일화의 향상이 요망되고 있다.
일본 특허공개 2008-300491호 공보 일본 특허공개 2004-312026호 공보
본 발명은 이러한 과제의 인식에 의거하여 이루어진 것으로서, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있는 정전 척 및 웨이퍼 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일형태에 의하면, 처리 대상물을 적재하는 제 1 주면과 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖고, 다결정 세라믹 소결체인 세라믹 유전체 기판과, 상기 세라믹 유전체 기판에 형성된 전극층과, 상기 제 2 주면의 측에 설치되어 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하는 베이스 플레이트와, 상기 전극층과 상기 베이스 플레이트의 사이에 설치된 히터를 구비하고, 상기 베이스 플레이트는 상기 베이스 플레이트를 관통하는 관통구멍과, 상기 처리 대상물의 온도를 조정하는 매체를 통과시키는 연통로를 갖고, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 상기 히터 중 적어도 일부는 상기 관통구멍에 가장 근접한 상기 연통로의 제 1 부분으로부터 보아서 상기 관통구멍의 측에 존재하는 것을 특징으로 하는 정전 척이 제공된다.
도 1은 본 실시형태에 의한 정전 척의 구성을 예시하는 모식적인 단면도이다.
도 2는 본 실시형태의 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 3은 본 실시형태의 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 4는 본 실시형태의 히터의 리턴부를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 5는 본 실시형태의 다른 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 본 실시형태의 다른 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 7(a) 및 도 7(b)는 본 실시형태의 다른 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 8은 둘레길이의 비율과 온도 저하율 사이의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 9는 온도 편차와 히터 면적율 사이의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 10은 온도 편차와 연통로 면적율 사이의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 11은 온도 편차와 연통로의 면적에 대한 히터의 면적 비율의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 12(a) 및 도 12(b)는 히터의 리턴부를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 13 (a) 및 도 13(b)는 히터의 리턴부를 확대한 모식적 확대도이다.
도 14는 라운드 단부끼리의 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비와, 처리 대상물의 면내의 온도차의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 15는 라운드 단부끼리의 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비와, 처리 대상물의 면내의 온도차의 관계의 일례를 예시하는 표이다.
도 16(a)∼도 16(e)는 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 일례를 예시하는 모식도다.
도 17(a) 및 도 17(b)는 본 실시형태에 의한 다른 정전 척을 예시하는 모식도이다.
도 18은 온도 편차와 바이패스 전극의 갭 폭의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 19는 온도 편차와 바이패스 전극의 갭 깊이의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 20은 본 발명의 다른 실시형태에 의한 웨이퍼 처리장치를 예시하는 모식적 단면도이다.
제 1 발명은 처리 대상물을 적재하는 제 1 주면과 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖고, 다결정 세라믹 소결체인 세라믹 유전체 기판과, 상기 세라믹 유전체 기판에 형성된 전극층과, 상기 제 2 주면의 측에 설치되어 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하는 베이스 플레이트와, 상기 전극층과 상기 베이스 플레이트의 사이에 설치된 히터를 구비하고, 상기 베이스 플레이트는 상기 베이스 플레이트를 관통하는 관통구멍과, 상기 처리 대상물의 온도를 조정하는 매체를 통과시키는 연통로를 갖고, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 상기 히터 중 적어도 일부는 상기 관통구멍에 가장 근접한 상기 연통로의 제 1 부분으로부터 보아서 상기 관통구멍의 측에 존재하는 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면 가장 가열하기 어려운 개소와, 가장 냉각하기 어려운 개소를 대략 동일하게 함으로써, 처리 대상물의 면내의 온도 조정을 제어할 수 없는 범위를 한정할 수 있다. 이것에 의해, 관통구멍과는 다른 별도의 영역에 있어서의 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다. 또한, 관통구멍근방에 있어서도 가장 가열하기 어려운 쿨스폿의 영역과, 가장 냉각하기 어려운 핫스폿의 영역이 대략 동일하게 됨으로써 가열과 냉각의 평형을 취하기 쉬워지고, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 2 발명은 제 1 발명에 있어서, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분과 상기 관통구멍의 중심축 사이의 거리는 상기 관통구멍에 가장 근접한 상기 히터의 제 2 부분과 상기 관통구멍의 중심축 사이의 거리보다 큰 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 가장 가열하기 어려운 개소와 가장 냉각하기 어려운 개소를 대략 동일하게 함으로써 처리 대상물의 면내의 온도 조정을 제어할 수 없는 범위를 한정할 수 있다. 이것에 의해, 관통구멍과는 다른 별도의 영역에 있어서의 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 3 발명은 제 2 발명에 있어서, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분과 상기 연통로 중 상기 관통구멍의 측의 어느 2개의 부분을 지나는 제 1 가상원의 중심과, 상기 제 2 부분과 상기 히터 중 상기 관통구멍의 측의 어느 2개의 부분을 지나는 제 2 가상원의 중심 사이의 거리는 0.2밀리미터 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 가장 가열하기 어려운 개소와 가장 냉각하기 어려운 개소를 대략 동일하게 함으로써 처리 대상물의 면내의 온도 조정을 제어할 수 없는 범위를 한정할 수 있다. 이것에 의해, 관통구멍과는 다른 별도의 영역에 있어서의 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 4 발명은 제 2 발명에 있어서, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분과 상기 연통로 중 상기 관통구멍의 측의 어느 2개의 부분을 지나는 제 1 가상원의 중심은, 상기 제 2 부분과 상기 히터 중 상기 관통구멍의 측의 어느 2개의 부분을 지나는 제 2 가상원의 중심과 겹치는 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 가장 가열하기 어려운 개소와 가장 냉각하기 어려운 개소를 대략 동일하게 함으로써 처리 대상물의 면내의 온도 조정을 제어할 수 없는 범위를 한정할 수 있다. 이것에 의해, 관통구멍과는 다른 별도의 영역에 있어서의 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 5 발명은 제 2∼4 중 어느 1개의 발명에 있어서, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 상기 제 1 부분에 있어서의 상기 연통로의 폭은 상기 제 2 부분에 있어서의 상기 히터의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 가장 가열하기 어려운 개소와 가장 냉각하기 어려운 개소를 대략 동일하게 함으로써 처리 대상물의 면내의 온도 조정을 제어할 수 없는 범위를 한정할 수 있다. 이것에 의해, 관통구멍과는 다른 별도의 영역에 있어서의 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 6 발명은 제 3 또는 4의 발명에 있어서, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 상기 제 2 가상원이 상기 히터와 교차하는 부분의 길이는 상기 제 2 가상원의 원주의 길이에 대하여 50퍼센트 이상, 80퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 가장 가열하기 어려운 개소와 가장 냉각하기 어려운 개소를 대략 동일하게 함으로써 처리 대상물의 면내의 온도 조정을 제어할 수 없는 범위를 한정할 수 있다. 이것에 의해, 관통구멍과는 다른 별도의 영역에 있어서의 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 7 발명은 제 1∼6의 어느 1개의 발명에 있어서, 상기 히터는 제 1 방향으로부터 상기 제 1 방향과는 다른 제 2 방향으로 굴곡한 제 1 리턴부를 갖는 제 1 히터와, 상기 제 1 히터와 근접해서 설치되어 제 3 방향으로부터 상기 제 3 방향과는 다른 제 4 방향으로 굴곡한 제 2 리턴부를 갖는 제 2 히터를 갖고, 상기 제 1 리턴부와 상기 제 2 리턴부 사이의 최근접 거리는 상기 제 1 리턴부의 라운드 단부와 상기 제 2 리턴부의 라운드 단부 사이의 거리에 대하여 50퍼센트 이상, 100퍼센트 미만인 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 복수의 히터의 리턴부가 근접한 개소에 있어서 공간부의 밀도를 규정하기 위해서 복수의 히터끼리의 사이의 근접 거리를 규정함으로써 처리 대상물의 온도 제어성을 향상시킬 수 있고, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 8 발명은 제 1∼7 중 어느 1개의 발명에 있어서, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 상기 세라믹 유전체 기판의 면적에 대한 상기 히터의 면적의 비율은 20% 이상 80% 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 히터가 적절한 밀도로 배치됨으로써 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 9 발명은 제 1∼8 중 어느 1개의 발명에 있어서, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 상기 세라믹 유전체 기판의 면적에 대한 상기 연통로의 면적의 비율은 20% 이상 80% 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 연통로가 적절한 밀도로 배치됨으로써 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 10 발명은 제 1∼9 중 어느 1개의 발명에 있어서, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 연통로의 면적에 대한 상기 히터의 면적의 비율은 60% 이상 180% 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 연통로 및 히터가 모두 적절한 밀도로 배치됨으로써 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 11 발명은 제 1∼10 중 어느 1개의 발명에 있어서, 상기 전극층과 상기 베이스 플레이트 사이에 설치되고, 상기 히터와 전기적으로 접속된 복수의 바이패스 전극을 더 구비하고, 상기 복수의 바이패스 전극 중 서로 이웃하는 바이패스 전극끼리의 사이의 거리는 0.05밀리미터 이상 10밀리미터 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 바이패스 전극을 설치함으로써 히터의 배치의 자유도를 향상시킬 수 있다. 또한, 바이패스 전극간의 갭 폭을 규정함으로써 바이패스 전극간의 갭에 기인하는 열전도의 불균일을 억제한다. 이것에 의해, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 12 발명은 제 1∼10 중 어느 1개의 발명에 있어서, 상기 전극층과 상기 베이스 플레이트의 사이에 설치되고, 상기 히터와 전기적으로 접속된 복수의 바이패스 전극을 더 구비하고, 상기 복수의 바이패스 전극 중 서로 이웃하는 바이패스 전극끼리의 사이의 영역의 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향을 따르는 길이는, 0.01밀리미터 이상 1밀리미터 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척이다.
이 정전 척에 의하면, 바이패스 전극을 설치함으로써 히터의 배치의 자유도를 향상시킬 수 있다. 또한, 바이패스 전극간의 갭 깊이를 규정함으로써 바이패스 전극간의 갭에 기인하는 열전도의 불균일을 억제한다. 이것에 의해, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
제 13 발명은 제 1∼12 중 어느 1개의 발명에 따른 정전 척을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리장치이다.
이 웨이퍼 처리장치에 의하면, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 각 도면 중 같은 구성요소에는 동일한 부호를 붙여서 상세한 설명은 적당하게 생략한다.
도 1은 본 실시형태에 의한 정전 척의 구성을 예시하는 모식적 단면도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 의한 정전 척(100)은 세라믹 유전체 기판(11)과, 전극층(12)과, 히터(131)과, 베이스 플레이트(50)를 구비한다. 세라믹 유전체 기판(11)은 베이스 플레이트(50) 위에 부착되어 있다.
세라믹 유전체 기판(11)은, 예를 들면 다결정 세라믹 소결체에 의한 평판 형상의 기재이며, 반도체 웨이퍼 등의 처리 대상물(W)을 적재하는 제 1 주면(11a)과, 제 1 주면(11a)과는 반대측의 제 2 주면(11b)을 갖는다.
세라믹 유전체 기판(11)에 포함되는 결정의 재료로서는, 예를 들면 Al2O3, Y2O3 및 YAG 등을 들 수 있다. 이러한 재료를 사용함으로써 세라믹 유전체 기판(11)에 있어서의 적외선 투과성, 절연 내성 및 플라즈마 내구성을 높일 수 있다.
전극층(12)은 제 1 주면(11a)과 제 2 주면(11b)의 사이에 개재되어 있다. 즉, 전극층(12)은 세라믹 유전체 기판(11) 속에 삽입되도록 형성된다. 전극층(12)은 세라믹 유전체 기판(11)에 일체 소결되어 있다. 정전 척용 기판(110)은 세라믹 유전체 기판(11)과, 세라믹 유전체 기판(11)에 형성된 전극층(12)을 포함하는 판 형상의 구조물이다.
또한, 전극층(12)은 제 1 주면(11a)과 제 2 주면(11b)의 사이에 개재되어 있는 것에 한정되지 않고, 제 2 주면(11b)에 부설되어 있어도 된다. 그 때문에, 전극층(12)은 세라믹 유전체 기판(11)에 일체 소결되어 있는 것에는 한정되지 않는다.
정전 척(100)은 전극층(12)에 흡착 유지용 전압(80)을 인가함으로써 전극층(12)의 제 1 주면(11a)측에 전하를 발생시키고, 정전력에 의해서 처리 대상물(W)을 흡착 유지한다. 히터(131)는 히터 전극전류 도입부(132)를 통해서 히터용 전류(133)가 흐르는 것에 의해서 발열해 처리 대상물(W)의 온도를 승온할 수 있다.
세라믹 유전체 기판(11)은 전극층(12)과 제 1 주면(11a) 사이의 제 1 유전층(111)과, 전극층(12)과 제 2 주면(11b) 사이의 제 2 유전층(112)을 갖는다. 히터(131)은, 예를 들면 제 2 유전층(112)에 내장되어 있다. 단, 히터(131)의 설치 형태는 내장형에 한정되는 것은 아니고, 히터 금속을 제 1 유전층(111) 또는 제 2 유전층(112)에 오목부를 형성해서 접합한 것이나, 히터를 내장한 유전체를 제 2 유전층(112)에 접합 또는 적층한 것이라도 좋다. 또한, 히터 전극전류 도입부(132)의 형상은 금속 매립이나 접합 등, 특별히 한정되지는 않는다.
도 1에 나타낸 정전 척(100)에서는, 히터(131)는 제 2 주면(11b)보다 전극층(12)의 측에 설치되어 있다. 단, 히터(131)는 제 2 주면(11b)과 같은 위치에 설치되어 있어도 되고, 제 2 주면(11b)으로부터 보아서 전극층(12)과는 반대의 측에 설치되어 있어도 된다.
히터(131)는 제 2 주면(11b)보다 전극층(12)의 측에 설치되어 있을 경우에는, 예를 들면 그린시트에 전극 및 히터를 인쇄하고, 적층한 그린시트를 소성한 소결체 내부에 내장되어 있어도 된다.
히터(131)는 제 2 주면(11b)과 같은 위치에 설치되어 있을 경우에는, 예를 들면 제 2 주면(11b)에 스크린 인쇄 등의 적절한 방법으로 형성되어 있어도 되고,또는 용사, PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition) 등 의 방법에 의해 형성되어 있어도 된다.
또한, 실시형태에 있어서 히터(131)는 처리 대상물(W)의 면내 온도 분포의 제어를 위해서 사용하는 것이 가능하면 되고, 히터(131)의 위치나 구조 등은 특별하게 한정되지 않는다. 예를 들면, 히터(131)는 세라믹 유전체 기판(11)의 내부에 설치되어 있어도 좋고, 세라믹 유전체 기판(11)과는 별도의 부재로서 설치되어 있어도 좋다. 히터(131)는 베이스 플레이트(50)와 세라믹 유전체 기판(11)의 사이에 끼워져 있어도 좋다. 히터(131)는 도체나 절연체의 플레이트나, 열전소자를 포함하는 히터 플레이트라도 좋다. 또한, 히터(131)는 세라믹에 내장되어 있어도 좋고, 세라믹 유전체 기판(11)의 제 2 주면(11b)측에 코팅이 실시되어 있어도 좋다. 히터(131)의 제법은 특별하게 한정되지 않는다.
여기에서, 본 실시형태의 설명에 있어서는 제 1 주면(11a)과 제 2 주면(11b)을 연결하는 방향을 Z방향, Z방향과 직교하는 방향의 하나를 X방향, Z방향 및 X방향에 직교하는 방향을 Y방향으로 하기로 한다.
전극층(12)은 제 1 주면(11a) 및 제 2 주면(11b)을 따라서 설치되어 있다. 전극층(12)은 처리 대상물(W)을 흡착 유지하기 위한 흡착 전극이다. 전극층(12)은 단극형이라도 쌍극형이라도 좋다. 또한, 전극층(12)은 3극형이나 그 밖의 다극형 이라도 좋다. 전극층(12)의 수나 전극층(12)의 배치는 적당하게 선택된다. 도 1에 나타낸 전극층(12)은 쌍극형이며, 동일면 상에 2극의 전극층(12)이 형성되어 있다.
세라믹 유전체 기판(11) 중 적어도 제 1 유전층(111)에 있어서의 적외선 분광 투과율은 20% 이상인 것이 바람직하다. 본 실시형태에 있어서 적외선 분광 투과율은 두께 1㎜ 환산에서의 값이다.
세라믹 유전체 기판(11) 중 적어도 제 1 유전층(111)에 있어서의 적외선 분광 투과율이 20% 이상 있음으로써 제 1 주면(11a)에 처리 대상물(W)을 적재한 상태에서 히터(131)로부터 방출되는 적외선이 세라믹 유전체 기판(11)을 효율적으로 투과할 수 있다. 따라서, 처리 대상물(W)에 열이 축적하기 어려워져 처리 대상물(W)의 온도의 제어성이 높아진다.
예를 들면, 플라즈마 처리를 행하는 챔버 내에서 정전 척(100)이 사용될 경우, 플라즈마 파워의 증가에 따라 처리 대상물(W)의 온도는 상승하기 쉬워진다. 본 실시형태의 정전 척(100)에서는 플라즈마 파워에 의해 처리 대상물(W)에 전해진 열이 세라믹 유전체 기판(11)에 효율적으로 전해진다. 또한, 히터(131)에 의해서 세라믹 유전체 기판(11)에 전해진 열이 처리 대상물(W)에 효율적으로 전해진다. 따라서, 처리 대상물(W)을 효율적으로 열전도해서 원하는 온도로 유지하기 쉬워진다.
본 실시형태에 의한 정전 척(100)에서는, 제 1 유전층(111)에 추가해 제 2 유전층(112)에 있어서의 적외선 분광 투과율도 20% 이상 있는 것이 바람직하다. 제 1 유전층(111) 및 제 2 유전층(112)의 적외선 분광 투과율이 20% 이상임으로써 히터(131)로부터 방출되는 적외선이 더욱 효율적으로 세라믹 유전체 기판(11)을 투과하게 되어 처리 대상물(W)의 온도 제어성을 높일 수 있다.
상술한 바와 같이, 세라믹 유전체 기판(11)은 베이스 플레이트(50) 위에 부착되어 있다. 세라믹 유전체 기판(11)을 베이스 플레이트(50)에 부착할 때에는, 실리콘 등의 내열성 수지, 인듐 접합 및 브레이징 등이 사용된다. 접착 재료는 사용 온도대나 비용 등의 관점으로부터 적당하게 선택되지만, 적외선을 투과하기 쉬운 재료가 보다 바람직하다.
베이스 플레이트(50)는, 예를 들면 알루미늄제의 상부(50a)와 하부(50b)로 나뉘어져 있다. 상부(50a)와 하부(50b)의 접속에는 브레이징이나 전자빔 용접이나 확산접합 등을 사용할 수 있다. 단, 베이스 플레이트(50)의 제조 방법은 상기에 한정되지 않는다.
상부(50a)와 하부(50b) 사이의 경계의 부분에는 연통로(55)가 설치되어 있다. 즉, 연통로(55)는 베이스 플레이트(50)의 내부에 설치되어 있다. 연통로(55)의 일단은 입력로(51)에 접속되어 있다. 연통로(55)의 타단은 출력로(52)에 접속되어 있다.
베이스 플레이트(50)는 세라믹 유전체 기판(11)의 온도 조정을 행하는 역할을 한다. 예를 들면, 세라믹 유전체 기판(11)을 냉각할 경우에는 입력로(51)를 통해서 연통로(55)로 냉각 매체를 유입하여 연통로(55)를 통과시키고, 출력로(52)를 통해서 연통로(55)로부터 냉각 매체를 유출시킨다. 이것에 의해, 냉각 매체에 의해서 베이스 플레이트(50)의 열을 흡수하여, 그 위에 부착된 세라믹 유전체 기판(11)을 냉각할 수 있다.
한편, 세라믹 유전체 기판(11)을 가열할 경우에는 연통로(55) 내에 가열 매체를 넣는 것도 가능하다. 또는, 베이스 플레이트(50)에 히터(131)를 내장시키는 것도 가능하다. 이와 같이, 베이스 플레이트(50)에 의해 세라믹 유전체 기판(11)의 온도가 조정되면, 정전 척(100)으로 흡착 유지되는 처리 대상물(W)의 온도를 용이하게 조정할 수 있다.
또한, 도 1의 단면에 있어서 연통로(55)의 횡치수(Dh)(후술하는 폭 D3에 상당함)는 연통로(55)의 종치수(Dv)(Z방향을 따른 길이)보다 작다. 이것에 의해, 온도를 조정하는 매체가 흐르는 범위의 제어성을 향상시키면서, 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향을 따라서 보았을 때에 연통로(55)가 설치된 영역의 비율을 높게 할 수 있다. 예를 들면, 온도를 조정하는 매체의 압력손실을 억제하면서 처리 대상물(W)의 온도의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 세라믹 유전체 기판(11)의 제 1 주면(11a)측에는 필요에 따라서 볼록부(13)가 형성되어 있다. 서로 이웃하는 볼록부(13)의 사이에는 홈(14)이 형성되어 있다. 홈(14)은 서로 연통하고 있다. 정전 척(100)에 탑재된 처리 대상물(W)의 이면과 홈(14)의 사이에는 공간이 형성된다.
홈(14)에는 베이스 플레이트(50) 및 세라믹 유전체 기판(11)을 관통하는 도입로(53)가 접속되어 있다. 처리 대상물(W)을 흡착 유지한 상태에서 도입로(53)로부터 헬륨(He) 등의 전달 가스를 도입하면, 처리 대상물(W)과 홈(14) 사이에 형성된 공간에 전달 가스가 흘러, 처리 대상물(W)을 전달 가스에 의해 직접 가열 또는 냉각할 수 있게 된다.
베이스 플레이트(50)에는, 예를 들면 리프트 핀 구멍이나 센서 구멍 등의 관통구멍(57)이 형성되어 있다. 리프트 핀 구멍(도 1에서는 도입로(53)의 우측의 관통구멍(57))은 베이스 플레이트(50) 및 세라믹 유전체 기판(11)을 관통한다. 리프트 핀 구멍에는 제 1 주면(11a)에 적재된 처리 대상물(W)을 정전 척(100)으로부터 제거하는 핀(도시하지 않음)이 삽입된다. 센서 구멍(도 1에서는 도입로(53)의 좌측의 관통구멍(57))은 베이스 플레이트(50)를 관통한다. 센서 구멍에는 세라믹 유전체 기판(11)의 온도를 검지하는 센서(도시하지 않음)가 설치된다. 즉, 관통구멍(57)은 베이스 플레이트(50) 및 세라믹 유전체 기판(11)을 관통할 경우가 있는 한편으로, 베이스 플레이트(50)를 관통하고 세라믹 유전체 기판(11)을 관통하지 않을 경우가 있다. 또한, 관통구멍(57)은 리프트 핀 구멍이나 센서 구멍 등에는 한정되지 않는다.
세라믹 유전체 기판(11)의 제 2 주면(11b) 및 제 2 유전층(112)에는 접속부(20)가 설치되어 있다. 접속부(20)의 위치와 대응하는 베이스 플레이트(50)의 상부(50a)에는 콘택트 전극(61)이 설치되어 있다. 따라서, 정전 척(100)을 베이스 플레이트(50)의 상부(50a)에 부착하면, 콘택트 전극(61)이 접속부(20)와 접촉한다. 이것에 의해, 콘택트 전극(61)과 전극층(12)이 접속부(20)를 통해서 전기적으로 도통하게 된다.
콘택트 전극(61)에는, 예를 들면 가동식 프로브가 사용되고 있다. 이것에 의해, 콘택트 전극(61)과 접속부(20)의 확실한 접촉을 실현할 수 있다. 또한, 콘택트 전극(61)이 접속부(20)와 접촉하는 것에 의한 접속부(20)의 데미지를 최소한으로 억제할 수 있다. 또한, 콘택트 전극(61)은 상기에 한정되지 않고, 접속부(20)와 단지 접촉하는 것만의 구성이나, 접속부(20)와 끼워맞춤 또는 나사결합에 의해 접속되는 것 등, 어떤 형태라도 좋다.
도 2는 본 실시형태의 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 2는 정전 척(100)을 도 1에 나타낸 화살표 A의 방향으로 보았을 때의 모식적 평면도이다. 바꿔 말하면, 도 2는 정전 척(100)을 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때의 모식적 평면도이다. 또한, 도 2에 나타낸 모식적 평면도에서는 설명의 편의상, 히터(131) 및 연통로(55)를 파선이 아니라 실선으로 나타내고 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 히터(131) 중 적어도 일부는 관통구멍(57)에 가장 근접한 연통로(55)의 부분(제 1 부분)(55a)으로부터 보아서 관통구멍(57)의 측에 존재한다. 「관통구멍(57)에 가장 근접한 부분」이란, 예를 들면 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 관통구멍(57)의 중심축(57a)에 가장 근접한 부분을 말한다. 도 2에 나타낸 연통로(55)에 있어서 관통구멍(57)에 가장 근접한 부분은 부분(55a)이다.
제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 관통구멍(57)의 중심축(57a)와 관통구멍(57)에 가장 근접한 연통로(55)의 부분(55a) 사이의 거리 D1은, 관통구멍(57)의 중심축(57a)과 관통구멍(57)에 가장 근접한 히터(131)의 부분(제 2 부분)(131a) 사이의 거리 D2보다 길다.
제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 관통구멍(57)에 가장 근접한 연통로(55)의 부분(55a)에 있어서의 연통로(55)의 폭 D3은, 관통구멍(57)에 가장 근접한 히터(131)의 부분(131a)에 있어서의 히터(131)의 폭 D4보다 넓다. 폭 D3은, 예를 들면 약 5밀리미터(㎜) 이상, 10㎜ 이하 정도이다. 폭 D4는, 예를 들면 약 0.5㎜ 이상, 3㎜ 이하 정도이다.
제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 관통구멍(57)의 지름 D7(도 3 참조)은, 예를 들면 0.05㎜ 이상 10㎜ 이하이다.
제 1 주면(11a)에 대하여 수직 방향인 방향으로 보았을 때에 히터(131)의 부분(131a)을 포함하는 일부, 및 연통로(55)의 부분(55a)을 포함하는 일부는, 각각 관통구멍(57)을 둘러싸는 형상을 갖는 것이 바람직하다. 관통구멍(57)을 둘러싸는 형상이란, 관통구멍(57)로부터 보아서 외측으로 볼록한 형상을 말하고, 관통구멍(57)을 중심으로 한 대략 원호 형상이 바람직하다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 히터(131)의 내측(관통구멍(57)의 측)의 지름에 의해 근사되는 원을 제 2 가상원(C2)으로 한다. 또는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 관통구멍(57)에 가장 근접한 히터(131)의 부분(131a)과, 히터(131) 중 관통구멍(57)의 측(내측)의 어느 2개의 부분(도 2에서는 부분 131b 및 부분 131c)을 지나는 원을 제 2 가상원(C2)으로 한다. 이 때, 제 2 가상원(C2)이 히터(131)와 교차하는 부분(도 2에서는 원호 CA1 및 원호 CA2)의 길이는, 제 2 가상원(C2)의 원주의 길이에 대하여 50퍼센트(%) 이상, 80% 이하이다.
연통로(55)의 위치 및 히터(131)의 위치는, 예를 들면 X선 CT(Computed Tomography)를 이용하여 측정된다. 히터(131)의 위치만이면, 예를 들면 초음파 탐상기를 이용하여 측정할 수 있다. 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscopy:SEM) 등의 현미경을 사용하는 단면관찰 등의 파괴 검사에 의해, 연통로(55)의 위치 및 히터(131)의 위치를 관찰하는 것도 가능하다.
본 실시형태에 의하면, 가장 가열하기 어려운 개소와 가장 냉각하기 어려운 개소를 대략 동일하게 함으로써 처리 대상물의 면내의 온도 조정을 제어할 수 없는 범위를 한정할 수 있다. 본 실시형태에 있어서 가장 가열하기 어려운 개소 및 가장 냉각하기 어려운 개소는 관통구멍(57)의 근방의 개소이다. 이것에 의해, 관통구멍(57)과는 다른 별도의 영역에 있어서의 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다. 또한, 관통구멍(57) 근방에 있어서도 가장 가열하기 어려운 쿨스폿의 영역과, 가장 냉각하기 어려운 핫스폿의 영역이 대략 동일하게 됨으로써, 가열과 냉각의 평형을 취하기 쉬워지고, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 실시형태의 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 4는 본 실시형태의 히터의 리턴부를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 3은 정전 척(100)을 도 1에 나타낸 화살표 A의 방향으로 보았을 때의 모식적 평면도이다. 바꿔 말하면, 도 3은 정전 척(100)을 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때의 모식적 평면도이다. 또한, 도 3에 나타낸 모식적 평면도에서는 설명의 편의상, 히터(131) 및 연통로(55)를 파선이 아니라 실선으로 나타내고 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 연통로(55)의 내측(관통구멍(57)의 측)의 지름에 의해 근사되는 원을 제 1 가상원(C1)이라고 한다. 또는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 관통구멍(57)에 가장 근접한 연통로(55)의 부분(55a)과, 연통로(55) 중 관통구멍(57)의 측(내측)의 어느 2개의 부분(도 3에서는 부분 55b 및 부분 55c)을 지나는 원을 제 1 가상원(C1)이라고 한다. 이 때, 제 1 가상원(C1)의 중심(55d)와 제 2 가상원(C2)의 중심(131d) 사이의 거리 D5는 0.2㎜ 이내이다. 이 때, 도 4에 나타낸 바와 같이, 히터(131)의 리턴부(131e)의 외측(외주)의 부분(라운드부)의 치수 D6은, 예를 들면 약 0.6㎜ 이상, 1㎜ 이하 (R0.6 이상, R1 이하) 정도이다.
제 1 가상원(C1)의 중심(55d)과 제 2 가상원(C2)의 중심(131d) 사이의 거리는 0㎜인 것이 보다 바람직하다. 즉, 제 1 가상원(C1)의 중심(55d)은 제 2 가상원(C2)의 중심(131d)과 겹치는 것이 보다 바람직하다.
도 5는 본 실시형태의 다른 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다.
도 5는 도 2 및 도 3과 마찬가지로, 정전 척(100)을 도 1에 나타낸 화살표 A의 방향으로 보았을 때의 모식적 평면도이다.
도 5에 나타낸 관통구멍(57)의 근방에 있어서의 히터(131)의 배치 패턴은 도 2 및 도 3에 나타낸 관통구멍(57)의 근방에 있어서의 히터(131)의 배치 패턴과는 다르다. 도 2 및 도 3에 나타낸 관통구멍(57)의 근방에서는 상측의 히터(131)는 연속하고 있다. 한편으로, 도 5에 나타낸 관통구멍(57)의 근방에서는 상측의 히터(131)는 연속하고 있지 않다. 도 2, 도 3 및 도 5에 나타낸 어느 예의 경우에도, 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 히터(131)의 배치 패턴은 관통구멍(57)의 중심축(57a)을 지나는 임의의 직선(57b)으로부터 보아서 좌우 대칭이다. 관통구멍(57)이 리프트 핀 구멍일 경우에는, 히터(131)의 배치 패턴이 관통구멍(57)의 중심축(57a)을 지나는 임의의 직선(57b)으로부터 보아서 좌우 대칭이 되는 경우가 비교적 많다.
도 5에 나타낸 히터(131)의 배치 패턴의 경우에도, 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 히터(131) 중 적어도 일부는 관통구멍(57)에 가장 근접한 연통로(55)의 부분(55a)으로부터 보아서 관통구멍(57)의 측에 존재한다. 또한, 제 2 가상원(C2)이 히터(131)와 교차하는 부분(도 5에서는 원호 CA1, 원호 CA2및 원호 CA3)의 길이는, 제 2 가상원(C2)의 원주의 길이에 대하여 50퍼센트(%) 이상, 80% 이하이다. 거리 D1, 거리 D2, 폭 D3, 폭 D4, 거리 D5 및 치수 D6은, 도 2 및 도 3에 관해서 상술한 바와 같다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 본 실시형태의 다른 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 6(a) 및 도 6(b)는 도 2 및 도 3과 마찬가지로, 정전 척(100)을 도 1에 나타낸 화살표 A의 방향으로 보았을 때의 모식적 평면도이다.
도 6(a)에 있어서의 상측의 히터(131)의 평면 형상의 곡률은, 도 2 및 도 3에 나타낸 관통구멍(57) 근방에 있어서의 상측의 히터(131)의 평면 형상의 곡률보다 크다. 도 6(a)에서는 상측의 히터(131)의 일부는 관통구멍(57) 근방에 있어서 연통로(55)의 일부와 Z방향에 있어서 겹치고 있다. 도 6(b)에 있어서는, 히터(131)는 X-Y 평면을 따라 직선적으로 연장되는 패턴에 의해 구성되어 있다. 도 6(a) 및 도 6(b)에 나타낸 예에 있어서도, 거리 D1, 거리 D2, 폭 D3, 폭 D4 및 거리 D5는 도 2 및 도 3에 관해서 상술한 바와 같다. 이것에 의해, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
도 7(a) 및 도 7(b)는 본 실시형태의 다른 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 7(a) 및 도 7(b)는 본 실시형태의 다른 관통구멍의 근방을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 7(a) 및 도 7(b)는 도 2 및 도 3과 마찬가지로, 정전 척(100)을 도 1에 나타낸 화살표 A의 방향으로 보았을 때의 모식적 평면도이다.
도 7(a) 및 도 7(b)에 나타낸 예에서는, 연통로(55)의 배치 패턴에 있어서 도 2 및 도 3에 나타낸 예와 다르다. 도 7(a) 및 도 7(b)의 예에서는, 연통로(55)는 관통구멍(57) 근방에 있어서 본유로(551)와 부유로(552)로 분기되어 있다. 도 7(a)에 나타낸 바와 같이, 부유로(552)의 폭 D8a는 본유로(551)의 폭 D3보다 좁다. 또한, 도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 부유로(552)의 폭 D8b는 본유로(551)의 폭 D3보다 좁다. 또한, 유로의 폭은 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에 냉각 매체가 흘러 들어오는 방향에 대하여 대략 수직인 방향을 따른 유로의 길이이다.
본원 명세서에 있어서, 이와 같이 연통로(55)가 분기될 경우에는, 「관통구멍(57)에 가장 근접한 연통로(55)의 부분(55a)」이란 「관통구멍(57)에 가장 접근한 본유로(551)의 부분」을 말한다. 이 경우, 도 7(a) 및 도 7(b)에 나타낸 예에 있어서도, 거리 D1, 거리 D2, 폭 D3, 폭 D4 및 거리 D5는, 도 2 및 도 3에 관해서 상술한 바와 같다.
도 8은 둘레길이의 비율과 온도 저하율 사이의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다. 도 8에 나타낸 그래프도의 가로축은, 제 2 가상원(C2)이 히터(131)와 교차하는 부분의 길이와 제 2 가상원(C2)의 원주의 길이 사이의 비(제 2 가상원(C2)이 히터(131)와 교차하는 부분의 길이/제 2 가상원(C2)의 원주의 길이(%))를 나타낸다. 도 8에 나타낸 그래프도의 세로축은 평균 온도에 대한 온도 저하율(%)을 나타낸다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 제 2 가상원(C2)이 히터(131)와 교차하는 부분의 길이와 제 2 가상원(C2)의 원주의 길이 사이의 비가 높아지면, 평균 온도에 대한 온도 저하율은 낮아진다. 평균 온도에 대한 온도 저하율은 10% 이하인 것이 바람직하다. 평균 온도에 대한 온도 저하율이 10%보다 높아지면 관통구멍(57) 근방의 영역을 적절하게 가열하는 것이 곤란하게 된다.
즉, 제 2 가상원(C2)이 히터(131)와 교차하는 부분의 길이와 제 2 가상원(C2)의 원주의 길이 사이의 비가 약 50% 미만일 경우에는, 관통구멍(57)의 근방에 있어서의 히터(131)가 부족하다. 그 때문에, 관통구멍(57)의 근방의 영역을 적절하게 가열하는 것이 곤란하게 된다. 바꿔 말하면, 관통구멍(57)의 근방의 영역이 쿨스폿이 될 경우가 있다.
한편으로, 제 2 가상원(C2)이 히터(131)와 교차하는 부분의 길이와 제 2 가상원(C2)의 원주의 길이 사이의 비가 80%보다 높을 경우에는, 관통구멍(57)의 근방에 있어서의 히터(131)가 과잉으로 된다. 그 때문에, 히터(131)끼리 사이의 절연 거리를 확보할 수 없을 우려가 있다.
이것에 의하면, 제 2 가상원(C2)이 히터(131)와 교차하는 부분의 길이와 제 2 가상원(C2)의 원주의 길이 사이의 비는 50% 이상, 80% 이하인 것이 바람직하다.
또한, 제 2 가상원(C2)이 히터(131)와 교차하는 부분의 길이와 제 2 가상원(C2)의 원주의 길이 사이의 비는 70% 이상, 80% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 경우에는, 히터(131)끼리 사이의 절연 거리를 확보하면서 비교적 많은 히터(131)를 관통구멍(57)의 근방에 설치할 수 있다.
도 9는 온도 편차와 히터 면적율의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다. 도 9에 나타낸 그래프도의 가로축은 히터 면적율(%)을 나타낸다. 히터 면적율은 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 세라믹 유전체 기판(11)의 면적에 대한 히터(131)의 면적의 비율이다.
도 9의 좌세로축은 정전 척에 적재되어, 온도가 제어된 처리 대상물(W)(예를 들면, 웨이퍼)의 온도 편차 ΔT(℃)를 나타낸다. 온도 편차 ΔT는, 처리 대상물(W)의 면내(X-Y 평면 내)에 있어서 최고온의 개소와 최저온의 개소의 온도차이다.
도 9의 우세로축은 처리 대상물(W)의, 기준으로부터의 온도 편차의 비 Rt(%)를 나타낸다. 예를 들면, 정전 척에 의해 처리 대상물(W)의 온도를 온도 T1로부터 온도 T2로 변화시켰을 경우, 비 Rt(%)=(온도 편차 ΔT)/ (온도 T2-온도 T1)×100으로 나타내어진다.
도 9에서는 도 1에 관해서 설명한 정전 척에 있어서, 히터(131)의 폭을 변화시키거나 히터(131)를 빈틈없이 배치함으로써 히터 면적율을 변화시킬 수 있다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 히터 면적율이 20% 이하일 경우, 온도 편차 ΔT는 5℃ 이상이며, 비 Rt는 10% 이상이다. 히터 면적율이 더욱 저하하면, 온도 편차 ΔT 및 비 Rt는 급준하게 증가한다. 이것은 히터(131)가 성긴 경우, 히터(131)로부터 벗어난 영역은 가열하기 어렵기 때문이라 생각된다.
한편, 히터 면적율이 80% 이상인 경우에 있어서도, 온도 편차 ΔT는 5℃ 이상이며, 비 Rt는 10% 이상이다. 히터 면적율이 더욱 증가하면, 온도 편차 ΔT 및 비 Rt는 급준하게 증가한다. 이것은, 예를 들면 히터(131)가 빈틈없이 배치된 영역이 가열하기 쉬워지는 한편, 히터(131)가 배치되어 있지 않은 영역은 가열하기 어려운 상태이기 때문이라 생각된다. 이 때문에, 온도차가 현저하게 된다.
또한, 히터 면적율은 온도 편차 외외의 요인에 의해서도 제한된다. 예를 들면, 절연 거리의 확보를 위해서, 히터(131)끼리 사이의 최근접 거리는 0.2㎜ 이상 5㎜ 이하인 것이 바람직하고, 히터(131)로부터 세라믹 유전체 기판(11)의 외주까지의 거리는 0.05㎜ 이상 7㎜ 이하인 것이 바람직하다. 이 때문에, 히터 면적율은 100% 미만으로 된다. 예를 들면, 히터 면적율이 90% 이상인 경우에는 히터-히터간의 절연 내압이 불충분하게 되고, 히터 면적율이 85% 이상인 경우에는 히터-외주간의 절연 내압이 불충분하게 된다.
이상에 의해, 실시형태에 있어서는 히터 면적율은 20% 이상 80% 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다. 히터 면적율은 40% 이상 60% 이하가 보다 바람직하다. 이것에 의해, 온도 편차 ΔT를 2℃ 이하로 하고, 비 Rt를 4% 이하로 할 수 있다.
도 10은 온도 편차와 연통로 면적율의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다. 도 10의 가로축은 연통로 면적율(%)을 나타낸다. 연통로 면적율은 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 세라믹 유전체 기판(11)의 면적에 대한 연통로(55)의 면적의 비율이다.
도 10의 좌세로축은 도 9의 좌세로축과 같은, 온도 편차 ΔT(℃)를 나타낸다. 도 10의 우세로축은 도 9의 우세로축과 같은, 기준으로부터의 온도 편차의 비 Rt(%)를 나타낸다.
도 10에서는 도 1에 관해서 설명한 정전 척에 있어서, 연통로(55)의 폭을 변화시키거나 연통로(55)를 빈틈없이 배치함으로써 연통로 면적율을 변화시킬 수 있다. 이 예에서는, 연통로(55)에는 냉각 매체를 통과시키고 있다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 연통로 면적율이 20% 이하인 경우, 온도 편차 ΔT는 5℃ 이상이며, 비 Rt는 10% 이상이다. 연통로 면적율이 더욱 저하하면 온도 편차 ΔT 및 비 Rt는 급준하게 증가한다. 이것은, 예를 들면 연통로(55)가 성긴 경우, 연통로(55)로부터 떨어진 영역이 핫스폿이 되어 쉽기 때문으로 생각된다.
한편, 연통로 면적율이 80% 이상인 경우에 있어서도, 온도 편차 ΔT는 5℃ 이상이며, 비 Rt는 10% 이상이다. 연통로 면적율이 더욱 증가하면, 온도 편차 ΔT및 비 Rt는 급준하게 증가한다. 이것은, 예를 들면 연통로(55)가 빈틈없이 배치된 영역이 냉각되기 쉬워지는 한편, 연통로(55)가 배치되어 있지 않은 영역은 냉각되기 어려웠던 상태이기 때문으로 생각된다. 이 때문에, 온도차가 현저하게 된다.
연통로 면적율은 온도 편차 이외의 요인에 의해서도 제한된다. 예를 들면, 강도의 확보를 위해서 연통로(55)끼리 사이의 최근접 거리는 0.3㎜ 이상 15㎜ 이하인 것이 바람직하고, 연통로(55)로부터 베이스 플레이트(50)의 외주(상부(50a)의 외주)까지의 거리는 0.3㎜ 이상 10㎜ 이하인 것이 바람직하다. 이 때문에, 연통로 면적율은 100% 미만으로 된다.
이상에 의해, 실시형태에 있어서는 연통로 면적율은 20% 이상 80% 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다. 연통로 면적율은 40% 이상 60% 이하가 보다 바람직하다. 이것에 의해, 온도 편차 ΔT를 2℃ 이하로 하고, 비 Rt를 4% 이하로 할 수 있다.
도 11은 온도 편차와 연통로의 면적에 대한 히터의 면적의 비율의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 11의 가로축은 연통로 면적에 대한 히터 면적의 비율을 나타낸다. 이것은 (히터 면적)/(연통로 면적)(%)에 의해 산출된다. 히터 면적은 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 경우에 있어서의 히터(131)가 갖는 면적이다. 연통로 면적은 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 경우에 있어서의 연통로(55)가 갖는 면적이다.
도 11의 좌세로축은 도 9의 좌세로축과 같은, 온도 편차 ΔT(℃)를 나타낸다. 도 11의 우세로축은 도 9의 우세로축과 같은, 기준으로부터의 온도 편차의 비 Rt(%)를 나타낸다.
도 11에서는 도 1에 관해서 설명한 정전 척에 있어서 히터(131)의 폭 및 연통로(55)의 폭을 변화시키거나, 히터(131) 및 연통로(55)를 빈틈없이 배치시킴으로써 연통로의 면적에 대한 히터의 면적의 비율을 변화시킬 수 있다. 여기에서, 히터(131)의 폭의 최소치는 0.5㎜이며, 연통로(55)의 폭의 최소치는 1㎜이다. 또한, 이 예에서는 연통로(55)에는 냉각 매체를 통과시키고 있다. 처리 대상물(W)의 온도의 제어는 연통로(55)에 냉각 매체를 흘리면서, 히터(131)에 의해서 가열함으로써 행하여진다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 연통로 면적에 대한 히터 면적의 비율이 60% 이하인 경우에는, 온도 편차 ΔT는 5℃ 이상이며, 비 Rt는 10% 이상이다. 연통로 면적에 대한 히터 면적의 비율이 더욱 저하하면 온도 편차 ΔT 및 비 Rt는 급준하게 증가한다. 이것은 히터(131)에 대하여 연통로(55)의 밀도가 높아 쿨스폿이 발생하기 쉽기 때문으로 생각된다.
한편, 연통로 면적에 대한 히터 면적의 비율이 180% 이상인 경우에 있어서도, 온도 편차 ΔT는 5℃ 이상이며, 비 Rt는 10% 이상이다. 연통로 면적에 대한 히터 면적의 비율이 더욱 증가하면 온도 편차 ΔT 및 비 Rt는 급준하게 증가한다. 이것은 연통로(55)에 대하여 히터(131)의 밀도가 높아 핫스폿이 발생하기 쉽기 때문으로 생각된다.
이상으로부터, 실시형태에 있어서는 히터(131) 및 연통로(55)가 모두 적당하게 빽빽한 것이 바람직하다. 연통로 면적에 대한 히터 면적의 비율은 60% 이상 180% 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다. 연통로 면적에 대한 히터 면적의 비율은 100% 이상 140% 이하가 보다 바람직하다. 이것에 의해, 온도 편차 ΔT를 2℃ 이하로 하고, 비 Rt를 4% 이하로 할 수 있다.
또한, 도 9의 히터 면적율, 도 10의 연통로 면적율, 및 도 11의 연통로 면적에 대한 히터 면적의 비율은, 각각 정전 척(100)의 흡착면 전체에 대하여 산출되어도 좋고, 정전 척(100)의 외주에 둘러싸여진 범위에 대하여 산출되어도 좋고, 정전 척(100) 중 50㎜×50㎜ 정도의 범위에 있어서 산출되어도 좋다. 히터 면적율, 연통로 면적율 및 연통로 면적에 대한 히터 면적의 비율에는, 각각 복수(3개소 정도)의 50㎜×50㎜의 범위로부터 산출된 값의 평균치를 사용해도 된다.
도 12는 히터의 리턴부를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 13은 히터의 리턴부를 확대한 모식적 확대도이다.
도 12(a)는 본 실시형태의 히터의 리턴부를 나타내는 모식적 평면도이다. 도 12(b)는 비교예의 히터의 리턴부를 나타내는 모식적 평면도이다. 도 13(a)는 도 12(a)에 나타낸 영역 AR1을 확대한 모식적 확대도이다. 도 13(b)는 도 12(b)에 나타낸 영역 AR2를 확대한 모식적 확대도이다.
도 12(a)는 복수의 히터(131)의 리턴부(131e)가 근접한 상태를 나타낸다. 히터(131)의 리턴부(131e)는 제 1 방향으로부터 제 1 방향과는 다른 제 2 방향으로 굴곡한 부분이다. 도 12(b)는 복수의 히터(134)의 리턴부(134e)가 근접한 상태를 나타낸다. 히터(134)의 리턴부(134e)는 제 3 방향으로부터 제 3 방향과는 다른 제 4 방향으로 굴곡한 부분이다. 도 12(a)에 나타낸 히터(131)의 배치 패턴에서는, 제 1 히터(135)는 제 2 히터(136)에 근접한다. 도 12(b)에 나타낸 히터(134)의 배치 패턴에서는, 제 1 히터(137)는 제 2 히터(138)에 근접한다.
제 1 히터(135)의 리턴부(131e)(제 1 리턴부)와, 제 2 히터(136)의 리턴부(131e)(제 2 리턴부) 사이의 공간부(141)의 면적이 넓으면, 처리 대상물(W)의 온도 제어성이 저하하고, 처리 대상물(W)의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상하는 것이 곤란하게 될 경우가 있다. 이것에 대하여, 제 1 히터(135)의 리턴부(131e)와 제 2 히터(136)의 리턴부(131e) 사이의 공간부(141)의 면적이 적절할 경우에는, 처리 대상물(W)의 온도 제어성을 향상시킬 수 있어 처리 대상물(W)의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
여기에서, 도 13(a)에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 있어서 제 1 히터(135)와 제 2 히터(136) 사이의 최근접 거리를 「D11」로 나타내는 것으로 한다. 제 1 히터(135)의 리턴부(131e)의 라운드 단부(131f)와, 제 2 히터(136)의 리턴부(131e)의 라운드 단부(131f) 사이의 거리를 「D12」로 나타내는 것으로 한다.
본원 명세서에 있어서 「라운드 단부」란 라운드부와 직선부의 교점을 말하는 것으로 한다.
도 13(b)에 나타낸 바와 같이, 비교예에 있어서 제 1 히터(137)와 제 2 히터(138) 사이의 최근접 거리를 「D13」으로 나타내는 것으로 한다. 제 1 히터(137)의 리턴부(134e)의 라운드 단부(134f)와, 제 2 히터(138)의 리턴부(134e)의 라운드 단부(134f) 사이의 거리를 「D14」로 나타내는 것으로 한다.
이 때, 본 실시형태에서는 최근접 거리 D11과, 라운드 단부(131f)끼리의 사이의 거리 D12 사이의 비(D11/D12)는 50% 이상, 100% 미만이다. 바꿔 말하면, 최근접 거리 D11은 라운드 단부(131f)끼리의 사이의 거리 D12에 대하여 50% 이상, 100%미만이다.
이것에 대하여, 비교예에서는 최근접 거리 D13과, 라운드 단부(134f)끼리의 사이의 거리 D14 사이의 비(D13/D14)는 50% 미만이다. 바꿔 말하면, 최근접 거리 D13은 라운드 단부(134f)끼리 사이의 거리 D14에 대하여 50% 미만이다.
본 실시형태에 의하면, 복수의 히터(131)의 리턴부(131e)가 근접한 개소에 있어서 공간부(141)의 밀도를 규정하기 위해서 복수의 히터(131)끼리 사이의 근접 거리를 규정함으로써 처리 대상물(W)의 온도 제어성을 향상시킬 수 있고, 처리 대상물(W)의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다.
라운드 단부끼리 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비에 대해서, 도면을 참조하면서 더 설명한다.
도 14는 라운드 단부끼리 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비와, 처리 대상물의 면내의 온도차의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 15는 라운드 단부끼리 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비와, 처리 대상물의 면내의 온도차의 관계의 일례를 예시하는 표이다.
도 16은 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 일례를 예시하는 모식도이다.
본 발명자는 라운드 단부끼리 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비(최근접 거리/라운드 단부끼리 사이의 거리)와, 처리 대상물의 면내의 온도차의 관계에 대해서 검토를 행하였다. 도 15에 나타낸 표와 같이, 본 발명자는 라운드 단부끼리 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비가 22%(Case 1), 26%(Case 2), 33%(Case 3), 50%(Case 4), 67%(Case 5) 및 80%(Case 6)의 경우에 대해서, 처리 대상물(W)의 면내의 온도차의 검토를 행하였다.
검토의 결과의 일례는 도 14∼도 16(e)에 나타낸 바와 같다. 즉, 도 14 및 도 15에 나타낸 바와 같이, 라운드 단부끼리 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비가 높아지면, 처리 대상물(W)의 면내의 온도차가 저하한다. 처리 대상물(W)의 면내의 온도차를 1℃ 이하로 할 경우에는, 라운드 단부끼리 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비를 50% 이상, 100% 미만으로 할 필요가 있다. 도 16(c)∼도 16(e)에 나타낸 바와 같이, 라운드 단부끼리 사이의 거리에 대한 최근접 거리의 비가 50% 이상, 100% 미만일 경우에는, 제 1 히터(135)의 리턴부(131e)와 제 2 히터(136)의 리턴부(131e) 사이의 공간부(141)에 있어서의 온도의 저하가 억제되어 있다.
도 17(a) 및 도 17(b)는 본 실시형태에 의한 다른 정전 척을 예시하는 모식도이다.
도 17(a)는 실시 형태에 따른 정전 척(101)의 모식적 단면도이다. 도 17(a)는 도 1에 나타낸 단면의 일부를 확대한 모식적 단면도에 상당한다.
도 17(a)에 예시하는 정전 척(101)은 바이패스 전극(139)을 갖는다. 이것 이외에 대해서는, 정전 척(101)에는 도 1에 관해서 설명한 정전 척(100)과 같은 설명을 적용할 수 있다. 도 17(a)에 나타낸 예는, 히터 플레이트 구조이지만, 세라믹 내부에 히터나 바이패스 전극을 내장해도 좋고, 구조나 제법을 한정하는 것은 아니다.
바이패스 전극(139)은 Z방향에 있어서 베이스 플레이트(50)와 전극층(12) 사이에 형성된다. 이 예에서는, 바이패스 전극(139)은 Z방향에 있어서 베이스 플레이트(50)와 히터(131) 사이에 위치한다. 단, 바이패스 전극(139)의 위치는 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 바이패스 전극(139)은 Z방향에 있어서 전극층(12)과 히터(131) 사이에 위치해도 좋다.
바이패스 전극(139)의 재료에는, 예를 들면 스테인레스, 티타늄, 크롬, 니켈, 구리, 및 알루미늄 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 등을 들 수 있다. 바이패스 전극(139)은 히터(131)와 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 바이패스 전극(139)은 단자(62)와 전기적으로 접속되어 있다. 단자(62) 및 바이패스 전극(139)을 통해서 히터(131)에 히터용 전류(133)(도 1 참조)를 흐르게 할 수 있다. 이러한 바이패스 전극(139)을 설치함으로써 단자(62) 및 히터(131)의 배치의 자유도를 보다 높게 할 수 있다. 또한, 히터(131)가 단자(62)와 직접 접촉하지 않기 때문에 히터(131)의 손상을 억제할 수 있다.
도 17(b)는 본 실시형태의 바이패스 전극을 예시하는 모식적 평면도이다.
도 17(b)에 나타낸 바와 같이, 정전 척(101)에는 복수의 바이패스 전극(139)이 설치된다. 제 1 주면(11a)에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 제 1 주면(11a)은 대략 원형이며, 복수의 바이패스 전극(139)은 제 1 주면(11a)의 대략 전체와 겹치는 것이 바람직하다. 이 예에서는, 8개의 바이패스 전극(139)이 설치되어 있다. 바이패스 전극(139)의 각각의 평면 형상은, 예를 들면 대략 부채꼴이다. 이 부채꼴은 제 1 주면(11a)의 외주를 따른 원호와, 상기 원호의 2개의 반경으로 둘러싸여진 형상이다. 단, 예를 들면 바이패스 전극이 대략 빗살형상이나 대략 원형상 이라도 되고, 바이패스 전극의 형상을 한정하는 것은 아니다.
또한, 정전 척(101)에는 갭(G1)이 형성되어 있다. 갭(G1)은 서로 이웃하는 2개의 바이패스 전극(139)(예를 들면 제 1 바이패스 전극(139a), 및 제 2 바이패스 전극(139b)) 사이의 영역이다. 이와 같이, 원을 분할하도록 복수의 바이패스 전극(139)을 설치함으로써, 예를 들면 히터(131)에 공급되는 전류의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 18은 온도 편차와 바이패스 전극의 갭 폭의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 18의 가로축은 바이패스 전극(139)의 갭 폭(D15)을 의미한다. 갭 폭(D15)은 도 17(b)에 나타낸 갭(G1)의 폭이다. 바꿔 말하면, 갭 폭(D15)은 정전 척(101)의 둘레 방향에 있어서 서로 이웃하는 2개의 바이패스 전극(139)간의 거리이다. 도 18의 좌세로축은, 도 9의 좌세로축과 같은, 온도 편차 ΔT(℃)를 나타낸다. 도 18의 우세로축은 도 9의 우세로축과 같은, 기준으로부터의 온도 편차의 비 Rt(%)를 나타낸다.
도 18은 정전 척(101)에 있어서 복수의 갭 폭(D15)을 변화시켰을 경우의 특성을 예시하고 있다. 도 18에 나타낸 바와 같이, 갭 폭(D15)이 10㎜ 이하일 때에, 온도 편차 ΔT는 5℃ 이하로 되고, 비 Rt는 10% 이하로 된다. 이것은 갭(G1)이 단열층과 같이 기능하기 쉽기 때문으로 생각된다. 또한, 갭 폭(D15)이 0.05㎜ 미만인 경우에는 바이패스 전극(139)간의 내압이 저하할 경우가 있다. 실시형태에 있어서는, 갭 폭(D15)은 0.05㎜ 이상 10㎜ 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다. 갭 폭(D15)은 보다 바람직하게는 0.05㎜ 이상 7.5㎜ 이하이며, 더 바람직하게는 0.05㎜ 이상 2.0㎜ 이하이다.
도 19는 온도 편차와 바이패스 전극의 갭 깊이의 관계의 일례를 예시하는 그래프도이다.
도 19의 가로축은 바이패스 전극(139)의 갭 깊이(D16)를 나타낸다. 갭 깊이(D16)는 도 17(a)에 나타낸 갭(G1)의 깊이(제 1 주면(11a)에 대하여 수직한 방향을 따른 길이)이다. 바꿔 말하면, 갭 깊이(D16)는 바이패스 전극(139)의 두께에 상당한다. 도 19의 좌세로축은 도 9의 좌세로축과 같은, 온도 편차 ΔT(℃)를 나타낸다. 도 19의 우세로축은 도 9의 우세로축과 같은, 기준으로부터의 온도 편차의 비 Rt(%)를 나타낸다.
도 19는 정전 척(101)에 있어서, 갭 깊이(D16)를 변화시켰을 경우의 특성을 예시하고 있다. 도 19에 나타낸 바와 같이, 갭 깊이(D16)가 1㎜ 이하일 때에, 온도 편차 ΔT는 5℃ 이하이며, 비 Rt는 10% 이하가 된다. 실시형태에 있어서는, 갭 깊이(D16)는 0.01㎜ 이상 1㎜ 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있다. 갭 깊이(D16)는 보다 바람직하게는 0.01㎜ 이상 0.8㎜ 이하이며, 더 바람직하게는 0.01㎜ 이상 0.4㎜ 이하이다.
도 20은 본 발명의 다른 실시형태에 의한 웨이퍼 처리장치를 예시하는 모식적 단면도이다.
본 실시형태에 의한 웨이퍼 처리장치(500)는 처리 용기(501)와, 상부전극(510)과, 도 1∼도 19에 관해서 상술한 정전 척(예를 들면, 정전 척(100))을 구비하고 있다. 처리 용기(501)의 천정에는 처리 가스를 내부에 도입하기 위한 처리 가스 도입구(502)가 형성되어 있다. 처리 용기(501)의 저판에는 내부를 감압 배기하기 위한 배기구(503)가 형성되어 있다. 또한, 상부전극(510) 및 정전 척(100)에는 고주파 전원(504)이 접속되고, 상부전극(510)과 정전 척(10)을 갖는 한쌍의 전극이 서로 소정의 간격을 두고 평행하게 대치하도록 되어 있다.
본 실시형태에 따른 웨이퍼 처리장치(500)에 있어서, 상부전극(510)과 정전 척(10) 사이에 고주파 전압이 인가되면, 고주파 방전이 일어나 처리 용기(501) 내에 도입된 처리 가스가 플라즈마에 의해서 여기, 활성화되어서 처리 대상물(W)이 처리되게 된다. 또한, 처리 대상물(W)로서는 반도체 기판(웨이퍼)을 예시할 수 있다. 단, 처리 대상물(W)은 반도체 기판(웨이퍼)에는 한정되지 않고, 예를 들면 액정 표시 장치에 사용되는 유리 기판 등이라도 된다.
고주파 전원(504)은 정전 척(100)의 베이스 플레이트(50)와 전기적으로 접속된다. 베이스 플레이트(50)에는, 상술한 바와 같이 알루미늄 등의 금속 재료가 사용된다. 즉, 베이스 플레이트(50)는 도전성을 갖는다. 이것에 의해, 고주파 전압은 상부전극(510)과 베이스 플레이트(50) 사이에 인가된다.
웨이퍼 처리장치(500)와 같은 구성의 장치는, 일반적으로 평행 평판형 RIE(Reactive Ion Etching) 장치로 불리지만, 본 실시형태에 따른 정전 척(100)은 이 장치로의 적용에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, ECR(Electron Cyclotron Resonance) 에칭 장치, 유전 결합 플라즈마 처리장치, 헬리콘파 플라즈마 처리장치, 플라즈마 분리형 플라즈마 처리장치, 표면파 플라즈마 처리장치, 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치 등의 소위 감압 처리장치에 널리 적용할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 정전 척(100)은 노광장치나 검사장치와 같이 대기압 하에서 처리나 검사가 이루어지는 기판 처리장치에 널리 적용할 수도 있다. 단, 본 실시형태에 따른 정전 척(100)이 갖는 높은 내플라즈마성을 고려하면, 정전 척(100)을 플라즈마 처리장치에 적용시키는 것이 바람직하다. 또한, 이들 장치의 구성 중, 본 실시형태에 따른 정전 척(100) 이외의 부분에는 공지의 구성을 적용할 수 있으므로 그 설명은 생략한다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명했다. 그러나, 본 발명은 이들 기술에 한정되는 것은 아니다. 상술의 실시형태에 관해서 당업자가 적당하게 설계 변경을 추가한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한 본 발명의 범위에 포함된다. 예를 들면, 정전 척(100), 정전 척용 기판(110) 및 베이스 플레이트(50) 등이 구비하는 각 요소의 형상, 치수, 재질, 배치 등이나 히터(131) 및 관통구멍(57)의 설치 형태 등은, 예시한 것에 한정되는 것은 아니고 적당하게 변경할 수 있다.
또한, 상술한 각 실시형태가 구비하는 각 요소는 기술적으로 가능한 한에 있어서 조합시킬 수 있고, 이것들을 조합시킨 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한 본 발명의 범위에 포함된다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명의 일형태에 의하면, 처리 대상물의 면내의 온도 분포의 균일화를 향상시킬 수 있는 정전 척 및 웨이퍼 처리장치가 제공된다.
11 : 세라믹 유전체 기판 11a : 제 1 주면
11b : 제 2 주면 12 : 전극층
13 : 볼록부 14 : 홈
20 : 접속부 50 : 베이스 플레이트
50a : 상부 50b : 하부
51 : 입력로 52 : 출력로
53 : 도입로 55 : 연통로
55a, 55b, 55c : 부분 55d : 중심
57 : 관통구멍 57a : 중심축
57b : 직선 61 : 콘택트 전극
80 : 흡착 유지용 전압 100, 101 : 정전 척
110 : 정전 척용 기판 111 : 제 1 유전층
112 : 제 2 유전층 131 : 히터
131a, 131b, 131c : 부분 131d : 중심
131e : 리턴부 131f : 라운드 단부
132 : 히터 전극전류 도입부 133 : 히터용 전류
134 : 히터 134e : 리턴부
134f : 라운드 단부 135 : 제 1 히터
136 : 제 2 히터 137 : 제 1 히터
138 : 제 2 히터 139 : 바이패스 전극
139a : 제 1 바이패스 전극 139b : 제 2 바이패스 전극
141 : 공간부 500 : 웨이퍼 처리장치
501 : 처리 용기 502 : 처리 가스 도입구
503 : 배기구 504 : 고주파 전원
510 : 상부전극 551 : 본유로
552 : 부유로

Claims (16)

  1. 처리 대상물을 적재하는 제 1 주면과 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖고, 다결정 세라믹 소결체인 세라믹 유전체 기판과,
    상기 세라믹 유전체 기판에 형성된 전극층과,
    상기 제 2 주면의 측에 설치되어 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하는 베이스 플레이트와,
    상기 전극층과 상기 베이스 플레이트 사이에 설치된 히터를 구비하고,
    상기 베이스 플레이트는 상기 베이스 플레이트를 관통하는 관통구멍과, 상기처리 대상물의 온도를 조정하는 매체를 통과시키는 연통로를 갖고,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 히터 중 적어도 일부는 상기 관통구멍에 가장 근접한 상기 연통로의 제 1 부분으로부터 보아서 상기 관통구멍의 측에 존재하고,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 히터의 상기 일부 및 상기 연통로의 상기 제 1 부분을 포함하는 일부는 각각 상기 관통구멍을 둘러싸는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분과 상기 관통구멍의 중심축 사이의 거리는 상기 관통구멍에 가장 근접한 상기 히터의 제 2 부분과 상기 관통구멍의 중심축 사이의 거리보다 큰 것을 특징으로 하는 정전 척.
  3. 처리 대상물을 적재하는 제 1 주면과 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖고, 다결정 세라믹 소결체인 세라믹 유전체 기판과,
    상기 세라믹 유전체 기판에 형성된 전극층과,
    상기 제 2 주면의 측에 설치되어 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하는 베이스 플레이트와,
    상기 전극층과 상기 베이스 플레이트 사이에 설치된 히터를 구비하고,
    상기 베이스 플레이트는 상기 베이스 플레이트를 관통하는 관통구멍과, 상기처리 대상물의 온도를 조정하는 매체를 통과시키는 연통로를 갖고,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 히터 중 적어도 일부는 상기 관통구멍에 가장 근접한 상기 연통로의 제 1 부분으로부터 보아서 상기 관통구멍의 측에 존재하고,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분과 상기 관통구멍의 중심축 사이의 거리는 상기 관통구멍에 가장 근접한 상기 히터의 제 2 부분과 상기 관통구멍의 중심축 사이의 거리보다 크며,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분과 상기 연통로 중 상기 관통구멍의 측의 어느 2개의 부분을 지나는 제 1 가상원의 중심과, 상기 제 2 부분과 상기 히터 중 상기 관통구멍의 측의 어느 2개의 부분을 지나는 제 2 가상원의 중심 사이의 거리는 0.2밀리미터 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  4. 처리 대상물을 적재하는 제 1 주면과 상기 제 1 주면과는 반대측의 제 2 주면을 갖고, 다결정 세라믹 소결체인 세라믹 유전체 기판과,
    상기 세라믹 유전체 기판에 형성된 전극층과,
    상기 제 2 주면의 측에 설치되어 상기 세라믹 유전체 기판을 지지하는 베이스 플레이트와,
    상기 전극층과 상기 베이스 플레이트 사이에 설치된 히터를 구비하고,
    상기 베이스 플레이트는 상기 베이스 플레이트를 관통하는 관통구멍과, 상기처리 대상물의 온도를 조정하는 매체를 통과시키는 연통로를 갖고,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 히터 중 적어도 일부는 상기 관통구멍에 가장 근접한 상기 연통로의 제 1 부분으로부터 보아서 상기 관통구멍의 측에 존재하고,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분과 상기 관통구멍의 중심축 사이의 거리는 상기 관통구멍에 가장 근접한 상기 히터의 제 2 부분과 상기 관통구멍의 중심축 사이의 거리보다 크며,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분과 상기 연통로 중 상기 관통구멍의 측의 어느 2개의 부분을 지나는 제 1 가상원의 중심은 상기 제 2 부분과 상기 히터 중 상기 관통구멍의 측의 어느 2개의 부분을 지나는 제 2 가상원의 중심과 겹치는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분에 있어서의 상기 연통로의 폭은 상기 제 2 부분에 있어서의 상기 히터의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 정전 척.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 2 가상원이 상기 히터와 교차하는 부분의 길이는, 상기 제 2 가상원의 원주의 길이에 대하여 50퍼센트 이상, 80퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터는,
    제 1 방향으로부터 상기 제 1 방향과는 다른 제 2 방향으로 굴곡한 제 1 리턴부를 갖는 제 1 히터와,
    상기 제 1 히터와 근접해서 설치되어 제 3 방향으로부터 상기 제 3 방향과는 다른 제 4 방향으로 굴곡한 제 2 리턴부를 갖는 제 2 히터를 갖고,
    상기 제 1 리턴부와 상기 제 2 리턴부 사이의 최근접 거리는, 상기 제 1 리턴부의 라운드 단부와 상기 제 2 리턴부의 라운드 단부 사이의 거리에 대하여 50퍼센트 이상, 100퍼센트 미만인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 세라믹 유전체 기판의 면적에 대한 상기 히터의 면적의 비율은 20% 이상 80% 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 세라믹 유전체 기판의 면적에 대한 상기 연통로의 면적의 비율은 20% 이상 80% 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 연통로의 면적에 대한 상기 히터의 면적의 비율은 60% 이상 180% 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극층과 상기 베이스 플레이트 사이에 설치되고, 상기 히터와 전기적으로 접속된 복수의 바이패스 전극을 더 구비하고,
    상기 복수의 바이패스 전극 중 서로 이웃하는 바이패스 전극끼리 사이의 거리는 0.05밀리미터 이상 10밀리미터 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극층과 상기 베이스 플레이트 사이에 설치되고, 상기 히터와 전기적으로 접속된 복수의 바이패스 전극을 더 구비하고,
    상기 복수의 바이패스 전극 중 서로 이웃하는 바이패스 전극끼리 사이의 영역의, 상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향을 따른 길이는 0.01밀리미터 이상 1밀리미터 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척.
  13. 제 1 항에 기재된 정전 척을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리장치.
  14. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분에 있어서의 상기 연통로의 폭은 상기 제 2 부분에 있어서의 상기 히터의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 정전 척.
  15. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 1 부분에 있어서의 상기 연통로의 폭은 상기 제 2 부분에 있어서의 상기 히터의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 정전 척.
  16. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 주면에 대하여 수직인 방향으로 보았을 때에, 상기 제 2 가상원이 상기 히터와 교차하는 부분의 길이는, 상기 제 2 가상원의 원주의 길이에 대하여 50퍼센트 이상, 80퍼센트 이하인 것을 특징으로 하는 정전 척.
KR1020177012449A 2014-12-10 2015-12-10 정전 척 및 웨이퍼 처리장치 KR101826695B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-249729 2014-12-10
JP2014249729 2014-12-10
JPJP-P-2015-238822 2015-12-07
JP2015238822A JP5987966B2 (ja) 2014-12-10 2015-12-07 静電チャックおよびウェーハ処理装置
PCT/JP2015/084611 WO2016093297A1 (ja) 2014-12-10 2015-12-10 静電チャックおよびウェーハ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170067838A KR20170067838A (ko) 2017-06-16
KR101826695B1 true KR101826695B1 (ko) 2018-02-07

Family

ID=56142355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177012449A KR101826695B1 (ko) 2014-12-10 2015-12-10 정전 척 및 웨이퍼 처리장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10373853B2 (ko)
JP (2) JP5987966B2 (ko)
KR (1) KR101826695B1 (ko)
CN (2) CN111883473A (ko)
TW (1) TWI582897B (ko)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10634479B2 (en) * 2016-06-20 2020-04-28 Tokyo Electron Limited Measuring instrument for measuring electrostatic capacity and method of calibrating transfer position data in processing system by using measuring instrument
JP2018056333A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 日本発條株式会社 基板載置台、および基板載置台の作製方法
US11221358B2 (en) * 2017-03-21 2022-01-11 Tokyo Electron Limited Placement stand and electronic device inspecting apparatus
JP6341457B1 (ja) 2017-03-29 2018-06-13 Toto株式会社 静電チャック
JP6615153B2 (ja) 2017-06-16 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法
EP3707747A4 (en) 2017-11-10 2021-07-28 Applied Materials, Inc. DOUBLE-SIDED PATTERN CHUCK
JP6489195B1 (ja) * 2017-11-15 2019-03-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP6982701B2 (ja) * 2018-12-05 2021-12-17 株式会社アルバック 静電チャック、真空処理装置及び基板処理方法
JP7185544B2 (ja) * 2019-02-05 2022-12-07 日本碍子株式会社 セラミックヒータ
JP7221737B2 (ja) * 2019-03-04 2023-02-14 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置
JP6729735B1 (ja) * 2019-03-05 2020-07-22 Toto株式会社 静電チャック
KR102495415B1 (ko) * 2019-04-16 2023-02-06 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 유지 장치의 제조 방법, 유지 장치용 구조체의 제조 방법 및 유지 장치
JP2020021958A (ja) * 2019-10-30 2020-02-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板載置台
JP7411383B2 (ja) * 2019-11-05 2024-01-11 日本特殊陶業株式会社 加熱装置
JP7261151B2 (ja) * 2019-12-09 2023-04-19 京セラ株式会社 試料保持具
US20230178406A1 (en) * 2020-03-20 2023-06-08 Asml Netherlands B.V. Method, apparatus, and system for dynamically controlling an electrostatic chuck during an inspection of wafer
JP2023146611A (ja) 2022-03-29 2023-10-12 Toto株式会社 静電チャック
JP7376753B1 (ja) 2023-02-10 2023-11-08 日本碍子株式会社 マルチゾーンヒータ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071647A (ja) 2002-08-01 2004-03-04 Ngk Spark Plug Co Ltd 複合ヒータ
JP2006310832A (ja) 2005-03-31 2006-11-09 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック
JP2011155140A (ja) 2010-01-27 2011-08-11 Tokyo Electron Ltd 基板載置装置の評価装置、及びその評価方法、並びにそれに用いる評価用基板

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW277139B (ko) * 1993-09-16 1996-06-01 Hitachi Seisakusyo Kk
JPH08125001A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Fuji Electric Co Ltd 静電チャック
JP3323135B2 (ja) * 1998-08-31 2002-09-09 京セラ株式会社 静電チャック
US20030160042A1 (en) * 2000-04-10 2003-08-28 Yasuji Hiramatsu Ceramic board
WO2005008749A1 (ja) * 2003-07-16 2005-01-27 Ibiden Co., Ltd. セラミック接合体、セラミック接合体の製造方法、セラミック温調器およびセラミック温調ユニット
US7126092B2 (en) * 2005-01-13 2006-10-24 Watlow Electric Manufacturing Company Heater for wafer processing and methods of operating and manufacturing the same
US8525418B2 (en) * 2005-03-31 2013-09-03 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP3972944B2 (ja) * 2005-09-12 2007-09-05 住友電気工業株式会社 セラミックスヒータ及びそれを備えた半導体製造装置
JP5069452B2 (ja) * 2006-04-27 2012-11-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
JP5394186B2 (ja) * 2009-10-09 2014-01-22 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品
JP5454803B2 (ja) * 2010-08-11 2014-03-26 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
JP6359236B2 (ja) * 2012-05-07 2018-07-18 トーカロ株式会社 静電チャック
JP5441020B1 (ja) * 2012-08-29 2014-03-12 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
JP6215104B2 (ja) * 2014-03-20 2017-10-18 新光電気工業株式会社 温度調整装置
JP6463938B2 (ja) * 2014-10-08 2019-02-06 日本特殊陶業株式会社 静電チャック

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071647A (ja) 2002-08-01 2004-03-04 Ngk Spark Plug Co Ltd 複合ヒータ
JP2006310832A (ja) 2005-03-31 2006-11-09 Ngk Spark Plug Co Ltd 静電チャック
JP2011155140A (ja) 2010-01-27 2011-08-11 Tokyo Electron Ltd 基板載置装置の評価装置、及びその評価方法、並びにそれに用いる評価用基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN107004629B (zh) 2020-07-17
JP2016208053A (ja) 2016-12-08
CN111883473A (zh) 2020-11-03
JP2016115933A (ja) 2016-06-23
KR20170067838A (ko) 2017-06-16
TW201633448A (zh) 2016-09-16
US20180261486A1 (en) 2018-09-13
JP5987966B2 (ja) 2016-09-07
US10373853B2 (en) 2019-08-06
CN107004629A (zh) 2017-08-01
TWI582897B (zh) 2017-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101826695B1 (ko) 정전 척 및 웨이퍼 처리장치
US10607874B2 (en) Electrostatic chuck
US11640917B2 (en) Ground electrode formed in an electrostatic chuck for a plasma processing chamber
JP6452449B2 (ja) 載置台及び基板処理装置
KR102644272B1 (ko) 정전척 어셈블리
KR101929278B1 (ko) 정전 척
JP6986937B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102438861B1 (ko) Rf 전달을 위한 패러데이 케이지의 일부를 형성하는 클램프 전극 어셈블리를 포함하는 정전 척 및 연관된 방법들
WO2016093297A1 (ja) 静電チャックおよびウェーハ処理装置
KR102581126B1 (ko) 정전 척 및 반도체 제조 장치
US20220102184A1 (en) Electrostatic chuck and semiconductor manufacturing apparatus
KR20220043038A (ko) 정전 척 및 반도체 제조 장치
JP2024048766A (ja) 静電チャック
JP2022055291A (ja) 静電チャック及び半導体製造装置
WO2016114399A1 (ja) 静電チャック
JP2022055290A (ja) 静電チャック及び半導体製造装置
JP2024048721A (ja) 静電チャック
JP2022055304A (ja) 静電チャック及び半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant