KR101822238B1 - 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 가스 공급 시스템, 프로그램, 삼차원 플래시 메모리, 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 및 반도체 장치 - Google Patents

반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 가스 공급 시스템, 프로그램, 삼차원 플래시 메모리, 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 및 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101822238B1
KR101822238B1 KR1020150153316A KR20150153316A KR101822238B1 KR 101822238 B1 KR101822238 B1 KR 101822238B1 KR 1020150153316 A KR1020150153316 A KR 1020150153316A KR 20150153316 A KR20150153316 A KR 20150153316A KR 101822238 B1 KR101822238 B1 KR 101822238B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
silicon
gas
seed layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020150153316A
Other languages
English (en)
Korean (ko)
Other versions
KR20160059952A (ko
Inventor
아츠시 모리야
나오하루 나카이소
유고 오리하시
고타로 무라카미
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 filed Critical 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Publication of KR20160059952A publication Critical patent/KR20160059952A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101822238B1 publication Critical patent/KR101822238B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H01L21/205
    • H01L21/02068
    • H01L21/02263
    • H01L21/2018
    • H01L21/32055
    • H01L21/324
    • H01L2924/1436
    • H01L2924/1438

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
KR1020150153316A 2014-11-19 2015-11-02 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 가스 공급 시스템, 프로그램, 삼차원 플래시 메모리, 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 및 반도체 장치 Active KR101822238B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-234401 2014-11-19
JP2014234401 2014-11-19
JPJP-P-2015-185891 2015-09-18
JP2015185891A JP6100854B2 (ja) 2014-11-19 2015-09-18 半導体装置の製造方法、基板処理装置、ガス供給システムおよびプログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160059952A KR20160059952A (ko) 2016-05-27
KR101822238B1 true KR101822238B1 (ko) 2018-01-25

Family

ID=56102825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150153316A Active KR101822238B1 (ko) 2014-11-19 2015-11-02 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 가스 공급 시스템, 프로그램, 삼차원 플래시 메모리, 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 및 반도체 장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6100854B2 (enExample)
KR (1) KR101822238B1 (enExample)
TW (1) TWI672800B (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200030451A (ko) * 2018-09-12 2020-03-20 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR20210092884A (ko) * 2020-01-17 2021-07-27 성균관대학교산학협력단 C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6585551B2 (ja) * 2016-06-15 2019-10-02 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
KR101960763B1 (ko) * 2016-11-03 2019-03-21 주식회사 유진테크 저온 에피택셜층 형성방법
JP2018113322A (ja) 2017-01-11 2018-07-19 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置
JP6778139B2 (ja) * 2017-03-22 2020-10-28 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
KR102325148B1 (ko) * 2017-03-31 2021-11-10 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 프로그램
JP6777624B2 (ja) 2017-12-28 2020-10-28 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7199286B2 (ja) * 2019-03-29 2023-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7065818B2 (ja) * 2019-10-28 2022-05-12 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7305700B2 (ja) * 2021-04-19 2023-07-10 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012029661A1 (ja) 2010-09-01 2012-03-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2014067796A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4522662A (en) * 1983-08-12 1985-06-11 Hewlett-Packard Company CVD lateral epitaxial growth of silicon over insulators
JPS61179571A (ja) * 1984-09-27 1986-08-12 テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド メモリセルおよびそのアレイ
JPS62183508A (ja) * 1986-02-07 1987-08-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体基板およびその製造法
JPH0451565A (ja) * 1990-06-19 1992-02-20 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JP3403231B2 (ja) * 1993-05-12 2003-05-06 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH08204032A (ja) * 1995-01-20 1996-08-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3382114B2 (ja) * 1997-02-27 2003-03-04 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
FR2774509B1 (fr) * 1998-01-30 2001-11-16 Sgs Thomson Microelectronics Procede de depot d'une region de silicium monocristallin
JP3485081B2 (ja) * 1999-10-28 2004-01-13 株式会社デンソー 半導体基板の製造方法
US7202523B2 (en) * 2003-11-17 2007-04-10 Micron Technology, Inc. NROM flash memory devices on ultrathin silicon
JP2007317874A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP4791949B2 (ja) * 2006-12-22 2011-10-12 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ
JP5023004B2 (ja) * 2008-06-30 2012-09-12 株式会社日立国際電気 基板処理方法及び基板処理装置
JP2010114360A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5692763B2 (ja) * 2010-05-20 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 シリコン膜の形成方法およびその形成装置
JP5815443B2 (ja) * 2012-03-19 2015-11-17 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
WO2014070600A1 (en) * 2012-10-29 2014-05-08 Matheson Tri-Gas, Inc. Methods for selective and conformal epitaxy of highly doped si-containing materials for three dimensional structures
JP6068130B2 (ja) * 2012-12-25 2017-01-25 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012029661A1 (ja) 2010-09-01 2012-03-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2014067796A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200030451A (ko) * 2018-09-12 2020-03-20 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR102401389B1 (ko) 2018-09-12 2022-05-24 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
KR20210092884A (ko) * 2020-01-17 2021-07-27 성균관대학교산학협력단 C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법
KR102328573B1 (ko) 2020-01-17 2021-11-17 성균관대학교산학협력단 C-free 할로겐 기반의 가스를 이용한 실리콘 산화막 대비 높은 식각 선택비를 갖는 실리콘 질화막 건식 식각 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201637135A (zh) 2016-10-16
TWI672800B (zh) 2019-09-21
JP6100854B2 (ja) 2017-03-22
JP2016105457A (ja) 2016-06-09
KR20160059952A (ko) 2016-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101822238B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 가스 공급 시스템, 프로그램, 삼차원 플래시 메모리, 다이내믹 랜덤 액세스 메모리 및 반도체 장치
CN106920737B (zh) 半导体器件的制造方法及衬底处理装置
US9941119B2 (en) Method of forming silicon layer in manufacturing semiconductor device and recording medium
KR101952493B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 가스 공급 시스템 및 프로그램
JP6585551B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
CN107180749B (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及气体供给系统
KR101993043B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
TWI688060B (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
KR101968817B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
KR20190080788A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
CN107275183B (zh) 半导体器件的制造方法及衬底处理装置
KR102165125B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000