KR101798763B1 - 프론트 엔드 회로, 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 과제는 복수의 밴드간의 간섭을 억제하는 것이다. 안테나에 접속되고, 로우 밴드 LB와 LB보다 주파수가 높은 하이 밴드 HB와의 송수신 신호가 출력 및 입력되는 제1 안테나 단자 T1과, LB보다 주파수가 높고 HB보다 주파수가 낮은 미들 밴드 MB의 송수신 신호가 출력 및 입력되는 제2 안테나 단자 T2와, LB의 송수신 신호가 입력 및 출력되는 LB 단자 TL과, MB의 송수신 신호가 입력 및 출력되는 MB 단자 TM과, HB의 송수신 신호가 입력 및 출력되는 HB 단자 TH와, 제1 안테나 단자와 LB 단자 사이를 LB의 송수신 신호를 통과시키고, MB 및 HB의 송수신 신호를 차단하고, 제1 안테나 단자와 HB 단자 사이를 HB의 송수신 신호를 통과시키고, LB 및 MB의 송수신 신호를 차단하는 분파 회로를 구비하는 프론트 엔드 회로이다.

Description

프론트 엔드 회로, 모듈 및 통신 장치{FRONT END CIRCUIT, MODULE, AND COMMUNICATION DEVICE}

본 발명은, 프론트 엔드 회로, 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.

휴대 전화 단말기 등의 무선 통신 기기에 있어서, 복수의 밴드를 송신 및 수신하는 경우가 있다. 예를 들어, LTE(Long Term Evolution) 등에서는, 1㎓ 이하의 로우 밴드, 2㎓ 주변의 미들 밴드, 2.5㎓ 주변의 하이 밴드의 대역을 사용한다. 로우 밴드, 미들 밴드 및 하이 밴드에는, 각각 송신 대역과 수신 대역을 포함하는 복수의 밴드가 포함된다.

특허문헌 1 내지 3에는, 다이플렉서를 사용해서 로우 밴드와 미들 밴드의 안테나 단자를 공용하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, 로우 밴드, 미들 밴드 및 하이 밴드에 대해 독립된 안테나 단자를 사용하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 3에는, 복수의 밴드 필터의 배치에 대해 기재되어 있다.

일본 특허 공표 제2014-526847호 공보 미국 특허 출원 공개 제2006/0128393호 명세서 국제 공개 제2012/093539호

특허문헌 1, 2와 같이, 안테나 단자를 독립적으로 설치하면, 각 밴드간의 간섭은 억제(예를 들어, 아이솔레이션의 향상)할 수 있지만, RF(Radio Frequency)용의 커넥터가 3개가 되어, 비용 상승 및 대형화된다. 한편, 안테나 단자를 공용하면, 비용 절감 및 소형화할 수 있지만, 밴드간의 간섭이 커진다. 예를 들어, 3개의 안테나 단자를 공용하면, RF 커넥터는 1개가 되지만, 멀티 플렉서의 손실 및/또는 밴드간의 간섭이 커진다. 또한, 특허문헌 1 내지 3의 방법에서는, 복수의 밴드간의 간섭의 억제가 충분하지 않다.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 비용 절감 및 소형화가 가능하며, 복수의 밴드간의 간섭을 억제하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 안테나에 접속되고, 로우 밴드와 상기 로우 밴드보다 주파수가 높은 하이 밴드와의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 출력 및 입력되는 제1 안테나 단자와, 상기 안테나와 다른 안테나에 접속되고, 상기 로우 밴드보다 주파수가 높고 상기 하이 밴드보다 주파수가 낮은 미들 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 출력 및 입력되는 제2 안테나 단자와, 상기 로우 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 입력 및 출력되는 로우 밴드 단자와, 상기 미들 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 입력 및 출력되는 미들 밴드 단자와, 상기 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 입력 및 출력되는 하이 밴드 단자와, 상기 제1 안테나 단자와 상기 로우 밴드 단자 사이를 상기 로우 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 통과시키고, 상기 미들 밴드 및 상기 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 차단하고, 상기 제1 안테나 단자와 상기 하이 밴드 단자 사이를 상기 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 통과시키고, 상기 로우 밴드 및 상기 미들 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 차단하는 분파 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로이다.

상기 구성에 있어서, 상기 분파 회로는, 상기 제1 안테나 단자와 상기 로우 밴드 단자 사이에 접속된 로우 패스 필터와, 상기 제1 안테나 단자와 상기 하이 밴드 단자 사이에 접속된 하이 패스 필터를 구비하는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 로우 밴드는, 699㎒로부터 960㎒의 대역의 적어도 일부를 포함하고, 상기 미들 밴드는, 1710㎒로부터 2170㎒의 대역의 적어도 일부를 포함하고, 상기 하이 밴드는, 2305㎒로부터 2690㎒의 대역의 적어도 일부를 포함하는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 로우 밴드, 상기 미들 밴드 및 상기 하이 밴드 중 적어도 1개는, 각각 송신 대역 및 수신 대역을 포함하는 복수의 밴드를 포함하는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 로우 밴드, 상기 미들 밴드 및 상기 하이 밴드는, 각각 송신 대역 및 수신 대역을 포함하는 복수의 밴드를 포함하는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 복수의 밴드의 송신 신호를 각각 통과시키는 복수의 송신 밴드 패스 필터와, 복수의 밴드의 수신 신호를 각각 통과시키는 복수의 수신 밴드 패스 필터를 구비하는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 복수의 밴드는, 제1 밴드, 제2 밴드 및 제3 밴드를 포함하고, 상기 제1 밴드의 송신 대역과 상기 제2 밴드의 수신 대역은 적어도 일부가 겹치고, 상기 제3 밴드의 수신 대역은 상기 제1 밴드 및 상기 제2 밴드의 송신 대역과 겹치지 않고, 상기 제1 밴드의 수신 필터와, 상기 제2 밴드의 수신 필터 사이에 상기 제3 밴드의 수신 필터가 설치되어 있는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 복수의 밴드는, 제1 밴드, 제2 밴드, 제3 밴드 및 제4 밴드를 포함하고, 상기 제1 밴드의 수신 신호와 상기 제2 밴드의 수신 신호는 동시에 수신되고, 상기 제3 밴드의 수신 대역은 상기 제1 밴드의 송신 대역의 적어도 일부와 겹치고, 상기 제4 밴드의 수신 대역은 상기 제1 밴드 및 상기 제2 밴드의 송신 대역과 겹치지 않고, 상기 제2 밴드의 수신 필터와, 상기 제3 밴드의 수신 필터 사이에 상기 제4 밴드의 수신 필터가 설치되어 있는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 로우 밴드, 상기 미들 밴드 및 상기 하이 밴드 중 적어도 2개의 밴드의 수신 신호는 동시에 수신되는 및/또는 상기 2개의 밴드의 송신 신호는 동시에 송신되는 구성으로 할 수 있다.

본 발명은, 상기 프론트 엔드 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 모듈이다.

본 발명은, 상기 프론트 엔드 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 통신 장치이다.

상기 구성에 있어서, 상기 제1 안테나 단자에 접속된 로우 밴드용 안테나 및 하이 밴드용 안테나와, 상기 제2 안테나 단자에 접속된 미들 밴드용 안테나를 구비하고, 상기 로우 밴드용 안테나는, 상기 하이 밴드용 안테나와 상기 미들 밴드용 안테나 사이에 설치되어 있는 구성으로 할 수 있다.

본 발명은, 제1 밴드의 송신 신호를 통과시키는 제1 송신 필터와, 상기 제1 밴드의 수신 신호를 통과시키는 제1 수신 필터와, 제2 밴드의 송신 신호를 통과시키는 제2 송신 필터와, 상기 제2 밴드의 수신 신호를 통과시키는 제2 수신 필터와, 제3 밴드의 송신 신호를 통과시키는 제3 송신 필터와, 상기 제3 밴드의 수신 신호를 통과시키는 제3 수신 필터를 구비하고, 상기 제1 밴드의 송신 대역과 상기 제2 밴드의 수신 대역은 적어도 일부가 겹치고, 상기 제3 밴드의 수신 대역은 상기 제1 밴드 및 상기 제2 밴드의 송신 대역과 겹치지 않고, 상기 제1 수신 필터와, 상기 제2 수신 필터 사이에 상기 제3 수신 필터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 모듈이다.

상기 구성에 있어서, 상기 제1 송신 필터의 출력과 상기 제1 수신 필터의 입력은 공통으로 제1 공통 단자에 접속되고, 상기 제2 송신 필터의 출력과 상기 제2 수신 필터의 입력은 공통으로 제2 공통 단자에 접속되는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 제1 공통 단자 및 상기 제2 공통 단자의 한쪽을 선택하고 제3 공통 단자에 접속하는 스위치를 구비하는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 제1 밴드는 LTE 밴드 1이며, 상기 제2 밴드는 LTE 밴드 2 혹은 LTE 밴드 25이거나, 상기 제1 밴드는 LTE 밴드 2 혹은 LTE 밴드 25이며, 상기 제2 밴드는 LTE 밴드 3이거나, 상기 제1 밴드는 LTE 밴드 8이며, 상기 제2 밴드는 밴드 5 혹은 LTE 밴드 26이거나, 또는 상기 제1 밴드는 밴드 5 혹은 LTE 밴드 26이며, 상기 제2 밴드는 LTE 밴드 20인 구성으로 할 수 있다.

본 발명은, 제1 밴드의 송신 신호를 통과시키는 제1 송신 필터와, 상기 제1 밴드의 수신 신호를 통과시키는 제1 수신 필터와, 제2 밴드의 송신 신호를 통과시키는 제2 송신 필터와, 상기 제2 밴드의 수신 신호를 통과시키는 제2 수신 필터와, 제3 밴드의 송신 신호를 통과시키는 제3 송신 필터와, 상기 제3 밴드의 수신 신호를 통과시키는 제3 수신 필터와, 제4 밴드의 송신 신호를 통과시키는 제4 송신 필터와, 상기 제4 밴드의 수신 신호를 통과시키는 제4 수신 필터를 구비하고, 상기 제1 밴드의 수신 신호와 상기 제2 밴드의 수신 신호는 동시에 수신되고, 상기 제3 밴드의 수신 대역은 상기 제1 밴드의 송신 대역의 적어도 일부와 겹치고, 상기 제4 밴드의 수신 대역은 상기 제1 밴드 및 상기 제2 밴드의 송신 대역과 겹치지 않고, 상기 제2 밴드의 수신 필터와, 상기 제3 밴드의 수신 필터 사이에 상기 제4 밴드의 수신 필터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 모듈이다.

상기 구성에 있어서, 상기 제1 밴드는 LTE 밴드 1이며, 상기 제2 밴드는 LTE 밴드 3이며, 상기 제3 밴드는 LTE 밴드 2 혹은 LTE 밴드 25인, 상기 제1 밴드는 LTE 밴드 2 혹은 LTE 밴드 25이며, 상기 제2 밴드는 밴드 4이며, 상기 제3 밴드는 LTE 밴드 3인, 상기 제1 밴드는 LTE 밴드 26이며, 상기 제2 밴드는 LTE 밴드 12 혹은 LTE 밴드 17이며, 상기 제3 밴드는 LTE 밴드 20인 또는 상기 제1 밴드는 LTE 밴드 8이며, 상기 제2 밴드는 LTE 밴드 20이며, 상기 제3 밴드는 LTE 밴드 5 혹은 26인 구성으로 할 수 있다.

본 발명은, 1개의 제1 공통 단자와 적어도 3개의 제1 단자 사이에 각각 접속되고, 서로 통과 대역이 다른 적어도 3개의 제1 필터와, 1개의 제2 공통 단자와 적어도 1개의 제2 단자 사이에 각각 접속된 적어도 1개의 제2 필터와, 상기 1개의 제1 공통 단자와 상기 적어도 3개의 제1 필터를 접속하는 제1 배선과, 상기 1개의 제2 공통 단자와 상기 적어도 1개의 제2 필터를 접속하는 제2 배선을 구비하고, 상기 제1 공통 단자 및 상기 제2 공통 단자는, 상기 적어도 3개의 제1 필터에 대해 동일한 측에 설치되고, 상기 적어도 1개의 제2 필터와, 상기 제1 공통 단자 및 상기 제2 공통 단자는, 상기 적어도 3개의 제1 필터에 대해 서로 반대의 측에 설치되고, 상기 제2 배선은, 상기 제1 배선과 1개소에서만 교차하는 것을 특징으로 하는 모듈이다.

상기 구성에 있어서, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선이 교차하는 개소의 상기 제1 배선과 상기 제2 배선 사이에 설치된 접지 패턴을 구비하는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 적어도 3개의 제1 필터는, 상기 제1 배선에 대해 양측에 설치되어 있는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 적어도 1개의 제2 필터는, 적어도 3개의 제2 필터를 갖는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 상기 제1 필터는, 제1 밴드의 제1 송신 필터 및 제1 수신 필터와, 제2 밴드의 제2 송신 필터 및 제2 수신 필터를 포함하고, 상기 제2 필터는, 제3 밴드의 제3 송신 필터 및 제3 수신 필터와, 제4 밴드의 제4 송신 필터 및 제4 수신 필터를 포함하는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 있어서, 복수의 절연층이 적층된 기판을 구비하고, 상기 적어도 3개의 제1 필터와 상기 적어도 1개의 제2 필터는 상기 기판 상에 탑재되고, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선이 교차하는 개소에 있어서, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선은, 상기 절연층 중 각각 다른 절연층의 표면에 형성되어 있는 구성으로 할 수 있다.

본 발명에 따르면, 비용 절감 및 소형화가 가능하며, 복수의 밴드간의 간섭을 억제할 수 있다.

도 1은 실시예 1 내지 5에 있어서 사용되는 각 밴드의 송신 대역 및 수신 대역을 도시하는 도면이다.
도 2는 실시예 1에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다.
도 3은 비교예 1에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다.
도 4는 비교예 2에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다.
도 5의 (a)는 비교예 1에 있어서의 다이플렉서의 블록도, 도 5의 (b)는 다이플렉서의 주파수 특성을 도시하는 도면이다.
도 6의 (a)는 실시예 1에 있어서의 다이플렉서의 블록도, 도 6의 (b)는 다이플렉서의 주파수 특성을 도시하는 도면이다.
도 7은 실시예 2에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다.
도 8은 실시예 2의 변형예 1에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다.
도 9는 실시예 2의 변형예 2에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다.
도 10의 (a) 내지 도 10의 (d)는 실시예 2의 변형예 2에 있어서의 분파 회로의 다른 예를 도시하는 회로도이다.
도 11은 실시예 3에 있어서의 미들 밴드계 회로의 회로도이다.
도 12의 (a) 및 도 12의 (b)는 비교예 3에 관한 모듈을 도시하는 도면이다.
도 13은 실시예 3에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 14는 실시예 3의 변형예 1에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 15는 실시예 3의 변형예 2에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 16은 실시예 3의 변형예 3에 있어서의 미들 밴드계 회로의 회로도이다.
도 17은 실시예 3의 변형예 3에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 18은 실시예 3의 변형예 4에 있어서의 로우 밴드계 회로의 회로도이다.
도 19는 비교예 4에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 20은 실시예 3의 변형예 4에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 21은 실시예 3의 변형예 3에 관한 다른 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 22는 실시예 4에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 23은 실시예 4의 변형예 1에 관한 모듈의 평면 모식도이다.
도 24는 실시예 4의 변형예 2에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 25는 실시예 3의 변형예 4에 관한 다른 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 26은 실시예 4의 변형예 3에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다.
도 27의 (a)는 실시예 5에 관한 통신 장치의 안테나 주변의 블록도, 도 27의 (b)는 안테나의 사시도이다.
도 28의 (a)는 실시예 5의 변형예 1에 관한 통신 장치의 안테나 주변의 블록도, 도 28의 (b)는 안테나의 사시도이다.
도 29의 (a)는 실시예 4에 관한 모듈의 평면도, 도 29의 (b)는 실시예 6에 관한 모듈의 평면도이다.
도 30은 실시예 6에 관한 모듈의 단면도이다.
도 31의 (a) 및 도 31의 (b)는 실시예 6에 있어서의 각 절연층의 평면도(그 1)이다.
도 32의 (a) 및 도 32의 (b)는 실시예 6에 있어서의 각 절연층의 평면도(그 2)이다.
도 33은 실시예 4에 있어서의 절연층(60)의 평면도이다.
도 34의 (a) 및 도 34의 (b)는 실시예 6의 변형예 1에 있어서의 각 절연층의 평면도이다.

이하, 도면을 참조하고, 실시예에 대해 설명한다. 또한, 본 실시예에서 사용되는 LTE 밴드는, LTE 규격(E-UTRA Operating Band)에 대응하는 주파수대이다.

<실시예 1>

실시예 1은, 복수의 밴드의 수신 신호를 동시에 수신하는 및/또는 복수의 밴드의 송신 신호를 동시에 송신하는, 소위 캐리어 어그리게이션을 행하는 프론트 엔드 회로의 예이다. 복수의 밴드로서, LTE 밴드 B1, B2(또는 B25), B3, B4, B5(또는 B26), B7, B8, B12(또는 B17), B13, B20 및 B30을 사용한다. 또한, 밴드의 숫자 앞에 「B」를 부여하고, 참조 번호와 구별한다.

도 1은 실시예 1 내지 5에 있어서 사용되는 각 밴드의 송신 대역 및 수신 대역을 도시하는 도면이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, LTE 밴드 B5, B8, B12, B13, B17, B20, B26 및 B29는 로우 밴드이고, LTE 밴드 B1-B4 및 B25는 미들 밴드이며, LTE 밴드 B7 및 B30은 하이 밴드이다.

도 2는 실시예 1에 관한 통신 장치 및 프론트 엔드 회로의 회로도이다. 일점쇄선은, 주로 송신 신호가 전송하는 선로, 파선은 주로 수신 신호가 전송하는 선로, 실선은 송신 신호와 수신 신호가 전송하는 선로이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 프론트 엔드 회로(104)는, 주로, 단자 T1(제1 안테나 단자), T2(제2 안테나 단자), TL(로우 밴드 단자), TM(미들 밴드 단자), TH(하이 밴드 단자), 다이플렉서(16), 로우 밴드계 회로(10L), 미들 밴드계 회로(10M), 하이 밴드계 회로(10H) 및 RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)(48)를 포함한다. 통신 장치는, 프론트 엔드 회로(104) 및 안테나(40LH 및 40M)를 구비한다.

단자 T1 및 T2는 각각 안테나(40LH 및 40M)에 접속된다. 단자 TL은, 로우 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 입력 및 출력된다. 단자 TM은, 미들 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 입력 및 출력된다. 단자 TH는, 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 입력 및 출력된다. 다이플렉서(16)는, 단자 T1, TL 및 TH에 접속되어 있다. 단자 T2는 단자 TM에 접속되어 있다. 단자 T1과 다이플렉서(16) 사이 및 단자 T2와 단자 TM 사이에, 각각 튜너(38a 및 38b)가 접속되어 있다. 튜너(38a 및 38b)는, 각각 안테나(40LH 및 40M)의 임피던스가 변화되었을 때에, 임피던스를 정합시킨다. 또한, 튜너(38a 및 38b)는 설치하지 않아도 된다. 또한, 단자 T1과 다이플렉서(16) 사이 및/또는 단자 T1과 TM 사이에, 송신 신호의 일부를 피드백하기 위한 커플러를 설치해도 된다.

다이플렉서(16)는, 단자 T1과 TL 사이에 접속된 로우 패스 필터와, 단자 T1과 TH 사이에 접속된 하이 패스 필터를 구비한다. 이에 의해, 다이플렉서(16)는, 단자 T1과 단자 TL 사이를 로우 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 통과시키고, 미들 밴드 및 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 차단한다. 다이플렉서(16)는, 단자 T1과 단자 TH 사이를 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 통과시키고, 로우 밴드 및 미들 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 차단한다.

단자 TL, TM 및 TH에 각각 로우 밴드계 회로(10L), 미들 밴드계 회로(10M) 및 하이 밴드계 회로(10H)가 접속되어 있다. 로우 밴드계 회로(10L), 미들 밴드계 회로(10M) 및 하이 밴드계 회로(10H)에, RFIC(48)가 접속되어 있다. RFIC(48)는, 증폭 전의 송신 신호를 로우 밴드계 회로(10L), 미들 밴드계 회로(10M) 및 하이 밴드계 회로(10H)에 송신한다. RFIC(48)는 로우 노이즈 증폭기를 구비하고 있고, 로우 밴드계 회로(10L), 미들 밴드계 회로(10M) 및 하이 밴드계 회로(10H)로부터 수신한 수신 신호를 증폭한다.

로우 밴드계 회로(10L)는 쿼드 플렉서(15h, 15i), 스위치(20) 및 파워 증폭기(36b 및 36c)를 구비하고 있다. 미들 밴드계 회로(10M)는 쿼드 플렉서(15c, 15d), 스위치(21, 26) 및 파워 증폭기(36d 및 36e)를 구비하고 있다. 하이 밴드계 회로(10H)는 쿼드 플렉서(15e), 스위치(29) 및 파워 증폭기(36f)를 구비하고 있다.

쿼드 플렉서(15h)는 LTE 밴드 B5/B26 및 B12의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함한다. 쿼드 플렉서(15i)는 LTE 밴드 B8 및 B20의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함한다. 쿼드 플렉서(15c)는 LTE 밴드 B2 및 B4의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함한다. 쿼드 플렉서(15d)는 LTE 밴드 B1 및 B3의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함한다. 쿼드 플렉서(15e)는 LTE 밴드 B7 및 B30의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함한다.

송신 필터(12)는 밴드 패스 필터이며, 각 밴드 내의 송신 신호를 통과시키고, 수신 신호를 차단한다. 수신 필터(14)는 밴드 패스 필터이며, 각 밴드 내의 수신 신호를 통과시키고, 송신 신호를 차단한다. 또한, LTE 밴드 B5 및 B26은, 송신 대역끼리, 수신 대역끼리가 겹쳐 있다. 이로 인해, LTE 밴드 B5/B26의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 LTE 밴드 B5와 B26에서 공용할 수 있다.

SP3T(Single Pole 3 Throw) 스위치(20)는, 쿼드 플렉서(15h 및 15i)의 공통 단자와 로우 밴드의 GSM(등록 상표)(global system for mobile communications)용의 파워 증폭기(36c)의 출력으로부터 1개를 선택하고, 단자 TL에 접속된다. RFIC(48)로부터 파워 증폭기(36b 내지 36f)로 송신 신호가 출력된다. SP4T(Single Pole 4 Throw) 스위치(25a)는, 파워 증폭기(36b)의 출력을 LTE 밴드 B5/B26, B12, B8 및 B20 중 1개의 송신 필터(12)에 출력한다.

SP3T 스위치(21)는, 쿼드 플렉서(15c 및 15d)의 공통 단자와 하이 밴드의 GSM(등록 상표)용의 파워 증폭기(36d)의 출력으로부터 1개를 선택하고, 단자 TM에 접속된다. SP4T(Single Pole 4 Throw) 스위치(26)는, 파워 증폭기(36e)의 출력을 LTE 밴드 B2, B1, B4 및 B3의 송신 필터(12) 중 1개에 출력한다. SPDT 스위치(29)는, 파워 증폭기(36f)의 출력을 LTE 밴드 B7 및 B30의 송신 필터(12) 중 1개에 출력한다.

실시예 1의 효과를 설명하기 위해 비교예에 대해 설명한다. 도 3은 비교예 1에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 프론트 엔드 회로(110)에서는, 단자 T1은 안테나(40LM)에 접속되어 있다. 다이플렉서(16)는, 단자 T1과 단자 TL 사이 및 단자 T1과 단자 TM 사이에 접속되어 있다. 단자 T2는 안테나(40H)에 접속되어 있다. 단자 T2와 단자 TH가 접속되어 있다. 쿼드 플렉서(15e) 대신에 듀플렉서(15f, 15g) 및 SPDT 스위치(28)가 설치되어 있다. 그 밖의 구성은, 실시예 1과 동일하며, 설명을 생략한다.

도 4는 비교예 2에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 프론트 엔드 회로(112)에서는, 단자 T1은 안테나(40L) 및 단자 TL에 접속되어 있다. 단자 T2는 미들 밴드용 안테나(40M) 및 단자 TM에 접속되어 있다. 단자 T3은 안테나(40H) 및 단자 TH에 접속되어 있다. 각 안테나(40L, 40M 및 40H)와 단자 TL, TM 및 TH 사이에는 각각 튜너(38)가 접속되어 있다. 그 밖의 구성은, 비교예 1과 동일하며, 설명을 생략한다.

비교예 1의 문제에 대해 설명한다. 도 5의 (a)는 비교예 1에 있어서의 다이플렉서의 블록도, 도 5의 (b)는 다이플렉서의 주파수 특성을 도시하는 도면이다. 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 다이플렉서(16)는 로우 패스 필터 LPF(16a) 및 하이 패스 필터 HPF(16b)를 구비한다. LPF(16a)는 단자 T1과 TL 사이에 접속되어 있다. HPF(16b)는 단자 T1과 TM 사이에 접속되어 있다. 이와 같이, 비교예 1에서는, 로우 밴드 LB와 미들 밴드 MB를 다이플렉서(16)를 사용해서 분파하고 있다. 이와 같이, 다이플렉서(16)를 사용함으로써, 안테나를 공용할 수 있다.

도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 로우 밴드 LB는, LPF(16a)의 통과 대역이 되고, HPF(16b)의 억압 대역이 된다. 미들 밴드 MB는, HPF(16b)의 통과 대역이 되고, LPF(16a)의 억압 대역이 된다. 그러나, 로우 밴드 LB에 있어서의 HPF(16b)의 억압 특성 및/또는 미들 밴드 MB에 있어서의 LPF(16a)의 억압 특성은 충분하지 않다. 이로 인해, 충분한 억압을 얻고자 하면, LPF(16a)의 로우 밴드 LB에서의 손실 및/또는 HPF(16b)의 미들 밴드 MB에서의 손실이 커진다. 따라서, 단자 TL 및 TM에 있어서의 송신 신호의 파워를 크게 하게 된다. 이로 인해, 파워 증폭기의 소비 전력이 커진다. 또한, 송신 신호의 파워가 크면, 로우 밴드 LB의 파워 증폭기, 스위치 및 필터 등에 있어서 생성되는 고조파 신호, 상호 변조 변형 및/또는 혼변조 변형이 커진다. 이들이, 미들 밴드 MB 및/또는 하이 밴드 HB의 간섭의 원인이 된다.

또한, LPF(16a)의 로우 밴드 LB에서의 손실 및/또는 HPF(16b)의 미들 밴드 MB에서의 손실이 크다. 이로 인해, 단자 TL 및 TM에 있어서의 수신 신호의 레벨이 작아진다.

도 6의 (a)는, 실시예 1에 있어서의 다이플렉서의 블록도, 도 6의 (b)는, 다이플렉서의 주파수 특성을 도시하는 도면이다. 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, LPF(16a)는 단자 T1과 TL 사이에 접속되어 있다. HPF(16b)는 단자 T1과 TH 사이에 접속되어 있다. 이와 같이, 실시예 1에서는, 로우 밴드 LB와 하이 밴드 HB를 다이플렉서(16)를 사용해서 분파하고 있다.

도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이, 로우 밴드 LB는 LPF(16a)의 통과 대역이 되고, HPF(16b)의 억압 대역이 된다. 하이 밴드 HB는 HPF(16b)의 통과 대역이 되고, LPF(16a)의 억압 대역이 된다. 로우 밴드 LB와 하이 밴드 HB와의 주파수 간격이 넓으므로, 로우 밴드 LB에 있어서의 HPF(16b)의 억압 특성 및 하이 밴드 HB에 있어서의 LPF(16a)의 억압 특성을 향상시킬 수 있다. 이로 인해, LPF(16a)의 로우 밴드 LB에서의 손실 및 HPF(16b)의 하이 밴드 HB에서의 손실을 작게 할 수 있다. 따라서, 단자 TL 및 TH에 있어서의 송신 신호의 파워를 작게 할 수 있다. 이로 인해, 파워 증폭기의 소비 전력이 작아진다. 또한, 송신 신호의 파워가 작으므로, 로우 밴드 LB의 파워 증폭기, 스위치 및 필터 등에 있어서 생성되는 고조파 신호, 상호 변조 변형 및/또는 혼변조 변형이 작아진다. 따라서, 이들 신호의 미들 밴드 MB 및/또는 하이 밴드 HB의 간섭을 억제할 수 있다.

또한, LPF(16a)의 로우 밴드 LB에서의 손실 및 HPF(16b)의 하이 밴드 HB에서의 손실을 작게 할 수 있다. 이로 인해, 단자 TL 및 TH에 있어서의 수신 신호의 레벨을 크게 할 수 있다.

비교예 2의 문제에 대해 설명한다. 비교예 2에서는, 로우 밴드 LB, 미들 밴드 MB 및 하이 밴드 HB에 각각 안테나 단자 T1 내지 T3 및 안테나(40L, 40M 및 40H)를 설치하므로, 비용 상승 및 대형화된다. 또한, 3개의 안테나 단자 T1 내지 T3 사이 및/또는 3개의 안테나(40L, 40M 및 40H)간의 아이솔레이션을 높이고자 하면, 안테나 단자 T1 내지 T3 및/또는 3개의 안테나(40L, 40M 및 40H)의 배치가 복잡해진다. 안테나 단자 및/또는 안테나의 배치가 어려운 경우, 필터를 추가하게 되어, 또한 비용 상승이 된다.

실시예 1에 의하면, 단자 T1에 로우 밴드 및 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 출력 및 입력된다. 단자 T2는 단자 T1은 다른 안테나에 접속되고, 미들 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 출력 및 입력된다. 다이플렉서(16)를 로우 밴드와 하이 밴드와의 분파 회로로서 사용한다.

이에 의해, 비교예 2와 같이, 안테나 단자를 3개 설치하는 데 비교하여 안테나 단자를 삭감할 수 있고, RF 커넥터 등을 삭감할 수 있다. 따라서, 비용 절감 및 소형화할 수 있다. 또한, 비교예 1과 같이, 로우 밴드와 미들 밴드의 분파 회로를 사용하고 로우 밴드와 미들 밴드의 안테나 단자를 공용하는 데 비교하여, 소비 전력의 삭감, 미들 밴드 및/하이 밴드에의 로우 밴드의 고조파 신호, 상호 변조 변형 및/또는 혼변조 변형 신호의 간섭 억제 및 수신 신호의 감도의 향상을 행할 수 있다.

<실시예 2>

도 7은 실시예 2에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 프론트 엔드 회로(100)에 있어서, 로우 밴드계 회로(10L)는 멀티 플렉서(15a, 15b), 스위치(20, 22-24, 30) 및 파워 증폭기(36a 내지 36c)를 구비하고 있다. 멀티 플렉서(15a)는 LTE 밴드 B5/B26, B13 및 B29의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함한다. 멀티 플렉서(15b)는 LTE 밴드 B8, B20 및 B12의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함한다.

SPDT(Single Pole double Throw) 스위치(22)는, 파워 증폭기(36a)의 출력을 LTE 밴드 B12 및 B13의 송신 필터(12) 중 1개에 접속한다. SPDT 스위치(23)는, LTE 밴드 B12 및 B5/B26의 수신 필터(14)의 출력 중 1개를 선택하고 RFIC(48)에 출력한다. SPDT 스위치(24)는, LTE 밴드 B8 및 B20의 수신 필터(14)의 출력 중 1개를 선택하고 RFIC(48)에 출력한다. SP3T 스위치(25)는, 파워 증폭기(36b)의 출력을 LTE 밴드 B5/B26, B8 및 B20 중 1개의 송신 필터(12)에 출력한다.

SPDT 스위치(30)는, RFIC(48)의 출력을 파워 증폭기(36b 및 36c)의 한쪽에 출력한다. SPDT 스위치(31)는, RFIC(48)의 출력을 파워 증폭기(36d 및 36e)의 한쪽에 출력한다. 그 밖의 구성은, 실시예 1과 동일하며, 설명을 생략한다.

도 8은 실시예 2의 변형예 1에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 프론트 엔드 회로(101)에 있어서, 멀티 플렉서(15a 및 15b)를 듀플렉서로 치환하고, 쿼드 플렉서(15c 내지 15e)를 듀플렉서로 치환하고 있다. 이에 수반하여, SP3T 스위치(20)를 독립적으로 ON/OFF 전환 가능한 다투 RF 스위치(multi-throw RF switch)(20a)에, SP3T 스위치(21)를 독립적으로 ON/OFF 전환 가능한 다투 RF 스위치(multi-throw RF switch)(21a)로 치환하고 있다. 단자 TH와 LTE 밴드 B30 및 B7의 듀플렉서 사이에 SPDT 스위치(28)가 설치되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 2의 도 7과 동일하며 설명을 생략한다.

실시예 2의 변형예 1과 같이, 멀티 플렉서(15a 및 15b)와 쿼드 플렉서(15c 내지 15e)를 듀플렉서로 치환해도 된다. 또한, 멀티 플렉서(15a 및 15b)와 쿼드 플렉서(15c 내지 15e)의 일부를 듀플렉서로 치환해도 된다.

도 9는 실시예 2의 변형예 2에 관한 프론트 엔드 회로의 회로도이다. 도 9에 도시하는 바와 같이, 프론트 엔드 회로(102)에 있어서, 다이플렉서(16) 대신에 분파 회로(42)가 설치되어 있다. 분파 회로(42)는 정합 회로(44) 및 LPF(46)를 구비한다. 정합 회로(44)는 단자 T1과 단자 TL 및 TH 사이에 설치되어 있다. LPF(46)는 정합 회로(44)와 단자 TL 사이에 설치되어 있다. 분파 회로(42)는, 단자 T1측으로부터 단자 TL을 본 로우 밴드에 있어서의 임피던스를 작게 하고, 하이 밴드에 있어서의 임피던스를 크게 한다. 한편, 분파 회로(42)는, 단자 T1측으로부터 단자 TH를 본 하이 밴드에 있어서의 임피던스를 작게 하고, 로우 밴드에 있어서의 임피던스를 크게 한다. 이와 같이, 분파 회로로서는 다이플렉서가 아니어도 된다.

도 10의 (a) 내지 도 10의 (d)는, 실시예 2의 변형예 2에 있어서의 분파 회로의 다른 예를 도시하는 회로도이다. 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이, 정합 회로(43 및 45)는, 단자 TL측과 단자 TH측에 별도로 설치되어 있어도 된다. 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, LPF(46)를 설치하지 않고, 단자 T1과 단자 TH 사이에 HPF(47)를 설치해도 된다. 이와 같이, LPF(46)와 HPF(47) 중 어느 한쪽을 설치해도 된다. 도 10의 (c)에 도시하는 바와 같이, LPF(46) 및 HPF(47)를 설치하지 않고, 정합 회로(44)만을 설치해도 된다. 도 10의 (d)에 도시하는 바와 같이, 정합 회로(43 내지 45), LPF(46) 및 HPF(47)를 설치하지 않아도 된다. 도 10의 (d)의 경우는, 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함하여 분파 회로로서 기능한다.

실시예 1과 실시예 2 및 그 변형예와 같이, 분파 회로는, 단자 T1과 단자 TL 사이에 접속된 LPF와 단자 T1과 단자 TH 사이에 접속된 HPF를 구비하는 다이플렉서(16)를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 로우 밴드의 신호와 하이 밴드의 신호를 보다 분파할 수 있다. 실시예 2의 변형예 2와 같이, 분파 회로는 다이플렉서를 포함하지 않아도 된다.

실시예 1, 2 및 그 변형예는, LTE 등의 무선 통신에 사용하는 밴드로서, 로우 밴드는 699㎒로부터 960㎒의 대역의 적어도 일부를 포함하고, 미들 밴드는 1710㎒로부터 2170㎒의 대역의 적어도 일부를 포함하고, 하이 밴드는 2305㎒로부터 2690㎒의 대역의 적어도 일부를 포함하는 경우를 예로 들어 설명했다. 로우 밴드, 미들 밴드 및 하이 밴드는, 이들 주파수 이외이어도 된다.

로우 밴드, 미들 밴드 및 하이 밴드의 모두가, 각각 송신 대역 및 수신 대역을 포함하는 복수의 밴드를 포함하는 경우를 예로 들어 설명했다. 로우 밴드, 미들 밴드 및 하이 밴드 중 적어도 1개가, 각각 송신 대역 및 수신 대역을 포함하는 복수의 밴드를 포함해도 된다. 또한, 로우 밴드, 미들 밴드 및 하이 밴드는 모두 1개의 밴드만을 포함해도 된다.

실시예 2 및 그 변형예에 있어서, 스위치(23 및 24)를 다이플렉서 등의 멀티 플렉서로 치환해도 된다. 이에 의해, 스위치에 사용하는 전원 및 제어 신호의 배선수를 삭감할 수 있다. 따라서, 프론트 엔드 회로를 소형화할 수 있다.

<실시예 3>

실시예 3은, 프론트 엔드 회로 또는 그 일부를 포함하는 모듈의 예이다. 도 11은 실시예 3에 있어서의 미들 밴드계 회로의 회로도이다. 도 11에 도시하는 바와 같이, 실시예 3의 회로는, 실시예 2의 변형예 1의 미들 밴드계 회로(10M)와 동일하다.

도 12의 (a) 및 도 12의 (b)는, 비교예 3에 관한 모듈을 도시하는 도면이다. 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)에 도시하는 바와 같이, 모듈은 기판(50), 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 구비하고 있다. 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는, 기판(50) 상에 탑재 또는 기판(50)에 매립되어 있다. 기판(50)은, 예를 들어, 수지층이 적층된 배선 기판이다. 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는, 기판(50) 내에 형성된 배선(52)을 통하여 접속되어 있다. B1Rx로부터 B4Rx는, 각각 LTE 밴드 B1로부터 B4의 수신 필터(14)에 대응하고, B1Tx로부터 B4Tx는, 각각 LTE 밴드 B1로부터 B4의 송신 필터(12)에 대응한다.

도 1에 도시하는 바와 같이, LTE 밴드 B1의 송신 대역과 LTE 밴드 B2의 수신 대역은 일부 겹쳐 있다. 도 12의 (a)의 파선 화살표와 같이, LTE 밴드 B1의 송신 단자로부터 입력된 신호는, 스위치(21a)에 입력된다. 스위치(21a) 내의 아이솔레이션은 유한이므로, LTE 밴드 B1의 송신 신호의 일부는 LTE 밴드 B2의 수신 필터(14)에 누설된다. LTE 밴드 B2와 B1과의 수신 필터(14)가 인접하고 있으면, LTE 밴드 B2와 B1과의 결합이 크다. 이로 인해, LTE 밴드 B2의 수신 필터(14)의 신호(LTE 밴드 B1의 송신 신호의 일부)가 LTE 밴드 B1의 수신 신호로서 출력된다. 이에 의해, LTE 밴드 B1의 수신 감도가 저하된다.

마찬가지로, LTE 밴드 B2의 송신 대역과 LTE 밴드 B3의 수신 대역은 일부 겹쳐 있다. 도 12의 (b)의 파선 화살표와 같이, LTE 밴드 B2의 송신 단자로부터 입력된 신호는 스위치(21a)에 입력된다. LTE 밴드 B2의 송신 신호의 일부는 LTE 밴드 B3의 수신 필터(14)에 누설된다. LTE 밴드 B3과 B2와의 수신 필터(14)가 인접하고 있으면, LTE 밴드 B3의 수신 필터(14)의 신호(LTE 밴드 B2의 송신 신호의 일부)가 LTE 밴드 B2의 수신 신호로서 출력된다. 이에 의해, LTE 밴드 B2의 수신 감도가 저하된다.

도 13은 실시예 3에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. LTE 밴드 B1로부터 B4의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는, 기판(50) 상에 탑재 또는 기판(50)에 내장되어 있다. 다투 RF 스위치(21a)는 모듈의 외부이다. 수신 필터(14)는 LTE 밴드 B1, B3, B4 및 B2의 순서대로 배치되어 있다. 이와 같이, LTE 밴드 B1과 B2와의 수신 필터(14)는 인접하지 않고, LTE 밴드 B2와 B3과의 수신 필터(14)는 인접하지 않는다. 이에 의해, 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)와 같은 LTE 밴드 B1 및 B2의 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.

도 14는 실시예 3의 변형예 1에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 14에 도시하는 바와 같이, 스위치(21a)가 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 3과 동일하며 설명을 생략한다.

도 15는 실시예 3의 변형예 2에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 15에 도시하는 바와 같이, 스위치(26) 및 파워 증폭기(36e)가 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있다. 그 밖의 구성은, 실시예 3의 변형예 1과 동일하며 설명을 생략한다.

도 14 및 도 15와 같이, 송신 필터(12) 및 수신 필터(14) 이외에, 스위치(21a, 26) 및 파워 증폭기(36e) 중 적어도 1개가 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있어도 된다. 또한, 그 밖의 부품이 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있어도 된다.

도 16은 실시예 3의 변형예 3에 있어서의 미들 밴드계 회로의 회로도이다. 도 16에 도시하는 바와 같이, LTE 밴드 B2 및 B4의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 쿼드 플렉서(15c)에 포함된다. LTE 밴드 B1 및 B3의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 쿼드 플렉서(15d)에 포함된다. 다투 RF 스위치(21a)가 SP3T 스위치(21)로 치환되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 3과 동일하며 설명을 생략한다. SP3T와 같이 Throw수가 적은 스위치는, Throw수가 큰 스위치에 비해 Throw 사이의 아이솔레이션이 크다. 따라서, 실시예 3의 변형예 3은, 밴드간의 간섭을 보다 억제할 수 있다.

실시예 3의 변형예 3과 같이, 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)가 쿼드 플렉서 등의 멀티 플렉서를 형성하는 경우에 있어서도, LTE 밴드 B1과 B2와의 수신 필터(14)는 인접하지 않고, LTE 밴드 B2와 B3과의 수신 필터(14)는 인접하지 않는 것이 바람직하다.

도 17은 실시예 3의 변형예 3에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 17에 도시하는 바와 같이, LTE 밴드 B1 및 B3의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)가 쿼드 플렉서(15d)로서, 기판(50)에 탑재되어 있다. LTE 밴드 B2 및 B4의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)가 쿼드 플렉서(15c)로서, 기판(50)에 탑재되어 있다. 쿼드 플렉서(15c 및 15d)는, 각각 패키징되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 2의 변형예 2와 동일하며 설명을 생략한다. 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)가 쿼드 플렉서(15c 및 15d)로서 기판(50)에 탑재되는 경우도, LTE 밴드 B1과 B2와의 수신 필터(14)는 인접하지 않고, LTE 밴드 B2와 B3과의 수신 필터(14)는 인접하지 않도록 한다. 이에 의해, LTE 밴드 B2 및 B3의 아이솔레이션 저하를 억제할 수 있다. 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)가 듀플렉서 단위 또는 필터 단위로 패키징되어 있는 경우도 마찬가지이다.

도 18은 실시예 3의 변형예 4에 있어서의 로우 밴드계 회로의 회로도이다. 도 18에 도시하는 바와 같이, 실시예 3의 변형예 4의 회로는, 실시예 2의 변형예 1의 로우 밴드계 회로(10L)의 LTE 밴드 B8, B20, B12 및 B26의 듀플렉서를 포함한다. 실시예 2의 변형예 1의 7 스로를 갖는 다투 RF 스위치(20a)는 5 스로를 갖는 다투 RF 스위치(20a)로 치환되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 2의 변형예 1과 동일하며 설명을 생략한다.

도 19는 비교예 4에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 19에 도시하는 바와 같이, 모듈은 기판(50), 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 구비하고 있다. 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는, 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있다. 기판(50)은, 예를 들어, 수지층이 적층된 배선 기판이다. 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 기판(50) 내에 형성된 배선(52)을 통하여 접속되어 있다. 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 LTE 밴드 B8, B12, B20 및 B26에 대응한다. 그 밖의 구성은, 비교예 3과 동일하며 설명을 생략한다.

도 1에 도시하는 바와 같이, LTE 밴드 B26의 송신 대역과 LTE 밴드 B20의 수신 대역은 일부 겹쳐 있다. 또한, LTE 밴드 B8의 송신 대역과 LTE 밴드 B26의 수신 대역은 일부 겹쳐 있다. 이로 인해, 도 19의 파선 화살표와 같이, LTE 밴드 B26의 송신 단자로부터 입력된 신호는, 스위치(20a)에 입력된다. LTE 밴드 B26의 송신 신호의 일부는 LTE 밴드 B20의 수신 필터(14)에 누설된다. LTE 밴드 B26과 B20과의 수신 필터(14)가 인접하고 있으면, LTE 밴드 B20의 수신 필터(14)의 신호(LTE 밴드 B26의 송신 신호의 일부)가 LTE 밴드 B26의 수신 신호로서 출력된다. 이에 의해, LTE 밴드 B26의 수신 감도가 저하된다. 마찬가지로, LTE 밴드 B8과 B26과의 수신 필터(14)가 인접하고 있으면, LTE 밴드 B8의 송신 신호의 일부가 LTE 밴드 B8의 수신 신호로서 출력된다. 이에 의해, LTE 밴드 B8의 수신 감도가 저하된다.

도 20은 실시예 3의 변형예 4에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 20에 도시하는 바와 같이, LTE 밴드 B8, B12, B20 및 B26의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있다. 다투 RF 스위치(20a)는 모듈의 외부이다. 수신 필터(14)는 LTE 밴드 B8, B20, B12 및 B26의 순서대로 배치되어 있다. 이와 같이, LTE 밴드 B8과 B26과의 수신 필터(14)는 인접하지 않고, LTE 밴드 B20과 B26과의 수신 필터(14)는 인접하지 않는다. 이에 의해, 도 19와 같은 LTE 밴드 B26 및 B8의 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.

송신 필터(12) 및 수신 필터(14) 이외에, 스위치, 증폭기 및 그 밖의 부품 중 적어도 1개가 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있어도 된다. 또한, 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 멀티 플렉서를 형성하고 있어도 된다.

실시예 3 및 그 변형예에 의하면, 제1 밴드(예를 들어 LTE 밴드 B1)의 송신 대역과 제2 밴드(예를 들어 LTE 밴드 B2)의 수신 대역은 적어도 일부가 겹치고, 제3 밴드(예를 들어 LTE 밴드 B4)의 수신 대역은 제1 밴드 및 제2 밴드의 송신 대역과 겹치지 않는다. 이때, 제1 밴드의 수신 필터와, 제2 밴드의 수신 필터 사이에 제3 밴드의 수신 필터를 설치한다. 이에 의해, 제1 밴드의 송신 신호가 제2 밴드의 수신 필터를 통과하고 제1 밴드의 수신 필터에 누설되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 제1 밴드의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.

LTE 밴드 B1로부터 B4의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함하는 모듈에 있어서, 수신 필터(14)를 LTE 밴드 B1, B3, B4 및 B2의 순서대로 배치한다. 이에 의해, LTE 밴드 B1 및 B2의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다. 또한, LTE 밴드 B8, B12, B20 및 B26의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함하는 모듈에 있어서, 수신 필터(14)를 LTE 밴드 B8, B20, B12 및 LTE 밴드 B26의 순서대로 배치한다. 이에 의해, LTE 밴드 B8 및 B26의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.

도 1과 같이, LTE 밴드 B25의 송신 대역 및 수신 대역은 각각 LTE 밴드 B2의 송신 대역 및 수신 대역과 겹친다. 따라서, 실시예 3 및 그 변형예 1 내지 3의 LTE 밴드 B2의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)는 LTE 밴드 B25의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)이어도 된다. LTE 밴드 B5의 송신 대역 및 수신 대역은 각각 LTE 밴드 B26의 송신 대역 및 수신 대역과 겹친다. 따라서, 실시예 3의 변형예 4의 LTE 밴드 B26의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)는 LTE 밴드 B5의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)이어도 된다. LTE 밴드 B17의 송신 대역 및 수신 대역은 각각 LTE 밴드 B12의 송신 대역 및 수신 대역과 겹친다. 따라서, 실시예 3의 변형예 4의 LTE 밴드 B12의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)는 LTE 밴드 B17의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)이어도 된다.

실시예 3 및 그 변형예와 같이, 동일한 밴드의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 나란히 배치되어 있어도 되고, 송신 필터(12)는, 수신 필터(14)와는 다른 순서로 배치되어 있어도 된다.

또한, 실시예 1, 2 및 그 변형예에 실시예 3 및 그 변형예를 적용할 수 있다.

<실시예 4>

실시예 4는, 캐리어 어그리게이션이 행해지는 예이다. 도 21은 실시예 3의 변형예 3에 관한 다른 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 21에 도시하는 바와 같이, 쿼드 플렉서(15c 및 15d)가 기판(50)에 탑재되어 있다. LTE 밴드 B3과 B4의 수신 필터(14)가 인접해서 설치되어 있다. SP3T 스위치(21), SP4T 스위치(26) 및 파워 증폭기(36e)는 기판(50)에 탑재되어 있지 않다. 그 밖의 구성은 실시예 3의 변형예 3의 도 16과 동일하며 설명을 생략한다.

LTE 밴드 B2와 B4는 캐리어 어그리게이션일 때, 동시에 수신되는 밴드이다. 이때, LTE 밴드 B2의 송신 단자로부터 LTE 밴드 B2 및 B4의 수신 단자에의 신호의 누설, LTE 밴드 B4의 송신 단자로부터 LTE 밴드 B4 및 B2의 수신 단자에의 신호의 누설도 문제가 된다.

도 21의 파선 화살표와 같이, LTE 밴드 B2의 송신 단자로부터 입력된 송신 신호는 스위치(21)에 이른다. LTE 밴드 B2의 송신 대역과 LTE 밴드 B3의 수신 대역은 일부 겹쳐 있으므로, LTE 밴드 B2의 송신 신호의 일부는 스위치(21) 내에서 LTE 밴드 B3의 수신 필터(14)에 누설된다. LTE 밴드 B3과 B4와의 수신 필터(14)가 인접하고 있으면, LTE 밴드 B3과 B4와의 결합이 크다. 이로 인해, LTE 밴드 B3의 수신 필터(14)의 신호(LTE 밴드 B2의 송신 신호의 일부)가 LTE 밴드 B4의 수신 신호로서 출력된다. 이에 의해, LTE 밴드 B4의 수신 감도가 저하된다.

도 22는 실시예 4에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 22에 도시하는 바와 같이, LTE 밴드 B1과 B4의 수신 필터(14)가 인접하도록 수신 필터(14)가 설치되어 있다. 그 밖의 구성은, 도 21과 동일하며, 설명을 생략한다. 도 22의 파선 화살표와 같이, LTE 밴드 B2의 송신 신호의 일부가 LTE 밴드 B3의 수신 필터(14)에 누설된 경우라도, LTE 밴드 B3의 수신 필터(14)와 LTE 밴드 B2 및 B4의 수신 필터(14)와는 인접하고 있지 않다. 이로 인해, LTE 밴드 B2의 송신 신호의 일부가 LTE 밴드 B2 및 B4의 수신 단자에 누설되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, LTE 밴드 B2 및 B4의 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.

또한, LTE 밴드 B1과 B3은 캐리어 어그리게이션일 때에 동시에 수신된다. 따라서, LTE 밴드 B1의 송신 단자로부터 LTE 밴드 B1 및 B3의 수신 단자에의 신호의 누설 및 LTE 밴드 B3의 송신 단자로부터 LTE 밴드 B3 및 B1의 수신 단자에의 신호의 누설을 억제하는 것이 바람직하다. LTE 밴드 B1의 송신 대역과 LTE 밴드 B2의 수신 대역은 일부 겹쳐 있다. 이로 인해, 장간격의 파선 화살표와 같이, 스위치(21)를 통하고, LTE 밴드 B1의 송신 신호의 일부가 LTE 밴드 B2의 수신 필터(14)에 누설된다. 그러나, LTE 밴드 B2의 수신 필터(14)와 LTE 밴드 B3 및 B1의 수신 필터(14)와는 인접하고 있지 않다. 이로 인해, LTE 밴드 B1의 송신 신호의 일부가 LTE 밴드 B1 및 B3의 수신 단자에 누설되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, LTE 밴드 B1 및 B3의 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.

도 23은 실시예 4의 변형예 1에 관한 모듈의 평면 모식도이다. 도 23에 도시하는 바와 같이, 스위치(21)가 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 4와 동일하며 설명을 생략한다.

도 24는 실시예 4의 변형예 2에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 24에 도시하는 바와 같이, 스위치(26) 및 파워 증폭기(36e)가 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있다. 그 밖의 구성은, 실시예 4의 변형예 1과 동일하며 설명을 생략한다.

도 23 및 도 24와 같이, 송신 필터(12) 및 수신 필터(14) 이외에, 스위치(21, 26) 및 파워 증폭기(36e) 중 적어도 1개가 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있어도 된다. 또한, 그 밖의 부품이 기판(50)에 탑재 또는 내장되어 있어도 된다.

도 25는 실시예 3의 변형예 4에 관한 다른 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 25에 도시하는 바와 같이, 기판(50)에 쿼드 플렉서(15h 및 15i)가 탑재되어 있다. LTE 밴드 B8 및 B20의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 쿼드 플렉서(15i)에 포함된다. LTE 밴드 B12 및 B26의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 쿼드 플렉서(15h)에 포함된다. 그 밖의 구성은 도 20과 동일하며 설명을 생략한다.

LTE 밴드 B12와 B26은 캐리어 어그리게이션일 때에 동시에 수신된다. 따라서, LTE 밴드 B12의 송신 단자로부터 LTE 밴드 B12 및 B26의 수신 단자에의 신호의 누설 및 LTE 밴드 B26의 송신 단자로부터 LTE 밴드 B12 및 B26의 수신 단자에의 신호의 누설을 억제하는 것이 바람직하다. LTE 밴드 B26의 송신 대역과 LTE 밴드 B20의 수신 대역은 일부 겹쳐 있다. 이로 인해, 파선 화살표와 같이, 스위치(20)를 통하여, LTE 밴드 B26의 송신 신호의 일부가 LTE 밴드 B20의 수신 필터(14)에 누설된다. LTE 밴드 B12와 B20의 수신 필터(14)가 인접하고 있다. 이로 인해, LTE 밴드 B26의 송신 신호의 일부가 LTE 밴드 B12의 수신 단자에 누설된다. 따라서, LTE 밴드 B12의 수신 감도가 저하된다.

도 26은 실시예 4의 변형예 3에 관한 모듈을 도시하는 평면 모식도이다. 도 26에 도시하는 바와 같이, LTE 밴드 B8과 B12의 수신 필터(14)가 인접하도록 수신 필터(14)가 설치되어 있다. 그 밖의 구성은, 도 25와 동일하며, 설명을 생략한다. 도 26의 파선 화살표와 같이, LTE 밴드 B26의 송신 신호의 일부가 LTE 밴드 B20의 수신 필터(14)에 누설된 경우라도, LTE 밴드 B20의 수신 필터(14)와 LTE 밴드 B12 및 B26의 수신 필터(14)와는 인접하고 있지 않다. 이로 인해, LTE 밴드 B26의 송신 신호의 일부가 LTE 밴드 B12 및 B26의 수신 단자에 누설되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, LTE 밴드 B12 및 B26의 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.

실시예 4 및 그 변형예에 의하면, 제1 밴드(예를 들어 LTE 밴드 B1)의 수신 신호와 제2 밴드(예를 들어 LTE 밴드 B3)의 수신 신호는 동시에 수신된다. 제3 밴드(예를 들어 LTE 밴드 B2)의 수신 대역은 제1 밴드의 송신 대역의 적어도 일부와 겹친다. 제4 밴드(예를 들어 LTE 밴드 B4)의 수신 대역은 제1 밴드의 송신 대역과 겹치지 않는다. 이때, 제1 밴드 및 제2 밴드의 수신 필터와, 제3 밴드의 수신 필터 사이에 제4 밴드의 수신 필터를 설치한다. 이에 의해, 제1 밴드의 송신 신호가 제3 밴드의 수신 필터를 통과하고 제1 밴드 및 제2 밴드의 수신 필터에 누설되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 제1 밴드 및 제2 밴드의 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.

또한, 제2 밴드의 송신 신호의 일부가 제4 밴드의 수신 필터(14)에 누설되고, 제4 밴드의 수신 필터(14)로부터 제1 또는 제2 밴드의 수신 필터(14)에 누설되는 것이 과제가 된다. 이로 인해, 제4 밴드의 수신 대역은 제2 밴드의 송신 대역과 겹쳐 있지 않은 것이 바람직하다.

다른 밴드간에서의 신호의 누설을 억제하므로, LTE 밴드 B1로부터 B4의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함하는 모듈에 있어서, 수신 필터(14)를 LTE 밴드 B3, B1, B4 및 B2의 순서대로 배치하는 것이 바람직하다. 또한, LTE 밴드 B8, B12, B20 및 B26의 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)를 포함하는 모듈에 있어서, 수신 필터(14)를 LTE 밴드 B20, B8, B12 및 LTE 밴드 B26의 순서대로 배치하는 것이 바람직하다.

도 1과 같이, LTE 밴드 B25의 송신 대역 및 수신 대역은 각각 LTE 밴드 B2의 송신 대역 및 수신 대역과 겹친다. 따라서, 실시예 4 및 그 변형예의 LTE 밴드 B2의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)는 LTE 밴드 B25의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)이어도 된다. LTE 밴드 B5의 송신 대역 및 수신 대역은 각각 LTE 밴드 B26의 송신 대역 및 수신 대역과 겹친다. 따라서, 실시예 4 및 그 변형예의 LTE 밴드 B26의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)는 LTE 밴드 B5의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)이어도 된다. LTE 밴드 B17의 송신 대역 및 수신 대역은 각각 LTE 밴드 B12의 송신 대역 및 수신 대역과 겹친다. 따라서, 실시예 4 및 그 변형예의 LTE 밴드 B12의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)는 LTE 밴드 B17의 수신 필터(14) 및 송신 필터(12)이어도 된다.

실시예 4 및 그 변형예에 있어서, 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)가 쿼드 플렉서에 포함되는 예를 설명했지만, 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 개별로 기판(50)에 탑재되어 있어도 된다. 또한, 스위치, 파워 증폭기 등이 기판(50)에 탑재되어 있어도 된다.

<실시예 5>

도 27의 (a)는 실시예 5에 관한 통신 장치의 안테나 주변의 블록도, 도 27의 (b)는 안테나의 사시도이다. 도 27의 (a)에 도시하는 바와 같이, 단자 T1은 로우 밴드용 안테나(40L) 및 하이 밴드용 안테나(40H)에 접속되어 있다. 단자 T2는 미들 밴드용 안테나(40M)에 접속되어 있다.

도 27의 (b)에 도시하는 바와 같이, 유전체(54)에 금속막(56)이 형성되어 있다. 금속막은 급전 단자(50LH 및 50M), 접지 단자(52LH 및 52M), 로우 밴드용 안테나(40L), 하이 밴드용 안테나(40H) 및 미들 밴드용 안테나(40M)를 포함한다. 안테나(40L, 40H 및 40M)는 안테나 복사기이다. 로우 밴드용 안테나(40L)와 하이 밴드용 안테나(40H)는 유전체(54) 상에서 접속되어 있다. 로우 밴드용 안테나(40L)와 하이 밴드용 안테나(40H)가 접속되는 개소에 급전 단자(50LH) 및 접지 단자(52LH)가 접속된다. 미들 밴드용 안테나(40M)는, 로우 밴드용 안테나(40L) 및 하이 밴드용 안테나(40H)와는 전기적으로 분리되어 있다. 급전 단자(50M) 및 접지 단자(52M)는 미들 밴드용 안테나(40M)에 접속되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 1과 동일하며 설명을 생략한다.

실시예 5에 의하면, 로우 밴드용 안테나(40L)와 하이 밴드용 안테나(40H)에서 급전 단자(50LH) 및 접지 단자(52LH)를 공유한다. 이에 의해, 소형화 및 비용 절감이 가능하게 된다.

도 28의 (a)는 실시예 5의 변형예 1에 관한 통신 장치의 안테나 주변의 블록도, 도 28의 (b)는 안테나의 사시도이다. 도 28의 (a) 및 도 28의 (b)에 도시하는 바와 같이, 로우 밴드용 안테나(40L)는 하이 밴드용 안테나(40H)와 미들 밴드용 안테나(40M) 사이에 설치되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 5와 동일하며 설명을 생략한다.

실시예 5와 같이, 하이 밴드용 안테나(40H)를 로우 밴드용 안테나(40L)와 미들 밴드용 안테나(40M) 사이에 설치하면, 하이 밴드용 안테나(40H)와 미들 밴드용 안테나(40M)와의 아이솔레이션이 나빠진다.

실시예 5의 변형예 1에 있어서는, 로우 밴드용 안테나(40L)가, 하이 밴드용 안테나(40H)와 미들 밴드용 안테나(40M) 사이에 설치되어 있다. 이에 의해, 하이 밴드용 안테나(40H)와 미들 밴드용 안테나(40M)와의 아이솔레이션을 개선할 수 있다. 로우 밴드용 안테나(40L)와 미들 밴드용 안테나(40M)가 인접한다. 그러나, 도 1과 같이, 로우 밴드와 미들 밴드와의 주파수 간격은, 미들 밴드와 하이 밴드와의 주파수 간격보다 넓다. 이로 인해, 로우 밴드용 안테나(40L)와 미들 밴드용 안테나(40M)와의 아이솔레이션은, 그다지 열화되지 않는다. 또한, 하이 밴드와 로우 밴드의 급전 단자를 공용할 수 있으므로 비용 절감 및 소형화가 가능하게 된다.

실시예 5 및 그 변형예를 실시예 1 내지 4 및 그 변형예에 적용할 수 있다.

<실시예 6>

실시예 6은, 실시예 3, 실시예 4 및 그 변형예와 같이, 복수의 공통 단자를 갖는 모듈의 예이다. 도 29의 (a)는, 실시예 4에 관한 모듈의 평면도, 도 29의 (b)는, 실시예 6에 관한 모듈의 평면도이다. 도 29의 (a)에 도시하는 바와 같이, 실시예 4의 도 22에 도시한 모듈에 있어서, 쿼드 플렉서(15d)는 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)(제1 필터)를 구비하고, 쿼드 플렉서(15c)는 수신 필터(14b) 및 송신 필터(12b)(제2 필터)를 구비하고 있다. 수신 필터(14a)는 각각 공통 단자 Ant1(제1 공통 단자)과 수신 단자 Rx(제1 단자) 사이에 접속되어 있다. 송신 필터(12a)는 각각 공통 단자 Ant1과 송신 단자 Tx(제2 단자) 사이에 접속되어 있다. 수신 필터(14b)는 각각 공통 단자 Ant2(제2 공통 단자)와 수신 단자 Rx 사이에 접속되어 있다. 송신 필터(12b)는 각각 공통 단자 Ant2와 송신 단자 Tx 사이에 접속되어 있다.

배선 L1은 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)를 공통으로 공통 단자 Ant1에 접속한다. 배선 L2는 수신 필터(14b) 및 송신 필터(12b)를 공통으로 공통 단자 Ant2에 접속한다. 배선 L1 및 L2는 기판(50) 내에 형성되어 있다.

배선 L1은 LTE 밴드 B3의 수신 필터(14a)와 송신 필터(12a)를 접속하는 배선 L11과, LTE 밴드 B1의 수신 필터(14a)와 송신 필터(12a)를 접속하는 배선 L12를 포함한다. 이에 의해, 배선 L2는 배선 L1 중 2개의 배선 L11 및 L12와 교차 개소(78)에 있어서 교차한다. 배선 L1과 L2와의 교차 개소(78)에서는, 고주파 신호가 반사한다. 이에 의해, 고주파 특성이 열화된다.

도 29의 (b)에 도시하는 바와 같이, 실시예 6에 있어서는, 쿼드 플렉서(15d)에 있어서, 수신 필터(14a)와 송신 필터(12a)는 배선 L1 중 1개의 배선 L13에 의해 접속되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 4의 도 29의 (a)와 동일하며 설명을 생략한다. 이에 의해, 배선 L1과 L2가 교차하는 교차 개소(78)는 1개소이다. 이에 의해, 고주파 특성의 열화를 억제할 수 있다.

다음에, 실시예 6의 배선예를 설명한다. 도 30은 실시예 6에 관한 모듈의 단면도이다. 도 30에 도시하는 바와 같이, 기판(50)은 적층된 복수의 절연층(60 내지 62)을 포함한다. 절연층(60 내지 62)은 예를 들어 수지층이다. 절연층(60 내지 62)의 상면 및 절연층(62)의 하면에 금속층(63)이 형성되어 있다. 금속층(63)은, 예를 들어, 구리층 또는 금층 등이다. 배선(64), 패드(66) 및 풋 패드(67)는 금속층(63)에 의해 형성된다. 절연층(60 내지 62)을 각각 관통하는 비아(65)가 형성되어 있다. 비아(65)에는 구리 등의 금속이 매립되어 있다. 패드(66) 상에 땜납(68)을 통해 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)가 탑재된다. 송신 필터(12) 및 수신 필터(14)는 필터가 형성된 칩 또는 패키지이다.

도 31의 (a) 내지 도 32의 (b)는 실시예 6에 있어서의 각 절연층의 평면도이다. 도 31의 (a) 내지 도 32의 (a)는 각각 절연층(60 내지 62)의 상면의 평면도이며, 도 32의 (b)는 절연층(62)의 하면을 위에서 투시한 도면이다. 도 31의 (a)에 있어서 각 필터(12a, 12b, 14a 및 14b)를 파선으로 도시하고 있다.

도 31의 (a)에 도시하는 바와 같이, 절연층(60)의 상면에 금속층(63)이 형성되고, 절연층(60)을 관통하는 비아(65)가 형성되어 있다. 절연층(60)에, 쿼드 플렉서(15d) 내의 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)와 쿼드 플렉서(15c) 내의 수신 필터(14b) 및 송신 필터(12b)가 탑재되어 있다. 금속층(63)은 배선(64), 패드(66)를 포함한다. 배선(64)은 배선 L1, L2 및 접지 패턴 Gnd 등을 포함하고, 패드(66)은 수신 패드 Prx, 송신 패드 Ptx 및 공통 패드 Pant를 포함한다.

수신 필터(14a 및 14b)는 수신 패드 Prx 및 공통 패드 Pant에 땜납(68)에 의해 접속된다. 송신 필터(12a 및 12b)는 송신 패드 Ptx 및 공통 패드 Pant에 땜납(68)에 의해 접속된다. 각 필터(12a, 12b, 14a 및 14b)의 접지는 접지 패턴 Gnd 내의 영역(69)에 땜납(68)에 의해 접속된다. 배선 L1은 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)가 접속된 공통 패드 Pant를 공통으로 접속한다. 배선 L2는 수신 필터(14b) 및 송신 필터(12b)가 접속된 공통 패드 Pant를 공통으로 접속한다. 배선 L1과 L2가 교차하는 교차 개소(78)에는 배선 L2는 형성되어 있지 않다. 접지 패턴 Gnd는 배선(64) 및 패드(66)를 둘러싸도록 형성되어 있다. 절연층(60)을 관통하고, 배선(64)에 접속된 비아(65)가 형성되어 있다.

도 31의 (b)에 도시하는 바와 같이, 절연층(61)의 상면에 금속층(63)이 형성되어 있다. 금속층(63)은 배선(64)을 포함한다. 배선(64)은 교차 개소(78)에 있어서의 배선 L2의 일부 및 접지 패턴 Gnd를 포함한다. 절연층(61)을 관통하고, 배선(64)에 접속된 비아(65)가 형성되어 있다. 도 32의 (a)에 도시하는 바와 같이 절연층(62)의 상면에 금속층(63)이 형성되어 있다. 절연층(62)을 관통하고, 배선(64)에 접속된 비아(65)가 형성되어 있다.

도 32의 (b)에 도시하는 바와 같이, 절연층(62)의 하면에 금속층(63)이 형성되어 있다. 금속층(63)은 풋 패드(67)를 포함한다. 풋 패드(67)는 수신 풋 패드 Frx, 송신 풋 패드 Ftx, 공통 풋 패드 Fant1, Fant2 및 그랜드 풋 패드 Fgnd를 포함한다. 수신 풋 패드 Frx, 송신 풋 패드 Ftx, 공통 풋 패드 Fant1 및 Fant2는, 각각 도 29의 (b)의 수신 단자 Rx, 송신 단자 Tx, 공통 단자 Ant1 및 Ant2에 상당한다. 절연층(62)을 관통하고, 풋 패드(67)에 접속된 비아(65)가 형성되어 있다.

도 31의 (a) 내지 도 32의 (b)와 같이, 배선 L1은, 각 절연층(60 내지 62)의 배선(64) 및 비아(65) 등을 통해 공통 풋 패드 Fant1에 전기적으로 접속된다. 배선 L2는, 각 절연층(60 내지 62)의 배선(64) 및 비아(65) 등을 통해 공통 풋 패드 Fant2에 전기적으로 접속된다. 수신 패드 Prx 및 송신 패드 Ptx는 배선(64) 및 비아(65)를 통하고, 각각 수신 풋 패드 Frx 및 송신 풋 패드 Ftx에 전기적으로 접속된다. 절연층(60 내지 62)의 상면에 형성된 접지 패턴 Gnd와 그랜드 풋 패드 Fgnd는 비아(65)를 통해 전기적으로 접속되어 있지만, 도 31의 (a) 내지 도 32의 (b)에서는, 접지용의 비아(65)의 도시를 생략하고 있다.

도 33은 실시예 4에 있어서의 절연층(60)의 평면도이다. 도 33에 도시하는 바와 같이, 실시예 4에서는 배선 L1과 L2가 2개의 교차 개소(78)에서 교차한다. 그 밖의 구성은, 도 30 내지 도 32의 (b)와 동일하며 설명을 생략한다.

실시예 6에 의하면, 도 29의 (b)로부터 도 32의 (b)와 같이, 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)는 서로 통과 대역이 다르며, 수신 필터(14b) 및 송신 필터(12b)는 서로 통과 대역이 다르다. 즉, 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)는 서로 통과 대역이 겹치지 않고, 수신 필터(14b) 및 송신 필터(12b)는 서로 통과 대역이 겹치지 않는다. 공통 단자 Ant1 및 Ant2는 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)에 대해 동일한 측에 설치되어 있다. 수신 필터(14b) 및 송신 필터(12b)와, 공통 단자 Ant1 및 Ant2는 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)에 대해 반대의 측에 설치되어 있다. 이와 같은 배치에 있어서, 배선 L2는 배선 L1과 1개소에서만 교차한다. 이에 의해, 도 29의 (a) 및 도 33의 실시예 4와 같이, 배선 L2가 복수의 개소에서 배선 L1에 교차하는 경우에 비해, 고주파 특성을 향상시킬 수 있다.

실시예 6에서는, 배선 L1 및 배선 L2가 각각 접속되는 필터는 4개의 예를 설명했다. 배선 L1은 적어도 3개의 제1 필터를 공통 단자 Ant1에 접속하면 된다. 배선 L2는 적어도 1개의 제2 필터를 공통 단자 Ant2에 접속하면 된다. 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)가 적어도 3개인 경우, 배선 L1과 배선 L2와의 교차 개소(78)는 2개 이상이 되고, 고주파 특성의 열화가 일어날 수 있다. 실시예 6에서는, 교차 개소(78)를 1개소로 함으로써 고주파 특성의 열화를 억제할 수 있다.

또한, 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)는 배선 L1에 대해 양측에 설치되어 있다. 이 경우, 교차 개소(78)는 복수가 되기 쉬워, 고주파 특성의 열화가 일어날 수 있다. 실시예 6에서는, 교차 개소(78)를 1개소로 함으로써 고주파 특성의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)를 배선 L1에 대해 양측에 설치함으로써, 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)에 접속되는 접지 패턴 Gnd 및 접지 비아를 수신 필터(14a)와 송신 필터(12a)로 분리할 수도 있다. 이에 의해, 수신 필터(14a)와 송신 필터(12a)에서 공유되는 임피던스가 작아지므로, 수신 신호와 송신 신호와의 간섭을 억제할 수 있다.

또한, 배선 L2는 적어도 3개의 제2 필터를 공통 단자 Ant2에 접속된다. 이 경우, 제2 필터를 제1 필터로부터 공통 단자 Ant1 및 Ant2측에 배치했다고 해도, 교차 개소(78)는 복수가 되기 쉬워, 고주파 특성의 열화가 일어날 수 있다. 실시예 6에서는, 교차 개소(78)를 1개소로 함으로써 고주파 특성의 열화를 억제할 수 있다.

또한, 실시예 6에서는 제1 필터는 수신 필터(14a) 및 송신 필터(12a)를 포함하고, 제2 필터는 수신 필터(14b) 및 송신 필터(12b)를 포함하는 예를 설명했다. 제1 필터는 수신 필터 및 송신 필터의 한쪽만을 포함하고, 제2 필터는 수신 필터 및 송신 필터의 한쪽만을 포함해도 된다.

실시예 6과 같이, 제1 필터는 LTE 밴드 B3(제1 밴드)의 송신 필터(12a)(제1 송신 필터) 및 수신 필터(14a)(제1 수신 필터)와, LTE 밴드 B1(제2 밴드)의 송신 필터(12a)(제2 송신 필터) 및 수신 필터(14a)(제2 수신 필터)를 포함한다. 제2 필터는 LTE 밴드 B4(제3 밴드)의 송신 필터(12b)(제3 송신 필터) 및 수신 필터(14b)(제3 수신 필터)와, LTE 밴드 B2(제4 밴드)의 송신 필터(12b)(제4 송신 필터) 및 수신 필터(14b)(제4 수신 필터)를 포함한다. 이와 같이, 다른 밴드의 쿼드 플렉서(15d 및 15c)를 기판(50)에 실장하는 경우, 배선이 복잡해져, 고주파 특성이 열화되기 쉽다. 교차 개소(78)를 1개소로 함으로써 고주파 특성의 열화를 억제할 수 있다. LTE 밴드 B3, B1, B4 및 B2를 예로 들어 설명했지만 다른 밴드이어도 된다.

교차 개소(78)에 있어서, 배선 L1과 배선 L2는, 절연층(60 내지 62) 중 각각 다른 절연층(60 및 61)의 표면에 형성되어 있다. 이에 의해, 배선 L1과 L2를 간단하게 교차할 수 있다. 그러나, 교차 개소(78)에 있어서의 배선 L1과 L2의 간격이 작아져, 고주파 신호가 간섭하기 쉽다. 따라서, 교차 개소(78)를 1개소로 함으로써, 고주파 특성의 열화를 억제할 수 있다.

도 34의 (a) 및 도 34의 (b)는, 실시예 6의 변형예 1에 있어서의 각 절연층의 평면도이다. 도 34의 (a) 내지 도 34의 (b)는, 각각 절연층(61 및 62)의 평면도이다. 절연층(60)의 상면 및 절연층(62)의 하면은 실시예 6의 도 31의 (a) 및 도 32의 (b)와 동일하다.

도 34의 (a)에 도시하는 바와 같이, 절연층(61)의 교차 개소(78)에는 배선 L2는 형성되어 있지 않다. 교차 개소(78)에는 접지 패턴 Gnd가 형성되어 있다. 도 34의 (b)에 도시하는 바와 같이, 교차 개소(78)를 포함하는 배선 L2가 형성되어 있다. 그 밖의 구성은 실시예 6과 동일하며 설명을 생략한다.

실시예 6의 변형예 1에 의하면, 배선 L1과 L2가 교차하는 교차 개소(78)의 배선 L1과 배선 L2 사이에 접지 패턴 Gnd가 설치되어 있다. 이에 의해, 교차 개소(78)에 있어서의 고주파 신호의 간섭을 억제하여, 고주파 특성을 향상시킬 수 있다. 교차 개소(78)에 있어서, 배선 L1과 L2 사이에 복수의 절연층이 형성되어 있어도 된다. 교차 개소(78)에 있어서, 배선 L1과 L2 사이에 복수의 접지 패턴 Gnd가 설치되어 있어도 된다.

실시예 6 및 그 변형예에 관한 모듈을 실시예 1 내지 5 및 그 변형예에 적용할 수도 있다.

이상, 본 발명의 실시예에 대해서 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지 범위 내에서, 다양한 변형ㆍ변경이 가능하다.

10L : 로우 밴드계 회로
10M : 미들 밴드계 회로
10H : 하이 밴드계 회로
12 : 송신 필터
14 : 수신 필터
16 : 다이플렉서
40LH, 40M : 안테나
42 : 분파 회로
50 : 기판
61 내지 63 : 절연층
63 : 금속층
64 : 배선
65 : 비아
66 : 패드
67 : 풋 패드
78 : 교차 개소

Claims (23)

1. 안테나에 접속되고, 다른 안테나에는 접속되지 않고, 로우 밴드와 상기 로우 밴드보다 주파수가 높은 하이 밴드와의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 출력 및 입력되는 단일 제1 안테나 단자와,
   상기 다른 안테나에 접속되고, 상기 안테나에는 접속되지 않고, 상기 로우 밴드보다 주파수가 높고 상기 하이 밴드보다 주파수가 낮은 미들 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 출력 및 입력되는 단일 제2 안테나 단자와,
   상기 로우 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 입력 및 출력되는 로우 밴드 단자와,
   상기 미들 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 입력 및 출력되는 미들 밴드 단자와,
   상기 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호가 각각 입력 및 출력되는 하이 밴드 단자와,
   상기 단일 제1 안테나 단자와 상기 로우 밴드 단자 사이를 상기 로우 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 통과시키고, 상기 미들 밴드 및 상기 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 차단하고, 상기 단일 제1 안테나 단자와 상기 하이 밴드 단자 사이를 상기 하이 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 통과시키고, 상기 로우 밴드 및 상기 미들 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를 차단하는 분파 회로
   를 구비하고,
   상기 단일 제1 안테나 단자는, 상기 미들 밴드의 송신 신호가 출력되지 않고,
   상기 단일 제2 안테나 단자는, 상기 로우 밴드 및 상기 하이 밴드의 송신 신호가 출력되지 않는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로.
2. 제1항에 있어서,
   상기 분파 회로는, 상기 단일 제1 안테나 단자와 상기 로우 밴드 단자 사이에 접속된 로우 패스 필터와, 상기 단일 제1 안테나 단자와 상기 하이 밴드 단자 사이에 접속된 하이 패스 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 로우 밴드는, 699㎒로부터 960㎒의 대역의 적어도 일부를 포함하고,
   상기 미들 밴드는, 1710㎒로부터 2170㎒의 대역의 적어도 일부를 포함하고,
   상기 하이 밴드는, 2305㎒로부터 2690㎒의 대역의 적어도 일부를 포함하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 로우 밴드, 상기 미들 밴드 및 상기 하이 밴드 중 적어도 1개는, 각각 송신 대역 및 수신 대역을 포함하는 복수의 밴드를 포함하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 로우 밴드, 상기 미들 밴드 및 상기 하이 밴드는, 각각 송신 대역 및 수신 대역을 포함하는 복수의 밴드를 포함하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로.
6. 제4항에 있어서,
   복수의 밴드의 송신 신호를 각각 통과시키는 복수의 송신 밴드 패스 필터와,
   복수의 밴드의 수신 신호를 각각 통과시키는 복수의 수신 밴드 패스 필터
   를 구비하는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로.
7. 제6항에 있어서,
   상기 복수의 밴드는, 제1 밴드, 제2 밴드 및 제3 밴드를 포함하고, 상기 제1 밴드의 송신 대역과 상기 제2 밴드의 수신 대역은 적어도 일부가 겹치고, 상기 제3 밴드의 수신 대역은 상기 제1 밴드 및 상기 제2 밴드의 송신 대역과 겹치지 않고,
   상기 제1 밴드의 수신 필터와, 상기 제2 밴드의 수신 필터 사이에 상기 제3 밴드의 수신 필터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로.
8. 제6항에 있어서,
   상기 복수의 밴드는, 제1 밴드, 제2 밴드, 제3 밴드 및 제4 밴드를 포함하고,
   상기 제1 밴드의 수신 신호와 상기 제2 밴드의 수신 신호는 동시에 수신되고,
   상기 제3 밴드의 수신 대역은 상기 제1 밴드의 송신 대역의 적어도 일부와 겹치고,
   상기 제4 밴드의 수신 대역은 상기 제1 밴드 및 상기 제2 밴드의 송신 대역과 겹치지 않고,
   상기 제2 밴드의 수신 필터와, 상기 제3 밴드의 수신 필터 사이에 상기 제4 밴드의 수신 필터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로.
9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 로우 밴드, 상기 미들 밴드 및 상기 하이 밴드 중 적어도 2개의 밴드의 수신 신호는 동시에 수신되고 및/또는 상기 2개의 밴드의 송신 신호는 동시에 송신되는 것을 특징으로 하는 프론트 엔드 회로.
10. 제1항 또는 제2항에 기재된 프론트 엔드 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 모듈.
11. 제1항 또는 제2항에 기재된 프론트 엔드 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
12. 제11항에 있어서,
    상기 단일 제1 안테나 단자에 접속된 로우 밴드용 안테나 및 하이 밴드용 안테나와,
    상기 단일 제2 안테나 단자에 접속된 미들 밴드용 안테나
    를 구비하고,
    상기 로우 밴드용 안테나는, 상기 하이 밴드용 안테나와 상기 미들 밴드용 안테나 사이에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
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