KR101772611B1 - 테스트 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

테스트 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101772611B1
KR101772611B1 KR1020160023411A KR20160023411A KR101772611B1 KR 101772611 B1 KR101772611 B1 KR 101772611B1 KR 1020160023411 A KR1020160023411 A KR 1020160023411A KR 20160023411 A KR20160023411 A KR 20160023411A KR 101772611 B1 KR101772611 B1 KR 101772611B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
space transformer
main circuit
intermediate support
circuit board
support member
Prior art date
Application number
KR1020160023411A
Other languages
English (en)
Inventor
호 예 첸
춘 렁 로우
Original Assignee
스타 테크놀로지스 인코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스타 테크놀로지스 인코포레이션 filed Critical 스타 테크놀로지스 인코포레이션
Application granted granted Critical
Publication of KR101772611B1 publication Critical patent/KR101772611B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/04Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0416Connectors, terminals
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07378Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/073Multiple probes
    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07357Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with flexible bodies, e.g. buckling beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)

Abstract

반도체 디바이스를 테스트하기에 적합한 테스트 장치가 제공된다. 테스트 장치는 메인 회로 기판, 스페이스 트랜스포머, 중간 지지부재, 접착부재, 복수의 전기접속부재 및 복수의 테스트 프로브를 포함한다. 스페이스 트랜스포머는 메인 회로 기판에 배치되고 제1면과 그 제1면 반대쪽의 제2면을 갖는다. 제1면은 메인 회로 기판을 마주한다. 중간 지지부재는 메인 회로 기판과 제1면 사이에 배치된다. 접착부재는 중간 지지부재와 제1면 사이에 배치된다. 스페이스 트랜스포머는 접착부재를 통해 중간 지지부재에 접착된다. 전기접속부재는 메인 회로 기판과 제1면 사이에 배치된다. 각각의 전기접속부재는 중간 지지부재와 접착부재를 관통한다. 그래서 스페이스 트랜스포머는 전기접속부재를 통해 메인 회로 기판에 전기적으로 연결된다. 테스트 프로브는 제2면에 배치되고 스페이스 트랜스포머에 전기적으로 연결된다.

Description

테스트 장치 및 이의 제조 방법{TEST ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 테스트 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 테스트 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 테스트 장치의 개략도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 테스트 장치(100)는 웨이퍼와 같은 반도체 디바이스를 테스트하기에 적합하다. 테스트 장치(100)는 메인 회로 기판(110), 스페이스 트랜스포머(space transformer, 120), 복수의 솔더볼(130), 복수의 테스트 프로브(test probe, 140) 및 언더필(underfill, 150)을 포함한다.
스페이스 트랜스포머(120)는 메인 회로 기판(110) 위에 배치된다. 솔더볼(130)은 메인 회로 기판(110)과 스페이스 트랜스포머(120) 사이에 배치된다. 스페이스 트랜스포머(120)는 솔더볼(130)을 통해 메인 회로 기판(110)에 전기적으로 연결된다. 테스트 프로브들(140)은 솔더볼들(130) 맞은편의 스페이스 트랜스포머(120)의 일측에 배치되며 스페이스 트랜스포머(120)에 전기적으로 연결된다.
언더필(150)은 솔더볼들(130)을 둘러싸기 위하여 메인 회로 기판(110)과 스페이스 트랜스포머(120) 사이에 채워진다. 언더필(150)은 메인 회로 기판(110)과 스페이스 트랜스포머(120)가 솔더볼들(130)에 납땜된 연결점들의 신뢰성을 향상시키기 위해 솔더볼들(130)의 연결점들에 피로를 야기하는 열응력을 감소시킨다.
테스트 장치(100)를 가지고 반도체 디바이스(10)를 테스트하는 동안, 스테이지(미도시) 위에 놓인 반도체 디바이스(10)는 특정한 압력으로 테스트 프로브들(140)을 치기 위하여 위로 민다. 이 때, 언더필(150)과 솔더볼(130)도 상기 압력에 의해 영향을 받는다. 그러나 언더필(150)은 오랫동안 빈번하게 밀리고 부딪히기 때문에 솔더볼(130)을 완전하게 보호할 수 없다. 그래서 메인 회로 기판(110)과 스페이스 트랜스포머(120)는 양호한 전기적 연결을 유지하지 못하게 된다. 결과적으로, 종래의 테스트 장치(100)에 있어서 솔더볼들(130)의 일부분은 장기간이나 잦은 사용 후에 크랙이나 심지어는 균열이 발생할 가능성이 많다. 그래서 메인 회로 기판(110)과 스페이스 트랜스포머(120) 사이의 전기적 연결은 거꾸로 영향을 받는다.
게다가, 전술한 바와 같이 전기적 연결이 악화되는 경우, 솔더볼을 제거하고 재셋팅하고자 하는 사용자는 언더필(150)에 의해 야기된 접착력 때문에 방해를 받게 될 것이다.
본 발명은 테스트 과정에서 메인 회로 기판과 스페이스 트랜스포머의 사이의 전기접속부재에 가해지는 압력 때문에 전기접속부재가 열화되는 일이 쉽게 발생하지 않는 테스트 장치를 제공한다.
본 발명은 전술한 언더필의 접착력이 없기 때문에 메인 회로 기판과 스페이스 트랜스포머 사이의 전기접속부재가 쉽게 제거되고 재셋팅될 수 있는 테스트 장치를 제공한다.
본 발명은 반도체 디바이스를 테스트하기에 적합한 테스트 장치를 제공한다. 테스트 장치는 메인 회로 기판, 스페이스 트랜스포머, 중간 지지부재, 접착 부재, 복수의 전기접속부재 및 복수의 테스트 프로브를 포함한다. 스페이스 트랜스포머는 메인 회로 기판 위에 배치되며 제1면과 제1면 반대쪽의 제2면을 갖는다. 제1면은 메인 회로 기판을 마주한다. 중간 지지부재는 메인 회로 기판과 제1면 사이에 배치된다. 접착부재는 중간 지지부재와 제1면 사이에 배치된다. 스페이스 트랜스포머는 접착부재를 통해 중간 지지부재에 부착된다. 전기접속부재들은 메인 회로 기판과 제1면 사이에 배치된다. 각 전기접속부재는 중간 지지부재와 접착부재를 관통하므로 스페이스 트랜스포머는 전기접속부재를 통해 메인 회로 기판에 전기적으로 연결된다. 테스트 프로브들은 제2면에 배치되고 스페이스 트랜스포머에 전기적으로 연결된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 접착부재가 스페이스 트랜스포머에 접착되는 접착 강도는 전기접속부재에 의해 스페이스 트랜스포머에 가해지는 압력보다 크다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 접착부재가 중간 지지부재에 접착되는 접착되는 접착 강도는 전기접속부재에 의해 스페이스 트랜스포머에 가해지는 압력보다 크다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 각 전기접속부재는 포고 핀이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 테스트 장치는 메인 회로 기판 위에 배치된 홀딩부재를 더 포함한다. 홀딩부재는 중간 지지부재와 메인 회로 기판 사이의 위치 관계를 유지하기 위해 중간 지지부재를 압착한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 테스트 장치는 메인 회로 기판에 배치된 홀딩부재를 더 포함한다. 홀딩부재는 스페이스 트랜스포머, 중간 지지부재 및 메인 회로 기판 사이의 위치 관계를 유지하기 위해 스페이스 트랜스포머를 압착한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 접착부재는 핫 멜트형 접착제일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중간 지지부재와 중간 지지부재에 붙은 스페이스 트랜스포머로 이루어진 결합 부품은 메인 회로 기판에 분리 가능하게 배치된다. 전기접속부재는 중간 지지부재에 분리 가능하게 배치된다.
본 발명은 또한 다음의 단계를 포함하는 테스트 장치 제조 방법을 제공한다. 먼저, 접착부재가 스페이스 트랜스포머의 제1면에 배치된다. 다음, 복수의 쓰루홀이 접착부재에 형성된다. 다음, 중간 지지부재가 접착부재를 통해 스페이스 트랜스포머의 제1면에 접착된다. 다음, 각 전기접속부재가 중간 지지부재의 쓰루홀들 중 하나와 접착부재의 쓰루홀들 중 하나에 배치된다. 그래서 각 전기접속부재는 중간 지지부재와 접착부재를 관통한다. 다음, 결합된 스페이스 트랜스포머, 중간 지지부재 및 전기접속부재들은 메인 회로 기판에 배치되어 제1면은 메인 회로 기판과 마주하고 스페이스 트랜스포머는 전기접속부재를 통해 메인 회로 기판에 전기적으로 연결된다. 그 다음, 테스트 프로브는 제1면 반대쪽의 스페이스 트랜스포머의 제2면에 배치되어 테스트 프로브는 스페이스 트랜스포머에 전기적으로 연결된다.
본 발명은 다음 단계를 포함하는 테스트 장치의 다른 제조 방법을 더 제공한다. 먼저, 접착부재는 중간 지지부재에 배치된다. 다음, 쓰루홀들이 접착부재에 형성된다. 다음, 스페이스 트랜스포머의 제1면이 접착부재를 통해 중간 지지부재에 접착된다. 다음, 각 전기접속부재가 중간 지지부재의 쓰루홀들 중 하나와 접착부재의 쓰루홀들 중 하나에 배치된다. 그래서 각 전기접속부재는 중간 지지부재와 접착부재를 관통한다. 다음, 결합된 스페이스 트랜스포머, 중간 지지부재, 전기접속부재들은 메인 회로 기판에 배치된다. 그래서 제1면은 메인 회로 기판을 마주하고 스페이스 트랜스포머는 전기접속부재를 통해 메인 회로 기판에 전기적으로 연결된다. 다음, 테스트 프로브는 제1면 반대쪽의 스페이스 트랜스포머의 제2면에 배치되어 테스트 프로브는 스페이스 트랜스포머에 전기적으로 연결된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 중간 지지부재를 접착부재를 통해 스페이스 트랜스포머의 제1면에 접착하는 단계는 중간 지지부재와 스페이스 트랜스포머의 제1면을 핫 멜트 접착하기 위해 접착부재를 가열하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 접착부재에 쓰루홀을 형성하는 단계는 레이저 천공 과정으로 행해질 수 있다.
본 발명의 각 실시예에 따른 테스트 장치를 가지고 반도체 디바이스를 테스트하는 동안, 중간 지지부재와 중간 지지부재에 붙은 스페이스 트랜스포머로 이루어진 결합 부품은 테스트 프로브를 치고 위로 밀치는 반도체 디바이스에 의해 야기되는 압력의 일부를 견딜 수 있다. 그러므로, 본 발명의 각 실시예에 따른 테스트 장치의 전기접속부재는 종래에 비하여 장기간이나 자주 사용된 뒤 덜 손상을 입을 수 있다. 그리하여 메인 회로 기판과 스페이스 트랜스포머 사이의 양호한 전기적 연결이 유지될 수 있다.
도 1은 종래의 테스트 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 테스트 장치의 개략도이다.
도 3A 내지 3E는 도 2의 테스트 장치를 제조하는 방법의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 테스트 장치의 개략도이다.
전술한, 그리고 추가적인 양상들은 후술하는 실시 예들을 통해 명확해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 대응되는 구성 요소들은 동일한 번호로 참조된다. 또한, 구성요소들의 형상이나 크기 등은 실제보다 과장될 수 있다. 그리고 관련된 공지 기술에 대한 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 생각되는 경우 그 공지 기술에 대한 설명은 생략한다.
이하, 본 발명의 다양한 실시 예들을 통해 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 테스트 장치의 개략도이다. 도 2를 참조하면, 제1실시예의 테스트 장치(200)는 웨이퍼와 같은 반도체 디바이스(20)를 테스트하기에 적합하다. 테스트 장치(200)는 메인 회로 기판(210), 스페이스 트랜스포머(220), 중간 지지부재(230), 접착부재(240), 복수의 전기접속부재(250) 및 복수의 테스트 프로브(260)를 포함한다. 스페이스 트랜스포머(220)는 메인 회로 기판(210) 위에 배치되고 제1면(222)과 제1면(222) 맞은편의 제2면(224)을 갖는다. 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222)은 메인 회로 기판(210)을 마주본다.
중간 지지부재(230)는 메인 회로 기판(210)과 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222)의 사이에 배치되며 복수의 쓰루홀(232)을 갖는다. 핫 멜트형 접착제 같은 접착부재(240)는 중간 지지부재(230)와 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222) 사이에 배치되며 복수의 쓰루홀(242)을 갖는다. 스페이스 트랜스포머(220)는 접착부재(240)를 통해 중간 지지부재(230)에 접착된다.
포고 핀들 같은 전기접속부재(250)는 메인 회로 기판(210)과 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222) 사이에 배치된다. 각 전기접속부재(250)는 중간 지지부재(230)의 쓰루홀들(232) 중 하나와 접착부재(240)의 쓰루홀들(242) 중 하나에 배치되므로 각 전기접속부재(250)는 중간 지지부재(230)와 접착부재(240)를 관통한다. 이 실시예에서, 중간 지지부재(230)는 포고 하우징(pogo housing)일 수 있으며, 포고 핀과 같은 전기접속부재(250)는 중간 지지부재(230)에 분리 가능하게 배치된다.
스페이스 트랜스포머(220)는 전기접속부재(250)를 통해 메인 회로 기판(210)에 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222)에 배치된 전기 패드들(electrical pads, 미도시) 중 하나는 전기접속부재들(250) 중 하나를 통해 메인 회로 기판(210)의 전기 패드들(미도시) 중 하나에 전기적으로 연결된다. 스페이스 트랜스포머(220)는 내부에 배선을 구비하고 있기 때문에 또 다른 회로 기판으로 여겨질 수 있다.
이 실시예에서, 스페이스 트랜스포머(220)에 접착부재(240)가 접착되는 접착 강도는 포코 핀 같은 전기접속부재(250)에 의해 스페이스 트랜스포머(220)에 가해지는 압력보다 크다. 이 실시예에서, 접착부재(240)가 중간 지지부재(230)에 접착되는 접착 강도는 포고 핀 같은 전기접속부재(250)에 의해 스페이스 트랜스포머(220)에 가해지는 압력보다 크다.
제1실시예에서, 테스트 장치(200)는 프로브 헤드(270)를 더 포함한다. 프로브 헤드(270)와 테스트 프로브(260)는 스페이스 트랜스포머(220)의 제2면(224) 에 배치된다. 테스트 프로브(260)는 스페이스 트랜스포머(220)에 전지적으로 연결되기 위해 프로브 헤드(270)를 관통한다. 구체적으로, 각각의 테스트 프로브들(260)는 스페이스 트랜스포머(220)의 제2면(224)에 배치된 전기 패드(미도시)에 전기적으로 연결된다. 이 실시예에서, 각 테스트 프로브(260)는 예로 포고 프로브로 대표되는 수직형 프로브이다. 그러나, 다른 실시예에서, 각 테스트 프로브(260)는 버클링 빔 프로브(bucking beam probe, 미도시)이다. 도시되지는 않았지만, 수직형 프로브에 더해 각 테스트 프로브(260)는 어떤 형태의 프로브일 수도 있다. 다른 실시예에서, 프로브 헤드(270)는 생략된다.
이 실시예에서, 테스트 장치(200)는 메인 보강재(280), 복수의 잠금부재(fastener, 290) 및 홀딩부재(H1)를 더 포함할 수 있다. 각 잠금부재(290)는 예를 들면 볼트이다. 메인 보강재(280)는 잠금부재(290)를 통해 메인 회로 기판(210)에 고정되게 배치된다. 메인 보강재(280)는 메인 회로 기판(210)의 구조적 강도를 강화한다. 메인 보강재(280)와 스페이스 트랜스포머(220)는 각각 메인 회로 기판(210)의 반대되는 양측에 배치된다.
홀딩부재(H1)는 잠금부재(290)에 의해 메인 회로 기판(210)에 배치된다. 홀딩부재(H1)는 중간 지지부재(230)와 메인 회로 기판(210)의 위치 관계를 유지하기 위해 중간 지지부재(230)를 압착한다. 이 실시예에서, 중간 지지부재(230)와 중간 지지부재(230)에 붙은 스페이스 트랜스포머(220)로 이루어진 결합 부품은 분리 가능하다. 즉, 결합 부품은 메인 회로 기판(210)에 분리 가능하게 배치된다.
본 실시예에 따른 테스트 장치(200)를 제조하는 방법이 아래에서 설명된다. 도 3A 내지 도 3E는 도 2의 테스트 장치를 제조하는 방법의 개략도이다. 먼저, 도 3A를 참조하면, 접착부재(240)는 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222)에 배치된다. 다음, 도 3B를 참조하면, 쓰루홀(242)은 접착부재(240)에 형성된다. 이 실시예에서, 쓰루홀(242)을 형성하는 단계는 레이저 천공 과정으로 이루어진다. 다음, 도 3C를 참조하면, 중간 지지부재(230)는 접착부재(240)를 통해 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222)에 접착된다. 이 실시예에서, 중간 지지부재(230)를 접착부재(240)를 통해 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222)에 접착하는 단계는 중간 지지부재(230)와 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222)을 핫 멜트 접착하기 위해 접착부재(240)를 가열하는 것을 포함한다. 그러나, 다른 실시예에서, 상기의 3단계는 다음의 3단계로 대체될 수 있다: 중간 지지부재에 접착부재를 배치하는 단계; 접착부재에 쓰루홀을 형성하는 단계; 및 접착부재를 통해 스페이스 트랜스포머의 제1면을 중간 지지부재에 접착하는 단계. 그러나, 상기의 대체된 3단계는 도시되지 않았다.
다음, 도 3D를 참조하면, 각 전기접속부재(250)는 중간 지지부재(230)의 쓰루홀들(232) 중 하나와 접착부재(240)의 쓰루홀들(242) 중 하나에 배치되어서 각 전기접속부재(250)는 중간 지지부재(230)와 접착부재(240)를 관통한다. 다음, 도 3E를 참조하면, 결합된 스페이스 트랜스포머(220), 중간 지지부재(230) 및 전기접속부재(250)는 메인 회로 기판(210)에 배치되어서 스페이스 트랜스포머(220)의 제1면(222)은 메인 회로 기판(210)을 마주하고 스페이스 트랜스포머(220)는 전기접속부재(250)를 통해 메인 회로 기판(210)에 전기적으로 연결된다. 다음, 도 3E를 참조하면, 테스트 프로브(260)는 제1면(222)에 반대되는 스페이스 트랜스포머(220)의 제2면(224)에 배치되어 테스트 프로브(260)는 스페이스 트랜스포머(220)에 전기적으로 연결된다.
도 2를 다시 참조하면, 테스트 장치(220)를 가지고 반도체 디바이스(20)를 테스트하는 동안, 스테이지(미도시) 위에 배치된 반도체 디바이스(20)는 특정한 압력으로 테스트 프로브(260)를 치기 위하여 위로 밀친다. 이 때, 중간 지지부재(230)와 전기접속부재(250)도 전술한 압력에 영향을 받는다. 그러나, 중간 지지부재(230)와 중간 지지부재(230)에 붙은 스페이스 트랜스포머(220)로 이루어진 결합 부품은 전술한 압력의 일부를 견딜 수 있는 충분한 압축 강도를 갖는다. 그러므로, 이 실시예에 따른 테스트 장치(200)의 전기접속부재(250)는 종래와 비교하여 장기간 또는 자주 사용된 뒤 덜 손상을 입을 수 있어서 메인 회로 기판(210)과 스페이스 트랜스포머(220) 사이에 양호한 전기적 연결이 유지될 수 있다.
그럼에도 불구하고, 더 장기간 또는 자주 사용된 뒤에는, 전기접속부재(250)가 어쩔 수 없이 손상을 입게 된다. 따라서 메인 회로 기판(210)과 스페이스 트랜스포머(220)의 전기적 연결은 거꾸로 영향을 받는다. 그러나, 중간 지지부재(230)와 중간 지지부재(230)에 붙은 스페이스 트랜스포머(220)로 이루어진 결합 부품이 분리 가능하므로, 메인 회로 기판(210)과 결합 부품의 분리에 의해, 손상된 전기접속부재(250)는 분리되고 새로운 전기접속부재(250)로 교체될 수 있다. 그러므로, 종래에 비하여, 본 발명의 이 실시예에 따른 테스트 장치(200)의 전기접속부재(250)는 쉽게 분리되고 재셋팅될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 테스트 장치의 개략도이다. 도 2와 도 4를 참조하면, 제2실시예의 테스트 장치(300)와 제1실시예의 테스트 장치(200)의 차이는 제2실시예의 테스트 장치(300)의 홀딩부재(H1')가 스페이스 트랜스포머(320)와 중간 지지부재(330) 및 메인 회로 기판(310)의 위치 관계를 유지하기 위해 스페이스 트랜스포머(320)를 압착한다는 것이다.
전술한 본 발명의 각 실시예는 다음 중 하나 또는 또 다른 장점을 갖는다. 본 발명의 각 실시예의 테스트 장치를 가지고 반도체 디바이스를 테스트하는 동안, 중간 지지부재와 중간 지지부재에 붙은 스페이스 트랜스포머로 이루어진 결합 부품은 테스트 프로브를 치고 위로 밀치는 반도체 디바이스에 의해 야기된 압력의 일부를 견딜 수 있다. 그러므로, 본 발명의 각 실시예의 테스트 장치의 전기접속부재는 종래에 비해, 장기간 또는 자주 사용된 뒤에, 덜 손상을 입게 되어 메인 회로 기판과 스페이스 트랜스포머가 양호한 전기적 연결을 유지하게 된다.
그럼에도 불구하고, 더 장기간 또는 자주 사용된 뒤에는, 전술한 이 발명의 각 실시예의 전기접속부재는 어쩔 수 없이 손상을 입게 된다. 그러나, 중간 지지부재와 중간 지지부재에 붙은 스페이스 트랜스포머로 이루어진 결합 부품이 분리 가능하므로, 메인 회로 기판과 결합 부품의 분리에 의해, 손상된 전기접속부재는 분리되고 새로운 전기접속부재로 교체될 수 있다. 그러므로, 종래에 비하여, 본 발명의 각 실시예에 따른 테스트 장치의 전기접속부재는 쉽게 분리되고 재셋팅될 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
10: 반도체 디바이스 100: 테스트 장치
110: 메인 회로 기판 120: 스페이스 트랜스포머
130: 솔더볼 140: 테스트 프로브
150: 언더필 230: 중간 지지부재
240: 접착부재 250: 전기접속부재
260: 테스트 프로브 270: 프로브 헤드
280: 메인 보강재 290: 잠금부재

Claims (16)

  1. 반도체 디바이스를 테스트하기에 테스트 장치로서,
    메인 회로 기판;
    상기 메인 회로 기판에 배치되며 상기 메인 회로 기판을 마주하는 제1면과 상기 제1면 반대쪽의 제2면을 구비한 스페이스 트랜스포머;
    상기 메인 회로 기판과 상기 제1면 사이에 배치된 중간 지지부재;
    상기 중간 지지부재와 상기 제1면 사이에 배치되는 접착부재;
    상기 메인 회로 기판과 상기 제1면 사이에 배치되는 복수의 전기접속부재; 및
    제2면에 배치되며 스페이스 트랜스포머에 전기적으로 연결된 복수의 테스트 프로브;
    를 포함하며,
    상기 스페이스 트랜스포머는 상기 접착부재를 통해 중간 지지부재에 접착되며, 각각의 전기접속부재는 중간 지지부재와 접착부재를 관통하여서 스페이스 트랜스포머는 전기접속부재를 통해 메인 회로 기판에 전기적으로 연결된 테스트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착부재가 상기 스페이스 트랜스포머에 접착되는 접착 강도는 전기접속부재에 의해 스페이스 트랜스포머에 가해지는 압력보다 큰 테스트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 접착부재가 상기 중간 지지부재에 접착되는 접착 강도는 전기접속부재에 의해 스페이스 트랜스포머에 가해지는 압력보다 큰 테스트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    각각의 전기접속부재는 포고 핀인 테스트 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 메인 회로 기판에 배치된 홀딩부재를 더 포함하며,
    상기 홀딩부재는 중간 지지부재와 메인 회로 기판 사이의 위치 관계를 유지하기 위해 중간 지지부재를 압착하는 테스트 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 메인 회로 기판에 배치된 홀딩부재를 더 포함하며,
    상기 홀딩부재는 스페이스 트랜스포머, 중간 지지부재 및 메인 회로 기판 사이의 위치 관계를 유지하기 위해 스페이스 트랜스포머를 압착하는 테스트 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 접착부재는 핫 멜트형 접착제인 테스트 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 중간 지지부재와 상기 중간 지지부재에 붙은 스페이스 트랜스포머로 이루어진 결합 부품은 메인 회로 기판에 분리 가능하게 배치되고, 전기접속부재는 중간 지지부재에 분리 가능하게 배치된 테스트 장치.
  9. 스페이스 트랜스포머의 제1면에 접착부재를 배치하는 단계;
    상기 접착부재에 복수의 쓰루홀을 형성하는 단계;
    상기 스페이스 트랜스포머의 제1면에 접착부재를 통해 중간 지지부재를 접착하는 단계;
    중간 지지부재의 쓰루홀들 중 하나와 접착부재의 쓰루홀들 중 하나에 각각의 전기접속부재를 배치하여서 각 전기접속부재가 중간 지지부재와 접착부재를 관통하는 단계;
    메인 회로 기판에 결합된 스페이스 트랜스포머, 중간 지지부재 및 전기접속부재를 배치하여 제1면은 메인 회로 기판을 마주하고 스페이스 트랜스포머는 전기접속부재를 통해 메인 회로 기판에 전기적으로 연결되는 단계; 및
    제1면 반대쪽의 스페이스 트랜스포머의 제2면에 테스트 프로브를 배치하여 테스트 프로브가 스페이스 트랜스포머에 전기적으로 연결되는 단계;
    를 포함하는 테스트 장치 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    접착부재를 통해 스페이스 트랜스포머의 제1면에 중간 지지부재를 접착하는 단계는,
    중간 지지부재와 스페이스 트랜스포머의 제1면을 핫 멜트 접착하기 위해 접착 부재를 가열하는 것을 포함하는 테스트 장치 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    접착부재에 쓰루홀을 형성하는 단계는 레이저 천공 과정으로 이루어지는 테스트 장치 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    접착부재에 쓰루홀을 형성하는 단계는 접착부재를 스페이스 트랜스포머의 제1면에 배치하는 단계 다음에 이루어지는 테스트 장치 제조 방법.
  13. 중간 지지부재에 접착부재를 배치하는 단계;
    접착부재에 복수의 쓰루홀을 형성하는 단계;
    접착부재를 통해 중간 지지부재에 스페이스 트랜스포머의 제1면을 접착하는 단계;
    중간 지지부재의 쓰루홀들 중 하나와 접착부재의 쓰루홀들 중 하나에 각각의 전기접속부재를 배치하여서 각 전기접속부재가 중간 지지부재와 접착부재를 관통하는 단계;
    결합된 스페이스 트랜스포머, 중간 지지부재 및 전기접속부재를 메인 회로 기판에 배치하여서 제1면은 메인 회로 기판을 마주하고 상기 스페이스 트랜스포머는 전기접속부재를 통해 상기 메인 회로 기판에 전기적으로 연결되는 단계; 및
    제1면 반대쪽의 스페이스 트랜스포머의 제2면에 테스트 프로브를 배치하여 테스트 프로브가 스페이스 트랜스포머에 전기적으로 연결되는 단계;
    를 포함하는 테스트 장치 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    접착부재를 통해 스페이스 트랜스포머의 제1면에 중간 지지부재를 접착하는 단계는 상기 중간 지지부재와 상기 스페이스 트랜스포머의 제1면을 핫 멜트 접착하기 위해 접착부재를 가열하는 것을 포함하는 테스트 장치 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    접착부재에 쓰루홀을 형성하는 단계는 레이저 천공 과정으로 이루어지는 테스트 장치 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    접착부재에 쓰루홀을 형성하는 단계는 접착부재를 중간 지지부재에 배치하는 단계 다음에 이루어지는 테스트 장치 제조 방법.
KR1020160023411A 2015-02-26 2016-02-26 테스트 장치 및 이의 제조 방법 KR101772611B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104106182A TWI551870B (zh) 2015-02-26 2015-02-26 測試組件與其製作方法
TW104106182 2015-02-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101772611B1 true KR101772611B1 (ko) 2017-08-29

Family

ID=56798807

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160023411A KR101772611B1 (ko) 2015-02-26 2016-02-26 테스트 장치 및 이의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10088502B2 (ko)
JP (1) JP2016180749A (ko)
KR (1) KR101772611B1 (ko)
TW (1) TWI551870B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170176496A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Akshay Mathkar Space transformer including a perforated mold preform for electrical die test

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008541056A (ja) 2005-05-03 2008-11-20 エスヴィー プローブ ピーティーイー リミテッド 誘電性構造体を有する集成プローブカード

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741085B1 (en) * 1993-11-16 2004-05-25 Formfactor, Inc. Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts
US6759759B2 (en) * 2000-08-29 2004-07-06 Tamagawa Seiki Kabushiki Kaisha Rotary contactless connector and non-rotary contactless connector
JP4449228B2 (ja) 2001-02-06 2010-04-14 凸版印刷株式会社 検査治具の製造方法
US7071715B2 (en) * 2004-01-16 2006-07-04 Formfactor, Inc. Probe card configuration for low mechanical flexural strength electrical routing substrates
JP4823667B2 (ja) 2005-12-05 2011-11-24 日本発條株式会社 プローブカード
KR101025895B1 (ko) 2006-06-08 2011-03-30 니혼 하츠쵸 가부시키가이샤 프로브 카드
US7692433B2 (en) * 2006-06-16 2010-04-06 Formfactor, Inc. Sawing tile corners on probe card substrates
TW200846668A (en) * 2007-01-23 2008-12-01 Nictech Co Ltd Probe and probe card having the same
JP2010210478A (ja) 2009-03-11 2010-09-24 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
TWI402932B (zh) * 2009-05-27 2013-07-21 Star Techn Inc 具有多軸載台之半導體元件測試裝置
TWI443341B (zh) * 2011-07-28 2014-07-01 Star Techn Inc 半導體元件測試裝置
TW201437642A (zh) * 2013-03-26 2014-10-01 Mpi Corp 用於探針卡之空間轉換器的製造方法
TWI493195B (zh) * 2013-11-04 2015-07-21 Via Tech Inc 探針卡
US9581639B2 (en) * 2013-12-28 2017-02-28 Intel Corporation Organic space transformer attachment and assembly

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008541056A (ja) 2005-05-03 2008-11-20 エスヴィー プローブ ピーティーイー リミテッド 誘電性構造体を有する集成プローブカード

Also Published As

Publication number Publication date
US10088502B2 (en) 2018-10-02
US20160252548A1 (en) 2016-09-01
JP2016180749A (ja) 2016-10-13
TW201631323A (zh) 2016-09-01
TWI551870B (zh) 2016-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0826152B1 (en) Method and apparatus for testing semiconductor dice
US7288954B2 (en) Compliant contact pin test assembly and methods thereof
US8884630B2 (en) Active pin connection monitoring system and method
US20090178275A1 (en) Silicon Carrier Including An Integrated Heater For Die Rework And Wafer Probe
KR101390140B1 (ko) 저항 측정 구조를 갖는 3차원 집적 회로 및 이의 이용 방법
TWI534976B (zh) 電氣互連裝置
US20120313659A1 (en) Probe Card for Probing Integrated Circuits
US8603840B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR20130111401A (ko) 반도체 모듈
CN101166983B (zh) 灵活的微电路空间转接装置装配
US20140176165A1 (en) Apparatus for Three Dimensional Integrated Circuit Testing
KR101772611B1 (ko) 테스트 장치 및 이의 제조 방법
US20140340108A1 (en) Test assembly
KR102287237B1 (ko) 반도체 패키지를 수납하기 위한 인서트 조립체 및 이를 포함하는 테스트 트레이
KR20140020627A (ko) 전기 검사용 지그의 제조방법
KR20130102405A (ko) 플립 칩 패키지 및 그의 제조 방법
US6472234B2 (en) Failure analysis method for chip of ball grid array type semiconductor device
KR102108475B1 (ko) 전기 연결 장치
KR20090047314A (ko) 기판 검사 장치
WO2017053910A1 (en) Interface apparatus for semiconductor testing and method of manufacturing same
JP2009043640A (ja) 電気接続器及びこれを用いた電気的接続装置
KR100930527B1 (ko) 프로브 카드와 세라믹기판 간의 솔더볼 접착방법
JP2009139160A (ja) プローブカードの製造方法
KR20160038181A (ko) 컨택트 핀 가이드 플레이트 및 이를 이용한 컨택트 핀 접합방법
TW201833560A (zh) 電子元件測試插座

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant