KR101738690B1 - The sensing method of the alien substance of the back side and the sensing apparatus of the alien substance of the back side and coating apparatus - Google Patents

The sensing method of the alien substance of the back side and the sensing apparatus of the alien substance of the back side and coating apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101738690B1
KR101738690B1 KR1020110019480A KR20110019480A KR101738690B1 KR 101738690 B1 KR101738690 B1 KR 101738690B1 KR 1020110019480 A KR1020110019480 A KR 1020110019480A KR 20110019480 A KR20110019480 A KR 20110019480A KR 101738690 B1 KR101738690 B1 KR 101738690B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
light
amount
light beam
value
Prior art date
Application number
KR1020110019480A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110103333A (en
Inventor
요시타카 오쯔카
도시후미 이나마스
다카오 다카키
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20110103333A publication Critical patent/KR20110103333A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101738690B1 publication Critical patent/KR101738690B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/02—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means designed to produce a jet, spray, or other discharge of particular shape or nature, e.g. in single drops, or having an outlet of particular shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination

Abstract

[과제] 부상 방식의 스핀레스 도포법에 있어서 슬릿 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 가할 우려가 있는 유해한 이면 이물을 정밀도 좋고 확실하게 검출하는 것.
[해결수단] 이 레지스트 도포장치는, 이면 이물 검출장치(50)를 구비함으로써, 유해한(즉, 슬릿 노즐(14)에 기판(G)의 상면을 문질러 손상을 가할 우려가 있는) 이면 이물(Q)을 슬릿 노즐(14)보다 기판 반송 방향(X방향)의 상류측에서 확실하게 검출함이 가능하다. 그리고, 이면 이물 검출장치(50)가 그러한 유해 이면 이물(Q)을 검출했을 때 발생하는 경보 신호(WS)에 응답하여, 주제어부(52)가 노즐 승강기구(36)를 통하여 슬릿 노즐(14)을 즉시 상승 이동시킴으로써, 슬릿 노즐(14)은 기판(G)의 증가 부분(GQ)을 비켜가게 할 수 있어(미끄럼접촉 또는 충돌을 피할 수 있어), 슬릿 노즐(14)의 손상이 방지된다.[PROBLEMS] To accurately and reliably detect a harmful back side foreign object which may scratch the top surface of a substrate and cause damage to the slit nozzle in a floating spin coating method.
This resist coating device is provided with a back side foreign matter detecting device 50 so that the foreign matter (Q) can be prevented from being detrimental (that is, when the top face of the substrate G is rubbed with the slit nozzle 14, Can be reliably detected on the upstream side of the slit nozzle 14 in the substrate transport direction (X direction). In response to the alarm signal WS generated when the foreign object detecting apparatus 50 detects such foreign object Q, the main control section 52 controls the slit nozzle 14 The slit nozzle 14 can displace the increased portion G Q of the substrate G (avoiding sliding contact or collision) so that the slit nozzle 14 can be prevented from being damaged do.

Figure R1020110019480
Figure R1020110019480

Description

이면 이물 검출방법 및 이면 이물 검출장치 및 도포장치{THE SENSING METHOD OF THE ALIEN SUBSTANCE OF THE BACK SIDE AND THE SENSING APPARATUS OF THE ALIEN SUBSTANCE OF THE BACK SIDE AND COATING APPARATUS}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a backside foreign matter detecting method, a backside foreign matter detecting device,

본 발명은, 부상 스테이지 상에서 피처리 기판에 처리액을 도포하는 도포장치에 관한 것이며, 특히 기판의 이면에 부착하는 바람직하지 않은 이물을 검출하기 위한 이면 이물 검출방법 및 이면 이물 검출장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating apparatus for applying a treatment liquid onto a substrate to be treated on a floating stage, and more particularly to a backside particle detection method and a backside particle detection apparatus for detecting undesirable foreign particles adhering to a back surface of a substrate.

LCD 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에서의 포토리소그래피 공정에는, 슬릿 형상의 토출구를 갖는 긴 형의 슬릿 노즐을 이용하여 피처리 기판(유리 기판 등) 상에 레지스트액을 도포하는 스핀레스의 도포법이 자주 이용되고 있다.In a photolithography process in a process of manufacturing a flat panel display (FPD) such as an LCD, a spin-less process for applying a resist solution onto a substrate to be processed (glass substrate or the like) by using a long slit nozzle having a slit- Is often used.

이러한 스핀레스 도포법의 한가지 형식으로서, 기판을 지지하기 위한 스테이지에 기판 부상 기구를 조립하고, 이 부상 스테이지 상에서 기판을 공중에 띄워 수평인 일 방향(스테이지 길이방향)으로 반송하며, 반송 도중의 소정 위치에서 스테이지 상방에 설치한 슬릿 노즐로부터 직하(直下)를 통과하는 기판을 향하여 레지스트액을 띠 형상으로 토출시킴으로써, 기판 상의 일단(一端)으로부터 타단(他端)까지 레지스트액을 도포하도록 한 부상 방식이 알려져 있다.As one form of such a spinless coating method, a substrate lifting mechanism is assembled on a stage for supporting a substrate, and the substrate is transported in the air in one horizontal direction (stage length direction) on the floating stage, In which the resist solution is applied from one end to the other end of the substrate by discharging the resist solution in the form of a strip from the slit nozzle provided above the stage toward the substrate passing directly below Is known.

이러한 부상 방식의 스핀레스 도포법에 있어서, 기판 상에 레지스트액의 도포막을 설정 대로의 막두께로 균일하게 형성하려면, 슬릿 노즐의 토출구와 기판 사이에 형성되는 통상 100㎛ 전후의 미소한 갭을 정확하게 설정치 또는 그 부근으로 유지함이 요구된다.In this floating-type spin-less coating method, in order to uniformly form a coating film of the resist solution on the substrate in the film thickness as set, a fine gap of about 100 mu m formed between the discharge port of the slit nozzle and the substrate is accurately It is required to keep it at or near the set value.

이 요구 조건을 만족시키기 위해서, 부상 방식의 스핀레스 도포법을 채용하는 레지스트 도포장치는, 부상 스테이지의 대략 전역에 고압 또는 양압의 기체, 예를 들면 에어를 분출하는 분출구를 소정의 밀도로 다수 설치할 뿐만 아니라, 부상 스테이지 상에서 슬릿 노즐의 직하 및 그 전후의 영역으로서 설정되는 도포영역에는, 부압으로 에어를 흡입하는 흡인구를 분출구에 혼재시키고 있다. 그리고, 이 도포 영역 내에서는, 거기를 통과하는 기판에 대해서, 분출구로부터 가해지는 수직 상향의 압력과, 흡인구로부터 가해지는 수직 하향의 압력의 밸런스를 취해서, 기판에 주어지는 부상 압력을 정밀하게 제어하여, 기판의 부상 높이를 설정치(통상 50㎛ 이하)에 맞추도록 하고 있다(예를 들면 특허문헌 1).In order to satisfy this requirement, a resist coating apparatus employing a floating-type spinless coating method is provided with a plurality of jetting ports for jetting high-pressure or positive-pressure gas, for example air, In addition, a suction port for sucking air by a negative pressure is mixed in the spray port in a spray area set as a region directly under the slit nozzle on the floating stage and before and after the slit nozzle. In the application region, a balance between the vertical upward pressure applied from the jet port and the vertical downward pressure applied from the suction port is obtained with respect to the substrate passing therethrough, and the floating pressure applied to the substrate is precisely controlled , And the flying height of the substrate is adjusted to a set value (usually 50 μm or less) (for example, Patent Document 1).

일본 공개특허 2007-190483 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2007-190483

상기와 같은 부상 방식의 스핀레스 도포법에서도, 다른 스핀레스 도포법과 마찬가지로, 도포 처리를 받기 직전의 기판에 이물이 부착되어 있는 경우가 있으며, 슬릿 노즐의 선단(토출구)에 이물 또는 기판의 상면이 문질러지면, 슬릿 노즐이 손상되는 경우가 있다. 슬릿 노즐의 토출구에 조금이라도 상처가 나면, 띠 형상의 토출류(吐出流)가 불균일하게 되어, 도포막의 막질 저하로 직결된다. 슬릿 노즐은 매우 고가이고, 그 부품 교환을 저비용으로 간편하게 행할 수 있는 것은 아니기 때문에, 기판에 부착하는 이물의 조기 검출은 중요한 과제로 되어 있다.In the above-described spin-less spin coating method, foreign matter may adhere to the substrate immediately before the application of the coating treatment as in the other spinless coating methods, and the foreign matter or the top surface of the substrate may be adhered to the tip (discharge port) When rubbed, the slit nozzle may be damaged. If a slight damage is made to the discharge port of the slit nozzle, the strip-shaped discharge flow becomes nonuniform, and the film quality of the coating film is directly lowered. Since slit nozzles are very expensive and can not be easily replaced at low cost, early detection of foreign matter adhering to the substrate is an important issue.

기판상의 이물로는, 기판의 표면(상면)에 부착하는 표면 이물과, 기판의 이면(하면)에 부착하는 이면 이물의 2종류가 있다. 이 중에서, 표면 이물은, 기판의 상면을 스치도록 광 빔을 횡단시키는 광센서를 이용하여, 광 빔의 차광분 또는 수광량 감소분의 크기로부터 유해한(즉, 슬릿 노즐을 직접 문질러 상처를 입힐 우려가 있는) 이물을 용이하게 검출할 수 있다. 따라서, 종래의 이물 검출장치로 대응할 수 있었다.There are two types of foreign objects on the substrate, that is, surface foreign matter adhering to the surface (upper surface) of the substrate and back surface foreign matter adhering to the back surface (lower surface) of the substrate. Among them, the surface foreign matter is deteriorated from the light shielding amount of the light beam or from the size of the light receiving amount reduction amount (that is, the surface foreign matter which is likely to be scratched by directly rubbing the slit nozzle) by using a photosensor that traverses the light beam to sweep the upper surface of the substrate ) Foreign matter can be detected easily. Therefore, it is possible to cope with the conventional foreign object detecting apparatus.

그러나, 이면 이물은, 부상 방식의 스핀레스 도포법에서는, 번거로운 것으로 되어 있다. 즉, 기판을 스테이지에 재치(載置)하여 흡착 고정하는 방식의 스핀레스 도포법이면, 이면 이물에 의한 기판의 두께 증가를 표면 이물과 동일시하여, 상기와 같은 광 빔의 차광분 또는 수광량 감소분을 소정의 문턱치에 대비시키면, 유해한(즉, 슬릿 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 입힐 우려가 있는) 이물을 용이하게 검출할 수 있다.However, the back side foreign matter is troublesome in the floating spin coating method. That is, in the case of the spinless coating method in which the substrate is placed on the stage and fixed by suction, the increase in the thickness of the substrate due to the foreign matter on the back surface is equal to the surface foreign matter, By contrast with a predetermined threshold value, it is possible to easily detect foreign matter which is harmful (that is, scratches the upper surface of the substrate with the slit nozzle and may cause damage).

그런데, 부상 방식의 스핀레스 도포법에서는, 기판의 부상 반송에 의한 기판의 흔들림이나 주위의 진동에 기인하는 노이즈 성분이 광 센서의 출력 신호에 거의 1에 가까운 SN비로 섞이기 때문에, 광 빔의 차광분 또는 수광량 감소분을 소정의 문턱치에 대비시키는 종래 기술의 기법에 의해서는, 유해한(슬릿 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 입힐 우려가 있는) 이면 이물을 정밀도 좋게 추출(검출)할 수가 없다.However, in the floating-type spin-less coating method, the noise component due to the substrate shake due to floating of the substrate or the vibration of the substrate is mixed with the output signal of the photosensor at an SN ratio close to approximately 1, It is impossible to precisely extract (detect) a foreign matter which is harmful (which may damage the slit nozzle due to scratching the upper surface of the substrate), by the technique of the related art in which the minute amount or the amount of received light reduction is compared with a predetermined threshold value.

본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하는 것으로서, 부상 방식의 스핀레스 도포법에서 긴 형상의 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 가할 우려가 있는 유해한 이면 이물을 정밀도 좋고 확실하게 검출할 수 있는 이면 이물 검출방법, 이면 이물 검출장치 및 이를 이용하는 도포장치를 제공한다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and it is an object of the present invention to provide a spinless spraying method of a floating type in which a nozzle having a long shape is rubbed on a top surface of a substrate, A back side foreign matter detecting device, and a coating device using the same.

본 발명의 이면 이물 검출방법은, 다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 부상 영역을 소정의 부상 높이로 통과하도록 피처리 기판을 반송하고, 상기 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐로부터 그 아래를 통과하는 상기 기판상에 처리액을 공급하여 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포장치에 있어서, 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 상기 긴 형상의 노즐보다 기판 반송 방향의 상류측의 위치에서 검출하기 위한 이면 이물 검출방법으로서, 상기 부상 스테이지를 사이에 두고 그 양측에 대향하여 배치되는 투광부와 수광부 사이에서, 상기 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 상면을 스치며 수평으로 횡단하는 광 빔을 송수(送受)시켜, 상기 수광부로부터 상기 광 빔의 수광량을 나타내는 수광량 신호를 취득하는 제1 공정과, 상기 수광량 신호에 기초하여, 상기 광 빔 수광량의 파형이 시간축 상에서 역산형(逆山形)으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 하여, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 소정의 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형의 프로파일을 검출했을 때, 상기 유해 이면 이물을 검출하였다는 취지의 경보 신호를 발생하는 제2 공정을 갖는다.According to the present invention, there is provided a method for detecting a foreign object on a substrate, comprising the steps of: transporting a substrate to be processed to pass a floating region formed by a mixture of a plurality of air outlets and a plurality of air inlets at a predetermined floating height; Which is attached to a back surface of the substrate, to form a back surface foreign matter harmful to the nozzle having a long shape, And a light receiving portion disposed between the light emitting portion and the light receiving portion, wherein the light receiving portion is disposed at a position on the upstream side of the nozzle in the substrate transport direction, Receiving and transmitting a light beam horizontally traversing the upper surface thereof, and receiving the light beam from the light receiving unit A first step of acquiring a received light amount signal based on the received light amount signal; and a second step of setting, based on the received light amount signal, a profile in which the waveform of the light beam received amount is inversed on the time axis, And a second step of generating an alarm signal indicating that the foreign object has been detected if the profile is inversely proportional to the size of the foreign object.

본 발명의 이면 이물 검출장치는, 다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 부상 영역을 소정의 부상 높이로 통과하도록 피처리 기판을 반송하며, 상기 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐로부터 그 아래를 통과하는 상기 기판을 향하여 처리액을 공급하여, 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포장치에 있어서, 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 상기 긴 형상의 노즐보다 기판 반송 방향의 상류측의 위치에서 검출하기 위한 이면 이물 검출장치로서, 상기 부상 스테이지를 사이에 두고 그 양측에 대향하여 배치되는 투광부 및 수광부를 가지며, 상기 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 상면을 스치며 수평으로 횡단하는 광 빔을 상기 투광부와 상기 수광부 사이에서 송수(送受)시켜, 상기 수광부로부터 상기 광 빔의 수광량을 나타내는 수광량 신호를 출력하는 광 센서와, 상기 광 센서로부터 출력되는 상기 수광량 신호에 기초하여, 상기 광 빔 수광량의 파형이 시간축 상에서 역산형으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 하여, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 소정의 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형의 프로파일을 검출했을 때, 상기 유해 이면 이물을 검출하였다는 취지의 경보 신호를 발생하는 신호처리부를 갖는다.The back side foreign matter detecting device of the present invention is a back side foreign matter detecting device for carrying a substrate to be processed so that a floating region formed by a mixture of a plurality of air outlets and a plurality of air inlets is passed at a predetermined flying height, For applying a treatment liquid toward the substrate passing under the substrate and forming a coating film of the treatment liquid on the substrate, characterized in that the coating apparatus is attached to the back surface of the substrate, And a light-receiving portion and a light-receiving portion disposed opposite to both sides of the float-stage, the detection device being characterized in that: And a light beam horizontally traversing the upper surface of the passing substrate is transmitted / received between the light projecting unit and the light receiving unit A light sensor for outputting an amount of light received from the light receiving unit and outputting an amount of light received by the light receiving unit; And a signal processing section for generating an alarm signal indicating that a foreign object has been detected when the profile of the inverse type exceeding a predetermined reference size is detected in the waveform of the light beam received quantity of light.

본 발명의 이면 이물 검출방법 또는 이면 이물 검출장치에 의하면, 광 센서로부터 얻어지는 광 빔 수광량의 파형이 시간축 상에서 역산형으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 하므로, 수광량 신호에 포함되는 노이즈 성분의 영향을 받지 않고, 해당 역산형 프로파일의 원인으로 되어 있는 이면 이물이 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한(즉, 긴 형상의 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 가할 우려가 있는) 이물인지 아닌지를 적확하게 판별할 수 있다.According to the back side foreign matter detecting method or the back side foreign matter detecting device of the present invention, since the profile in which the waveform of the amount of light beam received from the optical sensor is inversed on the time axis is to be monitored, it is not affected by the noise component included in the received light amount signal , It is possible to accurately discriminate whether or not the foreign object causing the inverse profile is harmful to the nozzle having the long shape (that is, it is a foreign object that rubs the upper surface of the substrate and may damage the long nozzle) .

본 발명의 도포장치는, 다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 제1 부상 영역을 갖는 부상 스테이지와, 상기 부상 스테이지 상에서 공중에 뜨는 상기 기판을 유지하여 상기 제1 부상 영역을 통과하도록 반송하는 반송 기구와, 상기 제1 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐을 가지며, 상기 제1 부상 영역을 통과하는 상기 기판상에 상기 긴 형상의 노즐로부터 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 기판 반송 방향에서 상기 긴 형상의 노즐보다 상류측의 위치에서, 상기 제1 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 검출하기 위한 본 발명의 이면 이물 검출장치를 갖는다.A coating device of the present invention comprises a floating stage having a first floating region formed by a mixture of a plurality of air outlets and a plurality of air inlets, and a holding mechanism for holding the substrate floating on the floating stage, A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid from the elongated nozzle onto the substrate passing through the first flotation area and having a long nozzle disposed above the first flotation area; The back surface of the back surface of the substrate, which is attached to the back surface of the substrate passing through the first flotation area at a position on the upstream side of the elongated nozzle in the substrate transport direction, Detection device.

본 발명의 이면 이물 검출방법 또는 이면 이물 검출장치에 의하면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 부상 방식의 스핀레스 도포법에서 긴 형상의 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 입힐 우려가 있는 유해한 이면 이물을 정밀도 좋고 확실하게 검출할 수 있다.According to the back surface foreign matter detecting method or back surface foreign matter detecting apparatus of the present invention, in the spin-less coating method of the floating type, the upper surface of the substrate is rubbed against the long- The foreign object can be detected accurately and reliably.

또한, 본 발명의 도포장치에 의하면, 본 발명의 이면 검출장치를 구비함으로써, 긴 형상의 노즐의 손상을 확실하게 방지함이 가능할 뿐만 아니라, 이면 이물에 기인한 도포 처리 동작의 불필요한 중단을 회피할 수 있으므로, 메인터넌스 비용의 저감과 도포 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다.Further, according to the coating apparatus of the present invention, it is possible to reliably prevent the long nozzle from being damaged by providing the back surface detecting apparatus of the present invention, and to avoid unnecessary interruption of the coating processing operation due to the back surface foreign matter Therefore, the maintenance cost can be reduced and the coating processing efficiency can be improved.

도 1은 본 발명의 이면 이물 검출방법 또는 이면 이물 검출장치를 적용 가능한 레지스트 도포장치의 주요한 구성을 나타내는 대략 평면도이다.
도 2는 상기 레지스트 도포장치에서의 도포 처리 동작을 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 상기 레지스트 도포장치에서 이면 이물이 문제가 될 때의 장면을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 상기 레지스트 도포장치에서 이면 이물이 문제가 될 때의 장면을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 상기 레지스트 도포장치에서의 이면 이물 검출장치의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 실시형태에서의 이면 이물 검출장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 7은 실시형태의 이면 이물 검출장치에서의 광 센서의 배치 구성을 나타내는 측면도이다.
도 8은 이면 이물에 의한 기판의 두께 증가와 상기 광 센서의 작용을 나타내는 부분 확대 정면도이다.
도 9는 상기 광 센서에서 얻어지는 광 빔 수광량의 파형을 나타내는 도면이다.
도 10은 상기 이면 이물 검출장치에서의 A/D변환기의 작용을 나타내는 도면이다.
도 11은 상기 이면 이물 검출장치의 신호처리부에서의 연산부의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 12는 상기 신호처리부의 연산부에 포함되는 샘플치 추출부의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 상기 신호처리부의 연산부에 포함되는 감소분 연산부 및 적산부의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 상기 신호처리부의 작용(적용예)을 나타내는 도면이다.
도 15는 일 변형예에서의 신호처리부의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 16은 상기 변형예에 의한 신호처리부의 작용(적용예)을 나타내는 도면이다.
도 17은 광 빔의 높이 위치 설정의 설명도이다.
도 18은 광 빔의 높이 위치 설정의 설명도이다.
도 19는 광 빔의 수광부의 수광상태의 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic plan view showing a principal constitution of a resist coating apparatus according to the present invention;
2 is a front view schematically showing an application processing operation in the resist coating apparatus.
Fig. 3 is a view for explaining a scene when the back surface foreign matter becomes a problem in the resist coating apparatus.
Fig. 4 is a view for explaining a scene when the back surface foreign matter becomes a problem in the resist coating apparatus.
5 is a view for explaining the operation of the back side foreign matter detecting apparatus in the resist coating apparatus.
6 is a block diagram showing a configuration of a back side foreign matter detecting device in the embodiment.
7 is a side view showing the arrangement of the optical sensors in the back side foreign material detecting apparatus according to the embodiment.
8 is a partial enlarged front view showing an increase in the thickness of the substrate due to the back surface foreign object and an action of the optical sensor.
9 is a diagram showing the waveform of the amount of light beam received by the optical sensor.
10 is a view showing the action of the A / D converter in the above-mentioned reverse-surface foreign object detecting apparatus.
11 is a block diagram showing a configuration of an arithmetic unit in the signal processing unit of the above-mentioned reverse side foreign matter detecting apparatus.
12 is a diagram for explaining an operation of a sample value extracting unit included in an operation unit of the signal processing unit.
13 is a diagram for explaining the operation of the decrement calculation unit and the integrating unit included in the calculation unit of the signal processing unit.
14 is a diagram showing an action (application example) of the signal processing unit.
15 is a block diagram showing a configuration of a signal processing unit in a modified example.
16 is a diagram showing an action (application example) of the signal processing unit according to the modification.
FIG. 17 is an explanatory diagram of setting the height position of the light beam. FIG.
18 is an explanatory diagram of setting the height position of the light beam.
19 is an explanatory view of a light receiving state of a light receiving portion of a light beam.

이하에 첨부도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1에, 본 발명의 이면 이물 검출방법 또는 이면 이물 검출장치를 적용할 수 있는 레지스트 도포장치의 주요한 구성을 나타낸다.Fig. 1 shows a principal configuration of a resist coating apparatus according to the present invention, which can be applied to a method of detecting a foreign object or a foreign object detecting apparatus.

이 레지스트 도포장치는, 부상 방식의 스핀레스 도포법을 채택하고 있으며, 도 1에 나타내는 바와 같이, 피처리 기판 예를 들면 FPD용의 유리 기판(G)을 기체의 압력에 의해서 공중에 띄우는 부상 스테이지(10)와, 이 부상 스테이지(10) 상에서 공중에 떠 있는 기판(G)을 부상 스테이지 길이 방향(X방향)으로 반송하는 반송기구(12)와, 부상 스테이지(10) 상을 반송되는 기판(G)의 상면에 레지스트액을 공급하는 슬릿 노즐(14)을 구비하고 있다.As shown in Fig. 1, the resist coating apparatus adopts a floating-type spinless coating method. The resist coating apparatus includes a floating stage, for example, a glass substrate G for FPD, A transfer mechanism 12 for transferring the substrate G floating in the air on the floating stage 10 in the longitudinal direction (X direction) of the floating stage 10; And a slit nozzle 14 for supplying a resist solution onto the upper surface of the substrate W.

부상 스테이지(10)의 상면은, 기판 반송 방향(X방향)을 따라서 3개의 영역, 즉 반입 영역 MIN, 도포 영역 MCOT 및 반출 영역 MOUT으로 구획되어 있다. 이 중에서, 반입 영역 MIN 및 반출 영역 MOUT에는, 분출구(16)만이 소정의 밀도로 다수 형성되어 있으며, 도포영역 MCOT에는 분출구(16)와 흡인구(18)가 소정의 밀도로 다수 혼재되어 형성되어 있다.The upper surface of the floating stage 10 is divided into three areas along the substrate transport direction (X direction), namely, a carry-in area M IN , a coated area M COT and a carry-out area M OUT . Among them, the import region M IN and out area M OUT, the air outlet (16) only, and is a number having a predetermined density, the coating region M COT, the air outlet 16 and the suction port 18 are mixed number to a predetermined density of the Respectively.

반입 영역 MIN에는, 도포 처리전의 기판(G)을 전단의 외부장치로부터 소터 기구(도시 안함)에 의해 평류(平流) 반송으로, 혹은 반송 로봇(도시 안함)으로부터의 주고받음으로 반입하기 위한 기판 반입부(도시 안함)가 설치되어 있다. 반출 영역 MOUT에는, 도포 처리가 끝난 기판(G)을 후단의 외부 장치로 소터 기구(도시 안함)에 의해 평류의 반송으로, 혹은 반송 로봇(도시 안함)으로의 주고받음으로 반출하기 위한 기판 반출부(도시 안함)가 설치되어 있다.The substrate to bring the give-and-take from the import region M IN is, the substrate (G) before coating with pyeongryu (平流) carried by the external device of the front sorter mechanism (not shown), or a transport robot (not shown) (Not shown) is provided. The substrate G that has been subjected to the coating process is transported to the transporting area M OUT by an external device at the downstream end in a reciprocating manner by a sorter mechanism (not shown) or by transfer to a transport robot (not shown) (Not shown) is installed.

도포 영역 MCOT에는, 스테이지 상방에, 슬릿 노즐(14)이 승강 이동 가능하게 설치되는 동시에, 도포 처리하는 동안에 슬릿 노즐(14)을 리플레쉬하는 노즐 리플레쉬부(24)가 기판 반송 방향(X방향)과 평행하게 수평 이동 가능하도록 설치되어 있다.Coating region M COT has, on the upper stage, the slit nozzle 14 is elevated movably installed at the same time that the nozzle refresh unit 24 to flash the slit nozzle (14) during the processing of the coating re-substrate conveying direction (X Direction) in a horizontal direction.

반송기구(12)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 부상 스테이지(10)를 사이에 두고 X방향으로 뻗는 한 쌍의 가이드 레일(26A,26B)과, 이들 가이드 레일(26A,26B)을 따라서 왕복 이동 가능한 한 쌍의 슬라이더(28)와, 부상 스테이지(10) 상에서 기판(G)의 양측 단부를 탈착 가능하게 유지하도록 슬라이더(28)에 설치된 흡착 패드 등의 기판 유지부재(도시 안함)를 구비하고 있으며, 직진 이동 기구(도시 안함)에 의해 슬라이더(28)를 기판 반송 방향(X방향)으로 이동시킴으로써, 부상 스테이지(10) 상에서 반입 영역 MIN로부터 도포 영역 MCOT를 지나 반출 영역 MOUT까지 기판 (G)을 부상 반송하도록 구성되어 있다.1, the transport mechanism 12 includes a pair of guide rails 26A and 26B extending in the X direction with the lifting stage 10 therebetween, and a pair of guide rails 26A and 26B extending in the X- A pair of movable sliders 28 and a substrate holding member (not shown) such as a suction pad provided on the slider 28 to detachably hold both side ends of the substrate G on the floating stage 10 , and linear movement mechanism is moved to the substrate transport direction (X direction), the slider (28) by a (not shown), through the coating region M COT from import region M iN on injury stage 10 is taken out area M oUT substrate to (G) is lifted and conveyed.

슬릿 노즐(14)은, 부상 스테이지(10)의 상방을 기판 반송 방향과 직교하는 수평방향(Y방향)으로 횡단하고, 그 직하를 통과하는 기판(G)의 상면(피처리면)에 대하여 슬릿 형상의 토출구로부터 레지스트액(R)을 띠 형상으로 토출하도록 되어 있다. 또한, 슬릿 노즐(14)은, 부상 스테이지(10)를 슬릿 노즐(14)과 평행하게(Y방향으로) 걸쳐 설치되는 문형 프레임(30)에 부착된 예를 들면 볼나사 기구나 가이드 부재 등을 포함하는 노즐 승강기구(36)에 의해, 이 노즐(14)을 지지하는 노즐 지지 부재(38)와 일체로 연직 방향(Z방향)으로 이동(승강) 가능하도록 구성되어 있다. 또한, 슬릿 노즐(14)은, 레지스트액 용기나 송액 펌프 등으로 구성된 레지스트 공급기구(40)(도 2, 도 5)에 레지스트 공급관(42)을 통하여 접속되어 있다.The slit nozzle 14 traverses the upper portion of the lifting stage 10 in the horizontal direction (Y direction) perpendicular to the substrate transport direction and slits So that the resist solution R is discharged in a strip shape. The slit nozzle 14 is provided with a ball screw mechanism or a guide member or the like attached to the door frame 30 which is provided in parallel with the slit nozzle 14 in the Y direction (In the Z direction) integrally with the nozzle support member 38 for supporting the nozzle 14 by the nozzle elevating mechanism 36 including the nozzle elevating mechanism 36. [ The slit nozzle 14 is connected to a resist supply mechanism 40 (Figs. 2 and 5) composed of a resist solution container, a liquid delivery pump, etc. through a resist supply pipe 42.

여기서, 이 레지스트 도포장치에서의 레지스트 도포 동작을 설명한다. 먼저, 전단의 기판처리장치(도시 안함)로부터 기판(G)이 소터 기구 또는 반송 로봇을 통하여 부상 스테이지(10)의 반입 영역 MIN으로 반입되고, 거기서 대기하고 있던 슬라이더(28)가 기판(G)을 파지하며 수취한다. 부상 스테이지(10) 상에서 기판(G)은 분출공(16)으로부터 분사되는 에어의 압력(양력)에 의해서 공중에 뜬다.Here, the resist coating operation in this resist coating apparatus will be described. First, the substrate G is transferred from the front-end substrate processing apparatus (not shown) to the loading region M IN of the floating stage 10 via the sorter mechanism or the transport robot, and the slider 28 waiting there is transferred to the substrate G ). On the floating stage 10, the substrate G floats in the air by the pressure (lift) of the air ejected from the ejection hole 16.

이렇게 해서 기판(G)이 부상 스테이지(10) 상에서 수평으로 부상한 채로 반송 기구(12)에 의해 기판반송방향(X방향)으로 반송되고, 스테이지 중앙부의 도포 영역 MCOT을 통과할 때, 슬릿 노즐(14)이 기판(G)을 향해서 레지스트액(R)을 소정의 유량으로 띠 형상으로 토출함으로써, 도 2에 나타내는 바와 같이 기판(G)의 전단측으로부터 후단측을 향하여 막두께가 균일한 레지스트액의 도포막(RM)이 형성되어 간다.When the substrate G is transported in the substrate transport direction (X direction) by the transport mechanism 12 while being horizontally lifted on the lifting stage 10 and passes the coating region M COT of the center portion of the stage, The resist solution R is discharged in the form of a strip at a predetermined flow rate toward the substrate G toward the rear end side of the substrate G as shown in Fig. A coating film RM of the liquid is formed.

기판(G)의 후단이 슬릿 노즐(14)의 아래를 통과하면, 기판 한 면에 레지스트 도포막(RM)이 형성된다. 이어서, 기판(G)은, 그 후에도 슬라이더(28)에 의해 부상 스테이지(10) 상에서 부상 반송되고, 부상 스테이지(10)의 후단에 설정된 반출 영역 MOUT으로부터 소터 기구 또는 반송 로봇을 통하여 후단의 유닛(도시 안함)으로 보내진다.When the rear end of the substrate G passes under the slit nozzle 14, a resist coating film RM is formed on one surface of the substrate. Subsequently, the substrate G is lifted thereafter by the slider 28 on the lifting stage 10, and is transported from the carrying-out area M OUT set at the rear end of the lifting stage 10 to the rear unit (Not shown).

도 2에 나타내는 바와 같이, 부상 스테이지(10)의 반입 영역 MIN 및 반출 영역 MOUT에서의 반입용 및 반출용의 부상 높이 HIN, HOUT은, 특별히 높은 정밀도를 필요로 하지 않고, 예를 들면 250∼350㎛의 범위 내로 유지되면 된다.As shown in FIG. 2, the flying height H IN and H OUT for carrying in and carrying out in the carrying-in region M IN and carrying-out region M OUT of the levitation stage 10 do not require particularly high precision, It may be maintained within a range of 250 to 350 mu m.

이에 대해서, 부상 스테이지(10)의 도포 영역 MCOT은, 기판(G)이 여기를 통과할 때 상방의 슬릿 노즐(14)로부터 레지스트액(R)을 공급 받는 장소이다. 도포 영역 MCOT에서의 부상 높이 HCOT는, 슬릿 노즐(14)의 하단(토출구)과 기판 상면(피처리면) 사이의 도포 갭(K)(예를 들면 100㎛)를 규정한다.On the other hand, the coating area M COT of the floating stage 10 is a place where the resist solution R is supplied from the upper slit nozzle 14 when the substrate G passes through the excitation. FH H COT in the coating region M COT is, define a coating gap (K) (e.g. 100㎛) between the slit nozzle 14, the bottom (discharge port) and a substrate upper surface (front and back surfaces features) of.

이 도포 갭(K)은 레지스트 도포면(RM)의 막두께나 레지스트 소비량을 좌우하는 중요한 파라미터로서, 높은 정밀도로 일정하게 유지될 필요가 있다. 이 때문에, 도포 영역 MCOT의 스테이지 상면에는, 기판(G)을 소망의 부상 높이 HCOT로 띄우기 위해서 고압 또는 양압의 압축 공기를 분출하는 분출구(16)와 부압으로 공기를 흡입하는 흡인구(18)를 혼재시켜 설치하고 있다(도 1). 그리고, 기판(G)의 도포 영역 MCOT 내를 통과하고 있는 부분에 대해서, 분출구(16)로부터 고압 공기에 의한 수직 상향의 힘을 가하는 동시에 흡인구(18)로부터 부압 흡입력에 의한 수직 하향의 힘을 가하여, 서로 저항하는 쌍방향의 힘의 밸런스를 제어함으로써, 도포 영역 MCOT에서의 부상 높이 HCOT를 높은 정밀도로 설정치(예를 들어 40㎛) 부근으로 유지하도록 하고 있다.This coating gap K is an important parameter that determines the film thickness of the resist-coated surface RM and the resist consumption amount, and needs to be kept constant with high precision. For this reason, on the upper surface of the stage of the coating area M COT , there are provided a jet port 16 for jetting high-pressure or positive-pressure compressed air to float the substrate G at a desired floating height H COT and a jet port 16 (Fig. 1). The vertical upward force by the high pressure air is applied to the portion of the substrate G passing through the coating region M COT from the jet port 16 and the vertical downward force by the negative pressure suction force from the suction port 18 So as to maintain the floating height H COT in the coating region M COT near the set value (for example, 40 mu m) with high accuracy.

한편, 기판 반송 방향(X방향)에서의 도포 영역 MCOT의 사이즈는, 슬릿 노즐 (14)의 직하에 상기와 같은 좁은 도포 갭(K)을 안정적으로 형성할 수 있을 정도의 여유가 있으면 좋고, 통상적으로는 기판(G)의 사이즈보다 작아도 좋으며, 예를 들면 1/3∼1/4 정도가 좋다. On the other hand, the size of the coating region M COT in the substrate transport direction (X direction) needs to be large enough to stably form the narrow coating gap K just below the slit nozzle 14, But may be smaller than the size of the substrate G, for example, about 1/3 to 1/4.

여기서, 도 2∼도 4에 대하여, 이 레지스트 도포장치에 있어서, 기판(G)의 이면에 부착하고 있는 이물이 문제가 되는 장면을 설명한다.Here, with reference to Figs. 2 to 4, a scene in which a foreign substance attached to the back surface of the substrate G becomes a problem in the resist coating apparatus will be described.

예를 들어, 부상 스테이지(10)에 반입된 기판(G)의 이면에 이물(Q)이 부착되어 있고, 그 이물(Q)의 높이 방향의 사이즈 HQ가 반입 영역 MIN의 부상 높이 HIN(250∼350㎛)보다 낮고 도포 영역 MCOT의 부상 높이 HCOT(40㎛)보다 높은 경우를 고려한다.For example, a levitation stage 10, the foreign object (Q) on the back surface of a conveyed substrate (G) is attached to, the foreign object (Q) the size H Q in the vertical direction brought region M IN flying height H IN of (250 to 350 mu m) and higher than the floating height H COT (40 mu m) of the coating area M COT .

도 2에 나타내는 바와 같이, 이 이면 이물(Q)이 반입 영역 MIN에 있는 동안에는, 기판(G)은 이물(Q)로부터 어떤 영향도 받지 않고 그대로 부상 반송된다. 그러나, 도 3에 나타내는 바와 같이, 이 이면 이물(Q)은 도포 영역 MCOT에 들어가면 기판(G)의 이면과 부상 스테이지(10)의 상면 사이에 끼게 되고, 그에 따라 기판(G)의 상면이 이면 이물(Q)이 부착되어 있는 개소(GQ)에서 증가된다. 이 증가 부분(GQ)의 크기(상승분)는, 이면 이물(Q)의 높이 방향의 사이즈 HQ와 부상 높이 HCOT(40㎛)의 차분(HQ-HCOT)에 상당한다. 따라서, 이 차분(HQ-HCOT)이 도포 갭(K)(100㎛) 이상의 크기인 경우는, 즉 이면 이물(Q)의 높이 방향의 사이즈 HQ가 140㎛ 이상인 경우는, 이면 이물(Q)이 슬릿 노즐(14)의 직하를 통과할 때, 그 상방에서 기판(G)의 증가 부분(GQ)이 슬릿 노즐(14)의 토출구를 문지르게 된다. 그렇게 되면, 슬릿 노즐(14)의 토출구가 손상되어, 슬릿 노즐(14)은 상당한 확률로 쓸 수 없게 된다. As shown in FIG. 2, while the back face foreign matter Q is in the carrying-in area M IN , the substrate G is lifted and conveyed without any influence from the foreign body Q. 3, the back surface foreign matter Q is sandwiched between the back surface of the substrate G and the upper surface of the floating stage 10 when the substrate G enters the coating area M COT , (G Q ) where the foreign object (Q) is attached. The increase (increase) of the increase portion G Q corresponds to the difference (H Q -H COT ) between the height H Q in the height direction of the back surface foreign matter Q and the lift height H COT (40 μm). Therefore, when the difference H Q -H COT is equal to or greater than the coating gap K (100 μm), that is, when the height H Q of the back side foreign matter Q in the height direction is 140 μm or more, Q of the substrate G passes under the slit nozzle 14, the increased portion G Q of the substrate G rubs the discharge port of the slit nozzle 14 from above. As a result, the discharge port of the slit nozzle 14 is damaged, and the slit nozzle 14 can not be used with a considerable probability.

이 실시형태에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 이면 이물 검출장치(50)를 구비함으로써, 후술하는 바와 같이, 상기와 같은 유해한(즉, 슬릿 노즐 (14)에 기판(G)의 상면을 문질러 손상을 입힐 우려가 있는) 이면 이물(Q)을 슬릿 노즐(14)보다 기판 반송 방향(X방향)의 상류측에서 확실하게 검출함이 가능하다. 그리고, 이면 이물 검출장치(50)가 그러한 유해 이면 이물(Q)을 검출했을 때 발생하는 경보 신호(WS)에 응답하여, 주제어부(52)가 노즐 승강기구(36)를 통하여 슬릿 노즐(14)을 즉시 상승 이동시킴으로써, 슬릿 노즐(14)은 기판(G)의 증가 부분(GQ)을 비켜나게 할 수 있어(슬라이딩 접촉 또는 충돌을 피할 수 있어), 슬릿 노즐(14)의 손상이 방지된다.In this embodiment, as shown in Fig. 5, by providing the back side foreign matter detecting device 50 of the present invention, the above-described harmful (i.e., the slit nozzle 14) It is possible to reliably detect the foreign matter Q on the upstream side of the slit nozzle 14 in the substrate transport direction (X direction). In response to the alarm signal WS generated when the foreign object detecting apparatus 50 detects such foreign object Q, the main control section 52 controls the slit nozzle 14 The slit nozzle 14 can displace the increased portion G Q of the substrate G (avoiding sliding contact or collision), thereby preventing damage to the slit nozzle 14 do.

한편, 상기 경보 신호(WS)에 응답하여, 주제어부(52)가, 레지스트 공급기구 (40)를 제어하여 슬릿 노즐(14)의 레지스트 토출 동작을 정지시킴이 바람직하고, 또한 반송 기구(12)를 제어하여 기판(G)의 반송을 일단 정지시켜도 좋다.It is preferable that the main control section 52 controls the resist supply mechanism 40 to stop the resist discharge operation of the slit nozzle 14 in response to the alarm signal WS, The substrate G may be temporarily stopped to be conveyed.

또한, 이 실시형태에서는, 후술하는 바와 같이, 유해 이면 이물(Q)보다 높이 방향 사이즈가 작은 실질적으로 무해한(즉, 슬릿 노즐(14)에 기판(G)의 상면을 문질러지게 할 우려가 없는) 이면 이물(q)에 대해서는, 이면 이물 검출장치(50)가 상기 경보 신호(WS)를 발생하지 않도록 되어 있다. 이에 따라, 실행중인 도포 처리 동작을 불필요하게 중단하는 사태를 회피하여, 이면 이물에 기인하는 장치 가동률의 저하를 극력 피하도록 하고 있다.In this embodiment, as will be described later, substantially harmless (that is, there is no fear of rubbing the upper surface of the substrate G on the slit nozzle 14) having a smaller size in the height direction than the foreign object Q, The back side foreign object detecting device 50 does not generate the alarm signal WS for the back side foreign object q. As a result, it is possible to avoid a situation in which the application processing operation in execution is stopped unnecessarily, so that the decrease in the operation rate of the apparatus due to the back surface foreign matter is minimized.

이하, 도 5 내지 도 16에 대하여, 본 발명의 일 실시 형태에서의 이면 이물 검출장치(50)의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the back side foreign material detecting device 50 according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to Figs. 5 to 16. Fig.

도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 이 실시형태에서의 이면 이물 검출장치 (50)는, 기판 반송 방향(X방향)에서 슬릿 노즐(14)의 상류측에 배치되는 광 센서 (54)와, 이 광 센서(54)로부터 출력되는 수광량 신호(AS)에 기초하여, 기판(G)에 부착되어 있는 유해 이면 이물(Q)을 소정의 신호 처리에 의해서 검출하는 신호처리부(56)를 갖고 있다.As shown in Figs. 5 and 6, the reverse-surface foreign object detecting device 50 in this embodiment includes an optical sensor 54 disposed on the upstream side of the slit nozzle 14 in the substrate transport direction (X direction) And a signal processing section 56 for detecting foreign objects Q attached to the substrate G on the basis of the received light amount signal AS outputted from the photosensor 54 by predetermined signal processing.

광 센서(54)는, 투광부(58) 및 수광부(60)를 갖는다. 도 5 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 투광부(58) 및 수광부(60)는, 슬릿 노즐(14)로부터 기판 반송 방향 (X방향)의 상류측에 적당한 거리(예를 들면 60∼80mm)를 두고 부상 스테이지(10)(도포 영역 MCOT)의 양측에 대향하여 배치된다.The optical sensor 54 has a transparent portion 58 and a light receiving portion 60. 5 and 7, the transparent portion 58 and the light receiving portion 60 are formed to have a suitable distance (for example, 60 to 80 mm) on the upstream side in the substrate transport direction (X direction) from the slit nozzle 14 And is disposed opposite to both sides of the floating stage 10 (application region M COT ).

투광부(58)는, 1개의 LD(반도체 레이저)라도 좋지만, 바람직하게는 다수의 LD를 종횡 매트릭스 형상으로 배치하여 이루어지는 2차원 LD어레이로 이루어지며, 발광 구동 회로(도시 안함)로부터 구동 전류의 공급을 받아 발광하고, 예를 들면 세로 1mm·가로 5mm의 빔 단면 사이즈를 갖는 광 빔(LB)을 출사한다. 이때, 투광부 (58)로부터 출사된 광 빔(LB)의 하단부가 기판(G)의 일측면에서 진로가 끊어져, 기판(G)의 상면보다 높은 공간을 수평으로 전파(傳播)하는 빔 부분만이 수광부(60)의 수광면에 도달하도록, 빔 광로의 높이 위치를 설정 또는 조정해도 좋다.The light projecting unit 58 may be a single LD (semiconductor laser), but is preferably a two-dimensional LD array in which a plurality of LDs are arranged in a matrix of longitudinal and lateral directions. And emits a light beam LB having a beam cross-sectional size of, for example, 1 mm in width and 5 mm in width. At this time, the lower end of the light beam LB emitted from the transparent portion 58 is cut off at one side of the substrate G, and only a beam portion propagating horizontally in a space higher than the upper surface of the substrate G The height position of the beam optical path may be set or adjusted so as to reach the light receiving surface of the light receiving portion 60. [

수광부(60)는, 일정 사이즈(예를 들면 세로 1mm·가로 5mm)의 전 수광 영역 중에 다수의 수광 셀을 종횡 매트릭스 형상으로 배치하여 이루어지는 2차원 CCD (Charge-Coupled Device)로 이루어지고, 일정 사이클의 주기로, 각각의 수광 셀별로 수광한 빛을 광전 변환하여 그 수광량(AE)을 나타내는 신호 전하 또는 아날로그의 수광량 신호(AS)를 생성하여, 소정의 전송 방법으로 수광량 신호(AS)를 시계열로 연속적으로 출력하도록 되어 있다.The light-receiving unit 60 is a two-dimensional CCD (Charge-Coupled Device) in which a plurality of light-receiving cells are arranged in the form of a longitudinal and a transverse matrix in a predetermined light receiving area of a predetermined size (for example, 1 mm in length and 5 mm in width) (AE), or an analog light reception amount signal (AS) is generated by a photoelectric conversion of the light received by each light reception cell, and the light reception amount signal (AS) .

도 8에 나타내는 바와 같이, 유해 이면 이물(Q)(또는 무해 이면 이물(q))이 광 센서(54)를 통과할 때는, 기판(G)의 증가부(GQ)(Gq)에 의해서 광 빔(LB)의 차광분(遮光分)이 증대하며, 즉 수광부(60)에서의 광 빔(LB)의 수광량이 감소하고, 수광량(AE)의 파형에는 도 9에 나타내는 바와 같이 역산형(절구 형상)의 프로파일 (AEQ)(AEq)가 나타난다.8, when the foreign object Q (or the foreign substance q in the case of harmlessness) passes through the photosensor 54, the increased portion G Q (G q ) of the substrate G The amount of received light of the light beam LB in the light receiving section 60 is decreased and the waveform of the received light amount AE is inversely proportional to the light amount of the light beam LB (AE Q ) (AE q ) of the shape of the mortar).

도 6에서, 신호처리부(56)는, 아날로그-디지털(A/D) 변환기(62), 수광량 데이터 메모리(64), 연산처리부(66), 설정부(68) 및 출력부(70)를 가지고 있다. 이 중에서, 수광량 데이터 메모리(64), 연산처리부(66), 설정부(68) 및 출력부(70)는, 예를 들면 마이크로 컴퓨터에 의해 구성된다.6, the signal processing unit 56 has an analog-to-digital (A / D) converter 62, a received light amount data memory 64, an arithmetic processing unit 66, a setting unit 68 and an output unit 70 have. Among them, the light-receiving amount data memory 64, the arithmetic processing unit 66, the setting unit 68 and the output unit 70 are constituted by, for example, a microcomputer.

A/D 변환기(62)는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 광 센서(54)(수광부(60))로부터의 수광량 신호(AS)를 소정의 주기 Δt(예를 들면 1.5msec)로 디지털 신호, 즉 수광량 데이터 ‥A0, A1, A2, ‥로 변환한다. 수광량 데이터 메모리(64)는, A/D 변환기(62)로부터 출력된 수광량 데이터 ‥A0, A1, A2,‥를 현시점으로부터 일정시간 전까지의 분(일정 데이터 양)만큼 덮어쓰기 방식으로 일시적으로 격납한다.10, the A / D converter 62 converts the received light amount signal AS from the optical sensor 54 (light receiving portion 60) into a digital signal at a predetermined cycle? T (for example, 1.5 msec) That is, into the received light amount data A0, A1, A2, .... The received light amount data memory 64 temporarily stores the received light amount data A0, A1, A2, ... output from the A / D converter 62 in an overwriting manner by a predetermined amount of time (a predetermined amount of data) from the current point of time .

연산부(66)는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 샘플치 추출부(72), 감소분 연산부(74), 적산부(76) 및 판정부(78)를 구비하고 있다.11, the calculation unit 66 includes a sample value extraction unit 72, a decrement calculation unit 74, an integration unit 76, and a determination unit 78. [

도 12에 대하여, 샘플치 추출부(72)의 작용을 설명한다. 도면 중에서, [1], [2], [3], [4]는 추출점을 나타낸다. 샘플치 추출부(72)는, 수광량 데이터 메모리 (64)에 격납되어 있는 수광량 데이터 중에서, 일정 시간(p*Δt) 간격의 복수(n)개, 예를 들면 4개의 수광량 데이터(Ai-3p, Ai-2p, Ai-p, Ai)를 추출한다. 예를 들어, p=10으로 하면, 수광량 데이터 메모리(64)에 수광량 데이터 A30가 격납된 직후에, 샘플치 추출부(72)는, 그 수광량 데이터 A30와, 그것보다 10개분(10Δt분) 전의 수광량 데이터 A20와, 그것보다 10개분(10Δt분) 더 전의 수광량 데이터 A10과, 그것보다 10개분(10Δt분) 더 전의 수광량 데이터 A0을 동시에 추출한다.The operation of the sample value extraction unit 72 will be described with reference to FIG. In the figure, [1], [2], [3], and [4] indicate extraction points. The sample value extracting unit 72 extracts a plurality of (n) pieces of light-receiving amount data (Ai-3p, Ai-3p, Ai-2p, Ai-p, Ai). Immediately after the light reception amount data A30 is stored in the light reception amount data memory 64, for example, when p = 10, the sample value extraction unit 72 outputs the light reception amount data A30 and 10 The light reception amount data A20 and the light reception amount data A10 before the 10th (10Δt), and the light reception amount data A0 before the 10th (10Δt) before the light reception amount data A20 are extracted at the same time.

그리고, 수광량 데이터 A30의 다음의 수광량 데이터 A31가 수광량 데이터 메모리(64)에 격납되면, 그 직후에 샘플치 추출부(72)는 상기와 동일한 방법으로 일정 시간(10Δt분) 간격의 4개의 수광량 데이터(A1, A11, A21, A31)를 추출한다. 그리고, 수광량 데이터 A31의 다음의 수광량 데이터 A32가 수광량 데이터 메모리(64)에 격납되면, 그 직후에 샘플치 추출부(72)는 역시 상기와 동일한 방법으로 일정 시간(10Δt분) 간격의 4개의 수광량 데이터(A2, A12, A22, A32)를 추출하도록 되어 있다.Immediately thereafter, the sample value extracting section 72 extracts four pieces of light-receiving-amount data A031 of a predetermined time interval (10? T) in the same manner as described above, (A1, A11, A21, A31) are extracted. Immediately thereafter, the sample value extracting unit 72 obtains four received light amounts at intervals of a predetermined time (10? T) in the same manner as described above immediately after the received light amount data A32 of the received light amount data A31 is stored in the received light amount data memory 64 And extracts the data A2, A12, A22, and A32.

한편, 샘플치 추출부(72)에서 이용하는 추출점의 개수 n(바람직하게는 3 이상) 및 간격 p는, 판정부(68)(도 6)로부터 주어진다.On the other hand, the number n (preferably three or more) of extraction points used in the sample value extraction section 72 and the interval p are given from the determination section 68 (FIG. 6).

도 13에 대하여, 감소분 연산부(74)의 작용을 설명한다. 감소분 연산부(74)는, 샘플치 추출부(72)에 의해 추출된 4개의 수광량 데이터(Ai-3p, Ai-2p, Ai-p, Ai)에 대하여 각각 수광량 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)을 구한다. 여기서, δi-3p=N-Ai-3p, δi-2p=N-Ai-2p, δi-p=Ai-p, δi=NAE-Ai이며, NAE는 수광량 기준치이다. 따라서, 예를 들어 시간 t30에서 얻어지는 수광량 감소분(δ0, δ10, δ20, δ30)은, δ0=NAE-A0, δ10=NAE-A10, δ20= NAE-A20, δ30= NAE-A30이다.13, the operation of the decrement calculator 74 will be described. The decrease calculation section 74 calculates the decrease amounts of the light reception amount reduction delta 隆 i-3p, 隆 i-2p (Ai-3p, Ai-p, Ai) for the four light reception amount data Ai- ,? i-p,? i). Here, and δi-3p = N-Ai- 3p, δi-2p = N-Ai-2p, δi-p = Ai-p, δi = N AE -Ai, N AE is a light amount reference value. Thus, for example, the received light amount decrease is obtained at time t30 (δ0, δ10, δ20, δ30) is, δ0 = N AE is -A0, δ10 = N AE -A10, -A20 AE N = δ20, δ30 = N AE -A30 .

수광량 기준치 NAE는, 바람직하게는, 기판 반송 방향(X방향)에서 기판(G)의 선두 부분이 광 센서(54)를 통과했을 때 수광부(60)에서 얻어진 광 빔 수광량의 값이면 좋고, 혹은 4개의 추출점 [1], [2], [3], [4] 중에서 가장 시간적으로 오래된 것[4]보다 일정시간 전(예를 들면 10msec)에 수광부(60)에서 얻어진 광 빔 수광량의 값에 상당하고, 100%의 값으로 설정된다.The light receiving amount reference value N AE is preferably the value of the light beam receiving amount obtained in the light receiving portion 60 when the head portion of the substrate G passes through the photosensor 54 in the substrate transport direction (X direction) The value of the amount of light beam received by the light receiving section 60 before a certain period of time (for example, 10 msec) from the four extraction points [1], [2], [3] And is set to a value of 100%.

감소분 연산부(74)는, 수광량 데이터(A2, A12, A22, A32)를 %표시로 정규화하여, 수광량 감소분(δ0, δ10, δ20, δ30)을 %표시로 구한다. 따라서, 예를 들어(A2, A12, A22, A32)=(100, 98, 95, 97)일 때는, (δ0, δ10, δ20, δ30)=(0, 2, 5, 3)으로 된다.The decrement calculator 74 normalizes the light reception amount data A2, A12, A22, and A32 in% to obtain the light reception amount reduction amounts? 0,? 10,? 20, and? Therefore, when (A2, A12, A22, A32) = (100, 98, 95, 97), for example, (? 0,? 10,? 20,? 30) = (0, 2, 5, 3).

적산부(76)는, 감소분 연산부(74)로부터 일괄적 또는 1프레임(틀)(FL)에서 출력되는 4개의 수광량 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)를 승산(乘算)하여, 연산 결과 Ii를 출력한다. 예를 들면, 감소분 연산부(74)로부터 출력된(δ0, δ10, δ20, δ30)이 (0, 2, 5, 3)인 경우, 0*2*5*3의 승산이 이루어지고, 연산 결과로서, Ii=0이 출력된다.The integrating unit 76 multiplies the four received light amount reduction amounts? I-3p,? I-2p,? I-p, and? I outputted from the decrement calculator 74 in one frame (frame) And outputs the calculation result Ii. For example, when (? 0,? 10,? 20,? 30) output from the decrement calculator 74 is (0, 2, 5, 3), multiplication by 0 * 2 * 5 * 3 is performed, , And Ii = 0 are output.

판정부(78)는, 적산부(76)로부터 출력되는 연산 결과 Ii를 설정부(68)(도 6)로부터의 판정 문턱치 Is와 비교하여, 그들의 대소 관계를 판정하고, Ii≤Is일 때는 판정 출력 신호 W를 예를 들면 논리치 L로 하고, Ii>Is일 때는 판정 출력 신호 W를 예를 들면 논리치 H로 한다. 판정부(78)로부터 논리치 H의 판정 출력 신호 W가 출력되면, 출력부(70)(도 6)로부터 경보 신호(WS)가 출력되도록 되어 있다.The determining section 78 compares the computation result I i output from the integrating section 76 with the threshold value I s from the setting section 68 (FIG. 6) to determine their magnitude relationship, and I i ≤I s work, for example when the judgment output signal W as a logical value L, and when the i i> i s, for example, the decision output signal W to a logical value H. When the determination output signal W of the logical value H is outputted from the determination section 78, the alarm section 62 outputs the alarm signal WS from the output section 70 (Fig. 6).

상기와 같이, 신호처리부(56)에서는, 샘플치 추출부(72) 및 감소분 연산부 (74)에 의해, 시간축상에 소정의 간격(p*Δt)을 두고 설정되는 복수(n)개, 예를 들면 4개의 추출점[1], [2], [3], [4]에서 소정의 수광량 기준치 NAE에 대한 광 빔 수광량(AE)의 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)를 구하는 제1 연산이 행해진다. 그리고, 적산부(76)에 의해, 그들 복수의 추출점[1], [2], [3], [4]로부터 각각 얻어진 수광량 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)를 승산하는 제2 연산이 행해진다. 마지막으로, 판정부(78)에서, 수광량 감소분의 적산치 Ii를 소정의 문턱치 IS와 비교하여, 적산치 Ii가 상기 문턱치 IS를 넘었을 때, 논리치 H의 판정 결과 W를 출력하는 제3 연산이 이루어진다. As described above, in the signal processing section 56, the sample value extracting section 72 and the decrement calculating section 74 calculate a plurality (n) of values, which are set with a predetermined interval (p *? T) (? I-3p,? I-2p,? I-p,? I-2p) of the light beam received amount AE with respect to a predetermined light receiving amount reference value N AE at four extraction points [1], [2] lt; RTI ID = 0.0 ># i < / RTI > The light receiving amount reduction amounts? I-3p,? I-2p,? I-p, and? I obtained from the plurality of extraction points [1], [2], [3] The second calculation is performed. Finally, the plate in the state 78, the integrated value I i of the received light intensity decrease as compared to a predetermined threshold value I S, integrated value I i is time exceeds the threshold value I S, outputs the determination result of the logical value H W A third operation is performed.

여기서, 판정부(78)가 논리치 H의 판정 결과 W를 출력한다 함은, 이 이면 이물 검출장치(50)가 광 빔 수광량(AE)의 파형 중에 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형의 프로파일이 포함되어 있다고 판정한 것을 의미한다.Here, the judging section 78 outputs the judging result W of the logical value H if the back surface foreign matter detecting apparatus 50 detects that the inverse type profile of the size exceeding the reference size in the waveform of the light beam receiving quantity AE It is determined that it is included.

여기서, 추출점[1], [2], [3], [4]의 선두[1]로부터 말미[4]까지의 시간폭 TS 및 상기 문턱치 Is는, 유해 이면 이물(Q)의 높이 방향의 사이즈 HQ가 하한치(즉 부상 높이 HCOT와 도포 갭(K)을 더한 값)일 때 수광량(AE)의 파형에 나타나는 역산형 프로파일의 기준 사이즈(직경 사이즈 DQ, 수광량 감소 피크치 δQ)에 따라서, 최적 또는 적당치로 설정된다.The time width T S and the threshold value I s from the head [1] to the tail [4] of the extraction points [1], [2], [3], and [4] size H Q the lower limit value of the direction (or flying height H COT and the application gap (value K) plus a) one time based on the size of the inversion-like profile that appears in the waveform of the received light amount (AE) (diameter size D Q, the received light amount decrease peak δ Q The optimum or appropriate value is set.

예를 들면, 기판(G)의 두께 TG가 700㎛, 부상 높이 HCOT가 40㎛, 도포 갭(K)이 100㎛인 경우, 높이 방향의 사이즈 HQ가 140㎛인 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있으면, 기판(G)의 증가부(GQ)가 슬릿 노즐(14)의 토출구의 높이로 된다. 이때, 수광량(AE)의 파형에 나타나는 역산형 프로파일의 직경 사이즈는 70㎛, 수광량 감소 피크치 δQ는 7%이다. 이들 값(70㎛, 7%)은, 실험으로 얻어진다. For example, the thickness T G of the substrate (G) 700㎛, the flying height H COT 40㎛, the coating gap (K) is the case of 100㎛, if the size H in the vertical direction Q is 140㎛ harmful foreign substances (Q The increase portion G Q of the substrate G becomes the height of the ejection opening of the slit nozzle 14. In this case, At this time, the diameter size of the inversed profile shown in the waveform of the received light amount AE is 70 mu m, and the light receiving amount decrease peak value? Q is 7%. These values (70 탆, 7%) are obtained experimentally.

한편, 기판 반송 속도 v는 일정하기 때문에, 수광량 신호(AS) 또는 수광량 (AE)의 파형에서의 시간축 t는 일정한 비례 관계(X=vt)에서 기판 반송 방향의 X축으로 치환할 수 있다.On the other hand, since the substrate transfer speed v is constant, the time axis t in the waveform of the received light amount signal AS or the received light amount AE can be replaced with the X axis in the substrate transfer direction at a constant proportional relationship (X = vt).

따라서, 이론적으로는, 예를 들어 5%∼7%의 문턱치에 대면, 대부분의 유해 이면 이물(Q)을 검출할 수는 있다. 그러나, 실제로는, 광 센서(54)로부터 출력되는 수광량 신호(AS)에는 부상 반송중인 기판(G)의 흔들림이나 광 센서(54) 자체의 진동 등에 의해 대부분 1에 가까운 SN비로 노이즈 성분이 섞여 있기 때문에, 그러한 판정법은 유효하지는 않다.Therefore, theoretically, it is possible to detect foreign matter (Q) if it is most harmful when the threshold value is, for example, 5% to 7%. Actually, however, the light receiving amount signal AS outputted from the optical sensor 54 is mixed with noise components at a SN ratio close to 1, mostly due to wobbling of the substrate G in the floating state and vibration of the optical sensor 54 itself Therefore, such a determination method is not effective.

그래서, 이 실시 형태에서는, 상기와 같이 복수(n)개의 추출점[1], [2], [3], [4]로부터 각각 얻어지는 1프레임(FL)의 수광량 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)을 승산(또는 가산)하여, 그 연산 결과(적산치) Ii에 의해서 역산형 프로파일의 크기를 계산하도록 하고 있다.Therefore, in this embodiment, the light-receiving-amount-reduction amounts? I-3p and? I-1p of one frame FL obtained from the plurality (n) of extraction points [1], [2], [3] 2p, delta i-p, delta i ), and the size of the inverse profile is calculated by the calculation result (integrated value) Ii.

이 방법에서는, 추출점의 전체 시간폭 Ts가 거리 환산 DTS으로 기준(하한)의 직경 사이즈 DQ(70㎛)보다 적절히(바람직하게는 1/2DQ<DTS<DQ) 작은 것이 중요하고, 예를 들어 DTS=60㎛으로 설정된다. 이에 따라, 역산형 프로파일 중, 직경 사이즈가 DTs보다 작은 것은, 적산치 Ii가 항상 영 또는 그 부근의 값을 취하기 때문에, 확실하게 유해 이면 이물(Q)은 아니라고 판정할 수 있다. 또한, 역산형 프로파일 중, 직경 사이즈가 TS보다 큰 것은, 그 역산형 프로파일의 크기가 적산치 Ii에 반영되므로, 적절한 값의 상기 문턱치 Is에 의해서 유해 이면 이물(Q)임을 확실하게 판별할 수 있다.In this method, the total time width T s of the extraction point is appropriately smaller than the diameter size D Q (70 μm) of the reference (lower limit) as the distance conversion DT S (preferably 1 / 2D Q <DT S <D Q ) And is set to, for example, DT S = 60 탆. Thus, if the diameter size is smaller than DT s , the integrated value I i always takes a value of zero or the vicinity thereof, so that it can be determined that the foreign matter Q is not a harmful one if it is surely harmful. If the size of the inverse profile is larger than T S , the magnitude of the inverse profile is reflected in the integrated value I i . Therefore, it is possible to reliably determine that the foreign matter Q is harmful due to the threshold value I s can do.

예를 들면, 상기와 같이 높이 방향의 사이즈 HQ가 140㎛인 최소 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있을 때, 수광량(AE)의 파형에 도 14의 (a)에 나타내는 바와 같은 역산형 프로파일이 나타난 경우, 적산치 Ii는 1*4.5*6*2.5 =67.5로 된다. 이 적산치 Ii는 노이즈 성분의 영향을 거의 받지 않는 해당 역산형 프로파일 고유의 속성치이다. 따라서, 상기 문턱치 Is를 예를 들면 60으로 설정함으로써, 당해 이면 이물이 유해 이면 이물(Q)임을 적확하고 확실하게 판별할 수 있다.For example, when there is the least adverse height dimension H is Q 140㎛ of direction, such as the foreign body (Q) is attached to the back surface of the substrate (G), also the waveform of the received light amount (AE) 14 (a) When the inverse profile as shown in Fig. 5A is displayed, the integrated value Ii is 1 * 4.5 * 6 * 2.5 = 67.5. The integrated value I i is not substantially chiyida the inversion-like profile of the unique properties that are affected by the noise component. Therefore, by setting the threshold value I s to, for example, 60, it is possible to accurately and reliably discriminate that the foreign matter is harmful if it is foreign matter (Q).

아울러, 높이 방향의 사이즈 HQ가 190㎛인 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있는 경우, 수광량(AE)의 파형에는 도 14의 (b)에 나타내는 바와 같은 역산형 프로파일이 나타난다. 이 경우, 적산치 Ii는 8.5*9*5*2=675로 되어, 상기 문턱치 IS(60)를 훨씬 넘었으므로, 역시 확실하게 유해 이면 이물(Q)이라고 판정할 수 있다.In addition, when the harmful foreign matter Q whose height in the height direction H Q is 190 μm is attached to the back surface of the substrate G, the wave form of the received light amount AE has an inverse- The profile appears. In this case, the cumulative value Ii is 8.5 * 9 * 5 * 2 = 675, which is far beyond the threshold value I S (60).

또한, 높이 방향의 사이즈 HQ가 100㎛인 실질적 무해 이면 이물(q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있는 경우, 수광량(AE)의 파형에는 도 14의 (c)에 나타내는 바와 같은 역산형 프로파일이 나타난다. 이 경우, 적산치 Ii는 0*1*3*0.2=0으로 되어, 당해 이면 이물이 유해 이면 이물(Q)은 아니라고 명확하게 판정할 수 있다.In the case where the substantially harmless foreign matter q having a size H Q in the height direction of 100 μm is attached to the back surface of the substrate G, the waveform of the received light amount AE is shown as inversion shown in FIG. Profile appears. In this case, the integrated value Ii is 0 * 1 * 3 * 0.2 = 0, so that it can be clearly determined that the foreign object is not foreign matter if the foreign object is harmful.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 기술적 사상의 범위내에서 여러가지로 변형 또는 변경이 가능하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes may be made within the scope of the technical idea.

예를 들면, 도 15에 나타내는 바와 같이, 신호처리부(56)의 연산부(66)를, 샘플치 추출부(72), 패턴 비교부(80) 및 판정부(82)로 구성할 수 있다. 여기서, 패턴 비교부(80)는, 도 16에 나타내는 바와 같이, 시간축 상에서 광 빔 수광량의 파형에 기준 사이즈(기준 직경 사이즈 DQ, 기준 수광량 감소 피크치 δQ) 또는 그것보다 더 작은 사이즈를 갖는 역산형 프로파일의 모델 패턴 MP를 정규로서 대고, 복수 개소(예를 들면 5개소) [1]∼[5]에서 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-4p, δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)와 모델 패턴 MP를 비교하여, 그 대소 관계를 +/-의 2값으로 출력한다. 또한, 모델 패턴 MP의 데이터는 설정부(68)(도 6)로부터 주어진다.For example, as shown in Fig. 15, the arithmetic unit 66 of the signal processing unit 56 can be constituted by a sample value extraction unit 72, a pattern comparison unit 80, and a determination unit 82. [ Here, as shown in Fig. 16, the pattern comparator 80 compares the waveform of the amount of light beam received on the time axis with a reference size (reference diameter size D Q , reference light reception amount reduction peak value? Q ) (? I-4p,? I-3p,? I-2p,? I-p) of the inverse profile at multiple locations (for example, five locations) , delta i) and the model pattern MP, and outputs the magnitude relation as +/- 2 values. The data of the model pattern MP is given from the setting section 68 (Fig. 6).

예를 들면, 높이 방향의 사이즈 HQ가 140㎛인 최소 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있을 때는, 도 16의 (a)와 같이 되어, 비교 개소[1]∼[5]의 전부에서 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-4p, δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)이 모델 패턴 MP를 상회하므로, 패턴 비교부(80)로부터 (+,+,+,+,+)의 비교 결과 출력이 얻어진다. 이 경우, 판정부(82)는, 비교 결과 출력이 모두 +이므로, 유해 이면 이물(Q)이 검출되었다는 취지의 논리치 H의 판정 결과 W를 출력한다.16 (a) when the foreign object Q is adhered to the back surface of the substrate G if the foreign matter Q having the height H Q of 140 μm in the height direction is the minimum harmful, Since the light receiving amount reduction amounts? I-4p,? I-3p,? I-2p,? I-p and? I of the inverse profile at the whole of [5] exceed the model pattern MP, , +, +, +) Are obtained. In this case, the determination unit 82 outputs the determination result W of the logical value H indicating that the foreign object Q is detected, if the result of the comparison is positive.

또한, 높이 방향의 사이즈 HQ가 190㎛인 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있는 경우는, 도 16의 (b)와 같이 되고, 역시 비교 개소 [1]∼[5]의 전부에서 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-4p, δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)이 모델 패턴 MP를 상회하므로, 패턴 비교부(80)로부터 (+,+,+,+,+)의 비교 결과 출력을 얻어지며, 판정부(82)는 유해 이면 이물(Q)이 검출되었다는 취지의 논리치 H의 판정 결과 W를 출력한다.16 (b) when the foreign object Q having a size H Q in the height direction of 190 μm is adhered to the back surface of the substrate G, (+, +, -) from the pattern comparator 80 because the light receiving amount reduction amounts? I-4p,? I-3p,? I-2p,? I- +, +, +), And the judging unit 82 outputs the judgment result W of the logical value H indicating that the foreign object (Q) has been detected in the case of a hazard.

그러나, 높이 방향의 사이즈 HQ가 100㎛인 실질적 무해 이면 이물(q)이 기판 (G)의 이면에 부착되어 있는 경우는, 도 16의 (c)와 같이 되어, 비교 개소[4], [5]에서는 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-4p, δi-3p)이 모델 패턴 MP를 상회하지만, 비교 개소 [1], [2], [3]에서는 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-2p, δi-P, δi)이 모델 패턴 MP를 밑돌고 있다. 이 경우, 패턴 비교부(80)로부터 (+, +, -, -, -)의 비교 결과 출력이 얻어진다. 이에 따라, 판정부(82)는, 비교 결과 출력의 일부가 "-"이기 때문에, 유해 이면 이물(Q)이 아니라는 취지의 논리치 L의 판정 결과 W를 출력한다.However, in the case where the foreign matter q is attached to the back surface of the substrate G, the substantially harmless foreign matter q having a size H Q in the height direction of 100 m is as shown in Fig. 16 (c) 2], [3], and [5], the received light amount reduction amounts (δi-4p, δi-3p) of the inverse profile exceed the model pattern MP. , delta i-P, delta i) are lower than the model pattern MP. In this case, the output of the comparison result of (+, +, -, -, -) is obtained from the pattern comparator 80. Accordingly, the determination unit 82 outputs the determination result W of the logical value L indicating that the foreign object Q is not the foreign object (Q) because part of the comparison result output is "-".

한편, 투광부(58)로부터 출사된 광 빔(LB)의 하단부가 기판(G)의 일측면에서 진로가 끊어져, 기판(G)의 상면보다 높은 공간을 수평으로 전파하는 빔 부분만이 수광부(60)의 수광면에 도달하도록, 빔 광로의 높이 위치를 설정 또는 조정해도 좋다고 상술했지만, 다음에 이 이유를 설명한다.The lower end of the light beam LB emitted from the transparent portion 58 is cut off from the one side of the substrate G so that only a beam portion horizontally propagating in a space higher than the upper surface of the substrate G is received by the light receiving portion The height position of the beam optical path may be set or adjusted so as to reach the light receiving surface of the light receiving surface 60. Next, this reason will be explained.

광 빔(LB)의 광로의 높이 위치의 설정으로서는, 다음의 3가지를 고려할 수 있다. 첫번째는, 도 17에 나타내는 바와 같이, 기판(G)의 상면과 광 빔(LB)의 하단이 일치하도록 설정하는 경우이다. 이 경우, 예를 들면, 기판(G)이 조금이라도 가라앉으면, 기판(G)의 상면과 광 빔(LB)의 하단 사이에 간극이 생겨, 기판(G)의 유해 이면 이물을 정밀도 좋게 검지할 수 없는 경우가 발생하므로, 설정으로서는 바람직하지 않다.As the setting of the height position of the optical path of the light beam LB, the following three factors can be considered. First, as shown in Fig. 17, the upper surface of the substrate G and the lower end of the light beam LB are set to coincide with each other. In this case, for example, if the substrate G slightly sinks, a gap is formed between the upper surface of the substrate G and the lower end of the light beam LB, and if the substrate G is harmful, Therefore, it is not preferable as a setting.

두번째는, 도 18에 나타내는 바와 같이, 광 빔(LB) 중에, 기판(G)이 배치되도록, 즉 기판(G)의 측면이 전부 광 빔(LB) 중에 배치되는 경우이다. 이 경우, 기판 하면과 부상 스테이지(10) 사이에도 광 빔(LB)이 통과한다. 도 19를 이용하여, 수광부(60)의 수광 상태를 설명한다. 수광부(60)는, 2값(백, 흑)으로 검지한다. 백은, 광 빔(LB)이 도달한 영역이며, 면적은 S1, S2로 한다. 흑은, 광 빔(LB)을 수광할 수 없었던 영역이다. 또한, ΔS는, 기판 이면(하면)과 부상 스테이지(10) 사이에 이물이 끼워져, 기판(G)의 표면(상면)이 두꺼워져, 광 빔(LB)을 수광할 수 없었던 영역이며, 면적을 ΔS로 한다. 수광부(60)는, 광 빔(LB)의 검지 결과를 연산부 (66)에 보내어, 면적 S1, S2, ΔS를 이용하여, 다음의 식을 계산한다.18, the substrate G is disposed in the light beam LB, that is, the side surface of the substrate G is entirely disposed in the light beam LB, as shown in Fig. In this case, the light beam LB also passes between the bottom surface of the substrate and the floating stage 10. The light receiving state of the light receiving section 60 will be described with reference to Fig. The light-receiving unit 60 detects two values (white, black). The back is a region where the light beam LB reaches, and the areas are S1 and S2. Black is an area where the light beam LB could not be received. DELTA S is an area in which foreign matter is sandwiched between the back surface of the substrate and the floating stage 10 and the surface of the substrate G is thickened so that the light beam LB can not be received, ΔS. The light receiving unit 60 sends the detection result of the light beam LB to the calculating unit 66 and calculates the following equation using the areas S1, S2, and? S.

R(%)={(S1+S2-ΔS)/(S1+S2)}×100…①R (%) = {(S1 + S2 -? S) / (S1 + S2) ①

알기 쉽게, 단순화하여 설명하면, 상기의 R 값을 이용하여 기판 이면의 이물 검지를 행하게 되는데, 기판 하면과 부상 스테이지(10) 사이에도 광 빔(LB)이 존재하기 때문에, 가령 기판 이면 이물이 있는 경우에도, R 값의 변화가 작아지므로, 광 빔(LB)의 설정으로서는 바람직하지 않다.For simplicity, the R value is used to detect foreign objects on the back surface of the substrate. Since the light beam LB exists between the substrate surface and the floating stage 10, It is not preferable to set the light beam LB because the change of the R value becomes small.

세번째는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 상술한 바와 같이, 광 빔(LB)의 하단부가 기판(G)의 일측면에서 진로가 끊어져, 기판(G)의 상면보다 높은 공간을 수평으로 전파하는 빔 부분만이 수광부(60)의 수광면에 도달하도록 설정하는 경우이다. 이 경우, 약간의 ΔS의 변화로, 상술한 ①식의 계산치가 크게 다르기 때문에, 가장 바람직한 설정이다.Third, as shown in Fig. 7, the lower end of the light beam LB is cut off from one side of the substrate G, and the light beam LB, Receiving portion of the light-receiving portion 60 is set. In this case, it is the most preferable setting because the calculated value of the above-mentioned formula (1) is largely different due to a slight change of? S.

한편, 상술한 실시 형태에서는, 스릿 노즐(14)을 이용하여 설명하였다. 그러나, 노즐의 하면에 도포액을 토출하는 슬릿을 형성한 슬릿 노즐(14) 대신에, 예를 들면 노즐의 하면에 미세한 복수의 토출공을 형성한 긴 형상의 노즐이어도 됨은 물론이고, 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.On the other hand, in the above-described embodiment, the slit nozzle 14 is used. However, instead of the slit nozzle 14 in which the slit for discharging the coating liquid is formed on the lower surface of the nozzle, for example, a long nozzle having a plurality of fine discharge holes formed on the lower surface of the nozzle may be used. Can be obtained.

본 발명의 도포장치에서의 처리액으로서는, 레지스트액 이외에도, 예를 들면 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료 등의 도포액도 가능하고, 각종 약액, 현상액이나 린스액 등도 가능하다. 본 발명에서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정되지 않고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판, 반도체 웨이퍼, CD기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다. As the treatment liquid in the coating apparatus of the present invention, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, a wiring material, or the like can be used in addition to the resist solution, and various chemical solutions, developer solutions, and rinsing solutions can be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, but other substrates for a flat panel display, a semiconductor wafer, a CD substrate, a photomask, a printed substrate, and the like are also possible.

본 발명의 이면 이물 검출방법 및 이면 이물 검출장치는, 특히 평류 방식의 도포장치에 적합하게 적용할 수 있지만, 평류 방식을 채택하는 다른 종류의 기판 처리 장치에도 적용이 가능하다. The back side foreign matter detecting method and the back side foreign matter detecting apparatus of the present invention can be suitably applied to a coating apparatus of a flat flow type, but can be applied to other types of substrate processing apparatus adopting a flat flow type.

10: 부상 스테이지
12: 반송 기구
14: 슬릿 노즐
16: 분출구
18: 흡인구
40: 레지스트 공급 기구
50: 이면 이물 검출장치
52: 광 센서
54: 신호처리부10: Floating stage
12:
14: Slit nozzle
16: Outlet
18: Sucking population
40: resist supply mechanism
50: When the foreign object detecting device
52: Light sensor
54:

Claims (30)

다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 설치된 부상 스테이지의 부상(浮上) 영역을 소정의 부상 높이로 통과하도록 피처리 기판을 반송하고, 상기 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐로부터 그 아래를 통과하는 상기 기판상에 처리액을 공급하여 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포장치에 있어서, 상기 기판의 이면(裏面)에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물(異物)을 상기 긴 형상의 노즐보다 기판 반송 방향의 상류(上流)측의 위치에서 검출하기 위한 이면 이물 검출방법으로서,
상기 부상 스테이지를 사이에 두고 그 양측에 대향하여 배치되는 투광부(投光部)와 수광부(受光部) 사이에서, 상기 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 상면을 스치며 수평으로 횡단하는 광 빔을 송수(送受)시켜, 상기 수광부로부터 상기 광 빔의 수광량을 나타내는 수광량 신호를 취득하는 제1 공정과,
상기 수광량 신호에 기초하여, 상기 광 빔 수광량의 파형(波形)이 시간축 상에서 역산형(逆山形)으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 하고, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 소정의 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일을 검출했을 때, 상기 유해 이면 이물을 검출하였다는 취지의 경보 신호를 발생하는 제2 공정을 가지며,
상기 기준 사이즈는, 높이 방향에서의 기준의 수광량 감소 피크치와, 횡방향에서의 기준의 직경 사이즈를 포함하는 이면 이물 검출방법.The target substrate is transported so that the floating region of the floating stage in which a plurality of air outlets and a plurality of suction ports are mixed is passed at a predetermined flying height and the target substrate is transported from the long shape nozzle disposed above the floating region Wherein a coating liquid of the treatment liquid is formed on the back surface of the substrate by supplying a treatment liquid onto the substrate passing through the back surface of the substrate, A back side foreign object detecting method for detecting at a position on an upstream side in a substrate transport direction,
And a light beam that horizontally traverses the upper surface of the substrate passing through the floating region between a light projecting portion (light projecting portion) and a light receiving portion (light receiving portion) disposed opposite to both sides of the floating stage, A first step of acquiring an amount of received light signal indicating the amount of received light of the light beam from the light receiving unit,
Wherein a profile in which the waveform of the light beam received amount is inversed on the time axis is set as a monitoring object and a waveform of the amount of light beam received is determined to be inverse of a predetermined reference size Type profile is detected, an alarm signal indicating that the foreign object has been detected is generated,
Wherein the reference size includes a peak value of a light reception amount reduction reference in the height direction and a diameter size of the reference in the lateral direction. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기준의 수광량 감소 피크치 및 상기 기준의 직경 사이즈는, 상기 기판의 두께, 상기 부상 높이 및 상기 긴 형상의 노즐과 상기 기판 사이의 도포 갭에 의존해서, 실험치를 기초로 설정되는 이면 이물 검출방법.The method according to claim 1,
The light receiving amount reduction peak value of the reference and the diameter size of the reference are set based on experimental values depending on the thickness of the substrate, the flying height, and the coating gap between the nozzle and the substrate. 제3항에 있어서,
상기 부상 높이와 상기 도포 갭을 더한 값을 기준으로 하여, 상기 유해 이면 이물로서의 높이 방향의 사이즈의 하한치를 설정하는 이면 이물 검출방법.The method of claim 3,
And setting a lower limit value of a size in the height direction as a foreign object as a reference based on a value obtained by adding the floating height and the coating gap. 제1항에 있어서,
상기 제2 공정은,
시간축 상에 소정의 간격을 두고 설정되는 복수의 추출점에서 소정의 수광량 기준치에 대한 상기 광 빔 수광량의 감소분을 구하는 제3 공정과,
상기 복수의 추출점으로부터 각각 얻어진 수광량 감소분을 적산(積算)하는 제4 공정과,
상기 수광량 감소분의 적산치를 소정의 문턱치와 비교하여, 상기 적산치가 상기 문턱치를 넘었을 때, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 상기 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일이 포함되어 있다고 판정하는 제5 공정을 포함하는 이면 이물 검출방법.The method according to claim 1,
In the second step,
A third step of obtaining a reduction in the amount of light beam reception with respect to a predetermined light reception amount reference value at a plurality of extraction points set at predetermined intervals on a time axis;
A fourth step of integrating the received light amount reduction amounts obtained from the plurality of extraction points,
A fifth step of comparing the integrated value of the received light amount reduction with a predetermined threshold value and judging that the waveform of the light beam received light amount includes an inverse profile having a magnitude exceeding the reference size when the integrated value exceeds the threshold value Wherein the foreign matter detection method comprises: 제5항에 있어서,
상기 제3 공정에서 상기 광 빔 수광량의 감소분을 퍼센트 표시로 구하고, 상기 제4 공정에서 상기 수광량 감소분의 적산을 승산(乘算)에 의해서 행하는 이면 이물 검출방법.6. The method of claim 5,
Wherein the decrease in the amount of light beam received in the third step is expressed as a percentage and the integration of the light reception amount reduction in the fourth step is performed by multiplication. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 수광량 기준치는, 기판 반송 방향에서 상기 기판의 선두 부분이 상기 투광부 및 상기 수광부를 통과했을 때 상기 수광부에서 얻어진 광 빔 수광량의 값인 이면 이물 검출방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the light receiving amount reference value is a value of the amount of light beam received at the light receiving portion when the head portion of the substrate passes through the transparent portion and the light receiving portion in the substrate transport direction. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 수광량 기준치는, 상기 복수의 추출점 중에서 가장 시간적으로 오래된 것보다 일정시간 전에 상기 수광부에서 얻어진 광 빔 수광량의 값인 이면 이물 검출방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the light receiving amount reference value is a value of a light beam received light amount obtained by the light receiving unit a certain time before the oldest time among the plurality of extraction points. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 복수의 추출점의 선두로부터 말미까지의 시간폭은, 상기 기준의 직경 사이즈보다는 작고, 상기 기준의 직경 사이즈의 반보다는 큰 이면 이물 검출방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the time width from the beginning to the end of the plurality of extraction points is smaller than the diameter size of the reference and is larger than half of the diameter size of the reference. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 복수의 추출점을 3개소 이상 형성하는 이면 이물 검출방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the plurality of extraction points are formed at three or more positions. 제1항 및 제3 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 공정에서, 시간축 상에서 상기 광 빔 수광량의 파형에 상기 기준 사이즈 또는 그보다 더 작은 사이즈를 갖는 역산형 프로파일의 모델 패턴을 정규(定規)로서 대어, 복수 개소에서, 상기 모델 패턴을 상회하는 크기의 역산형 프로파일이 발견되면, 그것은 상기 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일인 것으로 판정하는 이면 이물 검출방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
In the second step, a model pattern of an inverse profile having the reference size or a size smaller than the reference size is set as a regular rule in the waveform of the light beam received amount on the time axis, If the inverse profile of the inverse profile is found, it is determined that it is an inversed profile of size greater than the reference size. 다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 부상 스테이지의 부상 영역을 소정의 부상 높이로 통과하도록 피처리 기판을 반송하며, 상기 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐로부터 그 아래를 통과하는 상기 기판을 향하여 처리액을 공급하여, 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포장치에 있어서, 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 상기 긴 형상의 노즐보다 기판 반송 방향의 상류측의 위치에서 검출하기 위한 이면 이물 검출장치로서,
상기 부상 스테이지를 사이에 두고 그 양측에 대향하여 배치되는 투광부 및 수광부를 가지며,
상기 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 상면을 스치며 수평으로 횡단하는 광 빔을 상기 투광부와 상기 수광부 사이에서 송수(送受)시켜, 상기 수광부로부터 상기 광 빔의 수광량을 나타내는 수광량 신호를 출력하는 광 센서와,
상기 광 센서로부터 출력되는 상기 수광량 신호에 기초하여, 상기 광 빔 수광량의 파형이 시간축 상에서 역산형으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 해서, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 소정의 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일을 검출했을 때, 상기 유해 이면 이물을 검출하였다는 취지의 경보 신호를 발생하는 신호처리부를 가지며,
상기 기준 사이즈는, 높이 방향에서의 기준의 수광량 감소 피크치와 횡방향에서의 기준의 직경 사이즈를 포함하는 이면 이물 검출장치.A target substrate is transported so as to pass a floating region of a floating stage formed by a mixture of a plurality of air outlets and a plurality of air inlets at a predetermined floating height, And a coating liquid of the treatment liquid is formed on the substrate by supplying a treatment liquid toward the substrate. The coating apparatus is attached to the back surface of the substrate, And a detection unit for detecting the foreign object on the upstream side in the substrate transport direction,
And a light-transmitting portion and a light-receiving portion disposed opposite to each other with the floating stage interposed therebetween,
An optical sensor for transmitting and receiving a light beam horizontally traversing the upper surface of the substrate passing through the floating region between the transparent portion and the light receiving portion and outputting an amount of received light signal representing the amount of received light of the light beam from the light receiving portion, Wow,
And a profile in which the waveform of the light beam received quantity of light is inversed on the time axis based on the received light quantity signal outputted from the optical sensor is set as an object to be monitored so that a waveform of the light beam received quantity, And a signal processing unit for generating an alarm signal indicating that a foreign object has been detected when the profile is detected,
Wherein the reference size includes a reference light receiving amount reduction peak value in the height direction and a reference diameter size in the lateral direction. 삭제delete 제12항에 있어서,
상기 신호처리부는, 상기 기판의 두께, 상기 부상 높이 및 상기 긴 형상의 노즐과 상기 기판 사이의 도포 갭에 의존하여 실험치에 기초하여 설정된 상기 기준의 수광량 감소 피크치 및 상기 기준의 직경 사이즈를 이용하는 이면 이물 검출장치.13. The method of claim 12,
Wherein the signal processing unit is configured to calculate a difference between a thickness of the substrate, a height of the floating height of the substrate, and a coating gap between the long-shaped nozzle and the substrate by using the reference light amount reduction peak value and the diameter size of the reference, Detection device. 제14항에 있어서,
상기 부상 높이와 상기 도포 갭을 더한 값을 기준으로 하여, 상기 유해 이면 이물로서의 높이 방향 사이즈의 하한치를 설정하는 이면 이물 검출장치.15. The method of claim 14,
And sets the lower limit value of the size in the height direction as a foreign matter on the basis of the value obtained by adding the floating height and the coating gap. 제12항에 있어서,
상기 신호처리부는,
시간축상에 소정의 간격을 두고 설정되는 복수의 추출점에서 소정의 수광량 기준치에 대한 상기 광 빔 수광량의 감소분을 구하는 제1 연산부와,
상기 복수의 추출점으로부터 각각 얻어진 수광량 감소분을 적산하는 제2 연산부와,
상기 수광량 감소분의 적산치를 소정의 문턱치와 비교하여, 상기 적산치가 상기 문턱치를 넘었을 때, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 상기 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일이 포함되어 있다고 판정하는 제3 연산부를 포함하는 이면 이물 검출장치.13. The method of claim 12,
The signal processing unit,
A first arithmetic section for obtaining a reduction of the light beam received light amount with respect to a predetermined light reception amount reference value at a plurality of extraction points set at predetermined intervals on a time axis;
A second arithmetic unit for integrating the light reception amount reduction amounts respectively obtained from the plurality of extraction points,
A third operation section for comparing the integrated value of the received light amount reduction with a predetermined threshold value and judging that the waveform of the light beam received light amount includes an inverse profile having a magnitude exceeding the reference size when the integrated value exceeds the threshold value Wherein the foreign matter detecting device comprises: 제16항에 있어서,
상기 제1 연산부는 상기 광 빔 수광량의 감소분을 퍼센트 표시로 구하고, 상기 제2 연산부는 상기 수광량 감소분의 적산을 승산에 의해서 행하는 이면 이물 검출장치.17. The method of claim 16,
Wherein the first arithmetic section obtains a decrease in the light beam received light amount by a percentage and the second arithmetic section performs multiplication by the integration of the light receiving amount reduction amount. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 수광량 기준치는, 기판 반송 방향에서 상기 기판의 선두 부분이 상기 투광부 및 상기 수광부를 통과했을 때 상기 수광부에서 얻어진 광 빔 수광량의 값인 이면 이물 검출장치.18. The method according to claim 16 or 17,
Wherein the reference value of the received light amount is a value of the amount of light beam received by the light receiving portion when the leading portion of the substrate passes through the transparent portion and the light receiving portion in the substrate transport direction. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 수광량 기준치는, 상기 복수의 추출점 중에서 가장 시간적으로 오래된 것보다 일정시간 전에 상기 수광부에서 얻어진 광 빔 수광량의 값인 이면 이물 검출장치.18. The method according to claim 16 or 17,
Wherein the light receiving amount reference value is a value of the light beam received light amount obtained by the light receiving portion a certain time before the oldest one of the plurality of extraction points. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 복수의 추출점의 선두로부터 말미까지의 시간폭은, 상기 기준의 직경 사이즈보다는 작고, 상기 기준의 직경 사이즈의 반보다는 큰 이면 이물 검출장치.18. The method according to claim 16 or 17,
Wherein the time width from the beginning to the end of the plurality of extraction points is smaller than the diameter size of the reference and larger than half of the diameter size of the reference. 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 복수의 추출점을 3개소 이상 형성하는 이면 이물 검출장치.18. The method according to claim 16 or 17,
And the plurality of extraction points are formed at three or more positions. 제12항, 제14항 또는 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 신호처리부는, 시간축 상에서 상기 광 빔 수광량의 파형에 상기 기준 사이즈 또는 그보다 더 작은 사이즈를 갖는 역산형 프로파일의 모델 패턴을 정규로서 대고, 복수 개소에서 상기 모델 패턴을 상회하는 크기의 역산형 프로파일이 발견되면, 그것은 상기 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일이라고 판정하는 연산부를 갖는 이면 이물 검출장치.16. The method according to any one of claims 12, 14 or 15,
Wherein the signal processing unit is configured to regularly apply a model pattern of an inverse profile having a size smaller than the reference size to the waveform of the amount of light beam received on a time axis and to form a inverse profile having a size larger than the model pattern at a plurality of locations And if it is found, determines that it is an inversed profile of a size exceeding the reference size. 다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 도포 영역을 갖는 부상 스테이지와,
상기 부상 스테이지상에서 공중에 뜨는 상기 기판을 유지하여 상기 도포 영역을 통과하도록 반송하는 반송 기구와,
상기 도포 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐을 가지며, 상기 도포 영역을 통과하는 상기 기판상에 상기 긴 형상의 노즐로부터 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
기판 반송 방향에서 상기 긴 형상의 노즐보다 상류측의 위치에서, 상기 도포 영역을 통과하는 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 검출하기 위한 제12항에 기재된 이면 이물 검출장치를 갖는 도포장치.A floatation stage having an application region in which a plurality of jetting ports and a plurality of suction ports are mixed,
A transport mechanism for holding the substrate floating in the air on the floating stage and transporting the substrate to pass through the coating area;
A processing liquid supply unit having a long nozzle disposed above the application area and supplying the processing liquid from the elongated nozzle onto the substrate passing through the application area;
The back side foreign matter according to claim 12, which is attached to the back surface of the substrate passing through the coating area at a position on the upstream side of the long shape nozzle in the substrate transportation direction to detect a foreign object on the back surface which is harmful to the long shape nozzle And a detecting device. 제23항에 있어서,
상기 긴 형상의 노즐을 승강 이동시키기 위한 승강기구를 가지며, 상기 이면 이물 검출장치로부터 발생된 상기 경보 신호에 응답하여, 상기 승강기구를 통해서 상기 긴 형상의 노즐을 상승 이동시키는 도포장치.24. The method of claim 23,
And a lifting mechanism for lifting and moving the elongated nozzle, wherein the elongated nozzle is lifted up through the lifting mechanism in response to the alarm signal generated from the back side foreign material detecting device. 제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 이면 이물 검출장치로부터 발생된 상기 경보 신호에 응답하여, 상기 처리액 공급부에서의 처리액 토출 동작을 정지시키는 도포장치.25. The method according to claim 23 or 24,
And stops the process liquid discharge operation in the process liquid supply unit in response to the alarm signal generated from the back side foreign matter detection device. 제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 이면 이물 검출장치로부터 발생된 상기 경보 신호에 응답하여, 상기 반송 기구에서의 기판 반송 동작을 정지시키는 도포장치.25. The method according to claim 23 or 24,
And stops the substrate transport operation in the transport mechanism in response to the alarm signal generated from the back side foreign matter detecting device. 제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 부상 스테이지가, 기판 반송 방향에서 상기 도포 영역의 상류측에 상기 기판을 띄우기 위한 다수의 분출구를 형성한 반입 영역을 갖는 도포장치.25. The method according to claim 23 or 24,
Wherein the floating stage has a carry-in area in which a plurality of spouting openings for floating the substrate are formed on the upstream side of the coating area in the substrate transfer direction. 제27항에 있어서,
상기 반입 영역내에, 상기 기판을 반입하기 위한 반입부가 설치되는 도포장치.28. The method of claim 27,
Wherein a carry-in portion for carrying the substrate is provided in the carry-in region. 제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 부상 스테이지가, 기판 반송 방향에서 상기 도포 영역의 하류측에 상기 기판을 띄우기 위한 다수의 분출구를 형성한 반출 영역을 갖는 도포장치.25. The method according to claim 23 or 24,
Wherein the floating stage has a carry-out region in which a plurality of spouting ports for blowing the substrate are formed on the downstream side of the coating region in the substrate transfer direction. 제29항에 있어서,
상기 반출 영역내에, 상기 기판을 반출하기 위한 반출부가 설치되는 도포장치.
30. The method of claim 29,
And a carry-out portion for carrying out the substrate is provided in the carry-out region.
KR1020110019480A 2010-03-12 2011-03-04 The sensing method of the alien substance of the back side and the sensing apparatus of the alien substance of the back side and coating apparatus KR101738690B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-055467 2010-03-12
JP2010055467A JP5108909B2 (en) 2010-03-12 2010-03-12 Backside foreign matter detection method, backside foreign matter detection device, and coating device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110103333A KR20110103333A (en) 2011-09-20
KR101738690B1 true KR101738690B1 (en) 2017-05-22

Family

ID=44601402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110019480A KR101738690B1 (en) 2010-03-12 2011-03-04 The sensing method of the alien substance of the back side and the sensing apparatus of the alien substance of the back side and coating apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5108909B2 (en)
KR (1) KR101738690B1 (en)
CN (1) CN102192915B (en)
TW (1) TWI470212B (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5357289B2 (en) * 2011-03-16 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 Coating film forming method, coating film forming apparatus, and storage medium
JP2014103385A (en) * 2012-10-26 2014-06-05 Canon Inc Detection device, lithography device, and manufacturing method and detection method of goods
CN103274605B (en) * 2013-06-08 2015-07-22 深圳市华星光电技术有限公司 Photoresist coating apparatus and photoresist coating method thereof
KR102532040B1 (en) 2015-04-09 2023-05-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Foreign substance removal apparatus, foreign substance removal method, separation apparatus, foreign substance detection method, and foreign substance detection apparatus
CN104808213A (en) * 2015-05-11 2015-07-29 合肥京东方光电科技有限公司 Foreign matter detecting device and coating system
CN113702269B (en) * 2016-01-21 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 Chemical liquid supply device and coating and developing system
CN106583157B (en) * 2016-12-23 2019-01-11 武汉华星光电技术有限公司 Coating apparatus
JP6797698B2 (en) * 2017-01-11 2020-12-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Abnormality detection method for substrate processing equipment and substrate processing equipment
JP6975008B2 (en) * 2017-10-06 2021-12-01 日酸Ｔａｎａｋａ株式会社 Projection detection device, cutting device
CN108417516B (en) * 2018-04-23 2020-08-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Detection system and detection method for wafer back foreign matter
CN108630586B (en) * 2018-05-25 2021-03-02 Tcl华星光电技术有限公司 Substrate adsorption equipment with foreign matter detection function and foreign matter detection method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008142589A (en) * 2006-12-06 2008-06-26 Tokyo Electron Ltd Coating method and coating machine
JP2008212921A (en) 2007-02-08 2008-09-18 Toray Ind Inc Coating method, plasma display member manufacturing method and coating machine
JP2009061395A (en) * 2007-09-06 2009-03-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating device and method
JP4417205B2 (en) 2004-08-27 2010-02-17 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4033841B2 (en) * 2004-02-12 2008-01-16 東京エレクトロン株式会社 Floating substrate transfer processing method and apparatus
CN2935140Y (en) * 2006-07-29 2007-08-15 汕头市华天富信息材料有限公司 Online air bubble detecting instrument
JP4222522B2 (en) * 2006-11-22 2009-02-12 東京エレクトロン株式会社 Optical foreign matter detection device and treatment liquid coating device equipped with the same
JP5317428B2 (en) * 2007-05-11 2013-10-16 タツモ株式会社 Substrate processing apparatus and substrate manufacturing method
JP2009115711A (en) * 2007-11-08 2009-05-28 Toray Eng Co Ltd Substrate processing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4417205B2 (en) 2004-08-27 2010-02-17 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP2008142589A (en) * 2006-12-06 2008-06-26 Tokyo Electron Ltd Coating method and coating machine
JP2008212921A (en) 2007-02-08 2008-09-18 Toray Ind Inc Coating method, plasma display member manufacturing method and coating machine
JP2009061395A (en) * 2007-09-06 2009-03-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating device and method

Also Published As

Publication number Publication date
CN102192915A (en) 2011-09-21
TW201200866A (en) 2012-01-01
KR20110103333A (en) 2011-09-20
JP5108909B2 (en) 2012-12-26
TWI470212B (en) 2015-01-21
JP2011192697A (en) 2011-09-29
CN102192915B (en) 2014-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101738690B1 (en) The sensing method of the alien substance of the back side and the sensing apparatus of the alien substance of the back side and coating apparatus
KR101716509B1 (en) Slit nozzle cleaning apparatus and coating apparatus
KR101850361B1 (en) Coating device and coating method
TWI445578B (en) Coating device
CN113702269B (en) Chemical liquid supply device and coating and developing system
KR101931814B1 (en) Floating substrate coating apparatus
JP5145524B2 (en) Exposure equipment
KR101314017B1 (en) Optical foreign material detector and processing solution coating device with that
JP2012142583A (en) Coating device
JP2009061395A (en) Coating device and method
JP2018114475A (en) Apparatus and method for coating
TWI757814B (en) Coating apparatus, height detecting method and coating method
JP2007048836A (en) Detection method of unevenness of application film, application processing apparatus, and program for unevenness detection of application film
JP2009022822A (en) Coating apparatus and coating method
KR102525265B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4587950B2 (en) Substrate processing equipment
JPH1144634A (en) Air purge mechanism of detector
JPH09229871A (en) Method and apparatus for detecting fine particle
KR20080052430A (en) Coating method and coating apparatus
KR101613748B1 (en) Coating apparatus and coating method
JP2017092123A (en) Etching device
KR101827580B1 (en) Substrate transfering apparatus and substrate transfering method
KR101794093B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
JP2004179580A (en) Carrier for plate-shaped member
JP2011210971A (en) Device and method for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant