KR20110103333A - The sensing method of the alien substance of the back side and the sensing apparatus of the alien substance of the back side and coating apparatus - Google Patents

The sensing method of the alien substance of the back side and the sensing apparatus of the alien substance of the back side and coating apparatus Download PDF

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KR20110103333A
KR20110103333A KR1020110019480A KR20110019480A KR20110103333A KR 20110103333 A KR20110103333 A KR 20110103333A KR 1020110019480 A KR1020110019480 A KR 1020110019480A KR 20110019480 A KR20110019480 A KR 20110019480A KR 20110103333 A KR20110103333 A KR 20110103333A
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Abstract

[과제] 부상 방식의 스핀레스 도포법에 있어서 슬릿 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 가할 우려가 있는 유해한 이면 이물을 정밀도 좋고 확실하게 검출하는 것.
[해결수단] 이 레지스트 도포장치는, 이면 이물 검출장치(50)를 구비함으로써, 유해한(즉, 슬릿 노즐(14)에 기판(G)의 상면을 문질러 손상을 가할 우려가 있는) 이면 이물(Q)을 슬릿 노즐(14)보다 기판 반송 방향(X방향)의 상류측에서 확실하게 검출함이 가능하다. 그리고, 이면 이물 검출장치(50)가 그러한 유해 이면 이물(Q)을 검출했을 때 발생하는 경보 신호(WS)에 응답하여, 주제어부(52)가 노즐 승강기구(36)를 통하여 슬릿 노즐(14)을 즉시 상승 이동시킴으로써, 슬릿 노즐(14)은 기판(G)의 증가 부분(GQ)을 비켜가게 할 수 있어(미끄럼접촉 또는 충돌을 피할 수 있어), 슬릿 노즐(14)의 손상이 방지된다.
[Problem] Accurate and reliable detection of harmful back surface foreign matter which may damage the upper surface of the substrate by slit nozzle in the floating spinless coating method.
[Resolution] The resist coating device is provided with a back surface foreign matter detection device 50, which is harmful (i.e., may damage the slit nozzle 14 by rubbing the top surface of the substrate G). ) Can be detected more reliably on the upstream side of the substrate conveyance direction (X direction) than the slit nozzle 14. Then, in response to the alarm signal WS generated when the back surface foreign matter detection device 50 detects such a harmful back surface foreign material Q, the main control part 52 passes through the nozzle elevating mechanism 36 to the slit nozzle 14. By immediately moving up), the slit nozzle 14 can move the increased portion G Q of the substrate G away (sliding contact or collision can be avoided), thereby preventing damage to the slit nozzle 14. do.

Figure P1020110019480
Figure P1020110019480

Description

이면 이물 검출방법 및 이면 이물 검출장치 및 도포장치{THE SENSING METHOD OF THE ALIEN SUBSTANCE OF THE BACK SIDE AND THE SENSING APPARATUS OF THE ALIEN SUBSTANCE OF THE BACK SIDE AND COATING APPARATUS}The back surface foreign matter detection method and the back surface foreign matter detection device and coating device {THE SENSING METHOD OF THE ALIEN SUBSTANCE OF THE BACK SIDE AND THE SENSING APPARATUS OF THE ALIEN SUBSTANCE OF THE BACK SIDE AND COATING APPARATUS}

본 발명은, 부상 스테이지 상에서 피처리 기판에 처리액을 도포하는 도포장치에 관한 것이며, 특히 기판의 이면에 부착하는 바람직하지 않은 이물을 검출하기 위한 이면 이물 검출방법 및 이면 이물 검출장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating apparatus for applying a processing liquid to a substrate to be processed on a floating stage, and more particularly, to a back foreign matter detection method and a back foreign matter detection apparatus for detecting undesirable foreign matter adhering to the back surface of a substrate.

LCD 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에서의 포토리소그래피 공정에는, 슬릿 형상의 토출구를 갖는 긴 형의 슬릿 노즐을 이용하여 피처리 기판(유리 기판 등) 상에 레지스트액을 도포하는 스핀레스의 도포법이 자주 이용되고 있다.In the photolithography process in the manufacturing process of a flat panel display (FPD) such as an LCD, a spinless coating a resist liquid on a substrate to be processed (such as a glass substrate) using an elongated slit nozzle having a slit-shaped discharge port. The coating method of is frequently used.

이러한 스핀레스 도포법의 한가지 형식으로서, 기판을 지지하기 위한 스테이지에 기판 부상 기구를 조립하고, 이 부상 스테이지 상에서 기판을 공중에 띄워 수평인 일 방향(스테이지 길이방향)으로 반송하며, 반송 도중의 소정 위치에서 스테이지 상방에 설치한 슬릿 노즐로부터 직하(直下)를 통과하는 기판을 향하여 레지스트액을 띠 형상으로 토출시킴으로써, 기판 상의 일단(一端)으로부터 타단(他端)까지 레지스트액을 도포하도록 한 부상 방식이 알려져 있다.As one form of such a spinless coating method, a substrate floating mechanism is assembled to a stage for supporting a substrate, the substrate is floated in the air on this floating stage, and conveyed in one horizontal direction (stage longitudinal direction), and the predetermined value during conveyance A floating method in which the resist liquid is applied from one end to the other on the substrate by discharging the resist liquid in a band form from the slit nozzle disposed above the stage at the position toward the substrate passing directly below. This is known.

이러한 부상 방식의 스핀레스 도포법에 있어서, 기판 상에 레지스트액의 도포막을 설정 대로의 막두께로 균일하게 형성하려면, 슬릿 노즐의 토출구와 기판 사이에 형성되는 통상 100㎛ 전후의 미소한 갭을 정확하게 설정치 또는 그 부근으로 유지함이 요구된다.In this floating spinless coating method, in order to uniformly form a coating film of a resist liquid on a substrate at a predetermined film thickness, a minute gap of about 100 μm is usually formed between the discharge port of the slit nozzle and the substrate. It is required to remain at or near the set point.

이 요구 조건을 만족시키기 위해서, 부상 방식의 스핀레스 도포법을 채용하는 레지스트 도포장치는, 부상 스테이지의 대략 전역에 고압 또는 양압의 기체, 예를 들면 에어를 분출하는 분출구를 소정의 밀도로 다수 설치할 뿐만 아니라, 부상 스테이지 상에서 슬릿 노즐의 직하 및 그 전후의 영역으로서 설정되는 도포영역에는, 부압으로 에어를 흡입하는 흡인구를 분출구에 혼재시키고 있다. 그리고, 이 도포 영역 내에서는, 거기를 통과하는 기판에 대해서, 분출구로부터 가해지는 수직 상향의 압력과, 흡인구로부터 가해지는 수직 하향의 압력의 밸런스를 취해서, 기판에 주어지는 부상 압력을 정밀하게 제어하여, 기판의 부상 높이를 설정치(통상 50㎛ 이하)에 맞추도록 하고 있다(예를 들면 특허문헌 1).In order to satisfy this requirement, a resist coating apparatus employing a floating spinless coating method is provided with a plurality of blowout outlets for ejecting a gas of high pressure or positive pressure, for example air, at a predetermined density in substantially the entire area of the floating stage. In addition, a suction port for suctioning air at negative pressure is mixed in the jet port in the coating area set as the area immediately before and after the slit nozzle on the floating stage. In this application area, the pressure of the vertical upward pressure applied from the jet port and the vertical downward pressure applied from the suction port are balanced with respect to the substrate passing therethrough, thereby precisely controlling the floating pressure applied to the substrate. The floating height of the board | substrate is made to match a set value (usually 50 micrometers or less) (for example, patent document 1).

일본 공개특허 2007-190483 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2007-190483

상기와 같은 부상 방식의 스핀레스 도포법에서도, 다른 스핀레스 도포법과 마찬가지로, 도포 처리를 받기 직전의 기판에 이물이 부착되어 있는 경우가 있으며, 슬릿 노즐의 선단(토출구)에 이물 또는 기판의 상면이 문질러지면, 슬릿 노즐이 손상되는 경우가 있다. 슬릿 노즐의 토출구에 조금이라도 상처가 나면, 띠 형상의 토출류(吐出流)가 불균일하게 되어, 도포막의 막질 저하로 직결된다. 슬릿 노즐은 매우 고가이고, 그 부품 교환을 저비용으로 간편하게 행할 수 있는 것은 아니기 때문에, 기판에 부착하는 이물의 조기 검출은 중요한 과제로 되어 있다.In the spinless coating method of the above-mentioned floating method, as in the other spinless coating method, foreign matters may be attached to the substrate immediately before the coating treatment, and the foreign material or the upper surface of the substrate may be attached to the tip (discharge port) of the slit nozzle. If rubbed, the slit nozzle may be damaged. If the discharge port of the slit nozzle is damaged at all, the strip-shaped discharge flow becomes nonuniform, which leads directly to the decrease in the film quality of the coating film. Since the slit nozzle is very expensive and the parts can not be easily replaced at low cost, early detection of foreign matter adhering to the substrate is an important problem.

기판상의 이물로는, 기판의 표면(상면)에 부착하는 표면 이물과, 기판의 이면(하면)에 부착하는 이면 이물의 2종류가 있다. 이 중에서, 표면 이물은, 기판의 상면을 스치도록 광 빔을 횡단시키는 광센서를 이용하여, 광 빔의 차광분 또는 수광량 감소분의 크기로부터 유해한(즉, 슬릿 노즐을 직접 문질러 상처를 입힐 우려가 있는) 이물을 용이하게 검출할 수 있다. 따라서, 종래의 이물 검출장치로 대응할 수 있었다.As a foreign material on a board | substrate, there exist two types of the surface foreign material adhering to the surface (upper surface) of a board | substrate, and the back surface foreign material adhering to the back surface (lower surface) of a board | substrate. Among them, the surface foreign matter is harmful from the size of the light shielding portion or the light receiving amount reduction of the light beam (ie, may be directly rubbed into the slit nozzle, and may be damaged by using an optical sensor that traverses the light beam to rub the upper surface of the substrate). Foreign matter can be detected easily. Therefore, it was possible to cope with the conventional foreign matter detection device.

그러나, 이면 이물은, 부상 방식의 스핀레스 도포법에서는, 번거로운 것으로 되어 있다. 즉, 기판을 스테이지에 재치(載置)하여 흡착 고정하는 방식의 스핀레스 도포법이면, 이면 이물에 의한 기판의 두께 증가를 표면 이물과 동일시하여, 상기와 같은 광 빔의 차광분 또는 수광량 감소분을 소정의 문턱치에 대비시키면, 유해한(즉, 슬릿 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 입힐 우려가 있는) 이물을 용이하게 검출할 수 있다.However, the foreign matter on the back surface is troublesome in the spinless coating method of the floating method. In other words, in the spinless coating method in which the substrate is placed on the stage and fixed by adsorption, the increase in thickness of the substrate due to the back surface foreign matter is the same as that of the surface foreign matter, so that the light-shielding portion or the light-receiving amount reduction of the light beam as described above is reduced. Contrary to the predetermined threshold, it is possible to easily detect foreign matters (that is, a risk of damaging the upper surface of the substrate by the slit nozzle).

그런데, 부상 방식의 스핀레스 도포법에서는, 기판의 부상 반송에 의한 기판의 흔들림이나 주위의 진동에 기인하는 노이즈 성분이 광 센서의 출력 신호에 거의 1에 가까운 SN비로 섞이기 때문에, 광 빔의 차광분 또는 수광량 감소분을 소정의 문턱치에 대비시키는 종래 기술의 기법에 의해서는, 유해한(슬릿 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 입힐 우려가 있는) 이면 이물을 정밀도 좋게 추출(검출)할 수가 없다.By the way, in the floatless coating method of the floating method, since the noise component caused by the shaking of the substrate due to the floating conveyance of the substrate or the vibration of the surroundings is mixed in the SN ratio near the output signal of the optical sensor, the light beam is shielded from light. By the technique of the prior art that contrasts the amount of light or the amount of received light reduction to a predetermined threshold, it is impossible to accurately extract (detect) the harmful back surface foreign matter (which may damage the upper surface of the substrate by the slit nozzle).

본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하는 것으로서, 부상 방식의 스핀레스 도포법에서 긴 형상의 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 가할 우려가 있는 유해한 이면 이물을 정밀도 좋고 확실하게 검출할 수 있는 이면 이물 검출방법, 이면 이물 검출장치 및 이를 이용하는 도포장치를 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the problems of the prior art as described above, and it is possible to accurately and reliably detect harmful back foreign matters that may be damaged by rubbing an upper surface of a substrate to an elongated nozzle in a floating spinless coating method. Provided is a back foreign matter detection method, a back foreign matter detection device and a coating device using the same.

본 발명의 이면 이물 검출방법은, 다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 부상 영역을 소정의 부상 높이로 통과하도록 피처리 기판을 반송하고, 상기 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐로부터 그 아래를 통과하는 상기 기판상에 처리액을 공급하여 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포장치에 있어서, 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 상기 긴 형상의 노즐보다 기판 반송 방향의 상류측의 위치에서 검출하기 위한 이면 이물 검출방법으로서, 상기 부상 스테이지를 사이에 두고 그 양측에 대향하여 배치되는 투광부와 수광부 사이에서, 상기 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 상면을 스치며 수평으로 횡단하는 광 빔을 송수(送受)시켜, 상기 수광부로부터 상기 광 빔의 수광량을 나타내는 수광량 신호를 취득하는 제1 공정과, 상기 수광량 신호에 기초하여, 상기 광 빔 수광량의 파형이 시간축 상에서 역산형(逆山形)으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 하여, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 소정의 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형의 프로파일을 검출했을 때, 상기 유해 이면 이물을 검출하였다는 취지의 경보 신호를 발생하는 제2 공정을 갖는다.According to the method for detecting a foreign object on the back surface of the present invention, a nozzle having an elongated shape disposed above the floating area and conveying the substrate to be processed so as to pass through the floating area formed by mixing a plurality of jets and a plurality of suction ports at a predetermined floating height. A coating apparatus for supplying a processing liquid onto the substrate passing from below to form a coating film of the processing liquid, wherein the back surface foreign matter that is harmful to the long nozzle is attached to the rear surface of the substrate. A back foreign matter detection method for detecting at a position on the upstream side of the substrate conveyance direction rather than a nozzle, wherein the substrate passes through the floating region between the light transmitting portion and the light receiving portion disposed opposite to both sides with the floating stage interposed therebetween. A light beam traversing an upper surface and traversing horizontally is transmitted to indicate a light receiving amount of the light beam from the light receiving portion. Based on the first step of acquiring the received light quantity signal and the profile of the waveform of the light beam received amount being inverted on the time axis based on the received light quantity signal, a predetermined target is displayed in the waveform of the light beam received amount. When detecting the profile of the inversion type of the magnitude | size exceeding the reference size of, it has a 2nd process of generating the warning signal which detected the said harmful back surface foreign material.

본 발명의 이면 이물 검출장치는, 다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 부상 영역을 소정의 부상 높이로 통과하도록 피처리 기판을 반송하며, 상기 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐로부터 그 아래를 통과하는 상기 기판을 향하여 처리액을 공급하여, 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포장치에 있어서, 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 상기 긴 형상의 노즐보다 기판 반송 방향의 상류측의 위치에서 검출하기 위한 이면 이물 검출장치로서, 상기 부상 스테이지를 사이에 두고 그 양측에 대향하여 배치되는 투광부 및 수광부를 가지며, 상기 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 상면을 스치며 수평으로 횡단하는 광 빔을 상기 투광부와 상기 수광부 사이에서 송수(送受)시켜, 상기 수광부로부터 상기 광 빔의 수광량을 나타내는 수광량 신호를 출력하는 광 센서와, 상기 광 센서로부터 출력되는 상기 수광량 신호에 기초하여, 상기 광 빔 수광량의 파형이 시간축 상에서 역산형으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 하여, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 소정의 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형의 프로파일을 검출했을 때, 상기 유해 이면 이물을 검출하였다는 취지의 경보 신호를 발생하는 신호처리부를 갖는다.The apparatus for detecting foreign objects on the back surface of the present invention conveys a substrate to be processed so as to pass through a floating area formed by mixing a plurality of ejection openings and a plurality of suction openings to a predetermined floating height, and has an elongated nozzle disposed above the floating area. A coating apparatus for supplying a processing liquid toward the substrate passing from below to forming a coating film of the processing liquid on the substrate, wherein the back surface foreign matter is harmful to the elongated nozzle by adhering to the rear surface of the substrate. A back surface foreign matter detection device for detecting a light at a position upstream of a substrate conveyance direction than the elongated nozzle, comprising: a light transmitting portion and a light receiving portion disposed opposite to both sides with the floating stage interposed therebetween, The light beam passing horizontally across the upper surface of the substrate passing therethrough is transmitted between the light transmitting portion and the light receiving portion ( Iii) a profile in which the waveform of the light beam received amount is inversely distributed on the time axis based on an optical sensor that outputs a received amount signal indicating the received amount of the light beam from the light receiving unit, and the received amount signal output from the light sensor Is a monitoring target, and has a signal processing unit for generating an alarm signal indicating that the harmful back surface foreign material has been detected when a profile of an inverted type having a size exceeding a predetermined reference size is detected in the waveform of the light beam received amount.

본 발명의 이면 이물 검출방법 또는 이면 이물 검출장치에 의하면, 광 센서로부터 얻어지는 광 빔 수광량의 파형이 시간축 상에서 역산형으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 하므로, 수광량 신호에 포함되는 노이즈 성분의 영향을 받지 않고, 해당 역산형 프로파일의 원인으로 되어 있는 이면 이물이 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한(즉, 긴 형상의 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 가할 우려가 있는) 이물인지 아닌지를 적확하게 판별할 수 있다.According to the back foreign matter detection method or the back foreign matter detection apparatus of the present invention, since the waveform of the light beam received amount obtained from the optical sensor is subjected to the inverted type profile on the time axis, it is not affected by the noise component included in the received amount signal. Therefore, it is possible to accurately determine whether or not the foreign material that is the cause of the inverted profile is a foreign material that is harmful to the nozzle of the elongated shape (that is, there is a risk of damaging the upper surface of the substrate by the nozzle of the elongated shape). .

본 발명의 도포장치는, 다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 제1 부상 영역을 갖는 부상 스테이지와, 상기 부상 스테이지 상에서 공중에 뜨는 상기 기판을 유지하여 상기 제1 부상 영역을 통과하도록 반송하는 반송 기구와, 상기 제1 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐을 가지며, 상기 제1 부상 영역을 통과하는 상기 기판상에 상기 긴 형상의 노즐로부터 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 기판 반송 방향에서 상기 긴 형상의 노즐보다 상류측의 위치에서, 상기 제1 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 검출하기 위한 본 발명의 이면 이물 검출장치를 갖는다.An applicator according to the present invention conveys a floating stage having a first floating region formed by mixing a plurality of jets and a plurality of suction ports, and the substrate floating in the air on the floating stage to pass through the first floating region. A processing liquid supply unit having a conveying mechanism to be formed, an elongated nozzle disposed above the first floating region, and supplying a processing liquid from the elongated nozzle onto the substrate passing through the first floating region; The back foreign material of the present invention for attaching to the back surface of the substrate passing through the first floating region at the position upstream of the elongated nozzle in the substrate conveyance direction and detecting a harmful foreign matter with respect to the elongate nozzle. It has a detection device.

본 발명의 이면 이물 검출방법 또는 이면 이물 검출장치에 의하면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 부상 방식의 스핀레스 도포법에서 긴 형상의 노즐에 기판의 상면을 문질러 손상을 입힐 우려가 있는 유해한 이면 이물을 정밀도 좋고 확실하게 검출할 수 있다.According to the back surface foreign matter detection method or the back surface foreign matter detection apparatus of the present invention, the harmful back surface which may be damaged by rubbing the upper surface of the substrate by the long nozzle in the floating-type spinless coating method by the configuration and action as described above. Foreign matter can be detected with good accuracy.

또한, 본 발명의 도포장치에 의하면, 본 발명의 이면 검출장치를 구비함으로써, 긴 형상의 노즐의 손상을 확실하게 방지함이 가능할 뿐만 아니라, 이면 이물에 기인한 도포 처리 동작의 불필요한 중단을 회피할 수 있으므로, 메인터넌스 비용의 저감과 도포 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다.Further, according to the coating apparatus of the present invention, by providing the back surface detecting apparatus of the present invention, it is possible not only to reliably prevent the damage of the elongated nozzle, but also to avoid unnecessary interruption of the coating treatment operation due to the back surface foreign matter. Therefore, maintenance cost can be reduced and coating processing efficiency can be improved.

도 1은 본 발명의 이면 이물 검출방법 또는 이면 이물 검출장치를 적용 가능한 레지스트 도포장치의 주요한 구성을 나타내는 대략 평면도이다.
도 2는 상기 레지스트 도포장치에서의 도포 처리 동작을 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 상기 레지스트 도포장치에서 이면 이물이 문제가 될 때의 장면을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 상기 레지스트 도포장치에서 이면 이물이 문제가 될 때의 장면을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 상기 레지스트 도포장치에서의 이면 이물 검출장치의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 실시형태에서의 이면 이물 검출장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 7은 실시형태의 이면 이물 검출장치에서의 광 센서의 배치 구성을 나타내는 측면도이다.
도 8은 이면 이물에 의한 기판의 두께 증가와 상기 광 센서의 작용을 나타내는 부분 확대 정면도이다.
도 9는 상기 광 센서에서 얻어지는 광 빔 수광량의 파형을 나타내는 도면이다.
도 10은 상기 이면 이물 검출장치에서의 A/D변환기의 작용을 나타내는 도면이다.
도 11은 상기 이면 이물 검출장치의 신호처리부에서의 연산부의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 12는 상기 신호처리부의 연산부에 포함되는 샘플치 추출부의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 상기 신호처리부의 연산부에 포함되는 감소분 연산부 및 적산부의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 상기 신호처리부의 작용(적용예)을 나타내는 도면이다.
도 15는 일 변형예에서의 신호처리부의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 16은 상기 변형예에 의한 신호처리부의 작용(적용예)을 나타내는 도면이다.
도 17은 광 빔의 높이 위치 설정의 설명도이다.
도 18은 광 빔의 높이 위치 설정의 설명도이다.
도 19는 광 빔의 수광부의 수광상태의 설명도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic plan view showing the main configuration of a resist coating apparatus to which the back foreign matter detection method or the back foreign matter detection apparatus of the present invention can be applied.
Fig. 2 is a front view schematically showing a coating operation operation in the resist coating apparatus.
FIG. 3 is a view for explaining a scene when the foreign matter becomes a problem in the resist coating apparatus. FIG.
FIG. 4 is a view for explaining a scene when the foreign matter becomes a problem in the resist coating apparatus.
5 is a view for explaining the operation of the back surface foreign matter detection device in the resist coating device.
6 is a block diagram showing the configuration of the back foreign matter detection apparatus according to the embodiment.
It is a side view which shows the arrangement structure of the optical sensor in the back foreign material detection apparatus of embodiment.
Fig. 8 is a partially enlarged front view showing the thickness increase of the substrate due to the foreign matter on the back and the action of the optical sensor.
9 is a diagram showing waveforms of light beam received amounts obtained by the optical sensor.
Fig. 10 is a diagram showing the action of the A / D converter in the back surface foreign matter detection device.
Fig. 11 is a block diagram showing the structure of an arithmetic unit in the signal processing unit of the back surface foreign matter detection device.
12 is a view for explaining the operation of the sample value extraction unit included in the calculation unit of the signal processing unit.
FIG. 13 is a view for explaining the operation of the decrease calculator and the adder included in the calculator.
14 is a view showing the operation (application example) of the signal processing unit.
15 is a block diagram showing a configuration of a signal processing unit in a modification.
Fig. 16 is a diagram showing the operation (application example) of the signal processing unit according to the modification.
It is explanatory drawing of the height positioning of a light beam.
18 is an explanatory view of the height positioning of the light beam.
19 is an explanatory diagram of a light receiving state of a light receiving unit of a light beam.

이하에 첨부도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Preferred embodiment of this invention is described below with reference to an accompanying drawing.

도 1에, 본 발명의 이면 이물 검출방법 또는 이면 이물 검출장치를 적용할 수 있는 레지스트 도포장치의 주요한 구성을 나타낸다.1, the main structure of the resist coating apparatus which can apply the back surface foreign material detection method or back surface foreign material detection apparatus of this invention is shown.

이 레지스트 도포장치는, 부상 방식의 스핀레스 도포법을 채택하고 있으며, 도 1에 나타내는 바와 같이, 피처리 기판 예를 들면 FPD용의 유리 기판(G)을 기체의 압력에 의해서 공중에 띄우는 부상 스테이지(10)와, 이 부상 스테이지(10) 상에서 공중에 떠 있는 기판(G)을 부상 스테이지 길이 방향(X방향)으로 반송하는 반송기구(12)와, 부상 스테이지(10) 상을 반송되는 기판(G)의 상면에 레지스트액을 공급하는 슬릿 노즐(14)을 구비하고 있다.This resist coating apparatus adopts the floating type spinless coating method, and as shown in FIG. 1, the floating stage which floats the to-be-processed board | substrate, for example, glass substrate G for FPD in the air by gas pressure. (10), the conveyance mechanism 12 which conveys the board | substrate G floating in the air on this floating stage 10 to the floating stage longitudinal direction (X direction), and the board | substrate which conveys the floating stage 10 image ( The slit nozzle 14 which supplies a resist liquid to the upper surface of G) is provided.

부상 스테이지(10)의 상면은, 기판 반송 방향(X방향)을 따라서 3개의 영역, 즉 반입 영역 MIN, 도포 영역 MCOT 및 반출 영역 MOUT으로 구획되어 있다. 이 중에서, 반입 영역 MIN 및 반출 영역 MOUT에는, 분출구(16)만이 소정의 밀도로 다수 형성되어 있으며, 도포영역 MCOT에는 분출구(16)와 흡인구(18)가 소정의 밀도로 다수 혼재되어 형성되어 있다.The upper surface of the floating stage 10 is partitioned into three regions along the substrate conveyance direction (X direction), that is, the carry-in region M IN , the application region M COT, and the carry-out region M OUT . Among these, many ejection openings 16 are formed in predetermined | prescribed density in the loading area | region MIN and carrying out area | region M OUT , and many injection nozzles 16 and the suction port 18 are mixed in predetermined | prescribed density in the application | coating area | region M COT. It is formed.

반입 영역 MIN에는, 도포 처리전의 기판(G)을 전단의 외부장치로부터 소터 기구(도시 안함)에 의해 평류(平流) 반송으로, 혹은 반송 로봇(도시 안함)으로부터의 주고받음으로 반입하기 위한 기판 반입부(도시 안함)가 설치되어 있다. 반출 영역 MOUT에는, 도포 처리가 끝난 기판(G)을 후단의 외부 장치로 소터 기구(도시 안함)에 의해 평류의 반송으로, 혹은 반송 로봇(도시 안함)으로의 주고받음으로 반출하기 위한 기판 반출부(도시 안함)가 설치되어 있다.The substrate to bring the give-and-take from the import region M IN is, the substrate (G) before coating with pyeongryu (平流) carried by the external device of the front sorter mechanism (not shown), or a transport robot (not shown) An import unit (not shown) is provided. The board | substrate carrying out for carrying out the application | coating-processed board | substrate G to carrying out of flat flow by the sorter mechanism (not shown) by the sorter mechanism (not shown), or sending and receiving to the transfer robot (not shown) to the export area M OUT . A part (not shown) is installed.

도포 영역 MCOT에는, 스테이지 상방에, 슬릿 노즐(14)이 승강 이동 가능하게 설치되는 동시에, 도포 처리하는 동안에 슬릿 노즐(14)을 리플레쉬하는 노즐 리플레쉬부(24)가 기판 반송 방향(X방향)과 평행하게 수평 이동 가능하도록 설치되어 있다.In the application region M COT , the slit nozzle 14 is provided to move upward and downward on the stage, and the nozzle refresh unit 24 which refreshes the slit nozzle 14 during the coating process is the substrate conveyance direction (X). It is installed so that horizontal movement is possible in parallel with the direction.

반송기구(12)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 부상 스테이지(10)를 사이에 두고 X방향으로 뻗는 한 쌍의 가이드 레일(26A,26B)과, 이들 가이드 레일(26A,26B)을 따라서 왕복 이동 가능한 한 쌍의 슬라이더(28)와, 부상 스테이지(10) 상에서 기판(G)의 양측 단부를 탈착 가능하게 유지하도록 슬라이더(28)에 설치된 흡착 패드 등의 기판 유지부재(도시 안함)를 구비하고 있으며, 직진 이동 기구(도시 안함)에 의해 슬라이더(28)를 기판 반송 방향(X방향)으로 이동시킴으로써, 부상 스테이지(10) 상에서 반입 영역 MIN로부터 도포 영역 MCOT를 지나 반출 영역 MOUT까지 기판 (G)을 부상 반송하도록 구성되어 있다.As shown in FIG. 1, the conveyance mechanism 12 reciprocates along a pair of guide rails 26A and 26B extending in the X direction with the floating stage 10 interposed therebetween, and these guide rails 26A and 26B. A pair of movable sliders 28 and a substrate holding member (not shown) such as a suction pad provided on the slider 28 to detachably hold both ends of the substrate G on the floating stage 10. By moving the slider 28 in the substrate conveyance direction (X direction) by a straight moving mechanism (not shown), the substrate is moved from the loading area M IN to the unloading area M OUT through the application area M COT on the floating stage 10. It is comprised so that floating of (G) may be carried.

슬릿 노즐(14)은, 부상 스테이지(10)의 상방을 기판 반송 방향과 직교하는 수평방향(Y방향)으로 횡단하고, 그 직하를 통과하는 기판(G)의 상면(피처리면)에 대하여 슬릿 형상의 토출구로부터 레지스트액(R)을 띠 형상으로 토출하도록 되어 있다. 또한, 슬릿 노즐(14)은, 부상 스테이지(10)를 슬릿 노즐(14)과 평행하게(Y방향으로) 걸쳐 설치되는 문형 프레임(30)에 부착된 예를 들면 볼나사 기구나 가이드 부재 등을 포함하는 노즐 승강기구(36)에 의해, 이 노즐(14)을 지지하는 노즐 지지 부재(38)와 일체로 연직 방향(Z방향)으로 이동(승강) 가능하도록 구성되어 있다. 또한, 슬릿 노즐(14)은, 레지스트액 용기나 송액 펌프 등으로 구성된 레지스트 공급기구(40)(도 2, 도 5)에 레지스트 공급관(42)을 통하여 접속되어 있다.The slit nozzle 14 traverses the upper side of the floating stage 10 in the horizontal direction (Y direction) orthogonal to the substrate conveyance direction, and has a slit shape with respect to the upper surface (the to-be-processed surface) of the substrate G passing underneath it. The resist liquid R is discharged in a band shape from the discharge port of the filter. In addition, the slit nozzle 14 includes, for example, a ball screw mechanism, a guide member, etc. attached to the door-shaped frame 30 provided with the floating stage 10 in parallel with the slit nozzle 14 (in the Y direction). The nozzle lifting mechanism 36 included is configured to be movable (up and down) in the vertical direction (Z direction) integrally with the nozzle support member 38 for supporting the nozzle 14. In addition, the slit nozzle 14 is connected to the resist supply mechanism 40 (FIG. 2, FIG. 5) comprised with a resist liquid container, a liquid feed pump, etc. via the resist supply pipe 42. As shown in FIG.

여기서, 이 레지스트 도포장치에서의 레지스트 도포 동작을 설명한다. 먼저, 전단의 기판처리장치(도시 안함)로부터 기판(G)이 소터 기구 또는 반송 로봇을 통하여 부상 스테이지(10)의 반입 영역 MIN으로 반입되고, 거기서 대기하고 있던 슬라이더(28)가 기판(G)을 파지하며 수취한다. 부상 스테이지(10) 상에서 기판(G)은 분출공(16)으로부터 분사되는 에어의 압력(양력)에 의해서 공중에 뜬다.Here, the resist coating operation | movement in this resist coating apparatus is demonstrated. First, a substrate (G) from the front end substrate processing apparatus (not shown) is imported into imported region M IN injury stage 10 through the sorter mechanism or a transfer robot, the slider there was listened 28 is a substrate (G G) and receive. On the floating stage 10, the substrate G floats in the air by the pressure (lift) of the air injected from the jet hole 16.

이렇게 해서 기판(G)이 부상 스테이지(10) 상에서 수평으로 부상한 채로 반송 기구(12)에 의해 기판반송방향(X방향)으로 반송되고, 스테이지 중앙부의 도포 영역 MCOT을 통과할 때, 슬릿 노즐(14)이 기판(G)을 향해서 레지스트액(R)을 소정의 유량으로 띠 형상으로 토출함으로써, 도 2에 나타내는 바와 같이 기판(G)의 전단측으로부터 후단측을 향하여 막두께가 균일한 레지스트액의 도포막(RM)이 형성되어 간다.In this way, when the board | substrate G is conveyed in the board | substrate conveyance direction (X direction) by the conveyance mechanism 12, floating up horizontally on the floating stage 10, and passes through the application | coating area | region M COT of a stage center part, a slit nozzle The resist 14 discharges the resist liquid R in a band shape at a predetermined flow rate toward the substrate G so that the film thickness is uniform from the front end side to the rear end side of the substrate G as shown in FIG. 2. Coating film RM of liquid is formed.

기판(G)의 후단이 슬릿 노즐(14)의 아래를 통과하면, 기판 한 면에 레지스트 도포막(RM)이 형성된다. 이어서, 기판(G)은, 그 후에도 슬라이더(28)에 의해 부상 스테이지(10) 상에서 부상 반송되고, 부상 스테이지(10)의 후단에 설정된 반출 영역 MOUT으로부터 소터 기구 또는 반송 로봇을 통하여 후단의 유닛(도시 안함)으로 보내진다.When the rear end of the substrate G passes under the slit nozzle 14, a resist coating film RM is formed on one surface of the substrate. Subsequently, the board | substrate G is subsequently conveyed by the slider 28 on the floating stage 10, and is a unit of a rear end via a sorter mechanism or a conveying robot from the carrying out area M OUT set at the rear end of the floating stage 10. FIG. Sent to (not city).

도 2에 나타내는 바와 같이, 부상 스테이지(10)의 반입 영역 MIN 및 반출 영역 MOUT에서의 반입용 및 반출용의 부상 높이 HIN, HOUT은, 특별히 높은 정밀도를 필요로 하지 않고, 예를 들면 250∼350㎛의 범위 내로 유지되면 된다.As shown in FIG. 2, the floating heights H IN and H OUT for carrying in and out of the carry-in area M IN and the carry-out area M OUT of the floating stage 10 do not require particularly high precision. What is necessary is just to hold | maintain in the range of 250-350 micrometers.

이에 대해서, 부상 스테이지(10)의 도포 영역 MCOT은, 기판(G)이 여기를 통과할 때 상방의 슬릿 노즐(14)로부터 레지스트액(R)을 공급 받는 장소이다. 도포 영역 MCOT에서의 부상 높이 HCOT는, 슬릿 노즐(14)의 하단(토출구)과 기판 상면(피처리면) 사이의 도포 갭(K)(예를 들면 100㎛)를 규정한다.In contrast, the coating area M COT of the floating stage 10 is a place where the resist liquid R is supplied from the upper slit nozzle 14 when the substrate G passes through it. FH H COT in the coating region M COT is, define a coating gap (K) (e.g. 100㎛) between the slit nozzle 14, the bottom (discharge port) and a substrate upper surface (front and back surfaces features) of.

이 도포 갭(K)은 레지스트 도포면(RM)의 막두께나 레지스트 소비량을 좌우하는 중요한 파라미터로서, 높은 정밀도로 일정하게 유지될 필요가 있다. 이 때문에, 도포 영역 MCOT의 스테이지 상면에는, 기판(G)을 소망의 부상 높이 HCOT로 띄우기 위해서 고압 또는 양압의 압축 공기를 분출하는 분출구(16)와 부압으로 공기를 흡입하는 흡인구(18)를 혼재시켜 설치하고 있다(도 1). 그리고, 기판(G)의 도포 영역 MCOT 내를 통과하고 있는 부분에 대해서, 분출구(16)로부터 고압 공기에 의한 수직 상향의 힘을 가하는 동시에 흡인구(18)로부터 부압 흡입력에 의한 수직 하향의 힘을 가하여, 서로 저항하는 쌍방향의 힘의 밸런스를 제어함으로써, 도포 영역 MCOT에서의 부상 높이 HCOT를 높은 정밀도로 설정치(예를 들어 40㎛) 부근으로 유지하도록 하고 있다.This coating gap K is an important parameter that influences the film thickness and resist consumption of the resist coating surface RM, and needs to be kept constant with high precision. For this reason, in order to float the board | substrate G to a desired floating height H COT , on the upper surface of the application | coating area | region M COT , the blowing port 16 which blows out compressed air of high pressure or positive pressure, and the suction port 18 which inhales air by a negative pressure ) Are installed in combination (FIG. 1). Then, the vertical upward force by the high pressure air is applied from the jet port 16 to the portion passing through the coating area M COT of the substrate G, and the vertical downward force is caused by the negative pressure suction force from the suction port 18. By controlling the balance of bidirectional forces that resist each other, the floating height H COT in the coating area M COT is maintained at a high precision around the set value (for example, 40 µm).

한편, 기판 반송 방향(X방향)에서의 도포 영역 MCOT의 사이즈는, 슬릿 노즐 (14)의 직하에 상기와 같은 좁은 도포 갭(K)을 안정적으로 형성할 수 있을 정도의 여유가 있으면 좋고, 통상적으로는 기판(G)의 사이즈보다 작아도 좋으며, 예를 들면 1/3∼1/4 정도가 좋다. On the other hand, the size of the coating area M COT in the substrate conveyance direction (X direction) should just be enough to be able to stably form the narrow coating gap K as mentioned above directly under the slit nozzle 14, Usually, it may be smaller than the size of the substrate G, for example, about 1/3 to 1/4.

여기서, 도 2∼도 4에 대하여, 이 레지스트 도포장치에 있어서, 기판(G)의 이면에 부착하고 있는 이물이 문제가 되는 장면을 설명한다.Here, with reference to FIGS. 2-4, the scene which the foreign matter adhering to the back surface of the board | substrate G in this resist coating apparatus becomes a problem is demonstrated.

예를 들어, 부상 스테이지(10)에 반입된 기판(G)의 이면에 이물(Q)이 부착되어 있고, 그 이물(Q)의 높이 방향의 사이즈 HQ가 반입 영역 MIN의 부상 높이 HIN(250∼350㎛)보다 낮고 도포 영역 MCOT의 부상 높이 HCOT(40㎛)보다 높은 경우를 고려한다.For example, a levitation stage 10, the foreign object (Q) on the back surface of a conveyed substrate (G) is attached to, the foreign object (Q) the size H Q in the vertical direction brought region M IN flying height H IN of Consider a case lower than (250 to 350 mu m) and higher than the floating height H COT (40 mu m) of the application area M COT .

도 2에 나타내는 바와 같이, 이 이면 이물(Q)이 반입 영역 MIN에 있는 동안에는, 기판(G)은 이물(Q)로부터 어떤 영향도 받지 않고 그대로 부상 반송된다. 그러나, 도 3에 나타내는 바와 같이, 이 이면 이물(Q)은 도포 영역 MCOT에 들어가면 기판(G)의 이면과 부상 스테이지(10)의 상면 사이에 끼게 되고, 그에 따라 기판(G)의 상면이 이면 이물(Q)이 부착되어 있는 개소(GQ)에서 증가된다. 이 증가 부분(GQ)의 크기(상승분)는, 이면 이물(Q)의 높이 방향의 사이즈 HQ와 부상 높이 HCOT(40㎛)의 차분(HQ-HCOT)에 상당한다. 따라서, 이 차분(HQ-HCOT)이 도포 갭(K)(100㎛) 이상의 크기인 경우는, 즉 이면 이물(Q)의 높이 방향의 사이즈 HQ가 140㎛ 이상인 경우는, 이면 이물(Q)이 슬릿 노즐(14)의 직하를 통과할 때, 그 상방에서 기판(G)의 증가 부분(GQ)이 슬릿 노즐(14)의 토출구를 문지르게 된다. 그렇게 되면, 슬릿 노즐(14)의 토출구가 손상되어, 슬릿 노즐(14)은 상당한 확률로 쓸 수 없게 된다. As it is shown in Fig. 2, when the foreign object (Q) is as long as the import region M IN, the substrate (G) is any influence from the foreign object (Q) as it is also conveyed without being injured. However, as shown in FIG. 3, when this back surface foreign material Q enters the application | coating area | region M COT , it will fit between the back surface of the board | substrate G and the top surface of the floating stage 10, and accordingly, the top surface of the board | substrate G will be The back surface is increased at the point G Q to which the foreign matter Q is attached. The magnitude | size (rising part) of this increase part G Q is corresponded to the difference H Q -H COT of the size H Q of the height direction of the back surface foreign material Q, and the floating height H COT (40 micrometers). Therefore, when this difference H Q -H COT is the size more than application | coating gap K (100 micrometers), ie, when the size H Q of the height direction of the back surface foreign material Q is 140 micrometers or more, a back foreign material ( When Q) passes directly under the slit nozzle 14, the increased portion G Q of the substrate G is rubbed over the discharge port of the slit nozzle 14 from above. As a result, the discharge port of the slit nozzle 14 is damaged, and the slit nozzle 14 cannot be used with a considerable probability.

이 실시형태에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 이면 이물 검출장치(50)를 구비함으로써, 후술하는 바와 같이, 상기와 같은 유해한(즉, 슬릿 노즐 (14)에 기판(G)의 상면을 문질러 손상을 입힐 우려가 있는) 이면 이물(Q)을 슬릿 노즐(14)보다 기판 반송 방향(X방향)의 상류측에서 확실하게 검출함이 가능하다. 그리고, 이면 이물 검출장치(50)가 그러한 유해 이면 이물(Q)을 검출했을 때 발생하는 경보 신호(WS)에 응답하여, 주제어부(52)가 노즐 승강기구(36)를 통하여 슬릿 노즐(14)을 즉시 상승 이동시킴으로써, 슬릿 노즐(14)은 기판(G)의 증가 부분(GQ)을 비켜나게 할 수 있어(슬라이딩 접촉 또는 충돌을 피할 수 있어), 슬릿 노즐(14)의 손상이 방지된다.In this embodiment, as shown in FIG. 5, by providing the back surface foreign matter detection apparatus 50 of this invention, as mentioned later, the above-mentioned harmful (namely, the upper surface of the board | substrate G in the slit nozzle 14). It is possible to reliably detect the foreign matter Q at the upstream side of the substrate conveyance direction (X direction) rather than the slit nozzle 14. Then, in response to the alarm signal WS generated when the back surface foreign matter detection device 50 detects such a harmful back surface foreign material Q, the main control part 52 passes through the nozzle elevating mechanism 36 to the slit nozzle 14. By immediately moving up), the slit nozzle 14 can move the increased portion G Q of the substrate G out of the way (sliding contact or collision can be avoided), thereby preventing damage to the slit nozzle 14. do.

한편, 상기 경보 신호(WS)에 응답하여, 주제어부(52)가, 레지스트 공급기구 (40)를 제어하여 슬릿 노즐(14)의 레지스트 토출 동작을 정지시킴이 바람직하고, 또한 반송 기구(12)를 제어하여 기판(G)의 반송을 일단 정지시켜도 좋다.On the other hand, in response to the alarm signal WS, it is preferable that the main controller 52 controls the resist supply mechanism 40 to stop the resist discharge operation of the slit nozzle 14, and the transfer mechanism 12 May be controlled to stop the conveyance of the substrate G once.

또한, 이 실시형태에서는, 후술하는 바와 같이, 유해 이면 이물(Q)보다 높이 방향 사이즈가 작은 실질적으로 무해한(즉, 슬릿 노즐(14)에 기판(G)의 상면을 문질러지게 할 우려가 없는) 이면 이물(q)에 대해서는, 이면 이물 검출장치(50)가 상기 경보 신호(WS)를 발생하지 않도록 되어 있다. 이에 따라, 실행중인 도포 처리 동작을 불필요하게 중단하는 사태를 회피하여, 이면 이물에 기인하는 장치 가동률의 저하를 극력 피하도록 하고 있다.In addition, in this embodiment, as will be described later, the harmless back surface foreign matter Q is substantially harmless (ie, there is no fear of rubbing the upper surface of the substrate G on the slit nozzle 14). As for the back surface foreign matter q, the back surface foreign matter detection device 50 does not generate the said alarm signal WS. As a result, the situation of unnecessarily interrupting the application processing operation being performed is avoided, and the fall of the apparatus operation rate due to the back surface foreign matter is avoided to the maximum.

이하, 도 5 내지 도 16에 대하여, 본 발명의 일 실시 형태에서의 이면 이물 검출장치(50)의 구성 및 작용을 상세하게 설명한다.5-16, the structure and operation | movement of the back surface foreign matter detection apparatus 50 in one Embodiment of this invention are demonstrated in detail.

도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 이 실시형태에서의 이면 이물 검출장치 (50)는, 기판 반송 방향(X방향)에서 슬릿 노즐(14)의 상류측에 배치되는 광 센서 (54)와, 이 광 센서(54)로부터 출력되는 수광량 신호(AS)에 기초하여, 기판(G)에 부착되어 있는 유해 이면 이물(Q)을 소정의 신호 처리에 의해서 검출하는 신호처리부(56)를 갖고 있다.As shown to FIG. 5 and FIG. 6, the back surface foreign matter detection apparatus 50 in this embodiment includes the optical sensor 54 arrange | positioned upstream of the slit nozzle 14 in a board | substrate conveyance direction (X direction), The signal processing part 56 which detects the harmful back surface foreign material Q adhering to the board | substrate G based on the light reception amount signal AS output from this optical sensor 54 by predetermined signal process is provided.

광 센서(54)는, 투광부(58) 및 수광부(60)를 갖는다. 도 5 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 투광부(58) 및 수광부(60)는, 슬릿 노즐(14)로부터 기판 반송 방향 (X방향)의 상류측에 적당한 거리(예를 들면 60∼80mm)를 두고 부상 스테이지(10)(도포 영역 MCOT)의 양측에 대향하여 배치된다.The optical sensor 54 has a light transmitting unit 58 and a light receiving unit 60. As shown in FIG. 5 and FIG. 7, the light transmitting part 58 and the light receiving part 60 provide a suitable distance (for example, 60 to 80 mm) from the slit nozzle 14 to the upstream side of the substrate conveyance direction (X direction). It is arranged so as to oppose both sides of the floating stage 10 (application area M COT ).

투광부(58)는, 1개의 LD(반도체 레이저)라도 좋지만, 바람직하게는 다수의 LD를 종횡 매트릭스 형상으로 배치하여 이루어지는 2차원 LD어레이로 이루어지며, 발광 구동 회로(도시 안함)로부터 구동 전류의 공급을 받아 발광하고, 예를 들면 세로 1mm·가로 5mm의 빔 단면 사이즈를 갖는 광 빔(LB)을 출사한다. 이때, 투광부 (58)로부터 출사된 광 빔(LB)의 하단부가 기판(G)의 일측면에서 진로가 끊어져, 기판(G)의 상면보다 높은 공간을 수평으로 전파(傳播)하는 빔 부분만이 수광부(60)의 수광면에 도달하도록, 빔 광로의 높이 위치를 설정 또는 조정해도 좋다.Although one LD (semiconductor laser) may be sufficient as the light transmission part 58, Preferably, it consists of a two-dimensional LD array which arrange | positions many LD in the vertical-and-horizontal matrix shape, and the drive current from a light emission drive circuit (not shown) is carried out. When light is supplied, light is emitted and the light beam LB having a beam cross-sectional size of 1 mm in length and 5 mm in width is emitted, for example. At this time, the lower end portion of the light beam LB emitted from the light-transmitting portion 58 is disconnected from one side surface of the substrate G, so that only the beam portion which horizontally propagates a space higher than the upper surface of the substrate G is present. You may set or adjust the height position of a beam optical path so that the light receiving surface of this light receiving part 60 may be reached.

수광부(60)는, 일정 사이즈(예를 들면 세로 1mm·가로 5mm)의 전 수광 영역 중에 다수의 수광 셀을 종횡 매트릭스 형상으로 배치하여 이루어지는 2차원 CCD (Charge-Coupled Device)로 이루어지고, 일정 사이클의 주기로, 각각의 수광 셀별로 수광한 빛을 광전 변환하여 그 수광량(AE)을 나타내는 신호 전하 또는 아날로그의 수광량 신호(AS)를 생성하여, 소정의 전송 방법으로 수광량 신호(AS)를 시계열로 연속적으로 출력하도록 되어 있다.The light receiving unit 60 is composed of a two-dimensional CCD (Charge-Coupled Device) formed by arranging a plurality of light receiving cells in a vertical and horizontal matrix shape in all light receiving regions of a predetermined size (e.g., 1 mm long and 5 mm wide), and have a constant cycle. In the period of, photoelectric conversion of the received light for each light receiving cell is performed to generate a signal charge or an analog light receiving amount signal AS indicating the light receiving amount AE, and the light receiving amount signal AS is continuously converted in time series by a predetermined transmission method. To output

도 8에 나타내는 바와 같이, 유해 이면 이물(Q)(또는 무해 이면 이물(q))이 광 센서(54)를 통과할 때는, 기판(G)의 증가부(GQ)(Gq)에 의해서 광 빔(LB)의 차광분(遮光分)이 증대하며, 즉 수광부(60)에서의 광 빔(LB)의 수광량이 감소하고, 수광량(AE)의 파형에는 도 9에 나타내는 바와 같이 역산형(절구 형상)의 프로파일 (AEQ)(AEq)가 나타난다.As shown in FIG. 8, when the harmful back surface foreign material Q (or harmless back surface foreign material q) passes through the optical sensor 54, by the increase part G Q (G q ) of the board | substrate G. The light-shielding portion of the light beam LB increases, that is, the light-receiving amount of the light beam LB in the light-receiving unit 60 decreases, and the waveform of the light-receiving amount AE is shown in FIG. A profile AE Q (AE q ) of the mortar shape is shown.

도 6에서, 신호처리부(56)는, 아날로그-디지털(A/D) 변환기(62), 수광량 데이터 메모리(64), 연산처리부(66), 설정부(68) 및 출력부(70)를 가지고 있다. 이 중에서, 수광량 데이터 메모리(64), 연산처리부(66), 설정부(68) 및 출력부(70)는, 예를 들면 마이크로 컴퓨터에 의해 구성된다.In FIG. 6, the signal processing unit 56 has an analog-to-digital (A / D) converter 62, a light receiving amount data memory 64, an arithmetic processing unit 66, a setting unit 68, and an output unit 70. have. Among these, the light-receiving amount data memory 64, the arithmetic processing part 66, the setting part 68, and the output part 70 are comprised by a microcomputer, for example.

A/D 변환기(62)는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 광 센서(54)(수광부(60))로부터의 수광량 신호(AS)를 소정의 주기 Δt(예를 들면 1.5msec)로 디지털 신호, 즉 수광량 데이터 ‥A0, A1, A2, ‥로 변환한다. 수광량 데이터 메모리(64)는, A/D 변환기(62)로부터 출력된 수광량 데이터 ‥A0, A1, A2,‥를 현시점으로부터 일정시간 전까지의 분(일정 데이터 양)만큼 덮어쓰기 방식으로 일시적으로 격납한다.As illustrated in FIG. 10, the A / D converter 62 converts the received light amount signal AS from the optical sensor 54 (light receiving unit 60) at a predetermined period Δt (for example, 1.5 msec), Namely, the received light amount data is converted into A0, A1, A2, .... The light reception amount data memory 64 temporarily stores the light reception amount data? A0, A1, A2, ... outputted from the A / D converter 62 in an overwrite manner by a minute (a certain amount of data) up to a certain time from the present time. .

연산부(66)는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 샘플치 추출부(72), 감소분 연산부(74), 적산부(76) 및 판정부(78)를 구비하고 있다.As shown in FIG. 11, the calculation unit 66 includes a sample value extraction unit 72, a decrease calculation unit 74, an integration unit 76, and a determination unit 78.

도 12에 대하여, 샘플치 추출부(72)의 작용을 설명한다. 도면 중에서, [1], [2], [3], [4]는 추출점을 나타낸다. 샘플치 추출부(72)는, 수광량 데이터 메모리 (64)에 격납되어 있는 수광량 데이터 중에서, 일정 시간(p*Δt) 간격의 복수(n)개, 예를 들면 4개의 수광량 데이터(Ai-3p, Ai-2p, Ai-p, Ai)를 추출한다. 예를 들어, p=10으로 하면, 수광량 데이터 메모리(64)에 수광량 데이터 A30가 격납된 직후에, 샘플치 추출부(72)는, 그 수광량 데이터 A30와, 그것보다 10개분(10Δt분) 전의 수광량 데이터 A20와, 그것보다 10개분(10Δt분) 더 전의 수광량 데이터 A10과, 그것보다 10개분(10Δt분) 더 전의 수광량 데이터 A0을 동시에 추출한다.12, the operation of the sample value extracting unit 72 will be described. In the drawings, [1], [2], [3], and [4] represent extraction points. The sample value extracting unit 72 includes a plurality (n), for example, four light receiving amount data Ai-3p, of a predetermined time interval (p * Δt), among the light receiving amount data stored in the light receiving amount data memory 64. Ai-2p, Ai-p, Ai) is extracted. For example, if p = 10, immediately after the received light amount data A30 is stored in the received light amount data memory 64, the sample value extracting unit 72 will receive the received light amount data A30 and ten (10Δt minutes) ahead of it. The light-receiving amount data A20, the light-receiving amount data A10 for ten (10Δt minutes) earlier than that, and the light-receiving amount data A0 for ten (10Δt minutes) earlier than that are simultaneously extracted.

그리고, 수광량 데이터 A30의 다음의 수광량 데이터 A31가 수광량 데이터 메모리(64)에 격납되면, 그 직후에 샘플치 추출부(72)는 상기와 동일한 방법으로 일정 시간(10Δt분) 간격의 4개의 수광량 데이터(A1, A11, A21, A31)를 추출한다. 그리고, 수광량 데이터 A31의 다음의 수광량 데이터 A32가 수광량 데이터 메모리(64)에 격납되면, 그 직후에 샘플치 추출부(72)는 역시 상기와 동일한 방법으로 일정 시간(10Δt분) 간격의 4개의 수광량 데이터(A2, A12, A22, A32)를 추출하도록 되어 있다.Then, if the next received light amount data A31 of the received light amount data A30 is stored in the received light amount data memory 64, immediately after that, the sample value extracting unit 72 performs the four received light amount data at intervals of a predetermined time (10? T minutes) in the same manner as described above. (A1, A11, A21, A31) are extracted. Then, when the received light amount data A32 of the received light amount data A31 is stored in the light received amount data memory 64, immediately after that, the sample value extracting unit 72 also receives four light received amounts at intervals of a predetermined time (10Δt minutes) in the same manner as described above. Data A2, A12, A22, and A32 are extracted.

한편, 샘플치 추출부(72)에서 이용하는 추출점의 개수 n(바람직하게는 3 이상) 및 간격 p는, 판정부(68)(도 6)로부터 주어진다.On the other hand, the number n (preferably 3 or more) of the extraction points used by the sample value extraction part 72 and the space | interval p are given from the determination part 68 (FIG. 6).

도 13에 대하여, 감소분 연산부(74)의 작용을 설명한다. 감소분 연산부(74)는, 샘플치 추출부(72)에 의해 추출된 4개의 수광량 데이터(Ai-3p, Ai-2p, Ai-p, Ai)에 대하여 각각 수광량 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)을 구한다. 여기서, δi-3p=N-Ai-3p, δi-2p=N-Ai-2p, δi-p=Ai-p, δi=NAE-Ai이며, NAE는 수광량 기준치이다. 따라서, 예를 들어 시간 t30에서 얻어지는 수광량 감소분(δ0, δ10, δ20, δ30)은, δ0=NAE-A0, δ10=NAE-A10, δ20= NAE-A20, δ30= NAE-A30이다.13, the operation of the decrease calculator 74 will be described. The decrease calculating unit 74 receives light receiving amount decreases δi-3p and δi-2p for the four light receiving amount data Ai-3p, Ai-2p, Ai-p, Ai extracted by the sample value extracting unit 72, respectively. , δi-p, δi) is obtained. Here, delta i-3p = N-Ai-3p, delta i-2p = N-Ai-2p, delta i-p = Ai-p, delta i = N AE -Ai, and N AE is a light receiving amount reference value. Therefore, for example, the received light amount reductions (δ0, δ10, δ20, δ30) obtained at time t30 are δ0 = N AE -A0, δ10 = N AE -A10, δ20 = N AE -A20, δ30 = N AE -A30 .

수광량 기준치 NAE는, 바람직하게는, 기판 반송 방향(X방향)에서 기판(G)의 선두 부분이 광 센서(54)를 통과했을 때 수광부(60)에서 얻어진 광 빔 수광량의 값이면 좋고, 혹은 4개의 추출점 [1], [2], [3], [4] 중에서 가장 시간적으로 오래된 것[4]보다 일정시간 전(예를 들면 10msec)에 수광부(60)에서 얻어진 광 빔 수광량의 값에 상당하고, 100%의 값으로 설정된다.The light receiving amount reference value N AE is preferably a value of the light beam light receiving amount obtained from the light receiving unit 60 when the first portion of the substrate G passes through the optical sensor 54 in the substrate conveyance direction (X direction), or The value of the light beam received amount obtained by the light receiving unit 60 at a predetermined time (for example, 10 msec) before the most temporally older one of the four extraction points [1], [2], [3], and [4]. Is set to a value of 100%.

감소분 연산부(74)는, 수광량 데이터(A2, A12, A22, A32)를 %표시로 정규화하여, 수광량 감소분(δ0, δ10, δ20, δ30)을 %표시로 구한다. 따라서, 예를 들어(A2, A12, A22, A32)=(100, 98, 95, 97)일 때는, (δ0, δ10, δ20, δ30)=(0, 2, 5, 3)으로 된다.The decrease calculation unit 74 normalizes the light receiving amount data A2, A12, A22, and A32 to% display, and obtains the light receiving amount decreasing amounts δ0, δ10, δ20, and δ30 by% display. Thus, for example, when (A2, A12, A22, A32) = (100, 98, 95, 97), (δ0, δ10, δ20, δ30) = (0, 2, 5, 3).

적산부(76)는, 감소분 연산부(74)로부터 일괄적 또는 1프레임(틀)(FL)에서 출력되는 4개의 수광량 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)를 승산(乘算)하여, 연산 결과 Ii를 출력한다. 예를 들면, 감소분 연산부(74)로부터 출력된(δ0, δ10, δ20, δ30)이 (0, 2, 5, 3)인 경우, 0*2*5*3의 승산이 이루어지고, 연산 결과로서, Ii=0이 출력된다.The integrating unit 76 multiplies the four light receiving amount reductions δi-3p, δi-2p, δi-p, δi outputted collectively or in one frame (FL) from the decrease calculating unit 74 (乘). V) and outputs the calculation result Ii. For example, when (δ0, δ10, δ20, δ30) output from the decrement calculating unit 74 is (0, 2, 5, 3), a multiplication of 0 * 2 * 5 * 3 is made, and as a result of the calculation , Ii = 0 is output.

판정부(78)는, 적산부(76)로부터 출력되는 연산 결과 Ii를 설정부(68)(도 6)로부터의 판정 문턱치 Is와 비교하여, 그들의 대소 관계를 판정하고, Ii≤Is일 때는 판정 출력 신호 W를 예를 들면 논리치 L로 하고, Ii>Is일 때는 판정 출력 신호 W를 예를 들면 논리치 H로 한다. 판정부(78)로부터 논리치 H의 판정 출력 신호 W가 출력되면, 출력부(70)(도 6)로부터 경보 신호(WS)가 출력되도록 되어 있다.The determination unit 78 compares the calculation result I i output from the integration unit 76 with the determination threshold I s from the setting unit 68 (FIG. 6), and determines their magnitude relationship, and I i ≤ I At s , the determination output signal W is, for example, a logic value L. At I i > I s , the determination output signal W is, for example, a logic value H. When the determination output signal W of the logic value H is output from the determination unit 78, the alarm signal WS is output from the output unit 70 (FIG. 6).

상기와 같이, 신호처리부(56)에서는, 샘플치 추출부(72) 및 감소분 연산부 (74)에 의해, 시간축상에 소정의 간격(p*Δt)을 두고 설정되는 복수(n)개, 예를 들면 4개의 추출점[1], [2], [3], [4]에서 소정의 수광량 기준치 NAE에 대한 광 빔 수광량(AE)의 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)를 구하는 제1 연산이 행해진다. 그리고, 적산부(76)에 의해, 그들 복수의 추출점[1], [2], [3], [4]로부터 각각 얻어진 수광량 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)를 승산하는 제2 연산이 행해진다. 마지막으로, 판정부(78)에서, 수광량 감소분의 적산치 Ii를 소정의 문턱치 IS와 비교하여, 적산치 Ii가 상기 문턱치 IS를 넘었을 때, 논리치 H의 판정 결과 W를 출력하는 제3 연산이 이루어진다. As described above, in the signal processing unit 56, the sample value extraction unit 72 and the decrease calculation unit 74, for example, set a plurality (n) of predetermined intervals (p * Δt) on the time axis. For example, at the four extraction points [1], [2], [3], and [4], the decreases (δi-3p, δi-2p, δi-p,) of the light beam received amount (AE) with respect to the predetermined light receiving amount reference value N AE A first operation to find delta i) is performed. The amount of received light reductions (δi-3p, δi-2p, δi-p, δi) obtained by the integration unit 76 from the plurality of extraction points [1], [2], [3], and [4], respectively. A second operation of multiplying is performed. Finally, the plate in the state 78, the integrated value I i of the received light intensity decrease as compared to a predetermined threshold value I S, integrated value I i is time exceeds the threshold value I S, outputs the determination result of the logical value H W A third operation is made.

여기서, 판정부(78)가 논리치 H의 판정 결과 W를 출력한다 함은, 이 이면 이물 검출장치(50)가 광 빔 수광량(AE)의 파형 중에 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형의 프로파일이 포함되어 있다고 판정한 것을 의미한다.Here, the determination unit 78 outputs the determination result W of the logic value H. In this case, the foreign material detecting device 50 has an inverted profile whose magnitude exceeds the reference size in the waveform of the light beam received amount AE. It means that it is determined to be included.

여기서, 추출점[1], [2], [3], [4]의 선두[1]로부터 말미[4]까지의 시간폭 TS 및 상기 문턱치 Is는, 유해 이면 이물(Q)의 높이 방향의 사이즈 HQ가 하한치(즉 부상 높이 HCOT와 도포 갭(K)을 더한 값)일 때 수광량(AE)의 파형에 나타나는 역산형 프로파일의 기준 사이즈(직경 사이즈 DQ, 수광량 감소 피크치 δQ)에 따라서, 최적 또는 적당치로 설정된다.Here, the time width T S from the beginning [1] to the end [4] of the extraction points [1], [2], [3], and [4], and the threshold value I s are the heights of the harmful foreign matter Q. Reference size (diameter size D Q , received amount decrease peak value δ Q of the inverted profile, which appears in the waveform of the received light amount AE when the size H Q in the direction is a lower limit (that is, the sum of the floating height H COT and the coating gap K). ) Is set to an optimal or appropriate value.

예를 들면, 기판(G)의 두께 TG가 700㎛, 부상 높이 HCOT가 40㎛, 도포 갭(K)이 100㎛인 경우, 높이 방향의 사이즈 HQ가 140㎛인 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있으면, 기판(G)의 증가부(GQ)가 슬릿 노즐(14)의 토출구의 높이로 된다. 이때, 수광량(AE)의 파형에 나타나는 역산형 프로파일의 직경 사이즈는 70㎛, 수광량 감소 피크치 δQ는 7%이다. 이들 값(70㎛, 7%)은, 실험으로 얻어진다. For example, the thickness T G of the substrate (G) 700㎛, the flying height H COT 40㎛, the coating gap (K) is the case of 100㎛, if the size H in the vertical direction Q is 140㎛ harmful foreign substances (Q ) Is attached to the rear surface of the substrate G, the increase portion G Q of the substrate G becomes the height of the discharge port of the slit nozzle 14. At this time, the diameter size of the inverted profile shown in the waveform of the light receiving amount AE is 70 μm, and the light receiving amount decreasing peak value δ Q is 7%. These values (70 micrometers, 7%) are obtained by experiment.

한편, 기판 반송 속도 v는 일정하기 때문에, 수광량 신호(AS) 또는 수광량 (AE)의 파형에서의 시간축 t는 일정한 비례 관계(X=vt)에서 기판 반송 방향의 X축으로 치환할 수 있다.On the other hand, since the substrate conveyance speed v is constant, the time axis t in the waveform of the received light amount signal AS or the received light amount AE can be replaced by the X axis in the substrate conveyance direction in a constant proportional relationship (X = vt).

따라서, 이론적으로는, 예를 들어 5%∼7%의 문턱치에 대면, 대부분의 유해 이면 이물(Q)을 검출할 수는 있다. 그러나, 실제로는, 광 센서(54)로부터 출력되는 수광량 신호(AS)에는 부상 반송중인 기판(G)의 흔들림이나 광 센서(54) 자체의 진동 등에 의해 대부분 1에 가까운 SN비로 노이즈 성분이 섞여 있기 때문에, 그러한 판정법은 유효하지는 않다.Therefore, in theory, most harmful back surface foreign substances Q can be detected, for example, when facing the threshold of 5%-7%. However, in reality, the received light amount signal AS output from the optical sensor 54 is mostly mixed with a noise component at an SN ratio close to 1 due to shaking of the substrate G in the floating conveyance or vibration of the optical sensor 54 itself. Therefore, such a judgment method is not valid.

그래서, 이 실시 형태에서는, 상기와 같이 복수(n)개의 추출점[1], [2], [3], [4]로부터 각각 얻어지는 1프레임(FL)의 수광량 감소분(δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)을 승산(또는 가산)하여, 그 연산 결과(적산치) Ii에 의해서 역산형 프로파일의 크기를 계산하도록 하고 있다.Thus, in this embodiment, the amount of light received decreases δi-3p and δi− of one frame FL obtained from the plurality of n extraction points [1], [2], [3], and [4] as described above, respectively. 2p, delta i-p, delta i) are multiplied (or added), and the size of the inverse type profile is calculated based on the calculation result (integrated value) I i .

이 방법에서는, 추출점의 전체 시간폭 Ts가 거리 환산 DTS으로 기준(하한)의 직경 사이즈 DQ(70㎛)보다 적절히(바람직하게는 1/2DQ<DTS<DQ) 작은 것이 중요하고, 예를 들어 DTS=60㎛으로 설정된다. 이에 따라, 역산형 프로파일 중, 직경 사이즈가 DTs보다 작은 것은, 적산치 Ii가 항상 영 또는 그 부근의 값을 취하기 때문에, 확실하게 유해 이면 이물(Q)은 아니라고 판정할 수 있다. 또한, 역산형 프로파일 중, 직경 사이즈가 TS보다 큰 것은, 그 역산형 프로파일의 크기가 적산치 Ii에 반영되므로, 적절한 값의 상기 문턱치 Is에 의해서 유해 이면 이물(Q)임을 확실하게 판별할 수 있다.In this method, the total time width T s of the extraction point is suitably smaller (preferably 1 / 2D Q <DT S <D Q ) than the diameter size D Q (70 μm) of the reference (lower limit) in terms of distance DT S. Important, for example, DT S = 60 μm. Accordingly, it is possible to determine that the diameter size is smaller than DT s among the inverted profile, so that the integrated value I i always takes a value of zero or its vicinity, so that it is not the foreign matter Q if it is harmful. In addition, among the inverted profile, the diameter size is larger than T S , so that the size of the inverted profile is reflected in the integrated value I i , so that the threshold value I s of the appropriate value reliably discriminates the foreign material Q if it is harmful. can do.

예를 들면, 상기와 같이 높이 방향의 사이즈 HQ가 140㎛인 최소 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있을 때, 수광량(AE)의 파형에 도 14의 (a)에 나타내는 바와 같은 역산형 프로파일이 나타난 경우, 적산치 Ii는 1*4.5*6*2.5 =67.5로 된다. 이 적산치 Ii는 노이즈 성분의 영향을 거의 받지 않는 해당 역산형 프로파일 고유의 속성치이다. 따라서, 상기 문턱치 Is를 예를 들면 60으로 설정함으로써, 당해 이면 이물이 유해 이면 이물(Q)임을 적확하고 확실하게 판별할 수 있다.For example, when the minimum harmful back surface foreign material Q whose size H Q of the height direction is 140 micrometers is affixed to the back surface of the board | substrate G as mentioned above, FIG.14 (a) shows the waveform of the light reception amount AE. When the inverse profile as shown in Fig. 7 appears, the integrated value I i is 1 * 4.5 * 6 * 2.5 = 67.5. The integrated value I i is an attribute value inherent to the inverse profile, which is hardly influenced by the noise component. Therefore, by setting the threshold value I s to, for example, 60, it is possible to accurately and surely determine that the back surface foreign material is a harmful back surface foreign material Q.

아울러, 높이 방향의 사이즈 HQ가 190㎛인 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있는 경우, 수광량(AE)의 파형에는 도 14의 (b)에 나타내는 바와 같은 역산형 프로파일이 나타난다. 이 경우, 적산치 Ii는 8.5*9*5*2=675로 되어, 상기 문턱치 IS(60)를 훨씬 넘었으므로, 역시 확실하게 유해 이면 이물(Q)이라고 판정할 수 있다.In addition, when the harmful back surface foreign material Q whose size H Q of the height direction is 190 micrometers is affixed on the back surface of the board | substrate G, the waveform of the light reception amount AE is shown in FIG. 14 (b). The profile appears. In this case, the integrated value I i is in 8.5 * 9 * 5 * 2 = 675, was much more than the threshold value I S (60), can also be reliably determined to be harmful if the foreign object (Q).

또한, 높이 방향의 사이즈 HQ가 100㎛인 실질적 무해 이면 이물(q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있는 경우, 수광량(AE)의 파형에는 도 14의 (c)에 나타내는 바와 같은 역산형 프로파일이 나타난다. 이 경우, 적산치 Ii는 0*1*3*0.2=0으로 되어, 당해 이면 이물이 유해 이면 이물(Q)은 아니라고 명확하게 판정할 수 있다.In addition, in the case where the substantially harmless back surface foreign material q having a size H Q in the height direction is attached to the back surface of the substrate G, the waveform of the received light amount AE is inverted as shown in Fig. 14C. Type profile appears. In this case, the integrated value I i is 0 * 1 * 3 * 0.2 = 0, and it can be clearly determined that this foreign material is not a foreign material Q if it is a harmful object.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 그 기술적 사상의 범위내에서 여러가지로 변형 또는 변경이 가능하다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation or a change are possible within the range of the technical idea.

예를 들면, 도 15에 나타내는 바와 같이, 신호처리부(56)의 연산부(66)를, 샘플치 추출부(72), 패턴 비교부(80) 및 판정부(82)로 구성할 수 있다. 여기서, 패턴 비교부(80)는, 도 16에 나타내는 바와 같이, 시간축 상에서 광 빔 수광량의 파형에 기준 사이즈(기준 직경 사이즈 DQ, 기준 수광량 감소 피크치 δQ) 또는 그것보다 더 작은 사이즈를 갖는 역산형 프로파일의 모델 패턴 MP를 정규로서 대고, 복수 개소(예를 들면 5개소) [1]∼[5]에서 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-4p, δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)와 모델 패턴 MP를 비교하여, 그 대소 관계를 +/-의 2값으로 출력한다. 또한, 모델 패턴 MP의 데이터는 설정부(68)(도 6)로부터 주어진다.For example, as shown in FIG. 15, the calculating part 66 of the signal processing part 56 can be comprised by the sample value extraction part 72, the pattern comparison part 80, and the determination part 82. As shown in FIG. Here, as shown in FIG. 16, the pattern comparison unit 80 has an inversion having a reference size (reference diameter size D Q , reference light reception decrease peak value δ Q ) or a smaller size than that on the waveform of the light beam light reception amount on the time axis. Reduction of the amount of received light of the inverse type profile (δi-4p, δi-3p, δi-2p, δi-p) with the model pattern MP of the type profile as a normal and plural places (for example, 5 places) [1] to [5]. , δ i) and the model pattern MP are compared, and the magnitude relationship is output as two values of +/-. In addition, data of the model pattern MP is given from the setting unit 68 (Fig. 6).

예를 들면, 높이 방향의 사이즈 HQ가 140㎛인 최소 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있을 때는, 도 16의 (a)와 같이 되어, 비교 개소[1]∼[5]의 전부에서 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-4p, δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)이 모델 패턴 MP를 상회하므로, 패턴 비교부(80)로부터 (+,+,+,+,+)의 비교 결과 출력이 얻어진다. 이 경우, 판정부(82)는, 비교 결과 출력이 모두 +이므로, 유해 이면 이물(Q)이 검출되었다는 취지의 논리치 H의 판정 결과 W를 출력한다.For example, when the smallest harmful back surface foreign material Q whose size H Q of the height direction is 140 micrometers is affixed to the back surface of the board | substrate G, it will become like FIG.16 (a), and compares [1]- In all of [5], the decrease in the amount of received light (δi-4p, δi-3p, δi-2p, δi-p, δi) of the inverse profile was greater than the model pattern MP, so that the (+, + A comparison result of (+, +, +) yields an output. In this case, since the comparison result outputs are all +, the determination part 82 outputs the determination result W of the logic value H that the foreign material Q was detected if it was harmful.

또한, 높이 방향의 사이즈 HQ가 190㎛인 유해 이면 이물(Q)이 기판(G)의 이면에 부착되어 있는 경우는, 도 16의 (b)와 같이 되고, 역시 비교 개소 [1]∼[5]의 전부에서 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-4p, δi-3p, δi-2p, δi-p, δi)이 모델 패턴 MP를 상회하므로, 패턴 비교부(80)로부터 (+,+,+,+,+)의 비교 결과 출력을 얻어지며, 판정부(82)는 유해 이면 이물(Q)이 검출되었다는 취지의 논리치 H의 판정 결과 W를 출력한다.In addition, when the harmful back surface foreign material Q whose size H Q of the height direction is 190 micrometers is affixed on the back surface of the board | substrate G, it becomes like FIG.16 (b), and also compares [1]-[ 5], the reduction in the amount of received light (δi-4p, δi-3p, δi-2p, δi-p, δi) of the inverted profile exceeds the model pattern MP, so that from the pattern comparison section 80, (+, +, The comparison result output of +, +, + is obtained, and the determination part 82 outputs the determination result W of the logic value H that the foreign material Q was detected if it was harmful.

그러나, 높이 방향의 사이즈 HQ가 100㎛인 실질적 무해 이면 이물(q)이 기판 (G)의 이면에 부착되어 있는 경우는, 도 16의 (c)와 같이 되어, 비교 개소[4], [5]에서는 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-4p, δi-3p)이 모델 패턴 MP를 상회하지만, 비교 개소 [1], [2], [3]에서는 역산형 프로파일의 수광량 감소분(δi-2p, δi-P, δi)이 모델 패턴 MP를 밑돌고 있다. 이 경우, 패턴 비교부(80)로부터 (+, +, -, -, -)의 비교 결과 출력이 얻어진다. 이에 따라, 판정부(82)는, 비교 결과 출력의 일부가 "-"이기 때문에, 유해 이면 이물(Q)이 아니라는 취지의 논리치 L의 판정 결과 W를 출력한다.However, in the case where the foreign matter q having a substantially harmless back surface q having a size H Q in the height direction is adhered to the back surface of the substrate G is as shown in Fig. 16C, the comparison points [4] and [ 5, the received amount decrease of the inverted profile (δi-4p, δi-3p) is higher than the model pattern MP, but in the comparison points [1], [2], [3], the received amount decreased in the inverted profile (δi-2p) , δ i -P, δ i) are below the model pattern MP. In this case, the comparison result output of (+, +,-,-,-) is obtained from the pattern comparison part 80. FIG. Thereby, since the part of the comparison result output is "-", the determination part 82 outputs the determination result W of the logic value L which is not the foreign material Q when it is harmful.

한편, 투광부(58)로부터 출사된 광 빔(LB)의 하단부가 기판(G)의 일측면에서 진로가 끊어져, 기판(G)의 상면보다 높은 공간을 수평으로 전파하는 빔 부분만이 수광부(60)의 수광면에 도달하도록, 빔 광로의 높이 위치를 설정 또는 조정해도 좋다고 상술했지만, 다음에 이 이유를 설명한다.On the other hand, the lower end portion of the light beam LB emitted from the light transmitting portion 58 is disconnected from one side surface of the substrate G, so that only the beam portion that horizontally propagates the space higher than the upper surface of the substrate G receives the light receiving portion ( Although the height position of the beam optical path may be set or adjusted so as to reach the light receiving surface at 60), the reason will be described next.

광 빔(LB)의 광로의 높이 위치의 설정으로서는, 다음의 3가지를 고려할 수 있다. 첫번째는, 도 17에 나타내는 바와 같이, 기판(G)의 상면과 광 빔(LB)의 하단이 일치하도록 설정하는 경우이다. 이 경우, 예를 들면, 기판(G)이 조금이라도 가라앉으면, 기판(G)의 상면과 광 빔(LB)의 하단 사이에 간극이 생겨, 기판(G)의 유해 이면 이물을 정밀도 좋게 검지할 수 없는 경우가 발생하므로, 설정으로서는 바람직하지 않다.As setting of the height position of the optical path of the light beam LB, the following three things can be considered. First, as shown in FIG. 17, the case where it sets so that the upper surface of the board | substrate G and the lower end of the light beam LB may correspond may be set. In this case, for example, when the substrate G even sinks even a little, a gap is formed between the upper surface of the substrate G and the lower end of the light beam LB, so that foreign substances on the harmful surface of the substrate G can be detected with high accuracy. Since it may not be possible, it is not preferable as a setting.

두번째는, 도 18에 나타내는 바와 같이, 광 빔(LB) 중에, 기판(G)이 배치되도록, 즉 기판(G)의 측면이 전부 광 빔(LB) 중에 배치되는 경우이다. 이 경우, 기판 하면과 부상 스테이지(10) 사이에도 광 빔(LB)이 통과한다. 도 19를 이용하여, 수광부(60)의 수광 상태를 설명한다. 수광부(60)는, 2값(백, 흑)으로 검지한다. 백은, 광 빔(LB)이 도달한 영역이며, 면적은 S1, S2로 한다. 흑은, 광 빔(LB)을 수광할 수 없었던 영역이다. 또한, ΔS는, 기판 이면(하면)과 부상 스테이지(10) 사이에 이물이 끼워져, 기판(G)의 표면(상면)이 두꺼워져, 광 빔(LB)을 수광할 수 없었던 영역이며, 면적을 ΔS로 한다. 수광부(60)는, 광 빔(LB)의 검지 결과를 연산부 (66)에 보내어, 면적 S1, S2, ΔS를 이용하여, 다음의 식을 계산한다.Second, as shown in FIG. 18, when the board | substrate G is arrange | positioned in the light beam LB, ie, the side surface of the board | substrate G is arrange | positioned all in the light beam LB. In this case, the light beam LB also passes between the lower surface of the substrate and the floating stage 10. A light receiving state of the light receiving unit 60 will be described with reference to FIG. 19. The light receiving unit 60 detects at two values (white and black). The bag is a region where the light beam LB has reached, and the areas are set to S1 and S2. Black is an area | region where the light beam LB was not able to receive. Moreover, (DELTA) S is an area | region where the foreign material was pinched | interposed between the back surface (lower surface) of the board | substrate and the floating stage 10, the surface (upper surface) of the board | substrate G became thick, and the light beam LB was not able to receive. Let ΔS be. The light receiving part 60 sends the detection result of the light beam LB to the calculating part 66, and calculates following Formula using area S1, S2, (DELTA) S.

R(%)={(S1+S2-ΔS)/(S1+S2)}×100…①R (%) = {(S1 + S2-ΔS) / (S1 + S2)} × 100... ①

알기 쉽게, 단순화하여 설명하면, 상기의 R 값을 이용하여 기판 이면의 이물 검지를 행하게 되는데, 기판 하면과 부상 스테이지(10) 사이에도 광 빔(LB)이 존재하기 때문에, 가령 기판 이면 이물이 있는 경우에도, R 값의 변화가 작아지므로, 광 빔(LB)의 설정으로서는 바람직하지 않다.For simplicity and simplicity, the foreign material detection on the back surface of the substrate is performed using the above R value. Since the light beam LB exists between the lower surface of the substrate and the floating stage 10, for example, the foreign material on the back surface of the substrate is present. Even in this case, since the change in the R value becomes small, it is not preferable as the setting of the light beam LB.

세번째는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 상술한 바와 같이, 광 빔(LB)의 하단부가 기판(G)의 일측면에서 진로가 끊어져, 기판(G)의 상면보다 높은 공간을 수평으로 전파하는 빔 부분만이 수광부(60)의 수광면에 도달하도록 설정하는 경우이다. 이 경우, 약간의 ΔS의 변화로, 상술한 ①식의 계산치가 크게 다르기 때문에, 가장 바람직한 설정이다.Third, as shown in FIG. 7, as described above, the lower end of the light beam LB cuts off from one side of the substrate G, and the beam propagates horizontally through the space higher than the upper surface of the substrate G. It is a case where only a part is set to reach the light receiving surface of the light receiving part 60. In this case, it is the most preferable setting because the calculated value of the above equation (1) is very different due to a slight change in ΔS.

한편, 상술한 실시 형태에서는, 스릿 노즐(14)을 이용하여 설명하였다. 그러나, 노즐의 하면에 도포액을 토출하는 슬릿을 형성한 슬릿 노즐(14) 대신에, 예를 들면 노즐의 하면에 미세한 복수의 토출공을 형성한 긴 형상의 노즐이어도 됨은 물론이고, 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.In addition, in embodiment mentioned above, it demonstrated using the slit nozzle 14. As shown in FIG. However, instead of the slit nozzle 14 having the slit for discharging the coating liquid on the lower surface of the nozzle, for example, a long nozzle having a plurality of fine discharge holes formed on the lower surface of the nozzle may be used. Can be obtained.

본 발명의 도포장치에서의 처리액으로서는, 레지스트액 이외에도, 예를 들면 층간 절연 재료, 유전체 재료, 배선 재료 등의 도포액도 가능하고, 각종 약액, 현상액이나 린스액 등도 가능하다. 본 발명에서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정되지 않고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판, 반도체 웨이퍼, CD기판, 포토마스크, 프린트 기판 등도 가능하다. As the processing liquid in the coating apparatus of the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, a wiring material, and the like can be used, and various chemical liquids, a developing solution, a rinse liquid, and the like are also possible. The substrate to be treated in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, photomasks, printed substrates, and the like can also be used.

본 발명의 이면 이물 검출방법 및 이면 이물 검출장치는, 특히 평류 방식의 도포장치에 적합하게 적용할 수 있지만, 평류 방식을 채택하는 다른 종류의 기판 처리 장치에도 적용이 가능하다. The back foreign matter detection method and the back foreign matter detection device of the present invention can be suitably applied to a coating apparatus of a flat flow method, but can also be applied to other types of substrate processing apparatuses employing a flat flow method.

10: 부상 스테이지
12: 반송 기구
14: 슬릿 노즐
16: 분출구
18: 흡인구
40: 레지스트 공급 기구
50: 이면 이물 검출장치
52: 광 센서
54: 신호처리부
10: injury stage
12: conveying mechanism
14: slit nozzle
16: spout
18: suction port
40: resist supply mechanism
50: back side foreign matter detection device
52: light sensor
54: signal processing unit

Claims (30)

다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 설치된 부상(浮上) 영역을 소정의 부상 높이로 통과하도록 피처리 기판을 반송하고, 상기 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐로부터 그 아래를 통과하는 상기 기판상에 처리액을 공급하여 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포장치에 있어서, 상기 기판의 이면(裏面)에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물(異物)을 상기 긴 형상의 노즐보다 기판 반송 방향의 상류(上流)측의 위치에서 검출하기 위한 이면 이물 검출방법으로서,
상기 부상 스테이지를 사이에 두고 그 양측에 대향하여 배치되는 투광부(投光部)와 수광부(受光部) 사이에서, 상기 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 상면을 스치며 수평으로 횡단하는 광 빔을 송수(送受)시켜, 상기 수광부로부터 상기 광 빔의 수광량을 나타내는 수광량 신호를 취득하는 제1 공정과,
상기 수광량 신호에 기초하여, 상기 광 빔 수광량의 파형(波形)이 시간축 상에서 역산형(逆山形)으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 하고, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 소정의 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일을 검출했을 때, 상기 유해 이면 이물을 검출하였다는 취지의 경보 신호를 발생하는 제2 공정을 갖는 이면 이물 검출방법.
The substrate to be processed is conveyed so as to pass through the floating region provided with a plurality of ejection openings and a plurality of suction openings at a predetermined floating height, and passes therethrough from an elongated nozzle disposed above the floating region. A coating apparatus for supplying a processing liquid onto the substrate to form a coating film of the processing liquid, wherein the back surface foreign matter that is harmful to the long nozzle by being attached to the back surface of the substrate is formed in the long shape. As a back foreign matter detection method for detecting at a position on the upstream side of the substrate conveyance direction from a nozzle,
A light beam passing horizontally across the upper surface of the substrate passing through the floating region is transmitted between a light transmitting portion and a light receiving portion disposed opposite to both sides with the floating stage interposed therebetween. (Iii) a first step of acquiring a light receiving amount signal indicating a light receiving amount of the light beam from the light receiving unit;
Based on the light reception amount signal, a profile whose waveform of the light beam light reception amount is inverted on the time axis is monitored, and an inversion of a magnitude exceeding a predetermined reference size in the waveform of the light beam light reception amount And a second step of generating an alarm signal indicating that the harmful back surface foreign material has been detected when the mold profile is detected.
제1항에 있어서,
상기 기준 사이즈는, 높이 방향에서의 기준의 수광량 감소 피크치와, 횡방향에서의 기준의 직경 사이즈를 포함하는 이면 이물 검출방법.
The method of claim 1,
The said reference size is a back foreign matter detection method containing the peak value of the light reception amount of a reference | standard in a height direction, and the diameter size of the reference | standard in a horizontal direction.
제2항에 있어서,
상기 기준의 수광량 감소 피크치 및 상기 기준의 직경 사이즈는, 상기 기판의 두께, 상기 부상 높이 및 상기 긴 형상의 노즐과 상기 기판 사이의 도포 갭에 의존해서, 실험치를 기초로 설정되는 이면 이물 검출방법.
The method of claim 2,
The light receiving amount reduction peak value of the reference and the diameter size of the reference are set based on the experimental value, depending on the thickness of the substrate, the floating height and the coating gap between the elongated nozzle and the substrate.
제1항에 있어서,
상기 부상 높이와 상기 도포 갭을 더한 값을 기준으로 하여, 상기 유해 이면 이물로서의 높이 방향의 사이즈의 하한치를 설정하는 이면 이물 검출방법.
The method of claim 1,
The back surface foreign material detection method which sets the lower limit of the magnitude | size of the height direction as the said harmful back surface foreign material based on the value which added the said floating height and the said coating gap.
제1항에 있어서,
상기 제2 공정은,
시간축 상에 소정의 간격을 두고 설정되는 복수의 추출점에서 소정의 수광량 기준치에 대한 상기 광 빔 수광량의 감소분을 구하는 제3 공정과,
상기 복수의 추출점으로부터 각각 얻어진 수광량 감소분을 적산(積算)하는 제4 공정과,
상기 수광량 감소분의 적산치를 소정의 문턱치와 비교하여, 상기 적산치가 상기 문턱치를 넘었을 때, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 상기 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일이 포함되어 있다고 판정하는 제5 공정을 포함하는 이면 이물 검출방법.
The method of claim 1,
The second step,
A third step of obtaining a decrease of the light beam received amount with respect to a predetermined light received amount reference value at a plurality of extraction points set at predetermined intervals on a time axis;
A fourth step of integrating the received amount of light reduction respectively obtained from the plurality of extraction points;
A fifth step of comparing the integrated value of the received light amount reduction with a predetermined threshold and determining that an inverted profile of a size exceeding the reference size is included in the waveform of the light beam received amount when the integrated value exceeds the threshold; Back foreign matter detection method comprising.
제5항에 있어서,
상기 제3 공정에서 상기 광 빔 수광량의 감소분을 퍼센트 표시로 구하고, 상기 제4 공정에서 상기 수광량 감소분의 적산을 승산(乘算)에 의해서 행하는 이면 이물 검출방법.
The method of claim 5,
The foreign material detecting method for back surface foreign matter in which the decrease of the light beam received amount is calculated by a percentage display in the third step, and the integration of the reduced light received amount is multiplied in the fourth step.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 수광량 기준치는, 기판 반송 방향에서 상기 기판의 선두 부분이 상기 투광부 및 상기 수광부를 통과했을 때 상기 수광부에서 얻어진 광 빔 수광량의 값인 이면 이물 검출방법.
The method according to claim 5 or 6,
And the light receiving amount reference value is a value of the light beam light receiving amount obtained by the light receiving portion when the head portion of the substrate has passed through the light transmitting portion and the light receiving portion in the substrate conveyance direction.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 수광량 기준치는, 상기 복수의 추출점 중에서 가장 시간적으로 오래된 것보다 일정시간 전에 상기 수광부에서 얻어진 광 빔 수광량의 값인 이면 이물 검출방법.
The method according to claim 5 or 6,
And the light receiving amount reference value is a value of the light beam light receiving amount obtained by the light receiving unit a predetermined time before the oldest time in the plurality of extraction points.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 복수의 추출점의 선두로부터 말미까지의 시간폭은, 상기 기준의 직경 사이즈보다는 작고, 상기 기준의 직경 사이즈의 반보다는 큰 이면 이물 검출방법.
The method according to claim 5 or 6,
And a time width from the beginning to the end of the plurality of extraction points is smaller than the diameter size of the reference and larger than half of the diameter size of the reference.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 복수의 추출점을 3개소 이상 형성하는 이면 이물 검출방법.
The method according to claim 5 or 6,
A back foreign matter detection method for forming three or more of the plurality of extraction points.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 공정에서, 시간축 상에서 상기 광 빔 수광량의 파형에 상기 기준 사이즈 또는 그보다 더 작은 사이즈를 갖는 역산형 프로파일의 모델 패턴을 정규(定規)로서 대어, 복수 개소에서, 상기 모델 패턴을 상회하는 크기의 역산형 프로파일이 발견되면, 그것은 상기 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일인 것으로 판정하는 이면 이물 검출방법.
The method according to any one of claims 1 to 6,
In the second step, a model pattern of an inverted profile having a reference size or a size smaller than that of the waveform of the light beam received amount on a time axis is defined as a regular value, and the magnitude exceeds the model pattern in a plurality of places. If an inversion profile of is found, it is determined that it is an inversion profile of a size exceeding the reference size.
다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 부상 영역을 소정의 부상 높이로 통과하도록 피처리 기판을 반송하며, 상기 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐로부터 그 아래를 통과하는 상기 기판을 향하여 처리액을 공급하여, 상기 기판상에 상기 처리액의 도포막을 형성하는 도포장치에 있어서, 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 상기 긴 형상의 노즐보다 기판 반송 방향의 상류측의 위치에서 검출하기 위한 이면 이물 검출장치로서,
상기 부상 스테이지를 사이에 두고 그 양측에 대향하여 배치되는 투광부 및 수광부를 가지며,
상기 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 상면을 스치며 수평으로 횡단하는 광 빔을 상기 투광부와 상기 수광부 사이에서 송수(送受)시켜, 상기 수광부로부터 상기 광 빔의 수광량을 나타내는 수광량 신호를 출력하는 광 센서와,
상기 광 센서로부터 출력되는 상기 수광량 신호에 기초하여, 상기 광 빔 수광량의 파형이 시간축 상에서 역산형으로 되는 프로파일을 감시 대상으로 해서, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 소정의 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일을 검출했을 때, 상기 유해 이면 이물을 검출하였다는 취지의 경보 신호를 발생하는 신호처리부를 갖는 이면 이물 검출장치.
The substrate to be processed is passed through a floating area formed by mixing a plurality of ejection openings and a plurality of suction openings to a predetermined floating height, and the substrate passing below the elongated nozzle disposed above the floating area. A coating apparatus for supplying a processing liquid toward the substrate to form a coating film of the processing liquid on the substrate, wherein the back surface foreign matter that is attached to the rear surface of the substrate and is harmful to the elongated nozzle is conveyed to the substrate rather than the elongated nozzle. A back foreign matter detection device for detecting at a position on the upstream side in a direction,
It has a light transmitting portion and a light receiving portion disposed opposite to both sides with the floating stage therebetween,
An optical sensor that transmits a light beam that crosses the upper surface of the substrate passing through the floating region and crosses horizontally between the light transmitting portion and the light receiving portion, and outputs a light receiving amount signal indicating a light receiving amount of the light beam from the light receiving portion Wow,
Based on the received light quantity signal output from the optical sensor, a profile whose waveform of the light beam received amount is inverted on the time axis is monitored, and an inverted type having a size exceeding a predetermined reference size in the waveform of the light beam received amount The back surface foreign matter detection device which has a signal processing part which generate | occur | produces the alarm signal that the said harmful back surface foreign material was detected when a profile was detected.
제12항에 있어서,
상기 기준 사이즈는, 높이 방향에서의 기준의 수광량 감소 피크치와 횡방향에서의 기준의 직경 사이즈를 포함하는 이면 이물 검출장치.
The method of claim 12,
And the reference size includes a reference light receiving amount decrease peak value in the height direction and a reference diameter size in the lateral direction.
제13항에 있어서,
상기 신호처리부는, 상기 기판의 두께, 상기 부상 높이 및 상기 긴 형상의 노즐과 상기 기판 사이의 도포 갭에 의존하여 실험치에 기초하여 설정된 상기 기준의 수광량 감소 피크치 및 상기 기준의 직경 사이즈를 이용하는 이면 이물 검출장치.
The method of claim 13,
The signal processing unit is a back surface foreign material using the reference light receiving amount reduction peak value and the diameter size of the reference set based on an experimental value depending on the thickness of the substrate, the floating height, and the coating gap between the elongated nozzle and the substrate. Detection device.
제12항에 있어서,
상기 부상 높이와 상기 도포 갭을 더한 값을 기준으로 하여, 상기 유해 이면 이물로서의 높이 방향 사이즈의 하한치를 설정하는 이면 이물 검출장치.
The method of claim 12,
The back surface foreign matter detection apparatus which sets the lower limit of the height direction size as the said harmful back surface foreign material based on the value which added the said floating height and the said coating gap.
제12항에 있어서,
상기 신호처리부는,
시간축상에 소정의 간격을 두고 설정되는 복수의 추출점에서 소정의 수광량 기준치에 대한 상기 광 빔 수광량의 감소분을 구하는 제1 연산부와,
상기 복수의 추출점으로부터 각각 얻어진 수광량 감소분을 적산하는 제2 연산부와,
상기 수광량 감소분의 적산치를 소정의 문턱치와 비교하여, 상기 적산치가 상기 문턱치를 넘었을 때, 상기 광 빔 수광량의 파형 중에 상기 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일이 포함되어 있다고 판정하는 제3 연산부를 포함하는 이면 이물 검출장치.
The method of claim 12,
The signal processing unit,
A first calculating unit for obtaining a decrease of the light beam received amount with respect to a predetermined light received amount reference value at a plurality of extraction points set at predetermined intervals on a time axis;
A second calculating unit for integrating the received amount of light reduction respectively obtained from the plurality of extraction points;
A third calculation unit for comparing the integrated value of the received amount of light reduction with a predetermined threshold and determining that an inverted profile of a size exceeding the reference size is included in the waveform of the light beam received amount when the integrated value exceeds the threshold; Back foreign matter detection device comprising.
제16항에 있어서,
상기 제1 연산부는 상기 광 빔 수광량의 감소분을 퍼센트 표시로 구하고, 상기 제2 연산부는 상기 수광량 감소분의 적산을 승산에 의해서 행하는 이면 이물 검출장치.
The method of claim 16,
And said first calculating section obtains the decrease of said light beam received amount as a percentage display, and said second calculating section multiplies the integration of said reduced amount of received light by multiplication.
제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 수광량 기준치는, 기판 반송 방향에서 상기 기판의 선두 부분이 상기 투광부 및 상기 수광부를 통과했을 때 상기 수광부에서 얻어진 광 빔 수광량의 값인 이면 이물 검출장치.
The method according to claim 16 or 17,
The light receiving amount reference value is a back surface foreign matter detection device that is a value of a light beam light receiving amount obtained at the light receiving portion when the head portion of the substrate passes through the light transmitting portion and the light receiving portion in the substrate conveyance direction.
제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 수광량 기준치는, 상기 복수의 추출점 중에서 가장 시간적으로 오래된 것보다 일정시간 전에 상기 수광부에서 얻어진 광 빔 수광량의 값인 이면 이물 검출장치.
The method according to claim 16 or 17,
And the light receiving amount reference value is a value of a light beam light receiving amount obtained by the light receiving unit a predetermined time before the oldest time in the plurality of extraction points.
제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 복수의 추출점의 선두로부터 말미까지의 시간폭은, 상기 기준의 직경 사이즈보다는 작고, 상기 기준의 직경 사이즈의 반보다는 큰 이면 이물 검출장치.
The method according to claim 16 or 17,
And a time width from the beginning to the end of the plurality of extraction points is smaller than the diameter size of the reference and larger than half of the diameter size of the reference.
제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 복수의 추출점을 3개소 이상 형성하는 이면 이물 검출장치.
The method according to claim 16 or 17,
A back surface foreign matter detection device for forming three or more of said plurality of extraction points.
제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 신호처리부는, 시간축 상에서 상기 광 빔 수광량의 파형에 상기 기준 사이즈 또는 그보다 더 작은 사이즈를 갖는 역산형 프로파일의 모델 패턴을 정규로서 대고, 복수 개소에서 상기 모델 패턴을 상회하는 크기의 역산형 프로파일이 발견되면, 그것은 상기 기준 사이즈를 넘는 크기의 역산형 프로파일이라고 판정하는 연산부를 갖는 이면 이물 검출장치.
The method according to any one of claims 12 to 15,
The signal processing unit normalizes the model pattern of the inversion type profile having the reference size or a smaller size to the waveform of the light beam received amount on the time axis as a normal, and the inverse type profile having a size exceeding the model pattern in a plurality of places is normalized. If found, it has a computing part for determining that it is an inverse profile of a size exceeding the reference size.
다수의 분출구와 다수의 흡인구가 혼재되어 형성된 제1 부상 영역을 갖는 부상 스테이지와,
상기 부상 스테이지상에서 공중에 뜨는 상기 기판을 유지하여 상기 제1 부상 영역을 통과하도록 반송하는 반송 기구와,
상기 제1 부상 영역의 상방에 배치되는 긴 형상의 노즐을 가지며, 상기 제1 부상 영역을 통과하는 상기 기판상에 상기 긴 형상의 노즐로부터 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
기판 반송 방향에서 상기 긴 형상의 노즐보다 상류측의 위치에서, 상기 제1 부상 영역을 통과하는 상기 기판의 이면에 부착하여 상기 긴 형상의 노즐에 대해서 유해한 이면 이물을 검출하기 위한 제12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 이면 이물 검출장치를 갖는 도포장치.
A floating stage having a first floating area formed by mixing a plurality of jets and a plurality of suction holes,
A conveying mechanism for holding the substrate floating in the air on the floating stage to pass the first floating region;
A processing liquid supply part having an elongated nozzle disposed above the first floating area, and supplying a processing liquid from the elongated nozzle onto the substrate passing through the first floating area;
Claim 12 to Claim 12 for attaching to the back surface of the said board | substrate which passes through a said 1st floating area | region at the position of an upstream rather than the said elongate nozzle in a board | substrate conveyance direction, and detecting a harmful back surface foreign material with respect to the said elongate nozzle. The coating apparatus which has a back surface foreign matter detection apparatus in any one of Claims 17.
제23항에 있어서,
상기 긴 형상의 노즐을 승강 이동시키기 위한 승강기구를 가지며, 상기 이면 이물 검출장치로부터 발생된 상기 경보 신호에 응답하여, 상기 승강기구를 통해서 상기 긴 형상의 노즐을 상승 이동시키는 도포장치.
The method of claim 23, wherein
And an elevating mechanism for elevating and moving the elongated nozzle, wherein the elongated nozzle is moved up and down through the elevating mechanism in response to the alarm signal generated from the back surface foreign matter detecting device.
제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 이면 이물 검출장치로부터 발생된 상기 경보 신호에 응답하여, 상기 처리액 공급부에서의 처리액 토출 동작을 정지시키는 도포장치.
The method of claim 23 or 24,
And a coating apparatus discharging operation from the processing liquid supply unit in response to the alarm signal generated from the back surface foreign matter detecting device.
제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 이면 이물 검출장치로부터 발생된 상기 경보 신호에 응답하여, 상기 반송 기구에서의 기판 반송 동작을 정지시키는 도포장치.
The method of claim 23 or 24,
An application device for stopping a substrate conveyance operation in the conveyance mechanism in response to the alarm signal generated from the back surface foreign matter detection device.
제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 부상 스테이지가, 기판 반송 방향에서 상기 제1 부상 영역의 상류측에 상기 기판을 띄우기 위한 다수의 분출구를 형성한 제2 부상 영역을 갖는 도포장치.
The method of claim 23 or 24,
And said floating stage has a second floating region in which a plurality of ejection openings for floating said substrate are formed on an upstream side of said first floating region in the substrate conveying direction.
제27항에 있어서,
상기 제2 부상 영역내에, 상기 기판을 반입하기 위한 반입부가 설치되는 도포장치.
The method of claim 27,
A coating apparatus is provided in the second floating region, the carrying-in portion for carrying in the substrate.
제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 부상 스테이지가, 기판 반송 방향에서 상기 제1 부상 영역의 하류측에 상기 기판을 띄우기 위한 다수의 분출구를 형성한 제3 부상 영역을 갖는 도포장치.
The method of claim 23 or 24,
And said floating stage has a third floating region in which a plurality of ejection openings for floating said substrate are formed on the downstream side of said first floating region in the substrate conveyance direction.
제29항에 있어서,
상기 제3 부상 영역내에, 상기 기판을 반출하기 위한 반출부가 설치되는 도포장치.
The method of claim 29,
A coating apparatus is provided in the said 3rd floating area | region for carrying out the said board | substrate for carrying out the said board | substrate.
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