JP4417205B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 174
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 79
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 187
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
- B05C5/0225—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work characterised by flow controlling means, e.g. valves, located proximate the outlet
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
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Description
本発明は、ノズルから処理液を吐出しつつ基板を走査することにより、基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置の技術に関する。より詳しくは、ノズルによる走査において、ノズルが異物(対象物)と干渉することを防止するために、対象物を高精度に検出する技術に関する。 The present invention relates to a technique for a substrate processing apparatus that applies a processing liquid to a surface of a substrate by scanning the substrate while discharging the processing liquid from a nozzle. More specifically, the present invention relates to a technique for detecting an object with high accuracy in order to prevent the nozzle from interfering with a foreign object (object) in scanning with the nozzle.
液晶用ガラス角形基板、半導体ウエハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板(以下、単に「基板」と略する)などの製造工程においては、基板の表面に処理液を塗布する塗布装置(基板処理装置)が用いられる。塗布装置としては、スリット状の吐出部を有するスリットノズルを用いてスリットコートを行うスリットコータや、一旦前述のスリットコートを施してから、基板を回転させるスリット・スピンコータなどが知られている。 In the manufacturing process of liquid crystal glass square substrates, semiconductor wafers, film liquid crystal flexible substrates, photomask substrates, and color filter substrates (hereinafter simply referred to as “substrates”), a processing solution is applied to the surface of the substrate. A coating apparatus (substrate processing apparatus) is used. As coating apparatuses, there are known a slit coater that performs slit coating using a slit nozzle having a slit-like discharge section, and a slit / spin coater that rotates the substrate after the slit coating is performed once.
このような塗布装置では、スリットノズルの先端と基板とを近接させた状態で、スリットノズルと基板とを相対移動させて処理液を塗布するため、基板の表面に異物が付着していたり、基板とステージとの間に異物が挟まることによって基板が盛り上がった状態となることにより、
(1)スリットノズルが損傷する
(2)基板が割れる、あるいは基板に傷がつく
(3)異物を引きずりながら塗布することにより、塗布不良の原因となる
などの問題が発生する。
In such a coating apparatus, the slit nozzle and the substrate are moved relative to each other in a state where the tip of the slit nozzle and the substrate are close to each other to apply the treatment liquid. When the substrate rises due to foreign matter sandwiched between the stage and the stage,
(1) The slit nozzle is damaged. (2) The substrate is cracked or the substrate is scratched. (3) The coating is performed while dragging foreign matter, thereby causing problems such as application failure.
そのため、従来より、スリットノズルを用いる塗布装置においては、異物検査を行うことにより、スリットノズルと接触する対象物(干渉物)が存在するか否かを判定して、スリットノズルと対象物との衝突を回避させる技術が提案されている。このような技術が、例えば特許文献1に記載されている。
Therefore, conventionally, in a coating apparatus using a slit nozzle, it is determined whether or not there is an object (interference object) in contact with the slit nozzle by performing a foreign substance inspection. Techniques for avoiding collisions have been proposed. Such a technique is described in
特許文献1に記載されている塗布装置は、透過型のレーザーセンサー(透過してくるレーザー光を検出するセンサー)によって対象物の検出を行い、当該レーザーセンサーが対象物を検出した場合には、塗布処理を強制終了させることにより、スリットノズルと対象物とが接触することを防止する。
The coating apparatus described in
図12ないし図15は、特許文献1に記載されている塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサー100が対象物を検出する原理を説明するための概念図である。透過型のレーザーセンサー100は、投光部101から射出されたレーザー光を、光軸上に投光部101と対向して配置された受光部102で受光し、その受光量によって対象物の有無を検出するセンサーである。
12 to 15 are conceptual diagrams for explaining the principle by which the
レーザーセンサー100では、図12に示すように、何らかの物体(対象物)が光路上に存在する場合には、その対象物によって光路上でレーザー光が遮蔽される。そのため、図13に示すように、受光部102におけるレーザー光の受光量が減少する。したがって、レーザーセンサー100は、受光部102における受光量が所定の閾値Qよりも少ない場合に、光路上に対象物が存在すると判定することができる。
In the
ところが、大型のHe−Neガスレーザ等とは異なり、小型の半導体レーザでは、図12および図14に示すように、レーザー光は、ピントを合わせた位置(最も光束を絞った位置:ここで示す例においては投光部101の照射開始位置)から光軸方向にずれるにつれて、その径が広がってしまうという性質がある。そのため、図14に示すように、対象物が投光部101から遠い位置(径が広がった位置)にある場合には、レーザー光がほとんど遮蔽されることなく受光部102に受光されることとなる。この場合には、受光部102におけるレーザー光の受光量は、図15に示すように、閾値Qよりも多くなるため、本来検出すべき大きさの対象物が存在しているにもかかわらず、その対象物を検出することができないという事態が発生する。一般的な透過型のレーザーセンサーを用いた場合、塗布処理に必要な精度を維持することができる範囲は、投光部101と受光部102との間隔が最大500mm程度までである。
However, unlike a large-sized He—Ne gas laser or the like, in a small-sized semiconductor laser, as shown in FIGS. 12 and 14, the laser beam is in a focused position (a position where the luminous flux is most focused: an example shown here). 2 has a property that its diameter increases as it shifts in the optical axis direction from the irradiation start position of the
すなわち、特許文献1に記載されている塗布装置では、例えば基板の大型化により、レーザーセンサー100において、投光部101と受光部102とを比較的離して配置する必要が生じた場合(検出用のレーザー光の光路が長くなる場合)に、受光部102側の領域に対する検出精度が低下するという問題があった。
That is, in the coating apparatus described in
また、レーザーセンサー100では減衰量によって検出を行う。したがって、投光部101と受光部102とを正確に対向配置しなければならず、レーザーセンサー100の調整作業に時間を要するという問題があった。
Further, the
また、レーザーセンサー100の感度を向上させるためには、わずかな減衰に対しても異物を検出したと判断する必要がある。しかし、従来の装置では、移動の際の振動によって投光部101と受光部102とがずれてしまい、これによってレーザー光の受光量が減衰する場合がある。すなわち、従来の装置では、感度を上げると誤検出が発生するという問題があった。
Further, in order to improve the sensitivity of the
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、対象物の検出精度の低下を防止しつつ、作業者の負担を軽減することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to reduce a burden on an operator while preventing a decrease in detection accuracy of an object.
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液を吐出する吐出手段と、前記保持手段に保持された前記基板と前記吐出手段とを相対的に移動させ、前記基板に対する前記吐出手段による走査を実行させる移動手段と、前記吐出手段の走査中に前記吐出手段と干渉する可能性のある対象物を検出する少なくとも1つの検出手段と、前記検出手段による検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段とを備え、前記検出手段が、レーザー光を前記保持手段に保持された基板の表面に平行方向に照射する投光部と、前記投光部により照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から上方に外れた位置に配置され、前記投光部により照射されたレーザー光のうち前記対象物により反射されたレーザー光を検出光として受光する受光部とを備え、前記検出手段は、前記受光部が前記検出光を受光した場合に、前記対象物を検出したとする検出結果を前記制御手段に伝達することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention of
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置であって、前記受光部は、前記吐出手段の走査方向に対して略垂直方向にずれた位置に配置されることを特徴とする。
The invention of
また、請求項3の発明は、請求項1または2の発明に係る基板処理装置であって、前記吐出手段の走査中に前記吐出手段と干渉する可能性のある対象物を検出する補助検出手段をさらに備え、前記補助検出手段が、前記投光部または補助投光部と対向した位置に配置され、前記投光部または前記補助投光部から照射された前記レーザー光の直接光を受光する補助受光部とを備え、前記補助検出手段は、前記補助受光部における前記直接光の受光量が所定の閾値以下になった場合に、前記対象物を検出したとする検出結果を前記制御手段に伝達し、前記制御手段は、前記検出手段の検出結果および前記補助検出手段の検出結果に応じて前記移動手段を制御することを特徴とする。
The invention according to
また、請求項4の発明は、請求項1ないし3のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記少なくとも1つの検出手段を2以上備え、一の検出手段の前記投光部と、他の検出手段の前記投光部とが、それぞれ前記保持手段に保持された前記基板の両側に分かれて配置されることを特徴とする。
The invention of claim 4 is the substrate processing apparatus according to any one of
請求項1ないし4に記載の発明では、投光部により基板の表面に平行方向に照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から上方に外れた位置に配置され、投光部により照射されたレーザー光のうち対象物により反射されたレーザー光を検出光として受光する受光部を備え、受光部が検出光を受光した場合に、対象物を検出したとする検出結果を制御手段に伝達することにより、受光部の位置は比較的曖昧でよいため、調整作業における負担が軽減される。また、受光部がわずかでも検出光を受光すれば対象物を検出できるので、受光量の減衰量に応じて検出する場合に比べて誤検出が抑制されるので精度が向上する。
In the invention according to any one of
請求項2に記載の発明では、受光部は、吐出手段の走査方向に対して略垂直方向にずれた位置に配置されることにより、吐出手段による走査によって生じる振動の影響を抑制することができる。したがって、誤検出を抑制することができるので、正確な検出結果を得ることができる。 In the second aspect of the invention, the light receiving unit is disposed at a position that is substantially perpendicular to the scanning direction of the ejection unit, thereby suppressing the influence of vibration caused by scanning by the ejection unit. . Accordingly, erroneous detection can be suppressed, and an accurate detection result can be obtained.
請求項3に記載の発明では、投光部または補助投光部と対向した位置に配置され、投光部または補助投光部から照射されたレーザー光の直接光を受光する補助受光部を備え、補助受光部における直接光の受光量が所定の閾値以下になった場合に、対象物を検出したとすることにより、検出可能な対象物の範囲が拡大する。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an auxiliary light receiving unit that is disposed at a position facing the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit and that receives the direct light of the laser light emitted from the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit. When the amount of direct light received by the auxiliary light receiving unit is equal to or less than a predetermined threshold value, the range of detectable objects is expanded by assuming that the objects are detected.
請求項4に記載の発明では、一の検出手段の投光部と、他の検出手段の投光部とが、それぞれ保持手段に保持された基板の両側に分かれて配置されることにより、基板の幅の影響を受けることなく対象物を検出することができる。
In the invention according to claim 4 , the light projecting portion of one detecting means and the light projecting portion of the other detecting means are arranged separately on both sides of the substrate held by the holding means, respectively. The object can be detected without being affected by the width of the object.
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
<1. 第1の実施の形態>
<1.1 構成の説明>
図1は、本発明の第1の実施の形態における基板処理装置1の正面図である。図2は、基板処理装置1における検出部45の周辺部の拡大図である。なお、図1および図2において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
<1. First Embodiment>
<1.1 Description of configuration>
FIG. 1 is a front view of a
基板処理装置1は、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板90としており、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板90の表面にレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル41は基板90に対してレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液(薬液)を塗布する装置として変形利用することもできる。また、基板90の形状は角形のものに限られるものではない。
The
基板処理装置1は、被処理基板90を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ3を備える。ステージ3は直方体形状の一体の石製であり、その上面(保持面30)および側面は平坦面に加工されている。
The
ステージ3の上面は水平面とされており、基板90の保持面30となっている。保持面30には多数の真空吸着口(図示せず)が分布して形成されている。基板処理装置1において基板90を処理する間、この真空吸着口が基板90を吸着することにより、ステージ3が基板90を所定の水平位置に保持する。
The upper surface of the
ステージ3の上方には、このステージ3の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造4が設けられている。架橋構造4は、カーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部40と、その両端を支持する昇降機構43,44と、移動機構5とから主に構成される。
Above the
ノズル支持部40には、スリットノズル41とギャップセンサー42とが取り付けられている。
A
水平Y軸方向に伸びるスリットノズル41には、スリットノズル41へ薬液(レジスト液)を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構(図示せず)が接続されている。スリットノズル41は、レジスト用ポンプによりレジスト液が送られ、基板90の表面を走査することにより、基板90の表面の所定の領域(以下、「レジスト塗布領域」と称する。)にレジスト液を吐出する。
The
ギャップセンサー42は、架橋構造4のノズル支持部40に基板90の表面と対向する位置に取り付けられ、所定の方向(−Z方向)の存在物(例えば、基板90やレジスト膜)との間の距離(ギャップ)を検出して、検出結果を制御部7に伝達する。
The
これにより、制御部7は、ギャップセンサー42の検出結果に基づいて、基板90の表面とスリットノズル41との距離を検出することができる。なお、本実施の形態における基板処理装置1では2つのギャップセンサー42を備えているが、ギャップセンサー42の数はこれに限られるものではなく、さらに、多くのギャップセンサー42を備えていてもよい。
Thereby, the
昇降機構43,44はスリットノズル41の両側に分かれて、ノズル支持部40によりスリットノズル41と連結されている。昇降機構43,44はスリットノズル41を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル41のYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
The elevating
架橋構造4の両端部には、ステージ3の両側の縁側に沿って別れて配置された移動機構5が固設される。移動機構5は、主に一対のACコアレスリニアモータ(以下、単に、「リニアモータ」と略する。)50と、一対のリニアエンコーダ51とから構成される。
At both ends of the bridging structure 4, moving
リニアモータ50は、それぞれ固定子および移動子(図示せず)を備え、固定子と移動子との電磁的相互作用によって架橋構造4(スリットノズル41)をX軸方向に移動させるための駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ50による移動量および移動方向は、制御部7からの制御信号により制御可能となっている。
Each
リニアエンコーダ51は、それぞれスケール部および検出子(図示せず)を備え、スケール部と検出子との相対的な位置関係を検出して、制御部7に伝達する。各検出子は架橋構造4の両端部にそれぞれ固設され、スケール部はステージ3の両側にそれぞれ固設されている。これにより、リニアエンコーダ51は架橋構造4のX軸方向の位置検出を行う機能を有している。
The
架橋構造4の両側に固設された移動機構5には、さらに検出部45が取り付けられている。本実施の形態における基板処理装置1は、対象物を検出する検出部45は、2つの検出センサー450,451および1つの補助検出センサー452を備えている。
図3は、スリットノズル41の走査範囲E0と検出部45の配置関係を示す平面図である。図4は、スリットノズル41と検出部45との配置関係を示す右側面図であり、図5は、スリットノズル41と検出部45との配置関係を示す左側面図である。
FIG. 3 is a plan view showing the positional relationship between the scanning range E0 of the
なお、走査範囲E0とは、基板上に対するスリットノズル41の走査範囲である。より詳しく説明すると、移動機構5がX軸方向に移動することにより、スリットノズル41の下端(−Z方向の端部)が描く軌跡領域(面状の領域となる)のうち、基板90とスリットノズル41の下端とが最も接近した状態(レジスト液を塗布する際のギャップ)で対向することとなる領域である。すなわち、走査範囲E0とは、スリットノズル41による走査中に、スリットノズル41が対象物と接触する可能性のある領域である。基板処理装置1では、移動機構5によってスリットノズル41がさまざまな位置に移動するが、昇降機構43,44がスリットノズル41を十分な高さ位置に維持して移動する場合や、スリットノズル41が基板90と対向しない位置を移動する場合には、スリットノズル41が対象物と干渉することはない。
The scanning range E0 is a scanning range of the
また、対象物とは、走査範囲E0において検出される物体であって、スリットノズル41が走査範囲E0を走査中に干渉する可能性のある物体である。実際にはパーティクルのような異物以外に、基板90自体が対象物となる場合もある。ステージ3と基板90との間に異物が存在すると、基板90が盛り上がってスリットノズル41の対象物となるからである。
The object is an object that is detected in the scanning range E0, and the
検出部45は、スリットノズル41に対して、走査方向(スリットノズル41が走査範囲E0を移動する際の移動方向であって、本実施の形態においては(−X)方向)の前方位置に配置されており、スリットノズル41のX軸方向の移動に伴って、同じ方向に移動しつつ対象物の検出を行う。なお、検出部45とスリットノズル41との相対距離は、移動機構5によってスリットノズル41が移動する速度と、制御部7の演算速度とに応じて設定される。すなわち、検出部45の検出結果に応じて制御部7が移動機構5を制御した場合に、対象物とスリットノズル41との接触を十分に回避できる距離とされる。
The
検出部45の検出方向はY軸方向とされており、検出センサー450,451および補助検出センサー452はX軸方向に配列されている。また、検出センサー450,451および補助検出センサー452のZ軸方向の位置はオペレータによってそれぞれ調整可能とされている。
The detection direction of the
検出センサー450,451および補助検出センサー452は、それぞれが投光部(投光部450a,451a,452a)と受光部(受光部450b,451b,452b)とを備えている。本実施の形態における各投光部450a,451a,452aは、スポット型のレーザー光を照射する小型の半導体レーザーを用いるが、これに限られるものではない。例えば、スリット型のレーザー光を照射するものを用いてもよい。
Each of the detection sensors 450 and 451 and the auxiliary detection sensor 452 includes a light projecting unit (light projecting
検出センサー450,451は、投光部450a,451aから照射したレーザー光を受光部450b,451bが受光したか否かによって、対象物を検出するセンサーである。
The detection sensors 450 and 451 are sensors that detect an object depending on whether or not the light receiving
図3に示すように、投光部450aは基板90の(−Y)側に配置され、受光部450bは基板90の(+Y)側に配置されている。一方で、投光部451aは基板90の(+Y)側に配置され、受光部451bは基板90の(−Y)側に配置されている。すなわち、本実施の形態における基板処理装置1では、検出センサー450の投光部450aと、検出センサー451の投光部451aとが、それぞれ基板90の両側に分かれて配置されている。これにより、検出センサー450は(+Y)方向に向けてレーザー光を照射し、検出センサー451は(−Y)方向に向けてレーザー光を照射する。
As shown in FIG. 3, the
検出センサー450,451の各受光部450b,451bは、図4および図5に示すように、各投光部450a,451aのZ軸方向の高さ位置よりも(+Z)方向にずれて配置されている。投光部450a,451aは、レーザー光をそれぞれY軸に沿った方向(若干(−Z)方向に傾いていてもよい)に照射する。
As shown in FIGS. 4 and 5, the
図6は、検出センサー450による検出の際に、対象物が存在しない場合のレーザー光の軌跡を示す図である。図7は、検出センサー450による検出の際に、対象物が存在する場合のレーザー光の軌跡を示す図である。図6および図7によって、本実施の形態における検出センサー450が対象物を検出する原理を説明する。なお、検出センサー451についても、レーザー光の照射方向が異なるだけで、対象物を検出する原理は検出センサー450とほぼ同様であるため、説明を省略する。 FIG. 6 is a diagram illustrating a locus of laser light when an object is not present during detection by the detection sensor 450. FIG. 7 is a diagram illustrating a locus of laser light when an object is present during detection by the detection sensor 450. The principle by which the detection sensor 450 in the present embodiment detects an object will be described with reference to FIGS. Note that the detection sensor 451 is the same in principle as that of the detection sensor 450 except that the laser light irradiation direction is different, and the description thereof will be omitted.
図6に示すように、受光部450bは、投光部450aにより照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から(+Z)方向に外れた位置に配置されている。すなわち、対象物がない場合において、投光部450aから照射されたレーザー光は、受光部450bには入射しない。一方、図7に示すように、対象物が存在する場合、投光部450aにより照射されたレーザー光の一部は対象物により反射され、受光部450bはこの反射光を受光する。
As shown in FIG. 6, the
すなわち、本実施の形態における検出センサー450,451は、対象物によって反射されたレーザー光を検出光とするレーザーセンサーであって、受光部450b,451bによって受光された検出光の光量を示す信号を制御部7に伝達する。
That is, the detection sensors 450 and 451 in the present embodiment are laser sensors that use the laser light reflected by the object as detection light, and a signal indicating the amount of detection light received by the
詳細は後述するが、制御部7は、検出センサー450,451から伝達された当該受光量が「0」である場合に対象物は検出できなかったと判断し、受光量が「0」より大きい場合に対象物を検出したと判断する。
Although details will be described later, the
図7に示すように、対象物が存在していて、レーザー光の一部が対象物に当たって乱反射されたとしても、通常対象物はレーザー光のスポット径に比べて微小であるので、その大半は直接光としての軌跡をたどる。したがって、従来の透過型レーザーセンサーでは、対象物が存在していた場合であっても受光部が直接光を比較的多く受光する。そのため、直接光が対象物に遮蔽されることによる受光量の減衰量は微小である。また、基板90のサイズが大型化して、投光部と受光部との距離が遠くなると、レーザー光のスポット径は広くなる(図12および図14参照)。この場合、対象物に遮蔽されることによる受光量の減衰量はさらに小さくなる。
As shown in FIG. 7, even if an object exists and a part of the laser light hits the object and is irregularly reflected, the object is usually small compared to the spot diameter of the laser light, and most of them are Follow the trajectory as direct light. Therefore, in the conventional transmission type laser sensor, the light receiving unit receives a relatively large amount of direct light even when an object is present. For this reason, the attenuation of the amount of received light due to the direct light being shielded by the object is very small. Further, when the size of the
一方、センサーは、スリットノズルとともに移動するため、移動に伴う振動によってレーザー光のビームは僅かながら振れてしまう。これによって、投光部からのレーザー光(直接光)が受光部を外れると、受光部における受光量が減衰し、従来の装置では対象物を検出したと判断してしまう。すなわち、対象物が存在していた場合の減衰量が微小であるために、対象物に遮蔽されたために生じる受光量の減衰と、センサーの移動(振動)によって生じる受光量の減衰と区別がつかず、従来の装置では誤検出を生じる可能性がある。誤検出が頻発すると、その都度、スリットノズルが停止するため、スループットが低下するという問題がある。 On the other hand, since the sensor moves together with the slit nozzle, the laser beam is slightly shaken by vibration accompanying the movement. As a result, when the laser light (direct light) from the light projecting unit deviates from the light receiving unit, the amount of light received by the light receiving unit is attenuated, and it is determined that the object has been detected in the conventional apparatus. In other words, since the attenuation when the target is present is very small, it can be distinguished from the attenuation of the received light caused by being shielded by the target and the attenuation of the received light caused by the movement (vibration) of the sensor. However, there is a possibility that erroneous detection may occur in the conventional apparatus. When erroneous detection occurs frequently, the slit nozzle stops each time, and there is a problem that throughput is lowered.
しかし、本実施の形態における基板処理装置1では、受光部450b,451bがレーザー光の直接光を受光する位置から外れた位置に配置されており、検出光の有無によって対象物の有無を検出する。すなわち、受光量の減衰量によって対象物の有無を検出する従来の手法に比べて、誤検出を抑制することができる。
However, in the
また、受光部450bは、投光部450aによって照射されるレーザー光の直接光を受光する位置から、スリットノズル41の走査方向(X軸方向)に対して略垂直方向にずれた位置に配置されている。振動によるレーザー光の振れは、主にスリットノズル41の走査方向に生じ、Z軸方向の振動は比較的少ない。したがって、受光部450bがこのような位置に配置されることによって、振動による誤検出はさらに抑制される。
In addition, the
図8は、検出センサー450が受光部450bに近い位置の対象物を検出する場合を説明する図である。対象物が受光部450bに近い位置に存在している場合、投光部450aから射出されたレーザー光の反射光LFLは、受光部450bの位置では、比較的Z軸方向の低い位置を通過する。特に基板90が大型である場合、投光部450aと受光部450bとの距離が遠いので、この反射光LFLを受光するためは受光部450bを比較的低い位置に調整しなければならず、投光部450aから射出されたレーザー光の直接光DRLを受光してしまう。検出センサー450は、直接光DRLと反射光LFLとを区別できないので、このような場合には対象物の検出ができないおそれがある。
FIG. 8 is a diagram illustrating a case where the detection sensor 450 detects an object at a position close to the
これを防止するためには、基板90の端部から比較的(+Y)方向に離れた位置に受光部450bを配置すればよい。しかし、基板処理装置1のフットプリントを考慮すれば、受光部450bは基板90の端部付近に設置することが好ましい。
In order to prevent this, the
そこで本実施の形態における基板処理装置1では、図8に示すような位置に対象物が存在している場合には、(+Y)方向からレーザー光を照射する検出センサー451によって検出する。(+Y)側に存在する対象物と受光部451bとは充分に距離があるため、受光部451bは、直接光を受光しない充分な高さ位置に設置されていても、(+Y)側に存在する対象物に反射されたレーザー光を受光することができる。
Therefore, in the
このように、検出センサー450の投光部450aと、検出センサー451の投光部451aとが、それぞれステージ3に保持された基板90の両側に分かれて配置されることにより、検出センサー450と検出センサー451とが相補的に機能し、基板90の幅の影響を受けることなく、走査範囲E0内の対象物を検出することができる。
As described above, the
補助検出センサー452は、図4および図5に示すように、投光部452aと受光部452bとがほぼ同じ高さ位置(Z軸方向の位置)に配置され、投光部452aと受光部452bとが対向するように配置されている。本実施の形態における補助検出センサー452は、投光部452aが照射するレーザー光が対象物に遮蔽されることによって、受光部452bが受光するレーザー光の受光量の減衰量に基づいて対象物を検出する透過型のレーザーセンサーである。すなわち、対象物を検出する原理は従来の装置に用いられるレーザーセンサー100(図12および図13参照)と同様である。ただし、従来の装置と異なり、対象物を検出するための閾値が比較的低く(減衰量は多く)設定されており、振動による減衰程度では誤検出しないように設定されている。すなわち、補助検出センサー452は、比較的大型の対象物を検出するセンサーであって、小さな対象物を検出することはできず、検出精度の粗いセンサーとして機能する。
As shown in FIGS. 4 and 5, the auxiliary detection sensor 452 has the
検出センサー450は、受光部450bが配置されている側(+Y側)に、レーザー光が到達しなければ、対象物を検出することができない。同様に、検出センサー451は、受光部451bが配置されている側(−Y側)に、レーザー光が到達しなければ、対象物を検出することができない。例えば、レーザー光を完全に遮蔽してしまうような大型の対象物が存在している場合、投光部450a,451aのいずれから照射されたレーザー光も受光部450b,451bに到達しない。このように、予測される以上に大きな対象物が存在する場合、制御部7は対象物が存在しないと誤認する可能性がある。
The detection sensor 450 cannot detect the object unless the laser beam reaches the side (+ Y side) where the
そこで、本実施の形態における基板処理装置1では、補助検出センサー452を設けて、レーザー光を遮断してしまうような大型の対象物を検出するようにしている。このように対象物の見落としを防止することにより、基板処理装置1は対象物をより高精度に検出することができる。なお、補助検出センサー452の閾値は、比較的低く設定されていると説明したが、極端には、受光部452bにおける受光量が「0」となった場合(完全に遮蔽された場合)のみ、対象物を検出したと判断するようにしてもよい。
Therefore, in the
図1に戻って、制御部7は、プログラムに従って各種データを処理する。制御部7は、図示しないケーブルにより基板処理装置1の各機構と接続されており、ギャップセンサー42、リニアエンコーダ51および検出部45などからの入力に応じて、ステージ3、昇降機構43,44および移動機構5などの各構成を制御する。
Returning to FIG. 1, the
特に、制御部7は、検出センサー450,451からの入力に基づいて、各受光部450b,451bがレーザー光を受光したか否かを監視しつつ、いずれかがレーザー光を受光した場合に対象物を検出したと判定する。
In particular, the
また、制御部7は、補助検出センサー452からの入力に基づいて、受光部452bにおけるレーザー光の受光量を演算し、演算により求めた受光量が予め設定された閾値より小さい場合に、走査範囲E0内に対象物が存在すると判定する。
The
本実施の形態における基板処理装置1において、制御部7は、対象物が存在すると判定した場合には、当該対象物をスリットノズル41に接触する干渉物であるとみなす。そして当該対象物とスリットノズル41との接触を回避するために移動機構5(リニアモータ50)を制御して、スリットノズル41による走査を停止させる。なお、対象物を検出した場合の制御部7の制御動作については後述する。
In the
また、制御部7は、図示しない操作部(操作パネル、キーボードなど)および表示部(液晶ディスプレイや表示ボタンなど)と接続されており、操作部を介してオペレータからの指示を受け付けるとともに、表示部に必要なデータを表示することによってオペレータに基板処理装置1の状態などを通知する。
The
以上が本実施の形態における基板処理装置1の構成および機能の説明である。
The above is description of the structure and function of the
<1.2 調整作業>
基板処理装置1では、基板90に対してレジスト液を塗布する処理を行う前に、オペレータによって、検出センサー450,451および補助検出センサー452のZ軸方向の位置調整作業が行われる。この位置調整は、10μm以下の位置決め精度を持つマイクロゲージを用いて行う。
<1.2 Adjustment work>
In the
検出センサー450,451の投光部450a,451aは、照射するレーザー光が基板90の表面に沿うようにZ軸方向の位置調整が行われる。この場合、レーザー光は基板90に一部が遮蔽されていてもよいので、Z軸方向の位置調整はレーザー光のスポット径の分だけ誤差を許容することができ、比較的曖昧に調整することができる。すなわち、厳密な調整作業が不要となるので、調整作業の負担が軽減される。
The
また、これは検出センサー450,451では、スポット径の分だけ基板90の厚みが変化しても対応できることを意味する。すなわち、厚みの異なる基板90を処理する場合でも、その厚みの変化が所定の範囲内であれば再調整が不要であるため、調整作業の負担を軽減することができる。
This also means that the detection sensors 450 and 451 can cope with a change in the thickness of the
投光部450a,451aの位置が決定されると、検出センサー450,451の受光部450b,451bは、投光部450a,451aから照射されたレーザー光の直接光を受光する位置に、一旦セットされる。このとき受光部450b,451bは、レーザー光(直接光)の一部を受光すればよいので、この位置調整は比較的曖昧でよい。次に、受光部450b,451bを徐々に(+Z)方向に移動させて、レーザー光を受光しなくなった位置で、受光部450b,451bを固定する。このように、受光部450b,451bの位置調整作業においても、従来の装置に比べて作業の負担は軽減される。
When the positions of the
補助検出センサー452の投光部452aは、ステージ3に正常な状態で保持されている基板90を対象物として誤検出しないように、そのレーザー光の光路が基板90の表面より(+Z)方向の位置となるように位置調整される。すなわち、基板90の厚みを考慮しつつ、ステージ3の保持面30を基準に位置調整が行われる。このとき、基板90の厚みの均一性(通常、設計厚みの±1%以内)や、保持面30の平坦加工精度などを考慮して調整することが好ましい。これにより、レーザー光の光路が基板90の表面よりも(+Z)側となるように調整される。
The
また、基板処理装置1において、スリットノズル41と対象物との接触を防止するためには、走査範囲E0よりも(−Z)側に存在する対象物を検出しなければならない。したがって、レーザー光の走査する範囲が走査範囲E0よりも(−Z)側の領域を含むように、投光部452aのZ軸方向の位置が調整される。
Further, in the
投光部452aの位置が決定されると、補助検出センサー452の受光部452bは、投光部452aのZ軸方向の位置とほぼ同じになるように調整される。ただし、本実施の形態における基板処理装置1では、補助検出センサー452の検出精度は粗く設定される。したがって、従来の装置のように投光部452aから照射されるレーザー光のほぼ100%が受光されるように受光部452bの位置を厳密に調整する必要はない。すなわち、当該レーザー光のスポットの一部が受光部452bに受光されるように調整されていれば充分であり、調整作業の負担は従来に比べて軽減される。
When the position of the
<1.3 動作の説明>
次に、基板処理装置1の動作について説明する。図9および図10は、基板処理装置1の塗布処理における動作を示す流れ図である。なお、以下に示す各部の動作制御は特に断らない限り制御部7により行われる。
<1.3 Explanation of operation>
Next, the operation of the
基板処理装置1では、オペレータまたは図示しない搬送機構により、所定の位置に基板90が搬送されることによって、レジスト液の塗布処理が開始される。なお、処理を開始するための指示は、基板90の搬送が完了した時点で、オペレータが操作部を操作することにより入力されてもよい。
In the
まず、ステージ3が保持面30上の所定の位置に基板90を吸着して保持する。次に、スリットノズル41を移動させることによって、ギャップセンサー42を基板90とのギャップを測定するための測定開始位置に移動させる(ステップS11)。この動作は、昇降機構43,44がスリットノズル41の高さ位置を測定高度に調整するとともに、リニアモータ50が架橋構造4をX軸方向に調整することにより行われる。
First, the
ギャップセンサー42の測定開始位置への移動が完了すると、リニアモータ50が架橋構造4を(+X)方向に移動させる。これにより、ギャップセンサー42が所定の測定高度を保ちながら、基板90表面の塗布領域における基板90表面とスリットノズル41とのギャップを測定する(ステップS12)。なお、塗布領域とは、基板90の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板90の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。また、ギャップセンサー42による測定が行われている間に、スリットノズル41が基板90や異物といった対象物と接触することのないように、基板処理装置1において、測定高度におけるスリットノズル41と保持面30との間のZ軸方向の距離は十分に確保されている。
When the movement of the
ギャップセンサー42の測定結果は制御部7に伝達される。そして、制御部7は、伝達されたギャップセンサー42の測定結果を、リニアエンコーダ51によって検出される水平位置(X軸方向の位置)と関連づけて記憶部に保存する。
The measurement result of the
ギャップセンサー42による走査(測定)が終了すると、リニアモータ50が架橋構造4をX軸方向に移動させ、検出部45を基板90の端部位置に移動させる(ステップS13)。なお、端部位置とは、検出部45のうち最も(−X)側に存在するセンサー(本実施の形態においては検出センサー450)の光軸が、基板90の(+X)側の辺にほぼ沿う位置である。また、ギャップセンサー42による測定によって、基板90の厚さが指定範囲以内にないと判定された場合、基板処理装置1は、表示部などに警報を表示し、スリットノズル41を待機位置に移動させるとともに、異常が検出された基板90を排出する。
When scanning (measurement) by the
検出部45が端部位置に移動すると、制御部7は、リニアモータ50を停止させることにより、架橋構造4を停止させる。さらに、ギャップセンサー42からの測定結果に基づいて、スリットノズル41のYZ平面における姿勢が、適切な姿勢(スリットノズル41と塗布領域との間隔がレジストを塗布するために適切な間隔(本実施の形態においては50〜200μm)となる姿勢。以下、「適正姿勢」と称する。)となるノズル支持部40の位置を算出し、算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構43,44を制御しスリットノズル41を適正姿勢に調整する。
When the
基板処理装置1の検出部45は、スリットノズル41よりも(−X)側に配置されているため、検出部45が端部位置にある状態では、スリットノズル41は基板90と対向しない位置に移動している。したがって、検出部45が端部位置にある状態でスリットノズル41を(−Z)方向に移動させて適正姿勢に調整したとしても、スリットノズル41が対象物と接触する危険性はほとんどない。
Since the
スリットノズル41の姿勢調整が終了すると、制御部7は、検出部45による対象物の検出を開始する(ステップS14)。さらに、リニアモータ50を駆動し、架橋構造4を(−X)方向に移動させつつ(ステップS21)、検出部45からの出力に基づいて、対象物を検出したか否かを判定する(ステップS22)。いずれかの検出センサー450,451および補助検出センサー452によって対象物を検出したと判定した場合には、ステップS27以降の処理を行い、スリットノズル41が対象物に接触することを防止するが詳細は後述する。
When the posture adjustment of the
一方、対象物を検出しない場合には、リニアエンコーダ51の出力に基づいて、制御部7がスリットノズル41の位置を確認しつつ、スリットノズル41が吐出開始位置に移動するまでステップS21ないしS23の処理を繰り返す(ステップS23)。なお、吐出開始位置とは、塗布領域の(+X)側の辺にスリットノズル41がほぼ沿う位置である。
On the other hand, if the target is not detected, the
スリットノズル41が吐出開始位置まで移動すると、レジスト用ポンプ(図示せず)によりスリットノズル41にレジスト液が送られ、スリットノズル41が塗布領域にレジスト液を吐出する。その吐出動作とともに、リニアモータ50がスリットノズル41を(−X)方向に移動させる(ステップS24)。これにより、基板90の塗布領域がスリットノズル41によって走査され、レジスト液が塗布される。ステップS24の移動動作と並行して、ステップS22と同様に制御部7により、対象物が検出されたか否かの判定が行われる(ステップS25)。
When the
ステップS25において、制御部7が対象物を検出したと判定した場合には(ステップS25においてYes)、制御部7がリニアモータ50を停止させることによりスリットノズル41の(−X)方向への移動動作を停止するとともに、表示部などに警報を出力する(ステップS27)。なお、ステップS22において、制御部7が対象物を検出したと判定した場合もほぼ同様にステップS27が実行される。
If it is determined in step S25 that the
このように、基板処理装置1では、スリットノズル41の移動中(走査中)に、検出部45によって対象物が検出された場合に、直ちにスリットノズル41の移動を停止することにより、スリットノズル41と対象物との接触を防止することができる。したがって、スリットノズル41や基板90などが接触により破損することを有効に防止することができる。
As described above, in the
また、警報を出力することにより、オペレータに異常を知らせることができることから、復旧作業等を効率的に行うことができる。なお、警報はオペレータに異常事態の発生を知得させることができるものであればどのような手法であってもよく、スピーカなどから警報音を出力するようにしてもよい。 Moreover, since an abnormality can be notified to the operator by outputting an alarm, recovery work and the like can be performed efficiently. Note that any method may be used for the alarm as long as it allows the operator to know the occurrence of an abnormal situation, and an alarm sound may be output from a speaker or the like.
ステップS27の実行後は、レジスト用ポンプを停止してレジスト液の吐出を停止し、リニアモータ50および昇降機構43,44によりスリットノズル41を待機位置に退避させる(ステップS28)。さらに、基板90を基板処理装置1から搬出する(ステップS29)。なお、ステップS22において対象物が検出された場合には、レジスト液の吐出は未だ開始されていないため、レジスト液の吐出を停止させる処理は行われない。また、ステップS27が実行された結果搬出する基板90は、他の基板90と区別して、オペレータまたは搬送機構が再処理工程に搬送する。また、図4および図5に示すように、異物NGはステージ3に付着している場合も考えられるため、ステップS27が実行された場合は、ステージ3のクリーニングを行うことが好ましい。
After execution of step S27, the resist pump is stopped to stop the discharge of the resist solution, and the
一方、ステップS25において対象物が検出されない場合には(ステップS25においてNo)、リニアエンコーダ51の出力に基づいて、制御部7がスリットノズル41の位置を確認しつつ、スリットノズル41が吐出終了位置に移動するまでステップS24ないしS26の処理を繰り返す(ステップS26)。このように、対象物が存在しない場合には、スリットノズル41による走査が塗布領域全域に対して行われ、当該塗布領域の全域における基板90の表面上にレジスト液の層が形成される。
On the other hand, when the object is not detected in step S25 (No in step S25), the
スリットノズル41が吐出終了位置に移動すると、制御部7は、レジスト用ポンプを停止してレジスト液の吐出を停止し、リニアモータ50および昇降機構43,44によりスリットノズル41を待機位置に退避させる(ステップS28)。この動作と並行して、制御部7は検出部45による対象物の検出を停止する。
When the
さらに、ステージ3は基板90の吸着を停止し、オペレータまたは搬送機構が基板90を保持面30から取り上げ、基板90を次の処理工程に搬出する(ステップS29)。
Further, the
なお、塗布処理が終了した時点で、レジスト液の膜厚の検査処理を行ってもよい。すなわち、昇降機構43,44がノズル支持部40を(+Z)方向に移動させることにより、ギャップセンサー42を測定高度に移動させる。さらに、リニアモータ50が架橋構造4を(+X)方向に移動させることでギャップセンサー42が塗布領域を走査し、基板90上に形成されたレジスト膜とのギャップを測定して制御部7に伝達する。制御部7は、レジスト液を塗布する前に測定したギャップの値(基板90の表面との距離)と、レジスト塗布後に測定したギャップの値(レジスト膜の表面との距離)とを比較することにより、基板90上のレジスト膜の厚さを算出し、算出結果を表示部などに表示する。
Note that when the coating process is completed, a resist film thickness inspection process may be performed. That is, the elevating
基板90の搬出処理(ステップS29)が終了すると、さらに連続して複数枚の基板90に対して処理を行う場合にはステップS11に戻って処理を繰り返し実行し、処理すべき基板90が存在しない場合には処理を終了する(ステップS30)。
When the
以上のように、本実施の形態における基板処理装置1は、投光部450a,451aにより照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から外れた位置に配置され、投光部450a,451aにより照射されたレーザー光のうち対象物により反射されたレーザー光を検出光として受光する受光部450b,451bを備え、受光部450b,451bが検出光を受光した場合に、対象物を検出したとすることにより、受光部450b,451bの位置は比較的曖昧でよいため、調整作業における負担が軽減される。また、受光部450b,451bがわずかでも検出光を受光すれば対象物を検出できるので、基板90の幅の影響を抑制することができ、精度が向上する。
As described above, the
また、受光部450b,451bは、レーザー光の直接光を受光する位置から、スリットノズル41の走査方向に対して略垂直方向にずれた位置に配置されることにより、スリットノズルによる走査によって生じる振動の影響を抑制することができる。したがって、誤検出を抑制することができるので、正確な検出結果を得ることができる。
Further, the
また、スリットノズル41の走査中にスリットノズル41と干渉する可能性のある対象物を検出する補助検出センサー452を備え、補助検出センサー452の受光部452bは、投光部452aと対向した位置に配置され、投光部452aから照射されたレーザー光の直接光を受光し、受光部452bにおける直接光の受光量が所定の閾値以下になった場合に、対象物を検出したとすることにより、検出可能な対象物の範囲が拡大する。
In addition, an auxiliary detection sensor 452 that detects an object that may interfere with the
また、検出センサー450の投光部450aと、検出センサー451の投光部451aとが、それぞれステージ3に保持された基板90の両側に分かれて配置されることにより、基板の幅の影響を受けることなく対象物を検出することができる。
In addition, the
また、検出部45が、移動機構5に取り付けられていることにより、スリットノズル41を交換した場合であっても、検出部45の位置調整を再度行う必要がなく、作業を効率化することができる。
In addition, since the
<2. 第2の実施の形態>
第1の実施の形態では、検出部45を移動機構5に取り付けるように構成したが、検出部45の取り付け位置はこれに限られるものではなく、対象物を検出することができる位置であればどこに取り付けられていてもよい。
<2. Second Embodiment>
In the first embodiment, the
図11は、このような原理に基づいて構成した第2の実施の形態における基板処理装置1aの検出部45の周辺部における拡大図である。基板処理装置1aは、図11に示すように、検出部45がノズル支持部40に取り付けられている。スリットノズル41は、上記実施の形態と同様にノズル支持部40に固設されており、スリットノズル41はノズル支持部40と一体的に移動する。ノズル支持部40にはスリットノズル41が固設されている。したがって、検出部45は、スリットノズル41との相対距離を保った状態で一体的に移動する。
FIG. 11 is an enlarged view of the periphery of the
なお、基板処理装置1aは、検出部45がノズル支持部40に取り付けられていることを除いて、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の構成を有している。また、基板処理装置1aの動作についても、基板処理装置1とほぼ同様である。ただし、基板処理装置1では、ステージ3の保持面30の位置を基準に検出センサー450,451および補助検出センサー452のZ軸方向の位置調整作業が行われるが、基板処理装置1aでは、スリットノズル41の(−Z)側の端部を基準にこれらのZ軸方向の位置調整作業が行われる。
The substrate processing apparatus 1a has substantially the same configuration as the
以上のように、第2の実施の形態における基板処理装置1aのように、ノズル支持部40に検出部45を取り付けた場合であっても、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の効果を得ることができる。
As described above, even when the
また、検出センサー450,451および補助検出センサー452が、スリットノズル41との相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられていることにより、一旦、検出部45とスリットノズル41との相対距離の調整が行われた後は、スリットノズル41の姿勢(主にZ軸方向の位置)に関わらず、その相対距離が一定となるため、検出精度を向上させることができる。また、基板処理装置1aにおいて、処理する基板90の厚みなどが変更された場合であっても再度位置調整作業を行う必要がなく、作業の効率化を図ることができる。
In addition, since the detection sensors 450 and 451 and the auxiliary detection sensor 452 are attached so as to move integrally while maintaining a relative distance from the
<3. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
<3. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made.
例えば、第2の実施の形態における基板処理装置1aでは、検出部45がノズル支持部40に取り付けられると説明したが、例えば、スリットノズル41に直接検出部45が取り付けられていてもよい。
For example, in the substrate processing apparatus 1a in the second embodiment, the
上記実施の形態では、補助検出センサー452は、投光部452aおよび受光部452bをそれぞれ備えていた。しかし、補助検出センサー452は受光部452bのみ備える構成であっても実現可能である。図16は、このような原理に基づいて構成した変形例における検出センサー450と補助検出センサー452とを示す図である。図16に示すように、補助検出センサー452の受光部452bを、検出センサー450の投光部450aと対向する位置に配置する。すなわち、投光部450aと受光部452bとの位置において、X軸方向およびZ軸方向の位置がほぼ等しくなるように配置する。このように配置すれば、受光部452bは、投光部450aから照射されたレーザー光の直接光を受光することとなる。このように構成することによっても、補助検出センサー452は、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、補助検出センサー452が検出センサー450の投光部450aを兼用することにより、装置構成を簡素化することができる。なお、補助検出センサー452が使用する投光部は、投光部450aに限られるものではなく、投光部451aであってもよい。
In the above embodiment, the auxiliary detection sensor 452 includes the
1,1a 基板処理装置
3 ステージ
30 保持面
41 スリットノズル
43,44 昇降機構
45 検出部
450,451 検出センサー
450a,451a 投光部
450b,451b 受光部
452 補助検出センサー
452a 投光部(補助投光部)
452b 受光部(補助受光部)
5 移動機構
50 リニアモータ
7 制御部
90 基板
DRL 直接光
E0 走査範囲
LFL 反射光
NG 異物
DESCRIPTION OF
452b Light receiving part (auxiliary light receiving part)
5 Moving
Claims (4)
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液を吐出する吐出手段と、
前記保持手段に保持された前記基板と前記吐出手段とを相対的に移動させ、前記基板に対する前記吐出手段による走査を実行させる移動手段と、
前記吐出手段の走査中に前記吐出手段と干渉する可能性のある対象物を検出する少なくとも1つの検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段と、
を備え、
前記検出手段が、
レーザー光を前記保持手段に保持された前記基板の表面に平行方向に照射する投光部と、
前記投光部により照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から上方に外れた位置に配置され、前記投光部により照射されたレーザー光のうち前記対象物により反射されたレーザー光を検出光として受光する受光部と、
を備え、
前記検出手段は、前記受光部が前記検出光を受光した場合に、前記対象物を検出したとする検出結果を前記制御手段に伝達することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate,
Holding means for holding the substrate;
Discharge means for discharging a predetermined processing liquid to the substrate held by the holding means;
Moving means for relatively moving the substrate held by the holding means and the discharge means, and executing scanning by the discharge means with respect to the substrate;
At least one detection means for detecting an object that may interfere with the ejection means during scanning of the ejection means;
Control means for controlling the moving means based on a detection result by the detecting means;
With
The detection means is
A light projecting unit that irradiates the surface of the substrate held by the holding unit in parallel with a laser beam;
Laser light that is arranged at a position that deviates upward from a position that receives direct light of the laser light emitted by the light projecting unit, and that is reflected by the object among the laser light emitted by the light projecting unit A light receiving portion that receives light as detection light,
With
The substrate processing apparatus, wherein the detection unit transmits a detection result indicating that the object is detected when the light receiving unit receives the detection light to the control unit.
前記受光部は、前記吐出手段の走査方向に対して略垂直方向にずれた位置に配置されることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the light receiving unit is disposed at a position displaced in a direction substantially perpendicular to a scanning direction of the ejection unit.
前記吐出手段の走査中に前記吐出手段と干渉する可能性のある対象物を検出する補助検出手段をさらに備え、
前記補助検出手段が、
前記投光部または補助投光部と対向した位置に配置され、前記投光部または前記補助投光部から照射された前記レーザー光の直接光を受光する補助受光部と、
を備え、
前記補助検出手段は、前記補助受光部における前記直接光の受光量が所定の閾値以下になった場合に、前記対象物を検出したとする検出結果を前記制御手段に伝達し、
前記制御手段は、前記検出手段の検出結果および前記補助検出手段の検出結果に応じて前記移動手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
An auxiliary detection means for detecting an object that may interfere with the discharge means during scanning of the discharge means;
The auxiliary detection means is
An auxiliary light receiving unit that is disposed at a position facing the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit, and that receives the direct light of the laser light emitted from the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit;
With
The auxiliary detection means transmits a detection result indicating that the object has been detected to the control means when the received light amount of the direct light in the auxiliary light receiving unit is a predetermined threshold value or less,
The substrate processing apparatus, wherein the control unit controls the moving unit according to a detection result of the detection unit and a detection result of the auxiliary detection unit.
前記少なくとも1つの検出手段を2以上備え、
一の検出手段の前記投光部と、他の検出手段の前記投光部とが、それぞれ前記保持手段に保持された前記基板の両側に分かれて配置されることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 ,
Two or more of the at least one detection means,
The substrate processing apparatus, wherein the light projecting unit of one detection unit and the light projection unit of another detection unit are separately arranged on both sides of the substrate held by the holding unit.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004248297A JP4417205B2 (en) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | Substrate processing equipment |
TW094121998A TWI295590B (en) | 2004-08-27 | 2005-06-29 | Substrate processing apparatus |
KR1020050065319A KR100676240B1 (en) | 2004-08-27 | 2005-07-19 | Substrate processing apparatus |
CNB2005100874088A CN100404146C (en) | 2004-08-27 | 2005-07-21 | Base plate processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004248297A JP4417205B2 (en) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006061854A JP2006061854A (en) | 2006-03-09 |
JP4417205B2 true JP4417205B2 (en) | 2010-02-17 |
Family
ID=36092477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004248297A Expired - Lifetime JP4417205B2 (en) | 2004-08-27 | 2004-08-27 | Substrate processing equipment |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4417205B2 (en) |
KR (1) | KR100676240B1 (en) |
CN (1) | CN100404146C (en) |
TW (1) | TWI295590B (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100643397B1 (en) * | 2005-11-17 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | Wafer sensing apparatus |
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CN102680496B (en) * | 2011-04-15 | 2016-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Detection device for foreign matter and method |
JP6106964B2 (en) * | 2012-06-25 | 2017-04-05 | セイコーエプソン株式会社 | Printing apparatus and printing method |
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JP6635888B2 (en) * | 2016-07-14 | 2020-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing system |
JP6787294B2 (en) * | 2017-10-31 | 2020-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | Robot systems, control methods, and robots |
JP7028607B2 (en) * | 2017-11-06 | 2022-03-02 | 株式会社ディスコ | Cutting equipment |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2740588B2 (en) * | 1991-07-24 | 1998-04-15 | 日立テクノエンジニアリング株式会社 | Coating and drawing equipment |
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-
2004
- 2004-08-27 JP JP2004248297A patent/JP4417205B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-06-29 TW TW094121998A patent/TWI295590B/en active
- 2005-07-19 KR KR1020050065319A patent/KR100676240B1/en active IP Right Grant
- 2005-07-21 CN CNB2005100874088A patent/CN100404146C/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100404146C (en) | 2008-07-23 |
TW200607578A (en) | 2006-03-01 |
CN1739865A (en) | 2006-03-01 |
KR100676240B1 (en) | 2007-01-30 |
JP2006061854A (en) | 2006-03-09 |
KR20060053901A (en) | 2006-05-22 |
TWI295590B (en) | 2008-04-11 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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