JP4417205B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、ノズルから処理液を吐出しつつ基板を走査することにより、基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置の技術に関する。より詳しくは、ノズルによる走査において、ノズルが異物(対象物)と干渉することを防止するために、対象物を高精度に検出する技術に関する。   The present invention relates to a technique for a substrate processing apparatus that applies a processing liquid to a surface of a substrate by scanning the substrate while discharging the processing liquid from a nozzle. More specifically, the present invention relates to a technique for detecting an object with high accuracy in order to prevent the nozzle from interfering with a foreign object (object) in scanning with the nozzle.

液晶用ガラス角形基板、半導体ウエハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板(以下、単に「基板」と略する)などの製造工程においては、基板の表面に処理液を塗布する塗布装置(基板処理装置)が用いられる。塗布装置としては、スリット状の吐出部を有するスリットノズルを用いてスリットコートを行うスリットコータや、一旦前述のスリットコートを施してから、基板を回転させるスリット・スピンコータなどが知られている。   In the manufacturing process of liquid crystal glass square substrates, semiconductor wafers, film liquid crystal flexible substrates, photomask substrates, and color filter substrates (hereinafter simply referred to as “substrates”), a processing solution is applied to the surface of the substrate. A coating apparatus (substrate processing apparatus) is used. As coating apparatuses, there are known a slit coater that performs slit coating using a slit nozzle having a slit-like discharge section, and a slit / spin coater that rotates the substrate after the slit coating is performed once.

このような塗布装置では、スリットノズルの先端と基板とを近接させた状態で、スリットノズルと基板とを相対移動させて処理液を塗布するため、基板の表面に異物が付着していたり、基板とステージとの間に異物が挟まることによって基板が盛り上がった状態となることにより、
(1)スリットノズルが損傷する
(2)基板が割れる、あるいは基板に傷がつく
(3)異物を引きずりながら塗布することにより、塗布不良の原因となる
などの問題が発生する。
In such a coating apparatus, the slit nozzle and the substrate are moved relative to each other in a state where the tip of the slit nozzle and the substrate are close to each other to apply the treatment liquid. When the substrate rises due to foreign matter sandwiched between the stage and the stage,
(1) The slit nozzle is damaged. (2) The substrate is cracked or the substrate is scratched. (3) The coating is performed while dragging foreign matter, thereby causing problems such as application failure.

そのため、従来より、スリットノズルを用いる塗布装置においては、異物検査を行うことにより、スリットノズルと接触する対象物(干渉物)が存在するか否かを判定して、スリットノズルと対象物との衝突を回避させる技術が提案されている。このような技術が、例えば特許文献1に記載されている。   Therefore, conventionally, in a coating apparatus using a slit nozzle, it is determined whether or not there is an object (interference object) in contact with the slit nozzle by performing a foreign substance inspection. Techniques for avoiding collisions have been proposed. Such a technique is described in Patent Document 1, for example.

特許文献1に記載されている塗布装置は、透過型のレーザーセンサー(透過してくるレーザー光を検出するセンサー)によって対象物の検出を行い、当該レーザーセンサーが対象物を検出した場合には、塗布処理を強制終了させることにより、スリットノズルと対象物とが接触することを防止する。   The coating apparatus described in Patent Document 1 detects an object using a transmission type laser sensor (a sensor that detects transmitted laser light), and when the laser sensor detects the object, By forcibly terminating the coating process, the slit nozzle and the object are prevented from contacting each other.

図12ないし図15は、特許文献1に記載されている塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサー100が対象物を検出する原理を説明するための概念図である。透過型のレーザーセンサー100は、投光部101から射出されたレーザー光を、光軸上に投光部101と対向して配置された受光部102で受光し、その受光量によって対象物の有無を検出するセンサーである。   12 to 15 are conceptual diagrams for explaining the principle by which the transmission laser sensor 100 used in the coating apparatus described in Patent Document 1 detects an object. The transmissive laser sensor 100 receives laser light emitted from the light projecting unit 101 by a light receiving unit 102 disposed on the optical axis so as to face the light projecting unit 101, and the presence or absence of an object is determined by the amount of light received. It is a sensor that detects

レーザーセンサー100では、図12に示すように、何らかの物体(対象物)が光路上に存在する場合には、その対象物によって光路上でレーザー光が遮蔽される。そのため、図13に示すように、受光部102におけるレーザー光の受光量が減少する。したがって、レーザーセンサー100は、受光部102における受光量が所定の閾値Qよりも少ない場合に、光路上に対象物が存在すると判定することができる。   In the laser sensor 100, as shown in FIG. 12, when any object (object) is present on the optical path, the laser light is shielded on the optical path by the object. Therefore, as shown in FIG. 13, the amount of laser light received by the light receiving unit 102 decreases. Therefore, the laser sensor 100 can determine that an object exists on the optical path when the amount of light received by the light receiving unit 102 is smaller than the predetermined threshold value Q.

特開2002−001195公報JP 2002-001195 A

ところが、大型のHe−Neガスレーザ等とは異なり、小型の半導体レーザでは、図12および図14に示すように、レーザー光は、ピントを合わせた位置(最も光束を絞った位置:ここで示す例においては投光部101の照射開始位置)から光軸方向にずれるにつれて、その径が広がってしまうという性質がある。そのため、図14に示すように、対象物が投光部101から遠い位置(径が広がった位置)にある場合には、レーザー光がほとんど遮蔽されることなく受光部102に受光されることとなる。この場合には、受光部102におけるレーザー光の受光量は、図15に示すように、閾値Qよりも多くなるため、本来検出すべき大きさの対象物が存在しているにもかかわらず、その対象物を検出することができないという事態が発生する。一般的な透過型のレーザーセンサーを用いた場合、塗布処理に必要な精度を維持することができる範囲は、投光部101と受光部102との間隔が最大500mm程度までである。   However, unlike a large-sized He—Ne gas laser or the like, in a small-sized semiconductor laser, as shown in FIGS. 12 and 14, the laser beam is in a focused position (a position where the luminous flux is most focused: an example shown here). 2 has a property that its diameter increases as it shifts in the optical axis direction from the irradiation start position of the light projecting unit 101. Therefore, as shown in FIG. 14, when the object is at a position far from the light projecting unit 101 (a position where the diameter is widened), the laser beam is received by the light receiving unit 102 with almost no shielding. Become. In this case, the amount of laser light received by the light receiving unit 102 is larger than the threshold value Q as shown in FIG. 15, so that there is an object of a size that should be detected originally. A situation occurs in which the object cannot be detected. When a general transmission type laser sensor is used, the range in which the accuracy required for the coating process can be maintained is that the distance between the light projecting unit 101 and the light receiving unit 102 is up to about 500 mm.

すなわち、特許文献1に記載されている塗布装置では、例えば基板の大型化により、レーザーセンサー100において、投光部101と受光部102とを比較的離して配置する必要が生じた場合(検出用のレーザー光の光路が長くなる場合)に、受光部102側の領域に対する検出精度が低下するという問題があった。   That is, in the coating apparatus described in Patent Document 1, for example, due to the increase in size of the substrate, in the laser sensor 100, it is necessary to dispose the light projecting unit 101 and the light receiving unit 102 relatively apart (for detection). In the case where the optical path of the laser beam becomes longer, the detection accuracy for the region on the light receiving unit 102 side is lowered.

また、レーザーセンサー100では減衰量によって検出を行う。したがって、投光部101と受光部102とを正確に対向配置しなければならず、レーザーセンサー100の調整作業に時間を要するという問題があった。   Further, the laser sensor 100 performs detection based on the attenuation amount. Therefore, there is a problem that the light projecting unit 101 and the light receiving unit 102 have to be accurately arranged to face each other, and adjustment work of the laser sensor 100 takes time.

また、レーザーセンサー100の感度を向上させるためには、わずかな減衰に対しても異物を検出したと判断する必要がある。しかし、従来の装置では、移動の際の振動によって投光部101と受光部102とがずれてしまい、これによってレーザー光の受光量が減衰する場合がある。すなわち、従来の装置では、感度を上げると誤検出が発生するという問題があった。   Further, in order to improve the sensitivity of the laser sensor 100, it is necessary to determine that a foreign object has been detected even for a slight attenuation. However, in the conventional apparatus, the light projecting unit 101 and the light receiving unit 102 may be displaced due to vibration during movement, which may attenuate the amount of received laser light. That is, the conventional apparatus has a problem that erroneous detection occurs when the sensitivity is increased.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、対象物の検出精度の低下を防止しつつ、作業者の負担を軽減することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to reduce a burden on an operator while preventing a decrease in detection accuracy of an object.

上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液を吐出する吐出手段と、前記保持手段に保持された前記基板と前記吐出手段とを相対的に移動させ、前記基板に対する前記吐出手段による走査を実行させる移動手段と、前記吐出手段の走査中に前記吐出手段と干渉する可能性のある対象物を検出する少なくとも1つの検出手段と、前記検出手段による検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段とを備え、前記検出手段が、レーザー光を前記保持手段に保持された基板の表面に平行方向に照射する投光部と、前記投光部により照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から上方に外れた位置に配置され、前記投光部により照射されたレーザー光のうち前記対象物により反射されたレーザー光を検出光として受光する受光部とを備え、前記検出手段は、前記受光部が前記検出光を受光した場合に、前記対象物を検出したとする検出結果を前記制御手段に伝達することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problem, the invention of claim 1 is a substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate, wherein the holding means for holding the substrate and the substrate held by the holding means An ejection unit that ejects a predetermined processing liquid, a moving unit that relatively moves the substrate held by the holding unit and the ejection unit, and performs scanning by the ejection unit with respect to the substrate; and the ejection At least one detection means for detecting an object that may interfere with the ejection means during scanning of the means, and a control means for controlling the moving means based on a detection result by the detection means, detection means includes a light projecting unit for irradiating in a direction parallel to the surface of the substrate held a laser beam to said holding means, upward from directly receiving the light position of the irradiated laser beam by the light projecting unit Disposed off position, the laser beam reflected by the object of the irradiated laser beam by the light projecting unit and a light receiving portion for receiving the detection light, the detection means, the light receiving portion is the When detecting light is received, a detection result indicating that the object is detected is transmitted to the control means.

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置であって、前記受光部は、前記吐出手段の走査方向に対して略垂直方向にずれた位置に配置されることを特徴とする。   The invention of claim 2 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, wherein the light receiving section is arranged at a position shifted in a direction substantially perpendicular to the scanning direction of the ejection means. Features.

また、請求項の発明は、請求項1または2の発明に係る基板処理装置であって、前記吐出手段の走査中に前記吐出手段と干渉する可能性のある対象物を検出する補助検出手段をさらに備え、前記補助検出手段が、前記投光部または補助投光部と対向した位置に配置され、前記投光部または前記補助投光部から照射された前記レーザー光の直接光を受光する補助受光部とを備え、前記補助検出手段は、前記補助受光部における前記直接光の受光量が所定の閾値以下になった場合に、前記対象物を検出したとする検出結果を前記制御手段に伝達し、前記制御手段は、前記検出手段の検出結果および前記補助検出手段の検出結果に応じて前記移動手段を制御することを特徴とする。 The invention according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2 , wherein the auxiliary detection means detects an object that may interfere with the ejection means during scanning of the ejection means. The auxiliary detection means is disposed at a position facing the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit, and receives the direct light of the laser light emitted from the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit. An auxiliary light receiving unit, and the auxiliary detection unit sends a detection result indicating that the object has been detected to the control unit when the received light amount of the direct light in the auxiliary light receiving unit is a predetermined threshold value or less. The control means controls the moving means according to the detection result of the detection means and the detection result of the auxiliary detection means.

また、請求項の発明は、請求項1ないしのいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記少なくとも1つの検出手段を2以上備え、一の検出手段の前記投光部と、他の検出手段の前記投光部とが、それぞれ前記保持手段に保持された前記基板の両側に分かれて配置されることを特徴とする。 The invention of claim 4 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 , comprising two or more of the at least one detection means, the light projecting unit of one detection means, The light projecting portions of other detection means are separately arranged on both sides of the substrate held by the holding means.

請求項1ないしに記載の発明では、投光部により基板の表面に平行方向に照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から上方に外れた位置に配置され、投光部により照射されたレーザー光のうち対象物により反射されたレーザー光を検出光として受光する受光部を備え、受光部が検出光を受光した場合に、対象物を検出したとする検出結果を制御手段に伝達することにより、受光部の位置は比較的曖昧でよいため、調整作業における負担が軽減される。また、受光部がわずかでも検出光を受光すれば対象物を検出できるので、受光量の減衰量に応じて検出する場合に比べて誤検出が抑制されるので精度が向上する。 In the invention according to any one of claims 1 to 4 , the light projecting unit is disposed at a position deviating upward from the position of receiving direct light of the laser light irradiated in parallel to the surface of the substrate. It has a light receiving part that receives laser light reflected by the object among the irradiated laser light as detection light, and when the light receiving part receives the detection light, the detection result that the object is detected is sent to the control means. By transmitting, since the position of the light receiving unit may be relatively ambiguous, the burden on the adjustment work is reduced. Further, since the object can be detected if the light receiving unit receives even a small amount of detection light, erroneous detection is suppressed as compared with the case where detection is performed according to the amount of attenuation of the amount of received light, so that accuracy is improved.

請求項2に記載の発明では、受光部は、吐出手段の走査方向に対して略垂直方向にずれた位置に配置されることにより、吐出手段による走査によって生じる振動の影響を抑制することができる。したがって、誤検出を抑制することができるので、正確な検出結果を得ることができる。   In the second aspect of the invention, the light receiving unit is disposed at a position that is substantially perpendicular to the scanning direction of the ejection unit, thereby suppressing the influence of vibration caused by scanning by the ejection unit. . Accordingly, erroneous detection can be suppressed, and an accurate detection result can be obtained.

請求項に記載の発明では、投光部または補助投光部と対向した位置に配置され、投光部または補助投光部から照射されたレーザー光の直接光を受光する補助受光部を備え、補助受光部における直接光の受光量が所定の閾値以下になった場合に、対象物を検出したとすることにより、検出可能な対象物の範囲が拡大する。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an auxiliary light receiving unit that is disposed at a position facing the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit and that receives the direct light of the laser light emitted from the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit. When the amount of direct light received by the auxiliary light receiving unit is equal to or less than a predetermined threshold value, the range of detectable objects is expanded by assuming that the objects are detected.

請求項に記載の発明では、一の検出手段の投光部と、他の検出手段の投光部とが、それぞれ保持手段に保持された基板の両側に分かれて配置されることにより、基板の幅の影響を受けることなく対象物を検出することができる。

In the invention according to claim 4 , the light projecting portion of one detecting means and the light projecting portion of the other detecting means are arranged separately on both sides of the substrate held by the holding means, respectively. The object can be detected without being affected by the width of the object.

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<1. 第1の実施の形態>
<1.1 構成の説明>
図1は、本発明の第1の実施の形態における基板処理装置1の正面図である。図2は、基板処理装置1における検出部45の周辺部の拡大図である。なお、図1および図2において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を表し、XY平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
<1. First Embodiment>
<1.1 Description of configuration>
FIG. 1 is a front view of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged view of the periphery of the detection unit 45 in the substrate processing apparatus 1. In FIGS. 1 and 2, for convenience of illustration and explanation, the Z-axis direction is defined as the vertical direction and the XY plane is defined as the horizontal plane, but these are defined for convenience in order to grasp the positional relationship. However, each direction described below is not limited. The same applies to the following figures.

基板処理装置1は、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板90としており、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板90の表面にレジスト液を塗布する塗布装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル41は基板90に対してレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液(薬液)を塗布する装置として変形利用することもできる。また、基板90の形状は角形のものに限られるものではない。   The substrate processing apparatus 1 uses a rectangular glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device as a substrate 90 to be processed. In the process of selectively etching an electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90, the substrate 90 is processed. It is comprised as a coating device which apply | coats a resist liquid to the surface of this. Therefore, in this embodiment, the slit nozzle 41 discharges the resist solution to the substrate 90. In addition, the substrate processing apparatus 1 can be modified and used not only as a glass substrate for a liquid crystal display device but also as a device for applying a processing liquid (chemical solution) to various substrates for a flat panel display. Further, the shape of the substrate 90 is not limited to a rectangular shape.

基板処理装置1は、被処理基板90を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ3を備える。ステージ3は直方体形状の一体の石製であり、その上面(保持面30)および側面は平坦面に加工されている。   The substrate processing apparatus 1 includes a stage 3 that functions as a holding table for placing and holding the substrate to be processed 90 and also functions as a base for each attached mechanism. The stage 3 is made of an integral stone having a rectangular parallelepiped shape, and its upper surface (holding surface 30) and side surfaces are processed into flat surfaces.

ステージ3の上面は水平面とされており、基板90の保持面30となっている。保持面30には多数の真空吸着口(図示せず)が分布して形成されている。基板処理装置1において基板90を処理する間、この真空吸着口が基板90を吸着することにより、ステージ3が基板90を所定の水平位置に保持する。   The upper surface of the stage 3 is a horizontal plane and serves as a holding surface 30 for the substrate 90. A large number of vacuum suction ports (not shown) are distributed and formed on the holding surface 30. While the substrate 90 is processed in the substrate processing apparatus 1, the vacuum suction port sucks the substrate 90, whereby the stage 3 holds the substrate 90 in a predetermined horizontal position.

ステージ3の上方には、このステージ3の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造4が設けられている。架橋構造4は、カーボンファイバ樹脂を骨材とするノズル支持部40と、その両端を支持する昇降機構43,44と、移動機構5とから主に構成される。   Above the stage 3, a bridging structure 4 is provided that extends substantially horizontally from both sides of the stage 3. The bridging structure 4 is mainly composed of a nozzle support portion 40 that uses carbon fiber resin as an aggregate, elevating mechanisms 43 and 44 that support both ends thereof, and a moving mechanism 5.

ノズル支持部40には、スリットノズル41とギャップセンサー42とが取り付けられている。   A slit nozzle 41 and a gap sensor 42 are attached to the nozzle support portion 40.

水平Y軸方向に伸びるスリットノズル41には、スリットノズル41へ薬液(レジスト液)を供給する配管やレジスト用ポンプを含む吐出機構(図示せず)が接続されている。スリットノズル41は、レジスト用ポンプによりレジスト液が送られ、基板90の表面を走査することにより、基板90の表面の所定の領域(以下、「レジスト塗布領域」と称する。)にレジスト液を吐出する。   The slit nozzle 41 extending in the horizontal Y-axis direction is connected to a discharge mechanism (not shown) including a pipe for supplying a chemical solution (resist solution) to the slit nozzle 41 and a resist pump. The slit nozzle 41 is supplied with a resist solution by a resist pump and scans the surface of the substrate 90, thereby discharging the resist solution to a predetermined region on the surface of the substrate 90 (hereinafter referred to as “resist application region”). To do.

ギャップセンサー42は、架橋構造4のノズル支持部40に基板90の表面と対向する位置に取り付けられ、所定の方向(−Z方向)の存在物(例えば、基板90やレジスト膜)との間の距離(ギャップ)を検出して、検出結果を制御部7に伝達する。   The gap sensor 42 is attached to the nozzle support portion 40 of the bridging structure 4 at a position facing the surface of the substrate 90, and is located between a certain direction (−Z direction) (for example, the substrate 90 and the resist film). The distance (gap) is detected, and the detection result is transmitted to the control unit 7.

これにより、制御部7は、ギャップセンサー42の検出結果に基づいて、基板90の表面とスリットノズル41との距離を検出することができる。なお、本実施の形態における基板処理装置1では2つのギャップセンサー42を備えているが、ギャップセンサー42の数はこれに限られるものではなく、さらに、多くのギャップセンサー42を備えていてもよい。   Thereby, the control unit 7 can detect the distance between the surface of the substrate 90 and the slit nozzle 41 based on the detection result of the gap sensor 42. The substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment includes two gap sensors 42. However, the number of gap sensors 42 is not limited to this, and more gap sensors 42 may be provided. .

昇降機構43,44はスリットノズル41の両側に分かれて、ノズル支持部40によりスリットノズル41と連結されている。昇降機構43,44はスリットノズル41を並進的に昇降させるとともに、スリットノズル41のYZ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。   The elevating mechanisms 43 and 44 are divided on both sides of the slit nozzle 41 and are connected to the slit nozzle 41 by the nozzle support portion 40. The elevating mechanisms 43 and 44 are used for moving the slit nozzle 41 in translation and adjusting the posture of the slit nozzle 41 in the YZ plane.

架橋構造4の両端部には、ステージ3の両側の縁側に沿って別れて配置された移動機構5が固設される。移動機構5は、主に一対のACコアレスリニアモータ(以下、単に、「リニアモータ」と略する。)50と、一対のリニアエンコーダ51とから構成される。   At both ends of the bridging structure 4, moving mechanisms 5 arranged separately along the edge sides on both sides of the stage 3 are fixed. The moving mechanism 5 mainly includes a pair of AC coreless linear motors (hereinafter simply referred to as “linear motors”) 50 and a pair of linear encoders 51.

リニアモータ50は、それぞれ固定子および移動子(図示せず)を備え、固定子と移動子との電磁的相互作用によって架橋構造4(スリットノズル41)をX軸方向に移動させるための駆動力を生成するモータである。また、リニアモータ50による移動量および移動方向は、制御部7からの制御信号により制御可能となっている。   Each linear motor 50 includes a stator and a mover (not shown), and a driving force for moving the bridging structure 4 (slit nozzle 41) in the X-axis direction by electromagnetic interaction between the stator and the mover. Is a motor that generates Further, the moving amount and moving direction of the linear motor 50 can be controlled by a control signal from the control unit 7.

リニアエンコーダ51は、それぞれスケール部および検出子(図示せず)を備え、スケール部と検出子との相対的な位置関係を検出して、制御部7に伝達する。各検出子は架橋構造4の両端部にそれぞれ固設され、スケール部はステージ3の両側にそれぞれ固設されている。これにより、リニアエンコーダ51は架橋構造4のX軸方向の位置検出を行う機能を有している。   The linear encoder 51 includes a scale unit and a detector (not shown), detects the relative positional relationship between the scale unit and the detector, and transmits the relative positional relationship to the control unit 7. Each detector is fixed to both ends of the bridging structure 4, and the scale portion is fixed to both sides of the stage 3. Thereby, the linear encoder 51 has a function of detecting the position of the bridging structure 4 in the X-axis direction.

架橋構造4の両側に固設された移動機構5には、さらに検出部45が取り付けられている。本実施の形態における基板処理装置1は、対象物を検出する検出部45は、2つの検出センサー450,451および1つの補助検出センサー452を備えている。   Detection units 45 are further attached to the moving mechanisms 5 fixed on both sides of the bridging structure 4. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the detection unit 45 that detects an object includes two detection sensors 450 and 451 and one auxiliary detection sensor 452.

図3は、スリットノズル41の走査範囲E0と検出部45の配置関係を示す平面図である。図4は、スリットノズル41と検出部45との配置関係を示す右側面図であり、図5は、スリットノズル41と検出部45との配置関係を示す左側面図である。   FIG. 3 is a plan view showing the positional relationship between the scanning range E0 of the slit nozzle 41 and the detection unit 45. As shown in FIG. FIG. 4 is a right side view showing the arrangement relationship between the slit nozzle 41 and the detection unit 45, and FIG. 5 is a left side view showing the arrangement relationship between the slit nozzle 41 and the detection unit 45.

なお、走査範囲E0とは、基板上に対するスリットノズル41の走査範囲である。より詳しく説明すると、移動機構5がX軸方向に移動することにより、スリットノズル41の下端(−Z方向の端部)が描く軌跡領域(面状の領域となる)のうち、基板90とスリットノズル41の下端とが最も接近した状態(レジスト液を塗布する際のギャップ)で対向することとなる領域である。すなわち、走査範囲E0とは、スリットノズル41による走査中に、スリットノズル41が対象物と接触する可能性のある領域である。基板処理装置1では、移動機構5によってスリットノズル41がさまざまな位置に移動するが、昇降機構43,44がスリットノズル41を十分な高さ位置に維持して移動する場合や、スリットノズル41が基板90と対向しない位置を移動する場合には、スリットノズル41が対象物と干渉することはない。   The scanning range E0 is a scanning range of the slit nozzle 41 on the substrate. More specifically, when the moving mechanism 5 moves in the X-axis direction, the substrate 90 and the slit in the trajectory area (which becomes a planar area) drawn by the lower end (end in the −Z direction) of the slit nozzle 41. This is a region that faces the lower end of the nozzle 41 in a state of being closest (gap when applying the resist solution). That is, the scanning range E0 is an area where the slit nozzle 41 may come into contact with the object during scanning by the slit nozzle 41. In the substrate processing apparatus 1, the slit nozzle 41 is moved to various positions by the moving mechanism 5. However, when the elevating mechanisms 43 and 44 are moved while maintaining the slit nozzle 41 at a sufficiently high position, When moving the position not facing the substrate 90, the slit nozzle 41 does not interfere with the object.

また、対象物とは、走査範囲E0において検出される物体であって、スリットノズル41が走査範囲E0を走査中に干渉する可能性のある物体である。実際にはパーティクルのような異物以外に、基板90自体が対象物となる場合もある。ステージ3と基板90との間に異物が存在すると、基板90が盛り上がってスリットノズル41の対象物となるからである。   The object is an object that is detected in the scanning range E0, and the slit nozzle 41 may interfere with the scanning range E0 during scanning. Actually, the substrate 90 itself may be a target object in addition to foreign substances such as particles. This is because if a foreign substance exists between the stage 3 and the substrate 90, the substrate 90 rises and becomes an object of the slit nozzle 41.

検出部45は、スリットノズル41に対して、走査方向(スリットノズル41が走査範囲E0を移動する際の移動方向であって、本実施の形態においては(−X)方向)の前方位置に配置されており、スリットノズル41のX軸方向の移動に伴って、同じ方向に移動しつつ対象物の検出を行う。なお、検出部45とスリットノズル41との相対距離は、移動機構5によってスリットノズル41が移動する速度と、制御部7の演算速度とに応じて設定される。すなわち、検出部45の検出結果に応じて制御部7が移動機構5を制御した場合に、対象物とスリットノズル41との接触を十分に回避できる距離とされる。   The detection unit 45 is disposed at a front position with respect to the slit nozzle 41 in the scanning direction (the moving direction when the slit nozzle 41 moves in the scanning range E0, which is the (−X) direction in the present embodiment). The object is detected while moving in the same direction as the slit nozzle 41 moves in the X-axis direction. The relative distance between the detection unit 45 and the slit nozzle 41 is set according to the speed at which the slit nozzle 41 moves by the moving mechanism 5 and the calculation speed of the control unit 7. In other words, when the control unit 7 controls the moving mechanism 5 according to the detection result of the detection unit 45, the distance between the object and the slit nozzle 41 can be sufficiently avoided.

検出部45の検出方向はY軸方向とされており、検出センサー450,451および補助検出センサー452はX軸方向に配列されている。また、検出センサー450,451および補助検出センサー452のZ軸方向の位置はオペレータによってそれぞれ調整可能とされている。   The detection direction of the detection unit 45 is the Y-axis direction, and the detection sensors 450 and 451 and the auxiliary detection sensor 452 are arranged in the X-axis direction. The positions of the detection sensors 450 and 451 and the auxiliary detection sensor 452 in the Z-axis direction can be adjusted by the operator.

検出センサー450,451および補助検出センサー452は、それぞれが投光部(投光部450a,451a,452a)と受光部(受光部450b,451b,452b)とを備えている。本実施の形態における各投光部450a,451a,452aは、スポット型のレーザー光を照射する小型の半導体レーザーを用いるが、これに限られるものではない。例えば、スリット型のレーザー光を照射するものを用いてもよい。   Each of the detection sensors 450 and 451 and the auxiliary detection sensor 452 includes a light projecting unit (light projecting units 450a, 451a, and 452a) and a light receiving unit (light receiving units 450b, 451b, and 452b). Each of the light projecting portions 450a, 451a, and 452a in the present embodiment uses a small semiconductor laser that irradiates spot-type laser light, but is not limited thereto. For example, you may use what irradiates a slit type laser beam.

検出センサー450,451は、投光部450a,451aから照射したレーザー光を受光部450b,451bが受光したか否かによって、対象物を検出するセンサーである。   The detection sensors 450 and 451 are sensors that detect an object depending on whether or not the light receiving units 450b and 451b receive the laser light emitted from the light projecting units 450a and 451a.

図3に示すように、投光部450aは基板90の(−Y)側に配置され、受光部450bは基板90の(+Y)側に配置されている。一方で、投光部451aは基板90の(+Y)側に配置され、受光部451bは基板90の(−Y)側に配置されている。すなわち、本実施の形態における基板処理装置1では、検出センサー450の投光部450aと、検出センサー451の投光部451aとが、それぞれ基板90の両側に分かれて配置されている。これにより、検出センサー450は(+Y)方向に向けてレーザー光を照射し、検出センサー451は(−Y)方向に向けてレーザー光を照射する。   As shown in FIG. 3, the light projecting unit 450 a is disposed on the (−Y) side of the substrate 90, and the light receiving unit 450 b is disposed on the (+ Y) side of the substrate 90. On the other hand, the light projecting unit 451a is disposed on the (+ Y) side of the substrate 90, and the light receiving unit 451b is disposed on the (−Y) side of the substrate 90. That is, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the light projecting unit 450 a of the detection sensor 450 and the light projecting unit 451 a of the detection sensor 451 are arranged separately on both sides of the substrate 90. As a result, the detection sensor 450 emits laser light in the (+ Y) direction, and the detection sensor 451 emits laser light in the (−Y) direction.

検出センサー450,451の各受光部450b,451bは、図4および図5に示すように、各投光部450a,451aのZ軸方向の高さ位置よりも(+Z)方向にずれて配置されている。投光部450a,451aは、レーザー光をそれぞれY軸に沿った方向(若干(−Z)方向に傾いていてもよい)に照射する。   As shown in FIGS. 4 and 5, the light receiving portions 450b and 451b of the detection sensors 450 and 451 are arranged so as to be shifted in the (+ Z) direction from the height position in the Z-axis direction of the light projecting portions 450a and 451a. ing. The light projecting units 450a and 451a irradiate laser light in a direction along the Y axis (may be slightly tilted in the (−Z) direction).

図6は、検出センサー450による検出の際に、対象物が存在しない場合のレーザー光の軌跡を示す図である。図7は、検出センサー450による検出の際に、対象物が存在する場合のレーザー光の軌跡を示す図である。図6および図7によって、本実施の形態における検出センサー450が対象物を検出する原理を説明する。なお、検出センサー451についても、レーザー光の照射方向が異なるだけで、対象物を検出する原理は検出センサー450とほぼ同様であるため、説明を省略する。   FIG. 6 is a diagram illustrating a locus of laser light when an object is not present during detection by the detection sensor 450. FIG. 7 is a diagram illustrating a locus of laser light when an object is present during detection by the detection sensor 450. The principle by which the detection sensor 450 in the present embodiment detects an object will be described with reference to FIGS. Note that the detection sensor 451 is the same in principle as that of the detection sensor 450 except that the laser light irradiation direction is different, and the description thereof will be omitted.

図6に示すように、受光部450bは、投光部450aにより照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から(+Z)方向に外れた位置に配置されている。すなわち、対象物がない場合において、投光部450aから照射されたレーザー光は、受光部450bには入射しない。一方、図7に示すように、対象物が存在する場合、投光部450aにより照射されたレーザー光の一部は対象物により反射され、受光部450bはこの反射光を受光する。   As shown in FIG. 6, the light receiving unit 450b is arranged at a position deviating in the (+ Z) direction from the position of receiving the direct light of the laser light emitted by the light projecting unit 450a. That is, when there is no object, the laser light emitted from the light projecting unit 450a does not enter the light receiving unit 450b. On the other hand, as shown in FIG. 7, when an object is present, part of the laser light emitted by the light projecting unit 450a is reflected by the object, and the light receiving unit 450b receives the reflected light.

すなわち、本実施の形態における検出センサー450,451は、対象物によって反射されたレーザー光を検出光とするレーザーセンサーであって、受光部450b,451bによって受光された検出光の光量を示す信号を制御部7に伝達する。   That is, the detection sensors 450 and 451 in the present embodiment are laser sensors that use the laser light reflected by the object as detection light, and a signal indicating the amount of detection light received by the light receiving units 450b and 451b. This is transmitted to the control unit 7.

詳細は後述するが、制御部7は、検出センサー450,451から伝達された当該受光量が「0」である場合に対象物は検出できなかったと判断し、受光量が「0」より大きい場合に対象物を検出したと判断する。   Although details will be described later, the control unit 7 determines that the object cannot be detected when the received light amount transmitted from the detection sensors 450 and 451 is “0”, and the received light amount is larger than “0”. It is determined that an object has been detected.

図7に示すように、対象物が存在していて、レーザー光の一部が対象物に当たって乱反射されたとしても、通常対象物はレーザー光のスポット径に比べて微小であるので、その大半は直接光としての軌跡をたどる。したがって、従来の透過型レーザーセンサーでは、対象物が存在していた場合であっても受光部が直接光を比較的多く受光する。そのため、直接光が対象物に遮蔽されることによる受光量の減衰量は微小である。また、基板90のサイズが大型化して、投光部と受光部との距離が遠くなると、レーザー光のスポット径は広くなる(図12および図14参照)。この場合、対象物に遮蔽されることによる受光量の減衰量はさらに小さくなる。   As shown in FIG. 7, even if an object exists and a part of the laser light hits the object and is irregularly reflected, the object is usually small compared to the spot diameter of the laser light, and most of them are Follow the trajectory as direct light. Therefore, in the conventional transmission type laser sensor, the light receiving unit receives a relatively large amount of direct light even when an object is present. For this reason, the attenuation of the amount of received light due to the direct light being shielded by the object is very small. Further, when the size of the substrate 90 is increased and the distance between the light projecting unit and the light receiving unit is increased, the spot diameter of the laser beam is increased (see FIGS. 12 and 14). In this case, the amount of attenuation of the amount of light received by being shielded by the object is further reduced.

一方、センサーは、スリットノズルとともに移動するため、移動に伴う振動によってレーザー光のビームは僅かながら振れてしまう。これによって、投光部からのレーザー光(直接光)が受光部を外れると、受光部における受光量が減衰し、従来の装置では対象物を検出したと判断してしまう。すなわち、対象物が存在していた場合の減衰量が微小であるために、対象物に遮蔽されたために生じる受光量の減衰と、センサーの移動(振動)によって生じる受光量の減衰と区別がつかず、従来の装置では誤検出を生じる可能性がある。誤検出が頻発すると、その都度、スリットノズルが停止するため、スループットが低下するという問題がある。   On the other hand, since the sensor moves together with the slit nozzle, the laser beam is slightly shaken by vibration accompanying the movement. As a result, when the laser light (direct light) from the light projecting unit deviates from the light receiving unit, the amount of light received by the light receiving unit is attenuated, and it is determined that the object has been detected in the conventional apparatus. In other words, since the attenuation when the target is present is very small, it can be distinguished from the attenuation of the received light caused by being shielded by the target and the attenuation of the received light caused by the movement (vibration) of the sensor. However, there is a possibility that erroneous detection may occur in the conventional apparatus. When erroneous detection occurs frequently, the slit nozzle stops each time, and there is a problem that throughput is lowered.

しかし、本実施の形態における基板処理装置1では、受光部450b,451bがレーザー光の直接光を受光する位置から外れた位置に配置されており、検出光の有無によって対象物の有無を検出する。すなわち、受光量の減衰量によって対象物の有無を検出する従来の手法に比べて、誤検出を抑制することができる。   However, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the light receiving portions 450b and 451b are arranged at positions away from the positions where the direct light of the laser light is received, and the presence / absence of the object is detected by the presence / absence of the detection light. . That is, erroneous detection can be suppressed as compared with the conventional method of detecting the presence or absence of an object based on the amount of attenuation of the amount of received light.

また、受光部450bは、投光部450aによって照射されるレーザー光の直接光を受光する位置から、スリットノズル41の走査方向(X軸方向)に対して略垂直方向にずれた位置に配置されている。振動によるレーザー光の振れは、主にスリットノズル41の走査方向に生じ、Z軸方向の振動は比較的少ない。したがって、受光部450bがこのような位置に配置されることによって、振動による誤検出はさらに抑制される。   In addition, the light receiving unit 450b is disposed at a position that is substantially perpendicular to the scanning direction (X-axis direction) of the slit nozzle 41 from the position where the direct light of the laser light emitted by the light projecting unit 450a is received. ing. The vibration of the laser beam due to the vibration occurs mainly in the scanning direction of the slit nozzle 41, and the vibration in the Z-axis direction is relatively small. Accordingly, the erroneous detection due to vibration is further suppressed by arranging the light receiving unit 450b at such a position.

図8は、検出センサー450が受光部450bに近い位置の対象物を検出する場合を説明する図である。対象物が受光部450bに近い位置に存在している場合、投光部450aから射出されたレーザー光の反射光LFLは、受光部450bの位置では、比較的Z軸方向の低い位置を通過する。特に基板90が大型である場合、投光部450aと受光部450bとの距離が遠いので、この反射光LFLを受光するためは受光部450bを比較的低い位置に調整しなければならず、投光部450aから射出されたレーザー光の直接光DRLを受光してしまう。検出センサー450は、直接光DRLと反射光LFLとを区別できないので、このような場合には対象物の検出ができないおそれがある。   FIG. 8 is a diagram illustrating a case where the detection sensor 450 detects an object at a position close to the light receiving unit 450b. When the object is present at a position close to the light receiving unit 450b, the reflected light LFL of the laser light emitted from the light projecting unit 450a passes through a relatively low position in the Z-axis direction at the position of the light receiving unit 450b. . In particular, when the substrate 90 is large, the distance between the light projecting unit 450a and the light receiving unit 450b is long. Therefore, in order to receive the reflected light LFL, the light receiving unit 450b must be adjusted to a relatively low position. The direct light DRL of the laser light emitted from the light unit 450a is received. Since the detection sensor 450 cannot distinguish between the direct light DRL and the reflected light LFL, there is a possibility that the object cannot be detected in such a case.

これを防止するためには、基板90の端部から比較的(+Y)方向に離れた位置に受光部450bを配置すればよい。しかし、基板処理装置1のフットプリントを考慮すれば、受光部450bは基板90の端部付近に設置することが好ましい。   In order to prevent this, the light receiving portion 450b may be disposed at a position relatively distant from the end portion of the substrate 90 in the (+ Y) direction. However, in consideration of the footprint of the substrate processing apparatus 1, the light receiving unit 450 b is preferably installed in the vicinity of the end of the substrate 90.

そこで本実施の形態における基板処理装置1では、図8に示すような位置に対象物が存在している場合には、(+Y)方向からレーザー光を照射する検出センサー451によって検出する。(+Y)側に存在する対象物と受光部451bとは充分に距離があるため、受光部451bは、直接光を受光しない充分な高さ位置に設置されていても、(+Y)側に存在する対象物に反射されたレーザー光を受光することができる。   Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, when an object is present at a position as shown in FIG. 8, the detection is performed by the detection sensor 451 that emits laser light from the (+ Y) direction. Since the object existing on the (+ Y) side and the light receiving unit 451b are sufficiently far away from each other, the light receiving unit 451b exists on the (+ Y) side even if the light receiving unit 451b is installed at a sufficiently high position where it does not directly receive light. It is possible to receive the laser beam reflected by the target object.

このように、検出センサー450の投光部450aと、検出センサー451の投光部451aとが、それぞれステージ3に保持された基板90の両側に分かれて配置されることにより、検出センサー450と検出センサー451とが相補的に機能し、基板90の幅の影響を受けることなく、走査範囲E0内の対象物を検出することができる。   As described above, the light projecting unit 450a of the detection sensor 450 and the light projecting unit 451a of the detection sensor 451 are separately arranged on both sides of the substrate 90 held on the stage 3, thereby detecting the detection sensor 450 and the detection sensor 450. The sensor 451 functions in a complementary manner, and an object within the scanning range E0 can be detected without being affected by the width of the substrate 90.

補助検出センサー452は、図4および図5に示すように、投光部452aと受光部452bとがほぼ同じ高さ位置(Z軸方向の位置)に配置され、投光部452aと受光部452bとが対向するように配置されている。本実施の形態における補助検出センサー452は、投光部452aが照射するレーザー光が対象物に遮蔽されることによって、受光部452bが受光するレーザー光の受光量の減衰量に基づいて対象物を検出する透過型のレーザーセンサーである。すなわち、対象物を検出する原理は従来の装置に用いられるレーザーセンサー100(図12および図13参照)と同様である。ただし、従来の装置と異なり、対象物を検出するための閾値が比較的低く(減衰量は多く)設定されており、振動による減衰程度では誤検出しないように設定されている。すなわち、補助検出センサー452は、比較的大型の対象物を検出するセンサーであって、小さな対象物を検出することはできず、検出精度の粗いセンサーとして機能する。   As shown in FIGS. 4 and 5, the auxiliary detection sensor 452 has the light projecting unit 452a and the light receiving unit 452b disposed at substantially the same height position (position in the Z-axis direction), and the light projecting unit 452a and the light receiving unit 452b. And are arranged so as to face each other. The auxiliary detection sensor 452 in this embodiment detects an object based on the amount of attenuation of the amount of laser light received by the light receiving unit 452b by shielding the laser light emitted by the light projecting unit 452a from the object. It is a transmission type laser sensor to detect. That is, the principle of detecting an object is the same as that of the laser sensor 100 (see FIGS. 12 and 13) used in the conventional apparatus. However, unlike the conventional apparatus, the threshold for detecting an object is set to be relatively low (a large amount of attenuation), and is set so as not to be erroneously detected by the degree of attenuation due to vibration. In other words, the auxiliary detection sensor 452 is a sensor that detects a relatively large object, cannot detect a small object, and functions as a sensor with coarse detection accuracy.

検出センサー450は、受光部450bが配置されている側(+Y側)に、レーザー光が到達しなければ、対象物を検出することができない。同様に、検出センサー451は、受光部451bが配置されている側(−Y側)に、レーザー光が到達しなければ、対象物を検出することができない。例えば、レーザー光を完全に遮蔽してしまうような大型の対象物が存在している場合、投光部450a,451aのいずれから照射されたレーザー光も受光部450b,451bに到達しない。このように、予測される以上に大きな対象物が存在する場合、制御部7は対象物が存在しないと誤認する可能性がある。   The detection sensor 450 cannot detect the object unless the laser beam reaches the side (+ Y side) where the light receiving unit 450b is disposed. Similarly, the detection sensor 451 cannot detect the object unless the laser beam reaches the side (−Y side) where the light receiving unit 451b is disposed. For example, when there is a large object that completely blocks the laser light, the laser light emitted from either of the light projecting units 450a and 451a does not reach the light receiving units 450b and 451b. As described above, when there is an object larger than expected, the control unit 7 may erroneously recognize that the object does not exist.

そこで、本実施の形態における基板処理装置1では、補助検出センサー452を設けて、レーザー光を遮断してしまうような大型の対象物を検出するようにしている。このように対象物の見落としを防止することにより、基板処理装置1は対象物をより高精度に検出することができる。なお、補助検出センサー452の閾値は、比較的低く設定されていると説明したが、極端には、受光部452bにおける受光量が「0」となった場合(完全に遮蔽された場合)のみ、対象物を検出したと判断するようにしてもよい。   Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, an auxiliary detection sensor 452 is provided to detect a large target object that blocks the laser beam. Thus, by preventing oversight of the object, the substrate processing apparatus 1 can detect the object with higher accuracy. Although the threshold value of the auxiliary detection sensor 452 has been described as being set relatively low, in the extreme, only when the amount of light received by the light receiving unit 452b is “0” (when completely blocked), You may make it judge that the target object was detected.

図1に戻って、制御部7は、プログラムに従って各種データを処理する。制御部7は、図示しないケーブルにより基板処理装置1の各機構と接続されており、ギャップセンサー42、リニアエンコーダ51および検出部45などからの入力に応じて、ステージ3、昇降機構43,44および移動機構5などの各構成を制御する。   Returning to FIG. 1, the control unit 7 processes various data according to the program. The control unit 7 is connected to each mechanism of the substrate processing apparatus 1 by cables (not shown), and in response to inputs from the gap sensor 42, the linear encoder 51, the detection unit 45, and the like, the stage 3, the elevating mechanisms 43 and 44, and Each component such as the moving mechanism 5 is controlled.

特に、制御部7は、検出センサー450,451からの入力に基づいて、各受光部450b,451bがレーザー光を受光したか否かを監視しつつ、いずれかがレーザー光を受光した場合に対象物を検出したと判定する。   In particular, the control unit 7 monitors whether each of the light receiving units 450b and 451b has received the laser beam based on the input from the detection sensors 450 and 451, and when one of them receives the laser beam, It is determined that an object has been detected.

また、制御部7は、補助検出センサー452からの入力に基づいて、受光部452bにおけるレーザー光の受光量を演算し、演算により求めた受光量が予め設定された閾値より小さい場合に、走査範囲E0内に対象物が存在すると判定する。   The control unit 7 calculates the amount of laser light received by the light receiving unit 452b based on the input from the auxiliary detection sensor 452, and when the received light amount obtained by the calculation is smaller than a preset threshold, It is determined that an object exists within E0.

本実施の形態における基板処理装置1において、制御部7は、対象物が存在すると判定した場合には、当該対象物をスリットノズル41に接触する干渉物であるとみなす。そして当該対象物とスリットノズル41との接触を回避するために移動機構5(リニアモータ50)を制御して、スリットノズル41による走査を停止させる。なお、対象物を検出した場合の制御部7の制御動作については後述する。   In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, when the control unit 7 determines that an object exists, the control unit 7 regards the object as an interference object that contacts the slit nozzle 41. And in order to avoid the contact with the said target object and the slit nozzle 41, the moving mechanism 5 (linear motor 50) is controlled, and the scanning by the slit nozzle 41 is stopped. Note that the control operation of the control unit 7 when an object is detected will be described later.

また、制御部7は、図示しない操作部(操作パネル、キーボードなど)および表示部(液晶ディスプレイや表示ボタンなど)と接続されており、操作部を介してオペレータからの指示を受け付けるとともに、表示部に必要なデータを表示することによってオペレータに基板処理装置1の状態などを通知する。   The control unit 7 is connected to an operation unit (operation panel, keyboard, etc.) and a display unit (liquid crystal display, display buttons, etc.) not shown, receives instructions from the operator via the operation unit, and displays the display unit. By displaying necessary data, the operator is notified of the state of the substrate processing apparatus 1 and the like.

以上が本実施の形態における基板処理装置1の構成および機能の説明である。   The above is description of the structure and function of the substrate processing apparatus 1 in this Embodiment.

<1.2 調整作業>
基板処理装置1では、基板90に対してレジスト液を塗布する処理を行う前に、オペレータによって、検出センサー450,451および補助検出センサー452のZ軸方向の位置調整作業が行われる。この位置調整は、10μm以下の位置決め精度を持つマイクロゲージを用いて行う。
<1.2 Adjustment work>
In the substrate processing apparatus 1, the position adjustment operation of the detection sensors 450 and 451 and the auxiliary detection sensor 452 in the Z-axis direction is performed by the operator before performing the process of applying the resist solution to the substrate 90. This position adjustment is performed using a micro gauge having a positioning accuracy of 10 μm or less.

検出センサー450,451の投光部450a,451aは、照射するレーザー光が基板90の表面に沿うようにZ軸方向の位置調整が行われる。この場合、レーザー光は基板90に一部が遮蔽されていてもよいので、Z軸方向の位置調整はレーザー光のスポット径の分だけ誤差を許容することができ、比較的曖昧に調整することができる。すなわち、厳密な調整作業が不要となるので、調整作業の負担が軽減される。   The light projecting portions 450 a and 451 a of the detection sensors 450 and 451 are adjusted in position in the Z-axis direction so that the laser light to be irradiated follows the surface of the substrate 90. In this case, since the laser beam may be partially shielded by the substrate 90, the position adjustment in the Z-axis direction can tolerate an error corresponding to the spot diameter of the laser beam and should be adjusted relatively vaguely. Can do. That is, since a strict adjustment work is not necessary, the burden of the adjustment work is reduced.

また、これは検出センサー450,451では、スポット径の分だけ基板90の厚みが変化しても対応できることを意味する。すなわち、厚みの異なる基板90を処理する場合でも、その厚みの変化が所定の範囲内であれば再調整が不要であるため、調整作業の負担を軽減することができる。   This also means that the detection sensors 450 and 451 can cope with a change in the thickness of the substrate 90 corresponding to the spot diameter. That is, even when processing substrates 90 having different thicknesses, readjustment is not necessary if the change in thickness is within a predetermined range, so that the burden of adjustment work can be reduced.

投光部450a,451aの位置が決定されると、検出センサー450,451の受光部450b,451bは、投光部450a,451aから照射されたレーザー光の直接光を受光する位置に、一旦セットされる。このとき受光部450b,451bは、レーザー光(直接光)の一部を受光すればよいので、この位置調整は比較的曖昧でよい。次に、受光部450b,451bを徐々に(+Z)方向に移動させて、レーザー光を受光しなくなった位置で、受光部450b,451bを固定する。このように、受光部450b,451bの位置調整作業においても、従来の装置に比べて作業の負担は軽減される。   When the positions of the light projecting parts 450a and 451a are determined, the light receiving parts 450b and 451b of the detection sensors 450 and 451 are once set at positions to receive the direct light of the laser light emitted from the light projecting parts 450a and 451a. Is done. At this time, the light receiving portions 450b and 451b only need to receive a part of the laser light (direct light), so this position adjustment may be relatively ambiguous. Next, the light receiving portions 450b and 451b are gradually moved in the (+ Z) direction, and the light receiving portions 450b and 451b are fixed at positions where laser light is not received. Thus, even in the position adjustment work of the light receiving portions 450b and 451b, the work burden is reduced as compared with the conventional apparatus.

補助検出センサー452の投光部452aは、ステージ3に正常な状態で保持されている基板90を対象物として誤検出しないように、そのレーザー光の光路が基板90の表面より(+Z)方向の位置となるように位置調整される。すなわち、基板90の厚みを考慮しつつ、ステージ3の保持面30を基準に位置調整が行われる。このとき、基板90の厚みの均一性(通常、設計厚みの±1%以内)や、保持面30の平坦加工精度などを考慮して調整することが好ましい。これにより、レーザー光の光路が基板90の表面よりも(+Z)側となるように調整される。   The light projecting unit 452a of the auxiliary detection sensor 452 has an optical path of the laser beam in the (+ Z) direction from the surface of the substrate 90 so that the substrate 90 held in a normal state on the stage 3 is not erroneously detected as an object. The position is adjusted to be the position. That is, the position adjustment is performed based on the holding surface 30 of the stage 3 while taking the thickness of the substrate 90 into consideration. At this time, it is preferable to adjust in consideration of the uniformity of the thickness of the substrate 90 (usually within ± 1% of the design thickness) and the flat processing accuracy of the holding surface 30. Thus, the optical path of the laser light is adjusted so as to be on the (+ Z) side with respect to the surface of the substrate 90.

また、基板処理装置1において、スリットノズル41と対象物との接触を防止するためには、走査範囲E0よりも(−Z)側に存在する対象物を検出しなければならない。したがって、レーザー光の走査する範囲が走査範囲E0よりも(−Z)側の領域を含むように、投光部452aのZ軸方向の位置が調整される。   Further, in the substrate processing apparatus 1, in order to prevent the contact between the slit nozzle 41 and the target object, the target object existing on the (−Z) side from the scanning range E0 must be detected. Accordingly, the position of the light projecting portion 452a in the Z-axis direction is adjusted so that the range scanned by the laser light includes a region on the (−Z) side of the scanning range E0.

投光部452aの位置が決定されると、補助検出センサー452の受光部452bは、投光部452aのZ軸方向の位置とほぼ同じになるように調整される。ただし、本実施の形態における基板処理装置1では、補助検出センサー452の検出精度は粗く設定される。したがって、従来の装置のように投光部452aから照射されるレーザー光のほぼ100%が受光されるように受光部452bの位置を厳密に調整する必要はない。すなわち、当該レーザー光のスポットの一部が受光部452bに受光されるように調整されていれば充分であり、調整作業の負担は従来に比べて軽減される。   When the position of the light projecting unit 452a is determined, the light receiving unit 452b of the auxiliary detection sensor 452 is adjusted to be substantially the same as the position of the light projecting unit 452a in the Z-axis direction. However, in the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment, the detection accuracy of the auxiliary detection sensor 452 is set roughly. Therefore, it is not necessary to strictly adjust the position of the light receiving unit 452b so that almost 100% of the laser light emitted from the light projecting unit 452a is received as in the conventional apparatus. That is, it is sufficient that the laser beam is adjusted so that a part of the spot of the laser beam is received by the light receiving unit 452b, and the burden of adjustment work is reduced as compared with the conventional case.

<1.3 動作の説明>
次に、基板処理装置1の動作について説明する。図9および図10は、基板処理装置1の塗布処理における動作を示す流れ図である。なお、以下に示す各部の動作制御は特に断らない限り制御部7により行われる。
<1.3 Explanation of operation>
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 9 and FIG. 10 are flowcharts showing operations in the coating process of the substrate processing apparatus 1. The operation control of each unit shown below is performed by the control unit 7 unless otherwise specified.

基板処理装置1では、オペレータまたは図示しない搬送機構により、所定の位置に基板90が搬送されることによって、レジスト液の塗布処理が開始される。なお、処理を開始するための指示は、基板90の搬送が完了した時点で、オペレータが操作部を操作することにより入力されてもよい。   In the substrate processing apparatus 1, the resist solution coating process is started when the substrate 90 is transported to a predetermined position by an operator or a transport mechanism (not shown). The instruction for starting the processing may be input by operating the operation unit by the operator when the conveyance of the substrate 90 is completed.

まず、ステージ3が保持面30上の所定の位置に基板90を吸着して保持する。次に、スリットノズル41を移動させることによって、ギャップセンサー42を基板90とのギャップを測定するための測定開始位置に移動させる(ステップS11)。この動作は、昇降機構43,44がスリットノズル41の高さ位置を測定高度に調整するとともに、リニアモータ50が架橋構造4をX軸方向に調整することにより行われる。   First, the stage 3 sucks and holds the substrate 90 at a predetermined position on the holding surface 30. Next, the gap sensor 42 is moved to the measurement start position for measuring the gap with the substrate 90 by moving the slit nozzle 41 (step S11). This operation is performed by the elevating mechanisms 43 and 44 adjusting the height position of the slit nozzle 41 to the measurement height and the linear motor 50 adjusting the bridging structure 4 in the X-axis direction.

ギャップセンサー42の測定開始位置への移動が完了すると、リニアモータ50が架橋構造4を(+X)方向に移動させる。これにより、ギャップセンサー42が所定の測定高度を保ちながら、基板90表面の塗布領域における基板90表面とスリットノズル41とのギャップを測定する(ステップS12)。なお、塗布領域とは、基板90の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板90の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。また、ギャップセンサー42による測定が行われている間に、スリットノズル41が基板90や異物といった対象物と接触することのないように、基板処理装置1において、測定高度におけるスリットノズル41と保持面30との間のZ軸方向の距離は十分に確保されている。   When the movement of the gap sensor 42 to the measurement start position is completed, the linear motor 50 moves the bridging structure 4 in the (+ X) direction. Thus, the gap sensor 42 measures the gap between the surface of the substrate 90 and the slit nozzle 41 in the coating region on the surface of the substrate 90 while maintaining a predetermined measurement height (step S12). The application region is a region on the surface of the substrate 90 where the resist solution is to be applied, and is usually a region obtained by removing a region having a predetermined width along the edge from the entire area of the substrate 90. . In addition, in the substrate processing apparatus 1, the slit nozzle 41 and the holding surface at the measurement altitude are prevented so that the slit nozzle 41 does not come into contact with an object such as the substrate 90 or a foreign object during the measurement by the gap sensor 42. The distance in the Z-axis direction with respect to 30 is sufficiently secured.

ギャップセンサー42の測定結果は制御部7に伝達される。そして、制御部7は、伝達されたギャップセンサー42の測定結果を、リニアエンコーダ51によって検出される水平位置(X軸方向の位置)と関連づけて記憶部に保存する。   The measurement result of the gap sensor 42 is transmitted to the control unit 7. The control unit 7 stores the transmitted measurement result of the gap sensor 42 in the storage unit in association with the horizontal position (position in the X-axis direction) detected by the linear encoder 51.

ギャップセンサー42による走査(測定)が終了すると、リニアモータ50が架橋構造4をX軸方向に移動させ、検出部45を基板90の端部位置に移動させる(ステップS13)。なお、端部位置とは、検出部45のうち最も(−X)側に存在するセンサー(本実施の形態においては検出センサー450)の光軸が、基板90の(+X)側の辺にほぼ沿う位置である。また、ギャップセンサー42による測定によって、基板90の厚さが指定範囲以内にないと判定された場合、基板処理装置1は、表示部などに警報を表示し、スリットノズル41を待機位置に移動させるとともに、異常が検出された基板90を排出する。   When scanning (measurement) by the gap sensor 42 is completed, the linear motor 50 moves the bridging structure 4 in the X-axis direction and moves the detection unit 45 to the end position of the substrate 90 (step S13). The end position refers to the optical axis of the sensor (detection sensor 450 in the present embodiment) that is closest to the (−X) side of the detection unit 45, approximately on the (+ X) side of the substrate 90. It is a position along. Further, when it is determined by the measurement by the gap sensor 42 that the thickness of the substrate 90 is not within the specified range, the substrate processing apparatus 1 displays an alarm on the display unit and moves the slit nozzle 41 to the standby position. At the same time, the substrate 90 in which an abnormality is detected is discharged.

検出部45が端部位置に移動すると、制御部7は、リニアモータ50を停止させることにより、架橋構造4を停止させる。さらに、ギャップセンサー42からの測定結果に基づいて、スリットノズル41のYZ平面における姿勢が、適切な姿勢(スリットノズル41と塗布領域との間隔がレジストを塗布するために適切な間隔(本実施の形態においては50〜200μm)となる姿勢。以下、「適正姿勢」と称する。)となるノズル支持部40の位置を算出し、算出結果に基づいて、それぞれの昇降機構43,44を制御しスリットノズル41を適正姿勢に調整する。   When the detection unit 45 moves to the end position, the control unit 7 stops the bridging structure 4 by stopping the linear motor 50. Further, based on the measurement result from the gap sensor 42, the posture of the slit nozzle 41 in the YZ plane is an appropriate posture (the interval between the slit nozzle 41 and the application region is an appropriate interval for applying the resist (this embodiment In the embodiment, the position of the nozzle support portion 40 is calculated, and the lift mechanism 43, 44 is controlled based on the calculation result to calculate the slit. The nozzle 41 is adjusted to an appropriate posture.

基板処理装置1の検出部45は、スリットノズル41よりも(−X)側に配置されているため、検出部45が端部位置にある状態では、スリットノズル41は基板90と対向しない位置に移動している。したがって、検出部45が端部位置にある状態でスリットノズル41を(−Z)方向に移動させて適正姿勢に調整したとしても、スリットノズル41が対象物と接触する危険性はほとんどない。   Since the detection unit 45 of the substrate processing apparatus 1 is disposed on the (−X) side of the slit nozzle 41, the slit nozzle 41 is not opposed to the substrate 90 when the detection unit 45 is in the end position. Has moved. Therefore, even if the slit nozzle 41 is moved in the (−Z) direction and adjusted to an appropriate posture while the detection unit 45 is in the end position, there is almost no risk that the slit nozzle 41 comes into contact with the object.

スリットノズル41の姿勢調整が終了すると、制御部7は、検出部45による対象物の検出を開始する(ステップS14)。さらに、リニアモータ50を駆動し、架橋構造4を(−X)方向に移動させつつ(ステップS21)、検出部45からの出力に基づいて、対象物を検出したか否かを判定する(ステップS22)。いずれかの検出センサー450,451および補助検出センサー452によって対象物を検出したと判定した場合には、ステップS27以降の処理を行い、スリットノズル41が対象物に接触することを防止するが詳細は後述する。   When the posture adjustment of the slit nozzle 41 is completed, the control unit 7 starts detection of the object by the detection unit 45 (step S14). Further, the linear motor 50 is driven to move the bridging structure 4 in the (−X) direction (step S21), and based on the output from the detection unit 45, it is determined whether or not an object has been detected (step). S22). If it is determined that any of the detection sensors 450 and 451 and the auxiliary detection sensor 452 has detected the object, the process from step S27 is performed to prevent the slit nozzle 41 from contacting the object. It will be described later.

一方、対象物を検出しない場合には、リニアエンコーダ51の出力に基づいて、制御部7がスリットノズル41の位置を確認しつつ、スリットノズル41が吐出開始位置に移動するまでステップS21ないしS23の処理を繰り返す(ステップS23)。なお、吐出開始位置とは、塗布領域の(+X)側の辺にスリットノズル41がほぼ沿う位置である。   On the other hand, if the target is not detected, the control unit 7 confirms the position of the slit nozzle 41 based on the output of the linear encoder 51, and continues to steps S21 to S23 until the slit nozzle 41 moves to the discharge start position. The process is repeated (step S23). The discharge start position is a position where the slit nozzle 41 substantially follows the (+ X) side of the application region.

スリットノズル41が吐出開始位置まで移動すると、レジスト用ポンプ(図示せず)によりスリットノズル41にレジスト液が送られ、スリットノズル41が塗布領域にレジスト液を吐出する。その吐出動作とともに、リニアモータ50がスリットノズル41を(−X)方向に移動させる(ステップS24)。これにより、基板90の塗布領域がスリットノズル41によって走査され、レジスト液が塗布される。ステップS24の移動動作と並行して、ステップS22と同様に制御部7により、対象物が検出されたか否かの判定が行われる(ステップS25)。   When the slit nozzle 41 moves to the discharge start position, a resist solution is sent to the slit nozzle 41 by a resist pump (not shown), and the slit nozzle 41 discharges the resist solution to the application region. Along with the discharging operation, the linear motor 50 moves the slit nozzle 41 in the (−X) direction (step S24). Thereby, the application region of the substrate 90 is scanned by the slit nozzle 41, and the resist solution is applied. In parallel with the moving operation in step S24, the control unit 7 determines whether or not an object has been detected as in step S22 (step S25).

ステップS25において、制御部7が対象物を検出したと判定した場合には(ステップS25においてYes)、制御部7がリニアモータ50を停止させることによりスリットノズル41の(−X)方向への移動動作を停止するとともに、表示部などに警報を出力する(ステップS27)。なお、ステップS22において、制御部7が対象物を検出したと判定した場合もほぼ同様にステップS27が実行される。   If it is determined in step S25 that the control unit 7 has detected the object (Yes in step S25), the control unit 7 stops the linear motor 50, thereby moving the slit nozzle 41 in the (−X) direction. The operation is stopped and an alarm is output to the display unit (step S27). Note that step S27 is executed in substantially the same manner when the control unit 7 determines in step S22 that the object has been detected.

このように、基板処理装置1では、スリットノズル41の移動中(走査中)に、検出部45によって対象物が検出された場合に、直ちにスリットノズル41の移動を停止することにより、スリットノズル41と対象物との接触を防止することができる。したがって、スリットノズル41や基板90などが接触により破損することを有効に防止することができる。   As described above, in the substrate processing apparatus 1, when the object is detected by the detection unit 45 while the slit nozzle 41 is moving (scanning), the slit nozzle 41 is immediately stopped to move, thereby the slit nozzle 41. And contact with the object can be prevented. Therefore, it is possible to effectively prevent the slit nozzle 41 and the substrate 90 from being damaged by contact.

また、警報を出力することにより、オペレータに異常を知らせることができることから、復旧作業等を効率的に行うことができる。なお、警報はオペレータに異常事態の発生を知得させることができるものであればどのような手法であってもよく、スピーカなどから警報音を出力するようにしてもよい。   Moreover, since an abnormality can be notified to the operator by outputting an alarm, recovery work and the like can be performed efficiently. Note that any method may be used for the alarm as long as it allows the operator to know the occurrence of an abnormal situation, and an alarm sound may be output from a speaker or the like.

ステップS27の実行後は、レジスト用ポンプを停止してレジスト液の吐出を停止し、リニアモータ50および昇降機構43,44によりスリットノズル41を待機位置に退避させる(ステップS28)。さらに、基板90を基板処理装置1から搬出する(ステップS29)。なお、ステップS22において対象物が検出された場合には、レジスト液の吐出は未だ開始されていないため、レジスト液の吐出を停止させる処理は行われない。また、ステップS27が実行された結果搬出する基板90は、他の基板90と区別して、オペレータまたは搬送機構が再処理工程に搬送する。また、図4および図5に示すように、異物NGはステージ3に付着している場合も考えられるため、ステップS27が実行された場合は、ステージ3のクリーニングを行うことが好ましい。   After execution of step S27, the resist pump is stopped to stop the discharge of the resist solution, and the slit nozzle 41 is retracted to the standby position by the linear motor 50 and the lifting mechanisms 43 and 44 (step S28). Further, the substrate 90 is unloaded from the substrate processing apparatus 1 (step S29). When an object is detected in step S22, since the resist solution ejection has not yet started, the process for stopping the resist solution ejection is not performed. Further, the substrate 90 to be unloaded as a result of the execution of step S27 is distinguished from other substrates 90 and is transported to the reprocessing step by the operator or the transport mechanism. Further, as shown in FIGS. 4 and 5, it is conceivable that the foreign matter NG is attached to the stage 3. Therefore, when step S <b> 27 is performed, it is preferable to clean the stage 3.

一方、ステップS25において対象物が検出されない場合には(ステップS25においてNo)、リニアエンコーダ51の出力に基づいて、制御部7がスリットノズル41の位置を確認しつつ、スリットノズル41が吐出終了位置に移動するまでステップS24ないしS26の処理を繰り返す(ステップS26)。このように、対象物が存在しない場合には、スリットノズル41による走査が塗布領域全域に対して行われ、当該塗布領域の全域における基板90の表面上にレジスト液の層が形成される。   On the other hand, when the object is not detected in step S25 (No in step S25), the control unit 7 confirms the position of the slit nozzle 41 based on the output of the linear encoder 51, and the slit nozzle 41 is at the discharge end position. Steps S24 to S26 are repeated until it moves to (Step S26). As described above, when the object does not exist, scanning by the slit nozzle 41 is performed on the entire coating region, and a layer of the resist solution is formed on the surface of the substrate 90 in the entire coating region.

スリットノズル41が吐出終了位置に移動すると、制御部7は、レジスト用ポンプを停止してレジスト液の吐出を停止し、リニアモータ50および昇降機構43,44によりスリットノズル41を待機位置に退避させる(ステップS28)。この動作と並行して、制御部7は検出部45による対象物の検出を停止する。   When the slit nozzle 41 moves to the discharge end position, the controller 7 stops the resist pump to stop the discharge of the resist solution, and the linear motor 50 and the lifting mechanisms 43 and 44 retract the slit nozzle 41 to the standby position. (Step S28). In parallel with this operation, the control unit 7 stops the detection of the object by the detection unit 45.

さらに、ステージ3は基板90の吸着を停止し、オペレータまたは搬送機構が基板90を保持面30から取り上げ、基板90を次の処理工程に搬出する(ステップS29)。   Further, the stage 3 stops the suction of the substrate 90, the operator or the transport mechanism picks up the substrate 90 from the holding surface 30, and carries the substrate 90 to the next processing step (step S29).

なお、塗布処理が終了した時点で、レジスト液の膜厚の検査処理を行ってもよい。すなわち、昇降機構43,44がノズル支持部40を(+Z)方向に移動させることにより、ギャップセンサー42を測定高度に移動させる。さらに、リニアモータ50が架橋構造4を(+X)方向に移動させることでギャップセンサー42が塗布領域を走査し、基板90上に形成されたレジスト膜とのギャップを測定して制御部7に伝達する。制御部7は、レジスト液を塗布する前に測定したギャップの値(基板90の表面との距離)と、レジスト塗布後に測定したギャップの値(レジスト膜の表面との距離)とを比較することにより、基板90上のレジスト膜の厚さを算出し、算出結果を表示部などに表示する。   Note that when the coating process is completed, a resist film thickness inspection process may be performed. That is, the elevating mechanisms 43 and 44 move the gap sensor 42 to the measurement altitude by moving the nozzle support 40 in the (+ Z) direction. Further, when the linear motor 50 moves the bridging structure 4 in the (+ X) direction, the gap sensor 42 scans the coating region, measures the gap with the resist film formed on the substrate 90, and transmits it to the control unit 7. To do. The controller 7 compares the gap value (distance to the surface of the substrate 90) measured before applying the resist solution and the gap value (distance to the surface of the resist film) measured after applying the resist. Thus, the thickness of the resist film on the substrate 90 is calculated, and the calculation result is displayed on the display unit or the like.

基板90の搬出処理(ステップS29)が終了すると、さらに連続して複数枚の基板90に対して処理を行う場合にはステップS11に戻って処理を繰り返し実行し、処理すべき基板90が存在しない場合には処理を終了する(ステップS30)。   When the substrate 90 carry-out processing (step S29) is completed, if processing is continuously performed on a plurality of substrates 90, the processing returns to step S11 and is repeatedly executed, and there is no substrate 90 to be processed. If so, the process ends (step S30).

以上のように、本実施の形態における基板処理装置1は、投光部450a,451aにより照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から外れた位置に配置され、投光部450a,451aにより照射されたレーザー光のうち対象物により反射されたレーザー光を検出光として受光する受光部450b,451bを備え、受光部450b,451bが検出光を受光した場合に、対象物を検出したとすることにより、受光部450b,451bの位置は比較的曖昧でよいため、調整作業における負担が軽減される。また、受光部450b,451bがわずかでも検出光を受光すれば対象物を検出できるので、基板90の幅の影響を抑制することができ、精度が向上する。   As described above, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment is disposed at a position deviating from the position where the direct light of the laser beams irradiated by the light projecting units 450a and 451a is received. Light receiving units 450b and 451b that receive, as detection light, laser light reflected by the object among the laser light emitted by 451a is provided, and the object is detected when the light receiving units 450b and 451b receive the detection light. By doing so, the positions of the light receiving portions 450b and 451b may be relatively ambiguous, and the burden of adjustment work is reduced. In addition, since the object can be detected if the light receiving portions 450b and 451b receive the detection light even slightly, the influence of the width of the substrate 90 can be suppressed, and the accuracy is improved.

また、受光部450b,451bは、レーザー光の直接光を受光する位置から、スリットノズル41の走査方向に対して略垂直方向にずれた位置に配置されることにより、スリットノズルによる走査によって生じる振動の影響を抑制することができる。したがって、誤検出を抑制することができるので、正確な検出結果を得ることができる。   Further, the light receiving portions 450b and 451b are arranged at positions shifted in a direction substantially perpendicular to the scanning direction of the slit nozzle 41 from the position where the direct light of the laser beam is received, thereby causing vibration caused by scanning by the slit nozzle. The influence of can be suppressed. Accordingly, erroneous detection can be suppressed, and an accurate detection result can be obtained.

また、スリットノズル41の走査中にスリットノズル41と干渉する可能性のある対象物を検出する補助検出センサー452を備え、補助検出センサー452の受光部452bは、投光部452aと対向した位置に配置され、投光部452aから照射されたレーザー光の直接光を受光し、受光部452bにおける直接光の受光量が所定の閾値以下になった場合に、対象物を検出したとすることにより、検出可能な対象物の範囲が拡大する。   In addition, an auxiliary detection sensor 452 that detects an object that may interfere with the slit nozzle 41 during scanning of the slit nozzle 41 is provided, and the light receiving unit 452b of the auxiliary detection sensor 452 is located at a position facing the light projecting unit 452a. By receiving the direct light of the laser light that is arranged and emitted from the light projecting unit 452a, and the amount of direct light received by the light receiving unit 452b is equal to or less than a predetermined threshold, The range of detectable objects is expanded.

また、検出センサー450の投光部450aと、検出センサー451の投光部451aとが、それぞれステージ3に保持された基板90の両側に分かれて配置されることにより、基板の幅の影響を受けることなく対象物を検出することができる。   In addition, the light projecting unit 450a of the detection sensor 450 and the light projecting unit 451a of the detection sensor 451 are separately arranged on both sides of the substrate 90 held on the stage 3, thereby being affected by the width of the substrate. The object can be detected without any problem.

また、検出部45が、移動機構5に取り付けられていることにより、スリットノズル41を交換した場合であっても、検出部45の位置調整を再度行う必要がなく、作業を効率化することができる。   In addition, since the detection unit 45 is attached to the moving mechanism 5, even when the slit nozzle 41 is replaced, it is not necessary to adjust the position of the detection unit 45 again, and the work efficiency can be improved. it can.

<2. 第2の実施の形態>
第1の実施の形態では、検出部45を移動機構5に取り付けるように構成したが、検出部45の取り付け位置はこれに限られるものではなく、対象物を検出することができる位置であればどこに取り付けられていてもよい。
<2. Second Embodiment>
In the first embodiment, the detection unit 45 is configured to be attached to the moving mechanism 5. However, the attachment position of the detection unit 45 is not limited to this, and any position that can detect an object is used. It can be installed anywhere.

図11は、このような原理に基づいて構成した第2の実施の形態における基板処理装置1aの検出部45の周辺部における拡大図である。基板処理装置1aは、図11に示すように、検出部45がノズル支持部40に取り付けられている。スリットノズル41は、上記実施の形態と同様にノズル支持部40に固設されており、スリットノズル41はノズル支持部40と一体的に移動する。ノズル支持部40にはスリットノズル41が固設されている。したがって、検出部45は、スリットノズル41との相対距離を保った状態で一体的に移動する。   FIG. 11 is an enlarged view of the periphery of the detection unit 45 of the substrate processing apparatus 1a according to the second embodiment configured based on such a principle. As shown in FIG. 11, the substrate processing apparatus 1 a has a detection unit 45 attached to a nozzle support unit 40. The slit nozzle 41 is fixed to the nozzle support 40 as in the above embodiment, and the slit nozzle 41 moves integrally with the nozzle support 40. A slit nozzle 41 is fixed to the nozzle support portion 40. Therefore, the detection unit 45 moves integrally while maintaining a relative distance from the slit nozzle 41.

なお、基板処理装置1aは、検出部45がノズル支持部40に取り付けられていることを除いて、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の構成を有している。また、基板処理装置1aの動作についても、基板処理装置1とほぼ同様である。ただし、基板処理装置1では、ステージ3の保持面30の位置を基準に検出センサー450,451および補助検出センサー452のZ軸方向の位置調整作業が行われるが、基板処理装置1aでは、スリットノズル41の(−Z)側の端部を基準にこれらのZ軸方向の位置調整作業が行われる。   The substrate processing apparatus 1a has substantially the same configuration as the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment, except that the detection unit 45 is attached to the nozzle support unit 40. The operation of the substrate processing apparatus 1a is also substantially the same as that of the substrate processing apparatus 1. However, in the substrate processing apparatus 1, the position adjustment operation of the detection sensors 450 and 451 and the auxiliary detection sensor 452 in the Z-axis direction is performed based on the position of the holding surface 30 of the stage 3. In the substrate processing apparatus 1 a, however, the slit nozzle The position adjustment work in the Z-axis direction is performed with reference to the end portion on the (−Z) side of 41.

以上のように、第2の実施の形態における基板処理装置1aのように、ノズル支持部40に検出部45を取り付けた場合であっても、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の効果を得ることができる。   As described above, even when the detection unit 45 is attached to the nozzle support unit 40 as in the substrate processing apparatus 1a in the second embodiment, it is almost the same as the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment. Similar effects can be obtained.

また、検出センサー450,451および補助検出センサー452が、スリットノズル41との相対距離を保った状態で一体的に移動するように取り付けられていることにより、一旦、検出部45とスリットノズル41との相対距離の調整が行われた後は、スリットノズル41の姿勢(主にZ軸方向の位置)に関わらず、その相対距離が一定となるため、検出精度を向上させることができる。また、基板処理装置1aにおいて、処理する基板90の厚みなどが変更された場合であっても再度位置調整作業を行う必要がなく、作業の効率化を図ることができる。   In addition, since the detection sensors 450 and 451 and the auxiliary detection sensor 452 are attached so as to move integrally while maintaining a relative distance from the slit nozzle 41, the detection unit 45 and the slit nozzle 41 are temporarily arranged. After the relative distance is adjusted, the relative distance is constant regardless of the posture of the slit nozzle 41 (mainly the position in the Z-axis direction), so that the detection accuracy can be improved. Further, in the substrate processing apparatus 1a, even if the thickness of the substrate 90 to be processed is changed, it is not necessary to perform the position adjustment operation again, and the work efficiency can be improved.

<3. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
<3. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made.

例えば、第2の実施の形態における基板処理装置1aでは、検出部45がノズル支持部40に取り付けられると説明したが、例えば、スリットノズル41に直接検出部45が取り付けられていてもよい。   For example, in the substrate processing apparatus 1a in the second embodiment, the detection unit 45 is described as being attached to the nozzle support unit 40. However, for example, the detection unit 45 may be directly attached to the slit nozzle 41.

上記実施の形態では、補助検出センサー452は、投光部452aおよび受光部452bをそれぞれ備えていた。しかし、補助検出センサー452は受光部452bのみ備える構成であっても実現可能である。図16は、このような原理に基づいて構成した変形例における検出センサー450と補助検出センサー452とを示す図である。図16に示すように、補助検出センサー452の受光部452bを、検出センサー450の投光部450aと対向する位置に配置する。すなわち、投光部450aと受光部452bとの位置において、X軸方向およびZ軸方向の位置がほぼ等しくなるように配置する。このように配置すれば、受光部452bは、投光部450aから照射されたレーザー光の直接光を受光することとなる。このように構成することによっても、補助検出センサー452は、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、補助検出センサー452が検出センサー450の投光部450aを兼用することにより、装置構成を簡素化することができる。なお、補助検出センサー452が使用する投光部は、投光部450aに限られるものではなく、投光部451aであってもよい。   In the above embodiment, the auxiliary detection sensor 452 includes the light projecting unit 452a and the light receiving unit 452b. However, the auxiliary detection sensor 452 can be realized even with a configuration including only the light receiving unit 452b. FIG. 16 is a diagram showing a detection sensor 450 and an auxiliary detection sensor 452 in a modified example configured based on such a principle. As shown in FIG. 16, the light receiving portion 452 b of the auxiliary detection sensor 452 is disposed at a position facing the light projecting portion 450 a of the detection sensor 450. That is, the positions of the light projecting unit 450a and the light receiving unit 452b are arranged so that the positions in the X-axis direction and the Z-axis direction are substantially equal. With this arrangement, the light receiving unit 452b receives the direct light of the laser light emitted from the light projecting unit 450a. Also with this configuration, the auxiliary detection sensor 452 can obtain the same effects as those of the above embodiment. Further, since the auxiliary detection sensor 452 also serves as the light projecting unit 450a of the detection sensor 450, the apparatus configuration can be simplified. The light projecting unit used by the auxiliary detection sensor 452 is not limited to the light projecting unit 450a, and may be the light projecting unit 451a.

本発明の第1の実施の形態における基板処理装置の正面図である。It is a front view of the substrate processing apparatus in the 1st Embodiment of this invention. 基板処理装置における検出部の周辺部の拡大図である。It is an enlarged view of the peripheral part of the detection part in a substrate processing apparatus. スリットノズルの走査範囲と検出センサーの配置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the scanning range of a slit nozzle, and the arrangement | positioning relationship of a detection sensor. スリットノズルと検出センサーとの配置関係を示す右側面図である。It is a right view which shows the arrangement | positioning relationship between a slit nozzle and a detection sensor. スリットノズルと検出センサーとの配置関係を示す左側面図である。It is a left view which shows the arrangement | positioning relationship between a slit nozzle and a detection sensor. 検出センサーによる検出の際に、対象物が存在しない場合のレーザー光の軌跡を示す図である。It is a figure which shows the locus | trajectory of a laser beam when a target object does not exist in the case of the detection by a detection sensor. 検出センサーによる検出の際に、対象物が存在する場合のレーザー光の軌跡を示す図である。It is a figure which shows the locus | trajectory of a laser beam when a target object exists in the case of the detection by a detection sensor. 検出センサーが受光部に近い位置の対象物を検出する場合を説明する図である。It is a figure explaining the case where a detection sensor detects the target object of the position near a light-receiving part. 基板処理装置の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows operation | movement of a substrate processing apparatus. 基板処理装置の動作を示す流れ図である。It is a flowchart which shows operation | movement of a substrate processing apparatus. 第2の実施の形態における基板処理装置の検出センサーの周辺部における拡大図である。It is an enlarged view in the peripheral part of the detection sensor of the substrate processing apparatus in 2nd Embodiment. 従来の塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサーが干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the principle in which the transmissive | pervious laser sensor used for the conventional coating device detects an interference object. 従来の塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサーが干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the principle in which the transmissive | pervious laser sensor used for the conventional coating device detects an interference object. 従来の塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサーが干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the principle in which the transmissive | pervious laser sensor used for the conventional coating device detects an interference object. 従来の塗布装置に用いられる透過型のレーザーセンサーが干渉物を検出する原理を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the principle in which the transmissive | pervious laser sensor used for the conventional coating device detects an interference object. 変形例における検出センサーと補助検出センサーとを示す図である。It is a figure which shows the detection sensor and auxiliary detection sensor in a modification.

符号の説明Explanation of symbols

1,1a 基板処理装置
3 ステージ
30 保持面
41 スリットノズル
43,44 昇降機構
45 検出部
450,451 検出センサー
450a,451a 投光部
450b,451b 受光部
452 補助検出センサー
452a 投光部(補助投光部)
452b 受光部(補助受光部)
5 移動機構
50 リニアモータ
7 制御部
90 基板
DRL 直接光
E0 走査範囲
LFL 反射光
NG 異物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a Substrate processing apparatus 3 Stage 30 Holding surface 41 Slit nozzle 43, 44 Elevating mechanism 45 Detection part 450,451 Detection sensor 450a, 451a Light projection part 450b, 451b Light reception part 452 Auxiliary detection sensor 452a Light projection part (auxiliary light projection part) Part)
452b Light receiving part (auxiliary light receiving part)
5 Moving mechanism 50 Linear motor 7 Control unit 90 Substrate DRL Direct light E0 Scanning range LFL Reflected light NG Foreign matter

Claims (4)

基板に所定の処理液を塗布する基板処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板に対して所定の処理液を吐出する吐出手段と、
前記保持手段に保持された前記基板と前記吐出手段とを相対的に移動させ、前記基板に対する前記吐出手段による走査を実行させる移動手段と、
前記吐出手段の走査中に前記吐出手段と干渉する可能性のある対象物を検出する少なくとも1つの検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて、前記移動手段を制御する制御手段と、
を備え、
前記検出手段が、
レーザー光を前記保持手段に保持された前記基板の表面に平行方向に照射する投光部と、
前記投光部により照射されたレーザー光のうちの直接光を受光する位置から上方に外れた位置に配置され、前記投光部により照射されたレーザー光のうち前記対象物により反射されたレーザー光を検出光として受光する受光部と、
を備え、
前記検出手段は、前記受光部が前記検出光を受光した場合に、前記対象物を検出したとする検出結果を前記制御手段に伝達することを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for applying a predetermined processing liquid to a substrate,
Holding means for holding the substrate;
Discharge means for discharging a predetermined processing liquid to the substrate held by the holding means;
Moving means for relatively moving the substrate held by the holding means and the discharge means, and executing scanning by the discharge means with respect to the substrate;
At least one detection means for detecting an object that may interfere with the ejection means during scanning of the ejection means;
Control means for controlling the moving means based on a detection result by the detecting means;
With
The detection means is
A light projecting unit that irradiates the surface of the substrate held by the holding unit in parallel with a laser beam;
Laser light that is arranged at a position that deviates upward from a position that receives direct light of the laser light emitted by the light projecting unit, and that is reflected by the object among the laser light emitted by the light projecting unit A light receiving portion that receives light as detection light,
With
The substrate processing apparatus, wherein the detection unit transmits a detection result indicating that the object is detected when the light receiving unit receives the detection light to the control unit.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記受光部は、前記吐出手段の走査方向に対して略垂直方向にずれた位置に配置されることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the light receiving unit is disposed at a position displaced in a direction substantially perpendicular to a scanning direction of the ejection unit.
請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段の走査中に前記吐出手段と干渉する可能性のある対象物を検出する補助検出手段をさらに備え、
前記補助検出手段が、
前記投光部または補助投光部と対向した位置に配置され、前記投光部または前記補助投光部から照射された前記レーザー光の直接光を受光する補助受光部と、
を備え、
前記補助検出手段は、前記補助受光部における前記直接光の受光量が所定の閾値以下になった場合に、前記対象物を検出したとする検出結果を前記制御手段に伝達し、
前記制御手段は、前記検出手段の検出結果および前記補助検出手段の検出結果に応じて前記移動手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
An auxiliary detection means for detecting an object that may interfere with the discharge means during scanning of the discharge means;
The auxiliary detection means is
An auxiliary light receiving unit that is disposed at a position facing the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit, and that receives the direct light of the laser light emitted from the light projecting unit or the auxiliary light projecting unit;
With
The auxiliary detection means transmits a detection result indicating that the object has been detected to the control means when the received light amount of the direct light in the auxiliary light receiving unit is a predetermined threshold value or less,
The substrate processing apparatus, wherein the control unit controls the moving unit according to a detection result of the detection unit and a detection result of the auxiliary detection unit.
請求項1ないしのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも1つの検出手段を2以上備え、
一の検出手段の前記投光部と、他の検出手段の前記投光部とが、それぞれ前記保持手段に保持された前記基板の両側に分かれて配置されることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 ,
Two or more of the at least one detection means,
The substrate processing apparatus, wherein the light projecting unit of one detection unit and the light projection unit of another detection unit are separately arranged on both sides of the substrate held by the holding unit.
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