KR100838431B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR100838431B1
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요시노리 다카기
겐타로 니시오카
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다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
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Abstract

물체의 검출 정밀도의 저하를 방지하는 동시에, 작업자의 부담을 경감시키는 것으로, 복수의 CCD 소자를 이차원적으로 배열한 수광 가능 영역(47)을 갖는 수광부에, 투광부로부터 직사각형의 레이저광(L)을 조사한다. 수광 가능 영역(47) 내에, 미리 수광 영역(48)을 설정해 둔다. 수광 영역(48)은, 레지스트액을 토출하는 슬릿 노즐의 주사 방향이 길이 방향이 되는 직사각형의 영역으로서 설정한다. 수광 영역(48) 내에 배치되어 있는 CCD 소자로부터의 출력 신호에 의거해, 물체가 존재하는지 여부를 판정한다. The laser beam L of the rectangular shape is transmitted from the light transmitting portion to the light receiving portion having the light receiving region 47 in which the plurality of CCD elements are arranged two-dimensionally, while preventing a decrease in detection accuracy of the object and reducing the burden on the operator. Investigate. In the light receiving region 47, the light receiving region 48 is set in advance. The light receiving region 48 is set as a rectangular region in which the scanning direction of the slit nozzle for discharging the resist liquid becomes the longitudinal direction. Based on the output signal from the CCD element disposed in the light receiving region 48, it is determined whether or not an object exists.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate Processing Unit {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

도 1은 본 발명에서의 기판 처리 장치의 정면도이다. 1 is a front view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 기판 처리 장치에서의 투광부 주변부의 확대도이다. 2 is an enlarged view of the periphery of the light transmitting part in the substrate processing apparatus.

도 3은 투광부가 수광부를 향해 레이저광을 조사하는 모습을 도시하는 개념도이다. 3 is a conceptual diagram illustrating a state in which a light transmitting unit irradiates a laser beam toward a light receiving unit.

도 4는 복수의 CCD 소자에 의해서 형성되는 수광 가능 영역 및 수광 영역을 도시한 도면이다. 4 is a view showing a light receiving region and a light receiving region formed by a plurality of CCD elements.

도 5는 투광부, 수광부 및 차폐판의 배치 관계를 도시하는 평면도이다. 5 is a plan view showing an arrangement relationship between a light transmitting portion, a light receiving portion, and a shielding plate.

도 6은 슬릿 노즐, 투광부 및 차폐판의 배치 관계를 도시하는 측면도이다. Fig. 6 is a side view showing the arrangement relationship of the slit nozzle, the light transmitting portion, and the shielding plate.

도 7은 투광부의 위치 조정을 설명하는 도면이다. It is a figure explaining the position adjustment of a light transmitting part.

도 8은 종래의 스폿 레이저광을 수광하는 수광부에서의 광량의 변화를 도시하는 개념도이다. 8 is a conceptual diagram showing a change in the amount of light in a light receiving portion that receives a conventional spot laser light.

도 9는 본 실시의 형태에서의 수광부에서의 광량의 변화를 도시하는 개념도이다.9 is a conceptual diagram showing a change in the amount of light in the light receiving portion in the present embodiment.

도 10은 비교적 작은 간섭물에 의한 수광부의 광량의 변화를 도시하는 개략도이다.10 is a schematic diagram showing a change in the light amount of a light receiving portion due to a relatively small interference.

도 11은 노이즈에 의한 수광부의 광량의 변화를 도시하는 개략도이다. 11 is a schematic diagram showing a change in the light amount of a light receiving portion due to noise.

도 12는 간섭 줄무늬가 발생한 경우의 수광 가능 영역 및 수광 영역의 광량 분포를 예시하는 도면이다. 12 is a diagram illustrating the light amount distribution of the light receiving region and the light receiving region when interference fringes occur.

도 13은 수광량 EVZ(z)에 대해서, 간섭물이 존재하는 경우와, 존재하지 않는 경우를 예시하는 도면이다. FIG. 13 is a diagram illustrating a case where an interference material is present and a case where there is no light reception amount EVZ (z).

도 14는 제2 실시 형태에서의 투광부, 수광부 및 차폐판의 배치 관계와, 동작 확인 영역, 차폐 영역 및 검사 영역을 도시하는 평면도이다. It is a top view which shows arrangement | positioning relationship of a light transmission part, a light receiving part, and a shielding plate in 2nd Embodiment, an operation | movement confirmation area | region, a shielding area | region, and an inspection area | region.

도 15는 스테이지에 지지된 기판 및 차폐판의 배치 관계와, 동작 확인 영역, 차폐 영역 및 검사 영역을 도시하는 측면도이다. Fig. 15 is a side view showing the arrangement relationship between the substrate and the shielding plate supported on the stage, the operation confirmation region, the shielding region, and the inspection region.

도 16은 수광 영역이 동작 확인 영역에 포함되는 상태로부터 검사 영역에 포함되는 상태로 이동하기까지의 수광량 EV(t)의 변화를 예시하는 도면이다. 16 is a diagram illustrating a change in the received light amount EV (t) from the state in which the light receiving region is included in the operation confirmation region to the state included in the inspection region.

도 17은 도 16에 도시하는 예에서의 제어부에 의한 연산치 CV(t)의 변화를 예시하는 도면이다. 17 is a diagram illustrating a change in the calculated value CV (t) by the control unit in the example shown in FIG. 16.

도 18은 차폐판이 존재하지 않는 경우에, 도 16과 동일하게 수광량 EV(t)의 변화를 예시하는 도면이다. FIG. 18 is a diagram illustrating a change in the light receiving amount EV (t) similarly to FIG. 16 when no shielding plate exists.

도 19는 도 18에서의 연산치 CV(t)의 변화를 예시하는 도면이다. FIG. 19 is a diagram illustrating a change in the calculated value CV (t) in FIG. 18.

도 20은 제3 실시 형태에서의 수광 가능 영역 내의 명(明) 영역 및 암(暗) 영역을, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 존재하지 않는 경우에 대해서 도시한 도면이다. FIG. 20 is a diagram showing a case where a bright area and a dark area in the light-receivable area according to the third embodiment do not exist in which an object which may cause processing failure does not exist.

도 21은 도 20에 도시하는 수광 가능 영역에 대해 설정되는 제1 수광 영역 및 제2 수광 영역을 도시한 도면이다. FIG. 21 is a diagram showing a first light receiving region and a second light receiving region set for the light receiving region shown in FIG. 20.

도 22는 제3 실시 형태에서의 제어부의 기능 구성을 도시하는 블록도이다.Fig. 22 is a block diagram showing the functional configuration of a control unit in the third embodiment.

도 23은 주로 제1 검출부에 의해서 검출되는 검출체의 예를 도시하는 도면이다. It is a figure which shows the example of the detection body mainly detected by a 1st detection part.

도 24는 도 23에 도시하는 검출체가 레이저광(L)의 광로 상에 존재하는 순간의 수광 가능 영역의 수광 상황을 도시하는 도면이다. It is a figure which shows the light reception situation of the light reception possible area | region at the time when the detection body shown in FIG. 23 exists on the optical path of the laser beam L. FIG.

도 25는 도 23에 도시하는 검출체가 존재하는 경우에서의 제1 수광 영역의 수광량 EV1(t)의 변화를 도시하는 도면이다. FIG. 25 is a diagram showing a change in the light receiving amount EV1 (t) of the first light receiving region when the detector shown in FIG. 23 exists.

도 26은 도 23에 도시하는 검출체가 존재하는 경우에서의 제2 수광 영역의 수광량 EV2(t)의 변화를 도시하는 도면이다. It is a figure which shows the change of the light reception amount EV2 (t) of the 2nd light receiving area in the case where the detector shown in FIG. 23 exists.

도 27은 주로 제2 검출부에 의해서 검출되는 검출체의 예를 도시하는 도면이다. 27 is a diagram illustrating an example of a detector mainly detected by the second detection unit.

도 28은 도 27에 도시하는 검출체가 레이저광(L)의 광로 상에 존재하는 순간의 수광 가능 영역의 수광 상황을 도시하는 도면이다. FIG. 28: is a figure which shows the light reception situation of the light-receivable area | region at the moment when the detection body shown in FIG. 27 exists on the optical path of the laser beam L. FIG.

도 29는 도 27에 도시하는 검출체가 존재하는 경우에서의 제1 수광 영역의 수광량 EV1(t)의 변화를 도시하는 도면이다. FIG. 29 is a diagram illustrating a change in the light receiving amount EV1 (t) of the first light receiving region when the detector shown in FIG. 27 exists.

도 30은 도 27에 도시하는 검출체가 존재하는 경우에서의 제2 수광 영역의 수광량 EV2(t)의 변화를 도시하는 도면이다. FIG. 30 is a diagram showing a change in the light receiving amount EV2 (t) of the second light receiving region when the detector shown in FIG. 27 is present.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 기판 처리 장치 3 : 스테이지 1: substrate processing apparatus 3: stage

30 : 지지면 31 : 차폐판30 support surface 31 shielding plate

4 : 가교 구조 41 : 슬릿 노즐4: crosslinked structure 41: slit nozzle

43, 44 : 승강 기구 45 : 투광부43, 44: lifting mechanism 45: floodlight

46 : 수광부 47 : 수광 가능 영역46: light receiving unit 47: light receiving area

48 : 수광 영역 48a : 제1 수광 영역48: light receiving area 48a: first light receiving area

48b : 제2 수광 영역 5 : 이동 기구48b: second light receiving region 5: moving mechanism

6 : 표시부 7 : 제어부6 display unit 7 control unit

70 : 제1 검출부 71 : 제2 검출부70: first detector 71: second detector

72 : 판정부 90 : 기판 72 judging section 90 substrate

본 발명은, 슬릿 노즐에 의해서 기판에 처리액을 도포할 때에, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출하는 기술에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the technique of detecting the object which may be a cause of a process defect, when apply | coating a process liquid to a board | substrate with a slit nozzle.

액정용 유리 각(角)형 기판, 반도체 웨이퍼, 필름 액정용 플렉서블 기판, 포토마스크용 기판, 컬러 필터용 기판(이하, 간단히「기판」으로 약칭한다) 등의 제조 공정에서는, 기판의 표면에 처리액을 도포하는 도포 장치(기판 처리 장치)가 이용된다. 도포 장치로는, 슬릿상의 토출부를 갖는 노즐을 이용해 도포(슬릿 코트)를 하는 슬릿 코터나, 일단 전술의 슬릿 코트를 실시하고 나서, 기판을 회전시키는 슬릿·스핀 코터 등이 알려져 있다. In the manufacturing process, such as a liquid crystal glass substrate, a semiconductor wafer, a film liquid crystal flexible substrate, a photomask substrate, and a color filter substrate (henceforth simply a "substrate"), it processes on the surface of a board | substrate. An application apparatus (substrate processing apparatus) for applying the liquid is used. As a coating apparatus, the slit coater which apply | coats (slit coat) using the nozzle which has a slit-shaped discharge part, the slit spin coater etc. which rotate a board | substrate after performing said slit coat once is known.

이러한 도포 장치에서는, 노즐의 선단과 기판을 근접시킨 상태에서, 노즐과 기판을 상대 이동시켜 처리액을 도포하기 때문에, 기판의 표면에 이물이 부착되거나, 기판과 스테이지와의 사이에 이물이 낀 기판이 솟아오른 상태로 됨으로써, In such a coating apparatus, since a process liquid is applied by relatively moving a nozzle and a board | substrate in the state which the tip of a nozzle and the board | substrate adjoined, a foreign material adhered to the surface of a board | substrate, or the board | substrate with a foreign material between the board | substrate and a stage. By being in this raised state,

(1) 슬릿 노즐이 손상된다. (1) The slit nozzle is damaged.

(2) 기판이 갈라지거나, 혹은 기판에 손상이 생긴다.(2) The substrate is cracked or the substrate is damaged.

(3) 이물을 끌면서 도포함으로써, 도포 불량의 원인이 된다.(3) Applying while attracting foreign substances causes a coating failure.

(4) 이물 그 자체가 도포 불량의 원인이 되는 등의 문제가 발생한다. (4) A problem arises that the foreign material itself causes a coating failure.

이 때문에, 종래부터, 슬릿 코트를 행하는 도포 장치에서는, 소정의 검사 영역에서 이물 검사를 행함으로써, 노즐과 접촉하는 물체(혹은 도포 불량의 원인이 될 수 있는 물체)가 존재하는지 여부를 판정하는 기술이 제안되어 있다. 이러한 기술이, 예를 들면 특허문헌 1에 기재되어 있다. For this reason, conventionally, in the coating apparatus which performs a slit coat, by performing a foreign material test | inspection in a predetermined | prescribed inspection area | region, the technique which determines whether the object (or the object which may be a cause of coating failure) which contacts a nozzle exists. Is proposed. Such a technique is described in patent document 1, for example.

특허문헌 1에 기재되어 있는 도포 장치는, 투과형의 레이저 센서(투과되어 오는 레이저광을 검출하는 센서)에 의해서 검출해야 할 대상물의 검출을 행하고, 상기 레이저 센서가 대상물을 검출한 경우에는, 도포 처리를 강제 종료시킴으로써, 노즐과 대상물의 접촉을 방지한다. The coating device described in Patent Literature 1 detects an object to be detected by a transmission-type laser sensor (a sensor that detects a laser beam that passes), and when the laser sensor detects the object, the coating process By forcibly terminating, the contact between the nozzle and the object is prevented.

<특허문헌 1> 일본 특허공개 2002-001195공보<Patent Document 1> Japanese Patent Laid-Open No. 2002-001195

그런데, 대형의 He-Ne 가스 레이저 등과는 달리, 소형의 반도체 레이저에서는, 레이저광이, 핀트를 맞춘 위치(가장 광속을 좁힌 위치)로부터 광축 방향으로 어긋남에 따라서, 그 직경이 넓어지는 성질이 있다. 이 때문에, 대상물이 투광부로부터 먼 위치에 있는 경우에는, 레이저광이 거의 차폐되지 않고 수광되게 된다. 이 경우에, 수광부에서의 레이저광의 수광량은, 임계치보다도 많아지기 때문에, 원래 검출해야 할 크기의 물체가 존재하고 있음에도 불구하고, 그 대상물을 검출할 수 없는 사태가 발생한다. 일반적인 투과형의 레이저 센서를 이용한 경우, 도포 처리에 필요한 정밀도를 유지할 수 있는 범위는, 투광부와 수광부와의 간격이 최대 500㎜ 정도까지이다. However, unlike a large He-Ne gas laser or the like, in a small semiconductor laser, the diameter of the laser beam is widened as the laser light is shifted from the position where the focus is focused (the position where the light beam is narrowed) in the optical axis direction. . For this reason, when the object is located at a position far from the light transmitting portion, the laser light is received almost without shielding. In this case, since the amount of light received by the laser beam in the light receiving portion is larger than the threshold value, a situation in which the object cannot be detected even though an object of a size originally to be detected exists. When using a general transmission laser sensor, the range which can maintain the precision required for an application | coating process is the space | interval of a light transmission part and a light receiving part up to about 500 mm.

즉, 특허문헌 1에 기재되어 있는 도포 장치에서는, 기판의 대형화에 의해, 레이저 센서의 투광부와 수광부를 비교적 떨어트려 배치할 필요가 생긴 경우(검출용 레이저광의 광로가 길어지는 경우)에, 수광부측의 영역에 대한 검출 정밀도가 저하한다는 문제가 있다. That is, in the coating apparatus described in patent document 1, when it is necessary to arrange | position the light-transmitting part and the light-receiving part of a laser sensor relatively by the enlargement of a board | substrate (when the optical path of a detection laser beam becomes long), a light receiving part There exists a problem that the detection precision with respect to the area | region on the side falls.

이 문제를 해결하기 위해서는, 레이저 센서의 감도를 향상시켜, 수광량의 미소한 감쇠를 감지하여 이물을 검출하는 것도 가능하다. 그러나, 검출 감도를 올리면, 한쪽에서 노이즈에 의한 오류 검출이 많이 발생한다는 문제가 있다. In order to solve this problem, it is also possible to improve the sensitivity of the laser sensor, detect foreign matters by sensing the slight attenuation of the received light amount. However, when the detection sensitivity is raised, there is a problem that a large amount of error detection due to noise occurs on one side.

또한, 레이저 센서에서는, 투광부와 수광부를 정확하게 대향 배치시키지 않으면 안 되어, 레이저 센서의 조정 작업에 시간을 요한다는 문제가 있다.In addition, in the laser sensor, the light transmitting part and the light receiving part must be disposed to face each other accurately, and there is a problem that it takes time to adjust the laser sensor.

또한, 슬릿 노즐에 의해서 도포 처리를 하면서, 간섭물을 검출하기 위해서는, 고속으로 연산을 하지 않으면 간섭물을 못 보고 놓칠 가능성이 있다. 즉, 검출 사이클 시간이 길어지면 검출 정밀도가 저하한다는 문제가 있다. In addition, in order to detect an interference while carrying out a coating process with a slit nozzle, there is a possibility that the interference cannot be missed unless a calculation is performed at high speed. That is, there is a problem that the detection accuracy is lowered when the detection cycle time becomes longer.

또한, 특허문헌 1에 기재되어 있는 도포 장치에서는, 검출한 대상물의 종류를 판정하는 것은 불가능하다는 문제가 있다. Moreover, in the coating device described in patent document 1, there exists a problem that it is impossible to determine the kind of detected object.

도포 장치에서 처리 불량의 원인이 되는 물체가 검출된 경우, 당연히, 이를 제거하는 처리(제거 처리)가 행해진다. 그러나, 대상물의 종류에 따라 적절한 제거 처리는 다르다. 따라서, 모든 제거 처리를 실행하는 것이 아니라, 적절한 제거 처리만을 선택하여 효율적으로 실행하고자 하면, 특허문헌 1에 기재되어 있는 도포 장치에서는, 어떠한 방법으로 물체의 종류를 별도 판정할 필요가 있다. In the case where an object causing the processing failure is detected in the coating device, a treatment (removal treatment) for removing it is naturally performed. However, the appropriate removal process differs depending on the type of object. Therefore, when not only performing all the removal processes but selecting only the appropriate removal process and performing it efficiently, in the coating apparatus described in patent document 1, it is necessary to determine the kind of object separately by some method.

본 발명은, 상기 과제에 비추어 이루어진 것으로, 대상물의 검출 정밀도의 저하를 방지하는 동시에, 작업자의 부담을 경감시키는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of the said subject, Comprising: It aims at preventing the fall of the detection precision of an object, and reducing a burden on an operator.

또한, 본 발명은, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 검출된 경우에서, 이후의 처리를 효율화하는 것을 목적으로 한다. Moreover, an object of this invention is to make subsequent process efficient, when the object which may be the cause of a process defect is detected.

상기의 과제를 해결하기 위해서, 청구항 1의 발명은, 기판에 소정의 처리액을 도포하는 기판 처리 장치로서, 기판을 지지하는 지지 수단과, 제1 방향으로 이동하면서 상기 지지 수단에 지지된 상기 기판에 소정의 처리액을 토출하는 슬릿 노즐과, 2차원적으로 배열된 수광 소자에 의해서 구성되는 2차원적인 수광 가능 영역을 갖는 수광 수단과, 상기 수광 수단과 대향하는 위치에 배치되고, 상기 수광 수단을 향해 레이저광을 조사하는 투광 수단과, 상기 수광 수단과 상기 투광 수단과의 위치 관계를 실질적으로 유지하면서, 상기 수광 수단과 상기 투광 수단을 이동시키는 이동 수단과, 상기 수광 가능 영역 내에 수광 영역을 설정하는 설정 수단과, 상기 설정 수단에 의해 설정된 제1 수광 영역에 배치되어 있는 수광 소자로부터의 출력 신호에 의거해, 검사 영역 내에 존재하는 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출하는 검출 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the said subject, invention of Claim 1 is a substrate processing apparatus which apply | coats a predetermined process liquid to a board | substrate, The support means which supports a board | substrate, and the said board | substrate supported by the said support means while moving to a 1st direction. Light-receiving means having a slit nozzle for discharging a predetermined processing liquid into the light; and a two-dimensional light-receivable area constituted by light-receiving elements arranged in two dimensions; and the light-receiving means disposed at a position facing the light-receiving means. Light transmitting means for irradiating a laser beam toward the light source, moving means for moving the light receiving means and the light transmitting means while substantially maintaining a positional relationship between the light receiving means and the light transmitting means, and a light receiving area in the light receiving region. On the basis of the setting means to set and the output signal from the light receiving element arrange | positioned at the 1st light receiving area set by the said setting means, In that it comprises detecting means for detecting an object that can cause processing defects existing in the region is characterized.

또한, 청구항 2의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 설정 수단은, 상기 수광 영역을, 상기 제1 방향의 폭이, 상기 제1 방향과 대략 수직 방향의 폭보다도 넓어지도록 설정하는 것을 특징으로 한다. The invention of claim 2 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, wherein the setting means includes the light receiving area so that the width of the first direction is wider than the width of the first direction. It is characterized by setting.

또한, 청구항 3의 발명은, 청구항 2의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 설정 수단은, 상기 수광 영역을 직사각형으로 설정하는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 3 is a substrate processing apparatus which concerns on invention of Claim 2, The said setting means sets the said light receiving area to rectangle. It is characterized by the above-mentioned.

또한, 청구항 4의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 투광 수단은, 광축에 대략 수직인 단면 형상이 직사각형인 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 4 is a substrate processing apparatus which concerns on invention of Claim 1, Comprising: The said light transmitting means irradiates the laser beam whose rectangular cross section shape is substantially perpendicular to an optical axis.

또한, 청구항 5의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 수광 수단으로부터의 출력 신호에 의거해, 상기 수광 수단의 수광 상황을 표시하는 표시 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. The invention of claim 5 is further provided as a substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, further comprising display means for displaying the light receiving status of the light receiving means based on an output signal from the light receiving means.

또한, 청구항 6의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 검출 수단은, 상기 수광 영역에서 수광되는 상기 레이저광의 광량이 소정의 임계치 미만으로 감소한 경우에, 상기 물체를 검출했다고 판정하는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 6 is a substrate processing apparatus which concerns on invention of Claim 1, Comprising: The said detection means judged that the said object was detected when the light quantity of the said laser beam received in the said light receiving area was reduced below the predetermined threshold. Characterized in that.

또한, 청구항 7의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 검출 수단은, 상기 수광 수단에 의해서 소정의 주기로 생성되는 복수회 분의 출력 신호에 의거해, 상기 물체를 검출하는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 7 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, wherein the detection means detects the object based on a plurality of output signals generated at predetermined cycles by the light receiving means. It features.

또한, 청구항 8의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 투광 수단이 상기 이동 수단에 의해서 이동하는 경우에서, 상기 레이저광이 상 기 지지 수단에 지지된 상기 기판의 단부를 통과하게 되기까지 동안, 상기 레이저광이 상기 수광 영역에 배치되어 있는 수광 소자에 수광되지 않도록, 상기 레이저광을 차폐하는 차폐 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. Further, the invention of claim 8 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, wherein the laser beam passes through an end portion of the substrate supported by the support means when the light transmitting means moves by the moving means. Until the laser light is further provided, shielding means for shielding the laser light is further provided so that the laser light is not received by the light receiving element disposed in the light receiving area.

또한, 청구항 9의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 수광 소자는, CCD 소자인 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 9 is a substrate processing apparatus which concerns on invention of Claim 1, The said light receiving element is a CCD element, It is characterized by the above-mentioned.

또한, 청구항 10의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 검출 수단은, 상기 수광 영역에서의 광량 분포를 검출하고, 상기 물체가 존재하지 않을 때의 광량 분포에서의 피크 에지의 위치에 의거해 상기 물체를 검출하는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 10 is a substrate processing apparatus which concerns on invention of Claim 1, The said detection means detects the light quantity distribution in the said light-receiving area, and the peak edge in the light quantity distribution when the said object is not exists. The object is detected based on the position.

또한, 청구항 11의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 검사 영역에 인접하는 차폐 영역에서, 상기 투광 수단으로부터 조사된 레이저광 중 상기 수광 영역에 입사하는 레이저광을 차폐하는 차폐 수단을 더 구비하고, 상기 검출 수단은, 소정 시간 동안에 상기 수광 수단으로부터 출력된 수광량에 의거해, 상기 소정 시간 동안의 수광량의 감소 상태를 감시하면서, 상기 물체를 검출하는 제1 검출 수단을 구비하고, 상기 검사 영역과 상기 차폐 영역과의 경계는, 상기 지지 수단에 지지된 상기 기판의 단부 위치에 따라 결정되고, 상기 이동 수단은, 상기 수광 영역이 상기 차폐 영역에 포함되도록 배치되어 있는 상기 수광 수단을, 상기 수광 영역이 상기 검사 영역에 포함되도록 이동시키는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 11 is a substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, which shields a laser beam incident on the light-receiving region among laser beams irradiated from the light transmitting means in a shielding region adjacent to the inspection region. Further comprising means, wherein said detecting means comprises first detecting means for detecting said object while monitoring a reduced state of received light amount during said predetermined time, based on the light receiving amount output from said light receiving means during a predetermined time; And a boundary between the inspection area and the shielding area is determined according to an end position of the substrate supported by the supporting means, and the moving means includes the light receiving means arranged such that the light receiving area is included in the shielding area. The light receiving area is moved to be included in the inspection area.

또한, 청구항 12의 발명은, 청구항 11의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 제1 검출 수단은, 상기 소정 시간 동안에, 상기 수광량이 소정 임계치 이상 감소한 것을 검출하여, 상기 물체를 검출하는 것을 특징으로 한다. The invention according to claim 12 is the substrate processing apparatus according to the invention according to claim 11, wherein the first detection means detects that the light reception amount decreases by a predetermined threshold or more during the predetermined time, and detects the object. do.

또한, 청구항 13의 발명은, 청구항 11의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 제1 검출 수단은, 상기 소정 시간 동안에, 상기 수광량의 감소가 소정 임계치 시간 이상 계속된 것을 검출하여, 상기 물체를 검출하는 것을 특징으로 한다. The invention of claim 13 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 11, wherein the first detection means detects that the decrease in the amount of received light continues for a predetermined threshold time or more during the predetermined time, and detects the object. Characterized in that.

또한, 청구항 14의 발명은, 청구항 11의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 슬릿 노즐을 상기 제1 방향으로 이동시키는 노즐 이동 수단과, 상기 제1 검출 수단에 의한 검출 결과에 따라, 상기 노즐 이동 수단을 제어하는 제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. Moreover, invention of Claim 14 is a substrate processing apparatus which concerns on invention of Claim 11, The nozzle movement means which moves the said slit nozzle to a said 1st direction, The said nozzle movement according to the detection result by the said 1st detection means And control means for controlling the means.

또한, 청구항 15의 발명은, 청구항 11의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 물체의 검출을 개시하기 전에, 상기 이동 수단은, 상기 수광 영역이 상기 차폐 수단에 의해서 차폐되지 않은 위치에 배치되어 있는 상기 수광 수단을, 상기 수광 영역이 상기 차폐 영역에 포함되도록 이동시키고, 상기 제1 검출 수단은, 상기 투광 수단 및 상기 수광 수단의 동작 상태를 판정하는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 15 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 11, wherein, before the detection of an object, the moving means includes the position where the light receiving region is disposed at a position where the light receiving area is not shielded. The light receiving means is moved so that the light receiving area is included in the shielding area, and the first detecting means determines an operating state of the light transmitting means and the light receiving means.

또한, 청구항 16의 발명은, 청구항 11의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 검출 수단은, 상기 수광 수단에 의해 출력되는 수광량과, 소정의 임계치를 비교함으로써, 상기 검사 영역 내에 존재하는 물체를 검출하는 제2 검출 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The invention of claim 16 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 11, wherein the detection means detects an object present in the inspection area by comparing a light reception amount output by the light reception means with a predetermined threshold value. It is characterized by further comprising a second detection means.

또한, 청구항 17의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 설정 수단은, 상기 수광 가능 영역 내에 상기 수광 영역으로서 제1 수광 영역 및 제2 수광 영역을 설정하고, 상기 검출 수단은, 상기 제1 수광 영역으로부터 출 력되는 제1 수광량에 의거해, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출하는 제3 검출 수단과, 상기 제2 수광 영역으로부터 출력되는 제2 수광량에 의거해, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출하는 제4 검출 수단과, 상기 제3 검출 수단 및 상기 제4 검출 수단의 검출 결과에 따라, 검출된 물체의 종류를 판정하는 판정 수단을 구비하고, 상기 설정 수단은, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 존재하지 않는 상황에서, 상기 레이저광이 입사하지 않는 영역을 포함하도록 상기 제1 수광 영역을 설정하고, 상기 레이저광이 입사하는 영역을 포함하도록 상기 제2 수광 영역을 설정하는 것을 특징으로 한다. The invention of claim 17 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 1, wherein the setting means sets a first light receiving region and a second light receiving region as the light receiving region in the light receiving possible region, On the basis of the first light receiving amount output from the first light receiving region, on the basis of the third detecting means for detecting an object which may cause the processing failure, and on the basis of the second light receiving amount output from the second light receiving region, And fourth detecting means for detecting an object which may be the cause of the processing failure, and determining means for determining the type of the detected object according to the detection result of the third detecting means and the fourth detecting means, The setting means sets the first light-receiving area to include an area where the laser light does not enter, in a situation where there is no object that may cause the processing failure, and the ray The second light receiving region may be set to include a region where low light is incident.

또한, 청구항 18의 발명은, 청구항 17의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 제3 검출 수단은, 상기 제1 수광량이 상한 임계치보다 증가한 경우에, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출했다고 판정하는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 18 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 17, wherein the third detection means detects an object that may be the cause of processing failure when the first light receiving amount increases above an upper limit threshold. It is characterized by determining.

또한, 청구항 19의 발명은, 청구항 17의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 판정 수단은, 상기 제3 검출 수단에 의해서 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 검출된 경우에, 상기 물체는 융기한 상기 기판이라고 판정하는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 19 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 17, wherein the determining means is raised by the third detecting means when an object capable of causing a defective process is detected. It is characterized by the above-mentioned board | substrate.

또한, 청구항 20의 발명은, 청구항 17의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 제4 검출 수단은, 상기 제2 수광량이 하한 임계치보다 감소한 경우에, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출했다고 판정하는 것을 특징으로 한다. Further, the invention of claim 20 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 17, wherein the fourth detection means detects an object that may be the cause of processing failure when the second light receiving amount decreases below a lower limit threshold. It is characterized by determining.

또한, 청구항 21의 발명은, 청구항 17의 발명에 관한 기판 처리 장치로서, 상기 판정 수단은, 상기 제4 검출 수단에 의해서 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 검출된 경우에, 상기 물체는 상기 기판의 표면에 존재하는 표면 이물이라고 판정하는 것을 특징으로 한다. In addition, the invention of claim 21 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 17, wherein the determining means is used when the object capable of causing the processing failure is detected by the fourth detecting means. It is judged that it is the surface foreign material which exists in the surface of a board | substrate.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태> Best Mode for Carrying Out the Invention

이하, 본 발명이 적합한 실시의 형태에 관해서, 첨부의 도면을 참조하면서, 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment which this invention suitable is demonstrated in detail, referring an accompanying drawing.

<1. 제1 실시 형태><1. First embodiment>

<1.1 구성의 설명><1.1 Explanation of Configuration>

도 1은 본 발명의 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 정면도이다. 도 2는, 기판 처리 장치(1)에서의 투광부(45)의 주변부의 확대도이다. 또한, 도 1 및 도 2에서, 도시 및 설명의 형편상, Z축 방향이 연직(鉛直) 방향을 나타내고, XY 평면이 수평면을 나타내는 것으로 정의하는데, 이들은 위치 관계를 파악하기 위해서 편의상 정의하는 것이고, 이하에 설명하는 각 방향을 한정하는 것은 아니다. 이하의 도면에 대해서도 동일하다. 1 is a front view of the substrate processing apparatus 1 in the embodiment of the present invention. 2 is an enlarged view of the periphery of the light transmitting part 45 in the substrate processing apparatus 1. 1 and 2, for convenience of illustration and description, the Z axis direction represents a vertical direction and the XY plane represents a horizontal plane, which is defined for convenience in order to grasp the positional relationship. It does not limit each direction demonstrated below. The same applies to the following drawings.

기판 처리 장치(1)는, 액정 표시 장치의 화면 패널을 제조하기 위한 각(角)형 유리 기판을 피처리 기판(90)으로 하고, 기판(90)의 표면에 형성된 전극층 등을 선택적으로 에칭하는 프로세스에서, 기판(90)의 표면에 레지스트액을 도포하는 도포 장치로 구성되어 있다. 따라서, 이 실시의 형태에서, 슬릿 노즐(41)은 기판(90)에 대해 레지스트액을 토출하도록 되어 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 액정 표시 장치용의 유리 기판뿐만 아니라, 일반적으로, 플랫 패널 디스플레이용의 다양한 기판에 처리액(약액)을 도포하는 장치로서 변형 이용할 수도 있다. 또한, 기판(90)의 형상은 각형인 것에 한정되지 않는다. The substrate processing apparatus 1 uses an angle-shaped glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device as the substrate 90 to be processed, and selectively etches the electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90. In the process, it is comprised by the coating apparatus which apply | coats a resist liquid to the surface of the board | substrate 90. FIG. Therefore, in this embodiment, the slit nozzle 41 is configured to discharge the resist liquid onto the substrate 90. In addition, the substrate processing apparatus 1 can also be modified and used as an apparatus which apply | coats a processing liquid (chemical liquid) to not only the glass substrate for liquid crystal display devices, but also various board | substrates for flat panel displays generally. In addition, the shape of the board | substrate 90 is not limited to being square.

기판 처리 장치(1)는, 피처리 기판(90)을 얹어 지지하기 위한 지지대로서 기능하는 동시에, 부속하는 각 기구의 기대(基台)로서도 기능하는 스테이지(3)를 구비한다. 스테이지(3)는 직방체 형상의 일체의 석제(石製)이고, 그 상면(지지면(30)) 및 측면은 평탄면으로 가공되어 있다. The substrate processing apparatus 1 is provided with the stage 3 which functions as a support stand for mounting the to-be-processed board | substrate 90, and also functions as the base of each mechanism attached. The stage 3 is an integral stone of rectangular parallelepiped shape, and the upper surface (supporting surface 30) and the side surface are processed into the flat surface.

스테이지(3)의 상면은 수평면으로 되어 있고, 기판(90)의 지지면(30)으로 되어 있다. 지지면(30)에는 다수의 진공 흡착구(도시하지 않음)가 분포하여 형성되어 있다. 기판 처리 장치(1)에서 기판(90)을 처리하는 동안, 이 진공 흡착구가 기판(90)을 흡착함으로써, 스테이지(3)가 기판(90)을 소정의 수평 위치로 유지한다. The upper surface of the stage 3 is a horizontal plane, and is a support surface 30 of the substrate 90. The support surface 30 is formed by distributing a plurality of vacuum suction ports (not shown). While processing the substrate 90 in the substrate processing apparatus 1, this vacuum suction port adsorbs the substrate 90, so that the stage 3 holds the substrate 90 at a predetermined horizontal position.

스테이지(3)의 윗쪽에는, 이 스테이지(3)의 양측 부분으로부터 대략 수평으로 걸쳐지는 가교 구조(4)가 설치된다. 가교 구조(4)는, 카본 화이버 수지를 골재로 하는 노즐 지지부(40)와, 그 양단을 지지하는 승강 기구(43, 44)와, 이동 기구(5)로 주로 구성된다. 노즐 지지부(40)에는, 슬릿 노즐(41)이 부착되어 있다. In the upper part of the stage 3, the bridge | crosslinking structure 4 which spreads substantially horizontally from the both sides part of this stage 3 is provided. The crosslinked structure 4 is mainly comprised by the nozzle support part 40 which uses carbon fiber resin as an aggregate, the elevating mechanisms 43 and 44 which support both ends, and the moving mechanism 5. As shown in FIG. The slit nozzle 41 is attached to the nozzle support part 40.

수평 Y축 방향으로 뻗는 슬릿 노즐(41)에는, 슬릿 노즐(41)로 약액(레지스트액)을 공급하는 배관이나 레지스트용 펌프를 포함하는 토출 기구(도시하지 않음)가 접속되어 있다. 슬릿 노즐(41)은, 레지스트용 펌프에 의해 레지스트액이 보내지고, 기판(90)의 표면을 주사함으로써, 기판(90)의 표면의 소정 영역(이하,「레지스트 도포 영역」으로 칭한다)에 레지스트액을 토출한다. A slit nozzle 41 extending in the horizontal Y-axis direction is connected to a discharge mechanism (not shown) including a pipe for supplying a chemical liquid (resist liquid) to the slit nozzle 41 and a pump for resist. The resist liquid is sent to the slit nozzle 41 by the resist pump, and the surface of the substrate 90 is scanned by the resist liquid, thereby resisting the predetermined area (hereinafter referred to as a "resist coating region") of the substrate 90. Discharge the liquid.

기판 처리 장치(1)에서는, 도포 처리에서, 도포 영역과 슬릿 노즐(41)이 가장 근접하기 때문에, 최저한, 도포 영역에 대해서 물체(처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체)의 검출을 행할 필요가 있다. 또한, 본 실시의 형태에서, 슬릿 노즐(41)은 (-X) 방향으로 이동하면서, 레지스트액을 토출한다. 즉, 기판 처리 장치(1)의 도포 방향은, (-X) 방향이다. In the substrate processing apparatus 1, in the coating process, since the coating area and the slit nozzle 41 are closest to each other, it is necessary to detect an object (object that may cause a defect in processing) at least in the coating area. There is. In the present embodiment, the slit nozzle 41 discharges the resist liquid while moving in the (-X) direction. That is, the application | coating direction of the substrate processing apparatus 1 is a (-X) direction.

승강 기구(43, 44)는 슬릿 노즐(41)의 양측으로 분리되고, 노즐 지지부(40)에 의해 슬릿 노즐(41)과 연결되어 있다. 승강 기구(43, 44)는 슬릿 노즐(41)을 병진적(竝進的)으로 승강시키는 동시에, 슬릿 노즐(41)의 YZ 평면 내에서의 자세를 조정하기 위해서도 이용된다. The lifting mechanisms 43 and 44 are separated on both sides of the slit nozzle 41, and are connected to the slit nozzle 41 by the nozzle support 40. The lifting mechanisms 43 and 44 are also used to raise and lower the slit nozzle 41 in a translational manner and to adjust the posture in the YZ plane of the slit nozzle 41.

가교 구조(4)의 양단부에는, 스테이지(3)의 양측의 가장자리측에 따라 떨어져 배치된 이동 기구(5)가 고정 설치된다. 이동 기구(5)는, 주로 한쌍의 AC 코어리스 리니어 모터(이하, 간단히,「리니어 모터」라고 약칭한다)(50)와, 한쌍의 리니어 인코더(51)로 구성된다. At both ends of the cross-linked structure 4, the moving mechanisms 5 arranged along the edge side of both sides of the stage 3 are fixedly installed. The moving mechanism 5 mainly consists of a pair of AC coreless linear motors (hereinafter, abbreviated as "linear motors") 50 and a pair of linear encoders 51.

리니어 모터(50)는, 각각 고정자 및 이동자(도시하지 않음)를 구비하고, 고정자와 이동자의 전자적 상호 작용에 의해서 가교 구조(4)(슬릿 노즐(41))를 X축 방향으로 이동시키기 위한 구동력을 생성하는 모터이다. 또한, 리니어 모터(50)에 의한 이동량 및 이동 방향은, 제어부(7)로부터의 제어 신호에 의해 제어 가능하게 되어 있다. The linear motor 50 is provided with a stator and a mover (not shown), respectively, and the driving force for moving the bridge | crosslinking structure 4 (slit nozzle 41) to an X-axis direction by the electronic interaction of a stator and a mover. To generate a motor. In addition, the amount of movement by the linear motor 50 and the direction of movement are controllable by the control signal from the control part 7.

리니어 인코더(51)는, 각각 스케일부 및 검출자(도시하지 않음)를 구비하고, 스케일부와 검출자의 상대적인 위치 관계를 검출하여, 제어부(7)에 전달한다. 각 검출자는 가교 구조(4)의 양 단부에 각각 고정 설치되고, 스케일부는 스테이지(3)의 양측에 각각 고정 설치되어 있다. 이에 따라, 리니어 인코더(51)는 가교 구조 (4)의 X축 방향의 위치 검출을 행하는 기능을 갖고 있다. The linear encoder 51 is provided with a scale part and a detector (not shown), respectively, and detects the relative positional relationship of a scale part and a detector, and transmits it to the control part 7. Each detector is fixed to both ends of the crosslinked structure 4, and the scale part is fixed to both sides of the stage 3, respectively. As a result, the linear encoder 51 has a function of detecting the position of the cross-linked structure 4 in the X-axis direction.

가교 구조(4)의 양측에 고정 설치된 이동 기구(5)에는, 또한 투광부(45) 및 수광부(46)가 부착되어 있다. 이러한 구조에 의해, 이동 기구(5)는, 슬릿 노즐(41), 투광부(45) 및 수광부(46)를 일체적으로 X축 방향으로 이동시킨다. 따라서, 투광부(45)와 수광부(46)와의 상대적인 위치 관계는 거의 일정하게 유지되고, 또한, 슬릿 노즐(41)의 도포 방향과, 투광부(45) 및 수광부(46)의 이동 방향과는 대략 평행(본 실시의 형태에서는 대략 동일한 방향)하게 된다. The light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 are further attached to the moving mechanism 5 fixed to both sides of the crosslinked structure 4. By this structure, the movement mechanism 5 moves the slit nozzle 41, the light transmission part 45, and the light receiving part 46 integrally in the X-axis direction. Therefore, the relative positional relationship between the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 is maintained substantially constant, and the application direction of the slit nozzle 41 and the moving direction of the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 are different. It becomes substantially parallel (in this embodiment, about the same direction).

도 3은 투광부(45)가 수광부(46)를 향해 레이저광(L)을 조사하는 모습을 도시하는 개념도이다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 수광부(46)는 투광부(45)와 (+Y)방향으로 대향하는 위치에 배치되어 있다. 또한, 도 3에 도시하는 굵은 선 화살표는, 레이저광(L)의 광축 방향을 나타낸다. 본 실시의 형태에서, 레이저광(L)의 광축 방향은, 거의 (+Y)방향으로 되어 있다. 3 is a conceptual diagram showing how the light transmitting part 45 irradiates the laser light L toward the light receiving part 46. As shown in FIG. 3, the light receiving portion 46 is disposed at a position facing the light transmitting portion 45 in the (+ Y) direction. In addition, the thick line arrow shown in FIG. 3 shows the optical-axis direction of the laser beam L. As shown in FIG. In the present embodiment, the optical axis direction of the laser light L is almost (+ Y) direction.

투광부(45)는, 반도체 레이저를 구비하고, 이에 따라 레이저광(L)을 조사한다. 레이저광(L)은, 광축에 대략 수직인 면에서의 단면 S의 형상이, X축 방향을 길이 방향으로 하는 직사각형이다. 이러한 직사각형의 레이저광은, 스폿 형상의 레이저광에 비해서, 광축 거리에 대한 광속 밀도의 저하율이 낮고, 수광부(46)에서의 직경의 확대가 억제된다. 따라서, 직사각형의 레이저광(L)을 이용함으로써, 기판 처리 장치(1)는, 물체의 Y축 방향의 위치의 차이에 기인하는 검출 정밀도의 저하를 어느 정도 억제할 수 있다. The light projection part 45 is equipped with the semiconductor laser, and irradiates the laser beam L by this. The shape of the cross-section S in the surface which is substantially perpendicular | vertical to an optical axis is the laser beam L which is a rectangle which makes a X direction the longitudinal direction. The rectangular laser beam has a lower rate of decrease in the light flux density with respect to the optical axis distance than the spot laser beam, and the enlargement of the diameter in the light receiving unit 46 is suppressed. Therefore, by using the rectangular laser beam L, the substrate processing apparatus 1 can suppress the fall of the detection precision resulting from the difference of the position of the object in the Y-axis direction to some extent.

또한, 본 실시의 형태에서, 단면 S의 사이즈는, 1.0(㎜)×5.0(㎜)로 하는데, 물론 이 사이즈에 한정되는 것은 아니다. 또한, 단면 S의 사이즈는, 수광 영역(48)의 사이즈보다도 큰 것이 바람직하다. In addition, in this embodiment, although the size of the cross section S is 1.0 (mm) x 5.0 (mm), it is not limited to this size of course. In addition, the size of the cross-section S is preferably larger than the size of the light receiving region 48.

수광부(46)는, 복수의 CCD 소자(수광 소자)를 구비하고, 이들 CCD 소자가 2차원적으로 배열한 구조를 형성하고 있다. 각 CCD 소자는, 각각의 위치에서, 입사한 광을 수광하고, 수광한 광의 광량에 따른 전기 신호(출력 신호)를 제어부(7)를 향해 출력한다. The light receiving unit 46 includes a plurality of CCD elements (light receiving elements), and forms a structure in which these CCD elements are two-dimensionally arranged. Each CCD element receives incident light at each position, and outputs an electric signal (output signal) corresponding to the amount of light received by the control unit 7.

도 4는, 복수의 CCD 소자에 의해서 형성되는 수광 가능 영역(47) 및 수광 영역(48)을 도시하는 도면이다. FIG. 4 is a diagram showing the light-receivable region 47 and the light-receiving region 48 formed by the plurality of CCD elements.

수광 가능 영역(47)은, 수광부(46)가 구비하는 모든 CCD 소자에 의해서 형성되는 영역이다. 즉, 수광부(46)는, 수광 가능 영역(47)에 입사하는 광을 CCD 소자군에 의해서 수광할 수 있다. 수광 가능 영역(47)의 Z축 방향의 폭은, 레이저광(L)의 단면 S의 Z축 방향의 폭에 비해서 충분한 넓이를 갖고 있다. The light-receivable region 47 is a region formed by all the CCD elements included in the light-receiving portion 46. That is, the light receiving unit 46 can receive light incident on the light receiving region 47 by the CCD element group. The width in the Z-axis direction of the light-receivable region 47 has a sufficient width as compared with the width in the Z-axis direction of the cross section S of the laser beam L. FIG.

수광 영역(48)은, 오퍼레이터로부터의 입력에 따라서 제어부(7)에 의해, 수광 가능 영역(47) 내의 임의의 위치에 설정되는 영역이다. 즉, 제어부(7)는, 본 발명의 설정 수단의 기능을 가지고 있다. 도 4로부터 명백하듯이, 수광 영역(48)은, X축 방향의 폭이 Z축 방향의 폭보다도 넓어지도록 설정되는 직사각형의 영역이다. The light reception area 48 is an area set by the control unit 7 at an arbitrary position within the light reception possible area 47 in response to an input from an operator. That is, the control part 7 has the function of the setting means of this invention. As is apparent from FIG. 4, the light receiving region 48 is a rectangular region that is set so that the width in the X-axis direction is wider than the width in the Z-axis direction.

또한, 상세한 것은 후술하는데, 기판 처리 장치(1)의 제어부(7)는, 수광 영역(48)에 배치되어 있는 CCD 소자로부터의 출력 신호에 의거해, 물체의 검출을 행한다. 즉, 제어부(7)는, 주로 본 발명의 검출 수단에 상당하는 기능을 가진다. In addition, although it mentions later in detail, the control part 7 of the substrate processing apparatus 1 detects an object based on the output signal from the CCD element arrange | positioned at the light receiving area 48. As shown in FIG. That is, the control part 7 mainly has the function corresponded to the detection means of this invention.

종래의 수광부는, 수광 가능 영역(47)에 상당하는 영역에 입사한 레이저광을 렌즈 등으로 집광하고, 집광한 광의 광량을 포토다이오드 등으로 검출했다. 이러한 구성에서는, 상기 영역에 입사한 광의 전체 광량은 검출할 수 있지만, 해당 영역내의 각 위치에서의 광량을 개별로 검출하는 것은 불가능하다. 그러나, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 수광부(46)가 CCD 소자군으로 구성되어 있으므로, 제어부(7)가 각 CCD 소자마다 출력 신호를 식별할 수 있다. 따라서, 제어부(7)가 수광 가능 영역(47) 내에 수광 영역(48)을 설정하는 것이 가능해진다. The conventional light-receiving unit collects laser light incident on a region corresponding to the light-receivable region 47 with a lens or the like, and detects the amount of light collected by a photodiode or the like. In such a configuration, the total amount of light incident on the region can be detected, but it is impossible to separately detect the amount of light at each position in the region. However, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, since the light receiving portion 46 is constituted by the CCD element group, the control unit 7 can identify the output signal for each CCD element. Therefore, it becomes possible for the control part 7 to set the light receiving area 48 in the light receiving area 47.

또한, 종래의 수광부를 구성하는 포토다이오드 등은 수광한 광량에 따른 출력 신호를 연속적으로 출력하는데, CCD 소자는 소정의 주기(이하,「주기 T」로 칭한다)마다 출력 신호를 출력한다. 본 실시의 형태에서, 주기 T는 16.7(ms)로 하는데 물론 이에 한정되는 것은 아니고, 주기 T는 제어부(7)의 연산 속도, 슬릿 노즐(41)의 주사 속도, 혹은 검출하고자 하는 간섭물의 크기 등에 따라 설정된다. In addition, a photodiode or the like constituting a conventional light receiving unit continuously outputs an output signal corresponding to the amount of light received, and the CCD element outputs an output signal every predetermined period (hereinafter referred to as "cycle T"). In the present embodiment, the period T is 16.7 (ms), but it is of course not limited to this. The period T is the calculation speed of the control unit 7, the scanning speed of the slit nozzle 41, the size of the interference to be detected, or the like. Is set accordingly.

또한, 본 실시의 형태에서, 수광 가능 영역(47)의 사이즈는, Z축 방향이 3.2(㎜), X축 방향이 3.5(㎜)이다. 또한, 수광 영역(48)의 사이즈는, Z축 방향이 1.0(㎜), X축 방향이 3.5(㎜)이다. 단, 이 사이즈에 한정되는 것은 아니다. In the present embodiment, the size of the light-receivable region 47 is 3.2 mm in the Z-axis direction and 3.5 mm in the X-axis direction. The size of the light receiving region 48 is 1.0 (mm) in the Z-axis direction and 3.5 (mm) in the X-axis direction. However, it is not limited to this size.

도 5는, 투광부(45), 수광부(46) 및 차폐판(31)의 배치 관계를 도시하는 평면도이다. 또한, 도 6은 슬릿 노즐(41), 투광부(45) 및 차폐판(31)의 배치 관계를 도시하는 측면도이다. FIG. 5: is a top view which shows the arrangement relationship of the light transmission part 45, the light reception part 46, and the shielding plate 31. FIG. 6 is a side view which shows the arrangement relationship of the slit nozzle 41, the light transmission part 45, and the shielding plate 31. FIG.

도 5에 도시하는 주사 범위(SE0)는, 기판(90) 상에 대한 슬릿 노즐(41)의 주사 범위이다. 보다 자세히 설명하면, 이동 기구(5)가 X축 방향으로 이동함으로써, 슬릿 노즐(41)의 하단(-Z 방향의 단부)이 그리는 궤적 영역(면상태의 영역이 된다) 중, 기판(90)과 슬릿 노즐(41)의 하단이 가장 접근한 상태(레지스트액을 도포할 때의 갭)에 대향하게 되는 영역이다. 즉, 주사 범위(SE0)는, 슬릿 노즐(41)에 의한 주사 중(도포 중)에, 슬릿 노즐(41)이 간섭물과 접촉할 가능성이 높은 영역이다. The scanning range SE0 shown in FIG. 5 is a scanning range of the slit nozzle 41 on the substrate 90. In more detail, when the movement mechanism 5 moves to an X-axis direction, the board | substrate 90 in the locus area | region (it becomes the area | region of surface state) which the lower end (edge part of -Z direction) of the slit nozzle 41 draws. And the lower end of the slit nozzle 41 are the regions facing the most approached state (gap when applying the resist liquid). That is, the scanning range SE0 is an area | region where the slit nozzle 41 has a high possibility of contacting an interference material during the scanning by the slit nozzle 41 (during application).

기판 처리 장치(1)에서는, 이동 기구(5)에 의해서 슬릿 노즐(41)이 다양한 위치로 이동하는데, 승강 기구(43, 44)가 슬릿 노즐(41)을 충분한 높이 위치로 유지하여 이동하는 경우나, 슬릿 노즐(41)이 기판(90)과 대향하지 않는 위치로 이동하는 경우에는, 슬릿 노즐(41)이 간섭물과 접촉하지 않는다. In the substrate processing apparatus 1, when the slit nozzle 41 moves to various positions by the moving mechanism 5, when the lifting mechanisms 43 and 44 hold | maintain and move the slit nozzle 41 to a sufficient height position, In the case where the slit nozzle 41 moves to a position not facing the substrate 90, the slit nozzle 41 does not contact the interference object.

또한, 간섭물은, 주사 범위(SE0)(혹은 그 근방)에서 검출되는 물체로서, 슬릿 노즐(41)이 주사 범위(SE0)를 주사 중에 간섭할 가능성이 있는 물체이다. 즉, 간섭물이란, 현실에 슬릿 노즐(41)에 접촉하는 물체뿐만 아니라, 접촉할 가능성이 있는 물체도 포함하는 것이다. 접촉할 가능성이 있는 물체는, 예를 들어, 슬릿 노즐과 접촉하지 않더라도, 도포 처리에서의 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체이다. 간섭물로는, 파티클과 같은 이물질 이외에, 기판(90) 자체가 간섭물이 되는 경우도 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 스테이지(3)와 기판(90)과의 사이에 이물(NG)이 존재하면, 기판(90)이 솟아올라 슬릿 노즐(41)(주사 범위 SEO)과 간섭하기 때문이다. In addition, the interference object is an object detected in the scanning range SE0 (or its vicinity), and is an object that the slit nozzle 41 may interfere with the scanning range SE0 during scanning. That is, the interference object includes not only the object which contacts the slit nozzle 41 in reality, but also the object which may contact. The object which may be in contact is an object that may be a cause of poor processing in the coating process even if it is not in contact with the slit nozzle, for example. As the interference, in addition to the foreign matter such as particles, the substrate 90 itself may be an interference. As shown in FIG. 6, if foreign matter NG exists between the stage 3 and the substrate 90, the substrate 90 rises and interferes with the slit nozzle 41 (scanning range SEO). to be.

차폐판(31)은, 레이저광(L)을 거의 완전히 차단하는 판상의 부재로서, 스테이지(3)의 지지면(30)에 부착되어 있다. 차폐판(31)은, 슬릿 노즐(41)과 간섭하지 않도록, 주사 범위(SE0)로부터 Y축 방향으로 벗어난 위치에 배치되어 있다. The shielding plate 31 is a plate-like member that almost completely blocks the laser light L, and is attached to the support surface 30 of the stage 3. The shielding plate 31 is arrange | positioned in the position deviating to the Y-axis direction from the scanning range SE0 so that it may not interfere with the slit nozzle 41. FIG.

또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 차폐판(31)의 (-X)측의 단부와, 기판(90)의 (+X)측의 단부는, 그 X축 방향의 위치가 거의 같아지도록 배치되어 있다. 즉, 투광부(45)로부터 조사되는 레이저광(L)은, 투광부(45)가 이동함으로써, 기판(90)의 윗쪽을 통과하는 위치(기판(90)의 단부 위치보다 (-X)측)로 이동하기까지 사이는, 차폐판(31)에 의해서 차단된다. 따라서, 이 동안, 레이저광(L)은 수광부(46)에 입사하지 않는다. 그리고, 레이저광(L)이 기판(90)의 윗쪽을 통과하는 위치까지 이동하면, 이미 레이저광(L)은 차폐판(31)에 차단되지 않고, 수광부(46)에 수광된다. In addition, as shown in FIG. 5, the edge part at the (-X) side of the shielding plate 31 and the edge part at the (+ X) side of the board | substrate 90 are arrange | positioned so that the position of the X-axis direction may become substantially the same. It is. That is, the position where the laser beam L irradiated from the light transmission part 45 passes through the upper part of the board | substrate 90 by moving the light transmission part 45 (-X side rather than the end position of the board | substrate 90) Until moving to), it is blocked by the shielding plate 31. Therefore, during this time, the laser light L does not enter the light receiving portion 46. And when the laser beam L moves to the position which passes the upper part of the board | substrate 90, the laser beam L will not be interrupted | blocked by the shielding plate 31, but will be received by the light-receiving part 46. FIG.

도 6에 도시하는 바와 같이, 투광부(45)(수광부(46))는, 슬릿 노즐(41)에 대해, 도포 방향(슬릿 노즐(41)이 레지스트액을 토출시키면서 이동하는 방향으로서, 슬릿 노즐(41)이 주사 범위(SE0)를 이동할 때의 이동 방향)의 전방 위치에 배치되어 있고, 슬릿 노즐(41)의 도포 방향의 이동에 따라, 동일한 방향으로 이동하면서 간섭물의 검출을 행한다.As shown in FIG. 6, the light transmission part 45 (light reception part 46) is a slit nozzle with respect to the slit nozzle 41 as a coating direction (slit nozzle 41 moves while discharging a resist liquid). 41 is arrange | positioned in the front position of the movement direction at the time of moving the scanning range SE0, and it detects an interference object, moving in the same direction according to the movement of the application | coating direction of the slit nozzle 41. FIG.

또한, 투광부(45)와 슬릿 노즐(41)의 X축 방향의 상대 거리(P)는, 이동 기구(5)에 의해서 슬릿 노즐(41)이 이동하는 속도와, 제어부(7)의 연산 속도에 따라 설정된다. 즉, 수광부(46)로부터의 출력 신호에 따라 제어부(7)가 이동 기구(5)를 제어한 경우에, 간섭물과 슬릿 노즐(41)의 접촉을 충분히 회피할 수 있는 거리가 된다. In addition, the relative distance P of the light transmission part 45 and the slit nozzle 41 in the X-axis direction is the speed with which the slit nozzle 41 moves by the movement mechanism 5, and the calculation speed of the control part 7 Is set according to. That is, when the control part 7 controls the movement mechanism 5 according to the output signal from the light receiving part 46, it becomes the distance which can fully avoid the contact of an interference object and the slit nozzle 41. FIG.

도 1로 되돌아가, 표시부(6)는, 터치 패널식의 액정 패널 디스플레이로서, 제어부(7)의 제어에 의해, 각종 데이터를 화면에 표시하는 동시에, 기판 처리 장치 (1)에 대한 오퍼레이터의 지시를 접수하는 기능도 갖는다. 특히, 본 실시의 형태에서의 표시부(6)는, 수광부(46)로부터의 출력 신호에 의거해, CCD 소자군의 수광 상황을 표시한다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 오퍼레이터의 지시를 접수하기 위한 조작부(키보드나 마우스 등)를 별도 구비하고 있다(도시하지 않음). Returning to FIG. 1, the display unit 6 is a touch panel type liquid crystal panel display, which displays various data on a screen by the control of the control unit 7, and instructs the operator to the substrate processing apparatus 1. It also has a function to accept. In particular, the display unit 6 according to the present embodiment displays the light receiving status of the CCD element group based on the output signal from the light receiving unit 46. Moreover, the substrate processing apparatus 1 is equipped with the operation part (keyboard, a mouse, etc.) for receiving an instruction | command of an operator separately (not shown).

제어부(7)는, 프로그램에 따라서 각종 데이터를 처리한다. 제어부(7)는, 도시하지 않은 케이블에 의해 기판 처리 장치(1)의 각 기구와 접속되어 있고, 리니어 인코더(51) 및 수광부(46) 등으로부터의 입력에 따라, 스테이지(3), 승강 기구(43, 44), 이동 기구(5) 및 표시부(6) 등의 각 구성을 제어한다. The control unit 7 processes various data in accordance with the program. The control part 7 is connected with each mechanism of the substrate processing apparatus 1 by the cable which is not shown in figure, According to the input from the linear encoder 51, the light receiving part 46, etc., the stage 3, the lifting mechanism Each of 43, 44, the movement mechanism 5, the display part 6, etc. is controlled.

특히, 제어부(7)는, 수광부(46)의 출력 신호에 의거해, 간섭물의 검출의 유무를 판정한다. 또한, 간섭물을 검출한 경우에는, 수광부(46)의 수광 상태 및 경고 등을 표시부(6)에 표시하는 동시에, 이동 기구(5)를 정지시킴으로써, 슬릿 노즐(41)과 간섭물의 접촉을 회피한다. In particular, the control unit 7 determines the presence or absence of the detection of the interference based on the output signal of the light receiving unit 46. When the interference is detected, the light receiving state of the light receiving unit 46, a warning light, and the like are displayed on the display unit 6, and the moving mechanism 5 is stopped to avoid contact with the slit nozzle 41 and the interference object. do.

이상이 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 구성 및 기능의 설명이다. The above is description of the structure and function of the substrate processing apparatus 1 in this embodiment.

<1.2 조정 작업> 1.2 Adjustments

기판 처리 장치(1)에서는, 기판(90)에 대해 레지스트액을 도포하는 처리를 행하기 전에, 오퍼레이터에 의해서, 투광부(45) 및 수광부(46)의 Z축 방향의 위치 조정 작업 및 수광 영역(48)을 설정하는 작업이 행해진다. In the substrate processing apparatus 1, before performing the process of apply | coating a resist liquid to the board | substrate 90, the operator adjusts the position of the light transmission part 45 and the light receiving part 46 in the Z-axis direction, and a light receiving area. The operation of setting 48 is performed.

도 7은 투광부(45)의 위치 조정을 설명하는 도면이다. 투광부(45)는, 조사하는 레이저광(L)이 기판(90)의 표면에 따르도록 Z축 방향의 위치 조정이 행해진 다. 이때, 도 7에 도시하는 바와 같이, 레이저광(L)은 기판(90)에 일부가 차폐되어도 된다. 따라서, 투광부(45)의 Z축 방향의 위치 조정은, 레이저광(L)의 Z축 방향의 폭과 거의 동일한 오차를 허용할 수 있어, 비교적 막연히 조정할 수 있다. 즉, 투광부(45)의 위치 맞춤에서, 엄밀한 조정 작업이 불필요해지므로, 오퍼레이터의 조정 작업의 부담이 경감된다. 7 is a diagram for explaining position adjustment of the light transmitting part 45. The light projecting portion 45 is positioned in the Z-axis direction so that the laser light L to be irradiated conforms to the surface of the substrate 90. At this time, as shown in FIG. 7, a part of the laser beam L may be shielded from the substrate 90. Therefore, the position adjustment of the light transmission part 45 in the Z-axis direction can tolerate substantially the same error as the width | variety of the Z-axis direction of the laser beam L, and can be adjusted comparatively vaguely. That is, since the precise adjustment work becomes unnecessary in the alignment of the light transmission part 45, the burden of the operator's adjustment work is reduced.

또한, 이는 기판(90)의 두께가 레이저광(L)의 Z축 방향의 폭과 거의 같은 범위로 변화해도, 투광부(45)의 위치를 조정하지 않고 대응할 수 있는 것을 의미한다. 즉, 두께가 다른 기판(90)을 처리하는 경우라도, 그 두께의 변화가 소정의 범위 내이면 재조정이 불필요하므로, 조정 작업의 부담을 경감할 수 있다. In addition, this means that even if the thickness of the board | substrate 90 changes in the range substantially the same as the width | variety of the Z axis direction of the laser beam L, it can respond without adjusting the position of the light transmission part 45. FIG. That is, even when processing the board | substrate 90 from which thickness differs, if adjustment of the thickness is in the predetermined range, readjustment is unnecessary, and the burden of adjustment work can be reduced.

투광부(45)의 위치가 결정되면, 오퍼레이터는 수광부(46)의 조정을 행한다. 수광부(46)는, 투광부(45)로부터 조사된 레이저광(L)을 수광 가능 영역(47) 내에 수광하도록 세트된다. 구체적으로는, 수광부(46)의 출력 신호를 표시부(6)에 표시하고, 오퍼레이터는 이 화면을 보면서, 레이저광(L)이 수광 가능 영역(47) 내(중앙부인 것이 바람직하다)에 입사하도록 수광부(46)의 Z축 방향의 위치를 조정한다. 이때 수광부(46)는, 레이저광(L)을 수광 가능 영역(47)의 어딘가에서 수광하면 되므로, 수광부(46)의 Z축 방향의 위치 조정은 비교적 막연해도 된다. 이와 같이, 수광부(46)의 위치 조정 작업에서도, 종래의 장치에 비해서 작업의 부담은 경감된다. When the position of the light transmitting portion 45 is determined, the operator adjusts the light receiving portion 46. The light receiving portion 46 is set to receive the laser light L irradiated from the light transmitting portion 45 in the light receiving region 47. Specifically, the output signal of the light receiving portion 46 is displayed on the display portion 6, and the operator looks at this screen so that the laser light L is incident on the light receiving region 47 (preferably the center portion). The position of the light receiving portion 46 in the Z axis direction is adjusted. At this time, since the light receiving part 46 may receive the laser beam L somewhere in the light-receivable area 47, the position adjustment of the light receiving part 46 in the Z-axis direction may be relatively vague. Thus, also in the position adjustment work of the light receiving part 46, the burden of work is reduced compared with the conventional apparatus.

투광부(45) 및 수광부(46)의 위치가 결정되면, 오퍼레이터는 수광 영역(48)의 설정을 행한다. 오퍼레이터는, 표시부(6)에 표시되어 있는 수광 가능 영역(47) 내의 광량 분포를 보면서, 레이저광(L)을 수광하는 CCD 소자가 가장 많이 포함되도록, 수광 영역(48)의 위치를 설정한다. When the positions of the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 are determined, the operator sets the light receiving region 48. The operator sets the position of the light receiving region 48 so that the CCD element which receives the laser light L is included the most while looking at the light quantity distribution in the light receiving region 47 displayed on the display unit 6.

이와 같이, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 수광부(46)가 CCD 소자군으로 구성되어 있으므로, 수광 가능 영역(47) 내의 각각의 위치에서의 광량을 용이하게 취득하고, 수광 상황(수광 가능 영역(47) 내의 광량 분포)을 표시부(6)에 표시할 수 있다. 따라서, 오퍼레이터는, 수광 가능 영역(47) 내의 어느 영역에 레이저광(L)이 입사하고 있는지를 용이하게 판단할 수 있어, 용이하게 수광 영역(48)의 위치를 지정할 수 있다. Thus, since the light receiving part 46 is comprised by CCD element group, the substrate processing apparatus 1 in this embodiment acquires the light quantity in each position in the light reception possible area 47 easily, and receives light. The situation (light distribution in the light-receivable area 47) can be displayed on the display unit 6. Therefore, the operator can easily determine in which area in the light receiving region 47 the laser light L is incident, and can easily position the light receiving region 48.

환언하면, 이러한 수법에 의해서, 수광 가능 영역(47) 내에 수광 영역(48)을 설정함으로써, 기판 처리 장치(1)에서는, 수광부(46)의 Z축 방향의 위치를, 비교적 막연하게 조정할 수 있다고도 할 수 있다. 또한, 본 실시의 형태에서는, 오퍼레이터가 수광 영역(48)의 Z축 방향의 위치를 지정함으로써, 제어부(7)가 수광 영역(48)의 위치를 설정한다. In other words, by setting the light-receiving area 48 in the light-receivable area 47 by this method, the substrate processing apparatus 1 can adjust the position of the light-receiving part 46 in the Z-axis direction relatively vaguely. You can also In addition, in this embodiment, the operator sets the position of the light receiving area 48 by designating the position of the light receiving area 48 in the Z-axis direction.

또한, 수광 영역(48)을 임의로 설정할 수 있으므로, 레이저광(L)이 광축을 중심으로 다소 기울어지거나, 레이저광(L)의 일부가 기판(90)에 의해서 차폐되어도, 검출 정밀도에 대한 영향을 억제할 수 있다. 따라서, 투광부(45)의 위치 조정을 엄밀하게 행할 필요가 없어, 오퍼레이터의 부담을 경감시킬 수 있다.In addition, since the light receiving region 48 can be arbitrarily set, even if the laser light L is slightly inclined about the optical axis or a part of the laser light L is shielded by the substrate 90, the influence on the detection accuracy is not affected. It can be suppressed. Therefore, it is not necessary to strictly perform the position adjustment of the light transmitting part 45, and the burden on an operator can be reduced.

<1.3 동작의 설명> <1.3 Explanation of Operation>

다음에, 기판 처리 장치(1)의 동작에 관해서 설명한다. 또한, 이하에 도시하는 각 부의 동작 제어는 특별히 양해를 얻지 않는 한 제어부(7)에 의해 행해진 다. Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 will be described. In addition, operation control of each part shown below is performed by the control part 7 unless there is particular understanding.

기판 처리 장치(1)에서는, 오퍼레이터 또는 도시하지 않은 반송 기구에 의해, 소정의 위치에 기판(90)이 반송됨으로써, 레지스트액을 기판(90)의 도포 영역에 도포하는 처리가 개시된다. 여기서, 도포 영역이란, 기판(90)의 표면 중에 레지스트액을 도포하고자 하는 영역으로서, 통상, 기판(90)의 전체 면적으로부터, 가장자리에 따른 소정폭의 영역을 제외한 영역이다. In the substrate processing apparatus 1, the process of apply | coating a resist liquid to the application | coating area | region of the board | substrate 90 is started by conveying the board | substrate 90 to a predetermined position by an operator or a conveyance mechanism not shown. Here, the application | coating area | region is an area | region which is going to apply | coat a resist liquid on the surface of the board | substrate 90, and is the area | region except the area | region of the predetermined width along the edge from the whole area of the board | substrate 90 normally.

또한, 처리를 개시하기 위한 지시는, 기판(90)의 반송이 완료한 시점에서, 오퍼레이터가 조작부를 조작함으로써 입력되어도 된다. 또한, 기판(90)이 반출입될 때, 슬릿 노즐(41)은 이동하는 기판(90)과 간섭하지 않도록, 퇴피 위치에 대기한다. 이에 따라, 투광부(45) 및 수광부(46)도 퇴피 위치에 대기(待機)한다. In addition, the instruction for starting a process may be input by the operator operating the operation part at the time when conveyance of the board | substrate 90 is completed. In addition, when the substrate 90 is carried in and out, the slit nozzle 41 stands by at the retracted position so as not to interfere with the moving substrate 90. As a result, the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 also stand by in the retracted position.

우선, 스테이지(3)가 지지면(30) 상의 소정의 위치에 기판(90)을 흡착하여 지지한다. 다음에, 이동 기구(5)의 리니어 모터(50)가 투광부(45)(수광부(46))를 검출 개시 위치로 이동시킨다. 또한, 검출 개시 위치란, 투광부(45)와 수광부(46)와의 대향선(레이저광(L)이 조사된 경우의 광축이 되는 선)이 기판(90)의 윗쪽을 통과하지 않는 위치로서, 본 실시의 형태에서는 기판(90)의 (+X)측의 변보다도 투광부(45)가 (+X)측이 되는 위치이다. First, the stage 3 adsorbs and supports the board | substrate 90 in the predetermined position on the support surface 30. FIG. Next, the linear motor 50 of the movement mechanism 5 moves the light transmitting part 45 (light receiving part 46) to the detection start position. The detection start position is a position where the opposing line (the line serving as the optical axis when the laser light L is irradiated) between the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 does not pass through the upper portion of the substrate 90. In the present embodiment, the light transmitting portion 45 is positioned at the (+ X) side than the side of the (+ X) side of the substrate 90.

앞서 기술한 바와 같이, 이동 기구(5)는, 슬릿 노즐(41), 투광부(45) 및 수광부(46)를 상대 위치를 바꾸지 않고, 일체적으로 X축 방향으로 이동시킨다. 따라서, 이동 기구(5)가, 투광부(45) 및 수광부(46)를 퇴피 위치로부터 검출 개시 위치까지 이동시키면, 동시에 가교 구조(4)도 X축 방향으로 이동한다. 그러나, 슬릿 노즐(41)은, 승강 기구(43, 44)에 의해서 충분한 고도를 유지하고 있으므로, 예를 들어, 이 동안에 슬릿 노즐(41)이 기판(90)의 윗쪽을 통과했다고 해도, 슬릿 노즐(41)과 간섭물이 접촉하는 일은 없다. As described above, the moving mechanism 5 moves the slit nozzle 41, the light projecting portion 45, and the light receiving portion 46 integrally in the X-axis direction without changing the relative position. Therefore, when the movement mechanism 5 moves the light transmission part 45 and the light reception part 46 from a retracted position to a detection start position, the bridge | crosslinking structure 4 will also move to an X-axis direction simultaneously. However, since the slit nozzle 41 maintains a sufficient altitude by the elevating mechanisms 43 and 44, even if the slit nozzle 41 passes through the upper part of the board | substrate 90 during this time, the slit nozzle 41, for example. (41) does not come into contact with the interference object.

투광부(45)(수광부(46))가 검출 개시 위치로 이동하면, 투광부(45)는 레이저광(L)의 조사를 개시한다. 그리고, 제어부(7)는 이동 기구(5)를 제어하고, 투광부(45)(수광부(46))를 (-X) 방향으로 이동시키면서, 간섭물의 검출 처리를 개시한다. 단, 이때 조사된 레이저광(L)은 차폐판(31)에 차폐되므로, 수광부(46)에는 입사하지 않는다. When the light transmitting part 45 (light receiving part 46) moves to the detection start position, the light transmitting part 45 starts irradiation of the laser light L. As shown in FIG. And the control part 7 controls the moving mechanism 5, and starts the process of detecting an interference object, moving the light transmission part 45 (light reception part 46) to (-X) direction. However, since the laser light L irradiated at this time is shielded by the shielding plate 31, it does not enter the light receiving portion 46.

검출 처리가 개시됨으로써, 투광부(45)(수광부(46))와 함께 가교 구조(4)(슬릿 노즐(41))도 (-X) 방향으로 이동한다. 그러나, 이 동안, 슬릿 노즐(41)은 충분한 고도(높이 위치)를 유지하여 이동하기 때문에, 간섭물과 접촉하는 일은 없다. As the detection process starts, the crosslinked structure 4 (slit nozzle 41) also moves in the (-X) direction together with the light transmitting portion 45 (light receiving portion 46). However, during this time, since the slit nozzle 41 moves while maintaining a sufficient altitude (height position), it does not come into contact with the interference.

투광부(45)(수광부(46))와 함께 가교 구조(4)가 (-X) 방향으로 이동함으로써, 슬릿 노즐(41)이 도포 개시 위치까지 이동하면, 제어부(7)는, 리니어 모터(50)를 정지시켜, 가교 구조(4)를 일단 정지시킨다. When the slit nozzle 41 moves to the coating start position by moving the crosslinked structure 4 together with the light transmitting part 45 (light receiving part 46) in the (-X) direction, the control unit 7 is a linear motor ( 50) is stopped and the crosslinked structure 4 is once stopped.

또한, 도포 개시 위치란, 슬릿 노즐(41)이 도포 영역의 (+X)측의 단부 윗쪽에 거의 맞는 위치이다. 또한, 리니어 모터(50)가 정지하여, 투광부(45) 및 수광부(46)가 X축 방향으로 이동하지 않고 정지하는 동안, 본 실시의 형태에서의 검출 처리도 정지한다. In addition, application | coating start position is a position which the slit nozzle 41 almost fits on the edge part upper side on the (+ X) side of an application | coating area | region. In addition, while the linear motor 50 stops and the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 stop without moving in the X-axis direction, the detection processing in the present embodiment is also stopped.

다음에, 제어부(7)는, 슬릿 노즐(41)의 YZ 평면에서의 자세가 적정 자세가 되도록, 승강 기구(43, 44)를 제어하고, 노즐 지지부(40)의 위치를 조정한다. 또 한, 적정 자세란, 슬릿 노즐(41)과 도포 영역과의 간격이 레지스트를 도포하기 위해 적절한 간격(본 실시의 형태에서는 50∼200㎛)이 되는 자세이다. 즉, 이에 따라, 슬릿 노즐(41)이 하강하여, 슬릿 노즐(41)의 하단이 주사 범위(SE0)에 도달하게 된다. Next, the control part 7 controls the lifting mechanisms 43 and 44, and adjusts the position of the nozzle support part 40 so that the attitude | position in the YZ plane of the slit nozzle 41 may be a proper attitude | position. In addition, a proper posture is a posture which the space | interval of the slit nozzle 41 and an application | coating area | region becomes a suitable space | interval (50-200 micrometers in this embodiment) in order to apply | coat a resist. That is, accordingly, the slit nozzle 41 descends and the lower end of the slit nozzle 41 reaches the scanning range SE0.

기판 처리 장치(1)에서는, 검출 처리에서, 제어부(7)가 간섭물을 검출했다고 판정한 경우에는, 리니어 모터(50)를 정지시킴으로써 슬릿 노즐(41)의 (-X) 방향으로의 이동 동작을 정지시키는 동시에, 표시부(6)에 경보를 출력한다. In the substrate processing apparatus 1, when it is determined in the detection processing that the control unit 7 detects an interference, the movement of the slit nozzle 41 in the (-X) direction by stopping the linear motor 50. Is stopped and an alarm is output to the display unit 6.

따라서, 검출 처리가 개시되고 나서 슬릿 노즐(41)이 도포 개시 위치로 이동하기까지 사이에 간섭물이 검출되지 않으면, 기판(90)의 (+X)측의 단부로부터, 투광부(45)(수광부(46))의 위치(도포 개시 위치보다 (-X) 방향으로 상대 거리 P만큼 진행한 위치)까지 사이에서, 간섭물을 발견할 수 없는 것을 의미한다. 따라서, 도포 개시 위치에서, 슬릿 노즐(41)을 적정 자세로 하기 위해서, 슬릿 노즐(41)을 하강시켜도, 슬릿 노즐(41)이 간섭물과 접촉할 위험성은 거의 없다. Therefore, if no interference is detected between the detection process is started and the slit nozzle 41 moves to the application start position, then the light projecting portion 45 (from the end on the (+ X) side of the substrate 90). It means that an interference object cannot be found between the position of the light-receiving part 46 (the position which advanced by the relative distance P in the (-X) direction from the application start position). Therefore, even if the slit nozzle 41 is lowered in order to make the slit nozzle 41 in the proper position at the application start position, there is little risk that the slit nozzle 41 comes into contact with the interference material.

슬릿 노즐(41)의 자세 조정이 종료되면, 레지스트용 펌프(도시하지 않음)에 의해 슬릿 노즐(41)에 레지스트액이 보내지고, 슬릿 노즐(41)이 도포 영역에 레지스트액을 토출한다. 그 토출 동작과 동시에, 리니어 모터(50)가 슬릿 노즐(41)을 (-X) 방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 기판(90)의 도포 영역이 슬릿 노즐(41)에 의해서 주사되어, 레지스트액이 도포된다. When the attitude adjustment of the slit nozzle 41 is finished, the resist liquid is sent to the slit nozzle 41 by a resist pump (not shown), and the slit nozzle 41 discharges the resist liquid to the coating area. Simultaneously with the discharge operation, the linear motor 50 moves the slit nozzle 41 in the (-X) direction. Thereby, the application | coating area | region of the board | substrate 90 is scanned by the slit nozzle 41, and the resist liquid is apply | coated.

또한, 레지스트액의 토출은, 자세 조정이 종료하고 나서가 아니어도 된다. 예를 들면, 슬릿 노즐(41)로부터 소량의 레지스트액을 토출시킴으로써 슬릿 노즐 (41)의 선단부에 적절한 액 저장소를 생성하고 나서, 슬릿 노즐(41)을 적정 위치에 강하시켜도 된다. 또한, 슬릿 노즐(41)에 의한 주사의 개시와 동시에, 검출 처리가 재개된다. 즉, 이 이후는, 슬릿 노즐(41)에 의해서 레지스트액이 도포되는 동작과 병행하여, 검출 처리가 행해진다. In addition, the discharge of the resist liquid may not be after the posture adjustment is completed. For example, by discharging a small amount of resist liquid from the slit nozzle 41, an appropriate liquid reservoir may be generated at the tip end of the slit nozzle 41, and then the slit nozzle 41 may be dropped to an appropriate position. At the same time as the start of scanning by the slit nozzle 41, the detection process is resumed. That is, after this, a detection process is performed in parallel with the operation | movement which a resist liquid is apply | coated by the slit nozzle 41. FIG.

이와 같이 기판 처리 장치(1)에서는, 슬릿 노즐(41)의 도포 중(주사 중)에, 검출 처리가 실행됨으로써, 간섭물이 검출된 경우에, 즉시 슬릿 노즐(41)의 이동을 정지시킨다. 이에 따라 기판 처리 장치(1)는 슬릿 노즐(41)과 간섭물과의 접촉을 미연에 방지할 수 있다. 따라서, 슬릿 노즐(41)이나 기판(90) 등이 접촉에 의해 파손되는 것을 효율적으로 방지할 수 있다. As described above, in the substrate processing apparatus 1, the detection process is performed during the application (in the scanning) of the slit nozzle 41, so that the movement of the slit nozzle 41 is stopped immediately when an interference object is detected. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can prevent the contact between the slit nozzle 41 and the interference material in advance. Therefore, the slit nozzle 41, the board | substrate 90, etc. can be prevented from being damaged by a contact efficiently.

또한, 앞서 기술과 같이, 경보를 출력함으로써, 오퍼레이터에게 이상을 알릴 수 있으므로, 복구 작업 등을 효율적으로 할 수 있다. 또한, 경보는 오퍼레이터에게 이상 사태의 발생을 알릴 수 있는 것이면 어떠한 수법이어도 되고, 스피커 등으로부터 경보음을 출력하도록 해도 된다. In addition, as described above, by outputting an alarm, the operator can be notified of the abnormality, so that the recovery operation can be efficiently performed. The alarm may be any method as long as it can notify the operator of the occurrence of an abnormal situation, and may output an alarm sound from a speaker or the like.

또한, 간섭물을 검출한 경우, 제어부(7)는, 레지스트용 펌프를 정지하여 레지스트액의 토출을 정지하고, 리니어 모터(50) 및 승강 기구(43, 44)에 의해 슬릿 노즐(41)을 퇴피 위치로 퇴피시킨다. 그 후, 기판(90)은 기판 처리 장치(1)로부터 반출된다. 단, 슬릿 노즐(41)이 도포 개시 위치로 이동하기까지 사이에 간섭물이 검출된 경우에는, 레지스트액의 토출은 아직 개시되지 않으므로, 레지스트액의 토출을 정지시키는 처리는 행해지지 않는다. In addition, when the interference is detected, the control unit 7 stops the resist pump and stops discharging the resist liquid, and the slit nozzle 41 is opened by the linear motor 50 and the lifting mechanisms 43 and 44. Retract to the retracted position. Thereafter, the substrate 90 is carried out from the substrate processing apparatus 1. However, when an interference is detected between the slit nozzle 41 to move to the application start position, the discharge of the resist liquid has not yet begun, so that the process of stopping the discharge of the resist liquid is not performed.

또한, 간섭물이 검출된 경우에 반출되는 기판(90)은, 다른 기판(90)(정상으 로 처리된 기판(90))과 구별하여, 오퍼레이터 또는 반송 기구가 재처리 공정에 반송된다. 또한, 도 6에 도시하는 바와 같이, 이물(NG)이 스테이지(3)에 부착해 있는 경우도 생각할 수 있으므로, 스테이지(3)의 클리닝을 행하는 것이 바람직하다. In addition, the board | substrate 90 carried out when an interference object is detected is distinguished from the other board | substrate 90 (the board | substrate 90 processed normally), and an operator or a conveyance mechanism is conveyed to a reprocessing process. In addition, as shown in FIG. 6, when the foreign material NG adheres to the stage 3, it is also possible to clean the stage 3 preferably.

또한, 간섭물이 검출된 경우, 제어부(7)는 검출의 과정(CCD 소자군의 출력)을 표시부(6)에 표시시킨다. 이에 따라, 오퍼레이터는 이후부터 간섭물을 화면으로 확인할 수 있으므로, 적절한 회복 처리를 행할 수 있다. In addition, when an interference is detected, the control unit 7 causes the display unit 6 to display the process of detection (output of the CCD element group). As a result, the operator can later confirm the interference object on the screen, so that an appropriate recovery process can be performed.

한편, 검출 처리에서 간섭물이 검출되지 않은 경우, 제어부(7)는 리니어 인코더(51)의 출력에 의거해 슬릿 노즐(41)의 위치를 확인하면서, 슬릿 노즐(41)이 도포 종료 위치로 이동하기까지 도포 처리를 계속한다. 도포 종료 위치란, 슬릿 노즐(41)이 도포 영역의 (-X)측의 단부 윗쪽에 맞는 위치이다. On the other hand, when the interference object is not detected by the detection process, the control part 7 confirms the position of the slit nozzle 41 based on the output of the linear encoder 51, and the slit nozzle 41 moves to an application | coating end position. The coating treatment is continued until the end. The application end position is a position where the slit nozzle 41 fits over the end of the application area on the (-X) side.

이와 같이, 대상물이 존재하지 않는 경우에는, 슬릿 노즐(41)에 의한 주사가 도포 영역 전체영역에 대해 행해져, 해당 도포 영역의 전체영역에서의 기판(90)의 표면상에 레지스트액의 층이 형성된다. As described above, when the object does not exist, scanning by the slit nozzle 41 is performed over the entire application region, whereby a layer of the resist liquid is formed on the surface of the substrate 90 in the entire region of the application region. do.

슬릿 노즐(41)이 도포 종료 위치로 이동하면, 제어부(7)가 레지스트용 펌프을 정지시켜 슬릿 노즐(41)로부터의 레지스트액의 토출을 정지시키는 동시에, 리니어 모터(50)를 정지시켜 슬릿 노즐(41)의 (-X) 방향으로의 이동을 정지한다. 또한, 이와 병행하여 투광부(45)가 레이저광(L)의 조사를 정지하여, 검출 처리가 종료한다. When the slit nozzle 41 moves to the application end position, the control unit 7 stops the resist pump, stops the discharge of the resist liquid from the slit nozzle 41, and stops the linear motor 50 to stop the slit nozzle ( Movement in the (-X) direction of 41) is stopped. In addition, in parallel with this, the light projecting section 45 stops irradiating the laser light L, and the detection processing ends.

레지스트액의 토출이 정지하면, 제어부(7)는, 리니어 모터(50) 및 승강 기구(43, 44)를 제어하여, 슬릿 노즐(41)을 퇴피 위치로 퇴피시킨다. When discharge of the resist liquid stops, the control unit 7 controls the linear motor 50 and the lifting mechanisms 43 and 44 to retract the slit nozzle 41 to the retracted position.

슬릿 노즐(41)이 퇴피 위치로 퇴피한 후, 스테이지(3)는 기판(90)의 흡착을 정지하고, 오퍼레이터 또는 반송 기구가 기판(90)을 지지면(30)으로부터 끌어올려, 기판(90)을 다음 처리 공정에 반출한다. 이에 따라, 기판(90)에 대한 도포 처리가 종료한다. After the slit nozzle 41 is evacuated to the retracted position, the stage 3 stops the adsorption of the substrate 90, and the operator or the transport mechanism pulls the substrate 90 from the support surface 30, thereby providing the substrate 90. ) To the next treatment process. Thereby, the coating process to the board | substrate 90 is complete | finished.

<1.4 검출 처리의 원리> <1.4 Principle of Detection Process>

이상에서 설명한 구성 및 동작에 의해 얻어지는 정보에 의거해, 기판 처리 장치(1)는, 어떠한 경우에 간섭물을 검출했다고 판정하는지를 설명한다. 또한, 검출 처리로서 채용 가능한 수법은 복수 존재하는데, 우선 기판 처리 장치(1)에서의 검출 처리의 이점을 설명한다. Based on the information obtained by the above-described configuration and operation, the substrate processing apparatus 1 will be described in which case it is determined that an interference is detected. In addition, although there exist a plurality of methods employable as the detection process, first, the advantages of the detection process in the substrate processing apparatus 1 will be described.

도 8은 종래의 스폿 레이저광을 수광하는 수광부에서의 광량(F)의 변화를 도시하는 개념도이다. 도 9는, 본 실시의 형태에 있어서의 수광부(46)에서의 광량(F)의 변화를 도시하는 개념도이다. 또한, 도 8 및 도 9에서의 시간 △T는 간섭물이 통과하는 시간이고, 변화량 △F는 광량(F)의 변화량이다. 또한, 도 8 및 도 9에서, 간섭물의 조건은, 거의 동일하게 나타나 있다. 8 is a conceptual diagram showing a change in the light amount F in the light receiving portion that receives the conventional spot laser light. 9 is a conceptual diagram showing a change in the light amount F in the light receiving unit 46 according to the present embodiment. 8 and 9, the time ΔT is the time for the interference to pass, and the change amount ΔF is the change amount of the light amount F. As shown in FIG. In addition, in FIG. 8 and FIG. 9, the conditions of an interference material are shown substantially the same.

스폿 레이저를 이용하는 경우, 레이저광의 단면에서의 주사 방향(X축 방향)의 폭이 좁기 때문에, 간섭물이 비교적 단시간에 통과해 버린다(도 8에서의 시간 △T가 짧다). 예를 들면, 주사 속도를 200(mm/sec)로 한 경우, 1(mm)의 간섭물은 0.005(sec)로 통과해 버린다. 이와 같이, 광량 F가 저하한 상태는 비교적 단시간에 진정되므로, 단시간에 이를 검출하지 않으면 안되고, 종래의 장치에서는, 검출 사이클 시간(CT)을 단축하지 않으면, 간섭물을 놓쳐 버린다는 문제가 있다. 환언 하면, 검출 처리에서, 검출 사이클 시간(CT)이 길어지는 복잡한 연산, 혹은 연산 속도가 느린 제어부(7)를 채용할 수 없다는 문제가 있다. In the case of using a spot laser, since the width of the scanning direction (X-axis direction) in the cross section of the laser beam is narrow, the interference passes through in a relatively short time (time? T in FIG. 8 is short). For example, when the scanning speed is 200 (mm / sec), 1 (mm) of interference passes through 0.005 (sec). As described above, since the state in which the light quantity F decreases is calmed in a relatively short time, it must be detected in a short time, and in the conventional apparatus, there is a problem that the interference object is missed unless the detection cycle time CT is shortened. In other words, in the detection process, there is a problem that a complicated operation in which the detection cycle time CT is long or the control unit 7 with a slow operation speed cannot be employed.

한편, 본 실시의 형태에 있어서의 기판 처리 장치(1)에서는, 수광 영역(48)의 형상이 주사 방향을 길이 방향으로 하는 직사각형이다(도 4). 이 때문에, 간섭물이 통과하기까지 시간이 걸려, 광량(F)이 저하한 상태가 비교적 장시간 계속된다. 이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 검출 사이클 시간(CT)을 비교적 길게 할 수 있어, 검출 사이클 시간(CT)이 길어지는 복잡한 연산, 혹은 연산 속도가 느린 제어부(7)를 검출 처리에서 채용할 수 있다. On the other hand, in the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, the shape of the light receiving area 48 is a rectangle which makes a scanning direction the longitudinal direction (FIG. 4). For this reason, it takes a long time for the interference to pass, and the state in which the light quantity F has decreased continues for a relatively long time. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can lengthen the detection cycle time CT relatively, and employ | adopts the complicated calculation which makes detection cycle time CT long, or the control part 7 with a slow calculation speed in a detection process. can do.

또한, 기판 처리 장치(1)에서, 수광 영역(48)(수광 가능 영역(47))의 X축 방향의 폭(W)을 결정하는 수법의 일례를 설명한다. 우선, 채용하는 연산 수법 및 제어부(7)의 연산 속도에 따라서, 필요한 검출 사이클 시간(CT)을 결정하고, CT<△T0를 만족하는 △T0를 결정한다. 그리고 슬릿 노즐(41)의 주사 속도(V)로서, W≥V×△T0를 만족하도록 폭(W)을 결정한다. 또한, 슬릿 노즐(41)의 주사 속도(V)는 도포 처리의 조건에 따라 미리 정해지는 값이다. In the substrate processing apparatus 1, an example of a method of determining the width W of the light receiving region 48 (the light receiving region 47) in the X-axis direction will be described. First, the required detection cycle time CT is determined according to the arithmetic technique employed and the arithmetic speed of the control unit 7, and a ΔT 0 that satisfies CT <ΔT 0 is determined. Then, as the scanning speed V of the slit nozzle 41, the width W is determined so as to satisfy W ≧ V × ΔT0. In addition, the scanning speed V of the slit nozzle 41 is a value predetermined previously according to the conditions of an application | coating process.

종래의 이물 검사에서, 레이저광이 기판의 윗쪽을 통과하지 않는 상태에서는, 레이저광은 간섭물에 차폐되지 않고, 수광되는 광량은 최대값이 된다. 그러나, 레이저광이 수평 방향으로 이동하고, 기판의 단부에 도달하면, 레이저광은 기판에 차폐된 상태로 변화하기 때문에, 수광되는 광량은 저하한다. 따라서, 현재의 광량뿐만 아니라, 과거의 광량을 고려하는 수법을 검출 처리에 이용하면, 기판의 단부를 간섭물로 오인하는 문제가 발생한다. In the conventional foreign material inspection, in a state where the laser light does not pass through the upper side of the substrate, the laser light is not shielded from the interference, and the amount of light received is a maximum value. However, when the laser light moves in the horizontal direction and reaches the end of the substrate, the laser light changes to a state shielded by the substrate, so that the amount of light received is lowered. Therefore, when a method that considers not only the current light amount but also the past light amount is used for the detection process, a problem of misinterpreting the end of the substrate as an interference material occurs.

그러나, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 레이저광(L)이 기판(90)의 윗쪽을 통과하지 않는 상태에서는, 차폐판(31)에 의해서 레이저광(L)이 차단된다(광량 F≒0). 이러한 구조로 되어 있으므로, 레이저광(L)이 기판(90)의 단부에 도달했을 때, 광량(F)은 과거의 광량(F)보다 증가한다. However, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, the laser beam L is blocked by the shielding plate 31 in a state where the laser beam L does not pass above the substrate 90. (Light quantity F ≒ 0). With this structure, when the laser light L reaches the end of the substrate 90, the light amount F increases from the light amount F in the past.

또한, 기판 처리 장치(1)는, 광량(F)의 증가에 의해서, 간섭물을 검출했다고 판정하지 않는다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 과거의 광량에 의거해 간섭물을 검출하는 수법을 이용한 경우라도, 차폐판(31)을 구비함으로써, 기판(90)의 단부를 간섭물로서 오인하는 일은 없다. In addition, the substrate processing apparatus 1 does not determine that the interference has been detected by the increase in the light amount F. FIG. Therefore, even when the substrate processing apparatus 1 uses the method of detecting an interference based on the quantity of light of the past, the board | substrate processing apparatus 1 does not mistake the edge part of the board | substrate 90 as an interference material by providing the shielding plate 31. FIG. .

다음에, 검출 처리로서 채용 가능한 수법을 몇 개의 예시로 설명한다. 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 앞서 기술과 같이, 검출 사이클 시간(CT)을 비교적 길게 할 수 있으므로, 복수의 연산 수법을 조합하여 간섭물을 검출하도록 하는 것이 가능하다. 단, 어느쪽 수법이나 수광부(46)로부터의 출력 신호에 의거해, 제어부(7)가 연산에 의해 구하는 값에 의해서, 간섭물의 유무를 판정한다. Next, a method that can be employed as the detection process will be described with some examples. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, since the detection cycle time CT can be relatively long, as described above, it is possible to combine the plurality of calculation methods to detect the interference. However, based on the output signal from the light receiving part 46 in either method, the presence or absence of an obstacle is determined by the value calculated by the control part 7 by calculation.

<1.4.1 단순 비교법> <1.4.1 Simple comparison method>

수광 영역(48)을 구성하는 CCD 소자로부터의 출력 신호를 합산함으로써, 광량(F)을 구하고, 이를 미리 설정해 놓은 임계치(Q)와 비교하여 판정하는 방법이다. CCD 소자의 순간적 출력에 의해서만 판정 가능하므로, 시간 경과가 문제가 되지 않고, 판정에 요하는 시간이 다른 수법에 비해서 짧다는 이점이 있다. By summing the output signals from the CCD elements constituting the light receiving region 48, the light quantity F is obtained and compared with the threshold value Q set in advance. Since it can be judged only by the instantaneous output of the CCD element, the passage of time does not become a problem, and there is an advantage that the time required for determination is shorter than other methods.

또한, 단순 비교법에서의 임계치(Q)는, 광량(F)과 비교되는 값이므로, 간섭물이 존재하지 않는 경우의 광량(F)(이하,「기준 광량 F0」으로 칭한다)을 기준으 로 하여 정할 필요가 있다. 한편, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 기판(90)의 두께가 기판(90)마다 변화하고, 이에 따라 레이저광(L)의 차폐량이 변화한다. 따라서, 기준 광량(F0)은 기판(90)의 두께에 따라 변화하는 값이다. 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 단순 비교법을 이용하는 경우, 오퍼레이터가 수광 영역(48)을 설정했을 때에 광량(F)을 측정하고, 이를 기준 광량(F0)으로 하여, 이를 기준(100%)으로 임계치(Q)를 설정하는 것으로 한다. 이와 같이, 기판(90)마다 기준 광량(F0)을 측정함으로써, 기판(90)의 두께의 변화에 의한 검출 정밀도의 저하를 억제할 수 있다. In addition, since the threshold Q in a simple comparison method is a value compared with the light quantity F, it is based on the light quantity F (henceforth "reference light quantity F0") when an interference substance does not exist. You need to decide. On the other hand, in the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, the thickness of the board | substrate 90 changes for every board | substrate 90, and the shielding amount of the laser beam L changes by this. Therefore, the reference light quantity F0 is a value that changes depending on the thickness of the substrate 90. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, when the simple comparison method is used, the operator measures the light amount F when the operator sets the light receiving region 48, and sets this as the reference light amount F0, which is the reference value. It is assumed that the threshold Q is set at (100%). Thus, by measuring the reference light quantity F0 for each board | substrate 90, the fall of the detection precision by the change of the thickness of the board | substrate 90 can be suppressed.

또한, 본 실시의 형태에서는, 검출 개시 위치로부터 레이저광(L)의 조사가 개시되는데, 이때 레이저광(L)은 차폐판(31)에 차폐되므로, 수광부(46)에는 수광되지 않는다. 즉, 이때의 광량(F)은 거의「0」이므로, 검출 개시 위치로부터 단순 비교법을 실행하면 차폐판(31)을 간섭물로 오인한다. 따라서, 기판 처리 장치(1)에서 단순 비교법을 이용하는 경우, 레이저광(L)의 조사를 개시한 시점에서가 아니라, 수광부(46)에 의해서 레이저광(L)을 검출하고 나서(일단 광량(F)의 값이「0」보다 커지고 나서), 단순 비교법에 의한 검출 처리를 개시한다. In addition, in this embodiment, irradiation of the laser beam L is started from the detection start position, but since the laser beam L is shielded by the shielding plate 31, it is not received by the light receiving part 46. FIG. That is, since the light quantity F at this time is almost "0", when the simple comparison method is performed from the detection start position, the shield plate 31 will be mistaken for an interference material. Therefore, in the case of using the simple comparison method in the substrate processing apparatus 1, the laser beam L is detected by the light receiving unit 46, not at the time when the irradiation of the laser light L is started (once the amount of light F ) Becomes larger than &quot; 0 &quot;) and then the detection process by the simple comparison method is started.

<1.4.2 지연 비교법> 1.4.2 Latency Comparison

단순 비교법과 마찬가지로 광량(F)을 구하고, 소정 시간 전에 구한 광량(F1)과 비교하여, 광량(F)이 과거의 광량(F1)보다 임계치(Q) 이상 작은 경우(F1-F≤Q)에, 간섭물을 검출했다고 판정하는 방법이다. Similarly to the simple comparison method, the light quantity F is obtained and compared with the light quantity F1 obtained before a predetermined time, when the light quantity F is smaller than or equal to the threshold light quantity F1 by a threshold Q or more (F1-F≤Q). This is a method for determining that an interference is detected.

본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서, CCD 소자로부터의 출력 신호 는 주기(T)로 생성되기 때문에, 광량(F)은 주기(T) 마다 연산된다. 즉, 본 실시의 형태에서, 지연 비교법을 이용하는 경우, 구체적으로 광량(F)과, 시간(NT)(N은 자연수)만큼 전에 연산된 광량(F1)을 비교한다. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, since the output signal from the CCD element is generated in the period T, the light amount F is calculated for each period T. As shown in FIG. That is, in this embodiment, when using the delay comparison method, the light quantity F is specifically compared with the light quantity F1 computed before by time NT (N is a natural number).

지연 비교법에서의 임계치(Q)는, 광량(F)의 변화량 △F(F1-F)와 비교되는 값이므로, 기준 광량(F0)을 고려하지 않고, 검출하고 싶은 간섭물의 크기에 따라 설정할 수 있다. 따라서, 지연 비교법을 이용하는 경우에는, 기판(90)마다 기준 광량(F0)을 미리 측정할 필요가 없다. 본래, 오퍼레이터에 의한 수광 영역(48)의 설정은, 기판(90)의 가공 정밀도 오차 정도에서는, 설정하여 고칠 필요가 없는 사항이다. 따라서, 지연 비교법을 이용함으로써, 두께에 관해서 동일 규격(가공 정밀도 오차는 존재한다)의 기판(90)을 처리하는 동안은 기준 광량(F0)을 측정할 필요가 없으므로, 오퍼레이터의 부담은 경감된다. Since the threshold Q in the delay comparison method is a value compared with the change amount ΔF (F1-F) of the light amount F, it can be set according to the size of the interference to be detected without considering the reference light amount F0. . Therefore, when the delay comparison method is used, it is not necessary to measure the reference light amount F0 in advance for each substrate 90. Originally, the setting of the light-receiving region 48 by the operator is a matter that does not need to be set and corrected in the degree of the processing accuracy error of the substrate 90. Therefore, by using the delay comparison method, it is not necessary to measure the reference light quantity F0 during the processing of the substrate 90 of the same standard (processing precision error exists) with respect to the thickness, thereby reducing the burden on the operator.

<1.4.3 2단계 비교법> <1.4.3 Two-Step Comparison Method>

단순 비교법 혹은 지연 비교법에 의해서, 일단 간섭물이 존재한다고 판정된 후에, 이때의 광량(F)과, 소정 시간 후의 광량(F2)을 비교하여, 광량(F)이 광량(F2) 이상인 경우에, 실제로 간섭물을 검출했다고 판정하는 방법이다. After it is determined by the simple comparison method or the delay comparison method that the interference is present, the light amount F at this time is compared with the light amount F2 after a predetermined time, and when the light amount F is equal to or greater than the light amount F2, It is a method of determining that an interference is actually detected.

도 10은 비교적 작은 간섭물에 의한 수광부(46)의 광량(F)의 변화를 도시하는 개략도이다. 도 11은 노이즈에 의한 수광부(46)의 광량(F)의 변화를 도시하는 개략도이다. FIG. 10 is a schematic diagram showing a change in the light amount F of the light receiving portion 46 due to a relatively small interference. 11 is a schematic diagram showing a change in the light amount F of the light receiving portion 46 due to noise.

도 10과 도 11을 비교하면 명백한 바와 같이, 작은 간섭물이나 노이즈가 존재한 경우, 어느 것이나 변화량 △F가 작다는 특성이 있다. 따라서, 단순 비교법 이나 지연 비교법에서, 작은 간섭물을 검출하고자 하면, 노이즈에 의한 오류 검출이 빈발한다. 즉, 단순 비교법이나 지연 비교법에서는, 작은 간섭물과 노이즈를 구별할 수 없다. As apparent from the comparison between Fig. 10 and Fig. 11, when small interferences or noise are present, there is a characteristic that the amount of change ΔF is small. Therefore, in the simple comparison method or the delay comparison method, if small interferences are to be detected, error detection due to noise is frequently performed. That is, in the simple comparison method or the delay comparison method, small interferences and noise cannot be distinguished.

그러나, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 수광 영역(48)이 주사 방향으로 긴 직사각형이므로, 광량(F)이 저하한 상태가 비교적 장시간 계속된다(도 10에서의 시간 △T는 도 11에 비해서 길다). However, in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, since the light receiving region 48 is a rectangle long in the scanning direction, the state in which the light amount F has decreased continues for a relatively long time (time ΔT in FIG. 10). Is longer compared to FIG. 11).

시간 △T는 간섭물의 X축 방향의 크기에 따라 변화하는데, 그 최단 시간(이하, 「시간 △T0」로 칭한다)은, 레이저광(L)의 주사 속도와 수광 영역(48)의 주사 방향의 폭에 의해 보증된다. 이는, 아무리 작은 간섭물의 경우라도, 레이저광(L)을 가로지르는 동안은 광량(F)이 저하하기 때문이다. The time ΔT changes depending on the size of the interference in the X-axis direction, and the shortest time (hereinafter referred to as “time ΔT 0”) is determined by the scanning speed of the laser beam L and the scanning direction of the light receiving region 48. Guaranteed by the width. This is because even in the case of small interferences, the light quantity F decreases while crossing the laser light L. FIG.

이에 대해, 순간적으로 발생하는 노이즈에 의해서 광량(F)이 저하하는 경우는, 광량(F)의 저하 상태는 그다지 장시간 지속되지 않는다(도 11에서의 시간 △T는 짧다). On the other hand, when the light quantity F falls by the noise which generate | occur | produces momentarily, the fall state of the light quantity F does not last very long (the time (DELTA) T in FIG. 11 is short).

그래서, 2단계 비교법에서는, 작은 간섭물을 놓치지 않도록 임계치(Q)를 엄격히 설정하는 동시에, 소정 시간 후(시간 △T0 이내)의 광량(F)과 비교하여, 광량(F)이 저하한 상태가 계속되는 경우에는, 노이즈가 아니라, 간섭물을 검출했다고 판정한다. Therefore, in the two-step comparison method, the threshold Q is set strictly so as not to miss a small interference material, and the state in which the light amount F is lowered compared to the light amount F after a predetermined time (within time ΔT0) In the subsequent case, it is determined that the interference is detected, not the noise.

또한, 간섭물이 수광부(46)에 가까운 위치에 존재하는 경우, 전술과 같이, 레이저광(L)의 차폐량이 저하하기 때문에, 간섭물이 작은 경우와 마찬가지로 변화량 △F의 값이 작아진다. 그러나, 이 경우에도, 간섭물인 한, 시간 △T0은 보증되 므로, 검출가능하다. In addition, when an interference substance exists in the position near the light receiving part 46, since the shielding amount of the laser beam L falls as mentioned above, the value of the change amount (DELTA) F becomes small similarly to the case where an interference substance is small. However, even in this case, as long as it is an interference object, the time DELTA T0 is guaranteed and thus can be detected.

이와 같이, 기판 처리 장치(1)에서는, 시간 △T가 비교적 장시간이 되도록 구성함으로써, 감도를 향상시켜도, 노이즈에 의한 오류 검출을 억제할 수 있다. 따라서, 간섭물이 작은 경우나, 간섭물이 수광부(46)에 가까운 위치에 있는 경우라도 검출 가능하고, 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다. In this way, in the substrate processing apparatus 1, by configuring the time ΔT to be relatively long, it is possible to suppress error detection due to noise even if the sensitivity is improved. Therefore, even when the interference is small or when the interference is in the position close to the light receiving portion 46, the detection can be detected, and the detection accuracy can be improved.

또한, 소정 시간 후에 광량(F2)을 연산하여 광량(F)과 비교하는 것이 아니라, 단순 비교법에서, 2회 연속으로 간섭물을 검출했다고 판정한 경우에만, 정말로 간섭물을 검출했다고 판정해도 된다. In addition, instead of calculating the light quantity F2 after a predetermined time and comparing it with the light quantity F, it may be determined that an interference substance was really detected only when it judged that an interference substance was detected twice in a simple comparison method.

<1.4.4 적분 비교법> 1.4.4 Integral Comparison Method

광량(F)을 소정 시간 분(分)만큼 적분하여, 그 값(Σ)을 임계치(Q)와 비교하고, Σ의 값이 임계치(Q) 이하인 경우에, 간섭물을 검출했다고 판정하는 방법이다. It is a method of integrating the light quantity F by predetermined time minutes, comparing the value (Σ) with the threshold value Q, and determining that the interference object was detected when the value of (Σ) is below the threshold value Q. .

본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서, CCD 소자로부터의 출력 신호는 주기(T)로 생성되므로, 광량(F)은 주기(T) 마다 연산된다. 즉, 본 실시의 형태에서, 적분 비교법을 이용하는 경우에는, 광량(F)을 소정 회수(N회분: N은 자연수)만큼 합산하여 Σ의 값을 구하여, 임계치(Q)와 비교한다. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, since the output signal from the CCD element is generated in the period T, the light amount F is calculated for each period T. As shown in FIG. That is, in the present embodiment, when using the integral comparison method, the light quantity F is added by a predetermined number of times (N times: N is a natural number), the value of Σ is obtained, and the threshold value Q is compared.

Σ의 값은, 변화량 △F가 크고, 또한, 시간 △T가 장기간일수록 작아진다. 전술과 같이, 작은 간섭물이나 수광부(46)에 가까운 간섭물은, 변화량 △F에 의해서 노이즈와 구별하는 것은 어렵다. 그러나, Σ의 값에는 시간 △T의 값이 반영되므로, 임계치(Q)를 적절히 설정함으로써, 노이즈와 간섭물을 구별할 수 있다. The value of Σ decreases as the change amount ΔF is large and the time ΔT is long. As described above, it is difficult to distinguish between the small interference material and the interference material close to the light receiving portion 46 from the noise by the change amount ΔF. However, since the value of time ΔT is reflected in the value of Σ, noise and interference can be distinguished by setting the threshold Q appropriately.

또한, 2단계 비교법은, 가끔 소정 시간 후에도 노이즈가 발생하면 오검출이 발생하는데, 적분 비교법은 회수(N)를 늘림으로써, 노이즈의 영향을 저감시킬 수 있다. 따라서, 회수(N)를 3이상(시간 △T0 내에 취득되는 회수가 바람직하다)으로 하면, 2단계 비교법보다도 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다. In addition, in the two-step comparison method, if noise occurs sometimes even after a predetermined time, false detection occurs. In the integrated comparison method, the influence of the noise can be reduced by increasing the number N. Therefore, if the number N is three or more (preferably the number acquired within time DELTA T0), detection accuracy can be improved compared with the two-step comparison method.

이와 같이, 기판 처리 장치(1)에서는, 시간 △T가 비교적 장시간이 되도록 구성함으로써, 적분 비교법을 이용해 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 개념적으로, 적분 비교법은, 2단계 비교법을 다단계로 확장함으로써 검출 정밀도를 향상시키는 수법이라고도 할 수 있다. As described above, in the substrate processing apparatus 1, by configuring the time ΔT to be relatively long, the detection accuracy can be improved by using the integral comparison method. Conceptually, the integral comparison method can also be said to be a method of improving the detection accuracy by extending the two-step comparison method to multiple steps.

<1.4.5 미분 비교법> 1.4.5 Differential Comparison Method

광량(F)을 미분하여, 그 값(δ)을 임계치(Q)와 비교함으로써 간섭물의 유무를 판정하는 수법이다. 간섭물을 검출하는 경우는, 광량(F)이 감소할 때를 검출하면 충분하므로, 임계치(Q)로는 음수가 설정된다. δ의 값이 이 임계치(Q) 이하인 경우에 간섭물을 검출했다고 판정한다. It is a method of determining the presence or absence of an interference material by differentiating the light amount F and comparing the value δ with the threshold value Q. In the case of detecting the interference, it is sufficient to detect when the light amount F decreases, so that a negative number is set as the threshold Q. If the value of δ is less than or equal to this threshold Q, it is determined that an interference is detected.

노이즈는 다양한 원인으로 발생하는데, 예를 들면 각 CCD 소자마다의 노이즈는, 어느 일정한 발생 확률로 발생하는 것이고, 또한, 그 노이즈의 값도 CCD 소자 1개분이므로, 극히 미소하다. 즉, 그와 같은 노이즈에 의한 광량(F)에의 영향은, 통상, 비교적 완만한 변동으로서 나타나기 때문에, δ의 값은「0」에 가까운 값이 된다. 따라서, 미분 비교법에서는, 이러한 노이즈의 영향은 배제된다. Noise occurs for various reasons. For example, noise for each CCD element is generated with a certain probability of occurrence, and the noise value is also very small since it is for one CCD element. That is, since the influence on the amount of light F due to such noise is usually represented as a relatively gentle fluctuation, the value of δ becomes a value close to "0". Therefore, in the differential comparison method, the influence of such noise is eliminated.

한편, 간섭물에 의해서 차폐되는 영역의 넓이는, CCD 소자 1개에 의해서 커버되는 영역의 넓이에 비해서 충분히 크기 때문에, 간섭물에 의한 광량(F)의 변화 는 비교적 급격히 발생한다. 따라서, 광량(F)을 미분한 δ의 값에는, 간섭물의 영향이 반영되기 때문에, 간섭물과 노이즈를 구별하여 검출할 수 있다. On the other hand, since the area of the area shielded by the interference material is sufficiently large compared with the area of the area covered by one CCD element, the change in the amount of light F due to the interference occurs relatively rapidly. Therefore, since the influence of an interference material is reflected in the value of (delta) which differentiated the light quantity F, it can distinguish and detect an interference object and noise.

<1.4.6 분할 영역 비교법> 1.4.6 Partition Comparison Method

수광 영역(48)을 주사 방향으로, M 분할(M은 자연수)하여 소(小)영역을 설정하고, M개의 소영역에 대해서, 각각 포함되는 CCD 소자의 출력 신호를 합산하여 광량(σ)을 구한다(광량(σ)은 M개 구한다). 인접하는 소영역에 대해서 광량(σ)을 비교하여, 그 차 △σ가 임계치(Q)보다 큰 경우에 간섭물이 존재한다고 판정하는 수법이다. The light receiving area 48 is divided into M in the scanning direction (M is a natural number) to set a small area, and for the M small areas, the output signals of the CCD elements included in each are summed to calculate the light amount σ. (The amount of light σ is obtained). It is a method of comparing the light quantity (sigma) with respect to the adjacent small area | region, and determining that an interference object exists when the difference (triangle | delta) (sigma) is larger than the threshold value (Q).

각 CCD 소자마다의 노이즈는, 어느 일정한 발생 확률로 발생하는 것이므로, 수광 영역(48) 내에서의 노이즈 분포는 균등하다고 간주할 수 있다. 따라서, 노이즈가 발생하는 경우라도, 각 소영역에서의 광량(σ)은 거의 일정하다(차 △σ의 값은 작다). Since the noise for each CCD element is generated with a certain probability of occurrence, the noise distribution in the light receiving region 48 can be regarded as equal. Therefore, even when noise is generated, the light amount? In each small region is almost constant (the value of the difference? Σ is small).

한편, 간섭물이 존재하는 경우에는, 간섭물에 의해서 레이저광(L)이 차폐되어 있는 소영역에서의 광량(σ)과, 레이저광(L)이 차폐되지 않은 소영역에서의 광량(σ)과의 사이에서, 차 △σ는 비교적 큰 값이 된다. On the other hand, when an interference is present, the light amount σ in the small region where the laser light L is shielded by the interference material and the light amount σ in the small region where the laser light L is not shielded. Between and, the difference Δσ is a relatively large value.

분할 영역 비교법은, 소위 간섭물의 에지가 수광 영역(48) 내에 존재하는 경우에, 이를 검출하는 데 적합하다. 작은 간섭물은, 수광 영역(48)을 완전히 차폐하지 않고, 항상 에지가 수광 영역(48) 내에 존재하게 되므로, 분할 영역 비교법은, 작은 간섭물이라도 검출 가능하다. The segmentation comparison method is suitable for detecting so-called edges of interference when present in the light receiving region 48. The small interference does not completely shield the light-receiving area 48, and since the edge always exists in the light-receiving area 48, the segmentation comparison method can detect even small interferences.

또한, 미분 비교법은, 가끔 노이즈가 급격히 발생한 경우에 오류 검출할 가 능성이 있다. 그러나, 미분 비교법에 의해서 간섭물이 존재한다고 판정한 경우에, 또한 분할 영역 비교법을 이용한 판정을 하면, 노이즈와 간섭물을 구별할 수 있으므로, 오류 검출을 억제할 수 있다. In addition, the differential comparison method is capable of detecting an error when the noise suddenly occurs. However, in the case where it is determined that the interference exists by the differential comparison method, and the determination using the division comparison method is further performed, noise and the interference can be distinguished, so that error detection can be suppressed.

이와 같이, 수광부(46)로서 CCD 소자군을 이용하므로, 각 CCD 소자의 출력 신호를 식별할 수 있다. 따라서, 수광 영역(48) 내에 임의의 소영역을 설정할 수 있으므로, 기판 처리 장치(1)에서는 분할 영역 비교법을 이용해 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다. Thus, since the CCD element group is used as the light receiving part 46, the output signal of each CCD element can be distinguished. Therefore, since arbitrary small areas can be set in the light receiving area 48, the detection accuracy can be improved in the substrate processing apparatus 1 using the division area comparison method.

<1.4.7 광량 분포 검출법> <1.4.7 Light quantity distribution detection method>

간섭물이 존재하는 경우에 수광부(46)(수광 영역(48))에 입사하는 광량이 감소하는 것을 전제로 검출 처리를 행하면, 간섭물을 놓칠 가능성이 있다. 즉, 간섭물이 존재하더라도, 수광 영역(48)에서의 레이저광(L)의 광량이 감소하지 않는 경우도 있다. If the detection process is performed on the premise that the amount of light incident on the light receiving portion 46 (light receiving region 48) decreases when there is an interference, there is a possibility that the interference is missed. That is, even if an interference exists, the amount of light of the laser beam L in the light receiving region 48 may not decrease.

예를 들면, 간섭물의 높이(Z축 방향의 사이즈)가, 레이저광(L)의 단면(S)의 Z축 방향의 사이즈보다 작은 경우, 레이저광(L)은, 간섭물에 의해서 차폐되어 반사되는 부분(반사광)과, 간섭물에 영향받지 않고서 직진하는 부분(직접광)으로 분리된다. 그리고, 광로 길이가 다른 광(예를 들면, 반사광과 직접광)이 서로 간섭하면, 수광 영역(48)에 광의 간섭 줄무늬가 형성된다. For example, when the height (size in the Z-axis direction) of the interference is smaller than the size in the Z-axis direction of the cross section S of the laser light L, the laser light L is shielded by the interference and reflected. It becomes a part (reflected light) which becomes, and a part (direct light) which goes straight without being influenced by an interference material. When the light having different optical path lengths (for example, reflected light and direct light) interferes with each other, interference fringes of light are formed in the light receiving region 48.

도 12는, 간섭 줄무늬가 발생한 경우의 수광 가능 영역(47) 및 수광 영역(48)의 광량 분포를 예시하는 도면이다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 광의 간섭 현상이 발생하면, 레이저광(L)의 광도가 강화되는 영역이 형성되므로, 간섭물이 존 재함에도 불구하고, 수광 영역(48) 전체에 입사하는 광량은 충분히 감소하지 않은 상태로 된다. 12 is a diagram illustrating the light amount distribution of the light receiving region 47 and the light receiving region 48 when an interference fringe occurs. As shown in FIG. 12, when an interference phenomenon of light occurs, a region in which the luminous intensity of the laser light L is enhanced is formed. Thus, despite the presence of the interference, the amount of light incident on the entire light receiving region 48 is The state does not decrease enough.

이러한 상태를 더욱 상세히 설명한다. 이하, 수광 영역(48)은, X축 방향으로 X개의 CCD 소자, Z축 방향으로 Z개의 CCD 소자가 배열되어 배치되는 구조이고, (X×Z)개의 CCD 소자로 구성되어 있는 것으로 설명한다. 또한, 수광 영역(48)을 구성하는 CCD 소자 중, Z축 방향의 위치가 z의 X개의 CCD 소자로부터의 출력을 합산한 값을, 수광량 EVZ(z)로 한다. 수광량 EVZ(z)는, 수광 영역(48)에서의 Z축 방향의 광량 분포를 반영한 값이 된다. This state will be described in more detail. Hereinafter, the light receiving area 48 is a structure in which X CCD elements in the X-axis direction and Z CCD elements in the Z-axis direction are arranged and arranged, and is described as being composed of (X × Z) CCD elements. In the CCD elements constituting the light receiving region 48, the value obtained by adding up the outputs from the z-X CCD elements whose position in the Z-axis direction is z is taken as the light receiving amount EVZ (z). The light receiving amount EVZ (z) becomes a value reflecting the light amount distribution in the Z-axis direction in the light receiving region 48.

도 13은, 수광량 EVZ(z)에 대해서, 간섭물이 존재하는 경우와, 존재하지 않는 경우를 예시하는 도면이다. 도 13에 도시하는, 그래프 G1은 간섭물이 존재하지 않는 경우의 수광량 EVZ(z)를 나타내고, 그래프 G2는 간섭물이 존재하는 경우의 수광량 EVZ(z)를 나타낸다. FIG. 13 is a diagram illustrating a case where an interference object exists and a case where there is no light reception amount EVZ (z). The graph G1 shown in FIG. 13 shows the received light amount EVZ (z) when no interferences are present, and the graph G2 shows the received light amount EVZ (z) when the interferences are present.

그래프 G1를 보면 명백한 바와 같이, 간섭물이 존재하지 않는 경우, 수광량 EVZ(z)의 값은, z1 부근에서 급격히 상승한다(이하, z1과 같은 위치를「수광량 EVZ(z)의 피크 에지 위치」로 칭한다). As apparent from the graph G1, when there is no interference, the value of the received light amount EVZ (z) rapidly rises in the vicinity of z1 (hereinafter, the same position as z1 is referred to as the "peak edge position of the received light amount EVZ (z)"). Is called).

수광 영역(48)에서 Z축 방향의 위치가 낮은 영역(z의 값이 비교적 작은 영역)에서는, 레이저광(L)이 기판(90)에 의해서 차폐되므로, 수광량 EVZ(z)의 값은 비교적 작은 값이 된다. 또한, Z축 방향의 위치가 높은 영역(z의 값이 비교적 큰 영역)에서는, 레이저광(L)이 차폐되지 않고 수광 영역(48)에 입사하므로, 수광량 EVZ(z)의 값은 비교적 큰 값이 된다. In the region where the position in the Z-axis direction is low in the light receiving region 48 (region where the value of z is relatively small), since the laser light L is shielded by the substrate 90, the value of the light receiving amount EVZ (z) is relatively small. Value. In addition, in the region where the position in the Z-axis direction is high (the region where the value of z is relatively large), since the laser light L is incident on the light receiving region 48 without being shielded, the value of the light receiving amount EVZ (z) is a relatively large value. Becomes

따라서, Z축 방향에서의 수광량 EVZ(z)의 에지 위치는, 간섭물이 존재하지 않는 상태에서는, 기판(90)의 표면의 Z축 방향의 위치에 따라 거의 정해진다. 즉, 수광 영역(48)이 일단 설정되면, 기판(90)의 두께가 변화하지 않고, 또한, 간섭물이 존재하지 않는 한, 수광량 EVZ(z)의 에지 위치는 변화하지 않는다. Therefore, the edge position of the light-receiving amount EVZ (z) in the Z-axis direction is almost determined in accordance with the position in the Z-axis direction of the surface of the substrate 90 in the state where no interference is present. That is, once the light receiving region 48 is set, the edge position of the light receiving amount EVZ (z) does not change as long as the thickness of the substrate 90 does not change and there is no interference.

한편, 간섭물에 의해서 간섭 줄무늬가 발생하는 상태의 그래프 G2를 보면, 광의 간섭에 의해서, 수광량 EVZ(z)의 값에 복수의 피크(도 13에서는 z3, z4, z5의 위치)가 출현한다. 이들 피크에서는, 간섭물이 존재하지 않는 상태에서의 수광량 EVZ(z)의 최대치를 넘기 때문에, 결과적으로, 수광 영역(48) 전체에서의 수광량(수광량 EVZ(z)의 총량)은, 그래프 G1의 경우와 거의 변하지 않는다(간섭물이 존재함에도 불구하고 충분히 저하하지 않는다). On the other hand, looking at the graph G2 of the state where interference fringes are caused by the interference, a plurality of peaks (positions of z3, z4, z5 in FIG. 13) appear in the value of the received light amount EVZ (z) due to the interference of light. These peaks exceed the maximum value of the received light amount EVZ (z) in the state where no interference is present. As a result, the received light amount (total amount of the received light amount EVZ (z)) of the entire light receiving region 48 is determined by the graph G1. It is almost unchanged from the case (it does not degrade sufficiently despite the presence of interference).

그래서, 기판 처리 장치(1)의 제어부(7)는, 다른 검출 방법과 병행하여, 광량 분포 검출법을 이용한 검출도 한다. 광량 분포 검출법이란, 수광 영역(48)에서의 광량 분포를 검출하여, 간섭물이 존재하지 않는 경우의 광량 분포와 비교함으로써 간섭물을 검출하는 수법이다. Therefore, the control part 7 of the substrate processing apparatus 1 also detects using the light quantity distribution detection method in parallel with another detection method. The light quantity distribution detection method is a method of detecting an interference substance by detecting a light quantity distribution in the light receiving region 48 and comparing it with the light quantity distribution in the case where no interference substance exists.

존재하는 간섭물의 크기나 형상 등에 따라 간섭 줄무늬의 폭은 변화하기 때문에, 수광량 EVZ(z)의 피크 위치를 미리 예측할 수는 없다. 그러나, 간섭 줄무늬가 형성되는 경우, 기판(90)의 표면에 인접하는 영역에는, 반드시 암(暗) 줄무늬가 형성된다. 바꿔 말하면, 광의 간섭에 의해서 명암의 줄무늬가 형성되는 경우, 간섭물이 어떠한 것이라도, 수광량 EVZ(z)의 에지 위치는, (+Z) 방향으로 이동한다. 도 13에 도시하는 예에서는, 간섭물이 존재하지 않는 상태에서 z1에 있던 에지가, 간섭 줄무늬의 발생에 의해서 z2로 이동한다. Since the width of the interference fringe changes depending on the size, shape, etc. of the interference present, the peak position of the received light amount EVZ (z) cannot be predicted in advance. However, when an interference fringe is formed, a dark fringe is necessarily formed in a region adjacent to the surface of the substrate 90. In other words, when light and dark streaks are formed by the interference of light, the edge position of the received light amount EVZ (z) moves in the (+ Z) direction, whatever the interference. In the example shown in FIG. 13, the edge at z1 moves to z2 by generation | occurrence | production of an interference fringe in the state in which an interference | interference does not exist.

즉, 기판 처리 장치(1)에서는, 수광량 EVZ(z)를 연산하고, 그 에지 위치를 검출함으로써, 수광 영역(48)의 광량 분포를 검출한다. 그리고, 광량 분포의 검출 결과에 의거해, 간섭 줄무늬가 발생하는 것을 검출함으로써 간섭물을 검출한다. That is, in the substrate processing apparatus 1, light quantity distribution of the light receiving area 48 is detected by calculating light reception amount EVZ (z) and detecting the edge position. Then, based on the detection result of the light quantity distribution, the interference object is detected by detecting the occurrence of interference fringes.

구체적으로는, 우선, 간섭물이 존재하지 않는 경우의 수광량 EVZ(z)의 최대치에 따라서 임계치(Q)를 설정하고, Q<EVZ(z)가 되는 최소의 z를 구함으로써, 수광량 EVZ(z)의 피크 에지의 위치를 구한다(도 13에 도시하는 예에서의 z1). z1 및 임계치(Q)의 값은, 예를 들면, 수광 영역(48)을 설정할 때에 미리 구해 둘 수 있다.Specifically, first, the threshold value Q is set in accordance with the maximum value of the received light amount EVZ (z) in the absence of an interference, and the minimum z such that Q <EVZ (z) is obtained is obtained. The peak edge position (z1 in the example shown in FIG. 13). The value of z1 and the threshold Q can be calculated | required beforehand, for example when setting the light receiving area 48. FIG.

또한, 피크 에지의 위치가 예를 들면 z2로 검출되고, z1과 다른 위치에 있을 때에 간섭물을 검출했다고 판정해도 된다. In addition, when the position of a peak edge is detected as z2, for example, and you are in a different position from z1, you may determine that an interference | interference was detected.

제어부(7)는, 간섭물이 존재하지 않는 경우의 에지 위치(z1)에서의 수광량 EVZ(z1)를 연산하면서 임계치(Q)와 비교하여, EVZ(z1)＜Q가 된 경우에, 수광량 EVZ(z)의 에지 위치가 간섭 줄무늬에 의해서 이동했다고 판정하고, 간섭물을 검출했다고 판정한다. The control unit 7 compares the threshold value Q while calculating the light reception amount EVZ z1 at the edge position z1 when no interference is present, and when the EVZ z1 &lt; Q, the light reception amount EVZ It is determined that the edge position of (z) is moved by the interference fringe, and it is determined that the interference is detected.

이와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 광량 분포 검출법을 다른 수법과 별도로 실행하면서, 말하자면 2중으로 검출 처리를 행하므로, 간섭 줄무늬가 발생하는 경우와 같이, 수광 영역(48)에서의 수광량이 감소하지 않는 경우라도, 간섭물을 놓치지 않고 검출할 수 있다. As described above, the substrate processing apparatus 1 performs the detection processing in a double manner while performing the light quantity distribution detection method separately from other methods, so that the amount of received light in the light receiving region 48 decreases as in the case where interference fringes are generated. Even if not, the interference can be detected without missing it.

또한, 광량 분포 검출법에서 광량 분포(간섭 줄무늬가 생기는 것)를 검출하 는 수법은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 간섭의 발생에 의해서 수광량 EVZ(z)의 최대치가, 간섭이 발생하지 않는 상태의 최대치 이상으로 상승한 것을 검출해도 된다. 혹은, 검출 중에 실제의 에지 위치(도 13에서의 z2)를 검출하고, z1과 비교해도 된다. In addition, the method of detecting light quantity distribution (interference fringes generate | occur | produce) in the light quantity distribution detection method is not limited to this. For example, you may detect that the maximum value of the light-receiving quantity EVZ (z) rose above the maximum value of the state in which interference does not arise by generation | occurrence | production of interference. Alternatively, the actual edge position (z2 in FIG. 13) may be detected during detection and compared with z1.

이상과 같이, 기판 처리 장치(1)는, 2차원적인 수광 가능 영역(47)을 가지는 수광부(46)와, 수광부(46)와 대향하는 위치에 배치되고, 수광부(46)를 향해 레이저광(L)을 조사하는 투광부(45)와, 수광 가능 영역(47) 내에 수광 영역(48)을 설정하는 제어부(7)를 구비하고 있고, 제어부(7)가, 수광부(46)로부터의 출력 신호에 의거해, 이동 기구(5)에 의해 슬릿 노즐(41)이 이동할 때에, 슬릿 노즐(41)과 간섭할 가능성이 있는 물체를 검출함으로써, 투광부(45) 및 수광부(46)의 위치 조정이 용이하다. 또한, 수광부(46)가 촬상 소자인 CCD 소자에 의해서 구성되어 있으므로, 수광 가능 영역(47) 내의 각 위치에서의 광량을 식별할 수 있어, 임의의 수광 영역(48)을 설정할 수 있다. As mentioned above, the substrate processing apparatus 1 is arrange | positioned in the position which opposes the light-receiving part 46 which has the two-dimensional light-receivable area 47, and the light-receiving part 46, and is directed toward the light-receiving part 46 The light-transmitting part 45 which irradiates L) and the control part 7 which sets the light receiving area 48 in the light reception area 47 are provided, and the control part 7 outputs the output signal from the light reception part 46. On the basis of this, when the slit nozzle 41 moves by the moving mechanism 5, by detecting an object that may interfere with the slit nozzle 41, the position adjustment of the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 is performed. It is easy. Moreover, since the light receiving part 46 is comprised by the CCD element which is an imaging element, the quantity of light in each position in the light reception possible area 47 can be distinguished, and arbitrary light receiving area 48 can be set.

또한, 제어부(7)는, 수광 영역(48)을, 주사 방향의 폭이, Z축 방향의 폭보다도 넓어지도록 설정함으로써, 검출 사이클 시간이 길어져도, 검출 누설을 방지할 수 있다.Moreover, the control part 7 can set the light receiving area 48 so that the width | variety of a scanning direction may become wider than the width | variety of a Z-axis direction, and even if a detection cycle time becomes long, it can prevent detection leakage.

또한, 표시부(6)가, 수광부(46)로부터의 출력 신호에 의거해, 수광부(46)의 수광 상황을 표시함으로써, 간섭물의 검출 결과를 오퍼레이터가 용이하게 확인할 수 있다. In addition, the display unit 6 displays the light reception status of the light reception unit 46 based on the output signal from the light reception unit 46, whereby the operator can easily confirm the detection result of the interference.

또한, 투광부(45)가 이동 기구(5)에 의해서 이동하는 경우에서, 레이저광(L) 이 기판(90)의 단부를 통과하게 되기까지 동안, 레이저광(L)이 수광부(46)에 수광되지 않도록, 레이저광(L)을 차폐하는 차폐판(31)을 구비함으로써, 기판(90)의 단부를, 슬릿 노즐(41)에 간섭할 가능성이 있는 물체로서 오검출하는 것을 방지할 수 있다. In the case where the light transmitting portion 45 is moved by the moving mechanism 5, the laser light L is directed to the light receiving portion 46 while the laser light L passes through the end portion of the substrate 90. By providing the shielding plate 31 which shields the laser beam L so as not to receive light, it is possible to prevent the misdetection of the end of the substrate 90 as an object which may interfere with the slit nozzle 41. .

또한, 승강 기구(43, 44)는, 슬릿 노즐(41)을, 투광부(45) 및 수광부(46)와 독립하여, Z축 방향으로 이동시킨다. 이에 따라 기판 처리 장치(1)는, 슬릿 노즐(41)을 충분한 높이 위치로 퇴피시킨 채로 검출 처리만을 행하는 것이 가능하다. 일반적으로, 기판(90)의 단부 부근은, 기판(90)의 중앙부에 비해서, 간섭물을 놓치기 쉽다. 그러나, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 기판(90)의 단부로부터 도포 개시 위치까지의 사이에서, 슬릿 노즐(41)을, 기판(90)에 근접시키지 않고 이동시킬 수 있다. 따라서, 슬릿 노즐(41)과 간섭물과의 접촉을 억제할 수 있다. In addition, the lifting mechanisms 43 and 44 move the slit nozzle 41 in the Z-axis direction independently of the light transmitting part 45 and the light receiving part 46. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can perform only a detection process, leaving the slit nozzle 41 at a sufficient height position. In general, near the end portion of the substrate 90, interferences are more likely to be missed than in the central portion of the substrate 90. However, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment can move the slit nozzle 41 without approaching the substrate 90 from the end of the substrate 90 to the application start position. . Therefore, contact between the slit nozzle 41 and the interference can be suppressed.

또한, 수광 영역(48)의 Z축 방향의 폭은, 주사 방향으로 균일한 쪽이 바람직하다. 따라서, 본 실시의 형태에서의 수광 영역(48)과 같이, 그 형상은 직사각형인 것이 바람직하다. 그러나, 시간 △T을 길게 한다는 효과는, 수광 영역(48)의 주사 방향의 폭이, 슬릿 노즐(41)의 주사 속도에 대해 충분히 넓으면 되므로, 수광 영역(48)의 형상은 직사각형에 한정되는 것이 아니라, 예를 들면 장축을 주사 방향으로 하는 타원 등이어도 된다. Moreover, it is preferable that the width | variety of the Z-axis direction of the light receiving area 48 is uniform in a scanning direction. Therefore, like the light-receiving area 48 in the present embodiment, the shape is preferably rectangular. However, since the width | variety of the scanning direction of the light receiving area 48 should just be wide enough with respect to the scanning speed of the slit nozzle 41, the effect of lengthening time (DELTA) T is limited to the rectangle shape. Instead, for example, an ellipse or the like having the long axis in the scanning direction may be used.

<2. 제2 실시 형태> <2. Second embodiment>

기판 처리 장치에서의 간섭물(검출체)을 검출하는 수법은, 상기 제1 실시 형 태에 기재한 수법에 한정되는 것이 아니라, 이하에 설명하는 제2 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)가 채용하는 수법이어도 된다. The method of detecting the interference (detector) in the substrate processing apparatus is not limited to the method described in the first embodiment, but the substrate processing apparatus 1 in the second embodiment described below is The technique employed may be sufficient.

또한, 제2 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 거의 동일한 구성(도 1)을 구비한다. 따라서, 제2 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 설명에서, 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 동일한 구성에 대해서는 같은 부호를 붙여, 적절히 설명을 생략한다. In addition, the substrate processing apparatus 1 in 2nd Embodiment is equipped with the structure (FIG. 1) substantially the same as the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment. Therefore, in description of the substrate processing apparatus 1 in 2nd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected about the same structure as the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted suitably.

<2.1 구성의 설명> <2.1 Description of Configuration>

제2 실시 형태에서도, 수광 영역(48)에 배치되어 있는 CCD 소자는, 수광된 레이저광의 광량(수광량)을 제어부(7)에 출력한다. 제2 실시 형태에서는, 이하, 시각 t에서, 수광 영역(48)에 배치되어 있는 CCD 소자로부터 출력되는 수광량의 합산치를,「수광량 EV(t)」로 칭한다. 즉, CCD 소자는 소정의 주기(이하,「주기 T」라고 칭한다)마다 수광량 EV(nT)를 출력한다(n은 0 이상의 정수). Also in 2nd Embodiment, the CCD element arrange | positioned in the light reception area | region 48 outputs the light quantity (light reception amount) of the received laser beam to the control part 7. As shown in FIG. In the second embodiment, the sum of the received light amounts output from the CCD elements arranged in the light receiving region 48 at time t will be referred to as "light receiving amount EV (t)". That is, the CCD element outputs the received light amount EV (nT) every predetermined period (hereinafter referred to as "period T") (n is an integer of 0 or more).

도 14는, 제2 실시 형태에서의 투광부(45), 수광부(46) 및 차폐판(31)의 배치 관계와, 동작 확인 영역(E0), 차폐 영역(E1) 및 검사 영역(E2)을 도시하는 평면도이다. 도 5는, 스테이지(3)에 지지된 기판(90) 및 차폐판(31)의 배치 관계와, 동작 확인 영역(E0), 차폐 영역(E1) 및 검사 영역(E2)을 나타내는 측면도이다. FIG. 14: shows the arrangement relationship of the light transmission part 45, the light reception part 46, and the shielding plate 31 in 2nd Embodiment, operation confirmation area | region E0, shielding area | region E1, and test | inspection area | region E2. It is a top view which shows. FIG. 5: is a side view which shows arrangement | positioning relationship of the board | substrate 90 and the shielding plate 31 supported by the stage 3, operation confirmation area | region E0, shielding area | region E1, and inspection area | region E2.

또한, 차폐판(31)은, 기판(90)의 (+X) 방향 단부의 위치(기판(90)의 사이즈나 지지 위치 등에 따라 변화한다)에 따라, X축 방향의 단부 위치가 조정 가능(v)가 있다. 즉, 도 14에 도시하는 바와 같이, 차폐판(31)의 (-X)측의 단부와, 기판(90)의 (+X)측의 단부는, 그 X축 방향의 위치가 거의 동일하게 되도록 조정되어 있 다. In addition, the shielding plate 31 can adjust the position of the edge part of the X-axis direction according to the position (it changes with the size, support position, etc. of the board | substrate 90) of the edge part (+ X) direction of the board | substrate 90 ( v) That is, as shown in FIG. 14, the edge part at the (-X) side of the shielding plate 31 and the edge part at the (+ X) side of the board | substrate 90 are made so that the position of the X-axis direction may become substantially the same. It is adjusted.

후술하는 검사 영역(E2)은 기판(90) 윗쪽의 영역이므로, 이러한 조정에 의해, 검사 영역(E2)과 차폐 영역(E1)은 경계에서 서로 인접하는 영역이 된다. Since the inspection area E2 described later is an area above the substrate 90, by this adjustment, the inspection area E2 and the shielding area E1 are areas adjacent to each other at the boundary.

수광부(46)가 이동 기구(5)에 의해서 X축 방향으로 이동함으로써, 수광 영역(48)은, 동작 확인 영역(E0), 차폐 영역(E1) 및 검사 영역(E2)을 순차 이동한다. 바꿔 말하면, 수광 영역(48)은, 동작 확인 영역(E0), 차폐 영역(E1) 및 검사 영역(E2) 중 어느 것을 통과한 레이저광(L)을 수광한다. As the light receiving portion 46 moves in the X-axis direction by the moving mechanism 5, the light receiving region 48 sequentially moves the operation confirmation region E0, the shielding region E1, and the inspection region E2. In other words, the light receiving region 48 receives the laser light L passing through any one of the operation checking region E0, the shielding region E1, and the inspection region E2.

동작 확인 영역(E0)이란, 물체의 검출을 개시하기 전에, 수광 영역(48)이 배치되는 영역이다. 상세한 것은 후술하는데, 본 실시의 형태에서는, 동작 확인 영역(E0)을 향해 레이저광(L)을 조사함으로써, 투광부(45)에 의한 레이저광(L)의 조사가 개시된다. The operation confirmation area E0 is an area where the light receiving area 48 is disposed before the detection of an object is started. Although it mentions later in detail, in this embodiment, irradiation of the laser beam L by the light transmission part 45 is started by irradiating the laser beam L toward the operation confirmation area | region E0.

동작 확인 영역(E0)은, 도 14 및 도 15에 도시하는 바와 같이, 차폐판(31)보다 (+X) 방향으로 어긋난 위치에 있으므로, 동작 확인 영역(E0)을 향해 조사된 레이저광(L)은 차폐판(31)에 의해서 차폐되는 일은 없다. 따라서, 동작 확인 영역(E0)을 향해 조사된 레이저광(L)은, 수광부(46)의 수광 영역(48)에 입사한다. As shown in FIGS. 14 and 15, the operation confirmation region E0 is located at a position shifted in the (+ X) direction from the shielding plate 31, so that the laser beam L irradiated toward the operation confirmation region E0. ) Is not shielded by the shielding plate 31. Therefore, the laser beam L irradiated toward the operation confirmation region E0 is incident on the light receiving region 48 of the light receiving unit 46.

차폐 영역(E1)이란, 수광 영역(48)에 입사하는 레이저광(L)이 차폐판(31)에 의해서 차폐되는 영역이다. 바꿔 말하면, 투광부(45)에 의해서 차폐 영역(E1)을 향해 조사되는 레이저광(L)은, 차폐판(31)에 의해서 차폐된다. The shielding area E1 is an area where the laser light L incident on the light receiving area 48 is shielded by the shielding plate 31. In other words, the laser beam L irradiated toward the shielding area E1 by the light transmitting part 45 is shielded by the shielding plate 31.

본 실시의 형태에서는, 차폐판(31)의 X축 방향 및 Z축 방향의 사이즈는, 수광 영역(48)의 X축 방향 및 Z축 방향의 사이즈보다도 커지도록 설계되어 있다. 따 라서, 차폐 영역(E1)에서, 레이저광(L)은 수광부(46)에 의해서 수광되는 일은 없다. In the present embodiment, the size of the shielding plate 31 in the X-axis direction and the Z-axis direction is designed to be larger than the size of the light-receiving region 48 in the X-axis direction and the Z-axis direction. Therefore, in the shielding area E1, the laser beam L is not received by the light receiving part 46.

검사 영역(E2)이란, 기판(90)의 표면을 포함하는 영역이다. 본래, 검출해야 할 물체는, 정상적인 상태의 기판(90)의 표면보다도 (+Z) 방향의 영역에 존재한다. 그러나, 본 실시의 형태에서는, 기판(90)의 표면보다도 (-Z) 방향에 존재하는 영역도 검사 영역(E2)에 포함하도록 수광 영역(48)이 설정된다. The inspection area E2 is an area including the surface of the substrate 90. Originally, the object to be detected exists in the area of (+ Z) direction rather than the surface of the board | substrate 90 of a normal state. However, in the present embodiment, the light receiving region 48 is set so that the region present in the (-Z) direction from the surface of the substrate 90 is also included in the inspection region E2.

이와 같이 설정하는 주요 이유는 오퍼레이터의 작업 부담을 경감하기 위함이다. 즉, 수광 영역(48)이 기판(90)의 표면에 따르도록 엄밀히 설정하고자 하면, 수광 영역(48)의 설정(수광부(46)의 높이 조정)을 고정밀도로 해야하므로, 오퍼레이터의 부담이 증대하기 때문이다. 또한, 두께가 다른 기판(90)을 처리하고자 할 때에, 오퍼레이터는 수광 영역(48)을 재설정해야하므로, 오퍼레이터의 부담이 증대하기 때문이다. The main reason for setting in this way is to reduce the burden on the operator. That is, if the light receiving region 48 is to be strictly set so as to conform to the surface of the substrate 90, the setting of the light receiving region 48 (height adjustment of the light receiving portion 46) must be made with high accuracy, thereby increasing the burden on the operator. Because. In addition, since the operator must reset the light receiving region 48 when the substrate 90 having different thicknesses is to be processed, the burden on the operator increases.

본 실시의 형태에서의 제어부(7)는, 소정의 시간 간격 △t마다, 연산치 CV(t)를 구한다. 구체적으로는, 시각 t에서의 수광량 EV(t)과, △t 시간 전의 수광량 EV(t-△t)에 의거해, CV(t)= EV(t-△t)-EV(t)에 의해 연산치 CV(t)를 구한다. 단, EV(t-△t)-EV(t)≤0일 때는, CV(t)=0으로 한다. The control unit 7 in the present embodiment calculates the calculated value CV (t) for each predetermined time interval Δt. Specifically, based on the received light amount EV (t) at time t and the received light amount EV (t-Δt) before Δt time, CV (t) = EV (t−Δt) -EV (t) Find the operation value CV (t). However, when EV (t-Δt) -EV (t) ≤ 0, CV (t) = 0.

이에 따라, 시간 △t의 동안에 수광량 EV(t)가 감소한 경우에 연산치 CV(t)는 그 감소량에 따른 양의 값이 되어, 시간 △t의 동안에 수광량 EV(t)가 감소하지 않은 경우에 연산치 CV(t)는 「0」이 된다. 즉, 연산치 CV(t)는 시간 △t 동안의 수광량 EV(t)의 감소 상태를 나타내는 값이고, 시간 △t 간격으로 연산된다. Accordingly, when the received light amount EV (t) decreases during the time? T, the calculated value CV (t) becomes a positive value corresponding to the reduced amount, and when the received light amount EV (t) does not decrease during the time? T. The computed value CV (t) becomes "0". In other words, the calculated value CV (t) is a value indicating a reduced state of the received light amount EV (t) during the time Δt, and is calculated at time Δt intervals.

이와 같이, 시간 △t 간격으로 연산되는 연산치 CV(t)를 이용해 검출 처리를 하는 이점은, 노이즈의 영향을 억제하는 것에 있다. 일반적으로 노이즈는 일순간에만 생기는 것이므로, 연산치 CV(t)를 연산하는 순간에 노이즈가 발생하지 않으면, 그 이외의 순간에서 노이즈가 발생했다고 해도, 연산치 CV(t)가 노이즈의 영향을 받는 일은 없기 때문이다. In this way, the advantage of performing the detection process using the calculation value CV (t) calculated at the time Δt interval is to suppress the influence of noise. In general, since noise is generated only in one moment, if noise does not occur at the moment of calculating the calculated value CV (t), even if noise occurs at other moments, the calculated value CV (t) is affected by the noise. Because there is not.

한편, 검출해야 할 검출체는 X축 방향으로 반드시 폭이 있기 때문에, 수광 영역(48)이 이를 통과하는 동안(이하, 「통과 시간 △PT」로 칭한다), 레이저광(L)은 검출체에 의해서 차폐된다. 따라서, 검출체에 의해서 수광량 EV(t)가 감소하는 경우는, 노이즈에 의해 수광량 EV(t)가 감소하는 경우와 달리, 통과 시간 △PT의 동안, 수광량 EV(t)가 감소한 그대로의 상태로 된다.On the other hand, since the detector to be detected has a width in the X-axis direction, the laser beam L is applied to the detector while the light-receiving region 48 passes through it (hereinafter, referred to as "pass time ΔPT"). Is shielded by. Therefore, when the light receiving amount EV (t) is reduced by the detector, unlike the case where the light receiving amount EV (t) is reduced by noise, the light receiving amount EV (t) is reduced during the passage time DELTA PT. do.

즉, △PT＞△t가 되도록 시간 △t을 미리 설정해 놓으면, 연산치 CV(t)는 수광량 EV(t)가 감소하고 있는 동안에 연산된다. 따라서, 제어부(7)는 검출체에 의한 수광량 EV(t)의 감소 상태를 놓치지 않고 검출할 수 있다. That is, if the time Δt is set in advance so that ΔPT> Δt, the calculated value CV (t) is calculated while the received light amount EV (t) is decreasing. Therefore, the control part 7 can detect without missing the reduced state of the light reception amount EV (t) by a detection body.

또한, 통과 시간 △PT의 값은, 검출하고자 하는 최소의 검출체의 X축 방향의 사이즈와, 수광 영역(48)의 X축 방향의 사이즈와, 이동 기구(5)에 의한 이동 속도에 따라 구할 수 있다. 이동 속도는 도포 처리에서의 다양한 조건에 의해서 결정되기 때문에, 여기서는 소정치라고 간주할 수 있다. 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 수광 영역(48)의 X축 방향의 사이즈가 비교적 커지도록, 직사각형 레이저를 이용한다. 이에 따라, 스폿 레이저를 이용하는 경우에 비해서 통과 시간 △PT가 길어진다. In addition, the value of passing time (DELTA) PT is calculated | required according to the magnitude | size of the X-axis direction of the minimum to-be-detected object, the size of the X-axis direction of the light receiving area 48, and the moving speed by the moving mechanism 5 Can be. Since the moving speed is determined by various conditions in the coating treatment, it can be regarded as a predetermined value here. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, a rectangular laser is used so that the size of the light receiving region 48 in the X-axis direction is relatively large. As a result, the passage time DELTA PT is longer than in the case of using a spot laser.

통과 시간 △PT가 길어지면, 기판 처리 장치(1)는, 시간 △t를 비교적 큰 값으로 할 수 있다. 시간 △t는, 연산치 CV(t)를 연산하지 않으면 안되는 간격을 나타내는 값이므로, 이 값이 큰 쪽이 연산 빈도가 내려가, 연산을 위한 처리 시간을 충분히 확보할 수 있으므로, 연산 시간 초과에 의해 놓치는 비율이 저하한다. When the passage time DELTA PT is long, the substrate processing apparatus 1 can make the time DELTA t a relatively large value. Since the time Δt is a value indicating the interval at which the operation value CV (t) must be calculated, the larger the value, the lower the operation frequency and the sufficient processing time for the operation can be obtained. The rate of missing falls.

또한, 시간 △t의 값이 클수록, 노이즈 발생 시각과, 연산치 CV(t)를 연산하는 시각이 일치할 확률이 저하하기 때문에, 연산치 CV(t)에 대한 노이즈의 영향도 저하한다.In addition, the greater the value of the time Δt, the lower the probability that the noise occurrence time coincides with the calculation time of the calculation value CV (t), and therefore, the influence of noise on the calculation value CV (t) also decreases.

즉, 기판 처리 장치(1)는, 단면 S의 형상이 직사각형의 레이저광(L)을 채용함으로써, 스폿 레이저를 이용하는 경우에 비해서, 검출 정밀도가 향상된다. That is, the substrate processing apparatus 1 improves detection accuracy compared with the case of using a spot laser by employing a rectangular laser beam L in the shape of the cross-section S. FIG.

제어부(7)는, 연산치 CV(t)를 연산할 때에, 연산치 CV(t)와 임계치(후술하는 임계치(b))를 비교하여, 수광량 EV(t)가 임계치(b) 이상 감소한 것을 검출한다. 기판 처리 장치(1)에서, 투광부(45)로부터 떨어진 위치의 검출체를 검출하기 위해서, 검출 감도를 올린다고 해도(임계치(b)의 값을 저하시켰다), 연산치 CV(t)에서의 노이즈의 영향이 억제되어 있으므로, 노이즈에 의한 오류 검출을 억제할 수 있다. When calculating the calculated value CV (t), the control unit 7 compares the calculated value CV (t) with a threshold value (the threshold value b described later), indicating that the received light amount EV (t) has decreased by more than the threshold value b. Detect. In the substrate processing apparatus 1, even if the detection sensitivity is increased (decreased the value of the threshold value b) in order to detect the detector at a position away from the light transmitting portion 45, the noise at the calculated value CV (t). Since the influence of is suppressed, error detection by noise can be suppressed.

여기서, 수광량 EV(t)가 임계치(b) 이상 감소했는지 여부에 따라, 검출체의 유무를 판정하는 것도 물론 가능하다. Here, of course, it is also possible to determine the presence or absence of a detection body depending on whether the light reception amount EV (t) has decreased by more than the threshold value b.

그러나, 이 경우, 연산치 CV(t)를 연산했을 시에, 가끔 노이즈도 발생하면 오검출될 가능성이 있다. However, in this case, when the calculation value CV (t) is calculated, if noise sometimes occurs, there is a possibility that it is falsely detected.

또한, 이 경우, 검출 가능한 검출체의 사이즈를 작게 하고자 하면, 시간 △t 의 값을 작은 값으로 설정해야 하므로, 검출 정밀도가 저하하는 문제가 있다. 그 이유를 이하에 설명한다. In this case, if the size of the detectable object is to be made small, the value of the time Δt must be set to a small value, so that there is a problem that the detection accuracy is lowered. The reason is explained below.

통과 시간 △PT는, 엄밀하게는, 수광량 EV(t)가 감소중인 시간 △DT와, 수광량 EV(t)가 감소한 채로 일정한 상태인 시간 △CT과, 수광량 EV(t)가 상승 중인 시간 △IT와의 합계이다. The passing time DELTA PT is, strictly, the time DELTA DT during which the received light amount EV (t) is decreasing, the time DELTA CT during a constant state with the received light amount EV (t) decreasing, and the time DELTA IT during which the received light amount EV (t) is rising. The sum of and

여기서, 시간 △DT 및 시간 △IT는, 서로 거의 동일하게, 주로 검출체의 X축 방향의 사이즈와 이동 기구(5)에 의한 이동 속도에 따라 결정되는 값이다. 또한, 시간 △CT는 주로 수광 영역(48)의 X축 방향의 사이즈와 이동 기구(5)에 의한 이동 속도에 따라 정해지는 값이다. Here, time (DELTA) DT and time (DELTA) IT are substantially the same value, Comprising: It is a value mainly determined according to the magnitude | size of the X-axis direction of a detector, and the moving speed by the movement mechanism 5. In addition, time (DELTA) CT is a value mainly determined according to the magnitude | size of the light-receiving area 48 in the X-axis direction, and the moving speed by the moving mechanism 5.

이동 기구(5)에 의한 이동 속도는 전술과 같이 소정치로 간주할 수 있으므로, 수광량 EV(t)가 감소 중인 시간 △DT, 및 수광량 EV(t)가 상승 중인 시간 △IT는 작은 검출체일수록 작은 값이 된다. Since the moving speed by the moving mechanism 5 can be regarded as a predetermined value as described above, the smaller the detection body, the smaller the detection time of the time DELTA DT during which the received light amount EV (t) and the time DELTA IT during the rise of the received light amount EV (t) are smaller. It is a small value.

한편, 연산치 CV(t)는, 시간 △t의 동안의 수광량 EV(t)의 감소량이므로, 대체로 시간 △DT의 동안 이외는 「0」이 된다. 즉, 수광 영역(48)의 X축 방향의 사이즈를 크게 함으로써 시간 △CT를 길게 했다고 해도, 이 동안, 수광량 EV(t)는 변화하지 않으므로, 연산치 CV(t)는 「0」이다. 따라서, 적어도 시간 △DT의 동안에, 연산치 CV(t)를 연산하지 않으면, 수광량 EV(t)의 감소 상태를 놓치게 된다. On the other hand, since the calculated value CV (t) is a decrease amount of the received light amount EV (t) during the time Δt, the calculated value CV (t) is generally "0" except during the time ΔDT. That is, even if the time ΔCT is lengthened by increasing the size of the light receiving region 48 in the X-axis direction, the received light amount EV (t) does not change during this time, so the calculated value CV (t) is “0”. Therefore, if the calculation value CV (t) is not calculated during at least the time DELTA DT, the reduced state of the received light amount EV (t) is missed.

즉, 시간 △t에 대해서는, △PT>△DT>△t의 관계인 것이 바람직하고, 작은 검출체는 시간 △DT가 짧기 때문에, 작은 검출체를 검출하고자 하면 시간 △t의 값도 작은 값인 것이 요구된다. 바꿔 말하면, 검출 정밀도를 향상시키기 위해서 작 은 검출체를 검출하고자 하면, 연산치 CV(t)를 연산하는 간격인 시간 △t을 짧게 설정할 필요가 있고, 이에 따라 반대로 연산치 CV(t)에 관해서 노이즈의 영향이 증대하는 것이다. That is, it is preferable that the time? T is a relationship of? PT>? DT>? T, and since the small detector has a short time? DT, it is required that the value of the time? T is also small when the small detector is to be detected. do. In other words, in order to detect a small detector in order to improve detection accuracy, it is necessary to shorten the time Δt, which is an interval for calculating the calculation value CV (t), and conversely, the calculation value CV (t) The influence of noise is increased.

그래서, 기판 처리 장치(1)의 제어부(7)는, 시간 △t의 값을 비교적 작은 값으로 설정하고, 시간 △t의 동안에 수광량 EV(t)가 임계치(b) 이상으로 감소한 것을, 노이즈에 의한 경우도 포함시켜 검출한다. 그 대신, 상기 감소 상태의 계속 상황에 의거해, 수광량 EV(t)의 감소 상태가 노이즈에 의해서 생긴 것인지, 검출체에 의해서 생긴 것인지를 판정하여, 검출체를 검출한다. Therefore, the control part 7 of the substrate processing apparatus 1 sets the value of time (DELTA) t to a comparatively small value, and the noise received amount EV (t) decreased more than the threshold value b over the time (DELTA) t. It is also detected by including. Instead, based on the continuation of the reduced state, it is determined whether the reduced state of the received light amount EV (t) is caused by noise or by the detector, and detects the detector.

본 실시의 형태에서의 제어부(7)는, 연산치 CV(t)가 임계치(b) 이상인 것을 검출하면, 이때의 수광량 EV(t)를 기억 장치에 기억한다. 그리고, 그 시각(t)에서 시간 △T만큼 경과했을 시의 수광량 EV(t+△T)이, 기억해 놓은 수광량 EV(t) 이하인 경우에, 수광량 EV(t)의 감소 상태가 계속된다고 판정하여, 검출체를 검출했다고 판정한다. When the control part 7 detects that the calculated value CV (t) is equal to or larger than the threshold value b, the control unit 7 stores the received light amount EV (t) at this time in the storage device. Then, when the received light amount EV (t + ΔT) at the time t passes by the time ΔT is equal to or less than the stored light received amount EV (t), it is determined that the reduced state of the received light amount EV (t) continues, It is determined that the detector is detected.

전술과 같이, 시간 △t의 값을 비교적 작은 값으로 설정하면, 노이즈에 의해, 시간 △t의 동안에 수광량 EV(t)가 임계치(b) 이상으로 감소하는 상태가 빈발하는데, 이를 검출체로 오인하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 시간 △t를 비교적 작은 값으로 설정함으로써, 비교적 작은 검출체를 검출할 수 있도록 한 경우라도, 오류 검출을 증가시키지 않는다. 이하, 설명의 형편 상, 이렇게 하여 검출체를 검출하는 처리를 「제1 검출 처리」라고 칭한다. As described above, when the value of the time Δt is set to a relatively small value, a state in which the received light amount EV (t) decreases more than the threshold b during the time Δt is frequently caused by noise, which is mistaken for a detector. Can be prevented. Therefore, the substrate processing apparatus 1 does not increase the error detection even when the relatively small value can be detected by setting the time? T to a relatively small value. Hereinafter, for the convenience of explanation, the process of detecting the detector in this way is referred to as "first detection process".

즉, 제어부(7)는, 본 발명에서의 제1 검출 수단에 상당하는 기능을 갖고 있 다. 또한, 수광량 EV(t)의 감소 상태의 계속 상황은, 시간 △CT가 경과하기 전(수광량 EV(t)가 상승을 시작하기 전)에 확인하는 것이 바람직하므로, 시간 △T의 값은, △CT>△T를 만족하는 값으로서 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 시간 △T는, 연산 간격이므로, 비교적 큰 값으로 설정하는 것이 바람직하다. That is, the control part 7 has a function corresponding to the 1st detection means in this invention. In addition, since it is preferable to confirm the continuing state of the reduced state of the light reception amount EV (t) before time (DELTA) CT passes (before the light reception amount EV (t) starts rising), the value of time (DELTA) T is (triangle | delta). It is preferable to set it as a value satisfying CT> ΔT. In addition, since time (DELTA) T is a calculation interval, it is preferable to set it to a comparatively large value.

본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 단면 S의 형상이 직사각형의 레이저광(L)을 이용하고 있으므로, 시간 △CT가 스폿 레이저에 비해서 길다. 따라서, 시간 △T의 값으로서 비교적 큰 값을 설정할 수 있으므로, 검출 정밀도가 향상된다. In the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment, since the shape of the cross-section S uses a rectangular laser light L, the time ΔCT is longer than that of the spot laser. Therefore, since a relatively large value can be set as the value of time [Delta] T, detection accuracy is improved.

또한, 수광량 EV(t)의 감소 상태의 계속 상황은, 연산치 CV(t)가 임계치(b) 이상이 되고 나서 시간 △T의 동안에 출력되는 수광량 EV(t)를 적분한 값과, 소정의 임계치를 비교함으로써 판정해도 된다. 혹은, 수광량이 감소하기 전의 수광량 EV(t-△t)과, 수광량 EV(t+△T)를 비교해도 된다. 혹은, 연산치 CV(t)가 임계치(b) 이상으로 되었을 시의 수광량 EV(t)와 수광량 EV(t+△T)를 직접 비교하는 것이 아니라, 연산치 CV(t)가 임계치(b) 이상으로 되었을 시의 수광량 EV(t)의 값에 따라 설정되는 임계치와 비교해도 된다. Further, the continuation of the reduced state of the received light amount EV (t) includes a value obtained by integrating the received light amount EV (t) output during the time ΔT after the calculated value CV (t) becomes greater than or equal to the threshold b, and a predetermined value. You may determine by comparing a threshold value. Alternatively, the light receiving amount EV (t−Δt) before the light receiving amount decreases may be compared with the light receiving amount EV (t + ΔT). Alternatively, the calculated value CV (t) is greater than or equal to the threshold b, not directly comparing the received light quantity EV (t) and the received amount EV (t + ΔT) when the calculated value CV (t) is equal to or larger than the threshold b. You may compare with the threshold set according to the value of the light reception amount EV (t) at the time of becoming.

또한, 연산치 CV(t)의 값은, 수광량 EV(t)가 일정, 혹은 상승하는 동안은 「0」이다. 즉, 수광량 EV(t)가 변화하는 경우에는, 수광량 EV(t)가 증가하는 경우도 생각할 수 있지만, 이 경우도 연산치 CV(t)는「0」이다. 따라서, 제어부(7)가 연산치 CV(t)를 감시했다고 해도, 이에 따라 수광량 EV(t)의 값이 상승하는 경우를 검출하는 것은 불가능하다. 그러나, 수광량 EV(t)에 의해서 검출체의 검출을 행하 는 수법에서는, 검출체가 존재하면 레이저광(L)은 해당 검출체에 의해서 차폐되어, 수광량 EV(t)는 감소한다고 생각되므로, 반대로 수광량 EV(t)가 상승하는 상태를 검출할 필요는 없다. In addition, the value of the calculated value CV (t) is "0" while the received light amount EV (t) is constant or rises. That is, when the light reception amount EV (t) changes, the case where the light reception amount EV (t) increases may be considered, but also in this case, the calculated value CV (t) is "0". Therefore, even if the control part 7 monitors the calculated value CV (t), it is impossible to detect the case where the value of the received light quantity EV (t) rises accordingly. However, in the method of detecting the detector by the received light amount EV (t), if the detector is present, the laser light L is shielded by the detector, and the received light amount EV (t) is thought to decrease, so the amount of received light is reversed. It is not necessary to detect the state in which the EV (t) rises.

제어부(7)는, 수광량 EV(t)를 소정의 임계치(후술하는 임계치(c))와 비교함으로써, 수광량 EV(t)가 임계치(c)보다도 작은 경우에도, 검출체를 검출했다고 판정한다. 이하, 설명의 형편상, 이와 같이 하여 검출체를 검출하는 처리를 「제2 검출 처리」라고 칭한다. The control unit 7 compares the received light amount EV (t) with a predetermined threshold (threshold value c to be described later), and determines that the detector has been detected even when the received light amount EV (t) is smaller than the threshold c. Hereinafter, for the convenience of explanation, the process of detecting the detector in this manner is referred to as "second detection process".

즉, 제어부(7)는, 본 발명에서의 제2 검출 수단에 상당하는 기능을 갖고 있다. That is, the control part 7 has a function corresponding to the 2nd detection means in this invention.

여기서, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서는, 임계치(c)의 값을 비교적 작은 값으로 설정한다. 이에 따라 수광량 EV(t)가 크게 감소하지 않는 한, 수광량 EV(t)는 임계치(c)보다도 작아지는 일은 없으므로, 통상의 노이즈 정도에서는, 임계치(c)에 의해서, 오검출이 발생하는 일이 없다. Here, in the substrate processing apparatus 1 in this embodiment, the value of the threshold value c is set to a comparatively small value. As a result, unless the amount of received light EV (t) decreases significantly, the amount of received light EV (t) does not become smaller than the threshold c. Therefore, at the normal noise level, false detection occurs due to the threshold c. none.

제어부(7)가 제1 검출 처리에 의해서 검출체를 검출하는 경우, 보지 못하고 놓치는 것을 방지하기 위해서는, 전술과 같이 △DT＞△t인 것이 필요하다. 그러나, 검출체의 X축 방향의 사이즈가, 검출 가능 사이즈보다 작은 경우, 실제의 시간 △DT는 예측보다도 작아지고, 미리 설정되어 있는 시간 △t에 대해, △DT＜△t로 되는 일도 있다. 이 경우, 예를 들어, 검출체의 Z축 방향의 사이즈가 크더라도 못보고 놓칠 가능성이 있어, 슬릿 노즐(41)과 검출체의 간섭을 회피하는 데에 있어서 문제가 될 수 있다. In the case where the control unit 7 detects the detector by the first detection process, in order to prevent it from being missed, it is necessary that ΔDT> Δt as described above. However, when the size of the detector in the X-axis direction is smaller than the detectable size, the actual time DELTA DT becomes smaller than the prediction, and may be DELTA DT <DELTA t for the preset time DELTA t. In this case, for example, even if the size of the detector in the Z-axis direction is large, it may be missed, and this may be a problem in avoiding interference between the slit nozzle 41 and the detector.

그래서, 제어부(7)는, 제1 검출 처리와 제2 검출 처리를 병행하여 실행함으로써, 제1 검출 처리에 의해서 검출체를 검출하는 것이 불가능한 경우라도, 수광 영역(48)이 충분히 차폐되어, 수광량 EV(t)가 노이즈에 의해서 감소하는 경우에 비해서 작아진 경우에는, 검출체를 검출했다고 판정한다. Therefore, the control part 7 performs a 1st detection process and a 2nd detection process in parallel, and even when it is impossible to detect a detection body by a 1st detection process, the light receiving area 48 is fully shielded, and the light reception amount is received. When EV (t) becomes small compared with the case where it decreases by noise, it determines with detecting a detector.

이에 따라, X축 방향의 사이즈는 작지만, Z축 방향의 사이즈가 큰 물체를, 놓치지 않고, 검출할 수 있다. 따라서, 검출 정밀도가 향상된다. As a result, an object having a small size in the X-axis direction but having a large size in the Z-axis direction can be detected without being missed. Therefore, the detection accuracy is improved.

제어부(7)는, 검출체를 검출한 경우에는, 수광부(46)의 수광 상태 및 경고 메시지 등을 표시부(6)에 표시하는 동시에, 이동 기구(5)를 제어함으로써, 슬릿 노즐(41)과 간섭물(검출체)과의 접촉을 회피하거나, 혹은 도포 처리가 불량 처리로 되는 것을 방지한다. When the control unit 7 detects the detection object, the control unit 7 displays the light receiving state of the light receiving unit 46, a warning message, and the like on the display unit 6, and controls the moving mechanism 5 to thereby control the slit nozzle 41. Contact with an interference object (detector) is avoided, or the coating treatment is prevented from becoming a defective treatment.

이상이 제2 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 구성 및 기능의 설명이다. The above is description of the structure and function of the substrate processing apparatus 1 in 2nd Embodiment.

<2.2 조정 작업> <2.2 Adjustment Operation>

제2 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 동일한 순서에 의해서 조정하는 것이 가능하므로, 설명을 생략한다. Since the substrate processing apparatus 1 in 2nd Embodiment can be adjusted by the same procedure as the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted.

<2.3 동작의 설명> <2.3 Explanation of Operation>

다음에, 제2 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 동작에 관해서 설명한다. 또한, 이하에 도시하는 각 부의 동작 제어는 특별히 양해를 얻지 않는 한 제어부(7)에 의해 행해진다. Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 in the second embodiment will be described. In addition, operation control of each part shown below is performed by the control part 7 unless there is particular understanding.

기판 처리 장치(1)에서는, 오퍼레이터 또는 도시하지 않은 반송 기구에 의해, 소정의 위치에 기판(90)이 반송됨으로써, 레지스트액을 기판(90)의 도포 영역 에 도포하는 처리가 개시된다. 여기서, 도포 영역이란, 기판(90)의 표면 중에 레지스트액을 도포하고자 하는 영역으로서, 통상, 기판(90)의 전체 면적으로부터, 가장자리에 따른 소정폭의 영역을 제외한 영역이다. In the substrate processing apparatus 1, the process of apply | coating a resist liquid to the application | coating area | region of the board | substrate 90 is started by conveying the board | substrate 90 to a predetermined position by an operator or a conveyance mechanism not shown. Here, the application | coating area | region is an area | region which is going to apply | coat a resist liquid on the surface of the board | substrate 90, and is the area | region except the area | region of the predetermined width along the edge from the whole area of the board | substrate 90 normally.

또한, 기판(90)이 반출입될 때, 슬릿 노즐(41)은 반송되는 기판(90)과 간섭하지 않도록, 퇴피 위치에 대기한다. 이에 따라, 투광부(45) 및 수광부(46)도 퇴피 위치에 대기한다. Moreover, when the board | substrate 90 is carried in and out, the slit nozzle 41 waits in a retracted position so that it may not interfere with the board | substrate 90 conveyed. Accordingly, the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 also stand by in the retracted position.

또한, 처리를 개시하기 위한 지시는, 기판(90)의 반송이 완료한 시점에서, 오퍼레이터가 조작부를 조작함으로써 입력되어도 된다. In addition, the instruction for starting a process may be input by the operator operating the operation part at the time when conveyance of the board | substrate 90 is completed.

처리가 개시되면, 스테이지(3)가 지지면(30) 상의 소정의 위치에 반입된 기판(90)을 흡착하여 지지한다. 다음에, 이동 기구(5)의 리니어 모터(50)가 투광부(45) 및 수광부(46)를 처리 개시 위치에 이동시킨다. 또한, 처리 개시 위치란, 투광부(45)와 수광부(46)의 대향선(레이저광(L)이 조사된 경우의 광축이 되는 선)이 기판(90)의 윗쪽을 통과하지 않는 위치로서, 본 실시의 형태에서는, 수광부(46)의 수광 영역(48)이 동작 확인 영역(E0)에만 포함되는 위치이다. When the process is started, the stage 3 adsorbs and supports the board | substrate 90 carried in in the predetermined position on the support surface 30. Next, the linear motor 50 of the movement mechanism 5 moves the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 to the processing start position. In addition, a process start position is a position which the opposing line (line which becomes an optical axis when the laser beam L is irradiated) of the light transmission part 45 and the light reception part 46 does not pass the upper part of the board | substrate 90, In the present embodiment, the light receiving region 48 of the light receiving portion 46 is a position included only in the operation confirmation region E0.

전술과 같이, 이동 기구(5)는, 슬릿 노즐(41), 투광부(45) 및 수광부(46)를 상대 위치를 바꾸지 않고, 일체적으로 X축 방향으로 이동시킨다. 따라서, 이동 기구(5)가, 투광부(45) 및 수광부(46)를 퇴피 위치로부터 처리 개시 위치까지 이동시키면, 동시에 가교 구조(4)도 X축 방향으로 이동한다. As mentioned above, the movement mechanism 5 moves the slit nozzle 41, the light transmission part 45, and the light receiving part 46 integrally in the X-axis direction, without changing a relative position. Therefore, when the movement mechanism 5 moves the light transmission part 45 and the light reception part 46 from a retracted position to a process start position, the bridge | crosslinking structure 4 will also move to an X-axis direction at the same time.

그러나, 이때의 슬릿 노즐(41)은, 승강 기구(43, 44)에 의해서 충분한 고도를 유지하고 있으므로, 예를 들어, 이 동안에 슬릿 노즐(41)이 기판(90)의 윗쪽을 통과하였다고 해도, 슬릿 노즐(41)이 검출체와 접촉하는 일은 없다. However, since the slit nozzle 41 at this time maintains a sufficient altitude by the lifting mechanisms 43 and 44, even if the slit nozzle 41 passed through the upper part of the board | substrate 90 during this, The slit nozzle 41 does not come into contact with the detector.

투광부(45) 및 수광부(46)가 처리 개시 위치에 이동하면, 투광부(45)는 레이저광(L)의 조사를 개시한다. 이 이후, 조사를 정지하기까지, 투광부(45)에 의한 레이저광(L)의 조사는 계속된다. When the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 move to the processing start position, the light transmitting part 45 starts irradiation of the laser light L. As shown in FIG. After this, irradiation of the laser beam L by the light projecting portion 45 continues until the irradiation is stopped.

처리 개시 위치에서 조사된 레이저광(L)은, 동작 확인 영역(E0)에만 조사되므로, 차폐판(31)에 차폐되지 않고 수광 영역(48)에 입사한다. 또한, 이때의 레이저광(L)은 기판(90)에 의해서 차폐되지도 않으므로, 수광 영역(48)에 입사하는 레이저광(L)의 광량(수광량 EV(t))은 최대치가 된다. Since the laser beam L irradiated at the processing start position is irradiated only to the operation confirmation region E0, the laser beam L is incident on the light receiving region 48 without being shielded by the shielding plate 31. In addition, since the laser beam L at this time is not shielded by the board | substrate 90, the light quantity (light reception amount EV (t)) of the laser beam L which enters into the light receiving area 48 becomes the maximum value.

제어부(7)는, 이때의 수광량 EV(t)를, 미리 설정한 임계치(a)와 비교함으로써, 투광부(45)와 수광부(46)가 어느 것이나 정상으로 동작하고 있는지 여부를 판정한다. 구체적으로, 수광량 EV(t)가 임계치(a) 이상인 경우에는「정상」으로 판정하고, 수광량 EV(t)가 임계치(a)보다도 작은 경우에는「동작 이상」으로 판정한다. The control part 7 compares the light reception amount EV (t) at this time with the threshold value a preset, and determines whether the light transmission part 45 and the light reception part 46 are operating normally. Specifically, when the received light amount EV (t) is greater than or equal to the threshold a, it is determined as "normal", and when the received light amount EV (t) is smaller than the threshold a, it is determined as "operation abnormality".

이와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 검사를 개시하기 전에, 말하자면 초기값(EV1)을 확인하는 처리를 실행함으로써, 투광부(45) 및 수광부(46)의 동작 상태를 판정한다. In this way, the substrate processing apparatus 1 determines the operating states of the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 by executing a process of checking the initial value EV1 as it were before the inspection starts.

이에 따라 투광부(45)로부터 레이저광(L)이 조사되지 않는 경우(예를 들면 반도체 레이저가 고장난 경우)나, 투광부(45)와 수광부(46)와의 위치 관계가 어긋나버린 경우, 혹은 수광부(46)의 CCD 소자의 고장 등의 이상 상태를 검출할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 검사 환경이 이상한 상태 그대로 검사가 행해 지는 것을 방지할 수 있으므로, 검출 정밀도가 향상된다. As a result, when the laser light L is not irradiated from the light projecting portion 45 (for example, the semiconductor laser is broken), or the positional relationship between the light projecting portion 45 and the light receiving portion 46 is shifted, or the light receiving portion An abnormal state such as a failure of the CCD element (46) can be detected. Therefore, since the board | substrate processing apparatus 1 can prevent a test | inspection to be performed in the abnormal state of an inspection environment, detection accuracy improves.

또한, 임계치(a)는, 예를 들면, 수광 영역(48)을 설정했을 시에, 수광부(46)로부터 출력되는 수광량에 의거해 설정하고, 기억시켜 둘 수 있다.In addition, the threshold a can be set and stored based on the light reception amount output from the light reception part 46, for example, when the light reception area | region 48 is set.

처리 개시 위치에서, 동작 상태 「정상」으로 판정하면, 제어부(7)는, 이동 기구(5)를 제어하고, 투광부(45) 및 수광부(46)의 (-X) 방향으로의 이동을 개시시킨다. 이에 따라, 수광 영역(48)은, (-X) 방향으로 연속적으로 이동한다. 또한, 이 이동을 개시하는 시각을 이하,「시각 t0」으로 표시한다. When it determines with the operation state "normal" in a process start position, the control part 7 controls the movement mechanism 5, and starts the movement to the (-X) direction of the light transmission part 45 and the light reception part 46. Let's do it. As a result, the light receiving region 48 continuously moves in the (-X) direction. In addition, the time which starts this movement is represented by "time t0" hereafter.

또한, 제어부(7)는, 이 이동의 개시와 함께, 제1 검출 처리를 개시한다. 즉, 제어부(7)는, 제1 검출 처리를 시각 t0에 개시한다. 단, 실제 검사를 개시하는 시각(이하,「시각 ts」로 표시한다)까지는, 예를 들어, 제1 검출 처리에 의해서 검출체를 검출한 경우라도, 후술하는 바와 같이 이를 검출체로 간주하지 않는다. 또한, 시각 ts는, 시각 t0으로부터의 경과 시간에 의거해 결정되는 시각으로서, 이동이 개시된 시점(시각 t0이 결정된 시점)에서, 필요한 조건에 따라, 미리 정확하게 예정되는 시각이다. Moreover, the control part 7 starts a 1st detection process with the start of this movement. That is, the control unit 7 starts the first detection process at time t0. However, even when the detection object is detected by the first detection process until the time at which the actual inspection is started (hereinafter, denoted by "time ts"), this is not regarded as a detection object, as described later. The time ts is a time determined based on the elapsed time from the time t0, and is a time that is accurately scheduled in advance according to the necessary conditions at the time when the movement is started (the time t0 is determined).

도 16은 수광 영역(48)이 동작 확인 영역(E0)에 포함되는 상태로부터 검사 영역(E2)에 포함되는 상태로 이동하기까지의 수광량 EV(t)의 변화를 예시하는 도면이다. 여기에 나타내는 예에서는, 수광량 EV(t)의 최대치를「EV1」, 동작 확인을 종료하는 시각을「te」로 한다. FIG. 16 is a diagram illustrating a change in the received light amount EV (t) from the state in which the light receiving region 48 is included in the operation confirmation region E0 to the state included in the inspection region E2. In the example shown here, let the maximum value of the light-receiving amount EV (t) be "EV1", and the time to complete | finish operation confirmation is "te".

시각 t0으로부터 시각 t1까지의 동안, 수광 영역(48)은 동작 확인 영역(E0)에만 포함된다. 이 동안, 레이저광(L)은 차폐되지 않고 수광부(46)에 입사하므로, 수광량 EV(t)는 최대치「EV1」에서 일정하다. During the time t0 to the time t1, the light receiving area 48 is included only in the operation confirmation area E0. In the meantime, since the laser light L is incident on the light receiving portion 46 without being shielded, the light receiving amount EV (t) is constant at the maximum value "EV1".

시각 t1으로부터 시각 t2까지의 사이(시간 △DT에 상당한다), 수광 영역(48)은 동작 확인 영역(E0)과 차폐 영역(E1)의 양쪽에 포함된다. 이 동안, 차폐되는 부분이 서서히 증가하기 때문에, 수광량 EV(t)는 서서히 저하한다. Between the time t1 and the time t2 (corresponding to the time ΔDT), the light receiving area 48 is included in both the operation confirmation area E0 and the shielding area E1. During this time, since the portion to be shielded gradually increases, the light receiving amount EV (t) gradually decreases.

시각 t2로부터 시각 t3까지의 사이(시간 △CT에 상당한다), 수광 영역(48)은 차폐 영역(E1)에만 포함된다. 이 동안, 레이저광(L)은 수광 영역(48)의 모든 위치에서 차폐되기 때문에, 수광량 EV(t)는 최저치「0」에서 일정하다. Between time t2 and time t3 (corresponding to time ΔCT), the light receiving region 48 is included only in the shielding region E1. In the meantime, since the laser beam L is shielded at all the positions of the light receiving area 48, the light receiving amount EV (t) is constant at the minimum value "0".

또한, 기판 처리 장치(1)에서는, 차폐판(31)의 위치와 사이즈, 및 이동 기구(5)에 의한 이동 속도에 의거해, 시각 t2로부터 시각 t3까지의 사이에, 시각(te) 및 시각(ts)이 경과하도록 구성되어 있다. 바꿔 말하면, 수광 영역(48)의 전체가 차폐판(31)에 의해서 차폐된 상태로 되고 나서 동작 확인 처리를 종료하고, 수광 영역(48)이 검사 영역(E2)에 포함되는 상태로 되기 전에, 검사를 개시한다. 차폐판(31)은 수광 영역(48)에 비해서 충분히 X축 방향의 사이즈가 크기 때문에, 이러한 조건을 만족하는 시각(te) 및 시각(ts)은 용이하게 결정할 수 있다. In the substrate processing apparatus 1, the time te and the time between the time t2 and the time t3 based on the position and size of the shielding plate 31 and the moving speed by the moving mechanism 5. (ts) is configured to pass. In other words, after the entire light receiving region 48 is in a state of being shielded by the shielding plate 31, the operation check processing is finished, and before the light receiving region 48 is included in the inspection region E2, Initiate the inspection. Since the shielding plate 31 is sufficiently large in the X-axis direction compared with the light receiving region 48, the time te and the time ts satisfying these conditions can be easily determined.

도 16으로 되돌아가, 시각 t3으로부터 시각 t4까지의 사이(시간 △IT에 상당한다), 수광 영역(48)은 차폐 영역(E1)과 검사 영역(E2)의 양쪽에 포함된다. 이 동안, 차폐되는 부분이 서서히 감소하기 때문에, 수광량 EV(t)은 서서히 상승한다. Returning to FIG. 16, between the time t3 and the time t4 (corresponding to the time ΔIT), the light receiving area 48 is included in both the shielding area E1 and the inspection area E2. During this time, since the portion to be shielded decreases gradually, the received light amount EV (t) gradually rises.

시각 t4 이후, 수광 영역(48)은 검사 영역(E2)에만 포함된다. 따라서, 검출체가 존재하지 않는 정상 상태이면, 수광량 EV(t)은 일정하게 된다. 단, 검사 영역(E2)에서는, 수광 영역(48)이 기판(90)에 의해서 일부 차폐되기 때문에, 수광 량 EV(t)는 최대치 「EV1」보다 낮은 값 「EV2」으로 된다. After the time t4, the light receiving area 48 is included only in the inspection area E2. Therefore, in the steady state in which the detector is not present, the light receiving amount EV (t) becomes constant. However, in the inspection area E2, since the light receiving area 48 is partially shielded by the substrate 90, the light receiving amount EV (t) becomes a value "EV2" lower than the maximum value "EV1".

도 17은 도 16에 도시하는 예에서의 제어부(7)에 의한 연산치 CV(t)의 변화를 예시하는 도면이다. 전술과 같이, 제어부(7)는, 시각 t0에 제1 검출 처리를 개시하므로, 시각 t0(보다 자세히는, 시각 t0+△t) 이후, 제어부(7)에 의해서 연산치 CV(t)가 연산된다. 17 is a diagram illustrating a change in the calculated value CV (t) by the control unit 7 in the example shown in FIG. 16. As described above, since the control unit 7 starts the first detection process at time t0, the calculated value CV (t) is calculated by the control unit 7 after time t0 (more specifically, time t0 + Δt). .

도 16에서 명백한 바와 같이, 수광 영역(48)이, 동작 확인 영역(E0)으로부터 차폐 영역(E1)으로 이동하는 사이(시각 t1으로부터 시각 t2의 사이)에, 수광량 EV(t)는 감소한다. 따라서, 이 동안, 연산치 CV(t)는 양의 값을 취한다. As is apparent from FIG. 16, the light reception amount EV (t) decreases while the light reception region 48 moves from the operation confirmation region E0 to the shielding region E1 (between time t1 and time t2). Therefore, during this time, the operation value CV (t) takes a positive value.

차폐판(31)은 충분한 사이즈를 갖고 있다. 따라서, 투광부(45), 수광부(46) 및 제어부(7)에 의한 제1 검출 처리가 정상으로 동작하면, 차폐판(31)은, 시각(te)까지 반드시 검출된다. The shielding plate 31 has a sufficient size. Therefore, when the 1st detection process by the light transmission part 45, the light receiving part 46, and the control part 7 operate | moves normally, the shielding plate 31 will be detected by time te.

제어부(7)는, 시각(ts)까지는 실제의 검사를 개시하지 않으므로, 시각(te)(시각(ts))까지의 사이에, 제1 검출 처리에 의해서 검출체를 검출해도, 이를 검출체로 간주하지 않는다. 즉, 차폐판(31)에 의해서 도포 처리가 정지하는 일은 없다. Since the control part 7 does not start actual test until time ts, even if it detects a detection body by the 1st detection process between time te (time ts), it considers it a detection body. I never do that. That is, the application | coating process does not stop by the shielding plate 31. FIG.

한편, 제어부(7)는, 시각(te)까지 제1 검출 처리에 의해서 검출체가 검출되지 않는 경우는, 존재하고 있을 차폐판(31)을 정상으로 검출할 수 없다고 판정하고, 동작 상태를「이상」으로 판정한다. On the other hand, when the detection body is not detected by the first detection process by the time te, the control unit 7 determines that the shielding plate 31 that is present cannot be detected normally, and the operation state is "abnormal." Is determined.

이와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 검사를 개시하기 전에, 차폐판(31)에 의한 유사 검출 처리를 실행함으로써, 검사 환경이 이상한 상태 그대로 검사가 행해지는 것을 방지할 수 있으므로, 검출 정밀도가 향상된다. As described above, since the substrate processing apparatus 1 can prevent the inspection from being performed in an abnormal state by performing the similar detection processing by the shielding plate 31 before starting the inspection, the detection accuracy is improved. Is improved.

또한, 기판 처리 장치(1)에서, 검출체를 검출한 것을 나타내는 신호는, 시각(te)(소정의 시간 경과한 후로서, 수광 영역(48)이 검사 영역(E2)에 도달하는 것보다 전)을 경과한 시점에서 강제적으로 정지시킨다. In addition, in the substrate processing apparatus 1, the signal indicating that the detection object is detected is before the time te (after a predetermined time has elapsed, before the light receiving region 48 reaches the inspection region E2). ) Is forcibly stopped at the elapsed time.

이에 따라, 차폐판(31)에 대한 검출 신호와, 검사가 개시된 후(시각(ts) 이후)의 검출 신호를 명확히 구별할 수 있으므로, 오검출 혹은 보지 못하고 놓치는 것을 방지할 수 있다. 또한, 도 16으로부터 명백하듯이, 시각(te)으로부터 시각(ts)의 사이, 수광량 EV(t)가 감소하는 일은 없으므로, 제1 검출 처리를 계속해도 검출체가 검출되지 않는다. Thereby, since the detection signal with respect to the shielding plate 31 and the detection signal after a test | initiation (after the time ts) can be distinguished clearly, erroneous detection or missed without being seen can be prevented. In addition, as apparent from FIG. 16, since the received light amount EV (t) does not decrease between the time te and the time ts, the detector is not detected even if the first detection process is continued.

여기서, 수광 영역(48)이 차폐 영역(E1)을 통과하도록 구성함에 의한 효과에 관해서 설명한다. Here, the effect by configuring the light receiving region 48 to pass through the shielding region E1 will be described.

도 18은 차폐판(31)이 존재하지 않는 경우에, 도 16과 동일하게 수광량 EV(t)의 변화를 예시하는 도면이다. 도 19는, 도 18에서의 연산치 CV(t)의 변화를 예시하는 도면이다. FIG. 18 is a diagram illustrating a change in the light receiving amount EV (t) similarly to FIG. 16 when the shielding plate 31 does not exist. FIG. 19 is a diagram illustrating a change in the calculated value CV (t) in FIG. 18.

도 18에 도시하는 예에서는, 차폐 영역(E1)에 상당하는 영역이 형성되지 않으므로, 시각(t1)으로부터 시각(t3)의 사이에서, 레이저광(L)이 차폐되는 일은 없다. 따라서, 이 동안, 수광량 EV(t)는 최대치 「EV1」이다. In the example shown in FIG. 18, since the area | region corresponded to the shielding area | region E1 is not formed, the laser beam L is not shielded between time t1 and time t3. Therefore, during this time, the light reception amount EV (t) is the maximum value "EV1".

이러한 상태에서는, 처리 개시 위치(시각 t0)에서의 임계치(a)를 이용한 동작 상태의 확인 처리(초기치 확인 처리)는 가능하지만, 차폐판(31)을 검출함에 의한 동작 상태의 확인 처리(유사 검출 처리)는 행할 수 없다. 이 때문에, 차폐판(31)에 상당하는 구성이 없고, 차폐 영역(E1)에 상당하는 영역이 형성되지 않는 경 우에는, 검출체의 검출 정밀도는 저하한다. In such a state, although the confirmation process (initial value confirmation process) of the operation state using the threshold value a at the process start position (time t0) is possible, the confirmation process of the operation state by detecting the shielding plate 31 (similar detection) Processing) cannot be performed. For this reason, when there is no structure corresponding to the shielding plate 31, and the area | region corresponded to the shielding area E1 is not formed, the detection precision of a detection body will fall.

도 18로부터 명백하듯이, 시각(t3)으로부터 시각(t4)의 사이에, 레이저광(L)이 기판(90)에 의해서 차폐되기 때문에, 수광량 EV(t)은 「EV1」으로부터「EV2」로 감소한다. 이 때문에, 도 19에 도시하는 바와 같이, 연산치 CV(t)가 양의 값이 되고, 임계치(b)를 넘는 상태가 된다. 이때, 기판(90)의 X축 방향의 사이즈가 충분히 크기 때문에, 수광량 EV(t)의 감소 상태는, 노이즈의 경우와 달리, 시간 △T을 넘어 계속된다. 즉, 기판(90)의 단부를 노이즈와 같이 시간 경과 관찰에 의해서 분별하는 것은 불가능하다. As is apparent from FIG. 18, since the laser light L is shielded by the substrate 90 between the time t3 and the time t4, the received light amount EV (t) is changed from "EV1" to "EV2". Decreases. For this reason, as shown in FIG. 19, the computed value CV (t) becomes a positive value and will be in the state exceeding the threshold value b. At this time, since the size of the substrate 90 in the X-axis direction is sufficiently large, the reduced state of the received light amount EV (t) continues beyond the time ΔT, unlike the case of noise. That is, it is impossible to classify the edge part of the board | substrate 90 by time-lapse observation like noise.

이러한 상태에서, 제어부(7)는, 기판(90)의 단부를 검출체로 오인한다. 기판(90)의 단부는 반드시 존재하기 때문에, 기판(90)의 단부를 검출체로 판정해 버리면, 도포 처리를 개시할 수 없다. 따라서, 수광량의 감소를 감시함으로써 검출체를 검출하는 수법에서는, 기판(90)의 단부를 오인하지 않는 것이 필수 조건이다. In this state, the control unit 7 misidentifies the end of the substrate 90 as a detector. Since the edge part of the board | substrate 90 exists necessarily, if an edge part of the board | substrate 90 is determined as a detection body, an application | coating process cannot be started. Therefore, in the method of detecting a detector by monitoring a decrease in the amount of received light, it is essential not to mistake the end of the substrate 90.

이를 회피하기 위해서는, 우선, 임계치(b)를 높게 설정하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 기판(90)에 의한 레이저광(L)의 차광량은, 검출해야 할 검출체에 의한 차광량에 비해서 충분히 크기 때문에, 기판(90)의 단부를 검출하지 않기 위해 임계치(b)를 높게 설정하면, 검출체를 놓치는 일이 많아, 실용적이지 않다. In order to avoid this, first, it is conceivable to set the threshold value b high. However, since the light shielding amount of the laser light L by the board | substrate 90 is large enough compared with the light shielding amount by the detection body to detect, the threshold value b is made high so that the edge part of the board | substrate 90 may not be detected. If set, the detector is often missed and not practical.

또한, 기판(90)의 단부가 존재하는 위치(본 실시의 형태에서는, X축 방향의 위치)를 예측하고, 이 위치로부터 충분히 센서(투광부(45) 및 수광부(46))가 이동한 위치부터 검사를 개시하는 것도 가능하다. 즉, 시각(ts)에 상당하는 시각을, 시각(t4)에 대해 충분히 지연시킴으로써, 오검출을 방지할 수 있다. The position where the end of the substrate 90 exists (in this embodiment, the position in the X-axis direction) is predicted, and the position where the sensor (the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46) has sufficiently moved from this position. It is also possible to start the test from. That is, erroneous detection can be prevented by sufficiently delaying the time corresponding to time ts with respect to time t4.

그러나, 이는 기판(90)의 단부로부터, 검사를 개시하는 위치까지의 사이를 검출 불능 영역으로 하는 것을 의미한다. 또한, 기판(90)의 단부를 센서가 통과하는 시각을 정확히 검출할 수 없으므로, 검사 개시 시간을 지연시켜, 검출 불능 영역을 비교적 넓게 설정할 필요가 있어, 이에 의해서도 검출 정밀도가 저하한다. However, this means that the area from the end of the substrate 90 to the position at which the inspection is started is an undetectable region. Moreover, since the time which a sensor passes through the edge part of the board | substrate 90 cannot be detected correctly, it is necessary to delay test | inspection start time and to set a non-detectable area | region relatively wide, and this also reduces detection accuracy.

이에 대해, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 차폐판(31)을 설치함으로써, 검사 영역(E2)에 인접하도록 차폐 영역(E1)을 형성한다. 즉, 수광 영역(48)이 기판(90)의 단부를 주사할 때에, 수광량 EV(t)가 증가하도록 구성되어 있으므로, 이 동안, 연산치 CV(t)는「0」이 된다. In contrast, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment forms the shielding region E1 so as to be adjacent to the inspection region E2 by providing the shielding plate 31. That is, since the light reception amount EV (t) is configured to increase when the light receiving region 48 scans the end portion of the substrate 90, the calculated value CV (t) becomes "0" during this time.

이와 같이, 기판 처리 장치(1)는, 차폐판(31)을 구비하고 있으므로, 검출 정밀도를 저하시키지 않고, 기판(90)의 단부를 오검출하는 것을 방지할 수 있다. Thus, since the substrate processing apparatus 1 is equipped with the shielding plate 31, it can prevent misdetecting the edge part of the board | substrate 90, without reducing detection accuracy.

시각(t0) 이후, 투광부(45)(수광부(46))와 함께 가교 구조(4)(슬릿 노즐(41))도 (-X) 방향으로 이동한다. 그러나, 이 동안, 슬릿 노즐(41)은 충분한 고도(높이 위치)를 유지하여 이동하므로, 간섭물과 접촉하는 일은 없다. After the time t0, the crosslinked structure 4 (the slit nozzle 41) also moves in the (-X) direction together with the light transmitting portion 45 (light receiving portion 46). However, during this time, the slit nozzle 41 moves while maintaining a sufficient altitude (height position), so that it does not come into contact with the interference.

투광부(45)(수광부(46))와 함께 가교 구조(4)가 (-X) 방향으로 이동함으로써, 슬릿 노즐(41)이 도포 개시 위치까지 이동하면, 제어부(7)는, 리니어 모터(50)를 정지시켜, 가교 구조(4)를 일단 정지시킨다. When the slit nozzle 41 moves to the coating start position by moving the crosslinked structure 4 together with the light transmitting part 45 (light receiving part 46) in the (-X) direction, the control unit 7 is a linear motor ( 50) is stopped and the crosslinked structure 4 is once stopped.

또한, 리니어 모터(50)가 정지하여, 투광부(45) 및 수광부(46)가 X축 방향으로 이동하지 않고 정지해 있는 동안, 본 실시의 형태에서의 검출처리도 일단 정지한다. In addition, while the linear motor 50 is stopped and the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 are stopped without moving in the X-axis direction, the detection processing in the present embodiment is also temporarily stopped.

다음에, 제어부(7)는, 슬릿 노즐(41)의 YZ 평면에서의 자세가 적정 자세가 되도록, 승강 기구(43, 44)를 제어하고, 노즐 지지부(40)의 위치를 조정한다. 이에 따라, 슬릿 노즐(41)이 하강하여, 슬릿 노즐(41)의 하단이 기판(90)에 근접한다. Next, the control part 7 controls the lifting mechanisms 43 and 44, and adjusts the position of the nozzle support part 40 so that the attitude | position in the YZ plane of the slit nozzle 41 may be a proper attitude | position. As a result, the slit nozzle 41 descends, and the lower end of the slit nozzle 41 approaches the substrate 90.

기판 처리 장치(1)에서는, 제어부(7)가 검출체를 검출했다고 판정한 경우에, 리니어 모터(50)를 정지시킴으로써 슬릿 노즐(41)의 (-X) 방향으로의 이동 동작을 정지시키는 동시에, 표시부(6)에 경보를 출력하여 대기 상태로 된다. In the substrate processing apparatus 1, when determining that the control unit 7 has detected the detector, the linear motor 50 is stopped to stop the movement of the slit nozzle 41 in the (-X) direction. The alarm is output to the display unit 6 to enter the standby state.

따라서, 시각(ts)에 검사가 개시되고 나서 슬릿 노즐(41)이 도포 개시 위치로 이동하기까지의 사이에 검출체가 검출되지 않으면, 기판(90)의 (+X)측의 단부로부터, 투광부(45)(수광부(46))의 위치(도포 개시 위치보다 (-X) 방향에 상대 거리(P)만큼 진행한 위치)까지의 사이에서, 검출체를 발견할 수 없는 것을 의미한다. 따라서, 도포 개시 위치에서, 슬릿 노즐(41)을 적정 자세로 하기 위해서, 슬릿 노즐(41)을 하강시켜도, 슬릿 노즐(41)이 간섭물과 접촉할 위험성은 거의 없다.Therefore, if the detection body is not detected from the start of the inspection at the time ts and until the slit nozzle 41 moves to the application start position, from the end on the (+ X) side of the substrate 90, the light transmitting portion It means that a detector cannot be found between the position of 45 (the light receiving part 46) (the position which advanced by the relative distance P in the (-X) direction from the application start position). Therefore, even if the slit nozzle 41 is lowered in order to make the slit nozzle 41 in the proper position at the application start position, there is little risk that the slit nozzle 41 comes into contact with the interference material.

슬릿 노즐(41)의 자세 조정이 종료하면, 레지스트용 펌프(도시하지 않음)에 의해 슬릿 노즐(41)에 레지스트액이 보내지고, 슬릿 노즐(41)이 도포 영역에 레지스트액을 토출한다. 그 토출 동작과 함께, 리니어 모터(50)가 슬릿 노즐(41)을 (-X) 방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 기판(90)의 도포 영역이 슬릿 노즐(41)에 의해서 주사되어, 레지스트액이 도포된다. When the attitude adjustment of the slit nozzle 41 is finished, the resist liquid is sent to the slit nozzle 41 by a resist pump (not shown), and the slit nozzle 41 discharges the resist liquid to the coating area. With the discharge operation, the linear motor 50 moves the slit nozzle 41 in the (-X) direction. Thereby, the application | coating area | region of the board | substrate 90 is scanned by the slit nozzle 41, and the resist liquid is apply | coated.

또한, 레지스트액의 토출은, 자세 조정이 종료하고 나서가 아니어도 된다. 예를 들면, 슬릿 노즐(41)로부터 소량의 레지스트액을 토출시킴으로써, 슬릿 노즐(41)의 선단부에 적절한 액체 저장소를 생성하고 나서, 슬릿 노즐(41)을 적정 위치 로 강하시켜도 된다.In addition, the discharge of the resist liquid may not be after the posture adjustment is completed. For example, by discharging a small amount of resist liquid from the slit nozzle 41, an appropriate liquid reservoir may be generated at the tip of the slit nozzle 41, and then the slit nozzle 41 may be lowered to an appropriate position.

또한, 슬릿 노즐(41)에 의한 주사의 개시와 함께, 검사(검출 처리)가 재개된다. 즉, 이 이후는, 슬릿 노즐(41)에 의해서 레지스트액이 도포되는 동작과 병행하여, 검사가 행해진다. In addition, inspection (detection processing) is resumed with the start of scanning by the slit nozzle 41. That is, after this, an inspection is performed in parallel with the operation | movement which a resist liquid is apply | coated by the slit nozzle 41. FIG.

제2 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)에서, 검출체가 검출된 경우의 동작 및 검출체가 검출되지 않고 정상으로 도포 처리를 종료하는 경우의 동작은, 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 동일하므로, 설명을 생략한다. In the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment, the operation in the case where the detection body is detected and the operation in the case where the coating processing is normally completed without detecting the detection body are performed in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. ), So that description is omitted.

이상과 같이, 제2 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 소정 시간(△t+△T) 동안에 수광부(46)로부터 출력된 수광량에 의거해, 소정 시간(△t+△T) 동안의 수광량의 감소 상태를 감시하면서, 검사 영역(E2) 내에 존재하는 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출함으로써, 임계치(b)를 비교적 낮게 설정하여 검출 감도를 향상시키면서 노이즈의 영향을 억제할 수 있다. As described above, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment receives the light receiving amount during the predetermined time Δt + ΔT based on the light receiving amount output from the light receiving unit 46 during the predetermined time Δt + ΔT. By monitoring the reduced state of, while detecting an object that may be the cause of the defective processing present in the inspection area E2, the threshold b can be set relatively low to improve the detection sensitivity while suppressing the influence of noise. .

또한, 수광 영역(48)이 차폐 영역(E1)에 포함되도록 배치되어 있는 수광부(46)를, 수광 영역(48)이 검사 영역(E2)에 포함되도록 이동시킨다. 이에 따라, 스테이지(3)에 지지된 기판(90)의 단부 근방에서 물체를 검출할 때에, 수광부(46)로부터 출력되는 수광량이 상승하기 때문에, 정상 기판(90)을 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체로서 오검출하는 것을 방지할 수 있다. In addition, the light receiving part 46 in which the light receiving area 48 is disposed in the shielding area E1 is moved so that the light receiving area 48 is included in the inspection area E2. As a result, the amount of light received from the light receiving portion 46 increases when detecting an object in the vicinity of the end portion of the substrate 90 supported by the stage 3, so that the normal substrate 90 may cause processing failure. Misdetection as an object can be prevented.

또한, 제어부(7)의 검출 결과에 따라, 이동 기구(5)를 제어함으로써, 슬릿 노즐과 물체의 충돌을 회피할 수 있다. 즉, 사전에 이상 처리를 방지하는 것이 가능하다.Moreover, by controlling the moving mechanism 5 according to the detection result of the control part 7, the collision of a slit nozzle and an object can be avoided. That is, it is possible to prevent abnormal processing in advance.

또한, 물체의 검출을 개시하기 전에, 이동 기구(5)는, 수광 영역(48)이 차폐판(31)에 의해서 차폐되지 않는 위치(동작 확인 영역(E0)에 포함되는 위치)에 배치되어 있는 수광부(46)를, 수광 영역(48)이 차폐 영역(E1)에 포함되도록 이동시키는 동시에, 이 동안, 제어부(7)가 제1 검출 처리를 행하여, 투광부(45) 및 수광부(46)의 동작 상태를 판정함으로써, 검사 정밀도를 향상시킬 수 있다. In addition, before starting detection of an object, the moving mechanism 5 is arrange | positioned in the position (position contained in operation confirmation area | region E0) in which the light receiving area | region 48 is not shielded by the shielding plate 31. FIG. The light receiving unit 46 is moved so that the light receiving area 48 is included in the shielding area E1, and during this time, the control unit 7 performs the first detection process, so that the light receiving unit 45 and the light receiving unit 46 By determining the operation state, the inspection accuracy can be improved.

또한, 수광부(46)의 수광 영역(48)을 구성하는 CCD 소자에 의해 출력되는 수광량 EV(t)과, 임계치(c)를 비교함으로써, 검사 영역(E2) 내에 존재하는 검출체를 검출하는 제2 검출 처리를 행함으로써, 검출 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다. In addition, by comparing the received light amount EV (t) output by the CCD element constituting the light receiving area 48 of the light receiving part 46 with the threshold value c, an agent for detecting the detector present in the inspection area E2 is detected. By performing the two detection processes, the detection accuracy can be further improved.

또한, 본 실시의 형태에서의 승강 기구(43, 44)는, 슬릿 노즐(41)을, 투광부(45) 및 수광부(46)와 독립하여, Z축 방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 슬릿 노즐(41)을 충분한 높이 위치에 퇴피시킨 그대로 검출 처리만을 행하는 것이 가능하다. 일반적으로, 기판(90)의 단부 부근은, 기판(90)의 중앙부에 비해서, 간섭물을 놓치기 쉽다. 그러나, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 기판(90)의 단부로부터 도포 개시 위치까지의 사이에서, 슬릿 노즐(41)을, 기판(90)에 근접시키지 않고 이동시킬 수 있다. 따라서, 슬릿 노즐(41)과 간섭물의 접촉을 억제할 수 있다.In addition, the lifting mechanisms 43 and 44 in the present embodiment move the slit nozzle 41 in the Z-axis direction independently of the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46. Thereby, the substrate processing apparatus 1 can perform only a detection process as it has retracted the slit nozzle 41 to sufficient height position. In general, near the end portion of the substrate 90, interferences are more likely to be missed than in the central portion of the substrate 90. However, the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment can move the slit nozzle 41 without approaching the substrate 90 from the end of the substrate 90 to the application start position. . Therefore, the contact between the slit nozzle 41 and the interference object can be suppressed.

또한, 본 실시의 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 시각(t4)보다 후의 시각을 제2 검출 처리의 개시 시각으로 설정하고, 제2 검출 처리에 의해서 검출체가 검출된 경우는, 제1 검출 처리의 결과에 관계없이, 검출체를 검출했다고 판정한다. 이와 같이, 제1 검출 처리와 제2 검출 처리가 병행하여 실행되는 동안은, 제2 검출 처리에 의해서, 검출체를 놓치는 일을 방지할 수 있으므로, 검출 정밀도가 향상된다. In addition, the substrate processing apparatus 1 in this embodiment sets the time after time t4 to the start time of a 2nd detection process, and, when a detection body is detected by a 2nd detection process, it is a 1st time. Regardless of the result of the detection process, it is determined that the detector is detected. As described above, while the first detection process and the second detection process are performed in parallel, the second detection process can prevent the detection body from being missed, so that the detection accuracy is improved.

또한, 수광 영역(48)의 Z축 방향의 폭은, 주사 방향으로 균일한 쪽이 바람직하다. 따라서, 본 실시의 형태에서의 수광 영역(48)과 같이, 그 형상은 직사각형인 것이 바람직하다. 그러나, 시간 △CT를 길게 하는 효과는, 수광 영역(48)의 주사 방향의 폭이, 슬릿 노즐(41)의 주사 속도에 대해 충분히 넓으면 되므로, 수광 영역(48)의 형상은 직사각형에 한정되지 않고, 예를 들면 장축을 주사 방향으로 하는 타원 등이어도 된다. Moreover, it is preferable that the width | variety of the Z-axis direction of the light receiving area 48 is uniform in a scanning direction. Therefore, like the light-receiving area 48 in the present embodiment, the shape is preferably rectangular. However, since the width | variety of the scanning direction of the light receiving area 48 should just be wide enough with respect to the scanning speed of the slit nozzle 41, the effect of lengthening time (DELTA) CT is not limited to the rectangle. For example, an ellipse etc. which make a long axis into a scanning direction may be sufficient.

<3. 제3 실시 형태> <3. Third embodiment>

기판 처리 장치에서의 간섭물(검출체)을 검출하는 수법은, 상기 실시의 형태에 기재한 수법에 한정되지 않고, 이하에 설명하는 제3 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)가 채용하는 수법이어도 된다. The method of detecting the interference (detector) in the substrate processing apparatus is not limited to the method described in the above embodiment, but the method employed by the substrate processing apparatus 1 in the third embodiment described below. It may be.

또한, 제3 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 거의 동일한 구성(도 1)을 구비한다. 따라서, 제3 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 설명에서, 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙여, 적절히, 설명을 생략한다. In addition, the substrate processing apparatus 1 in 3rd Embodiment is equipped with the structure (FIG. 1) substantially the same as the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment. Therefore, in description of the substrate processing apparatus 1 in 3rd Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected about the structure similar to the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted suitably.

<3.1 구성의 설명> <3.1 Description of configuration>

도 20은 제3 실시 형태에서의 수광 가능 영역(47) 내의 명 영역(470) 및 암 영역(471, 472)을, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체(검출체)가 존재하지 않는 경우에 대해서 도시하는 도면이다. 바꿔 말하면, 투광부(45) 및 수광부(46)는, 검 출체가 존재하지 않는 경우에서, 도 20에 도시하는 상태가 되도록 위치 조정된다. FIG. 20 shows the bright area 470 and the dark areas 471 and 472 in the light-receivable area 47 in the third embodiment when no object (detector) exists that can cause processing failure. It is a figure which shows about. In other words, the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 are positioned so as to be in the state shown in FIG. 20 when there is no detector.

검출체가 존재하지 않는 상태에서, 명 영역(470)은, 레이저광(L)이 차폐되지 않고 직접 입사하기 때문에, CCD 소자로부터 출력되는 수광량의 값이 커지는 영역이다. 또한, 암 영역(471)은, 레이저광(L)의 광로로부터 벗어난 영역이므로, 검출체가 존재하지 않는 상태에서, 레이저광(L)이 입사하지 않고, CCD 소자로부터 출력되는 수광량의 값이 낮아지는 영역이다. 또한, 암 영역(472)은, 레이저광(L)이 스테이지(3)에 지지된 기판(90)에 의해서 차폐되기 때문에, 검출체의 유무에 관계없이 CCD 소자로부터 출력되는 수광량의 값이 낮아지는 영역이다. In the state where the detector is not present, the bright region 470 is a region where the value of the amount of received light output from the CCD element becomes large because the laser light L is directly incident without being shielded. In addition, since the dark region 471 is a region deviated from the optical path of the laser light L, the laser light L does not enter in the state where the detector is not present, and thus the value of the received light amount output from the CCD element is lowered. Area. In the dark region 472, since the laser light L is shielded by the substrate 90 supported by the stage 3, the value of the amount of received light output from the CCD element is reduced regardless of the presence or absence of a detector. Area.

도 21은 도 20에 도시하는 수광 가능 영역(47)에 대해 설정되는 제1 수광 영역(48a) 및 제2 수광 영역(48b)을 도시한 도면이다. FIG. 21 is a diagram showing the first light receiving region 48a and the second light receiving region 48b set for the light receiving region 47 shown in FIG. 20.

제1 수광 영역(48a) 및 제2 수광 영역(48b)은, 오퍼레이터부터의 입력에 따라서 제어부(7)에 의해, 수광 가능 영역(47) 내에 설정되는 영역이다. 본 실시의 형태에서, 제1 수광 영역(48a) 및 제2 수광 영역(48b)은, X축 방향의 폭이 Z축 방향의 폭보다도 넓은 직사각형의 영역으로서 설정된다. The 1st light receiving area 48a and the 2nd light receiving area 48b are the area | regions set in the light-receivable area 47 by the control part 7 according to the input from an operator. In the present embodiment, the first light receiving region 48a and the second light receiving region 48b are set as rectangular regions whose width in the X-axis direction is wider than that in the Z-axis direction.

제1 수광 영역(48a)은, 암 영역(471)을 포함하도록 설정되는 영역으로서, 보다 자세히는, 암 영역(471)만 포함하고, 명 영역(470)을 포함하지 않는 영역으로서 설정되는 영역이다. 따라서, 검출체가 존재하지 않는 경우, 제1 수광 영역(48a) 내에는 레이저광(L)이 입사하지 않고, 수광량의 값은 비교적 낮은 값이 된다. 바꿔 말하면, 검출체가 존재하지 않는 경우의 제1 수광 영역(48a)에서의 수광량의 값은, 거의 최저치이다. The first light receiving region 48a is an area set to include the dark area 471. More specifically, the first light receiving area 48a is an area set as an area including only the dark area 471 and not including the bright area 470. . Therefore, when no detector is present, the laser light L does not enter the first light receiving region 48a, and the value of the light receiving amount becomes a relatively low value. In other words, the value of the light reception amount in the first light receiving region 48a when no detector is present is almost the lowest value.

제2 수광 영역(48b)은, 명 영역(470)과 암 영역(472)을 포함하고, 암 영역(471)을 포함하지 않도록 설정되는 영역이다. 제2 수광 영역(48b)은, 암 영역(472)을 포함하고 있으므로, 레이저광(L)의 일부가 기판(90)에 차폐된다. 그러나, 기판(90)의 두께가 얇아지지 않는 한, 기판(90)에 차폐되는 영역은 좁아지지 않는다. 따라서, 제2 수광 영역(48b)의 수광량의 값은, 검출체가 존재하지 않는 경우에는 비교적 높은 값이 된다. The second light receiving region 48b is a region that includes the bright region 470 and the dark region 472 and is set not to include the dark region 471. Since the second light receiving region 48b includes the dark region 472, a part of the laser light L is shielded by the substrate 90. However, as long as the thickness of the substrate 90 is not thin, the area shielded by the substrate 90 is not narrowed. Therefore, the value of the light reception amount of the second light receiving region 48b becomes a relatively high value when no detector is present.

또한, 상세한 것은 후술하지만, 기판 처리 장치(1)의 제어부(7)는, 제1 수광 영역(48a) 및 제2 수광 영역(48b)에 배치되어 있는 CCD 소자로부터의 출력 신호에 의거해, 검출체의 검출을 행한다. 제3의 실시 형태에서는, 이하, 제1 수광 영역(48a)에 배치되어 있는 CCD 소자로부터의 출력 신호의 시각(t)에서의 합산치를 수광량 EV1(t)으로 표시한다. 또한, 제2 수광 영역(48b)에 배치되어 있는 CCD 소자로부터의 출력 신호의 시각(t)에서의 합산치를 EV2(t)로 표시한다. In addition, although it mentions later in detail, the control part 7 of the substrate processing apparatus 1 detects based on the output signal from the CCD element arrange | positioned in the 1st light receiving area 48a and the 2nd light receiving area 48b. Sieve is detected. In the third embodiment, the sum of the values at the time t of the output signal from the CCD element disposed in the first light receiving region 48a is represented by the light receiving amount EV1 (t). Moreover, the sum total at the time t of the output signal from the CCD element arrange | positioned at the 2nd light receiving area 48b is represented by EV2 (t).

본 실시의 형태에서, 수광 가능 영역(47)의 사이즈는, Z축 방향이 3.2(㎜), X축 방향이 3.5(㎜)이다. 또한, 제1 수광 영역(48a) 및 제2 수광 영역(48b)의 사이즈는, Z축 방향이 1.0(㎜), X축 방향이 3.5(㎜)이다. 단, 이 사이즈에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 수광 영역(48a)은 제2 수광 영역(48b)과 동일한 사이즈로 하고 있지만, 이들은 서로 다른 사이즈여도 된다. In the present embodiment, the size of the light-receivable region 47 is 3.2 (mm) in the Z-axis direction and 3.5 (mm) in the X-axis direction. The size of the first light receiving region 48a and the second light receiving region 48b is 1.0 (mm) in the Z-axis direction and 3.5 (mm) in the X-axis direction. However, it is not limited to this size. In addition, although the 1st light receiving area 48a is made the same size as the 2nd light receiving area 48b, these may be different sizes.

도 22는, 제3 실시 형태에서의 제어부(7)의 기능 구성을 도시하는 블록도이다. 도 22에 도시하는 제1 검출부(70), 제2 검출부(71) 및 판정부(72)는, 제어부(7)가 프로그램에 따라서 동작함으로써 실현되는 기능 구성이다. FIG. 22 is a block diagram showing the functional configuration of the control unit 7 in the third embodiment. The 1st detection part 70, the 2nd detection part 71, and the determination part 72 shown in FIG. 22 are the functional structures implemented by the control part 7 operating according to a program.

제1 검출부(70)는, 수광부(46)의 제1 수광 영역(48a)을 구성하는 CCD 소자로부터의 신호에 의거해, 수광량 EV1(t)을 연산한다. 또한, 수광량 EV1(t)과, 상한 임계치(Q1)를 비교하여, EV1(t)＞Q1이 된 경우에, 검출체를 검출했다고 판정하고, 판정부(72)에 전달한다. 이와 같이, 제1 검출부(70)는, 제1 수광 영역(48a)에 입사하는 레이저광(L)의 광량이 상한 임계치(Q1)보다도 증가한 경우에 검출체를 검출했다고 판정한다. 따라서, 제1 검출부(70)는, 본원의 제3 검출 수단에 상당하는 기능을 가진다. The first detection unit 70 calculates the light receiving amount EV1 (t) based on the signal from the CCD element constituting the first light receiving region 48a of the light receiving unit 46. Further, the light reception amount EV1 (t) is compared with the upper limit threshold Q1, and when EV1 (t) &gt; Q1, it is determined that the detector has been detected, and the result is transmitted to the determination unit 72. In this way, the first detection unit 70 determines that the detector has been detected when the amount of light of the laser light L incident on the first light receiving region 48a increases above the upper limit threshold Q1. Therefore, the 1st detection part 70 has a function corresponded to the 3rd detection means of this application.

제2 검출부(71)는, 수광부(46)의 제2 수광 영역(48b)을 구성하는 CCD 소자로부터의 신호에 의거해, 수광량 EV2(t)를 연산한다. 또한, 수광량 EV2(t)와, 하한 임계치(Q2)를 비교하여, EV2(t)<Q2가 된 경우에, 검출체를 검출했다고 판정하고, 판정부(72)에 전달한다. 이와 같이, 제2 검출부(71)는, 제2 수광 영역(48b)에 입사하는 레이저광(L)의 광량이 하한 임계치(Q2)보다도 감소한 경우에 검출체를 검출했다고 판정한다. 따라서, 제2 검출부(71)는, 본원의 제4 검출 수단에 상당하는 기능을 가진다. The second detection unit 71 calculates the light receiving amount EV2 (t) based on the signal from the CCD element constituting the second light receiving region 48b of the light receiving unit 46. Further, the light receiving amount EV2 (t) is compared with the lower limit threshold Q2, and when EV2 (t) < Q2, it is determined that the detector has been detected, and the result is transmitted to the determination unit 72. In this manner, the second detection unit 71 determines that the detector has been detected when the amount of light of the laser light L incident on the second light receiving region 48b decreases from the lower limit threshold Q2. Therefore, the 2nd detection part 71 has a function corresponded to the 4th detection means of this application.

다음에, 제3 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)가, 제1 검출부(70) 및 제2 검출부(71)를 구비하는 의미를 설명한다. Next, the meaning that the substrate processing apparatus 1 in 3rd Embodiment is equipped with the 1st detection part 70 and the 2nd detection part 71 is demonstrated.

도 23은, 주로 제1 검출부(70)에 의해서 검출되는 검출체의 예를 도시하는 도면이다. 도 23에 도시하는 예에서는, 기판(90)이 검출체가 된다. FIG. 23 is a diagram mainly showing an example of a detector detected by the first detection unit 70. In the example shown in FIG. 23, the substrate 90 serves as a detector.

도 23에 도시하는 바와 같이, 기판(90)의 이면(裏面), 혹은 스테이지(3)의 지지면(30)에 이물(이면 이물(91))이 존재하면, 기판(90)이 융기하므로, 기판(90) 은 슬릿 노즐(41)과 간섭한다. 또한, 예를 들어, 기판(90)이 슬릿 노즐(41)과 간섭하는 높이 위치까지 융기하지 않아도, 이 위치에서 형성되는 박막의 막두께는 다른 위치에 비해서 얇아진다. 이 경우에, 융기한 기판(90)은 도포 얼룩의 원인이라고 할 수 있다. 따라서, 도포 처리에서는, 융기한 기판(90)을 검출할 필요가 있다. As shown in FIG. 23, when a foreign material (back surface foreign material 91) exists in the back surface of the board | substrate 90 or the support surface 30 of the stage 3, since the board | substrate 90 is raised, The substrate 90 interferes with the slit nozzle 41. In addition, even if the board | substrate 90 does not rise to the height position which interferes with the slit nozzle 41, the film thickness of the thin film formed in this position becomes thin compared with another position. In this case, the raised substrate 90 can be said to be a cause of coating unevenness. Therefore, in the coating process, it is necessary to detect the raised substrate 90.

도 24는, 도 23에 도시하는 검출체가 레이저광(L)의 광로 상에 존재하는 순간의 수광 가능 영역(47)의 수광 상황을 도시하는 도면이다. 또한, 도 25는, 도 23에 도시하는 검출체가 존재하는 경우에서의 제1 수광 영역(48a)의 수광량 EV1(t)의 변화를 도시한 도면이다. 또한, 도 26은, 도 23에 도시하는 검출체가 존재하는 경우에서의 제2 수광 영역(48b)의 수광량 EV2(t)의 변화를 도시하는 도면이다. FIG. 24: is a figure which shows the light-receiving situation of the light-receivable area 47 at the instant when the detection body shown in FIG. 23 exists on the optical path of the laser beam L. As shown in FIG. 25 is a figure which shows the change of the light reception amount EV1 (t) of the 1st light receiving area 48a when there exists a detector shown in FIG. 26 is a figure which shows the change of the light reception amount EV2 (t) of the 2nd light receiving area 48b in the case where the detector shown in FIG. 23 exists.

기판(90)이 융기하는 경우, 기판(90)의 표면 위치는 비교적 완만하게 변화하므로, 기판(90)의 표면에 의해서 반사된 레이저광(L)(반사광)의 일부는, 난반사되지 않고, 수광부(46)에 도달한다. 이 반사광은, 기판(90)의 표면에 의해서 반사되어 있으므로, 그 광로가 원래의 위치보다도 (+Z) 방향으로 밀린다. When the substrate 90 is raised, the surface position of the substrate 90 changes relatively gently, so that a part of the laser light L (reflected light) reflected by the surface of the substrate 90 is not diffusely reflected, but the light receiving portion Reaches 46. Since this reflected light is reflected by the surface of the board | substrate 90, the optical path is pushed in (+ Z) direction rather than an original position.

이에 따라 암 영역(471) 내에 설정되어 있던 제1 수광 영역(48a)에도, 도 24에 도시하는 바와 같이, 레이저광(L)(반사광)이 입사한다. 제1 수광 영역(48a)에 입사하는 반사광의 광량이 증가하면, 도 25에 도시하는 바와 같이, 수광량 EV1(t)의 값이 상승하여 상한 임계치(Q1)를 넘는 상태가 된다. As a result, the laser light L (reflected light) also enters the first light receiving region 48a set in the dark region 471 as shown in FIG. 24. When the light amount of the reflected light incident on the first light receiving region 48a is increased, as shown in FIG. 25, the value of the light receiving amount EV1 (t) increases to enter the state above the upper limit threshold Q1.

전술과 같이, 제1 검출부(70)는, 수광량 EV1(t)가 상한 임계치(Q1)를 넘은 경우, 검출체를 검출한 것을 나타내는 신호를 판정부(72)에 전달한다. 따라서, 제 1 검출부(70)는, 도 23에 도시하는 예에서, 기판(90)을 검출체로서 검출할 수 있다. As described above, when the received light amount EV1 (t) exceeds the upper limit threshold Q1, the first detector 70 transmits a signal to the determiner 72 indicating that the detector is detected. Therefore, in the example shown in FIG. 23, the 1st detection part 70 can detect the board | substrate 90 as a detection body.

본래, 제1 수광 영역(48a)은, 레이저광(L)의 광로 상에서 벗어나므로, 검출체가 존재하지 않는 경우에는 수광량 EV1(t)가 거의「0」이다. 따라서, 제1 검출부(70)는, 수광량 EV1(t)가 상한 임계치(Q1) 이하인 경우에는, 검출체가 존재하지 않는 것으로 간주한다. Originally, since the first light receiving region 48a is out of the optical path of the laser light L, the light receiving amount EV1 (t) is almost &quot; 0 &quot; when no detector is present. Therefore, the 1st detection part 70 considers that a detection object does not exist, when the light reception amount EV1 (t) is below an upper limit threshold Q1.

한편, 기판(90)이 융기한 경우, 반사나 광의 간섭 등이 생겨, 레이저광(L)이 융기한 기판(90)에 의해서 완전히 차폐되지 않는 경우가 있다. 이러한 현상이 발생하면, 도 24에 도시하는 바와 같이, 제2 수광 영역(48b)에서도 레이저광(L)이 수광된다. 따라서, 제2 수광 영역(48b)에 입사하는 레이저광(L)은 검출체가 존재하지 않는 경우에 비해서 감소하지만, 도 26에 도시하는 바와 같이, 수광량 EV2(t)는 하한 임계치(Q2)에 비해서 충분히 감소하지 않는다. On the other hand, when the substrate 90 is raised, reflection or interference of light may occur, and the laser light L may not be completely shielded by the raised substrate 90. When such a phenomenon occurs, as shown in FIG. 24, the laser light L is also received in the second light receiving region 48b. Therefore, the laser light L incident on the second light receiving region 48b decreases as compared with the case where no detector is present. However, as shown in FIG. 26, the received light amount EV2 (t) is lower than the lower limit threshold Q2. It does not decrease enough.

제2 검출부(71)는, 전술과 같이, 수광량(EV2)이 하한 임계치(Q2) 이하로 된 경우에, 검출체를 검출했다고 판정한다. 따라서, 도 24에 도시하는 현상이 발생한 경우에는, 검출체의 사이즈가 비교적 커도, 이를 검출할 수 없어, 못보고 놓칠 가능성이 있다. As described above, the second detection unit 71 determines that the detection object has been detected when the received light amount EV2 is equal to or lower than the lower limit threshold Q2. Therefore, when the phenomenon shown in FIG. 24 arises, even if the size of a detection body is comparatively large, it cannot detect this and it may miss it.

이러한 놓침을 방지하기 위해서는, 하한 임계치(Q2)의 값을, 미리 비교적 큰 값으로서 설정함으로써, 검출 감도를 올리는 것도 가능하다. 그러나, 이 경우, 제2 검출부(71)는, 수광량 EV2(t)가 조금 감소한 것만으로 검출체를 검출했다고 판정하므로, 노이즈에 의한 오검출이 빈발하게 된다. In order to prevent such a miss, it is also possible to raise detection sensitivity by setting the value of the lower limit threshold Q2 as a relatively large value in advance. However, in this case, since the 2nd detection part 71 judges that the detection body was detected only by the light reception amount EV2 (t) decreasing a little, false detection by noise will be frequent.

이와 같이 기판 처리 장치(1)는, 제1 검출부(70)를 구비하고 있으므로, 제2 검출부(71)의 검출 정밀도에 관계없이, 제2 검출부(71)가 못보고 놓칠 가능성이 있는 검출체를 검출할 수 있다. 즉, 노이즈에 의한 오검출을 억제하면서, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체(기판(90))를 검출할 수 있으므로, 기판 처리 장치(1)의 검출 정밀도가 향상된다. Thus, since the substrate processing apparatus 1 is equipped with the 1st detection part 70, regardless of the detection precision of the 2nd detection part 71, the detection body which the 2nd detection part 71 may miss may miss. Can be detected. That is, while suppressing false detection by noise, the object (substrate 90) which may be the cause of a process defect can be detected, and the detection accuracy of the substrate processing apparatus 1 improves.

도 27은, 주로 제2 검출부(71)에 의해서 검출되는 검출체의 예를 도시하는 도면이다.FIG. 27 is a diagram illustrating an example of a detector mainly detected by the second detection unit 71.

기판(90)의 표면에 이물(표면 이물(92))이 존재하면, 표면 이물(92)은 슬릿 노즐(41)과 간섭한다. 또한, 표면 이물(92)이 슬릿 노즐(41)과 간섭하는 높이보다 낮아도, 예를 들면, 이 위치에서 형성되는 박막의 막 두께는 다른 위치에 비해서 얇아진다. 이러한 경우, 표면 이물(92)은 도포 얼룩의 원인이라고 할 수 있다. 따라서, 도포 처리에서는, 표면 이물(92)을 검출할 필요가 있다. If foreign matter (surface foreign matter 92) exists on the surface of the substrate 90, the surface foreign matter 92 interferes with the slit nozzle 41. Moreover, even if the surface foreign material 92 is lower than the height which interferes with the slit nozzle 41, the film thickness of the thin film formed in this position becomes thinner compared with other positions, for example. In this case, the surface foreign matter 92 can be said to be a cause of coating stain. Therefore, in the coating process, it is necessary to detect the surface foreign matter 92.

도 28은, 도 27에 도시하는 검출체가 레이저광(L)의 광로 상에 존재하는 순간의 수광 가능 영역(47)의 수광 상황을 도시한 도면이다. 또한, 도 29는, 도 27에 도시하는 검출체가 존재하는 경우에서의 제1 수광 영역(48a)의 수광량 EV1(t)의 변화를 도시한 도면이다. 또한, 도 30은 도 27에 도시하는 검출체가 존재하는 경우에서의 제2 수광 영역(48b)의 수광량 EV2(t)의 변화를 도시한 도면이다. FIG. 28 is a diagram showing the light-receiving situation of the light-receivable region 47 at the instant when the detector shown in FIG. 27 is present on the optical path of the laser light L. FIG. 29 is a figure which shows the change of the light reception amount EV1 (t) of the 1st light receiving area 48a in the case where the detector shown in FIG. 27 exists. FIG. 30 is a diagram showing a change in the light receiving amount EV2 (t) of the second light receiving region 48b when the detector shown in FIG. 27 is present.

표면 이물(92)이 존재하는 경우, 표면 이물(92)의 표면에 의해서 반사된 레이저광(L)(반사광)은, 난반사되어, 수광부(46)에는 거의 도달하지 않는다. 이 때문에, 암 영역(471) 내에 설정되어 있던 제1 수광 영역(48a)에는, 도 28에 도시하 는 바와 같이, 레이저광(L)이 거의 입사하지 않는다. 따라서, 수광량 EV1(t)은, 도 29에 도시하는 바와 같이, 거의「0」의 상태 그대로 된다. When the surface foreign material 92 exists, the laser light L (reflected light) reflected by the surface of the surface foreign material 92 is diffusely reflected and hardly reaches the light receiving part 46. For this reason, as shown in FIG. 28, the laser beam L hardly enters into the 1st light-receiving area 48a set in the dark area 471. As shown in FIG. Therefore, as shown in FIG. 29, the light reception amount EV1 (t) is almost in a state of "0".

전술과 같이, 제1 검출부(70)는, 수광량 EV1(t)가 상한 임계치(Q1) 이하인 경우, 검출체는 존재하지 않는 것으로 간주한다. 바꿔 말하면, 제1 검출부(70)는, 조사된 레이저광(L)을, 제1 수광 영역(48a)에 입사하는 방향 이외의 방향으로 반사(혹은 흡수)하는 검출체를 검출할 수는 없다. 따라서, 제1 검출부(70)는, 도 27에 도시하는 예에서, 표면 이물(92)을 검출체로서 검출하는 것은 불가능하고, 표면 이물(92)을 못보고 놓치게 된다. As described above, when the received light amount EV1 (t) is equal to or lower than the upper limit threshold Q1, the first detection unit 70 considers that the detector does not exist. In other words, the first detection unit 70 cannot detect the detector that reflects (or absorbs) the irradiated laser light L in a direction other than the direction in which the first light receiving region 48a is incident. Therefore, in the example shown in FIG. 27, the 1st detection part 70 cannot detect the surface foreign material 92 as a detection body, and misses the surface foreign material 92.

한편, 표면 이물(92)이 존재하는 경우, 레이저광(L)은 표면 이물(92)에 의해서 거의 완전히 차폐된다. 이 경우, 도 28에 도시하는 바와 같이, 제2 수광영역(48b)에 표면 이물(92)의 그림자가 형성된 상태로 되어, 이 그림자 부분에는 레이저광(L)이 입사하지 않는다. 따라서, 표면 이물(92)의 사이즈가 충분히 큰 경우에는, 제2 수광 영역(48b)에 입사하는 레이저광(L)은 검출체가 존재하지 않는 경우에 비해서 충분히 감소하여, 도 30에 도시하는 바와 같이, 수광량 EV2(t)는 하한 임계치(Q2)보다 작아진다. On the other hand, when the surface foreign matter 92 is present, the laser light L is almost completely shielded by the surface foreign matter 92. In this case, as shown in FIG. 28, the shadow of the surface foreign material 92 is formed in the 2nd light receiving area 48b, and the laser beam L does not inject into this shadow part. Therefore, when the size of the surface foreign material 92 is large enough, the laser light L incident on the second light receiving region 48b is sufficiently reduced as compared with the case where no detector is present, as shown in FIG. 30. , The received light amount EV2 (t) is smaller than the lower limit threshold Q2.

제2 검출부(71)는, 전술과 같이, 수광량(EV2)이 하한 임계치(Q2) 이하가 된 경우에, 검출체를 검출했다고 판정하고, 검출체를 검출한 것을 나타내는 신호를 판정부(72)에 전달한다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 도 27에 도시하는 표면 이물(92)을 검출체로서 검출할 수 있다.As described above, the second detection unit 71 determines that the detection object has been detected when the received light amount EV2 is equal to or lower than the lower limit threshold Q2, and determines the signal indicating that the detection object has been detected. To pass on. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can detect the surface foreign material 92 shown in FIG. 27 as a detection body.

이와 같이 기판 처리 장치(1)는, 제2 검출부(71)를 구비하고 있으므로, 제1 검출부(70)의 검출 정밀도에 관계없이, 제1 검출부(70)가 못보고 놓칠 가능성이 있는 검출체를 검출할 수 있다.Thus, since the substrate processing apparatus 1 is equipped with the 2nd detection part 71, regardless of the detection precision of the 1st detection part 70, the detection body which the 1st detection part 70 may miss may miss. Can be detected.

도 22로 되돌아가, 제3 실시 형태에서의 제어부(7)의 판정부(72)는, 제1 검출부(70) 및 제2 검출부(71)의 검출 결과에 따라, 검출된 검출체의 종류를 판정한다. Returning to FIG. 22, the determination unit 72 of the control unit 7 according to the third embodiment selects the type of the detected object according to the detection results of the first detection unit 70 and the second detection unit 71. Determine.

구체적으로, 제1 검출부(70)에 의해서 검출체가 검출되었다고 판정된 경우에, 검출된 검출체는 이면 이물(91)에 의해서 융기한 기판(90)으로 판정한다. 한편, 제2 검출부(71)에 의해서 검출체가 검출되었다고 판정된 경우에, 검출된 검출체는 기판(90)의 표면에 존재하는 표면 이물(92)이라고 판정한다. Specifically, in the case where it is determined by the first detection unit 70 that the detector is detected, the detected detector is determined as the raised substrate 90 by the back surface foreign material 91. On the other hand, when it is determined by the second detector 71 that the detector is detected, it is determined that the detected detector is the surface foreign material 92 present on the surface of the substrate 90.

제어부(7)는, 판정부(72)의 판정 결과에 의거해, 전술과 같이, 스테이지(3), 승강 기구(43, 44), 이동 기구(5) 및 표시부(6) 등의 각 구성을 제어하는데, 상세한 것은 후술한다. Based on the determination result of the determination part 72, the control part 7 implements each structure of the stage 3, the lifting mechanism 43, 44, the moving mechanism 5, the display part 6, etc. as mentioned above. The control will be described later in detail.

이상이 제3 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 구성 및 기능의 설명이다. The above is description of the structure and function of the substrate processing apparatus 1 in 3rd Embodiment.

<3.2 동작의 설명> <3.2 Explanation of operation>

다음에, 제3 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)의 동작에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 각 부의 동작 제어는 특별히 양해를 얻지 않는 한 제어부(7)에 의해 행해진다. Next, operation | movement of the substrate processing apparatus 1 in 3rd Embodiment is demonstrated. In addition, operation control of each part shown below is performed by the control part 7 unless there is particular understanding.

기판 처리 장치(1)에서, 오퍼레이터 또는 도시하지 않은 반송 기구에 의해, 소정의 위치에 기판(90)이 반송됨으로써, 레지스트액을 기판(90)의 도포 영역에 도포하기 위한 처리가 개시된다. In the substrate processing apparatus 1, the substrate 90 is conveyed to a predetermined position by an operator or a conveyance mechanism (not shown), whereby a process for applying the resist liquid to the application region of the substrate 90 is started.

또한, 기판(90)이 반입될 때, 슬릿 노즐(41)은 반송되는 기판(90)과 간섭하지 않는 위치(퇴피 위치)에 대기한다. 이에 따라, 투광부(45) 및 수광부(46)도 퇴피 위치에 대기한다. 또한, 처리를 개시하기 위한 지시는, 기판(90)의 반송이 완료한 시점에서, 오퍼레이터가 조작부를 조작함으로써 입력되어도 된다. In addition, when the board | substrate 90 is carried in, the slit nozzle 41 waits in the position (retraction position) which does not interfere with the board | substrate 90 to be conveyed. Accordingly, the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 also stand by in the retracted position. In addition, the instruction for starting a process may be input by the operator operating the operation part at the time when conveyance of the board | substrate 90 is completed.

처리가 개시되면, 스테이지(3)가 지지면(30) 상의 소정의 위치에 반입된 기판(90)을 흡착하여 지지한다. 다음에, 이동 기구(5)의 리니어 모터(50)가 투광부(45) 및 수광부(46)를 검사 개시 위치에 이동시킨다. 또한, 검사 개시 위치란, 투광부(45)와 수광부(46)와의 대향선(레이저광(L)이 조사된 경우의 광축이 되는 선)이, 기판(90)의 윗쪽을 통과하는 위치로서, 기판(90)의 (+X) 방향의 단부에 거의 따르는 위치이다. When the process is started, the stage 3 adsorbs and supports the board | substrate 90 carried in in the predetermined position on the support surface 30. Next, the linear motor 50 of the movement mechanism 5 moves the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 to the inspection start position. In addition, an inspection start position is a position where the opposing line (the line which becomes an optical axis when the laser beam L is irradiated) between the light transmission part 45 and the light receiving part 46 passes through the upper part of the board | substrate 90, It is a position almost along the end of the substrate 90 in the (+ X) direction.

전술과 같이, 이동 기구(5)는, 슬릿 노즐(41), 투광부(45) 및 수광부(46)를 상대 위치를 바꾸지 않고, 일체적으로 X축 방향으로 이동시킨다. 따라서, 이동 기구(5)가, 투광부(45) 및 수광부(46)를 퇴피 위치로부터 검사 개시 위치까지 이동시키면, 동시에 가교 구조(4)도 X축 방향으로 이동한다. As mentioned above, the movement mechanism 5 moves the slit nozzle 41, the light transmission part 45, and the light receiving part 46 integrally in the X-axis direction, without changing a relative position. Therefore, when the moving mechanism 5 moves the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 from the retracted position to the inspection start position, the crosslinked structure 4 also moves in the X axis direction at the same time.

그러나, 이때의 슬릿 노즐(41)은, 승강 기구(43, 44)에 의해서 충분한 고도를 유지하고 있으므로, 예를 들어, 이 사이에 슬릿 노즐(41)이 기판(90)의 윗쪽을 통과했다고 해도, 슬릿 노즐(41)이 검출체와 접촉하지 않는다. However, since the slit nozzle 41 maintains sufficient altitude by the lifting mechanisms 43 and 44, even if the slit nozzle 41 has passed through the board | substrate 90 between them, for example. The slit nozzle 41 does not contact the detector.

투광부(45) 및 수광부(46)가 검사 개시 위치로 이동하면, 투광부(45)는 레이저광(L)의 조사를 개시한다. 이 이후, 조사를 정지할 때까지, 투광부(45)에 의한 레이저광(L)의 조사는 계속된다. When the light projecting section 45 and the light receiving section 46 move to the inspection start position, the light projecting section 45 starts irradiation of the laser light L. FIG. After this, irradiation of the laser beam L by the light projecting portion 45 continues until the irradiation is stopped.

다음에, 제어부(7)는 이동 기구(5)를 제어하여, 투광부(45) 및 수광부(46)를 (-X) 방향으로 이동시키면서, 검출체의 검출 처리를 개시한다. Next, the control part 7 controls the moving mechanism 5, and starts the detection process of a detection body, moving the light transmission part 45 and the light reception part 46 to (-X) direction.

검출 처리가 개시되면, 투광부(45) 및 수광부(46)와 함께 가교 구조(4)(슬릿 노즐(41))도 (-X) 방향으로 이동한다. 그러나, 이 동안, 슬릿 노즐(41)은 충분한 고도(높이 위치)를 유지하여 이동하므로, 검출체와 접촉하지 않는다. When the detection process is started, the crosslinked structure 4 (slit nozzle 41) also moves in the (-X) direction together with the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46. However, during this time, the slit nozzle 41 moves while maintaining a sufficient altitude (height position), so that it does not come into contact with the detector.

투광부(45) 및 수광부(46)와 함께 가교 구조(4)가 (-X) 방향으로 이동함으로써, 슬릿 노즐(41)이 도포 개시 위치까지 이동하면, 제어부(7)는, 리니어 모터(50)를 정지시켜, 가교 구조(4)를 일단 정지시킨다. When the slit nozzle 41 moves to the coating start position by moving the crosslinked structure 4 together with the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 in the (-X) direction, the controller 7 controls the linear motor 50. ) Is stopped and the crosslinked structure 4 is once stopped.

또한, 리니어 모터(50)가 정지하고, 투광부(45) 및 수광부(46)가 X축 방향으로 이동하지 않고 정지하는 동안, 본 실시의 형태에서의 검출 처리도 일단 정지한다. In addition, while the linear motor 50 stops and the light transmission part 45 and the light reception part 46 stop without moving in the X-axis direction, the detection process in this embodiment also stops once.

다음에, 제어부(7)는, 슬릿 노즐(41)의 YZ 평면에서의 자세가 적정 자세가 되도록, 승강 기구(43, 44)를 제어하고, 노즐 지지부(40)의 위치를 조정한다. 이에 따라, 슬릿 노즐(41)이 하강하여, 슬릿 노즐(41)의 하단이 기판(90)에 근접한다. Next, the control part 7 controls the lifting mechanisms 43 and 44, and adjusts the position of the nozzle support part 40 so that the attitude | position in the YZ plane of the slit nozzle 41 may be a proper attitude | position. As a result, the slit nozzle 41 descends, and the lower end of the slit nozzle 41 approaches the substrate 90.

기판 처리 장치(1)에서는, 검출 처리에서, 제어부(7)가 검출체를 검출했다고 판정한 경우에는, 리니어 모터(50)를 정지시킴으로써 슬릿 노즐(41)의 (-X) 방향으로의 이동 동작을 정지시키는 동시에, 표시부(6)에 경보를 출력한다. In the substrate processing apparatus 1, when it determines with the detection process that the control part 7 detected the detection body, the movement operation to the (-X) direction of the slit nozzle 41 is stopped by stopping the linear motor 50. FIG. Is stopped and an alarm is output to the display unit 6.

따라서, 검출 처리가 개시되고 나서 슬릿 노즐(41)이 도포 개시 위치로 이동하기까지의 사이에 검출체가 검출되지 않으면, 기판(90)의 (+X)측의 단부로부터, 투광부(45)(수광부(46))의 위치(도포 개시 위치보다 (-X) 방향으로 진행한 위치)까 지의 사이에서, 검출체를 발견할 수 없는 것을 의미한다. 따라서, 도포 개시 위치에서, 슬릿 노즐(41)을 적정 자세로 하기 위해서, 슬릿 노즐(41)을 하강시켜도, 슬릿 노즐(41)이 검출체와 접촉할 위험성은 거의 없다. Therefore, if the detection body is not detected after the detection processing is started and before the slit nozzle 41 moves to the application start position, the light projecting portion 45 (from the end on the (+ X) side of the substrate 90). It means that a detector cannot be found between the position of the light-receiving part 46 (the position which advanced to (-X) direction from the application start position). Therefore, even if the slit nozzle 41 is lowered in order to make the slit nozzle 41 in the proper position at the application start position, there is little risk that the slit nozzle 41 comes into contact with the detector.

슬릿 노즐(41)의 자세 조정이 종료하면, 레지스트용 펌프(도시하지 않음)에 의해 슬릿 노즐(41)에 레지스트액이 보내지고, 슬릿 노즐(41)이 도포 영역에 레지스트액을 토출한다. 그 토출 동작과 함께, 리니어 모터(50)가 슬릿 노즐(41)을 (-X) 방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 기판(90)의 도포 영역이 슬릿 노즐(41)에 의해서 주사되어, 도포 영역에 레지스트액이 도포된다. When the attitude adjustment of the slit nozzle 41 is finished, the resist liquid is sent to the slit nozzle 41 by a resist pump (not shown), and the slit nozzle 41 discharges the resist liquid to the coating area. With the discharge operation, the linear motor 50 moves the slit nozzle 41 in the (-X) direction. Thereby, the application | coating area | region of the board | substrate 90 is scanned by the slit nozzle 41, and a resist liquid is apply | coated to an application | coating area | region.

슬릿 노즐(41)에 의한 주사의 개시와 함께, 일단 정지해 있던 검출 처리가 재개된다. 즉, 이 이후는, 슬릿 노즐(41)에 의해서 레지스트액이 도포되는 동작과 병행하여, 검출 처리가 행해진다. With the start of scanning by the slit nozzle 41, the detection process once stopped is resumed. That is, after this, a detection process is performed in parallel with the operation | movement which a resist liquid is apply | coated by the slit nozzle 41. FIG.

또한, 레지스트액의 토출은, 자세 조정이 종료하고 나서가 아니어도 된다. 예를 들면, 슬릿 노즐(41)로부터 소량의 레지스트액을 토출시킴으로써 슬릿 노즐(41)의 선단부에 적절한 액체 저장소를 생성하고 나서, 슬릿 노즐(41)을 적정 위치에 강하시켜도 된다.In addition, the discharge of the resist liquid may not be after the posture adjustment is completed. For example, by discharging a small amount of resist liquid from the slit nozzle 41, an appropriate liquid reservoir may be generated at the tip end of the slit nozzle 41, and then the slit nozzle 41 may be dropped to an appropriate position.

이와 같이 기판 처리 장치(1)에서는, 슬릿 노즐(41)에 의한 도포 처리 중(주사 중)에, 검출 처리가 실행됨으로써, 판정부(72)에 의해서 검출체가 검출된 경우에, 즉시 슬릿 노즐(41)의 이동을 정지시킨다. 이에 따라 기판 처리 장치(1)는 슬릿 노즐(41)과 검출체와의 접촉을 미연에 방지할 수 있다. 따라서, 슬릿 노즐(41)이나 기판(90) 등이 접촉에 의해 파손되는 것을 효율적으로 방지할 수 있다.Thus, in the substrate processing apparatus 1, when a detection body is detected by the determination part 72 by the detection process being performed during the coating process (during scanning) by the slit nozzle 41, a slit nozzle ( Stop movement of 41). Thereby, the substrate processing apparatus 1 can prevent the contact between the slit nozzle 41 and a detection body beforehand. Therefore, the slit nozzle 41, the board | substrate 90, etc. can be prevented from being damaged by a contact efficiently.

또한, 판정부(72)가 검출체를 검출한 경우, 제어부(7)는, 레지스트용 펌프를 정지하여 레지스트액의 토출을 정지하고, 리니어 모터(50) 및 승강 기구(43, 44)에 의해 슬릿 노즐(41)을 퇴피 위치로 퇴피시킨다. 단, 슬릿 노즐(41)이 도포 개시 위치로 이동하기까지의 사이에 검출체가 검출된 경우에는, 레지스트액의 토출은 아직 개시되지 않으므로, 레지스트액의 토출을 정지시키는 처리는 하지 않는다. In addition, when the determination part 72 detects a detection body, the control part 7 stops discharge of a resist liquid by stopping a resist pump, and the linear motor 50 and the lifting mechanisms 43 and 44 are used. The slit nozzle 41 is retracted to the retracted position. However, when the detection body is detected until the slit nozzle 41 moves to the application start position, the discharge of the resist liquid is not started yet, and therefore, the process of stopping the discharge of the resist liquid is not performed.

또한, 제어부(7)는, 전술과 같이, 표시부(6)에 경보를 출력함으로써, 오퍼레이터에게 이상 사태가 발생한 것을 알린다. 이에 따라, 오퍼레이터는 복구 작업의 필요와 불필요를 용이하게 판단할 수 있다. 또한, 경보는 오퍼레이터에게 알릴 수 있는 것이면 어떠한 수법이라도 되고, 스피커 등으로부터 경보음을 출력해도 되고, 라이트 등을 점등시켜도 된다. In addition, the controller 7 notifies the operator that an abnormal situation has occurred by outputting an alarm to the display unit 6 as described above. Accordingly, the operator can easily determine the necessity and unnecessary of the recovery operation. The alarm may be any method as long as the operator can be notified, the alarm sound may be output from a speaker or the like, or the light or the like may be turned on.

또한, 제1 검출부(70)에 의해서 검출체가 검출된 경우에, 판정부(72)는, 기판(90)이 융기해 있다고 판정하고, 검출된 검출체의 종별이「융기한 기판」인 것을 나타내는 정보를 표시부(6)에 표시시킨다. 또한, 기판(90)의 이면 세정과 지지면(30)의 세정을 재촉하는 메시지를 표시부(6)에 표시시킨다. In addition, when the detection body is detected by the first detection unit 70, the determination unit 72 determines that the substrate 90 is raised, and indicates that the type of the detected detection body is a "ridged substrate". Information is displayed on the display unit 6. In addition, a message prompting the back side cleaning of the substrate 90 and the cleaning of the support surface 30 is displayed on the display unit 6.

한편, 제2 검출부(71)에 의해서 검출체가 검출된 경우에는, 판정부(72)는, 기판(90)의 표면에 표면 이물이 존재한다고 판정하고, 검출된 검출체의 종별이「표면 이물」인 것을 나타내는 정보를 표시부(6)에 표시시킨다. 또한, 기판(90)의 표면 세정을 재촉하는 메시지를 표시부(6)에 표시시킨다. On the other hand, when the detection body is detected by the second detection unit 71, the determination unit 72 determines that surface foreign matter exists on the surface of the substrate 90, and the type of the detected detection object is "surface foreign material". Information indicating that is displayed on the display unit 6. In addition, a message for prompting surface cleaning of the substrate 90 is displayed on the display unit 6.

또한, 검출체가 검출된 경우, 제어부(7)는 검출의 과정(CCD 소자군의 출력)을 표시부(6)에 표시시킨다. 이에 따라, 오퍼레이터는 이후에 검출체를 화면으로 확인할 수 있으므로, 보다 적절한 회복 처리를 행할 수 있다. In addition, when the detection body is detected, the control unit 7 causes the display unit 6 to display the process of detection (output of the CCD element group). Thereby, since an operator can confirm a detection object later on a screen, an operator can perform a more appropriate recovery process.

판정부(72)에 의해서 검출체가 검출되고, 슬릿 노즐(41)이 퇴피 위치로 이동하면, 기판(90)은 다른 기판(90)(정상으로 처리된 기판(90))과 구별하여, 재처리 공정을 향해 반송된다. When the detection body is detected by the determination unit 72 and the slit nozzle 41 is moved to the retracted position, the substrate 90 is distinguished from other substrates 90 (normally processed substrate 90) and reprocessed. It is conveyed toward a process.

이때, 오퍼레이터는 표시부(6)에 표시되어 있는 내용을 확인하고, 이면 이물(91)이 원인이라고 표시되는 경우는, 이면 세정을 행하는 장소에 기판(90)을 반송하여, 해당 기판(90)의 이면 세정을 행한다. 또한, 이 경우, 이면 이물(91)은 스테이지(3)의 지지면(30)에 부착하고 있는 것도 생각할 수 있으므로, 기판 처리 장치(1)의 지지면(30)을 세정한다. At this time, the operator checks the contents displayed on the display unit 6, and when the back surface foreign material 91 is displayed as the cause, the operator conveys the substrate 90 to a place where the back surface cleaning is performed, Back cleaning is performed. In this case, since the back surface foreign material 91 can also be attached to the support surface 30 of the stage 3, the support surface 30 of the substrate processing apparatus 1 is cleaned.

한편, 표시부(6)에 표면 이물(92)이 원인이라고 표시되는 경우는, 표면 세정을 하는 장소에 기판(90)을 반송하여, 해당 기판(90)의 표면 세정을 행한다. On the other hand, when the surface part 92 is displayed as the cause in the display part 6, the board | substrate 90 is conveyed to the place where surface cleaning is performed, and the said board | substrate 90 is surface-washed.

이와 같이, 오퍼레이터는, 검출체가 검출된 경우에, 적절한 회복 처리(리커버리 처리)를 용이하게 판단할 수 있으므로, 오퍼레이터의 부담이 경감된다. 또한, 적절한 회복 처리를 선택하기 위해서, 별도 검사 등을 행할 필요가 없으므로, 처리 효율도 향상된다. In this way, when the operator detects the detection body, the operator can easily determine an appropriate recovery process (recovery process), thereby reducing the burden on the operator. In addition, there is no need to perform separate inspection or the like in order to select an appropriate recovery process, thereby improving the processing efficiency.

검출 처리에서 검출체가 검출되지 않은 경우, 제어부(7)는 리니어 인코더(51)의 출력에 의거해 슬릿 노즐(41)의 위치를 확인하면서, 슬릿 노즐(41)이 도포 종료 위치로 이동할 때까지 도포 처리를 계속한다. 도포 종료 위치란, 슬릿 노즐(41)이 도포 영역의 (-X)측의 단부 윗쪽에 따르는 위치이다. When the detection object is not detected by the detection process, the control part 7 confirms the position of the slit nozzle 41 based on the output of the linear encoder 51, and apply | coats until the slit nozzle 41 moves to the application | coating end position. Continue processing The application end position is a position along which the slit nozzle 41 is located above the end on the (-X) side of the application region.

이와 같이, 검출체가 존재하지 않는 경우에는, 슬릿 노즐(41)에 의한 주사가 도포 영역 전역에 대해 행해져, 해당 도포 영역의 전체영역에서의 기판(90)의 표면 상에 레지스트액의 층이 형성된다. As described above, when the detection body does not exist, scanning by the slit nozzle 41 is performed over the entire coating region, and a layer of the resist liquid is formed on the surface of the substrate 90 in the entire region of the coating region. .

슬릿 노즐(41)이 도포 종료 위치에 이동하면, 제어부(7)가 레지스트용 펌프를 정지시켜 슬릿 노즐(41)로부터의 레지스트액의 토출을 정지시키는 동시에, 리니어 모터(50)를 정지시켜 슬릿 노즐(41)의 (-X)방향으로의 이동을 정지한다. 또한, 이와 병행하여 투광부(45)는 레이저광(L)의 조사를 정지하여, 검출 처리가 종료한다. When the slit nozzle 41 is moved to the application end position, the control unit 7 stops the resist pump, stops the discharge of the resist liquid from the slit nozzle 41, and stops the linear motor 50 to stop the slit nozzle. The movement in the (-X) direction of (41) is stopped. In addition, in parallel with this, the light projection part 45 stops irradiation of the laser beam L, and the detection process is complete | finished.

레지스트액의 토출이 정지하면, 제어부(7)는, 리니어 모터(50) 및 승강 기구(43, 44)를 제어하여, 슬릿 노즐(41)을 퇴피 위치로 퇴피시킨다. When discharge of the resist liquid stops, the control unit 7 controls the linear motor 50 and the lifting mechanisms 43 and 44 to retract the slit nozzle 41 to the retracted position.

슬릿 노즐(41)이 퇴피 위치로 퇴피한 후, 스테이지(3)는 기판(90)의 흡착을 정지하고, 오퍼레이터 또는 반송 기구가 기판(90)을 지지면(30)으로부터 끌어올려, 기판(90)을 다음 처리 공정에 반출한다. 이에 따라, 기판(90)에 대한 도포 처리가 종료한다. After the slit nozzle 41 is evacuated to the retracted position, the stage 3 stops the adsorption of the substrate 90, and the operator or the transport mechanism pulls the substrate 90 from the support surface 30, thereby providing the substrate 90. ) To the next treatment process. Thereby, the coating process to the board | substrate 90 is complete | finished.

이상과 같이, 제3 실시 형태에서의 기판 처리 장치(1)는, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 존재하지 않는 상태에서, 레이저광(L)이 입사하지 않는 영역을 포함하도록 제1 수광 영역(48a)을 설정하고, 레이저광(L)이 입사하는 영역을 포함하도록 제2 수광 영역(48b)을 설정한다. 그리고, 검출 처리에서, 제1 검출부(70)는 제1 수광 영역(48a)으로부터 출력되는 수광량 EV1(t)에 의거해 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출하고, 제2 검출부(71)는 제2 수광 영역(48b)으로부터 출력되는 수광량 EV2(t)에 의거해 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출 한다. 또한, 판정부(72)는 제1 검출부(70) 및 제2 검출부(71)의 검출 결과에 따라, 검출된 물체의 종류를 판정한다. 이에 따라, 기판 처리 장치(1)의 검출 정밀도가 향상될 뿐만 아니라, 검출된 물체의 종류에 따라 오퍼레이터가 적절히 대처할 수 있으므로, 메인티넌스 효율이 향상된다. As described above, the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment receives the first light-receiving so as to include a region where the laser light L does not enter in a state in which no object which may cause processing failure exists. The region 48a is set, and the second light receiving region 48b is set to include the region where the laser light L is incident. In the detection process, the first detection unit 70 detects an object that may be the cause of the processing failure based on the light reception amount EV1 (t) output from the first light receiving region 48a, and the second detection unit 71. Detects an object that may be the cause of a defective process based on the received light amount EV2 (t) output from the second light receiving region 48b. In addition, the determination unit 72 determines the type of the detected object in accordance with the detection results of the first detection unit 70 and the second detection unit 71. As a result, not only the detection accuracy of the substrate processing apparatus 1 is improved, but also the operator can appropriately cope with the type of the detected object, thereby improving the maintenance efficiency.

수광량 EV1(t)가 상한 임계치(Q1)보다 증가한 경우에, 제1 검출부(70)는 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출했다고 판정함으로써, 수광량 EV2(t)에 의거해 검출하는 것이 곤란한 물체를 검출할 수 있다.When the light receiving amount EV1 (t) increases above the upper limit threshold Q1, it is difficult to detect the light on the basis of the light receiving amount EV2 (t) by determining that the first detection unit 70 has detected an object that may cause the processing failure. The object can be detected.

제1 검출부(70)에 의해서 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 검출된 경우에, 검출된 물체는 이면 이물(91)에 의해서 융기한 기판(90)이라고 판정함으로써, 적절한 회복 처리를 용이하게 선택할 수 있다.In the case where an object capable of causing a defect in processing is detected by the first detection unit 70, the detected object is determined to be a substrate 90 raised by the back surface foreign material 91, so that an appropriate recovery process can be easily performed. You can choose.

수광량 EV2(t)가 하한 임계치(Q2)보다 감소한 경우에, 제2 검출부(71)는 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출했다고 판정함으로써, 수광량 EV1(t)에 의거해 검출하는 것이 곤란한 물체를 검출할 수 있다. When the light receiving amount EV2 (t) decreases below the lower limit threshold Q2, it is difficult to detect the second light detection unit 71 based on the light receiving amount EV1 (t) by determining that the object that may cause the processing failure is detected. The object can be detected.

제2 검출부(71)에 의해서 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 검출된 경우에, 검출된 물체는 기판(90)의 표면에 존재하는 표면 이물(92)이라고 판정함으로써, 적절한 회복 처리를 용이하게 선택할 수 있다. In the case where an object capable of causing a defective process is detected by the second detection unit 71, it is determined that the detected object is a surface foreign material 92 present on the surface of the substrate 90, thereby facilitating proper recovery processing. You can choose to.

<4. 변형예> <4. Variation>

이상, 본 발명의 실시 형태에 관해서 설명했는데, 본 발명은 상기 실시의 형태에 한정되지 않고 다양한 변형이 가능하다. As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible.

예를 들면, 제1 실시 형태에서는, 차폐판(31)을 설치함으로써, 기판(90)의 단부에서의 오검출을 억제했는데, 이러한 차폐판(31)은 설치되지 않아도 된다. 즉, 검출 개시 위치로부터 단순 비교법에 의한 검출 처리를 행하면서, 기판(90)의 단부에 의한 광량(F)의 저하를 검출하고 나서 다른 수법에 의한 검출 처리를 개시하도록 해도 된다. 단순 비교법은, 기준 광량(F0)(기판(90)에 차폐된 상태에서 측정된다)에 의거해 설정되는 임계치(Q)에 의해서 간섭물을 판정하기 때문에, 단지 광량(F)이 저하한 것만으로는 간섭물을 검출했다고 판정하지 않고, 기판(90)의 단부를 간섭물로서 오인하는 일이 없기 때문이다. For example, in 1st embodiment, although the misdetection in the edge part of the board | substrate 90 was suppressed by providing the shielding plate 31, such a shielding plate 31 does not need to be provided. That is, while performing the detection process by a simple comparison method from a detection start position, you may start the detection process by another method after detecting the fall of the light quantity F by the edge part of the board | substrate 90. FIG. Since the simple comparison method determines the interference by the threshold value Q set based on the reference light quantity F0 (measured in a state shielded from the substrate 90), only the light quantity F has decreased. This is because the end of the substrate 90 is not mistaken as an interference without determining that an interference has been detected.

또한, 슬릿 노즐(41)에 투광부(45) 및 수광부(46)를 장착해도 된다. 이 경우, 투광부(45) 및 수광부(46)도 승강 기구(43, 44)에 의해서 슬릿 노즐(41)과 함께 승강한다. In addition, the light transmitting portion 45 and the light receiving portion 46 may be attached to the slit nozzle 41. In this case, the light transmitting part 45 and the light receiving part 46 are also raised and lowered together with the slit nozzle 41 by the lifting mechanisms 43 and 44.

또한, 제2 실시 형태에서는, 차폐판(31)이 레이저광(L)을 완전히 차폐한다고 설명했는데, 스모크 부재와 같이 일부 레이저광(L)을 투과하는 부재여도 되고, 완전히 레이저광(L)을 차폐하는 부재에 한정되는 것은 아니다. 기판 처리 장치(1)에서는, 차폐 영역(E1)으로부터 검사 영역(E2)으로 이동할 때에, 수광량 EV(t)가 상승하도록 구성되어 있으면 되므로, 적어도 기판(90)의 단부에 의해서 차폐되는 광량보다도 많은 광량을 차폐하면 된다.In addition, in 2nd Embodiment, it demonstrated that the shielding plate 31 completely shielded the laser beam L, The member which permeate | transmits some laser beam L like a smoke member may be sufficient, and the laser beam L is completely It is not limited to the member to shield. In the substrate processing apparatus 1, since the light receiving amount EV (t) should be configured to increase when moving from the shielding region E1 to the inspection region E2, at least the amount of light shielded by the end of the substrate 90 is greater. What is necessary is just to shield the light quantity.

또한, 수광 영역(48)을 수광 가능 영역(47)에 대해 설정하기 위해서는, 수광부(46)를 구성하는 소자는, CCD 소자가 아니어도 된다. 예를 들면, C-MOS 등의 촬상 소자여도 된다. In addition, in order to set the light receiving region 48 for the light receiving region 47, the element constituting the light receiving portion 46 may not be a CCD element. For example, an imaging device such as a C-MOS may be used.

청구항 1 내지 10에 기재된 발명은, 2차원적으로 배열된 수광 소자에 의해서 구성되는 2차원적인 수광 가능 영역을 갖는 수광 수단과, 수광 수단과 대향하는 위치에 배치되어, 수광 수단을 향해 레이저광을 조사하는 투광 수단과, 수광 가능 영역 내에 수광 영역을 설정하는 설정 수단과, 설정 수단에 의해 설정된 제1 수광 영역에 배치되어 있는 수광 소자로부터의 출력 신호에 의거해, 검사 영역 내에 존재하는 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출하는 검출 수단을 구비함으로써, 수광 수단과 투광 수단의 위치 조정을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 수광 가능 영역 내의 각 위치에서의 광량을 식별할 수 있으므로, 임의의 수광 영역을 설정할 수 있다. Invention of Claim 1 thru | or 10 WHEREIN: The light receiving means which has the two-dimensional light reception possible area comprised by the light receiving element arrange | positioned two-dimensionally, is arrange | positioned in the position which opposes a light receiving means, and directs a laser beam toward a light receiving means. On the basis of the output signal from the light receiving element disposed in the first light receiving region set by the light transmitting means to be irradiated, the setting means for setting the light receiving region in the light receiving region, and the setting means, By providing the detecting means for detecting the object which may be the cause, the position adjustment of the light receiving means and the light transmitting means can be easily performed. In addition, since the amount of light at each position in the light-receivable area can be identified, an arbitrary light-receiving area can be set.

청구항 2에 기재된 발명에서, 설정 수단은, 수광 영역을, 제1 방향의 폭이, 제1 방향과 대략 수직 방향의 폭보다도 넓어지도록 설정함으로써, 검출 사이클 시간이 길어져도, 검출 누설을 방지할 수 있다. In the invention according to claim 2, the setting means sets the light receiving area so that the width in the first direction is wider than the width in the direction substantially perpendicular to the first direction, thereby preventing detection leakage even if the detection cycle time is long. have.

청구항 5에 기재된 발명에서는, 수광 수단으로부터의 출력 신호에 의거해, 수광 수단의 수광 상황을 표시하는 표시 수단을 더 구비함으로써, 검출 결과를 오퍼레이터가 용이하게 확인할 수 있다.In the invention according to claim 5, the operator can easily confirm the detection result by further including display means for displaying the light receiving status of the light receiving means based on the output signal from the light receiving means.

청구항 6에 기재된 발명에서, 검출 수단은, 수광 영역에서 수광되는 레이저광의 광량이 소정의 임계치 미만으로 감소한 경우에, 물체를 검출했다고 판정함으로써, 물체의 검출에 요하는 시간을 단축할 수 있다. In the invention as set forth in claim 6, the detecting means can shorten the time required for detecting the object by determining that the object has been detected when the light amount of the laser light received in the light receiving region decreases below a predetermined threshold.

청구항 7에 기재된 발명에서, 검출 수단은, 수광 수단에 의해서 소정의 주기로 생성되는 복수회분의 출력 신호에 의거해, 물체를 검출함으로써, 노이즈의 영향 을 억제하고, 물체의 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다. In the invention according to claim 7, the detection means can suppress the influence of noise and improve the detection accuracy of the object by detecting the object based on a plurality of output signals generated by the light receiving means at predetermined cycles. .

청구항 8에 기재된 발명에서는, 투광 수단이 이동 수단에 의해서 이동하는 경우에서, 레이저광이 지지 수단에 지지된 기판의 단부를 통과하게 되기까지 동안, 레이저광이 수광 영역에 배치되어 있는 수광 소자에 수광되지 않도록, 레이저광을 차폐하는 차폐 수단을 더 구비함으로써, 기판의 단부를, 물체로서 오검출하는 것을 방지할 수 있다. In the invention according to claim 8, in the case where the light transmitting means moves by the moving means, the laser light is received by the light receiving element disposed in the light receiving region while the laser light passes through the end portion of the substrate supported by the supporting means. By further including shielding means for shielding the laser beam, the misdetection of the end of the substrate as an object can be prevented.

청구항 10에 기재된 발명에서는, 수광 영역에서의 광량 분포를 검출하고, 물체가 존재하지 않을 때의 광량 분포에서의 피크 에지의 위치에 의거해 물체를 검출함으로써, 예를 들면, 광의 간섭 현상에 의해서, 레이저광의 광량이 감소하지 않는 경우라도, 물체를 검출할 수 있다. In the invention according to claim 10, the light quantity distribution in the light receiving region is detected, and the object is detected based on the position of the peak edge in the light quantity distribution when no object is present. Even when the light amount of the laser light does not decrease, the object can be detected.

청구항 11 내지 16에 기재된 발명에서는, 소정 시간 동안에 상기 수광 수단으로부터 출력된 수광량에 의거해, 소정 시간 동안의 수광량의 감소 상태를 감시하면서, 검사 영역 내에 존재하는 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출함으로써, 검출 정밀도를 향상시켜도 노이즈의 영향을 억제할 수 있다. According to the invention of Claims 11 to 16, an object which may be the cause of the defective processing existing in the inspection area while monitoring the state of decrease in the received light amount for a predetermined time, based on the light received amount output from the light receiving means for a predetermined time. By detecting, even if the detection accuracy is improved, the influence of noise can be suppressed.

또한, 수광 영역이 차폐 영역에 포함되도록 배치되어 있는 수광 수단을, 수광 영역이 검사 영역에 포함되도록 이동시킴으로써, 지지 수단에 지지된 기판의 단부 근방에서 물체를 검출할 때에, 수광 수단으로부터 출력되는 수광량이 상승하기 때문에, 정상 기판을 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체로서 오검출하는 것을 방지할 수 있다. Further, the light receiving means outputted from the light receiving means when the object is detected in the vicinity of the end of the substrate supported by the support means by moving the light receiving means arranged so that the light receiving region is included in the shielding region. Since this rises, it is possible to prevent the misdetection of the normal substrate as an object which may cause processing failure.

청구항 14에 기재된 발명에서는, 검출 결과에 따라, 노즐 이동 수단을 제어 함으로써, 슬릿 노즐과 물체와의 충돌을 회피할 수 있다. In the invention described in claim 14, the collision between the slit nozzle and the object can be avoided by controlling the nozzle moving means in accordance with the detection result.

청구항 15에 기재된 발명에서는, 물체의 검출을 개시하기 전에, 수광 영역이 차폐 수단에 의해 차폐되지 않는 위치에 배치되어 있는 수광 수단을, 수광 영역이 차폐 영역에 포함되도록 이동시키면서, 투광 수단 및 수광 수단의 동작 상태를 판정함으로써, 검사 정밀도를 향상시킬 수 있다. In the invention as set forth in claim 15, before the detection of the object, the light receiving means and the light receiving means are moved while the light receiving region is disposed at a position where the light receiving region is not shielded by the shielding means, so that the light receiving region is included in the shielding region. By determining the operating state of, the inspection accuracy can be improved.

청구항 16에 기재된 발명에서는, 수광 수단에 의해 출력되는 수광량과, 소정의 임계치를 비교하여, 상기 검사 영역 내에 존재하는 물체를 검출함으로써, 2종류의 검출 수법을 병행하여 실행하므로, 검출 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있다. In the invention as set forth in claim 16, two types of detection methods are performed in parallel by detecting an object present in the inspection area by comparing a light reception amount output by the light receiving means with a predetermined threshold, thereby further improving detection accuracy. You can.

청구항 17 내지 21에 기재의 발명에서는, 제3 검출 수단 및 제4 검출 수단의 검출 결과에 따라서, 검출된 물체의 종류를 판정함으로써, 검출 정밀도가 향상될 뿐만 아니라, 검출된 물체의 종류에 따라 적절히 대처할 수 있으므로, 메인티넌스 효율이 향상된다. In the invention described in claims 17 to 21, by determining the type of the detected object in accordance with the detection results of the third and fourth detection means, not only the detection accuracy is improved but also appropriately according to the type of the detected object. Since it can cope, maintenance efficiency improves.

청구항 18에 기재된 발명에서는, 제1 수광량이 상한 임계치보다 증가한 경우에, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출했다고 판정함으로써, 제2 수광량에 의거해 검출하는 것이 곤란한 물체를 검출할 수 있다. In the invention described in claim 18, when it is determined that the object that may cause the processing failure is detected when the first light receiving amount increases above the upper limit threshold, an object that is difficult to detect based on the second light receiving amount can be detected.

청구항 19에 기재된 발명에서는, 제3 검출 수단에 의해서 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 검출된 경우에, 검출된 물체는 이면 이물에 의해서 융기된 기판이라고 판정함으로써, 적절한 회복 처리를 용이하게 선택할 수 있다. In the invention as set forth in claim 19, when an object capable of causing a defective process is detected by the third detecting means, the detected object is judged to be a substrate raised by a foreign object on the back, thereby easily selecting an appropriate recovery process. Can be.

청구항 20에 기재된 발명에서는, 제2 수광량이 하한 임계치보다 감소한 경우에, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출했다고 판정함으로써, 제1 수광량 에 의거해 검출하는 것이 곤란한 물체를 검출할 수 있다. In the invention described in claim 20, when the second light receiving amount decreases below the lower limit threshold, it is possible to detect an object that is difficult to detect based on the first light receiving amount by determining that the object that may cause the processing failure is detected.

청구항 21에 기재된 발명에서는, 제4 검출 수단에 의해서 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 검출된 경우에, 검출된 물체는 기판의 표면에 존재하는 표면이물이라고 판정함으로써, 적절한 회복 처리를 용이하게 선택할 수 있다. In the invention as set forth in claim 21, when an object capable of causing a defective process is detected by the fourth detecting means, it is determined that the detected object is a surface foreign matter present on the surface of the substrate, thereby facilitating proper recovery processing. You can choose to.

Claims (21)

기판에 소정의 처리액을 도포하는 기판 처리 장치로서,A substrate processing apparatus which applies a predetermined processing liquid to a substrate, 기판을 지지하는 지지 수단과, Support means for supporting a substrate, 상기 지지 수단에 지지된 상기 기판에 소정의 처리액을 토출하는 슬릿 노즐과, A slit nozzle for discharging a predetermined processing liquid onto the substrate supported by the support means; 수광 영역에 입사하는 레이저 광의 수광량을 출력하는 수광 수단과, Light-receiving means for outputting a light-receiving amount of laser light incident on the light-receiving area; 상기 수광 수단의 상기 수광 영역을 향해 레이저광을 조사하는 투광 수단과, Light transmitting means for irradiating laser light toward the light receiving region of the light receiving means; 상기 투광 수단과 상기 수광 수단의 위치 관계를 실질적으로 유지하면서, 상기 투광 수단과 상기 수광 수단을 이동시키는 이동 수단과, Moving means for moving the light transmitting means and the light receiving means while substantially maintaining the positional relationship between the light transmitting means and the light receiving means; 소정 시간 동안에 상기 수광 수단으로부터 출력된 수광량에 의거해, 상기 소정 시간 동안의 수광량의 감소 상태를 감시하면서, 검사 영역 내에 존재하는 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출하는 제1 검출 수단과,First detection means for detecting an object that may be the cause of a defective process existing in the inspection area while monitoring a state of decrease in the received light amount during the predetermined time, based on the received light amount output from the light receiving means for a predetermined time; 상기 검사 영역에 인접하는 차폐 영역에서, 상기 수광 영역에 입사하는 레이저광을 차폐하는 차폐 수단을 구비하고, Shielding means for shielding a laser beam incident on the light receiving region in a shielding region adjacent to the inspection region; 상기 검사 영역과 상기 차폐 영역의 경계는, 상기 지지 수단에 지지된 상기 기판의 단부 위치에 따라 결정되고, The boundary between the inspection area and the shielding area is determined according to the end position of the substrate supported by the support means, 상기 이동 수단은, 상기 수광 영역이 상기 차폐 영역에 포함되도록 배치되어 있는 상기 수광 수단을, 상기 수광 영역이 상기 검사 영역에 포함되도록 이동시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The said moving means moves the said light receiving means arrange | positioned so that the said light receiving area may be contained in the said shielding area so that the said light receiving area may be contained in the said inspection area | region. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 검출 수단은, 상기 소정 시간 동안에, 상기 수광량이 소정 임계치 이상 감소한 것을 검출하여, 상기 물체를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And the first detecting means detects the object by detecting that the received amount of light decreases by a predetermined threshold or more during the predetermined time, and detects the object. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 검출 수단은, 상기 소정 시간 동안에, 상기 수광량의 감소가 소정 임계치 시간 이상 계속된 것을 검출하여, 상기 물체를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And the first detecting means detects the object by detecting that the decrease in the amount of received light continues for a predetermined threshold time or more during the predetermined time. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 슬릿 노즐을 상기 제1 방향으로 이동시키는 노즐 이동 수단과, Nozzle moving means for moving the slit nozzle in the first direction; 상기 제1 검출 수단에 의한 검출 결과에 따라, 상기 노즐 이동 수단을 제어하는 제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And control means for controlling the nozzle moving means in accordance with a detection result by the first detecting means. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 물체의 검출을 개시하기 전에, 상기 이동 수단은, 상기 수광 영역이 상기 차폐 수단에 의해 차폐되지 않는 위치에 배치되어 있는 상기 수광 수단을, 상기 수광 영역이 상기 차폐 영역에 포함되도록 이동시키고, Before starting the detection of the object, the moving means moves the light receiving means arranged at a position where the light receiving area is not shielded by the shielding means, so that the light receiving area is included in the shielding area, 상기 제1 검출 수단은, 상기 투광 수단 및 상기 수광 수단의 동작 상태를 판정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And said first detecting means determines an operating state of said light transmitting means and said light receiving means. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 수광 수단에 의해 출력되는 수광량과, 소정의 임계치를 비교함으로써, 상기 검사 영역 내에 존재하는 물체를 검출하는 제2 검출 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And second detection means for detecting an object present in the inspection area by comparing the light reception amount output by the light reception means with a predetermined threshold value. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 이동 수단은, 상기 투광 수단과 상기 수광 수단을 제1 방향으로 이동시키고, The moving means moves the light transmitting means and the light receiving means in a first direction, 상기 수광 영역은, 상기 제1 방향의 폭이, 상기 제1 방향과 수직한 방향의 폭보다도 넓어지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The said light-receiving area is set so that the width | variety of the said 1st direction may become wider than the width | variety of the direction perpendicular | vertical to a said 1st direction. 청구항 7에 있어서, The method according to claim 7, 상기 수광 영역이 직사각형인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And said light receiving region is rectangular. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 투광 수단은, 광축에 수직인 단면 형상이 직사각형인 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The said light transmitting means irradiates a laser beam whose rectangular cross section perpendicular | vertical to an optical axis is rectangular, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 수광 수단으로부터의 출력 신호에 의거해, 상기 수광 수단의 수광 상황을 표시하는 표시 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And a display means for displaying the light receiving status of the light receiving means based on an output signal from the light receiving means. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 검출 수단은, 상기 수광 영역에서 수광되는 상기 레이저광의 광량이 소정의 임계치 미만으로 감소한 경우에, 상기 물체를 검출했다고 판정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And the first detecting means determines that the object has been detected when the amount of light of the laser light received in the light receiving region is less than a predetermined threshold value. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 검출 수단은, 상기 수광 수단에 의해서 소정의 주기로 생성되는 복수회 분의 출력 신호에 의거해, 상기 물체를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The said 1st detection means detects the said object based on the output signal of several times produced | generated by a predetermined period by the said light receiving means. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 수광 영역은, 2차원적으로 배열된 복수의 수광 소자에 의해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The said light receiving area is comprised by the some light receiving element arrange | positioned two-dimensionally. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 청구항 13에 있어서, The method according to claim 13, 상기 복수의 수광 소자는, 복수의 CCD 소자인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The plurality of light receiving elements are a plurality of CCD elements. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 검출 수단은, 상기 수광 영역에서의 광량 분포를 검출하고, 상기 물체가 존재하지 않을 때의 광량 분포에서의 피크 에지의 위치에 의거해 상기 물체를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And the first detecting means detects the light quantity distribution in the light receiving region and detects the object based on the position of the peak edge in the light quantity distribution when the object is not present. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 수광 영역으로서,As the light receiving area, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 존재하지 않는 경우에 상기 레이저광이 입사하지 않는 영역을 포함하는 제1 수광 영역과,A first light-receiving area including an area where the laser light does not enter in the case where there is no object which may cause a poor processing; 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 존재하지 않는 경우에 상기 레이저광이 입사하는 영역을 포함하는 제2 수광 영역이 설정되고,A second light-receiving area including an area where the laser light is incident is set when there is no object that may cause processing failure, 상기 제1 검출 수단이, The first detection means, 상기 제1 수광 영역으로부터 출력되는 제1 수광량에 의거해, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출하는 제1 검출 요소와, A first detection element that detects an object that may be a cause of processing failure, based on a first light receiving amount output from the first light receiving region; 상기 제2 수광 영역으로부터 출력되는 제2 수광량에 의거해, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출하는 제2 검출 요소를 구비하고, A second detection element for detecting an object that may be a cause of processing failure, based on a second light reception amount output from the second light reception region, 상기 기판 처리 장치가, The substrate processing apparatus, 상기 제1 검출 요소 및 상기 제2 검출 요소의 검출 결과에 따라서, 검출된 물체의 종류를 판정하는 판정 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And determining means for determining the type of the detected object in accordance with the detection result of the first detection element and the second detection element. 청구항 16에 있어서, The method according to claim 16, 상기 제2 검출 요소는, 상기 제2 수광량이 하한 임계치보다 감소한 경우에, 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체를 검출했다고 판정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And the second detection element determines that an object that may cause a defect in processing is detected when the second light receiving amount decreases below a lower limit threshold. 청구항 16에 있어서, The method according to claim 16, 상기 판정 수단은, 상기 제2 검출 요소에 의해 처리 불량의 원인이 될 수 있는 물체가 검출된 경우에, 상기 물체는 상기 기판의 표면에 존재하는 표면 이물이라고 판정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And the determining means judges that the object is a surface foreign matter present on the surface of the substrate when an object capable of causing a defective process is detected by the second detection element. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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