KR102525265B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

[과제] 부상력이 부여되어 반송되는 기판에 처리액을 양호하게 도포하는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 도포 장치 (1) 는, 부상 스테이지부 (3) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 부상 기판 (W) 을 X 방향으로 이동시키는 반송 기구 (5) 와, 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 측정기 (72) 와, 측정기 (72) 를 Y 방향으로 이동시키는 측정기 이동부 (76) 를 구비한다. 측정기 (72) 는, Y 방향으로 이동됨으로써, Y 방향의 상이한 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다.
[Problem] To provide a technique for favorably applying a treatment liquid to a substrate conveyed with a levitation force applied thereto.
[Solution] The coating device 1 includes a conveying mechanism 5 for moving the floating substrate W to which the floating force is applied by the floating stage unit 3 in the X direction, and the vertical movement of the floating substrate W A measuring instrument 72 for measuring a position and a measuring instrument moving part 76 for moving the measuring instrument 72 in the Y direction are provided. The measuring device 72 measures the vertical position of the floating substrate W at a plurality of different points in the Y direction by being moved in the Y direction.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이고, 특히, 부상력이 부여되어 반송되는 기판에의 처리액의 도포를 바람직하게 실시하는 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 기판, 액정 표시 장치 및 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판이 포함된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a technique for preferably applying a processing liquid to a substrate transported with a levitation force applied thereto. Substrates to be processed include, for example, semiconductor substrates, flat panel display (FPD) substrates such as liquid crystal display devices and organic EL (electroluminescence) display devices, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disk substrates. Substrates, photomask substrates, ceramic substrates, and solar cell substrates are included.

반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 전자 부품 등의 제조 공정에서는, 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 장치가 이용되고 있다. 이와 같은 도포 장치로서, 기판의 이면에 에어를 분무하여 기판을 부상시킨 상태에서 당해 기판을 반송하면서, 당해 기판의 표면 (기판의 주면 (主面) 에 상당) 에 대해 기판의 폭 방향으로 연장되는 노즐로부터 도포액을 토출하여 기판에 도포액을 도포하는 장치가 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1).BACKGROUND ART In manufacturing processes of electronic components such as semiconductor devices and liquid crystal display devices, a coating device for applying a coating liquid to the surface of a substrate is used. In such an application device, while transporting the substrate in a state where the substrate is raised by spraying air on the back side of the substrate, the substrate is extended in the width direction of the substrate with respect to the surface (corresponding to the main surface of the substrate). An apparatus for discharging a coating liquid from a nozzle to apply a coating liquid to a substrate is known (for example, Patent Document 1).

특허문헌 1 에 기재된 기판 처리 장치에서는, 부상 스테이지 상에서 기판을 수평 자세로 부상시키면서, 기판의 주연부를 유지하여 수평 방향으로 주행시킴으로써 당해 기판을 반송하고, 기판 반송 경로의 상방에 배치된 슬릿 노즐로부터 도포액을 토출시킨다.In the substrate processing apparatus described in Patent Literature 1, the substrate is transported by moving the substrate in a horizontal direction while holding the periphery of the substrate while the substrate is raised in a horizontal posture on a floating stage, and the substrate is transported, and the substrate is applied from a slit nozzle disposed above the substrate transport path. discharge the liquid

특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 기판의 상방에 있어서, 기판의 부상 높이를 측정하는 광학식 거리 센서가 구비되어 있다. 기판의 부상 높이에 따라 슬릿 노즐의 높이를 조정하면서 도포액을 공급하는 것이 가능하게 되어 있다.In the substrate processing apparatus of Patent Literature 1, an optical distance sensor for measuring the floating height of the substrate is provided above the substrate. It is possible to supply the coating liquid while adjusting the height of the slit nozzle according to the floating height of the substrate.

일본 공개특허공보 2012-142583호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-142583

그러나, 특허문헌 1 에서는, 광학식 거리 센서는, 슬릿 노즐에 고정되어 있기 때문에, 반송 방향에 직교하는 횡 방향 (기판의 폭 방향) 에 관해서 고정된 위치에서밖에 기판의 부상 높이를 측정할 수 없다. 이 때문에, 기판의 횡 방향에 있어서의 부상 높이의 분포를 얻을 수 없었다. 예를 들어, 부상 스테이지의 부상력이 부족한 것 등에 의해, 횡 방향에 있어서의 기판의 부상 높이에 편차가 발생한 경우에, 처리액의 도포 불량이 일어날 우려가 있었다.However, in Patent Literature 1, since the optical distance sensor is fixed to the slit nozzle, the floating height of the substrate can be measured only at a fixed position in the transverse direction (transverse direction of the substrate) orthogonal to the transport direction. For this reason, distribution of the floating height in the transverse direction of the substrate could not be obtained. For example, when the levitation height of the substrate in the horizontal direction varies due to insufficient levitation force of the levitation stage or the like, there is a concern that coating failure of the treatment liquid may occur.

그래서, 본 발명은, 부상력이 부여되어 반송되는 기판에 처리액을 양호하게 도포하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to provide a technique for favorably applying a processing liquid to a substrate transported with a levitation force applied thereto.

상기 과제를 해결하기 위해, 제 1 양태는, 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와, 상기 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과, 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기와, 상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시키는 측정기 이동 기구를 구비한다.In order to solve the above problems, a first aspect is a substrate processing apparatus for processing a substrate having a first main surface and a second main surface, wherein the first main surface is provided with a lifting mechanism for imparting a lifting force to a substrate upward in the vertical direction; , a transport mechanism for moving the substrate to which the levitation force is applied, in a first horizontal direction, and a discharge port extending in a second direction, a horizontal direction orthogonal to the first direction, wherein the levitating substrate a nozzle capable of discharging the processing liquid toward the first main surface of the substrate through the discharge port, a measuring device for measuring a vertical position of the floating substrate, and a measuring device moving mechanism for moving the measuring device in the second direction.

제 2 양태는, 제 1 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를 상기 제 2 방향 및 상기 제 1 방향의 상류측 및 하류측으로 이동시킨다.A second aspect is the substrate processing apparatus of the first aspect, wherein the measuring device moving mechanism moves the measuring device upstream and downstream in the second direction and the first direction.

제 3 양태는, 제 2 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 노즐에 대해 상기 제 1 방향의 상류측의 위치이고, 적어도 상기 노즐의 상기 토출구의 선단부와 수평 방향으로 겹치는 위치에 설치되는 완충부를 추가로 구비한다.A 3rd aspect is the substrate processing apparatus of the 2nd aspect, It is a position on the upstream side of the said 1st direction with respect to the said nozzle, and at least a shock absorber provided in the position overlapping with the tip part of the said discharge port of the said nozzle in the horizontal direction further comprises provide

제 4 양태는, 제 3 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착되는 수평 위치인 부착 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치로부터, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출할 때의 상기 완충부의 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치까지의 사이에서 상기 제 2 방향으로 이동시킨다.A fourth aspect is the substrate processing apparatus of the third aspect, wherein the measuring instrument moving mechanism moves the measuring instrument to the floating substrate at an attaching horizontal position, which is a horizontal position in which the processing liquid from the nozzle is attached to the floating substrate. is moved in the second direction from a position where the vertical position of the floating substrate can be measured to a position where the vertical position of the floating substrate can be measured in a horizontal position of the shock absorber when the nozzle discharges the treatment liquid.

제 5 양태는, 제 1 양태 내지 제 4 양태의 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 제 2 방향의 상이한 위치에서 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 복수의 상기 측정기를 갖는다.A fifth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, including a plurality of measuring devices for measuring vertical positions of the floating substrates at different positions in the second direction.

제 6 양태는, 제 5 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 복수의 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고, 상기 측정기 이동 기구는, 상기 연결구를 상기 제 2 방향으로 이동시킨다.A 6th aspect is the substrate processing apparatus of the 5th aspect, further comprising a connector connecting the plurality of measuring devices, and the measuring device moving mechanism moves the connecting tool in the second direction.

제 7 양태는, 제 1 양태 내지 제 6 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 부상 기구는, 수평면을 갖는 스테이지와, 상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와, 상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함한다.A seventh aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, wherein the lifting mechanism includes a stage having a horizontal surface, and a plurality of stages formed on the horizontal surface and blowing air upward in the vertical direction. and a plurality of suction ports formed on the horizontal surface and sucking air upward in the vertical direction.

제 8 양태는, 제 1 양태 내지 제 7 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 측정기 이동 기구는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 방향 하류측의 단부 (端部) 가 상기 스테이지의 상기 제 1 방향 하류측의 가장자리부에 배치된 상태에서, 상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시킨다.An eighth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, wherein the measuring instrument moving mechanism is such that an end portion of the floating substrate on a downstream side in the first direction is disposed on the first surface of the stage. In a state of being disposed at the edge portion on the downstream side of the direction, the measuring device is moved in the second direction.

제 9 양태는, 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, (a) 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 공정과, (b) 상기 공정 (a) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 공정과, (c) 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기를, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향의 복수점에 있어서의 연직 위치를 측정하는 공정을 포함한다.A ninth aspect is a substrate processing method for processing a substrate having a first main surface and a second main surface, comprising: (a) a step of imparting a levitation force to a substrate in which the first main surface is vertically upward; (b) the above Step (a) of moving the substrate to which the levitation force is applied in a horizontal first direction, (c) measuring a vertical position of the levitation substrate in the first direction and measuring the vertical position of the floating substrate at a plurality of points in the second direction by moving it in a second direction, which is an orthogonal horizontal direction.

제 1 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기를 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 제 2 방향을 따라 연직 위치를 측정할 수 있다. 이 때문에, 기판의 제 2 방향을 따르는 복수점에서 연직 위치를 측정할 수 있다. 이로써, 제 2 방향에 있어서, 부상 기구에 의한, 기판의 부상 높이 이상을 검출할 수 있기 때문에, 기판에 처리액을 양호하게 도포할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the first aspect, the vertical position can be measured along the second direction by moving the measuring device in the second direction. For this reason, the vertical position can be measured at a plurality of points along the second direction of the substrate. In this way, in the second direction, since it is possible to detect a height higher than the floating height of the substrate by the floating mechanism, the processing liquid can be applied to the substrate satisfactorily.

제 2 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 제 1 방향 및 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 기판의 제 1 주면의 면내의 복수점의 연직 위치를 측정할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the second aspect, the vertical position of a plurality of in-plane points of the first main surface of the substrate can be measured by moving the substrate in the first direction and the second direction.

제 3 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 기판 상의 이물질이 있던 경우에, 노즐의 토출구보다 먼저 완충부가 당해 이물질에 충돌한다. 이로써, 노즐의 선단부를 이물질로부터 보호할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the third aspect, when there is a foreign substance on the substrate, the buffer unit collides with the foreign substance before the discharge port of the nozzle. In this way, the front end of the nozzle can be protected from foreign matter.

제 4 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 노즐로부터 처리액을 토출할 때에 완충부가 배치되는 수평 위치에 있어서, 기판의 연직 위치를 측정할 수 있기 때문에, 완충부의 위치에 있어서의 부상 높이의 이상을 검출할 수 있다. 따라서, 도포 처리 시에, 기판이 완충부에 접촉하는 것을 저감할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, when the processing liquid is discharged from the nozzle, since the vertical position of the substrate can be measured at the horizontal position where the buffer unit is disposed, an abnormality in the floating height at the position of the buffer unit is detected. can do. Therefore, it is possible to reduce contact of the substrate to the buffer portion during the application process.

제 5 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 동시에 복수점에서 부상 기판의 연직 위치를 측정할 수 있기 때문에, 단일의 측정기를 Y 방향으로 이동시키는 경우보다, 이동 거리를 짧게 할 수 있기 때문에, 측정 시간을 단축할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the fifth aspect, since the vertical position of the floating substrate can be measured simultaneously at a plurality of points, the moving distance can be shortened compared to the case where a single measuring device is moved in the Y direction, so the measurement time can be shortened. can be shortened

제 6 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 복수의 측정기를 일체로 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 복수의 측정기를 독립적으로 이동시키는 경우에 비해, 이동 기구의 구성을 간이화할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, a plurality of measuring devices can be moved integrally. For this reason, compared with the case where a some measuring device is moved independently, the structure of a moving mechanism can be simplified.

제 7 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 처리 대상인 기판에 에어를 분출하면서, 또한, 흡인함으로써, 정밀하게 반송할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, the substrate to be processed can be conveyed accurately by blowing air while also sucking it.

제 8 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 부상 기판의 하류측의 단부가 스테이지의 하류측의 가장자리부에 배치되기 때문에, 스테이지의 하류측의 단부에 형성되어 있는 흡인구의 막힘에 의한, 기판의 부상 높이의 이상을 검출할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the eighth aspect, since the downstream end of the floating substrate is disposed at the downstream edge of the stage, the substrate lifting height due to clogging of the suction port formed at the downstream end of the stage abnormality can be detected.

제 9 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 측정기를 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 제 2 방향을 따라 연직 위치를 측정할 수 있다. 이 때문에, 기판의 제 2 방향을 따르는 복수점에서 연직 위치를 측정할 수 있다. 이로써, 제 2 방향에 있어서, 부상 기구에 의한, 기판의 부상 높이 이상을 검출할 수 있기 때문에, 기판에 처리액을 양호하게 도포할 수 있다.According to the substrate processing method of the ninth aspect, the vertical position can be measured along the second direction by moving the measuring device in the second direction. For this reason, the vertical position can be measured at a plurality of points along the second direction of the substrate. In this way, in the second direction, since it is possible to detect a height higher than the floating height of the substrate by the floating mechanism, the processing liquid can be applied to the substrate satisfactorily.

도 1 은 실시형태의 기판 처리 장치의 일례인 도포 장치 (1) 의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 2 는 실시형태의 도포 장치 (1) 를 연직 방향 상측으로부터 본 개략 평면도이다.
도 3 은 실시형태의 도포 기구 (6) 를 제외한 도포 장치 (1) 를 나타내는 개략 평면도이다.
도 4 는 도 2 에 나타내는 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 도포 장치 (1) 의 개략 단면도이다.
도 5 는 실시형태의 부상 스테이지부 (3) 의 일부를 나타내는 개략 평면도이다.
도 6 은 노즐 지지체 (601) 및 측정 유닛 (70) 을 나타내는 개략 평면도이다.
도 7 은 노즐 (61), 측정 유닛 (70) 및 완충부 (80) 를 나타내는 개략 측면도이다.
도 8 은 노즐 (61), 측정 유닛 (70) 및 완충부 (80) 를 나타내는 개략 정면도이다.
도 9 는 실시형태의 제어 유닛 (9) 을 나타내는 개략 블록도이다.
도 10 은 도포 장치 (1) 가 실행하는 연직 위치 측정 처리의 각 공정을 나타내는 도면이다.
도 11 은 도포 장치 (1) 가 실행하는 연직 위치 측정 처리의 각 공정을 나타내는 도면이다.
1 is a side view schematically showing the entire configuration of an application device 1 that is an example of a substrate processing device according to an embodiment.
Fig. 2 is a schematic plan view of the applicator 1 of the embodiment seen from above in the vertical direction.
3 is a schematic plan view showing the applicator 1 excluding the applicator 6 of the embodiment.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the coating device 1 at a position along line AA shown in FIG. 2 .
5 is a schematic plan view showing a part of the floating stage part 3 of the embodiment.
6 is a schematic plan view showing the nozzle support 601 and the measuring unit 70 .
7 is a schematic side view showing the nozzle 61, the measurement unit 70, and the shock absorber 80. As shown in FIG.
8 is a schematic front view showing the nozzle 61, the measurement unit 70, and the shock absorber 80. As shown in FIG.
9 is a schematic block diagram showing the control unit 9 of the embodiment.
Fig. 10 is a diagram showing each step of the vertical position measurement process executed by the coating device 1.
Fig. 11 is a diagram showing each step of the vertical position measurement process executed by the coating device 1.

이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이고, 본 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해 용이를 위하여, 필요에 따라 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화하여 도시되어 있는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring an accompanying drawing. In addition, the constituent elements described in this embodiment are examples only, and are not intended to limit the scope of the present invention only to them. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions and numbers of each part may be exaggerated or simplified as needed.

상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현 (예를 들어 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」 등) 은, 특별히 기재하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관해서 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 동일한 상태인 것을 나타내는 표현 (예를 들어 「동일」 「동일하다」 「균질」 「일치」 등) 은, 특별히 기재하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 동일한 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현 (예를 들어, 「사각형상」 또는 「원통형상」등) 은, 특별히 기재하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일한 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들어 요철이나 모따기 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 「∼ 의 상」이란, 특별히 기재하지 않는 한, 2 개의 요소가 접하고 있는 경우 외에, 2 개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함한다.Expressions indicating relative or absolute positional relationships (for example, "parallel", "orthogonal", "center", "concentric", "coaxial", etc.) not only strictly represent the positional relationship, but also have tolerances or equivalent A relatively displaced state with respect to an angle or a distance within a range where a function of precision is obtained is also assumed to be indicated. Expressions indicating the same state (for example, "same", "same", "homogeneous", "consistent", etc.), unless otherwise specified, not only represent strictly the same state quantitatively, but also tolerance or equivalent function It is also assumed that the state in which this obtained difference exists is also indicated. Expressions indicating a shape (for example, "rectangular shape" or "cylindrical shape", etc.), unless otherwise specified, not only represent the shape strictly geometrically, but also to the extent that the same degree of effect is obtained, for example For example, shapes having irregularities, chamfers, and the like are also shown. "Phase of to" includes a case where two elements are apart from each other as well as a case where two elements are in contact unless otherwise specified.

<1. 제 1 실시형태> <1. 1st Embodiment>

도 1 은, 실시형태의 기판 처리 장치의 일례인 도포 장치 (1) 의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 2 는, 실시형태의 도포 장치 (1) 를 연직 방향 상측으로부터 본 개략 평면도이다. 도 3 은, 실시형태의 도포 기구 (6) 를 제외한 도포 장치 (1) 를 나타내는 개략 평면도이다. 도 4 는, 도 2 에 나타내는 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 도포 장치 (1) 의 개략 단면도이다. 도 5 는, 실시형태의 부상 스테이지부 (3) 의 일부를 나타내는 개략 평면도이다.1 is a side view schematically showing the overall configuration of an application device 1 that is an example of a substrate processing device according to an embodiment. 2 is a schematic plan view of the applicator 1 of the embodiment viewed from above in the vertical direction. 3 is a schematic plan view showing the applicator 1 excluding the applicator 6 of the embodiment. 4 is a schematic cross-sectional view of the coating device 1 at a position along line A-A shown in FIG. 2 . 5 is a schematic plan view showing a part of the floating stage part 3 of the embodiment.

도포 장치 (1) 는, 사각형상의 기판 (W) 을 수평 자세 (기판 (W) 의 상면 (Wf) (제 1 주면) 및 하면 (제 2 주면) 이 수평면 (XY 평면) 에 대해 평행이 되는 자세) 로 반송함과 함께, 당해 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액 (도포액) 을 도포하는 슬릿 코터이다. 각 도면에 있어서, 도포 장치 (1) 의 각 부의 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 기판 (W) 이 반송되는 제 1 방향 D1 에 평행한 방향을 「X 방향」으로 하고, 입력 컨베이어 (100) 로부터 출력 컨베이어 (110) 를 향하는 방향을 「+X 방향」, 그 역방향을 「-X 방향」으로 한다. X 방향과 직교하는 수평 방향을 「Y 방향」으로 하고, 도 1 의 앞을 향하는 방향을 「-Y 방향」, 그 역방향을 「+Y 방향」으로 한다. X 방향 및 Y 방향에 직교하는 연직 방향을 Z 방향으로 하고, 부상 스테이지부 (3) 로부터 보아 도포 기구 (6) 측을 향하는 상향을 「+Z 방향」, 그 역방향을 「-Z 방향」으로 한다.The coating device 1 holds the rectangular substrate W in a horizontal posture (a posture in which the upper surface Wf (first main surface) and lower surface (second main surface) of the substrate W are parallel to the horizontal plane (XY plane) ), and also applies a processing liquid (coating liquid) to the upper surface Wf of the substrate W. In each drawing, in order to clarify the positional relationship of the respective parts of the coating device 1, the direction parallel to the first direction D1 in which the substrate W is conveyed is set as the "X direction", and from the input conveyor 100 The direction toward the output conveyor 110 is referred to as the "+X direction", and the opposite direction is referred to as the "-X direction". The horizontal direction orthogonal to the X direction is referred to as the "Y direction", the forward direction in Fig. 1 is referred to as the "−Y direction", and the opposite direction is referred to as the "+Y direction". The vertical direction orthogonal to the X and Y directions is referred to as the Z direction, and the upward direction toward the coating mechanism 6 side as seen from the floating stage portion 3 is referred to as the "+Z direction", and the reverse direction is referred to as the "-Z direction".

도포 장치 (1) 의 기본적 구성이나 동작 원리는, 일본 공개특허공보 2010-227850호, 일본 공개특허공보 2010-240550 공보에 기재된 것과, 부분적으로 공통 또는 유사하다. 그래서, 본 명세서에서는, 도포 장치 (1) 의 각 구성 중 이들 공지 문헌에 기재된 것과 동일 또는 기술 상식 등에 기초하여 용이하게 유추할 수 있는 구성에 대해서는, 적절히 생략하는 경우가 있다.The basic configuration and operation principle of the coating device 1 are partially common or similar to those described in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-227850 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-240550. So, in this specification, among each structure of the coating device 1, the same as what was described in these well-known literatures, or the structure which can be easily inferred based on technical common sense, etc., may be omitted suitably.

도포 장치 (1) 는, 기판 (W) 이 반송되는 제 1 방향 D1 (+X 방향) 을 따라, 순서대로, 입력 컨베이어 (100), 입력 이재부 (2), 부상 스테이지부 (3), 출력 이재부 (4), 출력 컨베이어 (110) 를 구비한다. 이들은, 서로 근접하도록 배치되어 있고, 이들에 의해, 기판 (W) 의 반송 경로가 형성된다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판의 반송 방향인 제 1 방향 D1 과 관련지어 위치 관계를 나타낼 때, 「제 1 방향의 상류측」 을 간단히 「상류측」으로, 「제 1 방향 D1 의 하류측」을 「하류측」으로 약기하는 경우가 있다. 본 예에서는, 어느 기준 위치로부터 보아, -X 측이 「상류측」 이고, +X 측이 「하류측」이다.The coating device 1 sequentially along the first direction D1 (+X direction) in which the substrate W is conveyed includes an input conveyor 100, an input transfer unit 2, a lifting stage unit 3, and an output transfer unit. A part (4) and an output conveyor (110) are provided. These are arranged so as to be close to each other, and the conveyance path of the substrate W is formed by them. In the following description, when expressing a positional relationship in relation to the first direction D1, which is the transport direction of the substrate, "upstream side in the first direction" is simply referred to as "upstream side" and "downstream side in the first direction D1". ” is sometimes abbreviated as “downstream”. In this example, when viewed from a certain reference position, the -X side is the "upstream side" and the +X side is the "downstream side".

입력 컨베이어 (100) 는, 롤러 컨베이어 (101) 와, 롤러 컨베이어 (101) 를 회전 구동하는 회전 구동 기구 (102) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (101) 의 회전에 의해, 기판 (W) 은 수평 자세로 하류측 (+X 측) 으로 반송된다. The input conveyor 100 includes a roller conveyor 101 and a rotation drive mechanism 102 that rotationally drives the roller conveyor 101 . By the rotation of the roller conveyor 101, the board|substrate W is conveyed downstream (+X side) in a horizontal posture.

입력 이재부 (2) 는, 롤러 컨베이어 (21) 와, 롤러 컨베이어 (21) 를 회전시키는 회전 구동 기구 (22) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (21) 가 회전함으로써, 기판 (W) 은 +X 방향으로 반송된다. 또, 롤러 컨베이어 (21) 가 승강함으로써, 기판 (W) 의 연직 위치가 변경된다. 입력 이재부 (2) 의 동작에 의해, 기판 (W) 은, 입력 컨베이어 (100) 로부터 부상 스테이지부 (3) 로 이재된다.The input transfer unit 2 includes a roller conveyor 21 and a rotation drive mechanism 22 that rotates the roller conveyor 21 . When the roller conveyor 21 rotates, the substrate W is conveyed in the +X direction. Moreover, when the roller conveyor 21 moves up and down, the vertical position of the board|substrate W is changed. By the operation of the input transfer unit 2, the substrate W is transferred from the input conveyor 100 to the lifting stage unit 3.

부상 스테이지부 (3) 는, 제 1 방향 D1 을 따라, 3 개의 평판상의 스테이지를 포함한다. 구체적으로는, 부상 스테이지부 (3) 는, 제 1 방향 D1 을 따라 순서대로 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32), 출구 부상 스테이지 (33) 를 구비한다. 이들 각 스테이지의 상면은, 동일 평면 상에 있다.The floating stage part 3 includes three flat stages along the first direction D1. Specifically, the floating stage part 3 is equipped with the entrance floating stage 31, the application|coating stage 32, and the exit floating stage 33 in order along the 1st direction D1. The upper surface of each of these stages is on the same plane.

입구 부상 스테이지 (31) 및 출구 부상 스테이지 (33) 의 각각의 상면에는, 부상 제어 기구 (35) 로부터 공급되는 에어 (압축 공기) 를 분출하는 복수의 분출구 (31h, 33h) 가 매트릭스상으로 형성되어 있다. 복수의 분출구 (31h, 33h) 로부터 분출되는 압축 공기에 의해, 기판 (W) 에 부상력이 부력되고, 기판 (W) 의 하면 (제 2 주면) 과 각 스테이지 (31, 33) 의 상면으로부터 이간한 상태에서 수평 자세로 지지된다. 기판 (W) 의 하면과 스테이지 (31, 33) 의 상면의 거리는, 예를 들어 10 - 500 ㎛ (마이크로미터) 로 해도 된다.A plurality of air outlets 31h and 33h for ejecting air (compressed air) supplied from the floating control mechanism 35 are formed in a matrix on the upper surface of each of the inlet floating stage 31 and the exit floating stage 33, there is. The levitation force is buoyant on the substrate W by the compressed air blown out from the plurality of air outlets 31h and 33h, and the lower surface of the substrate W (second main surface) is separated from the upper surfaces of the stages 31 and 33. It is supported in a horizontal position in one state. The distance between the lower surface of the substrate W and the upper surfaces of the stages 31 and 33 may be, for example, 10 - 500 µm (micrometers).

도 5 에 나타내는 바와 같이, 도포 스테이지 (32) 의 상면에는, 에어 (압축 공기) 를 분출하는 복수의 분출구 (321h) 와, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 분위기를 흡인하는 복수의 흡인구 (322h) 가 형성되어 있다. 도포 스테이지 (32) 의 상면에서는, 분출구 (321h) 와 흡인구 (322h) 가, X 방향 및 Y 방향을 따라 교대로 형성되어 있다. 부상 제어 기구 (35) 가 각 분출구 (321h) 로부터의 압축 공기의 분출량과 각 흡인구 (322h) 로부터의 분위기의 흡인량이 밸런스를 이루도록 제어함으로써, 기판 (W) 의 하면과 도포 스테이지 (32) 의 상면의 거리가 정밀하게 제어된다. 이로써, 도포 스테이지 (32) 의 상방을 통과하는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치가 기정값으로 제어된다. 부상 스테이지부 (3) 의 구성으로는, 일본 공개특허공보 2010-227850호에 기재된 것을 적용해도 된다.As shown in FIG. 5 , on the upper surface of the coating stage 32, a plurality of air outlets 321h for blowing air (compressed air) and a plurality of suction ports 322h for sucking the atmosphere above the coating stage 32 ) is formed. On the upper surface of the application stage 32, the ejection port 321h and the suction port 322h are formed alternately along the X direction and the Y direction. The floating control mechanism 35 controls the amount of compressed air ejected from each ejection port 321h and the suction amount of the atmosphere from each suction inlet 322h to achieve a balance, so that the lower surface of the substrate W and the coating stage 32 The distance of the top surface of is precisely controlled. Thereby, the vertical position of the upper surface Wf of the substrate W passing above the coating stage 32 is controlled to a preset value. As a structure of the floating stage part 3, you may apply what was described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-227850.

도포 스테이지 (32) 는, +X 방향을 향해 순서대로, 상류 영역 (32A), 중간 영역 (32B), 및, 하류 영역 (32C) 을 가지고 있다. 여기서는, 도포 스테이지 (32) 의 상면을 X 방향으로 1/3 씩 분할함으로써 얻어지는 3 개의 영역 각각이 상류 영역 (32A), 중간 영역 (32B) 및 하류 영역 (32C) 이고, 중간 영역 (32B) 이 도포 스테이지 (32) 의 상면의 중앙을 차지하는 영역으로 되어 있다.The application stage 32 has an upstream area|region 32A, a middle area|region 32B, and downstream area|region 32C sequentially toward +X direction. Here, each of the three regions obtained by dividing the upper surface of the application stage 32 by 1/3 in the X direction is an upper region 32A, a middle region 32B, and a lower region 32C, and the middle region 32B is It becomes the area|region which occupies the center of the upper surface of the application|coating stage 32.

상류 영역 (32A) 및 하류 영역 (32C) 각각보다 중간 영역 (32B) 쪽에 있어서, 분출구 (321h) 및 흡인구 (322h) 의 분포 밀도 (단위면적당의 수량) 가 크게 되어 있다. 이 때문에, 중간 영역 (32B) 은, 상류 영역 (32A) 및 하류 영역 (32C) 각각보다, 기판 (W) 의 부상량을 정밀하게 제어하는 것이 가능하게 되어 있다.The distribution density (quantity per unit area) of the jetting port 321h and the suction port 322h is larger on the middle region 32B side than each of the upstream region 32A and the downstream region 32C. For this reason, the intermediate region 32B can control the floating amount of the substrate W more accurately than each of the upstream region 32A and the downstream region 32C.

중간 영역 (32B) 의 상방에 노즐 (61) 의 도포 위치 (L11) 가 설정된다. 즉, 중간 영역 (32B) 의 상방에 노즐 (61) 의 토출구 (611) 가 배치된 상태에서, 도포 스테이지 (32) 로부터 부상력이 부여된 기판 (W) (이하, 「부상 기판 (W)」이라고도 칭한다.) 에 토출구 (611) 로부터의 처리액이 공급된다. 그리고, 토출구 (611) 로부터 토출된 처리액이, 부상 기판 (W) 에 부착될 때의 수평 방향의 위치인 수평 위치도, 중간 영역 (32B) 의 상방으로 된다. 이와 같이, 부상량의 정밀한 제어가 가능한 중간 영역 (32B) 상에서 부상 기판 (W) 에 처리액을 공급함으로써, 도포 처리를 양호하게 실시할 수 있다.An application position L11 of the nozzle 61 is set above the middle region 32B. That is, in a state where the discharge port 611 of the nozzle 61 is disposed above the intermediate region 32B, the substrate W to which the levitation force is applied from the coating stage 32 (hereinafter referred to as "floating substrate W") Also referred to as.), the processing liquid from the discharge port 611 is supplied. Further, the horizontal position, which is the position in the horizontal direction when the processing liquid discharged from the discharge port 611 is attached to the floating substrate W, is also above the intermediate region 32B. In this way, by supplying the processing liquid to the floating substrate W on the intermediate region 32B where the amount of floating can be precisely controlled, the coating process can be satisfactorily performed.

입력 이재부 (2) 를 개재하여 부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (W) 은, 롤러 컨베이어 (21) 의 회전에 의해, +X 방향으로의 추진력을 얻고, 입구 부상 스테이지 (31) 상으로 반송된다. 부상 스테이지부 (3) 에 있어서의 기판 (W) 의 반송은, 반송 기구 (5) 에 의해 실시된다.The board|substrate W carried into the lifting stage part 3 via the input transfer part 2 acquires the propulsion force in the +X direction by the rotation of the roller conveyor 21, and is raised to the entrance lifting stage 31 is returned Transport of the substrate W in the floating stage unit 3 is performed by the transport mechanism 5 .

반송 기구 (5) 는, 척 (51) 및 흡착·주행 제어 기구 (52) 를 구비한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 의 하면 주연부에 부분적으로 맞닿음으로써 기판 (W) 을 하방으로부터 지지한다. 흡착·주행 제어 기구 (52) 는, 척 (51) 상단의 지지 부위에 설치된 흡착 패드에 부압을 부여하여, 척 (51) 에 기판 (W) 을 흡착 유지시키는 기능을 구비한다. 또, 흡착·주행 제어 기구 (52) 는, 척 (51) 을 X 방향을 따라 직선상으로 왕복 주행시키는 기능을 구비한다.The transport mechanism 5 includes a chuck 51 and a suction/travel control mechanism 52 . The chuck 51 supports the substrate W from below by partially abutting the periphery of the lower surface of the substrate W. The suction/travel control mechanism 52 has a function of adsorbing and holding the substrate W on the chuck 51 by applying a negative pressure to the suction pad provided on the upper end of the chuck 51 . In addition, the suction/travel control mechanism 52 has a function of reciprocating the chuck 51 linearly along the X direction.

척 (51) 이 기판 (W) 를 유지하는 상태에서는, 기판 (W) 의 하면은, 부상 스테이지부 (3) 의 각 스테이지 (31, 32, 33) 의 상면보다 +Z 측에 위치한다. 기판 (W) 은, 척 (51) 에 의해 주연부를 흡착 유지하고, 부상 스테이지부 (3) 로부터 부여되는 부상력에 의해 전체적으로 수평 자세를 유지한다.In the state where the substrate W is held by the chuck 51, the lower surface of the substrate W is located on the +Z side of the upper surfaces of the respective stages 31, 32, and 33 of the floating stage unit 3. The board|substrate W adsorbs and holds the periphery by the chuck 51, and maintains a horizontal posture as a whole by the levitation force applied from the levitation stage part 3.

입력 이재부 (2) 로부터 부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (W) 을 척 (51) 이 유지하고, 이 상태에서 척 (51) 이 +X 방향으로 이동함으로써, 기판 (W) 이 입구 부상 스테이지 (31) 의 상방으로부터, 도포 스테이지 (32) 의 상방을 경유하여, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방으로 반송된다. 기판 (W) 은, 출구 부상 스테이지 (33) 의 +X 측에 배치된 출력 이재부 (4) 로 건네진다.The substrate W carried from the input transfer unit 2 to the lifting stage unit 3 is held by the chuck 51, and in this state, the chuck 51 moves in the +X direction so that the substrate W is lifted at the entrance. It is conveyed from above the stage 31 via above the application stage 32 to above the exit floating stage 33 . The board|substrate W is passed to the output transfer part 4 arrange|positioned on the +X side of the exit floating stage 33.

출력 이재부 (4) 는, 롤러 컨베이어 (41) 와, 당해 롤러 컨베이어 (41) 를 회전 구동하는 회전 구동 기구 (42) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (41) 가 회전함으로써, 기판 (W) 에 +X 방향으로의 추진력이 부여되고, 기판 (W) 이 제 1 방향 D1 로 반송된다. 출력 이재부 (4) 의 동작에 의해, 기판 (W) 은, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방으로부터 출력 컨베이어 (110) 로 이재된다.The output transfer unit 4 includes a roller conveyor 41 and a rotation drive mechanism 42 that rotationally drives the roller conveyor 41 . When the roller conveyor 41 rotates, a driving force in the +X direction is applied to the substrate W, and the substrate W is conveyed in the first direction D1. By the operation of the output transfer unit 4, the substrate W is transferred to the output conveyor 110 from above the exit floating stage 33.

출력 컨베이어 (110) 는, 롤러 컨베이어 (111) 를 회전시키는 회전 구동 기구 (112) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (111) 의 회전에 의해, 기판 (W) 은 +X 방향으로 반송되어 도포 장치 (1) 의 외부로 배출된다. 입력 컨베이어 (100) 및 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 의 일부로서 설치되어 있어도 되지만, 도포 장치 (1) 와는 별체여도 된다. 예를 들어, 입력 컨베이어 (100) 는, 도포 장치 (1) 의 상류측에 설치되는 별도 유닛의 기판 배출 기구여도 된다. 또, 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 의 하류측에 설치되는 별도 유닛의 기판 수용 기구여도 된다.The output conveyor 110 includes a rotation drive mechanism 112 that rotates the roller conveyor 111 . By rotation of the roller conveyor 111, the substrate W is conveyed in the +X direction and discharged to the outside of the coating device 1. The input conveyor 100 and the output conveyor 110 may be provided as some parts of the coating device 1, but may be separate from the coating device 1. For example, the input conveyor 100 may be a substrate discharge mechanism of another unit installed upstream of the coating device 1 . In addition, the output conveyor 110 may be a substrate receiving mechanism of another unit provided on the downstream side of the coating device 1 .

기판 (W) 의 반송 경로 상에는, 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액을 도포하는 도포 기구 (6) 가 설치되어 있다. 도포 기구 (6) 는, 처리액을 토출하는 노즐 (61) 을 포함하는 노즐 유닛 (60), 노즐 (61) 을 위치 결정하는 노즐 이동 기구 (63), 노즐 (61) 을 메인터넌스하는 메인터넌스 유닛 (65) 을 구비한다.An application mechanism 6 for applying a treatment liquid to the upper surface Wf of the substrate W is installed on the transport path of the substrate W. The application mechanism 6 includes a nozzle unit 60 including a nozzle 61 for discharging the treatment liquid, a nozzle moving mechanism 63 for positioning the nozzle 61, and a maintenance unit for maintaining the nozzle 61 ( 65) is provided.

노즐 (61) 은, 제 1 방향 D1 에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향 D2 (Y 방향) 으로 연장되는 부재이다. 노즐 (61) 의 하단부는, 폭 방향으로 연장됨과 함께 하향으로 개구하는 토출구 (611) 를 갖는다. 토출구 (611) 로부터는, 처리액이 토출된다.The nozzle 61 is a member extending in a second direction D2 (Y direction), which is a horizontal direction orthogonal to the first direction D1. The lower end of the nozzle 61 has a discharge port 611 extending in the width direction and opening downward. The processing liquid is discharged from the discharge port 611 .

노즐 이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 에 대해, X 방향 및 Z 방향으로 이동시켜 위치 결정한다. 노즐 이동 기구 (63) 의 동작에 의해, 노즐 (61) 은, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 도포 위치 (L11) 에 위치 결정된다. 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 위치 결정된 상태에서, 노즐 (61) 이 기판 (W) 의 상면 (Wf) 을 향하여 처리액을 토출함으로써, 기판 (W) 에 처리액이 도포된다. 이와 같이, 도포 위치 (L11) 는, 도포를 실행할 때의 노즐 (61) 의 위치이다.The nozzle moving mechanism 63 moves the nozzle 61 in the X direction and the Z direction to determine its position. By the operation of the nozzle moving mechanism 63, the nozzle 61 is positioned at the application position L11 above the application stage 32. With the nozzle 61 positioned at the application position L11, the nozzle 61 discharges the processing liquid toward the upper surface Wf of the substrate W, thereby applying the processing liquid to the substrate W. In this way, the application position (L11) is the position of the nozzle 61 when performing application.

노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 배치된 상태에서, 처리액이 기판 (W) 에 토출됨으로써, 기판 (W) 의 상면 (Wf) 중, 주연부를 제외한 내측의 도포 대상 영역에, 처리액의 도막이 형성된다.With the nozzle 61 disposed at the application position L11, the processing liquid is discharged onto the substrate W, so that the processing liquid is applied to the inner area to be coated excluding the periphery of the upper surface Wf of the substrate W. A coating film of is formed.

메인터넌스 유닛 (65) 은, 배트 (651), 예비 토출 롤러 (652), 노즐 클리너 (653) 및 메인터넌스 제어 기구 (654) 를 구비한다. 배트 (651) 는, 노즐 (61) 의 세정에 사용되는 세정액을 저류한다. 메인터넌스 제어 기구 (654) 는, 예비 토출 롤러 (652) 및 노즐 클리너 (653) 를 제어한다. 메인터넌스 유닛 (65) 의 구성으로서, 예를 들어 일본 공개특허공보 2010-240550호에 기재된 구성을 적용해도 된다.The maintenance unit 65 includes a bat 651 , a preliminary discharge roller 652 , a nozzle cleaner 653 and a maintenance control mechanism 654 . The vat 651 stores the cleaning liquid used for cleaning the nozzle 61 . The maintenance control mechanism 654 controls the preliminary discharge roller 652 and the nozzle cleaner 653 . As a structure of the maintenance unit 65, you may apply the structure described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-240550, for example.

노즐 이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 토출구 (611) 가 예비 토출 롤러 (652) 의 상방에서 그 표면에 대향하는 예비 토출 위치 (L13) 에 위치 결정한다. 노즐 (61) 은, 예비 토출 위치 (L13) 에서, 토출구 (611) 로부터 예비 토출 롤러 (652) 의 표면에 대해 처리액을 토출한다 (예비 토출 처리). 노즐 (61) 은, 상기 서술한 도포 위치 (L11) 에 위치 결정되기 전에 예비 토출 위치 (L13) 에 위치 결정되어 예비 토출 처리를 실행한다. 이로써, 기판 (W) 에 대한 처리액의 토출을, 초기 단계부터 안정시킬 수 있다. 메인터넌스 제어 기구 (654) 가 예비 토출 롤러 (652) 를 회전시키면, 노즐 (61) 로부터 토출된 처리액은, 배트 (651) 에 저류된 세정액에 혼합되어 회수된다.The nozzle moving mechanism 63 positions the nozzle 61 at the preliminary discharge position L13 where the discharge port 611 faces the surface of the preliminary discharge roller 652 from above. The nozzle 61 discharges the treatment liquid from the discharge port 611 to the surface of the preliminary discharge roller 652 at the preliminary discharge position L13 (preliminary discharge treatment). The nozzle 61 is positioned at the preliminary discharge position L13 before being positioned at the above-described application position L11 to perform a preliminary discharge process. This makes it possible to stabilize the discharge of the processing liquid to the substrate W from the initial stage. When the maintenance control mechanism 654 rotates the preliminary discharge roller 652, the treatment liquid discharged from the nozzle 61 is mixed with the cleaning liquid stored in the vat 651 and is recovered.

노즐 이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 그 선단부 (토출구 (611) 및 그 근방의 영역을 포함한다.) 가 노즐 클리너 (653) 의 상방에 대향하는 세정 위치 (L14) 에 위치 결정한다. 노즐 (61) 이 세정 위치 (L14) 에 있는 상태에서, 노즐 클리너 (653) 가 세정액을 토출하면서 노즐 (61) 의 폭 방향 (Y 방향) 으로 이동함으로써, 노즐 (61) 의 선단부에 부착된 처리액 등이 씻겨진다.The nozzle moving mechanism 63 positions the nozzle 61 at a cleaning position L14 where its front end (including the discharge port 611 and the area around it) opposes the nozzle cleaner 653 upward. do. In the state where the nozzle 61 is at the cleaning position L14, the nozzle cleaner 653 moves in the width direction (Y direction) of the nozzle 61 while discharging the cleaning liquid, thereby removing the treatment attached to the front end of the nozzle 61. The liquid, etc., is washed away.

노즐 이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 세정 위치 (L14) 보다 하방이고, 노즐 (61) 의 하단부가 배트 (651) 내에 수용되는 대기 위치에 위치 결정해도 된다. 도포 장치 (1) 에 있어서 노즐 (61) 을 사용한 도포 처리가 실행되지 않을 때에, 노즐 (61) 이 당해 대기 위치에 위치 결정되어도 된다. 도시를 생략하지만, 대기 위치에 위치 결정된 노즐 (61) 의 토출구 (611) 에 있어서의 처리액의 건조를 방지하기 위한 대기 포드가 구비되어 있어도 된다.The nozzle moving mechanism 63 may position the nozzle 61 at a standby position lower than the washing position L14 and where the lower end of the nozzle 61 is housed in the bat 651 . When the coating process using the nozzle 61 is not executed in the coating device 1, the nozzle 61 may be positioned at the standby position. Although not shown, a stand-by pod for preventing drying of the treatment liquid at the discharge port 611 of the nozzle 61 positioned at the stand-by position may be provided.

도 1 에서는, 예비 토출 위치 (L13) 에 있는 노즐 (61) 이 실선으로, 도포 위치 (L11), 하류 위치 (L12) 및 세정 위치 (L14) 에 있는 노즐 (61) 이 파선으로 각각 나타나 있다.In Fig. 1, the nozzle 61 at the pre-discharge position L13 is indicated by a solid line, and the nozzles 61 at the application position L11, the downstream position L12, and the washing position L14 are indicated by broken lines, respectively.

본 실시형태의 도포 기구 (6) 는, 1 개의 노즐 (61) 만을 구비하고 있지만, 복수의 노즐 (61) 을 구비하고 있어도 된다. 복수의 노즐 (61) 은, 제 1 방향 D1 을 따라 간격을 두고 구비되어 있어도 된다. 이 경우에 있어서, 복수의 노즐 (61) 에 대해 상이한 처리액을 공급함으로써, 상이한 처리액을 기판 (W) 에 도포하도록 해도 된다. 또, 각 노즐 (61) 에 대응하는 노즐 이동 기구 (63) 및 메인터넌스 유닛 (65) 을 각각 설치해도 된다. 또한, 메인터넌스 유닛 (65) 은, 2 개 이상의 노즐 (61) 이 공유하여 이용할 수 있도록 해도 된다.Although the application mechanism 6 of this embodiment is equipped with only one nozzle 61, you may be equipped with several nozzle 61. A plurality of nozzles 61 may be provided at intervals along the first direction D1. In this case, different processing liquids may be applied to the substrate W by supplying different processing liquids to the plurality of nozzles 61 . Moreover, you may provide the nozzle moving mechanism 63 and the maintenance unit 65 corresponding to each nozzle 61, respectively. In addition, the maintenance unit 65 may be used in common by two or more nozzles 61 .

도 4 에 나타내는 바와 같이, 노즐 유닛 (60) 은, 부상 스테이지부 (3) 의 상방에서 Y 방향으로 연장되는 대들보 부재 (631) 와, 당해 대들보 부재 (631) 의 양측 단부를 지지하는 2 개의 기둥 부재 (632, 633) 를 포함하는 가교 구조를 갖는다. 기둥 부재 (632, 633) 는, 기대 (10) 로부터 상방으로 수직 형성되어 있다. 기둥 부재 (632) 에는 승강 기구 (634) 가 장착되어 있고, 기둥 부재 (633) 에는 승강 기구 (635) 가 장착되어 있다. 승강 기구 (634, 635) 는, 예를 들어 볼 나사 기구를 포함한다. 승강 기구 (634) 에는 대들보 부재 (631) 의 +Y 측 단부가, 승강 기구 (635) 에는 대들보 부재 (631) 의 -Y 측 단부가 장착되어 있고, 승강 기구 (634, 635) 에 의해 대들보 부재 (631) 가 지지된다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 승강 기구 (634, 635) 가 연동함으로써, 대들보 부재 (631) 가 수평 자세인 채 연직 방향 (Z 방향) 으로 이동한다.As shown in FIG. 4 , the nozzle unit 60 includes a cross-beam member 631 extending in the Y-direction above the floating stage portion 3 and two pillars that support both end portions of the cross-beam member 631. It has a cross-linked structure including members 632 and 633. The pillar members 632 and 633 are vertically formed upward from the base 10 . A lifting mechanism 634 is attached to the pillar member 632 , and a lifting mechanism 635 is attached to the pillar member 633 . The elevating mechanisms 634 and 635 include, for example, ball screw mechanisms. The +Y side end of the cross-beam member 631 is attached to the elevating mechanism 634, and the -Y-side end of the cross-beam member 631 is attached to the elevating mechanism 635, and the cross-beam member ( 631) is supported. When the elevating mechanisms 634 and 635 interlock according to the control command from the control unit 9, the cross-beam member 631 moves in the vertical direction (Z direction) with the horizontal posture.

도면에 나타내는 바와 같이, 대들보 부재 (631) 의 중앙 하부에는, Y 축 방향으로 연장되는 노즐 지지체 (601) 가 설치되어 있다. 도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 노즐 지지체 (601) 의 하부에는, -Y 쪽측으로부터 본 형상이 L 자상인 중간부 (603) 가 장착되어 있다. 노즐 (61) 은, 당해 중간부 (603) 의 수평으로 연장되는 부분의 하부에, 노즐 (61) 이 장착되어 있다. 노즐 (61) 은, 토출구 (611) 를 하향으로 한 자세로 노즐 지지체 (601) 에 장착되어 있다. 승강 기구 (634, 635) 가 작동함으로써, 노즐 지지체 (601) 및 노즐 (61) 이 연직 방향 (Z 방향) 으로 이동한다.As shown in the figure, a nozzle support body 601 extending in the Y-axis direction is provided in the center lower part of the cross-beam member 631 . As shown in FIGS. 7 and 8 , an intermediate portion 603 having an L-shape when viewed from the -Y side side is attached to the lower portion of the nozzle support body 601 . The nozzle 61 is attached to the lower part of the horizontally extending part of the intermediate part 603 . The nozzle 61 is attached to the nozzle support 601 with the discharge port 611 facing downward. When the lifting mechanisms 634 and 635 operate, the nozzle support 601 and the nozzle 61 move in the vertical direction (Z direction).

기둥 부재 (632, 633) 는, 기대 (10) 상에 있어서 이동 가능하게 구성되어 있다. X 방향으로 연장되는 2 개의 주행 가이드 (81L, 81R) 가, 기대 (10) 의 상면에 있어서의 +Y 측 단부 및 -Y 측 단부에 설치되어 있다. 기둥 부재 (632) 는 그 하부에 장착된 슬라이더 (636) 를 개재하여 +Y 측의 주행 가이드 (81L) 에 걸어맞춰져 있고, 기둥 부재 (633) 는 그 하부에 장착된 슬라이더 (637) 룰 개재하여 -Y 측의 주행 가이드 (81R) 에 걸어맞춰져 있다. 슬라이더 (636, 637) 는, 주행 가이드 (81L, 81R) 를 따라 X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있다.The pillar members 632 and 633 are configured to be movable on the base 10 . Two travel guides 81L and 81R extending in the X direction are provided at +Y side end portions and -Y side end portions on the upper surface of the base 10 . The pillar member 632 is engaged with the travel guide 81L on the +Y side through a slider 636 attached thereto, and the pillar member 633 is engaged through a slider 637 attached thereto - It is engaged with the travel guide 81R on the Y side. Sliders 636 and 637 are freely movable in the X direction along travel guides 81L and 81R.

기둥 부재 (632, 633) 는, 리니어 모터 (82L, 82R) 의 작동에 의해 X 방향으로 이동한다. 리니어 모터 (82L, 82R) 는, 고정자로서의 마그넷 모듈과, 이동자로서의 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은, 기대 (10) 에 설치되어 있고, X 방향으로 연장되어 있다. 코일 모듈은, 기둥 부재 (632, 633) 의 각각의 하부에 장착되어 있다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (82L, 82R) 의 이동자가 작동함으로써, 노즐 유닛 (60) 전체가 X 방향을 따라 이동한다. 이로써, 노즐 (61) 의 X 방향 (제 1 방향 D1) 으로의 이동이 실현된다. 기둥 부재 (632, 633) 의 X 방향 위치는, 슬라이더 (636, 637) 의 근방에 설치된 리니어 스케일 (83L, 83R) 에 의해 검출된다.The pillar members 632 and 633 are moved in the X direction by the operation of the linear motors 82L and 82R. The linear motors 82L and 82R include a magnet module as a stator and a coil module as a mover. The magnet module is installed on the base 10 and extends in the X direction. The coil module is mounted under each of the pillar members 632 and 633 . When the movers of the linear motors 82L and 82R operate according to a control command from the control unit 9, the nozzle unit 60 as a whole moves along the X direction. This realizes the movement of the nozzle 61 in the X direction (first direction D1). The positions of the pillar members 632 and 633 in the X direction are detected by linear scales 83L and 83R provided near the sliders 636 and 637 .

이와 같이, 노즐 지지체 (601) 및 노즐 (61) 은, 승강 기구 (634, 635) 의 작동에 의해 Z 방향으로 이동하고, 리니어 모터 (82L, 82R) 의 작동에 의해 X 방향으로 이동한다. 즉, 제어 유닛 (9) 이 승강 기구 (634, 635) 및 리니어 모터 (82L, 82R) 를 제어함으로써, 노즐 (61) 의 각 정지 위치 (L11-L14) 에의 위치 결정이 실현된다. 따라서, 승강 기구 (634, 635) 및 리니어 모터 (82L, 82R) 는, 노즐 이동 기구 (63) 로서 기능한다.In this way, the nozzle support 601 and the nozzle 61 move in the Z direction by the operation of the elevating mechanisms 634 and 635 and move in the X direction by the operation of the linear motors 82L and 82R. That is, when the control unit 9 controls the lifting mechanisms 634 and 635 and the linear motors 82L and 82R, positioning of the nozzle 61 to each of the stop positions L11-L14 is realized. Accordingly, the elevating mechanisms 634 and 635 and the linear motors 82L and 82R function as the nozzle moving mechanism 63 .

메인터넌스 유닛 (65) 으로는, 일본 공개특허공보 2010-240550호에 기재된 것을 채용해도 된다. 배트 (651) 는 Y 방향으로 연장되는 대들보 부재 (661) 에 의해 지지된다. 대들보 부재 (661) 의 양단부 중, 일단부는 기둥 부재 (662) 로 지지되고, 타단부는 기둥 부재 (663) 로 지지되고 있다. 기둥 부재 (662, 663) 는, Y 방향으로 연장되는 플레이트 (664) 의 Y 방향 양단부에 각각 장착되어 있다.As the maintenance unit 65, you may employ what was described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-240550. The bat 651 is supported by a cross-beam member 661 extending in the Y direction. Among both ends of the beam member 661, one end is supported by the pillar member 662, and the other end is supported by the pillar member 663. The pillar members 662 and 663 are attached to both ends in the Y direction of a plate 664 extending in the Y direction, respectively.

플레이트 (664) 의 양단부의 하방에는, 각각, X 방향으로 연장되는 2 개의 주행 가이드 (84L, 84R) 가 설치되어 있다. 2 개의 주행 가이드 (84L, 84R) 는, 기대 (10) 의 상면에 설치되어 있다. 플레이트 (664) 의 하면의 Y 방향 양단부 중, +Y 측 단부에는 슬라이더 (666) 가 설치되고, -Y 측 단부에는 슬라이더 (667) 가 설치되어 있다. 슬라이더 (666, 667) 는, 주행 가이드 (84L, 84R) 에 걸어맞춰지고, X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다.Below both ends of the plate 664, two travel guides 84L and 84R extending in the X direction are provided. Two traveling guides 84L and 84R are installed on the upper surface of the base 10 . Of both ends in the Y direction of the lower surface of the plate 664, a slider 666 is provided at the +Y side end, and a slider 667 is provided at the -Y side end. The sliders 666 and 667 are engaged with the traveling guides 84L and 84R, and are freely movable in the X direction.

플레이트 (664) 의 하방에는, 리니어 모터 (85) 가 설치되어 있다. 리니어 모터 (85) 는, 고정자인 마그넷 모듈 및 이동자인 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은 기대 (10) 에 설치되어 있고, X 방향으로 연장되어 있다. 코일 모듈은 메인터넌스 유닛 (65) (여기서는, 플레이트 (664)) 의 하부에 설치되어 있다.Below the plate 664, a linear motor 85 is installed. The linear motor 85 includes a magnet module as a stator and a coil module as a mover. The magnet module is attached to the base 10 and extends in the X direction. The coil module is installed under the maintenance unit 65 (here, the plate 664).

제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (85) 가 작동함으로써, 메인터넌스 유닛 (65) 전체가 X 방향으로 이동한다. 메인터넌스 유닛 (65) 의 X 방향 위치는, 슬라이더 (666, 667) 의 근방에 설치된 리니어 스케일 (86) 에 의해 검출된다.When the linear motor 85 operates according to the control command from the control unit 9, the maintenance unit 65 as a whole moves in the X direction. The position of the maintenance unit 65 in the X direction is detected by a linear scale 86 provided near the sliders 666 and 667 .

도 4 에 나타내는 바와 같이, 척 (51) 은, 2 개의 척 부재 (51L, 51R) 를 구비한다. 척 부재 (51L, 51R) 는, XZ 평면에 관해서 서로 대칭인 형상을 가지고 있고, Y 방향으로 떨어져 배치되어 있다.As shown in Fig. 4, the chuck 51 includes two chuck members 51L and 51R. Chuck members 51L and 51R have shapes symmetrical to each other with respect to the XZ plane, and are disposed apart from each other in the Y direction.

+Y 측에 배치된 척 부재 (51L) 는, 기대 (10) 에 설치되고 X 방향으로 연장되는 주행 가이드 (87L) 에 지지된다. 척 부재 (51L) 는, X 방향으로 위치를 상이하게 하여 설치된 2 개의 수평인 플레이트부와, 이들 플레이트부를 접속하는 접속부를 포함하는 베이스부 (512) 를 구비한다 (도 2 참조). 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 하부에는 슬라이더 (511) 가 1 개씩 설치되어 있다. 슬라이더 (511) 는 주행 가이드 (87L) 에 걸어맞춰져 있고, 이로써 척 부재 (51L) 는 주행 가이드 (87L) 를 따라 X 방향으로 주행 가능하다.The chuck member 51L disposed on the +Y side is supported by a traveling guide 87L that is installed on the base 10 and extends in the X direction. The chuck member 51L includes two horizontal plate portions disposed at different positions in the X direction, and a base portion 512 including a connecting portion connecting these plate portions (see Fig. 2). Sliders 511 are provided below the two plate portions of the base portion 512 one by one. The slider 511 is engaged with the travel guide 87L, whereby the chuck member 51L can travel in the X direction along the travel guide 87L.

베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 상부 각각에는, 지지부 (513) 가 1 개씩 설치되어 있다. 지지부 (513) 는, 상방으로 연장되어 있고, 그 상단부에 흡착 패드 (도시 생략) 를 갖는다. 베이스부 (512) 가 주행 가이드 (87L) 를 따라 X 방향으로 이동하면, 이것과 일체적으로 2 개의 지지부 (513) 가 X 방향으로 이동한다. 또한, 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트 부위는 서로 분리되고, 이들 플레이트 부위가 X 방향으로 일정한 거리를 유지하면서 이동함으로써, 외관상, 일체의 베이스부로서 기능하는 구조로 해도 된다. 이 거리를 기판의 길이에 따라 설정하면, 여러 가지 길이의 기판에 대응하는 것이 가능해진다.On each upper part of the two plate parts of the base part 512, one support part 513 is provided. The support portion 513 extends upward and has a suction pad (not shown) at its upper end. When the base part 512 moves in the X direction along the running guide 87L, the two support parts 513 move in the X direction integrally with this. Further, the two plate portions of the base portion 512 may be separated from each other, and these plate portions may move while maintaining a constant distance in the X direction, thereby apparently functioning as an integral base portion. If this distance is set according to the length of the substrate, it becomes possible to correspond to substrates of various lengths.

척 부재 (51L) 는, 리니어 모터 (88L) 에 의해 X 방향으로 이동한다. 리니어 모터 (88) 는, 고정자인 마그넷 모듈 및 이동자인 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은 기대 (10) 에 설치되어 있고, X 방향으로 연장된다. 코일 모듈은 척 부재 (51L) 의 하부에 설치되어 있다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (88L) 가 작동함으로써, 척 부재 (51L) 가 X 방향을 따라 이동한다. 척 부재 (51L) 의 X 방향 위치는, 주행 가이드 (87L) 의 근방에 설치된 리니어 스케일 (89L) 에 의해 검출된다.The chuck member 51L is moved in the X direction by the linear motor 88L. The linear motor 88 includes a magnet module as a stator and a coil module as a mover. The magnet module is installed on the base 10 and extends in the X direction. The coil module is installed under the chuck member 51L. When the linear motor 88L operates according to the control command from the control unit 9, the chuck member 51L moves along the X direction. The position of the chuck member 51L in the X direction is detected by a linear scale 89L provided near the traveling guide 87L.

-Y 측에 설치된 척 부재 (51R) 는, 척 부재 (51L) 와 마찬가지로, 척 부재 (51R) 는, 베이스부 (512) 와, 2 개의 지지부 (513, 513) 를 구비하고 있다. 또한, 척 부재 (51R) 의 형상은, XZ 평면에 관해서 척 부재 (51L) 와는 대칭이다. 척 부재 (51R) 의 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 하부에는 슬라이더 (511) 가 1 개씩 설치되어 있다. 슬라이더 (511) 는 주행 가이드 (87R) 에 걸어맞춰져 있고, 이로써 척 부재 (51R) 는 주행 가이드 (87R) 를 따라 X 방향으로 주행 가능하다.The chuck member 51R provided on the -Y side is provided with a base portion 512 and two support portions 513 and 513, similarly to the chuck member 51L. Also, the shape of the chuck member 51R is symmetrical to that of the chuck member 51L with respect to the XZ plane. One slider 511 is provided below the two plate portions of the base portion 512 of the chuck member 51R. The slider 511 is engaged with the travel guide 87R, so that the chuck member 51R can travel in the X direction along the travel guide 87R.

척 부재 (51R) 는, 리니어 모터 (88R) 에 의해 X 방향으로 이동 가능하다. 리니어 모터 (88R) 는, X 방향으로 연장됨과 함께 기대 (10) 에 설치된 고정자로서의 마그넷 모듈과, 척 부재 (51R) 의 하부에 설치된 이동자로서의 코일 모듈을 포함한다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (88R) 가 작동함으로써, 척 부재 (51R) 가 X 방향으로 이동한다. 척 부재 (51R) 의 X 방향 위치는, 주행 가이드 (87R) 의 근방에 설치된 리니어 스케일 (89R) 에 의해 검출된다.The chuck member 51R is movable in the X direction by the linear motor 88R. The linear motor 88R extends in the X direction and includes a magnet module as a stator installed on the base 10 and a coil module as a mover installed under the chuck member 51R. When the linear motor 88R operates according to the control command from the control unit 9, the chuck member 51R moves in the X direction. The position of the chuck member 51R in the X direction is detected by a linear scale 89R provided near the traveling guide 87R.

제어 유닛 (9) 은, 척 부재 (51L, 51R) 가 X 방향에 있어서 항상 동일 위치가 되도록, 이들의 위치 제어를 실시한다. 이로써, 1 쌍의 척 부재 (51L, 51R) 가 외관상 일체의 척 (51) 으로서 이동하게 된다. 척 부재 (51L, 51R) 를 기계적으로 결합하는 경우에 비해, 척 (51) 과 부상 스테이지부 (3) 의 간섭이 용이하게 회피될 수 있다.The control unit 9 controls the positions of the chuck members 51L and 51R so that they are always at the same position in the X direction. This causes the pair of chuck members 51L and 51R to move as an integral chuck 51 in appearance. Compared to the case where the chuck members 51L and 51R are mechanically coupled, interference between the chuck 51 and the lifting stage portion 3 can be easily avoided.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 4 개의 지지부 (513) 는 각각, 유지되는 기판 (W) 의 네 모퉁이에 대응하여 배치된다. 즉, 척 부재 (51L) 의 2 개의 지지부 (513) 는, 기판 (W) 의 +Y 측 주연부이고 제 1 방향 D1 에 있어서의 상류측 단부와 하류측 단부를 각각 유지한다. 척 부재 (51R) 의 2 개의 지지부 (513, 513) 는, 기판 (W) 의 -Y 측 주연부이고 제 1 방향 D1 에 있어서의 상류측 단부와 하류측 단부를 각각 유지한다. 각 지지부 (513) 의 흡착 패드에는 필요에 따라 부압이 공급되고, 이로써 기판 (W) 의 네 모퉁이가 척 (51) 에 의해 하방으로부터 흡착 유지된다.As shown in FIG. 3 , the four support portions 513 are disposed corresponding to the four corners of the substrate W to be held. That is, the two supporting parts 513 of the chuck member 51L are the periphery on the +Y side of the substrate W, and each hold an upstream end and a downstream end in the first direction D1. The two supporting parts 513 and 513 of the chuck member 51R are peripheral portions on the -Y side of the substrate W and hold upstream and downstream ends in the first direction D1, respectively. Negative pressure is supplied to the suction pads of each support portion 513 as needed, whereby the four corners of the substrate W are suction-held by the chuck 51 from below.

척 (51) 이 기판 (W) 을 유지하면서 X 방향으로 이동함으로써 기판 (W) 이 반송된다. 이와 같이, 리니어 모터 (88L 88R), 각 지지부 (513) 에 부압을 공급하기 위한 기구 (도시 생략) 는, 도 1 에 나타내는 흡착·주행 제어 기구 (52) 로서 기능한다.When the chuck 51 moves in the X direction while holding the substrate W, the substrate W is conveyed. In this way, the linear motors 88L and 88R and the mechanism for supplying negative pressure to each support portion 513 (not shown) function as the suction/travel control mechanism 52 shown in FIG. 1 .

도 1 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 척 (51) 은, 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32) 및 출구 부상 스테이지 (33) 의 상면보다 상방으로 떨어져 기판 (W) 을 유지한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 의 하면을 유지하고, 기판 (W) 을 반송한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 중 각 스테이지 (31, 32, 33) 와 대향하는 중앙 부분보다 Y 방향 외측의 주연부의 일부만을 유지한다. 이 때문에, 기판 (W) 의 중앙부는 주연부에 대해 하방으로 휜다. 부상 스테이지부 (3) 는, 이 상태의 기판 (W) 의 중앙부에 부상력을 부여함으로써, 기판 (W) 의 연직 위치를 제어하여, 기판 (W) 을 수평 자세로 유지한다.As shown in FIGS. 1 and 4 , the chuck 51 holds the substrate W apart from the upper surfaces of the entrance lifting stage 31 , the application stage 32 , and the exit lifting stage 33 . The chuck 51 holds the lower surface of the substrate W and conveys the substrate W. The chuck 51 retains only a part of the outer edge in the Y direction than the central portion of the substrate W facing each of the stages 31, 32, and 33. For this reason, the central portion of the substrate W is bent downward relative to the peripheral portion. The lifting stage unit 3 applies a lifting force to the central portion of the substrate W in this state, thereby controlling the vertical position of the substrate W and holding the substrate W in a horizontal posture.

<측정 유닛 (70)> <Measurement Unit (70)>

도 6 은, 노즐 지지체 (601) 및 측정 유닛 (70) 을 나타내는 개략 평면도이다. 도 7 은, 노즐 (61), 측정 유닛 (70) 및 완충부 (80) 를 나타내는 개략 측면도이다. 도 8 은, 노즐 (61), 측정 유닛 (70) 및 완충부 (80) 를 나타내는 개략 정면도이다.6 is a schematic plan view showing the nozzle support 601 and the measurement unit 70 . 7 is a schematic side view showing the nozzle 61, the measurement unit 70, and the shock absorber 80. As shown in FIG. 8 is a schematic front view showing the nozzle 61, the measurement unit 70, and the shock absorber 80. As shown in FIG.

도포 장치 (1) 는, 측정 유닛 (70) 을 구비하고 있다. 측정 유닛 (70) 은, 복수 (여기서는 3 개) 의 측정기 (72) 를 구비하고 있다. 각 측정기 (72) 는, 부상 스테이지부 (3) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다. 상세하게는, 측정기 (72) 는, 기정의 연직 방향의 기준 위치로부터, 상면 (Wf) 의 연직 위치까지의 거리를 측정함으로써, 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다. 측정기 (72) 에 의해 측정되는 상면 (Wf) 의 연직 위치로부터, 도포 스테이지 (32) 의 상면의 높이 (연직 위치) 로부터 상면 (Wf) 의 높이를 구할 수 있다. 또한, 이 상면 (Wf) 의 높이와 기판 (W) 의 두께로부터, 기판 (W) 의 부상량 (도포 스테이지 (32) 의 상면으로부터 부상 기판 (W) 의 하면까지의 거리) 을 구하는 것이 가능하다.The application device 1 is equipped with a measuring unit 70 . The measurement unit 70 is provided with a plurality of (here three) measuring devices 72 . Each measuring device 72 measures the vertical position of the upper surface Wf of the substrate W to which the levitation force is applied by the levitation stage part 3 . In detail, the measuring device 72 measures the vertical position of the upper surface Wf by measuring the distance from the predetermined reference position in the vertical direction to the vertical position of the upper surface Wf. From the vertical position of the upper surface Wf measured by the measuring instrument 72, the height of the upper surface Wf can be obtained from the height (vertical position) of the upper surface of the coating stage 32. In addition, from the height of the upper surface Wf and the thickness of the substrate W, it is possible to obtain the floating amount of the substrate W (the distance from the upper surface of the coating stage 32 to the lower surface of the floating substrate W). .

각 측정기 (72) 는, 소정 파장의 광을 출력하는 투광부 (72a) 와, 투광부 (72a) 로부터 출력되고 기판 (W) 에서 반사한 광을 검출하는 광 센서 (예를 들어, 라인 센서) 를 포함하는 수광부 (72b) 를 구비하고 있다 (도 9 참조). 수광부 (72b) 는, 상면 (Wf) 의 연직 위치를 비접촉으로 측정하는 반사형 센서의 일례이다. 또한, 상면 (Wf) 의 연직 위치는, 광으로 측정되는 대신에 초음파로 측정되어도 된다. 이 경우, 각 측정기 (72) 는, 초음파를 출력하는 출력부와, 상면 (Wf) 에서 반사한 초음파를 검출하는 검출부를 구비하고 있으면 된다.Each meter 72 includes a light projecting unit 72a that outputs light of a predetermined wavelength, and an optical sensor (for example, a line sensor) that detects light output from the light transmitting unit 72a and reflected by the substrate W. It is equipped with the light receiving part 72b containing (refer FIG. 9). The light receiving unit 72b is an example of a reflective sensor that measures the vertical position of the upper surface Wf in a non-contact manner. In addition, the vertical position of the upper surface Wf may be measured by ultrasonic waves instead of being measured by light. In this case, each measurement device 72 should just be equipped with an output part which outputs an ultrasonic wave, and a detection part which detects the ultrasonic wave reflected by the upper surface Wf.

측정 유닛 (70) 은, 3 개의 측정기 (72) 를 서로 연결하는 연결구 (74) 를 구비하고 있다. 연결구 (74) 는, Y 방향으로 연장되는 판상의 부재이고, 연결구 (74) 의 상류측 (-X 측) 의 측면에 각 측정기 (72) 가 장착되어 있다. 여기서는, 3 개의 측정기 (72) 는, 제 2 방향 (Y 방향) 으로 간격을 둔 상태에서, 연결구 (74) 에 장착되어 있다.The measuring unit 70 has a coupler 74 connecting the three measuring devices 72 to each other. The coupler 74 is a plate-like member extending in the Y direction, and each measuring device 72 is attached to the side surface on the upstream side (-X side) of the coupler 74 . Here, the three measuring devices 72 are attached to the coupling tool 74 in a state spaced apart in the second direction (Y direction).

측정 유닛 (70) 은, 측정기 이동부 (76) (측정기 이동 기구) 를 구비하고 있다. 측정기 이동부 (76) 는, 연결구 (74) 의 +X 측면에 연결되어 있다. 측정기 이동부 (76) 는, 리니어 모터 기구 또는 볼 나사 기구 등의 구동 기구를 구비하고 있다. 측정기 이동부 (76) 는, 노즐 지지체 (601) 의 -X 측면의 중앙부에 설치되어 있는 Y 방향으로 연장되는 가이드 레일부 (78) (도 8 참조) 를 따라, Y 방향으로 이동한다. 측정기 이동부 (76) 가 Y 방향으로 이동하면, 연결구 (74) 가 Y 방향으로 이동함으로써, 3 개의 측정기 (72) 가 일체적으로 Y 방향 (제 2 방향 D2) 으로 이동한다.The measurement unit 70 is equipped with a measuring device moving part 76 (measuring device moving mechanism). The measuring instrument moving part 76 is connected to the +X side of the coupler 74. The measuring instrument moving part 76 is equipped with a drive mechanism, such as a linear motor mechanism or a ball screw mechanism. The measuring instrument moving part 76 moves in the Y direction along the guide rail part 78 (refer to FIG. 8) which extends in the Y direction provided in the central part of the -X side surface of the nozzle support body 601. When the measuring instrument moving part 76 moves in the Y direction, the coupler 74 moves in the Y direction, so that the three measuring instruments 72 move integrally in the Y direction (second direction D2).

도 8 에 나타내는 바와 같이, 3 개의 측정기 (72) 가 Y 방향으로 각각 이동함으로써, 가장 +Y 측에 있는 측정기 (72) 가 Y 방향에 있어서의 측정 범위 (RY1) 에서, Y 방향 중앙에 있는 측정기 (72) 가 Y 방향에 있어서의 측정 범위 (RY2) 에서, -Y 측에 있는 측정기 (72) 가 Y 방향에 있어서의 측정 범위 (RY3) 에서, 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 각 측정 범위 (RY1, RY2, RY3) 는, Y 방향에 있어서 겹침을 가지고 있어도 되지만, 이것은 필수는 아니다.As shown in Fig. 8, when the three measuring instruments 72 move in the Y direction, the measuring instrument 72 on the +Y side is the measuring instrument 72 at the center of the Y direction in the measuring range RY1 in the Y direction ( 72) measures the vertical position of the floating substrate W in the measurement range RY2 in the Y direction, and the measuring device 72 on the -Y side measures the vertical position of the floating substrate W in the measurement range RY3 in the Y direction. As shown in Fig. 8, each measurement range (RY1, RY2, RY3) may have an overlap in the Y direction, but this is not essential.

3 개의 측정기 (72) 는, 노즐 (61) 에 대해 상류측 (-X 측) 에 설치되어 있다. 각 측정기 (72) 는, 노즐 지지체 (601) 에 연결되어 있기 때문에, 노즐 지지체 (601) 에 장착된 노즐 (61) 과 함께 이동한다. 즉, 노즐 (61) 이 노즐 이동 기구 (63) 에 의해 X 방향 및 Z 방향으로 이동하면, 각 측정기 (72) 도 노즐 (61) 에 추종하여 동일 방향으로 이동한다.The three measuring devices 72 are installed on the upstream side (-X side) with respect to the nozzle 61 . Since each meter 72 is connected to the nozzle support 601, it moves together with the nozzle 61 attached to the nozzle support 601. That is, when the nozzle 61 moves in the X direction and the Z direction by the nozzle moving mechanism 63, each measuring device 72 also follows the nozzle 61 and moves in the same direction.

<완충부 (80)> <Buffer (80)>

도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 노즐 지지체 (601) 의 -X 측의 측면에 있어서의 중앙부에는, 완충부 (80) 가 장착되어 있다. 완충부 (80) 는, Y 축 방향 (제 2 방향 D2) 으로 연장되는 판상의 부재이고, YZ 평면에 평행으로 배치되어 있다. 완충부 (80) 는, 토출구 (611) (노즐 (61) 의 하단부) 와 제 1 방향 D1 로 겹치는 위치에 설치되어 있다.As shown in FIGS. 7 and 8 , a shock absorber 80 is attached to the central portion of the side surface on the -X side of the nozzle support 601 . The buffer portion 80 is a plate-like member extending in the Y-axis direction (second direction D2), and is disposed parallel to the YZ plane. The shock absorber 80 is provided at a position overlapping the discharge port 611 (lower end of the nozzle 61) in the first direction D1.

완충부 (80) 는, 노즐 (61) 보다 반송 방향인 제 1 방향 D1 의 상류측에 배치되어 있다. 이 때문에, 부상 기판 (W) 의 상부에 토출구 (611) 에 접촉할 수 있는 높이의 이물질이 부착되어 있던 경우, 당해 이물질이 토출구 (611) 에 접촉하기 전에 완충부 (80) 에 접촉한다. 이로써, 당해 이물질이 완충부 (80) 에 부착되어 부상 기판 (W) 으로부터 제거되고, 따라서, 당해 이물질이 토출구 (611) 에 접촉하는 것을 저감할 수 있다. 또한, 이물질이 완충부 (80) 에 접촉한 것을 검출하는 당해 진동 센서를 완충부 (80) 에 설치해도 된다. 그리고, 당해 진동 센서가 이물질의 접촉을 검출한 경우에, 제어 유닛 (9) 이, 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 의 반송을 정지시켜도 된다.The shock absorber 80 is disposed upstream of the nozzle 61 in the first direction D1, which is the transport direction. For this reason, when a foreign substance having a height capable of contacting the discharge port 611 adheres to the upper portion of the floating substrate W, the foreign substance contacts the buffer portion 80 before contacting the discharge port 611 . In this way, the foreign matter adheres to the buffer portion 80 and is removed from the floating substrate W, and therefore, contact of the foreign matter with the discharge port 611 can be reduced. In addition, you may install the said vibration sensor which detects that a foreign material contacted the shock absorber part 80 to the shock absorber part 80. Then, when the vibration sensor detects the contact of the foreign matter, the control unit 9 may control the transport mechanism 5 to stop the transport of the floating substrate W.

도 9 는, 실시형태의 제어 유닛 (9) 을 나타내는 개략 블록도이다. 도포 장치 (1) 는, 각 부의 동작을 제어하기 위한 제어 유닛 (9) 을 구비한다. 제어 유닛 (9) 의 하드웨어 구성은, 일반적인 컴퓨터와 동일하게 해도 된다. 제어 유닛 (9) 은, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU (91), 기본 프로그램을 기억하는 판독 출력 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 판독 기입할 수 있는 메모리 (92), 각종 정보를 표시하는 디스플레이를 포함하는 표시부 (93) 를 구비한다. 메모리 (92) 로는, 주기억 장치 (RAM) 외, 제어용 어플리케이션 (프로그램) 및 데이터 등을 기억하는 고정 디스크가 포함된다. 제어 유닛 (9) 은, 유저나 외부 장치와의 정보 교환을 담당하는 인터페이스부, 및, 가반성을 갖는 기억 매체 (광학식 미디어, 자기 미디어, 반도체 메모리 등) 에 보존된 정보 (프로그램) 를 판독하는 판독 장치를 구비하고 있어도 된다.9 is a schematic block diagram showing the control unit 9 of the embodiment. The application device 1 includes a control unit 9 for controlling the operation of each part. The hardware configuration of the control unit 9 may be the same as that of a general computer. The control unit 9 includes a CPU 91 that performs various arithmetic processes, a ROM that is a memory dedicated to reading and output storing basic programs, a memory 92 that can freely read and write various types of information, and various types of information. A display unit 93 including a display for displaying is provided. The memory 92 includes a main storage device (RAM), as well as a fixed disk for storing control applications (programs) and data. The control unit 9 includes an interface unit in charge of exchanging information with users and external devices, and reading information (programs) stored in a storage medium (optical media, magnetic media, semiconductor memory, etc.) having portability. A reading device may be provided.

<연직 위치 측정 처리> <Perpendicular position measurement processing>

도포 장치 (1) 는, 도포 스테이지 (32) 에 의한 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득하는 검사 (이하, 연직 위치 측정 처리라고도 칭한다.) 를 실시한다. 상기 서술한 바와 같이, 도포 스테이지 (32) 에 있어서, 흡인구 (322h) 는, 분위기의 흡인을 실시하기 때문에, 이물질을 흡인하는 경우가 있다. 이 경우, 흡인구 (322h) 에 막힘이 일어남으로써, 부상 기판 (W) 의 부상 높이가 부족한 등, 부상 높이에 이상이 발생할 가능성이 있다. 연직 위치 측정 처리는, 이와 같은 부상 높이의 이상을 검출하기 위해서 실시된다. 연직 위치 측정 처리는, 도포 장치 (1) 에 있어서의 기판 (W) 의 제조 스케줄에 따라, 적절한 타이밍으로 실시되면 된다. 예를 들어, 로트의 선두 기판, 매일의 선두 기판, 매일 오후의 선두 기판을 도포 처리하는 타이밍으로 실시되어도 되고, 모든 기판 (W) 에 대해 도포 처리하는 타이밍으로 실시되어도 된다.The coating device 1 performs an inspection (hereinafter, also referred to as a vertical position measurement process) to acquire the distribution of the vertical position of the substrate W by the coating stage 32 . As described above, in the application stage 32, since the suction port 322h suctions the atmosphere, there are cases where foreign matter is sucked. In this case, when the suction port 322h is clogged, there is a possibility that an abnormality in the floating height of the floating substrate W, such as an insufficient floating height, may occur. The vertical position measurement process is performed to detect such an abnormality in the floating height. The vertical position measurement process may be performed at an appropriate timing according to the manufacturing schedule of the substrate W in the coating device 1 . For example, it may be carried out at the timing of applying the first substrate of the lot, the first substrate of each day, and the first substrate of every afternoon, or may be carried out at the timing of coating all the substrates W.

연직 위치 측정 처리는, 실제로 처리액을 도포하는 도포 대상인 기판 (W) 을 사용하여 실시되어도 되지만, 처리액이 도포되지 않는 비도포 대상인 기판 (W) (이하, 「더미의 기판 (W)」이라고도 칭한다.) 을 사용하여 실시되어도 된다. 이 더미의 기판 (W) 은, 상면 (Wf) 에 배선 패턴 등의 패턴이 형성되어 있지 않은 것이 바람직하다. 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 패턴이 있는 경우, 측정기 (72) 의 투광부 (72a) 로부터의 광이 패턴에서 반사되어, 수광부 (72b) 와는 상이한 방향을 향함으로써, 상면 (Wf) 으로부터의 반사광을 검출할 수 없는 경우가 있다. 그래서, 상면 (Wf) 에 패턴을 가지지 않는 더미의 기판 (W) 을 사용함으로써, 측정기 (72) 가 상면 (Wf) 으로부터의 반사광을 양호하게 검출할 수 있다. 따라서, 연직 위치의 측정을 바람직하게 실시할 수 있다.Although the vertical position measurement process may be performed using a substrate W as an application target on which the treatment liquid is actually applied, the substrate W as an uncoated target on which the treatment liquid is not applied (hereinafter also referred to as "dummy substrate W") referred to as). It is preferable that the dummy board|substrate W has no pattern, such as a wiring pattern, formed on the upper surface Wf. When there is a pattern on the upper surface Wf of the substrate W, the light from the light transmitting portion 72a of the measuring device 72 is reflected in the pattern and is directed in a direction different from that of the light receiving portion 72b, thereby illuminating the light from the upper surface Wf. In some cases, reflected light cannot be detected. Then, by using the dummy board|substrate W which does not have a pattern on the upper surface Wf, the measuring instrument 72 can detect reflected light from the upper surface Wf satisfactorily. Therefore, the measurement of the vertical position can be preferably performed.

도 10 은, 도포 장치 (1) 가 실행하는 연직 위치 측정 처리의 각 공정을 나타내는 도면이다. 도 10 은, 상기 더미의 기판 (W) 에 대해 실시되는 연직 위치 측정 처리의 양태를 나타내고 있다. 제어 유닛 (9) 은, 연직 위치 측정 처리를 개시하면, 반입 공정 S11 을 실시한다. 반입 공정 S11 에 있어서는, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 스테이지부 (3) 로부터 부상력이 부여되고 있는 기판 (부상 기판) (W) 을, 제 1 방향 D1 의 하류측 (+X 방향) 을 향하여 반송한다.10 is a diagram showing each step of the vertical position measurement process executed by the coating device 1 . 10 shows an aspect of the vertical position measurement process performed on the substrate W of the dummy. When the control unit 9 starts the vertical position measurement process, it carries out the carrying-in process S11. In the carrying step S11, the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the substrate (floating substrate) W to which the levitation force is applied from the levitation stage unit 3 to the downstream in the first direction D1. side (+X direction).

반입 공정 S11 은, 정지 단계 S111 을 포함한다. 정지 단계 S111 은, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 을 기정 위치 (LW1) 까지 반송한 후, 부상 기판 (W) 을 기정 위치 (LW1) 에서 정지시키는 단계이다. 부상 기판 (W) 이 기정 위치 (LW1) 에 배치되면, 부상 기판 (W) 의 하류측 단부 (선두단) 의 수평 위치가, 도포 스테이지 (32) 의 하류측 단부 (가장자리부) 의 수평 위치와 동일하거나, 그것보다 약간 상류측의 위치가 된다.Carry-in process S11 includes stop step S111. In the stop step S111, as shown in FIG. 10(b) , after the control unit 9 controls the conveying mechanism 5 to convey the floating substrate W to the predetermined position LW1, the floating substrate W ) at the predetermined position (LW1). When the floating substrate W is placed at the predetermined position LW1, the horizontal position of the downstream end (top end) of the floating substrate W is the same as the horizontal position of the downstream end (edge part) of the coating stage 32. It is the same or a position slightly upstream of it.

제어 유닛 (9) 은, 정지 단계 S111 후, 측정 공정 S12 를 실시한다. 측정 공정 S12 는, Y 방향으로 배열되는 3 개의 측정기 (72) 에 의해, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (32UR) 에 있어서의 복수의 지점에서 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 공정이다. 상방 영역 (32UR) 은, 적어도 중간 영역 (32B) 전체의 상방을 덮는 영역이고, 본 예에서는, 중간 영역 (32B) 보다 상류측의 부분 (상류 영역 (32A) 의 일부) 및 중간 영역 (32B) 보다 하류측의 부분 (하류 영역 (32C) 의 일부) 의 상방을 덮는 영역이다.Control unit 9 performs measuring process S12 after stop step S111. Measurement step S12 is a step of measuring the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the region 32UR above the coating stage 32 by means of the three measuring instruments 72 arranged in the Y direction. . The upper region 32UR is a region covering at least the entire upper region of the middle region 32B, and in this example, the part on the upstream side of the middle region 32B (part of the upper region 32A) and the middle region 32B It is a region covering the upper side of a more downstream part (a part of the downstream region 32C).

측정 공정 S12 에 있어서는, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 은 반송 기구 (5) 를 제어하여, 3 개의 측정기 (72) 를, 기정 위치 (LW1) 에 있는 부상 기판 (W) 의 하류측 단부보다 약간 상류측의 수평 위치에 배치한다. 이로써, 3 개의 측정기 (72) 가 하류측 단부보다 조금 상류측의 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있는 상태가 된다. 이 상태에서, 제어 유닛 (9) 은 측정기 이동부 (76) 를 제어하여 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 (제 2 방향 D2) 으로 이동시킨다. 이 Y 방향 이동동안, 제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 각각에 소정 주기로 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정시킨다. 이로써, Y 방향으로 연장되는 일직선 상의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정된다. 이 3 개의 측정기 (72) 의 Y 방향 이동에 의해, 더미의 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 있어서의, 도포 대상 영역에 상당하는 영역뿐만 아니라, 그 영역으로부터 +Y 측 및 -Y 측으로 돌출된 부분에 있어서도, 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정되어도 된다.In the measurement step S12, as shown in FIG. 10(b), the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the three measuring devices 72 to the floating substrate (W ) is placed in a horizontal position slightly upstream of the downstream end of In this way, the three measuring devices 72 are in a state in which the vertical position of the floating substrate W in a horizontal position slightly upstream from the downstream end can be measured. In this state, the control unit 9 controls the measuring instrument moving part 76 to move the three measuring instruments 72 in the Y direction (second direction D2). During this Y-direction movement, the control unit 9 measures the vertical position of the floating substrate W with each of the three measuring devices 72 at a predetermined cycle. In this way, the vertical positions of the floating substrate W at a plurality of points on a straight line extending in the Y direction are measured. By the movement of the three measuring devices 72 in the Y direction, not only the area corresponding to the coating target area in the upper surface Wf of the dummy floating substrate W, but also protrudes from that area to the +Y side and -Y side. The vertical position of the floating substrate W may also be measured at the .

제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 의 Y 방향 이동을 완료하면, 노즐 이동 기구 (63) 를 제어하여, 측정 유닛 (70) 을, 제 1 방향 D1 의 상류측 (-X 측) 을 향하여 이동시킨다 (X 방향 이동). 이때의 3 개의 측정기 (72) 의 이동량은, 도포 스테이지 (32) 의 X 방향의 치수, 보다 바람직하게는 중간 영역 (32B) 의 X 방향의 치수보다 작은 거리인 1 피치분만큼 이동시킨다. 그리고, 제어 유닛 (9) 은, 다시 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 이동으로 이동시키면서, 3 개의 측정기 (72) 각각에 Y 방향의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정시킨다.When the Y-direction movement of the three measuring devices 72 is completed, the control unit 9 controls the nozzle moving mechanism 63 to move the measuring unit 70 to the upstream side (-X side) of the first direction D1. (move in the X direction). The amount of movement of the three measuring instruments 72 at this time is moved by one pitch, which is a distance smaller than the dimension of the X direction of the application stage 32, more preferably the dimension of the X direction of the intermediate region 32B. Then, the control unit 9 measures the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the Y direction at each of the three measuring devices 72 while moving the three measuring devices 72 in the Y-direction movement again. let it

이와 같이, 제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 의 X 방향 이동 및 Y 방향 이동을 교대로 실시함으로써, 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 및 X 방향으로 지그재그상으로 이동시킨다. 이로써, 제어 유닛 (9) 은, 도 10(c) 에 나타내는 바와 같이, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (32UR) 의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다. 이 측정 공정 S12 에 의해, 제어 유닛 (9) 은, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (32UR) 에 있어서의, 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득한다.In this way, the control unit 9 moves the three measuring instruments 72 zigzag in the Y direction and the X direction by performing the X-direction movement and the Y-direction movement of the three measuring instruments 72 alternately. Thereby, as shown in FIG. 10(c) , the control unit 9 measures the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the area 32UR above the coating stage 32 . By this measuring process S12, the control unit 9 acquires the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the area|region 32UR above the coating stage 32.

측정 공정 S12 후, 또는, 측정 공정 S12 의 중간에, 측정된 각 연직 위치가 정상인지 여부를 제어 유닛 (9) 이 판정해도 된다. 이 판정은, 측정값과 임계값을 비교해 실시하면 된다. 연직 위치가 이상이라고 판정된 경우, 제어 유닛 (9) 이 소정의 출력 수단 (표시부 (93) 나 램프, 스피커 등) 으로 그 취지를 외부에 통지해도 된다. 또, 연직 위치가 이상이라고 판정된 경우, 제어 유닛 (9) 이 도포 장치 (1) 의 동작을 정지시켜도 된다.The control unit 9 may determine whether each measured vertical position is normal after measuring process S12, or in the middle of measuring process S12. This determination may be performed by comparing the measured value and the threshold value. When it is determined that the vertical position is abnormal, the control unit 9 may notify the outside by a predetermined output means (display unit 93, lamp, speaker, etc.). Moreover, when it determines with an abnormal vertical position, the control unit 9 may stop the operation|movement of the applicator 1.

제어 유닛 (9) 은, 측정 공정 S12 를 완료하면, 제어 유닛 (9) 은 반출 공정 S13 을 실시한다. 측정 공정 S12 에서 사용되는 기판 (W) 은, 비도포 대상인 더미의 기판 (W) 이다. 이 때문에, 반출 공정 S13 은, 도 10(d) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 을 하류측으로 이동시킨다. 이로써, 부상 기판 (W) 이 도포 스테이지 (32) 상으로부터 하류측으로 반출된다. 이로써, 도포 대상이 되는 다음의 기판 (W) 이, 도포 스테이지 (32) 에 반입되는 것이 가능해진다.If control unit 9 completes measurement process S12, control unit 9 will carry out process S13. The substrate W used in the measurement step S12 is a dummy substrate W as an uncoated target. For this reason, in unloading process S13, as shown in FIG. 10(d), the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the floating substrate W downstream. Thereby, the floating substrate W is carried downstream from the coating stage 32 top. This makes it possible for the next substrate W to be coated to be carried into the coating stage 32 .

도 10 에 나타내는 연직 위치 측정 처리는, 도포 대상인 기판 (W) 을 사용하여 실시되어도 된다. 이 경우, 도 10(c) 에 나타내는 측정 공정 S12 후, 제어 유닛 (9) 이 이동 기구 (63) 를 제어하여, 노즐 (61) 을 도포 위치 (L11) 로 이동시킨다. 도포 위치 (L11) 는, 노즐 (61) 로부터 토출되어 부상 기판 (W) 에 부착될 때의 처리액의 수평 위치가 중간 영역 (32B) 의 내측이 될 때의, 노즐 (61) 의 위치이다. 또, 제어 유닛 (9) 이 부상 기판 (W) 을 상류측으로 이동시켜, 부상 기판 (W) 이 도포를 개시할 때의 위치로 이동시킨다. 노즐 (61) 및 부상 기판 (W) 의 이동이 완료하면, 제어 유닛 (9) 은, 도포 기구 (6) 를 제어하여 노즐 (61) 로부터 처리액을 토출함과 함께, 반송 기구 (5) 를 제어하여 부상 기판 (W) 을 하류측으로 이동시킨다. 이로써, 도포 스테이지 (32) 의 중간 영역 (32B) 상에 있어서, 부상 기판 (W) 의 도포 대상 영역에 처리액이 도포된다.The vertical position measurement process shown in FIG. 10 may be performed using the substrate W as an application target. In this case, the control unit 9 controls the moving mechanism 63 and moves the nozzle 61 to the application|coating position L11 after measuring process S12 shown to FIG.10(c). The application position L11 is the position of the nozzle 61 when the horizontal position of the processing liquid discharged from the nozzle 61 and adhered to the floating substrate W is inside the intermediate region 32B. In addition, the control unit 9 moves the floating substrate W upstream, and moves the floating substrate W to the position at which application is started. When the movement of the nozzle 61 and the floating substrate W is completed, the control unit 9 controls the coating mechanism 6 to discharge the treatment liquid from the nozzle 61, and the conveying mechanism 5 It is controlled to move the floating substrate W to the downstream side. As a result, the treatment liquid is applied to the application target area of the floating substrate W on the middle area 32B of the application stage 32 .

본 실시형태에 있어서는, 측정기 (72) 를 Y 방향 (제 2 방향 D2) 으로 이동시킴으로써, Y 방향의 복수 지점의 연직 위치를 측정할 수 있다. 이로써, Y 방향에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득할 수 있기 때문에, 부상 기판 (W) 의 부상 높이의 이상을 양호하게 검출할 수 있다. 측정기 (72) 를 X 방향 (제 1 방향 D1) 으로도 이동시킴으로써, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (32UR) 에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득할 수 있다. 이로써, 도포에 영향을 줄 가능성이 있는 영역에 있어서의, 부상 기판 (W) 의 부상 높이의 이상을 양호하게 검출할 수 있다. 이로써, 도포 처리를 바람직하게 실시할 수 있다.In the present embodiment, the vertical positions of a plurality of points in the Y direction can be measured by moving the measuring instrument 72 in the Y direction (the second direction D2). In this way, since the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the Y direction can be acquired, an abnormality in the floating height of the floating substrate W can be detected satisfactorily. By moving the measuring device 72 also in the X direction (first direction D1), the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the upper region 32UR of the coating stage 32 can be obtained. This makes it possible to favorably detect abnormalities in the floating height of the floating substrate W in an area where application may be affected. In this way, the coating treatment can be preferably performed.

또, 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 부상 기판 (W) 의 하류측 단부가 도포 스테이지 (32) 의 하류측 단부 (가장자리부) 에 배치된다. 이로써, 부상 기판 (W) 에 대해서는, 도포 스테이지 (32) 보다 상류측에 있는 출구 부상 스테이지 (33) 로부터의 부상력의 영향을 거의 받기 어렵다. 이 때문에, 도포 스테이지 (32) 의 하류측 단부에 형성된 흡인구 (322h) 의 막힘에 의한, 부상 기판 (W) 의 부상 높이의 이상을 검출할 수 있다.Further, as shown in FIG. 10( b ), the downstream end of the floating substrate W is disposed at the downstream end (edge) of the coating stage 32 . As a result, the floating substrate W is hardly affected by the floating force from the exit floating stage 33 on the upstream side of the coating stage 32 . For this reason, an abnormality in the floating height of the floating substrate W due to clogging of the suction port 322h formed at the downstream end of the coating stage 32 can be detected.

도 11 은, 도포 장치 (1) 가 실행하는 연직 위치 측정 처리의 각 공정을 나타내는 도면이다. 도 11 은, 도포 대상인 부상 기판 (W) 에 대해 실시되는 연직 위치 측정 처리의 양태를 나타내고 있다. 제어 유닛 (9) 은, 연직 위치 측정 처리를 개시하면, 도 11(a) 에 나타내는 바와 같이, 반입 공정 S11 을 실시한다. 반입 공정 S11 은, 도 10(a) 에 나타내는 반입 공정과 동일하다.11 is a diagram showing each step of the vertical position measurement process executed by the coating device 1 . Fig. 11 shows an aspect of a vertical position measurement process performed on a floating substrate W as an application target. If the control unit 9 starts a vertical position measurement process, it will implement carrying-in process S11, as shown to FIG.11(a). Carrying-in process S11 is the same as the carrying-in process shown in FIG.10(a).

반입 공정 S11 은, 정지 단계 S111a 를 포함한다. 정지 단계 S111a 는, 도 11(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 을 기정 위치 (LW2) 까지 반송한 후, 부상 기판 (W) 을 기정 위치 (LW2) 에서 정지시키는 단계이다. 부상 기판 (W) 이 기정 위치 (LW2) 에 배치되면, 부상 기판 (W) 의 하류측 단부의 수평 위치가, 하류 영역 (32C) 의 상방에 배치된다. 또한, 이때의 하류측 단부의 수평 위치는, 도포 스테이지 (32) 의 중간 영역 (32B) 의 상방으로 해도 되고, 중간 영역 (32B) 과 하류 영역 (32C) 의 경계 상으로 해도 된다.Carry-in process S11 includes stop step S111a. In the stop step S111a, as shown in FIG. 11(b) , after the control unit 9 controls the conveying mechanism 5 to convey the floating substrate W to the predetermined position LW2, the floating substrate W ) at the predetermined position (LW2). When the floating substrate W is disposed at the predetermined position LW2, the horizontal position of the downstream end of the floating substrate W is disposed above the downstream region 32C. In addition, the horizontal position of the downstream end at this time may be above the intermediate region 32B of the application stage 32, or may be on the boundary between the intermediate region 32B and the downstream region 32C.

제어 유닛 (9) 은, 정지 단계 S111a 후, 측정 공정 S12a 를 실시한다. 측정 공정 S12a 는, 측정 공정 S12 와 마찬가지로, Y 방향으로 배열되는 3 개의 측정기 (72) 에 의해, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (321UR) 에 있어서의 복수의 지점에서 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 공정이다. 상방 영역 (321UR) 은, 처리액의 도포가 실시되는 중간 영역 (32B), 및, 중간 영역 (32B) 보다 상류측의 부분 (상류 영역 (32A) 의 일부) 의 상방을 덮는 영역이다.Control unit 9 performs measurement step S12a after stop step S111a. In the measurement step S12a, similarly to the measurement step S12, the vertical measurement of the floating substrate W is performed at a plurality of points in the upper region 321UR of the application stage 32 by the three measuring instruments 72 arranged in the Y direction. It is the process of measuring position. The upper region 321UR is a region covering the upper side of the intermediate region 32B where the treatment liquid is applied and a portion upstream of the intermediate region 32B (a part of the upper region 32A).

측정 공정 S12a 에 있어서는, 도 11(b) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 은 반송 기구 (5) 를 제어하여, 3 개의 측정기 (72) 를 기정 위치 (LW2) 에 있는 부상 기판 (W) 의 하류측 단부보다 조금 상류측의 수평 위치에 배치한다. 이로써, 3 개의 측정기 (72) 가 하류측 단부보다 조금 상류측의 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있는 상태가 된다. 이 상태에서, 제어 유닛 (9) 은 측정기 이동부 (76) 를 제어하여 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 (제 2 방향 D2) 으로 이동시킨다.In the measurement step S12a, as shown in FIG. 11(b), the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the three measuring devices 72 to the floating substrate W at the predetermined position LW2. Arranged in a horizontal position slightly upstream from the downstream end of the In this way, the three measuring devices 72 are in a state in which the vertical position of the floating substrate W in a horizontal position slightly upstream from the downstream end can be measured. In this state, the control unit 9 controls the measuring instrument moving part 76 to move the three measuring instruments 72 in the Y direction (second direction D2).

이 Y 방향 이동동안, 제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 각각에 소정 주기로 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정시킨다. 이로써, Y 방향으로 연장되는 일직선 상의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정된다.During this Y-direction movement, the control unit 9 measures the vertical position of the floating substrate W with each of the three measuring devices 72 at a predetermined cycle. In this way, the vertical positions of the floating substrate W at a plurality of points on a straight line extending in the Y direction are measured.

제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 의 Y 방향 이동을 완료하면, 이동 기구 (63) 를 제어하여, 측정 유닛 (70) 을, 제 1 방향 D1 의 상류측 (-X 측) 을 향하여 이동시킨다 (X 방향 이동). 이때의 3 개의 측정기 (72) 의 이동량은, 도포 스테이지 (32) 의 X 방향의 치수, 보다 바람직하게는 중간 영역 (32B) 의 X 방향의 치수보다 작은 거리인 1 피치분만큼 이동시킨다. 그리고, 제어 유닛 (9) 은, 다시 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 이동으로 이동시키면서, 3 개의 측정기 (72) 각각에 Y 방향의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정시킨다.When the Y-direction movement of the three measuring instruments 72 is completed, the control unit 9 controls the moving mechanism 63 to move the measuring unit 70 to the upstream side (-X side) of the first direction D1. (move in the X direction). The amount of movement of the three measuring instruments 72 at this time is moved by one pitch, which is a distance smaller than the dimension of the X direction of the application stage 32, more preferably the dimension of the X direction of the intermediate region 32B. Then, the control unit 9 measures the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the Y direction at each of the three measuring devices 72 while moving the three measuring devices 72 in the Y-direction movement again. let it

이와 같이, 제어 유닛 (9) 은, 3 개의 측정기 (72) 의 X 방향 이동 및 Y 방향 이동을 교대로 실시함으로써, 3 개의 측정기 (72) 를 Y 방향 및 X 방향으로 지그재그상으로 이동시킨다. 이로써, 제어 유닛 (9) 은, 도 11(c) 에 나타내는 바와 같이, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (321UR) 의 복수 지점에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다. 이 측정 공정 S12a 에 의해, 제어 유닛 (9) 은, 도포 스테이지 (32) 의 상방 영역 (321UR) 에 있어서의, 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득한다.In this way, the control unit 9 moves the three measuring instruments 72 zigzag in the Y direction and the X direction by performing the X-direction movement and the Y-direction movement of the three measuring instruments 72 alternately. Thus, the control unit 9 measures the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the area 321UR above the coating stage 32, as shown in FIG. 11(c). By this measuring process S12a, the control unit 9 acquires the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the area|region 321UR above the coating stage 32.

측정 공정 S12a 후, 또는, 측정 공정 S12a 의 중간에, 측정된 각 연직 위치가 정상인지 여부를 제어 유닛 (9) 이 판정해도 된다. 이 판정은, 측정값과 임계값을 비교하여 실시하면 된다. 연직 위치가 이상이라고 판정된 경우, 제어 유닛 (9) 이 소정의 출력 수단 (표시부 (93) 나 램프, 스피커 등) 으로 그 취지를 외부에 통지해도 된다. 또, 연직 위치가 이상이라고 판정된 경우, 제어 유닛 (9) 이 도포 장치 (1) 의 동작을 정지시켜도 된다.The control unit 9 may determine whether each measured vertical position is normal after measuring process S12a or in the middle of measuring process S12a. This determination may be performed by comparing the measured value and the threshold value. When it is determined that the vertical position is abnormal, the control unit 9 may notify the outside by a predetermined output means (display unit 93, lamp, speaker, etc.). Moreover, when it determines with an abnormal vertical position, the control unit 9 may stop the operation|movement of the applicator 1.

제어 유닛 (9) 은, 측정 공정 S12a 를 완료하면, 도포 공정 S14 를 실시한다. 도포 공정 S14 에 있어서는, 제어 유닛 (9) 은, 이동 기구 (63) 를 제어하여 노즐 (61) 을 도포 위치 (L11) 로 이동시킨다. 또한, 측정 공정 S12a 의 완료 시점에 있어서, 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 오도록, 각 측정기 (72) 의 X 방향 이동, 혹은, 노즐 (61) 과 측정기 (72) 사이의 거리의 설정이 실시되어도 된다. 이 경우, 측정 공정 S12a 후, 도포 공정 S14 로 이행할 때에 있어서의 노즐 (61) 의 이동을 생략할 수 있다. 또, 제어 유닛 (9) 은, 반송 기구 (5) 를 제어하여, 도포 위치 (L11) 의 노즐 (61) 로부터 처리액이 도포 대상 영역의 상류측 단부에 공급되는 기정의 공급 개시 위치로 부상 기판 (W) 을 이동시킨다. 또한, 기정 위치 (LW2) 가 이 공급 개시 위치에 일치하는 경우, 부상 기판 (W) 의 이동을 생략할 수 있다. 노즐 (61) 및 부상 기판 (W) 의 이동이 완료되면, 제어 유닛 (9) 은, 도포 기구 (6) 를 제어하여 노즐 (61) 로부터 처리액을 토출함과 함께, 반송 기구 (5) 를 제어하여 부상 기판 (W) 을 하류측으로 이동시킨다. 이로써, 도포 스테이지 (32) 의 중간 영역 (32B) 상에 있어서, 부상 기판 (W) 의 도포 대상 영역에 처리액이 도포된다.When the control unit 9 completes the measurement step S12a, it will perform the application step S14. In application step S14, the control unit 9 controls the moving mechanism 63 to move the nozzle 61 to the application position L11. Moreover, at the completion point of measurement process S12a, the X-direction movement of each measuring device 72 or the setting of the distance between the nozzle 61 and the measuring device 72 so that the nozzle 61 may come to the application position L11 This may be implemented. In this case, movement of the nozzle 61 at the time of transferring to application|coating process S14 after measuring process S12a can be omitted. Further, the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the floating substrate from the nozzle 61 at the application position L11 to a predetermined supply start position where the treatment liquid is supplied to the upstream end of the application target region. Move (W). Further, when the preset position LW2 coincides with this supply start position, the movement of the floating substrate W can be omitted. When the movement of the nozzle 61 and the floating substrate W is completed, the control unit 9 controls the coating mechanism 6 to discharge the processing liquid from the nozzle 61, and the conveying mechanism 5 It is controlled to move the floating substrate W to the downstream side. As a result, the treatment liquid is applied to the application target area of the floating substrate W on the middle area 32B of the application stage 32 .

도 11 에 나타내는 연직 위치 측정 처리에 의하면, 도포 스테이지 (32) 중, 도포 처리가 실시되는 중간 영역 (32B) 에 있어서, Y 방향에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 분포를 취득할 수 있다. 이로써, Y 방향에 대해, 부상 기판 (W) 에 부상량의 이상이 있는 지점을 양호하게 특정할 수 있기 때문에, 도포 불량의 발생을 저감할 수 있다. 또, 연직 위치의 분포를 취득하는 상방 영역 (321UR) 이, 도포 스테이지 (32) 의 대략 전체면에 대응하는 상방 영역 (32UR) 보다 작기 때문에, 측정 시간을 단축할 수 있다.According to the vertical position measuring process shown in FIG. 11 , in the middle region 32B where the coating process is performed among the coating stage 32, the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the Y direction can be acquired. there is. Because of this, since it is possible to satisfactorily specify the point where the floating substrate W has an abnormal floating amount in the Y direction, occurrence of coating defects can be reduced. Moreover, since upper area|region 321UR which acquires distribution of a vertical position is smaller than upper area|region 32UR corresponding to the substantially whole surface of the application|coating stage 32, measurement time can be shortened.

도 11 에 나타내는 예에서는, 각 측정기 (72) 는, 측정 공정 S12a 에 있어서, 측정 위치 (ML1) 로부터 측정 위치 (ML2) 를 포함하는 범위를 이동한다. 노즐 (61) 로부터의 처리액이 부상 기판 (W) 에 부착되는 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정 가능한 때의, 각 측정기 (72) 의 수평 위치이다. 또, 측정 위치 (ML2) 는, 노즐 (61) 이 처리액을 토출할 때 (즉, 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 배치되어 있을 때) 의 완충부 (80) 의 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정 가능한 때의, 각 측정기 (72) 의 수평 위치이다. 측정 위치 (ML2) 에 각 측정기 (72) 를 배치함으로써, 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 배치되었을 때의 완충부 (80) 의 수평 위치에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있기 때문에, 완충부 (80) 의 수평 위치에 있어서의 부상 높이의 이상을 검출할 수 있다. 따라서, 도포 처리 시에, 부상 기판 (W) 이 완충부 (80) 에 접촉하는 것을 저감할 수 있다.In the example shown in FIG. 11, each measuring device 72 moves the range which includes the measurement position ML2 from the measurement position ML1 in measurement process S12a. This is the horizontal position of each measuring device 72 when the vertical position of the floating substrate W in the horizontal position where the processing liquid from the nozzle 61 adheres to the floating substrate W can be measured. In addition, the measurement position ML2 is at the horizontal position of the buffer part 80 when the nozzle 61 discharges the treatment liquid (ie, when the nozzle 61 is disposed at the application position L11). is the horizontal position of each measuring device 72 when the vertical position of the floating substrate W of is measurable. By arranging each measuring device 72 at the measuring position ML2, the vertical position of the floating substrate W in the horizontal position of the buffer part 80 when the nozzle 61 is disposed at the application position L11 is determined. Since it can be measured, an abnormality in the floating height of the shock absorber 80 in a horizontal position can be detected. Therefore, contact of the floating substrate W with the buffer portion 80 during the application process can be reduced.

<2. 변형예> <2. Modified example>

이상, 실시형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상기와 같은 것으로 한정되는 것이 아니고, 여러 가지 변형이 가능하다.As mentioned above, although the embodiment has been described, the present invention is not limited to the above, and various modifications are possible.

측정 유닛 (70) 이, 3 개의 측정기 (72) 를 구비하는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 측정 유닛 (70) 은, 2 개 혹은 4 개 이상의 측정기 (72) 를 구비하고 있어도 된다. 또, 측정 유닛 (70) 은, 단일의 측정기 (72) 를 구비하고 있어도 된다. 단, 복수의 측정기 (72) 를 Y 방향으로 간격을 두고 배치함으로써, Y 방향으로 상이한 복수의 위치에서 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있다. 이로써, 단일의 측정기 (72) 를 설치하는 경우보다, 각 측정기 (72) 의 이동거리를 단축할 수 있기 때문에, 측정 시간을 단축할 수 있다.It is not essential that the measuring unit 70 includes the three measuring devices 72 . For example, the measuring unit 70 may be equipped with two or four or more measuring devices 72 . Moreover, the measuring unit 70 may be equipped with the single measuring device 72. However, by arranging a plurality of measuring devices 72 at intervals in the Y direction, the vertical position of the floating substrate W can be measured at a plurality of different positions in the Y direction. As a result, since the moving distance of each measuring device 72 can be shortened compared to the case where a single measuring device 72 is provided, the measurement time can be shortened.

측정기 이동부 (76) (측정기 이동 기구) 가 3 개의 측정기 (72) 를 일체적으로 Y 방향으로 이동시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 3 개의 측정기 (72) 를 각각 개별적으로 Y 방향으로 이동시키는 측정기 이동 기구가 설치되어도 된다. 단, 복수의 측정기 (72) 를 일체로 이동시킴으로써, 측정기 (72) 를 이동시키는 구성을 간략화할 수 있다.It is not essential that the measuring instrument moving part 76 (measuring instrument moving mechanism) moves the three measuring instruments 72 integrally in the Y direction. For example, a measuring instrument moving mechanism that moves the three measuring instruments 72 individually in the Y direction may be provided. However, by moving the plurality of measuring instruments 72 integrally, the configuration for moving the measuring instruments 72 can be simplified.

측정 유닛 (70) 을, 이동 기구 (63) 에 의해 노즐 (61) 과 일체로 X 방향으로 이동시키는 것은 필수는 아니다. 예를 들어, 측정 유닛 (70) 을, 노즐 (61) 로부터 독립적으로, X 방향으로 이동시키는 측정기 이동 기구가 설치되어도 된다. 단, 복수의 측정기 (72) 를 노즐 (61) 과 일체로 이동시킴으로써, 측정기 (72) 를 이동시키는 구성을 간략화할 수 있다.It is not essential to move the measuring unit 70 integrally with the nozzle 61 by the moving mechanism 63 in the X direction. For example, a measuring instrument moving mechanism that moves the measuring unit 70 in the X direction independently of the nozzle 61 may be provided. However, by moving the plurality of measuring instruments 72 integrally with the nozzle 61, the configuration for moving the measuring instruments 72 can be simplified.

측정 유닛 (70) 이, X 방향으로 일정한 간격을 두고 2 개 이상의 측정기 (72) 를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 각 측정기 (72) 의 Y 방향 이동에 의해, 2 개의 직선 상에 있어서의 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 동시에 측정할 수 있다.The measuring unit 70 may include two or more measuring devices 72 at regular intervals in the X direction. In this case, the vertical position of the floating substrate W on two straight lines can be simultaneously measured by the movement of each measuring device 72 in the Y direction.

측정 유닛 (70) 을 노즐 지지체 (601) 에 대해 장착하지 않고, 다른 가교 구조체를 별도로 설치하고, 이 가교 구조체에 측정 유닛 (70) 을 장착하여도 된다. 또, 메인터넌스 유닛 (65) 은 가교 구조체이므로, 메인터넌스 유닛 (65) 의 배트 (651) 에 대해 Y 방향 및 X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있게 측정 유닛 (70) 을 장착하여도 된다. 이 경우에 있어서, 구동부를 설치하지 않고, 측정 유닛 (70) 을 수동으로 이동시키는 구성으로 해도 된다.The measurement unit 70 may not be attached to the nozzle support 601, but another crosslinked structure may be provided separately, and the measurement unit 70 may be attached to this crosslinked structure. Further, since the maintenance unit 65 is a cross-linked structure, the measurement unit 70 may be attached to the bat 651 of the maintenance unit 65 so as to be freely movable in the Y and X directions. In this case, it is good also as a structure which moves the measurement unit 70 manually, without providing a drive part.

본 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시이고, 본 발명이 그것으로 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 본 발명의 범위로부터 벗어나는 일 없이 상정될 수 있는 것으로 이해된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합하거나, 생략하거나 할 수 있다.Although the present invention has been described in detail, the above description is, in all aspects, illustrative, and the present invention is not limited thereto. It is understood that numerous variations not illustrated can be assumed without departing from the scope of the present invention. Each configuration described in each of the above embodiments and each modification can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

1 : 도포 장치
3 : 부상 스테이지부 (부상 기구)
31 : 입구 부상 스테이지
32 : 도포 스테이지
321h : 분출구
322h : 흡인구
33 : 출구 부상 스테이지
5 : 반송 기구
6 : 도포 기구
601 : 노즐 지지체
61 : 노즐
611 : 토출구
63 : 노즐 이동 기구
70 : 측정 유닛
72 : 측정기
72a : 투광부
72b : 수광부
74 : 연결구
76 : 측정기 이동부 (측정기 이동 기구)
80 : 완충부
9 : 제어 유닛
D1 : 제 1 방향
D2 : 제 2 방향
L11 : 도포 위치
L13 : 예비 토출 위치
L14 : 세정 위치
ML1, ML2 : 위치
S11 : 반입 공정
S12, S12a : 측정 공정
S13 : 반출 공정
S14 : 도포 공정
W : 기판, 부상 기판
Wf : 상면 (제 1 주면)
1: Applicator
3: Floating stage part (floating mechanism)
31: entrance injury stage
32: application stage
321h: spout
322h: suction port
33: Exit Floating Stage
5: transport mechanism
6: Applicator
601: nozzle support
61: nozzle
611: discharge port
63: nozzle moving mechanism
70: measurement unit
72: meter
72a: light emitter
72b: light receiving unit
74: connector
76: measuring instrument moving part (measuring instrument moving mechanism)
80: buffer part
9: control unit
D1: first direction
D2: 2nd direction
L11: application position
L13: preliminary discharge position
L14: cleaning position
ML1, ML2: location
S11: Carry-in process
S12, S12a: Measurement process
S13: export process
S14: coating process
W: substrate, floating substrate
Wf: top surface (first main surface)

Claims (14)

제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와,
상기 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와,
상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과,
상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기와,
상기 측정기를 상기 제 2 방향 및 상기 제 1 방향의 상류측 및 하류측으로 이동시키는 측정기 이동 기구와,
상기 노즐에 대해 상기 제 1 방향의 상류측의 위치이고, 적어도 상기 노즐의 상기 토출구의 선단부와 수평 방향으로 겹치는 위치에 설치되는 완충부를 구비하고,
상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착되는 수평 위치인 부착 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치로부터, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출할 때의 상기 완충부의 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치까지의 사이에서 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus for processing a substrate having a first main surface and a second main surface,
a levitation mechanism for imparting a levitation force to the substrate in which the first main surface is vertically upward;
A transport mechanism for moving the floating substrate, which is the substrate to which the lifting force is applied, in a first direction that is a horizontal direction;
a nozzle having a discharge port extending in a second direction, which is a horizontal direction perpendicular to the first direction, and capable of discharging a processing liquid from the discharge port toward the first main surface of the floating substrate;
A measuring device for measuring the vertical position of the floating substrate;
a measuring device moving mechanism for moving the measuring device upstream and downstream in the second direction and the first direction;
a shock absorber provided at a position on the upstream side of the nozzle in the first direction and overlapping at least with the distal end of the discharge port of the nozzle in the horizontal direction;
The meter moving mechanism moves the measuring device from a position capable of measuring the vertical position of the floating substrate in an attached horizontal position, which is a horizontal position in which the processing liquid from the nozzle is attached to the floating substrate, so that the nozzle moves the processing liquid from the nozzle to the floating substrate. A substrate processing apparatus that moves a vertical position of the floating substrate in the second direction from a horizontal position of the buffer unit at the time of discharging the liquid to a position where a vertical position of the floating substrate can be measured.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 방향의 상이한 위치에서 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 복수의 상기 측정기를 갖는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
and a plurality of said measuring devices for measuring vertical positions of said floating substrates at different positions in said second direction.
제 2 항에 있어서,
상기 복수의 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고,
상기 측정기 이동 기구는, 상기 연결구를 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
According to claim 2,
Further comprising a connector connecting the plurality of measuring devices,
The measuring instrument moving mechanism moves the coupler in the second direction.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부상 기구는,
수평면을 갖는 스테이지와,
상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와,
상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함하는, 기판 처리 장치.
According to any one of claims 1 to 3,
The injury mechanism,
a stage having a horizontal surface;
a plurality of air outlets formed on the horizontal surface and ejecting air upward in the vertical direction;
and a plurality of suction ports formed on the horizontal surface and sucking air upward in the vertical direction.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 측정기 이동 기구는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 방향 하류측의 단부가 상기 부상 기구에 포함된 스테이지의 상기 제 1 방향 하류측의 가장자리부에 배치된 상태에서, 상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
According to any one of claims 1 to 3,
The measuring instrument moving mechanism moves the measuring instrument in the second direction in a state in which an end portion of the floating substrate downstream in the first direction is disposed at an edge portion of a stage included in the floating mechanism downstream in the first direction. A substrate processing device that moves.
제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와,
상기 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와,
상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과,
상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기와,
상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시키는 측정기 이동 기구를 구비하고,
상기 측정기 이동 기구는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 방향 하류측의 단부가 상기 부상 기구에 포함된 스테이지의 상기 제 1 방향 하류측의 가장자리부에 배치된 상태에서, 상기 측정기를 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus for processing a substrate having a first main surface and a second main surface,
a levitation mechanism for imparting a levitation force to the substrate in which the first main surface is vertically upward;
A transport mechanism for moving the floating substrate, which is the substrate to which the lifting force is applied, in a first direction that is a horizontal direction;
a nozzle having a discharge port extending in a second direction, which is a horizontal direction perpendicular to the first direction, and capable of discharging a processing liquid from the discharge port toward the first main surface of the floating substrate;
A measuring device for measuring the vertical position of the floating substrate;
a measuring device moving mechanism for moving the measuring device in the second direction;
The measuring instrument moving mechanism moves the measuring instrument in the second direction in a state in which an end portion of the floating substrate downstream in the first direction is disposed at an edge portion of a stage included in the floating mechanism downstream in the first direction. A substrate processing device that moves.
제 6 항에 있어서,
상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를 상기 제 2 방향 및 상기 제 1 방향의 상류측 및 하류측으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
According to claim 6,
The measuring device moving mechanism moves the measuring device upstream and downstream in the second direction and the first direction.
제 7 항에 있어서,
상기 노즐에 대해 상기 제 1 방향의 상류측의 위치이고, 적어도 상기 노즐의 상기 토출구의 선단부와 수평 방향으로 겹치는 위치에 설치되는 완충부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
According to claim 7,
The substrate processing apparatus further includes a buffer portion provided at a position upstream of the nozzle in the first direction and overlapping at least with a distal end of the discharge port of the nozzle in a horizontal direction.
제 8 항에 있어서,
상기 측정기 이동 기구는, 상기 측정기를, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착되는 수평 위치인 부착 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치로부터, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출할 때의 상기 완충부의 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치까지의 사이에서 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
According to claim 8,
The meter moving mechanism moves the measuring device from a position capable of measuring the vertical position of the floating substrate in an attached horizontal position, which is a horizontal position in which the processing liquid from the nozzle is attached to the floating substrate, so that the nozzle moves the processing liquid from the nozzle to the floating substrate. A substrate processing apparatus that moves a vertical position of the floating substrate in the second direction from a horizontal position of the buffer unit at the time of discharging the liquid to a position where a vertical position of the floating substrate can be measured.
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 방향의 상이한 위치에서 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 복수의 상기 측정기를 갖는, 기판 처리 장치.
According to any one of claims 6 to 9,
and a plurality of said measuring devices for measuring vertical positions of said floating substrates at different positions in said second direction.
제 10 항에 있어서,
상기 복수의 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고,
상기 측정기 이동 기구는, 상기 연결구를 상기 제 2 방향으로 이동시키는, 기판 처리 장치.
According to claim 10,
Further comprising a connector connecting the plurality of measuring devices,
The measuring instrument moving mechanism moves the coupler in the second direction.
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 부상 기구는,
수평면을 갖는 상기 스테이지와,
상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와,
상기 수평면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함하는, 기판 처리 장치.
According to any one of claims 6 to 9,
The injury mechanism,
the stage having a horizontal surface;
a plurality of air outlets formed on the horizontal surface and ejecting air upward in the vertical direction;
and a plurality of suction ports formed on the horizontal surface and sucking air upward in the vertical direction.
제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
상기 기판 처리 방법은, 노즐 및 완충부를 갖는 기판 처리 장치를 사용하여 실시되고, 상기 기판 처리 방법은,
(a) 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 공정과,
(b) 상기 공정 (a) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 공정과,
(c) 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기를, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향 및 상기 제 1 방향의 상류측 및 하류측으로 이동시킴으로써, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향의 복수점에 있어서의 연직 위치를 측정하는 공정을 포함하고,
상기 노즐은, 상기 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능하고,
상기 완충부는, 상기 노즐에 대해 상기 제 1 방향의 상류측의 위치이고, 적어도 상기 노즐의 상기 토출구의 선단부와 수평 방향으로 겹치는 위치에 설치되고,
상기 공정 (c) 에 있어서, 상기 측정기는, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착되는 수평 위치인 부착 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치로부터, 상기 노즐이 상기 처리액을 토출할 때의 상기 완충부의 수평 위치에 있어서의 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정 가능한 위치까지의 사이에서 상기 제 2 방향으로 이동되는, 기판 처리 방법.
A substrate processing method for processing a substrate having a first main surface and a second main surface,
The substrate processing method is carried out using a substrate processing apparatus having a nozzle and a buffer, and the substrate processing method includes:
(a) a step of imparting a levitation force to a substrate in which the first main surface faces vertically upward;
(b) a step of moving the floating substrate, which is the substrate to which the levitation force is applied in the step (a), in a first direction, which is a horizontal direction;
(c) moving a measuring device for measuring the vertical position of the floating substrate in a second direction, which is a horizontal direction orthogonal to the first direction, and upstream and downstream of the first direction; Including the process of measuring the vertical position in a plurality of points in two directions,
The nozzle has a discharge port extending in the second direction, and is capable of discharging a treatment liquid from the discharge port toward the first main surface of the floating substrate;
The shock absorber is provided at a position upstream of the nozzle in the first direction and overlaps at least a front end of the discharge port of the nozzle in a horizontal direction;
In the step (c), the measuring device, from a position capable of measuring the vertical position of the floating substrate in an attaching horizontal position, which is a horizontal position at which the processing liquid from the nozzle is attached to the floating substrate, determines that the nozzle is attached to the floating substrate. and moving in the second direction from a horizontal position of the buffer unit at the time of discharging the processing liquid to a position at which a vertical position of the floating substrate can be measured.
제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
상기 기판 처리 방법은, 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 상기 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구를 갖는 기판 처리 장치를 사용하여 실시되고, 상기 기판 처리 방법은,
(a) 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향의 기판에 부상력을 부여하는 공정과,
(b) 상기 공정 (a) 에 의해 부상력이 부여되고 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 공정과,
(c) 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 측정기를, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 이동시킴으로써, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향의 복수점에 있어서의 연직 위치를 측정하는 공정을 포함하고,
상기 공정 (c) 에 있어서, 상기 부상 기판의 상기 제 1 방향 하류측의 단부가, 상기 부상 기구에 포함된 스테이지의 상기 제 1 방향 하류측의 가장자리부에 배치된 상태에서, 상기 측정기가 상기 제 2 방향으로 이동되는, 기판 처리 방법.
A substrate processing method for processing a substrate having a first main surface and a second main surface,
The substrate processing method is carried out using a substrate processing apparatus having a lifting mechanism for imparting a lifting force to the substrate in which the first main surface is vertically upward, and the substrate processing method includes:
(a) a step of imparting a levitation force to a substrate in which the first main surface faces vertically upward;
(b) a step of moving the floating substrate, which is the substrate to which the levitation force is applied in the step (a), in a first direction, which is a horizontal direction;
(c) by moving a measuring device for measuring the vertical position of the floating substrate in a second direction, which is a horizontal direction orthogonal to the first direction, the vertical position of the floating substrate at a plurality of points in the second direction; Including the process of measuring
In the step (c), in a state in which an end portion of the floating substrate on the downstream side in the first direction is disposed on an edge portion of a stage included in the lifting mechanism on the downstream side in the first direction, the measuring device is configured to perform the measurement on the first direction. A substrate processing method that is moved in two directions.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7316331B2 (en) * 2021-09-02 2023-07-27 株式会社Screenホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228881A (en) 2004-02-12 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd Levitation substrate transfer processing method and its apparatus
JP2006297317A (en) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd Coating method
JP2012134419A (en) 2010-12-24 2012-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating applicator and coating method
JP2018043200A (en) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス Coating applicator and application method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4942589B2 (en) * 2007-08-30 2012-05-30 東京応化工業株式会社 Coating apparatus and coating method
KR101175284B1 (en) * 2009-09-15 2012-08-21 주식회사 탑 엔지니어링 Paste dispenser and method for controlling the same
JP5486030B2 (en) 2012-02-15 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 Coating device
CN103383468B (en) * 2013-06-28 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 The detection system of sealed plastic box coating apparatus and detection method, sealed plastic box coating machine
CN106165056B (en) * 2014-04-17 2018-12-11 应用材料公司 Retaining piece, the carrier with the retaining piece and the method for fixed substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228881A (en) 2004-02-12 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd Levitation substrate transfer processing method and its apparatus
JP2006297317A (en) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd Coating method
JP2012134419A (en) 2010-12-24 2012-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating applicator and coating method
JP2018043200A (en) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス Coating applicator and application method

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