JP2020006282A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a technology capable of coating excellently process liquid onto a substrate conveyed by floating force imparted thereto.SOLUTION: A coating applicator 1 includes a conveyance mechanism 5 for moving, to the X-direction, a floating substrate W to which floating force is imparted by a floating stage 3, a measuring device 72 for measuring a vertical position of the floating substrate W, and a measuring device moving part 76 for moving the measuring device 72 to the Y-direction. The measuring device 72 measures each vertical position of the floating substrate W at a plurality of different spots in the Y-direction, by being moved to the Y-direction.SELECTED DRAWING: Figure 10

Description

この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関し、特に、浮上力が付与されて搬送される基板への処理液の塗布を好適に行う技術に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体基板、液晶表示装置および有機EL(Electroluminescence)表示装置などのFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板が含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly to a technique for suitably applying a processing liquid to a substrate to which a levitation force is applied and conveyed. The substrate to be processed includes, for example, a semiconductor substrate, a substrate for an FPD (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display device and an organic EL (Electroluminescence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, Photomask substrates, ceramic substrates, and solar cell substrates are included.

半導体装置や液晶表示装置などの電子部品等の製造工程では、基板の表面に塗布液を塗布する塗布装置が用いられている。このような塗布装置として、基板の裏面にエアを吹き付けて基板を浮上させた状態で当該基板を搬送しながら、当該基板の表面(基板の主面に相当)に対して基板の幅方向に延びるノズルから塗布液を吐出して基板に塗布液を塗布する装置が知られている(例えば、特許文献1)。   2. Description of the Related Art In a manufacturing process of an electronic component such as a semiconductor device or a liquid crystal display device, a coating apparatus that applies a coating liquid to a surface of a substrate is used. In such a coating apparatus, the substrate is conveyed in a state where the substrate is floated by blowing air to the back surface of the substrate, and extends in the width direction of the substrate with respect to the surface of the substrate (corresponding to the main surface of the substrate). 2. Description of the Related Art There is known an apparatus that applies a coating liquid to a substrate by discharging the coating liquid from a nozzle (for example, Patent Document 1).

特許文献1に記載の基板処理装置では、浮上ステージ上で基板を水平姿勢にて浮上させつつ、基板の周縁部を保持して水平方向に走行させることで当該基板を搬送し、基板搬送経路の上方に配置されたスリットノズルから塗布液を吐出させる。   In the substrate processing apparatus described in Patent Literature 1, the substrate is transported by moving the substrate in a horizontal direction while holding the peripheral portion of the substrate while floating the substrate in a horizontal posture on a floating stage, and moving the substrate in a substrate transport path. The coating liquid is discharged from a slit nozzle arranged above.

特許文献1の基板処理装置では、基板の上方において、基板の浮上高を測定する光学式距離センサが備えられている。基板の浮上高に応じてスリットノズルの高さを調整しつつ塗布液を供給することが可能となっている。   In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, an optical distance sensor that measures the flying height of the substrate is provided above the substrate. The application liquid can be supplied while adjusting the height of the slit nozzle according to the flying height of the substrate.

特開2012−142583号公報JP 2012-142583 A

しかしながら、特許文献1では、光学式距離センサは、スリットノズルに固定されているため、搬送方向に直交する横方向(基板の幅方向)に関して固定された位置でしか基板の浮上高さを測定できない。このため、基板の横方向における浮上高さの分布を得ることができなかった。例えば、浮上ステージの浮上力が不足することなどによって、横方向における基板の浮上高さにばらつきが発生した場合に、処理液の塗布不良が起こる虞があった。   However, in Patent Literature 1, since the optical distance sensor is fixed to the slit nozzle, the flying height of the substrate can be measured only at a position fixed in a lateral direction (width direction of the substrate) orthogonal to the transport direction. . For this reason, the distribution of the flying height in the lateral direction of the substrate could not be obtained. For example, when the floating height of the substrate in the horizontal direction varies due to an insufficient floating force of the floating stage or the like, there is a possibility that application failure of the processing liquid may occur.

そこで、本発明は、浮上力が付与されて搬送される基板に処理液を良好に塗布する技術を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a technique for satisfactorily applying a processing liquid to a substrate to which a levitation force is applied and conveyed.

上記課題を解決するため、第1態様は、第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理装置であって、前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する浮上機構と、前記浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる搬送機構と、前記第1方向に直交する水平方向である第2方向に延びる吐出口を有し、前記浮上基板の前記第1主面に向けて処理液を前記吐出口から吐出可能なノズルと、前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器と、前記測定器を前記第2方向に移動させる測定器移動部とを備える。   In order to solve the above-mentioned problem, a first aspect is a substrate processing apparatus for processing a substrate having a first main surface and a second main surface, wherein the first main surface exerts a floating force on a vertically upward substrate. A floating mechanism for applying, a transport mechanism for moving the floating substrate, which is the substrate to which the floating force is applied, in a first direction that is a horizontal direction, and a transfer mechanism that moves the floating substrate in a second direction that is a horizontal direction orthogonal to the first direction. A nozzle that has a discharge port that extends and is capable of discharging the processing liquid from the discharge port toward the first main surface of the floating substrate, a measuring device that measures a vertical position of the floating substrate, and the measuring device A measuring device moving unit configured to move the measuring device in the second direction.

第2態様は、第1態様の基板処理装置であって、前記測定器移動部は、前記測定器を前記第2方向及び前記第1方向の上流側及び下流側に移動させる。   A second aspect is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the measuring device moving unit moves the measuring device upstream and downstream in the second direction and the first direction.

第3態様は、第2態様の基板処理装置であって、前記ノズルに対して前記第1方向の上流側の位置であって、少なくとも前記ノズルの前記吐出口の先端部と水平方向に重なる位置に設けられる緩衝部をさらに備える。   A third aspect is the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the position is an upstream position in the first direction with respect to the nozzle, and at least a position horizontally overlapping at least a tip end of the discharge port of the nozzle. The apparatus further includes a buffer unit provided in the apparatus.

第4態様は、第3態様の基板処理装置であって、前記測定器移動機構は、前記測定器を、前記ノズルからの前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置から、前記ノズルが前記処理液を吐出するときの前記緩衝部の水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置までの間で前記第2方向に移動させる。   A fourth aspect is the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein the measuring device moving mechanism moves the measuring device at an adhesion horizontal position, which is a horizontal position at which the processing liquid from the nozzle adheres to the floating substrate. The second direction between a position at which the vertical position of the floating substrate can be measured and a position at which the vertical position of the floating substrate at a horizontal position of the buffer when the nozzle discharges the processing liquid can be measured. Move to

第5態様は、第1態様から第4態様のいずれか1つの基板処理装置であって、前記第2方向の異なる位置で前記浮上基板の鉛直位置を測定する複数の前記測定器を有する。   A fifth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, including a plurality of the measuring devices for measuring a vertical position of the floating substrate at different positions in the second direction.

第6態様は、第5態様の基板処理装置であって、前記複数の測定器を連結する連結具、をさらに備え、前記測定器移動部は、前記連結具を前記第2方向に移動させる。   A sixth aspect is the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, further comprising a connector for connecting the plurality of measuring devices, wherein the measuring device moving unit moves the connecting device in the second direction.

第7態様は、第1態様から第6態様のいずれか1つの基板処理装置であって、前記浮上機構は、水平面を有するステージと、前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側に向けてエアを噴出する複数の噴出口と、前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側のエアを吸引する複数の吸引口とを含む。   A seventh aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first aspect to the sixth aspect, wherein the levitation mechanism is provided on a stage having a horizontal surface, and the air is provided on the horizontal surface, and the air is directed upward in the vertical direction. And a plurality of suction ports provided on the horizontal surface for sucking the air on the upper side in the vertical direction.

第8態様は、第1態様から第7態様のいずれか1つの基板処理装置であって、前記測定器移動機構は、前記浮上基板の前記第1方向下流側の端部が前記ステージの前記第1方向下流側の縁部に配された状態で、前記測定器を前記第2方向に移動させる。   An eighth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first aspect to the seventh aspect, wherein the measuring device moving mechanism is configured such that an end of the floating substrate on the downstream side in the first direction is the second end of the stage. The measuring instrument is moved in the second direction while being arranged at the edge on the downstream side in one direction.

第9態様は、第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理方法であって、(a)前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する工程と、(b)前記工程(a)によって浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる工程と、(c)前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器を、前記第1方向に直交する水平方向である第2方向に移動させることにより、前記浮上基板における前記第2方向の複数点における鉛直位置を測定する工程とを含む。   A ninth aspect is a substrate processing method for processing a substrate having a first main surface and a second main surface, wherein (a) applying a levitation force to a vertically upward substrate having the first main surface; (B) moving the levitation substrate, which is the substrate to which levitation force is applied in the step (a), in a first direction that is a horizontal direction, and (c) measuring the vertical position of the levitation substrate. Measuring the vertical positions at a plurality of points in the second direction on the floating substrate by moving the container in a second direction that is a horizontal direction orthogonal to the first direction.

第1態様の基板処理装置によると、測定器を第2方向に移動させることによって、第2方向に沿って鉛直位置を測定できる。このため、基板の第2方向沿う複数点で鉛直位置を測定できる。これにより、第2方向において、浮上機構による、基板の浮上高さ異常を検出できるため、基板に処理液を良好に塗布できる。   According to the substrate processing apparatus of the first aspect, the vertical position can be measured along the second direction by moving the measuring instrument in the second direction. Therefore, the vertical position can be measured at a plurality of points along the second direction on the substrate. Thus, in the second direction, an abnormality in the floating height of the substrate by the floating mechanism can be detected, so that the processing liquid can be favorably applied to the substrate.

第2態様の基板処理装置によると、第1方向及び第2方向に移動させることによって、基板の第1主面の面内の複数点の鉛直位置を測定できる。   According to the substrate processing apparatus of the second aspect, by moving the substrate in the first direction and the second direction, the vertical positions of a plurality of points in the plane of the first main surface of the substrate can be measured.

第3態様の基板処理装置によると、基板上の異物があった場合に、ノズルの吐出口よりも先に緩衝部が当該異物に衝突する。これによって、ノズルの先端部を異物から保護できる。   According to the substrate processing apparatus of the third aspect, when there is foreign matter on the substrate, the buffer unit collides with the foreign matter before the discharge port of the nozzle. Thus, the tip of the nozzle can be protected from foreign matter.

第4態様の基板処理装置によると、ノズルから処理液を吐出する際に緩衝部が配置される水平位置において、基板の鉛直位置を測定できるため、緩衝部の位置における浮上高さの異常を検出できる。したがって、塗布処理の際に、基板が緩衝部に接触することを低減できる。   According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, since the vertical position of the substrate can be measured at the horizontal position where the buffer is disposed when the processing liquid is discharged from the nozzle, the abnormality of the flying height at the position of the buffer is detected. it can. Therefore, the contact of the substrate with the buffer during the coating process can be reduced.

第5態様の基板処理装置によると、同時に複数点で浮上基板の鉛直位置を測定できるため、単一の測定器をY方向に移動させる場合よりも、移動距離を短くできるため、測定時間を短縮できる。   According to the substrate processing apparatus of the fifth aspect, since the vertical position of the floating substrate can be measured at a plurality of points at the same time, the moving distance can be shorter than when a single measuring device is moved in the Y direction, and the measurement time is reduced. it can.

第6態様の基板処理装置によると、複数の測定器を一体に移動させることができる。このため、複数の測定器を独立に移動させる場合に比べて、移動機構の構成を簡易化できる。   According to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, a plurality of measuring instruments can be moved integrally. Therefore, the configuration of the moving mechanism can be simplified as compared with a case where a plurality of measuring instruments are moved independently.

第7態様の基板処理装置によると、処理対象の基板にエアを噴出しつつ、かつ、吸引することによって、精密に搬送できる。   According to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, it is possible to transport the substrate precisely by ejecting and sucking air to the substrate to be processed.

第8態様の基板処理装置によると、浮上基板の下流側の端部がステージの下流側の縁部に配置されるため、ステージの下流側の端部に設けられている吸引口の詰まりによる、基板の浮上高さの異常を検出できる。   According to the substrate processing apparatus of the eighth aspect, since the downstream end of the floating substrate is disposed at the downstream edge of the stage, the suction port provided at the downstream end of the stage is clogged. An abnormality in the flying height of the substrate can be detected.

第9態様の基板処理方法によると、測定器を第2方向に移動させることによって、第2方向に沿って鉛直位置を測定できる。このため、基板の第2方向沿う複数点で鉛直位置を測定できる。これにより、第2方向において、浮上機構による、基板の浮上高さ異常を検出できるため、基板に処理液を良好に塗布できる。   According to the substrate processing method of the ninth aspect, the vertical position can be measured along the second direction by moving the measuring instrument in the second direction. Therefore, the vertical position can be measured at a plurality of points along the second direction on the substrate. Thus, in the second direction, an abnormality in the floating height of the substrate by the floating mechanism can be detected, so that the processing liquid can be favorably applied to the substrate.

実施形態の基板処理装置の一例である塗布装置1の全体構成を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the whole structure of the coating device 1 which is an example of the substrate processing apparatus of embodiment. 実施形態の塗布装置1を鉛直方向上側から見た概略平面図である。It is the schematic plan view which looked at the coating device 1 of embodiment from the vertical direction upper side. 実施形態の塗布機構6を除いた塗布装置1を示す概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing the coating apparatus 1 excluding a coating mechanism 6 of the embodiment. 図2に示すA−A線に沿う位置における塗布装置1の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of the coating apparatus 1 at a position along line AA shown in FIG. 2. 実施形態の浮上ステージ部3の一部を示す概略平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view showing a part of a floating stage unit 3 of the embodiment. ノズル支持体601および測定ユニット70を示す概略平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view showing a nozzle support 601 and a measurement unit 70. ノズル61、測定ユニット70及び緩衝部80を示す概略側面図である。FIG. 3 is a schematic side view illustrating a nozzle 61, a measurement unit 70, and a buffer unit 80. ノズル61、測定ユニット70及び緩衝部80を示す概略正面図である。FIG. 3 is a schematic front view illustrating a nozzle 61, a measurement unit 70, and a buffer unit 80. 実施形態の制御ユニット9を示す概略ブロック図である。It is a schematic block diagram showing control unit 9 of an embodiment. 塗布装置1が実行する鉛直位置測定処理の各工程を示す図である。It is a figure which shows each process of the vertical position measurement process which the coating device 1 performs. 塗布装置1が実行する鉛直位置測定処理の各工程を示す図である。It is a figure which shows each process of the vertical position measurement process which the coating device 1 performs.

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張又は簡略化して図示されている場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Note that the components described in this embodiment are merely examples, and are not intended to limit the scope of the present invention. In the drawings, the dimensions and the numbers of the respective parts may be exaggerated or simplified as necessary for easy understanding.

相対的または絶対的な位置関係を示す表現(例えば「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」等)は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現(例えば「同一」「等しい」「均質」「一致」等)は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現(例えば、「四角形状」または「円筒形状」等)は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取り等を有する形状も表すものとする。「〜の上」とは、特に断らない限り、2つの要素が接している場合のほか、2つの要素が離れている場合も含む。   Expressions indicating relative or absolute positional relationships (for example, “parallel”, “orthogonal”, “center”, “concentric”, “coaxial”, etc.) not only express the positional relationship strictly, but also express tolerance or It also represents a state in which it is relatively displaced with respect to the angle or the distance within a range where the same function can be obtained. Unless otherwise specified, expressions that indicate equal states (eg, “identical,” “equal,” “homogeneous,” “match,” etc.) not only represent strictly equal states quantitatively, but also have tolerances or similar functions. Also represents a state where there is a difference that can be obtained. Unless otherwise specified, expressions indicating shapes (eg, “square shape” or “cylindrical shape”) not only represent the shape strictly geometrically, but also within a range where the same effect can be obtained, for example. A shape having irregularities and chamfers is also represented. Unless otherwise specified, "on" includes a case where two elements are in contact with each other and a case where two elements are distant from each other.

<1.第1実施形態>
図1は、実施形態の基板処理装置の一例である塗布装置1の全体構成を模式的に示す側面図である。図2は、実施形態の塗布装置1を鉛直方向上側から見た概略平面図である。図3は、実施形態の塗布機構6を除いた塗布装置1を示す概略平面図である。図4は、図2に示すA−A線に沿う位置における塗布装置1の概略断面図である。図5は、実施形態の浮上ステージ部3の一部を示す概略平面図である。
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a side view schematically illustrating an entire configuration of a coating apparatus 1 which is an example of the substrate processing apparatus according to the embodiment. FIG. 2 is a schematic plan view of the coating apparatus 1 of the embodiment as viewed from above in the vertical direction. FIG. 3 is a schematic plan view showing the coating apparatus 1 excluding the coating mechanism 6 of the embodiment. FIG. 4 is a schematic sectional view of the coating apparatus 1 at a position along the line AA shown in FIG. FIG. 5 is a schematic plan view showing a part of the floating stage unit 3 of the embodiment.

塗布装置1は、四角形状の基板Wを水平姿勢(基板Wの上面Wf(第1主面)及び下面(第2主面)が水平面(XY平面)に対して平行となる姿勢)で搬送するとともに、当該基板Wの上面Wfに処理液(塗布液)を塗布するスリットコータである。各図において、塗布装置1の各部の位置関係を明確にするため、基板Wが搬送される第1方向D1に平行な方向を「X方向」とし、入力コンベア100から出力コンベア110へ向かう方向を「+X方向」、その逆方向を「−X方向」とする。X方向と直交する水平方向を「Y方向」とし、図1の手前に向かう方向を「−Y方向」、その逆方向を「+Y方向」とする。X方向およびY方向に直交する鉛直方向をZ方向とし、浮上ステージ部3から見て塗布機構6側に向かう上向きを「+Z方向」、その逆方向を「−Z方向」とする。   The coating apparatus 1 transports the rectangular substrate W in a horizontal posture (a posture in which the upper surface Wf (first main surface) and the lower surface (second main surface) of the substrate W are parallel to a horizontal plane (XY plane)). In addition, it is a slit coater that applies a processing liquid (coating liquid) to the upper surface Wf of the substrate W. In each figure, in order to clarify the positional relationship of each part of the coating apparatus 1, a direction parallel to the first direction D1 in which the substrate W is transported is defined as an “X direction”, and a direction from the input conveyor 100 to the output conveyor 110 is defined as “X direction”. The “+ X direction” and the opposite direction are “−X direction”. The horizontal direction orthogonal to the X direction is referred to as “Y direction”, the direction toward the front of FIG. 1 is referred to as “−Y direction”, and the opposite direction is referred to as “+ Y direction”. A vertical direction perpendicular to the X direction and the Y direction is defined as a Z direction, an upward direction toward the coating mechanism 6 as viewed from the floating stage unit 3 is defined as a “+ Z direction”, and the opposite direction is defined as a “−Z direction”.

塗布装置1の基本的構成や動作原理は、特開2010−227850号公報、特開2010−240550公報に記載されたものと、部分的に共通または類似する。そこで、本明細書では、塗布装置1の各構成のうちこれらの公知文献に記載の物と同一または技術常識等に基づいて容易に類推できる構成については、適宜省略する場合がある。   The basic configuration and operation principle of the coating apparatus 1 are partially common or similar to those described in JP-A-2010-227850 and JP-A-2010-240550. Therefore, in the present specification, among the components of the coating apparatus 1, components that are the same as those described in these known documents or that can be easily inferred based on technical common sense may be appropriately omitted.

塗布装置1は、基板Wが搬送される第1方向D1(+X方向)に沿って、順に、入力コンベア100、入力移載部2、浮上ステージ部3、出力移載部4、出力コンベア110を備える。これらは、互いに近接するように配置されており、これらにより、基板Wの搬送経路が形成される。なお、以下の説明において、基板の搬送方向である第1方向D1と関連付けて位置関係を示すとき、「第1方向の上流側」を単に「上流側」と、「第1方向D1の下流側」を「下流側」と略する場合がある。本例では、ある基準位置から見て、−X側が「上流側」であり、+X側が「下流側」である。   The coating apparatus 1 sequentially moves the input conveyor 100, the input transfer unit 2, the floating stage unit 3, the output transfer unit 4, and the output conveyor 110 along the first direction D1 (+ X direction) in which the substrate W is transported. Prepare. These are arranged so as to be close to each other, and thereby, a transport path of the substrate W is formed. In the following description, when the positional relationship is indicated in association with the first direction D1, which is the substrate transfer direction, “upstream in the first direction” is simply referred to as “upstream” and “downstream in the first direction D1”. "May be abbreviated as" downstream. " In this example, the -X side is the "upstream side" and the + X side is the "downstream side" when viewed from a certain reference position.

入力コンベア100は、コロコンベア101と、コロコンベア101を回転駆動する回転駆動機構102とを備える。コロコンベア101の回転により、基板Wは水平姿勢で下流側(+X側)に搬送される。   The input conveyor 100 includes a roller conveyor 101 and a rotation drive mechanism 102 that rotationally drives the roller conveyor 101. Due to the rotation of the roller conveyor 101, the substrate W is transported to the downstream side (+ X side) in a horizontal posture.

入力移載部2は、コロコンベア21と、コロコンベア21を回転させる回転駆動機構22とを備える。コロコンベア21が回転することで、基板Wは+X方向に搬送される。また、コロコンベア21が昇降することにより、基板Wの鉛直位置が変更される。入力移載部2の動作により、基板Wは、入力コンベア100から浮上ステージ部3に移載される。   The input transfer unit 2 includes a roller conveyor 21 and a rotation drive mechanism 22 that rotates the roller conveyor 21. As the roller conveyor 21 rotates, the substrate W is transported in the + X direction. Further, the vertical position of the substrate W is changed by moving the roller conveyor 21 up and down. The substrate W is transferred from the input conveyor 100 to the floating stage unit 3 by the operation of the input transfer unit 2.

浮上ステージ部3は、第1方向D1に沿って、3つの平板状のステージを含む。具体的には、浮上ステージ部3は、第1方向D1に沿って順に入口浮上ステージ31、塗布ステージ32、出口浮上ステージ33を備える。これらの各ステージの上面は、同一平面上にある。   The floating stage section 3 includes three flat stages along the first direction D1. Specifically, the levitation stage unit 3 includes an entrance levitation stage 31, a coating stage 32, and an exit levitation stage 33 in this order along the first direction D1. The upper surface of each of these stages is on the same plane.

入口浮上ステージ31および出口浮上ステージ33のそれぞれの上面には、浮上制御機構35から供給されるエア(圧縮空気)を噴出する複数の噴出口31h,33hがマトリクス状に設けられている。複数の噴出口31h,33hから噴出される圧縮空気により、基板Wに浮上力が浮力され、基板Wの下面(第2主面)と各ステージ31,33の上面から離間した状態で水平姿勢に支持される。基板Wの下面とステージ31,33の上面との距離は、例えば10−500μm(マイクロメートル)としてもよい。   On the upper surface of each of the entrance levitation stage 31 and the exit levitation stage 33, a plurality of ejection ports 31h, 33h for ejecting air (compressed air) supplied from the levitation control mechanism 35 are provided in a matrix. A floating force is buoyant on the substrate W by the compressed air jetted from the plurality of jet ports 31h and 33h, and the substrate W is in a horizontal posture while being separated from the lower surface (second main surface) of the substrate W and the upper surfaces of the stages 31 and 33. Supported. The distance between the lower surface of the substrate W and the upper surfaces of the stages 31 and 33 may be, for example, 10-500 μm (micrometer).

図5に示すように、塗布ステージ32の上面には、エア(圧縮空気)を噴出する複数の噴出口321hと、塗布ステージ32の上方の雰囲気を吸引する複数の吸引口322hとが設けられている。塗布ステージ32の上面では、噴出口321hと吸引口322hとが、X方向及びY方向に沿って交互に設けられている。浮上制御機構35が各噴出口321hからの圧縮空気の噴出量と各吸引口322hからの雰囲気の吸引量とがバランスするように制御することにより、基板Wの下面と塗布ステージ32の上面との距離が精密に制御される。これにより、塗布ステージ32の上方を通過する基板Wの上面Wfの鉛直位置が既定値に制御される。浮上ステージ部3の構成としては、特開2010−227850号公報に記載のものを適用してもよい。   As shown in FIG. 5, on the upper surface of the application stage 32, a plurality of ejection ports 321h for ejecting air (compressed air) and a plurality of suction ports 322h for sucking an atmosphere above the application stage 32 are provided. I have. On the upper surface of the application stage 32, ejection ports 321h and suction ports 322h are provided alternately along the X direction and the Y direction. By controlling the floating control mechanism 35 so that the amount of compressed air ejected from each ejection port 321h and the amount of suction of the atmosphere from each suction port 322h are balanced, the lower surface of the substrate W and the upper surface of the coating stage 32 are controlled. The distance is precisely controlled. Thus, the vertical position of the upper surface Wf of the substrate W passing above the coating stage 32 is controlled to a predetermined value. As the configuration of the floating stage section 3, the configuration described in JP-A-2010-227850 may be applied.

塗布ステージ32は、+X方向に向かって順に、上流領域32A、中間領域32B、および、下流領域32Cを有している。ここでは、塗布ステージ32の上面をX方向に1/3ずつ分割することによって得られる3つの領域各々が上流領域32A、中間領域32Bおよび下流領域32Cであり、中間領域32Bが塗布ステージ32の上面の中央を占める領域となっている。   The application stage 32 has an upstream area 32A, an intermediate area 32B, and a downstream area 32C in order in the + X direction. Here, each of three regions obtained by dividing the upper surface of the application stage 32 in the X direction by 1/3 is an upstream region 32A, an intermediate region 32B, and a downstream region 32C, and the intermediate region 32B is the upper surface of the application stage 32. The area occupies the center of the

上流領域32Aおよび下流領域32C各々よりも中間領域32Bの方において、噴出口321hおよび吸引口322hの分布密度(単位面積あたりの数量)が大きくなっている。このため、中間領域32Bは、上流領域32Aおよび下流領域32C各々よりも、基板Wの浮上量を精密に制御することが可能となっている。   The distribution density (quantity per unit area) of the ejection port 321h and the suction port 322h is higher in the intermediate area 32B than in each of the upstream area 32A and the downstream area 32C. For this reason, the floating amount of the substrate W can be controlled more precisely in the intermediate region 32B than in each of the upstream region 32A and the downstream region 32C.

中間領域32Bの上方にノズル61の塗布位置L11が設定される。すなわち、中間領域32Bの上方にノズル61の吐出口611が配置された状態で、塗布ステージ32から浮上力が付与された基板W(以下、「浮上基板W」とも称する。)に吐出口611からの処理液が供給される。そして、吐出口611から吐出された処理液が、浮上基板Wに付着するときの水平方向の位置である水平位置も、中間領域32Bの上方とされる。このように、浮上量の精密な制御が可能な中間領域32B上にて浮上基板Wに処理液を供給することによって、塗布処理を良好に行うことができる。   The application position L11 of the nozzle 61 is set above the intermediate region 32B. That is, in a state where the ejection port 611 of the nozzle 61 is disposed above the intermediate region 32B, the ejection port 611 is applied to the substrate W (hereinafter, also referred to as “floating substrate W”) to which the levitation force is applied from the application stage 32. Is supplied. The horizontal position, which is the horizontal position when the processing liquid discharged from the discharge port 611 adheres to the floating substrate W, is also set above the intermediate region 32B. As described above, by supplying the processing liquid to the floating substrate W on the intermediate region 32B where the floating amount can be precisely controlled, the coating processing can be performed satisfactorily.

入力移載部2を介して浮上ステージ部3に搬入された基板Wは、コロコンベア21の回転により、+X方向への推進力を得て、入口浮上ステージ31上に搬送される。浮上ステージ部3における基板Wの搬送は、搬送機構5によって行われる。   The substrate W carried into the floating stage unit 3 via the input transfer unit 2 receives the propulsive force in the + X direction by the rotation of the roller conveyor 21 and is transferred onto the entrance floating stage 31. The transfer of the substrate W in the floating stage unit 3 is performed by the transfer mechanism 5.

搬送機構5は、チャック51および吸着・走行制御機構52を備える。チャック51は、基板Wの下面周縁部に部分的に当接することによって基板Wを下方から支持する。吸着・走行制御機構52は、チャック51上端の支持部位に設けられた吸着パッドに負圧を与えて、チャック51に基板Wを吸着保持させる機能を備える。また、吸着・走行制御機構52は、チャック51をX方向に沿って直線状に往復走行させる機能を備える。   The transport mechanism 5 includes a chuck 51 and a suction / travel control mechanism 52. The chuck 51 supports the substrate W from below by partially contacting the lower peripheral edge of the substrate W. The suction / running control mechanism 52 has a function of applying a negative pressure to a suction pad provided at a support portion at the upper end of the chuck 51 to cause the chuck 51 to suck and hold the substrate W. Further, the suction / run control mechanism 52 has a function of causing the chuck 51 to reciprocate linearly in the X direction.

チャック51が基板Wを保持する状態では、基板Wの下面は、浮上ステージ部3の各ステージ31,32,33の上面よりも+Z側に位置する。基板Wは、チャック51により周縁部を吸着保持され、浮上ステージ部3から付与される浮上力により全体として水平姿勢を維持する。   When the chuck 51 holds the substrate W, the lower surface of the substrate W is located on the + Z side of the upper surfaces of the stages 31, 32, and 33 of the floating stage unit 3. The peripheral edge of the substrate W is suction-held by the chuck 51, and the substrate W maintains a horizontal posture as a whole due to the levitation force applied from the levitation stage unit 3.

入力移載部2から浮上ステージ部3に搬入された基板Wをチャック51が保持し、この状態でチャック51が+X方向に移動することにより、基板Wが入口浮上ステージ31の上方から、塗布ステージ32の上方を経由して、出口浮上ステージ33の上方へ搬送される。基板Wは、出口浮上ステージ33の+X側に配置された出力移載部4に渡される。   The chuck 51 holds the substrate W carried from the input transfer unit 2 to the floating stage unit 3, and in this state, the chuck 51 moves in the + X direction, whereby the substrate W is moved from above the entrance floating stage 31 to the coating stage. 32, and is conveyed above the exit floating stage 33. The substrate W is transferred to the output transfer section 4 arranged on the + X side of the exit floating stage 33.

出力移載部4は、コロコンベア41と、当該コロコンベア41を回転駆動する回転駆動機構42とを備える。コロコンベア41が回転することにより、基板Wに+X方向への推進力が付与され、基板Wが第1方向D1に搬送される。出力移載部4の動作により、基板Wは、出口浮上ステージ33の上方から出力コンベア110に移載される。   The output transfer unit 4 includes a roller conveyor 41 and a rotation driving mechanism 42 that rotationally drives the roller conveyor 41. When the roller conveyor 41 rotates, a propulsive force in the + X direction is applied to the substrate W, and the substrate W is transported in the first direction D1. By the operation of the output transfer section 4, the substrate W is transferred to the output conveyor 110 from above the exit floating stage 33.

出力コンベア110は、コロコンベア111を回転させる回転駆動機構112を備える。コロコンベア111の回転により、基板Wは+X方向に搬送されて塗布装置1の外部へ払い出される。入力コンベア100および出力コンベア110は、塗布装置1の一部として設けられていてもよいが、塗布装置1とは別体であってもよい。例えば、入力コンベア100は、塗布装置1の上流側に設けられる別ユニットの基板払い出し機構であってもよい。また、出力コンベア110は、塗布装置1の下流側に設けられる別ユニットの基板受け入れ機構であってもよい。   The output conveyor 110 includes a rotation drive mechanism 112 that rotates the roller conveyor 111. Due to the rotation of the roller conveyor 111, the substrate W is transported in the + X direction and discharged to the outside of the coating apparatus 1. The input conveyor 100 and the output conveyor 110 may be provided as a part of the coating apparatus 1, but may be separate from the coating apparatus 1. For example, the input conveyor 100 may be a substrate payout mechanism of another unit provided on the upstream side of the coating apparatus 1. Further, the output conveyor 110 may be a substrate receiving mechanism of another unit provided on the downstream side of the coating apparatus 1.

基板Wの搬送系路上には、基板Wの上面Wfに処理液を塗布する塗布機構6が設けられている。塗布機構6は、処理液を吐出するノズル61を含むノズルユニット60、ノズル61を位置決めするノズル移動機構63、ノズル61をメンテナンスするメンテナンスユニット65を備える。   An application mechanism 6 for applying the processing liquid to the upper surface Wf of the substrate W is provided on the transport system path of the substrate W. The coating mechanism 6 includes a nozzle unit 60 including a nozzle 61 for discharging the processing liquid, a nozzle moving mechanism 63 for positioning the nozzle 61, and a maintenance unit 65 for maintaining the nozzle 61.

ノズル61は、第1方向D1に直交する水平方向である第2方向D2(Y方向)に延びる部材である。ノズル61の下端部は、幅方向に延びるとともに下向きに開口する吐出口611を有する。吐出口611からは、処理液が吐出される。   The nozzle 61 is a member extending in a second direction D2 (Y direction) which is a horizontal direction orthogonal to the first direction D1. The lower end of the nozzle 61 has a discharge port 611 that extends in the width direction and opens downward. The processing liquid is discharged from the discharge port 611.

ノズル移動機構63は、ノズル61について、X方向およびZ方向に移動させて位置決めする。ノズル移動機構63の動作により、ノズル61は、塗布ステージ32の上方の塗布位置L11に位置決めされる。ノズル61が塗布位置L11に位置決めされた状態で、ノズル61が基板Wの上面Wfに向けて処理液を吐出することにより、基板Wに処理液が塗布される。このように、塗布位置L11は、塗布を実行するときのノズル61の位置である。   The nozzle moving mechanism 63 moves and positions the nozzle 61 in the X direction and the Z direction. By the operation of the nozzle moving mechanism 63, the nozzle 61 is positioned at the coating position L11 above the coating stage 32. The processing liquid is applied to the substrate W by the nozzle 61 discharging the processing liquid toward the upper surface Wf of the substrate W while the nozzle 61 is positioned at the application position L11. Thus, the application position L11 is the position of the nozzle 61 when performing the application.

ノズル61が塗布位置L11に配置された状態で、処理液が基板Wに吐出されることによって、基板Wの上面Wfのうち、周縁部を除く内側の塗布対象領域に、処理液の塗膜が形成される。   When the processing liquid is discharged to the substrate W in a state where the nozzle 61 is disposed at the coating position L11, the coating film of the processing liquid is coated on the inner surface of the upper surface Wf of the substrate W except for the peripheral portion. It is formed.

メンテナンスユニット65は、バット651、予備吐出ローラ652、ノズルクリーナ653およびメンテナンス制御機構654を備える。バット651は、ノズル61の洗浄に使用される洗浄液を貯留する。メンテナンス制御機構654は、予備吐出ローラ652およびノズルクリーナ653を制御する。メンテナンスユニット65の構成として、例えば特開2010−240550号公報に記載された構成を適用してもよい。   The maintenance unit 65 includes a butt 651, a preliminary ejection roller 652, a nozzle cleaner 653, and a maintenance control mechanism 654. The vat 651 stores a cleaning liquid used for cleaning the nozzle 61. The maintenance control mechanism 654 controls the preliminary discharge roller 652 and the nozzle cleaner 653. As a configuration of the maintenance unit 65, for example, a configuration described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-240550 may be applied.

ノズル移動機構63は、ノズル61を、吐出口611が予備吐出ローラ652の上方にてその表面に対向する予備吐出位置L13に位置決めする。ノズル61hは、予備吐出位置L13にて、吐出口611から予備吐出ローラ652の表面に対して処理液を吐出する(予備吐出処理)。ノズル61は、上述の塗布位置L11に位置決めされる前に予備吐出位置L13に位置決めされて予備吐出処理を実行する。これにより、基板Wへの処理液の吐出を、初期段階から安定させることができる。メンテナンス制御機構654が予備吐出ローラ652を回転させると、ノズル61から吐出された処理液は、バット651に貯留された洗浄液に混合されて回収される。   The nozzle moving mechanism 63 positions the nozzle 61 at the preliminary ejection position L13 where the ejection port 611 faces the surface above the preliminary ejection roller 652. The nozzle 61h discharges the processing liquid from the discharge port 611 to the surface of the preliminary discharge roller 652 at the preliminary discharge position L13 (preliminary discharge processing). The nozzle 61 is positioned at the preliminary ejection position L13 before the nozzle 61 is positioned at the application position L11, and performs the preliminary ejection process. Thus, the discharge of the processing liquid onto the substrate W can be stabilized from the initial stage. When the maintenance control mechanism 654 rotates the preliminary discharge roller 652, the processing liquid discharged from the nozzle 61 is mixed with the cleaning liquid stored in the vat 651 and collected.

ノズル移動機構63は、ノズル61を、その先端部(吐出口611およびその近くの領域を含む。)がノズルクリーナ653の上方に対向する洗浄位置L14に位置決めする。ノズル61が洗浄位置L14にある状態で、ノズルクリーナ653が洗浄液を吐出しながらノズル61の幅方向(Y方向)に移動することによって、ノズル61の先端部に付着した処理液などが洗い流される。   The nozzle moving mechanism 63 positions the nozzle 61 at the cleaning position L14 where the tip (including the discharge port 611 and a region near the outlet 611) faces above the nozzle cleaner 653. With the nozzle 61 in the cleaning position L14, the nozzle cleaner 653 moves in the width direction (Y direction) of the nozzle 61 while discharging the cleaning liquid, whereby the processing liquid and the like attached to the tip of the nozzle 61 are washed away.

ノズル移動機構63は、ノズル61を、洗浄位置L14よりも下方であって、ノズル61の下端部がバット651内に収容される待機位置に位置決めしてもよい。塗布装置1においてノズル61を用いた塗布処理が実行されないときに、ノズル61が当該待機位置に位置決めされてもよい。図示を省略するが、待機位置に位置決めされたノズル61の吐出口611における処理液の乾燥を防止するための待機ポッドが備えられていてもよい。   The nozzle moving mechanism 63 may position the nozzle 61 at a standby position below the cleaning position L14 and the lower end of the nozzle 61 is housed in the butt 651. When the coating process using the nozzle 61 is not performed in the coating apparatus 1, the nozzle 61 may be positioned at the standby position. Although not shown, a standby pod for preventing drying of the processing liquid at the discharge port 611 of the nozzle 61 positioned at the standby position may be provided.

図1では、予備吐出位置L13にあるノズル61が実線で、塗布位置L11、下流位置L12および洗浄位置L14にあるノズル61が破線でそれぞれ示されている。   In FIG. 1, the nozzle 61 at the preliminary ejection position L13 is indicated by a solid line, and the nozzle 61 at the application position L11, the downstream position L12, and the cleaning position L14 is indicated by a broken line.

本実施形態の塗布機構6は、1つのノズル61のみを備えているが、複数のノズル61を備えていてもよい。複数のノズル61は、第1方向D1に沿って間隔をあけて備えられていてもよい。この場合において、複数のノズル61に対して異なる処理液を供給することにより、異なる処理液を基板Wに塗布するようにしてもよい。また、各ノズル61に対応するノズル移動機構63及びメンテナンスユニット65をそれぞれ設けてもよい。なお、メンテナンスユニット65は、2つ以上のノズル61が共有して利用できるようにしてもよい。   The application mechanism 6 of the present embodiment includes only one nozzle 61, but may include a plurality of nozzles 61. The plurality of nozzles 61 may be provided at intervals along the first direction D1. In this case, different processing liquids may be applied to the substrate W by supplying different processing liquids to the plurality of nozzles 61. Further, a nozzle moving mechanism 63 and a maintenance unit 65 corresponding to each nozzle 61 may be provided. In addition, the maintenance unit 65 may be configured such that two or more nozzles 61 can be shared and used.

図4に示すように、ノズルユニット60は、浮上ステージ部3の上方でY方向に延びる梁部材631と、当該梁部材631の両側端部を支持する2つの柱部材632,633とを含む架橋構造を有する。柱部材632,633は、基台10から上方に立設されている。柱部材632には昇降機構634が取り付けられており、柱部材633には昇降機構635が取り付けられている。昇降機構634,635は、例えばボールねじ機構を含む。昇降機構634には梁部材631の+Y側端部を、昇降機構635には梁部材631の−Y側端部が取り付けられており、昇降機構634,635によって梁部材631が支持される。制御ユニット9からの制御指令に応じて昇降機構634,635が連動することによって、梁部材631が水平姿勢のまま鉛直方向(Z方向)に移動する。   As shown in FIG. 4, the nozzle unit 60 is a bridge including a beam member 631 extending in the Y direction above the floating stage unit 3 and two column members 632 and 633 supporting both end portions of the beam member 631. Having a structure. The column members 632 and 633 are provided upright from the base 10. An elevating mechanism 634 is attached to the column member 632, and an elevating mechanism 635 is attached to the column member 633. The lifting mechanisms 634 and 635 include, for example, a ball screw mechanism. The + Y side end of the beam member 631 is attached to the elevating mechanism 634, and the −Y side end of the beam member 631 is attached to the elevating mechanism 635. The elevating mechanisms 634 and 635 support the beam member 631. The beam members 631 move in the vertical direction (Z direction) while keeping the horizontal posture by interlocking the lifting mechanisms 634 and 635 in response to a control command from the control unit 9.

図に示すように、梁部材631の中央下部には、Y軸方向に延びるノズル支持体601が設けられている。図7および図8に示すように、ノズル支持体601の下部には、−Y方側から見た形状がL字状である中間部603が取り付けられている。ノズル61は、当該中間部603の水平に延びる部分の下部に、ノズル61が取り付けられている。ノズル61は、吐出口611を下向きにした姿勢でノズル支持体601に取り付けられている。昇降機構634,635が作動することで、ノズル支持体601およびノズル61が鉛直方向(Z方向)に移動する。   As shown in the figure, a nozzle support 601 extending in the Y-axis direction is provided at the lower center of the beam member 631. As shown in FIGS. 7 and 8, an intermediate portion 603 having an L-shape when viewed from the −Y side is attached to a lower portion of the nozzle support 601. The nozzle 61 is attached to a lower portion of a horizontally extending portion of the intermediate portion 603. The nozzle 61 is attached to the nozzle support 601 with the discharge port 611 facing downward. By operating the lifting mechanisms 634 and 635, the nozzle support 601 and the nozzle 61 move in the vertical direction (Z direction).

柱部材632,633は、基台10上において移動可能に構成されている。X方向に延びる2つの走行ガイド81L,81Rが、基台10の上面における+Y側端部および−Y側端部に設けられている。柱部材632はその下部に取り付けられたスライダ636を介して+Y側の走行ガイド81Lに係合されており、柱部材633はその下部に取り付けられたスライダ637を介して−Y側の走行ガイド81Rに係合されている。スライダ636,637は、走行ガイド81L,81Rに沿ってX方向に移動自在である。   The column members 632 and 633 are configured to be movable on the base 10. Two traveling guides 81 </ b> L and 81 </ b> R extending in the X direction are provided at the + Y side end and the −Y side end on the upper surface of the base 10. The column member 632 is engaged with the traveling guide 81L on the + Y side via a slider 636 attached to the lower portion thereof, and the column member 633 is engaged with the traveling guide 81R on the −Y side via a slider 637 attached to the lower portion. Is engaged. The sliders 636 and 637 are movable in the X direction along the travel guides 81L and 81R.

柱部材632,633は、リニアモータ82L,82Rの作動によってX方向に移動する。リニアモータ82L,82Rは、固定子としてのマグネットモジュールと、移動子としてのコイルモジュールとを備える。マグネットモジュールは、基台10に設けられており、X方向に延びている。コイルモジュールは、柱部材632,633のそれぞれの下部に取り付けられている。制御ユニット9からの制御指令に応じてリニアモータ82L,82Rの移動子が作動することによって、ノズルユニット60全体がX方向に沿って移動する。これにより、ノズル61のX方向(第1方向D1)への移動が実現される。柱部材632,633のX方向位置は、スライダ636,637の近傍に設けられたリニアスケール83L,83Rによって検出される。   The column members 632 and 633 move in the X direction by the operation of the linear motors 82L and 82R. Each of the linear motors 82L and 82R includes a magnet module as a stator and a coil module as a moving element. The magnet module is provided on the base 10 and extends in the X direction. The coil module is attached to a lower portion of each of the column members 632 and 633. When the movers of the linear motors 82L and 82R operate in response to a control command from the control unit 9, the entire nozzle unit 60 moves in the X direction. Thereby, the movement of the nozzle 61 in the X direction (first direction D1) is realized. The X-direction positions of the column members 632 and 633 are detected by linear scales 83L and 83R provided near the sliders 636 and 637.

このように、ノズル支持体601およびノズル61は、昇降機構634,635の作動によってZ方向に移動し、リニアモータ82L,82Rの作動によってX方向に移動する。すなわち、制御ユニット9が昇降機構634,635およびリニアモータ82L,82Rを制御することにより、ノズル61の各停止位置L11−L14への位置決めが実現される。したがって、昇降機構634,635およびリニアモータ82L,82Rは、ノズル移動機構63として機能する。   Thus, the nozzle support 601 and the nozzle 61 move in the Z direction by the operation of the lifting mechanisms 634 and 635, and move in the X direction by the operation of the linear motors 82L and 82R. That is, the control unit 9 controls the elevating mechanisms 634 and 635 and the linear motors 82L and 82R, so that the nozzle 61 is positioned at the respective stop positions L11 to L14. Therefore, the elevating mechanisms 634 and 635 and the linear motors 82L and 82R function as the nozzle moving mechanism 63.

メンテナンスユニット65としては、特開2010−240550号公報に記載のものを採用してもよい。バット651はY方向に延びる梁部材661によって支持される。梁部材661の両端部のうち、一端部は柱部材662で支持され、他端部は柱部材663で支持されている。柱部材662,663は、Y方向に延びるプレート664のY方向両端部にそれぞれ取り付けられている。   As the maintenance unit 65, a unit described in JP-A-2010-240550 may be employed. The bat 651 is supported by a beam member 661 extending in the Y direction. Of the two ends of the beam member 661, one end is supported by the column member 662, and the other end is supported by the column member 663. The column members 662 and 663 are respectively attached to both ends in the Y direction of a plate 664 extending in the Y direction.

プレート664の両端部の下方には、それぞれ、X方向に延びる2つの走行ガイド84L,84Rが設けられている。2つの走行ガイド84L,84Rは、基台10の上面に設けられている。プレート664の下面のY方向両端部のうち、+Y側端部にはスライダ666が設けられ、−Y側端部にはスライダ667が設けられている。スライダ666,667は、走行ガイド84L,84Rに係合して、X方向に移動自在となっている。   Below the both ends of the plate 664, two traveling guides 84L and 84R extending in the X direction are provided, respectively. The two traveling guides 84L, 84R are provided on the upper surface of the base 10. A slider 666 is provided at an end on the + Y side, and a slider 667 is provided at an end on the −Y side, of both ends in the Y direction of the lower surface of the plate 664. The sliders 666 and 667 engage with the traveling guides 84L and 84R, and are movable in the X direction.

プレート664の下方には、リニアモータ85が設けられている。リニアモータ85は、固定子であるマグネットモジュール及び移動子であるコイルモジュールを備える。マグネットモジュールは基台10に設けられており、X方向に延びている。コイルモジュールはメンテナンスユニット65(ここでは、プレート664)の下部に設けられている。   Below the plate 664, a linear motor 85 is provided. The linear motor 85 includes a magnet module as a stator and a coil module as a mover. The magnet module is provided on the base 10 and extends in the X direction. The coil module is provided below the maintenance unit 65 (here, the plate 664).

制御ユニット9からの制御指令に応じてリニアモータ85が作動することにより、メンテナンスユニット65全体がX方向に移動する。メンテナンスユニット65のX方向位置は、スライダ666,667の近傍に設けられたリニアスケール86によって検出される。   When the linear motor 85 operates in response to a control command from the control unit 9, the entire maintenance unit 65 moves in the X direction. The position in the X direction of the maintenance unit 65 is detected by a linear scale 86 provided near the sliders 666 and 667.

図4に示すように、チャック51は、2つのチャック部材51L,51Rを備える。チャック部材51L,51Rは、XZ平面に関して互いに対称な形状を有しており、Y方向に離れて配置されている。   As shown in FIG. 4, the chuck 51 includes two chuck members 51L and 51R. The chuck members 51L and 51R have shapes symmetrical to each other with respect to the XZ plane, and are spaced apart in the Y direction.

+Y側に配置されたチャック部材51Lは、基台10に設けられてX方向に延びる走行ガイド87Lに支持される。チャック部材51Lは、X方向に位置を異ならせて設けられた2つの水平なプレート部と、これらのプレート部を接続する接続部とを含むベース部512を備える(図2参照)。ベース部512の2つのプレート部の下部にはスライダ511が1つずつ設けられている。スライダ511は走行ガイド87Lに係合されており、これによってチャック部材51Lは走行ガイド87Lに沿ってX方向に走行可能である。   The chuck member 51L disposed on the + Y side is supported by a travel guide 87L provided on the base 10 and extending in the X direction. The chuck member 51L includes a base portion 512 including two horizontal plate portions provided at different positions in the X direction and a connection portion connecting these plate portions (see FIG. 2). One slider 511 is provided below each of the two plate portions of the base portion 512. The slider 511 is engaged with the travel guide 87L, so that the chuck member 51L can travel in the X direction along the travel guide 87L.

ベース部512の2つのプレート部の上部それぞれには、支持部513が1つずつ設けられている。支持部513は、上方に延びており、その上端部に吸着パッド(不図示)を有する。ベース部512が走行ガイド87Lに沿ってX方向に移動すると、これと一体的に2つの支持部513がX方向に移動する。なお、ベース部512の2つのプレート部位は互いに分離され、これらのプレート部位がX方向に一定の距離を保ちながら移動することで、見かけ上、一体のベース部として機能する構造としてもよい。この距離を基板の長さに応じて設定すれば、種々の長さの基板に対応することが可能となる。   One support portion 513 is provided on each of the upper portions of the two plate portions of the base portion 512. The support portion 513 extends upward and has a suction pad (not shown) at an upper end thereof. When the base portion 512 moves in the X direction along the travel guide 87L, the two support portions 513 move in the X direction integrally therewith. The two plate portions of the base portion 512 may be separated from each other, and the plate portions may move while maintaining a certain distance in the X direction, so that the structure may function as an apparently integrated base portion. If this distance is set according to the length of the substrate, it is possible to cope with substrates of various lengths.

チャック部材51Lは、リニアモータ88LによりX方向に移動する。リニアモータ88は、固定子であるマグネットモジュール及び移動子であるコイルモジュールを備える。マグネットモジュールは基台10に設けられており、X方向に延びる。コイルモジュールはチャック部材51Lの下部に設けられている。制御ユニット9からの制御指令に応じてリニアモータ88Lが作動することにより、チャック部材51LがX方向に沿って移動する。チャック部材51LのX方向位置は、走行ガイド87Lの近傍に設けられたリニアスケール89Lによって検出される。   The chuck member 51L is moved in the X direction by a linear motor 88L. The linear motor 88 includes a magnet module as a stator and a coil module as a mover. The magnet module is provided on the base 10 and extends in the X direction. The coil module is provided below the chuck member 51L. By operating the linear motor 88L in response to a control command from the control unit 9, the chuck member 51L moves in the X direction. The X-direction position of the chuck member 51L is detected by a linear scale 89L provided near the travel guide 87L.

−Y側に設けられたチャック部材51Rは、チャック部材51Lと同様に、チャック部材51Rは、ベース部512と、2つの支持部513,513とを備えている。なお、チャック部材51Rの形状は、XZ平面に関してチャック部材51Lとは対称である。チャック部材51Rのベース部512の2つのプレート部の下部にはスライダ511が1つずつ設けられている。スライダ511は走行ガイド87Rに係合されており、これによってチャック部材51Rは走行ガイド87Rに沿ってX方向に走行可能である。   Like the chuck member 51L, the chuck member 51R provided on the −Y side includes a base portion 512 and two support portions 513 and 513. The shape of the chuck member 51R is symmetric with respect to the chuck member 51L with respect to the XZ plane. One slider 511 is provided below each of the two plate portions of the base portion 512 of the chuck member 51R. The slider 511 is engaged with the travel guide 87R, so that the chuck member 51R can travel in the X direction along the travel guide 87R.

チャック部材51Rは、リニアモータ88RによってX方向に移動可能である。リニアモータ88Rは、X方向に延びるとともに基台10に設けられた固定子としてのマグネットモジュールと、チャック部材51Rの下部に設けられた移動子としてのコイルモジュールとを含む。制御ユニット9からの制御指令に応じてリニアモータ88Rが作動することにより、チャック部材51RがX方向に移動する。チャック部材51RのX方向位置は、走行ガイド87Rの近傍に設けられたリニアスケール89Rにより検出される。   The chuck member 51R is movable in the X direction by a linear motor 88R. The linear motor 88R includes a magnet module as a stator provided on the base 10 and extending in the X direction, and a coil module as a movable member provided below the chuck member 51R. When the linear motor 88R operates in response to a control command from the control unit 9, the chuck member 51R moves in the X direction. The X-direction position of the chuck member 51R is detected by a linear scale 89R provided near the travel guide 87R.

制御ユニット9は、チャック部材51L,51RがX方向において常に同一位置となるように、これらの位置制御を行う。これにより、1対のチャック部材51L,51Rが見かけ上一体のチャック51として移動することになる。チャック部材51L,51Rを機械的に結合する場合に比べ、チャック51と浮上ステージ部3との干渉が容易に回避され得る。   The control unit 9 controls these positions so that the chuck members 51L and 51R are always at the same position in the X direction. As a result, the pair of chuck members 51L and 51R apparently move as the integrated chuck 51. Interference between the chuck 51 and the floating stage 3 can be easily avoided as compared with the case where the chuck members 51L and 51R are mechanically connected.

図3に示すように、4つの支持部513はそれぞれ、保持される基板Wの四隅に対応して配置される。すなわち、チャック部材51Lの2つの支持部513は、基板Wの+Y側周縁部であって第1方向D1における上流側端部と下流側端部とをそれぞれ保持する。チャック部材51Rの2つの支持部513,513は、基板Wの−Y側周縁部であって第1方向D1における上流側端部と下流側端部とをそれぞれ保持する。各支持部513の吸着パッドには必要に応じて負圧が供給され、これにより基板Wの四隅がチャック51により下方から吸着保持される。   As shown in FIG. 3, the four support portions 513 are respectively arranged corresponding to the four corners of the substrate W to be held. In other words, the two support portions 513 of the chuck member 51L hold the upstream end and the downstream end in the first direction D1 on the + Y side peripheral edge of the substrate W, respectively. The two support portions 513 and 513 of the chuck member 51R hold the upstream end and the downstream end in the first direction D1 at the -Y side peripheral edge of the substrate W, respectively. Negative pressure is supplied to the suction pads of the support portions 513 as necessary, whereby the four corners of the substrate W are suction-held by the chucks 51 from below.

チャック51が基板Wを保持しながらX方向に移動することで基板Wが搬送される。このように、リニアモータ88L,88R、各支持部513に負圧を供給するための機構(図示せず)は、図1に示す吸着・走行制御機構52として機能する。   The substrate W is transported by the chuck 51 moving in the X direction while holding the substrate W. As described above, the mechanism (not shown) for supplying the negative pressure to the linear motors 88L and 88R and the respective support portions 513 functions as the suction / running control mechanism 52 shown in FIG.

図1および図4に示すように、チャック51は、入口浮上ステージ31、塗布ステージ32および出口浮上ステージ33の上面よりも上方に離して基板Wを保持する。チャック51は、基板Wの下面を保持して、基板Wを搬送する。チャック51は、基板Wのうち各ステージ31,32,33と対向する中央部分よりもY方向外側の周縁部の一部のみを保持する。このため、基板Wの中央部は周縁部に対し下方に撓む。浮上ステージ部3は、この状態の基板Wの中央部に浮上力を与えることによって、基板Wの鉛直位置を制御し、基板Wを水平姿勢に維持する。   As shown in FIGS. 1 and 4, the chuck 51 holds the substrate W at a position higher than the upper surfaces of the entrance levitation stage 31, the coating stage 32, and the exit levitation stage 33. The chuck 51 transports the substrate W while holding the lower surface of the substrate W. The chuck 51 holds only a part of the peripheral portion of the substrate W, which is located outside the central portion facing each of the stages 31, 32, and 33 in the Y direction. For this reason, the central portion of the substrate W bends downward with respect to the peripheral portion. The levitation stage unit 3 controls the vertical position of the substrate W by applying a levitation force to the central portion of the substrate W in this state, and maintains the substrate W in a horizontal posture.

<測定ユニット70>
図6は、ノズル支持体601および測定ユニット70を示す概略平面図である。図7は、ノズル61、測定ユニット70及び緩衝部80を示す概略側面図である。図8は、ノズル61、測定ユニット70及び緩衝部80を示す概略正面図である。
<Measurement unit 70>
FIG. 6 is a schematic plan view showing the nozzle support 601 and the measurement unit 70. FIG. 7 is a schematic side view illustrating the nozzle 61, the measurement unit 70, and the buffer unit 80. FIG. 8 is a schematic front view showing the nozzle 61, the measurement unit 70, and the buffer unit 80.

塗布装置1は、測定ユニット70を備えている。測定ユニット70は、複数(ここでは3つ)の測定器72を備えている。各測定器72は、浮上ステージ部3によって浮上力が付与されている基板Wの上面Wfの鉛直位置を測定する。詳細には、測定器72は、既定の鉛直方向の基準位置から、上面Wfの鉛直位置までの距離を測定することによって、上面Wfの鉛直位置を測定する。測定器72によって測定される上面Wfの鉛直位置から、塗布ステージ32の上面の高さ(鉛直位置)から上面Wfの高さを求めることができる。さらに、この上面Wfの高さと基板Wの厚さから、基板Wの浮上量(塗布ステージ32の上面から浮上基板Wの下面までの距離)を求めることが可能である。   The coating device 1 includes a measurement unit 70. The measurement unit 70 includes a plurality of (here, three) measurement devices 72. Each measuring device 72 measures the vertical position of the upper surface Wf of the substrate W to which the levitation force is applied by the levitation stage unit 3. Specifically, the measuring device 72 measures the vertical position of the upper surface Wf by measuring the distance from a predetermined reference position in the vertical direction to the vertical position of the upper surface Wf. From the vertical position of the upper surface Wf measured by the measuring device 72, the height of the upper surface Wf can be obtained from the height of the upper surface of the coating stage 32 (vertical position). Further, the floating amount of the substrate W (the distance from the upper surface of the application stage 32 to the lower surface of the floating substrate W) can be obtained from the height of the upper surface Wf and the thickness of the substrate W.

各測定器72は、所定波長の光を出力する投光部72aと、投光部72aから出力されて基板Wで反射した光を検出する光センサ(例えば、ラインセンサ)を含む受光部72bとを備えている(図9参照)。受光部72bは、上面Wfの鉛直位置を非接触で測定する反射型センサの一例である。なお、上面Wfの鉛直位置は、光で測定される代わりに超音波で測定されてもよい。この場合、各測定器72は、超音波を出力する出力部と、上面Wfで反射した超音波を検出する検出部とを備えているとよい。   Each measuring device 72 includes a light emitting unit 72a that outputs light of a predetermined wavelength, and a light receiving unit 72b that includes an optical sensor (for example, a line sensor) that detects light output from the light emitting unit 72a and reflected by the substrate W. (See FIG. 9). The light receiving unit 72b is an example of a reflective sensor that measures the vertical position of the upper surface Wf in a non-contact manner. Note that the vertical position of the upper surface Wf may be measured by ultrasonic waves instead of by light. In this case, each measuring device 72 may include an output unit that outputs an ultrasonic wave and a detection unit that detects the ultrasonic wave reflected on the upper surface Wf.

測定ユニット70は、3つの測定器72を互いに連結する連結具74を備えている。連結具74は、Y方向に延びる板状の部材であり、連結具74の上流側(−X側)の側面に各測定器72が取り付けられている。ここでは、3つの測定器72は、第2方向(Y方向)に間隔をあけた状態で、連結具74に取り付けられている。   The measuring unit 70 includes a connecting tool 74 for connecting the three measuring devices 72 to each other. The connecting tool 74 is a plate-shaped member extending in the Y direction, and each measuring device 72 is attached to a side surface on the upstream side (−X side) of the connecting tool 74. Here, the three measuring devices 72 are attached to the connector 74 with an interval in the second direction (Y direction).

測定ユニット70は、測定器移動部76を備えている。測定器移動部76は、連結具74の+X側面に連結されている。測定器移動部76は、リニアモータ機構またはボールネジ機構などの駆動機構を備えている。測定器移動部76は、ノズル支持体601の−X側面の中央部に設けられているY方向に延びるガイドレール部78(図8参照)に沿って、Y方向に移動する。測定器移動部76がY方向に移動すると、連結具74がY方向に移動することによって、3つの測定器72が一体的にY方向(第2方向D2)に移動する。   The measurement unit 70 includes a measurement device moving unit 76. The measuring device moving unit 76 is connected to the + X side surface of the connecting tool 74. The measuring device moving unit 76 includes a driving mechanism such as a linear motor mechanism or a ball screw mechanism. The measuring instrument moving section 76 moves in the Y direction along a guide rail section 78 (see FIG. 8) provided in the center of the −X side surface of the nozzle support 601 and extending in the Y direction. When the measuring device moving section 76 moves in the Y direction, the three measuring devices 72 move integrally in the Y direction (second direction D2) by moving the connecting member 74 in the Y direction.

図8に示すように、3つの測定器72がY方向にそれぞれ移動することによって、最も+Y側にある測定器72がY方向における測定範囲RY1にて、Y方向中央にある測定器72がY方向における測定範囲RY2にて、−Y側にある測定器72がY方向における測定範囲RY3にて、浮上基板Wの鉛直位置を測定する。図8に示すように、各測定範囲RY1,RY2,RY3は、Y方向において重なりを有していてもよいが、これは必須ではない。   As shown in FIG. 8, when the three measuring devices 72 move in the Y direction, the measuring device 72 closest to the + Y side is in the measurement range RY1 in the Y direction, and the measuring device 72 at the center in the Y direction is Y In the measurement range RY2 in the direction, the measuring device 72 on the −Y side measures the vertical position of the floating substrate W in the measurement range RY3 in the Y direction. As shown in FIG. 8, the measurement ranges RY1, RY2, and RY3 may have an overlap in the Y direction, but this is not essential.

3つの測定器72は、ノズル61に対して上流側(−X側)に設けられている。各測定器72は、ノズル支持体601に連結されているため、ノズル支持体601に取り付けられたノズル61とともに移動する。すなわち、ノズル61がノズル移動機構63によってX方向およびZ方向に移動すると、各測定器72もノズル61に追従して同一方向に移動する。   The three measuring devices 72 are provided upstream (−X side) with respect to the nozzle 61. Since each measuring device 72 is connected to the nozzle support 601, it moves together with the nozzle 61 attached to the nozzle support 601. That is, when the nozzle 61 moves in the X direction and the Z direction by the nozzle moving mechanism 63, each measuring device 72 also moves in the same direction following the nozzle 61.

<緩衝部80>
図7および図8に示すように、ノズル支持体601の−X側の側面における中央部には、緩衝部80が取り付けられている。緩衝部80は、Y軸方向(第2方向D2)に延びる板状の部材であり、YZ平面に平行に配置されている。緩衝部80は、吐出口611(ノズル61の下端部)と第1方向D1に重なる位置に設けられている。
<Buffer 80>
As shown in FIGS. 7 and 8, a buffer section 80 is attached to a central portion of a side surface on the −X side of the nozzle support 601. The buffer section 80 is a plate-shaped member extending in the Y-axis direction (second direction D2), and is arranged parallel to the YZ plane. The buffer 80 is provided at a position overlapping the discharge port 611 (the lower end of the nozzle 61) in the first direction D1.

緩衝部80は、ノズル61よりも搬送方向である第1方向D1の上流側に配置されている。このため、浮上基板Wの上部に吐出口611に接触し得る高さの異物が付着していた場合、当該異物が吐出口611に接触する前に緩衝部80に接触する。これにより、当該異物が緩衝部80に付着して浮上基板Wから除去され、もって、当該異物が吐出口611に接触することを低減できる。なお、異物が緩衝部80に接触したことを検出する当該振動センサを緩衝部80に設けてもよい。そして、当該振動センサが異物の接触を検出した場合に、制御ユニット9が、搬送機構5を制御して、浮上基板Wの搬送を停止させてもよい。   The buffer section 80 is disposed upstream of the nozzle 61 in the first direction D1 which is the transport direction. For this reason, when a foreign substance having a height that can contact the ejection port 611 is attached to the upper portion of the floating substrate W, the foreign substance contacts the buffer unit 80 before contacting the ejection port 611. Thereby, the foreign matter adheres to the buffer portion 80 and is removed from the floating substrate W, so that the contact of the foreign matter with the ejection port 611 can be reduced. Note that the vibration sensor that detects that a foreign substance has contacted the buffer unit 80 may be provided in the buffer unit 80. Then, when the vibration sensor detects the contact of the foreign matter, the control unit 9 may control the transfer mechanism 5 to stop the transfer of the floating substrate W.

図9は、実施形態の制御ユニット9を示す概略ブロック図である。塗布装置1は、各部の動作を制御するための制御ユニット9を備える。制御ユニット9のハードウェア構成は、一般的なコンピュータと同一としてもよい。制御ユニット9は、各種演算処理を行うCPU91、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリ92、各種情報を表示するディスプレイを含む表示部93を備える。メモリ92としては、主記憶装置(RAM)のほか、制御用アプリケーション(プログラム)およびデータ等を記憶する固定ディスクが含まれる。制御ユニット9は、ユーザーや外部装置との情報交換を担うインターフェース部、および、可搬性を有する記憶媒体(光学式メディア、磁気メディア、半導体メモリなど)に保存された情報(プログラム)を読み取る読取装置を備えていてもよい。   FIG. 9 is a schematic block diagram illustrating the control unit 9 of the embodiment. The coating apparatus 1 includes a control unit 9 for controlling the operation of each unit. The hardware configuration of the control unit 9 may be the same as a general computer. The control unit 9 includes a CPU 91 for performing various arithmetic processes, a read-only memory (ROM) for storing a basic program, a readable and writable memory 92 for storing various information, and a display unit 93 including a display for displaying various information. The memory 92 includes a fixed disk that stores a control application (program), data, and the like, in addition to a main storage device (RAM). The control unit 9 includes an interface unit that exchanges information with a user or an external device, and a reading device that reads information (program) stored in a portable storage medium (optical medium, magnetic medium, semiconductor memory, or the like). May be provided.

<鉛直位置測定処理>
塗布装置1は、塗布ステージ32による基板Wの鉛直位置の分布を取得する検査(以下、鉛直位置測定処理とも称する。)を行う。上述したように、塗布ステージ32において、吸引口322hは、雰囲気の吸引を行うため、異物を吸引する場合がある。この場合、吸引口322hに詰まりが起こることによって、浮上基板Wの浮上高さが不足するなど、浮上高さに異常が発生する可能性がある。鉛直位置測定処理は、このような浮上高さの異常を検出するために行われる。鉛直位置測定処理は、塗布装置1における基板Wの製造スケジュールに応じて、適宜のタイミングで行われるとよい。例えば、ロットの先頭基板、毎日の先頭基板、毎日午後の先頭基板を塗布処理するタイミングで行われてもよいし、すべての基板Wについて塗布処理するタイミングで行われてもよい。
<Vertical position measurement processing>
The coating apparatus 1 performs an inspection for acquiring the distribution of the vertical position of the substrate W by the coating stage 32 (hereinafter, also referred to as a vertical position measurement process). As described above, in the application stage 32, the suction port 322h may suck foreign matter in order to suction the atmosphere. In this case, when the suction port 322h is clogged, there is a possibility that the flying height of the flying substrate W becomes insufficient, such as an insufficient flying height. The vertical position measurement processing is performed to detect such an abnormality in the flying height. The vertical position measurement processing may be performed at an appropriate timing according to the production schedule of the substrate W in the coating apparatus 1. For example, the process may be performed at the timing of performing the coating process on the first substrate of the lot, the first substrate of each day, and the first substrate of every afternoon, or may be performed at the timing of performing the coating process on all the substrates W.

鉛直位置測定処理は、実際に処理液を塗布する塗布対象である基板Wを用いて行われてもよいが、処理液が塗布されない非塗布対象である基板W(以下、「ダミーの基板W」とも称する。)を用いて行われてもよい。このダミーの基板Wは、上面Wfに配線パターンなどのパターンが形成されていないことが好ましい。基板Wの上面Wfにパターンがある場合、測定器72の投光部72aからの光がパターンで反射して、受光部72bとは異なる方向に向かうことにより、上面Wfからの反射光を検出できない場合がある。そこで、上面Wfにパターンを持たないダミーの基板Wを用いることによって、測定器72が上面Wfからの反射光を良好に検出できる。したがって、鉛直位置の測定を好適に行うことができる。   The vertical position measurement processing may be performed using the substrate W to which the processing liquid is actually applied. However, the substrate W to which the processing liquid is not applied and which is not applied (hereinafter, “dummy substrate W”) May also be used.) It is preferable that a pattern such as a wiring pattern is not formed on the upper surface Wf of the dummy substrate W. When there is a pattern on the upper surface Wf of the substrate W, the light from the light projecting unit 72a of the measuring instrument 72 is reflected by the pattern and travels in a different direction from the light receiving unit 72b, so that the reflected light from the upper surface Wf cannot be detected. There are cases. Therefore, by using the dummy substrate W having no pattern on the upper surface Wf, the measuring device 72 can detect the reflected light from the upper surface Wf satisfactorily. Therefore, the vertical position can be suitably measured.

図10は、塗布装置1が実行する鉛直位置測定処理の各工程を示す図である。図10は、上記ダミーの基板Wに対して行われる鉛直位置測定処理の様子を示している。制御ユニット9は、鉛直位置測定処理を開始すると、搬入工程S11を行う。搬入工程S11においては、制御ユニット9が搬送機構5を制御して、浮上ステージ部3から浮上力が付与されている基板(浮上基板)Wを、第1方向D1の下流側(+X方向)に向けて搬送する。   FIG. 10 is a diagram showing each step of the vertical position measurement processing executed by the coating apparatus 1. FIG. 10 shows a vertical position measurement process performed on the dummy substrate W. When starting the vertical position measurement processing, the control unit 9 performs the loading step S11. In the loading step S11, the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the substrate (floating substrate) W to which the levitation force is applied from the levitation stage unit 3 downstream (in the + X direction) of the first direction D1. To be transported.

搬入工程S11は、停止段階S111を含む。停止段階S111は、図10(b)に示すように、制御ユニット9が搬送機構5を制御して、浮上基板Wを既定位置LW1まで搬送した後、浮上基板Wを既定位置LW1で停止させる段階である。浮上基板Wが既定位置LW1に配置されると、浮上基板Wの下流側端部(先頭端)の水平位置が、塗布ステージ32の下流側端部(縁部)の水平位置と同じか、それよりも僅かに上流側の位置となる。   The loading step S11 includes a stopping step S111. In the stopping step S111, as shown in FIG. 10B, the control unit 9 controls the transfer mechanism 5 to transfer the floating substrate W to the predetermined position LW1, and then stops the floating substrate W at the predetermined position LW1. It is. When the floating substrate W is disposed at the predetermined position LW1, the horizontal position of the downstream end (leading end) of the floating substrate W is the same as the horizontal position of the downstream end (edge) of the coating stage 32, or not. The position is slightly upstream.

制御ユニット9は、停止段階S111の後、測定工程S12を行う。測定工程S12は、Y方向に並ぶ3つの測定器72によって、塗布ステージ32の上方領域32URにおける複数の地点にて浮上基板Wの鉛直位置を測定する工程である。上方領域32URは、少なくとも中間領域32B全体の上方を覆う領域であり、本例では、中間領域32Bよりも上流側の部分(上流領域32Aの一部)及び中間領域32Bよりも下流側の部分(下流領域32Cの一部)の上方を覆う領域である。   After the stopping step S111, the control unit 9 performs the measuring step S12. The measurement step S12 is a step of measuring the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the upper region 32UR of the coating stage 32 by using three measuring devices 72 arranged in the Y direction. The upper region 32UR is a region that covers at least the entire middle region 32B, and in this example, a portion upstream of the middle region 32B (part of the upstream region 32A) and a portion downstream of the middle region 32B ( This is a region that covers the upper part of the downstream region 32C).

測定工程S12においては、図10(b)に示すように、制御ユニット9は搬送機構5を制御して、3つの測定器72を、既定位置LW1にある浮上基板Wの下流側端部よりも僅かに上流側の水平位置に配置する。これにより、3つの測定器72が下流側端部よりもわずかに上流側の水平位置における浮上基板Wの鉛直位置が測定できる状態となる。この状態で、制御ユニット9は測定器移動部76を制御して3つの測定器72をY方向(第2方向D2)に移動させる。このY方向移動の間、制御ユニット9は、3つの測定器72各々に所定周期で浮上基板Wの鉛直位置を測定させる。これにより、Y方向に延びる一直線上の複数地点における浮上基板Wの鉛直位置が測定される。この3つの測定器72のY方向移動により、ダミーの浮上基板Wの上面Wfにおける、塗布対象領域に相当する領域だけでなく、その領域から+Y側および−Y側にはみ出た部分においても、浮上基板Wの鉛直位置が測定されてもよい。   In the measurement step S12, as shown in FIG. 10B, the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the three measuring devices 72 to a position lower than the downstream end of the floating substrate W at the predetermined position LW1. It is arranged at a horizontal position slightly upstream. Thus, the three measuring devices 72 can measure the vertical position of the floating substrate W at the horizontal position slightly upstream of the downstream end. In this state, the control unit 9 controls the measuring device moving unit 76 to move the three measuring devices 72 in the Y direction (second direction D2). During the movement in the Y direction, the control unit 9 causes each of the three measuring devices 72 to measure the vertical position of the flying substrate W at a predetermined cycle. Thereby, the vertical positions of the floating substrate W at a plurality of points on a straight line extending in the Y direction are measured. Due to the movement of the three measuring devices 72 in the Y direction, not only the region corresponding to the coating target region on the upper surface Wf of the dummy floating substrate W, but also the portion protruding from the region on the + Y side and the −Y side, floats. The vertical position of the substrate W may be measured.

制御ユニット9は、3つの測定器72のY方向移動を完了すると、ノズル移動機構63を制御して、測定ユニット70を、第1方向D1の上流側(−X側)に向けて移動させる(X方向移動)。このときの3つの測定器72の移動量は、塗布ステージ32のX方向の寸法、より好ましくは中間領域32BのX方向の寸法よりも小さい距離である1ピッチ分だけ移動させる。そして、制御ユニット9は、再び3つの測定器72をY方向移動へ移動させつつ、3つの測定器72各々にY方向の複数地点における浮上基板Wの鉛直位置を測定させる。   When the control unit 9 completes the movement of the three measuring devices 72 in the Y direction, the control unit 9 controls the nozzle moving mechanism 63 to move the measuring unit 70 toward the upstream side (−X side) in the first direction D1 ( X direction movement). At this time, the three measuring devices 72 are moved by one pitch, which is a distance smaller than the X-direction dimension of the application stage 32, more preferably the X-direction dimension of the intermediate region 32B. Then, the control unit 9 causes each of the three measuring devices 72 to measure the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the Y direction while moving the three measuring devices 72 again in the Y direction movement.

このように、制御ユニット9は、3つの測定器72のX方向移動およびY方向移動を交互に行うことによって、3つの測定器72をY方向およびX方向にジグザグ状に移動させる。これにより、制御ユニット9は、図10(c)に示すように、塗布ステージ32の上方領域32URの複数地点における浮上基板Wの鉛直位置を測定する。この測定工程S12によって、制御ユニット9は、塗布ステージ32の上方領域32URにおける、浮上基板Wの鉛直位置の分布を取得する。   As described above, the control unit 9 alternately moves the three measuring devices 72 in the X direction and the Y direction, thereby moving the three measuring devices 72 in a zigzag manner in the Y direction and the X direction. Thereby, the control unit 9 measures the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the upper region 32UR of the coating stage 32, as shown in FIG. In the measurement step S12, the control unit 9 acquires the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the upper region 32UR of the coating stage 32.

測定工程S12の後、または、測定工程S12の最中に、測定された各鉛直位置が正常か否かを制御ユニット9が判定してもよい。この判定は、測定値としきい値とを比較して行うとよい。鉛直位置が異常であると判定された場合、制御ユニット9が所定の出力手段(表示部93やランプ、スピーカーなど)でその旨を外部に通知してもよい。また、鉛直位置が異常であると判定された場合、制御ユニット9が塗布装置1の動作を停止させてもよい。   After the measuring step S12 or during the measuring step S12, the control unit 9 may determine whether or not each measured vertical position is normal. This determination may be made by comparing the measured value with a threshold. When it is determined that the vertical position is abnormal, the control unit 9 may notify the outside by a predetermined output unit (the display unit 93, a lamp, a speaker, and the like). When it is determined that the vertical position is abnormal, the control unit 9 may stop the operation of the coating device 1.

制御ユニット9は、測定工程S12を完了すると、制御ユニット9は搬出工程S13を行う。測定工程S12で用いられる基板Wは、非塗布対象であるダミーの基板Wである。このため、搬出工程S13は、図10(d)に示すように、制御ユニット9が搬送機構5を制御して、浮上基板Wを下流側に移動させる。これにより、浮上基板Wが塗布ステージ32上から下流側へ搬出される。これにより、塗布対象となる次の基板Wが、塗布ステージ32へ搬入することが可能となる。   When the control unit 9 completes the measurement step S12, the control unit 9 performs an unloading step S13. The substrate W used in the measurement step S12 is a dummy substrate W to be uncoated. Therefore, in the unloading step S13, as shown in FIG. 10D, the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the floating substrate W to the downstream side. Thus, the floating substrate W is carried out from above the coating stage 32 to the downstream side. Thus, the next substrate W to be coated can be carried into the coating stage 32.

図10に示す鉛直位置測定処理は、塗布対象の基板Wを用いて行われてもよい。この場合、図10(c)に示す測定工程S12の後、制御ユニット9が移動機構63を制御して、ノズル61を塗布位置L11に移動させる。塗布位置L11は、ノズル61から吐出されて浮上基板Wに付着するときの処理液の水平位置が中間領域32Bの内側となるときの、ノズル61の位置である。また、制御ユニット9が浮上基板Wを上流側に移動させて、浮上基板Wが塗布を開始するときの位置に移動させる。ノズル61および浮上基板Wの移動が完了すると、制御ユニット9は、塗布機構6を制御してノズル61から処理液を吐出するとともに、搬送機構5を制御して浮上基板Wを下流側へ移動させる。これにより、塗布ステージ32の中間領域32B上において、浮上基板Wの塗布対象領域に処理液が塗布される。   The vertical position measurement processing shown in FIG. 10 may be performed using the substrate W to be coated. In this case, after the measurement step S12 shown in FIG. 10C, the control unit 9 controls the moving mechanism 63 to move the nozzle 61 to the application position L11. The application position L11 is the position of the nozzle 61 when the horizontal position of the processing liquid when it is discharged from the nozzle 61 and adheres to the floating substrate W is inside the intermediate region 32B. Further, the control unit 9 moves the floating substrate W to the upstream side, and moves the floating substrate W to a position where the floating substrate W starts coating. When the movement of the nozzle 61 and the floating substrate W is completed, the control unit 9 controls the coating mechanism 6 to discharge the processing liquid from the nozzle 61, and controls the transport mechanism 5 to move the floating substrate W to the downstream side. . Thus, the processing liquid is applied to the application target area of the floating substrate W on the intermediate area 32B of the application stage 32.

本実施形態においは、測定器72をY方向(第2方向D2)に移動させることによって、Y方向の複数地点の鉛直位置を測定できる。これにより、Y方向における浮上基板Wの鉛直位置の分布を取得できるため、浮上基板Wの浮上高さの異常を良好に検出できる。測定器72をX方向(第1方向D1)にも移動させることによって、塗布ステージ32の上方領域32URにおける浮上基板Wの鉛直位置の分布を取得できる。これによって、塗布に影響する可能性がある領域における、浮上基板Wの浮上高さの異常を良好に検出できる。これにより、塗布処理を好適に実施することができる。   In the present embodiment, the vertical positions of a plurality of points in the Y direction can be measured by moving the measuring device 72 in the Y direction (second direction D2). Thus, the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the Y direction can be obtained, and therefore, an abnormality in the floating height of the floating substrate W can be detected well. By moving the measuring device 72 also in the X direction (first direction D1), the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the upper region 32UR of the coating stage 32 can be obtained. Thus, an abnormality in the flying height of the flying substrate W in a region that may affect the coating can be detected satisfactorily. Thereby, the coating process can be suitably performed.

また、図10(b)に示すように、浮上基板Wの下流側端部が塗布ステージ32の下流側端部(縁部)に配置される。これにより、浮上基板Wに対しては、塗布ステージ32よりも上流側にある出口浮上ステージ33からの浮上力の影響をほとんど受けにくい。このため、塗布ステージ32の下流側端部に設けられた吸引口322hの詰まりによる、浮上基板Wの浮上高さの異常を検出することができる。   Further, as shown in FIG. 10B, the downstream end of the floating substrate W is disposed at the downstream end (edge) of the coating stage 32. Thus, the floating substrate W is hardly affected by the floating force from the outlet floating stage 33 located on the upstream side of the coating stage 32. For this reason, it is possible to detect an abnormality in the flying height of the floating substrate W due to clogging of the suction port 322h provided at the downstream end of the coating stage 32.

図11は、塗布装置1が実行する鉛直位置測定処理の各工程を示す図である。図11は、塗布対象の浮上基板Wに対して行われる鉛直位置測定処理の様子を示している。制御ユニット9は、鉛直位置測定処理を開始すると、図11(a)に示すように、搬入工程S11を行う。搬入工程S11は、図10(a)に示す搬入工程と同じである。   FIG. 11 is a diagram showing each step of the vertical position measurement processing executed by the coating apparatus 1. FIG. 11 shows a vertical position measurement process performed on the floating substrate W to be coated. When starting the vertical position measurement processing, the control unit 9 performs a loading step S11 as shown in FIG. The loading step S11 is the same as the loading step shown in FIG.

搬入工程S11は、停止段階S111aを含む。停止段階S111aは、図11(b)に示すように、制御ユニット9が搬送機構5を制御して、浮上基板Wを既定位置LW2まで搬送した後、浮上基板Wを既定位置LW2で停止させる段階である。浮上基板Wが既定位置LW2に配置されると、浮上基板Wの下流側端部の水平位置が、下流領域32Cの上方に配置される。なお、このときの下流側端部の水平位置は、塗布ステージ32の中間領域32Bの上方としてもよいし、中間領域32Bと下流領域32Cの境界上としてもよい。   The loading step S11 includes a stop step S111a. In the stopping step S111a, as shown in FIG. 11B, the control unit 9 controls the transfer mechanism 5 to transfer the floating substrate W to the predetermined position LW2, and then stops the floating substrate W at the predetermined position LW2. It is. When the floating substrate W is located at the predetermined position LW2, the horizontal position of the downstream end of the floating substrate W is located above the downstream area 32C. At this time, the horizontal position of the downstream end may be above the intermediate region 32B of the coating stage 32, or may be on the boundary between the intermediate region 32B and the downstream region 32C.

制御ユニット9は、停止段階S111aの後、測定工程S12aを行う。測定工程S12aは、測定工程S12と同様に、Y方向に並ぶ3つの測定器72によって、塗布ステージ32の上方領域321URにおける複数の地点にて浮上基板Wの鉛直位置を測定する工程である。上方領域321URは、処理液の塗布が行われる中間領域32B、および、中間領域32Bよりも上流側の部分(上流領域32Aの一部)の上方を覆う領域である。   After the stop step S111a, the control unit 9 performs the measurement step S12a. The measurement step S12a is a step of measuring the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the upper region 321UR of the coating stage 32 by using the three measurement devices 72 arranged in the Y direction similarly to the measurement step S12. The upper region 321UR is a region that covers the intermediate region 32B where the processing liquid is applied and a portion upstream of the intermediate region 32B (a part of the upstream region 32A).

測定工程S12aにおいては、図11(b)に示すように、制御ユニット9は搬送機構5を制御して、3つの測定器72を既定位置LW2にある浮上基板Wの下流側端部よりもわずかに上流側の水平位置に配置する。これにより、3つの測定器72が下流側端部よりもわずかに上流側の水平位置における浮上基板Wの鉛直位置が測定できる状態となる。この状態で、制御ユニット9は測定器移動部76を制御して3つの測定器72をY方向(第2方向D2)に移動させる。   In the measurement step S12a, as shown in FIG. 11B, the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the three measuring devices 72 slightly more than the downstream end of the floating substrate W at the predetermined position LW2. At the horizontal position on the upstream side. Thus, the three measuring devices 72 can measure the vertical position of the floating substrate W at the horizontal position slightly upstream of the downstream end. In this state, the control unit 9 controls the measuring device moving unit 76 to move the three measuring devices 72 in the Y direction (second direction D2).

このY方向移動の間、制御ユニット9は、3つの測定器72各々に所定周期で浮上基板Wの鉛直位置を測定させる。これにより、Y方向に延びる一直線上の複数地点における浮上基板Wの鉛直位置が測定される。   During the movement in the Y direction, the control unit 9 causes each of the three measuring devices 72 to measure the vertical position of the flying substrate W at a predetermined cycle. Thereby, the vertical positions of the floating substrate W at a plurality of points on a straight line extending in the Y direction are measured.

制御ユニット9は、3つの測定器72のY方向移動を完了すると、移動機構63を制御して、測定ユニット70を、第1方向D1の上流側(−X側)に向けて移動させる(X方向移動)。このときの3つの測定器72の移動量は、塗布ステージ32のX方向の寸法、より好ましくは中間領域32BのX方向の寸法よりも小さい距離である1ピッチ分だけ移動させる。そして、制御ユニット9は、再び3つの測定器72をY方向移動へ移動させつつ、3つの測定器72各々にY方向の複数地点における浮上基板Wの鉛直位置を測定させる。   When the movement of the three measuring devices 72 in the Y direction is completed, the control unit 9 controls the moving mechanism 63 to move the measuring unit 70 toward the upstream side (−X side) in the first direction D1 (X Direction). At this time, the three measuring devices 72 are moved by one pitch, which is a distance smaller than the X-direction dimension of the application stage 32, more preferably the X-direction dimension of the intermediate region 32B. Then, the control unit 9 causes each of the three measuring devices 72 to measure the vertical position of the floating substrate W at a plurality of points in the Y direction while moving the three measuring devices 72 again in the Y direction movement.

このように、制御ユニット9は、3つの測定器72のX方向移動およびY方向移動を交互に行うことによって、3つの測定器72をY方向およびX方向にジグザグ状に移動させる。これにより、制御ユニット9は、図11(c)に示すように、塗布ステージ32の上方領域321URの複数地点における浮上基板Wの鉛直位置を測定する。この測定工程S12aによって、制御ユニット9は、塗布ステージ32の上方領域321URにおける、浮上基板Wの鉛直位置の分布を取得する。   As described above, the control unit 9 alternately moves the three measuring devices 72 in the X direction and the Y direction, thereby moving the three measuring devices 72 in a zigzag manner in the Y direction and the X direction. Thereby, the control unit 9 measures the vertical positions of the floating substrate W at a plurality of points in the upper region 321UR of the coating stage 32, as shown in FIG. In the measurement step S12a, the control unit 9 acquires the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the upper region 321UR of the coating stage 32.

測定工程S12aの後、または、測定工程S12aの最中に、測定された各鉛直位置が正常か否かを制御ユニット9が判定してもよい。この判定は、測定値としきい値とを比較して行うとよい。鉛直位置が異常であると判定された場合、制御ユニット9が所定の出力手段(表示部93やランプ、スピーカーなど)でその旨を外部に通知してもよい。また、鉛直位置が異常であると判定された場合、制御ユニット9が塗布装置1の動作を停止させてもよい。   After the measuring step S12a or during the measuring step S12a, the control unit 9 may determine whether or not each measured vertical position is normal. This determination may be made by comparing the measured value with a threshold. When it is determined that the vertical position is abnormal, the control unit 9 may notify the outside by a predetermined output unit (the display unit 93, a lamp, a speaker, and the like). When it is determined that the vertical position is abnormal, the control unit 9 may stop the operation of the coating device 1.

制御ユニット9は、測定工程S12aを完了すると、塗布工程S14を行う。塗布工程S14においては、制御ユニット9は、移動機構63を制御してノズル61を塗布位置L11に移動させる。なお、測定工程S12aの完了時点において、ノズル61が塗布位置L11にくるように、各測定器72のX方向移動、あるいは、ノズル61と測定器72の間の距離の設定が行われてもよい。この場合、測定工程S12aの後、塗布工程S14に移行する際におけるノズル61の移動を省略できる。また、制御ユニット9は、搬送機構5を制御して、塗布位置L11のノズル61から処理液が塗布対象領域の上流側端部に供給される既定の供給開始位置に浮上基板Wを移動させる。なお、既定位置LW2がこの供給開始位置に一致する場合、浮上基板Wの移動を省略できる。ノズル61及び浮上基板Wの移動が完了すると、制御ユニット9は、塗布機構6を制御してノズル61から処理液を吐出するとともに、搬送機構5を制御して浮上基板Wを下流側へ移動させる。これにより、塗布ステージ32の中間領域32B上において、浮上基板Wの塗布対象領域に処理液が塗布される。   After completing the measurement step S12a, the control unit 9 performs an application step S14. In the application step S14, the control unit 9 controls the moving mechanism 63 to move the nozzle 61 to the application position L11. At the completion of the measurement step S12a, the movement of each measuring device 72 in the X direction or the setting of the distance between the nozzle 61 and the measuring device 72 may be performed so that the nozzle 61 comes to the application position L11. . In this case, after the measurement step S12a, the movement of the nozzle 61 when moving to the coating step S14 can be omitted. Further, the control unit 9 controls the transport mechanism 5 to move the floating substrate W to a predetermined supply start position where the processing liquid is supplied from the nozzle 61 at the application position L11 to the upstream end of the application target area. When the predetermined position LW2 coincides with the supply start position, the movement of the floating substrate W can be omitted. When the movement of the nozzle 61 and the floating substrate W is completed, the control unit 9 controls the coating mechanism 6 to discharge the processing liquid from the nozzle 61, and controls the transport mechanism 5 to move the floating substrate W to the downstream side. . Thus, the processing liquid is applied to the application target area of the floating substrate W on the intermediate area 32B of the application stage 32.

図11に示す鉛直位置測定処理によると、塗布ステージ32のうち、塗布処理が行われる中間領域32Bにおいて、Y方向における浮上基板Wの鉛直位置の分布を取得できる。これにより、Y方向について、浮上基板Wに浮上量の異常がある箇所を良好に特定できるため、塗布不良の発生を低減できる。また、鉛直位置の分布を取得する上方領域321URが、塗布ステージ32のほぼ全面に対応する上方領域32URよりも小さいため、測定時間を短縮できる。   According to the vertical position measurement processing shown in FIG. 11, the distribution of the vertical position of the floating substrate W in the Y direction can be acquired in the intermediate region 32B of the coating stage 32 where the coating processing is performed. This makes it possible to satisfactorily identify a portion of the flying substrate W where the flying height is abnormal in the Y direction, thereby reducing the occurrence of coating failure. Further, since the upper region 321UR for acquiring the distribution of the vertical position is smaller than the upper region 32UR corresponding to almost the entire surface of the coating stage 32, the measurement time can be reduced.

図11に示す例では、各測定器72は、測定工程S12aにおいて、測定位置ML1から測定位置ML2を含む範囲を移動する。ノズル61からの処理液が浮上基板Wに付着する水平位置における浮上基板Wの鉛直位置が測定可能なときの、各測定器72の水平位置である。また、測定位置ML2は、ノズル61が処理液を吐出するとき(すなわち、ノズル61が塗布位置L11に配置されているとき)の緩衝部80の水平位置における浮上基板Wの鉛直位置が測定可能なときの、各測定器72の水平位置である。測定位置ML2に各測定器72を配置することにより、ノズル61が塗布位置L11に配されたときの緩衝部80の水平位置における浮上基板Wの鉛直位置を測定できるため、緩衝部80の水平位置における浮上高さの異常を検出できる。したがって、塗布処理の際に、浮上基板Wが緩衝部80に接触することを低減できる。   In the example illustrated in FIG. 11, each measuring device 72 moves in a range including the measurement position ML2 from the measurement position ML1 in the measurement step S12a. This is the horizontal position of each measuring device 72 when the vertical position of the floating substrate W at the horizontal position where the processing liquid from the nozzle 61 adheres to the floating substrate W can be measured. The measurement position ML2 can measure the vertical position of the floating substrate W at the horizontal position of the buffer 80 when the nozzle 61 discharges the processing liquid (that is, when the nozzle 61 is disposed at the application position L11). The horizontal position of each measuring device 72 at that time. By disposing each measuring device 72 at the measurement position ML2, the vertical position of the floating substrate W at the horizontal position of the buffer 80 when the nozzle 61 is disposed at the application position L11 can be measured. Can detect an abnormal flying height. Therefore, the contact of the floating substrate W with the buffer 80 during the coating process can be reduced.

<2.変形例>
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
<2. Modification>
Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible.

測定ユニット70が、3つの測定器72を備えることは必須ではない。例えば、測定ユニット70は、2つあるいは4つ以上の測定器72を備えていてもよい。また、測定ユニット70は、単一の測定器72を備えていてもよい。ただし、複数の測定器72をY方向に間隔をあけて配置することによって、Y方向に異なる複数の位置で浮上基板Wの鉛直位置を測定できる。これにより、単一の測定器72を設ける場合よりも、各測定器72の移動距離を短縮できるため、測定時間を短縮できる。   It is not essential that the measurement unit 70 includes the three measurement devices 72. For example, the measurement unit 70 may include two or four or more measurement devices 72. Further, the measurement unit 70 may include a single measurement device 72. However, by arranging the plurality of measuring devices 72 at intervals in the Y direction, the vertical position of the flying substrate W can be measured at a plurality of different positions in the Y direction. Thus, the moving distance of each measuring device 72 can be reduced as compared with the case where a single measuring device 72 is provided, and thus the measurement time can be reduced.

測定器移動部76が3つの測定器72を一体的にY方向に移動させることは必須ではない。例えば、3つの測定器72をそれぞれ個別にY方向に移動させる測定器移動機構が設けられてもよい。ただし、複数の測定器72を一体に移動させることによって、測定器72を移動させる構成を簡略化できる。   It is not essential that the measuring device moving section 76 integrally moves the three measuring devices 72 in the Y direction. For example, a measuring device moving mechanism for individually moving the three measuring devices 72 in the Y direction may be provided. However, by moving the plurality of measuring devices 72 integrally, the configuration for moving the measuring devices 72 can be simplified.

測定ユニット70を、移動機構63によってノズル61と一体にX方向へ移動させることは必須ではない。例えば、測定ユニット70を、ノズル61から独立して、X方向に移動させる測定器移動機構が設けられてもよい。ただし、複数の測定器72をノズル61と一体に移動させることによって、測定器72を移動させる構成を簡略化できる。   It is not essential that the measuring unit 70 be moved in the X direction integrally with the nozzle 61 by the moving mechanism 63. For example, a measuring device moving mechanism that moves the measuring unit 70 in the X direction independently of the nozzle 61 may be provided. However, by moving the plurality of measuring devices 72 integrally with the nozzle 61, the configuration for moving the measuring devices 72 can be simplified.

測定ユニット70が、X方向に一定の間隔をあけて2つ以上の測定器72を備えていてもよい。この場合、各測定器72のY方向移動によって、2つの直線上における浮上基板Wの鉛直位置を同時に測定できる。   The measurement unit 70 may include two or more measurement devices 72 at regular intervals in the X direction. In this case, the vertical position of the floating substrate W on two straight lines can be measured simultaneously by moving the measuring devices 72 in the Y direction.

測定ユニット70をノズル支持体601に対して取り付けるのではなく、他の架橋構造体を別に設けて、この架橋構造体に測定ユニット70を取り付けてもよい。また、メンテナンスユニット65は架橋構造体であるので、メンテナンスユニット65のバット651に対してY方向及びX方向に移動自在に測定ユニット70を取り付けてもよい。この場合において、駆動部を設けることなく、測定ユニット70を手動で移動させる構成としてもよい。   Instead of attaching the measurement unit 70 to the nozzle support 601, another bridge structure may be separately provided, and the measurement unit 70 may be attached to this bridge structure. Further, since the maintenance unit 65 is a bridge structure, the measurement unit 70 may be attached to the butt 651 of the maintenance unit 65 so as to be movable in the Y and X directions. In this case, the measurement unit 70 may be manually moved without providing a driving unit.

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。   Although the present invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects and the present invention is not limited thereto. It is understood that innumerable modifications that are not illustrated can be assumed without departing from the scope of the present invention. Each configuration described in each of the above embodiments and modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

1 塗布装置
3 浮上ステージ部(浮上機構)
31 入口浮上ステージ
32 塗布ステージ
321h 噴出口
322h 吸引口
33 出口浮上ステージ
5 搬送機構
6 塗布機構
601 ノズル支持体
61 ノズル
611 吐出口
63 ノズル移動機構
70 測定ユニット
72 測定器
72a 投光部
72b 受光部
74 連結具
76 測定器移動部
80 緩衝部
9 制御ユニット
D1 第1方向
D2 第2方向
L11 塗布位置
L13 予備吐出位置
L14 洗浄位置
ML1,ML2 位置
S11 搬入工程
S12,S12a 測定工程
S13 搬出工程
S14 塗布工程
W 基板、浮上基板
Wf 上面(第1主面)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating apparatus 3 Floating stage part (floating mechanism)
31 Inlet floating stage 32 Coating stage 321h Spout port 322h Suction port 33 Outlet floating stage 5 Transport mechanism 6 Coating mechanism 601 Nozzle support 61 Nozzle 611 Discharge port 63 Nozzle moving mechanism 70 Measuring unit 72 Measuring instrument 72a Light emitting section 72b Light receiving section 74 Connector 76 Measuring device moving unit 80 Buffer unit 9 Control unit D1 First direction D2 Second direction L11 Coating position L13 Pre-discharge position L14 Washing position ML1, ML2 position S11 Loading process S12, S12a Measuring process S13 Unloading process S14 Coating process W Substrate, floating substrate Wf Upper surface (first principal surface)

Claims (9)

第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理装置であって、
前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する浮上機構と、
前記浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる搬送機構と、
前記第1方向に直交する水平方向である第2方向に延びる吐出口を有し、前記浮上基板の前記第1主面に向けて処理液を前記吐出口から吐出可能なノズルと、
前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器と、
前記測定器を前記第2方向に移動させる測定器移動部と、
を備える、基板処理装置。
A substrate processing apparatus for processing a substrate having a first main surface and a second main surface,
A levitation mechanism in which the first main surface applies a levitation force to a vertically upward substrate;
A transport mechanism for moving the floating substrate, which is the substrate to which the floating force is applied, in a first direction that is a horizontal direction;
A nozzle having a discharge port extending in a second direction that is a horizontal direction perpendicular to the first direction, and capable of discharging a processing liquid from the discharge port toward the first main surface of the floating substrate;
A measuring device for measuring the vertical position of the floating substrate,
A measuring device moving unit that moves the measuring device in the second direction;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項1の基板処理装置であって、
前記測定器移動部は、前記測定器を前記第2方向及び前記第1方向の上流側及び下流側に移動させる、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the measuring device moving unit moves the measuring device upstream and downstream in the second direction and the first direction.
請求項2の基板処理装置であって、
前記ノズルに対して前記第1方向の上流側の位置であって、少なくとも前記ノズルの前記吐出口の先端部と水平方向に重なる位置に設けられる緩衝部、
をさらに備える、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein
A buffer portion provided at a position on the upstream side in the first direction with respect to the nozzle, at least at a position horizontally overlapping with a tip end portion of the discharge port of the nozzle;
A substrate processing apparatus, further comprising:
請求項3の基板処理装置であって、
前記測定器移動機構は、前記測定器を、前記ノズルからの前記処理液が前記浮上基板に付着する水平位置である付着水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置から、前記ノズルが前記処理液を吐出するときの前記緩衝部の水平位置における前記浮上基板の鉛直位置を測定可能な位置までの間で前記第2方向に移動させる、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The measuring device moving mechanism, the measuring device, from the position at which the vertical position of the floating substrate can be measured at the adhesion horizontal position where the processing liquid from the nozzle is attached to the floating substrate, A substrate processing apparatus, wherein the vertical position of the floating substrate at a horizontal position of the buffering unit when discharging the processing liquid is moved in the second direction to a position where the vertical position can be measured.
請求項1から請求項4のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記第2方向の異なる位置で前記浮上基板の鉛直位置を測定する複数の前記測定器を有する、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein
A substrate processing apparatus, comprising: a plurality of measuring devices for measuring a vertical position of the floating substrate at different positions in the second direction.
請求項5の基板処理装置であって、
前記複数の測定器を連結する連結具、
をさらに備え、
前記測定器移動部は、前記連結具を前記第2方向に移動させる、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein
A connector for connecting the plurality of measuring instruments,
Further comprising
The substrate processing apparatus, wherein the measuring device moving unit moves the connecting tool in the second direction.
請求項1から請求項6のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記浮上機構は、
水平面を有するステージと、
前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側に向けてエアを噴出する複数の噴出口と、
前記水平面に設けられ、前記鉛直方向の上側のエアを吸引する複数の吸引口と、
を含む、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein
The levitation mechanism,
A stage having a horizontal surface,
A plurality of ejection ports that are provided on the horizontal plane and eject air toward the upper side in the vertical direction,
A plurality of suction ports provided on the horizontal surface, for suctioning the air on the upper side in the vertical direction,
And a substrate processing apparatus.
請求項1から請求項7のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記測定器移動機構は、前記浮上基板の前記第1方向下流側の端部が前記ステージの前記第1方向下流側の縁部に配された状態で、前記測定器を前記第2方向に移動させる、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
The measuring device moving mechanism moves the measuring device in the second direction in a state where an end of the floating substrate on the downstream side in the first direction is arranged on an edge of the stage on the downstream side in the first direction. Substrate processing equipment.
第1主面及び第2主面を有する基板を処理する基板処理方法であって、
(a)前記第1主面が鉛直方向の上向きの基板に浮上力を付与する工程と、
(b)前記工程(a)によって浮上力が付与されている前記基板である浮上基板を水平方向である第1方向に移動させる工程と、
(c)前記浮上基板の鉛直位置を測定する測定器を、前記第1方向に直交する水平方向である第2方向に移動させることにより、前記浮上基板における前記第2方向の複数点における鉛直位置を測定する工程と、
を含む、基板処理方法。
A substrate processing method for processing a substrate having a first main surface and a second main surface,
(A) applying a levitation force to a substrate whose first main surface is vertically upward;
(B) moving the levitation substrate, which is the substrate to which the levitation force has been applied in the step (a), in a first direction that is a horizontal direction;
(C) moving a measuring device for measuring the vertical position of the floating substrate in a second direction, which is a horizontal direction orthogonal to the first direction, so that the vertical positions at a plurality of points in the second direction on the floating substrate. Measuring the
And a substrate processing method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115739522A (en) * 2021-09-02 2023-03-07 株式会社斯库林集团 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228881A (en) * 2004-02-12 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd Levitation substrate transfer processing method and its apparatus
JP2006297317A (en) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd Coating method
JP2012134419A (en) * 2010-12-24 2012-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating applicator and coating method
JP2018043200A (en) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス Coating applicator and application method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4942589B2 (en) * 2007-08-30 2012-05-30 東京応化工業株式会社 Coating apparatus and coating method
KR101175284B1 (en) * 2009-09-15 2012-08-21 주식회사 탑 엔지니어링 Paste dispenser and method for controlling the same
JP5486030B2 (en) 2012-02-15 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 Coating device
CN103383468B (en) * 2013-06-28 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 The detection system of sealed plastic box coating apparatus and detection method, sealed plastic box coating machine
CN106165056B (en) * 2014-04-17 2018-12-11 应用材料公司 Retaining piece, the carrier with the retaining piece and the method for fixed substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228881A (en) * 2004-02-12 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd Levitation substrate transfer processing method and its apparatus
JP2006297317A (en) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd Coating method
JP2012134419A (en) * 2010-12-24 2012-07-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating applicator and coating method
JP2018043200A (en) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社Screenホールディングス Coating applicator and application method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115739522A (en) * 2021-09-02 2023-03-07 株式会社斯库林集团 Substrate processing apparatus and substrate processing method

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