JP2007048836A - Detection method of unevenness of application film, application processing apparatus, and program for unevenness detection of application film - Google Patents

Detection method of unevenness of application film, application processing apparatus, and program for unevenness detection of application film Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an unevenness measuring method of an application film capable of short term evaluation by forming the application film, by applying an application liquid for a resist or the like on a substrate, and then quantitatively detecting uneven thickness of the application film with a simple method. <P>SOLUTION: The detection method of uneven application comprises a film thickness measuring process of measuring film thicknesses at a plurality of measuring points after an application liquid is applied on the substrate, a calculation process of calculating a change rate of a film thickness between arbitrary measuring points from the film thicknesses of the respective measuring points measured, and a judgement process of judging whether or not there is any unevenness by comparing the foregoing change rate with a previously set threshold value. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いられるガラス基板等の基板にレジストなどの塗布液を塗布した後の塗布膜のむらを検出するための塗布膜のむら検出方法、塗布処理装置および塗布膜のむら検出用プログラムに関する。   The present invention relates to a coating film unevenness detection method for detecting unevenness of a coating film after a coating liquid such as a resist is applied to a substrate such as a glass substrate used in an FPD (flat panel display) such as a liquid crystal display device (LCD). The present invention relates to a coating processing apparatus and a coating film unevenness detection program.

液晶表示装置（ＬＣＤ）に代表されるＦＰＤの製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現像処理を順次行っている。   In an FPD manufacturing process typified by a liquid crystal display (LCD), a predetermined circuit pattern is formed on a glass substrate by using a photolithography technique. That is, a resist solution is supplied to a glass substrate to form a coating film, which is dried and heat-treated, and then subjected to exposure processing and development processing in sequence.

ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ガラス基板を水平に保持する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を供給するレジストノズルと、載置台とレジストノズルとを水平方向に相対的に移動させる移動機構と、を有するスリット型塗布処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−５２８２１号公報 Here, as an apparatus for forming a coating film by supplying a resist solution to a glass substrate, a mounting table that holds the glass substrate horizontally, a resist nozzle that supplies the resist solution to the substrate held on the mounting table, There is known a slit type coating processing apparatus having a moving mechanism that relatively moves a mounting table and a resist nozzle in the horizontal direction (see, for example, Patent Document 1).
JP 2005-52821 A

前記スリット型塗布処理装置によりレジスト塗布を行う際には、ノズル進行方向に対して後ろ側にメニスカスが形成され、このメニスカスの形状を一定に保ちながら塗布を行うことにより、膜厚の均一な塗布膜が形成される。ところが、メニスカスが不安定になったり、ノズルに局所的な目詰まりが生じたり、さらには基板上にゴミが存在したりすると、均一な塗布膜形成が困難になり、塗布膜上に縦筋、横縞、ほうき筋などの塗布むらが発生する。塗布膜の厚みむらは、エッチングの線幅の相違となって顕れ、最終的に液晶表示装置（ＬＣＤ）などの画質にばらつきを生じさせる原因となる。   When the resist coating is performed by the slit type coating processing apparatus, a meniscus is formed on the rear side with respect to the nozzle traveling direction, and the coating is performed with a uniform film thickness by performing coating while maintaining the shape of the meniscus constant. A film is formed. However, when the meniscus becomes unstable, local clogging occurs in the nozzle, or dust is present on the substrate, it becomes difficult to form a uniform coating film. Application unevenness such as horizontal stripes and broom stripes occurs. Unevenness in the thickness of the coating film appears as a difference in etching line width, and eventually causes variations in image quality of a liquid crystal display (LCD) or the like.

例えば図２２は、レジストの膜厚と現像後の線幅（ＣＤ）とレジストが完全になくなるためのしきい露光エネルギー（Ｅｔｈ）との関係をグラフ化したものである。この図２２のグラフから、レジスト膜厚が１０ｎｍ変化すると、線幅（ＣＤ）として０．２μｍほどが変化していることがわかる。また、しきい露光エネルギー（Ｅｔｈ）も線幅（ＣＤ）と同じように変化している。このような線幅（ＣＤ）の変動は、液晶表示装置（ＬＣＤ）などの最終製品の電気的特定に少なからず悪影響を与えてしまうことが懸念される。   For example, FIG. 22 is a graph showing the relationship between the resist film thickness, the developed line width (CD), and the threshold exposure energy (Eth) for completely eliminating the resist. From the graph of FIG. 22, it can be seen that when the resist film thickness changes by 10 nm, the line width (CD) changes by about 0.2 μm. Also, the threshold exposure energy (Eth) changes in the same manner as the line width (CD). There is a concern that such a variation in the line width (CD) may adversely affect the electrical specification of a final product such as a liquid crystal display (LCD).

このため、従来、塗布処理後の塗布膜のむらに対しては、作業者が目視により判定を行ってきた。目視による塗布むらの判定は、作業者の経験や勘に依存する部分が大きく、また、目視によって局所的なむらを発見することは容易でないため、作業者によって判定に差が生じたり、判定に長時間を要するなどの問題があった。   For this reason, conventionally, an operator has made a visual determination on the unevenness of the coating film after the coating treatment. Judgment of application unevenness by visual inspection is largely dependent on the experience and intuition of the operator, and it is not easy to find local unevenness by visual inspection. There were problems such as taking a long time.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、レジストなどの塗布液を基板に塗布して塗布膜を形成した後に、塗布膜の膜厚のむらを簡易な手法で定量的に検出し、短時間で評価することが可能な塗布膜のむら測定方法を提供することを課題とするものである。   The present invention has been made in view of such circumstances. After a coating solution such as a resist is applied to a substrate to form a coating film, unevenness in the thickness of the coating film is quantitatively detected by a simple method. It is an object of the present invention to provide a method for measuring unevenness of a coating film that can be evaluated in time.

本発明の第１の観点は、基板上に形成された塗布膜の膜厚のむらを検出するむら検出方法であって、
前記塗布膜上の複数の測定ポイントの膜厚を測定する膜厚測定工程と、
測定された各測定ポイントの膜厚から、任意の測定ポイント間における膜厚の変化率を求める演算工程と、
前記変化率を、予め設定されたしきい値と比較することにより、むらの有無を判定する判定工程と、
を含むことを特徴とする、塗布膜のむら検出方法を提供する。 A first aspect of the present invention is an unevenness detection method for detecting unevenness in the thickness of a coating film formed on a substrate,
A film thickness measuring step for measuring the film thickness of a plurality of measurement points on the coating film;
From the measured film thickness of each measurement point, a calculation process for determining the rate of change of film thickness between arbitrary measurement points;
A determination step of determining the presence or absence of unevenness by comparing the rate of change with a preset threshold value;
A method for detecting unevenness of a coating film is provided.

第１の観点の塗布膜のむら検出方法によれば、塗布膜のむらを経験や勘に頼らず簡易な方法で客観的に把握することが可能になる。例えば、塗布膜における局所的なむらや広範囲に渡るむらについても短時間で確実に検出できるので、液晶表示装置（ＬＣＤ）をはじめとする基板加工製品の信頼性を高めることができる。   According to the coating film unevenness detection method of the first aspect, it is possible to objectively grasp the coating film unevenness by a simple method without depending on experience or intuition. For example, local unevenness in a coating film and unevenness over a wide range can be reliably detected in a short time, so that the reliability of a substrate processing product such as a liquid crystal display (LCD) can be improved.

上記第１の観点において、前記しきい値は、前記測定ポイント間の距離に応じて設定されていてもよく、あるいは、塗布膜の平均膜厚に応じて設定されていてもよい。あるいは、塗布膜の種類に応じて設定されていてもよい。   In the first aspect, the threshold value may be set according to the distance between the measurement points, or may be set according to the average film thickness of the coating film. Or you may set according to the kind of coating film.

また、前記判定工程の後に、むらの位置が所定の領域内にあるか否かを判定する位置判定工程を含むことができる。   Moreover, the position determination process of determining whether the position of the nonuniformity exists in a predetermined | prescribed area | region can be included after the said determination process.

また、前記基板は、ＦＰＤ用基板であってもよい。また、前記塗布膜がレジスト膜、有機膜またはカラーフィルター用の色彩レジスト膜であってもよい。   The substrate may be an FPD substrate. The coating film may be a resist film, an organic film, or a color resist film for a color filter.

本発明の第２の観点は、基板上に形成された塗布膜の膜厚のむらを検出する塗布膜のむら検出用プログラムであって、コンピュータに、少なくとも、
前記塗布膜上の複数の測定ポイントの膜厚を測定する膜厚測定ステップと、
測定された各測定ポイントの膜厚から、任意の測定ポイント間における膜厚の変化率を求める演算ステップと、
前記変化率を、予め設定されたしきい値と比較することにより、むらの有無を判定する判定ステップと、
を含むことを特徴とする、塗布膜のむら検出用プログラムを提供する。 A second aspect of the present invention is a coating film non-uniformity detection program for detecting non-uniformity in the thickness of a coating film formed on a substrate, the computer comprising:
A film thickness measurement step for measuring the film thickness of a plurality of measurement points on the coating film;
A calculation step for obtaining a rate of change in film thickness between arbitrary measurement points from the measured film thickness of each measurement point;
A determination step of determining the presence or absence of unevenness by comparing the rate of change with a preset threshold value;
A program for detecting coating film unevenness is provided.

上記第２の観点において、前記しきい値は、前記測定ポイント間の距離に応じて設定されていてもよく、あるいは、塗布膜の平均膜厚に応じて設定されていてもよい。あるいは、塗布膜の種類に応じて設定されていてもよい。   In the second aspect, the threshold value may be set according to the distance between the measurement points, or may be set according to the average film thickness of the coating film. Or you may set according to the kind of coating film.

また、前記判定ステップの後に、むらの位置が所定の領域内にあるか否かを判定する位置判定ステップを含むことができる。また、前記基板は、ＦＰＤ用基板であってもよい。また、前記塗布膜がレジスト膜、有機膜またはカラーフィルター用の色彩レジスト膜であってもよい。   In addition, after the determination step, a position determination step of determining whether or not the uneven position is within a predetermined region can be included. The substrate may be an FPD substrate. The coating film may be a resist film, an organic film, or a color resist film for a color filter.

本発明の第３の観点は、基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する塗布工程と、前記レジスト膜を露光処理する露光工程と、露光処理後のレジスト膜を現像処理してパターン形成する現像工程と、を含む基板処理方法であって、
前記塗布工程の後、複数の測定ポイントにおいて前記レジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定工程と、
測定された各測定ポイントの膜厚から、任意の測定ポイント間における膜厚の変化率を求める演算工程と、
前記変化率を、予め設定されたしきい値と比較することにより、むらの有無を判定する判定工程と、
を含むことを特徴とする、基板処理方法を提供する。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a coating process in which a resist solution is applied to a substrate to form a resist film, an exposure process in which the resist film is exposed, and a resist film after the exposure process is developed to form a pattern. A substrate processing method including a developing step,
After the coating process, a film thickness measuring process for measuring the film thickness of the resist film at a plurality of measurement points;
From the measured film thickness of each measurement point, a calculation process for determining the rate of change of film thickness between arbitrary measurement points;
A determination step of determining the presence or absence of unevenness by comparing the rate of change with a preset threshold value;
A substrate processing method is provided.

前記しきい値は、前記測定ポイント間の距離に応じて設定されていてもよく、あるいは、塗布膜の平均膜厚に応じて設定されていてもよい。あるいは、塗布膜の種類に応じて設定されていてもよい。   The threshold value may be set according to the distance between the measurement points, or may be set according to the average film thickness of the coating film. Or you may set according to the kind of coating film.

また、前記判定工程の後に、むらの位置が所定の領域内にあるか否かを判定する位置判定工程を含むことができる。また、前記基板がＦＰＤ用基板であってもよい。   Moreover, the position determination process of determining whether the position of the nonuniformity exists in a predetermined | prescribed area | region can be included after the said determination process. The substrate may be an FPD substrate.

本発明の第４の観点は、略水平に支持された基板に対して相対移動するノズルによって前記基板の上方から塗布液を吐出して基板上の塗布膜を形成する塗布処理装置と、
前記塗布処理装置によって基板に塗布された塗布膜の膜厚を測定する膜厚測定手段と、
測定された膜厚をもとに、任意の測定ポイント間の膜厚の変化率を求め、塗布むらの有無を判定する制御手段と、
を備えたことを特徴とする、基板処理装置を提供する。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a coating processing apparatus that forms a coating film on a substrate by discharging a coating liquid from above the substrate by a nozzle that moves relative to a substantially horizontally supported substrate;
A film thickness measuring means for measuring the film thickness of the coating film applied to the substrate by the coating processing apparatus;
Based on the measured film thickness, a control means for determining the rate of change in film thickness between arbitrary measurement points and determining the presence or absence of coating unevenness;
A substrate processing apparatus is provided.

上記第４の観点において、前記制御手段は、塗布むらの有無の判定とともに、むらの位置が所定の領域内にあるか否かを判定するものであってもよい。   In the fourth aspect, the control means may determine whether or not the position of the unevenness is within a predetermined area, together with the determination of whether or not the application is uneven.

本発明によれば、塗布膜のむらを経験や勘に頼らず簡易な方法で客観的に把握することが可能になる。例えば、塗布膜における局所的なむらや広範囲に渡るむらについても短時間で確実に検出できるので、液晶表示装置（ＬＣＤ）をはじめとする基板加工製品の信頼性を高めることができる。   According to the present invention, it is possible to objectively grasp the unevenness of the coating film by a simple method without depending on experience or intuition. For example, local unevenness in a coating film and unevenness over a wide range can be reliably detected in a short time, so that the reliability of a substrate processing product such as a liquid crystal display (LCD) can be improved.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明を、ＬＣＤ用のガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）の表面にレジスト膜を形成する装置および方法に適用した場合について説明することとする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, the case where the present invention is applied to an apparatus and a method for forming a resist film on the surface of a glass substrate for LCD (hereinafter referred to as “LCD substrate”) will be described.

図１に、ＬＣＤ基板へのレジスト膜、有機膜またはカラーフィルター用の色彩レジスト膜などの形成と、露光処理後のレジスト膜、有機膜またはカラーフィルター用の色彩レジスト膜などの現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図を示す。このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３と、レジスト塗布・現像処理システム１００の各構成部を制御する制御部１０１とを備えており、カセットステーション１とインターフェイスステーション３はそれぞれ処理ステーション２の両端に配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。   FIG. 1 shows a resist for forming a resist film, an organic film or a color resist film for a color filter on an LCD substrate, and a developing process such as a resist film after an exposure process, a color resist film for an organic film or a color filter. 1 is a schematic plan view of a coating / development processing system. This resist coating / development processing system 100 performs a series of processes including resist coating and development on the cassette station (loading / unloading unit) 1 on which a cassette C accommodating a plurality of LCD substrates G is placed. A processing station (processing unit) 2 having a plurality of processing units, an interface station (interface unit) 3 for transferring the LCD substrate G between the exposure apparatus 4, and a resist coating / developing processing system 100. A control unit 101 that controls each component is provided, and the cassette station 1 and the interface station 3 are disposed at both ends of the processing station 2, respectively. In FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating / development processing system 100 is the X direction, and the direction perpendicular to the X direction on the plane is the Y direction.

カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。   The cassette station 1 includes a mounting table 9 on which the cassette C can be mounted in the Y direction, and a transfer device 11 for carrying the LCD substrate G in and out of the processing station 2. The cassette C is transported to the outside. The transfer device 11 has a transfer arm 11a, and can move on a transfer path 10 provided along the Y direction, which is the arrangement direction of the cassette C. The transfer arm 11a moves between the cassette C and the processing station 2. Loading and unloading of the LCD substrate G is performed.

処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けて、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と、第１の熱的処理ユニットセクション２６と、レジスト塗布処理ユニット２３と、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、が配列されている。   The processing station 2 basically has two parallel rows of transfer lines A and B for transferring the LCD substrate G extending in the X direction, and is directed from the cassette station 1 side to the interface station 3 along the transfer line A. A scrub cleaning processing unit (SCR) 21, a first thermal processing unit section 26, a resist coating processing unit 23, and a second thermal processing unit section 27 are arranged.

また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４と、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５と、第３の熱的処理ユニットセクション２８と、が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラブ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するスクラブ前処理のために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は有機膜の脱色処理を行うために設けられる。   Further, from the interface station 3 side toward the cassette station 1 along the transfer line B, the second thermal processing unit section 27, the development processing unit (DEV) 24, and the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 and a third thermal processing unit section 28 are arranged. An excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning unit (SCR) 21. The excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided for scrub pretreatment for removing organic substances on the LCD substrate G prior to scrub cleaning, and the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is an organic film. It is provided to perform a decoloring process.

スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。   In the scrub cleaning unit (SCR) 21, the cleaning process and the drying process are performed while the LCD substrate G is conveyed in a substantially horizontal posture. In the development processing unit (DEV) 24, the developer coating, rinsing and drying processes are sequentially performed while the LCD substrate G is conveyed in a substantially horizontal posture. In the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the development processing unit (DEV) 24, the LCD substrate G is transported by, for example, roller transport or belt transport, and the carry-in port and the carry-out port of the LCD substrate G are short sides opposite to each other. Is provided. Further, the conveyance of the LCD substrate G to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the conveyance mechanism of the development processing unit (DEV) 24.

レジスト塗布処理ユニット２３は、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜Ｒを形成するレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａと、減圧雰囲気にＬＣＤ基板ＧをさらすことによりＬＣＤ基板Ｇ上に形成された塗布膜Ｒに含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜Ｒを乾燥させる減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、を備えている。   As will be described later in detail, the resist coating processing unit 23 supplies a resist solution while transporting the LCD substrate G in a substantially horizontal posture, and forms a coating film R, and a reduced pressure atmosphere. And a vacuum drying apparatus (VD) 23b for evaporating volatile components contained in the coating film R formed on the LCD substrate G by exposing the LCD substrate G to drying the coating film R.

第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト塗布処理ユニット２３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。   The first thermal processing unit section 26 includes two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32 configured by stacking thermal processing units that perform thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 31 is provided on the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 side, and the thermal processing unit block (TB) 32 is provided on the resist coating processing unit 23 side. A first transport device 33 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32.

図２の第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１と、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層された構成を有している。   As shown in the side view of the first thermal processing unit section 26 in FIG. 2, the thermal processing unit block (TB) 31 includes a pass unit (PASS) 61 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, and an LCD Two dehydration bake units (DHP) 62 and 63 for performing dehydration bake processing on the substrate G and an adhesion processing unit (AD) 64 for performing hydrophobic treatment on the LCD substrate G are stacked in four stages. Have. The thermal processing unit block (TB) 32 includes a pass unit (PASS) 65 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, two cooling units (COL) 66 and 67 for cooling the LCD substrate G, an LCD An adhesion processing unit (AD) 68 that performs a hydrophobic treatment on the substrate G is stacked in four stages.

第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト塗布処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。   The first transfer device 33 receives the LCD substrate G from the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 via the pass unit (PASS) 61, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and passes. The LCD substrate G is transferred to the resist coating processing unit 23 through the unit (PASS) 65.

第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。   The first transport device 33 includes a guide rail 91 that extends vertically, a lifting member 92 that moves up and down along the guide rail 91, a base member 93 that can pivot on the lifting member 92, and a base member 93. It has a substrate holding arm 94 that is provided so as to be able to move forward and backward and holds the LCD substrate G. The elevating member 92 is moved up and down by the motor 95, the base member 93 is turned by the motor 96, and the substrate holding arm 94 is moved back and forth by the motor 97. Thus, the 1st conveyance apparatus 33 can be moved up and down, back and forth, and swiveled, and can access any unit of thermal processing unit block (TB) 31 * 32.

第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト塗布処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に、第２の搬送装置３６が設けられている。   The second thermal processing unit section 27 includes two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 34 is provided on the resist coating processing unit 23 side, and the thermal processing unit block (TB) 35 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side. A second transport device 36 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.

図３の第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９と、ＬＣＤ基板Ｇに塗布されたレジストの塗布膜の膜厚を測定する塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０と、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７１・７２が４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４と、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。   As shown in the side view of the second thermal processing unit section 27 in FIG. 3, the thermal processing unit block (TB) 34 includes a pass unit (PASS) 69 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, and an LCD A coating film thickness measurement unit (INS) 70 that measures the film thickness of the resist coating film applied to the substrate G, and two prebake units (PREBAKE) 71 and 72 that perform prebaking processing on the LCD substrate G are arranged in four stages. It is the structure laminated | stacked on. In addition, the thermal processing unit block (TB) 35 includes a pass unit (PASS) 73 for transferring the LCD substrate G in order from the bottom, a cooling unit (COL) 74 for cooling the LCD substrate G, and the LCD substrate G. Thus, two pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 for performing pre-baking are stacked in four stages.

第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト塗布処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取り、を行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。   The second transfer device 36 receives the LCD substrate G from the resist coating processing unit 23 through the pass unit (PASS) 69, carries in and out the LCD substrate G between the thermal processing units, and the pass unit (PASS). The LCD substrate G is transferred to the development processing unit (DEV) 24 via 73, and the LCD substrate G is transferred to and received from an extension cooling stage (EXT / COL) 44, which is a substrate transfer portion of the interface station 3 described later. ,I do. The second transfer device 36 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any unit of the thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.

第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に、第３の搬送装置３９が設けられている。   The third thermal processing unit section 28 includes two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38 configured by stacking thermal processing units for performing thermal processing on the LCD substrate G. The thermal processing unit block (TB) 37 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side, and the thermal processing unit block (TB) 38 is provided on the cassette station 1 side. A third transfer device 39 is provided between the two thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38.

図４の第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８１と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８２・８３・８４が４段に積層された構成を有している。   As shown in the side view of the third thermal processing unit section 28 in FIG. 4, the thermal processing unit block (TB) 37 includes, in order from the bottom, a pass unit (PASS) 77 that delivers the LCD substrate G, and Three post-baking units (POBAKE) 78, 79, and 80 for performing post-baking processing on the LCD substrate G are stacked in four stages. Further, the thermal processing unit block (TB) 38 performs, in order from the bottom, a pass / cooling unit (PASS / COL) 81 for transferring and cooling the LCD substrate G and a post-baking process for the LCD substrate G 3 Two post-bake units (POBAKE) 82, 83, and 84 are stacked in four stages.

第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８１を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。   The third transport device 39 receives the LCD substrate G from the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 via the pass unit (PASS) 77, and carries the LCD substrate G in and out of the thermal processing unit. Then, the LCD substrate G is transferred to the cassette station 1 via the pass / cooling unit (PASS / COL) 81. The third transfer device 39 has the same structure as the first transfer device 33, and can access any unit of the thermal processing unit blocks (TB) 37 and 38.

処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。   In the processing station 2, the processing units and the transport devices are arranged so as to form the transport lines A and B in two rows as described above and basically in the order of processing. A space 40 is provided between B. A shuttle (substrate mounting member) 41 is provided so as to be able to reciprocate in the space 40. The shuttle 41 is configured to be able to hold the LCD substrate G, and the LCD substrate G is transferred between the transport lines A and B via the shuttle 41. The delivery of the LCD substrate G to the shuttle 41 is performed by the first to third transfer devices 33, 36, and 39.

インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファカセットを配置するバッファステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。   The interface station 3 includes a transfer device 42 that loads and unloads the LCD substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4, a buffer stage (BUF) 43 that arranges a buffer cassette, and a substrate transfer unit that has a cooling function. And an external device block 45 in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are vertically stacked are provided adjacent to the transport device 42. It has been. The transfer device 42 includes a transfer arm 42 a, and the LCD substrate G is carried in and out between the processing station 2 and the exposure device 4 by the transfer arm 42 a.

次に、レジスト塗布処理ユニット２３について詳細に説明する。図５はレジスト塗布処理ユニット２３の概略平面図である。レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａは、表面の所定位置に所定のガスを噴射するための複数のガス噴射口１６が設けられたステージ１２と、ステージ１２上でＬＣＤ基板ＧをＸ方向に搬送する基板搬送機構１３と、ステージ１２上を移動するＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジスト供給ノズル１４と、レジスト供給ノズル１４を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット１５と、を備えている。   Next, the resist coating unit 23 will be described in detail. FIG. 5 is a schematic plan view of the resist coating unit 23. The resist coating device (CT) 23a includes a stage 12 provided with a plurality of gas injection ports 16 for injecting a predetermined gas to a predetermined position on the surface, and a substrate for transporting the LCD substrate G in the X direction on the stage 12 A transport mechanism 13, a resist supply nozzle 14 for supplying a resist solution to the surface of the LCD substrate G moving on the stage 12, and a nozzle cleaning unit 15 for cleaning the resist supply nozzle 14 are provided.

ノズル洗浄ユニット１５は、支柱部材５５に取り付けられて、ステージ１２の上方に配置されている。ノズル洗浄ユニット１５は、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液供給前に予備的にレジストノズル１４からレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーディスペンスを行うためのダミーディスペンス部５７と、レジストノズル１４のレジスト吐出口が乾燥しないようにレジスト吐出口を溶剤（例えば、シンナー）の蒸気雰囲気で保持するためのノズルバス５８と、レジストノズル１４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構５９と、を備えている。   The nozzle cleaning unit 15 is attached to the support member 55 and is disposed above the stage 12. The nozzle cleaning unit 15 preliminarily discharges the resist solution from the resist nozzle 14 before supplying the resist solution to the LCD substrate G, so-called dummy dispensing unit 57 for performing dummy dispensing, and the resist discharge port of the resist nozzle 14 A nozzle bath 58 for holding the resist discharge port in a vapor atmosphere of a solvent (for example, thinner) so as not to dry, and a nozzle cleaning mechanism 59 for removing the resist adhering to the vicinity of the resist discharge port of the resist nozzle 14; It has.

減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂは、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台１７と、載置台１７および載置台１７に載置されたＬＣＤ基板Ｇを収容するチャンバ１８と、を備えている。さらに、レジスト塗布処理ユニット２３には、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａから減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂへ、さらに減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂから熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４に設けられたパスユニット（ＰＡＳＳ）６９へＬＣＤ基板Ｇを搬送する基板搬送アーム１９が設けられている。   The reduced pressure drying device (VD) 23 b includes a mounting table 17 for mounting the LCD substrate G, and a chamber 18 for storing the LCD substrate G mounted on the mounting table 17. Further, the resist coating processing unit 23 includes a path provided from the resist coating device (CT) 23a to the vacuum drying device (VD) 23b and from the vacuum drying device (VD) 23b to the thermal processing unit block (TB) 34. A substrate transfer arm 19 for transferring the LCD substrate G to the unit (PASS) 69 is provided.

ステージ１２は、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向の上流から下流に向けて、大略的に、導入ステージ部１２ａ、塗布ステージ部１２ｂ、搬出ステージ部１２ｃに分けられる。導入ステージ部１２ａは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５から塗布ステージ部１２ｂへＬＣＤ基板Ｇを搬送するためのエリアである。塗布ステージ部１２ｂには、レジスト供給ノズル１４が配置されており、ここでＬＣＤ基板Ｇにレジスト液が供給されて塗布膜Ｒが形成される。搬出ステージ部１２ｃは、塗布膜Ｒが形成されたＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂへ搬出するためのエリアである。   The stage 12 is roughly divided into an introduction stage portion 12a, a coating stage portion 12b, and a carry-out stage portion 12c from the upstream to the downstream in the transport direction of the LCD substrate G. The introduction stage unit 12a is an area for transporting the LCD substrate G from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32 to the coating stage unit 12b. A resist supply nozzle 14 is disposed in the coating stage portion 12b, and a resist solution is supplied to the LCD substrate G to form a coating film R. The carry-out stage unit 12c is an area for carrying the LCD substrate G on which the coating film R is formed to the reduced-pressure drying device (VD) 23b.

ＬＣＤ基板Ｇは、ガス噴射口１６から噴射されるガスによって、略水平姿勢で、ステージ１２から浮上した状態で保持され、この状態で基板搬送機構１３により搬送される。なお、ＬＣＤ基板Ｇの平面度を高くするためには、ガス噴射口１６の直径を短くして、ガス噴射口１６の配置数を多くすることが好ましい。   The LCD substrate G is held in a substantially horizontal posture and floated from the stage 12 by the gas ejected from the gas ejection port 16, and is transported by the substrate transport mechanism 13 in this state. In order to increase the flatness of the LCD substrate G, it is preferable to reduce the diameter of the gas injection ports 16 and increase the number of gas injection ports 16 arranged.

ステージ１２の搬出ステージ部１２ｃには、ガス噴射口１６に加えて、搬出ステージ部１２ｃへ搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇを基板搬送アーム１９に受け渡すために、ＬＣＤ基板Ｇを持ち上げるリフトピン４７が設けられている。   In addition to the gas injection port 16, the unloading stage portion 12 c of the stage 12 is provided with lift pins 47 that lift the LCD substrate G in order to deliver the LCD substrate G transferred to the unloading stage portion 12 c to the substrate transfer arm 19. It has been.

図６は基板搬送機構１３の概略構成を示す断面図である。基板搬送機構１３は、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端の一部を保持する基板保持部材５１ａ・５１ｂと、ステージ１２のＹ方向側面に、Ｘ方向に延在するように配置された直線ガイド５２ａ・５２ｂと、基板保持部材５１ａ・５１ｂを保持し、直線ガイド５２ａ・５２ｂと嵌合した連結部材５０と、連結部材５０をＸ方向で往復移動させるＸ軸駆動機構５３と、を備えている。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate transport mechanism 13. The substrate transport mechanism 13 includes substrate holding members 51a and 51b that hold part of the Y direction end of the LCD substrate G, and linear guides 52a and 51b that are arranged on the side surfaces of the stage 12 in the Y direction so as to extend in the X direction. 52b, a connecting member 50 that holds the substrate holding members 51a and 51b and is fitted to the linear guides 52a and 52b, and an X-axis drive mechanism 53 that reciprocates the connecting member 50 in the X direction.

基板保持部材５１ａ・５１ｂはそれぞれ、台座部４９にＬＣＤ基板Ｇを吸着保持するための吸着パッド４８が１個以上設けられた構造を有しており、吸着パッド４８は図示しない真空ポンプ等を動作させることにより、ＬＣＤ基板Ｇを吸着保持することができるようになっている。吸着パッド４８は、ＬＣＤ基板Ｇにおいてレジスト液が塗布されない部分の裏面側、つまりＬＣＤ基板Ｇの裏面のＹ方向端部近傍で、ＬＣＤ基板Ｇを保持する。Ｘ軸駆動機構５３としては、例えば、ベルト駆動機構や、ボールねじ、エアースライダ、電動スライダ、リニアモータ等が挙げられる。   Each of the substrate holding members 51a and 51b has a structure in which at least one suction pad 48 for sucking and holding the LCD substrate G is provided on the pedestal portion 49. The suction pad 48 operates a vacuum pump or the like (not shown). By doing so, the LCD substrate G can be sucked and held. The suction pad 48 holds the LCD substrate G on the back side of the LCD substrate G where the resist solution is not applied, that is, in the vicinity of the Y-direction end of the back side of the LCD substrate G. Examples of the X-axis drive mechanism 53 include a belt drive mechanism, a ball screw, an air slider, an electric slider, and a linear motor.

図７にレジスト供給ノズル１４の概略斜視図を示し、図８にレジスト供給ノズル１４とレジスト供給ノズル１４をＸ方向およびＺ方向に移動させるノズル移動機構２０の概略構成を示す正面図（Ｘ方向から見た図）を示す。レジスト供給ノズル１４は、一方向に長い長尺状の箱体１４ａに、レジスト液を略帯状に吐出するスリット状のレジスト吐出口１４ｂが設けられた構造を有している。   FIG. 7 is a schematic perspective view of the resist supply nozzle 14, and FIG. 8 is a front view showing a schematic configuration of the nozzle supply mechanism 20 that moves the resist supply nozzle 14 and the resist supply nozzle 14 in the X direction and the Z direction (from the X direction). Shows the figure). The resist supply nozzle 14 has a structure in which a slit-like resist discharge port 14b for discharging a resist solution in a substantially strip shape is provided in a long box body 14a that is long in one direction.

ノズル移動機構２０は、このレジスト供給ノズル１４を箱体１４ａの長手方向をＹ方向に一致させた状態で保持し、レジスト供給ノズル１４をＺ方向に昇降させる昇降機構３０と、昇降機構３０を保持する支柱部材５４と、支柱部材５４をＸ方向で移動させるボールネジ等の水平駆動機構５６と、を備えている。このようなノズル移動機構２０によって、レジスト供給ノズル１４は、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を供給する位置とノズル洗浄ユニット１５において洗浄処理等される各位置との間で移動することができるようになっている。   The nozzle moving mechanism 20 holds the resist supply nozzle 14 in a state in which the longitudinal direction of the box body 14a coincides with the Y direction, and holds the lift mechanism 30 that lifts and lowers the resist supply nozzle 14 in the Z direction. And a horizontal drive mechanism 56 such as a ball screw that moves the column member 54 in the X direction. By such a nozzle moving mechanism 20, the resist supply nozzle 14 can move between a position where the resist solution is supplied to the LCD substrate G and each position where the cleaning process or the like is performed in the nozzle cleaning unit 15. ing.

レジスト供給ノズル１４にはレジスト吐出口１４ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間隔を測定するセンサ２９が取り付けられており、昇降機構３０は、このセンサ２９の測定値に基づいてＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を供給する際のレジスト供給ノズル１４の位置を制御する。レジスト供給ノズル１４の長さはＬＣＤ基板Ｇの幅（Ｙ方向長さ）よりも短くなっており、ＬＣＤ基板Ｇの周縁の一定領域には塗布膜Ｒが形成されないようになっている。なお、このセンサ２９は、ノズル洗浄ユニット１５の各部にアクセスする際のレジスト供給ノズル１４の位置調整にも用いられる。   The resist supply nozzle 14 is provided with a sensor 29 for measuring the distance between the resist discharge port 14b and the LCD substrate G, and the elevating mechanism 30 supplies the resist solution to the LCD substrate G based on the measured value of the sensor 29. The position of the resist supply nozzle 14 is controlled. The length of the resist supply nozzle 14 is shorter than the width of the LCD substrate G (the length in the Y direction), and the coating film R is not formed in a certain region on the periphery of the LCD substrate G. The sensor 29 is also used to adjust the position of the resist supply nozzle 14 when accessing each part of the nozzle cleaning unit 15.

図９は、第２の熱的処理ユニットセクション２７の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４に配備された塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０の概略構成と、ＬＣＤ基板Ｇに形成されたレジストの塗布膜Ｒの検査状態を模式的に示している。この塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０は、上記のようなレジスト塗布処理ユニット２３でレジスト塗布処理を受け、塗布膜Ｒが形成された後のＬＣＤ基板Ｇに光を照射する光源２０１と、ＬＣＤ基板Ｇからの反射光を受光するＣＣＤ素子を備えた受光部２０２と、受光した反射光を分光する分光部２０３と、分光部２０３より出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器２０４と、を有している。   FIG. 9 shows a schematic configuration of a coating film thickness measuring unit (INS) 70 provided in the thermal processing unit block (TB) 34 of the second thermal processing unit section 27 and the resist formed on the LCD substrate G. The inspection state of the coating film R is schematically shown. The coating film thickness measurement unit (INS) 70 receives the resist coating processing by the resist coating processing unit 23 as described above, and illuminates the LCD substrate G after the coating film R is formed. A light receiving unit 202 including a CCD element that receives reflected light from the substrate G, a spectroscopic unit 203 that splits the received reflected light, and an A / D conversion that converts an analog signal output from the spectroscopic unit 203 into a digital signal. And a container 204.

光源２０１および受光部２０２は、図示しない駆動機構により走査駆動され、同期してＬＣＤ基板Ｇの上方を例えばＸ、Ｙ方向に走査できるようになっている。そして、ＬＣＤ基板Ｇの上を走査しながら、光源２０１によりＬＣＤ基板Ｇの表面の塗布膜Ｒに所定角度で光を照射し、各測定ポイントにおける反射光を受光部２０２により受光し、分光部２０３で各波長の光に分光する。分光部２０３より出力される各波長光のアナログ信号はＡ／Ｄ変換器２０４によりデジタル信号に変換され、後述する制御部１０１に送出される。この塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０では、例えば塗布膜Ｒ上の４０，０００点の測定ポイントを僅か９０秒程度で測定できる。   The light source 201 and the light receiving unit 202 are scanned and driven by a driving mechanism (not shown) so that the upper part of the LCD substrate G can be scanned in the X and Y directions in synchronization. Then, while scanning over the LCD substrate G, the light source 201 irradiates the coating film R on the surface of the LCD substrate G at a predetermined angle, and the reflected light at each measurement point is received by the light receiving unit 202, and the spectral unit 203. To split into light of each wavelength. The analog signal of each wavelength light output from the spectroscopic unit 203 is converted into a digital signal by the A / D converter 204 and sent to the control unit 101 described later. In this coating film thickness measurement unit (INS) 70, for example, 40,000 measurement points on the coating film R can be measured in only about 90 seconds.

図１を参照するに、レジスト塗布・現像処理システム１００の各構成部は、制御部１０１により制御される構成となっている。制御部１０１は、ＣＰＵを備えたコントローラ１０２を備えており、このコントローラ１０２には、工程管理者がレジスト塗布・現像処理システム１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、レジスト塗布・現像処理システム１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス１０３が接続されている。   Referring to FIG. 1, each component of the resist coating / development processing system 100 is controlled by a control unit 101. The control unit 101 includes a controller 102 having a CPU. The controller 102 includes a keyboard on which a process manager manages command input to manage the resist coating / development processing system 100, a resist coating, and the like. A user interface 103 including a display for visualizing and displaying the operating status of the development processing system 100 is connected.

また、コントローラ１０２には、レジスト塗布・現像処理システム１００で実行されるレジスト塗布処理や塗布膜厚検査、むら判定などの各種処理をコントローラ１０２の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部１０４が接続されている。   The controller 102 also has a control program (software) for realizing various processes such as resist coating processing, coating film thickness inspection, and unevenness determination executed by the resist coating / development processing system 100 under the control of the controller 102. And a storage unit 104 storing a recipe in which processing condition data and the like are recorded.

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェイス１０３からの指示等にて任意のレシピを記憶部１０４から呼び出してコントローラ１０２に実行させることで、コントローラ１０２の制御下で、レジスト塗布・現像処理システム１００で所望の処理が行われる。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。   Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 104 by an instruction from the user interface 103 and is executed by the controller 102, so that the resist coating / development processing system 100 can perform a desired operation under the control of the controller 102. Is performed. In addition, recipes such as the control program and processing condition data may be stored in a computer-readable storage medium such as a CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, a flash memory, or other recipes. It is also possible to transmit the data from the device at any time via, for example, a dedicated line and use it online.

このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００における一連の処理は、例えば図１０に示す手順で行われる。
まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され（ステップＳ１１）、そこでスクラブ前処理が行われる（ステップＳ１２）。次いで、搬送装置１１によりＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される（ステップＳ１３）。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは、例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。 A series of processing in the resist coating / development processing system 100 configured as described above is performed, for example, according to the procedure shown in FIG.
First, the LCD substrate G in the cassette C placed on the mounting table 9 of the cassette station 1 is directly carried into the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 of the processing station 2 by the transport device 11 (step S11). A scrub pre-process is performed (step S12). Next, the LCD substrate G is carried into the scrub cleaning unit (SCR) 21 by the transfer device 11 and scrubbed (step S13). After the scrub cleaning process, the LCD substrate G is carried out to the pass unit (PASS) 61 of the thermal processing unit block (TB) 31 belonging to the first thermal processing unit section 26 by, for example, roller conveyance.

パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて脱水ベーク処理（加熱処理）され（ステップＳ１４）、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後（ステップＳ１５）、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理、すなわち、疎水化処理される（ステップＳ１６）。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。   The LCD substrate G placed in the pass unit (PASS) 61 is first transported to one of the dehydration bake units (DHP) 62 and 63 of the thermal processing unit block (TB) 31 and subjected to dehydration bake processing (heating processing). (Step S14), and then transferred to one of the cooling units (COL) 66 and 67 of the thermal processing unit block (TB) 32 and cooled (Step S15), in order to improve the fixability of the resist It is transported to either an adhesion processing unit (AD) 64 of the thermal processing unit block (TB) 31 and an adhesion processing unit (AD) 68 of the thermal processing unit block (TB) 32, where the HMDS performs the adhesion processing, Hydrophobization is performed (step S16). Thereafter, the LCD substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 66 and 67 to be cooled, and further transferred to the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32. All the transfer processes of the LCD substrate G when performing such a series of processes are performed by the first transfer device 33.

パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５内に設けられた、例えば、コロ搬送機構等の基板搬送機構４６によって、レジスト塗布処理ユニット２３内へ搬入される。なお、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５からレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａへのＬＣＤ基板の搬入は、例えば、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に基板搬送アームを設け、かつ、導入ステージ部１２ａにリフトピンを設けて、この基板搬送アームが保持したＬＣＤ基板をリフトピンに受け渡し、リフトピンを降下させることによって導入ステージ部１２ａの表面近傍で、基板保持部材５１ａ・５１ｂ等にＬＣＤ基板Ｇを把持させるようにしてもよい。   The LCD substrate G disposed in the pass unit (PASS) 65 is carried into the resist coating unit 23 by a substrate transport mechanism 46 such as a roller transport mechanism provided in the pass unit (PASS) 65, for example. . In addition, the LCD substrate is carried into the resist coating apparatus (CT) 23a from the pass unit (PASS) 65 of the thermal processing unit block (TB) 32, for example, by providing a substrate transfer arm in the pass unit (PASS) 65, and The lift stage is provided with a lift pin, the LCD substrate held by the substrate transfer arm is transferred to the lift pin, and the lift pin is lowered to bring the LCD substrate to the substrate holding members 51a and 51b in the vicinity of the introduction stage portion 12a. G may be gripped.

レジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給して塗布膜Ｒを形成し（ステップＳ１７）、その後、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにて塗布膜Ｒに減圧乾燥処理が施される（ステップＳ１８）。その後、ＬＣＤ基板Ｇは減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに設けられた基板搬送アーム１９により、レジスト塗布処理ユニット２３から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。   In the resist coating apparatus (CT) 23a, a resist solution is supplied while the LCD substrate G is conveyed in a horizontal posture to form a coating film R (step S17), and then the coating film is formed in a reduced pressure drying apparatus (VD) 23b. A reduced-pressure drying process is performed on R (step S18). Thereafter, the LCD substrate G is transferred from the resist coating processing unit 23 to the thermal processing unit block (TB) 34 belonging to the second thermal processing unit section 27 by the substrate transfer arm 19 provided in the vacuum drying apparatus (VD) 23b. Passed to the pass unit (PASS) 69.

パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され（ステップＳ１９）、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される（ステップＳ２０）。冷却されたＬＣＤ基板Ｇは、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４の塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇ上の所定の測定ポイントで塗布膜Ｒの膜厚が測定されることによりむらの有無の判定が行われる（ステップＳ２１）。   The LCD substrate G disposed in the pass unit (PASS) 69 is transferred to the thermal processing unit block (TB) 34 by pre-baking units (PREBAKE) 71 and 72 and the thermal processing unit block (TB). It is transported to one of 35 pre-baking units (PREBAKE) 75 and 76 and pre-baked (step S19), and then transported to a cooling unit (COL) 74 of a thermal processing unit block (TB) 35 to be cooled to a predetermined temperature. (Step S20). The cooled LCD substrate G is transferred to the coating film thickness measurement unit (INS) 70 of the thermal processing unit block (TB) 34, and the film thickness of the coating film R is measured at a predetermined measurement point on the LCD substrate G. Thus, the presence / absence of unevenness is determined (step S21).

ステップＳ２１で塗布膜Ｒにむらが「有り」と判定されたＬＣＤ基板Ｇについては、例えばダミー処理に換えることにより以降の処理を中止し、ＬＣＤ基板Ｇを再生利用または破棄する。一方、ステップＳ２１で塗布膜Ｒにむらが「無し」と判定されたＬＣＤ基板Ｇについては、次の処理に進む。なお、このステップＳ２１の詳細については後述する。また、このような判定を行うことにより、レジスト塗布・現像処理システム１００において連続的に処理されるＬＣＤ基板Ｇに同様のむらが連続して発生する場合には、例えばレジスト供給ノズル１４の目詰まり等の不具合が発生していることが考えられるので、必要に応じて、レジスト塗布・現像処理システム１００の稼働を中断し、所要のメンテナンスを行うなどのフィードバックが可能になる。   For the LCD substrate G in which the unevenness in the coating film R is determined to be “present” in step S21, for example, the subsequent processing is stopped by changing to the dummy processing, and the LCD substrate G is recycled or discarded. On the other hand, for the LCD substrate G in which the unevenness in the coating film R is determined to be “none” in step S21, the process proceeds to the next process. Details of step S21 will be described later. In addition, when the same unevenness occurs continuously on the LCD substrate G processed continuously in the resist coating / development processing system 100 by performing such a determination, for example, the resist supply nozzle 14 is clogged or the like. Therefore, it is possible to provide feedback such as interrupting the operation of the resist coating / development processing system 100 and performing necessary maintenance as necessary.

塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０で膜厚測定され、むらが無いと判定された後のＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。
その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、そこで、レジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光が行われる（ステップＳ２２）。次いで、ＬＣＤ基板Ｇは、搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される（ステップＳ２３）。なお、ＬＣＤ基板Ｇは、一旦、バッファステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットに収容され、その後に露光装置４に搬送される場合がある。 After the film thickness is measured by the coating film thickness measurement unit (INS) 70 and it is determined that there is no unevenness, the LCD substrate G is further passed by the second transport device 36 in the pass unit of the thermal processing unit block (TB) 35. (PASS) 73.
Thereafter, the LCD substrate G is transported to the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 of the interface station 3 by the second transport device 36 and, if necessary, the peripheral of the external device block 45 by the transport device 42 of the interface station 3. It is transported to the exposure apparatus (EE), where exposure for removing the outer peripheral portion (unnecessary portion) of the resist film is performed (step S22). Next, the LCD substrate G is transported to the exposure device 4 by the transport device 42, where the resist film on the LCD substrate G is subjected to exposure processing in a predetermined pattern (step S23). Note that the LCD substrate G may be temporarily stored in a buffer cassette on the buffer stage (BUF) 43 and then transferred to the exposure apparatus 4.

露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記され、タイトリングされた後（ステップＳ２４）、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。   After the exposure is completed, the LCD substrate G is carried into the upper stage titler (TITLER) of the external device block 45 by the transfer device 42 of the interface station 3, and predetermined information is written on the LCD substrate G, and after the title ring (step S24). ), And is mounted on the extension / cooling stage (EXT / COL) 44. The LCD substrate G is passed from the extension / cooling stage (EXT / COL) 44 to the thermal processing unit block (TB) 35 pass unit (PASS) of the second thermal processing unit section 27 by the second transfer device 36. 73.

パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、現像処理が行われる（ステップＳ２５）。例えば、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら現像液がＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされ、その後、一旦、ＬＣＤ基板Ｇの搬送を停止してＬＣＤ基板Ｇを所定角度傾けることにより、ＬＣＤ基板上の現像液を流し落とし、さらにこの状態でＬＣＤ基板Ｇにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢に戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気をＬＣＤ基板Ｇに吹き付けることにより、ＬＣＤ基板を乾燥させる。   The LCD substrate G is transferred from the pass unit (PASS) 73 to the development processing unit (DEV) 24 by, for example, a roller transport mechanism extending from the pass unit (PASS) 73 to the development processing unit (DEV) 24. The In the development processing unit (DEV) 24, development processing is performed (step S25). For example, while the LCD substrate G is conveyed in a horizontal posture, the developer is deposited on the LCD substrate G, and then the conveyance of the LCD substrate G is stopped and the LCD substrate G is tilted by a predetermined angle to In this state, a rinsing solution is supplied to the LCD substrate G to wash away the developing solution. After that, the LCD substrate G is returned to the horizontal posture, and the conveyance is started again, and the nitrogen substrate for drying or air is blown onto the LCD substrate G to dry the LCD substrate.

現像処理終了後、有機膜を形成する場合、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される（ステップＳ２６）。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。   When an organic film is formed after completion of the development processing, the LCD substrate G is transported from the development processing unit (DEV) 24 to the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25 by a continuous transport mechanism, for example, roller transport. Decolorization processing is performed on G (step S26). After that, the LCD substrate G is passed through a pass unit (PASS) 77 of the thermal processing unit block (TB) 37 belonging to the third thermal processing unit section 28 by a roller transport mechanism in the i-line UV irradiation unit (i-UV) 25. It is carried out to.

パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８２・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され（ステップＳ２７）、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８１に搬送されて所定温度に冷却された後（ステップＳ２８）、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される（ステップＳ２９）。   The LCD substrate G arranged in the pass unit (PASS) 77 is transferred to the post processing unit block (POBAKE) 78, 79, 80 of the thermal processing unit block (TB) 37 and the thermal processing unit block ( TB) is transferred to one of the post-baking units (POBAKE) 82, 83, 84 of the 38 and post-baked (step S27), and then the pass / cooling unit (PASS / COL) of the thermal processing unit block (TB) 38. ) After being transported to 81 and cooled to a predetermined temperature (step S28), it is accommodated in a predetermined cassette C arranged in the cassette station 1 by the transport device 11 of the cassette station 1 (step S29).

次に、塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０における塗布膜Ｒの膜厚測定とむらの判定方法について、適宜図１１〜図１４を参照しながら説明する。図１１は、塗布膜Ｒのむら判定の内容を概念的に説明するための模式図である。図１１に示すとおり、塗布膜Ｒの膜厚を元に、基板上の任意の測定ポイント間の膜厚の変化率を算出すると、変化率の絶対値が一定の値（しきい値）を超え、他の部位よりも大きくなっている部位（同図中、矢印で示す）を検出できる。後述するように、膜厚変化率が大きな部位は膜厚が局所的に変動している箇所と一致することが確認されている。従って、図１１中、矢印で示す部位がむらとして検出され、むらの有無を判定できる。   Next, the film thickness measurement of the coating film R and the unevenness determination method in the coating film thickness measurement unit (INS) 70 will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a schematic diagram for conceptually explaining the content of unevenness determination of the coating film R. As shown in FIG. 11, when calculating the rate of change of film thickness between arbitrary measurement points on the substrate based on the film thickness of the coating film R, the absolute value of the rate of change exceeds a certain value (threshold value). A part (indicated by an arrow in the figure) that is larger than the other part can be detected. As will be described later, it has been confirmed that the portion where the film thickness change rate is large coincides with the portion where the film thickness varies locally. Therefore, in FIG. 11, the part indicated by the arrow is detected as unevenness, and the presence or absence of unevenness can be determined.

塗布膜Ｒの膜厚の測定ポイントは、例えばＬＣＤ基板Ｇに対してＸ方向もしくはＹ方向に直線的に並ぶように選択してもよく、または、Ｘ方向とＹ方向の両方でもよく、さらには、ＬＣＤ基板Ｇの各辺に対して所定の角度をもって斜め方向に測定してもよい。あるいは、一枚のＬＣＤ基板Ｇの略全面を網羅できるように例えば螺旋状に測定を行ってもよい。   The measurement point of the film thickness of the coating film R may be selected, for example, so as to be linearly arranged in the X direction or the Y direction with respect to the LCD substrate G, or may be both in the X direction and the Y direction. The measurement may be performed in an oblique direction with a predetermined angle with respect to each side of the LCD substrate G. Alternatively, for example, the measurement may be performed in a spiral shape so that substantially the entire surface of one LCD substrate G can be covered.

本発明では、測定ポイント間の膜厚変化率（つまり膜厚曲線の傾き）を基準にするため、むら判定を行うための測定ポイントの選択が重要な要素になる。つまり、膜厚変化率を算出する基礎となる膜厚測定ポイント間の距離をどの程度に設定するか、によって、膜厚の変化率のデータが変化する。例えば、局所的なむらを検出するためには、該局所的なむらに起因する膜厚変動が明瞭になるように、膜厚測定ポイントの距離を小さく設定することが重要である。一方、ＬＣＤ基板Ｇ上の塗布膜Ｒ表面の広範囲に亘ってブロードな膜厚むらが形成されている場合には、膜厚変動率算出の基礎となる測定ポイント間の距離を広めに設定した方が、広範囲の膜厚変動を検出しやすい。このように、膜厚変動率算出の基礎となる測定ポイント間の距離は、目的に応じ、例えばＬＣＤ基板Ｇ上の１０００の測定ポイントの膜厚を測定した場合、隣接する９９９測定ポイント間の膜厚変化率と、５０測定ポイント毎の膜厚変化率を算出し、局所的な膜厚変動と広範囲の膜厚変動の両方を検出できるようにしてもよい。具体的には、ＬＣＤ基板Ｇの長辺の長さが２２００ｍｍである場合、膜厚変化率の基礎とする測定ポイントの間隔を例えば０．１〜２．０ｍｍとすることにより、局所的な塗布むらを判定することができる。他方、膜厚変化率の基礎とする測定ポイントの間隔を１〜２０ｍｍとすることにより、緩やかな凹凸の塗布むらを判定することができる。   In the present invention, since the rate of change in film thickness between measurement points (that is, the slope of the film thickness curve) is used as a reference, the selection of measurement points for performing unevenness determination is an important factor. That is, the data on the change rate of the film thickness changes depending on how much the distance between the film thickness measurement points that is the basis for calculating the film thickness change rate is set. For example, in order to detect local unevenness, it is important to set the distance of the film thickness measurement point to be small so that the film thickness variation caused by the local unevenness becomes clear. On the other hand, when broad film thickness unevenness is formed over a wide range of the surface of the coating film R on the LCD substrate G, the distance between the measurement points that is the basis for calculating the film thickness variation rate is set wider. However, it is easy to detect a wide range of film thickness fluctuations. As described above, the distance between the measurement points serving as a basis for calculating the film thickness variation rate is determined according to the purpose, for example, when the film thickness of 1000 measurement points on the LCD substrate G is measured, the film between adjacent 999 measurement points. The thickness change rate and the film thickness change rate for every 50 measurement points may be calculated so that both local film thickness fluctuations and wide-range film thickness fluctuations can be detected. Specifically, when the length of the long side of the LCD substrate G is 2200 mm, the distance between the measurement points on the basis of the rate of change in film thickness is set to 0.1 to 2.0 mm, for example. Unevenness can be determined. On the other hand, by setting the interval between the measurement points as the basis of the rate of change in film thickness to 1 to 20 mm, it is possible to determine the uneven uneven application of unevenness.

また、膜厚変化率算出の基礎とすべき膜厚の測定ポイントの間隔は、塗布膜Ｒの膜種や塗布膜厚、処理目的（求められるエッチング精度）、想定されるむらの種類（例えば、縦筋、横縞、ほうき筋、濃淡むら）などに応じても、適宜選択することが可能である。この場合、測定ポイントの全てを変化率算出の基礎としてもよいが、任意の測定ポイントの膜厚を選択して変化率算出の基礎としてもよい。   In addition, the distance between the measurement points of the film thickness that should be the basis for calculating the film thickness change rate is the film type of the coating film R, the coating film thickness, the processing purpose (required etching accuracy), and the type of unevenness (for example, Depending on vertical stripes, horizontal stripes, broom stripes, shading unevenness, etc., it is possible to select appropriately. In this case, all of the measurement points may be used as the basis for calculating the change rate, but the film thickness of an arbitrary measurement point may be selected as the basis for calculating the change rate.

また、塗布むらの判定基準となるしきい値は、塗布膜Ｒの膜種や、平均塗布膜厚、処理目的（求められるエッチング精度）、想定されるむらの種類（例えば、縦筋、横縞、ほうき筋、濃淡むら）などに応じて適宜設定することが可能である。   In addition, the threshold value that is a criterion for coating unevenness includes the film type of the coating film R, the average coating thickness, the processing purpose (required etching accuracy), and the type of unevenness (for example, vertical stripes, horizontal stripes, It can be set as appropriate according to the broom line, shading unevenness, and the like.

塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０における膜厚の測定は、例えば図１２に示す手順で行われる。図９において、塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０の光源２０１および受光部２０２は、前記のように走査駆動により同期してＬＣＤ基板Ｇの上方を例えばＸ、Ｙ方向に走査できるようになっている。そして、ＬＣＤ基板Ｇの上を走査しながら、光源２０１によりＬＣＤ基板Ｇの上面に所定角度で光を照射し、各測定ポイントにおける反射光を受光部２０２により受光し、分光部２０３で各波長の光に分光する。分光部２０３より出力される各波長光のアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器２０４によりデジタル信号に変換され、制御部１０１に送出される。   The measurement of the film thickness in the coating film thickness measuring unit (INS) 70 is performed, for example, according to the procedure shown in FIG. In FIG. 9, the light source 201 and the light receiving unit 202 of the coating film thickness measurement unit (INS) 70 can scan the upper part of the LCD substrate G in, for example, the X and Y directions in synchronization with the scanning drive as described above. Yes. Then, while scanning on the LCD substrate G, the light source 201 irradiates light on the upper surface of the LCD substrate G at a predetermined angle, the reflected light at each measurement point is received by the light receiving unit 202, and the spectroscopic unit 203 has each wavelength. Spectroscopy into light. An analog signal of each wavelength light output from the spectroscopic unit 203 is converted into a digital signal by the A / D converter 204 and sent to the control unit 101.

制御部１０１では、予め記憶部１０４に保存されたＬＣＤ基板Ｇおよびその表面に形成されたレジスト膜Ｒの膜種毎の屈折率を元に、コントローラ１０２が、これらの屈折率と、分光部２０３から送られた各波長光のデータとを解析し、例えば７つの波長において屈折率のマッチングを行うことによって、各測定ポイントにおける膜厚を算出する（ステップＳ３１）。なお、膜厚測定の手法は、この方法に限るものではなく、例えば、単一波長エリプソメーター、分光エリプソメーターなどを採用できる。   In the control unit 101, based on the refractive index for each film type of the LCD substrate G and the resist film R formed on the surface of the LCD substrate G stored in advance in the storage unit 104, the controller 102 determines the refractive index and the spectroscopic unit 203. The film thicknesses at the respective measurement points are calculated by analyzing the data of each wavelength light transmitted from and performing, for example, refractive index matching at seven wavelengths (step S31). The method of measuring the film thickness is not limited to this method, and for example, a single wavelength ellipsometer, a spectroscopic ellipsometer, or the like can be adopted.

コントローラ１０２は、各測定ポイントにおける膜厚の測定値と、予め設定された測定ポイント間の距離を元に、任意の２測定ポイント間における膜厚の変化率を計算する（ステップＳ３２）。そして、得られた膜厚の変化率と、記憶部１０４に記憶されているしきい値とを比較する（ステップＳ３３）。比較の結果、しきい値を超える膜厚変化率の部位がある場合（Ｙｅｓ）には、当該ＬＣＤ基板Ｇ上の塗布膜Ｒは「むら有り」であると判定し、しきい値を超える膜厚変化率の部位が存在しない場合（Ｎｏ）には、当該ＬＣＤ基板Ｇ上の塗布膜Ｒは「むらなし」であると判定する（ステップＳ３４）。このような判定結果は、ユーザーインターフェイス１０３へ送られ、例えばモニタに表示される。以上のステップＳ３１〜ステップＳ３４の処理を実施することによって、ＬＣＤ基板Ｇ上の塗布膜Ｒのむらを判定できる。   The controller 102 calculates the change rate of the film thickness between any two measurement points based on the measurement value of the film thickness at each measurement point and the distance between the measurement points set in advance (step S32). Then, the obtained change rate of the film thickness is compared with the threshold value stored in the storage unit 104 (step S33). As a result of the comparison, if there is a portion having a film thickness change rate exceeding the threshold (Yes), it is determined that the coating film R on the LCD substrate G is “uneven”, and the film exceeds the threshold. When there is no thickness change rate portion (No), it is determined that the coating film R on the LCD substrate G is “no unevenness” (step S34). Such a determination result is sent to the user interface 103 and displayed on a monitor, for example. By performing the processes of steps S31 to S34 described above, the unevenness of the coating film R on the LCD substrate G can be determined.

前記のように、塗布膜Ｒにしきい値を超えるむらが存在するＬＣＤ基板Ｇは、ＬＣＤ製品の信頼性を損なうおそれがあるため、例えばダミー処理に切替えることによってその後の処理を中止し、塗布膜Ｒを剥離してＬＣＤ基板Ｇを再利用したり、あるいは破棄する。しかし、塗布膜Ｒのむらが、例えば図１３に示すように、ＬＣＤ製品の製品化領域から外れて存在しているのであれば、製品の信頼性には何ら悪影響を及ぼさない可能性がある。図１３は、１枚のＬＣＤ基板Ｇから４枚のＬＣＤ製品Ｐを加工する、所謂４面取りのケースであり、図示のように、むらはＬＣＤ製品Ｐの加工領域から外れた位置に存在している。   As described above, the LCD substrate G in which unevenness exceeding the threshold value exists in the coating film R may impair the reliability of the LCD product. Therefore, the subsequent processing is stopped by switching to the dummy processing, for example. R is peeled off and the LCD substrate G is reused or discarded. However, if the unevenness of the coating film R exists outside the commercialized area of the LCD product as shown in FIG. 13, for example, there is a possibility that the reliability of the product is not adversely affected. FIG. 13 shows a so-called four-chamfer case in which four LCD products P are processed from one LCD substrate G. As shown in the figure, unevenness exists at a position outside the processing region of the LCD product P. Yes.

このような場合には、例えば図１４に示す手順により、むら判定とむら位置の判定とを組み合わせることにより、処理を中止するか否かの判断が可能になる。図１４のステップＳ４１〜ステップＳ４４までは、図１２のステップＳ３１〜ステップＳ３４までと同様である。ステップＳ４４で膜厚の変化率がしきい値より大きく（Ｙｅｓ）、むら有りと判定された場合、ステップＳ４５で、むら位置の判定を行う。そして、むらの存在する位置が、製品加工領域から外れている場合（Ｎｏ）には、ＬＣＤ製品Ｐへの悪影響はないと考えられるので、次の処理、例えば周辺露光処理（図１０参照）へ進む。一方、むらの存在する位置が、製品加工領域内にある場合には、製品への影響を考慮し、例えばダミー処理を行うことにより以降の処理を中止したり、そのまま次の処理、例えば周辺露光処理へ進む場合でも、むらの存在しない加工領域だけを部分利用するといった対応が可能になる。   In such a case, for example, according to the procedure shown in FIG. 14, it is possible to determine whether or not to stop the process by combining the unevenness determination and the unevenness position determination. Steps S41 to S44 in FIG. 14 are the same as steps S31 to S34 in FIG. If the change rate of the film thickness is larger than the threshold value in step S44 (Yes) and it is determined that there is unevenness, the uneven position is determined in step S45. When the uneven position is out of the product processing area (No), it is considered that there is no adverse effect on the LCD product P, so that the next process, for example, the peripheral exposure process (see FIG. 10) is performed. move on. On the other hand, if the position where the unevenness is present is in the product processing area, considering the influence on the product, for example, dummy processing is performed to stop subsequent processing, or the next processing is performed, for example, peripheral exposure. Even in the case of proceeding to the processing, it is possible to cope with a partial use of only the machining area where there is no unevenness.

次に、図１５〜図２２を参照しながら、本発明の効果を確認した試験結果について説明する。
図１５（ａ）に図示のように、レジストが塗布され塗布膜Ｒが形成されたＬＣＤ基板Ｇに対し、長手方向に連続する測定ポイントで塗布膜Ｒの膜厚測定を実施した。その結果を図１５（ｂ）に示す。なお、このＬＣＤ基板Ｇには、目視により図１５（ａ）に示すように測定ポイント方向と直交する方向にむらが識別された。測定ポイント間（１００ｍｍ間隔）における膜厚の変化率を求めた結果を図１５（ｃ）に示す。図１５（ａ）〜（ｃ）の比較から、目視により検出されたむらの位置と、膜厚および膜厚変化率の変動のピーク位置とが一致していた。このことより、塗布膜Ｒの膜厚変化率を算出し、しきい値（例えば０．０３ｎｍ／ｍｍ）と比較することによって、塗布膜Ｒのむらの有無を判定できることが確認された。 Next, test results for confirming the effects of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 15A, the film thickness of the coating film R was measured at measurement points continuous in the longitudinal direction on the LCD substrate G on which the resist was coated and the coating film R was formed. The result is shown in FIG. In addition, as shown in FIG. 15A, unevenness was identified on the LCD substrate G in the direction orthogonal to the measurement point direction. FIG. 15C shows the result of determining the rate of change in film thickness between measurement points (100 mm intervals). From the comparison of FIGS. 15A to 15C, the position of the unevenness detected by visual observation coincided with the peak position of the fluctuation of the film thickness and the film thickness change rate. From this, it was confirmed that by calculating the film thickness change rate of the coating film R and comparing it with a threshold value (for example, 0.03 nm / mm), it is possible to determine whether the coating film R is uneven.

図１６は、レジスト供給ノズル１４の幅方向にＬＣＤ基板Ｇの膜厚変化を測定した結果を示している。このケースでは、グラフ中の丸で囲んだ部分Ａ、Ｂの２カ所に膜厚の大きな変動が見られるが、これらの部位に対応して、ＬＣＤ基板Ｇの塗布膜Ｒには、目視によっても濃淡むらが確認された。そして、図１６中のＡ、Ｂの変化率を求めたところ、Ａは約４０ｎｍ／１００ｍｍであり、Ｂは約５０ｎｍ／８０ｍｍであった。この場合、むらの有無を判定する場合のしきい値は３０ｎｍ／１００ｍｍであるため、これらＡ、Ｂの２カ所にむらが存在することが定量的に把握できる。   FIG. 16 shows the result of measuring the film thickness change of the LCD substrate G in the width direction of the resist supply nozzle 14. In this case, large fluctuations in the film thickness are observed at two places A and B surrounded by circles in the graph. The coating film R on the LCD substrate G corresponding to these parts is also visually observed. Shading unevenness was confirmed. And when the change rate of A and B in FIG. 16 was calculated | required, A was about 40 nm / 100mm and B was about 50 nm / 80 mm. In this case, since the threshold value for determining the presence or absence of unevenness is 30 nm / 100 mm, it can be quantitatively grasped that unevenness exists at these two locations A and B.

図１７は、ほうき筋が発生したＬＣＤ基板Ｇの塗布膜Ｒの膜厚変化をグラフ化したものである。ほうき筋は、通常、塗布開始部から３０ｍｍ程度の範囲においてレジスト供給ノズル１４とＬＣＤ基板Ｇとの相対移動方向（スキャン方向）に沿って複数発生するものである。図１７は、複数のほうき筋の中の一本を横切るように塗布膜Ｒの膜厚測定を行っており、同図中、測定位置１４０ｍｍ〜１５０ｍｍ付近での断続的な黒丸で示すＶ字型の谷部分がほうき筋の断面に該当する。そして、図１７中のほうき筋断面部分（Ｖ字谷の両側斜面）の膜厚変化率を求めたところ、４０ｎｍ／１０ｍｍおよび２０ｎｍ／１０ｍｍであった。この場合、むらの有無を判定する場合のしきい値は１０ｎｍ／１０ｍｍであるため、この部分にむらが存在することを定量的に把握できた。   FIG. 17 is a graph showing changes in the film thickness of the coating film R of the LCD substrate G on which brooms are generated. A plurality of broom stripes are usually generated along the relative movement direction (scanning direction) between the resist supply nozzle 14 and the LCD substrate G within a range of about 30 mm from the application start portion. In FIG. 17, the film thickness of the coating film R is measured so as to cross one of a plurality of broom muscles. In the figure, a V-shape indicated by intermittent black circles in the vicinity of a measurement position of 140 mm to 150 mm. The valley part corresponds to the cross section of the broom. And when the film thickness change rate of the cross section part (both side slopes of V-shaped valley) in FIG. 17 was calculated | required, they were 40 nm / 10mm and 20 nm / 10mm. In this case, since the threshold value for determining the presence or absence of unevenness is 10 nm / 10 mm, it can be quantitatively grasped that unevenness exists in this portion.

図１８および図１９は、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂにおける減圧乾燥時の支持ピンの転写跡による塗布膜Ｒのむらの測定結果である。図１８はレジスト供給ノズル１４の幅方向（図５のＹ方向）にＬＣＤ基板Ｇの塗布膜Ｒの膜厚変化を測定した結果を示し、図１９は、レジスト供給ノズル１４とＬＣＤ基板Ｇとの相対移動方向（図５のＸ方向）にＬＣＤ基板Ｇの膜厚変化を測定した結果を示している。この図１８および図１９のグラフでは、横軸の測定位置０の位置が支持ピンの位置であり、ほぼこの位置にオーバーラップするように転写跡による膜厚の減少が発生している。そして、図１８中の膜厚減少部位の膜厚変化率を求めたところ、１０ｎｍ／１０ｍｍであった。また、図１９中の膜厚減少部位の膜厚変化率を求めたところ、８ｎｍ／１０ｍｍであった。この場合、むらの有無を判定する場合のしきい値は５ｎｍ／１０ｍｍであるため、この部分にむらが存在することを定量的に把握できた。   18 and 19 show the measurement results of the unevenness of the coating film R due to the transfer marks of the support pins at the time of vacuum drying in the vacuum drying apparatus (VD) 23b. 18 shows the result of measuring the film thickness change of the coating film R of the LCD substrate G in the width direction of the resist supply nozzle 14 (Y direction in FIG. 5). FIG. 19 shows the relationship between the resist supply nozzle 14 and the LCD substrate G. The result of having measured the film thickness change of the LCD board | substrate G in the relative movement direction (X direction of FIG. 5) is shown. In the graphs of FIGS. 18 and 19, the position of the measurement position 0 on the horizontal axis is the position of the support pin, and the film thickness is reduced due to the transfer mark so as to substantially overlap this position. And when the film thickness change rate of the film thickness decreasing part in FIG. 18 was calculated | required, it was 10 nm / 10mm. Moreover, it was 8 nm / 10mm when the film thickness change rate of the film thickness reduction part in FIG. 19 was calculated | required. In this case, since the threshold value for determining the presence or absence of unevenness is 5 nm / 10 mm, it was possible to quantitatively grasp the presence of unevenness in this portion.

図２０は、ＬＣＤ基板Ｇの裏面に付着したゴミによる塗布膜Ｒのむらの測定結果であり、レジスト供給ノズル１４とＬＣＤ基板Ｇとの相対移動方向（スキャン方向）にＬＣＤ基板Ｇの膜厚変化を測定した結果を示している。この図２０のグラフでは、横軸の測定位置−４３０ｍｍ付近に裏面ゴミの転写跡による膜厚の変動が発生している。そして、図２０中の膜厚変動部位の膜厚変化率を求めたところ、６０ｎｍ／１５ｍｍであった。この場合、むらの有無を判定する場合のしきい値は１０ｎｍ／１０ｍｍであるため、この部分にむらが存在することを定量的に把握できた。   FIG. 20 is a measurement result of unevenness of the coating film R due to dust adhering to the back surface of the LCD substrate G. The film thickness change of the LCD substrate G in the relative movement direction (scan direction) between the resist supply nozzle 14 and the LCD substrate G is shown in FIG. The measurement results are shown. In the graph of FIG. 20, the film thickness fluctuates due to the transfer mark of the backside dust near the measurement position of −430 mm on the horizontal axis. And when the film thickness change rate of the film thickness variation part in FIG. 20 was calculated | required, it was 60 nm / 15mm. In this case, since the threshold value for determining the presence or absence of unevenness is 10 nm / 10 mm, it can be quantitatively grasped that unevenness exists in this portion.

図２１は、塗布膜Ｒに顕れたＶ字むら付近の膜厚測定結果である。Ｖ字むらは、レジスト供給ノズル１４とＬＣＤ基板Ｇとの相対移動方向（スキャン方向）に、複数枚のＬＣＤ基板Ｇに渡って平面視Ｖ字状のむらが水紋のように幾重にも形成される現象である。この図２１のグラフでは、横軸の測定位置０を中心に±１５ｍｍ付近の丸印ａ，ｂの２カ所に急激な膜厚の変動が見られた。そして、図２１中の膜厚変動部位の膜厚変化率を求めたところ、ａは５０ｎｍ／５ｍｍであり、ｂは３０ｎｍ／５ｍｍであった。この場合、むらの有無を判定する場合のしきい値はともに２０ｎｍ／５ｍｍであるため、この部分にむらが存在することを定量的に把握できた。   FIG. 21 shows the film thickness measurement result in the vicinity of the V-shaped unevenness that appears in the coating film R. In the relative movement direction (scan direction) between the resist supply nozzle 14 and the LCD substrate G, V-shaped unevenness is formed in layers such as a water pattern over a plurality of LCD substrates G in a water-like manner. It is a phenomenon. In the graph of FIG. 21, sharp film thickness fluctuations were observed at two locations indicated by circles a and b near ± 15 mm with the measurement position 0 on the horizontal axis as the center. And when the film thickness change rate of the film thickness variation site | part in FIG. 21 was calculated | required, a was 50 nm / 5mm and b was 30 nm / 5mm. In this case, since the threshold values for determining the presence or absence of unevenness are both 20 nm / 5 mm, it was possible to quantitatively grasp the presence of unevenness in this portion.

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、上記説明においては、塗布膜Ｒとしてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない有機膜等の絶縁膜や、カラーフィルター用の色彩レジスト膜などであってもよい。   As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to such a form. For example, in the above description, a resist film is taken up as the coating film R. However, the coating film is not limited to this, and an insulating film such as an antireflection film or a non-photosensitive organic film, or a color filter. For example, a color resist film may be used.

また、本発明は、ＬＣＤ用のガラス基板の処理に限らず、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、蛍光表示管（Vacuum Fluorescent Display；ＶＦＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等に使用する各種ＦＰＤ用基板に塗布膜の形成を行う場合にも同様に適用できる。   Further, the present invention is not limited to the processing of a glass substrate for LCD, but for example, a light emitting diode (LED) display, an electroluminescence (EL) display, a fluorescent display tube (VFD), a plasma display panel. The present invention can be similarly applied to the case where a coating film is formed on various FPD substrates used for (PDP) or the like.

また、上記説明では、レジスト塗布装置（ＣＴ）２３における基板搬送機構として、ステージ１２上でＬＣＤ基板Ｇを浮上させて搬送する形態を取り上げたが、基板Ｇの搬送には、Ｙ方向に所定間隔でコロが設けられた軸部材をＸ方向に所定間隔で並べ、この軸部材を回転させることによりコロに載せられたＬＣＤ基板Ｇを移動させる、所謂、コロ搬送機構を用いてもよいし、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端をベルトに載せて搬送させてもよい。   In the above description, the LCD substrate G is lifted and transported on the stage 12 as the substrate transport mechanism in the resist coating apparatus (CT) 23. However, the substrate G is transported at a predetermined interval in the Y direction. A so-called roller transport mechanism may be used in which the shaft members provided with rollers are arranged in the X direction at predetermined intervals and the LCD substrate G placed on the rollers is moved by rotating the shaft members. The Y-direction end of the substrate G may be carried on a belt.

なお、むらの有無の判断を、膜厚変化率をさらに微分した値で判断してもよく、例えば図１７のように膜厚がゆっくり変化する場合など、膜厚変化率だけでは判断が難しい場合などに有効である。   Note that the presence or absence of unevenness may be determined by a value obtained by further differentiating the film thickness change rate. For example, when the film thickness changes slowly as shown in FIG. This is effective.

また、むらの有無の判定をステップＳ２８の冷却処理とステップＳ２９の基板をカセットに収容する処理の間に行ってもよい。この場合は、塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）７０を熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７または熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８に搭載すればよい。   Further, the presence / absence of unevenness may be determined between the cooling process of step S28 and the process of storing the substrate in step S29 in the cassette. In this case, the coating film thickness measurement unit (INS) 70 may be mounted on the thermal processing unit block (TB) 37 or the thermal processing unit block (TB) 38.

本発明は、ＦＰＤ用基板等の大型基板に、レジスト膜等の塗布膜を形成する処理を行う場合に好適に利用できる。   The present invention can be suitably used when processing for forming a coating film such as a resist film on a large substrate such as an FPD substrate.

本発明の一実施形態であるレジスト塗布装置を具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。1 is a schematic plan view of a resist coating / development processing system including a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention. 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。FIG. 2 is a side view showing a first thermal processing unit section of the resist coating / development processing system shown in FIG. 1. 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。The side view which shows the 2nd thermal processing unit section of the resist application | coating / development processing system shown in FIG. 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。The side view which shows the 3rd thermal processing unit section of the resist application | coating / development processing system shown in FIG. レジスト塗布処理ユニットの概略平面図。The schematic plan view of a resist application | coating process unit. レジスト塗布処理ユニットに設けられる基板搬送機構の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the board | substrate conveyance mechanism provided in a resist application | coating process unit. レジスト供給ノズルの概略斜視図。The schematic perspective view of a resist supply nozzle. レジスト供給ノズルとノズル移動機構の概略構成を示す正面図。The front view which shows schematic structure of a resist supply nozzle and a nozzle moving mechanism. 塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）の概略構成を示す模式図。The schematic diagram which shows schematic structure of a coating film thickness measurement unit (INS). 基板処理の流れを示すフロー図。The flowchart which shows the flow of a board | substrate process. 膜厚変化率とむらとの関係を示す概念図。The conceptual diagram which shows the relationship between a film thickness change rate and nonuniformity. むら判定の手順を示すフロー図。The flowchart which shows the procedure of nonuniformity determination. ４面取りのＬＣＤ基板におけるむらと製品加工領域との関係を説明する模式図。The schematic diagram explaining the relationship between the nonuniformity in a 4 chamfering LCD board | substrate, and a product processing area | region. むら判定およびむら位置判定の手順を示すフロー図。The flowchart which shows the procedure of nonuniformity determination and nonuniformity position determination. むら判定の試験結果を示す図面であり、（ａ）は測定ポイントとむらの位置を示す概略図であり、（ｂ）は膜厚測定結果を示すグラフであり、（ｃ）は膜厚変化率を示すグラフである。It is drawing which shows the test result of nonuniformity, (a) is the schematic which shows the position of a measurement point and nonuniformity, (b) is a graph which shows a film thickness measurement result, (c) is a film thickness change rate. It is a graph which shows. 濃淡むらが発生した塗布膜の膜厚測定結果を示す図面。Drawing which shows the film thickness measurement result of the coating film in which the shading unevenness generate | occur | produced. ほうき筋が発生した塗布膜の膜厚測定結果を示す図面。The figure which shows the film thickness measurement result of the coating film which the broomstick generate | occur | produced. 支持ピンの転写跡が発生した塗布膜のノズル幅方向の膜厚測定結果を示す図面。The figure which shows the film thickness measurement result of the nozzle width direction of the coating film in which the transfer trace of the support pin generate | occur | produced. 支持ピンの転写跡が発生した塗布膜のノズル相対移動方向の膜厚測定結果を示す図面。The figure which shows the film thickness measurement result of the nozzle relative movement direction of the coating film which the transfer trace of the support pin generate | occur | produced. 裏面ごみの転写跡が発生した塗布膜の膜厚測定結果を示す図面。The figure which shows the film thickness measurement result of the coating film in which the transfer trace of back surface garbage generate | occur | produced. Ｖ字むらが発生した塗布膜のノズル幅方向の膜厚測定結果を示す図面。The figure which shows the film thickness measurement result of the nozzle width direction of the coating film which V-shaped nonuniformity generate | occur | produced. レジスト膜厚と線幅（ＣＤ）としきい露光エネルギー（Ｅｔｈ）との関係を示すグラフ図。The graph which shows the relationship between a resist film thickness, line | wire width (CD), and threshold exposure energy (Eth).

符号の説明Explanation of symbols

１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
１２；ステージ
１３；基板搬送機構
１４；レジスト供給ノズル
１５；ノズル洗浄ユニット
１６：ガス噴射口
２０；ノズル移動機構
２３；レジスト塗布処理ユニット
２３ａ；レジスト塗布装置（ＣＴ）
５７；ダミーディスペンス部
５８；ノズルバス
５９；ノズル洗浄機構
７０；塗布膜厚計測ユニット（ＩＮＳ）
１００；レジスト塗布・現像処理システム
１０１；制御部
１０２；コントローラ
１０３；ユーザーインターフェイス
１０４；記憶部
２０１；光源
２０２；受光部
２０３；分光部
２０４；Ａ／Ｄ変換器
Ｇ；ＬＣＤ基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1; Cassette station 2; Processing station 3; Interface station 12; Stage 13; Substrate conveyance mechanism 14; Resist supply nozzle 15; Nozzle cleaning unit 16: Gas injection port 20; Nozzle movement mechanism 23; Resist application processing unit 23a; Equipment (CT)
57; Dummy dispenser 58; Nozzle bath 59; Nozzle cleaning mechanism 70; Coating thickness measurement unit (INS)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100; Resist coating / development processing system 101; Control part 102; Controller 103; User interface 104; Storage part 201; Light source 202; Light receiving part 203; Spectroscopic part 204; A / D converter G;

Claims (22)

基板上に形成された塗布膜の膜厚のむらを検出するむら検出方法であって、
前記塗布膜上の複数の測定ポイントの膜厚を測定する膜厚測定工程と、
測定された各測定ポイントの膜厚から、任意の測定ポイント間における膜厚の変化率を求める演算工程と、
前記変化率を、予め設定されたしきい値と比較することにより、むらの有無を判定する判定工程と、
を含むことを特徴とする、塗布膜のむら検出方法。 An unevenness detection method for detecting unevenness in the thickness of a coating film formed on a substrate,
A film thickness measuring step for measuring the film thickness of a plurality of measurement points on the coating film;
From the measured film thickness of each measurement point, a calculation process for determining the rate of change of film thickness between arbitrary measurement points;
A determination step of determining the presence or absence of unevenness by comparing the rate of change with a preset threshold value;
A method for detecting unevenness of a coating film, comprising: 前記しきい値は、前記測定ポイント間の距離に応じて設定されていることを特徴とする、請求項１に記載の塗布膜のむら検出方法。   The method of claim 1, wherein the threshold value is set according to a distance between the measurement points. 前記しきい値は、塗布膜の平均膜厚に応じて設定されていることを特徴とする、請求項１に記載の塗布膜のむら検出方法。   2. The coating film non-uniformity detection method according to claim 1, wherein the threshold value is set according to an average film thickness of the coating film. 前記しきい値は、塗布膜の種類に応じて設定されていることを特徴とする、請求項１に記載の塗布膜のむら検出方法。   2. The coating film non-uniformity detection method according to claim 1, wherein the threshold value is set according to a type of the coating film. 前記判定工程の後に、むらの位置が所定の領域内にあるか否かを判定する位置判定工程を含むことを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の塗布膜のむら検出方法。   The coating film according to any one of claims 1 to 4, further comprising a position determination step for determining whether or not the position of the unevenness is within a predetermined region after the determination step. Unevenness detection method. 前記基板がＦＰＤ用基板であることを特徴とする、請求項５に記載の塗布膜のむら検出方法。   6. The coating film non-uniformity detection method according to claim 5, wherein the substrate is an FPD substrate. 前記塗布膜がレジスト膜、有機膜またはカラーフィルター用の色彩レジスト膜であることを特徴とする、請求項６に記載の塗布膜のむら検出方法。   The coating film non-uniformity detection method according to claim 6, wherein the coating film is a resist film, an organic film, or a color resist film for a color filter. 基板上に形成された塗布膜の膜厚のむらを検出する塗布膜のむら検出用プログラムであって、コンピュータに、少なくとも、
前記塗布膜上の複数の測定ポイントの膜厚を測定する膜厚測定ステップと、
測定された各測定ポイントの膜厚から、任意の測定ポイント間における膜厚の変化率を求める演算ステップと、
前記変化率を、予め設定されたしきい値と比較することにより、むらの有無を判定する判定ステップと、
を含むことを特徴とする、塗布膜のむら検出用プログラム。 A non-uniformity detection program for a coating film for detecting non-uniformity in the thickness of a coating film formed on a substrate, the computer comprising at least:
A film thickness measurement step for measuring the film thickness of a plurality of measurement points on the coating film;
A calculation step for obtaining a rate of change in film thickness between arbitrary measurement points from the measured film thickness of each measurement point;
A determination step of determining the presence or absence of unevenness by comparing the rate of change with a preset threshold value;
A program for detecting unevenness of a coating film, comprising: 前記しきい値は、前記測定ポイント間の距離に応じて設定されていることを特徴とする、請求項８に記載の塗布膜のむら検出用プログラム。   9. The program for detecting unevenness of a coating film according to claim 8, wherein the threshold value is set according to a distance between the measurement points. 前記しきい値は、塗布膜の平均膜厚に応じて設定されていることを特徴とする、請求項８に記載の塗布膜のむら検出用プログラム。   The program for unevenness detection of a coating film according to claim 8, wherein the threshold value is set according to an average film thickness of the coating film. 前記しきい値は、塗布膜の種類に応じて設定されていることを特徴とする、請求項８に記載の塗布膜のむら検出用プログラム。   9. The coating film non-uniformity detection program according to claim 8, wherein the threshold value is set according to a type of the coating film. 前記判定ステップの後に、むらの位置が所定の領域内にあるか否かを判定する位置判定ステップを含むことを特徴とする、請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の塗布膜のむら検出用プログラム。   The coating film according to any one of claims 8 to 11, further comprising a position determination step for determining whether or not the position of the unevenness is within a predetermined region after the determination step. Non-uniformity detection program. 前記基板がＦＰＤ用基板であることを特徴とする、請求項１２に記載の塗布膜のむら検出用プログラム。   The program for detecting coating film unevenness according to claim 12, wherein the substrate is an FPD substrate. 前記塗布膜がレジスト膜、有機膜またはカラーフィルター用の色彩レジスト膜であることを特徴とする、請求項１３に記載の塗布膜のむら検出用プログラム。   14. The program for detecting unevenness of a coating film according to claim 13, wherein the coating film is a resist film, an organic film, or a color resist film for a color filter. 基板にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成する塗布工程と、前記レジスト膜を露光処理する露光工程と、露光処理後のレジスト膜を現像処理してパターン形成する現像工程と、を含む基板処理方法であって、
前記塗布工程の後、複数の測定ポイントにおいて前記レジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定工程と、
測定された各測定ポイントの膜厚から、任意の測定ポイント間における膜厚の変化率を求める演算工程と、
前記変化率を、予め設定されたしきい値と比較することにより、むらの有無を判定する判定工程と、
を含むことを特徴とする、基板処理方法。 Substrate processing comprising: a coating process for applying a resist solution to a substrate to form a resist film; an exposure process for exposing the resist film; and a developing process for developing a pattern by developing the resist film after the exposure process A method,
After the coating process, a film thickness measuring process for measuring the film thickness of the resist film at a plurality of measurement points;
From the measured film thickness of each measurement point, a calculation process for determining the rate of change of film thickness between arbitrary measurement points;
A determination step of determining the presence or absence of unevenness by comparing the rate of change with a preset threshold value;
The substrate processing method characterized by including. 前記しきい値は、前記測定ポイント間の距離に応じて設定されていることを特徴とする、請求項１５に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 15, wherein the threshold value is set according to a distance between the measurement points. 前記しきい値は、塗布膜の平均膜厚に応じて設定されていることを特徴とする、請求項１５に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 15, wherein the threshold value is set according to an average film thickness of the coating film. 前記しきい値は、塗布膜の種類に応じて設定されていることを特徴とする、請求項１５に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 15, wherein the threshold value is set according to a type of the coating film. 前記判定工程の後に、むらの位置が所定の領域内にあるか否かを判定する位置判定工程を含むことを特徴とする、請求項１５から請求項１８のいずれか１項に記載の基板処理方法。   The substrate processing according to any one of claims 15 to 18, further comprising a position determination step of determining whether or not the position of the unevenness is within a predetermined region after the determination step. Method. 前記基板がＦＰＤ用基板であることを特徴とする、請求項１９に記載の基板処理方法。   The substrate processing method according to claim 19, wherein the substrate is an FPD substrate. 略水平に支持された基板に対して相対移動するノズルによって前記基板の上方から塗布液を吐出して基板上の塗布膜を形成する塗布処理装置と、
前記塗布処理装置によって基板に塗布された塗布膜の膜厚を測定する膜厚測定手段と、
測定された膜厚をもとに、任意の測定ポイント間の膜厚の変化率を求め、塗布むらの有無を判定する制御手段と、
を備えたことを特徴とする、基板処理装置。 A coating processing apparatus that forms a coating film on the substrate by discharging a coating liquid from above the substrate by a nozzle that moves relative to a substantially horizontally supported substrate;
A film thickness measuring means for measuring the film thickness of the coating film applied to the substrate by the coating processing apparatus;
Based on the measured film thickness, a control means for determining the rate of change in film thickness between arbitrary measurement points and determining the presence or absence of coating unevenness;
A substrate processing apparatus comprising: 前記制御手段は、塗布むらの有無の判定とともに、むらの位置が所定の領域内にあるか否かを判定することを特徴とする、請求項２１に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 21, wherein the control unit determines whether or not the position of the unevenness is within a predetermined region, along with the determination of whether or not the application is uneven.
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