JP5658858B2 - Coating apparatus and coating method - Google Patents

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Description

本発明は、塗布装置及び塗布方法に関する。   The present invention relates to a coating apparatus and a coating method.

液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線や電極、カラーフィルタなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、ガラス基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、このレジスト膜をパターン露光する露光工程、その後に当該レジスト膜を現像する現像工程がそれぞれ行われる。   On a glass substrate constituting a display panel such as a liquid crystal display, fine patterns such as wirings, electrodes, and color filters are formed. In general, such a pattern is formed by a technique such as photolithography. In the photolithography method, a resist film forming process for forming a resist film on a glass substrate, an exposure process for pattern exposing the resist film, and a developing process for developing the resist film are performed.

レジスト膜形成工程では、ガラス基板の表面上にレジスト膜を塗布する塗布装置が用いられる。塗布装置としては、例えばガラス基板をステージ上に浮上させて搬送し、ステージに対向して設けられたスリットノズルによって、浮上移動するガラス基板の表面に対してレジストを塗布する構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。   In the resist film forming step, a coating apparatus for applying a resist film on the surface of the glass substrate is used. As a coating apparatus, for example, a structure is known in which a glass substrate is floated and conveyed on a stage, and a resist is applied to the surface of the glass substrate that is lifted and moved by a slit nozzle provided facing the stage. (For example, refer to Patent Document 1).

このような塗布装置においては、従来、工場などに敷設されているエア供給源からのエアをガラス基板に噴射することによって当該ガラス基板を浮上させる構成であったが、エア使用量が大量になってしまうため、近年ではブロアーを用いてエアを供給する構成が提案されている。
特開2005−236092号公報
In such a coating apparatus, conventionally, the glass substrate is floated by jetting air from an air supply source laid in a factory or the like to the glass substrate, but the amount of air used becomes large. Therefore, in recent years, a configuration in which air is supplied using a blower has been proposed.
Japanese Patent Laid-Open No. 2005-236092

しかしながら、ブロアーやコンプレッサー等のエア供給機構によって供給されるエアは、エア供給機構自身の発熱やエアの供給経路内の熱などによって、塗布装置を含む空間の温度、例えば塗布装置が配置されるクリーンルーム内などの温度よりも高くなってしまう。温度差のあるエアをガラス基板に吹き付けることにより、搬送中にガラス基板に温度のムラが発生する可能性がある。搬送中のガラス基板の温度ムラは、レジスト膜の乾燥ムラ、ひいては膜厚ムラの一因となるため、このような温度ムラを軽減する構成が求められている。   However, the air supplied by an air supply mechanism such as a blower or a compressor is a clean room in which the temperature of the space including the coating device, for example, the coating device is arranged due to heat generated by the air supply mechanism itself or heat in the air supply path. It becomes higher than the temperature inside. By blowing air having a temperature difference onto the glass substrate, there is a possibility that temperature unevenness occurs in the glass substrate during conveyance. Since the temperature unevenness of the glass substrate during conveyance contributes to drying unevenness of the resist film and eventually film thickness unevenness, a configuration that reduces such temperature unevenness is demanded.

例えば、近年では、表示パネルの大型化に伴い、製造工程で用いられるガラス基板のサイズも大型化している。大型サイズのガラス基板においては、温度のムラがより顕著に発生する傾向にあり、このような温度ムラを軽減する構成が強く求められている。エア供給機構によって供給されるエアを用いる場合に限られず、例えば工場に敷設されているエア供給源から供給されるエアなど、他の供給源から供給されるエアを用いる場合も同様である。   For example, in recent years, the size of a glass substrate used in a manufacturing process has been increased with an increase in the size of a display panel. In a large-sized glass substrate, temperature unevenness tends to occur more remarkably, and a configuration for reducing such temperature unevenness is strongly demanded. The present invention is not limited to the case of using air supplied by an air supply mechanism, and the same applies to the case of using air supplied from other supply sources such as air supplied from an air supply source installed in a factory.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、基板に発生する温度ムラを軽減することができ、液状体の膜厚ムラの発生を防ぐことができる塗布装置及び塗布方法を提供することにある。   In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a coating apparatus and a coating method that can reduce temperature unevenness generated in a substrate and prevent occurrence of film thickness unevenness of a liquid material. is there.

上記目的を達成するため、本発明に係る塗布装置は、基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、当該基板搬送部によって搬送させつつ前記基板に液状体を塗布する塗布部とを備える塗布装置であって、前記基板搬送部に設けられ、前記基板へ気体を噴出する気体噴出部と、前記気体の温度を調節する温度調節部とを備え、前記基板搬送部は、処理ステージが設けられ、前記塗布部に対応する塗布領域と、搬入側気体噴出用ステージが設けられ、前記基板を搬入する基板搬入領域と、搬出側気体噴出用ステージが設けられ、前記基板を搬出する基板搬出領域とを有し、前記処理ステージのステージ表面には、前記気体を噴出する複数の気体噴出口と、前記基板が搬送される搬送空間を吸引する複数の吸引口とが設けられ、前記処理ステージは、前記吸引口から吸引された前記気体を前記気体噴出口へ循環させる循環経路を有し、前記搬入側気体噴出用ステージ及び前記搬出側気体噴出用ステージの表面には、前記気体を噴出する複数の第二気体噴出口が設けられており、前記温度調節部は、前記処理ステージ、前記搬入側気体噴出用ステージ及び前記搬出側気体噴出用ステージのそれぞれのステージ毎に前記気体の温度を調整可能であることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a coating apparatus according to the present invention includes a substrate transport unit that floats and transports a substrate, and a coating unit that applies a liquid material to the substrate while transporting the substrate by the substrate transport unit. The substrate transport unit includes a gas ejection unit that ejects gas to the substrate, and a temperature adjustment unit that regulates the temperature of the gas, and the substrate transport unit is provided with a processing stage, A coating region corresponding to the coating unit, a loading-side gas ejection stage is provided, a substrate loading region for loading the substrate, and a loading-side gas ejection stage is provided, and a substrate unloading region for unloading the substrate. The stage surface of the processing stage is provided with a plurality of gas jets for ejecting the gas and a plurality of suction ports for sucking a transport space in which the substrate is transported. A circulation path through which the gas sucked from the suction port is circulated to the gas outlet, and a plurality of jets of the gas are ejected onto the surfaces of the carry-in gas jet stage and the carry-out gas jet stage. A second gas ejection port is provided, and the temperature adjustment unit is capable of adjusting the temperature of the gas for each of the processing stage, the carry-in side gas ejection stage, and the carry-out side gas ejection stage. characterized in that there.

本発明によれば、基板へ気体を噴出する気体噴出部が基板搬送部に設けられており、この気体の温度を調節する温度調節部を備えるので、当該温度調節部によって基板へ噴出される気体の温度を調節することができる。これにより、基板に発生する温度ムラを軽減することができ、液状体の膜厚ムラの発生を防ぐことができる。   According to the present invention, the gas ejection part for ejecting gas to the substrate is provided in the substrate transport part, and since the temperature regulation part for regulating the temperature of this gas is provided, the gas ejected to the substrate by the temperature regulation part The temperature of can be adjusted. Thereby, the temperature nonuniformity which generate | occur | produces in a board | substrate can be reduced and generation | occurrence | production of the film thickness nonuniformity of a liquid can be prevented.

上記の塗布装置は、前記基板搬送部は、前記塗布部に対応する塗布領域を有し、前記温度調節部は、前記塗布領域に噴出される前記気体の温度を調節することを特徴とする。
塗布領域では基板上に液状体が塗布されるため、特に気体の温度の管理を高精度に行う必要が高い。本発明によれば、基板搬送部が塗布部に対応する塗布領域を有し、温度調節部が塗布領域に噴出される気体の温度を調節することとしたので、気体の温度の調節が特に求められる塗布領域において基板に温度ムラが発生するのを軽減することができる。
In the coating apparatus, the substrate transport unit has a coating region corresponding to the coating unit, and the temperature adjusting unit adjusts the temperature of the gas ejected to the coating region.
Since the liquid material is applied onto the substrate in the application region, it is particularly necessary to control the temperature of the gas with high accuracy. According to the present invention, since the substrate transport unit has an application region corresponding to the application unit, and the temperature adjustment unit adjusts the temperature of the gas ejected to the application region, adjustment of the gas temperature is particularly required. It is possible to reduce the occurrence of temperature unevenness on the substrate in the applied region.

上記の塗布装置は、前記基板搬送部は、前記基板を搬出する基板搬出領域を有し、前記温度調節部は、前記基板搬出領域に噴出される前記気体の温度を調節することを特徴とする。
液状体が塗布された後に基板に温度ムラが発生すると、当該温度ムラが基板上の液状体に影響を及ぼすことになり、この影響によって液状体の膜厚ムラが発生する可能性ある。本発明によれば、基板搬送部が基板を搬出する基板搬出領域を有し、温度調節部が基板搬出領域に噴出される気体の温度を調節することとしたので、液状体の塗布された基板に温度ムラが発生するのを軽減することができる。これにより、液状体の膜厚のムラを防ぐことができる。
In the coating apparatus, the substrate transport unit includes a substrate unloading region for unloading the substrate, and the temperature adjusting unit adjusts the temperature of the gas ejected to the substrate unloading region. .
When temperature unevenness occurs on the substrate after the liquid material is applied, the temperature unevenness affects the liquid material on the substrate, and this influence may cause unevenness in the film thickness of the liquid material. According to the present invention, since the substrate transport unit has the substrate carry-out region for carrying out the substrate, and the temperature adjusting unit regulates the temperature of the gas ejected to the substrate carry-out region, the substrate coated with the liquid material It is possible to reduce the occurrence of temperature unevenness. Thereby, the nonuniformity of the film thickness of the liquid can be prevented.

上記の塗布装置は、前記基板搬送部は、前記基板を搬入する基板搬入領域を有し、前記温度調節部は、前記基板搬入領域に噴出される前記気体の温度を調節することを特徴とする。
液状体が塗布される前に基板に温度ムラが発生すると、基板の温度ムラが塗布される液状態に影響を及ぼすことになり、この影響によって液状体の膜厚ムラが発生する可能性がある。本発明によれば、基板搬送部が基板を搬入する基板搬入領域を有し、温度調節部が基板搬入領域に噴出される気体の温度を調節することとしたので、液状体の塗布される前の基板に温度ムラが発生するのを軽減することができる。これにより、液状体の膜厚ムラを防ぐことができる。
In the coating apparatus, the substrate transport unit includes a substrate carry-in region for carrying the substrate, and the temperature adjusting unit adjusts the temperature of the gas ejected to the substrate carry-in region. .
If temperature unevenness occurs on the substrate before the liquid material is applied, the temperature unevenness of the substrate affects the liquid state to be applied, and this influence may cause the film thickness unevenness of the liquid material. . According to the present invention, since the substrate transport unit has the substrate carry-in region for carrying the substrate, and the temperature adjusting unit regulates the temperature of the gas ejected into the substrate carry-in region, before the liquid material is applied. It is possible to reduce the occurrence of temperature unevenness in the substrate. Thereby, the film thickness nonuniformity of a liquid can be prevented.

上記の塗布装置は、前記基板搬送部は、前記塗布部に対応する塗布領域を有し、前記温度調節部は、前記基板搬送部のうち前記塗布領域に隣接する領域に噴出される前記気体の温度を調節することを特徴とする。
本発明によれば、基板搬送部が塗布部に対応する塗布領域を有し、温度調節部が基板搬送部のうち塗布領域に隣接する領域に噴出される気体の温度を調節することとしたので、基板に液状体が塗布される前後のタイミングでそれぞれ基板に温度ムラが発生するのを軽減することができる。これにより、液状体の膜厚ムラを効果的に防ぐことができる。
In the coating apparatus, the substrate transport unit has a coating region corresponding to the coating unit, and the temperature adjusting unit is configured to supply the gas ejected to a region adjacent to the coating region in the substrate transport unit. It is characterized by adjusting the temperature.
According to the present invention, the substrate transport unit has a coating region corresponding to the coating unit, and the temperature adjustment unit adjusts the temperature of the gas ejected to the region adjacent to the coating region in the substrate transport unit. It is possible to reduce the occurrence of temperature unevenness on the substrate at the timing before and after the liquid material is applied to the substrate. Thereby, the film thickness nonuniformity of a liquid can be prevented effectively.

上記の塗布装置は、前記基板を搬送する前記搬送空間の温度に合わせるように前記気体の温度を調節することを特徴とする。
搬送中の基板の温度は、当該基板を搬送する搬送空間の温度とほぼ等しくなっている。本発明によれば、基板を搬送する搬送空間の温度に合わせるように気体の温度を調節することとしたので、搬送中の基板の温度が変化するのを防ぐことができる。これにより、基板に温度ムラが発生するのを防ぐことができる。
The coating apparatus is characterized in that the temperature of the gas is adjusted to match the temperature of the transfer space for transferring the substrate.
The temperature of the substrate being transferred is approximately equal to the temperature of the transfer space for transferring the substrate. According to the present invention, since the temperature of the gas is adjusted to match the temperature of the transfer space for transferring the substrate, it is possible to prevent the temperature of the substrate being transferred from changing. Thereby, it is possible to prevent temperature unevenness from occurring on the substrate.

上記の塗布装置は、前記気体の温度を20℃〜25℃の範囲内に調節することを特徴とする。
本発明によれば、気体の温度を常温に近い20℃〜25℃の範囲内に調節することとしたので、温度調節の負担を軽減することができる。
Said coating apparatus adjusts the temperature of the said gas in the range of 20 to 25 degreeC.
According to the present invention, since the temperature of the gas is adjusted within a range of 20 ° C. to 25 ° C. close to normal temperature, the burden of temperature adjustment can be reduced.

上記の塗布装置は、前記基板搬送部は、前記塗布部に対応する塗布領域と、前記基板を搬入する基板搬入領域と、前記基板を搬出する基板搬出領域とを有し、前記温度調節部は、前記塗布領域、前記基板搬入領域及び前記基板搬出領域のそれぞれの領域毎に前記気体の温度を設定することを特徴とする。
本発明によれば、基板搬送部が塗布部に対応する塗布領域と、基板を搬入する基板搬入領域と、基板を搬出する基板搬出領域とを有し、温度調節部が塗布領域、基板搬入領域及び基板搬出領域のそれぞれの領域毎に気体の温度を設定することとしたので、気体の温度をより高精度に調節することができる。
In the coating apparatus, the substrate transport unit includes a coating region corresponding to the coating unit, a substrate loading region for loading the substrate, and a substrate unloading region for unloading the substrate. The gas temperature is set for each of the coating area, the substrate carry-in area, and the substrate carry-out area.
According to the present invention, the substrate transport unit has a coating region corresponding to the coating unit, a substrate carry-in region for carrying in the substrate, and a substrate carry-out region for carrying out the substrate. Since the gas temperature is set for each of the substrate carry-out regions, the gas temperature can be adjusted with higher accuracy.

上記の塗布装置は、前記気体噴出部は、前記搬送空間に気体を噴出することを特徴とする。
本発明によれば、気体噴出部が搬送空間に気体を噴出することとしたので、搬送空間を搬送される基板に温度調節された気体が噴出されることになる。これにより、基板に温度ムラが発生するのを軽減することができる。
In the coating apparatus, the gas ejection unit ejects gas into the transfer space.
According to the present invention, since the gas ejection unit ejects gas into the transport space, the temperature-controlled gas is ejected onto the substrate transported through the transport space. Thereby, it is possible to reduce the occurrence of temperature unevenness in the substrate.

上記の塗布装置は、前記基板搬送部は、前記搬送空間の気体を吸引する吸引機構と、前記吸引機構によって吸引された前記気体を前記気体噴出部へ循環させる循環経路とを有することを特徴とする。
本発明によれば、基板搬送部が搬送空間の気体を吸引する吸引機構と、吸引機構によって吸引された気体を気体噴出部へ循環させる循環経路とを有することとしたので、搬送空間上に配置される温度調節された気体を吸引し、当該気体を循環させて搬送空間へ噴出することができる。これにより、温度調節の負担を軽減することができる。
In the coating apparatus, the substrate transport unit includes a suction mechanism that sucks the gas in the transport space, and a circulation path that circulates the gas sucked by the suction mechanism to the gas ejection unit. To do.
According to the present invention, the substrate transport unit has the suction mechanism for sucking the gas in the transport space and the circulation path for circulating the gas sucked by the suction mechanism to the gas ejection unit. The temperature-adjusted gas is sucked, and the gas can be circulated and ejected to the transfer space. Thereby, the burden of temperature control can be reduced.

上記の塗布装置は、前記循環流路は、前記気体に含まれる異物の流通を規制するフィルタを有することを特徴とする。
本発明によれば、循環流路が気体に含まれる異物の流通を規制するフィルタを有することとしたので、循環されて噴出される気体に異物が混入するのを防ぐことができる。
In the coating apparatus, the circulation flow path includes a filter that regulates the flow of foreign substances contained in the gas.
According to the present invention, since the circulation channel has the filter that regulates the flow of the foreign matter contained in the gas, it is possible to prevent the foreign matter from being mixed into the gas that is circulated and ejected.

上記の塗布装置は、前記気体を供給する経路上には、前記基板を搬送する前記搬送空間の温度を一定温度に保つように冷却機構及び加熱機構のうち少なくとも一方が設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、気体を供給する経路上には、基板を搬送する搬送空間の温度を一定温度に保つように冷却機構及び加熱機構のうち少なくとも一方が設けられていることとしたので、当該冷却機構、加熱機構によって気体の温度を調節することができる。
In the coating apparatus, at least one of a cooling mechanism and a heating mechanism is provided on the path for supplying the gas so as to keep the temperature of the transfer space for transferring the substrate at a constant temperature. And
According to the present invention, on the gas supply path, at least one of the cooling mechanism and the heating mechanism is provided so as to keep the temperature of the transfer space for transferring the substrate at a constant temperature. The temperature of the gas can be adjusted by a cooling mechanism and a heating mechanism.

本発明に係る塗布方法は、基板を浮上させて搬送しつつ前記基板に液状体を塗布する塗布方法であって、気体の温度を調節し、温度が調節された前記気体を前記基板に噴出して前記基板を浮上させるものであり、前記基板に前記液状体を塗布する際には、複数の気体噴出口及び複数の吸引口が設けられ前記液状体が塗布される領域に対応して配置された処理ステージ上に、複数の前記気体噴出口から前記気体を噴出すると共に複数の前記吸引口によって前記基板が搬送される搬送空間を吸引することにより、前記基板を浮上させることと、前記吸引口から吸引された前記気体を前記気体噴出口へ循環させることとを行い、前記基板を搬入する際には、複数の搬入側気体噴出口が設けられた搬入側気体噴出用ステージ上に、複数の前記搬入側気体噴出口から前記基板へ気体を噴出することにより、前記基板を浮上させることを行い、前記基板を搬出する際には、複数の搬出側気体噴出口が設けられた搬出側気体噴出用ステージ上に、複数の前記搬出側気体噴出口から前記基板へ気体を噴出することにより、前記基板を浮上させることを行い、前記気体の温度の調節は、前記処理ステージ、前記搬入側気体噴出用ステージ及び前記搬出側気体噴出用ステージのそれぞれのステージ毎に行うことを特徴とする。
本発明によれば、気体の温度を調節し、温度が調節された当該気体を基板に噴出して基板を浮上させることとしたので、基板に発生する温度ムラを軽減することができ、液状体の膜厚ムラの発生を防ぐことができる。
The coating method according to the present invention is a coating method in which a liquid material is applied to the substrate while the substrate is floated and conveyed, and the temperature of the gas is adjusted, and the gas whose temperature has been adjusted is jetted onto the substrate. When the liquid material is applied to the substrate, a plurality of gas ejection ports and a plurality of suction ports are provided and arranged corresponding to the region to which the liquid material is applied. The substrate is floated on the processing stage by ejecting the gas from the plurality of gas ejection ports and sucking a conveyance space in which the substrate is conveyed by the plurality of suction ports, and the suction port The gas sucked from is circulated to the gas ejection port, and when the substrate is carried in, a plurality of loading side gas ejection ports are provided on a plurality of loading side gas ejection stages. The carry-in side air The substrate is levitated by ejecting gas from the ejection port to the substrate, and when unloading the substrate, it is placed on an unloading side gas ejection stage provided with a plurality of unloading side gas ejection ports. The substrate is floated by jetting gas from the plurality of carry-out side gas jets to the substrate, and the temperature of the gas is adjusted by the processing stage, the carry-in side gas jet stage, and the It is performed for each stage of the unloading side gas ejection stage .
According to the present invention, the temperature of the gas is adjusted, and the temperature-adjusted gas is jetted onto the substrate to float the substrate, so that temperature unevenness generated on the substrate can be reduced, and the liquid material The occurrence of film thickness unevenness can be prevented.

上記の塗布方法は、前記液状体を塗布する前に前記基板へ噴出する前記気体の温度を調節することを特徴とする。
本発明によれば、液状体を塗布する前に基板へ噴出する気体の温度を調節することとしたので、液状体の塗布される前の基板に温度ムラが発生するのを軽減することができる。これにより、液状体の膜厚ムラを防ぐことができる。
The coating method is characterized in that the temperature of the gas ejected to the substrate is adjusted before the liquid material is coated.
According to the present invention, since the temperature of the gas ejected to the substrate is adjusted before the liquid material is applied, it is possible to reduce the occurrence of temperature unevenness on the substrate before the liquid material is applied. . Thereby, the film thickness nonuniformity of a liquid can be prevented.

上記の塗布方法は、前記基板を搬入する前に前記基板へ噴出する前記気体の温度を調節することを特徴とする。
本発明によれば、基板を搬入する前に基板へ噴出する気体の温度を調節することとしたので、基板を搬入する際に基板に温度ムラが発生するのを軽減することができる。これにより、液状体の膜厚ムラを防ぐことができる。
The coating method is characterized in that the temperature of the gas ejected to the substrate is adjusted before the substrate is carried in.
According to the present invention, since the temperature of the gas ejected to the substrate is adjusted before the substrate is loaded, it is possible to reduce the occurrence of temperature unevenness in the substrate when the substrate is loaded. Thereby, the film thickness nonuniformity of a liquid can be prevented.

上記の塗布方法は、前記基板を搬出する前に前記基板へ噴出する前記気体の温度を調節することを特徴とする。
本発明によれば、基板を搬出する前に基板へ噴出する気体の温度を調節することとしたので、基板を搬出する際、例えば基板に液状体を塗布した後に基板に温度ムラが発生するのを軽減することができる。これにより、液状体の膜厚ムラを防ぐことができる。
The coating method is characterized in that the temperature of the gas ejected to the substrate is adjusted before the substrate is carried out.
According to the present invention, the temperature of the gas ejected to the substrate is adjusted before unloading the substrate. Therefore, when unloading the substrate, for example, temperature unevenness occurs in the substrate after applying a liquid material to the substrate. Can be reduced. Thereby, the film thickness nonuniformity of a liquid can be prevented.

上記の塗布方法は、前記基板を搬送する前記搬送空間の温度に合わせるように前記気体の温度を調節することを特徴とする。
本発明によれば、基板を搬送する搬送空間の温度に合わせるように気体の温度を調節することとしたので、搬送中の基板の温度が変化するのを防ぐことができる。これにより、基板に温度ムラが発生するのを防ぐことができる。
The coating method is characterized in that the temperature of the gas is adjusted to match the temperature of the transport space for transporting the substrate.
According to the present invention, since the temperature of the gas is adjusted to match the temperature of the transfer space for transferring the substrate, it is possible to prevent the temperature of the substrate being transferred from changing. Thereby, it is possible to prevent temperature unevenness from occurring on the substrate.

上記の塗布方法は、前記気体の温度を20〜25℃の範囲内に調節することを特徴とする。
本発明によれば、気体の温度を常温に近い20℃〜25℃の範囲内に調節することとしたので、温度調節の負担を軽減することができる。
The coating method is characterized in that the temperature of the gas is adjusted within a range of 20 to 25 ° C.
According to the present invention, since the temperature of the gas is adjusted within a range of 20 ° C. to 25 ° C. close to normal temperature, the burden of temperature adjustment can be reduced.

上記の塗布方法は、前記基板の搬送位置によって異なる温度の気体が前記基板に噴出されるように前記気体の温度を調節することを特徴とする。
本発明によれば、基板の搬送位置によって異なる温度の気体が基板に噴出されるように気体の温度を調節することとしたので、より高精度に基板の温度ムラを軽減することができる。
The coating method is characterized in that the temperature of the gas is adjusted so that a gas having a different temperature is ejected to the substrate depending on a transport position of the substrate.
According to the present invention, since the temperature of the gas is adjusted so that a gas having a different temperature depending on the substrate transfer position is ejected to the substrate, the temperature unevenness of the substrate can be reduced with higher accuracy.

上記の塗布方法は、前記搬送空間内に気体を噴出することを特徴とする。
本発明によれば、搬送空間に気体を噴出することとしたので、搬送空間を搬送される基板に温度調節された気体が噴出されることになる。これにより、基板に温度ムラが発生するのを軽減することができる。
The coating method is characterized in that gas is ejected into the transport space.
According to the present invention, since the gas is ejected to the transport space, the temperature-adjusted gas is ejected to the substrate transported in the transport space. Thereby, it is possible to reduce the occurrence of temperature unevenness in the substrate.

上記の塗布方法は、前記搬送空間の気体を吸引し、吸引した前記気体を前記基板に噴出することを特徴とする。
本発明によれば、搬送空間の気体を吸引し、吸引した気体を基板に噴出することとしたので、温度調節の負担を軽減することができる。
The coating method is characterized in that the gas in the transport space is sucked and the sucked gas is ejected to the substrate.
According to the present invention, since the gas in the transfer space is sucked and the sucked gas is ejected to the substrate, the burden of temperature adjustment can be reduced.

本発明によれば、基板へ気体を噴出する気体噴出部が基板搬送部に設けられており、この気体の温度を調節する温度調節部を備えるので、当該温度調節部によって基板へ噴出される気体の温度を調節することができる。これにより、基板に発生する温度ムラを軽減することができ、液状体の膜厚ムラの発生を防ぐことができる。   According to the present invention, the gas ejection part for ejecting gas to the substrate is provided in the substrate transport part, and since the temperature regulation part for regulating the temperature of this gas is provided, the gas ejected to the substrate by the temperature regulation part The temperature of can be adjusted. Thereby, the temperature nonuniformity which generate | occur | produces in a board | substrate can be reduced and generation | occurrence | production of the film thickness nonuniformity of a liquid can be prevented.

本発明の第1実施形態を図面に基づき説明する。
図1は本実施形態に係る塗布装置1の斜視図である。
図1に示すように、本実施形態に係る塗布装置1は、例えば液晶パネルなどに用いられるガラス基板上にレジストを塗布する塗布装置であり、基板搬送部2と、塗布部3と、管理部4とを主要な構成要素としている。塗布装置1では、基板搬送部2によって基板が浮上した状態で搬送され、塗布部3によって基板上にレジストが塗布され、管理部4によって塗布部3の状態が管理されるようになっている。塗布装置1は、例えばクリーンルーム内など清浄な環境下に配置されて用いられることが好ましい。
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a perspective view of a coating apparatus 1 according to this embodiment.
As shown in FIG. 1, a coating apparatus 1 according to the present embodiment is a coating apparatus that coats a resist on a glass substrate used for a liquid crystal panel, for example, and includes a substrate transport unit 2, a coating unit 3, and a management unit. 4 is the main component. In the coating apparatus 1, the substrate is transported in a state of being floated by the substrate transport unit 2, a resist is coated on the substrate by the coating unit 3, and the state of the coating unit 3 is managed by the management unit 4. The coating apparatus 1 is preferably used in a clean environment such as a clean room.

図2は塗布装置1の正面図、図3は塗布装置1の平面図、図4は塗布装置1の側面図である。これらの図を参照して、塗布装置1の詳細な構成を説明する。以下、塗布装置1の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、図中の方向をXYZ座標系を用いて説明する。基板搬送部2の長手方向であって基板の搬送方向をX方向と表記する。平面視でX方向(基板搬送方向)に直交する方向をY方向と表記する。X方向軸及びY方向軸を含む平面に垂直な方向をZ方向と表記する。なお、X方向、Y方向及びZ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が+方向、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとする。   2 is a front view of the coating apparatus 1, FIG. 3 is a plan view of the coating apparatus 1, and FIG. The detailed configuration of the coating apparatus 1 will be described with reference to these drawings. Hereinafter, in describing the configuration of the coating apparatus 1, for simplicity of description, directions in the drawing will be described using an XYZ coordinate system. The substrate transport direction is the longitudinal direction of the substrate transport unit 2 and the substrate transport direction is referred to as the X direction. A direction orthogonal to the X direction (substrate transport direction) in plan view is referred to as a Y direction. A direction perpendicular to the plane including the X direction axis and the Y direction axis is referred to as a Z direction. In each of the X direction, the Y direction, and the Z direction, the arrow direction in the figure is the + direction, and the direction opposite to the arrow direction is the-direction.

(基板搬送部)
まず、基板搬送部2の構成を説明する。
基板搬送部2は、フレーム21と、ステージ22と、搬送機構23とを有している。基板搬送部2では、搬送機構23によって基板Sがステージ22上を+X方向に搬送されるようになっている。
(Substrate transport section)
First, the structure of the board | substrate conveyance part 2 is demonstrated.
The substrate transport unit 2 includes a frame 21, a stage 22, and a transport mechanism 23. In the substrate transport unit 2, the substrate S is transported on the stage 22 in the + X direction by the transport mechanism 23.

フレーム21は、例えば床面上に載置されると共にステージ22及び搬送機構23を支持する支持部材である。フレーム21は3つの部分に分割されており、当該3つの部分はY方向上に配列されている。フレーム中央部21aは、分割された3つの部分のうちY方向の中央に配置される部分であり、ステージ22を支持している。フレーム側部21bは、フレーム中央部21aの−Y方向側に配置されており、搬送機構23を支持している。フレーム側部21bとフレーム中央部21aとの間には隙間が設けられている。フレーム側部21cは、フレーム中央部21aの+Y方向側に配置されており、搬送機構23を支持している。フレーム側部21cとフレーム中央部21aとの間には隙間が設けられている。フレーム中央部21a、フレーム側部21b及びフレーム側部21cはX方向に長手になっており、各部のX方向の寸法はほぼ同一になっている。   For example, the frame 21 is a support member that is placed on the floor surface and supports the stage 22 and the transport mechanism 23. The frame 21 is divided into three parts, and the three parts are arranged in the Y direction. The frame center portion 21 a is a portion arranged at the center in the Y direction among the three divided portions, and supports the stage 22. The frame side portion 21 b is disposed on the −Y direction side of the frame center portion 21 a and supports the transport mechanism 23. A gap is provided between the frame side portion 21b and the frame center portion 21a. The frame side portion 21 c is disposed on the + Y direction side of the frame central portion 21 a and supports the transport mechanism 23. A gap is provided between the frame side portion 21c and the frame center portion 21a. The frame center portion 21a, the frame side portion 21b, and the frame side portion 21c are elongated in the X direction, and the dimensions of the respective portions in the X direction are substantially the same.

ステージ22は、搬入側ステージ25と、処理ステージ27と、搬出側ステージ28とを有している。搬入側ステージ25、処理ステージ27及び搬出側ステージ28は、フレーム中央部21a上に、この順序で、基板搬送方向の上流側から下流側へ(+X方向に)配列されている。   The stage 22 includes a carry-in stage 25, a processing stage 27, and a carry-out stage 28. The carry-in stage 25, the processing stage 27, and the carry-out stage 28 are arranged on the frame central portion 21a in this order from the upstream side to the downstream side in the substrate transport direction (in the + X direction).

搬入側ステージ25は、例えばSUSなどからなり、平面視でほぼ正方形の板状部材である。搬入側ステージ25の形状を平面視略正方形にすることで、長手方向及び短手方向を有する基板を搬送する場合であっても、当該基板をいずれの方向にも搬送することができるようになっている。本実施形態では、搬入側ステージ25上の領域が基板搬入領域25Sとなる。基板搬入領域25Sは、装置外部から搬送されてきた基板Sを搬入する領域である。   The carry-in stage 25 is made of, for example, SUS, and is a substantially square plate-like member in plan view. By making the shape of the carry-in stage 25 substantially square in plan view, even when a substrate having a longitudinal direction and a short direction is transported, the substrate can be transported in any direction. ing. In the present embodiment, the area on the carry-in stage 25 is the substrate carry-in area 25S. The substrate carry-in area 25S is an area for carrying the substrate S that has been carried from the outside of the apparatus.

搬入側ステージ25には、エア噴出孔25aと、昇降ピン出没孔25bとがそれぞれ複数設けられている。エア噴出孔25a及び昇降ピン出没孔25bは、それぞれ搬入側ステージ25を貫通するように設けられている。   The carry-in stage 25 is provided with a plurality of air ejection holes 25a and a plurality of elevating pin retracting holes 25b. The air ejection hole 25a and the lifting pin retracting hole 25b are provided so as to penetrate the carry-in stage 25, respectively.

エア噴出孔25aは、搬入側ステージ25のステージ表面25c上にエアを噴出する孔であり、平面視でマトリクス状に配置されている。エア噴出孔25aには図示しないエア供給源が接続されている。搬入側ステージ25では、エア噴出孔25aから噴出されるエアによって基板Sを+Z方向に浮上させることができるようになっている。   The air ejection holes 25a are holes for ejecting air onto the stage surface 25c of the carry-in stage 25, and are arranged in a matrix in a plan view. An air supply source (not shown) is connected to the air ejection hole 25a. In the carry-in stage 25, the substrate S can be lifted in the + Z direction by the air ejected from the air ejection holes 25a.

昇降ピン出没孔25bは、搬入側ステージ25の基板搬入位置に設けられている。昇降ピン出没孔25bは、ステージ表面25cに供給されたエアが漏れ出さない構成になっている。   The elevating pin retracting hole 25 b is provided at the substrate loading position of the loading side stage 25. The elevating pin retracting hole 25b is configured such that the air supplied to the stage surface 25c does not leak out.

搬入側ステージ25のうちY方向の両端部には、アライメント装置25dが1つずつ設けられている。アライメント装置25dは、搬入側ステージ25に搬入された基板Sの位置を合わせる装置である。各アライメント装置25dは長孔と当該長孔内に設けられた位置合わせ部材とを有しており、搬入側ステージ25に搬入される基板を両側から機械的に挟持することで基板の位置を合わせるようになっている。   One alignment device 25d is provided at each end of the carry-in stage 25 in the Y direction. The alignment device 25d is a device that aligns the position of the substrate S carried into the carry-in stage 25. Each alignment device 25d has a long hole and an alignment member provided in the long hole, and aligns the position of the substrate by mechanically holding the substrate loaded into the loading side stage 25 from both sides. It is like that.

搬入側ステージ25の−Z方向側、すなわち、搬入側ステージ25の裏面側には、リフト機構26が設けられている。リフト機構26は、搬入側ステージ25の基板搬入位置25L(図6参照)に平面視で重なるように設けられている。リフト機構26は、昇降部材26aと、複数の昇降ピン26bとを有している。昇降部材26aは、図示しない駆動機構に接続されており、当該駆動機構の駆動によって昇降部材26aがZ方向に移動するようになっている。複数の昇降ピン26bは、昇降部材26aの上面から搬入側ステージ25へ向けて立設されている。各昇降ピン26bは、それぞれ上記の昇降ピン出没孔25bに平面視で重なる位置に配置されている。昇降部材26aがZ方向に移動することで、各昇降ピン26bが昇降ピン出没孔25bからステージ表面25c上に出没するようになっている。各昇降ピン26bの+Z方向の端部はそれぞれZ方向上の位置が揃うように設けられており、装置外部から搬送されてきた基板Sを水平な状態で保持することができるようになっている。   A lift mechanism 26 is provided on the −Z direction side of the carry-in stage 25, that is, on the back side of the carry-in stage 25. The lift mechanism 26 is provided so as to overlap the substrate loading position 25L (see FIG. 6) of the loading side stage 25 in plan view. The lift mechanism 26 includes an elevating member 26a and a plurality of elevating pins 26b. The elevating member 26a is connected to a driving mechanism (not shown), and the elevating member 26a is moved in the Z direction by driving the driving mechanism. The plurality of elevating pins 26b are erected from the upper surface of the elevating member 26a toward the carry-in stage 25. Each raising / lowering pin 26b is arrange | positioned in the position which overlaps with said raising / lowering pin retracting hole 25b, respectively by planar view. As the elevating member 26a moves in the Z direction, each elevating pin 26b appears and disappears on the stage surface 25c from the elevating pin appearing hole 25b. Ends in the + Z direction of the lift pins 26b are provided so that their positions in the Z direction are aligned, so that the substrate S transported from the outside of the apparatus can be held in a horizontal state. .

処理ステージ27は、ステージ表面27cが例えば硬質アルマイトを主成分とする光吸収材料で覆われた平面視で矩形の板状部材であり、搬入側ステージ25に対して+X方向側に設けられている。処理ステージ27のうち光吸収材料で覆われた部分では、レーザ光などの光の反射が抑制されるようになっている。処理ステージ27は、Y方向が長手になっている。処理ステージ27のY方向の寸法は、搬入側ステージ25のY方向の寸法とほぼ同一になっている。本実施形態では、処理ステージ27上の領域がレジスト塗布の行われる塗布処理領域27Sである。   The processing stage 27 is a rectangular plate-like member in a plan view in which the stage surface 27 c is covered with a light absorbing material mainly composed of hard anodized, for example, and is provided on the + X direction side with respect to the loading side stage 25. . In the portion of the processing stage 27 covered with the light absorbing material, reflection of light such as laser light is suppressed. The processing stage 27 has a longitudinal Y direction. The dimension of the processing stage 27 in the Y direction is substantially the same as the dimension of the loading stage 25 in the Y direction. In the present embodiment, the region on the processing stage 27 is a coating processing region 27S where resist coating is performed.

処理ステージ27には、ステージ表面27c上にエアを噴出する複数のエア噴出孔27aと、ステージ表面27c上のエアを吸引する複数のエア吸引孔27bとが設けられている。これらエア噴出孔27a及びエア吸引孔27bは、処理ステージ27を貫通するように設けられている。処理ステージ27の内部には、エア噴出孔27a及びエア吸引孔27bを通過する気体の圧力に抵抗を与えるための図示しない溝が複数設けられている。この複数の溝は、ステージ内部においてエア噴出孔27a及びエア吸引孔27bに接続されている。   The processing stage 27 is provided with a plurality of air ejection holes 27a for ejecting air onto the stage surface 27c and a plurality of air suction holes 27b for sucking air on the stage surface 27c. The air ejection holes 27 a and the air suction holes 27 b are provided so as to penetrate the processing stage 27. A plurality of grooves (not shown) are provided inside the processing stage 27 for imparting resistance to the pressure of the gas passing through the air ejection holes 27a and the air suction holes 27b. The plurality of grooves are connected to the air ejection holes 27a and the air suction holes 27b inside the stage.

処理ステージ27では、エア噴出孔27aのピッチが搬入側ステージ25に設けられるエア噴出孔25aのピッチよりも狭く、搬入側ステージ25に比べてエア噴出孔27aが密に設けられている。このため、この処理ステージ27では他のステージに比べて基板の浮上量を高精度で調節できるようになっており、基板の浮上量が例えば100μm以下、好ましくは50μm以下となるように制御することが可能になっている。   In the processing stage 27, the pitch of the air ejection holes 27 a is narrower than the pitch of the air ejection holes 25 a provided in the carry-in side stage 25, and the air ejection holes 27 a are provided more densely than the carry-in stage 25. Therefore, in this processing stage 27, the flying height of the substrate can be adjusted with higher accuracy than in other stages, and the flying height of the substrate is controlled to be, for example, 100 μm or less, preferably 50 μm or less. Is possible.

搬出側ステージ28は、処理ステージ27に対して+X方向側に設けられており、基板搬入領域25Sに設けられた搬入側ステージ25とほぼ同様の材質、寸法で構成されている。したがって、搬出側ステージ28の形状についても、平面視略正方形となっている。本実施形態では、搬出側ステージ28上の領域が基板搬出領域28Sである。基板搬出領域28Sは、レジストの塗布された基板Sを装置外部へ搬出する基板搬出領域28Sである。   The carry-out stage 28 is provided on the + X direction side with respect to the processing stage 27, and is configured with substantially the same material and dimensions as the carry-in stage 25 provided in the substrate carry-in area 25S. Therefore, the shape of the carry-out stage 28 is also substantially square in plan view. In the present embodiment, the area on the carry-out stage 28 is the substrate carry-out area 28S. The substrate carry-out area 28S is a substrate carry-out area 28S where the resist-coated substrate S is carried out of the apparatus.

搬出側ステージ28には、搬入側ステージ25と同様、エア噴出孔28a及び昇降ピン出没孔28bが設けられている。搬出側ステージ28の−Z方向側、すなわち、搬出側ステージ28の裏面側には、リフト機構29が設けられている。リフト機構29は、搬出側ステージ28の基板搬出位置に平面視で重なるように設けられている。リフト機構29の昇降部材29a及び昇降ピン29bは、搬入側ステージ25に設けられたリフト機構26の各部位と同様の構成になっている。このリフト機構29は、搬出側ステージ28上の基板Sを外部装置へと搬出する際に、基板Sの受け渡しのため昇降ピン29bによって基板Sを持ち上げることができるようになっている。   Similarly to the carry-in stage 25, the carry-out stage 28 is provided with an air ejection hole 28a and a lift pin retracting hole 28b. A lift mechanism 29 is provided on the −Z direction side of the carry-out stage 28, that is, on the back side of the carry-out stage 28. The lift mechanism 29 is provided so as to overlap the substrate carry-out position of the carry-out stage 28 in plan view. The lift member 29 a and the lift pin 29 b of the lift mechanism 29 have the same configuration as each part of the lift mechanism 26 provided on the carry-in stage 25. The lift mechanism 29 can lift the substrate S by lift pins 29b for transferring the substrate S when the substrate S on the unloading stage 28 is unloaded to an external device.

搬送機構23は、基板Sを保持して+X方向に搬送する機構を有しており、フレーム側部21b及びフレーム側部21c上に一対設けられている。この一対の搬送機構23は、ステージ22のY方向中央に対して線対称の構成になっており、当該線対称である点を除いては同一の構成となっている。したがって、以下、フレーム側部21bに設けられる搬送機構23を例に挙げて説明する。   The transport mechanism 23 has a mechanism for holding the substrate S and transporting the substrate S in the + X direction, and a pair is provided on the frame side portion 21b and the frame side portion 21c. The pair of transport mechanisms 23 has a line-symmetric configuration with respect to the center of the stage 22 in the Y direction, and has the same configuration except that the line-symmetrical point. Therefore, hereinafter, the conveyance mechanism 23 provided in the frame side portion 21b will be described as an example.

搬送機構23は、搬送機23aと、基板保持部23bと、レール23cとを有している。搬送機23aは内部に例えばリニアモータが設けられた構成になっており、当該リニアモータが駆動することによって、搬送機23aがレール23c上を移動可能になっている。   The transport mechanism 23 includes a transport machine 23a, a substrate holding unit 23b, and a rail 23c. The conveyor 23a has a configuration in which, for example, a linear motor is provided therein, and the conveyor 23a can move on the rail 23c when the linear motor is driven.

基板保持部23bは、基板Sのうち−Y方向側の側縁部を保持する保持部である。基板Sの当該側縁部は、ステージ22に対してはみ出した部分であり、基板搬送方向に沿った一の側部である。基板保持部23bは、搬送機23aの+X方向側の面上にY方向に沿って例えば4つ設けられており、当該搬送機23aに取り付けられている。各基板保持部23bには吸着パッドが設けられており、当該吸着パッドによって基板Sを吸着して保持するようになっている。   The substrate holding unit 23b is a holding unit that holds the side edge of the substrate S on the −Y direction side. The said side edge part of the board | substrate S is a part which protruded with respect to the stage 22, and is one side part along a board | substrate conveyance direction. For example, four substrate holding portions 23b are provided along the Y direction on the surface on the + X direction side of the transport machine 23a, and are attached to the transport machine 23a. Each substrate holding portion 23b is provided with a suction pad, and the substrate S is sucked and held by the suction pad.

レール23cは、フレーム側部21b上に設けられており、搬入側ステージ25、処理ステージ27及び搬出側ステージ28の側方に各ステージに跨って延在している。当該レール23cを摺動することで搬送機23aが当該各ステージに沿って移動できるようになっている。   The rail 23c is provided on the frame side portion 21b, and extends across the stages on the side of the carry-in stage 25, the processing stage 27, and the carry-out stage 28. The conveyor 23a can move along the respective stages by sliding the rail 23c.

なお、フレーム側部21b及びフレーム側部21cに設けられた各搬送機構23は、独立して基板Sを搬送できるようになっている。例えば、図3に示すようにフレーム側部21bに設けられた搬送機構23と、フレーム側部21cに設けられた搬送機構23とで異なる基板Sを保持させることができるようになっている。この場合、各搬送機構23によって基板を交互に搬送することが可能となるため、スループットが向上することになる。また、上記の基板Sの半分程度の面積を有する基板を搬送する場合には、例えば2つの搬送機構23で1枚ずつ保持し、これら2つの搬送機構23を+X方向に並進させることによって、2枚の基板を同時に搬送させることもできるようになっている。   In addition, each conveyance mechanism 23 provided in the frame side part 21b and the frame side part 21c can convey the board | substrate S independently. For example, as shown in FIG. 3, different substrates S can be held by the transport mechanism 23 provided on the frame side portion 21b and the transport mechanism 23 provided on the frame side portion 21c. In this case, since the substrates can be alternately conveyed by the respective conveyance mechanisms 23, the throughput is improved. Further, when a substrate having an area about half the size of the substrate S is transported, for example, the two transport mechanisms 23 hold one by one, and the two transport mechanisms 23 are translated in the + X direction to obtain 2 It is also possible to carry a single substrate simultaneously.

(塗布部)
図2から図4に戻って、塗布部3の構成を説明する。
塗布部3は、基板S上にレジストを塗布する部分であり、門型フレーム31と、ノズル32とを有している。
(Applying part)
Returning to FIG. 4 from FIG. 2, the configuration of the application unit 3 will be described.
The application unit 3 is a part for applying a resist on the substrate S, and includes a portal frame 31 and a nozzle 32.

門型フレーム31は、支柱部材31aと、架橋部材31bとを有しており、処理ステージ27をY方向に跨ぐように設けられている。支柱部材31aは処理ステージ27のY方向側に1つずつ設けられており、各支柱部材31aがそれぞれフレーム側部21b及びフレーム側部21cに支持されている。各支柱部材31aは、上端部の高さ位置が揃うように設けられている。架橋部材31bは、各支柱部材31aの上端部の間に架橋されており、当該支柱部材31aに対して昇降可能となっている。   The portal frame 31 includes a support member 31a and a bridging member 31b, and is provided so as to straddle the processing stage 27 in the Y direction. One support member 31a is provided on the Y direction side of the processing stage 27, and each support member 31a is supported by the frame side portion 21b and the frame side portion 21c, respectively. Each strut member 31a is provided so that the height positions of the upper end portions are aligned. The bridging member 31b is bridged between the upper end portions of the respective column members 31a, and can be moved up and down with respect to the column members 31a.

この門型フレーム31は移動機構34に接続されている。移動機構34は、レール部材35及び駆動機構36を有している。レール部材35はフレーム側部21b及びフレーム側部21cの溝21d内に例えば1本ずつ設けられており、それぞれX方向に延在している。各レール部材35は、それぞれ管理部4よりも−X方向側に延在するように設けられている。駆動機構36は、門型フレーム31に接続され塗布部3をレール部材35に沿って移動させるアクチュエータである。また、門型フレーム31は、図示しない移動機構によりZ方向にも移動可能になっている。   The portal frame 31 is connected to a moving mechanism 34. The moving mechanism 34 includes a rail member 35 and a drive mechanism 36. For example, one rail member 35 is provided in the groove 21d of the frame side portion 21b and the frame side portion 21c, and each rail member 35 extends in the X direction. Each rail member 35 is provided so as to extend to the −X direction side from the management unit 4. The drive mechanism 36 is an actuator that is connected to the portal frame 31 and moves the application unit 3 along the rail member 35. The portal frame 31 can be moved in the Z direction by a moving mechanism (not shown).

ノズル32は、一方向が長手の長尺状に構成されており、門型フレーム31の架橋部材31bの−Z方向側の面に設けられている。このノズル32のうち−Z方向の先端には、自身の長手方向に沿ってスリット状の開口部32aが設けられており、当該開口部32aからレジストが吐出されるようになっている。ノズル32は、開口部32aの長手方向がY方向に平行になると共に、当該開口部32aが処理ステージ27に対向するように配置されている。開口部32aの長手方向の寸法は基板SのY方向の寸法よりも小さくなっており、基板Sの周辺領域にレジストが塗布されないようになっている。ノズル32の内部にはレジストを開口部32aに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しないレジスト供給源が接続されている。このレジスト供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプでレジストを開口部32aへと押し出すことで開口部32aからレジストが吐出されるようになっている。支柱部材31aには不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によって架橋部材31bに保持されたノズル32がZ方向に移動可能になっている。ノズル32には不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によってノズル32が架橋部材31bに対してZ方向に移動可能になっている。門型フレーム31の架橋部材31bの下面には、ノズル32の開口部32a、すなわち、ノズル32の先端32cと当該ノズル先端32cに対向する対向面との間のZ方向上の距離を測定するセンサ33が取り付けられている。このセンサ33はY方向に沿って例えば3つ設けられている。   The nozzle 32 is formed in a long and long shape in one direction, and is provided on the surface on the −Z direction side of the bridging member 31 b of the portal frame 31. A slit-like opening 32a is provided along the longitudinal direction of the nozzle 32 at the tip in the -Z direction, and a resist is discharged from the opening 32a. The nozzle 32 is disposed so that the longitudinal direction of the opening 32 a is parallel to the Y direction and the opening 32 a faces the processing stage 27. The dimension in the longitudinal direction of the opening 32a is smaller than the dimension in the Y direction of the substrate S, so that the resist is not applied to the peripheral region of the substrate S. A flow passage (not shown) through which the resist flows through the opening 32a is provided inside the nozzle 32, and a resist supply source (not shown) is connected to the flow passage. The resist supply source has a pump (not shown), for example, and the resist is discharged from the opening 32a by pushing the resist to the opening 32a with the pump. The support member 31a is provided with a moving mechanism (not shown), and the nozzle 32 held by the bridging member 31b is movable in the Z direction by the moving mechanism. The nozzle 32 is provided with a moving mechanism (not shown), and the moving mechanism allows the nozzle 32 to move in the Z direction with respect to the bridging member 31b. On the lower surface of the bridging member 31b of the portal frame 31, a sensor that measures the distance in the Z direction between the opening 32a of the nozzle 32, that is, the tip 32c of the nozzle 32 and the facing surface facing the nozzle tip 32c. 33 is attached. For example, three sensors 33 are provided along the Y direction.

(管理部)
管理部4の構成を説明する。
管理部4は、基板Sに吐出されるレジスト(液状体)の吐出量が一定になるようにノズル32を管理する部位であり、基板搬送部2のうち塗布部3に対して−X方向側に設けられている。この管理部4は、予備吐出機構41と、ディップ槽42と、ノズル洗浄装置43と、これらを収容する収容部44と、当該収容部を保持する保持部材45とを有している。
(Management Department)
The configuration of the management unit 4 will be described.
The management unit 4 is a part that manages the nozzle 32 so that the discharge amount of the resist (liquid material) discharged onto the substrate S is constant, and the −X direction side with respect to the coating unit 3 in the substrate transport unit 2. Is provided. The management unit 4 includes a preliminary discharge mechanism 41, a dip tank 42, a nozzle cleaning device 43, a storage unit 44 that stores them, and a holding member 45 that holds the storage unit.

予備吐出機構41、ディップ槽42及びノズル洗浄装置43は、−X方向側へこの順で配列されている。予備吐出機構41は、レジストを予備的に吐出する部分である。当該予備吐出機構41は塗布部3が塗布処理領域27S上に配置されている状態でノズル32に最も近くなる位置に設けられている。ディップ槽42は、内部にシンナーなどの溶剤が貯留された液体槽である。ノズル洗浄装置43は、ノズル32の開口部32a近傍をリンス洗浄する装置であり、Y方向に移動する図示しない洗浄機構と、当該洗浄機構を移動させる図示しない移動機構とを有している。この移動機構は、洗浄機構よりも−X方向側に設けられている。ノズル洗浄装置43は、移動機構が設けられる分、予備吐出機構41及びディップ槽42に比べてX方向の寸法が大きくなっている。なお、予備吐出機構41、ディップ槽42、ノズル洗浄装置43の配置については、本実施形態の配置に限られず、他の配置であっても構わない。   The preliminary discharge mechanism 41, the dip tank 42, and the nozzle cleaning device 43 are arranged in this order in the −X direction side. The preliminary ejection mechanism 41 is a part that ejects the resist preliminary. The preliminary ejection mechanism 41 is provided at a position closest to the nozzle 32 in a state where the coating unit 3 is disposed on the coating processing region 27S. The dip tank 42 is a liquid tank in which a solvent such as thinner is stored. The nozzle cleaning device 43 is a device for rinsing and cleaning the vicinity of the opening 32a of the nozzle 32, and includes a cleaning mechanism (not shown) that moves in the Y direction and a moving mechanism (not shown) that moves the cleaning mechanism. This moving mechanism is provided on the −X direction side of the cleaning mechanism. The nozzle cleaning device 43 has a larger dimension in the X direction than the preliminary discharge mechanism 41 and the dip tank 42 because the moving mechanism is provided. In addition, about arrangement | positioning of the preliminary discharge mechanism 41, the dip tank 42, and the nozzle washing | cleaning apparatus 43, it is not restricted to arrangement | positioning of this embodiment, Other arrangement | positioning may be sufficient.

収容部44のY方向の寸法は上記門型フレーム31の支柱部材31a間の距離よりも小さくなっており、上記門型フレーム31が収容部44を超えてX方向に移動できるようになっている。また、門型フレーム31は、収容部44内に設けられる予備吐出機構41、ディップ槽42及びノズル洗浄装置43について、これらの各部を跨ぐようにアクセスできるようになっている。   The dimension of the accommodating portion 44 in the Y direction is smaller than the distance between the support members 31a of the portal frame 31 so that the portal frame 31 can move in the X direction beyond the accommodating portion 44. . Further, the portal frame 31 can access the preliminary discharge mechanism 41, the dip tank 42, and the nozzle cleaning device 43 provided in the accommodating portion 44 so as to straddle these portions.

保持部材45は、管理部移動機構46に接続されている。管理部移動機構46は、レール部材47及び駆動機構48を有している。レール部材47は、フレーム側部21b及びフレーム側部21cの溝21e内にそれぞれ設けられており、それぞれX方向に延在している。各レール部材47は、塗布部3の門型フレーム31に接続されるレール部材35の間に配置されている。各レール部材47の−X方向の端部は、例えばフレーム側部21b及びフレーム側部21cの−X方向の端部まで設けられている。駆動機構48は、保持部材45に接続され管理部4をレール部材47上に沿って移動させるアクチュエータである。   The holding member 45 is connected to the management unit moving mechanism 46. The management unit moving mechanism 46 includes a rail member 47 and a drive mechanism 48. The rail members 47 are respectively provided in the grooves 21e of the frame side part 21b and the frame side part 21c, and each extend in the X direction. Each rail member 47 is disposed between the rail members 35 connected to the portal frame 31 of the application unit 3. The end portions in the −X direction of the rail members 47 are provided, for example, to the end portions in the −X direction of the frame side portion 21b and the frame side portion 21c. The drive mechanism 48 is an actuator that is connected to the holding member 45 and moves the management unit 4 along the rail member 47.

(エア噴出機構・吸引機構)
図5は、基板搬送部2の搬入側ステージ25、処理ステージ27及び搬出側ステージ28のエア噴出機構・吸引機構の構成を示す図である。同図をもとにして、上記の各ステージのエア噴出及びエア吸引に関する構成を説明する。
(Air ejection mechanism / suction mechanism)
FIG. 5 is a view showing the configuration of the air ejection mechanism / suction mechanism of the carry-in stage 25, the processing stage 27, and the carry-out stage 28 of the substrate transport unit 2. Based on the same figure, the structure regarding the air ejection and air suction of each said stage is demonstrated.

搬入側ステージ25及び搬出側ステージ28にはエア噴出機構50、55のみが設けられており、吸引機構は設けられていない。各エア噴出機構50、55の構成は両ステージにおいて同一の構成になっている。これらのエア噴出機構50、55は、それぞれブロアー51、56、温度コントロールユニット52、57、マニホールド53、58をそれぞれ有している。   The carry-in stage 25 and the carry-out stage 28 are provided with only air ejection mechanisms 50 and 55, and no suction mechanism is provided. The configurations of the air ejection mechanisms 50 and 55 are the same in both stages. These air ejection mechanisms 50 and 55 have blowers 51 and 56, temperature control units 52 and 57, and manifolds 53 and 58, respectively.

各ブロアー51、56からは配管50a、55aによって温度コントロールユニット52、57にそれぞれ接続されている。この温度コントロールユニット52、57は、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられており、これら冷却機構及び加熱機構によって、供給されるエアの温度を調節可能に構成されている。温度コントロールユニット52と温度コントロールユニット57とでは、独立してエアの温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット52、57は、配管50b、55bによってマニホールド53、58にそれぞれ接続されている。   The blowers 51 and 56 are connected to temperature control units 52 and 57 by pipes 50a and 55a, respectively. The temperature control units 52 and 57 are provided with a cooling mechanism such as a refrigerant mechanism and a heating mechanism such as a heating wire, for example, and are configured so that the temperature of supplied air can be adjusted by the cooling mechanism and the heating mechanism. Yes. The temperature control unit 52 and the temperature control unit 57 can adjust the temperature of the air independently. The temperature control units 52 and 57 are connected to the manifolds 53 and 58 by pipes 50b and 55b, respectively.

マニホールド53、58には、それぞれ温度センサ54、59が取り付けられている。温度センサ54、59は、マニホールド53、58内のエアの温度を計測し、計測結果をそれぞれ温度コントロールユニット52、57に送信するようになっている。温度コントロールユニット52、57では、この温度センサ54、59の計測結果をフィードバックさせてエアの温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット52、57及び温度センサ54、59は、エアの温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構81、82をそれぞれ構成している。   Temperature sensors 54 and 59 are attached to the manifolds 53 and 58, respectively. The temperature sensors 54 and 59 measure the temperature of the air in the manifolds 53 and 58 and transmit the measurement results to the temperature control units 52 and 57, respectively. The temperature control units 52 and 57 can adjust the temperature of the air by feeding back the measurement results of the temperature sensors 54 and 59. As described above, the temperature control units 52 and 57 and the temperature sensors 54 and 59 constitute temperature adjustment mechanisms 81 and 82 that respectively adjust the air temperature by feeding back.

配管50b、55bには圧力計が取り付けられており、配管50c、55cによって搬入側ステージ25及び搬出側ステージ28にそれぞれ接続されている。各配管50a〜50c、55a〜55cには、各種バルブが設けられている。また、配管50a〜50c、55a〜55cには、気中パーティクル量を測定する気中パーティクル量測定器を設けてもよい。   Pressure gauges are attached to the pipes 50b and 55b, and are connected to the carry-in stage 25 and the carry-out stage 28 by the pipes 50c and 55c, respectively. Various valves are provided in each of the pipes 50a to 50c and 55a to 55c. The pipes 50a to 50c and 55a to 55c may be provided with an air particle amount measuring device for measuring the air particle amount.

一方、処理ステージ27には、エア噴出機構60に加えて吸引機構70が設けられている。
図6は、処理ステージ27に設けられたエア噴出機構及び吸引機構の構成を示す図である。同図に示すように、エア噴出機構60は、ブロアー61、温度コントロールユニット62、フィルタ63、オートプレッシャーコントローラー(APC)64、マニホールド65、温度センサ66及び噴出量監視ポート67を有している。
On the other hand, the processing stage 27 is provided with a suction mechanism 70 in addition to the air ejection mechanism 60.
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an air ejection mechanism and a suction mechanism provided in the processing stage 27. As shown in the figure, the air ejection mechanism 60 includes a blower 61, a temperature control unit 62, a filter 63, an auto pressure controller (APC) 64, a manifold 65, a temperature sensor 66, and an ejection amount monitoring port 67.

ブロアー61は、エア噴出機構にエアを供給するエア供給源であり、配管60aによって温度コントロールユニット62に接続されている。エア供給源として、ブロアー61の代わりに工場などのエア供給ラインを接続してもよい。   The blower 61 is an air supply source that supplies air to the air ejection mechanism, and is connected to the temperature control unit 62 by a pipe 60a. As an air supply source, an air supply line such as a factory may be connected instead of the blower 61.

温度コントロールユニット62は、例えば供給されるエアの温度を調節するユニットである。温度コントロールユニット62内のエア流通部には、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられている。これらの冷却機構や加熱機構によって、エアの温度を上昇させたり下降させたりすることができるようになっている。温度コントロールユニット62では、上記の温度コントロールユニット52、57に対して独立してエアの温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット62は、配管60bによってAPC64に接続されている。   The temperature control unit 62 is a unit that adjusts the temperature of supplied air, for example. In the air circulation part in the temperature control unit 62, for example, a cooling mechanism such as a refrigerant mechanism or a heating mechanism such as a heating wire is provided. By these cooling mechanism and heating mechanism, the temperature of air can be raised or lowered. In the temperature control unit 62, the temperature of air can be adjusted independently of the temperature control units 52 and 57 described above. The temperature control unit 62 is connected to the APC 64 by a pipe 60b.

配管60bにはフィルタ63が設けられている。フィルタ63は供給されるエアに混合する異物を除去する部位である。また、配管60bに不図示の逃がし弁を設ける構成であっても構わない。   A filter 63 is provided in the pipe 60b. The filter 63 is a part for removing foreign matters mixed in the supplied air. Moreover, you may be the structure which provides a relief valve not shown in the piping 60b.

APC64は、エアの供給量を調節するユニットである。APC64は、バタフライバルブ64aとコントローラ64bとを有している。コントローラ64bはバタフライバルブ64aの開度を調節できるようになっており、当該バタフライバルブ64aの開度を調節することでエアの供給量を調節可能になっている。APC64は、配管60cを介してマニホールド65に接続されている。   The APC 64 is a unit that adjusts the supply amount of air. The APC 64 has a butterfly valve 64a and a controller 64b. The controller 64b can adjust the opening degree of the butterfly valve 64a, and the supply amount of air can be adjusted by adjusting the opening degree of the butterfly valve 64a. The APC 64 is connected to the manifold 65 through a pipe 60c.

配管60cには、流量計69a及び圧力計69bが取り付けられている。これら流量計69a及び圧力計69bによって配管60c内のエアの流量及び圧力が測定されるようになっている。各測定結果は、例えばAPC64へ送信されるようになっている。   A flow meter 69a and a pressure gauge 69b are attached to the pipe 60c. The flow rate and pressure of air in the pipe 60c are measured by the flow meter 69a and the pressure gauge 69b. Each measurement result is transmitted to the APC 64, for example.

マニホールド65は、配管60cを流通するエアを分岐するユニットである。当該マニホールド65において、配管60cは分岐された複数の配管60dに接続されている。各配管60dは、処理ステージ27のエア噴出孔27aに接続されている。したがって、APC64からのエアは、配管60c及び各配管60dを介してエア噴出孔27aから噴出されるようになっている。   The manifold 65 is a unit that branches the air flowing through the pipe 60c. In the manifold 65, the pipe 60c is connected to a plurality of branched pipes 60d. Each pipe 60 d is connected to an air ejection hole 27 a of the processing stage 27. Therefore, the air from the APC 64 is ejected from the air ejection hole 27a via the piping 60c and each piping 60d.

温度センサ66は、マニホールド65内のエアの温度を測定するセンサである。温度センサ66によって測定されたエアの温度のデータは、例えば通信回線などを介して温度コントロールユニット62へ送信されるようになっている。温度コントロールユニット62では、この温度センサ66の計測結果をフィードバックさせることでエアの温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット62及び温度センサ66は、エアの温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構83を構成している。   The temperature sensor 66 is a sensor that measures the temperature of air in the manifold 65. The air temperature data measured by the temperature sensor 66 is transmitted to the temperature control unit 62 via, for example, a communication line. In the temperature control unit 62, the temperature of the air can be adjusted by feeding back the measurement result of the temperature sensor 66. As described above, the temperature control unit 62 and the temperature sensor 66 constitute a temperature adjusting mechanism 83 that adjusts the air temperature by feeding back.

噴出量監視ポート67は、エアの流量検知用のポートを有する構成になっており、この流量検知用のポートによってステージ直下の気体流量を検出可能になっている。この噴出量監視ポート67には流量計67a及び圧力計67bが設けられており、エア噴出孔27aから噴出されるエアの流量及び圧力が測定可能になっている。流量計67a及び圧力計67bによる測定結果は、APC64内のコントローラ64bに送信されるようになっている。   The ejection amount monitoring port 67 is configured to have an air flow rate detection port, and the gas flow rate immediately below the stage can be detected by this flow rate detection port. The ejection amount monitoring port 67 is provided with a flow meter 67a and a pressure gauge 67b so that the flow rate and pressure of the air ejected from the air ejection hole 27a can be measured. The measurement results by the flow meter 67a and the pressure gauge 67b are transmitted to the controller 64b in the APC 64.

また、上記の配管60a〜60eには、各種のバルブ等が取り付けられており、各バルブにおいて適宜開度を調節できるようになっている。   Moreover, various valves etc. are attached to said piping 60a-60e, and an opening degree can be suitably adjusted in each valve.

吸引機構70は、ブロアー71と、オートプレッシャーコントローラー(APC)72と、トラップタンク73と、マニホールド74と、吸引圧監視ポート75とを有している。ブロアー71、APC72、トラップタンク73、マニホールド74は、互いに配管70a〜70cによって接続されており、各配管70a〜70cには各種バルブが取り付けられている。なお、ブロアー71の代わりに工場などのエア吸引ラインを使用してもよい。また、マニホールド74が設けられない構成であっても構わない。   The suction mechanism 70 includes a blower 71, an auto pressure controller (APC) 72, a trap tank 73, a manifold 74, and a suction pressure monitoring port 75. The blower 71, the APC 72, the trap tank 73, and the manifold 74 are connected to each other by pipes 70a to 70c, and various valves are attached to the pipes 70a to 70c. Instead of the blower 71, an air suction line such as a factory may be used. Moreover, the structure which does not provide the manifold 74 may be sufficient.

APC72は、エアの供給量を調節するバタフライバルブ72aとコントローラ72bとが設けられている。吸引量監視ポート75は、配管70eによって処理ステージ27に接続され、当該接続部分にエアの流量検知用のポートが接続された構成になっている。吸引量開始ポート75では、この流量検知用のポートによって処理ステージ27の直下の気体流量を検出可能になっている。また、吸引量監視ポート75には流量計75a及び圧力計75bが取り付けられており、エア吸引孔27bによって吸引されるエアの流量及び圧力を測定可能になっている。流量計75a及び圧力計75bによる測定結果は、APC72内のコントローラ72bに送信されるようになっている。   The APC 72 is provided with a butterfly valve 72a and a controller 72b for adjusting the air supply amount. The suction amount monitoring port 75 is connected to the processing stage 27 by a pipe 70e, and an air flow rate detection port is connected to the connection portion. In the suction amount start port 75, the gas flow rate immediately below the processing stage 27 can be detected by this flow rate detection port. Further, a flow meter 75a and a pressure meter 75b are attached to the suction amount monitoring port 75, and the flow rate and pressure of air sucked through the air suction hole 27b can be measured. The measurement results by the flow meter 75a and the pressure gauge 75b are transmitted to the controller 72b in the APC 72.

APC72とエア吸引孔27bとの間に流量計を設けて、測定結果を電線(図中破線で示す)等を介してAPC72内のコントローラ72bに送信するようにしても良い。配管60cと配管70cとの間は接続部80によって接続されており、パージ用の洗浄液吸引ラインと真空吸引(エア吸引)ラインとを切り替え可能になっている。   A flow meter may be provided between the APC 72 and the air suction hole 27b, and the measurement result may be transmitted to the controller 72b in the APC 72 via an electric wire (indicated by a broken line in the figure). The pipe 60c and the pipe 70c are connected to each other by a connecting portion 80, and can be switched between a purge cleaning liquid suction line and a vacuum suction (air suction) line.

(塗布動作)
次に、上記のように構成された塗布装置1の動作を説明する。
図7は、塗布装置1の動作過程を示す平面図である。同図を参照して、基板SにレジストRを塗布する動作を説明する。この動作では、短手方向が搬送方向に平行になるように基板Sを基板搬入領域25Sに搬入し、当該基板Sを浮上させて搬送しつつ塗布処理領域27Sでレジストを塗布し、当該レジストを塗布した基板Sを基板搬出領域28Sから搬出する。図7では管理部4の図示を省略し、搬入側ステージ25の構成を判別しやすくした。また、門型フレーム31を破線で示し、ノズル32及びセンサ33の構成を判別しやすくした。以下、各部分における詳細な動作を説明する。
(Coating operation)
Next, operation | movement of the coating device 1 comprised as mentioned above is demonstrated.
FIG. 7 is a plan view showing an operation process of the coating apparatus 1. With reference to the figure, the operation | movement which apply | coats the resist R to the board | substrate S is demonstrated. In this operation, the substrate S is carried into the substrate carry-in region 25S so that the short side direction is parallel to the carrying direction, the resist is applied in the coating treatment region 27S while the substrate S is lifted and carried, and the resist is applied. The coated substrate S is unloaded from the substrate unloading area 28S. In FIG. 7, the illustration of the management unit 4 is omitted, and the configuration of the carry-in stage 25 is easily discriminated. Further, the portal frame 31 is indicated by a broken line so that the configuration of the nozzle 32 and the sensor 33 can be easily discriminated. Hereinafter, detailed operations in each part will be described.

基板搬入領域25Sに基板を搬入する前に、塗布装置1をスタンバイさせておく。具体的には、搬入側ステージ25の基板搬入位置25Lの−Y方向側に搬送機23aを配置させ、吸着パッド23fの高さ位置を基板Sの浮上高さ位置に合わせておくと共に、搬入側ステージ25のエア噴出孔25a、処理ステージ27のエア噴出孔27a、エア吸引孔27b及び搬出側ステージ28のエア噴出孔28aからそれぞれエアを噴出又は吸引し、ステージ22の表面に基板が浮上する程度にエアが供給された状態にしておく。   Before the substrate is loaded into the substrate loading area 25S, the coating apparatus 1 is put on standby. Specifically, the transfer machine 23a is arranged on the −Y direction side of the substrate loading position 25L of the loading stage 25, the height position of the suction pad 23f is adjusted to the flying height position of the substrate S, and the loading side Air is ejected or sucked from the air ejection hole 25 a of the stage 25, the air ejection hole 27 a of the processing stage 27, the air suction hole 27 b, and the air ejection hole 28 a of the unloading stage 28, and the substrate floats on the surface of the stage 22 Air is supplied to the.

このとき、搬入側ステージ25のエア噴出機構50、処理ステージ27のエア噴出機構60及び搬出側ステージ28のエア噴出機構55においては、それぞれ温度センサ54、59、66によって、エア噴出孔25a、27a、28aから噴出されるエアの温度が測定され、測定結果が温度コントロールユニット52、57、62に送信される。   At this time, in the air ejection mechanism 50 of the carry-in stage 25, the air ejection mechanism 60 of the processing stage 27, and the air ejection mechanism 55 of the carry-out stage 28, the air ejection holes 25a and 27a are respectively detected by the temperature sensors 54, 59, and 66. , 28 a, the temperature of the air ejected from 28 a is measured, and the measurement result is transmitted to the temperature control units 52, 57, 62.

温度コントロールユニット52、57、62では、当該測定結果に基づいて、自身の内部に流通するエアの温度を調節する。このときの調節温度としては、塗布装置1の周囲の温度とほぼ等しくなる温度が好ましい。このような温度としては、塗布装置1が配置されうるクリーンルーム内の温度、例えば20℃〜25℃程度の温度とすることができる。エアの温度が25℃を超えると当該エアの熱によって基板Sが変形する虞があるため、エアの温度範囲が上記範囲内に抑えられることが好ましい。   The temperature control units 52, 57, and 62 adjust the temperature of the air that flows through the temperature control units 52, 57, and 62 based on the measurement results. As the adjustment temperature at this time, a temperature that is substantially equal to the ambient temperature of the coating apparatus 1 is preferable. As such temperature, it can be set as the temperature in the clean room where the coating device 1 can be arrange | positioned, for example, about 20 to 25 degreeC. If the air temperature exceeds 25 ° C., the substrate S may be deformed by the heat of the air. Therefore, it is preferable that the air temperature range be suppressed within the above range.

この温度調節に際しては、予め塗布装置1の周囲の温度を測定し、測定した周囲の温度を基準温度として温度コントロールユニット52、57、62の不図示のコントローラなどに記憶させておくようにしても良いし、例えば別途温度計を配置し当該温度計によって測定した温度を基準温度としても良い。基準温度と温度センサ54、59、66によって測定された温度とが異なる場合には、エアの温度が基準温度に合わせるように温度コントロールユニット52、57、62によってエアの温度を調節する。このように温度コントロールユニット52、57、62と温度センサ54、59、66とをそれぞれ温度調節機構81、82、83として機能させることで、エア噴出孔25a、27a、28aから噴出されるエアの温度は、塗布装置1の周囲の温度とほぼ等しくなる。   When adjusting the temperature, the ambient temperature of the coating apparatus 1 is measured in advance, and the measured ambient temperature is stored as a reference temperature in a controller (not shown) of the temperature control units 52, 57, and 62. For example, a thermometer may be provided separately, and the temperature measured by the thermometer may be used as the reference temperature. When the reference temperature is different from the temperature measured by the temperature sensors 54, 59, 66, the temperature of the air is adjusted by the temperature control units 52, 57, 62 so that the air temperature matches the reference temperature. In this way, by causing the temperature control units 52, 57, 62 and the temperature sensors 54, 59, 66 to function as the temperature adjustment mechanisms 81, 82, 83, respectively, the air discharged from the air discharge holes 25a, 27a, 28a The temperature is substantially equal to the temperature around the coating apparatus 1.

塗布装置1が上記のようにスタンバイされた後、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から図7に示す基板搬入位置25Lに基板Sが搬送されてきたら、昇降部材26aを+Z方向に移動させて昇降ピン26bを昇降ピン出没孔25bからステージ表面25cに突出させる。この昇降部材26aの動作により、基板Sが昇降ピン26bに持ち上げられ、当該基板Sの受け取りが行われる。また、アライメント装置25dの長孔から位置合わせ部材をステージ表面25cに突出させておく。   After the coating apparatus 1 is on standby as described above, for example, when the substrate S is transferred from the outside to the substrate loading position 25L shown in FIG. 7 by a transfer arm (not shown), the lifting member 26a is moved in the + Z direction to move up and down. The pin 26b is protruded from the lifting pin retracting hole 25b to the stage surface 25c. By the operation of the elevating member 26a, the substrate S is lifted by the elevating pins 26b, and the substrate S is received. Further, an alignment member is projected from the long hole of the alignment device 25d to the stage surface 25c.

基板Sを受け取った後、昇降部材26aを下降させて昇降ピン26bを昇降ピン出没孔25b内に収容する。このとき、ステージ表面25cにはエアの層が形成されているため、基板Sは当該エアによりステージ表面25cに対して浮上した状態で保持される。基板Sがエア層の表面に到達した際、アライメント装置25dの位置合わせ部材によって基板Sの位置合わせが行われる。   After receiving the board | substrate S, the raising / lowering member 26a is lowered | hung and the raising / lowering pin 26b is accommodated in the raising / lowering pin retracting hole 25b. At this time, since the air layer is formed on the stage surface 25c, the substrate S is held in a state of being floated with respect to the stage surface 25c by the air. When the substrate S reaches the surface of the air layer, the alignment of the substrate S is performed by the alignment member of the alignment device 25d.

位置合わせの後、基板搬入位置の−Y方向側に配置された各基板保持部23bの吸着パッドを基板Sの裏面に吸着させて基板Sを保持する。基板Sの裏面を基板保持部23bによって保持させた後、搬送機23aをレール23cに沿って移動させる。搬送機23aの移動に伴って基板Sが+X方向への移動を開始する。   After alignment, the suction pad of each substrate holding part 23b disposed on the −Y direction side of the substrate carry-in position is attracted to the back surface of the substrate S to hold the substrate S. After the back surface of the substrate S is held by the substrate holding portion 23b, the transporter 23a is moved along the rail 23c. The substrate S starts to move in the + X direction as the transporter 23a moves.

搬入側ステージ25のエア噴出孔25aから噴出されるエアの温度が塗布装置1の周囲の温度にほぼ等しくなるよう調節されているため、基板Sが搬入側ステージ25に搬入される際、当該エアに接する基板Sには温度ムラが発生しにくくなり、レジストRの膜厚ムラが形成されにくくなる。   Since the temperature of the air ejected from the air ejection holes 25a of the carry-in stage 25 is adjusted to be substantially equal to the temperature around the coating apparatus 1, when the substrate S is carried into the carry-in stage 25, the air The substrate S in contact with the substrate is less likely to cause temperature unevenness, and the resist R film thickness unevenness is less likely to be formed.

基板Sの搬送方向先端がノズル32の開口部32aの位置に到達したら、図7に示すように、ノズル32の開口部32aから基板Sへ向けてレジストRを吐出する。レジストRの吐出は、ノズル32の位置を固定させ搬送機23aによって基板Sを搬送させながら行う。基板Sの移動に伴い、図7に示すように基板S上にレジスト膜Rが塗布されていく。基板Sがレジストを吐出する開口部32aの下を通過することにより、基板Sの所定の領域にレジスト膜Rが形成される。このとき、処理ステージ27のエア噴出孔27aから噴出されるエアの温度は、塗布装置1の周囲の温度にほぼ等しくなるよう調節されているため、当該エアに接する基板Sには温度ムラが発生しにくくなり、レジストRの膜厚ムラが形成されにくくなる。   When the front end of the substrate S in the transport direction reaches the position of the opening 32a of the nozzle 32, the resist R is discharged from the opening 32a of the nozzle 32 toward the substrate S as shown in FIG. The resist R is discharged while the position of the nozzle 32 is fixed and the substrate S is transported by the transport machine 23a. As the substrate S moves, a resist film R is applied onto the substrate S as shown in FIG. As the substrate S passes under the opening 32a for discharging the resist, a resist film R is formed in a predetermined region of the substrate S. At this time, since the temperature of the air ejected from the air ejection holes 27a of the processing stage 27 is adjusted to be substantially equal to the temperature around the coating apparatus 1, temperature unevenness occurs in the substrate S in contact with the air. This makes it difficult to form uneven thickness of the resist R.

レジスト膜Rの形成された基板Sは、搬送機23aによって搬出側ステージ28へと搬送される。搬出側ステージ28では、ステージ表面28cに対して浮上した状態で、図7に示す基板搬出位置28Uまで基板Sが搬送される。   The substrate S on which the resist film R is formed is transported to the unloading stage 28 by the transport machine 23a. In the carry-out stage 28, the substrate S is conveyed to the substrate carry-out position 28U shown in FIG.

基板Sが基板搬出位置28Uに到達したら、リフト機構29の昇降部材29aを+Z方向に移動させる。昇降部材29aの移動により、昇降ピン29bが昇降ピン出没孔28bから基板Sの裏面へ突出し、基板Sが昇降ピン29bによって持ち上げられる。この状態で、例えば搬出側ステージ28の+X方向側に設けられた外部の搬送アームが搬出側ステージ28にアクセスし、基板Sを受け取る。基板Sを搬送アームに渡した後、搬送機23aを再び搬入側ステージ25の基板搬入位置25Lまで戻し、次の基板Sが搬送されるまで待機させる。   When the substrate S reaches the substrate carry-out position 28U, the elevating member 29a of the lift mechanism 29 is moved in the + Z direction. Due to the movement of the elevating member 29a, the elevating pins 29b protrude from the elevating pin retracting holes 28b to the back surface of the substrate S, and the substrate S is lifted by the elevating pins 29b. In this state, for example, an external transfer arm provided on the + X direction side of the carry-out stage 28 accesses the carry-out stage 28 and receives the substrate S. After the substrate S is transferred to the transfer arm, the transfer device 23a is returned again to the substrate loading position 25L of the loading side stage 25, and waits until the next substrate S is transferred.

基板Sの搬出に際し、搬出側ステージ28のエア噴出孔28aから噴出されるエアの温度は、塗布装置1の周囲の温度にほぼ等しくなるよう調節されているため、当該エアに接する基板Sには温度ムラが発生しにくくなり、レジストRの膜厚ムラが形成されにくくなる。   When the substrate S is unloaded, the temperature of the air ejected from the air ejection holes 28a of the unloading side stage 28 is adjusted to be approximately equal to the temperature around the coating apparatus 1, so that the substrate S in contact with the air has no contact with the substrate S. Temperature unevenness is less likely to occur, and film thickness unevenness of the resist R is less likely to be formed.

次の基板Sの搬送を行う場合には、例えばフレーム側部21c上に設けられた搬送機構23によって基板Sを保持して搬送するようにする。また、当該次の基板Sが搬送されてくるまでの間、塗布部3では、ノズル32の吐出状態を保持するための予備吐出が行われる。図8に示すように、レール部材35によって門型フレーム31を管理部4の位置まで−X方向へ移動させる。   When transporting the next substrate S, for example, the substrate S is held and transported by the transport mechanism 23 provided on the frame side portion 21c. In addition, until the next substrate S is transported, the application unit 3 performs preliminary discharge for maintaining the discharge state of the nozzles 32. As shown in FIG. 8, the gate frame 31 is moved in the −X direction to the position of the management unit 4 by the rail member 35.

管理部4の位置まで門型フレーム31を移動させた後、門型フレーム31の位置を調整してノズル32の先端をノズル洗浄装置43にアクセスさせ、当該ノズル洗浄装置43によってノズル先端32cを洗浄する。   After the portal frame 31 is moved to the position of the management unit 4, the position of the portal frame 31 is adjusted so that the tip of the nozzle 32 is accessed to the nozzle cleaning device 43, and the nozzle tip 32 c is cleaned by the nozzle cleaning device 43. To do.

ノズル先端32cの洗浄後、当該ノズル32を予備吐出機構41にアクセスさせる。予備吐出機構41では、開口部32aと予備吐出面との間の距離を測定しながらノズル32の先端の開口部32aをZ方向上の所定の位置に移動させ、ノズル32を−X方向へ移動させながら開口部32aからレジストを予備吐出する。   After cleaning the nozzle tip 32 c, the nozzle 32 is accessed to the preliminary discharge mechanism 41. In the preliminary discharge mechanism 41, while measuring the distance between the opening 32a and the preliminary discharge surface, the opening 32a at the tip of the nozzle 32 is moved to a predetermined position in the Z direction, and the nozzle 32 is moved in the −X direction. The resist is preliminarily discharged from the opening 32a.

予備吐出動作を行った後、門型フレーム31を元の位置に戻す。フレーム側部21c上に設けられた搬送機構23によって次の基板Sが搬送されてきたら、ノズル32をZ方向上の所定の位置に移動させる。このように、基板Sにレジスト膜Rを塗布する塗布動作と予備吐出動作とを繰り返し行わせることで、基板Sには良質なレジスト膜Rが形成されることになる。   After performing the preliminary discharge operation, the portal frame 31 is returned to the original position. When the next substrate S is transported by the transport mechanism 23 provided on the frame side portion 21c, the nozzle 32 is moved to a predetermined position in the Z direction. In this way, a high-quality resist film R is formed on the substrate S by repeatedly performing the coating operation for applying the resist film R on the substrate S and the preliminary ejection operation.

なお、必要に応じて、例えば管理部4に所定の回数アクセスする毎に、当該ノズル32をディップ槽42内にアクセスさせても良い。ディップ槽42では、ノズル32の開口部32aをディップ槽42に貯留された溶剤(シンナー)の蒸気雰囲気に曝すことでノズル32の乾燥を防止する。   If necessary, for example, each time the management unit 4 is accessed a predetermined number of times, the nozzle 32 may be accessed in the dip tank 42. In the dip tank 42, drying of the nozzle 32 is prevented by exposing the opening 32 a of the nozzle 32 to a vapor atmosphere of a solvent (thinner) stored in the dip tank 42.

このように、本実施形態によれば、基板Sへエアを噴出するエア噴出機構50、55、60が基板搬送部2に設けられており、このエアの温度を調節する温度調節機構81、82、83を備えるので、当該温度調節機構81、82、83によって基板Sへ噴出されるエアの温度を調節することができる。これにより、基板Sに発生する温度ムラを軽減することができ、基板S上に塗布されたレジストRの膜厚ムラの発生を防ぐことができる。   As described above, according to the present embodiment, the air ejection mechanisms 50, 55, and 60 that eject air to the substrate S are provided in the substrate transport unit 2, and the temperature regulation mechanisms 81 and 82 that regulate the temperature of the air. 83, the temperature of the air blown to the substrate S can be adjusted by the temperature adjusting mechanisms 81, 82, 83. Thereby, the temperature unevenness which generate | occur | produces in the board | substrate S can be reduced, and generation | occurrence | production of the film thickness nonuniformity of the resist R apply | coated on the board | substrate S can be prevented.

また、本実施形態によれば、温度調節機構81〜83が搬入側ステージ25、処理ステージ27及び搬出側ステージ28のそれぞれに設けられており、各ステージにおいて独立してエアの温度を設定することとしたので、気体の温度をより高精度に調節することができる。   Moreover, according to this embodiment, the temperature control mechanisms 81-83 are provided in each of the carrying-in stage 25, the processing stage 27, and the carrying-out stage 28, and the air temperature is set independently at each stage. Therefore, the temperature of the gas can be adjusted with higher accuracy.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態においては、ブロアーから供給されるエアに対して温度調節を行い、当該温度調節を行ったエアを噴出する構成としたが、これに限られることは無く、例えば吸引機構70によって吸引したエアをエア噴出機構に循環させ、当該循環させたエアを噴出する構成であっても構わない。例えばエア噴出機構60と吸引機構70とを接続する接続部80を介して循環させる構成とすることも可能であり、また、エア噴出機構60と吸引機構70との間に別途循環経路を設けることで吸引されたエアを循環させる構成であっても構わない。また、吸引機構70からエア噴出機構50、55へとエアを循環させる構成であっても構わない。なお、上記のように吸引機構70によって吸引したエアを循環させる場合、循環経路に異物の通過を規制するフィルタを配置する構成としても構わない。また、ステージ22上のエアをエア噴出機構50、55、60へと循環させる構成を有していても構わない。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above embodiment, the temperature supplied to the air supplied from the blower is adjusted, and the temperature-adjusted air is ejected. However, the present invention is not limited to this. The suctioned air may be circulated through the air ejection mechanism, and the circulated air may be ejected. For example, the air jet mechanism 60 and the suction mechanism 70 may be circulated through a connection portion 80 that connects the air jet mechanism 60 and the suction mechanism 70, and a separate circulation path is provided between the air jet mechanism 60 and the suction mechanism 70. The air sucked in may be configured to circulate. Further, the air may be circulated from the suction mechanism 70 to the air ejection mechanisms 50 and 55. In addition, when circulating the air attracted | sucked by the suction mechanism 70 as mentioned above, it is good also as a structure which arrange | positions the filter which controls passage of a foreign material to a circulation path. Moreover, you may have the structure which circulates the air on the stage 22 to the air ejection mechanism 50,55,60.

また、上記実施形態においては、温度センサ54、59、66をそれぞれマニホールド53、58、65に取り付ける構成としたが、これに限られることは無く、他の箇所に取り付ける構成、例えば配管に取り付ける構成やエア噴出孔25a、27a、28aに取り付ける構成であっても構わない。   In the above embodiment, the temperature sensors 54, 59, and 66 are attached to the manifolds 53, 58, and 65, respectively. However, the present invention is not limited to this, and a structure that is attached to another location, for example, a structure that is attached to a pipe. Alternatively, it may be configured to be attached to the air ejection holes 25a, 27a, and 28a.

また、上記実施形態においては、温度センサを各ステージのエア噴出孔に対応する箇所に取り付ける構成としたが、これに限られることは無く、例えば処理ステージ27のエア噴出孔27aから噴出されるエアについてのみ温度センサを設ける構成であっても構わない。また、処理ステージ27のエア噴出孔27a、搬出側ステージ28のエア噴出孔28aから噴出されるエアについてのみ温度センサを設ける構成であっても構わない。   In the above embodiment, the temperature sensor is attached to a location corresponding to the air ejection hole of each stage. However, the present invention is not limited to this. For example, the air ejected from the air ejection hole 27a of the processing stage 27 The temperature sensor may be provided only for. Further, a temperature sensor may be provided only for the air ejected from the air ejection hole 27a of the processing stage 27 and the air ejection hole 28a of the carry-out stage 28.

また、上記実施形態においては、搬入側ステージ25及び搬出側ステージ28上にエアの温度を全体的に調節する構成としたが、これに限られることは無く、例えば搬入側ステージ25の一部又は搬出側ステージ28の一部から噴出されるエアについてのみ温度を調節するような構成であっても構わない。この場合、例えば搬入側ステージ25のうち処理ステージ27に接する領域や、搬出側ステージ28のうち処理ステージ27に接する領域など、処理ステージ27を中心とする一領域上に噴出されるエアの温度が調節される構成とすることが好ましい。   Moreover, in the said embodiment, although it was set as the structure which adjusts the temperature of air generally on the carrying-in side stage 25 and the carrying-out side stage 28, it is not restricted to this, For example, a part of carrying-in side stage 25 or The temperature may be adjusted only for air ejected from a part of the carry-out stage 28. In this case, for example, the temperature of the air jetted onto one region centered on the processing stage 27, such as a region in the carry-in stage 25 that contacts the processing stage 27, or a region in the carry-out side stage 28 that contacts the processing stage 27, It is preferable that the configuration is adjusted.

また、上記実施形態においては、搬入側ステージ25、処理ステージ27及び搬出側ステージ28のそれぞれから噴出されるエアを同一の温度に調節する構成であったが、これに限られることは無く、それぞれのステージにおいて異なる温度に調節する構成としても構わない。また、例えば搬出側ステージ28においては、基板S上に塗布されたレジストRを乾燥可能な温度に調節できるようにしても構わない。これにより、レジストRの乾燥工程に要する時間を軽減することができる。   Moreover, in the said embodiment, although it was the structure which adjusts the air ejected from each of the carrying-in side stage 25, the processing stage 27, and the carrying-out side stage 28 to the same temperature, it is not restricted to this, The stage may be adjusted to a different temperature. For example, in the carry-out stage 28, the resist R applied on the substrate S may be adjusted to a temperature at which it can be dried. Thereby, the time required for the drying process of the resist R can be reduced.

本発明の実施の形態に係る塗布装置の構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the coating device which concerns on embodiment of this invention. 本実施形態に係る塗布装置の構成を示す正面図。The front view which shows the structure of the coating device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る塗布装置の構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the coating device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る塗布装置の構成を示す側面図。The side view which shows the structure of the coating device which concerns on this embodiment. ステージにエアを供給する機構の構成を示す図。The figure which shows the structure of the mechanism which supplies air to a stage. エア供給機構及び吸引機構の構成を示す図。The figure which shows the structure of an air supply mechanism and a suction mechanism. 本実施形態に係る塗布装置の動作を示す図。The figure which shows operation | movement of the coating device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る塗布装置の動作を示す図。The figure which shows operation | movement of the coating device which concerns on this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

S…基板 R…レジスト 1…塗布装置 2…基板搬送部 3…塗布部 25…搬入側ステージ 25S…基板搬入領域 25a…エア噴出孔 27…処理ステージ 27a…エア噴出孔 27a…エア噴出口 27b…エア吸引孔 27S…塗布処理領域 28…搬出側ステージ 28a…エア噴出孔 28S…基板搬出領域 28U…基板搬出位置 50、55、60…エア噴出機構 51、56、61…ブロアー 52、57、62…温度コントロールユニット 53、58、65…マニホールド 54、59、66…温度センサ 70…吸引機構 80…接続部 81〜83…温度調節機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS S ... Board | substrate R ... Resist 1 ... Application | coating apparatus 2 ... Substrate conveyance part 3 ... Application | coating part 25 ... Loading side stage 25S ... Substrate carrying-in area | region 25a ... Air ejection hole 27 ... Processing stage 27a ... Air ejection hole 27a ... Air ejection opening 27b ... Air suction hole 27S ... coating treatment area 28 ... unloading stage 28a ... air ejection hole 28S ... substrate unloading area 28U ... substrate unloading position 50, 55, 60 ... air ejection mechanism 51, 56, 61 ... blower 52, 57, 62 ... Temperature control unit 53, 58, 65 ... Manifold 54, 59, 66 ... Temperature sensor 70 ... Suction mechanism 80 ... Connection part 81-83 ... Temperature control mechanism

Claims (13)

基板を浮上させて搬送する基板搬送部と、当該基板搬送部によって搬送させつつ前記基板に液状体を塗布する塗布部とを備える塗布装置であって、
前記基板搬送部に設けられ、前記基板へ気体を噴出する気体噴出部と、
前記気体の温度を調節する温度調節部と
を備え、
前記基板搬送部は、
処理ステージが設けられ、前記塗布部に対応する塗布領域と、
搬入側気体噴出用ステージが設けられ、前記基板を搬入する基板搬入領域と、
搬出側気体噴出用ステージが設けられ、前記基板を搬出する基板搬出領域と
を有し、
前記処理ステージのステージ表面には、前記気体を噴出する複数の気体噴出口と、前記基板が搬送される搬送空間を吸引する複数の吸引口とが設けられ、
前記処理ステージは、前記吸引口から吸引された前記気体を前記気体噴出口へ循環させる循環経路を有し、
前記搬入側気体噴出用ステージ及び前記搬出側気体噴出用ステージの表面には、前記気体を噴出する複数の第二気体噴出口が設けられており、
前記温度調節部は、前記処理ステージ、前記搬入側気体噴出用ステージ及び前記搬出側気体噴出用ステージのそれぞれのステージ毎に前記気体の温度を調整可能である
ことを特徴とする塗布装置。
A coating apparatus comprising a substrate transport unit that floats and transports a substrate, and an application unit that applies a liquid material to the substrate while being transported by the substrate transport unit,
A gas ejection unit provided in the substrate transport unit and configured to eject gas to the substrate;
A temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the gas,
The substrate transport unit is
A processing stage is provided, and an application area corresponding to the application part;
A loading-side gas ejection stage is provided, and a substrate loading area for loading the substrate;
An unloading-side gas ejection stage, and a substrate unloading area for unloading the substrate,
The stage surface of the processing stage is provided with a plurality of gas ejection ports for ejecting the gas and a plurality of suction ports for sucking a conveyance space in which the substrate is conveyed,
The processing stage has a circulation path for circulating the gas sucked from the suction port to the gas ejection port,
A plurality of second gas ejection ports for ejecting the gas are provided on the surfaces of the loading-side gas ejection stage and the unloading-side gas ejection stage,
The said temperature control part can adjust the temperature of the said gas for every stage of the said process stage, the said stage for carrying-in side gas ejection, and the stage for the said carrying-out side gas jetting. The coating device characterized by the above-mentioned.
前記温度調節部は、前記搬送空間の温度に合わせるように前記気体の温度を調節する
ことを特徴とする請求項1に記載の塗布装置。
The coating apparatus according to claim 1, wherein the temperature adjustment unit adjusts the temperature of the gas so as to match the temperature of the conveyance space.
前記温度調節部は、前記気体の温度を20℃〜25℃の範囲内に調節する
ことを特徴とする請求項1に記載の塗布装置。
The said temperature adjustment part adjusts the temperature of the said gas in the range of 20 to 25 degreeC. The coating device of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
前記気体噴出口は、前記処理ステージにおける前記搬送空間のみに前記気体を噴出する
ことを特徴とする請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
The coating apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the gas ejection port ejects the gas only to the transfer space in the processing stage.
前記循環経路は、前記気体に含まれる異物の流通を規制するフィルタを有する
ことを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
The said circulation path has a filter which regulates the distribution | circulation of the foreign material contained in the said gas. The coating device as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
前記気体を供給する経路上には、前記基板を搬送する前記搬送空間の温度を一定温度に保つように冷却機構及び加熱機構のうち少なくとも一方が設けられている
ことを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
The at least one of a cooling mechanism and a heating mechanism is provided on the path for supplying the gas so as to keep the temperature of the transfer space for transferring the substrate at a constant temperature. The coating apparatus as described in any one of Claim 5.
基板を浮上させて搬送しつつ前記基板に液状体を塗布する塗布方法であって、
気体の温度を調節し、温度が調節された前記気体を前記基板に噴出して前記基板を浮上させるものであり、
前記基板に前記液状体を塗布する際には、
複数の気体噴出口及び複数の吸引口が設けられ前記液状体が塗布される領域に対応して配置された処理ステージ上に、複数の前記気体噴出口から前記気体を噴出すると共に複数の前記吸引口によって前記基板が搬送される搬送空間を吸引することにより、前記基板を浮上させることと、
前記吸引口から吸引された前記気体を前記気体噴出口へ循環させることとを行い、
前記基板を搬入する際には、複数の搬入側気体噴出口が設けられた搬入側気体噴出用ステージ上に、複数の前記搬入側気体噴出口から前記基板へ気体を噴出することにより、前記基板を浮上させることを行い、
前記基板を搬出する際には、複数の搬出側気体噴出口が設けられた搬出側気体噴出用ステージ上に、複数の前記搬出側気体噴出口から前記基板へ気体を噴出することにより、前記基板を浮上させることを行い、
前記気体の温度の調節は、前記処理ステージ、前記搬入側気体噴出用ステージ及び前記搬出側気体噴出用ステージのそれぞれのステージ毎に行う
ことを特徴とする塗布方法。
An application method for applying a liquid material to the substrate while the substrate is levitated and conveyed,
Adjusting the temperature of the gas, jetting the gas whose temperature has been adjusted to the substrate and floating the substrate;
When applying the liquid material to the substrate,
A plurality of gas jets and a plurality of suction ports are provided, and the gas is jetted from the plurality of gas jets on a processing stage disposed corresponding to a region where the liquid material is applied, and a plurality of the suctions are provided. Floating the substrate by sucking a transfer space in which the substrate is transferred by a mouth;
Circulating the gas sucked from the suction port to the gas outlet,
When carrying in the substrate, the substrate is ejected from the plurality of carry-in gas jets onto the substrate on a carry-in gas jet stage provided with a plurality of carry-in gas jets. Do the surfacing,
When unloading the substrate, the substrate is ejected from the plurality of unloading-side gas ejection ports onto the unloading-side gas ejection stage provided with a plurality of unloading-side gas ejection ports. Do the surfacing,
The gas temperature is adjusted for each of the processing stage, the carry-in side gas ejection stage, and the carry-out side gas ejection stage.
前記液状体を塗布する前に前記基板へ噴出する前記気体の温度を調節する
ことを特徴とする請求項7に記載の塗布方法。
The coating method according to claim 7, wherein the temperature of the gas ejected to the substrate is adjusted before coating the liquid material.
前記基板を搬入する前に前記基板へ噴出する前記気体の温度を調節する
ことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の塗布方法。
The coating method according to claim 7 or 8, wherein the temperature of the gas ejected to the substrate is adjusted before the substrate is carried in.
前記基板を搬出する前に前記基板へ噴出する前記気体の温度を調節する
ことを特徴とする請求項7から請求項9のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
The coating method according to any one of claims 7 to 9, wherein the temperature of the gas ejected to the substrate is adjusted before the substrate is unloaded.
前記基板を搬送する前記搬送空間の温度に合わせるように前記気体の温度を調節する
ことを特徴とする請求項7から請求項10のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
The coating method according to any one of claims 7 to 10, wherein the temperature of the gas is adjusted so as to match the temperature of the transport space that transports the substrate.
前記気体の温度を20〜25℃の範囲内に調節する
ことを特徴とする請求項7から請求項11のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
The temperature of the said gas is adjusted in the range of 20-25 degreeC. The coating method as described in any one of Claims 7-11 characterized by the above-mentioned.
前記各ステージ内において、前記基板の搬送位置によって異なる温度の気体が前記基板に噴出されるように前記気体の温度を調節する
ことを特徴とする請求項7から請求項12のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
The temperature of the gas is adjusted so that a gas having a different temperature is jetted onto the substrate in each stage according to the transport position of the substrate. The coating method described in 1.
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