JP2003145017A - Coating method and coating apparatus - Google Patents
Coating method and coating apparatusInfo
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板にレジスト等の塗布液を塗布する塗布処理方法およ
び塗布処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating processing method and a coating processing apparatus for coating a substrate such as a semiconductor wafer with a coating liquid such as a resist.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と記
す)の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成
し、レジスト塗布後のウエハに対して所定のパターンに
対応して露光処理を行った後に当該ウエハのレジスト膜
に形成された露光パターンを現像するという、いわゆる
フォトリソグラフィー技術により所定のパターンを形成
するためのマスクとしてレジストパターンが形成され
る。そして、上記工程のうちレジスト塗布処理において
は、ウエハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方
法としてスピンコーティング法が多用されている。2. Description of the Related Art For example, in a semiconductor device manufacturing process, a resist solution is supplied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a "wafer") to form a resist film, and a predetermined resist is applied to the resist-coated wafer. The resist pattern is formed as a mask for forming a predetermined pattern by a so-called photolithography technique in which the exposure pattern formed on the resist film of the wafer is developed after performing the exposure process corresponding to the pattern. In the resist coating process of the above steps, the spin coating method is often used as a method for uniformly coating the resist liquid on the wafer surface.
【0003】図13は、このスピンコーティング法の概
要を示すものである。例えばスピンチャック141によ
り真空吸着によってウエハWを固定保持した状態で、図
示しない回転駆動手段によりスピンチャック141とと
もにウエハWを回転させながら、ウエハWの上方に配置
されたレジストノズル142からウエハW表面の中央に
レジスト液を滴下する。滴下されたレジスト液は、遠心
力によってウエハWの径方向外方に向かって広がり、ウ
エハWの表面全体にレジスト膜が形成される。その後レ
ジスト液の滴下を停止し、ウエハの回転を継続してウエ
ハWの表面の余分なレジスト液を振り切って膜厚を整え
るとともに乾燥を行う。FIG. 13 shows an outline of this spin coating method. For example, in a state where the wafer W is fixedly held by vacuum adsorption by the spin chuck 141, while rotating the wafer W together with the spin chuck 141 by a rotation driving unit (not shown), the surface of the wafer W is removed from the resist nozzle 142 arranged above the wafer W. A resist solution is dropped in the center. The dropped resist solution spreads outward in the radial direction of the wafer W due to the centrifugal force, and a resist film is formed on the entire surface of the wafer W. After that, the dropping of the resist solution is stopped, the rotation of the wafer is continued, and the excess resist solution on the surface of the wafer W is shaken off to adjust the film thickness and dry it.
【0004】ところで、レジストパターンを高精度で形
成するためには、レジスト膜をウエハ全面に亘って均一
な所定の膜厚で形成する必要があり、そのためには、ウ
エハの回転速度や回転時間の他、レジスト液滴下時間
や、レジスト液滴下とウエハ回転とのタイミングを厳密
に制御することが重要である。By the way, in order to form a resist pattern with high accuracy, it is necessary to form a resist film with a uniform film thickness over the entire surface of the wafer. In addition, it is important to strictly control the resist drop time and the timing between the resist drop and the wafer rotation.
【0005】従来は、これらを装置のソフトウエアにて
制御することにより、レジスト膜の膜厚および膜厚分布
の管理を行っている。Conventionally, the film thickness and the film thickness distribution of the resist film are managed by controlling them by software of the apparatus.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
レジスト液吐出のタイミング等はソフトウエアで管理し
ているタイミングとは必ずしも同じではなく、したがっ
て、最適条件から若干ずれた制御となっている場合もあ
る。近時、半導体デバイスの微細化が益々進み、これに
ともなって、レジスト膜の膜厚精度および膜厚均一性に
対する要求も極めて高いものとなっているため、このよ
うな条件のずれにより、膜厚精度および膜厚均一性が要
求されている範囲から外れてしまうおそれがある。However, the actual timing of discharging the resist solution is not always the same as the timing managed by software, and therefore the control may be slightly deviated from the optimum condition. is there. In recent years, semiconductor devices have become more and more miniaturized, and the demand for resist film thickness accuracy and film thickness uniformity has become extremely high. There is a possibility that accuracy and film thickness uniformity may deviate from the required range.
【0007】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、レジスト膜等の塗布膜を高い膜厚精度および
膜厚均一性で形成することができる塗布処理方法および
塗布処理装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a coating processing method and a coating processing apparatus capable of forming a coating film such as a resist film with high film thickness accuracy and film thickness uniformity. The purpose is to
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第1の観点では、被処理基板の略中央に塗
布液を吐出するとともに被処理基板を回転させ、塗布液
を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗
布処理方法であって、塗布液を吐出させる際に、塗布液
吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けられたバルブ
が開かれたことを示す信号を検出し、その信号に基づい
て塗布処理を制御することを特徴とする塗布処理方法を
提供する。In order to solve the above-mentioned problems, in the first aspect of the present invention, the coating liquid is discharged to substantially the center of the substrate to be processed and the substrate to be processed is rotated to treat the coating liquid. A coating treatment method for forming a coating film by spreading it radially outward of a substrate, wherein a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to a coating liquid discharge nozzle is opened when the coating liquid is discharged. And a coating process is controlled based on the detected signal.
【0009】本発明の第2の観点では、被処理基板の略
中央に塗布液を吐出するとともに被処理基板を回転さ
せ、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を
形成する塗布処理方法であって、塗布液吐出ノズルから
塗布液を吐出させるためのポンプに駆動信号を送り、塗
布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けられたバ
ルブに開信号を送る工程と、前記バルブが開かれたこと
を示す信号を検出する工程と、前記バルブが開かれたこ
とを示す信号に基づいて、被処理基板を回転させる工程
とを具備することを特徴とする塗布処理方法を提供す
る。According to a second aspect of the present invention, the coating liquid is discharged to approximately the center of the substrate to be processed and the substrate to be processed is rotated to spread the coating liquid radially outward of the substrate to be processed to form a coating film. And a step of sending a drive signal to a pump for discharging the coating liquid from the coating liquid discharge nozzle, and sending an open signal to a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle. A coating method comprising: detecting a signal indicating that the valve has been opened; and rotating the substrate to be processed based on the signal indicating that the valve has been opened. I will provide a.
【0010】本発明の第3の観点では、被処理基板の略
中央に塗布液を吐出するとともに被処理基板を回転さ
せ、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を
形成する塗布処理方法であって、塗布液吐出ノズルから
塗布液を吐出させるためのポンプに駆動信号を送り、塗
布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けられたバ
ルブに開信号を送る工程と、前記バルブが開かれたこと
を示す信号を検出する工程と、前記バルブが開かれたこ
とを示す信号に基づいて、被処理基板の回転を開始させ
る工程と、前記バルブが開かれたことを示す信号に基づ
いて、塗布液の吐出終了時間を制御する工程とを具備す
ることを特徴とする塗布処理方法を提供する。According to a third aspect of the present invention, the coating liquid is discharged to the approximate center of the substrate to be processed and the substrate to be processed is rotated to spread the coating liquid radially outward of the substrate to be processed to form a coating film. And a step of sending a drive signal to a pump for discharging the coating liquid from the coating liquid discharge nozzle, and sending an open signal to a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle. A step of detecting a signal indicating that the valve has been opened, a step of starting rotation of the substrate to be processed based on the signal indicating that the valve has been opened, and a step of opening the valve. And a step of controlling the discharge end time of the coating liquid based on the signal shown.
【0011】本発明の第4の観点では、被処理基板の略
中央に塗布液を吐出するとともに被処理基板を回転さ
せ、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を
形成する塗布処理装置であって、被処理基板を略水平に
保持する基板保持部材と、前記基板保持部材を回転させ
るモーターと、前記基板保持部材に保持された被処理基
板の略中央に塗布液を供給するための塗布液吐出ノズル
と、前記塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるため
のポンプと、前記塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する
配管に設けられたバルブと、前記バルブが開かれたこと
を示す信号を検出する開検出手段と、前記開検出手段の
検出信号が入力され、その検出信号に基づいて、前記モ
ーターの駆動を開始させる制御手段とを具備することを
特徴とする塗布処理装置を提供する。According to a fourth aspect of the present invention, the coating liquid is discharged to approximately the center of the substrate to be processed and the substrate to be processed is rotated to spread the coating liquid radially outward of the substrate to be processed to form a coating film. Which is a coating processing apparatus for holding a substrate to be processed substantially horizontally, a motor for rotating the substrate holding member, and a coating liquid at a substantially center of the substrate to be processed held by the substrate holding member. A coating liquid discharge nozzle for supplying the liquid, a pump for discharging the coating liquid from the coating liquid discharge nozzle, a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle, and the valve being opened. Coating device comprising: an open detection means for detecting a signal indicating that the application signal is detected; and a control means for receiving the detection signal of the open detection means and starting driving of the motor based on the detection signal. processing To provide a location.
【0012】本発明の第5の観点では、被処理基板の略
中央に塗布液を吐出するとともに被処理基板を回転さ
せ、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を
形成する塗布処理装置であって、被処理基板を略水平に
保持する基板保持部材と、前記基板保持部材を回転させ
るモーターと、前記基板保持部材に保持された被処理基
板の略中央に塗布液を供給するための塗布液吐出ノズル
と、前記塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるため
のポンプと、前記塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する
配管に設けられたバルブと、前記バルブが開かれたこと
を示す信号を検出する開検出手段と、前記開検出手段の
検出信号が入力され、その検出信号に基づいて、前記モ
ーターの駆動を開始させ、かつ塗布液の吐出終了時点お
よび前記モーターの駆動の停止時点を制御する制御手段
とを具備することを特徴とする塗布処理装置を提供す
る。According to a fifth aspect of the present invention, the coating liquid is discharged to substantially the center of the substrate to be processed and the substrate to be processed is rotated to spread the coating liquid radially outward of the substrate to be processed to form a coating film. Which is a coating processing apparatus for holding a substrate to be processed substantially horizontally, a motor for rotating the substrate holding member, and a coating liquid at a substantially center of the substrate to be processed held by the substrate holding member. A coating liquid discharge nozzle for supplying the liquid, a pump for discharging the coating liquid from the coating liquid discharge nozzle, a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle, and the valve being opened. Open detection means for detecting a signal indicating that, the detection signal of the open detection means is input, based on the detection signal, the drive of the motor is started, and the discharge end time of the coating liquid and the motor Providing a coating apparatus characterized by a control means for controlling the stop point of the movement.
【0013】本発明によれば、塗布液を吐出させる際
に、塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けら
れたバルブが開かれたことを示す信号を検出し、その信
号に基づいて塗布処理を制御するので、実際に塗布液が
吐出した時点を把握した上で諸条件を制御することがで
き、レジスト膜等の塗布膜を高い膜厚精度および膜厚均
一性で形成することができる。According to the present invention, when the coating liquid is discharged, a signal indicating that the valve provided in the pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle is opened is detected, and the signal is detected based on the signal. Since the coating process is controlled, various conditions can be controlled after grasping the time when the coating liquid is actually discharged, and a coating film such as a resist film can be formed with high film thickness accuracy and film thickness uniformity. it can.
【0014】つまり、レジスト液等の塗布液を吐出させ
る際には、ノズルに設けられたバルブを操作するが、通
常このようなバルブとして使用されるエアオペレーショ
ンバルブは、開信号が入力された時点から実際に開状態
になるまでの時間が一定ではなく、バルブの個体差や設
置状態等によってばらつくため、ソフトウエアにより塗
布液吐出タイミングを厳密に制御しても、実際の塗布液
の吐出タイミングからずれる場合が生じる。そこで、本
発明では実際にバルブが開かれたことを示す信号を検出
することにより、塗布液吐出タイミングを高精度で制御
することができ、塗布膜を高い膜厚精度および膜厚均一
性で形成することができる。That is, when the coating liquid such as the resist liquid is discharged, the valve provided in the nozzle is operated, but the air operation valve normally used as such a valve is at the time when the open signal is input. Since the time from the opening to the actual open state is not constant and varies depending on individual valve differences and installation conditions, even if the coating liquid discharge timing is strictly controlled by software, the actual coating liquid discharge timing There may be a shift. Therefore, in the present invention, by detecting a signal indicating that the valve is actually opened, the timing of discharging the coating liquid can be controlled with high accuracy, and the coating film can be formed with high film thickness accuracy and film thickness uniformity. can do.
【0015】具体的には、上記第2の観点および第4の
観点のように、バルブが開かれたことを示す信号を検出
し、その信号に基づいて被処理基板を回転させるように
制御することにより、塗布液が吐出された時点において
被処理基板の回転速度が高すぎる等の膜厚変動要因とな
る不都合が防止される。Specifically, as in the second and fourth aspects, a signal indicating that the valve has been opened is detected, and the substrate to be processed is controlled to rotate based on the signal. As a result, it is possible to prevent inconveniences such as the rotation speed of the substrate to be processed being too high at the time when the coating liquid is ejected, which causes a film thickness variation.
【0016】また、第3の観点および第5の観点のよう
に、さらに、バルブが開かれたことを示す信号に基づい
て、塗布液の吐出終了時間を制御することにより、塗布
液の実際の吐出時間を一定にすることができ、塗布膜の
膜厚精度および膜厚均一性を一層高くすることができ
る。Further, as in the third and fifth aspects, by further controlling the discharge end time of the coating liquid based on the signal indicating that the valve has been opened, the actual coating liquid can be obtained. The ejection time can be made constant, and the film thickness accuracy and film thickness uniformity of the coating film can be further improved.
【0017】この場合に、塗布液の吐出終了時間を制御
する際に、前記バルブに開信号が送られ実際にバルブが
開かれるべき時点から前記開かれたことを示す信号を検
出した時点までの遅れ時間に基づいて前記ポンプの駆動
を停止する時点および前記バルブを閉じる時点を制御す
ることが好ましい。これにより、一層高精度の膜厚制御
を行うことができる。この際のポンプの駆動停止時点
は、その塗布液吐出レートとともに、従前の被処理基板
に塗布処理を行う際に把握した前記遅れ時間に基づいて
制御することができる。これにより、ポンプの制御を容
易に行うことができる。さらに、バルブが開かれたこと
を示す信号を検出してから予め設定された時間後に被処
理基板の回転を低減(すなわちモータの停止)するよう
に制御することもできるし、バルブが閉じられたことを
示す信号を検出し、その信号に基づいて前記被処理基板
の回転を低減するように制御することもできる。In this case, when controlling the discharge end time of the coating liquid, from the time when the opening signal is sent to the valve and the valve is actually opened to the time when the signal indicating the opening is detected. It is preferable to control the time when the driving of the pump is stopped and the time when the valve is closed based on the delay time. Thereby, the film thickness can be controlled with higher accuracy. At this time, the drive stop time of the pump can be controlled based on the coating liquid discharge rate and the delay time grasped when the coating process is performed on the conventional substrate to be processed. As a result, the pump can be easily controlled. Further, it is possible to control so that the rotation of the substrate to be processed is reduced (that is, the motor is stopped) after a preset time has elapsed after the signal indicating that the valve has been opened is detected, or the valve is closed. It is also possible to detect a signal indicating that and to control the rotation of the substrate to be processed to be reduced based on the signal.
【0018】また、本発明において、バルブが開かれた
ことを示す信号として、従前の被処理基板に塗布処理を
行う際に検出されたものを用いることもできる。これに
より、塗布液が吐出される際の被処理基板の回転速度を
調整することが可能となる。Further, in the present invention, as the signal indicating that the valve is opened, the signal detected when the coating process is performed on the conventional substrate to be processed can be used. This makes it possible to adjust the rotation speed of the substrate to be processed when the coating liquid is discharged.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本発明
の塗布処理方法を実施するためのレジスト塗布処理ユニ
ットを搭載したレジスト塗布現像処理システムを示す概
略平面図、図2はその正面図、図3はその背面図であ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing a resist coating / developing processing system equipped with a resist coating processing unit for carrying out the coating processing method of the present invention, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof.
【0020】このレジスト塗布現像処理システム1は、
搬送ステーションであるカセットステーション10と、
複数の処理ユニットを有する処理ステーション11と、
処理ステーション11と隣接して設けられる図示しない
露光装置との間でウエハWを受け渡すためのインターフ
ェイス部12とを具備している。The resist coating and developing system 1 is
A cassette station 10, which is a transfer station,
A processing station 11 having a plurality of processing units;
An interface unit 12 for transferring the wafer W between the processing station 11 and an exposure device (not shown) provided adjacent to the processing station 11.
【0021】上記カセットステーション10は、被処理
体としてのウエハWを複数枚例えば25枚単位でウエハ
カセットCRに搭載された状態で他のシステムからこの
システムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ
搬出したり、ウエハカセットCRと処理ステーション1
1との間でウエハWの搬送を行うためのものである。In the cassette station 10, a plurality of wafers W to be processed are loaded into the wafer cassette CR in units of, for example, 25 wafers, and loaded into or unloaded from another system. Wafer cassette CR and processing station 1
This is for carrying the wafer W to and from 1.
【0022】このカセットステーション10において
は、図1に示すように、カセットCを載置する載置台2
0上に図中X方向に沿って複数(図では4個)の位置決
め突起20aが形成されており、この突起20aの位置
にウエハカセットCRがそれぞれのウエハ出入口を処理
ステーション11側に向けて一列に載置可能となってい
る。ウエハカセットCRにおいてはウエハWが垂直方向
(Z方向)に配列されている。また、カセットステーシ
ョン10は、載置台20と処理ステーション11との間
に位置するウエハ搬送機構21を有している。このウエ
ハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)および
その中のウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動可
能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、この搬送
アーム21aによりいずれかのウエハカセットCRに対
して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ
搬送用アーム21aは、θ方向に回転可能に構成されて
おり、後述する処理ステーション11側の第3の処理ユ
ニット群G3に属するアライメントユニット(ALI
M)およびエクステンションユニット(EXT)にもア
クセスできるようになっている。In this cassette station 10, as shown in FIG. 1, a mounting table 2 on which a cassette C is mounted.
A plurality of (four in the figure) positioning protrusions 20a are formed on the substrate 0 along the X direction in the figure, and the wafer cassettes CR are aligned at the positions of the protrusions 20a with the respective wafer entrances and exits facing the processing station 11 side. It can be placed on. In the wafer cassette CR, the wafers W are arranged in the vertical direction (Z direction). The cassette station 10 also has a wafer transfer mechanism 21 located between the mounting table 20 and the processing station 11. The wafer transfer mechanism 21 has a wafer transfer arm 21a that is movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction of the wafers W therein (Z direction). Wafer cassette CR can be selectively accessed. The wafer transfer arm 21a is configured to be rotatable in the θ direction, and is included in an alignment unit (ALI) belonging to a third processing unit group G 3 on the processing station 11 side described later.
M) and extension unit (EXT) are also accessible.
【0023】上記処理ステーション11は、ウエハWへ
対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するため
の複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段
に配置されており、これらによりウエハWが一枚ずつ処
理される。この処理ステーション11は、図1に示すよ
うに、中心部に搬送路22aを有し、この中に主ウエハ
搬送機構22が設けられ、搬送路22aの周りに全ての
処理ユニットが配置されている。これら複数の処理ユニ
ットは、複数の処理ユニット群に分かれており、各処理
ユニット群は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多
段に配置されている。The processing station 11 is provided with a plurality of processing units for carrying out a series of steps for coating / developing the wafer W, and these processing units are arranged in multiple stages at predetermined positions. The wafers W are processed one by one. As shown in FIG. 1, the processing station 11 has a transfer path 22a in the center thereof, a main wafer transfer mechanism 22 is provided in the transfer path 22a, and all the processing units are arranged around the transfer path 22a. . The plurality of processing units are divided into a plurality of processing unit groups, and each processing unit group includes a plurality of processing units arranged in multiple stages along the vertical direction.
【0024】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置4
6も一体的に回転可能となっている。As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is equipped with a wafer transfer device 46 inside the cylindrical support 49 so as to be vertically movable (Z direction). The cylindrical support 49 is rotatable by a rotational driving force of a motor (not shown), and the wafer transfer device 4 is accordingly rotated.
6 is also rotatable integrally.
【0025】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members 48 that are movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and these holding members 48 realize the transfer of the wafer W between the processing units. .
【0026】また、図1に示すように、この実施の形態
においては、4個の処理ユニット群G1,G2,G3,
G4が搬送路22aの周囲に配置されており、処理ユニ
ット群G5は必要に応じて配置可能となっている。Further, as shown in FIG. 1, in this embodiment, four processing unit groups G 1 , G 2 , G 3 ,
G 4 is arranged around the transport path 22a, and the processing unit group G 5 can be arranged as necessary.
【0027】これらのうち、第1および第2の処理ユニ
ット群G1,G2はシステム正面(図1において手前)
側に並列に配置され、第3の処理ユニット群G3はカセ
ットステーション10に隣接して配置され、第4の処理
ユニット群G4はインターフェイス部12に隣接して配
置されている。また、第5の処理ユニット群G5は背面
部に配置可能となっている。Of these, the first and second processing unit groups G 1 and G 2 are in front of the system (front side in FIG. 1).
The third processing unit group G 3 is arranged in parallel on the side, the third processing unit group G 3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and the fourth processing unit group G 4 is arranged adjacent to the interface section 12. Further, the fifth processing unit group G 5 can be arranged on the back surface.
【0028】第1の処理ユニット群G1では、カップC
P内でウエハWをスピンチャック(図示せず)に載置し
てウエハWにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニ
ット(COT)および同様にカップCP内でレジストの
パターンを現像する現像処理ユニット(DEV)が下か
ら順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット群G
2も同様に、2台のスピナ型処理ユニットとしてレジス
ト塗布処理ユニット(COT)および現像処理ユニット
(DEV)が下から順に2段に重ねられている。In the first processing unit group G 1 , the cup C
A resist coating processing unit (COT) that mounts the wafer W on a spin chuck (not shown) in P to coat the resist on the wafer W, and a developing processing unit (DEV that similarly develops the resist pattern in the cup CP). ) Are stacked in two steps in order from the bottom. Second processing unit group G
2 Similarly, the resist coating unit (COT) and developing unit (DEV) are two-tiered in order from the bottom as two spinner-type processing units.
【0029】第3の処理ユニット群G3においては、図
3に示すように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の
処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられ
ている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのい
わゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット(A
D)、ウエハWの位置合わせを行うアライメントユニッ
ト(ALIM)、ウエハWの搬入出を行うエクステンシ
ョンユニット(EXT)、冷却処理を行うクーリングユ
ニット(COL)、露光処理前や露光処理後、さらには
現像処理後にウエハWに対して加熱処理を行う4つのホ
ットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ね
られている。なお、アライメントユニット(ALIM)
の代わりにクーリングユニット(COL)を設け、クー
リングユニット(COL)にアライメント機能を持たせ
てもよい。In the third processing unit group G 3 , as shown in FIG. 3, a plurality of oven-type processing units for stacking the wafer W on the mounting table SP and performing predetermined processing are stacked. That is, the adhesion unit (A) that performs a so-called hydrophobic treatment for improving the fixability of the resist.
D), an alignment unit (ALIM) for aligning the wafer W, an extension unit (EXT) for loading / unloading the wafer W, a cooling unit (COL) for cooling processing, before and after exposure processing, and further for development. Four hot plate units (HP) for heating the wafer W after the processing are stacked in eight stages in order from the bottom. Alignment unit (ALIM)
Alternatively, a cooling unit (COL) may be provided and the cooling unit (COL) may have an alignment function.
【0030】第4の処理ユニット群G4も、オーブン型
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット(COL)、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット(EXTCOL)、エクステンションユニッ
ト(EXT)、クーリングユニット(COL)、および
4つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8
段に重ねられている。Also in the fourth processing unit group G 4 , oven type processing units are stacked in multiple stages. That is, a cooling unit (COL), an extension / cooling unit (EXTCOL) that is a wafer loading / unloading unit equipped with a cooling plate, an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), and four hot plate units (HP) are located below. In order from 8
It is stacked in columns.
【0031】主ウエハ搬送機構22の背部側に第5の処
理ユニット群G5を設ける場合には、案内レール25に
沿って主ウエハ搬送機構22から見て側方へ移動できる
ようになっている。したがって、第5の処理ユニット群
G5を設けた場合でも、これを案内レール25に沿って
スライドすることにより空間部が確保されるので、主ウ
エハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業を
容易に行うことができる。When the fifth processing unit group G 5 is provided on the back side of the main wafer transfer mechanism 22, it can be moved laterally along the guide rail 25 when viewed from the main wafer transfer mechanism 22. . Therefore, even when the fifth processing unit group G 5 is provided, the space is secured by sliding the fifth processing unit group G 5 along the guide rail 25, so that maintenance work can be easily performed from the rear side with respect to the main wafer transfer mechanism 22. Can be done.
【0032】上記インターフェイス部12は、奥行方向
(X方向)の長さが処理ステーション11と同じであ
り、図1、図2に示すように、このインターフェイス部
12の正面部には、可搬性のピックアップカセットCR
と定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、背
面部には周辺露光装置23が配設され、中央部には、ウ
エハ搬送機構24が配設されている。このウエハ搬送機
構24は、ウエハ搬送用アーム24aを有しており、こ
のウエハ搬送用アーム24aは、X方向、Z方向に移動
して両カセットCR,BRおよび周辺露光装置23にア
クセス可能となっている。また、このウエハ搬送用アー
ム24aは、θ方向に回転可能であり、処理ステーショ
ン11の第4の処理ユニット群G4に属するエクステン
ションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装
置側のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセス可能
となっている。The interface section 12 has the same length in the depth direction (X direction) as that of the processing station 11. As shown in FIGS. 1 and 2, the interface section 12 has a portable front surface. Pick-up cassette CR
The stationary buffer cassette BR is arranged in two stages, the peripheral exposure device 23 is arranged at the back surface, and the wafer transfer mechanism 24 is arranged at the central part. The wafer transfer mechanism 24 has a wafer transfer arm 24a. The wafer transfer arm 24a moves in the X and Z directions to access both cassettes CR, BR and the peripheral exposure device 23. ing. Further, the wafer transfer arm 24a is rotatable in the θ direction, and an extension unit (EXT) belonging to the fourth processing unit group G 4 of the processing station 11 or a wafer transfer table of the adjacent exposure apparatus side. It is also accessible (not shown).
【0033】このように構成されるレジスト塗布現像処
理システム1においては、ウエハカセットCRから処理
前のウエハWを1枚ずつウエハ搬送機構21によって取
り出し、処理ステーション11のアライメントユニット
(ALIM)へ搬入する。次いで、ここで位置決めされ
たウエハWを主ウエハ搬送機構22により搬出し、アド
ヒージョンユニット(AD)に搬入してアドヒージョン
処理を施す。このアドヒージョン処理の終了後、ウエハ
Wを主ウエハ搬送機構22により搬出し、クーリングユ
ニット(COL)に搬送して、ここで冷却する。次い
で、ウエハWをレジスト塗布処理ユニット(COT)に
搬送してレジスト塗布を行い、さらに、ホットプレート
ユニット(HP)でプリベーク処理を行って、エクステ
ンション・クーリングユニット(EXTCOL)を介し
て、インターフェイス部12に搬送し、そこからウエハ
搬送機構24により隣接する露光装置に搬送する。その
後、露光装置にて露光処理のなされたウエハWを、ウエ
ハ搬送機構24によりインターフェイス部12、エクス
テンションユニット(EXT)を介して処理ステーショ
ン11に搬送する。処理ステーション11において、主
ウエハ搬送機構22によりウエハWをホットプレートユ
ニット(HP)に搬送してポストエクスポージャー処理
を施し、さらに現像ユニット(DEV)に搬送して現像
処理を施した後、ホットプレートユニット(HP)でポ
ストベーク処理を行い、クーリングユニット(COL)
において冷却した後、エクステンションユニット(EX
T)を介してカセットステーション10に搬送する。以
上のようにして所定の処理がなされたウエハWを、ウエ
ハ搬送機構22がウエハカセットCRに収納する。In the resist coating / developing processing system 1 thus constructed, the unprocessed wafers W are taken out one by one from the wafer cassette CR by the wafer transfer mechanism 21 and carried into the alignment unit (ALIM) of the processing station 11. . Next, the wafer W positioned here is carried out by the main wafer transfer mechanism 22 and carried into the adhesion unit (AD) to be subjected to the adhesion processing. After the completion of this adhesion process, the wafer W is unloaded by the main wafer transfer mechanism 22 and transferred to the cooling unit (COL) where it is cooled. Next, the wafer W is transferred to a resist coating processing unit (COT) for resist coating, and prebaking is performed by a hot plate unit (HP), and the interface unit 12 is passed through an extension cooling unit (EXTCOL). Then, the wafer is transferred to the adjacent exposure apparatus by the wafer transfer mechanism 24. After that, the wafer W that has been subjected to the exposure processing by the exposure apparatus is transferred to the processing station 11 by the wafer transfer mechanism 24 via the interface section 12 and the extension unit (EXT). In the processing station 11, the main wafer transfer mechanism 22 transfers the wafer W to the hot plate unit (HP) for post exposure processing, and then to the developing unit (DEV) for development processing, and then the hot plate unit. (HP) post bake process, cooling unit (COL)
After cooling in the extension unit (EX
It is conveyed to the cassette station 10 via T). The wafer W, which has been subjected to the predetermined processing as described above, is stored in the wafer cassette CR by the wafer transfer mechanism 22.
【0034】次に、本発明の塗布処理方法を実施するた
めのレジスト塗布処理ユニット(COT)について図4
および図5を参照しながら説明する。このレジスト塗布
処理ユニット(COT)は、主ウエハ搬送機構22の保
持部材48が進入するための開口50aを有するケーシ
ング50を有し、その中にウエハWを収容する収容容器
であるカップCPが設けられ、そのカップ内にウエハW
を真空吸着によって水平に保持するスピンチャック51
が設けられている。このスピンチャック51は、カップ
CPの下方に設けられたパルスモーターなどの駆動モー
タ52によって回転可能となっており、その回転速度も
任意に制御可能となっている。カップCPの底部の中央
寄りの部分には排気管53が接続され、また外側よりの
部分には排液管54が接続されている。そして、排気管
53からカップCP内の気体が排気されるとともに、排
液管54からは、塗布処理にともなって飛散したレジス
ト液や溶剤が排出される。なお、スピンチャック51
は、図示しないエアシリンダー等の昇降機構により昇降
可能となっている。Next, a resist coating processing unit (COT) for carrying out the coating processing method of the present invention will be described with reference to FIG.
The description will be made with reference to FIG. The resist coating processing unit (COT) has a casing 50 having an opening 50a into which the holding member 48 of the main wafer transfer mechanism 22 enters, and a cup CP, which is a container for housing the wafer W, is provided therein. Wafer W in the cup
Spin chuck 51 for holding horizontally by vacuum suction
Is provided. The spin chuck 51 can be rotated by a drive motor 52 such as a pulse motor provided below the cup CP, and its rotation speed can also be arbitrarily controlled. An exhaust pipe 53 is connected to a portion near the center of the bottom portion of the cup CP, and a drain pipe 54 is connected to a portion from the outside. Then, the gas in the cup CP is exhausted from the exhaust pipe 53, and the resist liquid and the solvent scattered during the coating process are exhausted from the drain pipe 54. The spin chuck 51
Can be moved up and down by a lifting mechanism such as an air cylinder (not shown).
【0035】スピンチャック51の上方には、スピンチ
ャック51の直上位置と退避位置との間で移動可能に噴
頭60が設けられており、この噴頭60はアーム61を
介して駆動機構70に連結され、駆動機構70により図
4および図5に示したX方向、Y方向およびZ方向に移
動されるようになっている。なお、噴頭60はアーム6
1に対して着脱自在となっている。A jet head 60 is provided above the spin chuck 51 so as to be movable between a position directly above the spin chuck 51 and a retracted position. The jet head 60 is connected to a drive mechanism 70 via an arm 61. The drive mechanism 70 moves in the X, Y and Z directions shown in FIGS. 4 and 5. The spout 60 is an arm 6
It is removable with respect to 1.
【0036】噴頭60は、ベース部材62を有し、レジ
スト液が溶解可能な溶剤を供給する溶剤供給ノズル80
と塗布液であるレジスト液を供給するレジスト液供給ノ
ズル90とを近接させた状態でベース部材62に取り付
けた構造を有している。レジスト液が溶解可能な溶剤
は、レジスト液の濡れ性を良くしてレジストの低消費化
を図るものであり、レジスト液の溶媒であってもよい
が、それに限らずレジスト塗布液を溶解可能なものであ
ればよく、典型的にはシンナーが用いられる。The spray head 60 has a base member 62 and supplies a solvent capable of dissolving the resist solution to a solvent supply nozzle 80.
And a resist solution supply nozzle 90 for supplying a resist solution, which is a coating solution, are attached to the base member 62 in a state of being brought close to each other. The solvent in which the resist solution can be dissolved improves the wettability of the resist solution to reduce the consumption of the resist, and may be the solvent of the resist solution, but it is not limited thereto and can dissolve the resist coating solution. Any material may be used, and a thinner is typically used.
【0037】噴頭60には、レジスト液供給ノズル90
から吐出されるレジスト液の温度が一定になるように温
度調節するために温度調節流体を循環するチューブ65
a,65b、および、溶剤供給ノズル80から吐出され
る溶剤の温度が一定になるように温度調節するために温
度調節流体を循環するチューブ66a,66bが設けら
れている。チューブ65aはレジスト液供給ノズル90
に連続する配管の周囲に設けられて往路を構成し、チュ
ーブ65bは復路を構成している。また、チューブ66
aは溶剤供給ノズル80に連続する配管の周囲に設けら
れて往路を構成し、チューブ66bは復路を構成してい
る。A resist liquid supply nozzle 90 is provided on the jet head 60.
A tube 65 that circulates a temperature control fluid to control the temperature of the resist solution discharged from the device to be constant.
a, 65b, and tubes 66a, 66b for circulating a temperature adjusting fluid to adjust the temperature of the solvent discharged from the solvent supply nozzle 80 to be constant. The tube 65a is a resist solution supply nozzle 90.
The pipe 65b is provided around the continuous pipe to form a forward path, and the tube 65b forms a return path. Also, the tube 66
“A” is provided around the pipe continuous with the solvent supply nozzle 80 to form an outward path, and the tube 66b forms a return path.
【0038】レジスト液供給ノズル90は、レジスト液
供給配管91を介してレジスト液を収容するレジスト液
タンク92に連通されている。このレジスト液供給配管
91には、サックバックバルブ93、エアオペレーショ
ンバルブ94、レジスト液中の気泡を分離除去するため
の気泡除去機構95、フィルタ96およびベローズポン
プ97が下流側からその順に設けられている。ベローズ
ポンプ97は、伸縮可能な本体97aと、ボールネジ機
構98と、ステッピングモータ99とで構成され、ボー
ルネジ機構98およびステッピングモータ99が本体9
7aの駆動部を構成する。ボールネジ機構98は、一端
がベローズポンプの一端に取り付けられたネジ98a
と、このネジに螺合されるナット98bとからなり、ス
テッピングモータ99によりナット98bを回転させて
ネジ98aを直線動させることにより本体97aが伸縮
される。そして、上記エアオペレーションバルブ94を
開にすると同時に、ベローズポンプ97の本体97aを
収縮させることにより所定量のレジスト液がレジスト液
供給配管91およびレジスト液供給ノズル90を介して
ウエハW上に吐出される。このベローズポンプ97によ
り極めて少量のレジスト液の供給量制御が可能となる。
エアオペレーションバルブ94には、その開閉を検出す
る開閉検出器94aが設けられている。The resist solution supply nozzle 90 is communicated with a resist solution tank 92 containing the resist solution through a resist solution supply pipe 91. A suck back valve 93, an air operation valve 94, a bubble removing mechanism 95 for separating and removing bubbles in the resist solution, a filter 96, and a bellows pump 97 are provided in this resist solution supply pipe 91 in this order from the downstream side. There is. The bellows pump 97 includes an expandable / contractible main body 97 a, a ball screw mechanism 98, and a stepping motor 99. The ball screw mechanism 98 and the stepping motor 99 are included in the main body 9.
7 a of the drive unit. The ball screw mechanism 98 has a screw 98a whose one end is attached to one end of the bellows pump.
And a nut 98b screwed to the screw, and the main body 97a is expanded and contracted by rotating the nut 98b by the stepping motor 99 to linearly move the screw 98a. Then, at the same time when the air operation valve 94 is opened, the main body 97a of the bellows pump 97 is contracted to discharge a predetermined amount of resist solution onto the wafer W via the resist solution supply pipe 91 and the resist solution supply nozzle 90. It The bellows pump 97 makes it possible to control an extremely small amount of resist solution supplied.
The air operation valve 94 is provided with an open / close detector 94a that detects the open / close state of the air operation valve 94.
【0039】図5に示すように、ケーシング50内のカ
ップCPの外側部分には、基本的に同一の構造を有する
4つの噴頭60を保持可能な保持部55が設けられてい
る。保持部55には各ノズルのノズル口を乾燥固化させ
ないように、各ノズルのノズル口を溶剤雰囲気に置くた
めの挿入部(図示せず)が設けられている。各噴頭60
は、取り付け部63によりアーム61の先端部に取り付
け可能となっており、それぞれ異なる種類のレジスト液
を供給するようになっている。そして、これらのうち選
択された一つがアーム61に取り付けられて保持部55
から取り出される。上述したように、アーム61は駆動
機構70により三次元移動、すなわちX、Y、Z方向へ
の移動が可能であり、保持部55から取り出されてアー
ム61に装着された噴頭60が、処理に際してウエハW
の直上の所定位置まで移動される。As shown in FIG. 5, a holding portion 55 capable of holding four jet nozzles 60 having basically the same structure is provided on the outer portion of the cup CP in the casing 50. The holding portion 55 is provided with an insertion portion (not shown) for placing the nozzle opening of each nozzle in a solvent atmosphere so as not to dry and solidify the nozzle opening of each nozzle. Each spout 60
Can be attached to the tip of the arm 61 by the attachment portion 63, and different types of resist liquids can be supplied. Then, one selected from these is attached to the arm 61, and the holding portion 55 is attached.
Taken from. As described above, the arm 61 can be three-dimensionally moved by the drive mechanism 70, that is, in the X, Y, and Z directions, and the ejection nozzle 60 taken out from the holding portion 55 and attached to the arm 61 is used for processing. Wafer W
Is moved to a predetermined position directly above.
【0040】なお、図5の例では、各噴頭60ごとに溶
剤供給ノズル80とレジスト液供給ノズル90を取り付
けているが、これに限らず、各噴頭60にはレジスト液
供給ノズル90のみを取り付け、溶剤供給ノズル80
は、これら噴頭60のレジスト液供給ノズル90に共通
に1つのみ設けてもよい。この場合、溶剤供給ノズル8
0のために別途駆動用のアームを設けてもよいし、溶剤
供給ノズル80を予めアーム61に取り付けておき、選
択された一つの噴頭60と一体的に移動する構成として
もよい。In the example of FIG. 5, the solvent supply nozzle 80 and the resist solution supply nozzle 90 are attached to each of the ejection heads 60, but the invention is not limited to this, and only the resist solution supply nozzle 90 is attached to each ejection head 60. , Solvent supply nozzle 80
May be provided in common to the resist solution supply nozzles 90 of these nozzles 60. In this case, the solvent supply nozzle 8
For this purpose, a separate driving arm may be provided, or the solvent supply nozzle 80 may be attached to the arm 61 in advance and moved integrally with one selected nozzle head 60.
【0041】レジスト液塗布に際しては、ウエハWの回
転とレジスト液吐出とのタイミングおよびレジスト液吐
出時間が重要であるため、これらを制御すべくコントロ
ーラ100が設けられている。このコントローラ100
は、スピンチャック51を回転させる駆動モータ52、
エアオペレーションバルブ94、およびベローズポンプ
97を制御するようになっており、駆動モータ52に回
転のオン・オフおよび回転速度の指令を送信し、ノーマ
ルクローズのエアオペレーションバルブ94に開信号を
出力し、ベローズポンプ97のステッピングモータ99
にオン・オフおよび吐出レートの指令を送信するように
なっている。また、コントローラ100には開閉検出器
94aからの信号が入力され、この信号に基づいてレジ
スト液の塗布処理が制御される。When applying the resist liquid, the timing of the rotation of the wafer W and the discharge of the resist liquid and the resist liquid discharge time are important, so the controller 100 is provided to control them. This controller 100
Is a drive motor 52 for rotating the spin chuck 51,
The air operation valve 94 and the bellows pump 97 are controlled, and commands for turning on / off the rotation and rotation speed are transmitted to the drive motor 52, and an open signal is output to the normally closed air operation valve 94. Bellows pump 97 stepping motor 99
The command of ON / OFF and the discharge rate is transmitted to. Further, a signal from the open / close detector 94a is input to the controller 100, and the coating process of the resist liquid is controlled based on this signal.
【0042】エアオペレーションバルブ94は、例え
ば、図6に示すように、容器111とその中に昇降可能
に設けられた弁体112と、弁体112の下方の弁座1
13と、レジスト液通流部114とを有している。レジ
スト液通流部114は、レジスト液供給配管91に接続
されるレジスト液流路115を有しており、このレジス
ト液流路115から弁座113にレジスト液流入口11
6およびレジスト液流出口117が開口している。そし
て、弁体112が弁座113に当接した閉状態でレジス
ト液の流れが遮断され、弁体112が弁座113から離
隔した開状態でレジスト液が流れる。容器111内には
その中を上下に仕切る仕切部材118が昇降可能に設け
られており、弁体112は仕切部材118にぶら下がる
ように一体に設けられている。そして、容器111の側
壁に設けられたエア導入口119からエア導入配管12
0を介して容器111内にエアが導入されることにより
仕切部材118が上方に移動し、それにともなって弁体
112が上方へ移動することによりバルブ94が開状態
となる。また、容器111にはエア排出口124が設け
られており、このエア排出口124にはエア排出配管1
25が接続されていて、バルブ94を閉じる際には、エ
アの供給を停止して排出側のソレノイドバルブ(図示せ
ず)を操作することにより容器111内のエアを排出す
る。容器111内の仕切部材118の上方部分には仕切
部材118を下方へ付勢するコイルスプリング121が
設けられており、容器111内にエアが導入されない場
合および上記のようにエアが排出された際にはバルブ9
4が閉状態となるノーマルクローズ構造を有している。
エア導入配管120にはソレノイドバルブ122が設け
られており、このソレノイドバルブ122を開くことに
より容器111内にエアが導入される。そして、コント
ローラ100からのエアオペレーションバルブ94の開
信号はソレノイドバルブ122に出力され、この信号に
基づいてソレノイドバルブ122が開かれてエアが導入
され、エアオペレーションバルブ94が開かれる。The air operation valve 94 is, for example, as shown in FIG. 6, a container 111, a valve body 112 provided therein so as to be able to move up and down, and a valve seat 1 below the valve body 112.
13 and a resist solution flow section 114. The resist liquid flow section 114 has a resist liquid flow passage 115 connected to the resist liquid supply pipe 91, and the resist liquid flow inlet 115 extends from the resist liquid flow passage 115 to the valve seat 113.
6 and the resist solution outlet 117 are open. Then, the flow of the resist solution is blocked when the valve body 112 is in contact with the valve seat 113 in the closed state, and the resist solution flows in the open state where the valve body 112 is separated from the valve seat 113. A partition member 118 that vertically partitions the inside of the container 111 is provided so as to be vertically movable, and the valve body 112 is integrally provided so as to hang from the partition member 118. Then, from the air introduction port 119 provided on the side wall of the container 111, the air introduction pipe 12
When air is introduced into the container 111 via 0, the partition member 118 moves upward, and the valve body 112 moves upward accordingly, so that the valve 94 is opened. Further, the container 111 is provided with an air discharge port 124, and the air discharge port 124 is provided at this air discharge port 124.
When the valve 25 is connected and the valve 94 is closed, the air supply is stopped and a solenoid valve (not shown) on the discharge side is operated to discharge the air in the container 111. A coil spring 121 for urging the partition member 118 downward is provided in an upper portion of the partition member 118 inside the container 111, and when air is not introduced into the container 111 and when air is discharged as described above. Valve 9
4 has a normally closed structure in which it is in a closed state.
A solenoid valve 122 is provided in the air introducing pipe 120, and air is introduced into the container 111 by opening the solenoid valve 122. Then, an open signal of the air operation valve 94 from the controller 100 is output to the solenoid valve 122, and based on this signal, the solenoid valve 122 is opened to introduce air, and the air operation valve 94 is opened.
【0043】開閉検出器94aは、容器111内に設け
られた発光素子94a1および受光素子94a2を有
し、弁体112が上昇して光が遮断されることにより、
エアオペレーションバルブ94が開になったことを検出
する。The open / close detector 94a has a light emitting element 94a 1 and a light receiving element 94a 2 provided in the container 111, and when the valve body 112 rises to block light,
It is detected that the air operation valve 94 is opened.
【0044】なお、コントローラ100は、実際にはサ
ックバックバルブ93や図示しない溶剤供給系等、レジ
スト液塗布処理に関係する他の部材の制御も行うが、こ
こでは説明を省略する。また、上記サックバックバルブ
93は、レジスト液供給ノズル90からのレジスト液吐
出後、レジスト液供給ノズル90先端内壁部に表面張力
によって残留しているレジスト液をレジスト液供給ノズ
ル90内に引き戻し、これによって残留レジスト液の固
化を阻止するためのものである。Although the controller 100 actually controls other members related to the resist solution coating process, such as the suck back valve 93 and a solvent supply system (not shown), the description thereof is omitted here. Further, the suck back valve 93 draws back the resist liquid remaining on the inner wall of the front end of the resist liquid supply nozzle 90 due to surface tension into the resist liquid supply nozzle 90 after discharging the resist liquid from the resist liquid supply nozzle 90. To prevent the residual resist solution from solidifying.
【0045】次に、このように構成されるレジスト塗布
処理ユニット(COT)におけるレジスト液塗布処理の
動作および制御について図7のフローチャートを参照し
て説明する。Next, the operation and control of the resist solution coating process in the resist coating unit (COT) thus constructed will be described with reference to the flowchart of FIG.
【0046】主ウエハ搬送機構22の保持部材48によ
ってケーシング50の開口50aを通ってレジスト塗布
処理ユニット(COT)内のカップCPの真上までウエ
ハWが搬送されると、そのウエハWは、図示しない昇降
機構によって上昇してきたスピンチャック51によって
真空吸着される。主ウエハ搬送機構22はウエハWをス
ピンチャック51に真空吸着せしめた後、保持部材48
をレジスト塗布処理ユニット(COT)内から引き戻
し、レジスト塗布処理ユニット(COT)へのウエハW
の受け渡しを終える(STEP1)。When the holding member 48 of the main wafer transfer mechanism 22 transfers the wafer W through the opening 50a of the casing 50 to just above the cup CP in the resist coating unit (COT), the wafer W is illustrated. Vacuum suction is performed by the spin chuck 51 that has been lifted by the lifting mechanism. The main wafer transfer mechanism 22 causes the spin chuck 51 to vacuum-adsorb the wafer W, and then the holding member 48.
The wafer W to the resist coating processing unit (COT) by pulling back the wafer from the resist coating processing unit (COT).
Ends the delivery (STEP 1).
【0047】次いで、スピンチャック51はウエハWが
カップCP内の定位置になるまで下降され、まず、駆動
モータ52によってスピンチャック51を1000rp
m程度の回転速度で回転させ、ウエハWの温度を均一に
する(STEP2)。Next, the spin chuck 51 is lowered until the wafer W reaches a fixed position in the cup CP, and first the drive motor 52 moves the spin chuck 51 to 1000 rp.
The wafer W is rotated at a rotation speed of about m to make the temperature of the wafer W uniform (STEP 2).
【0048】その後、スピンチャック51の回転を停止
させ、駆動機構70によって噴頭60をY方向に沿って
ウエハWの直上位置まで移動させ、溶剤供給ノズル80
の吐出口がスピンチャック51の中心(ウエハWの中
心)上に到達したところで、レジストが溶解するシンナ
ー等の溶剤を静止しているウエハW表面の略中心に供給
し、好ましくは1000rpm以下の所定の回転速度で
ウエハWを回転させてウエハW表面に供給された溶剤を
ウエハWの全面に広げるプリウエット処理を行う(ST
EP3)。これによりレジスト液の濡れ性が向上し、ウ
エハWに吐出するレジストの量を少なくすることができ
る。Then, the rotation of the spin chuck 51 is stopped, the jet head 60 is moved by the drive mechanism 70 in the Y direction to a position directly above the wafer W, and the solvent supply nozzle 80 is moved.
When the discharge port reaches the center of the spin chuck 51 (the center of the wafer W), a solvent such as a thinner that dissolves the resist is supplied to substantially the center of the surface of the stationary wafer W, preferably at a predetermined speed of 1000 rpm or less. A pre-wet process is performed in which the wafer W is rotated at a rotation speed of 5 to spread the solvent supplied to the surface of the wafer W over the entire surface of the wafer W (ST.
EP3). As a result, the wettability of the resist solution is improved, and the amount of resist discharged onto the wafer W can be reduced.
【0049】続いて、駆動機構70によりレジスト液供
給ノズル90の吐出口がスピンチャック51の中心(ウ
エハWの中心)上に到達するまで噴頭60をY方向に移
動し、ウエハWの回転速度を所定値まで上昇させて、レ
ジスト液供給ノズル90の吐出口からレジスト液を回転
するウエハW表面の略中心に供給し、遠心力によりレジ
スト液を外方に拡散させ、ウエハW表面へのレジスト塗
布処理を行う(STEP4)。このレジスト塗布処理に
際しては、最初に、レジスト液を広げるためにレジスト
液を吐出しながら比較的高速で回転させる。この際の回
転速度は、200mmウエハの場合には2000〜60
00rpm、300mmウエハの場合には1000〜4
000rpmであることが好ましい。その後、レジスト
液の供給を停止して、ウエハWの回転速度を減速する。
これにより、膜厚調整機能が発揮され、ウエハW面内の
膜厚均一化が促進される。このような効果を奏するの
は、ウエハWの回転速度を減速した際には、この減速の
際の加速度により半導体ウエハW上のレジスト液に中心
へ向かう力が作用し、しかも、被処理基板の回転が低速
であることからレジスト液の乾燥が遅く、結果として膜
厚を整える機能が発揮されるからである。すなわち、こ
の減速によって作用する内側へ向かう力により、ウエハ
W外方へ飛散するレジスト量が抑制され、外周部にも中
央部と同様にレジストが保持されてレジスト膜の膜厚が
より均一化することとなる。この際の回転速度は50〜
1000rpmが好ましい。特に、500rpm以下で
あれば、レジストの乾燥がほとんど進行せず、膜厚調整
の自由度が高い。この際の保持時間は、例えば、3秒ま
での適宜の時間に設定される。なお、この際の回転の減
速は必須なものではなく、必要に応じて行われる。Subsequently, the drive mechanism 70 moves the nozzle head 60 in the Y direction until the ejection port of the resist solution supply nozzle 90 reaches the center of the spin chuck 51 (center of the wafer W), and the rotation speed of the wafer W is changed. After rising to a predetermined value, the resist solution is supplied from the discharge port of the resist solution supply nozzle 90 to approximately the center of the surface of the rotating wafer W, and the resist solution is diffused outward by centrifugal force to apply the resist to the surface of the wafer W. Processing is performed (STEP 4). In this resist coating process, first, in order to spread the resist liquid, the resist liquid is discharged and rotated at a relatively high speed. The rotation speed at this time is 2000 to 60 for a 200 mm wafer.
1000-4 for 00 rpm, 300 mm wafer
It is preferably 000 rpm. After that, the supply of the resist solution is stopped and the rotation speed of the wafer W is reduced.
As a result, the film thickness adjusting function is exerted, and uniformization of the film thickness within the surface of the wafer W is promoted. This effect is exerted when the rotational speed of the wafer W is decelerated, a force toward the center acts on the resist solution on the semiconductor wafer W due to the acceleration at the time of deceleration, and moreover, the substrate to be processed is This is because the rotation is slow and the resist solution dries slowly, resulting in the function of adjusting the film thickness. That is, due to the inward force acting by this deceleration, the amount of resist scattered to the outside of the wafer W is suppressed, and the resist is held on the outer peripheral portion as well as the central portion, so that the film thickness of the resist film becomes more uniform. It will be. The rotation speed at this time is 50-
1000 rpm is preferred. Particularly, if it is 500 rpm or less, the resist is hardly dried, and the degree of freedom in adjusting the film thickness is high. The holding time at this time is set to an appropriate time up to 3 seconds, for example. It should be noted that deceleration of the rotation at this time is not indispensable and is performed as necessary.
【0050】その後、ウエハWの回転速度を上昇させ
て、残余のレジスト液を振り切る(STEP5)。この
際の回転速度は、200mmウエハの場合には1500
〜4000rpm、300mmウエハの場合には100
0〜3000rpmであることが好ましい。After that, the rotation speed of the wafer W is increased to shake off the remaining resist solution (STEP 5). The rotation speed at this time is 1500 for a 200 mm wafer.
~ 4000 rpm, 100 for 300 mm wafers
It is preferably 0 to 3000 rpm.
【0051】その後、ウエハWの回転を継続させレジス
ト膜の乾燥を行う(STEP6)。この際の回転速度
は、200mmウエハの場合には1000〜2000r
pm、300mmウエハの場合には500〜1500r
pmであることが好ましい。この工程を所定時間行った
後、レジスト塗布工程が終了する。After that, the rotation of the wafer W is continued to dry the resist film (STEP 6). The rotation speed at this time is 1000 to 2000 r for a 200 mm wafer.
pm, 500-1500r for 300 mm wafers
It is preferably pm. After performing this process for a predetermined time, the resist coating process is completed.
【0052】次に、レジスト塗布処理の際の制御につい
て詳細に説明する。レジスト液の塗布に際しては、レジ
スト膜を高い膜厚精度および膜厚均一性で形成するため
に、従来からソフトウエアにより駆動モータ52の回
転、ベローズポンプ97の操作、および開閉バルブであ
るエアオペレーションバルブ94の操作を厳密に制御し
ている。従来の制御でレジスト液塗布を行った際のこれ
らの動作の理想的なタイミングを図8に示す。まず、コ
ントローラ100から、駆動モータ52へ駆動開始信
号、ベローズポンプ97へ吐出動作開始信号、エアオペ
レーションバルブ94へ開信号が同時に送られる。これ
によりスピンチャック51の回転が開始され、回転数が
上昇していく。ベローズポンプ97はコントローラ10
0からの指令とほぼ同時にレジスト液を吐出し、エアオ
ペレーションバルブ94は若干遅れて開かれ、レジスト
液がウエハW上に吐出される。このときの吐出タイミン
グは、スピンチャック51とともに回転しているウエハ
Wがまだ低速で回転している時点になるように調整され
る。そして、図8に示すように信号上の吐出時間t0経
過後、コントローラ100から、ベローズポンプ97へ
吐出動作終了信号、エアオペレーションバルブ94に閉
信号が同時に送られ、これらの信号が送られてから若干
遅れてエアオペレーションバルブ94が実際に閉じら
れ、その時点でウエハWの回転が減速するように、駆動
モータ52へ駆動停止信号が送られる。この場合には実
吐出時間t1は信号上の吐出時間t0とほぼ一致し、な
んら問題は生じない。Next, the control during the resist coating process will be described in detail. When the resist solution is applied, in order to form a resist film with high film thickness accuracy and film thickness uniformity, the rotation of the drive motor 52, the operation of the bellows pump 97, and the air operation valve which is an opening / closing valve are conventionally performed by software. The operation of 94 is strictly controlled. FIG. 8 shows ideal timings of these operations when the resist solution is applied by the conventional control. First, the controller 100 simultaneously sends a drive start signal to the drive motor 52, a discharge operation start signal to the bellows pump 97, and an open signal to the air operation valve 94. As a result, the rotation of the spin chuck 51 is started, and the rotation speed increases. The bellows pump 97 is the controller 10
The resist solution is discharged almost at the same time as the command from 0, the air operation valve 94 is opened with a slight delay, and the resist solution is discharged onto the wafer W. The ejection timing at this time is adjusted so that the wafer W rotating together with the spin chuck 51 is still rotating at a low speed. Then, as shown in FIG. 8, after the discharge time t 0 on the signal has elapsed, the controller 100 simultaneously sends a discharge operation end signal to the bellows pump 97 and a close signal to the air operation valve 94, and these signals are sent. After a slight delay from, the air operation valve 94 is actually closed, and a drive stop signal is sent to the drive motor 52 so that the rotation of the wafer W is decelerated at that time. In this case, the actual ejection time t 1 almost coincides with the ejection time t 0 on the signal, and no problem occurs.
【0053】しかしながら、エアオペレーションバルブ
94は、全てが理想的な動作をするわけではなく、製造
時の個体差、経時変化、設置条件等の相違等により、信
号を受け取ってから動作を開始するまでの時間に差が生
じる。そして、場合によっては、図9に示すように、エ
アオペレーションバルブ94に開信号が送られ実際にバ
ルブが開かれるまでの理想的な時間からの遅れ時間Δt
が大きくなって、実際にバルブ94が開かれてレジスト
液が吐出される時点では、ウエハWの回転速度が最高速
度またはその近傍に達する場合がある。このようにウエ
ハWの回転速度が高い状態でレジスト液を吐出すると、
レジスト膜の膜厚が設定値から大きくずれてしまう。ま
た、この場合には、レジスト液の吐出が遅れた分だけ、
レジスト液の実吐出時間t1′がt1より短くなるが、
この遅れ時間Δtが大きく吐出時間が短くなるほどウエ
ハWの周辺の膜厚が薄くなってレジスト膜厚の均一性が
悪化する。図10は、この遅れ時間Δtに相当する時間
を種々変化させてレジスト吐出を行った結果であるが、
Δtに相当する時間が長くなるほど膜厚均一性が悪化し
ていることがわかる。このような膜厚均一性の悪化は、
特にレジスト液の低消費化のために溶剤のプリウエット
処理を行う場合に顕著である。However, not all the air operation valves 94 operate ideally, and from the time a signal is received to the time it starts operating due to individual differences in manufacturing, changes over time, differences in installation conditions, etc. There will be a difference in time. Then, in some cases, as shown in FIG. 9, a delay time Δt from an ideal time until an open signal is sent to the air operation valve 94 and the valve is actually opened.
Becomes larger and the valve 94 is actually opened to discharge the resist solution, the rotation speed of the wafer W may reach the maximum speed or its vicinity. When the resist solution is discharged while the rotation speed of the wafer W is high,
The film thickness of the resist film largely deviates from the set value. Further, in this case, the amount of the resist solution discharged is delayed,
Although the actual discharge time t 1 ′ of the resist solution is shorter than t 1 ,
As the delay time Δt becomes large and the discharge time becomes short, the film thickness around the wafer W becomes thin, and the uniformity of the resist film thickness deteriorates. FIG. 10 shows the results of performing resist discharge by variously changing the time corresponding to the delay time Δt.
It can be seen that the film thickness uniformity deteriorates as the time corresponding to Δt increases. Such deterioration of the film thickness uniformity is caused by
This is particularly noticeable when pre-wetting the solvent to reduce the consumption of the resist solution.
【0054】そこで、本実施形態では、上述のように、
エアオペレーションバルブ94の開閉検出器94aを設
け、これによりエアオペレーションバルブ94が開かれ
たことを示す信号を検出し、その信号に基づいてレジス
ト塗布処理を制御するようにする。Therefore, in this embodiment, as described above,
An open / close detector 94a for the air operation valve 94 is provided to detect a signal indicating that the air operation valve 94 is opened, and control the resist coating process based on the signal.
【0055】具体的には、図11に示すように、開閉検
出器94aが検出したエアオペレーションバルブ94が
開かれたことを示す信号に基づいて、コントローラ10
0が駆動モータ52に駆動開始信号を送り、ウエハWを
回転させる。そして、このエアオペレーションバルブ9
4が開かれたことを示す信号に基づいて、コントローラ
100がレジスト液の吐出終了時間を制御する。つま
り、このエアオペレーションバルブ94が開かれたこと
を示す信号から、コントローラ100が遅れ時間Δtを
算出し、この遅れ時間Δtに相当する時間分、レジスト
液の吐出時間を延長し、レジスト液の実吐出時間t1″
をほぼt1と同じになるようにする。Specifically, as shown in FIG. 11, the controller 10 is based on a signal which is detected by the opening / closing detector 94a and indicates that the air operation valve 94 is opened.
0 sends a drive start signal to the drive motor 52 to rotate the wafer W. And this air operation valve 9
The controller 100 controls the discharge end time of the resist solution on the basis of the signal indicating that No. 4 is opened. That is, the controller 100 calculates the delay time Δt from the signal indicating that the air operation valve 94 has been opened, and the resist liquid discharge time is extended by the time corresponding to the delay time Δt to obtain the actual resist liquid. Discharge time t 1 ″
To be approximately the same as t 1 .
【0056】この際の制御フローを図12のフローチャ
ートを参照して説明する。まず、コントローラ100か
らベローズポンプ97へ吐出動作開始信号、エアオペレ
ーションバルブ94へ開信号が同時に送られる(STE
P11)。次いで、開閉検出器94aによりエアオペレ
ーションバルブ94が開かれたことを検出し(STEP
12)、その検出信号を受け取ったコントローラ100
から駆動モータ52へ駆動開始信号を出力する(STE
P13)。これによりウエハWが低速回転しているとき
にレジスト液の吐出が開始される。レジスト液の吐出に
際しては、吐出時間の間、エアオペレーションバルブ9
7を制御してレジスト液吐出レートを厳密に制御する
(STEP14)。この際には、エアオペレーションバ
ルブ94が開かれたことが検出された時点が、実際に開
かれるべき時点から遅れている場合に、吐出レートもそ
の遅れ時間に基づいて制御することにより高精度の制御
を行うことができる。ただし、現在処理しているウエハ
についてのデータに基づいて吐出レートを制御すること
はコントローラ100に極めて高い能力が要求されるこ
とから、現在処理しているウエハの遅れ時間Δtnでは
なく、一枚前のウエハで検出された遅れ時間Δtn−1
に基づいてベローズポンプ97の吐出レートを制御す
る。エアオペレーションバルブ94の特性は短期間では
ほとんど変動しないので、このように制御しても高い精
度が維持される。もちろんコントローラ100の性能が
十分高い場合にはΔtnを用いることもできる。次に、
コントローラ100は、STEP12における検出結果
から遅れ時間Δtnを算出し、その値に基づいて、エア
オペレーションバルブ94へ閉信号、駆動モータ52へ
駆動停止信号を送り、遅れ時間Δtn−1に基づいてベ
ローズポンプ97へ吐出動作停止信号を送る(STEP
15)。Δtnに基づいてベローズポンプ97の吐出レ
ートを制御した場合には、Δtnに基づいてベローズポ
ンプ97へ吐出動作停止信号を送る。以上のようにして
レジスト液の吐出制御を行ってレジスト液をウエハW全
面に広げるまでの動作が終了する。The control flow in this case will be described with reference to the flowchart of FIG. First, the controller 100 simultaneously sends a discharge operation start signal to the bellows pump 97 and an open signal to the air operation valve 94 (STE).
P11). Then, the opening / closing detector 94a detects that the air operation valve 94 is opened (STEP
12), the controller 100 that receives the detection signal
Outputs a drive start signal from the drive motor 52 to the drive motor 52 (STE
P13). As a result, the discharge of the resist solution is started while the wafer W is rotating at a low speed. When discharging the resist liquid, the air operation valve 9 is used during the discharging time.
7 is controlled to strictly control the resist solution discharge rate (STEP 14). At this time, when the time when the opening of the air operation valve 94 is detected is delayed from the time when the air operation valve 94 should actually be opened, the discharge rate is also controlled based on the delay time to achieve high accuracy. Control can be performed. However, since controlling the discharge rate based on the data of the wafer currently being processed requires the controller 100 to have an extremely high capacity, it is not the delay time Δt n of the wafer currently being processed but one wafer. Delay time Δt n-1 detected on the previous wafer
The discharge rate of the bellows pump 97 is controlled based on the above. Since the characteristics of the air operation valve 94 hardly change in a short period of time, high accuracy can be maintained even with such control. Of course, if the performance of the controller 100 is sufficiently high, Δt n can be used. next,
The controller 100 calculates the delay time Δt n from the detection result in STEP 12, sends a closing signal to the air operation valve 94 and a drive stop signal to the drive motor 52 based on the values, and based on the delay time Δt n−1. Send a discharge operation stop signal to the bellows pump 97 (STEP
15). When controlling the discharge rate of the bellows pump 97 based on Delta] t n sends the discharge operation stop signal to the bellows pump 97 based on Delta] t n. As described above, the operation of controlling the discharge of the resist solution and spreading the resist solution over the entire surface of the wafer W is completed.
【0057】その後、上述したように、必要に応じてウ
エハWの低速回転が行われてレジスト液塗布処理(ST
EP4)が終了し、レジスト液振り切り処理(STEP
5)、レジスト膜乾燥処理(STEP6)が行われる。Thereafter, as described above, the wafer W is rotated at a low speed as necessary, and the resist solution coating process (ST
After EP4) is completed, the resist solution is shaken off (STEP
5), a resist film drying process (STEP6) is performed.
【0058】このように、レジスト液を吐出させる際
に、開閉検出器94aによりエアオペレーションバルブ
94が開かれたことを示す信号を検出し、その信号に基
づいてレジスト液の塗布処理を制御するので、実際にレ
ジスト液が吐出した時点を把握した上で諸条件を制御す
ることができ、エアオペレーションバルブ94が実際に
開かれるのが遅れても、レジスト膜を高い膜厚精度およ
び膜厚均一性で形成することができる。As described above, when the resist solution is discharged, the opening / closing detector 94a detects a signal indicating that the air operation valve 94 is opened, and the resist solution coating process is controlled based on the signal. It is possible to control various conditions after grasping the time when the resist liquid is actually discharged, and even if the air operation valve 94 is actually opened late, the resist film has high film thickness accuracy and film thickness uniformity. Can be formed with.
【0059】具体的には、開閉検出器94aがエアオペ
レーションバルブ94が開かれたことを示す信号を検出
し、その信号に基づいてウエハWを回転させるように制
御するので、レジスト液が吐出された時点においてウエ
ハWの回転速度が高すぎてレジスト膜の膜厚が所定の厚
さにならないことが防止される。また、エアオペレーシ
ョンバルブ94が開かれたことを示す信号を検出し、そ
の信号から遅れ時間Δtを算出してレジスト液の吐出を
終了させるので、レジスト液の実際の吐出時間をほぼ一
定にすることができ、レジスト膜の膜厚均一性を一層高
くすることができる。Specifically, the opening / closing detector 94a detects a signal indicating that the air operation valve 94 is opened, and controls the wafer W to rotate based on the signal, so that the resist solution is discharged. At this point, the rotation speed of the wafer W is prevented from being too high so that the resist film does not reach a predetermined thickness. Further, the signal indicating that the air operation valve 94 is opened is detected, the delay time Δt is calculated from the signal, and the discharge of the resist liquid is ended. Therefore, the actual discharge time of the resist liquid is kept substantially constant. Therefore, the film thickness uniformity of the resist film can be further enhanced.
【0060】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、実際に処理しているウエハのエアオペレーション
バルブ開の信号を検出し、それに基づいてスピンチャッ
クを回転させる駆動モータを制御する場合について示し
たが、従前のウエハ処理の際の検出データに基づいて制
御することもできる。これにより、例えばレジスト液が
吐出される際のウエハの回転速度を高精度で制御するこ
とが可能となる。また、上記実施形態では、エアオペレ
ーションバルブが開かれたことを示す信号を検出してか
ら予め設定された時間後に駆動モータの駆動を停止した
が、開閉検出器によりエアオペレーションバルブが閉じ
られたことを示す信号を検出し、その信号に基づいて駆
動モータを停止してウエハの回転を低減するように制御
することもできる。これにより、さらに高精度に膜厚制
御を行うことができる。さらに、エアオペレーションバ
ルブの開閉検出器として発光素子と受光素子とを有する
ものを用いたが、これに限らず、エアオペレーションバ
ルブの容器111内の圧力を検出する圧力センサーを設
け、その圧力の変化によりバルブの開閉を検出するよう
にすることもできる。さらにまた、塗布液としてレジス
ト液を用いた場合について示したが、必ずしもレジスト
液に限らず反射防止膜や層間絶縁膜等の回転塗布処理を
行って形成する膜のための塗布液等、他の塗布液であっ
てもよい。さらにまた、上記実施の形態では、被処理基
板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、
半導体ウエハに限らず、例えばLCD基板やマスク用レ
チクル基板等他の被処理基板であってもよい。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, the case where the signal of opening the air operation valve of the wafer actually being processed is detected and the drive motor for rotating the spin chuck is controlled based on the signal has been described. It is also possible to control based on the detected data at that time. Thereby, for example, the rotation speed of the wafer when the resist liquid is discharged can be controlled with high accuracy. Further, in the above-described embodiment, the drive motor is stopped after a preset time from the detection of the signal indicating that the air operation valve is opened, but the opening / closing detector closes the air operation valve. It is also possible to detect a signal indicating that, and stop the drive motor based on the signal to control the rotation of the wafer. Thereby, the film thickness can be controlled with higher accuracy. Further, as the open / close detector of the air operation valve, one having a light emitting element and a light receiving element is used, but the present invention is not limited to this, and a pressure sensor for detecting the pressure in the container 111 of the air operation valve is provided, and the change of the pressure is It is also possible to detect opening and closing of the valve by. Furthermore, although the case where the resist solution is used as the coating solution is shown, the application solution is not limited to the resist solution, and the coating solution for the film formed by performing the spin coating process such as the antireflection film and the interlayer insulating film may be used. It may be a coating liquid. Furthermore, in the above embodiment, the case where the semiconductor wafer is used as the substrate to be processed has been described.
The substrate is not limited to a semiconductor wafer, and may be another substrate to be processed such as an LCD substrate or a mask reticle substrate.
【0061】[0061]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
塗布液を吐出させる際に、塗布液吐出ノズルに塗布液を
供給する配管に設けられたバルブが開かれたことを示す
信号を検出し、その信号に基づいて塗布処理を制御する
ので、実際に塗布液が吐出した時点を把握した上で諸条
件を制御することができ、バルブが開くのが遅れてもレ
ジスト膜等の塗布膜を高い膜厚精度および膜厚均一性で
形成することができる。As described above, according to the present invention,
When discharging the coating liquid, a signal indicating that the valve provided in the pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle has been opened is detected, and the coating process is controlled based on the signal, so in practice Various conditions can be controlled after grasping the time when the coating liquid is discharged, and a coating film such as a resist film can be formed with high film thickness accuracy and film thickness uniformity even if the valve opening is delayed. .
【0062】具体的には、バルブが開かれたことを示す
信号を検出し、その信号に基づいて被処理基板を回転さ
せるように制御することにより、塗布液が吐出された時
点において被処理基板の回転速度が高すぎる等の膜厚変
動要因となる不都合が防止される。Specifically, a signal indicating that the valve has been opened is detected, and the substrate to be processed is controlled to rotate based on the signal so that the substrate to be processed is discharged at the time when the coating liquid is discharged. It is possible to prevent inconveniences such as an excessively high rotation speed of the film, which causes a film thickness variation.
【0063】また、さらに、バルブが開かれたことを示
す信号に基づいて、塗布液の吐出終了時間を制御するこ
とにより、塗布液の実際の吐出時間を一定にすることが
でき、塗布膜の膜厚精度および膜厚均一性を一層高くす
ることができる。Furthermore, by controlling the discharge end time of the coating liquid based on the signal indicating that the valve has been opened, the actual discharge time of the coating liquid can be made constant and the coating film The film thickness accuracy and film thickness uniformity can be further enhanced.
【図1】本発明を実施するためのレジスト塗布処理ユニ
ットを搭載した半導体ウエハのレジスト塗布現像処理シ
ステムの全体構成を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a semiconductor wafer resist coating / developing system in which a resist coating processing unit for carrying out the present invention is mounted.
【図2】図1に示すレジスト塗布現像処理システムの正
面図。FIG. 2 is a front view of the resist coating and developing treatment system shown in FIG.
【図3】図1に示すレジスト塗布現像処理システムの背
面図。3 is a rear view of the resist coating and developing treatment system shown in FIG.
【図4】図1に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布処理ユニットの全体構成を示す断面図。4 is a cross-sectional view showing an overall configuration of a resist coating processing unit mounted in the coating and developing processing system shown in FIG.
【図5】図4に示したレジスト塗布処理ユニットの平面
図。5 is a plan view of the resist coating processing unit shown in FIG.
【図6】レジスト塗布処理ユニットに設けられたエアオ
ペレーションバルブおよび開閉検出器を示す断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view showing an air operation valve and an opening / closing detector provided in the resist coating processing unit.
【図7】レジスト塗布処理ユニットにおける処理工程を
示す工程図。FIG. 7 is a process drawing showing a processing step in a resist coating processing unit.
【図8】従来の制御でレジスト液塗布を行った際の駆動
モータ、ベローズポンプ、エアオペレーションバルブの
動作の理想的なタイミングを示すグラフ。FIG. 8 is a graph showing ideal timings of operations of a drive motor, a bellows pump, and an air operation valve when a resist solution is applied by conventional control.
【図9】従来の制御でレジスト液塗布を行った際に、吐
出遅れが生じた場合の駆動モータ、ベローズポンプ、エ
アオペレーションバルブの動作タイミングを示すグラ
フ。FIG. 9 is a graph showing operation timings of a drive motor, a bellows pump, and an air operation valve when a discharge delay occurs when a resist solution is applied by conventional control.
【図10】レジスト液吐出時間の変動にともなう膜厚均
一性の変化を示すグラフ。FIG. 10 is a graph showing changes in film thickness uniformity with changes in resist solution discharge time.
【図11】本発明の実施形態の制御でレジスト液塗布を
行った際の駆動モータ、ベローズポンプ、エアオペレー
ションバルブの動作タイミングを示すグラフ。FIG. 11 is a graph showing operation timings of the drive motor, the bellows pump, and the air operation valve when the resist solution is applied under the control of the embodiment of the present invention.
【図12】本発明の実施形態の制御でレジスト液塗布を
行った際の制御フローを示すフローチャート。FIG. 12 is a flowchart showing a control flow when a resist solution is applied under the control of the embodiment of the present invention.
【図13】従来のレジスト塗布装置の概略構成図。FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a conventional resist coating apparatus.
51……スピンチャック(基板保持部材) 52……駆動モータ 60……噴頭 90……レジスト液供給ノズル 91……レジスト液供給配管 94……エアオペレーションバルブ 94a……開閉検出器(開検出手段) 97……ベローズポンプ 100……コントローラ W……半導体ウエハ(被処理基板) 51 ... Spin chuck (substrate holding member) 52 ... Drive motor 60 ... Spout 90 ... Resist liquid supply nozzle 91: Resist solution supply pipe 94 ... Air operation valve 94a ... Open / close detector (open detection means) 97 ... Bellows pump 100 ... Controller W: Semiconductor wafer (substrate to be processed)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/027 H01L 21/30 564C (72)発明者 福田 喜輝 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 藤本 昭浩 東京都港区赤坂五丁目3番6号 TBS放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA18 AB16 EA05 4D075 AC65 AC94 CA47 DA06 DB14 DC22 EA05 EA45 4F042 AA07 BA05 BA06 CB02 CB08 CB11 CB19 EB05 EB09 EB13 EB18 EB24 EB29 5F046 JA02 JA03 JA09 JA13 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI theme code (reference) H01L 21/027 H01L 21/30 564C (72) Inventor Yoshiki Fukuda 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo TBS Broadcast Center Tokyo Electron Ltd. (72) Inventor Akihiro Fujimoto 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo TBS Broadcast Center Tokyo Electron Ltd. F-term (reference) 2H025 AA18 AB16 EA05 4D075 AC65 AC94 CA47 DA06 DB14 DC22 EA05 EA45 4F042 AA07 BA05 BA06 CB02 CB08 CB11 CB19 EB05 EB09 EB13 EB18 EB24 EB29 5F046 JA02 JA03 JA09 JA13
Claims (17)
とともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板の
径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理方法であ
って、 塗布液を吐出させる際に、塗布液吐出ノズルに塗布液を
供給する配管に設けられたバルブが開かれたことを示す
信号を検出し、その信号に基づいて塗布処理を制御する
ことを特徴とする塗布処理方法。1. A coating treatment method for forming a coating film by discharging a coating liquid substantially at the center of a substrate to be processed, rotating the substrate to be processed, and spreading the coating liquid radially outward of the substrate to be processed. When discharging the coating liquid, a signal indicating that a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle is opened is detected, and the coating process is controlled based on the signal. And coating treatment method.
とともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板の
径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理方法であ
って、 塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるためのポンプ
に駆動信号を送り、塗布液吐出ノズルに塗布液を供給す
る配管に設けられたバルブに開信号を送る工程と、 前記バルブが開かれたことを示す信号を検出する工程
と、 前記バルブが開かれたことを示す信号に基づいて、被処
理基板を回転させる工程とを具備することを特徴とする
塗布処理方法。2. A coating treatment method for forming a coating film by discharging a coating liquid to a substantially central portion of a substrate to be processed and rotating the substrate to be processed to spread the coating liquid radially outward of the substrate to be processed. A step of sending a drive signal to a pump for discharging the coating liquid from the coating liquid discharge nozzle and sending an open signal to a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle; and the valve being opened. And a step of rotating the substrate to be processed based on the signal indicating that the valve has been opened.
とともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板の
径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理方法であ
って、 塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるためのポンプ
に駆動信号を送り、塗布液吐出ノズルに塗布液を供給す
る配管に設けられたバルブに開信号を送る工程と、 前記バルブが開かれたことを示す信号を検出する工程
と、 前記バルブが開かれたことを示す信号に基づいて、被処
理基板の回転を開始させる工程と、 前記バルブが開かれたことを示す信号に基づいて、塗布
液の吐出終了時間を制御する工程とを具備することを特
徴とする塗布処理方法。3. A coating treatment method for forming a coating film by discharging a coating liquid substantially at the center of a substrate to be processed, rotating the substrate to be processed, and spreading the coating liquid radially outward of the substrate to be processed. A step of sending a drive signal to a pump for discharging the coating liquid from the coating liquid discharge nozzle and sending an open signal to a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle; and the valve being opened. The step of detecting the signal indicating that the valve is opened, the step of starting the rotation of the substrate to be processed based on the signal indicating that the valve is opened, and the coating based on the signal indicating that the valve is opened. And a step of controlling the liquid discharge end time.
程は、前記バルブに開信号が送られ実際にバルブが開か
れるべき時点から前記開かれたことを示す信号を検出し
た時点までの遅れ時間に基づいて前記ポンプの駆動を停
止する時点および前記バルブを閉じる時点を制御するこ
とを特徴とする請求項3に記載の塗布処理方法。4. The step of controlling the discharge end time of the coating liquid is delayed from the time when an open signal is sent to the valve and the valve is actually opened to the time when the signal indicating the opening is detected. The coating processing method according to claim 3, wherein the time when the driving of the pump is stopped and the time when the valve is closed are controlled based on time.
液吐出レートとともに、従前の被処理基板に塗布処理を
行う際に把握した前記遅れ時間に基づいて制御されるこ
とを特徴とする請求項4に記載の塗布処理方法。5. The driving stop time of the pump is controlled based on the coating liquid discharge rate and the delay time grasped when performing a coating process on a conventional substrate to be processed. 4. The coating treatment method according to 4.
検出してから予め設定された時間後に前記被処理基板の
回転が低減されることを特徴とする請求項3から請求項
5のいずれか1項に記載の塗布処理方法。6. The rotation of the substrate to be processed is reduced after a preset time from the detection of the signal indicating that the valve has been opened, according to any one of claims 3 to 5. The coating treatment method according to item 1.
を検出し、その信号に基づいて前記被処理基板の回転が
低減されることを特徴とする請求項3から請求項5のい
ずれか1項に記載の塗布処理方法。7. The method according to claim 3, wherein a signal indicating that the valve is closed is detected, and the rotation of the substrate to be processed is reduced based on the signal. The coating treatment method according to the item.
開かれたことを示す信号は、従前の被処理基板に塗布処
理を行う際に検出されたものであることを特徴とする請
求項1から請求項7のいずれか1項に記載の塗布処理方
法。8. The signal indicating that the valve provided in the coating liquid discharge nozzle has been opened is detected when performing a coating process on a conventional substrate to be processed. 8. The coating treatment method according to claim 7.
とともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板の
径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理装置であ
って、 被処理基板を略水平に保持する基板保持部材と、 前記基板保持部材を回転させるモーターと、 前記基板保持部材に保持された被処理基板の略中央に塗
布液を供給するための塗布液吐出ノズルと、 前記塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるためのポ
ンプと、 前記塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けら
れたバルブと、 前記バルブが開かれたことを示す信号を検出する開検出
手段と、 前記開検出手段の検出信号が入力され、その検出信号に
基づいて、前記モーターの駆動を開始させる制御手段と
を具備することを特徴とする塗布処理装置。9. A coating processing apparatus for forming a coating film by discharging a coating liquid substantially at the center of a substrate to be processed, rotating the substrate to be processed, and spreading the coating liquid radially outward of the substrate to be processed. A substrate holding member that holds the substrate to be processed substantially horizontally, a motor that rotates the substrate holding member, and a coating liquid discharge for supplying the coating liquid to substantially the center of the substrate to be processed held by the substrate holding member A nozzle, a pump for discharging the coating liquid from the coating liquid discharge nozzle, a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle, and a signal indicating that the valve is opened is detected. The coating processing apparatus is characterized by comprising: an open detection unit for controlling the motor, and a control unit for receiving a detection signal of the open detection unit and starting driving of the motor based on the detection signal.
るとともに被処理基板を回転させ、塗布液を被処理基板
の径方向外方に拡げて塗布膜を形成する塗布処理装置で
あって、 被処理基板を略水平に保持する基板保持部材と、 前記基板保持部材を回転させるモーターと、 前記基板保持部材に保持された被処理基板の略中央に塗
布液を供給するための塗布液吐出ノズルと、 前記塗布液吐出ノズルから塗布液を吐出させるためのポ
ンプと、 前記塗布液吐出ノズルに塗布液を供給する配管に設けら
れたバルブと、 前記バルブが開かれたことを示す信号を検出する開検出
手段と、 前記開検出手段の検出信号が入力され、その検出信号に
基づいて、前記モーターの駆動を開始させ、かつ塗布液
の吐出終了時点および前記モーターの駆動の停止時点を
制御する制御手段とを具備することを特徴とする塗布処
理装置。10. A coating processing apparatus for forming a coating film by ejecting a coating liquid substantially at the center of a substrate to be processed, rotating the substrate to be processed, and spreading the coating liquid outward in the radial direction of the substrate to be processed. A substrate holding member that holds the substrate to be processed substantially horizontally, a motor that rotates the substrate holding member, and a coating liquid discharge for supplying the coating liquid to substantially the center of the substrate to be processed held by the substrate holding member A nozzle, a pump for discharging the coating liquid from the coating liquid discharge nozzle, a valve provided in a pipe for supplying the coating liquid to the coating liquid discharge nozzle, and a signal indicating that the valve is opened is detected. Open detection means, and the detection signal of the open detection means is input, based on the detection signal, to start the drive of the motor, and the end point of the discharge of the coating liquid and the stop point of the drive of the motor. Coating treatment apparatus characterized by comprising a Gosuru control means.
が送られ実際にバルブが開かれるべき時点から前記開か
れたことを示す信号を検出した時点までの遅れ時間に基
づいて前記ポンプの駆動を停止する時点および前記バル
ブを閉じる時点を制御することを特徴とする請求項10
に記載の塗布処理装置。11. The control means drives the pump based on a delay time from the time when an open signal is sent to the valve and the valve is actually opened to the time when the signal indicating the opening is detected. 11. Controlling the time when the valve is stopped and the time when the valve is closed.
The coating treatment apparatus according to.
塗布処理を行う際に把握した前記遅れ時間に基づいて、
前記ポンプの駆動停止時点を、その塗布液吐出レートと
ともに制御することを特徴とする請求項11に記載の塗
布処理装置。12. The control means, based on the delay time grasped when performing a coating process on a conventional substrate to be processed,
The coating processing apparatus according to claim 11, wherein the driving stop time of the pump is controlled together with the coating liquid discharge rate.
出した前記バルブが開かれたことを示す信号を受け取っ
てから予め設定された時間後に前記モーターの駆動を停
止させることを特徴とする請求項10から請求項12の
いずれか1項に記載の塗布処理装置。13. The control means stops driving of the motor after a preset time has elapsed after receiving a signal indicating that the valve has been opened detected by the opening detection means. The coating treatment apparatus according to any one of claims 10 to 12.
号を検出する閉検出手段をさらに具備し、前記制御手段
は、前記閉検出手段が検出した前記バルブが閉じられた
ことを示す信号が入力され、その検出信号に基づいて、
前記モーターの駆動を停止させることを特徴とする請求
項10から請求項12のいずれか1項に記載の塗布処理
装置。14. The control means further includes a closing detection means for detecting a signal indicating that the valve is closed, and the control means receives a signal indicating that the valve is closed detected by the closing detection means. Based on the detected signal
The coating processing apparatus according to claim 10, wherein driving of the motor is stopped.
の移動を検出することにより前記バルブが開かれたこと
を検出することを特徴とする請求項10から請求項14
のいずれか1項に記載の塗布処理装置。15. The opening detection means detects opening of the valve by detecting movement of a valve body of the valve.
The coating treatment apparatus according to any one of 1.
の圧力を検出することにより前記バルブが開かれたこと
を検出することを特徴とする請求項10から請求項14
のいずれか1項に記載の塗布処理装置。16. The opening detection means detects that the valve is opened by detecting the pressure inside the valve.
The coating treatment apparatus according to any one of 1.
塗布処理を行う際に検出された、前記バルブが開かれた
ことを示す信号に基づいて制御を行うことを特徴とする
請求項10から請求項16のいずれか1項に記載の塗布
処理装置。17. The control means performs control based on a signal indicating that the valve has been opened, which is detected when performing a coating process on a conventional substrate to be processed. 17. The coating processing apparatus according to claim 16.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005177555A (en) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Rotation coater |
JP2008071960A (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | Coating processing method |
KR101477821B1 (en) * | 2008-06-10 | 2014-12-30 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | Coating apparatus and coating method |
CN108400103A (en) * | 2017-02-08 | 2018-08-14 | 株式会社斯库林集团 | Substrate board treatment, its control method and computer readable storage medium |
WO2021090721A1 (en) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and storage medium |
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001347271A patent/JP2003145017A/en active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005177555A (en) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Rotation coater |
JP2008071960A (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | Coating processing method |
US8043657B2 (en) | 2006-09-14 | 2011-10-25 | Tokyo Electron Limited | Coating treatment method |
US8496991B2 (en) | 2006-09-14 | 2013-07-30 | Tokyo Electron Limited | Coating treatment method |
KR101477821B1 (en) * | 2008-06-10 | 2014-12-30 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | Coating apparatus and coating method |
JP2018129395A (en) * | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device, control method of substrate processing device and program |
CN108400103A (en) * | 2017-02-08 | 2018-08-14 | 株式会社斯库林集团 | Substrate board treatment, its control method and computer readable storage medium |
CN108400103B (en) * | 2017-02-08 | 2022-03-08 | 株式会社斯库林集团 | Substrate processing apparatus, control method thereof, and computer-readable storage medium |
WO2021090721A1 (en) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and storage medium |
JPWO2021090721A1 (en) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | ||
CN114616056A (en) * | 2019-11-07 | 2022-06-10 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
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