JP2002164278A - Coating apparatus - Google Patents

Coating apparatus

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JP2002164278A
JP2002164278A JP2000361967A JP2000361967A JP2002164278A JP 2002164278 A JP2002164278 A JP 2002164278A JP 2000361967 A JP2000361967 A JP 2000361967A JP 2000361967 A JP2000361967 A JP 2000361967A JP 2002164278 A JP2002164278 A JP 2002164278A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the discharge controllability and the consumption efficiency of a coating liquid, at the same time. SOLUTION: A one-inlet port/two-outlet port passage changer 80 has a junction of a resist liquid passage between a resist liquid tank 78 and a resist nozzle 62. The tank 78 is connected to an inlet port IN of the passage changer 80 through a piping 82 and a pump 84 and a filter 86 are provided on the way of the piping 82. In the passage changer 80 a first outlet port OUT1 is connected to a resist inlet part of the resist nozzle 62 via a piping 88 and a second outlet port OUT2 is connected to the container interior of the resist liquid tank 78 via a piping 90. A pressure control valve 92 is provided on the way of the piping 90 and a controller 100 controls the pump 84, the passage changer 80 and the control valve 92.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばLCD
(Liquid Crystal Display)や半導体デバイス等の製造
プロセスにおいて被処理基板にノズルより所定の塗布液
を供給して基板上に塗布膜を形成する塗布装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
(Liquid Crystal Display) and a coating apparatus for forming a coating film on a substrate by supplying a predetermined coating liquid from a nozzle to a substrate to be processed in a manufacturing process of a semiconductor device or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、LCDや半導体デバイスの製
造プロセスにおけるリソグラフィー工程では、被処理基
板(ガラス基板、半導体基板)上にレジスト液を塗布す
るために、いわゆるスピンコート法が常用ないし多用さ
れている。しかし、従来一般のスピンコート法では、被
処理基板を高速で回転させるため、多量のレジスト液が
遠心力で基板の外へ飛散して、無駄に捨てられたりパー
ティクルの原因になる等の問題がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a lithography process in a manufacturing process of an LCD or a semiconductor device, a so-called spin coating method has been commonly or frequently used to apply a resist solution onto a substrate to be processed (glass substrate, semiconductor substrate). I have. However, in the conventional general spin coating method, since the substrate to be processed is rotated at a high speed, there is a problem that a large amount of the resist solution is scattered out of the substrate by centrifugal force and is wasted or discarded. is there.

【0003】そこで、スピンコート法に替わる新しいレ
ジスト塗布法として、図12に示すように、被処理基板
1上でレジストノズル2をたとえば直角ジグザグ状に相
対移動または走査させながらレジストノズル2よりレジ
スト液Rを細径の線状で連続的に吐出させることによ
り、高速回転を要することなく基板1上に所望の膜厚で
レジスト液Rを塗布するようにした技法(スピンレス
法)が提案されている。このスピンレス法に使用される
レジストノズル2は、口径の非常に小さい(たとえば1
00μm程度の)吐出口を有し、相当高い圧力でレジス
ト液Rを吐出するように構成されている。
Therefore, as a new resist coating method instead of the spin coating method, as shown in FIG. 12, the resist nozzle 2 is moved relative to the substrate 1 to be processed, for example, in a right-angle zigzag manner or while scanning. A technique (spinless method) has been proposed in which the resist liquid R is applied to the substrate 1 with a desired film thickness without requiring high-speed rotation by continuously discharging R in a thin linear shape. . The resist nozzle 2 used in this spinless method has a very small diameter (for example, 1 mm).
It has a discharge port (of about 00 μm) and is configured to discharge the resist liquid R at a considerably high pressure.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記のようなスピンレ
ス法において、被処理基板1の端から端までほぼ均一な
膜厚でレジスト液Rを塗布する場合は、図12に示すよ
うに、レジストノズル2の走査領域を被処理基板1の面
積よりも大きめに設定し、レジストノズル2が各ライン
走査の折り返し付近で被処理基板1の外にいったん出て
いる間もレジスト液Rを吐出し続けるようにしている。
被処理基板1の外で吐出されたレジスト液Rは、基板周
囲に配置されたレジスト受部または回収部(図示せず)
に受けられたうえで捨てられており、全く無駄になって
いる。
In the spinless method as described above, when the resist liquid R is applied with a substantially uniform film thickness from one end of the substrate 1 to be processed, as shown in FIG. 2 is set to be larger than the area of the substrate 1 to be processed, and the resist liquid R is continuously ejected while the resist nozzle 2 is once out of the substrate 1 near the turn of each line scan. I have to.
The resist liquid R discharged outside the substrate to be processed 1 is supplied to a resist receiving portion or a collecting portion (not shown) disposed around the substrate.
It has been thrown away after being received, and it is completely useless.

【0005】このように被処理基板1の外でレジストノ
ズル2よりレジスト液Rを無駄に吐出させる理由は、上
記のような微細径吐出方式ではレジスト液供給系内の内
圧伝播速度または応答性が低く、レジスト液Rの供給を
止めてもレジストノズル2の吐出が直ぐには止まらない
一方で、レジスト液Rの供給を開始してもレジストノズ
ル2からの吐出が直ぐには始まらない(あるいは急激に
出始める)ためである。つまり、レジスト液の吐出制御
性と消費効率とがトレードオフの関係にあり、前者(吐
出制御性)を優先させている。しかし、後者(消費効
率)を犠牲にすることで、スピンコート法に対するスピ
ンレス法の優位性が薄れてしまっている。
As described above, the reason why the resist liquid R is unnecessarily discharged from the resist nozzle 2 outside the substrate to be processed 1 is that the internal pressure propagation speed or the responsiveness in the resist liquid supply system is small in the above-described fine diameter discharge method. When the supply of the resist liquid R is stopped, the discharge of the resist nozzle 2 does not immediately stop even when the supply of the resist liquid R is stopped, but when the supply of the resist liquid R is started, the discharge from the resist nozzle 2 does not immediately start (or suddenly comes out). To begin). That is, there is a trade-off between the discharge controllability of the resist liquid and the consumption efficiency, and the former (discharge controllability) is prioritized. However, at the expense of the latter (consumption efficiency), the superiority of the spinless method over the spin coating method has diminished.

【0006】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、所望の塗布膜を得るための塗布液消
費量を節減できる塗布装置を提供することを目的とす
る。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and has as its object to provide a coating apparatus capable of reducing the consumption of a coating liquid for obtaining a desired coating film.

【0007】本発明の別の目的は、塗布液を細径で吐出
する方式においても応答性の優れた吐出制御を可能とす
る塗布装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a coating apparatus capable of performing discharge control with excellent responsiveness even in a method of discharging a coating liquid with a small diameter.

【0008】本発明の他の目的は、塗布液の吐出制御性
と消費効率とを同時に改善できる塗布装置を提供するこ
とにある。
Another object of the present invention is to provide a coating apparatus which can simultaneously improve the controllability of the application liquid discharge and the consumption efficiency.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の塗布装置は、被処理基板に向けて所定の
塗布液を吐出するためのノズルと、前記塗布液を貯留す
る塗布液貯留部と、前記塗布液貯留部と所定の流路分岐
点とを結ぶ第1の流路と、前記流路分岐点と前記ノズル
の吐出口とを結ぶ第2の流路と、前記流路分岐点と前記
塗布液貯留部とを結ぶ第3の流路と、前記塗布液貯留部
から前記塗布液を前記第1の流路を介して前記流路分岐
点側へ送るための塗布液供給手段と、前記第2および第
3の流路における前記塗布液の流れを制御するための制
御手段とを有する構成とした。
In order to achieve the above object, a coating apparatus of the present invention comprises a nozzle for discharging a predetermined coating liquid toward a substrate to be processed, and a coating apparatus for storing the coating liquid. A liquid reservoir, a first flow path connecting the coating liquid storage part to a predetermined flow path branch point, a second flow path connecting the flow path branch point and a discharge port of the nozzle, A third flow path connecting the road branch point and the coating liquid storage section; and a coating liquid for sending the coating liquid from the coating liquid storage section to the flow path branch point side via the first flow path. The configuration includes a supply unit and a control unit for controlling the flow of the coating liquid in the second and third flow paths.

【0010】本発明の塗布装置では、塗布液貯留部から
の塗布液の流れを流路分岐点にて第1の流路または第2
の流路に選択的に切り換えることができる。たとえば、
ノズルより塗布液を吐出させるときは、第2の流路を遮
断し、第1の流路を流通状態とすればよい。塗布液の吐
出を止めるときは、第1の流路を遮断し、第2の流路を
通流状態とすればよい。第2の流路が通流状態にあると
き、塗布液は第2の流路を介して塗布液貯留部へ導かれ
る。これにより、塗布液供給手段の動作(塗布液供給動
作)を持続させながら、塗布液の吐出開始および停止を
迅速かつ安定に行うことができる。
[0010] In the coating apparatus of the present invention, the flow of the coating liquid from the coating liquid reservoir is divided into the first flow path or the second flow path at the flow path branch point.
Can be selectively switched over. For example,
When discharging the coating liquid from the nozzle, the second flow path may be shut off and the first flow path may be brought into a flowing state. When the discharge of the application liquid is stopped, the first flow path may be shut off and the second flow path may be passed. When the second flow path is in a flowing state, the coating liquid is guided to the coating liquid storage section via the second flow path. This makes it possible to start and stop the application liquid ejection quickly and stably while maintaining the operation of the application liquid supply unit (application liquid supply operation).

【0011】制御手段は、第2および第3の流路におけ
る塗布液の流れを相関的または独立的に制御することが
できる。被処理基板に対してノズルを相対的に移動させ
る態様では、被処理基板に対するノズルの位置に応じて
第2および第3の流路における塗布液の流れを制御して
よい。ノズルの塗布液吐出動作が所定のシーケンスで制
御される態様では、該シーケンスにしたがって第2およ
び第3の流路における塗布液の流れを制御してよい。
The control means can control the flow of the coating liquid in the second and third flow paths in a correlated or independent manner. In the aspect in which the nozzle is relatively moved with respect to the substrate to be processed, the flow of the coating liquid in the second and third flow paths may be controlled according to the position of the nozzle with respect to the substrate to be processed. In a mode in which the application liquid ejection operation of the nozzle is controlled in a predetermined sequence, the flow of the application liquid in the second and third flow paths may be controlled in accordance with the sequence.

【0012】好ましくは、制御手段において、第2およ
び第3の流路に第1および第2の弁をそれぞれ設け、被
処理基板上に設定された塗布領域にノズルより塗布液を
供給する塗布モード中は第1の弁を開状態にするととも
に第2の弁を閉状態にし、塗布モードの開始直前および
終了直後においては第2の弁を開状態にするとともに第
1の弁を閉状態にしてよい。第1または第2の弁は、オ
ン・オフ制御式、流量制御式あるいは圧力制御式のいず
れであってもよい。
Preferably, the control means includes first and second valves provided in the second and third flow paths, respectively, and a coating mode for supplying a coating liquid from a nozzle to a coating region set on the substrate to be processed. During the process, the first valve is opened and the second valve is closed. Immediately before and immediately after the start of the application mode, the second valve is opened and the first valve is closed. Good. The first or second valve may be of an on / off control type, a flow control type, or a pressure control type.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図1〜図11を参照して本
発明の好適な実施形態を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0014】図1に、本発明の塗布装置が組み込み可能
なシステム例として塗布現像処理システムを示す。この
塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置さ
れ、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造
プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
クの各処理を行うものである。露光処理は、このシステ
ムに隣接して設置される外部の露光装置(図示せず)で
行われる。
FIG. 1 shows a coating and developing system as an example of a system into which the coating apparatus of the present invention can be incorporated. This coating and developing system is installed in a clean room, and performs, for example, cleaning, resist coating, pre-baking, developing and post-baking in a photolithography process in an LCD manufacturing process, for example, using an LCD substrate as a substrate to be processed. is there. The exposure processing is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.

【0015】この塗布現像処理システムは、大きく分け
て、カセットステーション(C/S)10と、プロセス
ステーション(P/S)12と、インタフェース部(I
/F)14とで構成される。
The coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface unit (I / O).
/ F) 14.

【0016】システムの一端部に設置されるカセットス
テーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容する
カセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセッ
トステージ16と、このステージ16上のカセットCに
ついて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えて
いる。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段た
とえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作
可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)
12側の主搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるよ
うになっている。
A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system has a cassette stage 16 on which a predetermined number of, for example, four cassettes C accommodating a plurality of substrates G can be placed, and a cassette stage 16 on this stage 16. And a transfer mechanism 20 for loading and unloading the substrate G with respect to the cassette C. The transfer mechanism 20 has a unit capable of holding the substrate G, for example, a transfer arm, is operable in four axes of X, Y, Z, and θ, and is a process station (P / S) described later.
The transfer of the substrate G to and from the main transfer device 38 on the 12th side can be performed.

【0017】プロセスステーション(P/S)12は、
上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗
浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロ
セス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25
およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けて
いる。
The process station (P / S) 12
The cleaning process unit 22, the coating process unit 24, and the developing process unit 26 are sequentially changed from the cassette station (C / S) 10 side to the substrate relay unit 23, the chemical solution supply unit 25.
And are provided in a horizontal row with (and sandwiching) a space 27 therebetween.

【0018】洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗
浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/
冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット
(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含ん
でいる。
The cleaning process section 22 includes two scrubber cleaning units (SCRs) 28 and two upper and lower ultraviolet irradiation /
It includes a cooling unit (UV / COL) 30, a heating unit (HP) 32, and a cooling unit (COL).

【0019】塗布プロセス部24は、レジスト塗布ユニ
ット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42
と、エッジリムーバ・ユニット(ER)44と、上下2
段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)
48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。
The coating process unit 24 includes a resist coating unit (CT) 40 and a reduced-pressure drying unit (VD) 42
And the edge remover unit (ER) 44 and the upper and lower 2
Stage type adhesion / cooling unit (AD / COL) 4
6, upper and lower two-stage heating / cooling unit (HP / COL)
48 and a heating unit (HP) 50.

【0020】現像プロセス部26は、3つの現像ユニッ
ト(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニ
ット(HP/COL)55と、加熱ユニット(HP)5
3とを含んでいる。
The developing process section 26 includes three developing units (DEV) 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units (HP / COL) 55, and a heating unit (HP) 5
3 is included.

【0021】各プロセス部22,24,26の中央部に
は長手方向に搬送路36,52,58が設けられ、主搬
送装置38,54,60が各搬送路に沿って移動して各
プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入
/搬出または搬送を行うようになっている。なお、この
システムでは、各プロセス部22,24,26におい
て、搬送路36,52,58の一方の側にスピンナ系の
ユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方
の側に熱処理または照射処理系のユニット(HP,CO
L,UV等)が配置されている。
At the center of each of the process sections 22, 24, and 26, transport paths 36, 52, and 58 are provided in the longitudinal direction, and the main transport devices 38, 54, and 60 move along each transport path, and Each unit in the unit is accessed to carry in / out or carry in the substrate G. In this system, in each of the process units 22, 24, and 26, a spinner system unit (SCR, CT, DEV, etc.) is disposed on one side of the transport paths 36, 52, and 58, and heat treatment or heat treatment is performed on the other side. Irradiation treatment system unit (HP, CO
L, UV, etc.).

【0022】システムの他端部に設置されるインタフェ
ース部(I/F)14は、プロセスステーション12と
隣接する側にイクステンション(基板受け渡し部)57
およびバッファステージ56を設け、露光装置と隣接す
る側に搬送機構59を設けている。
An interface (I / F) 14 installed at the other end of the system has an extension (substrate transfer section) 57 on the side adjacent to the process station 12.
And a buffer stage 56, and a transport mechanism 59 on the side adjacent to the exposure apparatus.

【0023】図2に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C
/S)10において、搬送機構20が、ステージ16上
の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、
プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部
22の主搬送装置38に渡す(ステップS1)。
FIG. 2 shows a processing procedure in the coating and developing system. First, the cassette station (C
/ S) 10, the transport mechanism 20 takes out one substrate G from the predetermined cassette C on the stage 16 and
It is transferred to the main transfer device 38 of the cleaning process section 22 of the process station (P / S) 12 (step S1).

【0024】洗浄プロセス部22において、基板Gは、
先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に
順次搬入され、上段の紫外線照射ユニット(UV)では
紫外線照射による乾式洗浄を施され、次に下段の冷却ユ
ニット(COL)では所定温度まで冷却される(ステッ
プS2)。この紫外線照射洗浄では基板表面の有機物が
除去される。これによって、基板Gの濡れ性が向上し、
次工程のスクラビング洗浄における洗浄効果を高めるこ
とができる。
In the cleaning process section 22, the substrate G
First, they are sequentially carried into an ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation in the upper ultraviolet irradiation unit (UV), and then cooled to a predetermined temperature in the lower cooling unit (COL). (Step S2). This ultraviolet irradiation cleaning removes organic substances on the substrate surface. This improves the wettability of the substrate G,
The cleaning effect in the scrubbing cleaning in the next step can be enhanced.

【0025】次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(S
CR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板
表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。
スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(H
P)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS
4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板
温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロ
セス部22における前処理が終了し、基板Gは、主搬送
装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセ
ス部24へ搬送される。
Next, the substrate G is provided with a scrubber cleaning unit (S
One of the CRs 28 undergoes a scrubbing cleaning process to remove particulate contamination from the substrate surface (step S3).
After the scrubbing cleaning, the substrate G is heated by a heating unit (H
(P) 32 undergoes dehydration by heating (step S)
4) Then, the substrate is cooled to a certain substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pre-processing in the cleaning process unit 22 is completed, and the substrate G is transported by the main transport unit 38 to the coating process unit 24 via the substrate transfer unit 23.

【0026】塗布プロセス部24において、基板Gは、
先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(A
D)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS
6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度ま
で冷却される(ステップS7)。
In the coating processing section 24, the substrate G
First, the adhesion / cooling unit (AD / COL) 4
6 in sequence, and the first adhesion unit (A
In D), a hydrophobizing treatment (HMDS) is performed (step S).
6) Then, the substrate is cooled to a constant substrate temperature in the next cooling unit (COL) (step S7).

【0027】その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット
(CT)40でレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥
ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受け、次
いでエッジリムーバ・ユニット(ER)44で基板周縁
部の余分(不要)なレジストを除かれる(ステップS
8)。
Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution in a resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying process under reduced pressure in a reduced-pressure drying unit (VD) 42, and then in an edge remover unit (ER) 44 Excess (unnecessary) resist on the periphery is removed (step S
8).

【0028】次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(H
P/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット
(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行わ
れ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一
定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、
この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を
用いることもできる。
Next, the substrate G is placed on a heating / cooling unit (H
P / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking (pre-bake) after coating (step S9), and then cools to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) (step S9). Step S10). In addition,
The heating unit (HP) 50 can be used for baking after the application.

【0029】上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセ
ス部24の主搬送装置54と現像プロセス部26の主搬
送装置60とによってインタフェース部(I/F)14
へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS
11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パ
ターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基
板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14
に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機
構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステン
ション57を介してプロセスステーション(P/S)1
2の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。
After the coating process, the substrate G is transferred to the interface (I / F) 14 by the main transfer device 54 of the coating process unit 24 and the main transfer device 60 of the development process unit 26.
To the exposure apparatus from there (step S
11). The exposure device exposes a resist on the substrate G to a predetermined circuit pattern. Then, the substrate G after the pattern exposure is transferred from the exposure apparatus to the interface unit (I / F) 14.
Is returned to. The transfer mechanism 59 of the interface unit (I / F) 14 transfers the substrate G received from the exposure apparatus via the extension 57 to the process station (P / S) 1.
(Step S11).

【0030】現像プロセス部26において、基板Gは、
現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理
を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット
(HP/COL)55の1つに順次搬入され、最初の加
熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ス
テップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基
板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベ
ーキングに加熱ユニット(HP)53を用いることもで
きる。
In the developing process section 26, the substrate G
One of the developing units (DEV) 52 undergoes a developing process (step S12), and then is sequentially loaded into one of the heating / cooling units (HP / COL) 55, and is post-baked in the first heating unit (HP). Is performed (step S13), and then cooled to a certain substrate temperature by the cooling unit (COL) (step S14). A heating unit (HP) 53 can be used for this post-baking.

【0031】現像プロセス部26での一連の処理が済ん
だ基板Gは、プロセスステーション(P/S)24内の
搬送装置60,54,38によりカセットステーション
(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20により
いずれか1つのカセットCに収容される(ステップS
1)。
The substrate G that has been subjected to a series of processing in the developing process section 26 is returned to the cassette station (C / S) 10 by the transfer devices 60, 54, and 38 in the process station (P / S) 24. Stored in one of the cassettes C by the transport mechanism 20 (step S
1).

【0032】この塗布現像処理システムにおいては、塗
布プロセス部24のレジスト塗布ユニット(CT)に本
発明を適用することができる。以下、図3〜図11につ
き本発明をレジスト塗布ユニット(CT)に適用した実
施形態を説明する。
In this coating and developing system, the present invention can be applied to the resist coating unit (CT) of the coating processing section 24. An embodiment in which the present invention is applied to a resist coating unit (CT) will be described below with reference to FIGS.

【0033】図3に、本発明の第1の実施形態によるレ
ジスト塗布ユニット(CT)内のノズル走査機構の構成
を示す。この実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)
は、スピンレス法によって基板G上に所望の膜厚でレジ
スト液を塗布するために、基板G上でレジストノズル6
2をXY方向で駆動するノズル走査機構64を有してい
る。
FIG. 3 shows the configuration of the nozzle scanning mechanism in the resist coating unit (CT) according to the first embodiment of the present invention. Resist application unit (CT) of this embodiment
In order to apply a resist solution to a desired thickness on the substrate G by a spinless method, a resist nozzle 6
2 has a nozzle scanning mechanism 64 for driving the nozzle 2 in the XY directions.

【0034】図3に示すように、このレジスト塗布ユニ
ット(CT)内で基板Gはステージ66の上にほぼ水平
に載置される。このステージ66には、基板Gの搬入/
搬出時に基板Gを水平姿勢で下から支持するための昇降
可能な複数本のリフトピン(図示せず)が設けられてい
る。
As shown in FIG. 3, the substrate G is placed substantially horizontally on the stage 66 in the resist coating unit (CT). The stage G is loaded /
A plurality of lift pins (not shown) that can move up and down to support the substrate G in a horizontal posture from below at the time of unloading are provided.

【0035】このノズル走査機構64では、ステージ6
6のX方向の両側にY方向に延びる一対のYガイドレー
ル68,70が配置されるとともに、両Yガイドレール
68,70の間にX方向に延在するXガイドレール72
がY方向に移動可能に架け渡されている。所定位置たと
えばYガイドレール68の一端に配置されたY方向駆動
部74が,無端ベルト等の伝動機構(図示せず)を介し
てXガイドレール72を両Yガイドレール68,70に
沿ってY方向に駆動するようになっている。また、Xガ
イドレール72に沿ってX方向にたとえば自走式または
外部駆動式で移動できるキャリッジ(搬送体)76が設
けられており、このキャリッジ76にレジストノズル6
2が取り付けられている。レジストノズル62は、後述
するレジスト液供給部(図3では図示省略)よりレジス
ト液を導入するレジスト液導入部と、導入したレジスト
液を垂直下方に吐出する微細径(たとえば100μm程
度)の1個または複数個の吐出口とを有している。
In the nozzle scanning mechanism 64, the stage 6
6, a pair of Y guide rails 68 and 70 extending in the Y direction are arranged on both sides in the X direction, and an X guide rail 72 extending between the Y guide rails 68 and 70 in the X direction.
Are movably mounted in the Y direction. A Y-direction drive unit 74 disposed at a predetermined position, for example, one end of the Y guide rail 68, moves the X guide rail 72 along the Y guide rails 68 and 70 via a transmission mechanism (not shown) such as an endless belt. Drive in the direction. Further, a carriage (transport body) 76 that can move in the X direction along the X guide rail 72 in a self-propelled manner or an externally driven manner, for example, is provided.
2 are installed. The resist nozzle 62 has a resist liquid introduction unit for introducing a resist liquid from a resist liquid supply unit (not shown in FIG. 3) described later, and a fine nozzle (for example, about 100 μm) for vertically discharging the introduced resist liquid. Or it has a plurality of discharge ports.

【0036】図4に、このレジスト塗布ユニット(C
T)におけるレジスト塗布処理部の要部の構成を示す。
このレジスト塗布処理部は、レジストノズル62に対す
るレジスト液Rの供給とその制御を行うための流体系の
回路および電気制御系統を有している。
FIG. 4 shows the resist coating unit (C)
The configuration of the main part of the resist coating unit in T) is shown.
The resist coating section has a fluid circuit and an electric control system for supplying and controlling the resist liquid R to the resist nozzle 62.

【0037】この実施形態におけるレジスト流体系の回
路では、レジスト液タンク(レジスト液貯留部)78と
レジストノズル62との間に、レジスト液流路の分岐点
を有する1入力ポート/2出力ポート型の流路切換部8
0が設けられている。
In the circuit of the resist fluid system in this embodiment, a one-input port / two-output port type having a branch point of a resist liquid flow path between a resist liquid tank (resist liquid storage part) 78 and a resist nozzle 62 is provided. Channel switching unit 8
0 is provided.

【0038】レジスト液タンク78と流路切換部80の
入力ポートINとは配管82で接続され、この配管82
の途中にポンプ84およびフィルタ86が設けられる。
ポンプ84は、レジスト液タンク78よりレジスト液R
を吸い上げ、吸い上げたレジスト液Rを流路切換部80
に向けて所定の圧力で吐き出す。フィルタ86はレジス
ト液Rから異物を取り除く。
The resist liquid tank 78 and the input port IN of the flow path switching section 80 are connected by a pipe 82.
A pump 84 and a filter 86 are provided halfway.
The pump 84 supplies the resist solution R from the resist solution tank 78.
And sucks up the resist solution R to the flow path switching unit 80.
At a predetermined pressure. The filter 86 removes foreign matter from the resist solution R.

【0039】流路切換部80において、第1出力ポート
OUT1は配管88を介してレジストノズル62のレジ
スト導入部に接続され、第2出力ポートOUT2は配管
90を介してレジスト液タンク78の容器内部に接続さ
れる。配管90の途中に圧力制御弁92が設けられる。
In the flow path switching section 80, the first output port OUT 1 is connected to the resist introduction section of the resist nozzle 62 via a pipe 88, and the second output port OUT 2 is connected via a pipe 90 to the inside of the container of the resist liquid tank 78. Connected to. A pressure control valve 92 is provided in the middle of the pipe 90.

【0040】上記流体系のうち、ポンプ84、流路切換
部80および圧力制御弁92は、たとえばマイクロコン
ピュータからなる制御部100によって制御される。よ
り詳細には、ポンプ84の吸い込み/吐き出し動作がポ
ンプ駆動部たとえば駆動モータ102を通じて制御部1
00により制御される。流路切換部80は、後述するよ
うに第1出力ポートOUT1側の流路と第2出力ポート
OUT2側の流路とを選択的に切り換えできる電磁弁ま
たはソレノイドバルブを有しており、該ソレノイドバル
ブの開閉動作ないしバルブ位置が制御部100によって
制御される。圧力制御弁92は、たとえば電磁比例弁か
らなり、流路切換部80からレジスト液タンク78へ戻
るレジスト液Rの圧力を制御部100の制御の下でリア
ルタイムに調節する。
In the above-mentioned fluid system, the pump 84, the flow path switching section 80 and the pressure control valve 92 are controlled by a control section 100 composed of, for example, a microcomputer. More specifically, the suction / discharge operation of the pump 84 is controlled by the control unit 1 through a pump driving unit, for example, the driving motor 102.
00. The flow path switching unit 80 includes an electromagnetic valve or a solenoid valve that can selectively switch between a flow path on the first output port OUT1 side and a flow path on the second output port OUT2 side, as described later. The opening / closing operation of the valve or the valve position is controlled by the control unit 100. The pressure control valve 92 is, for example, an electromagnetic proportional valve, and adjusts the pressure of the resist solution R returning from the flow path switching unit 80 to the resist solution tank 78 in real time under the control of the control unit 100.

【0041】なお、配管90(レジスト液リターン流
路)内の圧力、あるいは配管88ないしレジストノズル
62(レジスト液吐出流路)内の圧力を検出するための
圧力センサ(図示せず)を設け、そのセンサ出力信号を
モニタ信号またはフィードバック信号として制御部10
0に与えることも可能である。
A pressure sensor (not shown) for detecting the pressure in the pipe 90 (resist liquid return flow path) or the pressure in the pipe 88 or the resist nozzle 62 (resist liquid discharge flow path) is provided. The control unit 10 uses the sensor output signal as a monitor signal or a feedback signal.
It is also possible to give 0.

【0042】また、制御部100は上記ノズル走査機構
64の動作を制御する。ノズル走査機構64の駆動部は
たとえばステップモータで構成されてよい。制御部10
0がレジストノズル62の位置を監視またはフィードバ
ックできるようにするために、位置センサ104が設け
られてよい。この位置センサ104は、たとえば、ノズ
ル走査機構64におけるXY駆動部(74,76)の駆
動モータに取り付けられたロータリエンコーダまたはX
Yガイドレール(68,70,72)に取り付けられた
リニアエンコーダ等で構成されてよい。
The control unit 100 controls the operation of the nozzle scanning mechanism 64. The drive unit of the nozzle scanning mechanism 64 may be constituted by, for example, a step motor. Control unit 10
A position sensor 104 may be provided to allow 0 to monitor or feed back the position of the resist nozzle 62. The position sensor 104 is, for example, a rotary encoder or an X encoder attached to a drive motor of an XY drive section (74, 76) in the nozzle scanning mechanism 64.
It may be constituted by a linear encoder or the like attached to the Y guide rails (68, 70, 72).

【0043】図5に、流路切換部80の一構成例を示
す。この構成例では、たとえばステンレス鋼からなるブ
ロック状の本体106の中に、流路分岐点BGが設けら
れ、入力ポートINと分岐点BGとをつなぐ第1流路1
08、分岐点BGと第1出力ポートOUT1とをつなぐ
第2流路110、および分岐点BGと第2出力ポートO
UT2とをつなぐ第3流路112が形成されている。そ
して、第2流路110および第3流路112をそれぞれ
開閉するためのソレノイドバルブ114,116が本体
106に取り付けられている。
FIG. 5 shows an example of the configuration of the flow path switching section 80. In this configuration example, a flow path branch point BG is provided in a block-shaped main body 106 made of, for example, stainless steel, and the first flow path 1 connecting the input port IN and the branch point BG is provided.
08, a second flow path 110 connecting the branch point BG and the first output port OUT1, and a branch point BG and the second output port O
A third flow path 112 connecting the UT2 is formed. Solenoid valves 114 and 116 for opening and closing the second flow path 110 and the third flow path 112, respectively, are attached to the main body 106.

【0044】各ソレノイドバルブ114,116は、た
とえば弁座114a,116aに対してポペット114
b,116bを離間・密着させることよって弁の開閉を
行う機構を有し、ポペット114b,116bをコイル
バネ114c,116cに抗して吸引駆動するためのソ
レノイドを外付けのバルブ駆動部114d,116dに
内蔵している。各バルブ駆動部114d,116dに
は、各ソレノイドバルブ114,116の開閉を制御す
るための制御信号CS1,CS2が制御部100(図4)
より与えられる。この実施形態では、制御部100が各
ソレノイドバルブ114,116の開閉を独立に制御で
きるようになっている。したがって、両ソレノイドバル
ブ114,116を相補的な開閉状態(一方が開状態
で、他方が閉状態)に切り換えられるだけでなく、同時
に開状態または閉状態にすることも可能となっている。
Each of the solenoid valves 114 and 116 has, for example, a poppet 114 with respect to a valve seat 114a and 116a.
A valve for opening and closing the valve by separating and contacting the b and 116b is provided. A solenoid for sucking and driving the poppets 114b and 116b against the coil springs 114c and 116c is attached to the external valve driving units 114d and 116d. Built-in. Control signals CS1 and CS2 for controlling the opening and closing of the solenoid valves 114 and 116 are supplied to the valve driving units 114d and 116d by the control unit 100 (FIG. 4).
Given by In this embodiment, the control unit 100 can independently control the opening and closing of each solenoid valve 114, 116. Therefore, not only can the two solenoid valves 114 and 116 be switched to the complementary open / closed state (one is open and the other is closed), but also it can be simultaneously opened or closed.

【0045】図6に、この実施形態におけるレジスト塗
布処理の手順(特に制御部100の制御手順)を示す。
図7および図8に、この実施形態におけるレジスト塗布
処理の作用を示す。
FIG. 6 shows the procedure of the resist coating process in this embodiment (particularly, the control procedure of the control unit 100).
7 and 8 show the operation of the resist coating process in this embodiment.

【0046】主搬送装置54(図1)により塗布処理前
の基板Gが本レジスト塗布ユニット(CT)に搬入さ
れ、上記リフトピン(図示せず)により該基板Gがステ
ージ66(図3)上に載置されてから、レジスト塗布処
理が実行される。
The substrate G before the coating process is carried into the resist coating unit (CT) by the main transfer device 54 (FIG. 1), and the substrate G is placed on the stage 66 (FIG. 3) by the lift pins (not shown). After the mounting, a resist coating process is performed.

【0047】制御部100は、初期化(ステップA1)
の中で、ノズル走査機構64を制御して、レジストノズ
ル62を初期位置(X0,Y0)にセットする。また、流
路切換部80を制御して、第1出力ポートOUT1側の
流路を閉じ、第2出力ポートOUT2側の流路を開けて
おく。この時点で、ポンプ駆動部102を制御して、ポ
ンプ84の運転(吐出動作)を開始させてもよい。これ
により、ポンプ84より配管82を介して流路切換部8
0まで送られたレジスト液Rは、レジストノズル62側
に供給されることなく、配管90を介してレジスト液タ
ンク78に戻される。制御部100は、圧力制御弁92
を制御して、配管90内を流れるレジスト液Rの圧力を
所望の値たとえばレジストノズル62より吐出するとき
の配管88内の圧力と同じ値に調節することができる。
このような圧力制御により、レジスト液タンク78へ戻
されるレジスト液Rの流量を抑制し、ひいてはレジスト
液Rの流入による泡の発生を防止できるという作用効果
も得られる。
The control unit 100 initializes (step A1)
, The nozzle scanning mechanism 64 is controlled to set the registration nozzle 62 at the initial position (X0, Y0). Further, the flow path switching unit 80 is controlled to close the flow path on the first output port OUT1 side and open the flow path on the second output port OUT2 side. At this point, the operation of the pump 84 (discharge operation) may be started by controlling the pump driving unit 102. Thus, the flow path switching unit 8 is supplied from the pump 84 via the pipe 82.
The resist solution R sent to 0 is returned to the resist solution tank 78 via the pipe 90 without being supplied to the resist nozzle 62 side. The control unit 100 includes a pressure control valve 92
And the pressure of the resist solution R flowing through the pipe 90 can be adjusted to a desired value, for example, the same value as the pressure in the pipe 88 when the resist liquid R is discharged from the resist nozzle 62.
By such pressure control, the flow rate of the resist solution R returned to the resist solution tank 78 can be suppressed, and the operation and effect of preventing generation of bubbles due to the inflow of the resist solution R can be obtained.

【0048】次に、制御部100は、ノズル走査機構6
4のX駆動部76を制御して、レジストノズル62のX
方向における1ライン分の移動を開始させる(ステップ
A2)。 そして、レジストノズル62が(正確にはノ
ズル吐出口が)たとえば基板Gの一端に差し掛かる直前
の所定位置X1まで移動したところで(ステップA3)、
レジストノズル62よりレジスト液Rの吐出を開始させ
るため、流路切換部80を制御して、第1出力ポートO
UT1側の流路を開けるとともに、第2出力ポートOU
T2側の流路を閉じる(ステップA4)。それまで流路切
換部80より配管90を介してレジスト液タンク78側
へ流れていたレジスト液Rは、流路切換部80で上記の
ように流路の方向切換がなされると、配管88を介して
レジストノズル62側に流れ始め、レジストノズル62
の吐出口より所定圧力で速やかに吐き出される。こうし
て、レジストノズル62は基板G上にレジスト液Rを吐
出しながらX方向に一定速度で移動する。
Next, the control unit 100 controls the nozzle scanning mechanism 6
4 by controlling the X driving section 76 of the resist nozzle 62.
The movement of one line in the direction is started (step A2). Then, when the resist nozzle 62 has moved to a predetermined position X1 (precisely, the nozzle discharge port) just before reaching one end of the substrate G (step A3),
In order to start the discharge of the resist liquid R from the resist nozzle 62, the flow path switching unit 80 is controlled to control the first output port O
Open the flow path on the UT1 side and set the second output port OU
The flow path on the T2 side is closed (step A4). The resist solution R, which has been flowing from the flow path switching unit 80 to the resist liquid tank 78 side via the pipe 90 until then, when the flow path direction is switched by the flow path switching unit 80 as described above, the piping 88 is connected. Through the resist nozzle 62 through the
From the discharge port at a predetermined pressure. Thus, the resist nozzle 62 moves at a constant speed in the X direction while discharging the resist liquid R onto the substrate G.

【0049】上記のようなX方向のライン走査によって
レジストノズル62が基板Gの他端付近に設定された所
定位置X2に到達すると(ステップA5)、制御部100
はレジストノズル62からのレジスト液Rの吐出を停止
させる(ステップA6)。そのために、流路切換部80
を制御して、第1出力ポートOUT1側の流路を閉じる
とともに、第2出力ポートOUT2側の流路を開ける。
これにより、ポンプ84側から配管82を介して流路切
換部80に送られてきたレジスト液Rは、流路切換部8
0にて第2出力ポートOUT2側の流路へ導かれ、配管
90を介してレジスト液ボトル78へ戻るようになる。
このため、レジストノズル62においては残圧が非常に
低く、レジスト液Rは直ぐ切れる。
When the resist nozzle 62 reaches a predetermined position X2 set near the other end of the substrate G by the line scanning in the X direction as described above (step A5), the control unit 100
Stops the discharge of the resist liquid R from the resist nozzle 62 (step A6). Therefore, the flow path switching unit 80
To close the flow path on the first output port OUT1 side and open the flow path on the second output port OUT2 side.
As a result, the resist liquid R sent from the pump 84 to the flow path switching unit 80 via the pipe 82 is supplied to the flow path switching unit 8.
At 0, the liquid is guided to the flow path on the second output port OUT2 side, and returns to the resist liquid bottle 78 via the pipe 90.
For this reason, the residual pressure in the resist nozzle 62 is very low, and the resist liquid R is immediately cut off.

【0050】制御部100は、ノズル走査機構64のX
駆動部76を制御して、所定の折り返し位置X0でレジ
ストノズル62のX方向における1ライン分の移動を終
了させる(ステップA7,A8)。通常は、レジストノズ
ル62の移動を止めるのに一定の減速時間を伴うので、
折り返し位置X0の手前で減速を開始させてよい。
The control unit 100 controls the X of the nozzle scanning mechanism 64
By controlling the drive unit 76, the movement of the resist nozzle 62 for one line in the X direction at the predetermined turn-back position X0 is completed (steps A7 and A8). Usually, it takes a certain deceleration time to stop the movement of the resist nozzle 62,
The deceleration may be started just before the turning position X0.

【0051】次に、制御部100は、ノズル走査機構6
4のY駆動部74を制御して、折り返し位置X0にてレ
ジストノズル62をY方向に一定距離またはピッチyc
だけ移動させる(ステップA9)。次いで、折り返し位
置X0をスタート点として前のラインとは逆向きでX方
向におけるレジストノズル62の移動動作とレジスト液
Rの吐出動作を上記と同様のシーケンスで実行制御する
(ステップA10→A11→A2‥)。
Next, the control unit 100 controls the nozzle scanning mechanism 6
4 by controlling the Y driving unit 74 to move the resist nozzle 62 at a return position X0 by a certain distance or pitch yc in the Y direction.
(Step A9). Next, the moving operation of the resist nozzle 62 and the discharging operation of the resist liquid R in the X direction in the direction opposite to the previous line are controlled in the same sequence as described above with the turning position X0 as the start point (steps A10 → A11 → A2). ‥).

【0052】上記のようなレジスト塗布動作によれば、
図7および図8に示すように、レジストノズル62が基
板G上を走査している間はレジストノズル62よりレジ
スト液Rを連続的に吐出し、レジストノズル62が基板
Gの外に出ている間はレジスト液Rの吐出を中断するこ
とができる。したがって、基板Gの外で無駄に吐出され
捨てられるレジスト液Rの量を可及的に減らし、レジス
ト液使用効率を大幅に改善することができる。
According to the above-described resist coating operation,
As shown in FIGS. 7 and 8, while the resist nozzle 62 is scanning over the substrate G, the resist liquid R is continuously discharged from the resist nozzle 62, and the resist nozzle 62 is out of the substrate G. During this time, the discharge of the resist liquid R can be interrupted. Therefore, the amount of the resist liquid R which is discharged and discarded outside the substrate G is reduced as much as possible, and the efficiency of using the resist liquid can be greatly improved.

【0053】また、この実施形態では、レジスト液Rの
吐出を中断している間はレジスト液タンク78→配管8
2→流路切換部80→配管90→レジスト液タンク78
の流体回路をレジスト液Rが循環して流れるようになっ
ており、しかも流路切換部80がレジストノズル62の
手前に位置しているので、レジストノズル62における
レジスト液Rの吐出開始と吐出停止を高い応答速度で制
御することが可能である。これにより、レジスト液の吐
出制御性ひいては塗布加工精度とレジスト液消費効率と
を同時に実現できる。
In this embodiment, while the discharge of the resist solution R is interrupted, the resist solution tank 78 → the pipe 8
2 → flow path switching section 80 → pipe 90 → resist liquid tank 78
Since the resist liquid R circulates and flows through the fluid circuit of FIG. 1, and since the flow path switching unit 80 is located in front of the resist nozzle 62, the discharge start and stop of the resist liquid R in the resist nozzle 62 are stopped. Can be controlled at a high response speed. This makes it possible to simultaneously achieve the controllability of the discharge of the resist solution, the accuracy of the coating process and the efficiency of the resist solution consumption.

【0054】この実施形態において、レジストノズル6
2におけるレジスト液Rの吐出開始と吐出停止をより一
層スムースにするため、流路切換部80において両ソレ
ノイドバルブ114,116の開閉動作に速度制御を付
けたり時間差を設けてもよい。たとえば、吐出開始時に
は、吐出流路側のソレノイドバルブ114の開閉動作
(閉→開)をリターン流路側のソレノイドバルブ116
の開閉動作(開→閉)よりも少し早いタイミングで行っ
てよい。反対に、吐出停止時には、吐出流路側のソレノ
イドバルブ114の開閉動作(開→閉)よりもリターン
流路側のソレノイドバルブ116の開閉動作(閉→開)
を少し早いタイミングで実行してよい。
In this embodiment, the resist nozzle 6
In order to further smooth the start and stop of the discharge of the resist liquid R in Step 2, a speed control may be applied to the opening and closing operations of the two solenoid valves 114 and 116 in the flow path switching unit 80, or a time difference may be provided. For example, at the start of discharge, the opening / closing operation (closing → opening) of the solenoid valve 114 on the discharge flow path side is controlled by the solenoid valve 116 on the return flow path side.
May be performed at a timing slightly earlier than the opening / closing operation (open → close). Conversely, when the discharge is stopped, the opening / closing operation of the solenoid valve 116 on the return flow path side (closed → open) is more than the opening / closing operation of the solenoid valve 114 on the discharge flow path side (open → closed).
May be executed at a slightly earlier timing.

【0055】また、塗布液の吐出開始・停止の応答性の
上から、流路切換部80とレジストノズル62間の流路
が短かいほど好ましい。したがって、配管88を省いて
流路切換部80をレジストノズル62に直接接続する構
成、あるいは図9に示すように両者(80,62)を一
体にする構成としてもよい。
Further, from the viewpoint of the response of the start and stop of the discharge of the coating liquid, the shorter the flow path between the flow path switching unit 80 and the resist nozzle 62, the more preferable. Therefore, a configuration in which the pipe 88 is omitted and the flow path switching unit 80 is directly connected to the resist nozzle 62, or a configuration in which the two (80, 62) are integrated as shown in FIG.

【0056】図9の構成例では、第1出力ポートOUT
1にレジストノズル62のノズル孔を形成している。こ
のノズル孔は、1個でもよく、あるいは複数個(たとえ
ば一定ピッチで一列に)でもよい。分岐点BGとノズル
孔(OUT1)間の圧力伝播速度を上げるため、流路1
10をできるだけ狭くする構成が好ましい。このように
第1出力ポートOUT1側で流路を絞る(圧力の損失分
が増大する)ことに合わせて、図示のように第2出力ポ
ートOUT2側も同様に流路を絞る構成としてよく、そ
の場合は圧力調整弁92を省くことができる。このよう
に、部品削減、制御機構の軽減、装置の信頼性向上等を
はかることができる。
In the configuration example of FIG. 9, the first output port OUT
1, a nozzle hole of the resist nozzle 62 is formed. The number of the nozzle holes may be one or plural (for example, in a line at a constant pitch). In order to increase the pressure propagation speed between the branch point BG and the nozzle hole (OUT1), the flow path 1
A configuration in which 10 is as narrow as possible is preferred. In this manner, in accordance with the narrowing of the flow path on the first output port OUT1 side (increase in pressure loss), the flow path of the second output port OUT2 side may be similarly narrowed as shown in FIG. In this case, the pressure regulating valve 92 can be omitted. In this way, it is possible to reduce the number of components, reduce the number of control mechanisms, and improve the reliability of the apparatus.

【0057】なお、この実施形態におけるスピンレス法
においても、基板Gの端から端までむらなくほぼ均一な
膜厚でレジスト液Rを塗布するためには、基板Gの外に
少量ではあるがレジストノズル62よりレジスト液Rを
無駄に吐出するのは避けられないことが多々ある。その
場合は、ステージ66上に基板Gの周囲でレジスト液R
を受ける回収部材またはカバー部材等(図示せず)を設
けてもよい。
In the spinless method of this embodiment, in order to apply the resist liquid R with a substantially uniform film thickness from end to end of the substrate G, a small amount of the resist nozzle is provided outside the substrate G. It is often inevitable that the resist liquid R is unnecessarily discharged from the nozzle 62. In this case, the resist solution R is placed on the stage 66 around the substrate G.
A receiving member or a cover member (not shown) for receiving the sheet may be provided.

【0058】また、レジストノズル62より吐出された
レジスト液Rが基板G上で拡散するように、レジスト液
Rの吐出(供給)と一緒に、またはそれに先立って溶剤
を基板G上に供給する機構(図示せず)を設けてもよ
い。さらに、レジストノズル62より細径の線状で吐出
されるレジスト液Rの流れを安定に維持するために、レ
ジストノズル62付近の空間を所定濃度の溶剤雰囲気に
制御する機構を設けてもよい。
A mechanism for supplying a solvent onto the substrate G together with or prior to the discharge (supply) of the resist liquid R so that the resist liquid R discharged from the resist nozzle 62 is diffused on the substrate G. (Not shown) may be provided. Further, in order to stably maintain the flow of the resist liquid R discharged in a linear form having a small diameter from the resist nozzle 62, a mechanism for controlling the space around the resist nozzle 62 to a solvent atmosphere of a predetermined concentration may be provided.

【0059】図10に、本発明の第2の実施形態による
レジスト塗布ユニット(CT)の特徴部分の構成を示
す。この第2の実施形態では、スピンチャック118上
に基板Gを載置して、静止状態の基板G上にレジスト液
Rを大まかに分布させて供給する第1工程と、基板G上
でレジスト液Rを広げて塗布膜をレベリング(膜厚均一
化)するために基板Gをスピン回転させる第2工程とを
順次行うようにしている。第1工程では、上記第1の実
施形態におけるXY走査機構(図3)およびレジスト塗
布処理部(図4)を用いることができる。
FIG. 10 shows a configuration of a characteristic portion of a resist coating unit (CT) according to the second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the first step is to place the substrate G on the spin chuck 118 and supply the resist liquid R roughly distributed on the stationary substrate G; The second step of spin-rotating the substrate G in order to widen the R and level the coating film (uniform film thickness) is sequentially performed. In the first step, the XY scanning mechanism (FIG. 3) and the resist coating unit (FIG. 4) in the first embodiment can be used.

【0060】従来一般のスピンコート法では基板中心部
にレジスト液を滴下してから2000〜3000rpm
以上の高速度でスピン回転させるのに対して、この第2
実施形態の方式では基板上にレジスト液をある程度広く
分布させてからたとえば1000rpm程度の低速度で
スピン回転させるため基板の外に飛散するレジスト液を
少なくすることができる。
In a conventional general spin coating method, a resist solution is dropped on the center of a substrate and then 2,000 to 3,000 rpm.
In contrast to the above spinning at a high speed, this second
In the method of the embodiment, the resist solution is distributed to a large extent on the substrate and then spinned at a low speed of, for example, about 1000 rpm, so that the amount of the resist solution flying outside the substrate can be reduced.

【0061】図10において、スピンチャック118の
回転軸118aは駆動部120内に設けられている回転
駆動部(図示せず)に作動結合されている。スピンチャ
ック118の上面に設けられているチャック吸引口(図
示せず)は回転軸118a内に貫通している空気通路を
介して負圧源たとえば真空ポンプ(図示せず)に接続さ
れている。駆動部120内には、スピンチャック118
を昇降移動させるための昇降駆動部(図示せず)も設け
られている。基板Gの搬入/搬出時にはスピンチャック
118が上昇して外部搬送装置つまり主搬送装置54
(図1)と基板Gのやりとりを行うようになっている。
In FIG. 10, the rotation shaft 118a of the spin chuck 118 is operatively connected to a rotation drive unit (not shown) provided in the drive unit 120. A chuck suction port (not shown) provided on the upper surface of the spin chuck 118 is connected to a negative pressure source, for example, a vacuum pump (not shown) via an air passage penetrating through the rotating shaft 118a. The drive unit 120 includes a spin chuck 118.
There is also provided a lifting drive (not shown) for raising and lowering the. At the time of loading / unloading the substrate G, the spin chuck 118 rises and the external transport device, that is, the main transport device 54
(FIG. 1) and the substrate G are exchanged.

【0062】スピンチャック118を取り囲むように回
転カップ122が回転可能に設けられ、さらに回転カッ
プ122の外側にドレインカップ124が固定配置され
ている。両カップ122,124のいずれも上面が開口
している。回転カップ122の底部は、筒状の支持部材
126を介して駆動部126内の回転駆動部に作動接続
されている。
A rotating cup 122 is rotatably provided so as to surround the spin chuck 118, and a drain cup 124 is fixedly disposed outside the rotating cup 122. The upper surfaces of both cups 122 and 124 are open. The bottom of the rotation cup 122 is operatively connected to a rotation drive unit in the drive unit 126 via a cylindrical support member 126.

【0063】回転カップ122の上方には、ロボットア
ーム128により上下移動可能な蓋体130が配置され
ている。回転カップ122の上方でレジストノズル62
を走査させるとき、つまり基板G上にレジスト液Rを供
給する工程(第1工程)の間は、蓋体130がノズル走
査機構64の上方に退避している。第1工程が終了し
て、塗布膜のレベリングを行う工程(第2の工程)に際
して蓋体130が降りてきて回転カップ122の上面を
閉じる。なお、図示省略するが、蓋体130および回転
カップ122の上面は相互に係合する構成になってい
る。そして、駆動部120の回転駆動によりスピンチャ
ック118と回転カップ122および蓋体130が一緒
に回転することにより、基板G上でレジスト液Rが遠心
力で広げられ、基板Gの外に飛散したレジスト液Rは回
転カップ122に受けられる。スピンチャック118の
下面には回転カップ122の底面を密閉するためのリン
グ状シール部材131が取付されている。
A lid 130 that can be moved up and down by a robot arm 128 is disposed above the rotating cup 122. The resist nozzle 62 above the rotating cup 122
Is scanned, that is, during the step of supplying the resist solution R onto the substrate G (first step), the lid 130 is retracted above the nozzle scanning mechanism 64. After the first step is completed, the lid 130 comes down to close the upper surface of the rotating cup 122 in the step of performing the leveling of the coating film (the second step). Although not shown, the upper surfaces of the lid 130 and the rotating cup 122 are configured to engage with each other. When the spin chuck 118, the rotation cup 122 and the lid 130 rotate together by the rotation of the driving unit 120, the resist liquid R is spread on the substrate G by centrifugal force, and the resist scattered outside the substrate G is dispersed. Liquid R is received in rotating cup 122. A ring-shaped seal member 131 for sealing the bottom surface of the rotating cup 122 is attached to the lower surface of the spin chuck 118.

【0064】回転カップ122に回収されたレジスト液
Rは、カップ122底部の外周縁部に形成されているド
レイン口132を通ってドレインカップ124へ導か
れ、ドレインカップ124底部のドレイン口134より
廃液処理部(図示せず)へ送られる。なお、スピン回転
中にドレイン口134より空気が流出して回転カップ1
22内部が負圧になるのを防止するために、回転カップ
122の上部または蓋体130に適当な給気口(図示せ
ず)が設けられてよい。回転カップ122側からドレイ
ンカップ124内に流入した空気はドレインカップ12
4の外周面に形成された排気口136より排気系統(図
示せず)へ排出される。
The resist solution R collected in the rotating cup 122 is guided to the drain cup 124 through a drain port 132 formed in the outer peripheral edge of the bottom of the cup 122, and is discharged from the drain port 134 at the bottom of the drain cup 124. It is sent to a processing unit (not shown). During the spin rotation, air flows out from the drain port 134 and the rotating cup 1
A suitable air inlet (not shown) may be provided on the upper portion of the rotating cup 122 or on the lid 130 to prevent a negative pressure inside the interior 22. The air that has flowed into the drain cup 124 from the side of the rotating cup 122 is
4 is discharged to an exhaust system (not shown) from an exhaust port 136 formed on the outer peripheral surface.

【0065】この第2の実施形態における第1の工程で
は、上記したように基板G上にレジスト液Rをある程度
広く分布させて供給すればよく、基板全面にむらなく均
一塗布する必要はない。したがって、たとえば図10の
(A)に示すように、レジストノズル62を基板Gの外
へ出すことなく始終基板G上で走査させることも可能で
ある。さらに、このような直角ジグザグ状の走査パター
ンでは、図10の(B)に示すように、折り返し部UY
(Y方向移動)の区間でもレジスト液Rの吐出を続行さ
せてもよい。
In the first step of the second embodiment, the resist solution R may be supplied to the substrate G with a certain wide distribution on the substrate G as described above, and it is not necessary to apply the resist solution R uniformly over the entire surface of the substrate. Therefore, for example, as shown in FIG. 10A, the resist nozzle 62 can be scanned on the substrate G without leaving the substrate G outside. Further, in such a right-angle zigzag scanning pattern, as shown in FIG.
The discharge of the resist liquid R may be continued even in the section (movement in the Y direction).

【0066】この場合、本実施形態のレジスト塗布処理
部(図4)によれば、制御部100が流路切換部80に
おける両ソレノイドバルブ114,116の開閉動作お
よびレジスト液リターン流路における圧力制御弁92の
圧力調節機能さらには必要に応じてポンプ84の吐き出
し圧力を適度に制御することにより、折り返し部UY付
近における基板G上のレジスト液供給レートの変動を極
力少なくすることができる。
In this case, according to the resist coating processing section (FIG. 4) of this embodiment, the control section 100 controls the opening and closing operation of both solenoid valves 114 and 116 in the flow path switching section 80 and the pressure control in the resist liquid return flow path. By appropriately controlling the pressure adjusting function of the valve 92 and, if necessary, the discharge pressure of the pump 84, fluctuations in the resist liquid supply rate on the substrate G in the vicinity of the turn-back portion UY can be minimized.

【0067】上記した実施形態において、レジスト液リ
ターン流路の圧力制御弁92を流量制御弁に置き換える
ことが可能である。また、流路切換部80における両ソ
レノイドバルブ114,116を互いに分離した個別の
弁構造とすることも可能であり、各々を圧力制御弁また
は流量制御弁として構成することも可能である。また、
レジスト液吐出制御の精度は上記実施形態よりも低下す
ることになるが、レジスト液リターン流路側でソレノイ
ドバルブ116または圧力(流量)制御弁92のいずれ
か一方を省くことも可能であり、さらには両方(11
6,92)を省くことも可能である。あるいは、レジス
ト液リターン流路側だけに弁を設け、レジスト液吐出流
路側の弁(114)を省くことも可能である。
In the above embodiment, it is possible to replace the pressure control valve 92 in the resist liquid return flow path with a flow control valve. In addition, both solenoid valves 114 and 116 in the flow path switching unit 80 may have a separate valve structure separated from each other, and each may be configured as a pressure control valve or a flow control valve. Also,
Although the precision of the resist liquid discharge control is lower than that of the above embodiment, it is also possible to omit either the solenoid valve 116 or the pressure (flow rate) control valve 92 on the resist liquid return flow path side. Both (11
6, 92) can be omitted. Alternatively, it is possible to provide a valve only on the resist liquid return flow path side and omit the valve (114) on the resist liquid discharge flow path side.

【0068】上記した実施形態におけるXY型のノズル
走査機構(64)や直角ジグザグ状の走査パターンは一
例であり、本発明の技術思想を限定するものではない。
種々の構造または方式の走査機構を使用することが可能
であり、任意の走査パターンを選択することができる。
The XY nozzle scanning mechanism (64) and the right-angle zigzag scanning pattern in the above-described embodiment are merely examples, and do not limit the technical idea of the present invention.
Various configurations or types of scanning mechanisms can be used, and any scanning pattern can be selected.

【0069】また、本発明は、レジストノズルを用いて
被処理基板上に塗布液を供給する任意のアプリケーショ
ンに適用可能であり、走査式でなくても、たとえば静止
状態で塗布液を吐出する方式にも適用可能である。その
場合、時間的なシーケンスにしたがって流路切換部を制
御すればよい。本発明における塗布液としては、レジス
ト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配
線材料等の液体も可能である。本発明における被処理基
板はLCD基板に限らず、半導体ウエハ、CD基板、ガ
ラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能であ
る。
The present invention can be applied to any application for supplying a coating liquid onto a substrate to be processed using a resist nozzle. Is also applicable. In that case, the flow path switching unit may be controlled according to a temporal sequence. As the coating liquid in the present invention, for example, a liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used in addition to the resist liquid. The substrate to be processed in the present invention is not limited to the LCD substrate, but may be a semiconductor wafer, a CD substrate, a glass substrate, a photomask, a printed substrate, or the like.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の塗布装置
によれば、所望の塗布膜を得るための塗布液消費量を大
幅に節減可能であり、塗布液を細径で吐出する方式にお
いても応答性の優れた吐出制御を行うことができる。さ
らに、塗布液の吐出制御性と消費効率とを同時に改善す
ることもできる。
As described above, according to the coating apparatus of the present invention, the consumption of the coating liquid for obtaining a desired coating film can be greatly reduced, and the method for discharging the coating liquid in a small diameter can be achieved. This also makes it possible to perform ejection control with excellent responsiveness. Further, it is possible to simultaneously improve the controllability of the application liquid ejection and the consumption efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の基板処理装置が適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a coating and developing processing system to which a substrate processing apparatus of the present invention can be applied.

【図2】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理
の手順を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a processing procedure in the coating and developing processing system according to the embodiment.

【図3】本発明の第1の実施形態によるレジスト塗布ユ
ニット(CT)内のノズル走査機構の構成を示す斜視図
である。
FIG. 3 is a perspective view showing a configuration of a nozzle scanning mechanism in the resist coating unit (CT) according to the first embodiment of the present invention.

【図4】実施形態のレジスト塗布ユニット(CT)にお
けるレジスト塗布処理部の要部の構成を示すブロック図
である。
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of a resist coating unit in a resist coating unit (CT) according to the embodiment.

【図5】実施形態における流路切換部の一構成例を示す
断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a flow path switching unit according to the embodiment.

【図6】実施形態におけるレジスト塗布処理の手順を示
すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart illustrating a procedure of a resist coating process in the embodiment.

【図7】実施形態におけるレジスト塗布処理の作用を模
式的に示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view schematically showing the operation of a resist coating process in the embodiment.

【図8】実施形態におけるレジスト塗布処理の作用を模
式的に示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view schematically showing an operation of a resist coating process in the embodiment.

【図9】実施形態における流路切換部の一変形例の構成
を示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a modified example of the flow path switching unit in the embodiment.

【図10】本発明の第2の実施形態によるレジスト塗布
ユニット(CT)内の特徴部分の構成を示す一部断面正
面図である。
FIG. 10 is a partial cross-sectional front view showing a configuration of a characteristic portion in a resist coating unit (CT) according to a second embodiment of the present invention.

【図11】実施形態におけるレジスト塗布処理の作用を
模式的に示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view schematically showing the operation of a resist coating process in the embodiment.

【図12】従来技術におけるレジスト塗布処理の作用を
模式的に示す斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view schematically showing the operation of a resist coating process according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

40 レジスト塗布ユニット(CT) 62 レジストノズル 64 ノズル走査機構 78 レジスト液タンク 80 流路切換部 82,88,90 配管 84 ポンプ 92 圧力制御弁 100 制御部 114,116 ソレノイドバルブ 118 スピンチャック 120 駆動部 122 回転カップ 130 蓋体 Reference Signs List 40 resist coating unit (CT) 62 resist nozzle 64 nozzle scanning mechanism 78 resist liquid tank 80 flow path switching unit 82, 88, 90 piping 84 pump 92 pressure control valve 100 control unit 114, 116 solenoid valve 118 spin chuck 120 driving unit 122 Rotating cup 130 lid

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B05D 7/00 G03F 7/16 501 G03F 7/16 501 H01L 21/30 564Z Fターム(参考) 2H025 AA18 AB16 AB20 EA04 4D075 AC04 AC84 AC91 DA06 DB13 DC22 4F042 AA06 BA12 CA01 CB02 CB08 CB19 CB20 5F046 JA01 JA03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) B05D 7/00 G03F 7/16 501 G03F 7/16 501 H01L 21/30 564Z F-term (Reference) 2H025 AA18 AB16 AB20 EA04 4D075 AC04 AC84 AC91 DA06 DB13 DC22 4F042 AA06 BA12 CA01 CB02 CB08 CB19 CB20 5F046 JA01 JA03

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板に向けて所定の塗布液を吐出
するためのノズルと、 前記塗布液を貯留する塗布液貯留部と、 前記塗布液貯留部と所定の流路分岐点とを結ぶ第1の流
路と、 前記流路分岐点と前記ノズルの吐出口とを結ぶ第2の流
路と、 前記流路分岐点と前記塗布液貯留部とを結ぶ第3の流路
と、 前記塗布液貯留部から前記塗布液を前記第1の流路を介
して前記流路分岐点側へ送るための塗布液供給手段と、 前記第2および第3の流路における前記塗布液の流れを
制御する制御手段とを有する塗布装置。
A nozzle for discharging a predetermined coating liquid toward a substrate to be processed; a coating liquid storage section for storing the coating liquid; and a connection between the coating liquid storage section and a predetermined flow path branch point. A first flow path, a second flow path connecting the flow path branch point and the discharge port of the nozzle, a third flow path connecting the flow path branch point and the coating liquid storage unit, A coating liquid supply means for sending the coating liquid from the coating liquid storage section to the flow path branch point side via the first flow path; and a flow of the coating liquid in the second and third flow paths. A coating device having control means for controlling the coating device.
【請求項2】 被処理基板に向けて所定の塗布液を吐出
するためのノズルと、 前記被処理基板に対して前記ノズルを相対的に移動させ
るための駆動手段と、 前記塗布液を貯留する塗布液貯留部と、 前記塗布液貯留部と所定の流路分岐点とを結ぶ第1の流
路と、 前記流路分岐点と前記ノズルの吐出口とを結ぶ第2の流
路と、 前記流路分岐点と前記塗布液貯留部とを結ぶ第3の流路
と、 前記塗布液貯留部から前記塗布液を前記第1の流路を介
して前記流路分岐点側へ送るための塗布液供給手段と、 前記被処理基板に対する前記ノズルの位置に応じて前記
第2および第3の流路における前記塗布液の流れを制御
する制御手段とを有する塗布装置。
2. A nozzle for discharging a predetermined application liquid toward a substrate to be processed, a driving unit for moving the nozzle relatively to the substrate to be processed, and storing the application liquid. A coating liquid storage section, a first flow path connecting the coating liquid storage section to a predetermined flow path branch point, a second flow path connecting the flow path branch point and a discharge port of the nozzle, A third flow path connecting the flow path branch point and the coating liquid storage section; and a coating for sending the coating liquid from the coating liquid storage section to the flow path branch point side via the first flow path. A coating apparatus, comprising: a liquid supply unit; and a control unit that controls a flow of the coating liquid in the second and third flow paths according to a position of the nozzle with respect to the substrate to be processed.
【請求項3】 被処理基板に向けて所定の塗布液を吐出
するためのノズルと、 前記ノズルより前記塗布液を吐出する動作を所定のシー
ケンスで制御するシーケンス制御手段と、 前記塗布液を貯留する塗布液貯留部と、 前記塗布液貯留部と所定の流路分岐点とを結ぶ第1の流
路と、 前記流路分岐点と前記ノズルの吐出口とを結ぶ第2の流
路と、 前記流路分岐点と前記塗布液貯留部とを結ぶ第3の流路
と、 前記塗布液貯留部から前記塗布液を前記第1の流路を介
して前記流路分岐点側へ送るための塗布液供給手段と、 前記塗布液吐出動作のシーケンスにしたがって前記第2
および第3の流路における前記塗布液の流れを制御する
制御手段とを有する塗布装置。
3. A nozzle for discharging a predetermined coating liquid toward a substrate to be processed, sequence control means for controlling an operation of discharging the coating liquid from the nozzle in a predetermined sequence, and storing the coating liquid. A first flow path connecting the coating liquid storage part and a predetermined flow path branch point; a second flow path connecting the flow path branch point and the discharge port of the nozzle; A third flow path connecting the flow path branch point and the coating liquid storage section, and a third flow path for sending the coating liquid from the coating liquid storage section to the flow path branch point side via the first flow path. Coating liquid supply means; and
And a control means for controlling the flow of the coating liquid in the third flow path.
【請求項4】 前記制御手段が、前記第2の流路に設け
られた第1の弁と、前記第3の流路に設けられた第2の
弁とを有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか
に記載の塗布装置。
4. The control device according to claim 1, wherein the control means includes a first valve provided in the second flow path and a second valve provided in the third flow path. The coating device according to any one of claims 1 to 3.
【請求項5】 前記制御手段が、前記被処理基板上に設
定された塗布領域に前記ノズルより前記塗布液を供給す
る塗布モード中は前記第1の弁を開状態にするとともに
前記第2の弁を閉状態にし、前記塗布モードの開始直前
および終了直後においては前記第1の弁を閉状態にする
とともに前記第2の弁を開状態にすることを特徴とする
請求項4に記載の塗布装置。
5. The apparatus according to claim 1, wherein the control unit opens the first valve during the application mode in which the application liquid is supplied from the nozzle to an application area set on the substrate to be processed, and the second valve is opened. The coating according to claim 4, wherein the valve is closed, and the first valve is closed and the second valve is open immediately before and immediately after the start of the coating mode. apparatus.
【請求項6】 前記制御手段が、前記第1および第2の
弁の各開閉状態を独立的に制御することを特徴とする請
求項4または5に記載の塗布装置。
6. The coating apparatus according to claim 4, wherein said control means controls each open / close state of said first and second valves independently.
【請求項7】 前記第1の弁が、前記第2の流路におけ
る前記塗布液の流れをオン・オフするための第1の開閉
弁を含むことを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記
載の塗布装置。
7. The method according to claim 4, wherein the first valve includes a first on-off valve for turning on / off the flow of the coating liquid in the second flow path. A coating device according to any one of the above.
【請求項8】 前記第1の弁が、前記第2の流路におい
て前記塗布液を所望の流量で流すための第1の流量制御
弁を含むことを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記
載の塗布装置。
8. The apparatus according to claim 4, wherein said first valve includes a first flow control valve for flowing said coating liquid at a desired flow rate in said second flow path. A coating device according to any one of the above.
【請求項9】 前記第1の弁が、前記第2の流路におい
て前記塗布液を所望の圧力で流すための第1の圧力制御
弁を含むことを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記
載の塗布装置。
9. The apparatus according to claim 4, wherein said first valve includes a first pressure control valve for flowing said coating liquid at a desired pressure in said second flow path. A coating device according to any one of the above.
【請求項10】 前記第2の弁が、前記第3の流路にお
ける前記塗布液の流れを選択的にオン・オフするための
第2の開閉弁を含むことを特徴とする請求項4〜9のい
ずれかに記載の塗布装置。
10. The apparatus according to claim 4, wherein the second valve includes a second on-off valve for selectively turning on and off the flow of the coating liquid in the third flow path. 10. The coating device according to any one of 9 above.
【請求項11】 前記第2の弁が、前記第3の流路にお
いて前記塗布液を所望の流量で流すための第2の流量制
御弁を含むことを特徴とする請求項4〜9のいずれかに
記載の塗布装置。
11. The apparatus according to claim 4, wherein said second valve includes a second flow control valve for flowing said coating liquid at a desired flow rate in said third flow path. A coating device according to any one of the above.
【請求項12】 前記第2の弁が、前記第3の流路にお
いて前記塗布液を所望の圧力で流すための第2の圧力制
御弁を含むことを特徴とする請求項4〜9のいずれかに
記載の塗布装置。
12. The apparatus according to claim 4, wherein said second valve includes a second pressure control valve for flowing said coating liquid at a desired pressure in said third flow path. A coating device according to any one of the above.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013140814A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 株式会社安川電機 Coating application device
JP2013230422A (en) * 2012-04-27 2013-11-14 Toppan Printing Co Ltd Coating system
KR101431967B1 (en) * 2012-03-08 2014-08-19 가부시끼가이샤 도시바 Coating apparatus and method for producing coated matter
JP2015066471A (en) * 2013-09-26 2015-04-13 日本電気株式会社 Liquid feed device
JP2015179728A (en) * 2014-03-19 2015-10-08 東京エレクトロン株式会社 Passage switch device, liquid supply system, liquid supply method, and computer readable recording medium
JP2020154400A (en) * 2019-03-18 2020-09-24 株式会社熊谷組 Movement control method of moving body and movement control system of moving body

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101431967B1 (en) * 2012-03-08 2014-08-19 가부시끼가이샤 도시바 Coating apparatus and method for producing coated matter
US9275914B2 (en) 2012-03-08 2016-03-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Coating apparatus and manufacturing method of coated body
WO2013140814A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 株式会社安川電機 Coating application device
JP5572778B2 (en) * 2012-03-22 2014-08-13 株式会社安川電機 Coating device
JPWO2013140814A1 (en) * 2012-03-22 2015-08-03 株式会社安川電機 Coating device
US9616446B2 (en) 2012-03-22 2017-04-11 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Application apparatus for applying cohesive material to application target
JP2013230422A (en) * 2012-04-27 2013-11-14 Toppan Printing Co Ltd Coating system
JP2015066471A (en) * 2013-09-26 2015-04-13 日本電気株式会社 Liquid feed device
JP2015179728A (en) * 2014-03-19 2015-10-08 東京エレクトロン株式会社 Passage switch device, liquid supply system, liquid supply method, and computer readable recording medium
JP2020154400A (en) * 2019-03-18 2020-09-24 株式会社熊谷組 Movement control method of moving body and movement control system of moving body
JP7325978B2 (en) 2019-03-18 2023-08-15 株式会社熊谷組 Mobile body movement control method

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