JP3466898B2 - Coating film forming method and coating device - Google Patents

Coating film forming method and coating device

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JP3466898B2 JP36251197A JP36251197A JP3466898B2 JP 3466898 B2 JP3466898 B2 JP 3466898B2 JP 36251197 A JP36251197 A JP 36251197A JP 36251197 A JP36251197 A JP 36251197A JP 3466898 B2 JP3466898 B2 JP 3466898B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置(L
CD)基板等の基板表面上に、例えばレジスト膜のよう
な溶剤による液状塗布膜を形成するための塗布膜形成方
法および塗布装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device (L
The present invention relates to a coating film forming method and a coating device for forming a liquid coating film with a solvent such as a resist film on the surface of a substrate such as a CD substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、LCD基板の製造においては、
LCD基板にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ技術を用いて回路パターンをフォトレジストに転写
し、これを現像処理することにより回路が形成される。
この工程には、塗布液を基板の表面上に供給する塗布膜
形成工程が含まれる。
2. Description of the Related Art For example, in manufacturing an LCD substrate,
A circuit is formed by applying a photoresist to the LCD substrate, transferring the circuit pattern to the photoresist using a photolithography technique, and developing the photoresist.
This step includes a coating film forming step of supplying the coating liquid onto the surface of the substrate.

【0003】例えば、レジスト膜の形成方法としては、
矩形のLCD基板を処理容器内に配設された載置台上に
載置固定し、処理容器の開口部を蓋体で閉塞して、処理
容器と載置台とを共に回転させ、この基板上面の中心部
に溶剤と感光性樹脂とからなるレジスト液(塗布液)を
滴下し、このレジスト液を基板の回転力と遠心力とによ
り基板中心部から周縁部に向けて渦巻状に拡散させて塗
布する方法が知られている。
For example, as a method for forming a resist film,
A rectangular LCD substrate is mounted and fixed on a mounting table arranged in the processing container, the opening of the processing container is closed with a lid, and the processing container and the mounting table are rotated together, and the upper surface of the substrate is A resist solution (coating solution) consisting of a solvent and a photosensitive resin is dropped in the center part, and the resist solution is applied by being spirally diffused from the center part of the substrate to the peripheral part by the rotational force and centrifugal force of the substrate. It is known how to do it.

【0004】この方法においては、基板回転させて基
板中心部から周縁部に向けてレジスト液を拡散させて基
板上にレジスト液を塗布し、中心位置よりも周速が著し
く大きい外周部から相当量のレジスト液を処理容器に向
って飛散させている。この場合、滴下するレジスト液の
うち基板面に塗布される量は10〜20%であり、残り
の80〜90%は処理容器に向って飛散させている。
In this method, the substrate is rotated to diffuse the resist solution from the central part of the substrate toward the peripheral part to apply the resist solution on the substrate, and the peripheral speed whose peripheral speed is significantly higher than the central position is considerable. A certain amount of resist liquid is scattered toward the processing container. In this case, the amount of the dropped resist solution applied to the substrate surface is 10 to 20%, and the remaining 80 to 90% is scattered toward the processing container.

【0005】特に、矩形であるLCD基板にレジスト液
を塗布する場合には、基板全面に塗り残しなくレジスト
液を塗布するために、非常に多量のレジスト液を無駄に
することになる。近年の大口径化に伴い、基板のサイズ
が大きくなってきており、従来の方法では、レジスト液
の無駄がさらに多くなり、無駄にするレジスト液の量を
できる限り少なくするため、レジスト液の使用量の削減
が要望されている。
In particular, when a resist solution is applied to a rectangular LCD substrate, a very large amount of resist solution is wasted because the resist solution is applied to the entire surface of the substrate without being left uncoated. With the increase in diameter in recent years, the size of the substrate is increasing, and in the conventional method, the amount of the resist solution wasted is further increased. It is desired to reduce the amount.

【0006】このようなレジスト液の使用量削減の観点
から、レジスト液の滴下の前工程として、静止した基板
上面の中心部にシンナー(溶剤)を滴下し、このシンナ
ーが拡散した後、回転する基板にレジスト液を滴下する
といった方法が提案されている(特開平8−51061
号公報)。
From the viewpoint of reducing the amount of the resist solution used, as a pre-step of dropping the resist solution, a thinner (solvent) is dropped onto the center of the stationary upper surface of the substrate, and the thinner is rotated and then rotated. A method of dropping a resist solution on a substrate has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 8-51061).
Issue).

【0007】この方法では、レジスト液の滴下の前に、
基板にシンナーを塗布して拡散させているため、基板に
レジスト液を滴下したときにレジスト液がシンナーを介
して基板全面に拡散するため、基板全面に対してレジス
ト液を塗布することができ、レジスト液の使用量を削減
することができる。
In this method, before dropping the resist solution,
Since the thinner is applied to the substrate to diffuse it, when the resist solution is dropped onto the substrate, the resist solution diffuses to the entire surface of the substrate through the thinner, so that the resist solution can be applied to the entire surface of the substrate. The amount of resist solution used can be reduced.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この特
開平8−51061号公報に記載された方法では、滴下
したレジスト液が基板の外周部に十分に拡散する前に、
レジスト液の乾燥が速く進行してレジスト液の粘度が高
くなるため、塗布した膜の膜厚分布は、基板の中央部が
盛り上がって周辺部より厚くなり、膜厚を均一にするこ
とが困難であるといった問題点がある。
However, according to the method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 8-51061, before the dropped resist solution is sufficiently diffused in the outer peripheral portion of the substrate,
Since the drying of the resist solution progresses rapidly and the viscosity of the resist solution increases, the thickness distribution of the applied film becomes thicker in the central part of the substrate and thicker than the peripheral part, and it is difficult to make the film thickness uniform. There is a problem that there is.

【0009】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、基板の中央部における膜厚の盛り上がりを抑制
して、塗布膜の膜厚を均一にすることができる塗布膜形
成方法および塗布装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a coating film forming method and a coating device capable of suppressing the rise of the film thickness in the central portion of the substrate and making the coating film uniform in thickness. The purpose is to provide.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第1発明は、処理容器内に収容された基板の表面上
に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法で
あって、基板の表面上に溶剤を塗布する工程と、基板を
所定速度で回転させながら、基板の表面に塗布液を供給
して基板表面に塗布膜を形成する工程と、基板を減速さ
せて停止するまでの間に、基板の表面の塗布膜の中央部
分に、最初に供給する塗布液の量の半分以下の塗布液を
再度供給する工程と、基板を加速回転させて、塗布膜の
膜厚を整える工程とを具備することを特徴とする塗布膜
形成方法を提供する。
In order to solve the above problems, the first invention is a coating film forming method for supplying a coating liquid onto the surface of a substrate housed in a processing container to form a coating film. There is a step of applying a solvent on the surface of the substrate, a step of supplying a coating liquid to the surface of the substrate to form a coating film on the surface of the substrate while rotating the substrate at a predetermined speed, and decelerating the substrate. Before stopping, the process of re-supplying the central part of the coating film on the surface of the substrate with less than half the amount of the coating liquid initially supplied , and accelerating rotation of the substrate to form the coating film A method of forming a coating film, comprising the step of adjusting the thickness.

【0011】第2発明は、処理容器内に収容された基板
の表面上に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形
成方法であって、基板の表面上に溶剤を塗布する工程
と、処理容器内に収容された基板を処理容器とともに所
定速度で回転させながら、基板の表面に塗布液を供給し
て基板表面に塗布膜を形成する工程と、基板を減速させ
て停止するまでの間に、基板の表面の塗布膜の中央部分
、最初に供給する塗布液の量の半分以下の塗布液を再
度供給する工程と、基板を加速回転させて、塗布膜の膜
厚を整える工程とを具備することを特徴とする塗布膜形
成方法を提供する。
A second aspect of the present invention is a method of forming a coating film by supplying a coating liquid onto the surface of a substrate housed in a processing container, which comprises a step of coating a solvent on the surface of the substrate. , A step of supplying a coating liquid to the surface of the substrate to form a coating film on the surface of the substrate while rotating the substrate housed in the processing container together with the processing container at a predetermined speed, and decelerating the substrate until stopping. In the meantime, a step of re-supplying the coating liquid in an amount equal to or less than half the amount of the coating liquid initially supplied to the central portion of the coating film on the surface of the substrate, and a step of accelerating and rotating the substrate to adjust the thickness of the coating film. The present invention provides a method for forming a coating film, which comprises:

【0012】第3発明は、第1発明または第2発明にお
いて、塗布液を再度供給する工程は、基板を減速させて
いる間に行うことを特徴とする塗布膜形成方法を提供す
る。
A third aspect of the present invention provides a method for forming a coating film according to the first or second aspect, wherein the step of supplying the coating liquid again is performed while the substrate is being decelerated.

【0013】[0013]

【0014】第4発明は、第2発明において、前記塗布
膜の膜厚を整える工程は、処理容器を蓋体で閉塞して行
うことを特徴とする塗布膜形成方法を提供する。
A fourth invention provides the method for forming a coating film according to the second invention, wherein the step of adjusting the film thickness of the coating film is performed by closing the processing container with a lid.

【0015】第5発明は、処理容器内に収容された基板
の表面上に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布装置
であって、処理容器内に収容された基板を回転するため
の回転駆動手段と、基板に溶剤を供給して塗布するため
の溶剤供給ノズルと、基板の表面に塗布液を供給して基
板表面に塗布膜を形成するための塗布液供給ノズルと、
溶剤供給ノズルから溶剤を基板に供給して塗布し、その
後、基板を所定速度で回転させながら塗布液供給ノズル
から基板の表面に塗布液を供給して基板表面に塗布膜を
形成し、次いで、基板を減速させて停止するまでの間
に、塗布液供給ノズルから基板の表面の塗布膜の上に
最初に供給する塗布液の量の半分以下の塗布液を再度供
給し、次いで、基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整え
るように、前記回転駆動手段、前記溶剤供給ノズル、お
よび塗布液供給ノズルを制御するための制御手段とを具
備することを特徴とする塗布装置を提供する。
A fifth aspect of the present invention is a coating apparatus for supplying a coating liquid onto a surface of a substrate housed in a processing container to form a coating film, for rotating the substrate housed in the processing container. A rotation driving means, a solvent supply nozzle for supplying a solvent to the substrate for coating, a coating liquid supply nozzle for supplying a coating liquid on the surface of the substrate to form a coating film on the substrate surface,
The solvent is supplied from the solvent supply nozzle to the substrate for coating, and then the substrate is rotated at a predetermined speed to supply the coating liquid from the coating liquid supply nozzle to the surface of the substrate to form a coating film on the substrate surface. From the coating liquid supply nozzle onto the coating film on the surface of the substrate until the substrate is decelerated and stopped ,
The supply amount of the coating liquid is less than half the amount of the coating liquid to be supplied first, and then the substrate is rotated to adjust the film thickness of the coating film, the rotation driving means, the solvent supply nozzle, and the coating liquid. And a control unit for controlling the supply nozzle.

【0016】[0016]

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【0019】[0019]

【0020】[0020]

【0021】[0021]

【0022】[0022]

【0023】[0023]

【0024】[0024]

【0025】[0025]

【0026】第1発明、第2発明、および第5発明によ
れば、溶剤を基板に供給して塗布した後、基板を所定速
度で回転させながら基板の表面に塗布液を供給して基板
表面に塗布膜を形成するとともに、基板を減速させて停
止するまでの間に基板表面の塗布膜の中心部に塗布液を
再度供給するので、中心部の塗布膜が厚くなることが防
止され、均一な膜厚の塗布膜を形成することができる。
According to the first invention, the second invention, and the fifth invention, after the solvent is supplied to the substrate for coating, the coating liquid is supplied to the surface of the substrate while rotating the substrate at a predetermined speed, and the substrate surface is coated. The coating film is formed on the substrate, and the coating liquid is supplied again to the central portion of the coating film on the surface of the substrate until the substrate is decelerated and stopped. It is possible to form a coating film having various thicknesses.

【0027】すなわち、このように、基板を減速させて
停止するまでの間に、基板に一旦形成した塗布膜の上に
塗布液を再度供給すると、減速の際にはその塗布液にそ
の際の加速度により中心へ向かう力が作用し、停止した
際には他に力が作用しないので、塗布液が基板の略中央
に留まり、乾燥が既に進行し粘度が高くなっていた基板
中央部の最初の塗布液を軟化させるといった作用を有す
る。その結果、基板の略中央での膜厚の盛り上がりを抑
制することができ、膜厚を均一にすることができる。特
に、第3発明のように減速の際には中心に向かう力が作
用するので塗布液の保持機能が高い。
That is, if the coating liquid is supplied again onto the coating film once formed on the substrate until the substrate is decelerated and stopped in this way, the coating liquid is applied to the coating liquid at the time of deceleration. The force toward the center acts due to the acceleration, and when the force stops, no other force acts.Therefore, the coating liquid stays in the approximate center of the substrate, and the first part of the central part of the substrate where the drying has already progressed and the viscosity has increased. It has the effect of softening the coating liquid. As a result, it is possible to suppress the swelling of the film thickness at substantially the center of the substrate and make the film thickness uniform. In particular, as in the third aspect of the invention, a force toward the center acts during deceleration, so that the function of holding the coating liquid is high.

【0028】第1発明、第2発明および第5発明によれ
ば、再度供給する塗布液の量を、最初に供給する塗布液
の量の半分以下にすることにより、基板全面に拡散させ
る必要のある最初の塗布液の拡散効果を十分に確保しな
がら、再度の塗布液によって基板の略中央での膜厚の盛
り上がりを十分に抑制することができる。
According to the first invention, the second invention and the fifth invention , it is necessary to diffuse the coating liquid over the entire surface of the substrate by reducing the amount of the coating liquid supplied again to half or less of the amount of the coating liquid initially supplied. While sufficiently securing the diffusion effect of a certain first coating liquid, it is possible to sufficiently suppress the swelling of the film thickness at the substantially center of the substrate by the second coating liquid.

【0029】[0029]

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明が適用される塗布処理ユニットを備えたLCD基板の
塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an LCD substrate coating / developing processing system including a coating processing unit to which the present invention is applied.

【0031】この塗布・現像処理システムは、複数のL
CD基板(以下、単に基板と記す)Gを収容するカセッ
トCを載置するカセットステーション1と、基板Gにレ
ジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複
数の処理ユニットを備えた処理部2と、カセットステー
ション1上のカセットCと処理部2との間でLCD基板
の搬送を行うための搬送機構3とを備えている。そし
て、カセットステーション1においてカセットCの搬入
出が行われる。また、搬送機構3はカセットの配列方向
に沿って設けられた搬送路12上を移動可能な搬送アー
ム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと
処理部2との間で基板Gの搬送が行われる。処理部2の
後端部にはインターフェース部30が設けられており、
このインターフェース部30に露光装置(図示せず)が
連設可能となっている。このインターフェース部30
は、露光装置との間で基板Gの受け渡しを行う機能を有
している。
This coating / developing system has a plurality of L
A cassette station 1 on which a cassette C containing a CD substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) G is placed, and a processing unit including a plurality of processing units for performing a series of processes including resist coating and development on the substrate G. 2 and a transport mechanism 3 for transporting the LCD substrate between the cassette C on the cassette station 1 and the processing unit 2. Then, the cassette C is carried in and out at the cassette station 1. Further, the transfer mechanism 3 includes a transfer arm 11 that can move on a transfer path 12 provided along the arrangement direction of the cassettes, and the transfer arm 11 can transfer the substrate G between the cassette C and the processing unit 2. Done. An interface unit 30 is provided at the rear end of the processing unit 2,
An exposure device (not shown) can be connected to the interface unit 30. This interface unit 30
Has a function of transferring the substrate G to and from the exposure apparatus.

【0032】処理部2は、前段部分2aと後段部分2b
とに分かれており、それぞれ中央に通路15、16を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部17が設けら
れている。
The processing section 2 includes a front part 2a and a rear part 2b.
And passages 15 and 16 are provided in the center, and the processing units are arranged on both sides of these passages. A relay unit 17 is provided between them.

【0033】前段部2aは、通路15に沿って移動可能
な主搬送装置18を備えており、通路15の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット21、水洗ユニット22、アド
ヒージョン処理ユニット23、および冷却ユニット24
が、他方側には2つのレジスト塗布ユニット25が配置
されている。一方、後段部2bは、通路16に沿って移
動可能な主搬送装置19を備えており、通路16の一方
側には複数の加熱処理ユニット26および冷却処理ユニ
ット27が、他方側には2つの現像処理ユニット29が
配置されている。加熱処理ユニット26は、2段積層さ
れてなる組が通路19に沿って2つ並んでおり、冷却処
理ユニット27は前段部2a側に2段積層して設けられ
ている。加熱処理ユニット26は、レジストの安定化の
ためのプリベーク、露光後のポストエクスポージャーベ
ーク、および現像後のポストベーク処理を行うものであ
る。
The front stage portion 2a is provided with a main transfer device 18 movable along the passage 15, and on one side of the passage 15, a brush cleaning unit 21, a water washing unit 22, an adhesion processing unit 23, and a cooling unit. 24
However, two resist coating units 25 are arranged on the other side. On the other hand, the rear stage portion 2b includes a main transfer device 19 movable along the passage 16, and a plurality of heat treatment units 26 and cooling treatment units 27 are provided on one side of the passage 16 and two heat treatment units 26 are provided on the other side. A development processing unit 29 is arranged. The heat treatment unit 26 has two sets of two layers stacked side by side along the passage 19, and the cooling treatment unit 27 is provided in two layers on the front stage portion 2a side. The heat treatment unit 26 performs pre-bake for stabilizing the resist, post-exposure bake after exposure, and post-bake treatment after development.

【0034】上記メインアーム18は、搬送機構3のア
ーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前
段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬
出、さらには中継部17との間で基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。また、メインアーム19は中継部
17との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部
2bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さ
らにはインターフェース部30との間の基板Gの受け渡
しを行う機能を有している。このように各処理ユニット
を集約して一体化することにより、省スペース化および
処理の効率化を図ることができる。
The main arm 18 transfers the substrate G between the main arm 18 and the arm 11 of the transfer mechanism 3, carries in / out the substrate G from / to each processing unit of the pre-stage section 2a, and further communicates with the relay section 17. It has a function of transferring the substrate G. Further, the main arm 19 transfers the substrate G to and from the relay unit 17, transfers the substrate G to and from each processing unit of the rear stage unit 2b, and transfers the substrate G to and from the interface unit 30. It has a function to do. By thus integrating and integrating the processing units, it is possible to save space and improve processing efficiency.

【0035】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に
搬送され、まず、洗浄ユニット21および水洗ユニット
22により洗浄処理され、レジストの定着性を高めるた
めにアドヒージョン処理ユニット23にて疎水化処理さ
れ、冷却ユニット24で冷却後、レジスト塗布ユニット
25でレジストが塗布される。その後、基板Gは、加熱
処理ユニット26の一つでプリベーク処理され、冷却ユ
ニット27で冷却された後、インターフェース部30を
介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露
光される。そして、再びインターフェース部30を介し
て搬入され、加熱処理ユニット26の一つでポストエク
スポージャーベーク処理が施される。その後、冷却ユニ
ット27で冷却された基板Gは、現像処理ユニット29
で現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現
像処理された基板Gは、メインアーム19,18および
搬送機構3によってカセットステーション1上の所定の
カセットに収容される。
In the coating / development processing system having the above-described structure, the substrate G in the cassette C is transported to the processing section 2 and is first subjected to cleaning processing by the cleaning unit 21 and the water washing unit 22 to fix the resist. In order to increase the temperature, a hydrophobic treatment is performed in the adhesion processing unit 23, and the resist is applied in the resist applying unit 25 after being cooled in the cooling unit 24. After that, the substrate G is pre-baked by one of the heat treatment units 26, cooled by the cooling unit 27, and then transported to the exposure device via the interface unit 30 where a predetermined pattern is exposed. Then, it is carried in again through the interface unit 30 and subjected to post-exposure bake processing by one of the heat processing units 26. After that, the substrate G cooled by the cooling unit 27 is transferred to the development processing unit 29.
Is developed and a predetermined circuit pattern is formed. The developed substrate G is accommodated in a predetermined cassette on the cassette station 1 by the main arms 19 and 18 and the transport mechanism 3.

【0036】次に、本発明の対象である塗布膜形成方法
および塗布装置が適用されるレジスト塗布ユニット25
について説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る
塗布装置であるレジスト塗布ユニット25を示すもので
あり、LCD基板Gを水平状態に真空吸着によって回転
可能に保持するスピンチャック40と、このスピンチャ
ック40の上部および外周部を包囲する処理室41を有
する上方部が開口したカップ状の回転可能な処理容器
(回転カップ)42と、回転カップ42の開口部42a
を閉止可能に、かつカップ42に対して着脱可能に設け
られた蓋体46と、この蓋体46を閉止位置と待機位置
との間で移動させるロボットアーム50と、回転カップ
42の外周側を取囲むように配置された中空リング状の
ドレンカップ44と、スピンチャック40と回転カップ
42とを回転させる駆動モータ51と、スピンチャック
40の上方位置に移動可能に設けられた噴頭90と、こ
の噴頭90を把持して噴頭待機位置と基板上方位置間で
移動させる移動機構100と、塗布シーケンスをコント
ロールするコントローラ110とを備えている。噴頭9
0は、塗布液の溶剤(溶媒)A(例えばシンナー)を供
給する溶媒供給ノズル70と塗布液であるレジスト液B
を供給する塗布液供給ノズル80とを近接させて一体に
取り付けた構造を有している。
Next, a resist coating unit 25 to which the coating film forming method and coating apparatus which are the subject of the present invention are applied.
Will be described. FIG. 2 shows a resist coating unit 25, which is a coating apparatus according to an embodiment of the present invention. The spin chuck 40 holds the LCD substrate G in a horizontal state rotatably by vacuum suction, and the spin chuck 40. A rotatable cup-shaped processing container (rotating cup) 42 having a processing chamber 41 surrounding the upper and outer peripheral portions of the rotating cup 42 and an opening 42 a of the rotating cup 42.
A lid body 46 that can be closed and detachably attached to the cup 42, a robot arm 50 that moves the lid body 46 between a closed position and a standby position, and an outer peripheral side of the rotary cup 42. A hollow ring-shaped drain cup 44 arranged so as to surround it, a drive motor 51 for rotating the spin chuck 40 and the rotary cup 42, and a nozzle head 90 movably provided above the spin chuck 40. A moving mechanism 100 that holds the spray head 90 and moves it between the spray head standby position and the substrate upper position, and a controller 110 that controls the coating sequence are provided. Spout 9
0 is a solvent supply nozzle 70 for supplying a solvent (solvent) A (for example, thinner) of the coating liquid and a resist liquid B which is the coating liquid.
And a coating liquid supply nozzle 80 for supplying the liquid are closely attached to each other.

【0037】ノズル70,80からの溶剤供給路および
レジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる溶剤Aお
よびレジスト液Bを予め設定された温度(例えば23
℃)にするための温度調整液Dを循環供給する温度調整
機構91が設けられている。
The solvent A and the resist solution B flowing through the nozzles 70 and 80 are supplied to the solvent supply path and the resist solution supply path, respectively.
A temperature adjusting mechanism 91 is provided to circulate and supply the temperature adjusting liquid D for controlling the temperature.

【0038】上記スピンチャック40は、例えばポリエ
ーテルエーテルケトン(PEEK)のような耐熱性合成
樹脂で形成され、予め設定されたプログラムに基いて駆
動し、回転速度を可変できる駆動モータ51の駆動によ
って回転される回転軸52を介して水平方向に回転(自
転)可能であり、また回転軸52に連結される昇降シリ
ンダ53の駆動によって上下方向に移動可能である。こ
の場合、回転軸52はスプライン軸受57に上下方向に
摺動可能に連結されている。スプライン軸受57は、固
定カラー54の内周面にベアリング55aを介して回転
可能に装着される回転内筒56aの内周面に嵌着されて
いる。スプライン軸受57には従動プーリ58aが装着
されており、従動プーリ58aには駆動モータ51の駆
動軸51aに装着された駆動プーリ51bとの間にベル
ト59aが掛け渡されている。したがって、駆動モータ
51の駆動によってベルト59aを介して回転軸52が
回転してスピンチャック40が回転される。また、回転
軸52の下部側は図示しない筒体内に配設されており、
この筒体内において回転軸52がバキュームシール部6
0を介して昇降シリンダ53に連結され、昇降シリンダ
53の駆動によって回転軸52が上下方向に移動可能と
なっており、これによりスピンチャックが上下方向に移
動する。
The spin chuck 40 is made of a heat resistant synthetic resin such as polyetheretherketone (PEEK), and is driven by a drive motor 51 which can be driven according to a preset program and whose rotation speed can be varied. It can rotate (rotate) in the horizontal direction via a rotating shaft 52 that is rotated, and can move in the vertical direction by driving an elevating cylinder 53 connected to the rotating shaft 52. In this case, the rotary shaft 52 is connected to the spline bearing 57 so as to be vertically slidable. The spline bearing 57 is fitted to the inner peripheral surface of a rotating inner cylinder 56a that is rotatably mounted on the inner peripheral surface of the fixed collar 54 via a bearing 55a. A driven pulley 58a is attached to the spline bearing 57, and a belt 59a is stretched between the driven pulley 58a and the drive pulley 51b attached to the drive shaft 51a of the drive motor 51. Therefore, the rotation shaft 52 is rotated by the drive of the drive motor 51 via the belt 59a, and the spin chuck 40 is rotated. Further, the lower side of the rotary shaft 52 is disposed in a cylinder body (not shown),
In this cylinder, the rotary shaft 52 is attached to the vacuum seal portion 6
The rotary shaft 52 is connected to the lifting cylinder 53 via 0, and the rotating shaft 52 is movable in the vertical direction by driving the lifting cylinder 53, whereby the spin chuck moves in the vertical direction.

【0039】上記固定カラー54の外周面にベアリング
55bを介して装着される回転外筒56bの上端部には
連結筒61が固定されており、上記回転カップ42はこ
の連結筒61を介して取り付けられている。回転カップ
42の底部42bとスピンチャック40の下面との間に
は、シール機能を有するベアリング52が介在されてお
り、回転カップ42がスピンチャック40に対して相対
的に回転可能である。そして、回転外筒56bには従動
プーリ58bが装着されており、この従動プーリ58b
と上記駆動モータ51に装着された駆動プーリ51bに
はベルト59bが掛け渡されている。したがって、この
ベルト59bによって駆動モータ51からの駆動が回転
カップ42に伝達されて回転カップ42が回転される。
A connecting cylinder 61 is fixed to the upper end of a rotating outer cylinder 56b mounted on the outer peripheral surface of the fixed collar 54 via a bearing 55b, and the rotary cup 42 is mounted via the connecting cylinder 61. Has been. A bearing 52 having a sealing function is interposed between the bottom portion 42b of the rotary cup 42 and the lower surface of the spin chuck 40, and the rotary cup 42 is rotatable relative to the spin chuck 40. A driven pulley 58b is attached to the rotating outer cylinder 56b.
A belt 59b is wound around the drive pulley 51b mounted on the drive motor 51. Therefore, the drive from the drive motor 51 is transmitted to the rotary cup 42 by the belt 59b, and the rotary cup 42 is rotated.

【0040】この場合、従動プーリ58bの直径は上記
回転軸52に装着された従動プーリ58aの直径と同一
に形成され、同一の駆動モータ51にベルト59a,5
9bが掛け渡されているので、回転カップ42とスピン
チャック40とは同一速度で回転される。
In this case, the diameter of the driven pulley 58b is formed to be the same as the diameter of the driven pulley 58a mounted on the rotating shaft 52, and the same drive motor 51 is provided with the belts 59a, 5a.
Since 9b is bridged, the rotating cup 42 and the spin chuck 40 are rotated at the same speed.

【0041】回転カップ42は上方に向かって縮径され
た側壁42cを有しており、この側壁42c面はテーパ
面42eとなっている。この側壁42cの上端には、内
方側に向って内向きフランジ42dが形成されている。
回転カップ42の内向きフランジ42dには周方向に適
宜間隔をおいて給気孔64が穿設され、側壁42cの下
部側の周方向の適宜位置には排気孔65が穿設されてい
る。このように給気孔64と排気孔65を設けることに
より、回転カップ42が回転する際に、給気孔64から
処理室41内に流れる空気が排気孔65から外部に流れ
るので、回転カップ42の回転時に処理室41内が負圧
になるのを防止することができ、処理後に回転カップ4
2から蓋体46を開放する際に大きな力を要することな
く、蓋体46を容易に開放することができる。
The rotary cup 42 has a side wall 42c whose diameter is reduced upward, and the surface of the side wall 42c is a tapered surface 42e. An inward flange 42d is formed on the upper end of the side wall 42c toward the inner side.
The inward flange 42d of the rotary cup 42 is provided with air supply holes 64 at appropriate intervals in the circumferential direction, and exhaust holes 65 are provided at appropriate positions in the circumferential direction on the lower side of the side wall 42c. By providing the air supply hole 64 and the exhaust hole 65 in this manner, when the rotary cup 42 rotates, the air flowing from the air supply hole 64 into the processing chamber 41 flows from the exhaust hole 65 to the outside. At times, it is possible to prevent the pressure inside the processing chamber 41 from becoming negative, and after processing, the rotation cup 4
It is possible to easily open the lid body 46 without requiring a large force when opening the lid body 46 from 2.

【0042】一方、上記ドレンカップ44の内部には環
状通路44aが設けられており、その外周壁の適宜箇所
(例えば周方向の4箇所)には排気口66が設けられて
いて、この排気口66は排気装置(図示せず)に連結さ
れている。またドレンカップ44の内周側上方部には、
環状通路44aおよび排気口66に連通する放射状の排
気通路67が形成されている。このようにドレンカップ
44の外周部に排気口66を設けると共に、ドレンカッ
プ44の内周側上方部に排気通路67を形成することに
より、回転処理時に処理室41内で遠心力により飛散し
排気孔64を通ってドレンカップ44内に流れ込んだミ
ストが回転カップ42の上部側へ舞い上がることが防止
され、ミストを排気口66から外部に排出させることが
できる。
On the other hand, an annular passage 44a is provided inside the drain cup 44, and exhaust ports 66 are provided at appropriate locations (for example, four locations in the circumferential direction) on the outer peripheral wall thereof. 66 is connected to an exhaust device (not shown). Further, in the upper portion on the inner peripheral side of the drain cup 44,
A radial exhaust passage 67 communicating with the annular passage 44a and the exhaust port 66 is formed. As described above, the exhaust port 66 is provided on the outer peripheral portion of the drain cup 44, and the exhaust passage 67 is formed on the upper inner peripheral side portion of the drain cup 44. The mist that has flowed into the drain cup 44 through the hole 64 is prevented from rising to the upper side of the rotary cup 42, and the mist can be discharged from the exhaust port 66 to the outside.

【0043】上記環状通路44aは、ドレンカップ44
の底部から起立する外側壁44bとドレンカップ44の
天井部から垂下する内側壁44cとで区画され、これに
より迂回路が形成されるため排気が均一に行うことが可
能である。また、外側壁44bと内側壁44cとの間に
位置する底部44dには周方向沿って適宜間隔をおいて
ドレン孔44eが設けられている。
The annular passage 44a has a drain cup 44.
The outer wall 44b standing up from the bottom of the drain cup 44 and the inner wall 44c hanging from the ceiling of the drain cup 44 define a detour path, so that exhaust can be performed uniformly. Further, drain holes 44e are provided in the bottom portion 44d located between the outer side wall 44b and the inner side wall 44c at appropriate intervals along the circumferential direction.

【0044】また、ドレンカップ44の内周面には、上
記回転カップ42のテーパ面42eに対応するテーパを
有するテーパ面44fが形成されており、回転カップ4
2のテーパ面42eとドレンカップ44のテーパ面44
fとの間に微少隙間が形成されている。このように下方
に向って拡開するテーパ状の微少隙間を形成することに
よって、回転カップ42の回転時に微少隙間の上下の間
で生じる周速差から圧力差が誘発され、この圧力差が回
転カップ42の外周部の微少隙間の上側から下側に向う
気流を助長させてドレンカップ44内の排気ミストが上
記微少隙間を通って回転カップ42外へ飛散するのを防
止することができる。
A taper surface 44f having a taper corresponding to the taper surface 42e of the rotary cup 42 is formed on the inner peripheral surface of the drain cup 44.
2 of the tapered surface 42e and the tapered surface 44 of the drain cup 44
A minute gap is formed with f. By forming the tapered minute gap that expands downwards in this way, a pressure difference is induced from the peripheral speed difference that occurs between the upper and lower sides of the minute gap when the rotary cup 42 rotates, and this pressure difference rotates. It is possible to promote the air flow from the upper side to the lower side of the minute gap in the outer peripheral portion of the cup 42 to prevent the exhaust mist in the drain cup 44 from scattering through the minute gap to the outside of the rotary cup 42.

【0045】また、微少隙間を通って上方に向い回転カ
ップ42外へ飛散しようとするミストがあっても、排気
通路67、ドレンカップ44内の環状通路44aを通っ
て、排気口66から排出される。
Further, even if there is a mist that is directed upward through the minute gap and is scattered outside the rotary cup 42, it is discharged from the exhaust port 66 through the exhaust passage 67 and the annular passage 44a in the drain cup 44. It

【0046】ここでは、ドレンカップ44が回転カップ
42の外周側を取囲むように配置される場合について説
明したが、ドレンカップ44は必ずしも回転カップ42
の外周側に配置される必要はなく、回転カップ42の下
部側に配置してもよい。
Although the case where the drain cup 44 is arranged so as to surround the outer peripheral side of the rotary cup 42 has been described here, the drain cup 44 is not necessarily the rotary cup 42.
Need not be disposed on the outer peripheral side of the rotary cup 42, but may be disposed on the lower side of the rotary cup 42.

【0047】上記蓋体46には、その上面中央に上方に
向かって伸びる支持部材49が設けられており、その上
端には支持部材49よりも大径の頭部48が設けられて
いる。蓋体46を開閉する場合には、蓋体46の上面に
支持部材49を介して設けられた頭部48の下に、図2
の二点鎖線で示すように、ロボットアーム50を挿入
し、頭部48に設けられた係止溝にロボットアーム50
から突出する係止ピン50aを係合させた後、ロボット
アーム50を上下動させる。
A supporting member 49 extending upward is provided at the center of the upper surface of the lid 46, and a head portion 48 having a diameter larger than that of the supporting member 49 is provided at the upper end thereof. When the lid 46 is opened and closed, the cover 46 is placed under the head 48 provided on the upper surface of the lid 46 via the support member 49.
As shown by the chain double-dashed line, the robot arm 50 is inserted, and the robot arm 50 is inserted into the locking groove provided on the head 48.
After engaging the locking pin 50a protruding from the robot arm 50, the robot arm 50 is moved up and down.

【0048】なお、上記蓋体46と基板Gとの中間位置
に、中心部分で蓋体46に取着された基板G以上の大き
さの多孔板等にて形成されるバッフル板(図示せず)を
配置することも可能である。このようにバッフル板を配
置することにより、塗布処理時に更に確実に処理室41
内の乱流の発生を防止することができる。
A baffle plate (not shown) formed at an intermediate position between the lid 46 and the substrate G by a perforated plate having a size larger than that of the substrate G attached to the lid 46 at the central portion. ) Can also be arranged. By arranging the baffle plate in this way, the processing chamber 41 can be more reliably operated during the coating process.
It is possible to prevent the generation of turbulent flow inside.

【0049】上記溶剤供給ノズル70は、溶剤供給路で
ある溶剤供給チューブ71と開閉バルブ72を介して溶
剤タンク73に接続されており、溶剤タンク73内に窒
素(N)ガスを供給することによって、その加圧力に
より溶剤タンク73内の溶剤Aが基板G上に供給され
る。この場合にNガスの加圧力を制御することによっ
て溶剤Aの流量が制御され、所定時間中、所定量の溶剤
Aが供給される。なお、溶剤供給ノズルは、溶剤を噴霧
するようにしてもよい。
The solvent supply nozzle 70 is connected to a solvent tank 73 via a solvent supply tube 71 which is a solvent supply path and an opening / closing valve 72, and supplies nitrogen (N 2 ) gas into the solvent tank 73. Thus, the solvent A in the solvent tank 73 is supplied onto the substrate G by the applied pressure. In this case, the flow rate of the solvent A is controlled by controlling the pressure of the N 2 gas, and a predetermined amount of the solvent A is supplied for a predetermined time. The solvent supply nozzle may spray the solvent.

【0050】レジスト液供給ノズル80は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ81を介してレジ
スト液Bを収容するレジスト液タンク82(塗布液供給
源)に連通されている。このチューブ81には、サック
バックバルブ83、エアーオペレーションバルブ84、
レジスト液B中の気泡を分離除去するための気泡除去機
構85、フィルタ86およびベローズポンプ87が順次
設けられている。このベローズポンプ87は、駆動部に
より伸縮可能となっており、この伸縮が制御されること
により所定量のレジスト液Bがレジスト液供給ノズル8
0を介して基板Gの表面に滴下されることが可能となっ
ている。このベローズポンプ87により従来のレジスト
液Bの供給量より少量のレジスト液Bの供給量制御を可
能としている。この駆動部は、一端がベローズポンプの
一端に取り付けられたネジ88aと、このネジに螺合さ
れるナット88bとからなるボールネジ機構88と、こ
のナット88bを回転させることによりネジ88aを直
線動させるステッピングモータ89とにより構成されて
いる。
The resist solution supply nozzle 80 is connected to a resist solution tank 82 (coating solution supply source) for containing the resist solution B via a resist solution supply tube 81 which is a resist solution supply passage. The tube 81 includes a suck back valve 83, an air operation valve 84,
A bubble removing mechanism 85 for separating and removing bubbles in the resist liquid B, a filter 86 and a bellows pump 87 are sequentially provided. The bellows pump 87 is expandable / contractible by a drive unit, and by controlling the expansion / contraction, a predetermined amount of resist liquid B is supplied to the resist liquid supply nozzle 8.
It is possible to drop it on the surface of the substrate G through 0. The bellows pump 87 makes it possible to control the supply amount of the resist liquid B which is smaller than the conventional supply amount of the resist liquid B. This drive unit has a ball screw mechanism 88 including a screw 88a, one end of which is attached to one end of a bellows pump, and a nut 88b screwed to the screw, and the screw 88a is linearly moved by rotating the nut 88b. It is composed of a stepping motor 89.

【0051】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ83は、レジスト液供給ノズル80からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル80先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液Bをレジ
スト液供給ノズル80内に引き戻し、これによって残留
レジスト液の固化を阻止するためのものである。この場
合、少量のレジスト液Bを吐出するレジスト液供給ノズ
ル80において、通常通りサックバックバルブ83の負
圧作用によってレジスト液Bをレジスト液供給ノズル8
0内に引き戻すと、ノズル80先端付近の空気も一緒に
ノズル80内に巻き込まれてしまい、ノズル80先端に
付着したレジスト液Bの残渣がノズル80内に入り、ノ
ズル80の目詰まりを起こすばかりか、乾燥したレジス
トがパーティクルとなり基板Gが汚染されると共に、歩
留まりの低下をきたすという虞れがある。
After sucking the resist solution from the resist solution supply nozzle 80, the suck back valve 83 provided in the resist solution supply system removes the resist solution B remaining on the inner wall of the tip of the resist solution supply nozzle 80 due to surface tension. This is to return the resist liquid to the inside of the resist liquid supply nozzle 80, thereby preventing solidification of the residual resist liquid. In this case, in the resist liquid supply nozzle 80 that discharges a small amount of the resist liquid B, the resist liquid B is normally supplied by the negative pressure of the suck back valve 83.
When it is pulled back to 0, the air near the tip of the nozzle 80 is also entrained in the nozzle 80, and the residue of the resist solution B adhering to the tip of the nozzle 80 enters the nozzle 80, causing clogging of the nozzle 80. In addition, the dried resist may become particles to contaminate the substrate G and reduce the yield.

【0052】噴頭90は、移動機構100により支持部
材101を介して移動可能に設けられている。具体的に
は、移動機構100は、溶剤Aを基板Gに供給する際に
は、溶剤供給ノズル70が基板Gの回転中心に位置する
ように溶剤供給ノズル70を移動させ、レジスト液Bを
基板Gに供給する際には、レジスト液供給ノズル80が
基板Gの回転中心に位置するようにレジスト液供給ノズ
ル80を移動させると共に、溶剤Aおよびレジスト液B
を供給しない時には、噴頭90を待機位置に移動させる
ようになっている。
The nozzle head 90 is provided so as to be movable by a moving mechanism 100 via a support member 101. Specifically, when supplying the solvent A to the substrate G, the moving mechanism 100 moves the solvent supply nozzle 70 so that the solvent supply nozzle 70 is located at the rotation center of the substrate G, and the resist solution B is applied to the substrate. When supplying to the G, the resist solution supply nozzle 80 is moved so that the resist solution supply nozzle 80 is located at the rotation center of the substrate G, and the solvent A and the resist solution B are
When the nozzle is not supplied, the injection nozzle 90 is moved to the standby position.

【0053】コントローラ110は、後述する塗布シー
ケンスに従って、駆動モータ51、バルブ72、エアオ
ペレーションバルブ84、ステッピングモータ89、お
よび移動機構100を制御して、基板Gの回転、ならび
に溶剤およびレジスト液の吐出タイミングおよび吐出量
を制御する。
The controller 110 controls the drive motor 51, the valve 72, the air operation valve 84, the stepping motor 89, and the moving mechanism 100 in accordance with the coating sequence described later to rotate the substrate G and discharge the solvent and the resist solution. Control timing and discharge rate.

【0054】次に、上記構成の塗布装置を用いて、本実
施形態に基づいて基板G表面にレジスト液を塗布する方
法について説明する。図3は、塗布工程と基板の回転数
との関係を示すグラフである。
Next, a method of applying the resist solution to the surface of the substrate G based on the present embodiment by using the applying apparatus having the above structure will be described. FIG. 3 is a graph showing the relationship between the coating process and the rotation speed of the substrate.

【0055】まず、回転カップ42の蓋体46が開放さ
れ、基板Gが図示しない搬送アームによって静止したス
ピンチャック40上に搬送され、基板Gが真空吸着によ
ってスピンチャック40に保持される。
First, the lid 46 of the rotary cup 42 is opened, the substrate G is transferred onto the stationary spin chuck 40 by a transfer arm (not shown), and the substrate G is held on the spin chuck 40 by vacuum suction.

【0056】この状態で、図3に示すように、時間1.
0秒から2.5秒までの1.5秒の間(符号Mで示す
間)に、溶剤供給ノズル70から静止した基板Gに溶剤
Aとして例えばシンナーを10cc供給して塗布する。
In this state, as shown in FIG.
During 1.5 seconds from 0 second to 2.5 seconds (while being indicated by the symbol M), 10 cc of a solvent A, for example, thinner is supplied to the stationary substrate G from the solvent supply nozzle 70 to apply the solvent.

【0057】このように溶剤Aを塗布した後、時間3.
5秒から5.5秒までの2.0秒の間(符号Nで示す
間)に、スピンチャック40を回転駆動させ、基板Gを
第1の回転数(例えば、回転数:1000rpm,加速
度:1000rpm/s)で回転させると同時に、回転
カップ42を同じ速度で回転させる。この回転中に、レ
ジスト供給ノズル80から基板Gの中心にレジスト液B
を滴下し、基板G全面に対してむらなくレジスト液Bを
塗布して基板G全面にレジスト膜を形成する。レジスト
液Bの供給量は、以下に述べるレジスト液の再度の滴下
時とのトータル量が例えば7ccとなるようにする。
After applying the solvent A in this manner, the time of 3.
The spin chuck 40 is rotationally driven for 2.0 seconds from 5 seconds to 5.5 seconds (indicated by symbol N), and the substrate G is rotated at the first rotation speed (for example, rotation speed: 1000 rpm, acceleration: The rotation cup 42 is rotated at the same speed while being rotated at 1000 rpm / s). During this rotation, the resist solution B is transferred from the resist supply nozzle 80 to the center of the substrate G.
And the resist solution B is evenly applied to the entire surface of the substrate G to form a resist film on the entire surface of the substrate G. The supply amount of the resist liquid B is such that the total amount when the resist liquid is dropped again described below is, for example, 7 cc.

【0058】次いで、時間5.5秒から6.0秒までの
0.5秒の間(符号Pで示す間)に、スピンチャック4
0を減速し、基板Gが減速して停止するまでの間に、レ
ジスト供給ノズル80から基板Gの中心にレジスト液B
を再度滴下する。これにより、後述するように、再度供
給したレジスト液Bには減速の際の加速度により中心へ
向かう力が作用するので、塗布液が基板の略中央に留ま
り、その中に含まれている溶剤(シンナー)が、乾燥が
既に進行し粘度が高くなっていた基板Gの中央の最初の
レジスト液Bを軟化させるといった作用をし、基板Gの
中央での膜厚の盛り上がりを抑制することができる。
Then, during a period of 0.5 seconds from 5.5 seconds to 6.0 seconds (indicated by a symbol P), the spin chuck 4 is rotated.
0 from the resist supply nozzle 80 to the center of the substrate G until the substrate G decelerates and stops.
Is added again. As a result, as will be described later, a force toward the center acts on the re-supplied resist liquid B due to the acceleration during deceleration, so that the coating liquid stays in the approximate center of the substrate and the solvent ( The thinner) has a function of softening the first resist solution B in the center of the substrate G where the drying has already progressed and the viscosity has increased, and the rise of the film thickness in the center of the substrate G can be suppressed.

【0059】次いで、時間7.0秒から20.0秒の間
(符号Qで示す間)、回転カップ42の開口部42aを
蓋体46で閉止し密閉した状態で、スピンチャック40
および回転カップ42を第2の回転数(例えば、回転
数:1400rpm,加速度:1000rpm/se
c)で回転させてレジスト膜の膜厚を整える。この場合
に第2の回転数は第1の回転数より大きい値に設定する
ことが好ましい。
Then, the spin chuck 40 is closed for a time of 7.0 seconds to 20.0 seconds (indicated by the symbol Q) with the opening 42a of the rotary cup 42 closed and covered by the lid 46.
And the rotation cup 42 at a second rotation speed (for example, rotation speed: 1400 rpm, acceleration: 1000 rpm / se).
Rotate in c) to adjust the thickness of the resist film. In this case, it is preferable to set the second rotation speed to a value higher than the first rotation speed.

【0060】塗布処理が終了した後、スピンチャック4
0および回転カップ42の回転を停止した後、ロボット
アーム50によって蓋体46を待機位置に移動させて、
図示しない搬送アームによって基板Gを取出して、塗布
作業を完了する。
After the coating process is completed, the spin chuck 4
0 and the rotation of the rotary cup 42 are stopped, the lid 46 is moved to the standby position by the robot arm 50,
The substrate G is taken out by a transfer arm (not shown), and the coating operation is completed.

【0061】次に、図4を参照して、従来の塗布膜形成
方法、すなわち溶剤をプレコートせずにレジスト液の回
転塗布を行う方法(スピンコートA法)および溶剤をプ
レコートしてからレジスト液の回転塗布を行う方法(ス
ピンコートB法)と、本発明に係る塗布膜形成方法(ス
ピンコートC法)とを比較する。図4は、スピンコート
A,B,C法によるレジスト液塗布の際の様子を示す模
式図である。
Next, referring to FIG. 4, a conventional coating film forming method, that is, a method of spin-coating a resist solution without pre-coating with a solvent (spin coating A method) and pre-coating a solvent with a resist solution The spin coating method (spin coating B method) and the coating film forming method (spin coating C method) according to the present invention will be compared. FIG. 4 is a schematic diagram showing a state at the time of applying the resist solution by the spin coat A, B, and C methods.

【0062】スピンコートA法では、回転する基板Gに
レジスト液Bを滴下し、予め溶剤Aを塗布していないた
め、レジスト液Bは基板Gの回転力と遠心力とにより基
板Gの中心部から周縁部に向けて渦巻状に拡散され、基
板Gの中央のレジスト膜が盛り上がりは存在しない。
In the spin coat A method, the resist solution B is dropped onto the rotating substrate G and the solvent A is not applied in advance. Therefore, the resist solution B is applied to the central portion of the substrate G by the rotational force and centrifugal force of the substrate G. To the peripheral portion, the resist film in the center of the substrate G does not have a swell.

【0063】スピンコートB法では、基板Gの中心にシ
ンナーAを滴下し、シンナーAが拡散した後、回転する
基板Gの中心にレジスト液Bを滴下している。そのた
め、基板Gの中心部のレジスト液Bが速くシンナーAと
置き換わり、蓋体46が開いた状態で回転カップ42を
回転していることから、中心部のレジスト液B中のシン
ナーが揮発し、レジスト液Bの見かけ粘度が高くなって
しまう。その結果、レジスト液Bを振り切って膜厚を整
える工程の前に、基板Gの中心部と周辺部とでレジスト
液Bの粘度に差ができ、中心部の粘度が周辺部より高く
なり、基板Gの中心部のレジスト膜が周辺部に比べて盛
り上がるといったことになる。
In the spin coat B method, the thinner A is dropped onto the center of the substrate G, the thinner A is diffused, and then the resist solution B is dropped onto the center of the rotating substrate G. Therefore, the resist solution B at the center of the substrate G is quickly replaced with the thinner A, and the rotary cup 42 is rotated with the lid 46 opened, so that the thinner in the resist solution B at the center is volatilized, The apparent viscosity of the resist liquid B becomes high. As a result, before the step of adjusting the film thickness by shaking off the resist solution B, there is a difference in the viscosity of the resist solution B between the central portion and the peripheral portion of the substrate G, and the viscosity of the central portion becomes higher than that of the peripheral portion. This means that the resist film in the central part of G is raised more than in the peripheral part.

【0064】これに対して、本発明に係るスピンコート
C法では、基板Gの中心にシンナーAを滴下し、シンナ
ーAが拡散した後、回転する基板Gの中心にレジスト液
Bを滴下し、その後、基板Gを減速中に、基板Gに一旦
形成したレジスト膜の上にレジスト液Bを再度供給して
いる。そのため、この再度供給したレジスト液Bには減
速の際の加速度により中心へ向かう力が作用するので、
レジスト液Bは基板Gの中心部に留まり、シンナーが既
に揮発して粘度が高くなっていた基板Gの中心部の最初
のレジスト液Bを軟化させるといった作用をする。その
結果、基板Gの中心部でレジスト膜が盛り上がるといっ
たことがなく、レジスト液Bを振り切って膜厚を整える
工程では、レジスト膜の膜厚を均一にすることができ
る。
On the other hand, in the spin coat C method according to the present invention, the thinner A is dropped on the center of the substrate G, and after the thinner A is diffused, the resist solution B is dropped on the center of the rotating substrate G. After that, while the substrate G is being decelerated, the resist solution B is supplied again onto the resist film once formed on the substrate G. Therefore, a force toward the center acts on the re-supplied resist liquid B due to the acceleration during deceleration,
The resist solution B remains in the center of the substrate G, and acts to soften the first resist solution B in the center of the substrate G where the thinner has already volatilized and the viscosity has increased. As a result, the resist film does not rise in the central part of the substrate G, and the film thickness of the resist film can be made uniform in the step of adjusting the film thickness by shaking off the resist solution B.

【0065】この場合に、再度供給するレジスト液Bの
量は、最初に供給するレジスト液Bの量の半分以下が好
ましい。再度供給するレジスト液Bの量が最初に供給す
るレジスト液Bの半分より多くなると、最初に供給する
レジスト液Bが基板G全面に拡散する基本的な拡散効果
を十分に発揮することができなくなるからである。再度
供給するレジスト液Bは、わずかであっても基板G中心
部での膜厚の盛り上がりを十分に抑制することができ
る。
In this case, the amount of the resist solution B supplied again is preferably half or less of the amount of the resist solution B initially supplied. When the amount of the resist solution B supplied again exceeds half of the amount of the resist solution B supplied first, the basic diffusion effect of the resist solution B initially supplied being diffused over the entire surface of the substrate G cannot be sufficiently exerted. Because. The resist liquid B supplied again can sufficiently suppress the swelling of the film thickness in the central portion of the substrate G even if the amount is small.

【0066】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形可能である。上述のスピンコート
C法では、基板Gが減速中に、基板Gの中心にレジスト
液Bを再度滴下しているが、減速時および停止時のいず
れの時に、レジスト液Bを再度滴下してもよく、減速時
から停止した後にかけて再度滴下してもよい。ただし、
減速時には、その際の加速度により再度滴下したレジス
ト液Bには中心へ向かう力が作用するのでレジスト液B
を基板Gの中心部に留めることができる点、および減速
時にレジスト液Bを滴下することにより、処理時間を少
なくすることができる点で、減速時にレジスト液Bを再
度滴下する方が好ましい。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. In the spin coat C method described above, the resist solution B is dropped again on the center of the substrate G while the board G is decelerating. However, even if the resist solution B is dropped again at any time of deceleration and stop. Of course, it may be dropped again after deceleration and after stopping. However,
At the time of deceleration, the force toward the center acts on the resist liquid B dropped again due to the acceleration at that time, so the resist liquid B
It is preferable to drop the resist solution B again at the time of deceleration, because the resist solution B can be kept at the center of the substrate G and the processing time can be shortened by dropping the resist solution B at the time of deceleration.

【0067】また、上記図3に示した実施の形態では、
0.5秒の間(符号Pで示す間)に基板Gが減速して停
止するまでの間に、基板Gの中心にレジスト液Bを再度
滴下しているが、この減速時間は、実施の形態の時間に
限定されるものではなく、後述する実施例3で示すよう
に、減速時間は、0.1秒程度あれば、中心部での膜厚
の盛り上がりを十分に抑制することができる。
Further, in the embodiment shown in FIG.
The resist solution B is dropped again to the center of the substrate G until the substrate G decelerates and stops for 0.5 seconds (indicated by the symbol P). The time is not limited to the form time, and as shown in Example 3 described later, if the deceleration time is about 0.1 seconds, the buildup of the film thickness at the central portion can be sufficiently suppressed.

【0068】さらに、上記実施の形態では、被処理体と
してLCD基板を用いた場合について示したが、これに
限らず半導体ウエハ等他の基板への塗布膜形成にも適用
することができる。
Further, in the above embodiment, the case where the LCD substrate is used as the object to be processed has been described, but the present invention is not limited to this, and the invention can be applied to the formation of a coating film on another substrate such as a semiconductor wafer.

【0069】[0069]

【実施例】(実施例1) 図5は、従来に係るスピンコートA法およびスピンコー
トB法と、本発明に係るスピンコートC法による基板と
膜厚との関係を示すグラフである。実施例1では、スピ
ンコートA法、スピンコートB法、およびスピンコート
C法の夫々により、基板Gの各位置における膜厚データ
を集計した。その結果を図5に示す。図5に示すよう
に、スピンコートB法では、基板Gの中心部の膜厚が周
辺部に比べて厚くなっているが、スピンコートC法で
は、スピンコートA法と略同様に、基板Gの中心部の盛
り上がりがなくなっている。
Example 1 FIG. 5 is a graph showing the relationship between the substrate and film thickness obtained by the conventional spin coat A method and spin coat B method and the spin coat C method according to the present invention. In Example 1, the film thickness data at each position of the substrate G was tabulated by each of the spin coat A method, the spin coat B method, and the spin coat C method. The result is shown in FIG. As shown in FIG. 5, in the spin coat B method, the film thickness in the central portion of the substrate G is thicker than that in the peripheral portion, but in the spin coat C method, the substrate G is almost the same as the spin coat A method. The bulge in the center of the is gone.

【0070】(実施例2) 図6は、本発明に係るスピンコートC法により、減速時
に再度供給するレジスト液の吐出時間を変化させた場合
の基板と膜厚との関係を示すグラフである。実施例2で
は、スピンコートC法により、減速時に再度供給するレ
ジスト液Bの吐出時間を変化させた。最初と再度のレジ
スト液Bのトータル量を7ccとし、最初と再度のレジ
スト液Bのトータルの吐出時間を2.1秒とした上で、
最初のレジスト液Bの吐出時間を1.8秒とし再度のレ
ジスト液Bの吐出時間を0.3秒とした場合、最初のレ
ジスト液Bの吐出時間を1.9秒とし再度のレジスト液
Bの吐出時間を0.2秒とした場合、および、最初のレ
ジスト液Bの吐出時間を2.0秒とし再度のレジスト液
Bの吐出時間を0.1秒とした場合について、基板Gの
各位置における膜厚データを集計した。その結果を図6
に示す。図6に示すように、再度のレジスト液Bの吐出
時間が0.1秒、0.2秒、0.3秒のいずれの場合に
も、膜厚に著しい変化は現れなかった。
Example 2 FIG. 6 is a graph showing the relationship between the substrate and the film thickness when the discharge time of the resist solution supplied again during deceleration was changed by the spin coat C method according to the present invention. . In Example 2, the discharge time of the resist liquid B supplied again during deceleration was changed by the spin coat C method. After setting the total amount of the first and second resist liquid B to 7 cc and the total discharge time of the first and second resist liquid B to 2.1 seconds,
When the first discharge time of the resist liquid B is 1.8 seconds and the second discharge time of the resist liquid B is 0.3 seconds, the first discharge time of the resist liquid B is set to 1.9 seconds and the second resist liquid B is discharged again. Of the substrate G for 0.2 seconds, and for the initial discharge time of the resist solution B of 2.0 seconds and the subsequent discharge time of the resist solution B of 0.1 second. The film thickness data at the position was tabulated. The result is shown in Figure 6.
Shown in. As shown in FIG. 6, no significant change was observed in the film thickness when the discharge time of the resist solution B was 0.1 second, 0.2 second, and 0.3 second again.

【0071】(実施例3) 図7は、本発明に係るスピンコートC法により、減速時
に再度供給するレジスト液の吐出時間を変化させた場合
の基板と吐出時間との関係を示すグラフである。実施例
3では、再度のレジスト液Bの吐出時間が0.1秒、
0.2秒、0.3秒である場合に、膜厚と吐出時間との
関係を求めた。図7に示すように、基板G中心部での膜
厚の盛り上がりを抑制する効果は、0.1秒でも十分に
得られることがわかる。
Example 3 FIG. 7 is a graph showing the relationship between the substrate and the ejection time when the ejection time of the resist liquid supplied again during deceleration is changed by the spin coat C method according to the present invention. . In Example 3, the discharge time of the resist solution B again was 0.1 seconds,
When the time was 0.2 seconds and 0.3 seconds, the relationship between the film thickness and the ejection time was obtained. As shown in FIG. 7, it can be seen that the effect of suppressing the buildup of the film thickness at the central portion of the substrate G can be sufficiently obtained even for 0.1 second.

【0072】[0072]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板を減速させて停止するまでの間に、基板に一旦形成
した塗布膜の中央部に塗布液を再度供給しているため、
この再度供給した塗布液は基板の略中央に留まり、乾燥
が既に進行し粘度が高くなっていた基板の略中央の最初
の塗布液を軟化させるといった作用をする。その結果、
基板の略中央での膜厚の盛り上がりを抑制することがで
き、膜厚を均一にすることができる。特に、減速させて
いる間に塗布液を再度供給することにより、その塗布液
に中心に向かう力が作用するので塗布液の保持機能が高
い。
As described above, according to the present invention,
Until the substrate is decelerated and stopped, the coating liquid is re-supplied to the central portion of the coating film once formed on the substrate.
The re-supplied coating liquid remains in the approximate center of the substrate, and has the function of softening the first coating liquid in the approximate center of the substrate where the drying has already progressed and the viscosity has increased. as a result,
It is possible to suppress the swelling of the film thickness at substantially the center of the substrate and make the film thickness uniform. In particular, by supplying the coating liquid again while decelerating, a force toward the center acts on the coating liquid, so that the function of holding the coating liquid is high.

【0073】また、再度供給する塗布液の量を、最初に
供給する塗布液の量の半分以下にすることにより、基板
全面に拡散させる必要のある最初の塗布液の拡散効果を
十分に確保しながら、再度の塗布液によって基板の略中
央での膜厚の盛り上がりを十分に抑制することができ
る。
Further, by setting the amount of the coating liquid to be supplied again to half or less of the amount of the coating liquid to be supplied first, it is possible to sufficiently secure the diffusion effect of the first coating liquid that needs to be diffused over the entire surface of the substrate. However, it is possible to sufficiently suppress the swelling of the film thickness at the substantially center of the substrate by the second coating liquid.

【0074】[0074]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の対象となる塗布液形成方法および塗布
装置が適用されるレジスト塗布・現像システムを示す斜
視図。
FIG. 1 is a perspective view showing a resist coating / developing system to which a coating liquid forming method and a coating apparatus, which are objects of the present invention, are applied.

【図2】本発明の塗布液形成方法の実施に適用される塗
布装置であるレジスト塗布ユニットを示す断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a resist coating unit which is a coating apparatus applied for carrying out the coating liquid forming method of the present invention.

【図3】塗布シーケンスと基板の回転数との関係を示す
グラフ。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the coating sequence and the rotation speed of the substrate.

【図4】従来に係るスピンコートA法およびスピンコー
トB法と、本発明に係るスピンコートC法によるレジス
ト液塗布の際の塗布膜の状態を示す模式図。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a state of a coating film at the time of applying a resist solution by a conventional spin coat A method and a spin coat B method and a spin coat C method according to the present invention.

【図5】従来に係るスピンコートA法およびスピンコー
トB法と、本発明に係るスピンコートC法における塗布
膜の膜厚分布を示すグラフ。
FIG. 5 is a graph showing a film thickness distribution of a coating film in a conventional spin coat A method and a spin coat B method and a spin coat C method according to the present invention.

【図6】本発明に係るスピンコートC法により、減速時
に再度供給するレジスト液の吐出時間を変化させた場合
における塗布膜の膜厚分布を示すグラフ。
FIG. 6 is a graph showing the film thickness distribution of the coating film when the discharge time of the resist liquid supplied again during deceleration is changed by the spin coat C method according to the present invention.

【図7】本発明に係るスピンコートC法により、減速時
に再度供給するレジスト液の吐出時間を変化させた場合
の塗布膜の中心の膜厚を示すグラフ。
FIG. 7 is a graph showing the film thickness at the center of the coating film when the discharge time of the resist liquid supplied again during deceleration is changed by the spin coat C method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

40……スピンチャック(回転駆動手段) 41……処理室 42……回転カップ 46……蓋体 51……駆動モータ 70……溶媒供給ノズル 80……レジスト液供給ノズル 90……噴頭 100……移動機構 110……コントローラ G……基板 40 ... Spin chuck (rotation driving means) 41 ... Processing room 42 ... Rotating cup 46 ... Lid 51 ... Drive motor 70 ... Solvent supply nozzle 80: Resist liquid supply nozzle 90 ... Spout 100: Moving mechanism 110 ... Controller G: substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−190838(JP,A) 特開 平1−236971(JP,A) 特開 平7−320999(JP,A) 特開 平10−125581(JP,A) 特開 平8−24621(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) Reference JP 62-190838 (JP, A) JP 1-236971 (JP, A) JP 7-320999 (JP, A) JP 10- 125581 (JP, A) JP-A-8-24621 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 処理容器内に収容された基板の表面上に
塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であ
って、 基板の表面上に溶剤を塗布する工程と、 基板を所定速度で回転させながら、基板の表面に塗布液
を供給して基板表面に塗布膜を形成する工程と、 基板を減速させて停止するまでの間に、基板の表面の塗
布膜の中央部分に、最初に供給する塗布液の量の半分以
下の塗布液を再度供給する工程と、 基板を加速回転させて、塗布膜の膜厚を整える工程とを
具備することを特徴とする塗布膜形成方法。
1. A method for forming a coating film by supplying a coating liquid onto the surface of a substrate housed in a processing container to form a coating film, the method comprising: coating a solvent on the surface of the substrate; While rotating at a predetermined speed, the step of supplying the coating liquid to the surface of the substrate to form the coating film on the substrate surface, and the process of decelerating the substrate and stopping it , Half the amount of coating liquid to be supplied first
A method of forming a coating film, comprising: a step of supplying the lower coating solution again; and a step of accelerating and rotating the substrate to adjust the thickness of the coating film.
【請求項2】 処理容器内に収容された基板の表面上に
塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であ
って、 基板の表面上に溶剤を塗布する工程と、 処理容器内に収容された基板を処理容器とともに所定速
度で回転させながら、基板の表面に塗布液を供給して基
板表面に塗布膜を形成する工程と、 基板を減速させて停止するまでの間に、基板の表面の塗
布膜の中央部分に、最初に供給する塗布液の量の半分以
下の塗布液を再度供給する工程と、 基板を加速回転させて、塗布膜の膜厚を整える工程とを
具備することを特徴とする塗布膜形成方法。
2. A coating film forming method for forming a coating film by supplying a coating liquid onto the surface of a substrate housed in a processing container, the method comprising: coating a solvent on the surface of the substrate; While rotating the substrate contained in the substrate at a predetermined speed together with the processing container, a step of supplying a coating liquid to the surface of the substrate to form a coating film on the surface of the substrate, and a step of decelerating and stopping the substrate, At the center of the coating film on the surface of the substrate, half or more of the amount of coating liquid initially supplied
A method of forming a coating film, comprising: a step of supplying the lower coating solution again; and a step of accelerating and rotating the substrate to adjust the thickness of the coating film.
【請求項3】 塗布液を再度供給する工程は、基板を減
速させている間に行うことを特徴とする請求項1または
請求項2に記載の塗布膜形成方法。
3. The method for forming a coating film according to claim 1, wherein the step of supplying the coating liquid again is performed while the substrate is being decelerated.
【請求項4】 記塗布膜の膜厚を整える工程は、処理容
器を蓋体で閉塞して行うことを特徴とする請求項2に記
載の塗布膜形成方法。
4. The method for forming a coating film according to claim 2, wherein the step of adjusting the thickness of the coating film is performed by closing the processing container with a lid.
【請求項5】 処理容器内に収容された基板の表面上に
塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布装置であって、 処理容器内に収容された基板を回転するための回転駆動
手段と、 基板に溶剤を供給して塗布するための溶剤供給ノズル
と、 基板の表面に塗布液を供給して基板表面に塗布膜を形成
するための塗布液供給ノズルと、 溶剤供給ノズルから溶剤を基板に供給して塗布し、その
後、基板を所定速度で回転させながら塗布液供給ノズル
から基板の表面に塗布液を供給して基板表面に塗布膜を
形成し、次いで、基板を減速させて停止するまでの間
に、塗布液供給ノズルから基板の表面の塗布膜の上に
最初に供給する塗布液の量の半分以下の塗布液を再度供
給し、次いで、基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整え
るように、前記回転駆動手段、前記溶剤供給ノズル、お
よび塗布液供給ノズルを制御するための制御手段とを具
備することを特徴とする塗布装置。
5. A coating device for supplying a coating liquid onto a surface of a substrate housed in a processing container to form a coating film, the rotation driving means for rotating the substrate housed in the processing container. A solvent supply nozzle for supplying a solvent to the substrate for coating, a coating liquid supply nozzle for supplying a coating liquid on the surface of the substrate to form a coating film on the substrate surface, and a solvent for supplying the solvent from the solvent supply nozzle. Supply and apply to the substrate, then, while rotating the substrate at a predetermined speed, supply the coating liquid from the coating liquid supply nozzle to the surface of the substrate to form a coating film on the substrate surface, then decelerate and stop the substrate In the meantime, on the coating film on the surface of the substrate from the coating liquid supply nozzle ,
The supply amount of the coating liquid is less than half the amount of the coating liquid to be supplied first, and then the substrate is rotated to adjust the film thickness of the coating film, the rotation driving means, the solvent supply nozzle, and the coating liquid. And a control means for controlling the supply nozzle.
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