JPH11207250A - Film forming method - Google Patents

Film forming method

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JPH11207250A
JPH11207250A JP10026726A JP2672698A JPH11207250A JP H11207250 A JPH11207250 A JP H11207250A JP 10026726 A JP10026726 A JP 10026726A JP 2672698 A JP2672698 A JP 2672698A JP H11207250 A JPH11207250 A JP H11207250A
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JP
Japan
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substrate
processing liquid
solvent
rotating
supplied
Prior art date
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Application number
JP10026726A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsutae Omori
伝 大森
Masaaki Takizawa
正明 滝沢
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a uniform resist film on an LCD substrate while suppressing scattering of a treatment solution. SOLUTION: While an LCD substrate is rotated by a spin chuck 32, a solvent is fed to a position shifted from a center of the LCD substrate G through a solvent feed nozzle 91. Then, after quantity of the solvent on the LCD substrate G is reduced, in the condition wherein rotation of the LCD substrate G is stopped, a resist solution is fed to the center of the LCD substrate G from a resist solution feed nozzle 92. Further, a rotary cup 55 is closed by a lid 71 before the resist solution is diffused on the LCD substrate G so as to form a resist film while the LCD substrate G is being rotated at a higher speed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は,例えばレジスト膜
などの膜をLCD基板のような基板上や,この基板上に
形成された層の上に形成するための膜形成方法に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming method for forming a film such as a resist film on a substrate such as an LCD substrate or on a layer formed on the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように,半導体製造技術の分野で
は,LCD基板の上に形成された半導体層,絶縁体層,
電極層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合
に,半導体ウェハの場合と同様にLCD基板の表面にレ
ジスト膜を形成することが行われている。
2. Description of the Related Art As is well known, in the field of semiconductor manufacturing technology, semiconductor layers, insulator layers,
When an electrode layer is selectively etched into a predetermined pattern, a resist film is formed on the surface of an LCD substrate as in the case of a semiconductor wafer.

【0003】このようなレジスト膜の形成においては,
例えば矩形状のLCD基板を処理室内の回転可能に形成
されたスピンチャック上に保持させて,LCD基板上面
の中心部にレジスト液を滴下し,LCD基板を回転させ
てその遠心力によってこのレジスト液を拡散させる方法
が知られている。この場合,膜厚均一性向上のために,
密閉式カップ回転方式による塗布が一般的な方法であ
る。
In forming such a resist film,
For example, a rectangular LCD substrate is held on a rotatable spin chuck in a processing chamber, a resist solution is dropped on the center of the upper surface of the LCD substrate, and the LCD substrate is rotated, and the resist solution is rotated by centrifugal force. There is known a method for diffusing the nucleus. In this case, to improve the film thickness uniformity,
Application by a closed cup rotation method is a general method.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところがこの方法で
は,レジスト液がLCD基板の中心位置から周辺部に向
けて拡散して行く過程でレジスト液中の溶剤が蒸発す
る。その結果,LCD基板上ではレジスト液の拡散する
方向によってレジスト液の粘度が異なり,LCD基板の
中心部と周辺部とでは形成されるレジスト膜の厚さが異
なるおそれがあった。
However, in this method, the solvent in the resist liquid evaporates in the process of diffusing the resist liquid from the center position of the LCD substrate toward the periphery. As a result, the viscosity of the resist liquid differs on the LCD substrate depending on the direction in which the resist liquid diffuses, and the thickness of the formed resist film may be different between the central portion and the peripheral portion of the LCD substrate.

【0005】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり,基板上に処理液による膜を均一に形成することが
可能な新しい膜形成方法を提供することを目的としてい
る。また,本発明は同時に,処理液の飛散を抑えること
ができる新しい膜形成方法を提供することを目的として
いる。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a new film forming method capable of uniformly forming a film with a processing solution on a substrate. Another object of the present invention is to provide a new film forming method capable of suppressing the scattering of the processing liquid.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に,請求項1に記載の膜形成方法は,基板上に処理液を
供給し,当該基板の回転によって前記処理液を拡散させ
て,この処理液の膜を基板上に形成する方法において,
前記処理液の溶剤を基板中心からずれた位置に供給し,
当該基板を回転させて当該溶剤を基板上に拡散させる工
程と,その後,基板を停止させた状態で処理液を基板中
心に供給する工程と,その後,基板を回転させて処理液
を基板上に拡散させる工程とを有することを特徴として
いる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for forming a film, comprising supplying a processing liquid onto a substrate and diffusing the processing liquid by rotating the substrate. In the method of forming a film of the processing solution on a substrate,
Supplying the solvent of the processing solution to a position shifted from the center of the substrate,
Rotating the substrate to diffuse the solvent onto the substrate; thereafter, supplying the processing liquid to the center of the substrate with the substrate stopped; and then rotating the substrate to deposit the processing liquid on the substrate. And a step of diffusing.

【0007】かかる方法によれば,基板上に処理液を供
給する工程の前には処理液の溶剤が基板上に塗布されて
いる。そのため,基板の周辺部にまで処理液を拡散させ
ることができ,基板上に処理液による均一な厚さの膜を
形成することが可能となる。また,基板に処理液を供給
する際には基板の回転を停止させているため,供給時の
処理液の飛散を防止することができる。このため,パー
ティクルの発生を効果的に抑えることが可能となる。な
お,処理液の溶剤は処理液となじみがよく,基板に供給
された処理液が処理液と接触すると,処理液をはじくこ
となく,基板上を滑らかに移動することが可能な液であ
り,処理液が例えばレジスト液の場合にはシンナ,処理
液が例えば現像液の場合には水である。
According to this method, the solvent of the processing liquid is applied onto the substrate before the step of supplying the processing liquid onto the substrate. Therefore, the processing liquid can be diffused to the periphery of the substrate, and a film having a uniform thickness can be formed on the substrate by the processing liquid. In addition, since the rotation of the substrate is stopped when the processing liquid is supplied to the substrate, the scattering of the processing liquid during the supply can be prevented. For this reason, generation of particles can be effectively suppressed. In addition, the solvent of the processing liquid is well compatible with the processing liquid, and when the processing liquid supplied to the substrate comes into contact with the processing liquid, the solvent can smoothly move on the substrate without repelling the processing liquid. When the processing liquid is, for example, a resist liquid, it is thinner, and when the processing liquid is, for example, a developing liquid, it is water.

【0008】請求項2に記載の膜形成方法は,基板上に
処理液を供給し,当該基板の回転によって前記処理液を
拡散させて,この処理液の膜を基板上に形成する方法に
おいて,前記処理液の溶剤を基板中心からずれた位置に
供給し,当該基板を回転させて当該溶剤を基板上に拡散
させる工程と,その後,基板上の溶剤の量を減少させる
工程と,その後,基板を停止させた状態で処理液を基板
中心に供給する工程と,その後,基板を回転させて処理
液を基板上に拡散させる工程とを有することを特徴とし
ている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of forming a film of a processing liquid on a substrate by supplying a processing liquid onto a substrate, diffusing the processing liquid by rotating the substrate, and forming a film of the processing liquid on the substrate. Supplying the solvent of the processing liquid to a position deviated from the center of the substrate, rotating the substrate to diffuse the solvent on the substrate, and thereafter reducing the amount of the solvent on the substrate; And a step of supplying the processing liquid to the center of the substrate with the substrate stopped, and thereafter, a step of rotating the substrate to diffuse the processing liquid onto the substrate.

【0009】かかる方法によれば,基板に処理液を供給
する際には基板の回転を停止させているために,供給時
の飛散を防止することができる。また,基板に処理液を
供給する前には基板上に溶剤が塗布されているので,基
板の周辺部にまで処理液が行き渡り,基板上に均一な膜
を形成することが可能である。さらに,基板中心部には
処理液の溶剤の供給が不要となるため,使用する処理液
の溶剤が少なくて済む。また,処理液の供給前には基板
上の溶剤の量を減少させているために,処理液が処理液
の溶剤に接触することによる飛散の範囲を低減でき,飛
散する処理液の量を低減させることができると共に,処
理液を基板の周辺部まで滑らかに拡散させることができ
る。そのため処理液が溶剤上を滑らかに移動して,適切
な処理液の膜を形成することができる。なお,基板上の
溶剤の量を減少させるには,例えば基板を回転させるこ
とで基板上の溶剤をある程度振り落としたり,少し乾燥
させることが提案できる。
According to this method, since the rotation of the substrate is stopped when the processing liquid is supplied to the substrate, it is possible to prevent scattering during the supply. Further, since the solvent is applied to the substrate before supplying the processing liquid to the substrate, the processing liquid spreads to the peripheral portion of the substrate, and a uniform film can be formed on the substrate. Further, since the supply of the solvent of the processing liquid to the central portion of the substrate becomes unnecessary, the solvent of the processing liquid to be used can be reduced. In addition, since the amount of solvent on the substrate is reduced before the processing liquid is supplied, the range of scattering due to the processing liquid coming into contact with the solvent of the processing liquid can be reduced, and the amount of scattering processing liquid can be reduced. In addition, the processing liquid can be smoothly diffused to the periphery of the substrate. Therefore, the processing liquid smoothly moves on the solvent, and an appropriate film of the processing liquid can be formed. In order to reduce the amount of the solvent on the substrate, for example, it is suggested that the solvent on the substrate is shaken off to some extent by rotating the substrate, or the solvent is slightly dried.

【0010】請求項3に記載の膜形成方法は,基板を回
転させる回転載置台と,該回転載置台を収容しかつ前記
基板が通過自在な形態の開口部を上面に有する処理容器
と,該開口部を閉鎖自在な蓋体とを備えた膜形成装置を
用いて,処理液の膜を基板上に形成する方法において,
前記蓋体を開放した状態で,基板中心からずれた位置に
処理液の溶剤を供給し,当該基板を回転させて当該溶剤
を基板上に拡散させる工程と,その後,基板を停止させ
た状態で処理液を基板中心に供給する工程と,その後,
蓋体を閉鎖した状態で基板を回転させ,処理液を基板上
に拡散させる工程とを有することを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for forming a film, comprising: a rotary mounting table for rotating a substrate; a processing container accommodating the rotary mounting table and having an opening on the upper surface through which the substrate can pass; In a method of forming a film of a processing liquid on a substrate using a film forming apparatus having a lid capable of closing an opening,
A step of supplying a solvent of a processing liquid to a position deviated from the center of the substrate with the lid opened, and rotating the substrate to diffuse the solvent onto the substrate; and thereafter, in a state where the substrate is stopped. Supplying the processing liquid to the center of the substrate, and then
Rotating the substrate with the lid closed and diffusing the processing liquid onto the substrate.

【0011】かかる方法によれば,基板に対して処理液
を供給する工程の前には処理液の溶剤をこの基板上に塗
布させている。従って,基板の回転によって基板の周辺
部にまで処理液を拡散させることができ,処理液による
均一な厚さの膜を基板上に形成することが可能となる。
また,停止した基板上に処理液を供給するため,基板に
対して処理液を供給する際には,処理液の飛散を防止す
ることができる。さらに,基板上に供給したこの処理液
を拡散させる時には蓋体が閉鎖しているために,基板上
の処理液が外部に飛散しない。従って,飛散した処理液
によって処理容器外部の汚染を防ぐことが可能となる。
According to this method, the solvent of the processing liquid is applied to the substrate before the step of supplying the processing liquid to the substrate. Therefore, the processing liquid can be diffused to the peripheral part of the substrate by the rotation of the substrate, and a film having a uniform thickness can be formed on the substrate by the processing liquid.
Further, since the processing liquid is supplied onto the stopped substrate, when the processing liquid is supplied to the substrate, scattering of the processing liquid can be prevented. Further, when the processing liquid supplied on the substrate is diffused, the processing liquid on the substrate does not scatter outside because the lid is closed. Therefore, it is possible to prevent the outside of the processing container from being contaminated by the scattered processing liquid.

【0012】請求項4に記載の膜形成方法は,基板を回
転させる回転載置台と,該回転載置台を収容しかつ前記
基板が通過自在な形態の開口部を上面に有する処理容器
と,該開口部を閉鎖自在な蓋体とを備えた膜形成装置を
用いて,処理液の膜を基板上に形成する方法において,
前記蓋体を開放した状態で,基板中心からずれた位置に
処理液の溶剤を供給し,当該基板を回転させて当該溶剤
を基板上に拡散させる工程と,その後,基板上の溶剤の
量を減少させる工程と,その後,基板を停止させた状態
で処理液を基板中心に供給する工程と,その後,蓋体を
閉鎖した状態で基板を回転させ,処理液を基板上に拡散
させる工程とを有することを特徴としている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for forming a film, comprising: a rotary mounting table for rotating a substrate; a processing container accommodating the rotary mounting table and having an opening formed on the upper surface through which the substrate can pass; In a method of forming a film of a processing liquid on a substrate using a film forming apparatus having a lid capable of closing an opening,
With the lid open, supplying a solvent of the processing liquid to a position deviated from the center of the substrate, rotating the substrate and diffusing the solvent onto the substrate, and then measuring the amount of the solvent on the substrate. The process of reducing, the process of supplying the processing liquid to the center of the substrate while the substrate is stopped, and the process of rotating the substrate with the lid closed and diffusing the processing liquid onto the substrate are then performed. It is characterized by having.

【0013】かかる方法によれば,停止した基板上に処
理液を供給するため,処理液の基板への供給時には処理
液の飛散が防止できる。さらに,基板上に供給したこの
処理液を基板の回転によって拡散させる時には蓋体を閉
鎖して行うために,基板から飛散した処理液が処理容器
外部に飛散しない。また,基板上の溶剤の量を例えば乾
燥する等して減少させてから基板中心に処理液を供給す
るために,その後の基板の回転によって処理液を基板に
対して適切にかつ均一に拡散させることが可能となる。
なお,基板上の溶剤の量を減少させるには,例えば基板
を回転させることで基板上の溶剤をある程度振り落とし
たり,少し乾燥させることが提案できる。
According to this method, since the processing liquid is supplied onto the stopped substrate, the processing liquid can be prevented from scattering when the processing liquid is supplied to the substrate. Further, when the processing liquid supplied onto the substrate is diffused by rotation of the substrate, the processing is performed with the lid closed, so that the processing liquid scattered from the substrate does not scatter outside the processing container. Further, in order to supply the processing liquid to the center of the substrate after reducing the amount of the solvent on the substrate by, for example, drying, the processing liquid is appropriately and uniformly diffused to the substrate by the subsequent rotation of the substrate. It becomes possible.
In order to reduce the amount of the solvent on the substrate, for example, it is suggested that the solvent on the substrate is shaken off to some extent by rotating the substrate, or the solvent is slightly dried.

【0014】また,請求項1,2,3または4に記載の
膜形成方法に使用される処理液の溶剤は,請求項5に記
載の発明のように,基板中心を中心として環状に供給す
るようにしてもよいし,請求項6に記載の発明のよう
に,基板の周辺部全体に供給するようにしてもよい。
Further, the solvent of the processing liquid used in the film forming method according to the first, second, third or fourth aspect of the invention is supplied annularly around the center of the substrate as in the fifth aspect of the invention. Alternatively, the power may be supplied to the entire peripheral portion of the substrate as in the sixth aspect of the present invention.

【0015】このように構成しても,請求項1〜4に記
載の発明の場合と同様に,基板に処理液を供給する前に
は基板上に溶剤が塗布されているので,基板の周辺部に
まで処理液が行き渡り,基板上に均一な処理液による膜
を形成することが可能である。さらに,基板中心部には
処理液の溶剤の供給が不要となるため,使用する処理液
の溶剤が少なくて済む。
[0015] Even in such a configuration, the solvent is applied to the substrate before the processing liquid is supplied to the substrate as in the case of the first to fourth aspects of the present invention. The processing liquid spreads to the portion, and it is possible to form a uniform film of the processing liquid on the substrate. Further, since the supply of the solvent of the processing liquid to the central portion of the substrate becomes unnecessary, the solvent of the processing liquid to be used can be reduced.

【0016】請求項7に記載の膜形成方法は,基板上に
処理液を供給し,当該基板の回転によって前記処理液を
拡散させて,この処理液の膜を基板上に形成する方法に
おいて,前記処理液の溶剤を基板中心からずれた位置に
供給すると共に当該基板の中心に処理液を供給する工程
と,その後,当該基板を回転させて前記処理液及び処理
液の溶剤を基板上に拡散させる工程とを有することを特
徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method of forming a film of the processing liquid on the substrate, the processing liquid is supplied onto the substrate, and the processing liquid is diffused by rotating the substrate. Supplying the processing liquid solvent to a position deviated from the substrate center and supplying the processing liquid to the center of the substrate; and then rotating the substrate to diffuse the processing liquid and the processing liquid solvent onto the substrate. And a step of causing

【0017】かかる方法によれば,基板に対して処理液
と処理液の溶剤を同時に供給するために,請求項1〜6
に記載した発明のように,処理液と処理液の溶剤とを基
板に対して別々に供給する場合よりも基板の処理時間を
短縮することができる。そのため,スループットの向上
を図ることが可能となる。
According to this method, the processing liquid and the solvent of the processing liquid are simultaneously supplied to the substrate.
The processing time of the substrate can be reduced as compared with the case where the processing liquid and the solvent of the processing liquid are separately supplied to the substrate as in the invention described in (1). Therefore, it is possible to improve the throughput.

【0018】請求項8に記載の膜形成方法は,基板を回
転させる回転載置台と,該回転載置台を収容しかつ前記
基板が通過自在な形態の開口部を上面に有する処理容器
と,該開口部を閉鎖自在な蓋体とを備えた膜形成装置を
用いて,処理液の膜を基板上に形成する方法において,
前記蓋体を開放した状態で,基板中心からずれた位置に
処理液の溶剤を供給すると共に当該基板の中心に処理液
を供給する工程と,その後,蓋体を閉鎖した状態で基板
を回転させ,処理液及び処理液の溶剤を当該基板上に拡
散させる工程とを有することを特徴としている。
[0018] In the film forming method according to the present invention, there is provided a process container having a rotary mounting table for rotating a substrate, an opening on the upper surface for accommodating the rotary mounting table and through which the substrate can pass. In a method of forming a film of a processing liquid on a substrate using a film forming apparatus having a lid capable of closing an opening,
A step of supplying the solvent of the processing liquid to a position deviated from the center of the substrate while supplying the processing liquid to the center of the substrate with the lid opened, and then rotating the substrate with the lid closed. And a step of diffusing the processing liquid and the solvent of the processing liquid onto the substrate.

【0019】かかる方法によれば,基板に対して処理液
と処理液の溶剤とを同時に供給するために,これらを別
々に供給する場合よりもスループットの向上を図ること
ができる。また,基板上に供給された処理液と処理液の
溶剤は,蓋体を閉鎖した状態で基板上に拡散させてい
る。そのため,処理液と処理液の溶剤とが基板の回転に
よって飛散せず,処理容器外部の汚染を防止することが
可能となる。
According to this method, since the processing liquid and the solvent of the processing liquid are simultaneously supplied to the substrate, the throughput can be improved as compared with the case where these are separately supplied. The processing liquid and the solvent of the processing liquid supplied onto the substrate are diffused on the substrate with the lid closed. Therefore, the processing liquid and the solvent of the processing liquid do not scatter due to the rotation of the substrate, and it is possible to prevent contamination of the processing container outside.

【0020】また請求項7または8に記載の膜形成方法
については,請求項9に記載の発明のように,処理液の
溶剤を基板中心を中心として環状に供給すると共に処理
液は基板中心に供給するようにしてもよいし,また請求
項10に記載の発明のように,処理液の溶剤を基板の周
辺部全体に供給すると共に処理液は基板中心に供給する
ようにしてもよい。
According to a seventh aspect of the present invention, as in the ninth aspect of the present invention, the solvent of the processing solution is supplied in a ring around the center of the substrate, and the processing solution is applied to the center of the substrate. Alternatively, the solvent of the processing liquid may be supplied to the entire peripheral portion of the substrate and the processing liquid may be supplied to the center of the substrate.

【0021】この場合も,請求項5及び請求項6の発明
の場合と同様に,基板に処理液を供給する前には基板上
に溶剤が塗布されているので,基板の周辺部にまで処理
液が行き渡り,基板上に均一な処理液による膜を形成す
ることが可能である。そして,基板中心部には処理液の
溶剤の供給が不要となるため,使用する処理液の溶剤が
少なくて済む。さらに,処理液と処理液の溶剤とを基板
に対して同時に供給するために,請求項7及び請求項8
の発明の場合と同様に,これらを別々に供給する場合よ
りもスループットの向上を図ることも可能である。
In this case, as in the case of the fifth and sixth aspects of the present invention, since the solvent is applied to the substrate before the processing liquid is supplied to the substrate, the processing is performed to the peripheral portion of the substrate. The liquid spreads, and it is possible to form a uniform film on the substrate with the processing liquid. Since the supply of the solvent of the processing liquid to the central portion of the substrate becomes unnecessary, the solvent of the processing liquid to be used can be reduced. Further, in order to simultaneously supply the processing liquid and the solvent of the processing liquid to the substrate, the processing liquid may be supplied to the substrate.
As in the case of the invention described above, it is possible to improve the throughput as compared with the case where these are supplied separately.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下,添付図面に基づき本発明の
実施の形態について例を挙げて説明する。この実施の形
態は,LCD基板に対してレジスト液を供給してレジス
ト膜を形成する方法として具体化されている。図1は,
このレジスト膜を形成する方法を実施するための塗布膜
形成装置を組み込み,一連のフォトリソグラフィ工程を
行う塗布現像処理装置の概観を示している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. This embodiment is embodied as a method for forming a resist film by supplying a resist solution to an LCD substrate. Figure 1
1 shows an overview of a coating and developing apparatus that incorporates a coating film forming apparatus for performing this method of forming a resist film and performs a series of photolithography steps.

【0023】この塗布現像処理装置1は,例えば矩形状
のLCD基板Gを搬入・搬出するローダ部2と,LCD
基板Gを処理する第1処理部3と,この第1処理部3と
インターフェイス部4を介して連設された第2処理部5
と,この第2処理部5と例えば露光装置6等との間でL
CD基板Gを授受するためのインターフェイス部7から
構成されている。
The coating and developing apparatus 1 includes, for example, a loader unit 2 for loading and unloading a rectangular LCD substrate G, and an LCD.
A first processing unit 3 for processing the substrate G, and a second processing unit 5 connected to the first processing unit 3 via the interface unit 4
Between the second processing unit 5 and, for example, the exposure apparatus 6 or the like.
It comprises an interface section 7 for exchanging the CD substrate G.

【0024】ローダ部2には,カセットステーション1
0が設けられており,このカセットステーション10に
は未処理のLCD基板Gを収納するカセット11と,処
理済みのLCD基板Gを収納するカセット12とがそれ
ぞれ複数個載置自在である。またローダ部2には,未処
理のLCD基板Gを搬入または搬出するための搬出入ピ
ンセット13が備えられている。なお,搬入出ピンセッ
ト13はY,Z方向への移動とθ方向に回転可能に構成
されている。
The loader unit 2 includes a cassette station 1
The cassette station 10 has a plurality of cassettes 11 for storing unprocessed LCD substrates G and a plurality of cassettes 12 for storing processed LCD substrates G. The loader unit 2 is provided with a loading / unloading tweezers 13 for loading or unloading an unprocessed LCD substrate G. The loading / unloading tweezers 13 is configured to be movable in the Y and Z directions and rotatable in the θ direction.

【0025】第1処理部3には,LCD基板Gに対して
所定の処理を施す各種の処理装置がメイン搬送アーム1
5の搬送路16を挟んで両側に配置されている。即ち,
カセット11から取り出されたLCD基板Gを洗浄する
ためのブラシスクラバ17,LCD基板Gに疎水化処理
を施すアドヒージョン装置18,LCD基板Gを所定の
温度に冷却する冷却処理装置19,現像処理装置20が
配置されている。
The first processing unit 3 includes various processing apparatuses for performing predetermined processing on the LCD substrate G, and includes the main transfer arm 1.
5 are arranged on both sides of the conveyance path 16. That is,
A brush scrubber 17 for cleaning the LCD substrate G taken out of the cassette 11, an adhesion device 18 for applying a hydrophobic treatment to the LCD substrate G, a cooling device 19 for cooling the LCD substrate G to a predetermined temperature, and a developing device 20 Is arranged.

【0026】第2処理部5には,LCD基板Gを所定の
温度に加熱する複数の加熱処理装置21,さらにLCD
基板Gの表面にレジスト液を塗布する塗布膜形成装置2
2とLCD基板Gの周縁部に塗布形成された不要なレジ
スト膜を除去する周縁部除去装置23とがメイン搬送ア
ーム25の搬送路26を挟んで両側に配置されている。
The second processing section 5 includes a plurality of heating processing devices 21 for heating the LCD substrate G to a predetermined temperature,
Coating film forming apparatus 2 for applying a resist solution to the surface of substrate G
2 and a peripheral edge removing device 23 for removing an unnecessary resist film applied to the peripheral edge of the LCD substrate G are disposed on both sides of the transport path 26 of the main transport arm 25.

【0027】塗布膜形成装置22には図2に示すよう
に,水平状態のLCD基板Gを真空吸着して保持するス
ピンチャック32が配置されている。このスピンチャッ
ク32の下部にはバキュームシール部40を介して昇降
シリンダ42と連結する回転軸43が接続されており,
この回転軸43はスプライン軸受44に摺動可能に構成
されている。
As shown in FIG. 2, the coating film forming apparatus 22 is provided with a spin chuck 32 for vacuum-holding and holding the horizontal LCD substrate G. The lower part of the spin chuck 32 is connected to a rotary shaft 43 connected to a lifting cylinder 42 via a vacuum seal part 40.
The rotating shaft 43 is configured to be slidable on a spline bearing 44.

【0028】さらに,スプライン軸受44には従動プー
リ50aが装着されており,従動プーリ50aには駆動
モータ51の駆動軸51aに装着された駆動プーリ51
bとの間にベルト52aが掛け渡されている。従って,
スピンチャック32は駆動モータ51の稼働によって水
平方向に回転することが可能なように構成されている。
また,昇降シリンダ42の稼働によって回転軸43は上
下方向に移動可能に形成されている。従って,スピンチ
ャック32は昇降シリンダ42の稼働によって上下方向
にも移動可能に構成されている。
Further, a driven pulley 50a is mounted on the spline bearing 44, and a driven pulley 51 mounted on a driving shaft 51a of a driving motor 51 is mounted on the driven pulley 50a.
A belt 52a is stretched between the belt 52b and b. Therefore,
The spin chuck 32 is configured to be able to rotate in the horizontal direction by operation of the drive motor 51.
The rotating shaft 43 is formed so as to be movable in the vertical direction by the operation of the lifting cylinder 42. Therefore, the spin chuck 32 is configured to be movable in the vertical direction by the operation of the lifting cylinder 42.

【0029】また塗布膜形成装置22には,スピンチャ
ック32の上部及び外周部を包囲するようにして回転カ
ップ55が配設されている。回転カップ55の内部には
LCD基板Gを処理する処理室56が形成されており,
回転カップ55の下面55bの中央には開口部が形成さ
れている。スピンチャック32はこの開口部から処理室
56内部に挿入されている。
The coating film forming apparatus 22 is provided with a rotating cup 55 so as to surround the upper part and the outer peripheral part of the spin chuck 32. Inside the rotating cup 55, a processing chamber 56 for processing the LCD substrate G is formed.
An opening is formed in the center of the lower surface 55b of the rotating cup 55. The spin chuck 32 is inserted into the processing chamber 56 from this opening.

【0030】回転カップ55の下部においては,回転カ
ップ55の下面55bが連結筒60を介して回転外筒6
1bの上端部に接続されており,この回転外筒61bは
ベアリング62bを介して固定カラー63に接続されて
いる。固定カラー63はベアリング64を介して回転内
筒65aに接続されており,上記回転軸43がスプライ
ン軸受44を介してこの回転内筒65aと接続してい
る。そして,固定カラー63と回転内筒65aの対向面
と,固定カラー63と回転外筒61bの対向面には,ラ
ビリンスシール部(図示せず)が形成されている。これ
により,回転カップ55内部には下部の駆動系から発生
した汚染物質が侵入しないように構成されている。
In the lower part of the rotary cup 55, the lower surface 55 b of the rotary cup 55 is
The rotating outer cylinder 61b is connected to a fixed collar 63 via a bearing 62b. The fixed collar 63 is connected to a rotating inner cylinder 65a via a bearing 64, and the rotating shaft 43 is connected to the rotating inner cylinder 65a via a spline bearing 44. A labyrinth seal portion (not shown) is formed on the opposing surface of the fixed collar 63 and the rotating inner cylinder 65a and on the opposing surface of the fixed collar 63 and the rotating outer cylinder 61b. Thus, the rotary cup 55 is configured so that contaminants generated from the lower drive system do not enter the inside of the rotary cup 55.

【0031】上記の回転外筒61bには従動プーリ66
bが装着されている。この従動プーリ66bはベルト6
7bを介して駆動モータ51の駆動プーリ51bに接続
されている。従って,スピンチャック32の場合と同様
にして,回転カップ55も駆動モータ51を稼働させる
ことによって水平方向に回転するように構成されてい
る。なお,スピンチャック32の回転に寄与する従動プ
ーリ50aの直径と回転カップ55の回転に寄与する従
動プーリ66bの直径とは互いに等しいために,同一の
駆動モータ51によって回転するスピンチャック32と
回転カップ55とは互いに同じ回転速度で回転するよう
に構成されている。
A driven pulley 66 is attached to the rotary outer cylinder 61b.
b is attached. This driven pulley 66b is a belt 6
7b, it is connected to the drive pulley 51b of the drive motor 51. Therefore, similarly to the case of the spin chuck 32, the rotating cup 55 is also configured to rotate in the horizontal direction by operating the drive motor 51. Since the diameter of the driven pulley 50a contributing to the rotation of the spin chuck 32 and the diameter of the driven pulley 66b contributing to the rotation of the rotating cup 55 are equal to each other, the spin chuck 32 and the rotating cup rotated by the same drive motor 51 are used. 55 are configured to rotate at the same rotational speed as each other.

【0032】回転カップ55の上面には図3に示すよう
に,鉛直方向に突出する固定ピン70aが設けられてい
る。この固定ピン70aは回転カップ55の開口部55
aを開放・閉鎖可能に着脱される蓋体71に設けられた
嵌合凹所71bと嵌合するように構成されている。その
ため,固定ピン70aと嵌合凹所71bとを互いに嵌合
させることにより,回転カップ55は蓋体71によって
閉鎖されるように構成されている。また,固定ピン70
aの頂部は球面状に形成されており,嵌合凹所71bと
の接触による発塵を抑えるように構成されている。
As shown in FIG. 3, a fixing pin 70a projecting in the vertical direction is provided on the upper surface of the rotating cup 55. The fixing pin 70a is connected to the opening 55 of the rotating cup 55.
a is fitted to a fitting recess 71b provided in a lid 71 which can be opened and closed so as to be openable and closable. Therefore, the rotating cup 55 is configured to be closed by the lid 71 by fitting the fixing pin 70a and the fitting recess 71b to each other. Also, the fixing pin 70
The top of a is formed in a spherical shape, and is configured to suppress dust generation due to contact with the fitting recess 71b.

【0033】蓋体71の上面には給気孔72が設けられ
ていると共に突設した支持部73が形成されている。こ
の支持部73には複数の係止溝73aが設けられてお
り,この係止溝73aには回転カップ55の開口部55
aに蓋体71を着脱させる蓋体移動手段であるロボット
アーム75から突出する係止ピン(図示せず)が係合す
るように構成されている。
On the upper surface of the lid 71, an air supply hole 72 is provided, and a projecting support portion 73 is formed. The support portion 73 is provided with a plurality of locking grooves 73a.
A locking pin (not shown) projecting from a robot arm 75 which is a lid moving means for attaching and detaching the lid 71 to and from a.

【0034】回転カップ55の側壁は,内側面が上側に
向かって縮径されたテーパ面に形成されている。従って
蓋体71に設けられた給気孔72から処理室56内に空
気が供給されると,この空気は上面テーパ面に沿って流
れ,回転カップ55側壁下部側の周方向の適宜位置に設
けられた排気口76から排気されるように構成されてい
る。
The side wall of the rotary cup 55 is formed as a tapered surface whose inner surface is tapered upward. Therefore, when air is supplied into the processing chamber 56 from the air supply hole 72 provided in the lid 71, this air flows along the tapered surface of the upper surface and is provided at an appropriate position in the circumferential direction below the side wall of the rotating cup 55. The exhaust port 76 is configured to be exhausted.

【0035】一方,回転カップ55の周囲には,この回
転カップ55から放出された廃物を受容するために中空
リング状のドレンカップ80が配置されている。そして
ドレンカップ80の内部には環状通路80aが設けられ
ている。この環状通路80aは,ドレンカップ80の底
部から起立する壁80bとドレンカップ80の天井部か
ら垂下する壁80cとによって迂回状に区画されてお
り,壁80bと壁80cとの間に位置する底部には,周
方向に適宜の間隔をおいてドレン孔80dが設けられて
いる。なお,壁80b及び壁80cは例えばドレンカッ
プ80内に入り込んだ気体状のミスト等が壁80bや壁
80cに衝突することで液化する慣性衝突による気液分
離作用を意図して設けられている。
On the other hand, a hollow ring-shaped drain cup 80 is disposed around the rotary cup 55 to receive the waste discharged from the rotary cup 55. An annular passage 80a is provided inside the drain cup 80. The annular passage 80a is detoured by a wall 80b rising from the bottom of the drain cup 80 and a wall 80c hanging from the ceiling of the drain cup 80, and a bottom portion located between the wall 80b and the wall 80c. Are provided with drain holes 80d at appropriate intervals in the circumferential direction. The walls 80b and 80c are provided for the purpose of gas-liquid separation by inertial collision in which gas mist or the like entering the drain cup 80 collides with the walls 80b and 80c to liquefy.

【0036】また環状通路80aの外周壁の適宜箇所
(例えば周方向の4箇所)には,排気装置(図示せず)
に接続する排気口81が設けられている。従って,LC
D基板Gの回転処理時に発生したミストは,排気口76
を通ってドレンカップ80に流れて行き,環状通路80
aを通って排気口81から外部に排出されるように構成
されている。
An exhaust device (not shown) is provided at an appropriate location (for example, four locations in the circumferential direction) on the outer peripheral wall of the annular passage 80a.
Is provided with an exhaust port 81 connected to the exhaust port 81. Therefore, LC
Mist generated during the rotation processing of the D substrate G
Flows into the drain cup 80 through the annular passage 80
It is configured to be exhausted to the outside from the exhaust port 81 through a.

【0037】そして,塗布膜形成装置22には図4に示
すように,LCD基板Gに対してレジスト液等の処理液
を供給する処理液供給機構が備えられている。この処理
液供給機構90は図5及び図6に示すように,LCD基
板Gに対してレジスト液の溶剤(以下,「溶剤」とい
う。)Aを供給する溶剤供給ノズル91と,レジスト液
Bを供給するレジスト液供給ノズル92とを備えてい
る。
The coating film forming apparatus 22 is provided with a processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid such as a resist liquid to the LCD substrate G, as shown in FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, the processing liquid supply mechanism 90 supplies a solvent supply nozzle 91 for supplying a solvent (hereinafter, referred to as a “solvent”) A of the resist liquid to the LCD substrate G, And a resist liquid supply nozzle 92 for supplying.

【0038】溶剤供給ノズル91とレジスト液供給ノズ
ル92とは共に回動機構105と接続した回動アーム1
06に取り付けられている。そして回動機構105の駆
動によって回動アーム106は,待機位置とLCD基板
Gの上方位置との間を図4の往復矢印で示したθ方向に
回動自在となるように構成されている。
The solvent supply nozzle 91 and the resist solution supply nozzle 92 are both connected to the rotation arm 105 connected to the rotation mechanism 105.
06. The rotation of the rotation arm 105 by driving the rotation mechanism 105 allows the rotation arm 106 to rotate freely in the θ direction indicated by the reciprocating arrow in FIG. 4 between the standby position and the position above the LCD substrate G.

【0039】溶剤供給ノズル91は,内部に溶剤Aが流
れる溶剤供給チューブ95と接続しており,溶剤供給チ
ューブ95は開閉バルブ96を介して溶剤供給タンク9
7と接続している。そして溶剤供給タンク97には供給
管98を介して気体供給源(図示せず)が接続されてお
り,溶剤供給タンク97内に搬送ガスが供給されるよう
に構成されている。そして溶剤供給タンク97内に供給
する搬送ガスの圧力を適宜の圧力手段(図示せず)によ
って変化させることにより,LCD基板Gに対して供給
する溶剤Aの量を制御することができるように構成され
ている。
The solvent supply nozzle 91 is connected to a solvent supply tube 95 through which the solvent A flows, and the solvent supply tube 95 is connected to the solvent supply tank 9 via an opening / closing valve 96.
7 is connected. A gas supply source (not shown) is connected to the solvent supply tank 97 via a supply pipe 98, so that a carrier gas is supplied into the solvent supply tank 97. By changing the pressure of the carrier gas supplied into the solvent supply tank 97 by an appropriate pressure means (not shown), the amount of the solvent A supplied to the LCD substrate G can be controlled. Have been.

【0040】また,レジスト液供給ノズル92も溶剤供
給ノズル91とほぼ同様に構成されている。即ち,レジ
スト液供給ノズル92は内部にレジスト液Bが流れるレ
ジスト液供給チューブ99と接続しており,レジスト液
供給チューブ99は開閉バルブ100を介してレジスト
液タンク101と接続している。そしてレジスト液タン
ク101には供給管102を介して気体供給源(図示せ
ず)が接続されており,例えば窒素ガス等の搬送ガスが
レジスト液タンク101内部に供給されるように構成さ
れている。また,レジスト液タンク101内に供給され
る搬送ガスの圧力を適宜の圧力手段(図示せず)によっ
て制御することによって,LCD基板Gに供給されるレ
ジスト液Bの量を制御することができるように構成され
ている。
The resist liquid supply nozzle 92 has substantially the same configuration as the solvent supply nozzle 91. That is, the resist solution supply nozzle 92 is connected to a resist solution supply tube 99 in which the resist solution B flows, and the resist solution supply tube 99 is connected to the resist solution tank 101 via the opening / closing valve 100. A gas supply source (not shown) is connected to the resist liquid tank 101 through a supply pipe 102, and is configured such that a carrier gas such as a nitrogen gas is supplied into the resist liquid tank 101. . Further, by controlling the pressure of the carrier gas supplied into the resist liquid tank 101 by an appropriate pressure means (not shown), the amount of the resist liquid B supplied to the LCD substrate G can be controlled. Is configured.

【0041】そして,溶剤供給チューブ95内を流れる
溶剤Aとレジスト液供給チューブ99内を流れるレジス
ト液Bは,温度調整機構110によって所定温度に設定
される。即ち,この温度調整機構110には図5に示す
ように,溶剤供給チューブ95及びレジスト液供給チュ
ーブ99の外周をそれぞれ包囲するように形成された温
度調整液供給路111が各々設けられている。この温度
調整液供給路111の両端部には溶剤A,レジスト液B
をそれぞれ循環させるための循環路112が備えられて
いる。循環路112には温度調整液Cを循環させるため
の循環ポンプ113と温度調整液Cを一定温度に維持す
るためのサーモモジュール114とがそれぞれ介装され
ている。
The temperature of the solvent A flowing in the solvent supply tube 95 and the temperature of the resist solution B flowing in the resist solution supply tube 99 are set to predetermined temperatures by the temperature adjusting mechanism 110. That is, as shown in FIG. 5, the temperature control mechanism 110 is provided with temperature control liquid supply paths 111 formed so as to surround the solvent supply tube 95 and the resist liquid supply tube 99 respectively. A solvent A and a resist solution B are provided at both ends of the temperature adjusting liquid supply path 111.
Are circulated for respectively circulating. The circulation path 112 is provided with a circulation pump 113 for circulating the temperature adjustment liquid C and a thermo module 114 for maintaining the temperature adjustment liquid C at a constant temperature.

【0042】なお,溶剤供給チューブ95及びレジスト
液供給チューブ99は各温度調整液供給路111によっ
て先端部付近まで包囲されている。従って,溶剤Aまた
はレジスト液Bを例えば23℃の好適な温度に設定し
て,LCD基板Gに供給することができるように構成さ
れている。
Note that the solvent supply tube 95 and the resist solution supply tube 99 are surrounded by the respective temperature control solution supply passages 111 to the vicinity of the distal end. Therefore, the configuration is such that the solvent A or the resist solution B can be supplied to the LCD substrate G at a suitable temperature of, for example, 23 ° C.

【0043】本発明の実施の形態に係るレジスト膜の形
成方法を行うための塗布膜形成装置は以上のように構成
されている。次に,塗布膜形成装置を使用したレジスト
膜形成方法の作用効果について説明する。
The coating film forming apparatus for performing the method of forming a resist film according to the embodiment of the present invention is configured as described above. Next, the operation and effect of the resist film forming method using the coating film forming apparatus will be described.

【0044】第1処理部3のアドヒージョン装置18に
よって疎水化処理が施され,冷却処理装置19によって
冷却処理されたLCD基板Gは,その後第2処理部5に
搬送され,メイン搬送アーム25によって塗布膜形成装
置22に搬入される。その後塗布膜形成装置22内に搬
入されたLCD基板Gはスピンチャック32に真空吸着
されると共に,当該スピンチャック32の回転によって
例えば200rpmの第1の回転数で回転する。なお,
LCD基板Gの回転時に処理室56内で発生するミスト
はドレンカップ80に流れ,ドレンカップ80に備えら
れた排気口81から外部に排気される。そのため,回転
カップ55の上部側は舞い上がったミストによって汚染
されることがない。
The LCD substrate G, which has been subjected to the hydrophobic treatment by the adhesion device 18 of the first processing unit 3 and has been cooled by the cooling processing unit 19, is then transferred to the second processing unit 5 and coated by the main transfer arm 25. It is carried into the film forming apparatus 22. Thereafter, the LCD substrate G carried into the coating film forming apparatus 22 is vacuum-sucked to the spin chuck 32 and rotated at a first rotation speed of, for example, 200 rpm by the rotation of the spin chuck 32. In addition,
Mist generated in the processing chamber 56 when the LCD substrate G is rotated flows into the drain cup 80 and is exhausted to the outside through an exhaust port 81 provided in the drain cup 80. Therefore, the upper side of the rotating cup 55 is not contaminated by the mist that has risen.

【0045】またLCD基板Gが塗布膜形成装置22に
搬送されてから第1の回転数で回転するまでの間に,回
動機構105の稼働によって待機位置にあった回動アー
ム106がLCD基板Gの中心部上方の動作位置まで回
動する。次いで,回動アーム106に備えられた溶剤供
給ノズル91から温度調整機構110によって所定温度
に設定された溶剤Aが,200rpmの第1の回転数で
回転しているLCD基板G上に例えば2秒間供給され
る。
During the period from when the LCD substrate G is conveyed to the coating film forming apparatus 22 to when the LCD substrate G is rotated at the first rotation speed, the rotating arm 106 which has been in the standby position by the operation of the rotating mechanism 105 is moved. It rotates to the operating position above the center of G. Next, the solvent A set at a predetermined temperature by the temperature adjusting mechanism 110 from the solvent supply nozzle 91 provided on the rotating arm 106 is applied onto the LCD substrate G rotating at the first rotation speed of 200 rpm for, for example, 2 seconds. Supplied.

【0046】この時,LCD基板Gに溶剤供給ノズル9
1から供給される溶剤Aは,図7に示すようにLCD基
板Gの中心点Qからずれた位置にある点Pに供給され
る。この点Pは,例えばスピンチャック32のほぼ外周
付近に相当する位置であり,この点Pに溶剤Aが供給さ
れると,図7の斜線部分に示すように,溶剤Aは中心点
Qを中心として,半径PQの円の外に向かって放射状に
拡散する。そのため,LCD基板Gの中心部には溶剤A
が供給されない状態となっている。
At this time, the solvent supply nozzle 9 is
The solvent A supplied from 1 is supplied to a point P at a position shifted from the center point Q of the LCD substrate G as shown in FIG. This point P is, for example, a position substantially corresponding to the vicinity of the outer periphery of the spin chuck 32. When the solvent A is supplied to this point P, as shown by the hatched portion in FIG. And diffuses radially outward of the circle having the radius PQ. Therefore, the solvent A is located at the center of the LCD substrate G.
Is not supplied.

【0047】次いで,LCD基板Gに供給した溶剤Aを
低減させるために,このLCD基板Gを例えば600r
pmの回転数で3秒間回転させる。その後,駆動モータ
51の駆動を停止してスピンチャック32と回転カップ
55の回転を停止し,LCD基板Gをスピンチャック3
2上で停止させる。
Next, in order to reduce the amount of the solvent A supplied to the LCD substrate G, the LCD substrate G is
Spin for 3 seconds at rpm. Thereafter, the drive of the drive motor 51 is stopped to stop the rotation of the spin chuck 32 and the rotation cup 55, and the LCD substrate G is moved to the spin chuck 3
Stop on 2.

【0048】その後,このLCD基板G上にレジスト液
供給ノズル92から所定温度に設定されたレジスト液B
を供給する。この時,LCD基板Gに供給するレジスト
液Bは図8に示すように,LCD基板Gの中心である中
心点Qに供給する。なお,LCD基板Gに供給するレジ
スト液Bの供給量及び供給時間は,例えば14cc,3
秒に夫々設定する。
Thereafter, a resist solution B set at a predetermined temperature is supplied from the resist solution supply nozzle 92 onto the LCD substrate G.
Supply. At this time, the resist solution B supplied to the LCD substrate G is supplied to a center point Q which is the center of the LCD substrate G as shown in FIG. The supply amount and the supply time of the resist solution B supplied to the LCD substrate G are, for example, 14 cc, 3
Set each to seconds.

【0049】LCD基板Gにレジスト液Bの供給が終了
した後は,回動機構105の稼働によって回動アーム1
06が動作位置から退避して待機位置まで戻る。その
後,図3に示すように支持部73の下側にロボットアー
ム75を挿入し,支持部73の係止溝73aにロボット
アーム75から突出する係止ピン(図示せず)を係合さ
せる。その後ロボットアーム75を下降させて,回転カ
ップ55の開口部55aを蓋体71で閉鎖する。
After the supply of the resist solution B to the LCD substrate G is completed, the rotating arm 105 is operated by operating the rotating mechanism 105.
06 retreats from the operating position and returns to the standby position. Thereafter, as shown in FIG. 3, the robot arm 75 is inserted below the support portion 73, and a locking pin (not shown) projecting from the robot arm 75 is engaged with the locking groove 73a of the support portion 73. Thereafter, the robot arm 75 is lowered, and the opening 55 a of the rotating cup 55 is closed with the lid 71.

【0050】回転カップ55の開口部55aを蓋体71
で閉鎖した後,スピンチャック32及び回転カップ55
を上記の第1の回転数よりも速い第2の回転数で回転さ
せる。LCD基板Gを第2の回転数で回転させることに
よって,LCD基板G上に供給されたレジスト液Bを拡
散させて,このLCD基板G上に形成されるレジスト膜
の膜厚を整える。以上のプロセスを図9のフローチャー
トに示した。
The opening 55a of the rotating cup 55 is
After closing with the spin chuck 32 and the rotating cup 55
Are rotated at a second rotation speed higher than the first rotation speed. By rotating the LCD substrate G at the second rotation speed, the resist liquid B supplied on the LCD substrate G is diffused, and the thickness of the resist film formed on the LCD substrate G is adjusted. The above process is shown in the flowchart of FIG.

【0051】このように本実施の形態によれば,LCD
基板Gにレジスト液Bを供給する際にはLCD基板Gの
回転が停止している。従って,レジスト液Bが回転カッ
プ55の外部や周囲に飛散しない。そのため,飛散した
レジスト液Bによるパーティクルの発生を防止すること
が可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the LCD
When the resist solution B is supplied to the substrate G, the rotation of the LCD substrate G is stopped. Therefore, the resist liquid B does not scatter outside or around the rotating cup 55. Therefore, generation of particles due to the scattered resist liquid B can be prevented.

【0052】また,LCD基板Gに対して溶剤Aを供給
した後にレジスト液Bを供給するために,レジスト液B
がLCD基板Gの周辺部の角部にまで行き渡る。従っ
て,LCD基板G上に均一なレジスト膜を形成すること
が可能となる。そして,LCD基板G上の溶剤Aを低減
させた後にレジスト液Bを供給することにより,溶剤A
を低減させない場合よりも,レジスト液BとLCD基板
Gとの密着性が低くならず飛散するレジスト液Bの量を
減らすことが可能となる。
In order to supply the resist solution B after supplying the solvent A to the LCD substrate G, the resist solution B
Extends to the corners of the peripheral portion of the LCD substrate G. Therefore, it is possible to form a uniform resist film on the LCD substrate G. Then, the resist solution B is supplied after the solvent A on the LCD substrate G is reduced, so that the solvent A
In this case, the adhesiveness between the resist solution B and the LCD substrate G is not reduced and the amount of the scattered resist solution B can be reduced as compared with the case where the amount of the resist solution B is not reduced.

【0053】そして,レジスト液Bの飛散を抑えるため
に,LCD基板G上に供給されたレジスト液Bは従来よ
りも効率よくレジスト膜の形成に寄与するようになるた
め,レジスト塗布処理に必要となるレジスト液Bの量を
節約することが可能となる。
In order to suppress the scattering of the resist solution B, the resist solution B supplied on the LCD substrate G contributes to the formation of a resist film more efficiently than in the conventional case. It is possible to save the amount of the resist solution B.

【0054】また,溶剤AはLCD基板Gの中心からず
れた点Pに供給され,LCD基板Gの中心には溶剤Aが
供給されない。従って,溶剤AをLCD基板Gの中心に
供給しない分だけ,溶剤Aの使用量を少なくすることが
可能となる。
The solvent A is supplied to a point P shifted from the center of the LCD substrate G, and the solvent A is not supplied to the center of the LCD substrate G. Accordingly, the amount of the solvent A used can be reduced by the amount that the solvent A is not supplied to the center of the LCD substrate G.

【0055】以上のようにして所定の厚さのレジスト膜
がLCD基板G上に形成された後には,スピンチャック
32と回転カップ55の回転を共に停止させて,回転カ
ップ55の開口部55aを閉鎖していた蓋体71を開放
する。この際,回転カップ55の処理室56内では蓋体
71の給気孔72から導入された空気が排気口76から
排気されるために,処理室56内が必要以上の負圧にな
らず,蓋体71を開放するときに大きな力を要しない。
従って,蓋体71を容易に開放することができる。
After the resist film having a predetermined thickness is formed on the LCD substrate G as described above, the rotation of the spin chuck 32 and the rotation cup 55 are both stopped, and the opening 55a of the rotation cup 55 is closed. The closed lid 71 is opened. At this time, in the processing chamber 56 of the rotating cup 55, the air introduced from the air supply hole 72 of the lid 71 is exhausted from the exhaust port 76. When opening the body 71, no great force is required.
Therefore, the lid 71 can be easily opened.

【0056】そして,上記LCD基板Gを引き続き周縁
部除去装置23に搬送する。この周縁部除去装置23に
おいてLCD基板Gの周辺の不要なレジスト膜を除去し
た後に,メイン搬送アーム25によって加熱処理装置3
0へと搬送する。
Then, the LCD substrate G is transported to the peripheral edge removing device 23 continuously. After the unnecessary resist film around the LCD substrate G is removed by the peripheral edge removing device 23, the heat treatment device 3 is removed by the main transfer arm 25.
Transport to zero.

【0057】なお,本実施の形態ではLCD基板Gに対
して先ず溶剤Aを供給した後にレジスト液Bを供給する
例を挙げて説明したが,本発明はかかる例には限定され
ず,溶剤Aとレジスト液Bとを同時にLCD基板Gに対
して供給することも可能である。
In the present embodiment, an example has been described in which the solvent A is first supplied to the LCD substrate G, and then the resist solution B is supplied. However, the present invention is not limited to this example, and the solvent A And the resist solution B can be simultaneously supplied to the LCD substrate G.

【0058】即ち,回転が停止したLCD基板Gに対し
て,溶剤AをLCD基板G上の点Pに供給すると共に,
レジスト液BをLCD基板Gの点Qに各々同時に供給す
る。そして,溶剤Aとレジスト液Bとの供給が終了した
後に,蓋体71を閉鎖し,その後このLCD基板Gを回
転させるようにしてもよい。
That is, for the LCD substrate G whose rotation has been stopped, the solvent A is supplied to a point P on the LCD substrate G,
The resist solution B is simultaneously supplied to the point Q on the LCD substrate G, respectively. Then, after the supply of the solvent A and the resist liquid B is completed, the lid 71 may be closed, and then the LCD substrate G may be rotated.

【0059】かかる方法によれば,溶剤Aとレジスト液
Bとを同時にLCD基板Gに対して供給するために,溶
剤Aとレジスト液Bとを別々に供給する場合よりも処理
時間を短縮することができる。このため,スループット
の向上を図ることが可能となる。
According to this method, since the solvent A and the resist solution B are simultaneously supplied to the LCD substrate G, the processing time is shortened compared to the case where the solvent A and the resist solution B are separately supplied. Can be. Therefore, it is possible to improve the throughput.

【0060】またこの方法によれば,溶剤Aとレジスト
液BとをLCD基板Gに対して同時に供給した後,LC
D基板Gを回転させている。そのため,レジスト液Bを
LCD基板Gの周辺部の角部にまで均一に拡散させるこ
とができ,レジスト膜を均一な厚さでLCD基板G上に
形成することが可能となる。
According to this method, after the solvent A and the resist solution B are simultaneously supplied to the LCD substrate G,
The D substrate G is being rotated. Therefore, the resist liquid B can be uniformly diffused to the peripheral corners of the LCD substrate G, and the resist film can be formed on the LCD substrate G with a uniform thickness.

【0061】さらに,回転の停止したLCD基板Gに対
して溶剤Aとレジスト液Bとを供給するために,溶剤A
とレジスト液Bの供給時における外部への飛散を抑える
ことができる。また,蓋体71を閉鎖した後にLCD基
板Gを回転させるために,LCD基板G上のレジスト液
Bは回転カップ55の外部や周囲に飛散せず,汚染を防
止することが可能となる。
Further, in order to supply the solvent A and the resist solution B to the LCD substrate G whose rotation has been stopped, the solvent A
And scattering of the resist solution B to the outside when the resist solution B is supplied. In addition, since the LCD substrate G is rotated after the lid 71 is closed, the resist solution B on the LCD substrate G does not scatter to the outside or the periphery of the rotating cup 55, so that contamination can be prevented.

【0062】なお,本実施の形態では溶剤Aをスピンチ
ャック32のほぼ外周付近に相当する点Pに供給すると
説明したが,本発明は係る例には限定されない。即ち,
溶剤Aを低減させる工程においてLCD基板の回転数や
その回転時間を変化させれば,上記点Pよりも外側の位
置に溶剤Aを供給することもできる。その際,溶剤Aを
LCD基板Gの内接円よりも内側に供給するようにすれ
ば,LCD基板Gに対して供給する溶剤Aのロスを抑え
ることが可能となる。
In this embodiment, the solvent A is supplied to the point P corresponding to the vicinity of the outer periphery of the spin chuck 32, but the present invention is not limited to this example. That is,
If the number of rotations and the rotation time of the LCD substrate are changed in the step of reducing the solvent A, the solvent A can be supplied to a position outside the point P. At this time, if the solvent A is supplied inside the inscribed circle of the LCD substrate G, the loss of the solvent A supplied to the LCD substrate G can be suppressed.

【0063】また,レジスト液BをLCD基板Gに供給
するためにレジスト液供給ノズル92を例に挙げて説明
したが,これに代えて図10に示すようなE2ノズル1
15を使用することも可能である。
Further, the resist liquid supply nozzle 92 for supplying the resist liquid B to the LCD substrate G has been described as an example, but the E2 nozzle 1 shown in FIG.
It is also possible to use 15.

【0064】さらに,本実施の形態では溶剤供給ノズル
91からLCD基板Gの中心からずれた点Pに対して溶
剤Aを供給する例を挙げて説明したが,これに限らず例
えば,図11に示す溶剤供給ノズル116を使用して,
LCD基板Gに溶剤Aを供給することも提案できる。
Further, in the present embodiment, an example has been described in which the solvent A is supplied from the solvent supply nozzle 91 to the point P shifted from the center of the LCD substrate G. However, the present invention is not limited to this. For example, FIG. Using the solvent supply nozzle 116 shown,
It can be proposed to supply the solvent A to the LCD substrate G.

【0065】この溶剤供給ノズル116は平面が環状に
形成されていると共に,下面に形成された溶剤吐出口1
17が環状に配置されている。従って,この溶剤吐出口
117から吐出された溶剤AをLCD基板Gに対して環
状に供給することができる。かかる溶剤供給ノズル11
6を使用すれば図12の斜線で示すように,LCD基板
Gの中心である点Qを中心として環状に溶剤Aを供給す
ることが可能となる。
The solvent supply nozzle 116 has an annular flat surface and a solvent discharge port 1 formed on the lower surface.
17 are arranged annularly. Therefore, the solvent A discharged from the solvent discharge port 117 can be supplied annularly to the LCD substrate G. Such a solvent supply nozzle 11
When using No. 6, the solvent A can be supplied annularly around the point Q, which is the center of the LCD substrate G, as shown by oblique lines in FIG.

【0066】さらに,この溶剤供給ノズル116の下面
の中央部にレジスト液Bを吐出させるレジスト液吐出口
(図示せず)を設ければ,LCD基板Gに対する溶剤A
の供給と同時に,レジスト液Bも供給することが可能と
なる。
Further, if a resist solution discharge port (not shown) for discharging the resist solution B is provided at the center of the lower surface of the solvent supply nozzle 116, the solvent A for the LCD substrate G can be formed.
At the same time as the supply of the resist solution B.

【0067】また,その他従動プーリ50aと従動プー
リ66bの大きさを変えてスピンチャック32の回転速
度と回転カップ55の回転速度とを適宜に変えるように
してもよい。さらに,LCD基板を用いた例を挙げて説
明したが,本発明は係る例には限定されず,半導体ウェ
ハに対して処理する場合においても適用が可能である。
In addition, the rotation speed of the spin chuck 32 and the rotation speed of the rotating cup 55 may be appropriately changed by changing the size of the driven pulley 50a and the driven pulley 66b. Furthermore, although an example using an LCD substrate has been described, the present invention is not limited to this example, and can be applied to a case where processing is performed on a semiconductor wafer.

【0068】[0068]

【発明の効果】請求項1〜10に記載の発明によれば,
基板に対して処理液の溶剤を塗布した後で処理液がその
上を拡散するので,基板の周辺部にまで処理液を均一に
拡散させることができ,基板上に処理液による均一な厚
さの膜を形成することが可能となる。また,処理液を基
板上に供給する際には基板の回転を停止して行うため,
基板上からの処理液の飛散を抑制することが可能とな
る。その結果,外部に対する汚染を防止することが可能
となる。また,処理液の溶剤を基板中心からずらして供
給するために,処理液の溶剤が従来よりも少量で済む。
According to the first to tenth aspects of the present invention,
After the solvent of the processing liquid is applied to the substrate, the processing liquid diffuses over it, so the processing liquid can be evenly diffused to the periphery of the substrate, and the uniform thickness of the processing liquid on the substrate Can be formed. In addition, when the processing liquid is supplied onto the substrate, the rotation of the substrate is stopped.
It is possible to suppress scattering of the processing liquid from above the substrate. As a result, external contamination can be prevented. In addition, since the solvent of the processing liquid is supplied while being shifted from the center of the substrate, the amount of the solvent of the processing liquid is smaller than in the conventional case.

【0069】このうち請求項2,4に記載の発明では,
基板上の処理液の溶剤を減少させてから処理液を供給す
るために,基板に対して処理液を好適に塗布することが
できる。
According to the second and fourth aspects of the present invention,
In order to supply the processing liquid after reducing the solvent of the processing liquid on the substrate, the processing liquid can be suitably applied to the substrate.

【0070】また請求項3,4,8に記載の発明では,
停止した基板上に処理液を供給すると共に,基板を回転
させて処理液を拡散させるときには蓋体が閉鎖している
ため,処理液が処理装置外部に飛散して汚染することが
ない。そのため,歩留まりの低下を抑えることが可能と
なる。
According to the third, fourth, and eighth aspects of the present invention,
When the processing liquid is supplied onto the stopped substrate and the processing liquid is diffused by rotating the substrate, the processing liquid does not scatter outside the processing apparatus and is not contaminated because the lid is closed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in yield.

【0071】さらに,請求項7〜10に記載の発明で
は,処理液及び処理液の溶剤を基板に対して同時に供給
するために,処理液及び処理液の溶剤を別々に基板に対
して供給する場合よりも,スループットの向上を図るこ
とが可能となる。
Further, according to the present invention, in order to simultaneously supply the processing liquid and the solvent of the processing liquid to the substrate, the processing liquid and the solvent of the processing liquid are separately supplied to the substrate. It is possible to improve the throughput as compared with the case.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態に係るレジスト膜の形成方法を行う
塗布膜形成装置を備えた塗布現像処理装置の概観を示す
斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an overview of a coating and developing apparatus provided with a coating film forming apparatus for performing a method of forming a resist film according to an embodiment.

【図2】実施の形態に係るレジスト膜の形成方法を行う
塗布膜形成装置の内部の構成を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an internal configuration of a coating film forming apparatus that performs a method of forming a resist film according to an embodiment.

【図3】図2の塗布膜形成装置の回転カップと蓋体との
構成を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view showing a configuration of a rotating cup and a lid of the coating film forming apparatus of FIG. 2;

【図4】図2の塗布膜形成装置の配置を示す平面からの
説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view from a plane showing an arrangement of the coating film forming apparatus of FIG. 2;

【図5】図2の塗布膜形成装置の溶剤供給ノズルとレジ
スト液供給ノズルとの構成を示す説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a configuration of a solvent supply nozzle and a resist liquid supply nozzle of the coating film forming apparatus of FIG. 2;

【図6】図2の塗布膜形成装置がLCD基板に溶剤とレ
ジスト液とを供給する様子を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing how the coating film forming apparatus of FIG. 2 supplies a solvent and a resist solution to an LCD substrate.

【図7】図5の溶剤供給ノズルからLCD基板に溶剤が
供給された様子を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a state in which a solvent is supplied from a solvent supply nozzle of FIG. 5 to an LCD substrate.

【図8】図5のレジスト液供給ノズルから図7のLCD
基板にレジスト液が供給された様子を示す説明図であ
る。
FIG. 8 is a view showing the liquid crystal display shown in FIG.
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a state in which a resist solution is supplied to a substrate.

【図9】実施の形態に係るレジスト膜の形成方法を説明
するためのフローチャートである。
FIG. 9 is a flowchart for explaining a method of forming a resist film according to the embodiment.

【図10】図5のレジスト液供給ノズルの変更例の説明
図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram of a modified example of the resist liquid supply nozzle of FIG. 5;

【図11】LCD基板に溶剤を環状に供給可能な溶剤供
給ノズルを示す拡大断面図である。
FIG. 11 is an enlarged sectional view showing a solvent supply nozzle capable of supplying a solvent to the LCD substrate in a ring shape.

【図12】図11の溶剤供給ノズルによってLCD基板
上に溶剤が供給された様子を示す説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a state where a solvent is supplied onto an LCD substrate by the solvent supply nozzle of FIG. 11;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 塗布現像処理装置 22 塗布膜形成装置 32 スピンチャック 55 回転カップ 71 蓋体 90 処理液供給機構 91 溶剤供給ノズル 92 レジスト液供給ノズル A 溶剤 B レジスト液 C 温度調整液 G LCD基板 REFERENCE SIGNS LIST 1 coating / developing apparatus 22 coating film forming apparatus 32 spin chuck 55 rotating cup 71 lid 90 processing liquid supply mechanism 91 solvent supply nozzle 92 resist liquid supply nozzle A solvent B resist liquid C temperature control liquid G LCD substrate

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に処理液を供給し,当該基板の回
転によって前記処理液を拡散させて,この処理液の膜を
基板上に形成する方法において,前記処理液の溶剤を基
板中心からずれた位置に供給し,当該基板を回転させて
当該溶剤を基板上に拡散させる工程と,その後,基板を
停止させた状態で処理液を基板中心に供給する工程と,
その後,基板を回転させて処理液を基板上に拡散させる
工程とを有することを特徴とする,膜形成方法。
In a method of supplying a processing liquid onto a substrate, diffusing the processing liquid by rotating the substrate, and forming a film of the processing liquid on the substrate, a solvent of the processing liquid is supplied from the center of the substrate. Supplying the solvent to the shifted position, rotating the substrate to diffuse the solvent onto the substrate, and then supplying the processing liquid to the center of the substrate while the substrate is stopped,
And thereafter rotating the substrate to diffuse the treatment liquid onto the substrate.
【請求項2】 基板上に処理液を供給し,当該基板の回
転によって前記処理液を拡散させて,この処理液の膜を
基板上に形成する方法において,前記処理液の溶剤を基
板中心からずれた位置に供給し,当該基板を回転させて
当該溶剤を基板上に拡散させる工程と,その後,基板上
の溶剤の量を減少させる工程と,その後,基板を停止さ
せた状態で処理液を基板中心に供給する工程と,その
後,基板を回転させて処理液を基板上に拡散させる工程
とを有することを特徴とする,膜形成方法。
2. A method of supplying a processing liquid onto a substrate, diffusing the processing liquid by rotating the substrate, and forming a film of the processing liquid on the substrate, wherein a solvent of the processing liquid is removed from the center of the substrate. Supplying the solvent to a displaced position, rotating the substrate and diffusing the solvent onto the substrate, reducing the amount of the solvent on the substrate, and then removing the processing liquid while the substrate is stopped. A method for forming a film, comprising: a step of supplying to a center of a substrate; and thereafter, a step of rotating the substrate to diffuse a processing liquid onto the substrate.
【請求項3】 基板を回転させる回転載置台と,該回転
載置台を収容しかつ前記基板が通過自在な形態の開口部
を上面に有する処理容器と,該開口部を閉鎖自在な蓋体
とを備えた膜形成装置を用いて,処理液の膜を基板上に
形成する方法において,前記蓋体を開放した状態で,基
板中心からずれた位置に処理液の溶剤を供給し,当該基
板を回転させて当該溶剤を基板上に拡散させる工程と,
その後,基板を停止させた状態で処理液を基板中心に供
給する工程と,その後,蓋体を閉鎖した状態で基板を回
転させ,処理液を基板上に拡散させる工程とを有するこ
とを特徴とする,膜形成方法。
3. A rotary mounting table for rotating a substrate, a processing container accommodating the rotary mounting table and having an opening on a top surface through which the substrate can pass, and a lid capable of closing the opening. In a method of forming a film of a processing liquid on a substrate using a film forming apparatus provided with the method, a solvent of the processing liquid is supplied to a position deviated from the center of the substrate while the lid is opened, and the substrate is removed. Rotating to diffuse the solvent onto the substrate;
Thereafter, a step of supplying the processing liquid to the center of the substrate with the substrate stopped, and thereafter, a step of rotating the substrate with the lid closed to diffuse the processing liquid onto the substrate. A film forming method.
【請求項4】 基板を回転させる回転載置台と,該回転
載置台を収容しかつ前記基板が通過自在な形態の開口部
を上面に有する処理容器と,該開口部を閉鎖自在な蓋体
とを備えた膜形成装置を用いて,処理液の膜を基板上に
形成する方法において,前記蓋体を開放した状態で,基
板中心からずれた位置に処理液の溶剤を供給し,当該基
板を回転させて当該溶剤を基板上に拡散させる工程と,
その後,基板上の溶剤の量を減少させる工程と,その
後,基板を停止させた状態で処理液を基板中心に供給す
る工程と,その後,蓋体を閉鎖した状態で基板を回転さ
せ,処理液を基板上に拡散させる工程とを有することを
特徴とする,膜形成方法。
4. A rotary mounting table for rotating a substrate, a processing container which accommodates the rotary mounting table and has on its upper surface an opening through which the substrate can pass, and a lid which can close the opening. In a method of forming a film of a processing liquid on a substrate using a film forming apparatus provided with the method, a solvent of the processing liquid is supplied to a position deviated from the center of the substrate while the lid is opened, and the substrate is removed. Rotating to diffuse the solvent onto the substrate;
Thereafter, a step of reducing the amount of the solvent on the substrate, a step of supplying the processing liquid to the center of the substrate while the substrate is stopped, and a step of rotating the substrate with the lid closed, and A step of diffusing the compound onto a substrate.
【請求項5】 処理液の溶剤は,基板中心を中心として
環状に供給することを特徴とする,請求項1,2,3ま
たは4に記載の膜形成方法。
5. The film forming method according to claim 1, wherein the solvent of the processing liquid is supplied annularly around the center of the substrate.
【請求項6】 処理液の溶剤は,基板の周縁部全体に供
給することを特徴とする,請求項1,2,3または4に
記載の膜形成方法。
6. The film forming method according to claim 1, wherein the solvent of the processing liquid is supplied to the entire peripheral portion of the substrate.
【請求項7】 基板上に処理液を供給し,当該基板の回
転によって前記処理液を拡散させて,この処理液の膜を
基板上に形成する方法において,前記処理液の溶剤を基
板中心からずれた位置に供給すると共に当該基板の中心
に処理液を供給する工程と,その後,当該基板を回転さ
せて前記処理液及び処理液の溶剤を基板上に拡散させる
工程とを有することを特徴とする,膜形成方法。
7. A method of supplying a processing liquid onto a substrate, diffusing the processing liquid by rotating the substrate, and forming a film of the processing liquid on the substrate, wherein a solvent of the processing liquid is removed from the center of the substrate. Supplying the processing liquid to the shifted position and supplying the processing liquid to the center of the substrate; and thereafter, rotating the substrate to diffuse the processing liquid and the solvent of the processing liquid onto the substrate. A film forming method.
【請求項8】 基板を回転させる回転載置台と,該回転
載置台を収容しかつ前記基板が通過自在な形態の開口部
を上面に有する処理容器と,該開口部を閉鎖自在な蓋体
とを備えた膜形成装置を用いて,処理液の膜を基板上に
形成する方法において,前記蓋体を開放した状態で,基
板中心からずれた位置に処理液の溶剤を供給すると共に
当該基板の中心に処理液を供給する工程と,その後,蓋
体を閉鎖した状態で基板を回転させ,処理液及び処理液
の溶剤を当該基板上に拡散させる工程とを有することを
特徴とする,膜形成方法。
8. A rotary mounting table for rotating a substrate, a processing container accommodating the rotary mounting table and having an opening on an upper surface through which the substrate can pass, and a lid capable of closing the opening. A method of forming a film of a processing liquid on a substrate using a film forming apparatus provided with the method, wherein a solvent of the processing liquid is supplied to a position deviated from the center of the substrate while the lid is opened, and Film formation, comprising the steps of: supplying a processing liquid to the center; and then rotating the substrate with the lid closed to diffuse the processing liquid and the solvent of the processing liquid onto the substrate. Method.
【請求項9】 処理液の溶剤は基板中心を中心として環
状に供給すると共に処理液は基板中心に供給することを
特徴とする,請求項7または8に記載の膜形成方法。
9. The film forming method according to claim 7, wherein the solvent of the processing liquid is supplied annularly around the center of the substrate, and the processing liquid is supplied to the center of the substrate.
【請求項10】 処理液の溶剤は基板の周辺部全体に供
給すると共に処理液は基板中心に供給することを特徴と
する,請求項7または8に記載の膜形成方法。
10. The film forming method according to claim 7, wherein the solvent of the processing liquid is supplied to the entire periphery of the substrate and the processing liquid is supplied to the center of the substrate.
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