JPH11145099A - Substrate treatment equipment - Google Patents

Substrate treatment equipment

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JPH11145099A
JPH11145099A JP30560697A JP30560697A JPH11145099A JP H11145099 A JPH11145099 A JP H11145099A JP 30560697 A JP30560697 A JP 30560697A JP 30560697 A JP30560697 A JP 30560697A JP H11145099 A JPH11145099 A JP H11145099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
processing liquid
liquid
tank
Prior art date
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Pending
Application number
JP30560697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP30560697A priority Critical patent/JPH11145099A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment equipment which enables uniform treatment even when consumption of treatment liquid is reduced. SOLUTION: In a closed chamber 10, a treatment bath 20 is arranged, in which treatment liquid is stored. A substrate W is held by a rotating stand 30 so as to be dipped in the treatment liquid in the treatment bath 20. The substrate W is rotated in the treatment liquid by a motor 32, and substrate cleaning treatment is performed. During the cleaning treatment, a liquid film exists always on the surface of the substrate W, so that nonuniform treatment due to an insufficient liquid film is not generated even when the supply amount of chemical liquid and pure water is reduced. Hence the supply amount of chemical liquid and pure water can be reduced as compared with the conventional case, and the consumption of chemical liquid and pure water can be reduced, so that cost reduction in the substrate treating process is enabled.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板、液
晶ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および光ディ
スク用基板などの薄板状基板(以下、単に「基板」と称
する)に対して処理液を使用しつつ所定の処理を行う基
板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses a processing liquid for a thin substrate (hereinafter simply referred to as "substrate") such as a semiconductor substrate, a liquid crystal glass substrate, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk. The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a predetermined process while performing a predetermined process.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、基板の製造工程においては、酸
やアルカリの薬液を使用した薬液洗浄処理および純水を
使用した純水洗浄処理が行われている。薬液および純水
(これらを総称して「処理液」という)を使用して基板
処理を行う処理装置には、基板を一枚ずつ処理する枚葉
式の処理装置と、複数の基板を同時に処理するバッチ式
の処理装置とがある。
2. Description of the Related Art Generally, in a process of manufacturing a substrate, a chemical cleaning treatment using an acid or alkali chemical and a pure water cleaning treatment using pure water are performed. A processing apparatus that performs substrate processing using chemical liquid and pure water (these are collectively referred to as “processing liquids”) includes a single-wafer processing apparatus that processes substrates one by one and a processing apparatus that simultaneously processes a plurality of substrates. There is a batch type processing device.

【0003】図11は、従来の枚葉式の基板洗浄装置を
説明する図である。基板Wはスピンベース105に立設
された基板保持部材107によって、その周端部を保持
されている。また、スピンベース105は回転軸106
を介して鉛直方向軸まわりに回転可能に構成されてい
る。
FIG. 11 is a view for explaining a conventional single wafer type substrate cleaning apparatus. The peripheral end of the substrate W is held by a substrate holding member 107 erected on the spin base 105. In addition, the spin base 105 is
And is rotatable about a vertical axis.

【0004】基板Wに薬液洗浄処理を施すときには、基
板Wを回転させつつ、薬液表面ノズル102および薬液
裏面ノズル104から薬液をそれぞれ基板Wの表面およ
び裏面に吐出して行う。なお、スピンベース105はそ
の中心部分から複数のアームが放射状に配置された形状
となっており、薬液裏面ノズル104から吐出された薬
液は、複数のアームの間隙を通過して基板Wの裏面に到
達する。
When performing a chemical cleaning process on the substrate W, a chemical solution is discharged from the chemical solution front nozzle 102 and the chemical solution rear nozzle 104 onto the front and back surfaces of the substrate W, respectively, while rotating the substrate W. The spin base 105 has a shape in which a plurality of arms are radially arranged from the center thereof, and the chemical discharged from the chemical back nozzle 104 passes through the gap between the plurality of arms to the back surface of the substrate W. To reach.

【0005】また、基板Wに純水洗浄処理を施すときに
は、基板Wを回転させつつ、純水表面ノズル101およ
び純水裏面ノズル103から純水をそれぞれ基板Wの表
面および裏面に吐出して行う。
When the substrate W is subjected to the pure water cleaning treatment, the pure water is discharged from the pure water front nozzle 101 and the pure water rear nozzle 103 onto the front surface and the rear surface of the substrate W while rotating the substrate W. .

【0006】薬液洗浄処理および純水洗浄処理が終了す
ると、基板Wは基板乾燥装置に搬送され、高速回転によ
る乾燥処理(スピンドライ)が行われる。
[0006] When the chemical cleaning process and the pure water cleaning process are completed, the substrate W is transported to a substrate drying apparatus, and a drying process (spin drying) by high-speed rotation is performed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の基板洗浄装置においては、基板上に薬液や純水を膜
状に供給する必要があり、薬液や純水の吐出量を抑制す
ると、液膜が不十分となり、処理が不均一になるという
問題を生じていた。
However, in the above-mentioned conventional substrate cleaning apparatus, it is necessary to supply a chemical solution or pure water on the substrate in a film form. Has been insufficient, and the processing has become non-uniform.

【0008】したがって、薬液や純水は液膜を形成する
のに十分な量を吐出する必要があり、薬液および純水の
消費量は著しく多くなっていた。
Therefore, it is necessary to discharge a sufficient amount of a chemical solution and pure water to form a liquid film, and the consumption of the chemical solution and pure water has been significantly increased.

【0009】また、薬液および純水による洗浄処理中
は、基板Wが高速回転されるため、基板Wまたはスピン
ベース105から遠心力によって振り切られた液滴は、
スピンベース105の周囲に配置されたカップ108に
飛散し、カップ108により跳ね返されて基板Wに再度
付着する。一旦、基板Wまたはスピンベース105から
振り切られた液滴には、パーティクルや種々の汚染物質
が含まれており、その液滴が基板Wに再度付着すると、
基板Wを汚染することとなる。基板の製造工程におい
て、基板の清浄度を維持することは重要であり、基板W
の汚染は基板Wから作製されるデバイスの歩留まり低下
の原因ともなり得る。
In addition, during the cleaning process using a chemical solution and pure water, the substrate W is rotated at a high speed, so that the droplets shaken off by centrifugal force from the substrate W or the spin base 105 are
The powder scatters on the cup 108 disposed around the spin base 105, is rebounded by the cup 108, and adheres to the substrate W again. The droplets once shaken off from the substrate W or the spin base 105 contain particles and various contaminants, and when the droplets adhere to the substrate W again,
The substrate W will be contaminated. In the manufacturing process of the substrate, it is important to maintain the cleanliness of the substrate.
Contamination may cause a reduction in the yield of devices manufactured from the substrate W.

【0010】また、従来の基板洗浄装置は、通常クリー
ンルーム内に配置されており、クリーンルームの雰囲気
をそのまま装置内に導入している。したがって、薬液洗
浄工程と純水洗浄工程の間は、基板Wがクリーンルーム
の雰囲気に曝されることとなる。さらに、基板Wが基板
洗浄装置から基板乾燥装置に搬送されるときにもクリー
ンルームの雰囲気に曝される。
A conventional substrate cleaning apparatus is usually arranged in a clean room, and the atmosphere of the clean room is directly introduced into the apparatus. Therefore, the substrate W is exposed to the atmosphere of the clean room between the chemical solution cleaning step and the pure water cleaning step. Further, when the substrate W is transferred from the substrate cleaning device to the substrate drying device, the substrate W is exposed to the atmosphere of the clean room.

【0011】一般にクリーンルーム内の雰囲気は温度お
よび湿度が調整されるとともにフィルタによってパーテ
ィクルが除去されているものの、依然としてある程度の
パーティクル、各種ガス、酸素および水蒸気などが含ま
れている。そして、基板Wがこのようなクリーンルーム
の雰囲気に曝されると、パーティクルの付着やガスの吸
着によって汚染されたり、不要な酸化によっていわゆる
ウォーターマークが発生することがあり、デバイスの歩
留まりが低下する原因となる。
In general, the atmosphere in a clean room is adjusted for temperature and humidity and particles are removed by a filter, but still contains some particles, various gases, oxygen and water vapor. When the substrate W is exposed to such a clean room atmosphere, contamination may be caused by adhesion of particles or adsorption of gas, or a so-called watermark may be generated by unnecessary oxidation, which may cause a reduction in device yield. Becomes

【0012】本発明は上記課題に鑑みてなされたもので
あり、処理液の消費量を低減しても均一な処理が行える
基板処理装置を提供することを第1の目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its first object to provide a substrate processing apparatus capable of performing uniform processing even when the consumption of the processing liquid is reduced.

【0013】また、本発明は、処理液による基板処理中
または処理後における基板の汚染を防止することができ
る基板処理装置を提供することを第2の目的とする。
It is a second object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of preventing contamination of a substrate during or after processing a substrate with a processing solution.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板に対して処理液を使用しつ
つ所定の処理を行う基板処理装置であって、(a) 前記処
理液を貯留する処理槽と、(b) 前記処理液を前記処理槽
に供給する処理液供給手段と、(c) 前記処理槽から前記
処理液を排出する処理液排出手段と、(d) 前記処理槽内
に配置され、前記処理槽に貯留された前記処理液内に前
記基板を保持する基板保持手段と、(e) 前記基板保持手
段によって前記基板が前記処理液内に保持された状態
で、前記基板保持手段を回転させる回転駆動手段と、を
備えている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate while using a processing solution, wherein (a) A processing tank that stores the liquid, (b) a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the processing tank, (c) a processing liquid discharge unit that discharges the processing liquid from the processing tank, (d) the processing liquid A substrate holding unit that is disposed in the processing tank and holds the substrate in the processing liquid stored in the processing tank; and (e) in a state where the substrate is held in the processing liquid by the substrate holding unit. Rotation driving means for rotating the substrate holding means.

【0015】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、(f)前記処理槽を収容す
る密閉チャンバ、をさらに備えている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, further comprising (f) a closed chamber for housing the processing tank.

【0016】また、請求項3の発明は、請求項2の発明
に係る基板処理装置において、(g)前記密閉チャンバ内
に前記処理液を乾燥させる有機溶剤の蒸気を供給する有
機溶剤蒸気供給手段、をさらに備えている。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, there is provided (g) an organic solvent vapor supply means for supplying an organic solvent vapor for drying the processing liquid into the closed chamber. , Is further provided.

【0017】また、請求項4の発明は、請求項2の発明
に係る基板処理装置において、(h)前記密閉チャンバ内
に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段、をさらに
備えている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, further comprising: (h) inert gas supply means for supplying an inert gas into the closed chamber.

【0018】また、請求項5の発明は、請求項1ないし
請求項4のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、(i) 前記処理液排出手段によって排出された前記処
理液を前記処理液供給手段に帰還させて再び前記処理槽
に供給する循環経路、をさらに備えている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects of the present invention, (i) the processing liquid discharged by the processing liquid discharging means is provided with the processing liquid. And a circulation path for returning to the supply means and supplying the treatment tank with the supply tank again.

【0019】また、請求項6の発明は、請求項1ないし
請求項5のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記回転駆動手段を前記処理槽よりも上方に配置し
ている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects of the present invention, the rotation driving means is disposed above the processing tank.

【0020】また、請求項7の発明は、請求項1ないし
請求項6のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記基板保持手段に、保持された前記基板の主面に
対向する面を有する基板保持板を含ませ、前記基板保持
板に、前記処理液供給手段から供給された前記処理液を
前記主面に吐出する吐出口を備えている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to sixth aspects, the surface of the substrate facing the main surface of the substrate held by the substrate holding means is provided. A discharge port for discharging the processing liquid supplied from the processing liquid supply means to the main surface.

【0021】また、請求項8の発明は、請求項1ないし
請求項5のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記回転駆動手段を前記処理槽よりも下方に配置
し、前記処理液供給手段に、前記回転駆動手段の回転軸
に固設された供給用羽根車を含ませ、前記処理液を、前
記供給用羽根車の回転によって前記処理槽に供給させて
いる。
According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, the rotation driving means is disposed below the processing tank to supply the processing liquid. The means includes a supply impeller fixed to a rotating shaft of the rotary drive means, and the processing liquid is supplied to the processing tank by rotation of the supply impeller.

【0022】また、請求項9の発明は、請求項1ないし
請求項5のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記回転駆動手段を前記処理槽よりも下方に配置
し、前記処理液排出手段に、前記回転駆動手段の回転軸
に固設された排出用羽根車を含ませ、前記処理槽内に貯
留されている前記処理液を、前記排出用羽根車の回転に
よって排出させている。
According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, the rotation driving means is disposed below the processing tank to discharge the processing liquid. The means includes a discharge impeller fixed to a rotating shaft of the rotary drive means, and the processing liquid stored in the processing tank is discharged by rotation of the discharge impeller.

【0023】また、請求項10の発明は、請求項1ない
し請求項5のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記処理液供給手段に、前記処理槽の上方に固定的
に設けられた供給用羽根車を含ませ、前記供給用羽根車
を介して前記処理液を前記処理槽に供給させている。
According to a tenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fifth aspects, the processing liquid supply means is fixedly provided above the processing tank. A supply impeller is included, and the processing liquid is supplied to the processing tank via the supply impeller.

【0024】また、請求項11の発明は、請求項1ない
し請求項10のいずれかの発明に係る基板処理装置にお
いて、前記処理槽内の前記処理液に超音波振動を付与す
る超音波振動子を前記処理槽に付設している。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to tenth aspects, an ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibration to the processing liquid in the processing tank. Is attached to the processing tank.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0026】<1.第1実施形態>図1は、本発明に係
る基板処理装置の一例を示す構成図である。この基板処
理装置は、基板Wに対して薬液および純水による洗浄処
理を行い、洗浄処理後はさらに乾燥処理をも行う機能を
有している。
<1. First Embodiment> FIG. 1 is a configuration diagram showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus has a function of performing a cleaning process on a substrate W with a chemical solution and pure water, and further performing a drying process after the cleaning process.

【0027】図1に示す第1実施形態の基板処理装置
は、密閉チャンバ10の内部に処理槽20を設けてお
り、処理液を貯留した処理槽20の内部において基板W
の洗浄処理が可能なように構成されている。そして、こ
の基板処理装置は、処理液を処理槽20に供給する処理
液供給機構、処理槽20から処理液を排出する処理液排
出機構、基板Wを処理液内に保持した状態で回転させる
回転駆動機構、密閉チャンバ10内にIPA蒸気(イソ
プロピルアルコール蒸気)や不活性ガスを供給するガス
供給機構などの種々の機構を備えている。
In the substrate processing apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1, a processing tank 20 is provided inside a closed chamber 10 and a substrate W is stored inside the processing tank 20 storing a processing liquid.
Is configured to be able to perform the cleaning process. The substrate processing apparatus includes a processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the processing tank 20, a processing liquid discharging mechanism for discharging the processing liquid from the processing tank 20, and a rotation for rotating the substrate W while holding the substrate W in the processing liquid. Various mechanisms such as a driving mechanism and a gas supply mechanism for supplying IPA vapor (isopropyl alcohol vapor) and an inert gas into the closed chamber 10 are provided.

【0028】処理槽20が設置されている密閉チャンバ
10の側壁にはゲートバルブ11が設けられている。基
板処理装置に基板Wを搬出入するときは、ゲートバルブ
11が開放され、図外の基板搬送ロボットが密閉チャン
バ10の側壁開口部分から基板を搬入/搬出する。一
方、基板処理装置内において基板の洗浄処理・乾燥処理
が行われているときは、ゲートバルブ11が閉鎖され、
密閉チャンバ10内は密閉された閉空間となる。
A gate valve 11 is provided on a side wall of the closed chamber 10 in which the processing tank 20 is installed. When loading / unloading a substrate W into / from the substrate processing apparatus, the gate valve 11 is opened, and a substrate transfer robot (not shown) loads / unloads the substrate from / to the side wall opening of the closed chamber 10. On the other hand, when the substrate is being cleaned and dried in the substrate processing apparatus, the gate valve 11 is closed,
The inside of the closed chamber 10 is a closed space.

【0029】クリーンルームに対して密閉された密閉チ
ャンバ10内において基板処理が行われるため、密閉チ
ャンバ10内にクリーンルームの雰囲気が導入されるこ
とはなく、当該雰囲気中に含まれるパーティクルやガス
によって処理中の基板Wが汚染されるおそれはない。
Since the substrate processing is performed in the closed chamber 10 which is closed to the clean room, the clean room atmosphere is not introduced into the closed chamber 10 and the processing is performed by the particles and the gas contained in the atmosphere. Of the substrate W is not contaminated.

【0030】第1実施形態の処理槽20は、その上方か
ら処理液が供給されるとともに、下方から処理液を排出
できるように構成されている。ここで、処理液とは上述
したように薬液および純水の総称であり、本発明に係る
基板処理装置に使用される薬液としては、フッ酸やアン
モニア過酸化水素水混合溶液などがある。
The processing tank 20 of the first embodiment is configured so that the processing liquid can be supplied from above and the processing liquid can be discharged from below. Here, the processing liquid is a general term for the chemical liquid and pure water as described above, and the chemical liquid used in the substrate processing apparatus according to the present invention includes hydrofluoric acid, a mixed solution of ammonia hydrogen peroxide and the like.

【0031】処理槽20に処理液を供給する処理液供給
機構は、純水バルブ49、薬液バルブ45、IPAバル
ブ44、混合部43、レギュレータ42、供給バルブ4
0、固定式供給用羽根車41および供給配管によって構
成されている。処理槽20に純水を供給するときは、供
給バルブ40および図外の純水供給源と接続された純水
バルブ49を開くとともに、薬液バルブ45およびIP
Aバルブ44を閉鎖する。純水は、純水バルブ49、混
合部43、レギュレータ42、供給バルブ40および固
定式供給用羽根車41を介して処理槽20に供給され
る。
The processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the processing tank 20 includes a pure water valve 49, a chemical liquid valve 45, an IPA valve 44, a mixing section 43, a regulator 42, and a supply valve 4.
0, a fixed type supply impeller 41 and a supply pipe. When supplying pure water to the treatment tank 20, the supply valve 40 and a pure water valve 49 connected to a pure water supply source (not shown) are opened, and the chemical liquid valve 45 and IP
The A valve 44 is closed. The pure water is supplied to the processing tank 20 via the pure water valve 49, the mixing section 43, the regulator 42, the supply valve 40, and the fixed supply impeller 41.

【0032】処理槽20には、処理槽20に貯留されて
いる処理液の液面の高さを検出する液レベル計測器47
が設置されており、液レベル計測器47はレベルコント
ローラ48と電気的に接続されている。レベルコントロ
ーラ48は、液レベル計測器47によって検出された処
理液の液面高さが回転台30に保持された基板Wよりも
高くかつ処理槽20から溢れ出ない高さとすべく、レギ
ュレータ46に指令を伝達する。レギュレータ46はレ
ベルコントローラ48からの指令に基づいてレギュレー
タ42に送る窒素ガスの流量を制御する。レギュレータ
42は、送られた窒素ガス流量によって純水供給量また
は薬液供給量を調節することが可能である。すなわち、
レベルコントローラ48は処理槽20内の液面高さに応
じて純水供給量を制御し、液面高さが回転台30に保持
された基板Wよりも高くかつ処理槽20から溢れ出ない
高さに調整する。なお、レベルコントローラ48を後述
する排液バルブ50と電気的に接続させ、処理槽20か
らの純水排出量を制御することによって処理槽20内の
液面高さを調整するようにしてもよい。
The processing tank 20 has a liquid level meter 47 for detecting the level of the processing liquid stored in the processing tank 20.
Is installed, and the liquid level measuring device 47 is electrically connected to the level controller 48. The level controller 48 instructs the regulator 46 so that the liquid level of the processing liquid detected by the liquid level measuring device 47 is higher than the substrate W held on the turntable 30 and does not overflow from the processing tank 20. To communicate. The regulator 46 controls the flow rate of nitrogen gas sent to the regulator 42 based on a command from the level controller 48. The regulator 42 can adjust the supply amount of pure water or the supply amount of the chemical solution according to the flow rate of the sent nitrogen gas. That is,
The level controller 48 controls the supply amount of pure water according to the liquid level in the processing tank 20, and the liquid level is higher than the substrate W held on the turntable 30 and does not overflow from the processing tank 20. Adjust it. In addition, the level controller 48 may be electrically connected to a drain valve 50 described later, and the level of liquid in the processing tank 20 may be adjusted by controlling the amount of pure water discharged from the processing tank 20. .

【0033】処理槽20に純水を供給するときには、I
PAバルブ44を開き、混合部43にて純水中にIPA
を混合させて処理槽20に供給するようにしてもよい。
この技術については後に説明する。
When pure water is supplied to the processing tank 20, I
Open PA valve 44 and mix IPA in pure water in mixing section 43
May be mixed and supplied to the processing tank 20.
This technique will be described later.

【0034】処理槽20に薬液を供給するときは、供給
バルブ40および図外の薬液供給源と接続された薬液バ
ルブ45を開くとともに、純水バルブ49およびIPA
バルブ44を閉鎖する。薬液は、薬液バルブ45、混合
部43、レギュレータ42、供給バルブ40および固定
式供給用羽根車41を介して処理槽20に供給される。
このときにも、レベルコントローラ48によって処理槽
20内の薬液液面高さが回転台30に保持された基板W
よりも高くかつ処理槽20から溢れ出ない高さに調整さ
れる。
When supplying a chemical solution to the treatment tank 20, the supply valve 40 and a chemical solution valve 45 connected to a chemical solution supply source (not shown) are opened, and a pure water valve 49 and an IPA
The valve 44 is closed. The chemical is supplied to the processing tank 20 via the chemical valve 45, the mixing section 43, the regulator 42, the supply valve 40, and the fixed supply impeller 41.
Also at this time, the level controller 48 adjusts the level of the chemical solution in the processing tank 20 to the substrate W
The height is adjusted to be higher than the height and not to overflow from the processing tank 20.

【0035】本発明に係る基板処理装置では、薬液によ
る洗浄処理と純水による洗浄処理とがともに密閉チャン
バ10内において行われるため、薬液洗浄処理工程と純
水洗浄処理工程との間に基板Wがクリーンルームの雰囲
気に曝されることはなく、基板Wが当該雰囲気中に含ま
れるパーティクルやガスによって汚染されるおそれはな
い。
In the substrate processing apparatus according to the present invention, since both the cleaning process using the chemical solution and the cleaning process using the pure water are performed in the closed chamber 10, the substrate W is disposed between the chemical solution cleaning process and the pure water cleaning process. Is not exposed to the atmosphere of the clean room, and the substrate W is not likely to be contaminated by particles or gas contained in the atmosphere.

【0036】処理槽20に供給される純水または薬液は
いずれも固定式供給用羽根車41を介して供給されるこ
ととなる。固定式供給用羽根車41は、複数のらせん状
の羽根を有する固定部材であり、当該部材を通過する処
理液を旋回させながら処理槽20に供給する機能を有し
ている。この固定式供給用羽根車41の形態等について
は後述する可動式羽根車35と併せて説明する。
The pure water or the chemical solution supplied to the treatment tank 20 is supplied via the fixed supply impeller 41. The fixed supply impeller 41 is a fixed member having a plurality of spiral blades, and has a function of supplying the processing liquid to the processing tank 20 while turning the processing liquid passing through the member. The form and the like of the fixed supply impeller 41 will be described together with a movable impeller 35 described later.

【0037】供給された処理液は処理槽20内に貯留さ
れることとなるが、処理槽20の底部はモータ32の回
転軸31が貫通しているため、処理槽20と回転軸31
との間から処理液が漏れるのをシール部材62によって
防いでいる。図2は、処理槽20のシール部分を示す図
である。シール部材62は、断面V字形状の部材であ
り、これによって処理槽20内に貯留されている処理液
が漏洩するのを防いでいる。
The supplied processing liquid is stored in the processing tank 20. Since the rotating shaft 31 of the motor 32 passes through the bottom of the processing tank 20, the processing tank 20 and the rotating shaft 31
The seal member 62 prevents the processing liquid from leaking from the space between them. FIG. 2 is a view showing a sealed portion of the processing tank 20. The seal member 62 is a member having a V-shaped cross section, thereby preventing the processing liquid stored in the processing tank 20 from leaking.

【0038】ところが、回転軸31は回転動作は勿論の
こと、上下動作を行うこともあり、シール部材62によ
っても完全に防ぐことは困難である。そこで、流量調整
バルブ61、シール水バルブ60を介してシール部材6
2の下方にシール水である純水を供給し、シール部材6
2とシール部材63との間を純水で満たすことにより、
処理槽20からの処理液漏洩防止を完全なものとしてい
る。
However, the rotating shaft 31 may perform not only a rotating operation but also an up and down operation, and it is difficult to completely prevent the rotation by the seal member 62. Therefore, the seal member 6 is provided via the flow control valve 61 and the seal water valve 60.
2, pure water as sealing water is supplied below the sealing member 6.
By filling the space between 2 and the sealing member 63 with pure water,
Prevention of leakage of the processing liquid from the processing tank 20 is completed.

【0039】図1に戻り、シール水として供給した純水
がシール部材63から漏れることはあり得る。シール部
材63から漏れた純水はバット33によって回収され装
置外に排液される。
Returning to FIG. 1, pure water supplied as seal water may leak from the seal member 63. Pure water leaking from the seal member 63 is collected by the vat 33 and drained out of the apparatus.

【0040】一方、処理槽20に貯留されている処理液
を排出するときには、排液バルブ50を開くことによっ
て装置外に排出する。ここで、第1実施形態の基板処理
装置においては、排液バルブ50を開くとともに可動式
羽根車35を回転させることによって処理液の排出を行
う。図3は、可動式羽根車35の形態の一例を示す斜視
図である。図示のように、回転軸31の外周に4枚のら
せん状の羽根35aが取り付けられている。そして、回
転軸31が時計方向に回転すると、らせん状の羽根35
aによって処理液が下方に押し出され、排液バルブ50
を介して排出される。
On the other hand, when discharging the processing liquid stored in the processing tank 20, the processing liquid is discharged outside the apparatus by opening the drain valve 50. Here, in the substrate processing apparatus of the first embodiment, the processing liquid is discharged by opening the drain valve 50 and rotating the movable impeller 35. FIG. 3 is a perspective view illustrating an example of the form of the movable impeller 35. As shown, four spiral blades 35a are attached to the outer periphery of the rotating shaft 31. When the rotating shaft 31 rotates clockwise, the spiral blade 35 is rotated.
a, the processing liquid is pushed downward, and the drain valve 50
Is discharged through.

【0041】すなわち、回転軸31が回転されるのは本
来モータ32の回転を基板Wに伝達するためであり、本
実施形態では可動式羽根車35を用い、回転軸31の回
転を利用して処理液を排出することとなる。したがっ
て、処理液を排出するための専用ポンプなどの排出系が
不要となり、基板処理装置を小型化できるとともにコス
トダウンにも繋がる。なお、図3では、らせん状の羽根
35aを4枚付設しているが、これに限るものではな
く、1枚以上取り付けてあればよい。
That is, the rotation of the rotary shaft 31 is originally for transmitting the rotation of the motor 32 to the substrate W. In this embodiment, the movable impeller 35 is used and the rotation of the rotary shaft 31 is utilized. The processing liquid will be discharged. Therefore, a discharge system such as a dedicated pump for discharging the processing liquid is not required, and the substrate processing apparatus can be reduced in size and cost. In FIG. 3, four spiral blades 35a are provided, but the number of spiral blades 35a is not limited thereto, and one or more spiral blades 35a may be mounted.

【0042】ところで、上述した固定式供給用羽根車4
1の形態も図3に示すのと同様の形態である。但し、固
定式供給用羽根車41の場合は、らせん状の羽根35a
が回転軸31に付設されているのではなく、固定軸に取
り付けられている。したがって、処理液を供給するとき
にも、固定式供給用羽根車41は回転せず、らせん状の
羽根35aに沿って処理液が旋回することとなる。処理
液を旋回させつつ処理槽20に供給することにより、基
板Wと供給される処理液との相対速度が大きくなり、基
板Wの洗浄効果が高まる。
By the way, the above-mentioned fixed supply impeller 4
The embodiment 1 is also the same as that shown in FIG. However, in the case of the fixed supply impeller 41, the spiral blade 35a
Are not attached to the rotating shaft 31 but are attached to a fixed shaft. Therefore, even when the processing liquid is supplied, the fixed supply impeller 41 does not rotate, and the processing liquid turns along the spiral blade 35a. By supplying the processing liquid to the processing tank 20 while rotating, the relative speed between the substrate W and the supplied processing liquid is increased, and the cleaning effect of the substrate W is enhanced.

【0043】次に基板Wの回転駆動機構について説明す
る。基板Wは、処理槽20に貯留された処理液中に浸漬
されるように回転台30によって保持されている。そし
て、基板Wは回転台30上に立設された複数のピン状の
基板保持部材30aが基板Wの周端部を把持するように
して保持されているため、基板Wと回転台30との間に
は一定の間隔が生じる。したがって、処理液は基板Wの
両面に接することが可能である。
Next, the rotation drive mechanism of the substrate W will be described. The substrate W is held by the turntable 30 so as to be immersed in the processing liquid stored in the processing bath 20. Since the substrate W is held by the plurality of pin-shaped substrate holding members 30a erected on the turntable 30 so as to grip the peripheral end of the substrate W, the substrate W There is a certain interval between them. Therefore, the processing liquid can contact both surfaces of the substrate W.

【0044】回転台30は、その下面側中央に回転軸3
1を垂設しており、回転軸31はモータ32に接続され
ている。モータ32の回転は回転軸31を介して回転台
30に伝達され、回転台30に保持された基板Wが鉛直
方向を軸として回転することとなる。すなわち、回転台
30によって基板Wが処理液中に保持された状態で基板
Wを回転させることにより、処理液による基板Wに対す
る洗浄処理が行われる。
The rotating table 30 has a rotating shaft 3
1, the rotating shaft 31 is connected to a motor 32. The rotation of the motor 32 is transmitted to the turntable 30 via the rotation shaft 31, and the substrate W held on the turntable 30 rotates about the vertical direction as an axis. In other words, the substrate W is rotated while the substrate W is held in the processing liquid by the turntable 30, so that the substrate W is cleaned by the processing liquid.

【0045】一方、モータ32は係止部材36によって
昇降手段34と接続されており、昇降手段34の駆動に
より昇降動作が可能に構成されている。このときには、
モータ32、回転軸31、回転台30、可動式羽根車3
5および基板Wが一体に昇降される。基板Wを昇降させ
るのは、処理液による洗浄処理中ではなく、基板Wの搬
出入のときおよび後述する乾燥処理時においてである。
On the other hand, the motor 32 is connected to the lifting / lowering means 34 by a locking member 36, so that the motor 32 can be raised / lowered by driving the lifting / lowering means 34. At this time,
Motor 32, rotating shaft 31, rotating table 30, movable impeller 3
5 and the substrate W are moved up and down integrally. The substrate W is raised and lowered not during the cleaning process using the processing liquid, but during the loading / unloading of the substrate W and during the drying process described later.

【0046】次に、密閉チャンバ10にIPA蒸気や不
活性ガスを供給するガス供給機構について説明する。密
閉チャンバ10にはガス供給バルブ70を開けることに
よってガスを供給することが可能である。本発明に係る
基板処理装置において供給できるガスはIPA蒸気およ
び不活性ガスとしての窒素の2種類である。
Next, a gas supply mechanism for supplying IPA vapor or an inert gas to the closed chamber 10 will be described. Gas can be supplied to the closed chamber 10 by opening the gas supply valve 70. Gases that can be supplied in the substrate processing apparatus according to the present invention are IPA vapor and nitrogen as an inert gas.

【0047】密閉チャンバ10にIPA蒸気を供給する
ときは、装置内または装置外に設けられたIPA蒸気発
生器と配管によって接続された流量調整バルブ74、I
PAバルブ73、ガス供給バルブ70を介して行われ
る。すなわち、IPAバルブ73およびガス供給バルブ
70を開けることにより、密閉チャンバ10内にIPA
蒸気を供給することができる。なお、IPA蒸気のキャ
リアガスとしては窒素ガスを使用している。
When supplying IPA vapor to the closed chamber 10, flow control valves 74, I connected by piping to an IPA vapor generator provided inside or outside the apparatus are provided.
This is performed via a PA valve 73 and a gas supply valve 70. That is, by opening the IPA valve 73 and the gas supply valve 70, the IPA
Steam can be supplied. Note that nitrogen gas is used as a carrier gas for the IPA vapor.

【0048】また、密閉チャンバ10に不活性ガスであ
る窒素ガスを供給するときは、装置外の窒素供給配管と
接続された流量調整バルブ72、窒素ガスバルブ71、
ガス供給バルブ70を介して行われる。すなわち、窒素
ガスバルブ71およびガス供給バルブ70を開けること
により、密閉チャンバ10内に窒素ガスを供給すること
ができる。
When nitrogen gas, which is an inert gas, is supplied to the closed chamber 10, a flow rate adjusting valve 72, a nitrogen gas valve 71,
This is performed via a gas supply valve 70. That is, the nitrogen gas can be supplied into the closed chamber 10 by opening the nitrogen gas valve 71 and the gas supply valve 70.

【0049】密閉チャンバ10内にIPA蒸気を供給す
るのは、基板Wの乾燥処理のためである。本発明に係る
基板処理装置においては、純水による洗浄処理後、基板
Wを別の乾燥装置に搬送することなく、同じ装置内で乾
燥処理を行うことが可能である。すなわち、純水洗浄処
理終了後または終了直前に、基板Wを純水中に浸漬した
状態で密閉チャンバ10内にIPA蒸気を供給する。そ
して、密閉チャンバ10内がIPA蒸気雰囲気に置換さ
れた後に、昇降手段34を駆動させて基板Wを処理槽2
0に貯留されている純水中から引き揚げる。
The supply of the IPA vapor into the closed chamber 10 is for drying the substrate W. In the substrate processing apparatus according to the present invention, after the cleaning processing with pure water, the drying processing can be performed in the same apparatus without transporting the substrate W to another drying apparatus. That is, after or immediately before the end of the pure water cleaning process, the IPA vapor is supplied into the closed chamber 10 while the substrate W is immersed in the pure water. Then, after the inside of the closed chamber 10 is replaced with the IPA vapor atmosphere, the elevating means 34 is driven to move the substrate W into the processing tank 2.
Withdraw from pure water stored in 0.

【0050】このようにすれば、IPA蒸気雰囲気中で
引き揚げが行われることとなるため、基板Wに付着して
いる水分は速やかに乾燥され、基板W上における気液界
面発生を抑制することができる。一般に、気液界面は活
性な状態となるため、気液界面において基板Wのシリコ
ンの酸化が生じやすいが、気液界面発生を抑制すること
により不要な酸化が生じることはなくなり、その結果い
わゆるウォーターマークの発生を抑制することができ
る。
In this case, since the lifting is performed in the IPA vapor atmosphere, the moisture adhering to the substrate W is quickly dried, and the generation of the gas-liquid interface on the substrate W can be suppressed. it can. In general, since the gas-liquid interface is in an active state, silicon of the substrate W is easily oxidized at the gas-liquid interface. However, by suppressing the generation of the gas-liquid interface, unnecessary oxidation does not occur. The generation of marks can be suppressed.

【0051】また、洗浄処理とその後の乾燥処理とが一
つの密閉チャンバ10内で行われるため、洗浄処理工程
と乾燥処理工程との間に基板Wがクリーンルームの雰囲
気に曝されることはなく、処理液による洗浄処理後の基
板Wが当該雰囲気中に含まれるパーティクルやガスによ
って汚染されるおそれもない。
Since the cleaning process and the subsequent drying process are performed in one closed chamber 10, the substrate W is not exposed to the clean room atmosphere between the cleaning process and the drying process. There is no possibility that the substrate W after the cleaning treatment with the treatment liquid is contaminated by particles or gas contained in the atmosphere.

【0052】なお、乾燥処理は、IPA蒸気雰囲気中で
引き揚げに限られるものではなく、IPAを含んだ純水
から基板Wを引き揚げるようにしても良い。すなわち、
処理槽20に純水を供給するときにIPAバルブ44を
開き、混合部43にて純水中にIPAを混合させて処理
槽20に供給すればよい。このようにしても基板Wの引
き上げの際に、基板Wに付着している水分は速やかに乾
燥され、基板W上における気液界面発生を抑制すること
ができ、その結果いわゆるウォーターマークの発生を抑
制することができる。
The drying process is not limited to lifting in an IPA vapor atmosphere, and the substrate W may be lifted from pure water containing IPA. That is,
When supplying pure water to the processing tank 20, the IPA valve 44 may be opened, and the mixing unit 43 may mix IPA into the pure water and supply the mixed water to the processing tank 20. Even in this case, when the substrate W is pulled up, the moisture adhering to the substrate W is quickly dried, and the generation of the gas-liquid interface on the substrate W can be suppressed. Can be suppressed.

【0053】一方、密閉チャンバ10内に不活性ガスで
ある窒素ガスを供給するのは、洗浄処理中における処理
液の周辺の雰囲気を窒素ガス雰囲気に置換するためであ
る。このようにすれば、処理液周辺の雰囲気から酸素や
二酸化炭素が処理液中に溶解するのを防止でき、より清
浄な洗浄処理を行うことができる。また、処理液の劣化
を防止して、処理の信頼性・安定性を増すことができ
る。なお、不活性ガスは窒素ガスに限定されるものでは
なく、処理液との反応性の低いガス、例えばアルゴンガ
スなどであってもよい。
On the other hand, the reason why nitrogen gas as an inert gas is supplied into the closed chamber 10 is to replace the atmosphere around the processing solution during the cleaning process with a nitrogen gas atmosphere. This can prevent oxygen and carbon dioxide from dissolving in the processing liquid from the atmosphere around the processing liquid, and can perform a cleaner cleaning process. In addition, it is possible to prevent the processing liquid from deteriorating and to increase the reliability and stability of the processing. The inert gas is not limited to nitrogen gas, and may be a gas having low reactivity with the processing liquid, for example, an argon gas.

【0054】処理槽20の側壁外面には超音波振動子2
5が付設されている。超音波振動子25は、処理槽20
内に貯留されている処理液に超音波振動を付与すること
ができる。処理液による洗浄処理中に、超音波振動子2
5から超音波振動を付与することにより、より高性能な
洗浄処理が可能となる。
The ultrasonic vibrator 2 is disposed on the outer surface of the side wall of the processing tank 20.
5 is attached. The ultrasonic vibrator 25 is connected to the processing tank 20.
Ultrasonic vibration can be applied to the processing liquid stored in the inside. During the cleaning process using the processing solution, the ultrasonic vibrator 2
By applying the ultrasonic vibration from 5, a higher-performance cleaning process can be performed.

【0055】以上、本発明の第1実施形態について説明
したが、第1実施形態の基板処理装置によれば、処理槽
20に貯留された処理液中に基板Wを浸漬して回転洗浄
処理を行っているため、洗浄処理中は基板Wの表面に常
に液膜が存在することになり、薬液や純水の供給量を減
じたとしても不十分な液膜に起因して処理が不均一にな
ることはない。
As described above, the first embodiment of the present invention has been described. According to the substrate processing apparatus of the first embodiment, the substrate W is immersed in the processing liquid stored in the processing tank 20 to perform the rotary cleaning process. During the cleaning process, there is always a liquid film on the surface of the substrate W, and even if the supply amount of the chemical solution or pure water is reduced, the processing becomes uneven due to insufficient liquid film. It will not be.

【0056】したがって、従来よりも薬液や純水の供給
量を減らすことができ、薬液や純水の消費量を低減する
ことが可能となり、基板処理工程におけるコストダウン
が可能となる。
Therefore, the supply amounts of the chemical solution and pure water can be reduced as compared with the conventional case, the consumption amounts of the chemical solution and pure water can be reduced, and the cost in the substrate processing step can be reduced.

【0057】また、従来の枚葉式基板洗浄装置と異な
り、基板Wの回転によって処理液が遠心力で振り切ら
れ、その液滴がカップによって跳ね返されて基板Wに再
付着する懸念はない。その結果、パーティクルなどが基
板Wに付着して、基板Wが汚染されるおそれもない。
Further, unlike the conventional single-wafer substrate cleaning apparatus, there is no concern that the processing liquid is shaken off by the centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and the droplets are rebounded by the cup and adhere to the substrate W again. As a result, there is no possibility that particles or the like will adhere to the substrate W and contaminate the substrate W.

【0058】<2.第2実施形態>図5は、第2実施形
態の基板処理装置を示す構成図である。この基板処理装
置も基板Wに対して薬液および純水による洗浄処理を行
い、洗浄処理後はさらに乾燥処理を行う機能を有してい
る。
<2. Second Embodiment> FIG. 5 is a configuration diagram showing a substrate processing apparatus according to a second embodiment. This substrate processing apparatus also has a function of performing a cleaning process on the substrate W with a chemical solution and pure water, and further performing a drying process after the cleaning process.

【0059】第2実施形態の基板処理装置が第1実施形
態の基板処理装置と異なる点は、第1実施形態の基板処
理装置では処理槽20の上方から処理液を供給し下方か
ら排出していたのに対し、第2実施形態の基板処理装置
では処理槽20の下方から処理液を供給し上方から排出
している点である。
The substrate processing apparatus of the second embodiment is different from the substrate processing apparatus of the first embodiment in that the processing liquid is supplied from above the processing tank 20 and discharged from below in the substrate processing apparatus of the first embodiment. On the other hand, in the substrate processing apparatus of the second embodiment, the processing liquid is supplied from below the processing tank 20 and discharged from above.

【0060】処理槽20に処理液を供給する処理液供給
機構は、純水バルブ49、薬液バルブ45、IPAバル
ブ44、混合部43、レギュレータ42、供給バルブ4
0、可動式羽根車35および供給配管によって構成され
ている。処理槽20に純水を供給するときは、供給バル
ブ40および図外の純水供給源と接続された純水バルブ
49を開くとともに、薬液バルブ45およびIPAバル
ブ44を閉鎖する。純水は、純水バルブ49、混合部4
3、レギュレータ42、供給バルブ40および可動式羽
根車35を介して処理槽20に供給される。
The processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the processing tank 20 includes a pure water valve 49, a chemical liquid valve 45, an IPA valve 44, a mixing section 43, a regulator 42, and a supply valve 4.
0, a movable impeller 35 and a supply pipe. When supplying pure water to the treatment tank 20, the supply valve 40 and a pure water valve 49 connected to a pure water supply source (not shown) are opened, and the chemical solution valve 45 and the IPA valve 44 are closed. Pure water is supplied to the pure water valve 49 and the mixing section 4
3, is supplied to the processing tank 20 via the regulator 42, the supply valve 40, and the movable impeller 35.

【0061】処理槽20には、処理槽20に貯留されて
いる処理液の液面の高さを検出する液レベル計測器47
が設置されており、液レベル計測器47はレベルコント
ローラ48と電気的に接続されている。そして第1実施
形態と同様に、レベルコントローラ48は処理槽20内
の液面高さに応じて純水供給量を制御し、液面高さが回
転台30に保持された基板Wよりも高くかつ処理槽20
から溢れ出ない高さに調整する。
The processing tank 20 has a liquid level measuring device 47 for detecting the level of the processing liquid stored in the processing tank 20.
Is installed, and the liquid level measuring device 47 is electrically connected to the level controller 48. Then, similarly to the first embodiment, the level controller 48 controls the pure water supply amount according to the liquid level in the processing tank 20, and the liquid level is higher than the substrate W held on the turntable 30. And treatment tank 20
Adjust the height so that it does not overflow.

【0062】処理槽20に純水を供給するときには、I
PAバルブ44を開き、混合部43にて純水中にIPA
を混合させて処理槽20に供給するようにしてもよく、
この点は上記第1実施形態と同じである。
When pure water is supplied to the processing tank 20, I
Open PA valve 44 and mix IPA in pure water in mixing section 43
May be mixed and supplied to the processing tank 20,
This is the same as in the first embodiment.

【0063】一方、処理槽20に薬液を供給するとき
は、供給バルブ40および図外の薬液供給源と接続され
た薬液バルブ45を開くとともに、純水バルブ49およ
びIPAバルブ44を閉鎖する。薬液は、薬液バルブ4
5、混合部43、レギュレータ42、供給バルブ40お
よび可動式羽根車35を介して処理槽20に供給され
る。このときにも、レベルコントローラ48によって処
理槽20内の薬液液面高さが回転台30に保持された基
板Wよりも高くかつ処理槽20から溢れ出ない高さに調
整される。
On the other hand, when supplying a chemical solution to the processing tank 20, the supply valve 40 and the chemical solution valve 45 connected to a chemical solution supply source (not shown) are opened, and the pure water valve 49 and the IPA valve 44 are closed. Chemical solution is chemical solution valve 4
5, is supplied to the processing tank 20 via the mixing section 43, the regulator 42, the supply valve 40, and the movable impeller 35. Also at this time, the liquid level in the processing tank 20 is adjusted by the level controller 48 to be higher than the substrate W held on the turntable 30 and not to overflow from the processing tank 20.

【0064】以上のように、第2実施形態においては、
可動式羽根車35を介して処理液が処理槽20に供給さ
れる。第2実施形態の可動式羽根車35は、第1実施形
態とは異なる形態としている。図4は、可動式羽根車3
5の形態の他の例を示す斜視図である。図3と比較する
と明らかなように、第2実施形態の可動式羽根車35
は、4枚のらせん状の羽根35aのらせんの向きが第1
実施形態の可動式羽根車35とは逆になっている。した
がって、回転軸31が時計方向に回転すると、らせん状
の羽根35aによって処理液が下方から上方に送り出さ
れる。
As described above, in the second embodiment,
The processing liquid is supplied to the processing tank 20 via the movable impeller 35. The movable impeller 35 of the second embodiment has a different form from the first embodiment. FIG. 4 shows the movable impeller 3
It is a perspective view which shows the other example of 5 form. As is clear from comparison with FIG. 3, the movable impeller 35 of the second embodiment
The direction of the spiral of the four spiral blades 35a is the first
It is opposite to the movable impeller 35 of the embodiment. Therefore, when the rotating shaft 31 rotates clockwise, the processing liquid is sent upward from below by the spiral blade 35a.

【0065】第1実施形態と同じく、回転軸31が回転
されるのは本来モータ32の回転を基板Wに伝達するた
めであり、第2実施形態では可動式羽根車35を用い、
回転軸31の回転を利用して処理液を処理槽20に供給
することとなる。したがって、処理液を供給するための
専用ポンプなどが不要となり、基板処理装置を小型化で
きるとともにコストダウンにも繋がる。
As in the first embodiment, the rotation shaft 31 is rotated to transmit the rotation of the motor 32 to the substrate W. In the second embodiment, a movable impeller 35 is used.
The processing liquid is supplied to the processing tank 20 using the rotation of the rotating shaft 31. Therefore, a dedicated pump or the like for supplying the processing liquid is not required, and the substrate processing apparatus can be reduced in size and cost.

【0066】また、可動式羽根車35を用いて処理液を
供給することにより、処理液を旋回させつつ処理槽20
に供給することができ、基板Wと供給される処理液との
相対速度が大きくなり、基板Wの洗浄効果が高まる。な
お、図4においてもらせん状の羽根35aを4枚付設し
ているが、これに限るものではなく、1枚以上取り付け
てあればよい。
Further, by supplying the processing liquid using the movable impeller 35, the processing tank 20 is rotated while the processing liquid is swirled.
And the relative speed between the substrate W and the supplied processing liquid is increased, and the cleaning effect of the substrate W is enhanced. Although four spiral blades 35a are provided in FIG. 4 as well, the invention is not limited to this, and one or more spiral blades 35a may be attached.

【0067】ところで、第1実施形態の固定式供給用羽
根車41の形態は図4に示すのと同様の形態としてもよ
い。固定式供給用羽根車41の場合は、らせん状の羽根
35aが回転軸31に付設されているのではなく、固定
軸に取り付けられている点は同じである。但し、図4に
示す形態の固定式供給用羽根車41を使用した場合は、
処理液の旋回方向が図3に示す形態の固定式供給用羽根
車41を使用した場合と逆になる。固定式供給用羽根車
41に図3に示す形態を適用するか図4に示す形態を適
用するかは基板Wの回転方向に応じて決定するのが望ま
しい。
Incidentally, the form of the fixed supply impeller 41 of the first embodiment may be the same as that shown in FIG. In the case of the fixed supply impeller 41, the helical blade 35a is not attached to the rotating shaft 31 but is attached to the fixed shaft in the same manner. However, when the fixed supply impeller 41 of the form shown in FIG. 4 is used,
The turning direction of the processing liquid is opposite to that in the case where the fixed supply impeller 41 having the form shown in FIG. 3 is used. Whether the embodiment shown in FIG. 3 or the embodiment shown in FIG. 4 is applied to the fixed supply impeller 41 is desirably determined according to the rotation direction of the substrate W.

【0068】また、モータ32の回転方向を反時計方向
にすれば、第1実施形態において図4に示す形態の可動
式羽根車35を用い、第2実施形態において図3に示す
形態の可動式羽根車35を用いることも可能である。
If the rotation direction of the motor 32 is set to the counterclockwise direction, the movable impeller 35 of the form shown in FIG. 4 is used in the first embodiment, and the movable impeller 35 of the form shown in FIG. 3 is used in the second embodiment. It is also possible to use the impeller 35.

【0069】第2実施形態においては、処理槽20の下
方から処理液を供給するため、余剰の処理液は処理槽2
0の上方から溢れ出る。処理槽20から溢れ出た処理液
は、外槽21によって回収され、排液バルブ50を介し
て排出される。
In the second embodiment, since the processing liquid is supplied from below the processing tank 20, excess processing liquid is supplied from the processing tank 2.
It overflows from above 0. The processing liquid overflowing from the processing tank 20 is collected by the outer tank 21 and discharged via the drain valve 50.

【0070】また、第2実施形態においては、超音波振
動子25を第1実施形態とは異なる位置に付設している
が、このようにしても処理槽20内に貯留されている処
理液に超音波振動を付与し、より高性能な洗浄処理が可
能となる。勿論、超音波振動子25は第1実施形態と同
じ位置に付設してもよく、換言すれば、超音波振動子2
5は処理槽20内に貯留されている処理液に超音波振動
を付与できる位置に設置すればよい。
Further, in the second embodiment, the ultrasonic vibrator 25 is provided at a position different from that of the first embodiment. By applying ultrasonic vibration, a higher-performance cleaning process can be performed. Of course, the ultrasonic transducer 25 may be provided at the same position as in the first embodiment, in other words, the ultrasonic transducer 2
Reference numeral 5 may be set at a position where ultrasonic vibration can be applied to the processing liquid stored in the processing tank 20.

【0071】第2実施形態の基板処理装置の残余の構成
は、第1実施形態と同じであるため、その説明は省略す
る。
The remaining structure of the substrate processing apparatus according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0072】以上説明した第2実施形態の基板処理装置
によっても、処理槽20に貯留された処理液中に基板W
を浸漬して回転洗浄処理を行っているため、洗浄処理中
は基板Wの表面に常に液膜が存在することになり、薬液
や純水の供給量を減じたとしても不十分な液膜に起因し
て処理が不均一になることはない。
According to the substrate processing apparatus of the second embodiment described above, the substrate W is contained in the processing liquid stored in the processing tank 20.
Is immersed in the rotary cleaning process, so that a liquid film always exists on the surface of the substrate W during the cleaning process, and even if the supply amount of the chemical solution or pure water is reduced, the liquid film becomes insufficient. The processing does not become uneven due to this.

【0073】したがって、従来よりも薬液や純水の供給
量を減らすことができ、薬液や純水の消費量を低減する
ことが可能となり、基板処理工程におけるコストダウン
が可能となる。
Accordingly, the supply amounts of the chemical solution and pure water can be reduced as compared with the conventional case, the consumption of the chemical solution and pure water can be reduced, and the cost in the substrate processing step can be reduced.

【0074】また、従来の枚葉式基板洗浄装置と異な
り、基板Wの回転によって処理液が遠心力で振り切ら
れ、その液滴がカップによって跳ね返されて基板Wに再
付着する懸念はない。その結果、パーティクルなどが基
板Wに付着して、基板Wが汚染されるおそれもない。
Further, unlike the conventional single-wafer-type substrate cleaning apparatus, there is no concern that the processing liquid is shaken off by the centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and the droplets are rebounded by the cup and adhere to the substrate W again. As a result, there is no possibility that particles or the like will adhere to the substrate W and contaminate the substrate W.

【0075】<3.第3実施形態>図6は、第3実施形
態の基板処理装置を示す構成図である。この基板処理装
置も基板Wに対して薬液および純水による洗浄処理を行
い、洗浄処理後はさらに乾燥処理を行う機能を有してい
る。
<3. Third Embodiment> FIG. 6 is a configuration diagram showing a substrate processing apparatus according to a third embodiment. This substrate processing apparatus also has a function of performing a cleaning process on the substrate W with a chemical solution and pure water, and further performing a drying process after the cleaning process.

【0076】第3実施形態の基板処理装置が第1実施形
態の基板処理装置と異なる点は、排液バルブ50を介し
て排出した処理液を循環利用している点である。
The substrate processing apparatus of the third embodiment differs from the substrate processing apparatus of the first embodiment in that the processing liquid discharged through the drain valve 50 is circulated.

【0077】すなわち、第3実施形態の基板処理装置
は、循環ポンプ51、フィルタ52および循環用配管か
らなる循環機構を備えている。循環ポンプ51は、排液
バルブ50を介して排出された処理液を再び処理液供給
機構に送給する。また、フィルタ52は排液バルブ50
を介して排出された処理液中に混在しているパーティク
ルなどを除去する機能を有する。
That is, the substrate processing apparatus of the third embodiment has a circulation mechanism including a circulation pump 51, a filter 52, and a circulation pipe. The circulation pump 51 sends the processing liquid discharged through the drain valve 50 again to the processing liquid supply mechanism. Further, the filter 52 is connected to the drain valve 50.
And has a function of removing particles and the like mixed in the processing liquid discharged through the processing liquid.

【0078】第3実施形態の処理液供給機構は、純水バ
ルブ49、薬液バルブ45、IPAバルブ44、混合部
43、レギュレータ42、供給バルブ40、固定式供給
用羽根車41の他に、循環バルブ53およびドレンバル
ブ54によって構成されている。処理液を新規に供給す
るときは、循環バルブ53およびドレンバルブ54を閉
じ、上記第1実施形態と同様に処理液を供給する。
The processing liquid supply mechanism of the third embodiment includes a pure water valve 49, a chemical liquid valve 45, an IPA valve 44, a mixing section 43, a regulator 42, a supply valve 40, a fixed supply impeller 41, and a circulation pump. It comprises a valve 53 and a drain valve 54. When supplying the processing liquid newly, the circulation valve 53 and the drain valve 54 are closed, and the processing liquid is supplied in the same manner as in the first embodiment.

【0079】一方、処理液を循環利用するときは、循環
バルブ53を開き、循環機構から送給された処理液を混
合部43、レギュレータ42、供給バルブ40、固定式
供給用羽根車41を介して処理槽20に供給する。この
ときには、循環機構から送給された処理液に新たな純水
または薬液を、それぞれ純水バルブ49または薬液バル
ブ45を開いて適宜混合させるようにしてもよい。ま
た、新たに混合する純水または薬液の量に応じて、ドレ
ンバルブ54から循環中の処理液を排出することもでき
る。
On the other hand, when circulating the processing liquid, the circulation valve 53 is opened, and the processing liquid supplied from the circulating mechanism is passed through the mixing section 43, the regulator 42, the supply valve 40, and the fixed supply impeller 41. To the treatment tank 20. At this time, new pure water or chemical liquid may be mixed with the processing liquid supplied from the circulation mechanism by opening the pure water valve 49 or the chemical liquid valve 45 as appropriate. The circulating treatment liquid can be discharged from the drain valve 54 in accordance with the amount of pure water or chemical liquid to be newly mixed.

【0080】このようにすれば、第1実施形態の基板処
理装置と同様の効果に加えて、排液バルブ50を介して
排出された処理液に少量の純水または薬液を混合させて
再び処理槽20に供給すればよいので、薬液や純水の消
費量を大幅に低減することが可能となる。
In this manner, in addition to the same effects as those of the substrate processing apparatus of the first embodiment, a small amount of pure water or a chemical solution is mixed with the processing liquid discharged through the drain valve 50, and the processing is performed again. Since it is sufficient to supply the solution to the tank 20, it is possible to significantly reduce the consumption of the chemical solution and pure water.

【0081】なお、第3実施形態において、純水バルブ
49、薬液バルブ45、IPAバルブ44、混合部4
3、循環バルブ53およびドレンバルブ54は、必ずし
も個々の部材とする必要はなく、これを一体のバルブと
しても良い。
In the third embodiment, the pure water valve 49, the chemical solution valve 45, the IPA valve 44, the mixing section 4
3. The circulation valve 53 and the drain valve 54 do not necessarily have to be individual members, but may be integrated valves.

【0082】第3実施形態の基板処理装置の残余の構成
は、第1実施形態と同じであるため、その説明は省略す
る。
The remaining configuration of the substrate processing apparatus according to the third embodiment is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0083】<4.第4実施形態>図7は、第4実施形
態の基板処理装置を示す構成図である。この基板処理装
置も基板Wに対して薬液および純水による洗浄処理を行
い、洗浄処理後はさらに乾燥処理を行う機能を有してい
る。
<4. Fourth Embodiment> FIG. 7 is a configuration diagram showing a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment. This substrate processing apparatus also has a function of performing a cleaning process on the substrate W with a chemical solution and pure water, and further performing a drying process after the cleaning process.

【0084】第4実施形態の基板処理装置が第2実施形
態の基板処理装置と異なる点は、排液バルブ50を介し
て排出した処理液を循環利用している点である。
The substrate processing apparatus of the fourth embodiment differs from the substrate processing apparatus of the second embodiment in that the processing liquid discharged through the drain valve 50 is circulated.

【0085】すなわち、第4実施形態の基板処理装置
は、循環ポンプ51、フィルタ52および循環用配管か
らなる循環機構を備えている。循環ポンプ51は、排液
バルブ50を介して排出された処理液を再び処理液供給
機構に送給する。また、フィルタ52は排液バルブ50
を介して排出された処理液中に混在しているパーティク
ルなどを除去する機能を有する。
That is, the substrate processing apparatus of the fourth embodiment has a circulation mechanism including a circulation pump 51, a filter 52, and a circulation pipe. The circulation pump 51 sends the processing liquid discharged through the drain valve 50 again to the processing liquid supply mechanism. Further, the filter 52 is connected to the drain valve 50.
And has a function of removing particles and the like mixed in the processing liquid discharged through the processing liquid.

【0086】第4実施形態の処理液供給機構は、純水バ
ルブ49、薬液バルブ45、IPAバルブ44、混合部
43、レギュレータ42、供給バルブ40、可動式羽根
車35の他に、循環バルブ53およびドレンバルブ54
によって構成されている。処理液を新規に供給するとき
は、循環バルブ53およびドレンバルブ54を閉じ、上
記第2実施形態と同様に処理液を供給する。
The treatment liquid supply mechanism of the fourth embodiment includes a circulation valve 53 in addition to a pure water valve 49, a chemical liquid valve 45, an IPA valve 44, a mixing section 43, a regulator 42, a supply valve 40, and a movable impeller 35. And drain valve 54
It is constituted by. When a new processing liquid is supplied, the circulation valve 53 and the drain valve 54 are closed, and the processing liquid is supplied in the same manner as in the second embodiment.

【0087】一方、処理液を循環利用するときは、循環
バルブ53を開き、循環機構から送給された処理液を混
合部43、レギュレータ42、供給バルブ40および可
動式羽根車35を介して処理槽20に供給する。このと
きには、循環機構から送給された処理液に新たな純水ま
たは薬液を、それぞれ純水バルブ49または薬液バルブ
45を開いて適宜混合させるようにしてもよい。また、
新たに混合する純水または薬液の量に応じて、ドレンバ
ルブ54から循環中の処理液を排出することもできる。
On the other hand, when circulating the processing liquid, the circulation valve 53 is opened, and the processing liquid supplied from the circulating mechanism is processed through the mixing section 43, the regulator 42, the supply valve 40, and the movable impeller 35. Supply to tank 20. At this time, new pure water or chemical liquid may be mixed with the processing liquid supplied from the circulation mechanism by opening the pure water valve 49 or the chemical liquid valve 45 as appropriate. Also,
The circulating treatment liquid can be discharged from the drain valve 54 in accordance with the amount of pure water or chemical liquid to be newly mixed.

【0088】このようにすれば、第2実施形態の基板処
理装置と同様の効果に加えて、排液バルブ50を介して
排出された処理液に少量の純水または薬液を混合させて
再び処理槽20に供給すればよいので、薬液や純水の消
費量を大幅に低減することが可能となる。
In this way, in addition to the same effects as the substrate processing apparatus of the second embodiment, a small amount of pure water or a chemical solution is mixed with the processing liquid discharged through the drain valve 50, and the processing is performed again. Since it is sufficient to supply the solution to the tank 20, it is possible to significantly reduce the consumption of the chemical solution and pure water.

【0089】なお、第4実施形態において、純水バルブ
49、薬液バルブ45、IPAバルブ44、混合部4
3、循環バルブ53およびドレンバルブ54は、必ずし
も個々の部材とする必要はなく、これを一体のバルブと
しても良い。
In the fourth embodiment, the pure water valve 49, the chemical solution valve 45, the IPA valve 44, and the mixing unit 4
3. The circulation valve 53 and the drain valve 54 do not necessarily have to be individual members, but may be integrated valves.

【0090】第4実施形態の基板処理装置の残余の構成
は、第2実施形態と同じであるため、その説明は省略す
る。
The remaining structure of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment is the same as that of the second embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0091】<5.第5実施形態>図8は、第5実施形
態の基板処理装置を示す構成図である。この基板処理装
置も基板Wに対して薬液および純水による洗浄処理を行
い、洗浄処理後はさらに乾燥処理を行う機能を有してい
る。
<5. Fifth Embodiment> FIG. 8 is a configuration diagram showing a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment. This substrate processing apparatus also has a function of performing a cleaning process on the substrate W with a chemical solution and pure water, and further performing a drying process after the cleaning process.

【0092】第5実施形態の基板処理装置が第1実施形
態の基板処理装置と異なる点は、第1実施形態の基板処
理装置では処理槽20の下方に回転駆動機構の主要部た
るモータ32を設けていたのに対し、第5実施形態の基
板処理装置では処理槽20の上方に中空モータ82を設
けている点である。
The substrate processing apparatus according to the fifth embodiment is different from the substrate processing apparatus according to the first embodiment in that a motor 32 as a main part of a rotary drive mechanism is provided below the processing tank 20 in the substrate processing apparatus according to the first embodiment. On the other hand, in the substrate processing apparatus of the fifth embodiment, a hollow motor 82 is provided above the processing tank 20.

【0093】処理槽20に処理液を供給する処理液供給
機構は、純水バルブ49、薬液バルブ45、IPAバル
ブ44、混合部43、レギュレータ42、供給バルブ4
0および供給配管によって構成されており、固定式供給
用羽根車41の他は第1実施形態と同じである。但し、
第5実施形態の基板処理装置においては、供給バルブ4
0から中空モータ82、中空回転軸81および回転台8
0の吐出口を介して処理液が供給される。
The processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the processing tank 20 includes a pure water valve 49, a chemical liquid valve 45, an IPA valve 44, a mixing unit 43, a regulator 42, and a supply valve 4.
0 and the supply pipe, and are the same as the first embodiment except for the fixed type supply impeller 41. However,
In the substrate processing apparatus of the fifth embodiment, the supply valve 4
0 to the hollow motor 82, the hollow rotary shaft 81 and the turntable 8
The processing liquid is supplied through the zero discharge port.

【0094】図9は、第5実施形態の基板処理装置の回
転駆動機構を示す断面図である。基板Wは、処理槽20
に貯留された処理液中に浸漬されるように円形の回転台
80によって保持されている。そして、基板Wは回転台
80上に立設された複数のピン状の基板保持部材80a
が基板Wの周端部を把持するようにして保持されている
ため、基板Wと回転台80との間には一定の間隔が生じ
る。ここで、基板保持部材80aはリンク部材85を駆
動することにより回動可能に構成されており、基板保持
部材80aが回動して基板Wの周端部を押圧付勢するこ
とにより、基板Wは落下することなく回転台80に保持
される。
FIG. 9 is a sectional view showing a rotary drive mechanism of the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment. The substrate W is placed in the processing tank 20.
And is held by a circular turntable 80 so as to be immersed in the processing liquid stored in the rotary table. The substrate W is provided with a plurality of pin-shaped substrate holding members 80a erected on the turntable 80.
Is held so as to grip the peripheral end portion of the substrate W, so that a certain interval is generated between the substrate W and the turntable 80. Here, the substrate holding member 80a is configured to be rotatable by driving the link member 85, and the substrate holding member 80a is rotated to urge the peripheral end portion of the substrate W to press the substrate W. Is held on the turntable 80 without falling.

【0095】回転台80は、その上面側中央に中空回転
軸81を垂設しており、中空回転軸81は中空モータ8
2に接続されている。中空モータ82の回転は中空回転
軸81を介して回転台80に伝達され、回転台80に保
持された基板Wが鉛直方向を軸として回転することとな
る。すなわち、回転台80によって基板Wが処理液中に
保持された状態で基板Wを回転させることにより、処理
液による基板Wに対する洗浄処理が行われる。
The rotary table 80 has a hollow rotary shaft 81 suspended at the center of the upper surface side, and the hollow rotary shaft 81 is mounted on the hollow motor 8.
2 are connected. The rotation of the hollow motor 82 is transmitted to the turntable 80 via the hollow rotary shaft 81, and the substrate W held on the turntable 80 rotates about the vertical direction as an axis. In other words, the substrate W is rotated while the substrate W is held in the processing liquid by the turntable 80, whereby the substrate W is cleaned by the processing liquid.

【0096】図9に示すように、中空モータ82および
中空回転軸81のそれぞれの中心部分には中空の穴が貫
通して設けられている。また、円形の回転台80の中心
部分には吐出口87が設けられている。そして、中空モ
ータ82および中空回転軸81の穴並びに回転台80の
吐出口87を相互に一致させ、これらが一本の経路とな
るように構成されている。
As shown in FIG. 9, a hollow hole is provided through the center of each of the hollow motor 82 and the hollow rotary shaft 81. A discharge port 87 is provided at the center of the circular turntable 80. The holes of the hollow motor 82 and the hollow rotary shaft 81 and the discharge port 87 of the turntable 80 are made to coincide with each other, and these are configured as one path.

【0097】処理槽20に純水を供給するときは、供給
バルブ40および図示を省略する純水供給源と接続され
た純水バルブ49を開くとともに、薬液バルブ45およ
びIPAバルブ44を閉鎖する。純水は、純水バルブ4
9、混合部43、レギュレータ42、供給バルブ40、
中空モータ82、中空回転軸81および回転台80の吐
出口87を介して処理槽20に供給される。
When supplying pure water to the processing tank 20, the supply valve 40 and a pure water valve 49 connected to a pure water supply source (not shown) are opened, and the chemical solution valve 45 and the IPA valve 44 are closed. Pure water is pure water valve 4
9, mixing section 43, regulator 42, supply valve 40,
It is supplied to the processing tank 20 via the hollow motor 82, the hollow rotary shaft 81 and the discharge port 87 of the turntable 80.

【0098】また、処理槽20に薬液を供給するとき
は、供給バルブ40および図示を省略する薬液供給源と
接続された薬液バルブ45を開くとともに、純水バルブ
49およびIPAバルブ44を閉鎖する。薬液は、薬液
バルブ45、混合部43、レギュレータ42、供給バル
ブ40、中空モータ82、中空回転軸81および回転台
80の吐出口87を介して処理槽20に供給される。
When supplying a chemical solution to the processing tank 20, the supply valve 40 and a chemical solution valve 45 connected to a chemical solution supply source (not shown) are opened, and the pure water valve 49 and the IPA valve 44 are closed. The chemical is supplied to the processing tank 20 through the chemical liquid valve 45, the mixing section 43, the regulator 42, the supply valve 40, the hollow motor 82, the hollow rotary shaft 81, and the discharge port 87 of the turntable 80.

【0099】回転台80は、基板Wの主面に対向する平
面を有する円形の平板であるため、吐出口87から吐出
された処理液は、基板Wと回転台80との間の隙間に沿
って流れることとなる。その結果、新鮮な処理液が直接
基板Wの主面に供給されることとなり、主面に対する洗
浄効果が高まる。
Since the turntable 80 is a circular flat plate having a flat surface facing the main surface of the substrate W, the processing liquid discharged from the discharge port 87 flows along the gap between the substrate W and the turntable 80. Will flow. As a result, fresh processing liquid is directly supplied to the main surface of the substrate W, and the cleaning effect on the main surface is enhanced.

【0100】一方、処理槽20に貯留されている処理液
を排出するときには、排液バルブ50を開くとともに、
排液ポンプ59を作動させることによって装置外に排出
する。
On the other hand, when discharging the processing liquid stored in the processing tank 20, the drain valve 50 is opened,
The liquid is discharged out of the apparatus by operating the drainage pump 59.

【0101】また、基板Wの昇降は密閉チャンバ10に
固設された昇降手段34によって行う。すなわち、中空
モータ82は係止部材36によって昇降手段34と接続
されており、昇降手段34の駆動により中空モータ8
2、中空回転軸81、回転台80および基板Wが一体に
昇降される。
The lifting and lowering of the substrate W is performed by lifting means 34 fixed to the closed chamber 10. That is, the hollow motor 82 is connected to the lifting / lowering means 34 by the locking member 36, and the hollow motor 8 is driven by the lifting / lowering means 34.
2. The hollow rotary shaft 81, the turntable 80, and the substrate W are integrally moved up and down.

【0102】第5実施形態の基板処理装置においては、
処理槽20の上方に中空モータ82を設けているため、
処理槽20の底部を回転軸が貫通することはなく、図1
のシール部材62等のような処理槽20からの処理液の
漏洩を防止するための部材が不要となり、装置の構成が
簡素化できる。
In the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment,
Since the hollow motor 82 is provided above the processing tank 20,
The rotation shaft does not penetrate the bottom of the processing tank 20, and FIG.
A member for preventing the processing liquid from leaking from the processing tank 20, such as the sealing member 62, is not required, and the configuration of the apparatus can be simplified.

【0103】第5実施形態の基板処理装置の残余の構成
は、第1実施形態と同じであるため、その説明は省略す
る。
The remaining structure of the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0104】以上説明した第5実施形態の基板処理装置
によっても、処理槽20に貯留された処理液中に基板W
を浸漬して回転洗浄処理を行っているため、洗浄処理中
は基板Wの表面に常に液膜が存在することになり、薬液
や純水の供給量を減じたとしても不十分な液膜に起因し
て処理が不均一になることはない。
According to the substrate processing apparatus of the fifth embodiment described above, the substrate W is contained in the processing liquid stored in the processing tank 20.
Is immersed in the rotary cleaning process, so that a liquid film always exists on the surface of the substrate W during the cleaning process, and even if the supply amount of the chemical solution or pure water is reduced, the liquid film becomes insufficient. The processing does not become uneven due to this.

【0105】したがって、従来よりも薬液や純水の供給
量を減らすことができ、薬液や純水の消費量を低減する
ことが可能となり、基板処理工程におけるコストダウン
が可能となる。
Therefore, the supply amount of the chemical solution or pure water can be reduced as compared with the conventional case, the consumption amount of the chemical solution or pure water can be reduced, and the cost in the substrate processing step can be reduced.

【0106】また、従来の枚葉式基板洗浄装置と異な
り、基板Wの回転によって処理液が遠心力で振り切ら
れ、その液滴がカップによって跳ね返されて基板Wに再
付着する懸念はない。その結果、パーティクルなどが基
板Wに付着して、基板Wが汚染されるおそれもない。
Further, unlike the conventional single-wafer substrate cleaning apparatus, there is no concern that the processing liquid is shaken off by the centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and the droplets are rebounded by the cup and adhere to the substrate W again. As a result, there is no possibility that particles or the like will adhere to the substrate W and contaminate the substrate W.

【0107】<6.第6実施形態>図10は、第6実施
形態の基板処理装置を示す構成図である。この基板処理
装置も基板Wに対して薬液および純水による洗浄処理を
行い、洗浄処理後はさらに乾燥処理を行う機能を有して
いる。
<6. Sixth Embodiment> FIG. 10 is a configuration diagram showing a substrate processing apparatus according to a sixth embodiment. This substrate processing apparatus also has a function of performing a cleaning process on the substrate W with a chemical solution and pure water, and further performing a drying process after the cleaning process.

【0108】第6実施形態の基板処理装置が第5実施形
態の基板処理装置と異なる点は、第5実施形態の基板処
理装置では処理槽20の上方から処理液を供給し下方か
ら排出していたのに対し、第6実施形態の基板処理装置
では処理槽20の下方から処理液を供給し上方から排出
している点である。
The substrate processing apparatus of the sixth embodiment is different from the substrate processing apparatus of the fifth embodiment in that the processing liquid is supplied from above the processing tank 20 and discharged from below in the substrate processing apparatus of the fifth embodiment. On the other hand, in the substrate processing apparatus of the sixth embodiment, the processing liquid is supplied from below the processing tank 20 and discharged from above.

【0109】処理槽20に処理液を供給する処理液供給
機構は、純水バルブ49、薬液バルブ45、IPAバル
ブ44、混合部43、レギュレータ42、供給バルブ4
0、供給ポンプ58および供給配管によって構成されて
いる。すなわち、第6実施形態の処理液供給機構は、第
2実施形態の処理液供給機構(図5参照)と類似の構成
となっている。但し、第6実施形態においては、可動式
羽根車35を設けていないため、供給ポンプ58を使用
して処理液の供給を行っている。
The processing liquid supply mechanism for supplying the processing liquid to the processing tank 20 includes a pure water valve 49, a chemical liquid valve 45, an IPA valve 44, a mixing section 43, a regulator 42, and a supply valve 4.
0, a supply pump 58 and a supply pipe. That is, the processing liquid supply mechanism of the sixth embodiment has a configuration similar to that of the processing liquid supply mechanism of the second embodiment (see FIG. 5). However, in the sixth embodiment, the processing liquid is supplied using the supply pump 58 because the movable impeller 35 is not provided.

【0110】処理槽20に純水を供給するときは、供給
バルブ40および図外の純水供給源と接続された純水バ
ルブ49を開くとともに、薬液バルブ45およびIPA
バルブ44を閉鎖する。純水は、純水バルブ49、混合
部43、レギュレータ42、供給ポンプ58および供給
バルブ40を介して処理槽20に供給される。
When supplying pure water to the treatment tank 20, the supply valve 40 and the pure water valve 49 connected to a pure water supply source (not shown) are opened, and the chemical liquid valve 45 and the IPA are supplied.
The valve 44 is closed. The pure water is supplied to the processing tank 20 via the pure water valve 49, the mixing section 43, the regulator 42, the supply pump 58, and the supply valve 40.

【0111】一方、処理槽20に薬液を供給するとき
は、供給バルブ40および図外の薬液供給源と接続され
た薬液バルブ45を開くとともに、純水バルブ49およ
びIPAバルブ44を閉鎖する。薬液は、薬液バルブ4
5、混合部43、レギュレータ42、供給ポンプ58お
よび供給バルブ40を介して処理槽20に供給される。
On the other hand, when supplying a chemical solution to the processing tank 20, the supply valve 40 and the chemical solution valve 45 connected to a chemical solution supply source (not shown) are opened, and the pure water valve 49 and the IPA valve 44 are closed. Chemical solution is chemical solution valve 4
5, is supplied to the processing tank 20 via the mixing section 43, the regulator 42, the supply pump 58 and the supply valve 40.

【0112】第6実施形態においては、第2実施形態と
同様に、処理槽20の下方から処理液を供給するため、
余剰の処理液は処理槽20の上方から溢れ出る。処理槽
20から溢れ出た処理液は、外槽21によって回収さ
れ、排液バルブ50を介して排出される。
In the sixth embodiment, as in the second embodiment, the processing liquid is supplied from below the processing tank 20.
Excess processing liquid overflows from above the processing tank 20. The processing liquid overflowing from the processing tank 20 is collected by the outer tank 21 and discharged via the drain valve 50.

【0113】第6実施形態の回転駆動機構は、第5実施
形態と同様である。もっとも、第6実施形態では回転駆
動機構内を処理液が通過することはないため、中空モー
タ82および中空回転軸81について必ずしも中空にす
る必要はない。また、回転台80について必ずしも吐出
口87を設ける必要はない。
The rotary drive mechanism of the sixth embodiment is the same as that of the fifth embodiment. However, in the sixth embodiment, since the processing liquid does not pass through the inside of the rotary drive mechanism, the hollow motor 82 and the hollow rotary shaft 81 do not necessarily need to be hollow. Further, it is not always necessary to provide the discharge port 87 for the turntable 80.

【0114】第6実施形態の基板処理装置においても、
処理槽20の上方に中空モータ82を設けているため、
処理槽20の底部を回転軸が貫通することはなく、図1
のシール部材62等のような処理槽20からの処理液の
漏洩を防止するための部材が不要となり、装置の構成が
簡素化できる。
In the substrate processing apparatus of the sixth embodiment,
Since the hollow motor 82 is provided above the processing tank 20,
The rotation shaft does not penetrate the bottom of the processing tank 20, and FIG.
A member for preventing the processing liquid from leaking from the processing tank 20, such as the sealing member 62, is not required, and the configuration of the apparatus can be simplified.

【0115】第5実施形態の基板処理装置の残余の構成
は、第1実施形態と同じであるため、その説明は省略す
る。
The remaining structure of the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0116】<7.変形例>以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、第5実施形態または第6実施形
態の基板処理装置に第3実施形態または第4実施形態の
ような循環機構を設けるようにしてもよい。循環機構を
設ければ、排液バルブ50を介して排出された処理液に
少量の純水または薬液を混合させて再び処理槽20に供
給すればよいので、薬液や純水の消費量を大幅に低減す
ることが可能となる。
<7. Modifications> While the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described examples. For example, a circulation mechanism as in the third or fourth embodiment may be provided in the substrate processing apparatus of the fifth or sixth embodiment. If a circulation mechanism is provided, a small amount of pure water or a chemical solution may be mixed with the processing liquid discharged through the drain valve 50 and then supplied to the processing tank 20 again. It becomes possible to reduce to.

【0117】また、第2実施形態または第4実施形態の
基板処理装置のモータ32に中空モータを適用し、回転
軸31に中空回転軸を適用するとともに、回転台30に
吐出口を設けるようにしてもよい。第5実施形態と同様
に、新鮮な処理液が直接基板Wの主面に供給されること
となり、主面に対する洗浄効果が高まる。
Further, a hollow motor is applied to the motor 32 of the substrate processing apparatus according to the second or fourth embodiment, a hollow rotary shaft is applied to the rotary shaft 31, and a discharge port is provided on the rotary base 30. You may. As in the fifth embodiment, fresh processing liquid is directly supplied to the main surface of the substrate W, and the cleaning effect on the main surface is enhanced.

【0118】[0118]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、処理液を貯留する処理槽と、処理液を処理槽に
供給する処理液供給手段と、処理槽から処理液を排出す
る処理液排出手段と、処理槽内に配置され、処理槽に貯
留された処理液内に基板を保持する基板保持手段と、基
板保持手段によって基板が処理液内に保持された状態
で、基板保持手段を回転させる回転駆動手段と、を備え
ているため、処理中は基板の表面に常に液膜が存在する
ことになり、処理液の供給量を減じたとしても不十分な
液膜に起因して処理が不均一になることはない。その結
果、従来よりも処理液の供給量を減らすことができ、処
理液の消費量を低減することが可能となり、基板処理工
程におけるコストダウンが可能となる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, a processing tank for storing a processing liquid, processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the processing tank, and discharging the processing liquid from the processing tank. A processing liquid discharge unit, a substrate holding unit disposed in the processing bath, and holding the substrate in the processing liquid stored in the processing bath, and a substrate held in the processing liquid by the substrate holding unit. Liquid rotation means for rotating the holding means, the liquid film always exists on the surface of the substrate during processing, and even if the supply amount of the processing liquid is reduced, the liquid film is insufficient. The processing does not become uneven. As a result, the supply amount of the processing liquid can be reduced as compared with the conventional case, the consumption amount of the processing liquid can be reduced, and the cost in the substrate processing step can be reduced.

【0119】また、基板の回転によって処理液が遠心力
で振り切られ、その液滴が飛散して基板に再付着する懸
念はない。その結果、パーティクルなどが基板に付着し
て、基板が汚染されるおそれもない。
Further, there is no concern that the processing liquid is shaken off by the centrifugal force due to the rotation of the substrate, and the droplets scatter and adhere to the substrate again. As a result, there is no possibility that particles and the like will adhere to the substrate and contaminate the substrate.

【0120】また、請求項2の発明によれば、処理槽を
収容する密閉チャンバを備えているため、密閉チャンバ
内にクリーンルームの雰囲気が導入されることはなく、
当該雰囲気中に含まれるパーティクルやガスによって基
板処理中または処理後の基板が汚染されるおそれはな
い。
According to the second aspect of the present invention, since the closed chamber accommodating the processing tank is provided, the atmosphere of the clean room is not introduced into the closed chamber.
There is no possibility that the substrate during or after substrate processing is contaminated by particles or gas contained in the atmosphere.

【0121】また、請求項3の発明によれば、密閉チャ
ンバ内に処理液を乾燥させる有機溶剤の蒸気を供給する
有機溶剤蒸気供給手段、を備えているため、基板に付着
している処理液を速やかに乾燥し、気液界面発生を抑制
することができ、それにともなって不要な酸化が生じな
くなる。その結果、いわゆるウォーターマークの発生を
抑制することができる。
According to the third aspect of the present invention, since the closed chamber is provided with the organic solvent vapor supply means for supplying the vapor of the organic solvent for drying the processing liquid, the processing liquid adhering to the substrate is provided. Is quickly dried to suppress the generation of a gas-liquid interface, and accordingly, unnecessary oxidation does not occur. As a result, generation of a so-called watermark can be suppressed.

【0122】また、請求項4の発明によれば、密閉チャ
ンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段、を
備えているため、処理液の周辺の雰囲気を不活性ガス雰
囲気に置換して処理液周辺の雰囲気から酸素や二酸化炭
素が処理液中に溶解するのを防止でき、より清浄な洗浄
処理を行うことができる。また、処理液の劣化を防止し
て、処理の信頼性・安定性を増すことができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the inert gas supply means for supplying an inert gas into the closed chamber is provided, the atmosphere around the processing liquid is replaced with the inert gas atmosphere. As a result, it is possible to prevent oxygen and carbon dioxide from being dissolved in the processing liquid from the atmosphere around the processing liquid, and to perform a cleaner cleaning treatment. In addition, it is possible to prevent the processing liquid from deteriorating and to increase the reliability and stability of the processing.

【0123】また、請求項5の発明によれば、処理液排
出手段によって排出された処理液を処理液供給手段に帰
還させて再び処理槽に供給する循環経路、を備えている
ため、処理液の消費量を大幅に低減することが可能とな
る。
According to the fifth aspect of the present invention, since there is provided a circulation path for returning the processing liquid discharged by the processing liquid discharging means to the processing liquid supply means and supplying the processing liquid again to the processing tank, Can be greatly reduced.

【0124】また、請求項6の発明によれば、回転駆動
手段を処理槽よりも上方に配置しているため、処理槽に
おける回転駆動手段の貫通部分からの処理液の漏洩を防
止するための部材が不要となり、装置の構成が簡素化で
きる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the rotary driving means is disposed above the processing tank, it is possible to prevent the processing liquid from leaking from a portion of the processing tank through which the rotary driving means penetrates. No member is required, and the configuration of the device can be simplified.

【0125】また、請求項7の発明によれば、処理液供
給手段から供給された処理液を基板の主面に吐出する吐
出口を基板保持板に設けているため、新鮮な処理液が直
接基板の主面に供給されることとなり、主面に対する処
理効果が高まる。
According to the seventh aspect of the present invention, since the discharge port for discharging the processing liquid supplied from the processing liquid supply means to the main surface of the substrate is provided in the substrate holding plate, fresh processing liquid can be directly supplied. Since it is supplied to the main surface of the substrate, the processing effect on the main surface is enhanced.

【0126】また、請求項8の発明によれば、回転駆動
手段の回転軸に固設された供給用羽根車の回転によって
処理液を処理槽に供給しているため、処理液を供給する
ための専用ポンプなどが不要となり、装置を小型化でき
るとともにコストダウンにも繋がる。また、処理液を旋
回させつつ処理槽に供給することができ、基板と供給さ
れる処理液との相対速度が大きくなり、基板の処理効果
を高めることができる。
According to the eighth aspect of the present invention, since the processing liquid is supplied to the processing tank by the rotation of the supply impeller fixed to the rotating shaft of the rotation driving means, the processing liquid is supplied. This eliminates the need for a dedicated pump or the like, which can reduce the size of the apparatus and lead to cost reduction. Further, the processing liquid can be supplied to the processing tank while swirling, the relative speed between the substrate and the supplied processing liquid increases, and the processing effect of the substrate can be enhanced.

【0127】また、請求項9の発明によれば、回転駆動
手段の回転軸に固設された排出用羽根車の回転によって
処理槽内に貯留されている処理液を排出するため、処理
液を排出するための専用ポンプなどが不要となり、装置
を小型化できるとともにコストダウンにも繋がる。
According to the ninth aspect of the present invention, since the processing liquid stored in the processing tank is discharged by the rotation of the discharge impeller fixedly mounted on the rotating shaft of the rotary driving means, the processing liquid is discharged. This eliminates the need for a dedicated pump or the like for discharging, so that the apparatus can be reduced in size and cost.

【0128】また、請求項10の発明によれば、固定的
に設けられた供給用羽根車を介して処理液を処理槽に供
給するため、処理液を旋回させつつ処理槽に供給するこ
とができ、基板と供給される処理液との相対速度が大き
くなり、基板の処理効果を高めることができる。
According to the tenth aspect of the present invention, since the processing liquid is supplied to the processing tank via the supply impeller fixedly provided, the processing liquid can be supplied to the processing tank while rotating. As a result, the relative speed between the substrate and the supplied processing liquid is increased, and the processing effect of the substrate can be enhanced.

【0129】また、請求項11の発明によれば、処理槽
内の処理液に超音波振動を付与する超音波振動子を処理
槽に付設しているため、処理が洗浄処理である場合は、
より高性能な洗浄処理が可能となる。
According to the eleventh aspect of the present invention, since the ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibration to the processing liquid in the processing tank is attached to the processing tank, when the processing is a cleaning processing,
Higher-performance cleaning processing becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一例を示す構成図
である。
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の基板処理装置の処理槽のシール部分を示
す図である。
FIG. 2 is a view showing a seal portion of a processing tank of the substrate processing apparatus of FIG.

【図3】図1の基板処理装置の可動式羽根車の形態の一
例を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing an example of a form of a movable impeller of the substrate processing apparatus of FIG.

【図4】可動式羽根車の形態の他の例を示す斜視図であ
る。
FIG. 4 is a perspective view showing another example of the form of the movable impeller.

【図5】第2実施形態の基板処理装置を示す構成図であ
る。
FIG. 5 is a configuration diagram illustrating a substrate processing apparatus according to a second embodiment.

【図6】第3実施形態の基板処理装置を示す構成図であ
る。
FIG. 6 is a configuration diagram illustrating a substrate processing apparatus according to a third embodiment.

【図7】第4実施形態の基板処理装置を示す構成図であ
る。
FIG. 7 is a configuration diagram illustrating a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment.

【図8】第5実施形態の基板処理装置を示す構成図であ
る。
FIG. 8 is a configuration diagram illustrating a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment.

【図9】第5実施形態の基板処理装置の回転駆動機構を
示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a rotation drive mechanism of a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment.

【図10】第6実施形態の基板処理装置を示す構成図で
ある。
FIG. 10 is a configuration diagram illustrating a substrate processing apparatus according to a sixth embodiment.

【図11】従来の枚葉式の基板洗浄装置を説明する図で
ある。
FIG. 11 is a view illustrating a conventional single-wafer substrate cleaning apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 密閉チャンバ 20 処理槽 30 回転台 32 モータ 25 超音波振動子 35 可動式羽根車 40 供給バルブ 41 固定式供給用羽根車 50 排液バルブ 51 循環ポンプ 53 循環バルブ 71 窒素ガスバルブ 73 IPAバルブ 82 中空モータ 87 吐出口 W 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Closed chamber 20 Processing tank 30 Turntable 32 Motor 25 Ultrasonic vibrator 35 Movable impeller 40 Supply valve 41 Fixed supply impeller 50 Drainage valve 51 Circulation pump 53 Circulation valve 71 Nitrogen gas valve 73 IPA valve 82 Hollow motor 87 Discharge port W Substrate

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板に対して処理液を使用しつつ所定の
処理を行う基板処理装置であって、 (a) 前記処理液を貯留する処理槽と、 (b) 前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段
と、 (c) 前記処理槽から前記処理液を排出する処理液排出手
段と、 (d) 前記処理槽内に配置され、前記処理槽に貯留された
前記処理液内に前記基板を保持する基板保持手段と、 (e) 前記基板保持手段によって前記基板が前記処理液内
に保持された状態で、前記基板保持手段を回転させる回
転駆動手段と、を備えることを特徴とする基板処理装
置。
1. A substrate processing apparatus for performing a predetermined processing on a substrate while using a processing liquid, comprising: (a) a processing tank for storing the processing liquid; and (b) a processing tank for storing the processing liquid in the processing tank. (C) a processing liquid discharging means for discharging the processing liquid from the processing tank, (d) disposed in the processing tank, and within the processing liquid stored in the processing tank. Substrate holding means for holding the substrate, and (e) rotation driving means for rotating the substrate holding means in a state where the substrate is held in the processing liquid by the substrate holding means. Substrate processing apparatus.
【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 (f) 前記処理槽を収容する密閉チャンバ、をさらに備え
ることを特徴とする基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: (f) a closed chamber containing the processing tank.
【請求項3】 請求項2記載の基板処理装置において、 (g) 前記密閉チャンバ内に前記処理液を乾燥させる有機
溶剤の蒸気を供給する有機溶剤蒸気供給手段、をさらに
備えることを特徴とする基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising: (g) an organic solvent vapor supply means for supplying a vapor of an organic solvent for drying the processing liquid into the closed chamber. Substrate processing equipment.
【請求項4】 請求項2記載の基板処理装置において、 (h) 前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性
ガス供給手段、をさらに備えることを特徴とする基板処
理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising: (h) inert gas supply means for supplying an inert gas into the closed chamber.
【請求項5】 請求項1ないし請求項4のいずれかに記
載の基板処理装置において、 (i) 前記処理液排出手段によって排出された前記処理液
を前記処理液供給手段に帰還させて再び前記処理槽に供
給する循環経路、をさらに備えることを特徴とする基板
処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein: (i) the processing liquid discharged by the processing liquid discharging means is returned to the processing liquid supply means, and the processing liquid is returned to the processing liquid supply means. A substrate processing apparatus further comprising a circulation path for supplying the processing tank.
【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記回転駆動手段を前記処理槽よりも上方に配置するこ
とを特徴とする基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the rotation driving unit is disposed above the processing tank.
【請求項7】 請求項1ないし請求項6のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記基板保持手段は、保持された前記基板の主面に対向
する面を有する基板保持板を含み、 前記基板保持板は、前記処理液供給手段から供給された
前記処理液を前記主面に吐出する吐出口を有することを
特徴とする基板処理装置。
7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate holding unit includes a substrate holding plate having a surface facing a main surface of the held substrate. The substrate processing apparatus, wherein the substrate holding plate has a discharge port for discharging the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit to the main surface.
【請求項8】 請求項1ないし請求項5のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記回転駆動手段を前記処理槽よりも下方に配置し、 前記処理液供給手段は、前記回転駆動手段の回転軸に固
設された供給用羽根車を含み、 前記処理液を、前記供給用羽根車の回転によって前記処
理槽に供給することを特徴とする基板処理装置。
8. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the rotation driving unit is disposed below the processing tank, and the processing liquid supply unit is provided in the rotation driving unit. A substrate processing apparatus, comprising: a supply impeller fixed to a rotating shaft, wherein the processing liquid is supplied to the processing tank by rotation of the supply impeller.
【請求項9】 請求項1ないし請求項5のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記回転駆動手段を前記処理槽よりも下方に配置し、 前記処理液排出手段は、前記回転駆動手段の回転軸に固
設された排出用羽根車を含み、 前記処理槽内に貯留されている前記処理液を、前記排出
用羽根車の回転によって排出することを特徴とする基板
処理装置。
9. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the rotation driving unit is disposed below the processing tank, and wherein the processing liquid discharging unit is provided with the rotation driving unit. A substrate processing apparatus, comprising: a discharge impeller fixedly mounted on a rotating shaft, wherein the processing liquid stored in the processing tank is discharged by rotation of the discharge impeller.
【請求項10】 請求項1ないし請求項5のいずれかに
記載の基板処理装置において、 前記処理液供給手段は、前記処理槽の上方に固定的に設
けられた供給用羽根車を含み、 前記供給用羽根車を介して前記処理液を前記処理槽に供
給することを特徴とする基板処理装置。
10. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid supply unit includes a supply impeller fixedly provided above the processing tank. A substrate processing apparatus, wherein the processing liquid is supplied to the processing tank via a supply impeller.
【請求項11】 請求項1ないし請求項10のいずれか
に記載の基板処理装置において、 前記処理槽内の前記処理液に超音波振動を付与する超音
波振動子を前記処理槽に付設することを特徴とする基板
処理装置。
11. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibration to the processing liquid in the processing tank is provided in the processing tank. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
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