JP2000288450A - Formation of coating film and coating device - Google Patents

Formation of coating film and coating device

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JP2000288450A
JP2000288450A JP9985799A JP9985799A JP2000288450A JP 2000288450 A JP2000288450 A JP 2000288450A JP 9985799 A JP9985799 A JP 9985799A JP 9985799 A JP9985799 A JP 9985799A JP 2000288450 A JP2000288450 A JP 2000288450A
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JP
Japan
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substrate
liquid supply
supply nozzle
coating
coating liquid
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JP9985799A
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Japanese (ja)
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Yoshiharu Ota
義治 太田
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coating film forming method and a coating device, which are capable of uniformalizing the thickness of a coating film formed on a substrate and decreasing the quantity of a coating liquid to be used to the utmost. SOLUTION: The coating film is formed by discharging the coating liquid on the surface of the substrate from a coating liquid feed nozzle 80 while moving the coating liquid feed nozzle 80 above the substrate. In such a case, one or more of the discharge and the discharge rate of the coating liquid from the coating liquid feed nozzle 80, the movement and the moving speed of the coating liquid feed nozzle 80 and the rotation and the rotational speed of the substrate are properly controlled at the time of moving the coating liquid supply nozzle 80 above the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置(L
CD)基板や半導体基板の表面上に、例えばレジスト膜
のような塗布膜を形成するための塗布膜形成方法および
塗布装置に関する。
The present invention relates to a liquid crystal display (L).
The present invention relates to a coating film forming method and a coating device for forming a coating film such as a resist film on a surface of a CD or a semiconductor substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、LCD基板の製造においては、
LCD基板にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ技術を用いて回路パターンをフォトレジストに転写
し、これを現像処理することにより回路が形成される。
この工程には、塗布液を基板の表面上に供給する塗布膜
形成工程が含まれる。
2. Description of the Related Art For example, in the production of LCD substrates,
A circuit is formed by applying a photoresist to an LCD substrate, transferring a circuit pattern to the photoresist by using a photolithography technique, and developing the photoresist.
This step includes a coating film forming step of supplying a coating liquid onto the surface of the substrate.

【0003】この場合のレジスト膜の形成方法として
は、例えば、矩形のLCD基板を処理容器内に配設され
た載置台上に載置固定し、処理容器の開口部を蓋体で閉
塞して、処理容器と載置台とを共に回転させ、この基板
上面の中心部に溶剤と感光性樹脂とからなるレジスト液
(塗布液)を滴下し、このレジスト液を基板の回転力と
遠心力とにより基板中心部から周縁部に向けて渦巻状に
拡散させて塗布する方法が知られている。
As a method of forming a resist film in this case, for example, a rectangular LCD substrate is mounted and fixed on a mounting table provided in a processing container, and an opening of the processing container is closed with a lid. Then, the processing container and the mounting table are rotated together, and a resist solution (coating solution) composed of a solvent and a photosensitive resin is dropped on the center of the upper surface of the substrate, and the resist solution is applied by the rotational force and centrifugal force of the substrate There is known a method in which a substrate is spirally diffused from the center of the substrate toward the peripheral edge and applied.

【0004】この方法においては、レジスト液がLCD
基板の中心位置から周縁部に向けて拡散して行く過程
で、レジスト液中の溶剤が蒸発して、レジスト液が乾燥
し、その結果、LCD基板上では、レジストが拡散する
方向によってレジスト液の粘度が異なり、LCD基板の
中心部と周縁部とでは、形成されるレジスト膜の厚さが
異なる場合が生じる。
In this method, a resist solution is used for an LCD.
In the process of diffusing from the center position of the substrate toward the periphery, the solvent in the resist solution evaporates and the resist solution dries. As a result, on the LCD substrate, the resist solution depends on the direction in which the resist diffuses. The viscosity is different, and the thickness of the formed resist film is different between the center part and the peripheral part of the LCD substrate.

【0005】また、上記の方法においては、基板の回転
させて基板中心部から周縁部に向けてレジスト液を拡散
させて基板上にレジスト液を塗布し、中心位置よりも周
速が著しく大きい外周部から相当量のレジスト液を処理
容器に向って飛散させている。この場合、滴下するレジ
スト液のうち基板面に塗布される量は10〜20%であ
り、残りの80〜90%は飛散させている。特に、矩形
であるLCD基板にレジスト液を塗布する場合には、基
板全面に塗り残しなくレジスト液を塗布するために、非
常に多量のレジスト液を無駄にすることになる。近年、
LCD基板の大型化が進んでおり、従来の方法では、レ
ジスト液の無駄が極めて大きいものとなる。
In the above method, the resist is applied to the substrate by rotating the substrate to diffuse the resist liquid from the center of the substrate toward the peripheral portion, and the outer periphery having a peripheral speed significantly higher than the center position. A considerable amount of the resist solution is scattered from the portion toward the processing container. In this case, the amount of the resist solution dropped on the substrate surface is 10 to 20%, and the remaining 80 to 90% is scattered. In particular, when a resist liquid is applied to a rectangular LCD substrate, a very large amount of the resist liquid is wasted because the resist liquid is applied to the entire surface of the substrate without leaving any residue. recent years,
Since the size of the LCD substrate is increasing, the conventional method results in a very large waste of the resist solution.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、基板上に形成する塗布膜
の膜厚均一化を図ることができるとともに、使用する塗
布液の量を極力少なくすることができる塗布膜形成方法
および塗布装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to make the thickness of a coating film formed on a substrate uniform and to reduce the amount of a coating solution to be used. It is an object of the present invention to provide a coating film forming method and a coating apparatus which can minimize the coating film.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第1の観点によれば、処理容器内に収容さ
れた基板の表面上に、塗布液供給ノズルから塗布液を供
給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、前記
塗布液供給ノズルを基板上で移動させながら、この塗布
液供給ノズルから前記基板の表面に塗布液を吐出して塗
布膜を形成する工程と、前記塗布膜の膜厚を整える工程
とを具備することを特徴とする塗布膜形成方法が提供さ
れる。
According to a first aspect of the present invention, a coating liquid is supplied from a coating liquid supply nozzle onto a surface of a substrate housed in a processing container. Forming a coating film by forming a coating film by moving the coating liquid supply nozzle on a substrate and discharging the coating liquid from the coating liquid supply nozzle onto the surface of the substrate. And a step of adjusting the film thickness of the coating film.

【0008】本発明の第2の観点によれば、処理容器内
に収容された基板の表面上に塗布液を供給して塗布膜を
形成する塗布装置であって、塗布液を供給する塗布液供
給機構と、塗布液供給機構からの塗布液を基板の表面上
に吐出する塗布液供給ノズルと、前記塗布液供給ノズル
を基板上で移動するためのノズル移動機構と、前記塗布
液供給系および前記ノズル移動機構を制御する制御手段
と、前記塗布膜の膜厚を整える整膜機構とを具備するこ
とを特徴とする塗布装置が提供される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a coating apparatus for forming a coating film by supplying a coating liquid on a surface of a substrate accommodated in a processing container, wherein the coating liquid supplying the coating liquid is provided. A supply mechanism, a coating liquid supply nozzle for discharging the coating liquid from the coating liquid supply mechanism onto the surface of the substrate, a nozzle moving mechanism for moving the coating liquid supply nozzle on the substrate, the coating liquid supply system, A coating apparatus is provided, comprising: control means for controlling the nozzle moving mechanism; and a film-regulating mechanism for adjusting the thickness of the coating film.

【0009】このような構成の本発明によれば、塗布液
供給ノズルを基板上で移動しながら、塗布液供給ノズル
から基板の表面に塗布液を吐出するので、従来のように
塗布液供給ノズルを静止しながら塗布液を吐出する場合
に比べて、塗布膜の膜厚均一化を図ることができる。す
なわち、例えば、塗布液供給ノズルを移動して、基板の
周縁部にも塗布液を吐出することができるため、この周
縁部での塗布液の乾きを防止することができ、基板の中
心部と周縁部における塗布膜の厚さを略同じにすること
ができる。また、塗布液供給ノズルを静止している場合
のように、基板の中心部にのみに多量の塗布液を吐出す
るのではなく、塗布液供給ノズルを移動しながら基板の
中心部から周縁部にわたって塗布液を徐々に吐出するこ
とができるため、後工程の基板の回転時には、遠心力に
より基板から飛散する塗布液の量を少なくすることがで
き、使用する塗布液の量を極力少なくすることができ
る。
According to the present invention having such a configuration, the coating liquid supply nozzle discharges the coating liquid onto the surface of the substrate while moving the coating liquid supply nozzle on the substrate. The thickness of the coating film can be made uniform as compared with a case in which the coating liquid is discharged while the liquid is stopped. That is, for example, since the coating liquid supply nozzle can be moved to discharge the coating liquid also to the peripheral portion of the substrate, it is possible to prevent the coating liquid from drying at this peripheral portion, and The thickness of the coating film at the peripheral portion can be made substantially the same. Also, instead of discharging a large amount of coating liquid only to the center of the substrate as in the case where the coating liquid supply nozzle is stationary, the coating liquid supply nozzle is moved from the center to the peripheral edge of the substrate while moving the nozzle. Since the coating liquid can be discharged gradually, the amount of the coating liquid scattered from the substrate due to centrifugal force can be reduced during rotation of the substrate in a later process, and the amount of the coating liquid used can be reduced as much as possible. it can.

【0010】具体的には、以下の(1)ないし(3)の
ような形態を挙げることができる。 (1)塗布液供給ノズルからの塗布液の吐出、または吐
出速度 塗布液の吐出に関しては、塗布液供給ノズルを基板上で
移動している際、塗布液の吐出を連続して行うか、また
は、塗布液供給ノズルの基板上の位置に応じて吐出を中
断するようにすることができる。また、塗布液の吐出速
度に関しては、塗布液供給ノズルを基板上で移動してい
る際、塗布液の吐出速度を略一定に維持するか、または
塗布液供給ノズルの基板上の位置に応じて吐出速度を変
化させるようにすることができる。
Specifically, the following forms (1) to (3) can be given. (1) Discharge or discharge speed of the coating liquid from the coating liquid supply nozzle Regarding the discharge of the coating liquid, when the coating liquid supply nozzle is moved on the substrate, the discharge of the coating liquid is performed continuously, or The ejection can be interrupted according to the position of the application liquid supply nozzle on the substrate. Regarding the coating liquid discharge speed, when the coating liquid supply nozzle is moving on the substrate, the discharge speed of the coating liquid is maintained substantially constant, or according to the position of the coating liquid supply nozzle on the substrate. The discharge speed can be changed.

【0011】これにより、例えば、塗布液供給ノズルを
移動している際、ノズルが基板の中央部に位置している
時に塗布液を吐出し、ノズルが基板の中央部から周縁部
に向かう時に塗布液の吐出を中断し、その後、ノズルが
基板の周縁部に近づくにつれて、塗布液を再度吐出する
ようなことができ、塗布液量の削減を図ることができ
る。また、塗布膜の膜厚均一化を図ることもできる。
Thus, for example, when the application liquid supply nozzle is moving, the application liquid is discharged when the nozzle is located at the center of the substrate, and the application liquid is applied when the nozzle moves from the center of the substrate to the peripheral portion. Discharging of the liquid is interrupted, and thereafter, as the nozzle approaches the peripheral portion of the substrate, the coating liquid can be discharged again, so that the amount of the coating liquid can be reduced. Further, the thickness of the coating film can be made uniform.

【0012】(2)塗布液供給ノズルの移動、または移
動速度 塗布液供給ノズルの移動に関しては、塗布液供給ノズル
を基板上で移動している際、塗布液供給ノズルの移動を
連続して行うか、または塗布液供給ノズルの基板上の位
置に応じて移動を中断するようにすることができる。ま
た、移動速度に関しては、塗布液供給ノズルを基板上で
移動している際、移動速度を略一定に維持するか、また
は塗布液供給ノズルの基板上の位置に応じて移動速度を
変化させるようにすることができる。
(2) Movement or moving speed of the coating liquid supply nozzle Regarding the movement of the coating liquid supply nozzle, the movement of the coating liquid supply nozzle is performed continuously while the coating liquid supply nozzle is moving on the substrate. Alternatively, the movement can be interrupted according to the position of the application liquid supply nozzle on the substrate. Further, with respect to the moving speed, when moving the coating liquid supply nozzle on the substrate, the moving speed is maintained substantially constant, or the moving speed is changed according to the position of the coating liquid supply nozzle on the substrate. Can be

【0013】これにより、例えば、基板の単位面積当た
りに吐出される塗布液の量が略等しくなるように、ノズ
ルの移動または移動速度を制御することができるので、
塗布膜の膜厚均一化または塗布液量の削減を図ることが
できる。
Thus, for example, the movement or the moving speed of the nozzle can be controlled so that the amount of the coating liquid ejected per unit area of the substrate becomes substantially equal.
The thickness of the coating film can be made uniform or the amount of the coating solution can be reduced.

【0014】(3)基板の移動もしくは回転、または移
動もしくは回転速度 基板の移動または回転に関しては、塗布液供給ノズルを
基板上で移動しながら塗布液を吐出している際、基板を
静止しているか、または基板を移動もしくは回転させる
ようにすることができる。また、基板の移動または回転
速度に関しては、塗布液供給ノズルを基板上で移動しな
がら塗布液を吐出している際、基板の移動速度もしくは
回転速度を略一定に維持するか、または、塗布液供給ノ
ズルの基板上の位置に応じて移動もしくは回転速度を変
化させるようにすることができる。
(3) Movement or rotation of the substrate, or movement or rotation speed With respect to the movement or rotation of the substrate, when the application liquid is being discharged while moving the application liquid supply nozzle over the substrate, the substrate is kept stationary. Or the substrate can be moved or rotated. Regarding the movement or rotation speed of the substrate, when the application liquid is being ejected while moving the application liquid supply nozzle over the substrate, the movement speed or the rotation speed of the substrate is maintained substantially constant, or The movement or the rotation speed can be changed according to the position of the supply nozzle on the substrate.

【0015】これにより、例えば、基板の単位面積当た
りに吐出される塗布液の量を略等しくできるように、基
板の移動もしくは回転、または移動もしくは回転速度を
制御することができるので、塗布膜の膜厚均一化または
塗布液量の削減を図ることができる。
Thus, for example, the movement or rotation or the movement or rotation speed of the substrate can be controlled so that the amount of the coating liquid discharged per unit area of the substrate can be made substantially equal. It is possible to make the film thickness uniform or reduce the amount of the coating solution.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明が適用される塗布処理ユニットを備えたLCD基板の
レジスト塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a resist coating and developing system for an LCD substrate having a coating unit to which the present invention is applied.

【0017】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェイス部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション2および
インターフェイス部3が配置されている。
This coating / developing processing system includes a cassette station 1 on which a cassette C accommodating a plurality of substrates G is mounted, and a plurality of processing units for performing a series of processes including resist coating and developing on the substrates G. A processing unit 2 is provided, and an interface unit 3 for transferring a substrate G between the processing unit 2 and an exposure apparatus (not shown). A cassette station 2 and an interface unit 3 are provided at both ends of the processing unit 2, respectively. Are located.

【0018】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機
構10を備えている。そして、カセットステーション1
においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機
構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送
アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板G
の搬送が行われる。処理部2は、前段部2aと中段部2
bと後段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送
路12、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処
理ユニットが配設されている。そして、これらの間には
中継部15、16が設けられている。
The cassette station 1 has a transport mechanism 10 for transporting an LCD substrate between the cassette C and the processing section 2. And cassette station 1
, A cassette C is loaded and unloaded. The transport mechanism 10 includes a transport arm 11 that can move on a transport path 10 a provided along the direction in which the cassettes are arranged. The transport arm 11 allows the substrate G to be moved between the cassette C and the processing unit 2.
Is carried out. The processing section 2 includes a front section 2a and a middle section 2
b and a rear section 2c, each of which has transport paths 12, 13, and 14 in the center, and each processing unit is disposed on both sides of these transport paths. Then, relay portions 15 and 16 are provided between them.

【0019】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが
配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射装
置(UV)および冷却装置(COL)が上下に重ねられ
てなる紫外線照射/冷却ユニット25、2つの加熱処理
装置(HP)が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット
26、および2つの冷却装置(COL)が上下に重ねら
れてなる冷却ユニット27が配置されている。
The front section 2a is provided with a main transfer device 17 movable along the transfer path 12. On one side of the transfer path 12, two cleaning units (SCR) 21a and 21b are arranged. On the other side of the transport path 12, an ultraviolet irradiation / cooling unit 25 in which an ultraviolet irradiation device (UV) and a cooling device (COL) are vertically stacked, and two heat treatment devices (HP) are vertically stacked. A heat treatment unit 26 and a cooling unit 27 in which two cooling devices (COL) are vertically stacked are arranged.

【0020】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22お
よび基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、
搬送路13の他方側には、2つの加熱装置(HP)が上
下に重ねられてなる加熱処理ユニット28、加熱処理装
置(HP)と冷却処理装置(COL)が上下に重ねられ
てなる加熱処理/冷却ユニット29、およびアドヒージ
ョン処理装置(AD)と冷却装置(COL)とが上下に
積層されてなるアドヒージョン処理/冷却ユニット30
が配置されている。
The middle section 2b is provided with a main transfer device 18 movable along the transfer path 13. On one side of the transfer path 13, a resist coating unit (CT) 22 and a peripheral edge of the substrate G are provided. A peripheral resist removal unit (ER) 23 for removing the resist of the portion is provided integrally,
On the other side of the transport path 13, a heat treatment unit 28 in which two heating devices (HP) are vertically stacked, and a heat treatment in which a heat treatment device (HP) and a cooling treatment device (COL) are vertically stacked. / Cooling unit 29, and an adhesion processing / cooling unit 30 in which an adhesion processing device (AD) and a cooling device (COL) are vertically stacked.
Is arranged.

【0021】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット(DEV)24
a、24b、24cが配置されており、搬送路14の他
方側には2つの加熱処理装置(HP)が上下に重ねられ
てなる加熱処理ユニット31、および加熱処理装置(H
P)と冷却装置(COL)が上下に積層されてなる2つ
の加熱処理/冷却ユニット32、33が配置されてい
る。
Further, the rear stage 2c is provided with a main transfer device 19 which can move along the transfer path 14.
On one side, three development processing units (DEV) 24
a, 24b, and 24c are arranged, and on the other side of the transport path 14, a heat treatment unit 31 in which two heat treatment devices (HP) are vertically stacked, and a heat treatment device (H
P) and a cooling device (COL) are vertically stacked, and two heat treatment / cooling units 32 and 33 are arranged.

【0022】上記主搬送装置17,18,19は、それ
ぞれ水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、
および垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Gを支持するアーム17a,18a,19aを有
している。
The main transfer units 17, 18, and 19 are respectively provided with an X-axis drive mechanism, a Y-axis drive mechanism in two directions in a horizontal plane,
And a vertical Z-axis drive mechanism.
A rotation drive mechanism that rotates about an axis is provided, and has arms 17a, 18a, and 19a that support the substrate G, respectively.

【0023】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット2
2、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。
The processing section 2 includes a cleaning processing unit 21a and a resist processing unit 2 on one side of the transport path.
2. Only a spinner unit such as the development processing unit 24a is arranged, and only a heat processing unit such as a heating processing unit or a cooling processing unit is arranged on the other side.

【0024】また、中継部15、16のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらにメンテナンスが可能なスペース35が
設けられている。
A chemical solution supply unit 34 is provided at a portion of the relay units 15 and 16 on the side where the spinner system unit is provided, and a space 35 where maintenance is possible is provided.

【0025】インターフェイス部3は、処理部2との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ
37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板G
の搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構
38はエクステンション36およびバッファステージ3
7の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動
可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39によ
り処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われ
る。
The interface section 3 includes an extension 36 for temporarily holding the substrate when transferring the substrate to and from the processing section 2, and two buffer stages 37 provided on both sides thereof for disposing a buffer cassette. And a substrate G between these and an exposure apparatus (not shown)
And a transport mechanism 38 for carrying in and out the wafer. The transport mechanism 38 includes the extension 36 and the buffer stage 3
The transfer arm 39 is provided on the transfer path 38a provided along the arrangement direction of the transfer unit 7 and the transfer arm 39 transfers the substrate G between the processing unit 2 and the exposure apparatus.

【0026】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
By integrating and integrating the processing units in this manner, space can be saved and processing efficiency can be improved.

【0027】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に
搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの紫外線照
射/冷却ユニット25の紫外線照射装置(UV)で表面
改質・洗浄処理が行われ、その後そのユニットの冷却装
置(COL)で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)
21a,21bでスクラバー洗浄が施され、前段部2a
に配置された加熱処理装置(HP)の一つで加熱乾燥さ
れた後、冷却ユニット27のいずれかの冷却装置(CO
L)で冷却される。
In the coating / developing processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the processing unit 2, and the processing unit 2 first operates the ultraviolet irradiation / cooling unit 25 of the front stage 2 a. After the surface modification / cleaning treatment is performed by an ultraviolet irradiation device (UV) and then cooled by the cooling device (COL) of the unit, the cleaning unit (SCR)
Scrubber cleaning is performed at 21a and 21b, and the front part 2a is cleaned.
After being dried by heating in one of the heat treatment devices (HP) arranged in the cooling unit 27, the cooling device (CO
L).

【0028】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット30の上段
のアドヒージョン処理装置(AD)にて疎水化処理(H
MDS処理)され、下段の冷却装置(COL)で冷却
後、レジスト塗布ユニット(CT)22でレジストが塗
布され、周縁レジスト除去ユニット(ER)23で基板
Gの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板
Gは、中段部2bに配置された加熱処理装置(HP)の
一つでプリベーク処理され、ユニット29または30の
下段の冷却装置(COL)で冷却される。
Thereafter, the substrate G is transported to the middle section 2b,
In order to improve the fixability of the resist, a hydrophobic treatment (H) is performed by an adhesion treatment device (AD) in the upper stage of the unit 30.
MDS processing), and after cooling by the lower cooling device (COL), the resist is applied by the resist coating unit (CT) 22 and the extra resist on the periphery of the substrate G is removed by the peripheral resist removal unit (ER) 23. . Thereafter, the substrate G is pre-baked in one of the heat treatment apparatuses (HP) arranged in the middle section 2b, and cooled by the lower cooling apparatus (COL) of the unit 29 or 30.

【0029】その後、基板Gは中継部16から主搬送装
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
必要に応じて後段部2cのいずれかの加熱処理装置(H
P)でポストエクスポージャーベーク処理を行った後、
現像処理ユニット(DEV)24a,24b,24cの
いずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成さ
れる。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれか
の加熱処理装置(HP)にてポストベーク処理が施され
た後、冷却装置(COL)にて冷却され、主搬送装置1
9,18,17および搬送機構10によってカセットス
テーション1上の所定のカセットに収容される。
Thereafter, the substrate G is transported from the relay section 16 to the exposure apparatus via the interface section 3 by the main transport apparatus 19, where a predetermined pattern is exposed. And
The substrate G is carried in again via the interface unit 3,
If necessary, any one of the heat treatment devices (H
After performing post exposure bake processing in P),
Development processing is performed in any of the development processing units (DEV) 24a, 24b, and 24c, and a predetermined circuit pattern is formed. The developed substrate G is subjected to a post-baking process in any one of the heat treatment devices (HP) in the subsequent section 2c, and then cooled by a cooling device (COL).
The cassette is stored in a predetermined cassette on the cassette station 1 by the transfer mechanism 10.

【0030】次に、本発明の塗布膜形成方法および塗布
装置が適用されるレジスト塗布ユニット(CT)22に
ついて説明する。
Next, the resist coating unit (CT) 22 to which the coating film forming method and the coating apparatus of the present invention are applied will be described.

【0031】図2は、本発明の一実施形態に係る塗布装
置である塗布ユニット(CT)22を示すものであり、
LCD基板Gを水平状態に真空吸着によって回転可能に
保持するスピンチャック40と、このスピンチャック4
0の上部および外周部を包囲する処理室41を有する上
方部が開口したカップ状の回転可能な処理容器(回転カ
ップ)42と、回転カップ42の開口部42aを閉止可
能に、かつカップ42に対して着脱可能に設けられた蓋
体46と、この蓋体46を閉止位置と待機位置との間で
移動させるロボットアーム50と、回転カップ42の外
周側を取囲むように配置された中空リング状のドレンカ
ップ44と、スピンチャック40と回転カップ42とを
回転させる駆動モータ51と、スピンチャック40の上
方位置に移動可能に設けられた噴頭90と、この噴頭9
0を把持して噴頭待機位置と基板上方位置間で移動させ
るノズル移動機構100とを備えている。噴頭90は、
塗布液の溶剤A(例えばシンナー)を供給する溶剤供給
ノズル70と、塗布液であるレジスト液Bを供給するレ
ジスト液供給ノズル80とを近接させて一体に取り付け
た構造を有している。
FIG. 2 shows a coating unit (CT) 22 which is a coating apparatus according to an embodiment of the present invention.
A spin chuck 40 for holding the LCD substrate G in a horizontal state so as to be rotatable by vacuum suction;
A rotatable processing container (rotating cup) 42 having a processing chamber 41 surrounding the upper portion and the outer peripheral portion of which is open at the top, and an opening 42a of the rotating cup 42 can be closed and the cup 42 can be closed. A lid 46 detachably provided with respect to the arm, a robot arm 50 for moving the lid 46 between a closed position and a standby position, and a hollow ring disposed so as to surround the outer peripheral side of the rotating cup 42. A drain cup 44, a drive motor 51 for rotating the spin chuck 40 and the rotating cup 42, a jet head 90 movably provided above the spin chuck 40, and a jet head 9.
And a nozzle moving mechanism 100 for holding the nozzle 0 and moving it between the jetting stand-by position and the substrate upper position. Spout 90
It has a structure in which a solvent supply nozzle 70 for supplying a solvent A (for example, a thinner) of a coating liquid and a resist liquid supply nozzle 80 for supplying a resist liquid B as a coating liquid are closely attached and integrated.

【0032】ノズル70,80からの溶剤供給路および
レジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる溶剤Aお
よびレジスト液Bを予め設定された温度(例えば23
℃)にするための温度調整液Dを循環供給する温度調整
機構91が設けられている。
A solvent A and a resist solution B flowing through the solvent supply path and the resist solution supply path from the nozzles 70 and 80 are respectively supplied with a predetermined temperature (for example, 23).
° C) is provided.

【0033】上記スピンチャック40は、例えばポリエ
ーテルエーテルケトン(PEEK)のような耐熱性合成
樹脂で形成され、予め設定されたプログラムに基いて駆
動し、回転速度を可変できる駆動モータ51の駆動によ
って回転される回転軸52を介して水平方向に回転(自
転)可能であり、また回転軸52に連結される昇降シリ
ンダ53の駆動によって上下方向に移動可能である。こ
の場合、回転軸52はスプライン軸受57に上下方向に
摺動可能に連結されている。スプライン軸受57は、固
定カラー54の内周面にベアリング55aを介して回転
可能に装着される回転内筒56aの内周面に嵌着されて
いる。スプライン軸受57には従動プーリ58aが装着
されており、従動プーリ58aには駆動モータ51の駆
動軸51aに装着された駆動プーリ51bとの間にベル
ト59aが掛け渡されている。したがって、駆動モータ
51の駆動によってベルト59aを介して回転軸52が
回転してスピンチャック40が回転される。また、回転
軸52の下部側は図示しない筒体内に配設されており、
この筒体内において回転軸52がバキュームシール部6
0を介して昇降シリンダ53に連結され、昇降シリンダ
53の駆動によって回転軸52が上下方向に移動可能と
なっており、これによりスピンチャックが上下方向に移
動する。
The spin chuck 40 is formed of, for example, a heat-resistant synthetic resin such as polyetheretherketone (PEEK), and is driven based on a preset program, and is driven by a drive motor 51 capable of changing the rotation speed. It can be rotated (rotated) in the horizontal direction via a rotating shaft 52 that is rotated, and can be moved in the vertical direction by driving a lifting cylinder 53 connected to the rotating shaft 52. In this case, the rotating shaft 52 is connected to the spline bearing 57 so as to be slidable in the vertical direction. The spline bearing 57 is fitted on the inner peripheral surface of a rotating inner cylinder 56a rotatably mounted on the inner peripheral surface of the fixed collar 54 via a bearing 55a. A driven pulley 58a is mounted on the spline bearing 57, and a belt 59a is stretched between the driven pulley 58a and a driving pulley 51b mounted on a driving shaft 51a of the driving motor 51. Therefore, the rotation shaft 52 is rotated by the drive of the drive motor 51 via the belt 59a, and the spin chuck 40 is rotated. The lower side of the rotating shaft 52 is disposed in a cylinder (not shown),
In this cylindrical body, the rotating shaft 52 is
The rotation chuck 52 is connected to the lifting cylinder 53 via the rotation axis 0, and the rotation shaft 52 is vertically movable by driving the lifting cylinder 53, whereby the spin chuck is moved in the vertical direction.

【0034】上記固定カラー54の外周面にベアリング
55bを介して装着される回転外筒56bの上端部には
連結筒61が固定されており、上記回転カップ42はこ
の連結筒61を介して取り付けられている。回転カップ
42の底部42bとスピンチャック40の下面との間に
は、シール機能を有するベアリング52が介在されてお
り、回転カップ42がスピンチャック40に対して相対
的に回転可能である。そして、回転外筒56bには従動
プーリ58bが装着されており、この従動プーリ58b
と上記駆動モータ51に装着された駆動プーリ51bに
はベルト59bが掛け渡されている。したがって、この
ベルト59bによって駆動モータ51からの駆動が回転
カップ42に伝達されて回転カップ42が回転される。
A connecting cylinder 61 is fixed to the upper end of a rotating outer cylinder 56b mounted on the outer peripheral surface of the fixed collar 54 via a bearing 55b, and the rotating cup 42 is mounted via the connecting cylinder 61. Have been. A bearing 52 having a sealing function is interposed between the bottom 42 b of the rotating cup 42 and the lower surface of the spin chuck 40, and the rotating cup 42 is rotatable relative to the spin chuck 40. A driven pulley 58b is mounted on the rotary outer cylinder 56b.
A belt 59b is stretched around a drive pulley 51b mounted on the drive motor 51. Therefore, the drive from the drive motor 51 is transmitted to the rotating cup 42 by the belt 59b, and the rotating cup 42 is rotated.

【0035】この場合、従動プーリ58bの直径は上記
回転軸52に装着された従動プーリ58aの直径と同一
に形成され、同一の駆動モータ51にベルト59a,5
9bが掛け渡されているので、回転カップ42とスピン
チャック40とは同一速度で回転される。
In this case, the diameter of the driven pulley 58b is formed to be the same as the diameter of the driven pulley 58a mounted on the rotary shaft 52, and the belts 59a, 5a are driven by the same drive motor 51.
9b, the rotating cup 42 and the spin chuck 40 are rotated at the same speed.

【0036】回転カップ42は上方に向かって縮径され
た側壁42cを有しており、この側壁42c面はテーパ
面42eとなっている。この側壁42cの上端には、内
方側に向って内向きフランジ42dが形成されている。
回転カップ42の内向きフランジ42dには周方向に適
宜間隔をおいて給気孔64が穿設され、側壁42cの下
部側の周方向の適宜位置には排気孔65が穿設されてい
る。このように給気孔64と排気孔65を設けることに
より、回転カップ42が回転する際に、給気孔64から
処理室41内に流れる空気が排気孔65から外部に流れ
るので、回転カップ42の回転時に処理室41内が負圧
になるのを防止することができ、処理後に回転カップ4
2から蓋体46を開放する際に大きな力を要することな
く、蓋体46を容易に開放することができる。
The rotating cup 42 has a side wall 42c whose diameter is reduced upward, and the surface of the side wall 42c is a tapered surface 42e. An inward flange 42d is formed at the upper end of the side wall 42c toward the inside.
Air supply holes 64 are formed in the inward flange 42d of the rotation cup 42 at appropriate intervals in the circumferential direction, and exhaust holes 65 are formed in appropriate positions in the circumferential direction below the side wall 42c. By providing the air supply hole 64 and the exhaust hole 65 in this manner, when the rotating cup 42 rotates, the air flowing into the processing chamber 41 from the air supply hole 64 flows to the outside from the exhaust hole 65, so that the rotation of the rotary cup 42 At this time, it is possible to prevent the inside of the processing chamber 41 from becoming negative pressure,
The lid 46 can be easily opened without requiring a large force when the lid 46 is opened from FIG.

【0037】一方、上記ドレンカップ44の内部には環
状通路44aが設けられており、その外周壁の適宜箇所
(例えば周方向の4箇所)には排気口66が設けられて
いて、この排気口66は排気装置(図示せず)に連結さ
れている。またドレンカップ44の内周側上方部には、
環状通路44aおよび排気口66に連通する放射状の排
気通路67が形成されている。このようにドレンカップ
44の外周部に排気口66を設けるとともに、ドレンカ
ップ44の内周側上方部に排気通路67を形成すること
により、回転処理時に処理室41内で遠心力により飛散
し排気孔64を通ってドレンカップ44内に流れ込んだ
ミストが回転カップ42の上部側へ舞い上がることが防
止され、ミストを排気口66から外部に排出させること
ができる。
On the other hand, an annular passage 44a is provided inside the drain cup 44, and an exhaust port 66 is provided at an appropriate place (for example, four places in the circumferential direction) on the outer peripheral wall thereof. 66 is connected to an exhaust device (not shown). Also, at the upper part on the inner peripheral side of the drain cup 44,
A radial exhaust passage 67 communicating with the annular passage 44a and the exhaust port 66 is formed. By providing the exhaust port 66 in the outer peripheral portion of the drain cup 44 and forming the exhaust passage 67 in the upper portion on the inner peripheral side of the drain cup 44, the exhaust gas scattered by the centrifugal force in the processing chamber 41 during the rotation process is exhausted. The mist flowing into the drain cup 44 through the hole 64 is prevented from rising to the upper side of the rotating cup 42, and the mist can be discharged to the outside from the exhaust port 66.

【0038】上記環状通路44aは、ドレンカップ44
の底部から起立する外側壁44bとドレンカップ44の
天井部から垂下する内側壁44cとで区画され、これに
より迂回路が形成されるため排気が均一に行うことが可
能である。また、外側壁44bと内側壁44cとの間に
位置する底部44dには周方向沿って適宜間隔をおいて
ドレン孔44eが設けられている。
The annular passage 44a is provided with a drain cup 44
The outer wall 44b rising from the bottom of the drain cup 44 and the inner wall 44c hanging down from the ceiling of the drain cup 44 define a detour, so that exhaust can be performed uniformly. Drain holes 44e are provided at appropriate intervals along the circumferential direction on the bottom 44d located between the outer wall 44b and the inner wall 44c.

【0039】また、ドレンカップ44の内周面には、上
記回転カップ42のテーパ面42eに対応するテーパを
有するテーパ面44fが形成されており、回転カップ4
2のテーパ面42eとドレンカップ44のテーパ面44
fとの間に微少隙間が形成されている。このように下方
に向って拡開するテーパ状の微少隙間を形成することに
よって、回転カップ42の回転時に微少隙間の上下の間
で生じる周速差から圧力差が誘発され、この圧力差が回
転カップ42の外周部の微少隙間の上側から下側に向う
気流を助長させてドレンカップ44内の排気ミストが上
記微少隙間を通って回転カップ42外へ飛散するのを防
止することができる。
A tapered surface 44f having a taper corresponding to the tapered surface 42e of the rotary cup 42 is formed on the inner peripheral surface of the drain cup 44.
2 and the tapered surface 44 of the drain cup 44
f, a minute gap is formed. By forming the tapered minute gap that expands downward in this manner, a pressure difference is induced from a peripheral speed difference generated between the top and bottom of the minute gap when the rotating cup 42 rotates, and this pressure difference is rotated. By promoting the airflow from the upper side to the lower side of the minute gap in the outer peripheral portion of the cup 42, it is possible to prevent the exhaust mist in the drain cup 44 from scattering outside the rotary cup 42 through the minute gap.

【0040】また、微小隙間を通って上方に向い回転カ
ップ42外へ飛散しようとするミストがあっても、排気
通路67、ドレンカップ44内の環状通路44aを通っ
て、排気口66から排出される。ここでは、ドレンカッ
プ44が回転カップ42の外周側を取囲むように配置さ
れる場合について説明したが、ドレンカップ44は必ず
しも回転カップ42の外周側に配置される必要はなく、
回転カップ42の下部側に配置してもよい。
Further, even if there is a mist which is directed upward through the minute gap and scatters outside the rotary cup 42, the mist is discharged from the exhaust port 66 through the exhaust passage 67 and the annular passage 44 a in the drain cup 44. You. Here, the case where the drain cup 44 is disposed so as to surround the outer peripheral side of the rotary cup 42 has been described, but the drain cup 44 does not necessarily need to be disposed on the outer peripheral side of the rotary cup 42.
It may be arranged on the lower side of the rotating cup 42.

【0041】上記蓋体46には、その上面中央に上方に
向かって伸びる支持部材49が設けられており、その上
端には支持部材49よりも大径の頭部48が設けられて
いる。蓋体46を開閉する場合には、蓋体46の上面に
支持部材49を介して設けられた頭部48の下に、図2
の二点鎖線で示すように、ロボットアーム50を挿入
し、頭部48に設けられた係止溝にロボットアーム50
から突出する係止ピン50aを係合させた後、ロボット
アーム50を上下動させる。
The lid 46 is provided with a support member 49 extending upward at the center of the upper surface thereof, and a head 48 having a diameter larger than that of the support member 49 is provided at the upper end thereof. When the cover 46 is opened and closed, a head 48 provided on a top surface of the cover 46 with a support member 49 interposed therebetween is disposed as shown in FIG.
As shown by a two-dot chain line, the robot arm 50 is inserted and the robot arm 50 is
The robot arm 50 is moved up and down after engaging the locking pin 50a protruding therefrom.

【0042】なお、上記蓋体46と基板Gとの中間位置
に、中心部分で蓋体46に取着された基板G以上の大き
さの多孔板等にて形成されるバッフル板(図示せず)を
配置することも可能である。このようにバッフル板を配
置することにより、塗布処理時にさらに確実に処理室4
1内の乱流の発生を防止することができる。
A baffle plate (not shown) formed of a perforated plate or the like having a size equal to or larger than the substrate G attached to the lid 46 at the center portion is provided at an intermediate position between the lid 46 and the substrate G. ) Can also be arranged. By arranging the baffle plate in this manner, the processing chamber 4 can be more reliably formed during the coating process.
1 can be prevented from occurring.

【0043】上記溶剤供給ノズル70は、溶剤供給路で
ある溶剤供給チューブ71と開閉バルブ72を介して溶
剤タンク73に接続されており、溶剤タンク73内に窒
素(N)ガスを供給することによって、その加圧力に
より溶剤タンク73内の溶剤Aが基板G上に供給され
る。この場合にNガスの加圧力を制御することによっ
て溶剤Aの流量が制御され、所定時間中、所定量の溶剤
Aが供給される。
The solvent supply nozzle 70 is connected to a solvent tank 73 via a solvent supply tube 71 serving as a solvent supply path and an opening / closing valve 72, and supplies a nitrogen (N 2 ) gas into the solvent tank 73. Thus, the solvent A in the solvent tank 73 is supplied onto the substrate G by the pressure. In this case, the flow rate of the solvent A is controlled by controlling the pressure of the N 2 gas, and a predetermined amount of the solvent A is supplied for a predetermined time.

【0044】レジスト液供給ノズル80は、レジスト液
を基板Gに向けて吐出できるように、レジスト液供給路
であるレジスト液供給チューブ81を介してレジスト液
Bを収容するレジスト液タンク82(塗布液供給源)に
連通されている。このチューブ81には、サックバック
バルブ83、エアーオペレーションバルブ84、レジス
ト液B中の気泡を分離除去するための気泡除去機構8
5、フィルタ86およびベローズポンプ87が順次設け
られている。このベローズポンプ87は、駆動部により
伸縮可能となっており、この伸縮が制御されることによ
り所定量のレジスト液Bがレジスト液供給ノズル80を
介して基板Gの表面に吐出されることが可能となってい
る。このベローズポンプ87により従来のレジスト液B
の供給量より少量のレジスト液Bの供給量制御を可能と
している。この駆動部は、一端がベローズポンプの一端
に取り付けられたネジ88aと、このネジに螺合される
ナット88bとからなるボールネジ機構88と、このナ
ット88bを回転させることによりネジ88aを直線動
させるモータ89とにより構成されている。
The resist solution supply nozzle 80 is provided with a resist solution tank 82 (coating solution) containing a resist solution B via a resist solution supply tube 81 which is a resist solution supply passage so that the resist solution can be discharged toward the substrate G. Supply source). The tube 81 has a suck back valve 83, an air operation valve 84, and a bubble removing mechanism 8 for separating and removing bubbles in the resist solution B.
5, a filter 86 and a bellows pump 87 are sequentially provided. The bellows pump 87 can be expanded and contracted by a driving unit. By controlling the expansion and contraction, a predetermined amount of the resist liquid B can be discharged to the surface of the substrate G through the resist liquid supply nozzle 80. It has become. With this bellows pump 87, the conventional resist solution B
The supply amount of the resist solution B smaller than the supply amount of the resist solution B can be controlled. The drive section linearly moves the screw 88a by rotating the nut 88b, and a ball screw mechanism 88 including a screw 88a having one end attached to one end of the bellows pump and a nut 88b screwed to the screw. A motor 89 is provided.

【0045】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ83は、レジスト液供給ノズル80からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル80先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液Bをレジ
スト液供給ノズル80内に引き戻し、これによって残留
レジスト液の固化を阻止するためのものである。この場
合、少量のレジスト液Bを吐出するレジスト液供給ノズ
ル80において、通常通りサックバックバルブ83の負
圧作用によってレジスト液Bをレジスト液供給ノズル8
0内に引き戻すと、ノズル80先端付近の空気も一緒に
ノズル80内に巻き込まれてしまい、ノズル80先端に
付着したレジスト液Bの残渣がノズル80内に入り、ノ
ズル80の目詰まりを起こすばかりか、乾燥したレジス
トがパーティクルとなり基板Gが汚染されるとともに、
歩留まりの低下を来すおそれがある。
The suck-back valve 83 provided in the resist liquid supply system discharges the resist liquid B remaining on the inner wall of the tip of the resist liquid supply nozzle 80 due to surface tension after the resist liquid is discharged from the resist liquid supply nozzle 80. It is drawn back into the resist liquid supply nozzle 80, thereby preventing the remaining resist liquid from solidifying. In this case, the resist liquid supply nozzle 80 discharges a small amount of the resist liquid B, and the resist liquid B is supplied to the resist liquid supply nozzle 8 by the negative pressure of the suck back valve 83 as usual.
When it is returned to 0, the air near the tip of the nozzle 80 is also drawn into the nozzle 80, and the residue of the resist solution B adhering to the tip of the nozzle 80 enters the nozzle 80 and only causes clogging of the nozzle 80. Alternatively, the dried resist becomes particles and contaminates the substrate G.
The yield may be reduced.

【0046】噴頭90はノズル移動機構100により移
動可能に設けられている。具体的には、図3に示すよう
に、ノズル移動機構100は、噴頭90を支持する支持
部材101と、この支持部材101を回転可能および進
退可能に支持する回転シャフト102と、支持部材10
1を駆動する駆動手段(図示せず)とから主に構成され
ている。この構成により、支持部材101に設けられた
噴頭90は、回転シャフト102を回転軸として図中の
矢印E方向に回転することおよび図中の矢印F方向に進
退可能となっており、噴頭90を図中の矢印E,F方向
に移動させながら溶剤供給ノズル70やレジスト液供給
ノズル80からレジスト液や溶剤を基板Gに対して供給
するようになっている。
The jet head 90 is provided so as to be movable by a nozzle moving mechanism 100. Specifically, as shown in FIG. 3, the nozzle moving mechanism 100 includes a support member 101 for supporting the jet head 90, a rotary shaft 102 for supporting the support member 101 rotatably and reciprocally, and a support member 10
And a driving means (not shown) for driving the driving device 1. With this configuration, the jet head 90 provided on the support member 101 can rotate in the direction of the arrow E in the drawing and can advance and retreat in the direction of the arrow F in the drawing with the rotation shaft 102 as the rotation axis. The resist liquid and the solvent are supplied to the substrate G from the solvent supply nozzle 70 and the resist liquid supply nozzle 80 while being moved in the directions of the arrows E and F in the figure.

【0047】レジスト液供給ノズルの移動軌跡の他の例
を図4に示す。回転カップ42を挟むように矢印H方向
に移動可能な一対のシャフト105が設けられており、
レジスト液供給ノズル80と溶剤供給ノズル70とが両
シャフト105間に掛け渡された支持部材104に支持
されている。レジスト液供給ノズル80へのレジスト液
の供給はレジスト液供給チューブ81を介して行われる
と共に、溶剤供給ノズル70への溶剤の供給は溶剤供給
チューブ71を介して行われる。回転カップ42の外側
には各シャフト105をガイドする一対のガイド部材1
06が設けられている。各ガイド部材106の外側には
それぞれ一対のプーリー109が取り付けられており、
プーリー109にはベルト107が巻き掛けられてい
る。ベルト107にはシャフト105が取り付けられて
おり、また一方のプーリーはモーター108の軸に取り
付けられている。したがって、モーター108の回転に
よって、一対のシャフト105は、それぞれガイドレー
ル106にガイドされつつ、ベルト駆動により矢印H方
向に沿って移動され、これにともなって支持部材104
に支持されたレジスト液供給ノズル80と溶剤供給ノズ
ル70とが矢印H方向に沿って移動可能となっている。
そして、レジスト液供給ノズル80は、レジスト液を塗
布しない場合には、基板Gから離隔した2点鎖線で示す
退避位置に移動される。このように、レジスト液供給ノ
ズル80の移動軌跡としては、図3に示す円弧状および
図4に示す直線状のいずれでもよい。
FIG. 4 shows another example of the movement locus of the resist liquid supply nozzle. A pair of shafts 105 that are movable in the direction of arrow H so as to sandwich the rotating cup 42 is provided,
The resist solution supply nozzle 80 and the solvent supply nozzle 70 are supported by a support member 104 spanned between both shafts 105. The supply of the resist solution to the resist solution supply nozzle 80 is performed via a resist solution supply tube 81, and the supply of the solvent to the solvent supply nozzle 70 is performed via a solvent supply tube 71. A pair of guide members 1 for guiding each shaft 105 is provided outside the rotating cup 42.
06 is provided. A pair of pulleys 109 are attached to the outside of each guide member 106, respectively.
A belt 107 is wound around the pulley 109. A shaft 105 is attached to the belt 107, and one pulley is attached to a shaft of a motor 108. Accordingly, the rotation of the motor 108 causes the pair of shafts 105 to move along the direction of the arrow H by the belt drive while being guided by the guide rails 106, respectively.
The resist liquid supply nozzle 80 and the solvent supply nozzle 70 supported by the nozzles are movable along the arrow H direction.
When the resist liquid is not applied, the resist liquid supply nozzle 80 is moved to a retreat position shown by a two-dot chain line separated from the substrate G. As described above, the movement trajectory of the resist liquid supply nozzle 80 may be either the arc shape shown in FIG. 3 or the linear shape shown in FIG.

【0048】また、本実施の形態では、以下に説明する
ように、レジスト液供給ノズル80が基板G上で移動し
ている際、レジスト液供給ノズル80からのレジスト液
の吐出、その吐出速度、レジスト液供給ノズル80の移
動、その移動速度、基板Gの回転、およびその回転速度
のうち1または2以上を適宜制御する。
In the present embodiment, as described below, when the resist liquid supply nozzle 80 is moving on the substrate G, the discharge of the resist liquid from the resist liquid supply nozzle 80, its discharge speed, One or more of the movement of the resist solution supply nozzle 80, the movement speed thereof, the rotation of the substrate G, and the rotation speed thereof are appropriately controlled.

【0049】この制御系を図5に示す。この図に示すよ
うに、レジスト塗布ユニット(CT)22をコントロー
ルするために設けられたユニットコントローラ110に
は、ノズル移動機構100、ベローズポンプ87を駆動
するための位置および速度の制御可能なモータ89(例
えばステッピングモータ)、および基板Gを回転させる
ための駆動モータ51が接続されている。そして、ユニ
ットコントローラ110により、ノズルの移動、レジス
トの吐出、および基板の回転が制御されるようになって
いる。
FIG. 5 shows this control system. As shown in this figure, a unit controller 110 provided for controlling the resist coating unit (CT) 22 includes a motor 89 capable of controlling the position and speed for driving the nozzle moving mechanism 100 and the bellows pump 87. (For example, a stepping motor) and a drive motor 51 for rotating the substrate G are connected. The movement of the nozzle, the discharge of the resist, and the rotation of the substrate are controlled by the unit controller 110.

【0050】レジスト液供給ノズル80を移動するため
のノズル移動機構100には、位置および速度の制御可
能なモータ、例えばステッピングモータが内蔵され、ま
た、基板Gを回転させるための駆動モータ51にも、位
置および速度の制御可能なモータ、例えばステッピング
モータが用いられる。これにより、レジスト液供給ノズ
ル80を基板G上で移動する場合には、ユニットコント
ローラ110からのパルス信号に基づいて、ノズル移動
機構100によりノズル80をその位置および速度を正
確に制御しながら移動することができる。
The nozzle moving mechanism 100 for moving the resist solution supply nozzle 80 has a built-in motor whose position and speed can be controlled, for example, a stepping motor. The driving motor 51 for rotating the substrate G is also provided. A motor whose position and speed can be controlled, for example, a stepping motor is used. Accordingly, when the resist liquid supply nozzle 80 is moved on the substrate G, the nozzle 80 is moved by the nozzle moving mechanism 100 while accurately controlling the position and speed thereof based on the pulse signal from the unit controller 110. be able to.

【0051】また、レジスト液供給ノズル80からレジ
スト液を吐出する際には、ユニットコントローラ110
からのパルス信号に基づいて、モータ89によりベロー
ズポンプ87を駆動し、これにより、レジスト液の吐出
量または吐出速度を正確に制御することができる。
When discharging the resist solution from the resist solution supply nozzle 80, the unit controller 110
The bellows pump 87 is driven by the motor 89 on the basis of the pulse signal from the CPU, whereby the discharge amount or discharge speed of the resist liquid can be accurately controlled.

【0052】さらに、基板Gを回転させる場合には、ユ
ニットコントローラ110からのパルス信号に基づい
て、駆動モータ51により基板Gをその位置および速度
を正確に制御しながら回転させることができる。
Further, when the substrate G is rotated, the substrate G can be rotated by the drive motor 51 while controlling the position and speed of the substrate G accurately based on the pulse signal from the unit controller 110.

【0053】レジスト液供給ノズル80の位置に応じ
て、上記レジスト液の吐出、その吐出速度、ノズル80
の移動、その移動速度、基板Gの回転、およびその回転
速度のうち1または2以上を制御する場合には、レジス
ト液供給ノズル80の位置パルス信号がノズル移動機構
100からユニットコントローラ110に入力され、ユ
ニットコントローラ110では、ノズル80の位置に対
応したノズル移動機構100、モータ89、および駆動
モータ51のパルス信号が算出されて、これらに送信さ
れ、ノズル移動機構100、モータ89、および駆動モ
ータ51がこのパルス信号に基づいて制御される。ま
た、この際、ノズル移動機構100、モータ89、およ
び駆動モータ51からフィードバック・パルス信号がユ
ニットコントローラ110に送信されてフィードバック
制御されるようになっている。
In accordance with the position of the resist solution supply nozzle 80, the discharge of the resist solution, its discharge speed, the nozzle 80
When controlling one or more of the movement of the resist, the movement speed thereof, the rotation of the substrate G, and the rotation speed thereof, a position pulse signal of the resist solution supply nozzle 80 is input from the nozzle movement mechanism 100 to the unit controller 110. , The unit controller 110 calculates the pulse signals of the nozzle moving mechanism 100, the motor 89, and the driving motor 51 corresponding to the position of the nozzle 80, and transmits the calculated signals to the nozzle moving mechanism 100, the motor 89, and the driving motor 51. Is controlled based on this pulse signal. At this time, a feedback pulse signal is transmitted from the nozzle moving mechanism 100, the motor 89, and the drive motor 51 to the unit controller 110 to perform feedback control.

【0054】次に、以上のように構成されるレジスト塗
布ユニット(CT)22により基板G表面にレジスト液
を塗布する塗布動作について説明する。まず、回転カッ
プ42の蓋体46が開放され、基板Gが図示しない搬送
アームによって静止したスピンチャック40上に搬送さ
れ、基板Gが真空吸着によってスピンチャック40に保
持される。
Next, a coating operation for coating a resist solution on the surface of the substrate G by the resist coating unit (CT) 22 configured as described above will be described. First, the lid 46 of the rotating cup 42 is opened, the substrate G is transported onto the stationary spin chuck 40 by a transport arm (not shown), and the substrate G is held on the spin chuck 40 by vacuum suction.

【0055】この状態で、スピンチャック40を回転駆
動させ、基板Gを処理時の定常回転より低速回転(例え
ば100〜600rpm,加速度:300〜500rp
m/sec)させると同時に、回転カップ42を同じ速
度で回転させる。この回転中に、移動機構100によっ
て支持部材101に把持されて基板Gの中心部上方に移
動された噴頭90の溶剤供給ノズル70から基板表面に
塗布液の溶剤Aとして例えばエチルセロソルブアセテー
ト(ECA)を例えば26.7cc供給(例えば滴下)
する。また、基板Gを回転させずに静止した状態で溶剤
Aを滴下し、その後回転しても良い。
In this state, the spin chuck 40 is driven to rotate, and the substrate G is rotated at a lower speed than the steady rotation during processing (for example, 100 to 600 rpm, acceleration: 300 to 500 rpm).
m / sec), and simultaneously, the rotating cup 42 is rotated at the same speed. During this rotation, the solvent is supplied from the solvent supply nozzle 70 of the spout 90, which is gripped by the support member 101 by the moving mechanism 100 and moved above the center of the substrate G, onto the substrate surface as a solvent A of the coating liquid, for example, ethyl cellosolve acetate (ECA). For example, supply 26.7cc (for example, dripping)
I do. Alternatively, the solvent A may be dropped while the substrate G is stationary without being rotated, and then the substrate A may be rotated.

【0056】このようにして溶剤Aを供給した後、ノズ
ル移動機構100により、例えば図3における矢印E方
向に支持部材101を回転させて、レジスト液供給ノズ
ル80を円弧状に移動させながら、レジスト液供給ノズ
ル80からレジスト液を基板Gに向けて吐出して、基板
G全面にレジスト膜を形成する。また、図4に示すよう
に、レジスト液供給ノズル80を直線状に移動させなが
ら、レジスト液を吐出するようにしてもよい。
After supplying the solvent A in this manner, the nozzle moving mechanism 100 rotates the support member 101 in, for example, the direction of arrow E in FIG. The resist liquid is discharged from the liquid supply nozzle 80 toward the substrate G to form a resist film on the entire surface of the substrate G. Further, as shown in FIG. 4, the resist liquid may be discharged while the resist liquid supply nozzle 80 is moved linearly.

【0057】本実施の形態では、このレジスト液供給ノ
ズル80が基板G上で移動している際、レジスト液供給
ノズル80からのレジスト液の吐出、その吐出速度、レ
ジスト液供給ノズル80の移動、その移動速度、基板G
の回転、およびその回転速度のうち1または2以上を適
宜制御して、レジスト膜の膜厚均一化またはレジスト使
用量の削減を図ることができるようにする。
In this embodiment, when the resist liquid supply nozzle 80 is moving on the substrate G, the resist liquid is discharged from the resist liquid supply nozzle 80, the discharge speed, the movement of the resist liquid supply nozzle 80, Its moving speed, substrate G
, And one or more of the rotation speeds thereof are appropriately controlled so that the thickness of the resist film can be made uniform or the amount of the resist used can be reduced.

【0058】具体的には、以下の通りである。 (1)レジスト液供給ノズルからのレジスト液の吐出ま
たは吐出速度 レジスト液の吐出に関しては、(a)レジスト液供給ノ
ズル80を基板G上で移動している際、ユニットコント
ローラ110からのパルス信号に基づいて、モータ89
を制御してベローズポンプ87を駆動し、レジスト液の
吐出を連続して行うか、または、(b)レジスト液供給
ノズル80の位置パルス信号に基づいて、モータ89を
制御して、ベローズポンプ87を駆動し、これにより、
レジスト液供給ノズル80の基板G上の位置に応じて、
レジスト液の吐出を中断する。
The details are as follows. (1) Discharge or discharge speed of the resist liquid from the resist liquid supply nozzle Regarding the discharge of the resist liquid, (a) when the resist liquid supply nozzle 80 is moving on the substrate G, the pulse signal from the unit controller 110 Based on the motor 89
Is controlled to drive the bellows pump 87 continuously to discharge the resist solution, or (b) the motor 89 is controlled based on the position pulse signal of the resist solution supply nozzle 80 to control the bellows pump 87. Drive, which
According to the position of the resist liquid supply nozzle 80 on the substrate G,
The discharge of the resist solution is interrupted.

【0059】さらに、レジスト液の吐出速度に関して
は、(a)レジスト液供給ノズル80を基板G上で移動
している際、ユニットコントローラ110からのパルス
信号に基づいて、モータ89を制御してベローズポンプ
87を駆動し、レジスト液の吐出速度を略一定に維持す
るか、または、(b)レジスト液供給ノズル80の位置
パルス信号に基づいて、モータ89を制御して、ベロー
ズポンプ87を駆動し、レジスト液供給ノズル80の基
板上の位置に応じて、レジスト液の吐出速度を変化させ
るようにする。
Further, regarding the discharge speed of the resist solution, (a) when the resist solution supply nozzle 80 is moving on the substrate G, the motor 89 is controlled based on the pulse signal from the unit controller 110 to control the bellows. The bellows pump 87 is driven by driving the pump 87 to maintain the discharge speed of the resist liquid substantially constant, or (b) controlling the motor 89 based on the position pulse signal of the resist liquid supply nozzle 80. The discharge speed of the resist liquid is changed according to the position of the resist liquid supply nozzle 80 on the substrate.

【0060】これにより、例えば、レジスト液供給ノズ
ル80を移動している際、このノズル80が基板Gの中
央部に位置している時に、レジスト液を吐出し、ノズル
80が基板Gの中央部から周縁部に向かう時に、レジス
ト液の吐出を中断し、その後、ノズル80が基板Gの周
縁部に近づくにつれて、レジスト液を再度吐出すること
ができ、これによって、使用するレジスト液量の削減を
図ることができる。また、吐出速度を変化させることに
よりレジスト膜の均一性を向上させることもできる。
Thus, for example, when the resist liquid supply nozzle 80 is moving, when the nozzle 80 is located at the center of the substrate G, the resist liquid is discharged, and the nozzle 80 is moved to the center of the substrate G. When the nozzle 80 approaches the periphery of the substrate G, the discharge of the resist solution can be stopped, and then the resist solution can be discharged again as the nozzle 80 approaches the periphery of the substrate G, thereby reducing the amount of the resist solution used. Can be planned. Further, the uniformity of the resist film can be improved by changing the discharge speed.

【0061】すなわち、レジスト液供給ノズル80から
のレジスト液の吐出または吐出速度、またはこれらの両
方を制御することにより、レジスト膜の膜厚均一化、レ
ジスト液量の削減を図ることができる。
In other words, by controlling the discharge of the resist liquid from the resist liquid supply nozzle 80 or the discharge speed, or both of them, the thickness of the resist film can be made uniform and the amount of the resist liquid can be reduced.

【0062】(2)レジスト液供給ノズルの移動または
移動速度 レジスト液供給ノズル80の移動に関しては、(a)レ
ジスト液供給ノズル80を基板G上で移動している際、
ユニットコントローラ110からのパルス信号に基づい
てノズル移動機構100を制御し、このレジスト液供給
ノズル80の移動を連続して行うか、または、(b)レ
ジスト液供給ノズル80の位置パルス信号に基づいてノ
ズル移動機構100を制御して、レジスト液供給ノズル
80の基板G上の位置に応じて、レジスト液供給ノズル
80の移動を中断するようにする。
(2) Movement or moving speed of resist solution supply nozzle Regarding movement of the resist solution supply nozzle 80, (a) when the resist solution supply nozzle 80 is moved on the substrate G,
The nozzle moving mechanism 100 is controlled based on a pulse signal from the unit controller 110 to continuously move the resist solution supply nozzle 80, or (b) based on a position pulse signal of the resist solution supply nozzle 80. By controlling the nozzle moving mechanism 100, the movement of the resist solution supply nozzle 80 is interrupted according to the position of the resist solution supply nozzle 80 on the substrate G.

【0063】さらに、レジスト液供給ノズル80の移動
速度に関しては、(a)レジスト液供給ノズル80を基
板G上で移動している際、ユニットコントローラ110
からの制御信号に基づいてノズル移動機構100を制御
して、移動速度を略一定に維持するか、または、(b)
レジスト液供給ノズル80の位置信号に基づいてノズル
移動機構100を制御して、レジスト液供給ノズル80
の基板上の位置に応じて、移動速度を変化させるように
する。
Further, regarding the moving speed of the resist liquid supply nozzle 80, (a) when the resist liquid supply nozzle 80 is moving on the substrate G, the unit controller 110
Controlling the nozzle moving mechanism 100 based on the control signal from the controller to keep the moving speed substantially constant, or (b)
The nozzle moving mechanism 100 is controlled based on the position signal of the resist solution supply nozzle 80, and the resist solution supply nozzle 80 is controlled.
The moving speed is changed according to the position on the substrate.

【0064】これにより、例えば、基板Gの単位面積当
たりに吐出されるレジスト液の量が略等しくなるよう
に、ノズル80の移動または移動速度またはこれらの両
方を制御することができるので、レジスト膜の膜厚均一
化またはレジスト液量の削減を図ることができる。
Thus, for example, the movement of the nozzle 80 and / or the movement speed thereof can be controlled so that the amount of the resist liquid discharged per unit area of the substrate G becomes substantially equal. And the amount of the resist solution can be reduced.

【0065】(3)基板の回転または回転速度 基板Gの回転に関しては、レジスト液供給ノズル80を
基板G上で移動させながらレジスト液を吐出している
際、ユニットコントローラ110からのパルス信号に基
づいて駆動モータ51を制御して、基板Gを静止させる
か、または、基板Gを回転させるようにする。
(3) Rotation or Rotation Speed of Substrate The rotation of the substrate G is based on a pulse signal from the unit controller 110 when the resist liquid is ejected while moving the resist liquid supply nozzle 80 over the substrate G. By controlling the drive motor 51, the substrate G is stopped or the substrate G is rotated.

【0066】また、基板Gの回転速度に関しては、
(a)レジスト液供給ノズル80を基板G上で移動しな
がらレジスト液を吐出している際、ユニットコントロー
ラ110からの位置パルス信号に基づいて駆動モータ5
1を制御して、基板Gの回転速度を略一定に維持する
か、または、(b)レジスト液供給ノズル80の位置パ
ルス信号に基づいて駆動モータ51を制御して、基板G
の回転速度をレジスト液供給ノズル80の基板上の位置
に応じて変化させる。
Further, regarding the rotation speed of the substrate G,
(A) When discharging the resist liquid while moving the resist liquid supply nozzle 80 on the substrate G, the drive motor 5 is driven based on a position pulse signal from the unit controller 110.
1 to maintain the rotation speed of the substrate G substantially constant, or (b) controlling the drive motor 51 based on the position pulse signal of the resist solution supply nozzle 80 to control the substrate G
Is changed in accordance with the position of the resist solution supply nozzle 80 on the substrate.

【0067】これにより、例えば、基板Gの単位面積当
たりに吐出されるレジスト液の量が略等しくなるよう
に、基板Gの回転または回転速度またはこれらの両方を
制御することができるので、レジスト膜の膜厚均一化ま
たはレジスト液量の削減を図ることができる。
Thus, for example, the rotation and / or the rotation speed of the substrate G can be controlled so that the amount of the resist solution discharged per unit area of the substrate G becomes substantially equal. And the amount of the resist solution can be reduced.

【0068】なお、特に図示していないが、基板Gを回
転させる代わりに、基板Gを移動(例えば、直線状に移
動、揺動)するように構成してもよい。この場合にも、
同様に、レジスト液供給ノズル80を基板G上で移動さ
せながらレジスト液を吐出している際、基板Gを静止さ
せるか、または、基板Gを移動させるように制御するこ
とができる。また、移動速度に関しても、基板Gの移動
速度を略一定に維持するか、または、レジスト液供給ノ
ズル80の基板上の位置に応じて、移動速度変化させる
ことができる。
Although not shown, the substrate G may be moved (for example, moved linearly or rocked) instead of rotating the substrate G. Again, in this case,
Similarly, when discharging the resist liquid while moving the resist liquid supply nozzle 80 on the substrate G, it is possible to control the substrate G to be stationary or to move the substrate G. The moving speed of the substrate G can be maintained substantially constant, or the moving speed can be changed according to the position of the resist solution supply nozzle 80 on the substrate.

【0069】以上のようにしてレジスト液を供給した
後、レジスト液の供給を停止し、レジスト液供給ノズル
80を待機位置に移動し、ロボットアーム50によって
蓋体46を回転カップ42の上方開口部42aに閉止し
て回転カップ42内に基板Gを封入する。
After the resist solution is supplied as described above, the supply of the resist solution is stopped, the resist solution supply nozzle 80 is moved to the standby position, and the lid 46 is moved by the robot arm 50 to the upper opening of the rotary cup 42. The substrate G is sealed in the rotating cup 42 by closing the substrate 42a.

【0070】このようにして回転カップ42の開口部4
2aを蓋体46で閉止し密閉した状態で、スピンチャッ
ク40および回転カップ42を回転(例えば1350r
pm,加速度:500rpm/sec)させてレジスト
膜の膜厚を整える。
Thus, the opening 4 of the rotating cup 42
The spin chuck 40 and the rotary cup 42 are rotated (for example, 1350r) while the lid 2a is closed and closed by the lid 46.
pm, acceleration: 500 rpm / sec) to adjust the thickness of the resist film.

【0071】塗布処理が終了した後、スピンチャック4
0および回転カップ42の回転を停止した後、ロボット
アーム50によって蓋体46を待機位置に移動させて、
図示しない搬送アームによって基板Gを取出して、塗布
作業を完了する。
After the coating process is completed, the spin chuck 4
After stopping the rotation of the rotation cup 42 and the rotating cup 42, the lid 46 is moved to the standby position by the robot arm 50,
The substrate G is taken out by the transfer arm (not shown), and the coating operation is completed.

【0072】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、本発明をレジスト塗布ユニットに適用し、塗布液
としてレジスト液を用いた例について説明したが、本発
明を現像ユニットに適用し、塗布液として現像液を用い
ても上記と同様の効果が得られるし、また、さらに他の
塗布液の場合でも適用可能である。さらに、上記実施の
形態では、被処理体としてLCD基板を用いた場合につ
いて示したが、これに限らず半導体ウエハ等他の基板へ
の塗布膜形成にも適用することができる。
Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to a resist coating unit and a resist liquid is used as a coating liquid has been described. However, the present invention is applied to a developing unit, and a developing liquid may be used as a coating liquid. The same effect as described above can be obtained, and the present invention can be applied to other coating liquids. Further, in the above embodiment, the case where the LCD substrate is used as the object to be processed has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to the formation of a coating film on another substrate such as a semiconductor wafer.

【0073】[0073]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
塗布液供給ノズルを基板上で移動しながら、塗布液供給
ノズルから基板の表面に塗布液を吐出するので、従来の
ように塗布液供給ノズルを静止しながら塗布液を吐出す
る場合に比べて、塗布膜の膜厚均一化を図ることができ
る。すなわち、例えば、塗布液供給ノズルを移動して、
基板の周縁部にも塗布液を吐出することができるため、
この周縁部での塗布液の乾きを防止することができ、基
板の中心部と周縁部における塗布膜の厚さを略同じにす
ることができる。また、塗布液供給ノズルを静止してい
る場合のように、基板の中心部にのみに多量の塗布液を
吐出するのではなく、塗布液供給ノズルを移動しながら
基板の中心部から周縁部にわたって塗布液を徐々に吐出
することができるため、後工程の基板の回転時には、遠
心力により基板から飛散する塗布液の量を少なくするこ
とができ、使用する塗布液の量を極力少なくすることが
できる。
As described above, according to the present invention,
Since the coating liquid supply nozzle discharges the coating liquid from the coating liquid supply nozzle to the surface of the substrate while moving the coating liquid supply nozzle on the substrate, compared to the conventional case where the coating liquid supply nozzle is discharged while the coating liquid supply nozzle is stationary. The thickness of the coating film can be made uniform. That is, for example, by moving the application liquid supply nozzle,
Since the coating liquid can be discharged also to the periphery of the substrate,
Drying of the coating solution at the peripheral portion can be prevented, and the thickness of the coating film at the central portion and the peripheral portion of the substrate can be made substantially the same. Also, instead of discharging a large amount of coating liquid only to the center of the substrate as in the case where the coating liquid supply nozzle is stationary, the coating liquid supply nozzle is moved from the center to the peripheral edge of the substrate while moving the nozzle. Since the coating liquid can be discharged gradually, the amount of the coating liquid scattered from the substrate due to centrifugal force can be reduced during rotation of the substrate in a later process, and the amount of the coating liquid used can be reduced as much as possible. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明が適用されるレジスト塗布・現像システ
ムを示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating and developing system to which the present invention is applied.

【図2】本発明の塗布液形成方法の実施に適用される塗
布装置としてのレジスト塗布ユニットを示す断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a resist coating unit as a coating device applied to the implementation of the coating liquid forming method of the present invention.

【図3】図2のレジスト塗布ユニットにおけるレジスト
液供給ノズルの移動機構を示す斜視図。
FIG. 3 is a perspective view showing a moving mechanism of a resist liquid supply nozzle in the resist coating unit of FIG. 2;

【図4】レジスト液供給ノズルが直線状に移動する他の
レジスト液供給ノズルの移動機構を示す斜視図。
FIG. 4 is a perspective view showing a moving mechanism of another resist liquid supply nozzle in which the resist liquid supply nozzle moves linearly.

【図5】図2に示すレジスト塗布ユニットの制御系を示
すブロック図。
FIG. 5 is a block diagram showing a control system of the resist coating unit shown in FIG. 2;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

22…レジスト塗布ユニット 40…スピンチャック(整膜手段、基板駆動手段) 41…処理室 51…駆動モータ(整膜手段、基板駆動手段) 70…溶媒供給ノズル 80…レジスト液供給ノズル(塗布液供給ノズル) 87…ベローズポンプ(吐出手段) 90…噴頭 100…ノズル移動機構(ノズル移動手段) 110…ユニットコントローラ G…LCD基板 Reference numeral 22: resist coating unit 40: spin chuck (film regulating means, substrate driving means) 41: processing chamber 51: drive motor (film regulating means, substrate driving means) 70: solvent supply nozzle 80: resist liquid supply nozzle (coating liquid supply) Nozzle) 87 Bellows pump (discharge means) 90 Spout head 100 Nozzle moving mechanism (nozzle moving means) 110 Unit controller G LCD board

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/16 502 G03F 7/16 502 H01L 21/027 H01L 21/30 564C Fターム(参考) 2H025 AA00 AB16 AB17 EA05 4D075 AC64 AC84 AC92 AC94 DA06 DC21 DC22 4F041 AA06 AB01 BA05 BA12 BA21 BA34 BA56 4F042 AA06 AA07 BA04 BA05 BA08 BA12 EB18 EB29 5F046 CD01 CD06 JA02 JA03 JA05 JA06 JA08 JA10 JA24 LA04 LA06 LA07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/16 502 G03F 7/16 502 H01L 21/027 H01L 21/30 564C F-term (reference) 2H025 AA00 AB16 AB17 EA05 4D075 AC64 AC84 AC92 AC94 DA06 DC21 DC22 4F041 AA06 AB01 BA05 BA12 BA21 BA34 BA56 4F042 AA06 AA07 BA04 BA05 BA08 BA12 EB18 EB29 5F046 CD01 CD06 JA02 JA03 JA05 JA06 JA08 JA10 JA24 LA04 LA06 LA07

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理容器内に収容された基板の表面上
に、塗布液供給ノズルから塗布液を供給して塗布膜を形
成する塗布膜形成方法であって、 前記塗布液供給ノズルを基板上で移動させながら、この
塗布液供給ノズルから前記基板の表面に塗布液を吐出し
て塗布膜を形成する工程と、 前記塗布膜の膜厚を整える工程とを具備することを特徴
とする塗布膜形成方法。
1. A coating film forming method for forming a coating film by supplying a coating liquid from a coating liquid supply nozzle on a surface of a substrate housed in a processing container, comprising: Forming a coating film by discharging a coating liquid from the coating liquid supply nozzle onto the surface of the substrate while moving the coating film; and adjusting the film thickness of the coating film. Forming method.
【請求項2】 前記塗布液供給ノズルが基板上で移動し
ている際、この塗布液供給ノズルからの塗布液の吐出を
連続して行うか、または前記塗布液供給ノズルの基板上
の位置に応じて吐出を中断することを特徴とする請求項
1に記載の塗布膜形成方法。
2. When the application liquid supply nozzle is moving on the substrate, the application liquid is continuously discharged from the application liquid supply nozzle, or the application liquid is supplied to the position of the application liquid supply nozzle on the substrate. 2. The method according to claim 1, wherein the discharge is interrupted accordingly.
【請求項3】 前記塗布液供給ノズルが基板上で移動し
ている際、この塗布液供給ノズルからの塗布液の吐出速
度を略一定に維持するか、または前記塗布液供給ノズル
の基板上の位置に応じて吐出速度を変化させることを特
徴とする請求項1または請求項2に記載の塗布膜形成方
法。
3. When the coating liquid supply nozzle is moving on a substrate, the discharge speed of the coating liquid from the coating liquid supply nozzle is maintained substantially constant, or the coating liquid supply nozzle The method according to claim 1, wherein the discharge speed is changed according to the position.
【請求項4】 前記塗布液供給ノズルの移動を連続して
行うか、または前記塗布液供給ノズルの基板上の位置に
応じて移動を中断することを特徴とする請求項1ないし
請求項3のいずれか1項に記載の塗布膜形成方法。
4. The method according to claim 1, wherein the movement of the application liquid supply nozzle is continuously performed, or the movement is interrupted in accordance with the position of the application liquid supply nozzle on the substrate. The method for forming a coating film according to claim 1.
【請求項5】 前記塗布液供給ノズルが基板上で移動し
ている際、この塗布液供給ノズルの移動速度を略一定に
維持するか、または前記塗布液供給ノズルの基板上の位
置に応じて移動速度を変化させることを特徴とする請求
項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の塗布膜形成
方法。
5. When the application liquid supply nozzle is moving on the substrate, the moving speed of the application liquid supply nozzle is maintained substantially constant, or according to the position of the application liquid supply nozzle on the substrate. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the moving speed is changed.
【請求項6】 前記塗布液供給ノズルが基板上で移動し
ながら塗布液を吐出している際、前記基板を静止させる
か、または移動もしくは回転させることを特徴とする請
求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の塗布膜形
成方法。
6. The substrate according to claim 1, wherein the substrate is stopped or moved or rotated while the coating liquid supply nozzle is discharging the coating liquid while moving on the substrate. The method for forming a coating film according to any one of the above items.
【請求項7】 前記基板の移動速度もしくは回転速度を
略一定に維持するか、または前記塗布液供給ノズルの基
板上の位置に応じて移動速度もしくは回転速度を変化さ
せることを特徴とする請求項6に記載の塗布膜形成方
法。
7. The moving speed or the rotating speed of the substrate is maintained substantially constant, or the moving speed or the rotating speed is changed according to the position of the coating liquid supply nozzle on the substrate. 7. The method for forming a coating film according to item 6.
【請求項8】 処理容器内に収容された基板の表面上に
塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布装置であって、 塗布液を供給する塗布液供給機構と、 塗布液供給機構からの塗布液を基板の表面上に吐出する
塗布液供給ノズルと、 前記塗布液供給ノズルを基板上で移動するためのノズル
移動機構と、 前記塗布液供給系および前記ノズル移動機構を制御する
制御手段と、 前記塗布膜の膜厚を整える整膜機構とを具備することを
特徴とする塗布装置。
8. A coating apparatus for forming a coating film by supplying a coating liquid onto a surface of a substrate housed in a processing container, comprising: a coating liquid supply mechanism for supplying the coating liquid; A coating liquid supply nozzle for discharging the coating liquid onto the surface of the substrate, a nozzle moving mechanism for moving the coating liquid supply nozzle on the substrate, and a control means for controlling the coating liquid supply system and the nozzle moving mechanism And a film adjusting mechanism for adjusting the thickness of the coating film.
【請求項9】 前記制御手段は、前記ノズル移動機構に
より前記塗布液供給ノズルが基板上で移動している際
に、前記塗布液供給ノズルから連続して塗布液を吐出さ
せるか、または前記塗布液供給ノズルの基板上の位置に
応じて塗布液の吐出を中断するように前記塗布液供給機
構を制御することを特徴とする請求項8に記載の塗布装
置。
9. The control device according to claim 1, wherein the application liquid supply nozzle is continuously ejected from the application liquid supply nozzle when the application liquid supply nozzle is moving on the substrate by the nozzle moving mechanism. The coating apparatus according to claim 8, wherein the coating liquid supply mechanism is controlled so as to interrupt the discharge of the coating liquid in accordance with a position of the liquid supply nozzle on the substrate.
【請求項10】 前記制御手段は、前記ノズル移動機構
により前記塗布液供給ノズルが基板上で移動している際
に、前記塗布液供給ノズルからの塗布液の吐出速度を略
一定に維持するか、または前記塗布液供給ノズルの基板
上の位置に応じて吐出速度が変化するように前記塗布液
供給機構を制御することを特徴とする請求項8または請
求項9に記載の塗布装置。
10. The control means according to claim 1, wherein said nozzle moving mechanism keeps the discharge speed of the coating liquid from the coating liquid supply nozzle substantially constant when the coating liquid supply nozzle is moving on the substrate. The coating apparatus according to claim 8, wherein the coating liquid supply mechanism is controlled such that a discharge speed changes according to a position of the coating liquid supply nozzle on the substrate.
【請求項11】 前記制御手段は、前記塗布液供給ノズ
ルを基板上で移動させている際、この塗布液供給ノズル
を連続して移動させるか、または前記塗布液供給ノズル
の基板上の位置に応じて移動を中断するように前記ノズ
ル移動機構を制御することを特徴とする請求項8ないし
請求項10のいずれか1項に記載の塗布装置。
11. The control means, when moving the coating liquid supply nozzle on the substrate, continuously moves the coating liquid supply nozzle, or moves the coating liquid supply nozzle to a position on the substrate. The coating apparatus according to any one of claims 8 to 10, wherein the nozzle moving mechanism is controlled so that the movement is interrupted in response.
【請求項12】 前記制御手段は、前記ノズル移動手段
により前記塗布液供給ノズルを基板上で移動させている
際、この塗布液供給ノズルの移動速度を、略一定に維持
するか、または、前記塗布液供給ノズルの基板上の位置
に応じて変化させるように制御することを特徴とする請
求項8ないし請求項11のいずれか1項に記載の塗布装
置。
12. The control device according to claim 11, wherein the moving speed of the application liquid supply nozzle is maintained substantially constant when the application liquid supply nozzle is moved on the substrate by the nozzle moving device, The coating apparatus according to any one of claims 8 to 11, wherein the coating liquid supply nozzle is controlled so as to be changed according to a position on the substrate.
【請求項13】 基板を移動または回転させる基板駆動
機構をさらに具備し、前記制御手段は、前記ノズル移動
手段により前記塗布液供給ノズルが基板上で移動しなが
ら塗布液を吐出している際に、前記基板を静止するか、
または、前記基板を移動もしくは回転させるように制御
することを特徴とする請求項8ないし請求項12のいず
れか1項に記載の塗布装置。
13. The apparatus further comprising a substrate driving mechanism for moving or rotating the substrate, wherein the control unit is configured to discharge the application liquid while the application liquid supply nozzle is being moved on the substrate by the nozzle moving unit. Resting the substrate, or
The coating apparatus according to any one of claims 8 to 12, wherein the coating apparatus is controlled to move or rotate the substrate.
【請求項14】 前記ノズル移動手段により前記塗布液
供給ノズルが基板上で移動しながら塗布液を吐出してい
る際、前記制御手段は、前記基板の移動速度もしくは回
転速度を、略一定に維持するか、または、前記塗布液供
給ノズルの基板上の位置に応じて変化させるように前記
基板駆動機構を制御することを特徴とする請求項13に
記載の塗布装置。
14. When the application liquid supply nozzle is discharging the application liquid while moving on the substrate by the nozzle moving means, the control means keeps the moving speed or the rotation speed of the substrate substantially constant. 14. The coating apparatus according to claim 13, wherein the substrate driving mechanism is controlled to change the position of the coating liquid supply nozzle on the substrate.
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